TWI225455B - Packing material for molding materials and parts for semiconductor manufacturing equipment - Google Patents

Description

五 發明說明（1) 技術領域 本發明是關於半導辦4 y 形材料，或將封閉材，U造凌置用之未加硫混合物等成 包裝材料及包裝方法。寺元件在高潔淨狀態下進行包裝的 背景技術 …於半導體元件的製A、^ 導體製程的管理，而掣ζ t須要求極高的潔淨度，不僅半 要求高潔淨度。半導二j裝置本身及所使用的元件材料更 進行洗淨等，而所能K造裝置所用的元件在組裝後才來 裝前便必須要求高潔2的潔淨化的程度有限，因此在組 一特別適合本發明的半暮 π件也是同樣的情形，¥體衣造裝置所用之封閉材料等 法等來達成封閉材料本t發，^係藉由施以特殊的洗淨方 號、特願平1〇-1 61 988號^的明南^淨化（特願平10-77781 然而，未加硫混合物曰 使本身都經過潔淨化，亦在勺料係被包裝而出貨，即 藉由包裝材料而被污染，則：^段及被包裝的狀態下’ 以往，就包裝時的密；淨度。 ， U t , , ^ T &和處理的方便性而言，封閉 材料的&裝材料通吊使用低密度聚乙烯（LDpE)。铁而， E不論如何潔：1不能達到如在半導體製造領威所 要求的高度的潔淨化。 、 ，因此包褒材料所造成之污染的原因而 發現，污染的原，=除了包裝材料表面的微粒子等所造成 的污染外’由包表材料的材質本身（渗出來）的污毕亦會造

1225455 五、發明說明（4) 脂；聚丙烯（OPP)、聚氯乙烯（PVC)、聚氣乙烯叉（PVDC)等 烯烴類樹脂；聚氯三氟乙烯（PCTFE)、聚四默乙稀 (PTFE)、四氟乙烯-對-（烷基乙烯醚）共聚合體（PFA)、四 氟乙烯-六氟丙烯共聚合體（FEP)、四氣乙烯—乙烯共聚合 體（ETFE)、聚氟乙烯叉（PVDF)、聚氟乙烯（PVF)等氟樹脂 的薄膜單獨或是二種以上的薄膜的疊層膜可以舉出，以當 作滿足此種特定要素的包裝材料。又即使是聚醯胺、嫘縈 等水蒸氣透過量大的樹脂薄膜，亦可使用貼合有蒸鍍氧化 碎、銘及氧化銘等或是貼合鋁箔及聚氯乙烯叉等前述水分 透過夏較小的薄膜，而降低水蒸氣透過量。 》佳為25g/cm2 · 2 4hr，最好為 1 5g/cm2 · 24hr。 旦薄如或是璺層膜的厚度係適當地選定成前述水蒸氣透 m以里^位就處理性而言，通常為1 0 0 // m以下，最好為70 // 中，水%^要素3)在80 °C下加熱15分鐘時所產生的氣體（其 氣除外）的總量為5Ppm。 而在8 〇 ^=係將包裝材料的試片（1 g )放入密閉管中， 氮冷卻至〜40 並將所產生的氣體採集於以液態 氣體色層分籬本r 官’然後快速加熱而施以氣體通過 津製作所 產生氣體的總量。且并古、到的圖表的峰值面積來算出 定。 方法不能將水蒸氣當作氣體來測

