1231864 五、發明説明（1 ) 本發明之技術領域 本發明係關於一種適合氣相沈積用之組成物，以及關 於使用該組成物用來形成抗反射膜之方法，和關於一種光 學元件。 前行技藝 爲了改善由合成樹脂所構成之光學元件的表面反射特性 ，已知可在合成樹脂的表面上形成一種抗反射膜。例如， 日本專利公開第1 1 6003/1 98 1號揭露了 一種在CR-39樹脂 (二乙二醇碳酸雙丙酯）基板上形成抗反射膜的光學元件， 其中抗反射膜包括一個厚度爲1.5 λ由Si02所構成的基底 層、總厚度約爲〇.25λ而由等厚之Zr02層及Si02層所構 成的兩層式薄膜所組成的第一層、厚度約爲0.5 0 λ而由 Zr02所構成的第二層、厚度約爲〇.25；1而由Si02所構成的 第三層，其係在C-39樹脂基板上依序形成。 然而，當以氣相沈積法使抗反射膜在樹脂基板上形成時 ，樹脂基板的耐熱性無法像玻璃基板的耐熱性一般高。因 此，以氣相沈積法在樹脂基板上形成Zr02層的耐熱性，並 不能被視爲是足夠的。除此之外，Zr02層的耐熱性也很容 易隨著時間的流逝而大幅降低。具有耐熱性不佳且易於隨 時間降低耐熱性之抗反射膜的光學元件，往往會在應用上 遭遇到問題，例如，用來做爲眼鏡鏡片時。這是因爲眼鏡 的塑膠框會在嵌入鏡片之前加熱，而這些熱量將會傳導至 嵌入鏡框的鏡片上。耐熱性低的抗反射膜常會因爲熱膨脹 的差異而產生裂縫。 1231864 五、發明説明（2 ) 爲了解決耐熱性方面的問題，日本專利公開第291 502/ 1 990號和美國專利第5，1 8 1，141號中揭露了 一種具有抗反 射膜之光學元件，其高折射層係以含有Ta205、Zr02和 Υ2〇3之氣相沈積膜所形成，並且揭露了一種含有Ta205、 Zr02和Y2〇3沈積膜的氣相沈積用之組成物。 發明目的 在日本專利公開第291 5 02/1 990號和美國專利第 5，181,141號中所揭露含有Ta205、Zr02和Υ203之氣相沈積 用組成物，需要相當長的時間去形成所要的抗反射膜，因 此並不利用工作效率。 特別是在眼鏡這一個行業中，需要的是新穎的塑膠鏡片 用之光學元件，鏡片上塗有耐熱性良好的抗反射膜，而且 這層反射膜的耐熱性不會隨著時間而變差。 本發明的第一個目的是提供一種光學元件，其包括一層 合成樹脂基板，其必須在低溫下於基板上進行氣相沈積且 在其上面有形成一層抗反射膜，並且此抗反射膜的耐熱性 良好，同時隨著時間只會小幅降低其耐熱性。 本發明的第二個目的是提供一種組成物，其適合用於氣 相沈積，並且能夠在短時間內成高折射層，而不會減損高 折射層內的物理性質；及提供一種形成抗反射膜的方法。 發明總結 經本發明者不懈的努力硏究，終能達到上述目的，並且 發現，除了氧化锆和氧化釔之外，當氧化鈮和選擇性使用 的氧化鋁被添加至習用的氣相沈積組成物中，並且將所得 -4- 1231864 五、發明説明（3 ) 之組成物用於形成抗反射膜時，即可獲得一種具良好耐熱 性之多層式抗反射膜，並且此種氣相沈積膜可以在短時間 內形成，因而導致本發明的完成。 說的更明確一點，本發明的第一方面係關於一種組成物 ’其含有氧化鈮、氧化鉻、氧化釔和選擇性使用的氧化 鋁。 本發明的第二方面係關於一種形成抗反射膜的方法，其 包括燒結氧化鈮、氧化锆、氧化釔和選擇性使用之氧化鋁 的粉狀混合物，將燒結材料予以氣化而形成混合氧化物的 蒸热’以及將混合_化物蒸氣沈積於基板上。 本發明的第三方面係關於一種具有依之前第二方面所述 於塑膠基板上形成之抗反射膜的光學元件。 發明詳述 本發明將在以下的內容中將以詳述。 本發明組成物係藉由將含有氧化鈮粉末、氧化鉻粉末和 氧化釔粉末之粉狀混合物予以燒結而製成，其中以含有 Nb2〇5粉末、Zr〇2粉末和Υ2〇3粉末之粉狀混合物，或者是 含有Nb2〇5粉末、Zr〇2粉末、Υ2〇3粉末和Α12〇3之粉狀混 合物爲佳，並且其與傳統上所用單單燒結Zr02所製成之氣 相沈積用組成物相比，可在短時間內形成氣相沈積膜，並 且具有高的薄膜產率。 