TWI223076B - Probe unit and its manufacture - Google Patents

Description

1223076 玖、發明說明： 技術領域 本申請案係基於2 0 0 1年9月2 0日提出的日本專利申請案 No.2001 -287088，2002年 6 月 5 日提出白勺 No.2002-164244，及 20 02年7月1 5日提出的No. 2002-205285，其完整内容皆在此 引用做為參考。 本發明關於一種探針單元及其製造方法，該探針單元係 用於一電子裝置（測試體）之電極、終端及類似者之導電測試 ’例如半導體積體電路及液晶顯示面板。 先前技術 體積體電路、液晶顯示 藉此檢查這些產品之操 導電測試概言之係對於像是半導 面板及印刷電路板的產品來進行， 作疋否可以符合規格的需求。 在此導電測試期間， 的探針插針係緊靠在一

的電極上。要用於導電測 、一印刷電路板或類似者之並列的

84367 面板之破璃板的邊緣

1223076 其探針插針係相容於該電極層之微細間距。 、該=極層的間距為（M _或更小。要透過機械打孔來形 成相容於這種間距的探針單元非常困難。 因此探針單元係由蝕刻或電鍍來製造。 例如在日本專利公開文獻N〇 25 52〇84中揭示一種製造該 獨立配線類型之探針Μ的方法。此公開文獻係提出㈣ 些導線，其工件由束帶耦合，並在黏結之後切斷該束帶。 亦在JP-B-7-5 6493中揭示一種製造該獨立配線類型之探 針早7L的方法。此公開文獻係提出來蝕刻導電接觸終端到 一頂足的形狀及配置，黏結該導電接觸終端到一絕緣部件 ，然後切斷該導電接觸終端的兩端。 另一種製造該獨立配線類型之探針單元的方法係揭示於 A 1 1 j j 7 5 7 5此公開文獻係提出塗佈阻抗在一電鍍金屬 上到-所要的厚度’設置具有—敎圖案的光罩到該阻抗 :面，執行曝光及顯影方法來移除不需要的阻抗，在該暴 路的電鍍金屬層上沉積薄電鍍的銅晶種層，在該晶種層上 成長具有一所要厚度之探針插針，並僅溶解該銅晶種層來 分離該等探針插針。此公開文獻進一步提出來利用一鑽頭 或雷射來形成穿過一基板之孔，並安置形成在該等探針插 針上的足位哭出到該等孔中來固定該等探針插針到該基板 上。 嗞「活塞」類型的探針單元係揭示於Jp_A-8_ii〇362及 JP-A-11-64425 。 "、J 4 ^及探針插針的電極之狹窄間距使其很難實現在 S4367 1223076 該等電極及探針插針之間的位置對準。 川-八-10^39740揭不—種定位及固定具有探針插針形成 在一基板（薄膜）上的一探針單元（接觸探針）到一探針裝置之 方法。 其很難以較高的位置對準精度來黏結導線到-絕緣基座上 。此外，當束帶被切斷時，會破壞導線。 利用JP-B-7-)6493中描述的方法會很困難地以較高的位 置對準精度來黏結導電接觸終端到該絕緣部件。 利用在,. ，、 中锸逑的方法，該薄電鍍的銅晶種 層/、有ό有落劑的一 y | J. Λ ^ ，日甘_ 接觸區域，所以其很難來溶解該晶 k '、會花很長的時間來分％兮客权 5ft ^ 7Π不刀滩该寺探針插針。其亦很 ΙΜ丨用鑽頭或雷射來以高精度形成穿過— 置該探針插針在相對於該等孔之位置處。 [’η

利用在H1Q_33974G 及固定一探飪, 疋位用於定位之孔 、’十早7C到一探針裝置係由 之微影方法的、、Η I係由不同於形成探針插針 々泛的万法來形成穿過一其 探針插針斑定 、 土 Q此，其很難來在 ，在該探針裳” 較高的位置對準精度。因此 十驶置與探針插針之間，以 針插針所失持的— ％诛針裝置與探 精度。 ……極之間，得到充份高的位置 發明内容 .本發明的目的係要提供一種具有 向精度放置在 卄插針的探針單元以 基板上，並以高精度形成穿料其 ' 牙過孩基板之定 ^4367 種探針單 ==安裝該探針單元到，，並提供 根據本發明一方面，其提供— 體來測試一測試體之功能，其包括·早兀來固足於一測試 在該基板上的探針插針， —基板；由微影形成 ' 々寺扶針插IL古丄、、 的末端點，並使JL接肖§ i、、 ” 由該基板突出 成在該基板上= ::::的電極;及藉由微影形 預定的位置處，該以位構件tr於該等探針插針— 休針敕置來疋位該基板。 町万、邊 ^定位部件緊靠在—部件上來相對於該探針裝置定㈣ 純，所以該基板藉由使用該定㈣件做為—位置參^ 足位及固定於該探針裝 S疋么部件係猎由使用微影來 相对相探針插狀位在該基板上，所以該等探針插針可 用Μ度相對於該探針裝置來定位。因此可改善該探針單 凡的铋針插針相對於一測試體之電極的位置精度。用於曝 光及Τ秦移微影之光源或輻射源並未受限。微影可為平板印 刷 *外線微影、離子束微影或類似者。 3足位邯件可具有該較薄的夾墊圈形狀，其彈性突出周 圍地延伸環繞形成穿過該基板之通孔。藉由壓力固接一部 牛末？目對於该探針裝置定位該基板到具有該較薄的夾墊圈 形狀 < 足位邵件，該等探針插針相對於該探針裝置之位置 精度可由於該定位部件之居中功能來進一步改善。 孩探針單元可進一步包括固定於該基板之加強膜，並覆 盖孩等探針插針在該基板上及/或至少該定位部件的一區域 84367 此加強膜可防止該等探針插針及/或定位部件來與該基 =分離。在此說明書中，「在該基板上及/或至少該定位部 =戈厂區域上的探針插針」係要代表「在該基板上的該等 衣針播針」及「該定位部件之至少一區域」之一。 =較佳地是，該等探針插針及該定位部件係由相同的材 ''纪成’並具有一相同的薄膜厚度。 /1本设明另一方面，其提供一探針單元來固定於一測 =體來測試—測試體之功能，其包括：探針插針包括-底 胰’及形成在該底部膜上的-探針插針圖案；及一探針 :持器：其形成在由該等探針插針的末端所定義的一上表 上’亚具有複數個小孔。 ::數個小孔係形成穿過該探針夾持器，其可擴大用 針；：-目標層之㈣劑的接觸區域。其較佳地是，該探 針夹持器係由形成在由一 -電鍍層所製成。 …—框架中所形成的 其車父佳地是，—結給 ,錢制成在該探針夹㈣MU 且：寺铋針插針係形成在該絕緣膜的表面上。 /、幸又佳地疋，—保護膜覆蓋該 針。 τ人待斋及琢寺探針插 Μ㈣| ’由相同材料製成做為該… 插針係形成在由一電_ 夹持态 < 探針 其較佳地是，由_兩厂&也丨 -的衣面上〇 兒鍍層所‘成的該探針 由樹脂所製成的探針夾持器中。 插針係敢入在 根據本發明另—方面 衣&固疋於一探針裝 84367 1223076 置來測試一剛試體的功能之探針單元的方法，該方法包含 以下步形成具有由-基板突出的末端點之探針插針， 並使其接觸於該測試體的電極 ^ ^ + 包i 及一疋位邯件來緊靠在用 於相對於孩探針裝置定位嗜其 一 β 土、板’精由微影分別同時定位 在該基板上。 因為該等探針插針及定位部 外仟係由微影在同時形成，可 以改善該等探針插針與定位部 、、 Μ千'^相對位置的位置精度。 因為該基板係藉由使用該定 文、巫二 、、， <1乂 $件做為一位置參考來定位 及固足於$亥探针裝置，該莓^ 亥寺抓針插針可用高精度來定位在 該探針裝置上。根據該探針單元製造方法，可以改善該等 探針插針相對於該測試體的電極之位置精度。 根據本兔明另一万面’其提供一種製造固定於一測試體 來測試-測試體之功能的探針單元的方法，該方法包括： ，形成-對準標記在—基板上的步驟卜形成具有由該基 板笑出U端·以探針插針，並使其接觸於麵試體之電 極的步驟，其藉由使用該對準標記做為一位置參考來由微 影形成在孩基板上；及一形成一定位部件來緊靠在相對於 該探針裝置足位該基板之部件上的步驟，其藉由使用該對 準標圮做為一位置參考來由微影形成在該基板上。 因為該等探針插針及定位部件係使用該共用對準標記做 為一位置參考來由微影形成，其可改善該等探針插針及定 位邵件之相對位置的位置精度。因為該基板係藉由使用該 定位邵件做為一位置參考來定位及固定於該探針裝置，該 等探針插針可用高精度來定位在該探針裝置上。根據該探

-1U 84367 1223076 十單兀衣坆万法，可以改善該等探針 n 、 、 τ術針相封於該測試體 的私極<位置精度。在形成該對準 私士： 一 」r知己之俊，可以先執行 7成孩寺探針插針之方法，或形成該定位部件之方法。 根據本發明另一方面’其提供一種製造固定於一測試俨 I·體之功能的探針單元的方法，該方法包括「 ^形成具有由該基板突出的末端點之探針插針，並使其 斶於孩測試體之電極，&由微影同時形成在—基板上的牛 驟、，及形成用於緊靠在用於相對於該探針裝置來定位該^ 板（部件的足位部件之步驟，其藉由使用該對準標記做^ -位置參考來由微影形成在該基板上。 為 因為該定位部件係由在形成該等探針插針的同 的該對準標記做為一 △ 成 ， 為位I芩考所形成，其可改善該等探 插針及定位部件之★妒 ’十 ^ ^ 、 相對位且的位置精度。因為該基板係夢 由使用該定位部件傲 _ A 、 曰 姑突：々 、、、—位置芩考來足位及固定於該探針 衣且’该等探針插斜 丄 、十了用高精度來定位在該探針裝置上。 根據該探針單元製怦女、士 、、 绝万法，可以改善該等探針插針相對於 違測武體的電極之位置於戶 根據本發明另_女& ’其提供一種製造固定於一測兮'晋# 來測試一測試體之功处沾批扣/ … 八也 月匕的探針單元的方法，該方法包括： 一形成緊靠在用於柏私 、 、 、4 I該探針裝置及一對準標記定位一 基板之邵件的定位却彳土、 、、 4件<步驟，其藉由微影在同時形成在 咸基板上，及一· ^ J-U FI > 力乂具有由該基板突出之末端點，並使其 接觸於該測試體之# γ ^ Μ ^ ^的探針插針之步驟，其係藉由使用 該對準標記做為—$ 1 - I參考來由微影形成在該基板上。 \ 84367 -12 - I223〇76 因為該探針插針係 ^ 的該對準㈣做A '、彳、成料探#科㈣時間形成 揚針及定位部二：置！考所形成’其可改善該等探針 由使用該&料做置精纟因“基板係藉 裝置，該等探針插針可…考來定"固定於該探針 、’了用向精度來定位在琢探針裝置上。 根據該探針單元製—、^ — 二、 Q万法，可以改善該等探針插針相對於 孩測試體的電極之位置精度。 根據本發明另一方而 ^ 面，k供一種製造一探針單元的方法 ，其包括：一在一其^ ,^ 土板的表面上形成/犧牲膜之步驟；一 在該犧牲膜的表面上彤 、， ΛΑ ^ 小成一展部膜之步驟；一在該底部膜 的表面上，形成具有對 、 上、 、啕對應於一探針單元圖案之開口的一阻 抗膜並包含至少一小f ' 足v驟；一藉由電鍍來在該阻抗膜 的開口中形成該探針單 、 • 、 τ早凡圖案的步驟，？系探針單元圖案包 含探針插針及一探針央祛 ^ 人待σ〇，一移除該阻抗膜及在該阻抗 膜之下的該底邵膜的步驟· ， /%，及一移除該犧牲膜來得到一 針單元的步驟。 根據本發明另一方面，转 &供一種製造一探針單元的方法

