KR100545517B1

KR100545517B1 - 반도체제조장치용 성형재료 또는 부품의 포장재, 그것을사용한 포장방법 및 포장된 반도체제조장치용 성형재료또는 부품

Info

Publication number: KR100545517B1
Application number: KR1020007014600A
Authority: KR
Inventors: 히가시노가쯔히꼬; 하세가와마사노리; 노구찌쯔요시; 기시네미쯔루
Original assignee: 다이낑 고오교 가부시키가이샤
Priority date: 1998-07-17
Filing date: 1999-07-14
Publication date: 2006-01-24
Also published as: EP1122187A4; US6663924B1; WO2000003928A1; EP1122187A1; TWI225455B; KR20010053107A

Abstract

고도한 클린한 상태를 유지할 수 있는 포장재로서, 피포장물에 접하는 측에 사용하는 표면에 존재하는 입경 0.2 ㎛ 이상의 미립자가 5000 개/㎠ 이하이고, 40 ℃, 90 % RH 에서의 수증기 투과도가 30 g/㎠ㆍ24 hr 이하이고, 80 ℃에서 15 분간 가열한 경우에 발생하는 가스의 총 량이 5 ppm 이하이고, 또한 80 ℃에서 30 분간 가열한 경우에 발생하는 수분의 총 량이 13 ppm 이하인 포장재를 제공한다.

Description

반도체제조장치용 성형재료 또는 부품의 포장재, 그것을 사용한 포장방법 및 포장된 반도체제조장치용 성형재료 또는 부품{PACKAGING MATERIAL FOR MOLDING MATERIAL AND PART FOR SEMICONDUCTOR EQUIPMENT, METHOD OF PACKAGING BY USING THE SAME AND PACKAGED MOLDING MATERIAL AND PART FOR SEMICONDUCTOR EQUIPMENT}

본 발명은 반도체제조장치용의 미가황 혼련 (knead) 물 등의 성형재료 또는 실링재등의 부품을 극히 고도한 클린상태에서 포장할 수 있는 포장재 및 포장방법에 관한 것이다.

반도체소자의 제조에는 극히 고도의 클린성이 요구되고 있고, 클린성의 요청은 반도체의 제조공정의 관리에 그치지 않고, 제조장치자체는 물론 그 부품에까지 미치고 있다. 반도체제조장치용의 부품은 장치에 조립한 후 세정 등으로 클린화 할 수 있는 정도는 한정되고 조립이전에 고도로 클린화 되어 있는 것이 요구된다.

본 발명이 특히 적절하게 적용할 수 있는 반도체제조장치용의 실링재 등의 부품도 동일하고, 본 출원인은 실링재 자체의 고도의 클린화를 특수한 세정방법등을 실시함으로써 달성하고 있다 (일본특허출원 평10-77781호, 동 평10-161988호 각 명세서) .

그러나, 미가황 혼련물이나 실링재는 포장되어 출하되고 있고, 미가황 혼련물이나 실링재 자체를 클린화 하여도 포장단계 및 포장된 상태에서 포장재로부터 오염되어 버리면, 클린화의 목적이 달성될 수 없다.

종래의 실링재의 포장재로서, 포장시의 밀봉성이나 취급의 간편함 등의 점에서, 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE) 이 광범위하게 사용되고 있다. 이 LDPE 를 어떤 방법으로 클린화 하려고 하여도 반도체제조의 분야에서 요구되고 있는 고도의 클린화는 달성할 수 없었다.

거기서 본 발명자들은 포장재에 의한 오염의 원인을 예의검토하여, 오염의 원인은 포장재의 표면의 미립자 등에 의한 오염에 더하여, 포장재의 재질에서 유래하는 (자연히 드러남) 오염이 큰 영향을 부여하는 것, 또한 외부환경에서 침입하여오는 오염도 무시할 수 없다라는 지견을 얻어, 각각의 오염에 대응할 수 있는 포장재 및 포장방법을 예의 검토하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

즉 본 발명은, (1) 피포장물에 접하는 측에 사용하는 표면에 존재하는 입경 0.2 ㎛ 이상의 미립자가 5000 개/㎠ 이하인 것, (2) 40 ℃, 90 % RH 에서의 수증기투과도가 30 g/㎠ㆍ24 hr 이하인 것, (3) 80 ℃에서 15 분간 가열한 경우에 발생하는 가스 (단, 수증기는 제외) 의 총 량이 5 ppm 이하인 것, (4) 80 ℃에서 30 분간 가열한 경우에 발생하는 수분의 총 량이 13 ppm 이하인 것의 1 개 이상을 만족하는 반도체제조장치용 성형재료 또는 부품의 포장재에 관한 것이다.