在本發明中爲何要混合三種成份的理由是因爲只單單使 用氧化鈮顆粒常會在以電子槍加熱時造成濺潑的問題。如 果產生濺潑的現象，會造成細小粒子附著在鏡片基板上， 1231864 五、發明説明（4 ) 而使得產品不合格。除此之外，此薄膜易於被染色（吸收） 。爲了改善不良的耐化學性，如耐酸性和耐鹼性，因此將 數種成份混合在一起。 添加氧化鉻（Zr02)可有效減少濺潑的發生，而濺潑現象常 發生在以電子槍加熱氧化鈮顆粒以進行氣相沈積的操作過 程中，這樣會造成薄膜剝離以及造成雜質的附著，因此， 加入氧化锆將有利於獲得具穩定品質的氣相沈積膜。 添加氧化釔（Y2〇3)的目的則是爲了改變在以電子槍加熱 情況下進行氣相沈積時所形成薄膜的氧化物狀態，因此它 對於避免經由單單使用氧化鈮顆粒或氧化鈮和氧化銷顆粒 混合物來進行氣相沈積所形成之薄膜的著色現象（吸附）相當 有效。 在本發明中，上述的三種成份係混合在一起，以形成氣 相沈積用之組成物，它們可完全展現出個別的效果，並且 所形成抗反射膜的耐熱性隨著時間只會小幅降低。 爲了得到更好的結果，氣相沈積用之組成物的理想混合 比例如下。以氣相沈積用之組成物的總量爲基準，氧化鈮 的用量（以Nb205爲計算基準）以介於60到90重量％之間爲 佳，又以介於80到90重量％之間爲更佳；氧化锆的用量 (以Zr02爲計算基準）以介於5到20重量％之間爲佳，又以 介於5到10重量％之間爲更佳；氧化釔的用量（以Y203爲 計算基準）以介於5到35重量％之間爲佳，又以介於5到10 重量％之間爲更佳。如果Nb205用量和/或Zr02用量和/或 Y2〇3用量的比例介於較偏好的範圍內，則所獲得的高折射 -6- 1231864 五、發明説明（5 ) 層將會展現出特別優異的吸收特性；Y203用量超過50重 量％時，將會進一步改善所得抗反射膜的耐酸性。 氣相沈積用之組成物還可以含有氧化鋁，以用來控制折 射率。 在此組成物中，氧化鋁的用量（以Α12〇3爲計算基準）以介 於Nb205、Ζι·02和Υ203的0.3到7.5重量％之間爲佳，又 以介於0.3到2.0重量％之間爲更佳。氧化鋁用量高於偏好 範圍的下限時，將導致控制折射率的最好結果；而氧化率 含量不超過偏好範圍的上限時，也可獲得具特佳耐鹼性的 抗反射膜。氧化鋁的加入並不會妨礙摻有Nb205、Zr02和 Y2〇3之薄層的特性，同時氧化鋁（Al2〇3)也可以控制薄層的 折射率，在這種情形下，用量介於較佳範圍內將可保證爲 特別有利的狀況。 本發明的氣相沈積用組成物還可含有任何其它種不會 削減上述效果的金屬氧化物，如氧化鉬（Ta205)、氧化鈦 (Ti02)等。任何其它種金屬氧化物的用量以不超過組成物 總重量的30重量％爲佳，而以不超過10重量％爲更佳。 依耐熱性的觀點看來，本發明之多層式抗反射膜的低折 射層可使用二氧化矽薄膜（Si〇2)。 在層狀結構方面，抗反射膜包括一個兩層式（λ /4-λ /4) 的薄膜，和一個三層式（又/4-入/4- λ /4或λ /4- λ /2- λ /4) 的薄膜。在本說明書的內文中，λ的數値係介於450到550 nm之間。在實務應用上，典型的λ數値爲500nm。並不侷 限於此，抗反射膜可以是任何其它種的四層式或多層式薄 1231864 五、發明説明（6 ) 膜。最接近基板的第一層低折射層可以是任何一種已知約 兩層式等厚膜、三層式等厚膜或其它膜合膜。 可用於本發明之光學元件的合成樹脂基板爲異丁烯酸甲 酯均聚物、異丁烯酸甲酯和一或多種它單體（如單體成份）的 共聚物、二乙二醇碳酸雙丙酯均聚物、二乙二醇碳酸雙丙 酯和一或多種其它單體（如單體成份）的共聚物、含硫共聚 物、含鹵素共聚物、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、不 飽和聚酯、聚對酞酸乙二酯、聚胺基甲酸乙酯等。 