，其包括：一形成一犧姓膜A 、 … 在在一基板表面上的步驟；一形 成一第一阻抗膜在該犧牲滕的本τ ^ 俄往腠的表面上之步驟，該第一阻抗 腠具有相對應於一探針夹持哭 如二、^ 、 苻扣圖案的一開口 .； 一藉由電鍍 在該第一阻抗膜的開口中 成邊抓針夹持器圖案之步驟； 一形成一絕緣膜在該探針夹持 人何备圖案的表面上之步驟；一 移除該第一阻抗膜來得到一探 一 人待备 < 步驟；一藉由電 鍍形成一金屬層在該犧牲 旳表两上〈步驟，其中未形成 84367 -13 - 1223076 該探針夾持哭；一你士、 、 ^ 叩 ^成—辰邶腠在該絕緣膜及該金屬層的 表囬，之步驟；-形成-第二阻抗膜在該底部膜的表面上 之v杜忑第一阻柷膜具有相對應於—探針插針圖案之開 口…藉由電鍍形成該探針插針圖案在該第二阻抗膜之開 中勺/馭，私除该第二阻抗圖案之步驟；及一移除在 該第二阻抗膜下方之犧牲膜來得到一探針單元之步驟。' 才’據本k明力方四，提供一種製造—探針單元的方法 ，其包括：一形成—犧牲膜在一基板的表面上之步驟；一 '成帛底邛膜在该犧牲膜的表面上之步驟丨一形成具 有相=應万；在该第-底邵膜的表面上—探針插針圖案之開 口的弟—阻抗膜；-藉由電鍍在該第-阻抗膜的開口中形 成孩探針插針圖案之步，驟；一移除該第—阻抗膜來得到該 探針插針圖案之步驟；—利用一電鍵層來覆蓋該探針插針 圖案〈步驟，其研磨該電鍍層的一表面來使得該電鍍層的 -表面背平於該探針插針圖案的表面；然後在該電鍍層及 «針插針圖案的表面上形成—絕緣膜；—在該絕緣膜的 …形成：第二底部膜之步驟…在該第二底部膜的表 形成弟-阻柷膜〈步驟’該第二阻抗膜具有對應於 二少―小孔的—探針夾持器圖案之開口；一藉由電鍍 弟二阻抗膜之開口中形成該探針夹持器圖案之步驟； 二移除該第二阻抗膜、該第二底部膜、該絕緣膜、該電 .度自及孩犧牲膜來得到一探針單元之步驟。 =針單元可用高的位置對準精度來安裝在每—個不同 、且上例如測5式體。—液晶顯示面板或類似者之導電 84367 -14- 1223076 測武可用向精度來進行。因為 、班 、、、用於決定一安装位JL及探針 插針之圖案可同時形成，定位 孔可用高精度來形成。琢探 紂插針與一測試體之相對位 ^ ]精度可以改善。 根據違探針單元製造方法 ^ ^ , 衣I万去〜探針單元可以製造成具有 扶針插針、一探針夾持器及定 β熘#扣- 一 1乂孔，用以安装该彳木針早兀 在母一個不同的裝置上，並分 & ^^ 刀刎可用高位置精度來放置。 貫他万式 現在將參考圖面來對於本發 、 X月 < 較佳具體實施例進行說 明。將說明根據本發明之具髀會 ^ ; 二、 4 $她例的探針單凡。首先將 口兒明圖1到5 Β中所顯示之一援斜口口 — 、、 丁 i…々铢針早兀10的第一到第五結構 °該探針單元10具有形成在_其 、 基板1 2上的一導線圖案1 4及 足位部件16。該探針單元10係固定於位在—測試體基座（樣 本基厘)之上的-探針裝置2。在圖1到5Β所示的範例冲，雖 ^ 一探料元丨0個定於該探針裝置2，要固定於該探針裝 置2^探針單元的數目係根據—測試體之結構來決^。舉例 而言，四個探針單元可以對於一禊 休針裝置間隔9〇。的放 來固定。 狀 該基板12通常係以-長方形板來製成。該基㈣的材料 可為絕緣材料，例如玻璃陶瓷、石英、 欠礼化锆、破埸、氧 化鋁及人工樹脂或導電材料，例如鐵錄 卫 例、不銹鋼 、石夕、碳化矽及AITiC。 該導線圖案1 4係由形成在該基板〗2的表面卜、、—* 衣即上〈複數條導 線20所構成。該等導線20可為相互導電或不 ％ ㈢互導電。該 等導線20係在以彼此對準的位置中由微影來 μ |%成在該基板 15 84367 1223076 U上。一彈性印刷配線平面纜線3係電連接到該導線2 〇的靠 近側。該等導線20的末端側構成探針插針22。這些探針插 針22係放置成一均勻的間距，並平行線性地延伸;'該導^ 2 0的材料可為金屬，例如鎳合金及線。 針插針2 2有位 該等定位部件1 6係在與該導線圖案1 4的探 置對準之下由微影來形成在該基板12的表面上。該等定位 部件16緊靠在該探針裝置2之固定夹具4上。類似於該導^ 22，該定位部件16係由金屬製成，例如鎳合金及鎳。相較 於人造樹脂 例如聚醯胺 金屬可具有一良好的形狀穩定 性，且較不會受到溫度或濕度而變形。該等定位部件“緊 靠在該固定夾具4上即決定了該基板12相對於該探針裝置2 的位置。該固定夾具4構成「相對於該探針裝置來定位該基 板之部件」。 以下將詳細說明該探針單元10的第一到第五結構。 (第一結構） 在圖1所示的該第一結構中，在每條導線的末端側上的該 探針插針22由該基板1 2的一側1 2a突出。該定位部件丨6具有 一 L形狀’其沿著垂直於由該等探針插針22突出的該側1 之側邊1 2 b延伸，且沿著相對於該側邊丨2 a之側邊1 2 c，並突 出於該等側邊1 2b及1 2c。其它的定位部件〗6亦具有一 L形狀 ’其沿著垂直於由該等探針插針2 2突出之側邊1 2 a之另一側 1 2d延伸，且沿著相對於該側1 2a之側邊丨，並突出於該等 側邊1 2 d及1 2 c。在該基板1 2的外側上每一個定位部件I 6的側 k 1 7係糸部在具有一 U形狀的固定夾具4之插針落5。因此該 84367 -16 - 1223076 基板12係相對於該等探針插針22之延伸方向，及垂直於該 延伸万向又万向來固疋。如圖6所示，複數個柱狀（圖6中的 圓柱）固定夾具4可形成為在複數個位置處將該等固定夾具4 之外壁緊靠在該定位部件1 6上。 (弟二結構） 在圖2所示的第二結構中，除了該第一結構，可形成覆蓋 該定位邯件1 6之邵份表面，並固定於該基板丨2之加強膜24 ，及復盖該等探針插針2 2之基座位置之加強膜2 4。該等加 膜2 4及2 5的材料為人造樹脂或類似者。該加強膜2 *可防 止該定位部件1 6被施加於該定位部件〗6之外側的外力而與 該基板1 2分離。該加強膜25可防止該等探針插針22由一外 力而與該基板12分離。其並非皆要使用該等薄膜24及25， Π77可使用復益遠足位部件1 6之加強膜2 4及覆蓋該等探針插 針2 2〜基座位且之加&膜2 5之一。其可形成覆蓋該等探針 插針2 2之定位部件1 6及基座邵份之加強膜。如圖7所示，複 數個孔可形成穿過該定位部件1 6，並填入與該加強膜24材 料相同的材料，以進一步加強該加強膜24。 (第三結構） 圖3 A所示為該探針單元1 〇之第三結構的平面圖，而圖3 b 所示為沿著圖3A所示之BrB;線所取出的該探針單.元1〇之 橫截面圖。在該第三結構中，緊靠在該定位部件丨6之定位 部件16及該固定夾具4係不同於該第一結構。一環形的定位 邵件1 6係形成在該導線圖案1 4之兩側上，並覆蓋了形成穿 過該基板1 2之通孔26。該定位部件16係以相同的材料製成 -17 - 84367 1223076 ，並具有與孩導線圖案丨4相同的厚度。該定位部件丨6之孔 徑係小於該通孔26之直徑。該定位部件16之孔的内壁】8係 搭坐在該通孔2 6之開口上。一圓柱形的固定夾具4係裝配到 該定位部件1 6心孔中，所以該基板丨2係全方向地固定。 (第四結構） 圖4 A所示為遠探針單元1 〇之第四結構的平面圖，而圖4 b 所示為石著圖4 A所示之b 4 · b 4線所取出的該探針單元丨〇之 橫截面圖。在孩第四結構中，該定位部件1 (5之形狀係不同 於該第三結構。該等定位部件丨6具有這種内部夾墊圈形狀 ’如同由該内部周圍側丨8延伸到該放射狀内側之突出，其 係周圍式地放置。其較佳地是該等突出1 9係以一等間距周 圍式地放置。如圖4B所示，因為該周圍固定夾具4係裝配在 該定位部件1 6之孔中，每個突出可彈性變形到該裝配方向 。此變形可吸收該定位部件之孔徑及該固定夾具4之·外徑的 製造公差’所以该定位邵件1 6係相對於該固定夾具4而以高 精度位在其中心。 (第五結構） 圖5A所示為該探針單元10之第五結構的平面圖，而圖5B 所示為沿著圖5A所示之ΒγΒ5線所取出的該探針單元1〇之 橫截面圖。在第五結構中，兩個軸對稱導線圖案丨4形成在 該基板12上。構成每個導線圖案14之該等導線2〇之探針插 針2 2具有由該基板1 2的表面垂直突出的棒狀。長方形定位 部件1 6 ίτ、沿著在該等導線圖案1 4的探針插針2 2之柱子的相 對側邊上的側邊所形成。該等定位部件丨6由該等相對應的 -18 - 84367 1223076 側邊1 2 b及1 2 d突出。該等定位部件〗6之側邊1 7係平行於該 等側邊1 2b及1 2d。每個定位部件1 6之側邊丨7緊靠在具有— 圓柱（圖5A及5B中的圓柱）形狀之複數個固定央具4之外部 周圍上。因此該基板1 2固定於該探針裝置2。固定於該基板 1 2之加強膜2 8覆蓋該等探針插針2 2之基座部份及該等定位 部件1 6的部份表面。該加強膜2 8之材料為人造樹脂或類似 者。該加強邵件2 8可防止該等探針插針2 2及該等定位部件 1 6受到施加於該等定位部件丨6之探針插針及側邊丨7的外力 而與違基板1 2分離。 在孩第五結構中，雖然該定位部件1 6之高度（薄膜厚度） 係汉足低於該探針插針22之高度，如圖5 B所示，該定位部 件1 61问度可设定鬲於該探針插針2 2。在此例中，該定位 部件16之側邊17可防止受到一外力而破壞。 (第六結構） 圖8 A所tf為孩探針單元1〇之第六結構的平面圖。在該第 …構中’係—體地形成在一狹窄間距下高度精確地並列 ;一些導線20的梳狀探針插針22，及結合於該等探針插針 22^ 场的一探針夹持器1 1〇。該等探針插針22及探針夾持 為1 1 〇心、背平於相同的平面。該等探針插針22及探針夾持器 例如由電鍍形成的鎳合金。 1 1 0係由相同的材料製成 該第六 結構之探針單 元的探針插針22及探針夾持器1 1 0 係由相同的材料 六結構之探針單 時間執行相同裝 製成，所以該等導線2 0係相互導電。該第 疋可適用於一活塞型式的探針單元，其同 置之複數個電極之導電測試，例如一液晶 84367 19 1223076 I員示面板 定位孔1 1 1可你 、 >成穿過該探針夾持器η 0來以位置對、准 方式安裝該探針iΛ> 丁卞的 十早疋10在每個裝置上。該定位孔1U 、形狀及位置係招缺、# >、、 大小 、根據安紅有該探針單元丨0之每一個裝 決定。舉例而今… 且不 ^ οσ ，、了形成衩數個多邊形孔之外，如圖8 a 斤丁 早夕邊形孔可防止旋轉，或可形成複數個圓孔

