TWI225845B - MEMS device and method of forming MEMS device - Google Patents

Description

1225845 玖、發明說明： H JWi 發明領域 本發明概有關於微致動器，尤係關於一種微鏡裝置。 5 【先前技術】 發明背景 微機電系統（或MEMS)裝置包含微加工基材設有整合 的微電路。該系統可形成例如微感測器或微致動器等，它 們會依據譬如電磁、電致伸縮、熱電、壓電、或壓阻效應 10 等來操作。MEMS裝置以往係使用微電子技術，例如光微 影法、蒸汽沈積及蝕刻等，而被製設在絕緣體或其它基材 l· 〇 一MEMS之例包括一微鏡裝置。該微鏡裝置可被操作 如一光調制器，而來調制一入射光的振幅及/或相位。該微 15 鏡裝置之一種用途係在一顯示系統中。例如，多數的微鏡 裝置可被排成一陣列，而使各微鏡裝置形成該顯示器之一 胞元或像元。一習知的微鏡裝置係包含一靜電作動的鏡， 其係被製設成可繞該鏡之一轴來旋轉。如此，該鏡繞該車由 的旋轉乃可被用來調制入射光，而將其導至不同方向。為 2〇 此操作该微鏡裝置’該微鏡裝置會利用驅動電路。 因此，必需能有效地整合該微鏡裝置與其驅動電路。 【明内】 發明概要 本發明之一態樣係提供一種製造MEMS裝置的方法。 1225845 該方法包括形成一下結構，其包含一基材及至少一導電層 設在該基材的第一面上；製成一介電層覆蓋該下結構之該 至少一導電層；製成一保護層覆蓋該介電層；在該保護層 上形成一供該MEMS裝置電接觸區域；及在該電接觸區域 5 中製成一開孔穿過該保護層和介電層，而至該下結構之該 至少一導電層。 圖式簡單說明 第1圖為一實施例之微鏡裝置的一部份之截面示意圖。 第2圖為一實施例之微鏡裝置的一部份之立體圖。 10 第3A〜3H圖示出依本發明來製成一微鏡裝置的實施 例。 第4A、4C及4E圖分別示出當製造本發明之微鏡裝置 時，在第3A、3C及3E圖中之電接觸區域的實施例。 第5圖為一方塊圖示出一包含本發明之微鏡裝置的顯 15 示系統之實施例。 t實施方式3 較佳實施例之詳細說明 在以下較佳實施例的詳細說明中，將會參照所附之各 圖式，其亦構成本說明書的一部份，而舉例示出本發明可 20 能實施之各特定實施例。因此，方向性用語，諸如“頂”、 “底”、“前”、“後”、“先頭”、“末尾”等等，係參照所述之該 圖式的定向來使用。因為本發明的構件能以多種不同的定 向來設置，故方向性用語僅供說明而非作限制之用。應可 瞭解其它實施例亦可被使用，且結構或邏輯變化亦可被達 1225845 成而不超出本發明的範圍。因此，以下詳細說明並非作為 限制之意，而本發明的範圍係由所附申請專利範圍來界定。 第1圖示出一微鏡裝置1〇的實施例。該微鏡裝置1〇係為 一微致動器，其能靠電機轉化來產生一力，而造成一物體 5 或元件的移動或作動。在一實施例中，如下所述，有多數 的微鏡裝置10會被排列來形成一微鏡裝置陣列。如此，該 微鏡裝置陣列可被用來形成一顯示器。故，該各微鏡裝置 10會構成一光調制器可供調制入射光，並形成該顯示器之 一胞元或像元。此外，該微鏡裝置10亦可被使用於其它的 10顯像系統，例如投影機，且亦可被用於光學定址。 在一實施例中，該微鏡裝置10包含一基材20, 一板30， 及一作動元件40。最好是，該板3〇係被設成平行於基材2〇 的表面22，並與該表面22間隔分開，而在其間形成_腔穴 5〇。该作動元件4〇係被設在該基材20的表面22與該板3〇之 15間。因此’該作動元件40係被設在該腔穴50内。於一實施 例中，β亥作動元件4〇會被一由該基材2〇表面22伸出的支腳 24來撲持於該基材2〇上。 在貫施例中，該作動元件40會被作動，而相對於基 = 20:板30來移動於一第一位置47與一第二位置48之間。 20最好Κ β亥作動元件4〇會繞一旋轉軸而來移動或斜傾一角 度、。因此，該作動元件40的第一位置47係被示出呈水平狀 並平订於基材2〇,而其第二位置48則與第一位置呈一角 又來—向4作動元件4G相對於基材2()及板3⑽移動 動將洋細說明於下。 