본 발명의 포장재로 밀봉하여 40 ℃, 90 % RH 의 주변환경하에서 24 hr 방치 한 후 꺼낸 경우, 포장되어 있는 클린화된 반도체제조장치용 성형재료 또는 부품은 포장전의 클린화된 성형재료나 부품에 비해서, 부착하고 있는 입경이 0.2 ㎛ 이상의 미립자의 개수의 증가 비율이 150 % 이하인 성형재료나 부품을 300 ℃에서 30 분간 가열했을 때에 발생하는 수분 발생량의 증가 비율이 100 % 이하로, 또한 200 ℃에서 15 분간 가열한 경우에 발생하는 가스 (단 수증기는 제외) 의 총 량의 증가 비율이 100 % 이하이다.

본 발명의 반도체제조장치용 성형재료 또는 부품의 포장재는, 상기의 4 개의 특정요소 중 1 개 이상을 만족하는 것이다.

우선, 이들의 각 특정요소에 대하여 측정방법도 포함하여 설명한다.

(특정요소 1)

피포장물 (미가황 혼련물이나 부품) 에 접하는 측에 사용하는 표면에 존재하는 입경 0.2 ㎛ 이상의 미립자가 5000 개/㎠ 이하인 것. 단, 포장재가 후술하는 증착 필름 또는 실링재 또는 라미네이트체인 경우, 최내층의 피포장물에 접하는 측에 사용하는 표면에 존재하는 미립자가 이 특정요소를 만족하는 것.

측정은 증류수 1000 ml 중에, 표면적 10 ㎠ 의 포장재 샘플을 침지하고, 진동기 (타이요오 가가꾸 고오교 (주) 제조의 TS-4) 를 사용하여 진폭 10 cm, 진동회수 2 회/초 에서 5 분간 진동시킨 후, 20 분간 방치하고, 액중 파티클 카운터 ((주) LION 제조) 에 의해 입경 0.2 ㎛ 이상의 미립자의 개수를 측정한다.

미립자의 감소는, 예컨대 세정용 약품 (증류수, 산, 알칼리 등) 에 의해 세정하는 웨트 세정법, 고순도의 고압가스를 불어넣는 방법 등에 의해 행할 수 있다. 미립자는 적을수록 좋고, 바람직하게는 4000 개/㎠ 이하, 보다 바람직하게는 3000 개/㎠ 이하로 한다.

(특정요소 2)

40 ℃, 90 % RH 에서의 수증기 투과도가 30 g/㎠ㆍ24 hr 이하인 것.

측정은 ASTM E-96 에 따라서, 투습 (透濕) 컵에 포장재 샘플을 고정하고, 이 컵 내에 물을 넣어 40 ℃, 90 % RH 의 항온항습장치 내에서 24 시간 유지하여 중량감소를 칭량한다.

수증기 투과량은 포장재의 외부로부터의 수분의 침입이 목표로 되고, 작을수록 좋다. 수분이 피포장물, 특히 반도체제조장치용의 부품에 부착하면 반도체 제조공정에 매우 큰 악영향을 미친다. 이러한 특정요소를 만족하는 포장재로서는 예컨대 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트 (PBT), 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN), 폴리부틸렌나프탈레이트 (PBN) 등의 폴리에스테르계 수지; 폴리프로필렌 (OPP), 폴리염화비닐 (PVC), 폴리염화비닐리덴 (PVDC) 등의 올레핀계 수지; 폴리클로로트리플루오로에틸렌 (PCTFE), 폴리테트라플루오로에틸렌 (PTFE), 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로 (알킬비닐에테르) 공중합체 (PFA), 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌공중합체 (FEP), 테트라플루오로에틸렌-에틸렌공중합체 (ETFE), 폴리불화비닐리덴 (PVDF), 폴리불화비닐 (PVF) 등의 불소 수지의 필름의 단독, 또는 2 종 이상의 필름의 라미네이트 필름을 들 수 있다. 또, 폴리아미드, 레이온 등의 수증기 투과량이 큰 수지필름이라도, 산화규소, 알루미늄, 산화알루미늄 등을 증착하거나 알루미늄 박판이나 폴리염화비닐리덴 등의 상기 수증기 투과량이 작은 수지필름을 점착하여 수증기 투과량을 적게하면 사용할 수 있다.

바람직하게는 25 g/㎠ㆍ24 hr 이하, 보다 바람직하게는 15 g/㎠ㆍ24 hr으로 한다.