(參考圖 8B)，# 1 M 次可形成橢圓孔，其可調整一安裝位置 圖8C)。 勺 每個定位孔〗〗Ί、，、 1 <位置係由使用光阻來高度精確地決 ，所以該探針i ，八 、> 壮班 ^ π Μ可用高精度的位置對準來安裝在每個 衣且 、此其可能來高度精確地執行液晶顯示面板及麵 似者之導電測試。 〜 ' ~ 了形成牙過该探針夾持器1 1 0。如以_下所述 ’在製造該第六結構之探針單元的方法中，一犧牲膜由蝕 刻劑溶解來與一某彳ν 3 ^ ^ , 、、 板刀4 一至屬治與一底邵膜之結合的部 伤。S等小孔π 2係用來在該犧牲膜與蝕刻劑之間加大該接 觸面積。耗料小孔112的位置、大小及數目並未特定地 限制’、軼佳地是形成該等小孔1 1 2的方式為蝕刻劑均勻地 接觸在S底邯膜{下的該犧牲膜的整個表面。該犧牲膜的 溶解時間可相當地縮短。 ’、 (第七結構） 圖9八所不為該探針單元ΐ〇之第七結構的平面圖，而圖叩 2 丁為/口著圖9Α所示之線所取出的該探針單元切之 橫截面圖。 84367 -20 - 1223076 此探針單元1 0具有一接 yX 夹持益1 1 0，及形成高度精確地 以—狹誓間距並列的—歧導 3在也 4+79 、、^一寸、、泉Μ的末端側上的梳形探針插 計22。孩辛探針插針22 甘抑 、隹®在孩探針夾持器1 1 0上，並盥 ，、正合。對於此探針單元1 ’、 么士人 凡1 U 一弹性印刷配線平坦纜線3之 、、'。3具有一些電極1丨3平 1 . 仃地以一乍間距配置。該探針單元 及彈性印刷配線平拍臂 一、、見、，果3係與母對電連接的導線20及 電極1 1 3結合在一起。 疋位孔11 1可形成f過該探針夾持II U G來以位置對準的 万式安裝該探針單U在每個裝置上。該定位孔⑴的大小 、形狀及位置係根據安裝有該探針單元⑺之每—個裝置來 :定。每個定位孔111之位置係由使用光阻來高度精確地決 疋所以十單疋1 〇可用高精度的位置對準來安裝在每 個裝置上。 在形成孩等探針插針22的同時’由與該等探針插針22相 同材料製成的定位部件16可形成在該等定位孔n丨之外部 周圍表面上。此定位部件16進—步改進該定位精度。稍後 將說明圖9 A及9 B中所示的一保護膜3 2。 (第八結構） 圖1 0所示為一探針單元的第八結構之平面圖。 在孩第八結構的探針單元中，一個或複數個小孔n 2可形 成穿過該探針夾持器1 1 〇。如以下之說明，在製造該第八結 構的探針單元的方法中，以蝕刻劑來溶解一犧牲膜及一電 鍍銅層來由一基板分離探針插針與探針夾持器之整合的部 份。该等小孔11 2係用來在該犧牲膜與蚀刻劑之間加大該接 -21* 84367 1223076 觸面積。雖秣今荽 限1 並 、μ、小孔112的位置、大小及數目並未特定地 ’、佳地是形成該等小孔1 1 2的方式為蝕刻劑均勻地 接觸在該探針类拮 丁人待备110<下的該犧牲膜的整個表面。該 牲膜的溶解門了 合卿時間可以相當地縮短。 (第九結構） 圖UA~ ^為該探針單元10之第九結構的平面圖，而圖 1IB所示為該探針單元10之第九結構之橫截面圖。 、：抓：早兀10具有-探針夾持器110，及形成高度精確地 狹乍間距亚列的一些導線20的末端側上的梳形探針插 針2,2。該等探針插針22係堆疊在該探針夹持器11G上，並與 其整合。料此探針單元1()，—彈性印刷配線平坦纔線k 結合具有-些電極113平行地以一窄間距配置。該探針單元 10及彈性印刷配線平坦纜線3係與每對電連接的導線2〇及 電極11 3結合在一起。 、定位孔111可形成穿過該探針夾持器1丨〇來以位置對準的 万式安裝該探針單元10在每個裝置上。該定位孔丨11的大小 、形狀及位置係根據安裝有該探針單元10之每一個裝置來 決定。如以下之說明，每個定位孔⑴之位置係由使=阻 來高度精確地決定，所以該探針單⑽可用高精度的位田

對準來安裝在每個裝置上。 I 在形成該等探針插針2 2的同時，由盘兮笔 田”涿寺探針插針2?相 同材料製成的定位部件16可形成在該等定 了又1乂孔1 1 1 <外 周圍表面上。 用於決定一安裝位置之圖案及該等探針 w矸係Η時形成 84367 -22 - 1223076 因此居寺足^孔可以高度精確地形成’所以在該等探 針插針及一測試體之間的位置精度可以改善。 (第十結構） 圖12所示為該探針單元⑺的第十結構之平面圖。 在該第十結構的探針單元中，複數個小孔112可形成穿過 邊抓針失持器1 1 〇。如以下之說明，在製造該第十結構的探 針單7C的方法中，以蝕刻劑來溶解一犧牲膜來由一基板分 _採針插針與板針夾持器之整合的部份。該等小孔112係用 來在通犧牲fe與蝕刻劑之間加大該接觸面積。雖然該等小 孔112的位置、大小及數目並未特定地限制，其較佳地是形 成邊等小孔1 1 2的方式為*刻劑均句地接觸在該探針夾持 J 1 0之下的彥板牲膜的整個表面。該犧牲膜的溶解時間可 以相當地縮短。 (第十一結構） 圖1 〇 A所不為遠探針單元1 〇 士笛士 τ早兀1 U之罘十一結構的平面圖，而圖 13B所示為沿著圖13八所 、 叮不足所取出的該探針單元 10之橫截面圖。 二第十一結構之探針單元具有由-樹腊層lH)a所製成的 该板針夾持器Π 〇之一部份。 在此探針單元中，為了 ♦岫卩s祐—μ ^ 為了 ％地「同離孩寺探針單元22與該探 =持^丨在形成該等探針插針22之探針夹持器no的 L係、由感先性聚醯胺或類似者之_層11(^製成1 ::脂層n°a具有—大的膨脹係數，並因溫度改變而變形 ’其會降低該等探針插針之位置精度。因此其較佳地是由 84367 -23 - 1223076 該探針夾持器no的樹脂層11〇3所佔有的面積較小。 當此探針單元安裝在每個導電測試裝置上時’該等定位 框架114係裝配到該導電測試裝置之夹持器1之安裝部件 1 16 中。 (第十二結構） 圖14續示為該探針單元1〇之第十二結構的乎面圖，而圖 14B所示為沿著圖14A所示之Bu_B〗4線所取出的該探針單元 10之橫截面圖。 孩第十二結構的探針單元具有形成穿過該等定位框架 114之定位孔1 14a。 如以下之过明，该等定位框架】丨4與定位孔n4a係同時間 形成。因此該定位框架114與定位孔114&之位置精度可以較 高。可改進該等探針插針22與一測試體之間的位置精度。 當此探針單元安裝在每個導電測試裝置上，該等導電測 試裝置心夾持器1 1 5的定位插針丨丨6係裝配到該等定位孔 1 1 4a 中。 因為由此探針單元的探針夾持器Π0之樹脂層UOa所佔據 的面積較小，其有可能防止該等探針插針之位置精度因為 溫度改變而降低。因為在靠近該等定位孔丨丨4a之區域中未使 用樹脂，其可能防止因為溫度改變造成該等探針插針之位 置精度的降低。 (第十三結構） 圖所示為該探針單元1〇之第十三結構的平自圖，而圖 15B所示為沿著圖15A所示之Bh-B"線所取出的該探針單元 84367 -24 - 1223076 1 〇之橫截面圖。 該第十三結構的探針單元具有一探針夹持器110,形成在 以一狹窄間距高度精確地並列之—些導㈣的末端侧上的 梳形探針插針22，以及定位框架114。該等探針插針22及定 位框架114係堆疊在該探針夹持器11〇上，並與其整合。 該等定位框架Π4係與該等導線2〇平行地放置在該探針 夹持器uo的兩侧上。該定位框架m係由與該等探針插針 相同的材料製成。該定位框架114的大小、形狀及位置係根 據安裝有該探針單元1()之每_個導電裝置來決定。 、、X ΤΊ兄日月’用於決足孩安裝位置與該等探針插針η 〈足位框架114係同時形成。因此該等定位框架ιΐ4之位置 精度很高。可改進該等探針插針22與—測試體之間的位置 精度。 、當此探針單元安裝在每-個導電測試裝置上時，該等定 位框架1 1 4係裝配在該等導電奘班、 〒寸包衣且 < 夾持器的安裝部件η 6 中。 該等探針單元1 〇之結構已缺太 π在上述說明。接著，將說明 製造探針單元1〇之方法。首弁以4 π ^ $无知說明第一到第七製造方法 。該第一到第七製造方法可應用 ^ 。汁」到琢探針早兀1 0之第一到 第五結構之任何一種。該第—々々、、 ^ 司罘π万法將採取製造具有 遠第一結構之探針單元為範例才 巧乾例來說明。該第七方法將採取 元為範例來說明。 製造具有該第五結構之探針單 (第一製造方法） 圖|“到_斤示為製造該探針單元的第一方法之架構性 -25 - 84367 1223076 橫截面圖。藉由應用此製造方法，可製造例如具有圖1所厂 之第^結構的該探針單元1 〇。 >' 首先，如圖16A所示，在由絕緣材料製成的—基板12的表 面層中形成凹處5 0，例如玻璃陶瓷、石英及氧化煞。，μ 凹處50之内壁在後續的方法之後成為該基板〗2之側邊〗^ 12b及I2d 。 如圖1 6 B所示 一fe牲膜52係形成在該基板12之表面上。 該犧牲膜52的材料可為金屬、人造樹脂，例如環氧樹脂及 尿素樹脂，或無機鹽，例如碳酸鈣。如果要使用金屬，係 使用不同於該導線圖案14之金屬的金屬，例如銅。如果使 用銅的話’形成-底部層52a ’然後藉由電鍍、噴濺或類似 者來形成一銅膜52b在該底部層52a之表面上。舉例而言，該 底部層52a為厚度30 nm之鉻層與厚度為3〇〇 nm之銅層之複 合層。該銅膜52b係形成填入於該等凹處中5〇。 如圖16C所示，該犧牲膜52係被研磨來曝光及平坦化該基 板12的表面，並僅在該等凹處5〇中留下該犧牲膜52。 土 如圖16D所示，在該研磨的表面55上形成該導線圖案μ及 疋位部件1 6《具有—均勾厚度之底部膜％。在該底部膜％ 的表面上’塗佈有総。—具有預定圖案之光罩係置於該 光阻的表面上。不必要的光阻係由一顯影方法移除，以形 成-阻抗膜58。該阻抗膜58具有一開口 ％，用以暴露在其 中形成有該導線圖案14，及用於暴露形成有該等定位部件 16之區域的開口 59b。該等開口別中的兩個形成在填有該 犧牲膜5 2之凹處之上。 84367 -26 - 1223076 如圖16E所示，一覆蓋膜57形成在該底部膜56之表面上， 藉由使用已知的鐵鎳電鍍液之電鍍來暴露在該開口 5 9 a及 5 9b中，其中含有硫酸做為主要成分。該覆蓋膜57係做為該 導線圖案1 4及定位部件1 6。以相同資料製成的該導線圖案 14及定位部件16因此即形成在該等開口 59a及59b之底部上。 如圖16?所示，該阻抗膜58係由使用像是义11^丨1}^1-2-pyrrolidone之液體來用超晉波清洗該阻抗膜5 8之表面來移 除。接下來，未覆盖有該覆蓋膜5 7之底部膜5 6由一例如離 子銑削的框架切除方法，或像是離子束蝕刻的蝕刻方法來 移除。 利用圖16D到16F所示的方法，由該底部膜56及覆蓋膜57 所製成的該導線圖案1 4與定位部件丨6係由微影來同時形成 。因此該導線圖案14及該定位部件16之探針插針22可用高 精度的相對位置來形成。 如圖16G所示，移除留在該凹處5〇中的該犧牲膜52。如果 該犧牲膜52由銅製成，該犧牲膜52藉由使用蝕刻劑來溶解 ’其可比其它材料要優先地溶解銅。 如圖1 6H所tf，孩基板1 2係沿著到達該基板底部之切割線

