TWI225557B - Manufacturing method of flat display device - Google Patents
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Description
1225557
1225557 I 修 年 11 ""l 修正 曰 89124912 如=2區域11。上述接合區域1的表面形成有墊電極3，例 11的参°、鈕、鉬、鈦、或鋁等金屬構成。而上述顯示區域 構成2 :形成由間極電極4、源極電極11、與汲極電極12 龙上上形成-半導體層6，半導體層6上形成掺雜石夕層δ、二曰 舉干)久成源極電極11與汲極電極12。而像素電極（圖未 通ΓΛ及極電極12上，像素電極(仙1心二t) 錫合金氧化物(IndlumTin〇xide;iT_:) 基板1表面上更形成一保護層丨6。 除接參照第以圖，利用適當的蝕刻方式選擇性去 3H 保言蔓層16以及絕緣層5 1露出墊電極 此墊電極3用來連接外部電路。 然，，請參照第lc圖’提供—適度尺寸的第二 雨個* —基板1與第二基板2之間填入液晶材料之前'在 兩個基板1，2的週邊利用封合材料（seaHng 在 右將第一基板1以及第二基板2加以黏合固定。 左 上述液晶顯示器之傳統製程存在下列問題： 1 ·利用封合材料黏合固定的過程必 Μ 理，此時，由金屬構成的塾電極容易氧化熱處 薄金屬氧化層’此將導致墊電極與外部觸？成： 阻礙訊號的傳輸。 接觸不良，而 2·上述製程不包含薄化基板的+驟 ^ 、 薄的顯示器，則必須增加一額外步驟，方；=度J 化的目的。 可此達到基板薄 第5頁 1225557 —--- ; 8·^]14912 _年月日_^正 五 說明-〜(3)，一1 " 上~ -- ，本發明的a的之一在於提供一種平面顯示 為的衣以方法，不需額外的步驟即可達到兩個基板薄化的 目白勺。 、 本發明的另一目的在於提供一種平面顯示器的製造方 法’能夠避免墊電極表面因高溫而氧化。 、 根據上述目的，本發明提供一種平面顯示器的製造方 法，包括下列步驟：（a)提供一具有一第一厚度的第一基 板丄其包含一第一顯示區域以及一第一接合區域，並且上 述第一接合區域形成有一墊電極，而上述墊電極表面覆蓋 有一保護層；（b )提供一具有第二厚度的第二基板，第二 基板包含一第二顯示區域以及一第二接合區域，第二顯示 區域與第一顯示區域相對，而第二結合區域與第一接合區 域相對；（c)利用一封合材料將上述第一基板與上述第二 基板黏合固定；（d)去除位於第二基板之第二接合區域； 以及（e)去除第一接合區域上的保護層，以露出墊電極， 同時使第一基板厚度變薄，使第一基板具有一第三厚度， 該第三厚度小於該第一厚度。 再者’上述顯示器的製造方法之中，步驟（d)係以切 割方法去除第二基板之第二接合區域。 並且’上述顯示态的製造方法之中，步驟（e )中同時 薄化上述第一、第二基板，更使上述第二基板具有第四厚 度’該第四厚度小於該第二厚度。 再者，上述顯示器的製造方法之中，步驟（e )係可以 利用溼蝕刻浸潰法完成，而上述保護層的蝕刻速率與上述 第一、第二基板的钱刻速率比大約為丨〇〜1 〇 〇 〇 ·· 1，取決於
1225557 » ............ "Ί -ί /； 7 " -办 i'A w ί iK;/' 案號Ί 89124912_年月曰 修正_ 五τ'發研說明·(4)…^ 保護層厚度與基板厚度。 並且，上述顯示器的製造方法之中，第一基板的第一 顯示區域上形成有複數個薄膜電晶體，第二基板上形成有 一渡光片。 並且，上述顯示器的製造方法之中，步驟（C )之後更 包括在上述第一基板與上述第二基板之間填入一液晶材料 的步驟。 本發明的特徵之一在於，進行第一基板以及第二基板 的封合步驟之後，才去除接合區域的保護層，以露出墊電 極，如此，能夠有效地防止墊電極氧化，確保墊電極與外 部電路之間的良好電性接觸。 本發明的另一特徵在於，進行保護層蝕刻的同時，能 夠薄化第一、第二基板，藉此，不需增加步驟，亦可大幅 減輕顯示器的重量。 本發明的另一特徵在於，在薄膜電晶體顯示器的製造 過程中，將去除接合區域保護層的步驟移到後段的封裝製 程同時進行，如此在前段薄膜電晶體的製造過程中，可省 去一道以光罩在接合區域定義開口而露出塾電極的步驟5 如此，可降低製造成本。 為了讓本發明之上述目的、特徵、和優點能更明顯易 懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說 明如下： 圖式之簡單說明： 第1 A圖〜第1 C圖係習知技術之一之平面顯示器的製程 剖面圖。