(特定要素4)80 °C 加熱30分鐘時所產生的-水分總量

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Μ 丄 《、J 要伽，’最好滿 於作為如半導體製造裝置用成形材料 的要求工 化的被包裝物的包裝材料。滿足此 ;.,;r 朕 ’ PCTFE、PTFE、PFA、FEp、ETFE、pVDF ^ :膜等。在-半導體製造裝置用成 ：：= :避=分的場合，在，c、_相對件有二度 下。滿足此種特定要素的包壯疋0.2g/cm2.24心以 通過率少的樹脂薄膜^氧t 可舉出在前述水蒸氣 薄膜，或是在前述的樹；；=著氧化銘等的蒸鑛 本發明的半導體製 、田者鋁泊寺的疊層膜等。 料係將前述的材料製成薄^成形材料和元件用包裝材 理，然後利用超純水和茲；^若有需要，則蒸鍍或疊層處 本發明更有關於使c得者。 材料和元件的包裝材料的勺二明的半導體製造裝置用成形 根據被包裝物的形狀而可^衣方法。本發明的包裝材料係 為半導體製造裝置用的封^取各種形狀，例如，在包裝作 為袋或箔的形狀。亦可勺^材料的0型環的場合，最好成 等。然而，不論成任何成，兩片平板間夾入0型環 密封。因此，包裝材料的、’最終都有必要求將被包裝物 要儘可能是不使用可能成$包裝物側係可以密閉者，有必 劑而可高度密封的密封厂新污染源的接著劑。不用接著 ' 係可以舉出例如利用如熱融者

1225455 五 _、發明說明（7) --- 的熱密封法、利用超音波震動而接合的超音波密封法、| 用高周波加熱的高周波密封法等，且依據使用的包利 及包I型怨’可在密封時產生氣體或是微粒子而不备、、才= 被包衣物/亏染的範圍内適當地使用。 、 又在混合彈性體材料而形成最終元件時，有暫日士 加硫狀悲下保持或運送者。本發明的包裝材料及包: 亦可適用於所謂與彈性體的未加硫的生膠或加硫=去 料的混合物的成形材料。 _ 口材 ^為了達成南度潔淨化，包裝時的環境也有必要点k如 淨的狀態。本發明係使包裝時的環境當作高純度氣= 而進行包裝作業。料，亦可在包裝材料中灌入以= 軋體之同日寸施行。高純度的氣使用氮氣、 ς古 售的高純度惰性氣體。 乳氧寺市 雖然亦依據應包裝的製品所要求的潔淨度，但Β 裝置用成形材料或元件等的極高的；淨Ϊ S 成Π以使用兩片或3片/上的前述的包 十而匕衣成兩層、三層等多層。在這種情形 目同的包裝材料會比使用相同的包裝材料較好。 以本發明的包裝材料來密封，而在4〇它、 ΐΓί境下放置24小時微取出之被潔淨化的半導體製心 比例二 =。=，？广以上的微粒子的個數的增： 元件在30。C下二 子在13°%以7，且將成形材料或 在3〇〇 C下加熱3〇分鐘時所產生的水分產生量的增加戈

第Π頁 1225455 五、發明說明⑻ ^ ---- 比例抑制在1〇〇%以下，最好在95%以下，而在2〇〇t下加埶 1'刀‘日^'所座生的氣體（其中，水蒸氣除外）總量的增加比 ，例抑制在100%以了，最好在90%以下。又包裝前之被潔芦 :二的广導體製造ί置用成形材料和元件的基準係所附著： :工，· β m以工的微粒子的個數為20萬個/cm2以下，在3〇〇 H加熱30分鐘時所產生的水分產生量為20Oppm以下，而 ^ C 了加熱15分鐘時所產生的氣體（其中，水蒸氣除 外）的總量為2ppm以下。 …、” 沪蚰二：材料等兀件的微粒子的個數的測量係將1 〇_ι的 = 568A—214)試片，振動5分鐘後靜 ΐ 液中微粒子計數器（（株）lion製）來測 ^粒子的個二：個數。殺未加硫混合物等成形材料的 被粒子的個數的測1也可利用相同方法。 300 t元下件生量的測量係將0型環（AS-568A —214)在 300 C下曰加熱〇0分鐘時所產生的水分量利用卡爾 水分測里機（平沼（株）製的AQS_72〇)來施、二 合物等成形材料的水分產生量也又未加硫此 產生氣體量(水蒸⑵： = ;中放 入0型環m-568A_214)，在2〇(rc下加熱15分鐘^閉/將中放 產生、轧體抓集於以液態氮冷卻至_40它的冷凝其炊 快速2而施以氣體通過氣體色層分離法(（株：、章 所装的GC-U。層析管：島津製作所製則 島津衣Θ作 的圖”峰值面積來算出產生氣體的總量。2 將水蒸氣當作氣體來測定。 / 月t*