即突出。 (弟一製造方法）

橫截面圖。藉由應用此製造方法， 早元的第二方法之架構性 可製造例如具有圖1所示 84367 • 27 - 1223076 之第一結構的該探針單元丨〇。 如圖17Α所示，對準標記3〇係形成在該基板12之表面上的 預足位置處。該對準標記30可由微影、印刷或機械加工來 形成。該對準標記之形狀具有如圖17Α所示之十字形，—多 邊形或一圓形之中心可正確地代表特定的位置。 如圖1 7 Β所示，僅有該導線圖案丨4由類似於該第一製造方 法之方法來形成在讀基板1 2的表面上。在此例中，於對應 於圖16D之方法中，開口 59a係形成穿過該阻抗膜58，其係 位在由使用該對準標記3 0做為參考點來決定的預定位置處 。在對應於圖16D到16F之方法中，該導線圖案14之探針插 針22因此可由微影來以相對於該對準標記的高位置精度來 形成。 如圖17C所示，該等定位部件16係形成在該基板12的表面 上。在此例中，於對應於圖1 6 d之方法中，該等開口 5 9 b係 形成牙過泫阻抗膜5 8，其係位在由使用該等對準標記做為 爹考點來決足的預定位置處。在對應於圖丨6D到i 6F之方法 中，1¾等足位邵件1 6因此可由微影來以相對於該等對準桴 記3 0的高位置精度來形成。 以高精度在由共用對準標記30所決定的位置處所形成的 該等探針插針22及定位部件1 6因此可用高的相對位置之精 度來形成。如圖1 7B所示之方法及如圖丨7C所示的方法可將 順序倒轉而達到類似的預期效果。 (第三製造方法） 圖18A及18B所示為製造該探針單元的第三方法之架構性 84367 -28- l223〇76 平面圖。藉由應用此製造方法，可製造例如具有圖1所^之 第一結構的該探針單元1 〇。 在該第三製造方法中，修正了部份的該第二製造方法。 意即，省略如圖1 7 A所示的方法，而如圖17 B所示的方法即 以圖1 8A所示的方法來取代。在如圖1 8A所示的方法中，當 該導線圖案1 4由類似於該第一製造方法的方法形成的同時 ψ ’即形成該對準標記30。在對應於圖1 6D所示的方法之方法 中，用於形成該導線圖案14之開口 59a以及用於暴露其中形參 成有該等對準標記30之區域的開口即形成穿過該阻抗膜58 ’而不形成該等開口 59b。利用對應於圖16〇到16F所示的方 法，該導線圖案14及對準標記3〇係由微影同時來形成。 在圖1 8 A所不的方法之後，在圖丨8B所示的方法中，該定 位邰件1 6係由類似於圖丨7 c所示的第二製造方法的方法來 形成。因為该等定位部件丨6係由高精度在由與形成該導線 圖案1 4同時形成的該等對準標記3 〇所決定的位置處所形成 ，它們可用高精度形成在與該導線圖案14之探針插針22的 _ 相對位置處。 - (第四製造方法） ^ 圖1 9 A及1 9B所示為製造該探針單元的第四方法之架構性 :面圖。藉由應用此製造方法，可製造例如具有圖w示之 第一結構的該探針單元1 〇。 在邊第四製造万法中，修正了部份的該第二製造方法。 意即’省略如圖17A所示的方法，而如圖19A所示的方法即 以圖ΠΒ所示的方法來進行。在如圖19A所示的方法中，當 84367 -29 - 1223076 /等毛位部件1 6由類似於該第一製造方法的方法形成的〜 時’即形成該對準標記3〇。在對應於圖16D所示的方法同 “中，用於形成該定位部件16之開口 59b以及用於暴露其 y成有違等對準標記3 〇之區域的開口即形成，而不形戍、 等開口 59a。利用對應於圖1 6D到1 6F所示的方法，該定f 、 件1 6及對準標記30係由微影同時來形成。 β 在圖1 9 Α所示的方法之後，在圖〗9Β所示的方法中，今… 線圖案]4係由類似於圖〗7C所示的第二製造方法的方去: 形成。因為該等導線圖案丨4的探針插針22由高精度在由= 形成孩足位邵件1 6同時形成的該等對準標記3〇所決定的& 置處所形成，它們可用高精度形成在與該定位部件Μ ^乜 對位置處。 "勺相 在該第二到第四製造方法中，該等對準標記3〇之材枓、 薄膜厚度（高度）、該導線圖案14及該等定位部件16之探針插 針22可設足為不同。在此例中，例如僅有該等定位部件u 之機械強度可成為高、或該等對準標記3〇可做得薄。為此 目的，構成該等對準標記30之底部_及覆蓋膜57、導線 圖案14及定位部件16之材料及沉積條件可設定為不同。如 果僅有該等定位部件1 6之機械強度可 成為高，藉由遮罩該 等對準標記3〇及導線圖案14，進〜牛 ，一、 步執行電鍍來沉積該電 鍍的薄膜在該等定位部件16义表面上。 (第五製造方法） 圖2 0 Α到2 0 J所示為製造遠探針單开 、 几的罘五方法之架構性 橫截面圖。藉由應用此製造方法，可制！η ,, 一 」衣造例如具有圖1所π 84367 -30 - 1223076 之第一結構的該探針單元i 〇。 如圖20Α所示，一第一犧牲膜62形成在一基板60之表面上 。該基板60的材料可為玻璃、陶瓷、矽、金屬或類似者。 舉例而言，該第一犧牲膜62為由噴濺形成的厚度〇〇3 pm的 絡膜及厚度為〇 · 3 μπι的銅膜之複合膜。 如圖2 Ο Β所示，一第一底部膜6 4係以均勻厚度形成在該第 一犧牲膜62上。該第一底部膜64在後續處理之後成為該導 線圖案14及定位部件16。舉例而言，該第一底部膜以為厚 度0.02 μπι的鈦膜及厚度為〇15 μ1Ή之鐵-鎳合金膜之複合膜 。接下來，一阻抗膜66形成在該第一底部膜64之上。開口 67形成穿過該阻抗膜66，暴露了形成有該導線圖案14及定 位邵件1 6之區域。 如圖2 0 C所示，一覆蓋膜6 8形成在於該等開口 6 7中暴露的 該第一底部膜64之表面上。該覆蓋膜68在後續處理之後成 為^導線圖案1 4及定位邵件1 6。舉例而言，該覆苫膜$ 8係 使用含有硫酸為主要成分之已知的鐵-鎳電鍍液的電鍍鎳合 金所形成。因此該導線圖案14及定位部件16係由相同的材 料構成，並具有相同的厚度。 如圖2 0 D所示，該阻抗光罩6 6係使用例如有機溶劑來移除 。接下來，未覆蓋該覆蓋膜68的第一底部膜64即由離子銑 削或類似者來移除。 利用圖20Β到20D所示的方法，構成該第—底部膜64及覆 蓋膜68之導線圖案丨4及定位部件16係由微影同時形成，而 該導線圖案1 4的探針插針22與該等定位部件丨6係以高的銷 -31 - 84367 1223076 ’、子4且精度所形成。除了使用阻抗的電鍍之外，該覆蓋膜 6 8可由蝕刻一由電鍍所形成的導電膜、或由印刷導電漿所 形成。藉由利用微影，可以得到高尺寸精度的導線圖案14 及定位部件1 6。 如圖20E所示，一第二犧牲膜7〇形成在該第一犧牲膜62及 復盖fe 68的表面上。舉例而言，該第二犧牲膜7〇係由電鍍 銅或類似者來形成在該第一犧牲膜62的表面上，並溢流該 電鍍的銅在該覆蓋膜6 8的表面上。接下來，該第二犧牲膜 70的表面即研磨及平坦化來暴露該覆蓋膜68的表面。 如圖2 0 F所示，一絕緣膜7 2係形成在該第二犧牲膜7 〇的表 面及覆蓋膜6 8上。該絕緣膜7 2與一第二底部膜7 4及以下提 到的一支挺膜7 8共同構成一基板1 2。該絕緣膜的材料可為 二氧化矽、氧化鋁或類似者。接下來，類似於該第一底部 膜64，一第二底部膜74形成在該絕緣膜72上。 如圖2 0 G所示，光阻係塗佈在該第二底部膜7 4的表面上。 一具有一預定圖案的光罩即放置在該光阻的表面上。不必 要的光阻即由顯影方法來移除，以形成一阻抗膜7 6。該阻 抗膜7 6具有一開口 7 7來暴露形成有該基板1 2之區域。該開 口 77具有一對應於構成該第一底部膜64及覆蓋膜68之該導 線圖案14及定位部件16之形狀。 如圖20H所示，一支撐膜78係形成在暴露於該開口 77之底 部上的該第二底部膜74之表面上。舉例而言，該支撐膜78 係由電鍍金屬在該開口 77的底部上所形成。 如圖201所示，類似於該阻抗膜66及第一底部膜64，該阻 -32 - 84367 1223076 抗膜76及未覆蓋有該支撐膜78之該第二底部膜74即被移除 。接下來，未覆蓋有該第二底部膜74之絕緣膜72即被移除 ，例如藉由離子蝕刻。 如圖20J所示，即移除該第一及第二犧牲膜^及川。因此 可形成具有孩整合的導線圖案丨4及定位部件1 6之基板1 2。 當移除該第一犧牲膜62時，該基板6〇即與該導線圖案14及 定位邵件16分離。如果該犧牲膜62及70由銅製成，該犧牲 膜62及70即藉由使用蝕刻劑來溶解，其可用高於其它材料 的優先性來溶解銅。在藉由蝕刻移除該犧牲膜62及7〇之前 孔係形成穿過該支撐膜7 8、第二底部膜7 4及絕緣膜7 2， 所以該犧牲膜62及70可用較高的速率分離。 (第六製造方法） 圖21 A到21 F所示為製造該探針單元的第六方法之架構性 榼截四圖。藉由應用此製造方法，可製造例如具有圖1所示 之第一結構的該探針單元1 〇。 如圖21 A所示，一犧牲膜82形成在一基板80之表面上。該 基板8〇的材料可為不銹鋼。該犧牲膜82係由電鍍金屬或噴 濺所形成。 如圖21B到21D所示，該導線圖案14及定位部件16係由類 似之圖〜0 B到2 〇 D所示之第五製造方法之方法的方法所形成 、思即，如圖2 1 B所示，一阻抗膜85係形成，其具有暴露形 成有孩導線圖案14及定位部件16之區域的開口 84。接著， 如圖21 C所示’該導線圖案14的導線20及該等定位部件16係 形成在暴露於該等開口 84之底部上的該犧牲膜82之表面上 84367 -上5 - 1223076 。然傻，如圖2 1 D所示，即移除兮 丨私丨糸占阻柷膜Μ。因為該導線圖