在本發明中，爲了在合成樹脂上形成一層抗反射膜，首 先需要以浸漬、旋轉塗佈等方法，使含有有機矽聚合物的 硬塗層於合成樹脂表面上形成，之後在硬塗層之上再形成 抗反射膜。至於硬塗層的典型組成物和塗佈方法可參考歐 洲專利EP 1 04 1 404中所揭露之內容。爲了改善合成樹脂基 板和抗反射膜之間的附著性、耐刮性等，較好能在合成樹 脂基板表面和反射膜之間，或者是在合成樹脂·基板上所形 成的硬塗層及抗反射膜之間再安排一層基層。這種基層， 例如，可以是一種氧化矽的氣相沈積膜。適合的基層可參 考美國專利第5,181，141號中所揭露之內容。 在本發明中，較佳的組成物包括一種由氧化鈮、氧化鉻 和氧化銘所構成之三成份組成物，以及一種由氧化鈮、氧 化銷、氧化釔和氧化鋁所構成之四成份組成物。 本發明之組成物最好能藉由將氧化鈮（Nb205)粉末、氧化 錐（Zr02)粉末和氧化釔（Y203)粉末，以及，選擇性的成份氧 化鋁（αι2ο3)粉末，和選擇性的其它金屬氧化物粉末混合的 1231864 五、發明説明（7 )
方式來形成（這些混合的粉末有時會在下文中被稱爲粉狀混 合物），並且對粉狀混合物加壓，接著以（例如）電子束進行 加熱，因而使其蒸氣沈積於基板上。最好能使用藉由加熱 和燒結所製得的九狀燒結材料，因爲這樣可以減少氣相沈 積所需的時間。粉狀混合物或燒結九粒中每一種氧化物的 用量可以適當的加以改變，端視被形成之高折射層所需的 性質而定。 如前所述，本發明中的抗反射膜可藉由將含有氧化鈮、 氧化銷、氧化釔和選擇性的成份氧化鋁，以及選擇性的 其它金屬氧化物粉末的粉狀混合物予以燒結，產生混合氧 化物的蒸氣，以及將所生成的蒸氣在基板上沈積的方式來 形成。這種形成抗反射膜的方法最好能結合一種離子輔助 製程。此種離子輔助製程係M· Flinder等人曾於1 995年在 美國新墨西哥州阿布奎基市’’真空塗佈器學會”第237-241 頁中，以及其中所引用之文章中有所敘述。
結合離子輔助製程，膜的形成可產生各種優點。說的更 明確一點，當高折射層係經由氧氣離子輔助氣相沈積而形 成時’鏡片的吸收現象可以進一步減少。當利用一種使用 氧氣和氬氣之混合氣體的離子輔助製程時，耐鹼性也跟著 提高了。混合氣體中以含有90到95%的氧氣和5到10%的 氣氣爲較佳如果氧氣的用量太少，所形成之薄膜可能無法 維持其光學性質。氬氣用量適當時，薄膜的密度可提高。 -9- 1231864 五、發明説明（8 ) 爲了獲得本發明之氣相沈積用的組成物，此種粉狀混合 物可以任何一種傳統方法予以加壓。例如，較好是以2 0 0 公斤/平方公分到400公斤/平方公分（由19.6到39.2MPa) 的壓力予以加壓。燒結的溫度將視組成物的組成成份而改 變，一般約在1〇〇〇到1400°C的範圍內。燒結的時間則是 隨著燒結溫度而改變，通常是介於1到4 8小時的範圍內。 本發明的高折射膜可以在一般條件下藉由上述之真空蒸 發、濺鍍、離子鍍等方法中的任一種方法來進行組成物的 汽化而製成。這些傳統方法可以進一步參閱Leon I. Maissel 和Reinhand Glang所著之’’薄膜技術手冊"，其中有更詳細 的說明。也就是說，由此種氣相沈積用之組成物可產生混 合氧化物之組成物的蒸氣，並且所得之蒸氣將沈積在基板 上。被加熱之合成樹脂基板的溫度會隨著合成樹脂的耐熱 性而改變，通常是介於70到85 °C的範圍內。 依照本發明之方法，即使是在合成樹脂基板被加熱之汽 化溫度爲70到851的低溫範圍內形成薄膜，其所形成的抗 反射膜仍具有良好的耐熱性，而且其耐熱性很難隨著時間 而跟著降低。 本發明之具有抗反射膜的光學元件不只是可用於眼鏡的 鏡片，也可用於照相機的鏡頭、汽車的擋風玻璃、裝置於 文字處理器之螢幕的濾光器等。 實例 本發明將參考以下的實例做更詳細的描述。