第12頁 1225455 五、發明說明（9) 欲利用本發明的包裝材料來包裝之要求高潔淨度的半 導體製造裝置用元件係可舉出例如，前述的0型環、方形 環、氣體接環、油封、轴承封、邊接封等的半導體製造裝 置所用的封閉材料；膜片、軟管、晶圓載體、各種橡膠滾 輪等的半導體製造裝置所用的元件等，但並不限於此。 又成形材料係可舉出前述的未加硫混合物，並以適合 在保存或運送的各種的形狀，例如片狀、塊狀等來包裝。 此種未加硫混合物並未特別限定，但可舉出例如，在未加 硫的氟類彈性體或矽類彈性體，依需要而配合架橋劑、架 橋助劑、填料等。 本發明所謂的半導體裝置並不特別限定於用以製造半 導體的裝置，也廣泛地包括用以製造液晶面板、電漿面板 的裝置等，用於要求要高度潔淨度之半導體領域的製造裝 置全部。 具體而言，可舉出如下列的半導體製造裝置。 (1)蝕刻裝置 乾蝕刻裝置 電漿蝕刻 反應性離子蝕刻裝置 反應性離子束蝕刻裝置 離子束蝕刻裝置 濕蝕刻裝置 灰化裝置 (2 )洗淨裝置

第13頁 1225455 五、發明說明GO) 乾钱刻洗淨裝置 UV/03洗淨裝置 離子束洗淨裝置 雷射洗淨裝置 電漿洗淨裝置 氣體li刻洗淨裝置 抽出洗淨裝置 蘇克雷（S ο X h 1 e t )抽出洗淨裝置 高溫高壓抽出洗淨裝置 微網目抽出洗淨裝置 超臨界抽出洗淨裝置 (3)曝光裝置 步進機 上光阻機、顯影機 (4 )研磨裝置 CMP裝置 (5)鍍膜裝置 CVD裝置 濺鍍裝置 (6 )擴散·離子佈植裝置 氧化擴散裝置 離子佈植裝置 接著，舉出實施例，而說明本發明，但是本發明並不 僅限於此實施例。

第14頁 1225455 五、發明說明（11) -- 包裝材料1 以金屬含置為1 pPm以下且粒徑0 · 2 // m以上的微粒子不 含超過3 0 0個的超純水所浸濕的無塵紙來擦拭聚乙烯對苯 =甲酯（PEJ)((株）東洋紡製的τ〇γ〇Β〇 E51〇〇)的厚25#爪的 缚版’而付到本發明的包裝材料1。此時，利用無塵紙擦 拭後，利用高純度的氮氣吹乾。此者的微粒子（〇.2 上的粒子。以下相同）的數目為】5 〇 〇個/cm2，水蒸氣透過 量為22· Og/cm2 · 24hr，產生氣體量為〇· 0ppm。來自包裝 材料1的水分產生量為10. lppm。 包裝材料2 _ 包裝材料1進一步在超純水中浸泡搖動1 5分鐘後，以 向純度氣氣吹乾，而得到包裝材料2。此者的微粒子的數 ，為30 0個/cm2，水蒸氣透過量為22· 〇g/cm2 · 24hr，產生 氣體量為0· 0ppm，且水分產生量為1〇· lppm。 包裝材料3 利用超純水所潤濕的無塵紙來擦拭聚氯三氟乙烯 (PCTFE)、（大金工業（株）製）厚25#^的薄膜，而得到本發 明的包裝材料3。此時，利用無塵紙擦拭後，利用高純度 的氮氣吹乾。微粒子的數目為16〇〇個/cm2，水蒸氣透過量 為0· 7g/cm2 · 2 4hr，產生氣體量為〇· 2ppm，且水分產生量 為 0· Oppm。 包裝材料4 _ 包裝材料3進一步在超純水中浸泡搖動1 5分鐘後，以 巧純度氣氣吹乾，而得到包裝材料4。此者的微粒子的數