1225845 較好是’該板30係為一透光板32，而該作動元件40是 一反射元件42。在一實施例中，該透光板32係為一玻璃板。 但’其它的適當扁平狀半透明或透明的材料亦可使用。該 等材料之例包括石英和塑膠。 5 該反射元件42包含一反射表面44。在一實施例中，該 反射元件42係由一均質材料所製成，其具有適當的反射率 來形成反射表面44。該材料之例包括多晶矽或一金屬，例 如銘。在另一實施例中，該反射元件42係由一基材例如多 晶石夕所構成’並有一反射材料例如鋁或氮化鈦設在該基材 10 上來形成反射表面44。此外，該反射元件42係可由非導電 材料製成，亦可包含或以一導電材料來製成。 如第1圖所示的實施例中，該微鏡裝置11〇可調控一光 源（未示出）所產生的光，該光源係位於該透光板32相反於基 材20的一側。該光源係可包括例如自然光及/或人造光。因 15 此，射在透光板32上的輸入光12，將會穿過該透光板32而 進入腔穴50内，並會被反射元件42的反射表面44反射而形 成輸出光14。嗣，該輸出光14會通過腔穴50而往回穿過透 光板32。 該輸出光14的方向係由該反射元件42的位置來決定或 20 控制。例如，當反射元件42在第一位置47時，則輸出光14 會沿第一方向14a射出。但，若該反射元件42在第二位置 48，則輸出光14會沿第二方向14b射出。故，該微鏡裝置 可調控或改變該輸入光12所產生之輸出光14的方向。因 此，反射元件42能被用來操控光進入及/或離開一光顯像系 1225845 統。 在一實施例中，第一位置47係為反射元件42的中立位 置，而代表該微鏡裝置10的“ON”狀態，此時光會被反射至 一觀看者或一顯示螢幕上，如後所述。故，第二位置48即 5 為該反射元件42的作動位置，而代表該裝置10的“OFF”狀 態，此時光不會反射至一觀看者或一顯示螢幕上。 在一實施例中，反射元件42可藉施一電信號於一設在 基材20上的電極60，而來移動於第一位置47和第二位置48 之間。在一實施例中，該電極60係設在基材20的表面22上， 10 並靠近該反射元件42的一端或邊緣。施一電信號於該電極 60會在電極60和反射元件42之間產生一電場，而造成反射 元件42在第一位置47與第二位置48之間的移動。最好是， 當該電信號由該電極60消除時，該反射元件42會停滞或保 持在第二位置48—短暫時間。然後，該反射元件42的回復 15 力會將反射元件42拉回至該第一位置47。 在一實施例中，一導電通道26會被設在該支腳24内而 將之貫穿。該通道26會電連接於反射元件42，更具言之， 係連接於該反射元件42的導電材料。因此，該反射元件42 可藉施一電信號於該電極60和反射元件42,而在第一位置 20 47與第二位置48之間移動。更具言之，電極60會被充電成 一極性，而反射元件42的導電材料會被充電成一相反極 性。故，施加一極性的電信號於電極60及一相反極性的電 信號於反射元件40，將會在該電極60和反射元件42之間產 生一電場，而使反射元件42在第一位置47與第二位置48之 1225845 間移動。 於另一實施例中，該反射元件42係藉施一電信號於其 上而可在第一位置47和第二位置48之間移動。更具言之， 該電信號係經由導電通道26穿過支腳24來施加於反射元件 5 42的導電材料。如此，施一電信號於反射元件42將會產生 一電場，而使反射元件42移動於第一位置47和第二位置48 之間。 微鏡裝置1〇之作動的其它實施例係被揭述於2002年4 月30日申請之Ν〇· 10/136719美國專利申請案中，其名稱為 1〇 “微鏡裝置”’並已被讓渡給本發明的受讓人’乃於此附送 參考。 第2圖示出該反射元件42之一實施例。反射元件142具 有一反射表面144，並包含一呈矩形狀的外部份180，及一 呈矩形狀的内部份184。在一實施例中，該反射表面144係 15 被設在該外部份180與内部份184上。該外部份180具有四個 接續的側部份181等排列形成一矩形開孔182。因此，内部 份184會位於該開孔182内。