案1 4及定位部件1 6係忐與旦彡q沾π L '、由从〜同時形成，該導線圖案1 4的該 探針插針2 2與該等定位部侔〗6 丄 Ρ件1 6 了用較高的相對位置精度來 形成。 如圖。1 Ε所TF，一薄膜88利用黏著劑89附著到該導線圖案 及定U σ|Μ牛1 6之表囬。此薄膜8 8係做為—基板1 2。舉例 而。如圖2 1 Ε所717，該薄膜8 8為一金屬層8 8 a及一人造樹 脂層88b之複合薄膜，其可相對於膨脹及收縮來增加該薄膜 88之機械強度。該複合薄膜的金屬層心之材料為錄合金、銅 或類似者，而^人造樹脂層88b的材料為聚酿胺或類似者。 如圖21 F所示，該犧牲膜82係與該基板8〇分離。然後，該 犧牲膜82即由蝕刻或類似者來移除。然後如果需要的話， 孩導線圖案1 4之導線20的外部表面可用電鍍的金89來覆蓋 。如圖21F所示，該電鍍金89可形成在該等定位部件乜之外 邵表面上，或者可以形成來增加該定位部件丨6及固定夹具 1 4之間的緊靠性之位置對準精度。 (第七製造方法） 圖22A到22H所示為製造該探針單元的第七方法之架構性 橫截面圖。藉由應用此製造方法，可製造例如具有圖5八及 5 B所示之第五結構的該探針單元1 〇。 如圖22 A所示，由單一矽晶、金屬沉積膜91及92所製成的 一基板90的表面上係由微影所形成。該金屬沉積膜9丨具有 對應於該探針插針22的配線之圖案，且該金屬沉積膜92具 有對應於該等定位部件1 6之配線的一圖案。該等金屬沉積 -34 - 84367 1223076 膜91及92之材料可為金。 如圖22B所示，該覆蓋有該等金屬沉積膜91及92之基板9〇 係由例如VLS(氣液固態）成長方法來成長約1到500 μπι。 如圖22C所示，可移除覆蓋有構成該等定位部件16之成長 區域9 4的金屬沉積膜9 2。舉例而言，該金屬沉積膜9 2可選 擇性地由覆蓋該金屬沉積膜9 1 一阻抗膜來移除，進行離子 銑削或蝕刻，然後移除該阻抗膜。 如圖22D所示’僅有覆蓋有該金屬沉積膜9;[之成長區域93 可由該VLS方法進一步成長。構成該探針插針22之成長區域 9 J係成長成棒狀，其長度為約2 〇 〇到5 〇 〇 〇 μ1Ή，其係根據該 探針插針22的長度。 如圖22Ε所示，人造樹脂95係沉積來覆蓋該成長區域93， 並硬化。該等成長區域9 3之上表面被研磨來使其齊平。在 此例中復蛊5亥等成長區域9 3之上表面的金屬沉積膜9 1可 如圖22Ε所示般移除，或可留下部份的金屬沉積膜91。 如圖22F所示，在移除該人造樹脂％之後，該基板9〇的表 面及成長區域93及94即覆蓋有一導電膜％。舉例而言’該 導電膜9 6由電鐘傻|合g ρ + 及m屬來形成。為了維持該等 探針插針2 2之間的雷绢绶，^Γ + ^ ^ ^ 们n豕，这成長區域93除了該上表面之 外，可覆蓋有人造樹脂，例如聚醯胺。 利用圖22A到22F所示的方法，， 、田孩成長區域9 3及導電膜 96構成的該導線圖案14的 道n 針22及由孩成長區域94及 導電膜96所構成的該等定位部 你甶彳政景> 來同昧形成。 因此該等探針插針22及定位部 】時形成 丨件丨6可用高的相對位置精度 84367 來形成。 如圖22G所示’該等探針插針22之基座部份及該等定位部 件之部份表面係覆蓋有人造樹脂來形成一加強膜28。 如圖22H所示，該等探針插針22、定位部件16及加強膜以 係與該基板90分離。接下來，此分離的結構係黏著到形成 有該導線圖案14之圖案99而沒有探針插針22之基板12上。 邊導線圖案14係由正確地黏著該探針插針22及圖案99來完 成。 、在3第七製造方法中，覆蓋構成該探針插針22之成長區 或J的至屬/儿毛目、膜9 1可留下由覆蓋構成該等定位部件1 6之 ，，區域94的金屬沉積膜92來選擇性地移除。藉由設定該 等疋位邰件1 6的高度（厚度）高於該等探針插針22之高度，該 等定位部件16之機械強度可以增加。 (第八製造方法） 圖-J A到2 j F所不為製造該探針單元的第八方法之架構性 橫截面圖：藉由應用此製造方法，可製造例如具有圖副 8 C所7^ I第77結構的該探針單元1 〇。 在此製造該探針單元的方法中，首先如圖23a所示，在一 基板1 3 0的砉而μ 一 上’一犧牲膜1 3 1由噴濺、真空沉積、離子 “度或頌似者所形成，較佳地是由噴濺。在該犧牲膜1 3 1的 表囬上，形成琢探針單元的底部膜1 32。 雖然未特別限制，該基板13〇的材料為—玻璃板、一人造 樹脂板、一陶资 —金屬板或類似具有數m m之厚度者。 德牲嗅1 3 1的材料較佳地是為—銅薄膜、，銅（ClvV絡 84367 -36 - 1223076 (Cr)薄膜或類似具有厚度為0.1到5 ·0 ‘am者。如果孩銅/路薄 膜要做為該犧牲膜1 3 1，首先噴濺鉻來形成一餐始、接觸層’ 且銅噴藏在此緊密接觸層上。在此例中’舉例而3 ’该鉻 薄膜的厚度為0.03 μηι，而該銅薄膜的厚度約為〇.3 μΠ1 ° 該底部膜132較佳地是，鈦（Τι)/鎳（Νι)鐵（Fe)薄膜、或類似 具有厚度約為〇 . 〇 5到0 5 μιτι者。如果該鈦/鎳-鐵薄膜係要形 成為該底部膜1 32，首先一鈦薄膜係由噴濺形成一緊密接觸 層，且一鎳鐵薄膜由喷藏形成在該鈥薄膜上。在此例中， 舉例而言，該欽薄膜的厚度為0.0 2 μ m，而該錄-鐵薄膜的厚 度約為0.1 5 μπι。 該底部膜1 3 2之使用係因為要在稍後說明的光阻阻抗膜 係要直接形成在該犧牲膜1 3 1上，其不能夠得到具有一高解 析度的阻抗膜。根據該光阻的種類，可省略該底部膜丨3 2。 因為该底部膜b 2與要在稍後說明的光阻具有良好的透濕 性，一具有高解析度及一所要的形狀之阻抗膜可形成在該 犧牲膜1 3 1上。 如圖2 3 B所示，在該底部臌m 以I 1〇2的表面上，塗佈光阻到一 任意的厚度。一具有預定圖案々忠宏/ 口木心先罩係置於該光阻的表面 上。其執行曝光及顯影處理來 少你不必要的光阻，以形成 具有相對應於一預定的探針 取 兮阳4、戶戶‘ 圖茉之開口的阻抗膜1 33 。誤阻抗艇：I w的尽度較佳地 具靶圍由1 0到200 um。 該阻抗膜1 3 j之開口的此探扣_ - 等探針單元及構成該探針單—，、早元圖案包含用於形成該 用於形成該定位部件之_安6彳木針夹持器之圖案，以及 , ^ 例如一個或複數個定位孔及 84367 '37, 1223076 如芩考圖8 A到8 C之說 定位框架’及用於形成小孔之圖案 明。 因為要使用該光阻的阻抗膜1 33，槿成今里_ ^ 傅成孩寺探針插針之導 線的圖案可平行地形成在一狹窄間距，例如一狹窄及均= 的間距。因此由使用此阻抗膜133所形成的該等探針插針可 平行地形成在一狹窄間距。類似地’由使用該阻抗膜133所 形成的該探針單元之探針插針及探針夾持器，其可來成在 高的相對位置精度下。該等定位孔及小孔亦可形成在一高 位置對準精度。 如圖23C所示，一鎳合金金屬搭係形成在未覆蓋有該阻抗 膜133之底邵膜132之表面上，其藉由使用已知的鐵-鎳電鍍 液進行電鍍，其含有硫酸做為主要成分。該金屬箔Π4的厚 度可依需要來設定。 如圖23D所示，該阻抗膜133係由使用像是N-methyn pyrrolidone之液體來用超音波清洗該阻抗膜133及底部膜 1 32之間的介面來移除。在此例中，藉由沉浸該基板丨3()的 結構體，阻抗膜1 33及類似者在N-methyl-2-pyrrolidone中 ，並於8 5 Q C下執行超音波清洗，該阻抗膜1 3 3可有效率地 移除。 如圖2 3 E所示，該曝光的底部膜1 3 2係由離子銑削移除， 所以該底部膜132及金屬箔134具有相同的外部尺寸。 如圖2 3 F所示，該金屬箔1 3 4及底部膜1 3 2之整合的部份可 與該基板1 3 0分離。即可得到具有該金屬箔及底部膜1 3 2之 探針單元1 〇。利用製造具有該第六結構之探針單元的方法 -38 - 84367 ’孩等探針插針及探針夾持哭一 |人疔扣」 把地形成，而不需要機 =/、或利料料或黏結劑來結合該等探針插針及探針夾持 态二因此其有可能防止該等探針插針被破壞。其有可能來 以南的相對位置精度形成該等探針插針及探針夹持器。 因為其不需要來實際地㈣該探針夾持器，該外部尺問 可雨度精確地決定，且該等探針插針可防止在一切除程序 期間破損。 (第九製造方法） 圖24AX到24LY所示為製造該探針單元的第九方法之架 構性橫截面圖。藉由應用此製造方法，該探針單元且有 例如圖9A及9B所示的第七結構，或可製造圖Μ所示的第八 結構。 ，圖一 —4BX、…、24LX所示為沿著平行於該探針單元 的鉍向万向所採取的橫截面圖，及圖24八丫、2扣丫、、）札丫 :示為在該探針單元的探針夹持器中形成定位孔之程序的 檢截面圖。 在此製造該探針單Μ第九方法中，首先如圖24ΑΧ及 2價所不\在—基板140的表面上，-犧牲膜⑷由噴濺、 真空沉積、離子電鍵或類似者所形成，較佳地是由哈錢。 在該犧牲膜141的表面上，塗佈光阻到-任意的厚度。一具 有預定圖案之光罩係置於該光阻的表面上。執行曝光及顯 影方法來移除不必要的伞 、 要的先阻，以形成具有相對應於該探針 早元之針夹持哭安aa 0曰 口口 固衣的開口之第一阻抗膜1 42。該第一 阻抗膜142之厚度較佳是在範圍由。接下來，- 84367 -39 - Μ 一至屬箔1 4 3形成在未覆蓋有該第一阻抗膜1 4 2之 犧牲膜1 4 1的矣r L _ , 两上’耩由使用已知的鐵-鎳電鍍液來電鍍’ 其含有石荒酸做為Φ I 士、八 … • 、、、 要成刀。該罘一金屬箔14 3的厚度可依需 要來設定。 表隹二未特別限制，該基板1 40的材料為一玻璃板、一人造 魏板、—陶竞板、一金屬板或類似具有數_之厚度者。 為^牲艇141的材料較佳地是為一銅薄膜、一銅^…/鉻 薄膜或類似具有厚度為01到5 〇 4〇1者。如果該銅/鉻薄 fe要做為該犧牲膜141，首先噴濺鉻來形成一緊密接觸層， 且銅噴濺在此緊密接觸層上。在此例中，舉例而言，該鉻 薄腠的厚度為0.03 μηι，而該銅薄膜的厚度約為〇 3 μ1Ώ。 當形成該第一阻抗膜142時，可在同時不僅形成對應於該 探針夾持态之開口，亦可形成一個或複數個定位孔或小孔。 如圖24ΒΧ及24ΒΥ所示，一絕緣膜144形成在該第.一阻抗 膜1 42及第一金屬箔^ 43的表面上。該絕緣膜1 44可為一二氧 化矽膜、一鋁膜或類似由喷濺、CVD或類似者形成具有厚 度約為0.1到20 μηι者。該絕緣膜144之形成使得電絕緣該第 一金屬箔]43,及要形成在該第一金屬箔143之上的該等探 針插針，如以下所述。 如圖24CX及24CY所示，該第一阻抗膜142被移除，而留 下該探針夹持器1 1 0在該犧牲膜1 4 1的表面上，該探針夾持 器Π0係由該第一金屬箔143及絕緣膜144所構成。為了移除 該第一阻抗膜1 4 2，該第一阻抗膜1 4 2及犧牲膜1 4 1之間的介 面由N_inethyl-2-pyrrolidone來清洗。在此例中，藉由沉浸該 84367 -40 - 1223076 基板140的結構體，第一阻抗膜142及類似者在n_一丄 ΡΥΓΓ〇丨1一 ’並於85。°下執行超音波清洗，該第一阻抗膜 142可有效率地移除。 圖24DX及24DY所不·，孩犧牲膜]41的整個表面將該第 抗膜M2移除，即該犧牲膜14l的整個表面未形成具有 該第-金屬落143，係以銅電鍍來形成一電鍍的銅層145。 該電鍍的銅層丨45之厚度係設定成厚於該探針夹持器n〇。 如圖24EX及24EY所示，該電鍍的銅層145被研磨來使其 與該探針夾持器11 〇齊平。 