1225455 五、發明說明（12) g 為 500 個/ cm2 體量為0· 2ppm 包裝材料5 ’水蒸氣透過量為〇· 7g/cm2 · 24hr，產生氣 且水分產生量為O.Oppm。 ；； 利用超純水培潤濕的無塵紙來擦拭蒸鐘有氧 25" ((株）”工一化研製），而得到本發明的包= 材料5。此牯，利用無塵紙擦拭後，利用高純度的氮氣吹 乾。此者的微粒子的數目為20 〇〇個/cm2，水蒸氣透過量1 〇3g/cm 24hr，產生氣體量為QQppm，且水分產生量^ 11· 2ppm 〇 w 包裝材料6 利用超純水所潤濕的無塵紙來擦拭疊合有鋁箔的厚25 的？£丁者（（株）廿 > 工—化研製），而得到本發明的包裝 材料6。此時’利用無塵纸擦拭後，利用高純度的氮氣吹 乾。此者的微粒子的數目為丨8〇 〇個/cm2，水蒸氣透過量為 Q〇g/cm 24hr ’產生氣體量為QQppm，且水分產生量為 9,8pPm 0 包装材料7 蒸鏡氧化矽在厚2 5 // m的PCTF E，而利用超純水所潤 濕的無塵紙來擦拭，進而得到本發明的包裝材料7。利用 無塵紙擦拭後’利用局純度的氮氣吹乾。此者的微粒子的 數目為2100個/(：1112，水蒸氣透過量為〇.32/〇1112.241^，產 生氟體，且水分產生量為i ippm。 包裝材料8

第16頁 1225455 五、發明說明（13) 疊合鋁箔在厚25 μ m的PCTFE，而利用超純水所潤濕 的無塵紙來擦拭，進而得到本發明的包裝材料8。此時， 利用無塵紙擦拭後’利用南純度的氮氣吹乾。此者的 '微粒 子的數目為1 9 0 0個/cm2，水蒸氣透過量為〇· 〇g/cm2 · 24111*’產生氣體量為〇.2??111’且水分產生量為〇〇卯1]1。 比較包裝材料 以厚度25 //m的低密度聚乙稀（ldpe)( 7 <七&化學 (株）製）薄膜來當作比較包裝材料。此者的微粒子的數目 為70 00個/cm2，水蒸氣透過量為36〇g/cm2 .24hr，產生氣 體量為6· 2ppm，且水分產生量為15 . 2ppm。 實施例1 將四氟乙烯-對-氟（甲基乙烯醚）聚合所製成的〇型環 (AS-568A-214)利用硫酸和過氧化氫水的i :丨混合液在1〇〇 °C下浸泡洗淨15分鐘後，使用金屬含量為1〇ppm以下且粒 徑0. 2 /zm以上的微粒子含不超過3〇〇個的超純水在1〇〇,。〇下 1行蘇^雷（Soxhlet)抽出洗淨，然後在？^^乾燥以小 守。而得到0. 2 // m以上的微粒子的個數為4 8 〇 〇 〇個/ c y的 潔淨度的0型環。此〇刑：£321从^ \ * l曰也Λ 此U型5衣的水分產生量為128ppm，而氣體 產生量為0· 9ppm。 撒r〇制型％以兩片③裝材料1 &爽，並利用超音波密封 ΐ = ί超1波塑膠熔接機35KHZ複式壓機)來密封包 衣:Si fb Γ) π、$ %相對濕度的周遭氣氛下放置24小時後小 心地取出0型裱，然後測量微粒子數、水分產生量及氣體