依照以下所 述的測試方法來量測依照下述實施例和比較實施例所製得 -10- 1231864 五、發明説明（9 ) 具有抗反射膜之光學元件的物理性質。 (1) 氣相沈積用之組成物的熔化情形： 依照下述標準來檢驗熔化情形： UA :沒有濺潑 A :有一點濺潑 B :經常發生濺潑 C :總是發生濺潑 在本發明內文中’ ”濺潑”係定義爲關於氣相沈積用之組 成物之表面的情況程度。 (2) 微小外來物質的附著情形： 在氣相沈積完成之後，以肉眼來檢驗氣相沈積之鏡片表 面上被濺潑的微小粒子附著之情形，依下述標準來如下評 估： UA :沒有發現細小的外來物質 A :發現1-5個細小的外來物質 B :發現6-1 0個細小的外來物質 C :發現11個或更多的細小外來物質 (3) 耐鹼性測試： 將鏡片浸泡在溫度爲20°C的10重量％NaOH水溶液中 。經過30和60分鐘之後，檢驗塗膜是否已剝離，以及鏡 片表面是否變得粗糙。 UA :只發現很少的剝落點 A :在整個表面上發現至多0.1毫米大小的數個小 剝落點，或是少量直徑爲0.3毫米左右的剝落點。 -11- 1231864 五、發明説明（1()) B :剝落點的密度高於等級A，並且較大剝落點的 比例也高於等級A。 C :在表面上到處可發現約0.3毫米大小的剝落點 ，或是小剝落點的密度相當高。 D :在表面上到處可發現大量的剝落點，並且表面 看起來爲白色。所有其它比那些樣品還差的情況皆列爲等 級D。 (4) 耐刮測試 以#0000鋼絲絨來摩擦表面，並且施以1公斤的重量。經 過來回摩擦20回之後，依照下述標準來檢驗表面的狀況： UA :少許刮痕 A :輕微刮痕 B :許多刮痕 C :塗膜鼓起 (5) 附著測試： 依照JIS-Z- 1 5 22之規範，將表面割劃成10x10的十字切 割，並且以Cellotape膠帶（Nichiban公司所生產的商品名 稱）對十字切割進行三次剝灕測試。計算仍殘留之十字切割 數目。 (6) 發光反射率： 以曰立公司所製造的U-34 10分光光度計來測量發光反射 率〇 (7) 發光透射率： 以日立公司所製造的U-34 10分光光度計來測量發光透射 -12- 1231864 五、發明説明（11 ) 率。 (8) 吸收率： 以100%扣除發光反射率及發光透射率即可得到吸收率。 (9) 耐熱測試： 將具有抗反射膜之光學元件在形成氣相沈積膜之後，立 即置入烘箱中加熱1小時，並且檢驗其是否產生裂痕。具 體的說，首先在50°C的溫度下加熱60分鐘，並且以5°C 的間隔逐漸提高溫度（每一個間隔持續30分鐘），並且記錄 它開始產生裂痕的溫度。 此外，將具有抗反射膜之光學元件在形成氣相沈積膜之 後，立即將其曝露於空氣二個月，並且之後再進行如前所 述的相同耐熱性測試。 實例1、實例4、比較實例1和比較實例4:: 以一種含有UV吸收劑（2-羥基-4-正辛氧基苯甲酮）並且由 二乙二醇碳酸雙丙酯爲主要成份所製成之塑膠鏡片（CR-39 : 基板A)做爲塗佈抗反射膜的合成樹脂基板，該鏡片中所含 有之主要成份和UV吸收劑的重量比率前者與後者相比爲 99.97/0.03，且折射率爲 1.499。 硬塗層（nd 1.50)的形成 將塑膠鏡片浸於含有80莫耳％的膠態二氧化矽和20莫耳％ r -環氧丙氧基丙基三甲氧矽烷的塗料溶液中，並且使其硬 化而在形成一層硬塗層A。 在實例1中，將其上帶有硬塗層的塑膠鏡片在80t的溫 度下加熱，並且以真空蒸發法（真空度爲2x1 0·5托）在塗層 -13- 1231864 五、發明説明（12 ) 之上形成一層由Si02所構成的基層（折射率爲1.46，厚度爲 0.48 75又（λ =5OOnm))。