最好是，該内部份184係對稱地 設在開孔182内。 在一實施例中，有一對樞轴186延伸於該内部份184與 20 外部份180之間。該等樞軸186會由内部份184的相反側或邊 緣伸向相鄰的外部份180之相反側或邊緣。最好是，該外部 份180係被該等樞軸186沿一對稱軸心來撐持。具言之，該 外部份180係繞一軸心來被樞設，該軸心會延伸穿過其相反 邊緣的中心。因此，該等樞軸186將可便於該反射元件142 10 1225845 在第-位置47與第二位置48之間移動，如前所述（第旧）。 更具言之’該等樞轴186將可促成該外部份輯目對於内部 份184來在第一位置47與第二位置48之間移動。 在一實施例中，該等樞轴186包含杻轉件188等，其具 5有縱向軸心189平行於該反射参面144。該縱向轴心189係與 反射元件142的對稱軸心共線重合。因此，扭轉件188等可 繞該軸心189扭轉，而容許外部份18〇相對於内部份184來移 動於第一位置47與第二位置48之間。 在一實施例中，該反射元件142係相對於基材2〇而被由 10基材表面22伸出的支腳24所撐持。更詳言之，該支腳以會 撐持反射元件142的内部份184，而其外部份180則係被由内 部份184伸出的樞軸186等所撐持。在一實施例中，該支腳 24係由導電通道26所形成，其會穿過該内部份184而延伸至 該基材20之一導電層。 15 第3A〜3H圖係示出一製造微鏡裝置10的實施例。在一 實施例中，如第3A圖所示，該微鏡裝置10係被設在一下結 構200上。在一實施例中，下結構2〇〇包含一互補金屬氧化 物半導體(CMOS)結構。在一實施例^，該CMOS結構包含 一三層金屬（3LM)的CMOS電路。因此，該下結構200會包 2〇 含一基材210及多數的導電層220等設在該基材210的第一 面212上。更詳言之，該下結構2〇〇包含一第一導電層222、 一第二導電層224,及一第三導電層226等設在該基材210的 第一面212上。在一實施例中，該等導電層222，224，226 乃包括例如鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、銅（Cu)、金(Au)、及/或 1225845 鋁(Al) 〇 在一實施例中，該下結構200包含氧化物層214及一或 多個閘極216。該氧化物層214係覆設在基材210的第一面 212上。此外，閘極216等亦被設在該第一面212上。在一實 5 施例中，該下結構200的基材210係由矽和氧化物層214例如 場氧化物(FOX)所製成。此外，閘極216係由多晶矽所製成。 在一實施例中，該下結構200包含一介電層218。該介 電層218係覆設在氧化物層214及基材210的第一面212上。 因此，該下結構200的導電層222會覆設在介電層218上。此 1〇 外，該下結構200的導電層224和226會分別設在下結構200 之各介電層234和236上。在一實施例中，該介電層218乃包 含例如硼磷矽酸鹽(BPTE0S)，而介電層234與236則包含例 如四正矽酸乙酯（TE0S)。該等導電層222，224，226係例如 藉沈積來製成，並以光微影法及蝕刻來圖案化。 15 在一實施例中，該導電層222會以貫穿介電層218的導 電通道來導通一或多個閘極216。此外，導電層222，224， 226等會以貫穿各介電層234與236的導電通道而來互相導 接。在一實施例中，導電層226的導電材料會形成下結構2〇〇 之一電接觸區202，及下結構200的作動區204。該電接觸區 20 202會界定一區域，其可達成對微鏡裝置10之CMOS電路的 電連接，而作動區204會界定一區域，其可形成該微鏡裝置 10的作動元件40，如後所述。應請瞭解第3A圖係為下結構 200的示意圖，而各導電層22〇及設在各導電層22〇之間的導 電孔道等之實際構造，可能比所示者更為複雜。 12 1225845 在一貫施例中，如第3A及4A圖所示，導電層226的導 電材料會被圖案化來形成該微鏡裝置10之一電接觸墊 240。