필름 또는 라미네이트 필름의 두께는 상기의 수증기 투과량으로 되도록 적절하게 선정하지만, 취급성의 점에서 통상적으로 100 ㎛ 이하, 바람직하게는 70 ㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다.

(특정요소 3)

80 ℃에서 15 분간 가열한 경우에 발생하는 가스 (수증기는 제외) 의 총 량이 5 ppm 이하인 것.

측정은 밀폐관에 포장재 샘플 (1g) 을 넣어 80 ℃에서 15분간 가열하고, 발생한 가스를 액체질소로 - 40 ℃에서 냉각한 트랩 관에 채취하고, 이어서 급가열하여 가스크로마토그래피[ (주) 시마쯔세이사꾸쇼 제조 GC-14 A. 컬럼: (주) 시마쯔세이사꾸쇼의 UA-5]로 측정하고, 수득한 챠트의 피크 면적으로부터 발생가스의 총 량을 산출한다. 또한 이 방법에서는 수증기는 가스로서 측정되지 않는다.

(특정요소 4)

80 ℃에서 30분간 가열한 경우에 발생하는 수분의 총 량이 13 ppm 이하인 것.

측정은 포장재 샘플 (1 g) 을 80 ℃에서 30 분간 가열한 경우의 발생 수분량 을 컬ㆍ피셔식 수분측정기 (헤이쇼 (平沼)(주) 제조의 AQS-720) 로 측정한다.

상기 특정요소 1 및 2 는 포장재 이외의 원인에 의한 오염의 저감화가 대상이지만, 본 특정요소 3 및 4 는 포장재에 내재하는 오염의 저감화를 목적으로 한다. 즉, 포장재를 구성하는 각종의 재료, 특히 합성수지는 저분자량 물질이나 가공성, 안정성 등의 개선을 위하여 각종의 첨가제가 배합되어 있고, 실온 보존하 또는 가열에 의해 각종의 가스가 발생하고, 액체 방울이 되어 피포장물에 부착하여 오염의 원인이 되는 것을 발견하였다. 발생하는 가스나 수분은 수지의 종류, 가공된 방향, 첨가제의 종류 등에 따라 상이하지만, 예컨대 프탈산디옥틸, 디부틸프탈레이트 등이 많이 발생한다. 이 지견으로서 본 발명자들은 포장재 자체의 가스 발생량을 5 ppm 이하 (80 ℃ 15 분간 가열), 수분 발생량을 13 ppm 이하 (80 ℃ 30 분간 가열) 로 제어함으로써, 보다 고도의 클린화가 달성될 수 있다는 것을 발견하였다.

이러한 특정요소를 만족하는 재료로서는, 예컨대 PET, PBT, PEN, PBN, PVDC, PCTFE, PTFE, PFA, FEP, ETFE, PVDF, PVF 등을 들 수 있고, 특히 발생가스의 총 량이 2 ppm 이하의 PET, PBT, PEN, PBN 등의 폴리에스테르계 수지; PCTFE, PTFE, PFA, FEP, ETFE, PVDF, PVF 등의 불소수지가 바람직하다. 또 이들의 수지필름에 상기와 같은 산화규소, 알루미늄, 산화알루미늄 등을 증착하거나, 알루미늄 박판 등을 점착한 필름을 사용할 수 있다.

이상의 4 개의 특정요소를 1 개 이상, 바람직하게는 상기 특정요소 1 및 3, 보다 바람직하게는 상기 특정요소 1, 3 및 4를 만족하는 포장재가 반도체제조장치용 성형재료나 부품과 같은 매우 고도한 클린화가 요구되는 피포장물의 포장재로서 적합하다. 이러한 특정요소를 만족하는 포장재로서는, 예컨대 PET, PBT, PEN, PBN, PVDC 등의 폴리에스테르계 수지필름; PCTFE, PTFE, PFA, FEP, ETFE, PVDF, PVF 등의 불소수지필름 등을 들 수 있다. 반도체제조장치용 성형재료나 부품이 고도로 수분을 피해야만 하는 경우에는 40 ℃, 90 % RH 에서의 수증기 투과도가 1 g/㎠ㆍ24 hr 이하, 특히 0.2 g/㎠ㆍ24 hr 이하인 것이 바람직하다. 이러한 특정요소를 만족하는 포장재로서는, 상기한 수증기 투과량이 적은 수지필름에 산화규소, 알루미늄, 산화알루미늄 등을 증착한 증착필름, 또는 상기한 수지필름에 알루미늄 박판 등을 접착한 라미네이트필름 등을 들 수 있다.