1225455 五、發明說明（14) 產生量。和密封包裝前比較，算出微粒子數、水八產生旦 及氣體產生量的增加比率。結果如表1所示。 實施例2〜8 分別使用包裝材料2〜8當作包裝材料’而盥實施 =樣地，將0型環密封、放置、開封，而測量微粒子數、 Γ所分示產生量及氣體產生量，並算出其增加比率。結果如表 且使用PET製的包裝材料的實施例2(包裝材料 * ^例5(包裝材料5)及實施例6(包裝材料6)係和實施例 音波來密封’而使用PCTFE製的包裳材料的實施 =3材料3)、實施例4(包裝材料4)、實施例7(包裝材 ,、、）及Λ她例8(包裝材料8)係使用熱密封機（舍士 < > MVL· 又製的FI-6〇〇)在16()。 a 田 (包裝材料5、7)及疊層膜（包裝材料6、、、：、。又条鍍薄膜 合側為外側而密封。 裝材枓6、8)係以蒸鍍側及疊 貫施例9 與貫施例1同樣方式戶斤、、金^ 藉由包裝材料2而超音ί Ξ ΐ Γ型環(AS-568A-214)係 ，加比率。結果如表;上生，及氣體產生量…算出其 貫施例1 〇 與實施例1相同的方式所洗淨的0型環(AS-圓—2⑷ 1225455

五、發明說明（15) 係在高二度氡氣的周遭環境下通入高純度氮氣，同時藉$ 1^ 乂超曰波岔封，然後在高純度氮氣的周遭環 入鬲純麿务名.q 0士竝丄二& ...... 包裝材 境 封 曰叹山珂 w傻在咼純度氮氣的周遭環 下l /回、、屯度氮氣，同時藉由包裝材料5而以超音波密 ^ 、 y成兩層包裝’且與同實施例1同樣地放置、開 封’，而測夏微粒子數、水分產生量及氣體產生量，進而算 出增加比率。結果如表1所示。 比較例1 使Z比較包裴材料（LDPE)，而與實施例3(PCTFE)同樣 地以熱密封，且與實施例1同樣地放置、開封，而測量微 粒子數、水分產生量及氣體產生量，進而算出增加比率。 結果如表1所示。 表1 _ 微粒子數 水分產生董 產生氣體f ‘個/cm2 增加(％) ppm 增加(％) ppm 增加(％) 實施例1〜 95,000 98 250 95 1.2 33 實施例2 59,000 23 250 「95 1.2 33 實施例3 98,000 104 200 56 1.4 56 實施例4 65,000 25 200 56 1.4 56 實施例5 110,000 129 180 41 1.2 33 實施例6 ' 104,000 117 150 17 1.2 33 實施例7 ~ 113,000 135 180 1.4 56 實施例8 107,000 123 150 Π 1.4 56 實狍例9 59,000 23 160 25 1.0 33 實施例10 49,000 2 130 2 1.0 11 比較例1 260,000 442 400 213 7.4 722 由表一可知，使用本發明的包裝材料而包裝的製品係 可以確保潔淨度，特別是在包裝成兩層而在高純度氣體的

1225455 五、發明說明（16) * 存在下包裝的場合，可維持與洗淨時（包裝時）幾乎不變的 ， 潔淨度。 產業上利用的可行性 本發明的包裝材料係可將包裝材料本身（附著微粒 子）、外部環境所造成的污染（水分的透過）、及包裝材料 ， 内部的污染抑制到袁小，而可以在維持製品之洗淨時的南 潔淨狀態下保存和運送。可適用於要高求極高潔淨度的半j 導體製造裝置用的封閉材料等元件的包裝。

第20頁 中文 發明名稱

.東野克彥 2. 長谷川雅典 3. 野口剛 .岸根充

半導體製造裝k㈣形材料或元;之包裝^： MATERIALS PARTS ^—⑽跳TOR 明 發 申請人 籍 國 姓 s(t 所 I名}} 居 4稱文 一國籍 住 t、居所 事務所^ 代表人 姓名 (中文） 代表人 姓名 (英文）