該電接觸墊240係例如被設在下結構200的電接觸區 202中。因此，電接觸墊240會形成可供電連接於該微鏡裝 5 置1〇的CMOS電路之點。 如第3B圖的實施例所示，為將微鏡裝置1〇製設在下結 構200上，一介電層250會被覆設在下結構2〇〇的導電層226 上。此外，一保護層252會覆設在介電層250上。在一實施 例中，该介電層250係藉沈積一介電材料於導電層226上而 10來製成。該介電層250的介電材料係例如以化學氣相沈積 (CVD)或電漿加強CVD(PECVD)法等來沈積。在一實施例 中，該介電層250包含例如TEOS，而保護層252係由一種材 料所製成’其對如後所述之該微鏡裝置1〇的後續製程中所 用的蝕刻劑具有阻抗性。 15 在該介電層25〇的介電材料被沈積於導電層226上之 後’該介電材料會被平坦化來造成介電層25〇的平坦表面。 在一實施例中，該介電材料係被以化學機械拋光(CMP)法來 平坦化。最好是，於介電層250被平坦化之後，再製成該保 護層252。 20 在一實施例中，該保護層252係藉沈積一介電材料於介 電層250上而來形成。該保護層252的介電材料係例如以 CVD或PECVD法來沈積。在一實施例中，該保護層252包括 例如碳化石夕(SiC)。在一實施例中，該下結構2〇〇、介電層25〇 及保護層252等會構成微鏡裝置10的基材20。因此，該保護 13 1225845 層252即形成該基材20的表面22(見第1圖）。 嗣，如第3C圖之實施例所示，下結構2〇〇的陣列或作動 區204及電接觸區202會被設在保護層252上。在一實施例 中，該作動區204和電接觸區202係藉沈積一導電材料254於 5保護層252上，再將該導電材料254圖案化及蝕刻，而在保 護層252上形成該作動區204和電接觸區202。在一實施例 中’導電材料254包含一種材料，其係對如後所述之該微鏡 裝置10的後續製程所用的蝕刻劑具有阻抗性。在一實施例 中，該導電材料254係包括例如氮化鈦(TiN)。 10 在一實施例中，該作動區204的導電材料254會被圖案 化，而在保護層252上形成一導電路徑255。在一實施例中， 該導電路徑255會以一貫穿保護層252和介電層250的導電 通道來導接下結構2〇〇的導電層226。此外，在一實施例中， 導電層254會被圖案化而在保護層252上形成電極60，更具 15 言之，即會形成於前述之基材20的表面22上。 在一實施例中，如第3C與4C圖所示，該電接觸區202 的導電材料254會被圖案化，而在保護層252上界定出該下 結構200之電接觸區202的邊界。更具言之，該導電材料254 會被圖案化而來界定出該電接觸區202的開孔242(見第3F 20圖）要被形成之處。該開孔242會被設在至下結構200的導電 層226上，更具言之，即在前述的電接觸墊240上。 如第3D圖的實施例所示，在該下結構200的作動區204 與電接觸區被設在保護層252上之後，一犧牲層256將會被 製成。該犧牲層256係例如藉沈積一材料於導電層254和保 1225845 護層252上而來形成。該犧牲層256係可犧牲去除的，即其 材料在該微鏡裝置10的後續製程中會被完全除去，如後所述。 在一實施例中，該犧牲層256的材料包含一介電材料。 該犧牲層256的介電材料會被例如以CVD或PECVD法來沈 5 積，且可例如為TEOS。該犧牲層256的介電材料亦可例如 包括摻雜磷或硼的氧化物。 在該犧牲層256的材料被沈積於導電層254和保護層 252上之後，該材料會被平坦化造成該犧牲層256平坦表 面。在一實施例中，該材料會被以CMP法來平坦化。當該 10 犧牲層256被平坦化之後，作動元件40即會被製設。 於一實施例中，該作動元件40乃包含微鏡裝置10的反 射元件42。因此，反射元件40係藉沈積一或多種材料的一 或多數層於犧牲層256上，再圖案化該等材料而來製成。該 等材料係例如以CVD或PECVD法來沈積，並以光微影法及 15 蝕刻來圖案化。