본 발명의 반도체제조장치용 성형재료 또는 부품의 포장재는, 상기의 재료를 필름화하여 필요하면 증착 또는 라미네이트처리하고, 이어서 증류수나 약품에 따라서 세정처리함으로써 수득된다.

본 발명은, 또한 본 발명의 반도체제조장치용 성형재료 또는 부품의 포장재를 사용한 포장방법에도 관한 것이다. 본 발명의 포장재는 피포장물의 형상에 따라 여러 가지 형태로 수득되지만, 예컨대 반도체제조장치용의 실링재인 O-링 등을 포장하는 경우, 주머니나 상자의 형으로 하면 된다. 또, 2 매의 시트사이에 O-링 등을 끼워 넣는 포장을 할 수 있다. 그러나, 어떠한 형으로 하여도 최종적으로는 피포장물을 밀봉할 필요가 있다. 따라서, 포장재의 피포장물 측은 실링 가능한 것, 가능한 한 새로운 오염원이 될 가능성 있는 접착체를 사용하지 않는 실링이 가능한 것일 필요가 있다. 접착제를 사용하지 않고 고도한 실링 (밀봉) 이 가능한 실링법으로서는, 예컨대 열 융착을 사용하는 비트 실링법, 초음파에 의해 진동시켜 접합하는 초음파 실링법, 고주파 가열을 사용하는 고주파 실링법 등을 들 수 있고, 사용 포장재의 재료 및 포장 형태에 따라서 실링시에 가스나 파티클이 발생하여 피포장물을 오염시키지 않는 범위에서 적절하게 사용할 수 있다.

또, 엘라스토머 재료를 혼련하여 최종부품으로 성형할 경우, 일시적으로 미가황 상태에서 보존 또는 수송할 수 있다. 본 발명의 포장재 및 포장방법은 이러한 엘라스토머의 미가황의 생고무 또는 가황용 배합재와의 혼련물로 한 성형재료에도 적절하게 적용할 수 있다.

고도의 클린화를 달성하기 위해서는, 포장시의 환경도 클린한 상태로 해 놓을 필요가 있다. 본 발명에서는 포장시의 환경을 고순도 가스분위기로 하여 포장작업을 행한다. 이 때, 포장재 중에 고순도 가스를 압입하면서 행하여도 된다. 고순도 가스로서는 질소가스, 헬륨가스 등의 시판되고 있는 고순도 불활성 가스를 사용할 수 있다.

포장해야하는 제품에 요구되는 클린도에도 의하지만, 반도체제조장치용의 성형재료 또는 부품 등의 매우 고도한 클린도가 요구되는 제품의 포장에는, 상기 포장재를 2 매 또는 3 매 이상 사용하여 2 겹, 3 겹 등의 다중으로 포장하여도 된다. 이 경우, 동종의 포장재보다도 이종의 포장재를 사용하는 것이 바람직하다.

본 발명의 포장재로 밀봉하여 40 ℃, 90 % RH 의 주변 환경하에서 24 hr 방치한 후 꺼낸 클린화된 반도체제조장치용 성형재료 또는 부품은, 포장전의 클린화 된 성형재료나 부품에 비하여 부착하고 있는 입경 0.2 ㎛ 이상의 미립자의 개수의 증가비율을 150 % 이하, 바람직하게는 130 % 이하로, 성형재료나 부품을 300 ℃에서 30 분간 가열한 때에 발생하는 수분 발생량의 증가비율을 100 % 이하, 바람직하게는 95 % 이하로, 또한 200 ℃에서 15 분간 가열한 때에 발생하는 가스 (단, 수증기는 제외) 의 총 량의 증가비율을 100 % 이하, 바람직하게는 90 % 이하로 할 수 있다. 또한, 포장전의 클린화 된 반도체제조장치용 성형재료 또는 부품은, 부착하고 있는 입경 0.2 ㎛ 이상의 미립자의 개수가 20 만개/㎠ 이하로, 300 ℃에서 30 분간 가열한 때에 발생하는 수분 발생량이 200 ppm 이하로, 또한 200 ℃에서 15 분간 가열한 때에 발생하는 가스 (단, 수증기는 제외) 의 총 량이 2 ppm 이하의 것을 기준으로 한다.

실링재 등의 부품의 미립자의 개수의 측정은, 증류수 1000 ml 중에 O-링 (AS-568A-214) 샘플을 침지하여, 5 분간 진동시킨 후 20 분간 정치하여, 액체 중 파티클 카운터 ((주) LION 제조) 에 의해 입경 0.2 ㎛ 이상의 미립자의 개수로서 측정한다. 또 미가황 혼련물 (화합물) 등의 성형재료의 미립자의 개수의 측정도 동일한 방법으로 할 수 있다.