1· 2· 3· 4· I 本 本 曰 本 本 IX ΙΑ IX IX Ι4Α/ΓΓΤ ·4/ΛΤ W/at -111i lx II 屋屋屋屋 -fcluFUFUF 二二 西西西西司 市市市市公 津津限 tJT LJT-"I 搨搨搨搨有 府府府府份 阪阪阪阪股 大大大大業 國國國國工 I本本本本金 曰曰曰曰-^ ιχ·2·3·4· 一 it日本 — ~^本國大阪府大阪市北區中崎西二丁目四番十二號梅田中心 •井上禮之

i 2066-2697-PFl.ptc 第I頁 1225455 曰 皇遂一88112077 五、發明說明（2) 一 成很大的影響，且外部環境所侵入 辞多 而專心檢討可應付各種污染源的包見， 而至完成本發明。 展材枓和包裝方法，進 發明之概要 本發明係有關於滿足下列中之 η、一 裝置用成形材料或元件的包裝材料.v 的半導體製造 物側的表面所存在的粒徑02 _ j =面向被包裝 一下“2)在40t、90%的相對渴上产的二;為5〇。。個 =其; (下4)。在8。t下加熱3◦分鐘時所產生的水分：以量二 以本發明的包裝材料來密封，而在4〇 濕度的周遭環境下放置24小時後取出 0 相對 化=導體製造裝置用成形材料或元二=以淨 被潔淨化的成形材料或元件，所附著粒徑〇 2 x則之 微粒子數目的增加比率為15〇%以下，且將成 上的 在300 t；加熱30分料所產生的水分產生量的增加比^件 100%以下，而在20(TC加熱15分鐘時所產生的氣體（/為 水蒸氣除外）的總量的增加比率為1〇〇%以下。 "干， 較佳實施例 本發明的半#體製造裝置用纟形材料或元件 料係滿足前述的四個特定要素中至少一者。 匕裝材 首先說明此等特定要素，亦包括測量方法。 2066-2697-PFl.ptc 第6頁 1225455 五、發明說明（3) (特定要素丨）用於面向被包裝 ^ 〇.2 ^以上的微粒子為5000個/CH表，所存在粒徑 裝材科為後述的㈣薄膜或是貼合T。但是，如果包 面向被包裝物側的表面所存在的；足=最内層之 測量的施行係在100〇11]1的超特疋要素。 二裝材料試片，且利用振動機(二 4)以振幅l〇cm、振動次數2次/秒來 ^ 製的 20分，利用液中微粒子計數機測量粒Ί刀鐘後靜置 粒子的數目。 里杻么〇. 2 以上的微 減少微粒子係可以利用例如先 酸、驗)等來洗淨的濕式洗淨法、或/利用用樂純 氣體來吹的方法等方法來施行。微粒子少較门好&的局壓 4000個/cm2以下，且最好為3〇〇〇個“π以下。，而較佳為 、（特定要素2)在4〇°C、90%的相對濕度下 過率為30g/cm2.24hr以下。 氣透 測量的施行係根據ASTM Ε-96，而將包裳材 透濕的杯+，並將此杯子内放入水後，在4〇t 疋在 二濕度的恆溫恆濕裝置中放置24小時，然後測量減；的』 水分透過量係成為來自包裝材料之外部之八 的標準，較小較好。若水分附著於被包裝： 體製造裝置用的元件，則對半導體製程具有非當m 響。例如，聚乙烯對笨二甲酯（PET)、聚丁烯對' ^ (PBT)、聚乙烯萘酯（PEN)、聚丁烯萘酯（pBN)等聚酯類^ 第7頁 2066-2697-PFl.ptc 1225455

小於 13ppm。 充 測量的施行係將包聚 加熱8 0 C下加熱3 〇分鐘時 (Karl · Fisher)式水分測 測試。 材料的試片（1 g )放入密閉管中在 所產生的水分利用卡爾•費色 量機（平 >召（株）製的aqs-720)來 特定要素1及2係以包裝材外 的減低化為對象，而姓6⑨士 〆口所產生的巧染 的減低為目的。亦: : 及4 :包裝材料内在之污葬 料，特別是合成樹 Ζ人毛5見’構成包裝材料的各種相