挪士 Γ J 五 -----案 f虎，124912 _ 年 」 ' """""""'-^--— 修正 第2 A圖〜第2 D圖係根摅太 製程剖面圖。 智明實施例之平面顯示器的 符號之說明 1、 1 〇〜第一基板； 2、 20〜第二基板； 3、 3 0〜墊電極； 4、 4 0〜閘極電極； 5、 5 0〜絕緣層； 6、 60〜半導體層； 8、9、80、110〜摻雜矽層； 11、1 0 0〜源極電極； 1 2、1 2 0〜汲極電極； 16、160〜保護層； 1 8、1 8 0〜封合材料。 實施例 以說明根 r本：：輯2A〜第2D圖所示之製程剖面圖 據本孓=貫施例之平面顯示器的製造方法。 f先，請參照第2A圖，且右笛 陪— 立包含一望妓人f at ，、有罘一厚度T1的第一基板ίο ^ ° 5 弟一接合區域I以及一结 一接合區域I之第一美你lnAA昂一頭示區域II。上述第 由菸、# — 土 〇的表面形成有墊電極30，例如 甶鉻、I旦、鉬、鈦、或鋁等 ㈧文 域II之第 A , π .. '金屬構成。而上述第一顯示區 = /、； 表面形成有由間極電極4〇、源極電極 10 0 /、/及極電極1 2 0構成的薄膜雪S _ Fe ^ 層6〇，其上更形成摻雜石夕層8。、二二二 +導 -—__^ ^ ΰ U 1 1 Q 〇汲極電極1 2 0連接圖
有由介雷锊刺_磁I ^ 乂 J /寻艇電日日體。閘極電極40形成 有由，丨電材枓構成的絕緣層5〇， 1225557 g正
本& ,-891249,12__年月 日 倐,下
五 '發日月說明〜 未顯示的像素電極（Pixel electrode)140，其通當由 合金氧化物（Indium Tin Oxide ; I TO)構成。最後，第’因一锡 基板上1 〇覆蓋一保護層丨6 〇，通常由矽化物材料構， 如由氮化矽或是二氧化矽構成。 ’例 、 接著，請參照第2B圖，第二基板20上具有遮光姑 濾光片（圖未顯示），第二基板亦包含一第二接合區1 一、 與一第二顯示區域IV。第二接合區域ΠΙ的位置與第一 合，域I相對，第二顯示區域J ν與第一顯示區域丨J相 =-，板1G與第二基板2G之間填人液晶材料（前，、在 個基板的週邊利用封合材料（seaUng materiai)i8〇，兩 ίΪ合處ί丄在15°〜250。。左右將第-基板"以 及弟一基板2 0加以黏合固定。 然4，請參照第2C圖’利用切割方法去除墊電極相對 :置部分之第二基板20，以去除第二基板2〇上第二接合區 域III的部分，使第一基板1〇上第； 160暴露出來。 ·^保。隻層 $次’晴參照第2D圖’利用溼蝕刻浸潰法（例如置入 △有虱敦酸的酸槽），去除第一接合區域！部分的保護声 〇以及絕緣層50，以露出位於第一接合區域】的墊。 30。此墊電極30用來連接外部的控制電路，以驅 器。此酸溶液會同時對伴蹲《 ] ”、、不 ^ 丁耵保道層1 6 〇、絕緣層5 0、以及笸 一、第二玻璃基板10、20進行蝕列g , ^ ^ y弟 、、兹為办丨、夺、主片μ 疋叮饿刻反應。本貫施例選用的 /，j >貝條件之設定由料層i 6〇與基板ι〇、2 決疋，對上述保護層16〇的蝕刻速 ）盥上述第 第 二基板10、20的蝕刻速率（R 、順h、上述弟一、弟 疋千ugiass)可以是1 〇〜1 〇 〇 〇 : 1，如此 1225557 ;修.* a域, t， 89124912 Λ_ 曰 修正 ^明(7^ j 不但能夠完全去除第一接合區域ϊ的保護層丨6〇與絕緣層 5〇，亦同時能夠去除部分的玻璃，達到薄化基板1〇、2〇的 效果。反應後可使第一基板10的厚度成為第三厚度T3，第 基板20的厚度成為第四厚度Τ4。最後，在第一及第二基 板10、20上使用磨光及拋光製程，使各基板表面更平^ 薄膜i: i :口 ΐ晶！顯示器的製造過程中，4前段製造 通常是先以一光罩在保護層上定 二 者以蝕刻反應形成接合區域的開口，使墊電 製造成本。 先罩的費用且縮短反應時間，降低 於本發明中，在第一基板以 去除接合區域的保護層，以E + % = 一基板封合之後，才 -、第二基板。因此本二:出塾電極，並同時薄化第 塾電極氧化，確保；電S it在於:⑴有效地防止 減fe顯不器的重量，·以及f 弟一基板，而 短製造時間且降低製造成本^ V缚膜電晶體製造步驟，縮 雖然本發明已以較 限定本發明，任何熟習此^ : j露如上’然其並非用以 神和範圍内，當可作更動盥:者，在不脫離本發明之精 當視後附之申請專利範圍^二，；因此本發明之保護範圍 Μ1疋者為準。
Claims (1)