부품의 수분 발생량의 측정은 O-링 (AS-568A-214) 을 300 ℃에서 30 분간 가열한 때의 수분 발생량을 컬ㆍ피셔식 수분측정기 (헤이쇼 (주) 제조 AQS-720) 로 측정한다. 또, 미가황 혼련물 (화합물) 등의 성형재료의 수분 발생량도 동일하게 측정할 수 있다.

발생 가스량 (수증기는 제외) 의 측정은 밀폐관에 O-링 (AS-568A-214) 샘플을 넣어 200 ℃에서 15 분간 가열하고, 발생한 가스를 액체질소에서 - 40 ℃로 냉 각한 트랩관으로 채취하고, 이어서 급가열하여 가스크로마토그래피[ (주) 시마쯔 세이사꾸쇼 제조 GC-14 A. 컬럼: (주) 시마쯔 세이사꾸쇼 제조 UA-5]로 측정하고, 수득한 챠트의 피크면적으로부터 발생가스의 총 량을 산출한다. 또한 이 방법에서는 수증기는 측정되지 않는다.

본 발명의 포장재로 포장해야할 고도의 클린화가 요구되는 반도체제조장치용 부품으로는, 예컨대 상기와 같이 O-링, 사각링, 가스켓, 파킹, 오일실, 베어링 실, 립 실 등의 반도체제조장치용의 실링재; 다이어프램, 호스, 튜브, 웨이퍼 캐리어, 각종 고무롤 등 반도체제조장치용 부품 등을 들 수 있지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.

또, 성형재료로서는 상기의 미가황 혼련물 (화합물) 을 들 수 있고, 보존 또는 수송에 적합한 각종의 형태, 예컨대 판상, 괴상 (塊狀) 등으로 포장된다. 이러한 미가황 혼련물로서는, 특히 한정되지 않지만, 예컨대 미가황의 불소계 엘라스토머 또는 실리콘계 엘라스토머로, 필요에 따라서 가교제, 가교보조제, 충전재 등을 배합한 것을 들 수 있다.

또한, 본 발명에서의 반도체제조장치는, 특히 반도체를 제조하기 위한 장치에 한정되는 것은 아니고, 광범위하게 액정 패널이나 플라즈마 패널을 제조하기 위한 장치, 고도한 클린도가 요구되는 반도체 분야에서 사용되는 제조장치 전반적인 것을 포함하는 것이다.

구체적으로는, 다음과 같은 반도체제조장치가 예시된다.

(1) 에칭장치

드라이 에칭장치

플라즈마 에칭장치

반응성이온 에칭장치

반응성이온 빔 에칭장치

스패터 에칭장치

이온 빔 에칭장치

웨트 에칭 장치

애싱 장치

(2) 세정장치

건식에칭 세정장치

UV/O₃ 세정장치

이온빔 세정장치

레이저빔 세정장치

플라즈마 세정장치

가스에칭 세정장치

추출세정장치

속슬레추출 세정장치

고온고압추출 세정장치

마이크로웹추출 세정장치

초임계추출 세정장치

(3) 노광장치

스테퍼

코터ㆍ디벨로퍼

(4) 연마장치

CMP 장치

(5) 막 제조장치

CVD 장치

스패터링 장치

(6) 확산ㆍ이온 주입장치

산화 확산장치

이온 주입장치

다음 실시예를 들어서 본 발명을 설명하지만, 본 발명은 이러한 실시예만으로 한정되는 것은 아니다.

포장재 1

폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET)((주) 도요보 제조 TOYOBO E5100) 의 두께 25 ㎛ 의 필름을 금속함유량이 1.0 ppm 이하로서 입경이 0.2 ㎛ 이상의 미립자를 300 개를 초과하지 않는 증류수로 적신 무진지(蕪塵紙)로 닦아 본 발명의 포장재 1 을 수득하였다. 이때, 무진지로 닦은 후, 고순도 질소가스를 불어 건조시켰다. 이것의 미립자 (0.2 ㎛ 이상의 입자, 이하 동일함) 수는 1500개/㎠ 이고, 수증기 투과량은 22.0 g/㎠ㆍ24 hr 이고, 발생 가스량은 0.0 ppm 이었다. 포장재 1 로부터의 수분 발생량은 10.1 ppm 이었다.