接著，再藉由加熱氣相沈積用之三 成份組成物 A(Nb205 : Zr02 : Υ2〇5 = 76:16.6:7.4 重量％)的方 式在其上形成一層（折射率爲2.12,厚度爲0.0502 λ )，其 中該組成物係藉由將Nb205粉末、Zr02粉末和Υ203粉末予 以混合，並且對所得之混合物在300公斤/平方公分的壓力 下加壓，接著用電子槍在輸出電流爲170毫安的狀況下加 熱，使其在130(TC的溫度下進行燒結；進一步再於此層上 方形成一層由Si02所構成的第一低折射層（折射率爲1.46, 厚度爲0.0764 A )。在第一低折射層之上，以氣相沈積用之 組成物A形成一層高折射層（折射率爲2.12，厚度爲0.4952 λ);並且再造一步在其上方形成一層由Si02所構成的第二 •低折射層（折射率爲1.46，厚度爲0.2372 λ )，終而製得具 有抗反射膜之塑膠鏡片。低折射層和高折射層的形成方式 皆與形成基層時所使用之真空蒸發方式完全相同。 在實例4中，以真空蒸發的相同方式來形成抗反射膜， 其中用來形成高折射層之氣相沈積用組成物Β係將1重量％ 的Α12〇5添加至氣相沈積用之組成物Α中而製成的。 在比較實例1中，以傳統的Zr02蒸氣源用來形成塗佈 塑膠鏡片之抗反射膜的高折射層；而在比較實例4時，則 是單獨使用氧化鈮一種蒸氣源來形成折射層。 實例2、實例5、比較實例2和比較實例5 : 將1 42份重的有機砂化合物，7 -環氧丙氧基丙基三甲氧 石夕院置入一個玻璃容器中，接著在其中滴入1 · 4份重的 -14- 1231864 五、發明説明（13 ) 0.01N鹽酸和32份重的水，並予以攪拌。在滴入上述物質 之後，攪拌24小時，而獲得一種水解的r -環氧丙氧基丙 基三甲氧矽烷溶液。在此溶液中加入460份重的氧化錫-氧化鉻複合溶膠（分散在甲醇中，金屬氧化物的總含量爲 3 1 ·5重量％，並且其平均粒徑爲1 0到1 5nm)、300份重的 乙基溶纖素、0.7份的潤滑劑、矽界面活性劑和8份重的 硬化劑，乙醯基丙酮酸鋁。將此混合物攪拌均勻，並且接 著予以過濾，以製備一種塗料溶液。 硬塗層的形成 以一種鹼性水溶液預先處理一種塑膠鏡片基板（眼鏡用之 塑膠鏡片，由保谷公司所製造的EYAS商品，其折射率爲 1.60-基板B)，並且將其浸在塗料溶液中。在浸入溶液中 之後，以20公分/分鐘的抽拉速率將基板取出。接著，在 1 2(TC的溫度下加熱2小時，以形成一層硬塗層B。 接下來，如下表中所列，形成一種5層的抗反射膜，以 製成塑膠鏡片，其中用於氣相沈積用之組成物A係用來 形成實例2中的第2和第4高折射層；用於氣相沈積用之 組成物B係用來形成實例5中的抗反射膜；傳統的Ζι·02 蒸氣源係用來形成比較實例2中的抗反射膜；而單獨使用 的氧化鈮蒸氣源則係用來形成比較實例5中的抗反射膜。 實例3、實例6、比較實例3和比較實例6 : 將1 〇〇份重的有機矽化合物，r -環氧丙氧基丙基三甲 氧矽烷置入一個玻璃容器中，接著在其中滴入1.4份重的 0.01N鹽酸和23份重的水，並予以攪拌。在加入上述物質 -15- 1231864 五、發明説明（14 ) 後，攪拌24小時，而獲得一種水解的T-環氧丙氧基丙基 三甲氧矽烷溶液。另一方面，將200份重的無機微粒（由氧 化鈦、氧化锆和氧化矽等主要成份所組成的微粒複合溶膠 ，分散於甲醇中，總固體含量爲20重量％，且平均粒徑爲 5到1 5nm —其中，核心粒子中的鈦/矽原子數比爲1 0，而外 殻相對於核心的重量比率爲0.25，這種溶膠係依照日本專 利公開第270620/1988號所揭露之方法來製備）與100份重 的乙基溶纖素、0.5份重的潤滑劑（矽界面活性劑）和3.0份 重的硬化劑（乙醯基丙酮酸鋁）混合在一起。將所得之混合物 加至水解的r -環氧丙氧基丙基三甲氧矽烷中，並且攪拌均 勻。將其予以過濾，以製備一種塗料溶液。 硬塗層的形成 以一種鹼性水溶液預先處理一種塑膠鏡片基板（眼鏡用之 塑膠鏡片，由保谷公司所製造的Teslalid商品，其折射率 爲1.71-基板C)，並且將其浸在塗料溶液中。在浸入溶液 中之後，以20公分/分鐘的抽拉速率將基板取出。