如圖24FX及24FY所示’該探針單元的底部膜146由噴濺形 成在該探針夾持器110及電鍍的銅層145之表面上。 孩底邵膜1 46較佳地是一鈦（Tl)/鎳（Νι)鐵（Fe)薄膜、或類似 具有厚度約為0.05到G.5 _者。如果該鈇/鎳·鐵薄膜係要形 成為該底部膜146，首先一鈦薄膜係由噴濺形成一緊密接觸 層，且一鎳鐵薄膜由噴濺形成在該鈦薄膜上。在此例中， 舉例而言’該欽薄膜的厚度為0.02μπι，而該鎳_鐵薄膜的厚 度約為0.15 μιη。 如圖24GX及24GY所示，在該底部膜146的表面上，塗佈 光阻到一任意的厚度。一具有預定圖案之光罩係置於該光 阻的表面上。其執行曝光及顯影處理來移除不必要的光阻 ，以形成具有相對應於該等探針插針圖案之開口的第二阻 抗膜丨47。該第二阻抗膜〗47的厚度較佳地是範圍由1〇到2〇〇 pm。除了對應於該等探針插針之圖案的開口之外’對應於 該等定位部件（圖案的該等開口來決定該安裝位置者可同 -41 - 84367 1223076 時來形成。 如圖24HX及24ΗΥ所示，一第二鎳合金金屬洛（圖案）148 係形成在未覆蓋有該阻抗膜147之底部膜146之表面上，其 藉由使用已知的鐵-鎳電鍍液進行電鍍，其含有硫酸做為主 要成分。該第二金屬箔（圖案）148的厚度可依需要來設定。 如圖24 IX及241 Y所示，其移除該第二阻抗膜147。為了移 除该第一阻抗膜1 4 7，該第二阻抗膜1 4 7及底部膜1 4 6之間的 介面以N - m e t h y 1 - 2 - p y r r ο 1 i d ο n e來清洗。在此例中，藉由沉浸 該基板140的結構體，第二阻抗膜147及類似者在 N-methyl-2-pyrr〇l1(i〇ne中，並於850C下執行超音波清洗， 該第二阻抗膜1 47可有效率地移除。 如圖24JX及24JY所示，該曝光的底部膜146由離子銑削移 除，所以該底部膜146及第二金屬箔（圖案）148具有相同的外 部尺寸，而構成該底部膜146及第二金屬箔248之探針插針 22即留在該探針夾持器上。 如圖24KX及24KY所示，為了改進該探針夹持器11〇及探 針插針22之間的緊密接觸’並保護該探針單元的配線，該 探針插針與1¾探針夾持器丨丨〇緊密接觸的區域覆蓋一保護 膜〇 2。在此例中，感光聚醯胺、紫外線硬化黏結劑、卡型 絕緣材料、光阻或類似者即塗佈在該區域上，其中該等探 針插針緊密接觸於該探針夹持器丨丨〇，並被硬化或附著一乾 膜’以藉此形成該保護膜3 2。 如圖24LX及24LY所示，該犧牲膜141及電鍍的銅層145可 使用蝕刻刎來落解，其會比溶解其它材料要優先來溶解銅 84367 -42 - 1223076 °因此該等探針插針22及探針夾持器1 1 0之整合的部份與該 基板140分離，並可形成具有該等探針插針22及探針夾持器 110之探針單元10。 利用製造該探針單元的第九方法，該等探針插針22及探 針夹持為1 1 0係藉由使用堆疊許多薄膜來一體地形成，而不 用機械式或利用焊料或黏結劑來結合該等探針插針及探針 夹持器。因此其有可能防止該等探針插針被破壞。其有可 能來以高的相對位置精度形成該等探針插針22及探針夾持 器 110。 因為其不需要來實際地切除該探針夾持器η()，該外部尺 問可鬲度精確地決定，且該等探針插針22可防止在一切除 程序期間破損。 1¾ %足位孔藉由使用光阻而以高的位置對準精度來形成 穿過該探針夹持器〗10。因此該探針單元10可以高的位置對 準精度來安裝在每個裝置上。因此其可能來高度精確地執 行液晶顯示面板及類似者之導電測試。 因為用於決定該等安裝位置及該等探針插針22之定位部 件的圖案可同時形<，該等定位孔可以高精度形成，Z 可改進該等探針插針22與一測試體之相對位置的精度。 在此具體實施例中，雖然形成該保護膜32， 有該保護膜32之探針單元1〇。另外，在該探針 基板14 0分離心後，可形成該保護膜3 2。 可形成不具 單元1 0與該 該基板140之所需時間，該 成該犧牲膜141。在此例中 為）t分離该探針單元1 Q與 基板140可由銅製成，而不用形 84367 1223076 ，如果該銅基板14〇的機械強度不足，由破璃、陶瓷或類似 者所製成的一固態及穩定的基板可與該基板〗4〇排齊。 同時在此具體實施例中，於形成該探針夹持器11〇之後， 該等探針插針22係堆疊在該探針夾持器π 〇上。相反地，在 形成該等探針插針22之後，該探針夹持器丨丨❾可堆疊在該等 探針插針上。 (第十製造方法） 圖25Α到25F所示為製造該探針單元的第十方法之架構性 橫截面圖。藉由應用此製造方&，可製造具有例如第九到 第十二結構之一的探針單元1 0。 在此製造該探針單元的第十方法中，首先如圖25Α所示， 在一基板150的表面上，一犧牲膜151由噴賤、真空沉積、 離子電士鍍或類似者所形纟，較佳地是由喷竣。在該犧牲膜 151的表面上，藉由噴濺形成該探針單元的底部膜η]。在 該底邵膜152的表面上，塗佈光阻到—任意的厚度。一具有 預定圖案之光罩係置於該光阻的表面上。其執行曝光及顯 影處理來移除不必要的光阻’以形成具有㈣應於該等探 針插針圖案之開口的阻抗膜1 5 3。 因為用於決定該等安裝位置及該探針插針之定位部件的 圖案:系在同時形成’該等定位孔可以高精度賢即可改 進該等探針插針及一測試體之相對位置之精度。 雖然未特另m制，該*板m的材料為一玻璃κ造 樹脂板、m板…金屬板或類似具有數職之厚度者。 該犧牲膜15丨的材料較佳地是為〜铜薄膜、—銅（Cu)/鉻 84367 -44 - 1223076 (Cr)薄膜或類似具有厚度為〇. 1到5.0 μπι者。如果該銅/鉻薄 膜要做為該犧牲膜1 5 1，首先噴濺鉻來形成一緊密接觸層， 且銅噴濺在此緊密接觸層上。在此例中’舉例而言，該鉻 薄膜的厚度為0.03 μπι，而該銅薄膜的厚度約為〇.3 μΐΉ。 該底部膜152較佳地是一鈦（Τι)/鎳(Νι)鐵（Fe)薄膜、或類似 具有厚度約為0.05到0.5 μπι者。如果該鈦/鎳-鐵薄膜係要形 成為該底部膜1 5 2，首先一鈦薄膜係由喷濺形成一緊密接觸 層，且一鎳鐵薄膜由噴濺形成在該鈦薄膜上。在此例中， 舉例而言，該鈦薄膜的厚度為〇. 02 μπι，而該鎳-鐵薄膜的厚 度約為0.1 5 μ m。 該底部膜1 5 2之使用係因為要在稍後說明的光阻阻抗膜 係要直接形成在該犧牲膜1 5 1上，其不能夠得到具有一高解 析度的阻抗膜。因為該底部膜152具有與光阻之良好啲透濕 性，具有一高解析度及所要形狀的阻抗膜可形成在該犧牲 膜1 5 1上。根據該光阻的種類，可省略該底部膜1 5 2。 該阻抗膜1 5 3較佳地是其厚度在丨〇到2 〇 〇 μΐΉ。 因為要使用該光阻的阻抗膜1 5 3，構成該等探針插針之導 線的圖案可平行地形成在一狹窄間距。類似地，該等探針 插針與探針夾持器可以高的相對位置精度來形成。該等定 位孔亦可用一高位置對準精度來形成。 如圖25Β所示，一探針插針之鎳合金金屬箱（圖案）：[54係形 成在未覆盅有該阻柷膜1 53之底部膜} 52的表面上，其藉由 使用已知的鐵-鎳電鍍液進行钱，其含有編故為二 分。1¾金屬箔（圖案）1 54的厚度可依需要來設定。 84367 45 1223076 如圖2 5 C所示，移除該阻抗膜1 5 3。為了移除該第一阻抗 膜1 53，該第一阻抗膜1 53及底部膜} 52之間的介面以 N-methyld-pyrrolidone來清洗。在此例中，藉由沉浸該基板 150的結構體，阻抗膜153及類似者在N-methyl-2-pyKolidone 中’並於8 5 C下執行超首波清洗，該第一阻抗膜1 B可有效 率地移除。 如圖2 5 D所示，該曝光的底部膜1 5 2由離子銑削移除，所 以該底部膜152及金屬搭（圖案）154具有相同的外部尺寸，而 構成該底部膜152及金屬箔154之探針插針22即留在該探針 夾持器151的表面上。 如圖25E所示，一探針夹持器11〇形成在該底部膜丨52及金 屬IU54彼此緊密接觸的區域中，其藉由塗佈感光聚酿胺、 紫外線硬化黏結劑、卡型絕緣材料、光阻或類似者，或藉 由附著-乾膜。較佳地是使用光阻。該探針夹持器ιι〇可部 份地覆蓋該等探針插針22, &完全地覆蓋該等探針插針^ 、’，㈣入在該探針夾持^1G中。該探針夾持器⑴亦做為 该等探針插針之保護膜。 μ在藉由使用光阻形成該探針夾持器no中，光阻覆蓋在言 寺休針㈣22上到—所要的厚度。—具有預 係置於該光阻的表面上。曝光及顯影處理被執行，以移: =:=’並形成一所要的探針夹持器外部形狀” 位孔或小孔穿過《針夹持器=门時H或複數㈣ 如圖祝所示’該犧牲膜151藉由使用㈣劑來溶解，》 84367 1223076 曰比/谷解其它材料的更高優先性來溶解銅。因此該等探針 針22及探針夾持器110之整合的部份與該基板150分離， 並可形成具有該等探針插針22及探針夾持器1 1 〇之探針單 元1 0。 和用製造遠探針單元的第十方法，該等探針插針2 2及探 針夾持器1 10係藉由使用堆疊許多薄膜來一體地形成，而不 用機械式或利用焊料或黏結劑來結合該等探針插針及探針 夫持备。因此其有可能防止該等探針插針22被破壞。 其有可邊來以而的相對位置精度形成該等探針插針22及 探針夾持器1 1 0。 因為1¾探針夾持器11〇藉由使用光阻來形成，該等定位孔 可用冋的位1對準精度來形成。因此該探針單元丨〇可以 鬲的位置對準精度來安裝在每個裝置上。因此其可能來高 度精確地執行液晶顯示面板及類似者之導電測試。 因為用於決定該等安裝位置及該等探針插針22之定位部 件的圖案可同時形 <，該等定位孔可以高精度形成，所以 可改進該等探針插針22與一測試體之相對位置的精度。 為了縮短分離該探針單元1Q與該基板15()之所需時間，該 基板150可由銅製成，而不用形成該犧牲膜i5i。在此例中 ，如果該銅基板150的機械強度*足，由«、陶受或類似 者所製成的一固怨及穩定的基板可與該基板丨5〇排齊。 如果孩彳木針夾持器1丨〇由樹脂製成，該探針夾持器1 1 〇可 以由，溫度變化來膨脹或收縮，#以不能夠得到一高的尺 寸精度。纟這樣的狀況下，如圖26所示，由一種很難由溫 -47 - 84367 1223076 度改變來膨脹或收縮的好 的材枓所製成的一夹持器板155， 陶瓷、石英及矽，其可划^ ^ 例如 u〇。 了利用黏結劑來固定到該探針夹持器 (第十一製造方法） 圖27A到27Q所示為製皮 > 衣迈通彳木針孚兀的弟十一方法之 例如第十 性橫截面圖。藉由應用，制、土、土 叮制 # 、片」此褽造万法，可製造具有 三結構之一的探針單元丨〇。 在此製造該探針單元的第十三方法中，首先如圖μ所示 在基板1 60的表面上，—犧牲膜} 6工由喷錢、真空沉# 、離子電鍍或類似者所形成，較佳地是由噴濺。 雖然未特別限制，該基板160的材料為一玻璃板、一人造 樹脂板、-陶t：板、—金屬板或類似具有數_之厚度者。 忒犧牲腠1 6 1的材料較佳地是為一銅薄膜、一銅（Cu)/鉻 (C〇薄膜或類似具有厚度為Q」到5 Q _者。如果該銅/絡薄 膜要做為該犧牲膜1 5 1，首先喷濺鉻來形成一緊密接觸層， 且銅貝濺杜此^始、接觸層上。在此例中，舉例而言，該鉻 薄膜的厚度為0.0 3 μιη，而該銅薄膜的厚度約為〇 3 μ1Ή。 如圖27Β所示，在該犧牲膜丨6 1的表面上，該等探針插針 义第一底部膜1 62由噴濺形成。 該第一底部膜162較佳地是一鈦（Ti)/鎳（Νι)鐵（Fe)薄膜、或 類似具有厚度約為0 05到〇 5…力者。