在一實施例中，該反射元件42包含矽（Si)， 而其反射表面44係以銀(Ag)、鉻(Cr)、或其它適當的反射材 料來形成。 在一實施例中，該反射元件42會導接作動區204的導電 材料254，更具言之，即該導電材料254的導電路徑255。該 20 反射元件42係以一貫穿犧牲層256的導電通道258來導接該 導電材料254。在一實施例中，該導電通道258會形成微鏡 裝置10的支腳24和導電通道26，如第1圖所示及如前述。此 外，如前所述，微鏡裝置10代表MEMS裝置之一例，而反 射元件42代表該MEMS裝置之一作動元件。 15 1225845 硐如第3E圖的實施例所示，有一罩層26〇會被覆設在 隸元件42與犧牲層256上。在—實補巾，該罩層鳩係 藉'尤積，並以光微影法來圖案化曝現該犧牲層256之 ^^區域 而來製成。因此，該罩層26〇會界定該下結構2〇〇之電接觸 5區2〇2要被蝕刻來形成通達至電接觸墊240的開孔242(見第 3F圖）之處。 較好是，該電接觸區2〇2的開孔242係以化學蝕刻來製 成。故，該罩層260會以一種材料來形成，其對用來蝕刻開 孔242的蝕刻劑具有阻抗性。適用於罩層26〇的材料包括二 1〇氧化石夕、氮化石夕、或光阻。在一實施例中，該钱刻法係為 種乾餘刻，例如使用SF6、CF4或C#6的電漿氟化物蝕刻。 在一實施例中，如第3E及4E圖所示，該罩層260含有一 罩孔262，而可由此來蝕刻電接觸區2〇2的開孔242(見第3ρ 圖）。最好是，該罩孔262係比設在該下結構2〇〇之電接觸區 15 202及保護層252上之導電材料254的外周界更小，但比其内 周界更大。故，蝕刻通至電接觸墊240的開孔242能被該導 電材料254所控制，如後所述。 如第3F圖的實施例所示，該開孔242係穿過犧牲層 256,再穿過該保護層252被導電材料254所界定之範圍内區 2〇 域，並穿過介電層250而達至下結構2〇〇的導電層226。因 此，微鏡裝置1〇的電接觸墊240將會曝現。 如前所述’開孔242係藉化學姓刻來製成。當钱刻該開 孔242時，設在電接觸區202中的導電材料254會形成钱刻撞 止物。更具言之，該導電材料254會罩覆一部份的保護層 1225845 252，並選擇性地控制或阻止保護層252及介電層250的# 刻。因此，電接觸區202的導電材料254會將蝕刻限制於一 與電接觸墊240重合的區域内。由於罩孔262係比設在電接 觸區202中之導電材料254的外周界更小，但大於其内周 5界，如前所述，故該導電材料254的一部份254a將會曝現。 因此，該導電材料254的曝現部份254a即會形成開孔242的 周界。 在該開孔242被製成之後，該罩層260即會被除去。因 此，反射元件42和犧牲層256將會曝現。在一實施例中，當 10該罩層260係由氧化物製成時，則其會被例如以一化學餘刻 來除去。在另一實施例中，當該罩層2〇〇係由光阻來製成 時，則會例如被以一光阻剝除劑來除去。 嗣’如第3G圖的實施例所示，該電接觸區202的開孔242 會被暫時地填塞。該開孔242被暫時填塞，係為在該微鏡裝 15置1〇的後續製程中來保護經由該開孔242被曝現的電接觸 墊24〇。在—實施例中，該開孔242係以一保護材料264來暫 時填塞，其會對該微鏡裝置1〇之後續製程中所用的蝕刻劑 具有阻抗性，如後所述。在一實施例中，該保護材料264含 例如光阻。 20 如第3ί1圖的實施例所示，該犧牲層256會被完全除去。 因此，該犧牲層256的材料會由反射元件42和保護層252之 間被除去。故，反射元件42會被釋開，而導電材料254包括 電極60等皆會曝現。 最好是，該犧牲層256係以化學蝕刻法來除去。因此， 17 1225845 該保護層252、導電材料254、及保護材料264等皆會被選擇 為能夠阻抗用來除去犧牲層256的特定蝕刻劑者。在一實施 例中，用來除去犧牲層256的蝕刻法係為一種濕蝕刻法，例 如一緩衝的氧化物蝕刻（BOE)。 5 在一實施例中，係利用該導電材料254的曝現部份254a 來界限泫開孔242的周界，如前於第3F圖所述，故將可形成 更多附加的裕度來阻抗蝕刻劑滲入開孔242與電接觸墊24〇 中。