接著， 在1 20°C的溫度下加熱2小時，以形成一層硬塗層C。 接下來，如下表中所列，形成一種5層的抗反射膜，以 製成塑膠鏡片，其中用於氣相沈積用之組成物A係用來形 成實例3中的第2、第4和第6高折射層；用於氣相沈積用 之組成物B係用來形成實例6中的抗反射膜；傳統的Zr02 蒸氣源係用來形成比較實例3中的抗反射膜；而單獨使用 的氧化鈮蒸氣源則係用來形成比較實例6中的抗反射膜。 表1所示爲實例和比較實例中之塑膠鏡片基板、硬塗層 -16- 1231864 五、發明説明（15 ) 、氣相沈積用之組成物和抗反射膜的組份層之厚度，以及 其物理性質等數據。 在所有實例中和只使用氧化鈮來形成抗反射膜之高折射 層的比較實例4到6中，皆是以離子預先處理過基板，並 且高折射層的形成係藉由離子來輔助的。說的更明確一點 ，在離子預處理和離子輔助製程中，皆會使用氧氣。在離 子預處理中，加速電壓爲150伏特，電流爲100毫安，並 且曝露時間爲60秒；而在離子輔助製程中，加速電壓爲 1 〇〇伏特，加速電流爲20毫安。在比較實例1到3中，其 中傳統的Zr02蒸氣源被用來形成抗反射膜的高折射層，其 基板並沒有以離子預處理，而所形成的高折射層並不是藉 由離子輔助的。 如同表1中所示，被用於實例1到6中之本發明的氣 相沈積用組成物A和B可避免發生濺潑，並且能穩定沈 積。 在表1中同時也顯示出，在使用任何一種本發明之氣相 沈積組成物A或B的實例1到6中，其塗有抗反射膜的塑 膠鏡片與比較實例丨到6中塗有抗反射膜的塑膠鏡片相比 ，皆具有較佳的耐熱性，並且它們的耐熱性隨著時間只會 略爲減少。 實例7到實例18 在不藉由離子輔助的情況下，依實例1到6的相同方 式及表2和表3中所示的條件下，形成一種抗反射膜，並 且測試其性質。雖然未藉由離子輔助，但仍可獲得良好的 -17- 1231864 五、發明説明（16 ) 物理性質，如表2和表3中所示。 在這些表中，λ係指所使用光的波長，並且；（=50Onm。 在上表中所指的組成物A和組成物B係指由組成物A或 組成物B所形成的薄層。 本申請書中所陳述的發明實例僅爲本發明的較佳實例。 然而’具有介於實例間所示之組成物組成之間比例的組成 物也是較偏好的選擇。同樣的，厚度介於實例之間所揭示 之厚度的抗反射膜也是較偏好的選擇。最後，具有如實例 之間所揭露之層狀結構的光學元件也是較偏好的選擇。 本發明的優點 由上述的實例可明顯的看出，本發明可獲得一種具抗 反射膜及良好耐熱性的光學元件，其耐熱性隨著時間只會 略爲減低，即使是必須於低溫下使抗反射膜氣相沈積於合 成樹脂基板上。 此外，使用本發明之組成物，以及依照本發明之抗反射 膜的形成方法可以在較短的時間內形成高折射層，同時完 全不會破壞其內有的良好物理性質。本發明的組成物和方 法可確保高的操作效率。 -18- 1231864 i、菸明郄 日月 ( 17、 緦 緦 51 笛 M 隧 S 驟 m -J ON Lh LO K> 一 m J333 a ί# 韻 m F# H? 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C C ο to 〇薛 二 a o 二 s 〇 S〇 一热 o b sp o 基板c W o io oo v〇 Ln > > > > s,9 S漤 ν〇 Γ1 K,9 V£J SP oo u> > > > g o 0.522 99.002 0.476 | 〇 C > C > C > C > o to 組成物B 0.5204 Si02 0.022 組成物Β 0.052 Si02 0.3871 _ > 基板A 實例4 g o 0.209 99.23 0.561 〇 C > C > C > C > Si02 0.0781 組成物B 0.5004 Si02 0.0227 組成物Β 0.0498 o b On ii DO 基板Β 實例5 g o 0.213 99.301 0.486 〇 C > C > C > C > Si02 0.252： 組成物 0.022( Si02 0.109/ 組成物 0.540： Si02 0.033 組成物 0.022( 〇 O ί〇 P _ n 1 基板c 實例6 DD w w 一19一