安定性箄，二》人曰，為了改善低分子量物質和加工性、 ， 配口各種添加劑，在室溫保存下或是 污毕的原^ ^ 液滴而附著在被包裝物，進而成為 4 '、 產生的虱體和水分係依據樹脂的種類、加工 =苯：甲酸二丁酿會產生許多。根據此知I::明 下v猎由將包裝材料本身的氣體產生量抑制在5卿以 :下加熱15分鐘）’且水分產生量抑制在13解以 下加熱3 0分鐘）而可達到更高潔淨化。 滿足此等特定要素係可舉出例如PET、ΡΒΤ、PEN、

PBN、PVD(^、PCTFE、PTFE、PFA、FEP、ETFE、PVDF、PVF

等’特別疋產生氣體的總量在2ppm以下的pET、pBT、 PEN PBN4 聚 g旨樹脂；pctfe、pTFE、PFA、FEP、ETFE、 PJDF PVF等氟素樹脂最好。又在此等樹脂薄膜也可以如 前述，蒸鍍氧化矽、鋁、氧化鋁等，或是使用貼著鋁箔等 的薄膜。

Claims (1)

1225455 年7月4日 案號 88112077 六、申請專利範圍 y /'. ；； : 1· 一種半導體製造裝置用成形材麵 ，：'j 料，該包裝材料係至少一種擇元件之㈣材 脂基材，以聚I系樹脂為基基材’氣素樹 的基材’以氟素樹脂為基材並蒸鍍氧化 =二：:二 膜之基材，以及以氟素樹脂為基材並貼 ：： 叉薄膜之基材；其中存在於用於面料、/白或聚氣乙烯 ifr ^ 〇 〇 、 ； ； 士破匕裝物側的表面的 粒仫〇· 2 //〇!以上的微粒子為5000個/cn]2以 熱15分鐘時所產生的氣體的總量（其中，水蒸氣除 σ 5ppm以下，且在80加熱3〇分鐘時所產生的水分的她量 13ppm,XT , ^90% ^ 30g/cm2 · 24hr 以下。 2. 一種半導體製造裝置用成形材料或元件之包 :1 a Ξ包裝材料係至少一種擇自聚酯系樹脂基材，‘素樹 月曰，以聚I系樹脂為基材並蒸鍍氧化矽、鋁及氧化鋁 =材^氟素樹脂為基材並蒸鍍氧化石夕、紹或氧化紹的 二材^聚醋糸樹脂為基材並貼合銘落或聚氣化乙稀又薄 二及以氟素樹脂為基材並貼合紹箱或聚氣乙稀 叉薄膜之基材；其中附著於以包裝材料密封而在4〇 90%相對溼度的環境下放置24小時後取出的半導體 置用成形材料或元件的粒徑〇. 2⑽以上的微粒子的個數的 增加比率為150%以下，且將該成形材料或元件在3〇〇 熱30分鐘時所產生的水分產生量的增加比率為ι〇〇%以下， 並在200 C加熱15分鐘時所產生的氣體的總量（其中， 氣除外）的增加比率為1 0 0 〇/〇以下。 6 第21頁 2066-2697-PF3.ptc 1225455 ---88119077 六、申請專利範圍 3·如申請專利範 導體裝置用元件為密 4 ·如申請專利範 導體裝置用元件的成 及加硫用配合材料。 ±_ 圍第1或2項所 封材料。 圍第1或2項所 形材料為未加 述的 修正 包裝材料，其中半 述的包裝材料，其中半 硫混合物的生膠彈性體 種半導體製造裝置用成形材料或元件的包裝方 法’其特徵在於： 係使用如申請專 於局純度氣體環境下 利範圍第1或2項所述的包裝材料，而 純度氣體來進行包裝。 材料或元件的包裝方 或一面通入高 6. —種半導體製造裝置用成形 法’其特徵在於： 係重疊使用至少 包裝材料，而於高純 來進行包裝。 二種如申請專 度氣體環境下 利範圍第1或2項所述的 或一面通入局純度氣體