更具言之，導電材料254的曝現部份254a和保護材料264 會形成一圍繞該開孔242周邊的側向介面，其可阻抗用來除 10掉犧牲層256的特定蝕刻劑。此介面的長度可依據蝕刻時介 面逐漸喪失的速率，而被設成能夠提供足夠的裕度來阻抗 姓刻劑滲入開孔242内。 當該犧牲層256被完全除去之後，用來填塞該開孔242 的保護材料264會被除去。因此，該微鏡裝置1〇的電接觸墊 15 240將會曝現。在一實施例中，當該保護材料264包含光阻 時，則將會被以一光阻剝除劑，或一溶劑例如異丙醇或丙 酮等來除去。 雖以上說明係有關一微鏡裝置的製造，惟應請瞭解上 述製法亦可應用來製造其它的MEMS裝置，包括多層的 20 MEMS裝置。此外，應請瞭解第3A〜3H圖僅為用來製造本 發明之一微鏡裝置實施例的示意圖，該微鏡裝置之各層及 孔道的實際結構可能會比所示者更為複雜。 在一實施例中，如第5圖所示，該微鏡裝置1〇會被併入 一顯示系統500中。該顯示系統5〇〇包含一光源510、源光件 1225845 5^2等、-光處理器或控制器514、及投光件训等。光處煙 器514包含多數的微鏡裝置1〇排成一陣列，而使各微鏡裝置 1 〇構成該顯示器之一胞元或像元。 在一實施例中，光處理器514會接收代表要被顯示之影 5像的影像資料518。因此，光處理器514會依據影像資料518 來控制微鏡裝置10等的作動，及由光源51〇所接收之光的調 制。該調制光嗣會被投射至一觀看者或一顯示螢幕52〇上。 雖特定實施例已被示出及描述來供說明較佳實施例， 惟專業人士應可瞭解，尚有各種變化修正及/或等效實施可 10取代所述實施例來達到相同的目的，仍不超出本發明的範 圍。熟習於化學、機械、電機、電子、及電腦技術等之專 業人士，將可輕易得知本發明能以非常廣泛的各種形式來 實施。本案係意圖涵蓋於此所述之各較佳實施例的任何修 正變化。因此，本發明係僅由申請專利範圍及其等效結構 15 來界定。 【圖式簡單說明3 第1圖為一實施例之微鏡裝置的一部份之截面示意圖。 第2圖為一實施例之微鏡裝置的一部份之立體圖。 第3Α〜3Η圖示出依本發明來製成一微鏡裝置的實施 20 例。 第4Α、4C及4Ε圖分別示出當製造本發明之微鏡裝置 時，在第3Α、3C及3Ε圖中之電接觸區域的實施例。 第5圖為一方塊圖示出一包含本發明之微鏡裝置的顯 示系统之實施例。 19 1225845 【圖式之主要元件代表符號表】 10…微鏡裝置 202·· •電接觸區 12…輸入光 204·· •作動區 14…輸出光 212·. •第一面 20,210…基材 214…氧化物層 22…表面 216…閘極 24…支腳 218,234,236,250〜介電層 26…導電通道 220,222,224,226〜導電層 30···板 240“ •電接觸墊 32…透光板 242·· •開孔 40…作動元件 252·· •保護層 42，142…反射元件 254·· •導電材料 44，144…反射表面 255·· •導電路徑 47…第一位置 256" •犧牲層 48…第二位置 258·· •導電通道 50···腔穴 260" •罩層 60…電極 262·· •罩孔 180···外部份 264·· •保護材料 181···側部份 500" •顯示系統 182…開孔 510" •光源 184···内部份 512·· •源光件 186…槐轴 514" •光處理器 188…扭轉件 516" •投光件 189…縱向軸心 518" •影像資料 200…下結構 520·· •顯示螢幕

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Claims (1)