1231864 明 發 五 在曝露於開放空氣中2個月後的耐熱性(°C) 耐熱性(°C) 吸收率，100-Y-Z(°/。） 發光透射率z(%) 發光反射率Y(%) 薄膜附著性 it刮性 耐鹼性 細小粒子的附著情形 氣相沈積用之組成物的熔化情形 | 第7層氣相沈積用之組成物 厚度(λ) 第6層氣相沈積用之組成物 厚度(λ) 第5層氣相沈積用之組成物 厚度(λ) 第4層氣相沈積用之組成物 厚度(λ) 第3層氣相沈積用之組成物 厚度(λ) 第2層氣相沈積用之組成物 j 厚度(λ) 第i層氣相沈積用之組成物 | 厚度(λ) 硬塗層 塑膠鏡片基板 oo 0.522 | 99.002 0.476 OO UA到A UA到A c > C > Pc/) So Zr02 0.4204 〇 b 与·9 Zr02 0.0635 層A 基板A 比較實例1 OO 0.522 99.002 0.476 VO Ό C > C > c > C > Si02 0.2531 Zr〇2 0.4205 § Zr02 1 0.0636 1 i Si〇2 | 0.3625 層B 基板B 比較實例2 g 00 v 0.522 99.002 Ί 0.476 oo C > C > c > C > Si02 0.253 Zr02 0.4206 Si02 0.2832 Zr02 0.4206 Si02 0.0589 Zr02 0.0637 Si02 0.561 層c 基板C 比較實例3 g OO 1.407 1 97.568 1.025 o c > UA到A 03 ω Si02 0.2572 P之 cr —t。 K) 〇 \Q Ui Si02 0.022 Nb205 0.0518 Si〇2 1 0.3871 層A 基板A 比較實例4 g CO Uv 1.668 96.89 1.442 o c > UA到A DO DO 〇 b P P 2： 廿〇 〇 b y?. K,P Nb205 0.0598 ο ο i〇 ,Ρ 層B 基板B |比較實例5 g 00 U\ OO 97.063 1.352 o c > > DO W Si02 0.2527 Nb205 0.0526 ______j Si02 0.1097 P 2： vyi cr UJ ij lO 〇 \〇 Ur* Si02 0.033 P之 〇 (T ίο 〇 Os Si02 0.0727 層C 基板C 比較實例6 »1-2
-20 1231864 五、發明説明（19 ) ai 緦 緦 W 鄣 笛 濟]I 满 臨 灃 m 鄹 益 <1 〇\ to 一 職 r^i| Rf m F# Fff 寒 sa _ 5¾ ii ¢1 _ _ 鄒 〇° 爾 3ί IS V-^ H? S a 顧潍 fl舞ϊ Φϋ Μ 養對! fl pir 砸pi 徊對I 落 N (V )¾ ^ M m Mm 砘益 Mm N gs 二廷 5廷 5廷 a w Λ w 3ί w 3ί w w s® '滿 丑 漤 a a a a ΞΕ a a ro s N- (V N- N- N- 画 葫 gs 薛 薛 薛 ^0 a a 寐 il 豸 豸 豸 漤 Π> c£T 51 灃 R? 〇° o •ο L^> 99.01 0.86 〇 C > C > C > C > Si02 0.236ί 組成物 0.477： Si02 0.0681 組成物 0.053： Si02 0.578： 組成物 0.01 ο ο ^ 5,0 層A 基板A 實例: > > > o 0.14 99.01 0.85 〇 C > C > C > c > Si02 0.2315 組成物 0.420ί Si02 0.045： 組成物 0.075ί ο t〇 Ρ _ DO 基板Ϊ 實例ί V^l οο \J^ 〇〇 Λ Ο 〇 C C c c S V?. 