如果該鈦/鎳-鐵薄膜係 要形成為該底部膜1 62，首先一鈦薄膜係由噴濺形成一緊密 接觸層’且一鎳鐵薄膜由噴激形成在該鈥薄膜上。在此例 中，舉例而言’該鈦薄膜的厚度為〇 〇2 μΓη，而該鎳-鐵薄膜 84367 -48 - 1223076 的厚度約為0.1 5 μιτι。 該第一底部膜1 62之使用係因為要在稍後說明的光阻阻 抗膜係要直接形成在該犧牲膜1 6 1上，其不能夠得到具有一 高解析度的阻抗膜。根據該光阻的種類，可省略該第一底 部膜1 62。 如圖2 7 C所示，在該第一底部膜1 6 2的表面上，塗佈光阻 到一任意的厚度。一具有預定圖案之光罩係置於該光阻的 表面上。其執行曝光及顯影處理來移除不必要的光阻，以 形成具有相對應於該等探針圖案之開口的第一阻抗膜1 63 。該第一阻抗膜1 6 3較佳地是其厚度在1 〇到2 〇 〇 μπι。 當形成▲苐一阻抗膜1 6 3時’除了對應於該等探針插針之 圖案之外’對應於用於決定該探針單位之位置的一或複數 個框架之圖案，可在同時形成一或複數個定位孔及小孔。 如圖2 7 D所示’要做為探針插針及定位部件之第一錄合金 金屬箔（圖案）1 64係形成在未覆蓋有該第一阻抗膜1 63之底 部膜1 62的表面上，其藉由使用已知的鐵_鎳電鍍液進行電鍍 ，其含有硫酸做為主要成分。該第一金屬箔（圖案口 64的厚 度可依需要來設定。 如圖27Ε所tf，移除孩第一阻抗膜丨63。為了移除該第一 阻抗膜163，該第一阻抗膜i63及第一底部膜162之間的介面 以N-methyl-2-pyrrohdone來清洗。在此例中，藉由沉浸該基 板160的結構體，阻抗膜ι63及類似者在N,ethyi_2_ pyrrolidone中，並於85。〇下執行超音波清洗，該第一阻抗膜 1 6 3可有效率地移除。 84367 -49 - 1223076 如圖27F所示，該曝光的底部膜162由離子銑削移除，所 以讀第一底部膜1 6 2及第一金屬箔1 6 4具有相同的外部尺寸 ’而構成該第一底部膜162及第一金屬箔164之探針插針22 即留在該犧牲膜1 6 1的表面上。 如圖27G所示，該犧牲膜161及探針插針22之表面係覆蓋 有一電鍍的銅層1 6 5。在此例中，該電鍍的銅層1 6 5即過量 地形成，所以該犧牲膜161及探針插針22之表面可完全地覆 益。 如圖27H所示，該電鍍的銅層165係以鑽石研漿來研磨， 以使得該電鍍的銅層1 6 5之上表面與該等探針插針2 2齊平。 如圖271所示，一絕緣膜166形成在該等探針插針22及電鍍 的銅層1 6 5之表面上。該絕緣膜1 66可為一二氧化石夕膜、一 鋁膜、或類似由噴濺、CVD或類似者形成具有厚度約為〇 } 到20 μηι者。該絕緣膜166之形成使得電絕緣該等探、針插針 22及要形成在該等探針插針22上的一探針夾持器，如以下 所述。 如圖2 7 J所示’在該犧牲膜丨6 6的表面上，該探針夹持器的 一第二底邵膜1 67由噴濺形成。該第二底部膜1 67由類似於 該第一底部膜1 62之材料所製成。 如圖27Κ所示，在該第二底部膜167的表面上，塗佈光阻 到一任意的厚度。一具有預定圖案之光罩係置於該光阻的 表面上。其執行曝光及顯影處理來移除不必要的光阻，以形 成具有相對應於該探針夾持器圖案之開口的第二阻抗膜{ 68 。孩第二阻抗膜1 68之厚度較佳地是其範圍在由丨〇到2〇〇 -50 - 84367 1223076 了炙應於邊探針夾持器圖案之開口之外，對應於用於 夬疋義針早兀〈位置的一或複數個框架圖案之圖案的該 等開口，可在同時間形成-或複數個定位孔及小孔。 、做為琢弟二阻抗膜168之光阻可為類似於做為該第一阻 抗膜1 6 3之光阻。 、圖〜7 L所tf，该探針夹持器之第二鎳合金金屬箔1 μ係 开y成在未復盖有琢第二阻抗膜168之第二底部膜的表面 上，其藉由使用已知的鐵-鎳電鍍液進行電鍍，其含有硫酸 做為主要成分。該第二金屬箔169的厚度可依需要來設定。 汝圖2 7 Μ所示，和除该苐二阻抗膜1 6 $。為了移除該第二 阻杬膜168，該第二阻抗膜168及第二底部膜167之間的介面 HN-methyld-pyrrolMone來清洗。在此例中，藉由沉浸該基 板160的結構體，第二阻抗膜168及類似者在 N-methyl-2-pyirolidone中，並於85。(：下執行超音波请洗， 该第二阻抗膜〗6 8可有效率地移除。 如圖27N所示，該曝光的第二底部膜！ 67係由離子銑削移 除，所以該第二底部膜167及第二金屬箔ι69具有相同的外 部尺寸 ° 如圖2 7 P所示，該曝光的絕緣膜1 6 6係由離子蝕刻來移除 ，所以該絕緣膜166及第二金屬箔169具有相同的外部尺寸 ，並可得到由該絕緣膜1 66及第二金屬箔1 69所構成的—探 針夹持器1 1 0。 . 如圖2 7 Q所示，該犧牲膜1 6 1及電鍍的銅層丨6 5可使用蚀q 劑來溶解，其會比溶解其它材料要優先來溶解銅。因此二、 84367 51 - 等探針插針2 2及探針夹持器丨丨〇之整合的部份與該基板i 6 〇 7?}/^ 、， & ’亚可形成具有該等探針插針22及探針夾持器1 10之探 針單元1 0。 利用製造孩探針單元的第十一方法，該等探針插針22及 ^针夹持器1 1 〇係藉由使用堆疊許多薄膜來一體地形成，而 + %機械式或利用焊料或黏結劑來結合該等探針插針及探 十夹持备。因此其有可能防止該等探針插針22被破壞。 其有可能來以高的相對位置精度形成該等探針插針22及 探針失持器1 1 〇。 、因為孩等探針插針22及探針夾持器110係使用光阻來形 成4等疋位框架、定位孔及小孔可用一高的位置對準精 j來形成。因此該探針單元1 0可以高的位置對準精度來安 每個农且上。因此其可能來高度精確地執行液晶顯示 面板及類似者之導電測試。 因為可在同時形成包含該等框架、定位孔及小孔及該等 探針插針22之定位部件的圖帛，即可改進該等探針插針η 與一測試體的相對位置之精度。 二、木十單凡及其製造方法已經配合較佳的具體實施例來 —如果複數個小孔形成穿過該探針夾持器，蝕刻該探針 元可向度有效率地執行。 如果該探針單元透過電鍍而形成在由光阻定義的框架 ::探針夾持器的厚度為均句。此外，該等定位部件包 孩寺疋位孔、形成穿過及在該探針夾持器上的定位框架 84367 -52- 以及該等小孔，皆可以高的位置對準精度來放置。 +如果’絕緣膜形成在該探針夹持器的表面上，其係透過 :麵形成，且料探針插針係要藉由❹光阻㈣成在該 巴則旲的衣面_L ’具有一高解析度的探針插針圖案即可形 成，所以該等探針插針可高度精確地形成。 如果該探針夾持器及探針插針覆蓋有—㈣膜，即可改 =該探針夹持器與探針插針之間的緊密接觸，i可保護該 探針單元的配線。 果料探針插針係形成在由電鍍所形成的該探針央詞 上藉由使用與孩探針夾持器相同或概括相同的材料， 7使用㈣的合金’即可改進在該探針爽持器與探針拮 f，間的接觸’且該等探針插針與探針央持器可用高的相 對位置精度來放置。 :=電鍍形成的該等探針插針係嵌入在由樹脂 中’即不會損㈣在等探針插針及探針夹持器 正。邯份中的該等探針插 針夾持器可以用高的相對二 爾插針及摞 〇 1相對K置精度來形成及結合。 單：^如仃使用由孩具體實施例方法所製造的探釗 七处構可視圖。在圖28中’顯示出具有圖从物所示的第 七、'，。構 < 探針單元丨〇。 1弟 該探針單元丨。的探針夹持器丨 導電測試裝罾+冰姓扣,Λ 禾不出的一 係透、尚、、〜文持杂〗00的接合表面l〇〇a。該探針單元υ ..磺焯性配線平面纜線3之電梓（未示出）來+ .ti、丨 導電剛試裝置的電路上。 乂（未）“連接利 84367 ' 53 - 1223076 為了黏結該探針單元1 0到該夾 持細之接合表面，並在該等：：之：直安裝到該夹 螺紋之定位插針1。1即插入到形成=?万部份形成有 ^ „ η , , , η ^ 成牙過孩探針夹持器no之 疋位孔1 1 1中，及固疋夹具1〇2，例如 具有螺紋。 h目由邊插針來被刻 :導電：試係由推入該探針單元10之探針插針22的尖端 到一測試體（要進行量測）u0的電極 、 絕緣材料製成的-測試A座τ β K置在由 顯示面板。 ^基緣本基卿之上的一液晶 本發明已經配合該等較佳且触余 宁毕乂佳具眩貫施例來說明。本發明並 不僅限於以上的具體實施例。並 士可以進行不同的修正、改良'，到由本技術專業人 改艮、組合及類似者。 圖式簡單說明 圖1所示為一探針單元的第一結構之平面圖。 圖2所示為—探針單㈣第二結構之平面圖。 面Γ錢3β所示為—探針單元之第三結構的平面圖及橫截 面圖圖从及化所示為一探針單元之第四結構的平面圖及橫截 圖5Α及5Β所示為一探針單元 面圖。 罘五，、，σ構的平面圖及橫截 圖6所示為修正圖〗之探針單元的平面圖。 圖7所示為修正圖2之探針單元的平面圖。 圖从収所示為—探針單元的第六結構之平面圖。 84367 1223076 圖9A及9B所示為一探針單元之第七結構的平面圖及橫截 面圖。 圖1 0所示為一探針單元的第八結構之平面圖。 圖1 1 A及1 1 B所示為一探針單元之第九結構的平面圖及橫 截面圖。 圖1 2所示為一探針單元的第十結構之平面圖。 圖1 3A及13B所示為一探針單元之第十一結構的平面圖及 橫截面圖。 圖14A及14B所示為一探針單元之第十二結構的平面圖及 橫截面圖。 圖15A及15B所示為一探針單元之第十三結構的平面圖及 橫截面圖。 圖16A到16H所示為製造一探針單元的第一方法之_架構性 橫截面圖。 圖1 7 A到1 7 C所示為製造一探針單元的第二方法之架構性 平面圖 ° 圖1 8 A到1 8B所示為製造一探針單元的第三方法之架構性 平面圖 ° 圖1 9 A及1 9 B所示為製造一探針單元的第四方法之架構性 平面圖。 圖2 0 A到2 0 J所示為製造一探針單元的第五方法之架構性 橫截面圖。 圖2 1 A到2 1 F所示為製造一探針單元的第六方法之架構性 橫截面圖。 84367 1223076 圖2 2 A到2 2 Η所示為製造一探針單元的第七方法之架構性 橫截面圖。 圖2 3 Α到2 3 F所示為製造一探針單元的第八方法之架構性 橫截面圖。 圖24AX及24AY到圖24LX及24LY所示為製造一探針單元 的弟九方法之架構性橫截面圖。 圖2 5 A到2 5 F所示為製造一探針單元的第十方法之架構性 橫截面圖。 圖2 6所示為製造一探針單元之第十方法的修正之架構性 橫截面圖。 圖27 A到27Q所示為製造一探針單元的第十一方法之架構 性橫截面圖。 圖2 8所示為如何使用由該具體實施例方法所製造的探針 單元之前視圖。 圖式代表符號說明 探針裝置 4 10 12 14 16 18 彈性印刷配線平面境線 固定央具 探針單元 基板 導線圖案 定位部件 内壁 突出 84367 -56 - 19 1223076 20 22 24, 25, 28 26 30 32 50 52 52a 52b 57 58 60 66 67 72 76 78 88a 88b 89 89 92 94 84367 導線 探針插針 加強膜 通孔 對準標記 保護膜 凹處 犧牲膜 底邵層 銅膜 覆蓋膜 阻抗膜 基板 阻抗光罩 開口 絕緣膜 阻抗膜 支撐膜 金屬層 人造樹脂層 黏結劑 電鍍金 金屬沉積膜 成長區域 -57 1223076 96 導電膜 103 測試體基座 1 10 探針夾持器 1 10 測試體 111 t "ίϋ·孑 L 1 12 小孔 1 13 電極 114 定位框架 1 15 夾持器 116 安裝部件 134 金屬箔 145 電鍍銅層 84367 . 58