1225557 I … - I 告泰丨：，：：：93.1-2 7 案號抑124911.…_汾年 /月r?日 修正岑 六、f請專利範圍 1一、……’ —一—一’/‘ 1. 一種平面顯示器的製造方法，包括下列步驟： (a) 提供一具有第一厚度的第一基板，其包含一第一 顯示區域以及一第一接合區域，並且該第一接合區域形成 有一墊電極，而該墊電極表面覆蓋有一保護層； (b) 提供一具有第二厚度的第二基板，該第二基板包 含一第二顯示區域以及一第二接合區域，該第二顯示區域 與該第一顯示區域相對，而該第二接合區域與該第一接合 *區域相，對， (c )利用一封合材料將該第一基板與該第二基板黏合 固定； (d) 去除該第二基板之該第二接合區域；以及 (e) 去除該第一基板之該第一接合區域上的該保護 層，以露出該墊電極，同時使該第一基板厚度變薄，使該 第一基板具有一第三厚度，該第三厚度小於該第一厚度。 2. 如申請專利範圍第1項所述之平面顯示器的製造方 法，其中步驟（d)係以切割方法去除該第二基板之該第二 接合區域。 3. 如申請專利範圍第1項所述之平面顯示器的製造方 法，其中該步驟（e )中於去除該保護層的同時亦薄化該第 二基板，使該第二基板具有一第四厚度，該第四厚度小於 該第二厚度。 4. 如申請專利範圍第1項所述之平面顯示器的製造方 法，其中步驟（e )係利用溼蝕刻浸潰法完成。 5.如申請專利範圍第1項所述之平面顯示器的製造方 法，其中該第一基板的顯示區域上形成有複數個薄膜電晶
1225557 j號 89124912 六、申請專利範圍 肢’該第二基板上形成有一滤光片
' 出人丄VP刀又/月 //思7Li /丨 6 ·如申请專利範圍第1項所述之平面顯示哭、| δ亥第二基板之間填入一液晶材料 7 · 一種顯示器的製造方法，包括下列步驟· (a) 提供一具有第一厚度的第一基板，其包八— 區域以及_接合墊區域，並且該接合墊區域形匕3 —顯示 極’而該墊電極表面覆蓋有一保護層； 有塾電 (b) 提供一具有第二厚度的第二基板 法，其中步驟（C )之後更包括一步驟（c，）於該^ =製造方 該第二基板之間埴一淡曰鉍斜。 ~基极與 ^ · 胃 ^ 樣/入 ， :第 二 基 板 Ιέ 合 :護 層 以 路 出 的 製 造 方 仅 置 之 第 基 的 製 造 方 法 •位 置 之 第 基 态的製造方法， :薄 化 該 第 、 (c )利用一封合材料將該第〆基板與該一 固定；以及 一基板黏合 (d )選擇性去除位於該接合墊區域的 該墊電極。 8.如申請專利範圍第7項所述之顯示器的 :中步驟（d)之前更包括切割該墊電極相μ ^ 一、 去 板的步驟。 复9 ·如申凊專利範圍第7項所述之顯示 :、中步驟（d)之後更包括切割該墊電極相 扳的步驟。 复1 〇 .如申請專利範圍第7項所述之顯示器的製、告- II 一步驟（d)選擇性去除該保護層的同時亦薄化該 =厂基板的外表面，使該板具有第三 基板具有第四厚度。 X該第 11 ·如申請專利範圍第1 0項所述之顯示器的製、告 〆，)係利用溼蝕刻浸潰法完成。 、乂
1225557 _案號89124912_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 1 2 .如申請專利範圍第7項所述之顯示器的製造方法， 其中步驟（a)之第一基板的顯示區域上形成有薄膜電晶 體，步驟（b)的第二基板上形成有濾光片。 1 3 .如申請專利範圍第7項所述之顯示器的製造方法， 其中步驟（c)之後更包括在該第一基板與該第二基板之間 填入液晶材料的步驟。
參 第13頁
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| JP3014291B2 (ja) * | 1995-03-10 | 2000-02-28 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 液晶表示パネル、液晶表示装置及び液晶表示パネルの製造方法 |
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2000
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2001
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN102556945A (zh) * | 2010-12-13 | 2012-07-11 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 微电子装置及其集成电路的制造方法 |
| CN102556945B (zh) * | 2010-12-13 | 2015-01-28 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 微电子装置及其集成电路的制造方法 |
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