〇薛 § m §1 s 〇靜 ο 3： ο b \D. 層c o Σ： 〇〇 ο 〇 > > > > si s：豸 s〇 %9 /-s 丨。> On > ^ > C J >0 0.138 99.002 〇 @Π Si〇2 | 0.072 〇 Sn 〇 ο薛 ο 00 yj\ o 0.86 〇 C > C > C > c > Si02 丨.2511 〇豸 CO 〇妈 DO 5P 0¾ CO Si02 ».0501 層A > oo Ο <〇 P C C C c s 〇 Sn O b \D. o Sn 0¾ 0 層Β 基板B 實例11 o LO S 〇〇 Ui 〇 > > > > ^,9 §豸 DD t〇 KJ\ CD ίο Ρ οο OO U\ o 0.14 Ό v〇 0.86 〇 C > C > C > c > Si02 0.2347 組成物Β 0.4362 o b 5.9 〇\ 組成物Β 0.065 Si02 0.5031 組成物Β 0.0379 b §·? 1 層c 基板C 實例12 —21〜 1231864 五、發明 20 緦 義 11 聲 笛 挪 满 Μ 铖 Μ 隧 麵 -ΗΪΗ m 驟 L/1 LO to 一 嗾 a 庚 〇° 樹 m ff H? (SF βι ίι _ ip _ Si _ 箱 爾 屮 Μ 淫 F# π> a ft pi 徊麴 ¢1濟 fl pif $1 pi 個潍 fl潍 N -< Ν' )¾ ^ 5¾¾ 河ra )¾ m 5¾ έπ 蹄益 Η>} N 薛 w 3{ 二廷 對ΐ 51 a w S w 3! w 3ί w S w 3ί w 2S ΐ 该 漤 aa 油 a 细 ΙΟ 3 Ν' N- N- Γ4 Η 窗 癍 商 犛 商 譁 薛 薛 Py a a a a a a 舔 漤 漤 3 51 澇 i# 〇° 〇〇 U\ ο o 99.01 〇 〇 C > C > G > C > δ s U\ 組成物A 0.172 Si02 0.0597 組成物A 0.14 ο b 1^° 組成物A 0.0458 Si02 0.459 _ > 基板A 實例13 00 Lh o ν〇 ρ C C C c S \D. 〇 Sn 二铒 〇 b 〇商 §- 〇 0Π 0¾ ο 基板Ϊ 實例14 i 5； QO 〇 > > > > §.p g·? 5Ρ DO 00 > 私> oo oo ο 又 〇 οο ν〇 〇 VO ,NJ 〇 C > C > C > c > Si〇2 0.2839 組成物A | 0.1731 Si02 0.0873 組成物A 0.1179 Si02 0.5275 組成物A 0.0407 ο b ^ οο _ Ο 基板C 實例15 00 Ul ο O to Ό νο 〇 00 〇 C > C > C > c > Si02 0.287 組成物A j 0.1603 Si02 0.0584 組成物A 0.143 Si02 0.102 組成物A 0.032 Si02 0.801 _ > 基板A 實例16 v〇 Lh o Ό 〇〇 C C C c 組成物 0.1685 〇 b pa 2 κ 〇商 〇 ο _ DO 基板E 實例Π ο io 〇 > > > > 苎p \Q 5；豸 Ον遂 Kj\ ίο ,9 > > > OO Ui ο o io U\ ν〇 οο 1—» 〇 L/ϊ 〇 C > C > C > c > Si02 0.309 組成物 0.1484 Si02 0.1017 組成物 0.1035 Si〇2 0.5762 組成物· 0.0287 Si02 0.1123 _ η 基板C 實例18 > > > _ 2 2 -