포장재 2

추가로 포장재 1 을 증류수 중에서 15 분간 침지 요동시킨 후, 고순도 질소가스를 불어 건조시켜 포장재 2 를 수득하였다. 이것의 미립자 수는 300 개/㎠ 이고, 수증기 투과량은 22.0 g/㎠ㆍ24 hr이고, 발생 가스량은 0.0 ppm, 수분 발생량은 10.1 ppm 이었다.

포장재 3

폴리클로로트리플루오로에틸렌 (PCTFE)(다이낑 고오교 (주) 제조) 의 두께 25 ㎛ 의 필름을 증류수로 적신 무진지로 닦아 본 발명의 포장재 3 을 수득하였다. 이 때, 무진지로 닦은 후, 고순도 질소가스를 불어 건조시켰다. 이것의 미립자 수는 1600 개/㎠ 이고, 수증기 투과량은 0.7 g/㎠ㆍ24 hr 이고, 발생 가스량은 0.2 ppm, 수분 발생량은 0.0 ppm 이었다.

포장재 4

추가로 포장재 3 을 증류수 중에서 15 분간 침지 요동한 후, 고순도 질소가스를 불어 건조시켜 포장재 4 를 수득하였다. 이것의 미립자 수는 500 개/㎠ 이고, 수증기 투과량은 0.7 g/㎠ㆍ24 hr이고, 발생 가스량은 0.2 ppm, 수분 발생량은 0.0 ppm 이었다.

포장재 5

두께 25 ㎛ 의 PET 에 산화규소를 증착시킨 것 ((주) 썬에이 가껭 제조) 을, 증류수로 적신 무진지로 닦아 본 발명의 포장재 5 를 수득하였다. 이때, 무진지로 닦은 후, 고순도 질소가스를 불어 건조시켰다. 이것의 미립자 수는 2000 개/㎠ 이고, 수증기 투과량은 0.3 g/㎠ㆍ24 hr이고, 발생 가스량은 0.0 ppm, 수분 발생량은 11.2 ppm 이었다.

포장재 6

두께 25 ㎛ 의 PET 에 알루미늄 박판을 라미네이트한 것 ((주) 썬에이 가껭 제조) 을, 증류수로 적신 무진지로 닦아 본 발명의 포장재 6 을 수득하였다. 이 때, 무진지로 닦은 후, 고순도 질소가스를 불어 건조시켰다. 이것의 미립자 수는 1800 개/㎠ 이고, 수증기 투과량은 0.0 g/㎠ㆍ24 hr이고, 발생 가스량은 0.0 ppm, 수분 발생량은 9.8 ppm 이었다.

포장재 7

두께 25 ㎛ 의 PCTFE 에 산화규소를 증착하고, 증류수로 적신 무진지로 닦아 본 발명의 포장재 7 을 수득하였다. 이 때, 무진지로 닦은 후, 고순도 질소가스를 불어 건조시켰다. 이것의 미립자 수는 2100 개/㎠ 이고, 수증기 투과량은 0.3 g/㎠ㆍ24 hr이고, 발생 가스량은 0.2 ppm, 수분 발생량은 1.1 ppm 이었다.

포장재 8

두께 25 ㎛ 의 PCTFE 에 알루미늄 박판을 라미네이트하고, 증류수로 적신 무진지로 닦아 본 발명의 포장재 8 을 수득하였다. 이 때, 무진지로 닦은 후, 고순도 질소가스를 불어 건조시켰다. 이것의 미립자 수는 1900 개/㎠ 이고, 수증기 투과량은 0.0 g/㎠ㆍ24 hr이고, 발생 가스량은 0.2 ppm, 수분 발생량은 0.0 ppm 이었다.

비교 포장재

두께 25 ㎛ 의 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE) (아이세로 가가꾸 (주) 제조) 필름을 비교 포장재로 하였다. 이것의 미립자 수는 7000 개/㎠ 이고, 수증기 투과량은 36.0 g/㎠ㆍ24 hr이고, 발생 가스량은 6.2 ppm, 수분 발생량은 15.2 ppm 이었다.

[실시예 1]

테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로 (메틸비닐에테르) 공중합체 제조 O-링 (AS-568A-214) 을 황산과 과산화수소수의 1:1 혼합액을 사용하여 100 ℃ 15 분간 침지세정하고, 이어서 금속함유량이 1.0 ppm 이하로 입경이 0.2 ㎛ 이상의 미립자를 300 개를 초과하지 않는 증류수를 사용하고 100 ℃에서 속슬레추출 세정하고, 또한, 200 ℃에서 24 시간 건조하고, 0.2 ㎛ 이상의 미립자의 개수가 48000 개/㎠ 의 클린한 O-링을 수득하였다. 이 O-링의 수분 발생량은 128 ppm, 가스 발생량은 0.9 ppm 이었다.