Claims (1)

1223076 拾、申請專利範圍： 一種探釺置； -^ , ’，、固疋於一探針裝置來測試一測試體的 功此，其包括： 一基板； 4插針’藉由微影形成在該基板上，該等探針插 七、有由巧基板哭出的末端點，並使其接觸於該測 的電極；及 ^ 一疋位部件’藉由微影形成在該基板上相對於該等探 ::插針之預定位置處’該定位構件緊靠在一部件上來相 對於該探針裝置定位該基板。 如申請專利範圍第1項之探針單元，其中該定位部件具 、、，A 土圈形狀’其中彈性突出環繞形成穿過該基板 之通孔的周圍延伸。 區域，及/或該定位部件的至少 如申請專利範圍第丨項之探針單元，進—步包含一加強 無，固定於該基板’並覆蓋在該基板上該等探針插針之 區域 4 如申請專利範圍第1项之- /、心铋針早兀，其中該等探針插針 及該定位部件係由相同材料製 4 π竹衣成，亚具有一相同的膜厚（ —種探針單元，其固定於一 览 辣針衣JL來測试一測試體< 功能，包括： 包括一底部膜之探針插針，芬；士、 及形成在1Μ底邵膜上的- 探針插針圖案；及 ' 一形成在由該等探針插針之末端$義的±表面上，』 具有複數個小孔之探針夹持器。 84367 1223076 9 10 具有開口之阻抗膜之 表面上所形成的該底 口的底部； 之该底邵膜的表面上 2心& 5項（探針單7t，其中該探針夾持器 成在孩等探針插針之上表面上的一絕緣膜。 如申請專利範圍第5項之探針單元，進—步包含覆蓋該 铋針失持器與該等探針插針之—保護膜。 如申請專利範圍第6項之探針單S，其巾《針夹持器 除了該絕緣膜之外’係由與該等探針插針的材料為相同 的材料所製成。 :申請專利範圍第5項之探針單元，其中該探針夫持器 覆蓋該等探針插針。 :種製造探針單元的方法’該探針單元固线—探針裝 I來測試一測試體的功能，其包括： (a) —預備一基板之步驟； (b) —在該基板的一表面層中形成一凹處的步驟； (0 一在該基板的凹處中形成—犧牲膜之步驟； ⑷-在該基板與該犧牲膜的表面上形成—底部膜之 步騾； (e) —在該底部膜的表面上形成 步驟’其方式為形成在該犧牲膜的 邵膜的至少一部份係暴露在該等開 (f) 一在暴露於該等開口的底部 形成一覆蓋膜之步驟； (g) 一移除該阻抗膜之步驟； (h)移除未覆蓋有該覆蓋膜之底部纟莫. (1) 一移除該犧牲膜之步驟；及 1223076 ⑴=著通過該凹處之切割缘來切剖該基板彻， 其中蝴到⑴之步驟係同時在該基 ： 該基板突出之末端點之探釙扞# 战、有甶 “極，及—…：針插針’並使其接觸於-測試 體之 一w 〇，'、—列知、 黾極，及一定位部件， , 其^罪一邵件來相對於該探 針裝置足位孩基板。 11 〆種製造探針單元的方法，嗲接 — 邊辣針早兀固足於—探針裝 置來測試一測試體的功能，其包括： (a) —預備一基板之步驟； ㈨-在該基板的表面上形成—對準標記之步驟： ⑷-在該基板的一表面層中形成一凹處的步驟； ⑷一在該基板的凹處中形成-犧牲膜之步驟； (e) —在該基板與該犧牲膜的矣 暇的表四上形成一展部膜之 步騾； (f) 一在該底部膜的表面上形成具有開口之阻抗膜之 步驟’其方式為形成在該犧牲膜的表面上所形成的該底 部膜的至少一部份係暴露在該等開口的底部； _ (g) —在暴露於該等開口的底部之該底部膜的表面上 形成一覆蓋膜之步驟； (h) —移除該阻抗膜之步驟； (I) 移除未覆蓋有該覆蓋膜之該底部膜； (J) 一移除該犧牲膜之步.驟；及 (k) 一沿著通過該凹處之切割線來切割該基板之步驟， 其中： . 在該等步驟（a)及（b)之後，該等步驟（c)到（1〇形成探針 84367 插針來使其接觸於該測試體的電極，並在該基板上由該 基板突出，藉由使用該對準標記做為一位置參考；及 形成一定位部件來緊靠在一部件，以藉由使用該對準 I兒做為一位置參考來相對於在該基板上的該探針單 元定位該基板。 2.種製造探針單元的方法，該探針單元固定於一探針裝 i來測試一測試體的功能，其包括·· (a) —預備一基板之步驟； (b) —在該基板的一表面層中形成一凹處的步驟； (0 —在該基板的凹處中形成一犧牲膜之步騾； (d) —在該基板與該犧牲膜的表面上形成一底部膜之 步驟； (e) —在該底邵膜的表面上形成具有開口之阻抗膜之 v 其方式為形成在該犧牲膜的表面上所形成的該底 4膜的至少一部份係暴露在該等開口的底部； (f) 一在暴露於該等開口的底部之該底部膜的表面上 形成一覆蓋膜之步驟； (g) —移除該阻抗膜之步，驟； (h) 移除未覆盆有該覆蓋膜之該底部膜； (0 —移除該犧牲膜之步驟；及 (J) 一沿著通過該凹處之切割線來切割該基板之步驟， 其中： 前該等步騾（a)到〇)分別在該基板上形成探針插針來 使其接觸於該測試體的電極，並由該基板突出，及一對 84367 1223076 準標記；及 然後該等步驟⑻到⑴形成—定位部件來緊靠在一部 :牛’以藉由使用該對準標記做為—位置參考來相對於在 4基板上的該探針單元定位該基板。 13. 田種製造探針單的方法，該探針單元固定於—探針裝 且來測試一測試體的功能，其包括： (a)—預備一基板之步驟； (b) —在I褒基板的一表面層中形成一凹處的步驟； (c) 在忒基板的凹處中形成一犧牲膜之步驟； (d) 在该基板與該犧牲膜的表面上形成一底部膜之 步騾； (e) —在該底部膜的表面上形成具有開口之阻抗膜之 V 其方式為形成在该犧牲膜的表面上所形成的該底 部膜的至少一部份係暴露在該等開口的底部； (0 —在暴露於該等開口的底部之該底部膜的表面上 形成一覆蓋膜之步驟； U) —移除該阻抗膜之步驟； (h)移除未覆蓋有該覆蓋膜之該底部膜； (I) 一移除該犧牲膜之步騾；及 (J) 一沿著通過該凹處之切割線來切割該基板之步，驟， 其中： 前該等步騾（a)到（j)分別在該基板上形成一定位部件 來緊靠在一部件，以相對於該探針單元定位該基板，及 一對準標記；及 84367 1223076 、然後該等”咖咖成探❹針來使 測試體的電極，並藉由使用該對準標 /於％ 來由該基板突出。 為一位置參考 1 4. 一種製造一探針單元的方法，其包括： -在-基板的表面上形成一犧牲膜之步驟’· 一在該犧牲膜的表面上止， 坻非扠又步驟； 一在孩履部膜的表面上形成 、 风丹育對應於一探紅如 圖案之開口的一阻抗膜之步驟； 、·單元 一藉由電鍍在該阻抗膜的該等開σ中形成兮 兀圖案之步驟，該探針單元圖案 休'.十早 木L括抓針插針及一探 夹持器； 一移除該阻抗膜及在該阻抗 ^ ?几歧足下的該底部膜之步 驟；及 一移除該犧牲膜來得到一探針 ,. 千几 < 步驟。- 13.—種製造探針單元的方法，其包括： —在一基板的表面上形成一犧牲膜之步驟； 一在該犧牲膜的表面上形成一筮 … 机弟—阻柷膜之步驟，該 昂-阻抗膜具有對應於-探針夹持器圖案之一開口； 一藉由電鍍在該第一阻抗膜的 仇腰的该寺開口中形成該探 針夾持器圖案之步驟； 驟； 在該探針夾持器圖案的表面上形成—絕緣膜之步 -移除該第-阻抗膜來得到—探針夹持器之步驟， -藉由電鍍在該犧牲膜的表面上形成—金屬層的步 ^4367 -6 - 1223076 驟，其中並未形成該探針夾持器； 一在該絕緣膜及該金屬層的表面上形成一底部膜之 步驟； 一在該底部膜的表面上形成一第二阻抗膜之步驟，該 第二阻抗膜具有對應於一探針夾持器圖案之開口； 一藉由電鍍在該第二阻抗膜的該等開口中形成該探 針插針圖案之步驟， 一移除該第二阻抗圖案之步驟；及 一移除在該第二阻抗膜之下的該犧牲膜來得到一探 針單元之步驟。 1 6. —種製造一探針單元的方法，其包括： 一在一基板的表面上形成一犧牲膜之步騾； 一在該犧牲膜的表面上形成一第一底部膜之步驟； 一在該第一底部膜的表面上形成具有對應於一探針 單元圖系之開口的一第一阻抗膜之步驟； 一藉由電鍍在該第一阻抗膜的開口中形成該探針插 針圖案之步驟； 一移除該第一阻抗膜來得到該探針插針圖案之步驟； 一利用一電鍍層來覆蓋該探針插針圖案，研磨該電鐘 層的表面來使得該電鍍層的表面可齊平於該探針插針 圖案之表面’然後在該電鍍層及該探針插針圖案的表面 上形成一絕緣膜之步驟； 一在該絕緣膜的表面上形成一第二底部膜之步驟； 一在該第二底部膜的表面上形成一第二阻抗膜之步 84367 1223076 .’’协，遠第一阻柷膜具有對應於具有至少一小孔之探針夹 持器圖案之一開口； 一藉由電鍍在該第二阻抗膜的開口中形成該探針夾 持器圖案之步驟；及 一移除该第二阻抗膜、該第二底部膜、該絕緣膜、該 私鍍層及该犧牲膜來得到一探針單元的步驟。 17. 一種製造探針單元的方法，其包括： 一在一基板的表面上形成一犧牲膜之步驟； 一在该犧牲膜的表面上形成_底部膜之步驟； 一在琢底部膜的表面上形成具有對應於一探針插針 圖案之開口的一阻抗膜之步驟； 一藉由電鍍在該阻抗膜的該等開口中形成該探針插 針圖案之步驟； 私除S阻杬膜及在該阻抗膜之下的該底部膜之步 驟； ,U丨〜我的一上衣w丄π成 探針夹持器之步驟，該探針夹持器係由樹脂製成；及 } 一移除該犧牲膜來得到一探針單元之步驟。 \種製造探針單⑼方法，該探針單元較於-探針: 夏來測試一測試體的功能，其包括·· ，-藉由微影同時在該基板上形成具有由一基板突; 々末碎點’亚使其接觸於一測試體之探針插針，及1 ，緊靠在—部件來㈣㈣探針裝置定位該基板之另 位邵件。 ^ ^ 料367 1223076 j 9. 一種製造探針單元的方法，該探針單元固定於一探針裝 置來測試一測試體的功能，其包括： 一在一基板上形成一對準標記之步騾； 一藉由微影在該基板上使用該對準標記做為一位置 參考來形成探針插針，以使其接觸該測試體的電極，並 由該基板突出之步·驟； 一形成一定位部件來緊靠在一部件，以藉由使用該對 準標記做為一位置參考來相對於利用微影在該基板上 的該探針單元定位該基板之步驟。 2 〇.’種製造探針單元的方法，該探針單元固定於一探針裝 置來剛試一測試體的功能，其包括： 一籍由微影同時在該基板上形成具有由一由一基板 突出的末端點並與一測試體之電極相接觸之探針插針 ’及〜對準標記； 一形成一足位部件來緊靠在一部件，以藉由使用該對 準標記做為一位置參考來相對於在該基板上的該探針 單元定位該基板之步驟。 2 1 .一種碰造探針單元的方法，該探針單元固定於一探針裝 置來剛試一測試體的功能，其包括： 一藉由微影同時在該基板上形成一定位部件來緊靠 在一部件，以藉由使用該對準標記做為一位置參考來= 對於在該基板上的該探針單元定位該基板，及一對準標 記之歩驟； $ 一错由微影在該基板上使用該對準標記做為一位置 84367 1223076 參考來形成具有由該基板突出的末端點並使其接觸該 測試體的電極之探針插針之步驟。 22. —種製造探針單元的方法，該方法包含下列步驟： (a) 預備一由銅製成的第一基板； (b) 在該第一基板的表面上形成一底部膜； (c) 形成具有對應於在該底部膜的該表面上有一或複 數個小孔的一探針單元圖案之開口的阻抗膜； (d) 在該底部膜上電鍍一金屬層，以形成具有探針插 針及探針夾持器之該探針單元圖案； (e) 移除該阻抗膜及該底部膜； (f) 溶解銅來得到一探針單元。 2 3 .如申請專利範圍第2 2項之製造探針單元的方法，進一步 包含在該（a)步驟之後的步驟： (g) 將該第一基板與為固態及穩定的一第二基板對齊。 -10 - 84367