1225845 拾、申請專利範圍： 1. 一種製造MEMS裝置的方法，包含： 提供一下結構其包含一基材及至少一導電層設在 該基材的第一面上； 5 製成一介電層覆蓋該下結構的至少一導電層； 製成一保護層覆蓋該介電層； 在該保護層上形成一該MEMS裝置的電接觸區；及 在該電接觸區内製成一開孔穿過該保護層和介電 層而至該下結構的至少一導電層。 10 2.如申請專利範圍第1項之方法，其中該下結構包含一互 補金屬氧化物半導體結構。 3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該下結構的基材包 括石夕，而該下結構的至少一導電層包括銘。 4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中形成該電接觸區的 15 步驟包含沈積一蝕刻阻抗材料於該保護層上，並以該蝕 刻阻抗材料來界限該電接觸區的周界；及 在該電接觸區内製成該開孔的步驟係包含在該電 接觸區的周界内蝕刻，而貫穿該保護層和介電層達至下 結構的至少一導電層。 20 5.如申請專利範圍第4項之方法，更包含： 在該保護層上形成一該MEMS裝置的作動區，包括 沈積一導電材料於該保護層上，並使該導電材料穿過該 保護層和介電層來導接該下結構的至少一導電層。 6.如申請專利範圍第5項之方法，更包含： 21 1225845 製成一犧牲層覆蓋該導電材料和保護層，及 在該作動區内的犧牲層上方製成一作動元件，包括 使該作動元件穿過犧牲層來導接該作動區的導電材料。 7. 如申請專利範圍第6項之方法，更包含： 5 在該作動區内的保護層上製成至少一電極； 其中該作動元件係可回應施一電信號於該至少一 電極而來移動。 8. 如申請專利範圍第6項之方法，更包含： 製成一罩層覆蓋該作動元件和犧牲層，包括在該電 10 接觸區内的罩層中形成一罩孔；及 在該電接觸區内製成該開孔的步驟乃包括，穿過該 罩層的罩孔及犧牲層來製成該開孔，使其達到該電接觸 區的邊界。 9. 如申請專利範圍第8項之方法，更包含： 15 除去該罩層； 以一保護材料暫時地填滿電接觸區内的開孔；及 完全地除去該作動元件和保護層之間的犧牲層，包 括蝕刻該犧牲層。 10. —種MEMS裝置，包含： 20 一下結構包括一基材及至少一導電層設在該基材 的第一面上； 一介電層覆設在該下結構的至少一導電層上； 一保護層覆設在該介電層上； 一作動元件伸出於該保護層上；及 22 1225845 一電接觸區包含一開孔貫穿該保護層和介電層而 至該下結構的至少一導電層。 1L如申請專利範圍第10項之裝置，更包含： 一導電路徑設在该保護層上，該導電路徑會導接該 5 作動元件’並穿過該保護層和介電層來導接下二構的: 少一導電層。 12·如申請專利範圍第10項之裝置，更包含： 至少一電極設在該保護層上； 其中該作動元件係可回應施一電信號於該至少一 10 電極而來移動。 13·如申請專利範圍第10項之裝置，更包含： 一蝕刻阻抗材料設在該電接觸區内的保護層上，該 餘刻阻抗㈣會界限電接顧之開孔的周界，並在該開 孔形成時可罩覆一部份的保護層。 15 I4·如申請專利範圍第13項之裝置，更包含： 一犧牲層覆設在保護層上； 其中違作動元件係覆設在犧牲層±，且該犧牲層在 作動元件製成後係可被除去。 >丨5·如申請專利範圍第14項之裝置，更包含·· ^ 0 一罩層覆設在作動元件和犧牲層上，該罩層包含一 罩孔曝露出一部份的犧牲層； ^其中該電接觸區的開孔係可貫穿該罩孔和犧牲層 來破製成，而達至設在保護層上的蝕刻阻抗材料；且 該罩層係可在該電接觸區的開孔形成之後被除去。 23 1225845 16. 如申請專利範圍第15項之裝置，其中該電接觸區的開孔 係被以一第一餘刻法來製成，而該犧牲層係被以一第二 餘刻法來除去。 17. 如申請專利範圍第16項之裝置，其中該第一蝕刻法係為 5 一種乾餘刻，而第二姓刻法係為一種濕#刻。 18. 如申請專利範圍第10項之裝置，其中該下結構包含一互 補金屬氧化物半導體結構。 19. 如申請專利範圍第10項之裝置，其中該下結構的基材包 括矽，而該下結構的至少一導電層包括鋁。 10 20.如申請專利範圍第10項之裝置，其中該MEMS裝置包括 一微鏡裝置，而該作動元件包括一反射元件。

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