이 O-링을 2 매의 포장재 1 에 삽입하여, 초음파 실링기 (RINCO 사 제조의 초음파 플라스틱웰더 35KHZ 멀티프레스) 로부터 밀봉 포장하였다. 40 ℃에서 24 시간, 90 % RH 의 분위기하에서 방치하고, 개봉하여 O-링을 신중하게 꺼내어 미립자수, 수분 발생량 및 발생가스량을 측정하였다. 또, 밀봉 포장전의 것과 비교하고, 미립자수, 수분 발생량 및 발생가스량의 증가률을 산출하였다. 결과를 표 1 에 나타내었다.

[실시예 2 ~ 8]

포장재로서 포장재 2 ~ 8 을 각각 사용한 것 이외는 실시예 1 과 동일한 방법으로 O-링을 밀봉하고, 방치, 개봉하여 미립자수, 수분 발생량 및 발생가스량을 측정하고, 그들의 증가율을 산출하였다. 그 결과를 표 1 에 나타내었다.

또한, PET 제품의 포장재를 사용한 실시예 2 (포장재 2), 실시예 5 (포장재 5) 및 실시예 6 (포장재 6) 은 실시예 1 과 동일하게 초음파 실링하고, PCTFE 제품 포장재를 사용한 실시예 3 (포장재 3), 실시예 4 (포장재 4), 실시예 7 (포장재 7) 및 실시예 8 (포장재 8) 은, 히트 실링기 (후지인펄스 제품의 FI-600) 를 이용하여 160 ℃에서 히트 실링하여 밀봉하였다. 또, 증착필름 (포장재 5, 7) 및 라미네이트 필름 (포장재 6, 8) 은 증착측 및 라미네이트측을 외측으로 하여 실링하였다.

[실시예 9]

실시예 1과 동일 방법으로 세정한 O-링 (AS-568A-214) 을 포장재 2 에 의해 초음파 실링하고, 다음에 포장재 5 로서 초음파 실링하여 2 중 포장하고, 실시예 1 과 동일하게 하여 방치, 개봉하여 미립자수, 수분 발생량 및 발생 가스량을 측정하고, 그들의 증가률을 산출하였다. 그 결과를 표 1 에 나타내었다.

[실시예 10]

실시예 1 과 동일 방법으로 세정한 O-링 (AS-568A-214) 을 고순도 질소가스 분위기 하에서 고순도 질소가스를 유출하면서 포장재 2 에 의해 초음파 실링하고, 이어서 고순도 질소가스 분위기에서 고순도 질소가스를 유출하면서 포장재 5 에 의해 초음파 실링하여 2 중 포장하고, 실시예 1 과 동일 방법으로 방치, 개봉하여 미립자수, 수분 발생량 및 발생 가스량을 측정하고, 그들의 증가률을 산출하였다. 그 결과를 표 1 에 나타내었다.

[비교예 1]

비교포장재 (LDPE) 를 사용하고, 실시예 3 (PCTFE) 과 동일 방법으로 하여 히트 실링하고, 실시예 1 과 동일 방법으로 하여 방치, 개봉하여 미립자수, 수분 발생량 및 발생 가스량을 측정하고, 그들의 증가률을 산출하였다. 결과를 표 1 에 나타내었다.

[표 1]

	미립자수		수분발생량		발생가스량
	개/㎠	증가 (%)	ppm	증가 (%)	ppm	증가 (%)
실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 실시예 5 실시예 6 실시예 7 실시예 8 실시예 9 실시예 10 비교예 1	95,000 59,000 98,000 65,000 110,000 104,000 113,000 107,000 59,000 49,000 260,000	98 23 104 25 129 117 135 123 23 2 442	250 250 200 200 180 150 180 150 160 130 400	95 95 56 56 41 17 41 17 25 2 213	1.2 1.2 1.4 1.4 1.2 1.2 1.4 1.4 1.0 1.0 7.4	33 33 56 56 33 33 56 56 33 11 722

표 1 로부터 확인된 것으로, 본 발명의 포장재를 사용하여 포장한 제품은 클린성을 유지할 수 있고, 특히 2 중 포장하여 고순도 가스의 존재하에 포장한 경우, 세정시 (포장시) 와 거의 변화하지 않는 클린성을 유지할 수 있었다.

본 발명의 포장재는 포장재 자체의 오염 (부착미립자) 및, 외부 환경으로부터의 오염 (수분의 투과), 더욱이 포장재의 내부에 존재하는 재료적인 오염 (가스나 수분의 발생) 을 최소한으로 억제할 수 있고, 제품의 세정시의 클린상태를 유지한대로 보존, 수송이 가능하다. 특히 매우 고도한 클린성이 요구되는 반도체제조장치용의 실링재 등의 부품 포장에 적절하게 사용할 수 있다.

Claims

피포장물에 접하는 측에 사용하는 표면에 존재하는 입경 0.2 ㎛ 이상의 미립자가 5000 개/㎠ 이하인 반도체제조장치용 성형재료 또는 부품의 포장재.
40 ℃, 90 % RH 에서의 수증기 투과도가 30 g/㎠ㆍ24 hr 이하인 반도체제조장치용 성형재료 또는 부품의 포장재.
80 ℃에서 15 분간 가열한 경우에 발생하는 가스 (단, 수증기는 제외) 의 총 량이 5 ppm 이하인 반도체제조장치용 성형재료 또는 부품의 포장재.
80 ℃에서 30 분간 가열한 경우에 발생하는 수분의 총 량이 13 ppm 이하인 반도체제조장치용 성형재료 또는 부품의 포장재.
피포장물에 접하는 측에 사용하는 표면에 존재하는 입경 0.2 ㎛ 이상의 미립자가 5000 개/㎠ 이하이고, 80 ℃에서 15 분간 가열한 경우에 발생하는 가스의 총 량 (단, 수증기는 제외) 이 5 ppm 이하인 반도체제조장치용 성형재료 또는 부품의 포장재.
피포장물에 접하는 측에 사용하는 표면에 존재하는 입경 0.2 ㎛ 이상의 미립 자가 5000 개/㎠ 이하이고, 80 ℃에서 15 분간 가열한 경우에 발생하는 가스의 총 량 (단, 수증기는 제외) 이 5 ppm 이하이고, 또한 80 ℃에서 30 분간 가열한 경우에 발생하는 수분의 총 량이 13 ppm 이하인 반도체제조장치용 성형재료 또는 부품의 포장재.
피포장물에 접하는 측에 사용하는 표면에 존재하는 입경 0.2 ㎛ 이상의 미립자가 5000 개/㎠ 이하이고, 40 ℃, 90 % RH 에서의 수증기 투과도가 30 g/㎠ㆍ24 hr 이하이고, 또한 80 ℃에서 15 분간 가열한 경우에 발생하는 가스 (단, 수증기는 제외) 의 총 량이 5 ppm 이하인 반도체제조장치용 성형재료 또는 부품의 포장재.
포장재로 밀봉하여 40 ℃, 90 % RH 의 주변 환경하에서 24 시간 방치한 후 꺼낸 반도체제조장치용 성형재료 또는 부품에 부착하고 있는 입경 0.2 ㎛ 이상의 미립자의 개수의 증가비율이 150 % 이하이고, 상기 성형재료 또는 부품을 300 ℃에서 30 분간 가열한 경우에 발생하는 수분 발생량의 증가비율이 100 % 이하이고, 또한 200 ℃에서 15 분간 가열한 경우에 발생하는 가스 (단, 수증기는 제외) 의 총 량의 증가비율이 100 % 이하인 반도체제조장치용 성형재료 또는 부품을 부여하는 반도체제조장치용 성형재료 또는 부품의 포장재.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 반도체제조장치용 부품이 실링재인 포장재.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 반도체제조장치용 성형재료가 엘라스토머의 미가황의 생고무 또는 가황용 배합제의 혼련물인 포장재.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 폴리에스테르계 수지를 기재로 하는 포장재.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 불소수지를 기재로 하는 포장재.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 폴리에스테르계 수지 또는 불소수지를 기재로 하여, 여기에 산화규소, 알루미늄 또는 산화알루미늄이 증착되어 이루어진 포장재.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 폴리에스테르계 수지 또는 불소수지를 기재로 하여, 여기에 알루미늄 박판 또는 폴리염화비닐리덴 필름이 접착되어 이루어진 포장재.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 포장재를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체제조장치용 성형재료 또는 부품의 포장방법.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 포장재를 2 개 이상을 겹쳐 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체제조장치용 성형재료 또는 부품의 포장방법.
제 15 항에 있어서, 포장을 고순도 가스 환경하에서 행하는 포장방법.
제 15 항에 있어서, 포장을 고순도 가스를 유출시키면서 행하는 포장방법.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 포장재를 사용하여 포장된 반도체제조장치용 성형재료 또는 부품.