TW592000B - Pallet for transporting FPC substrate and method for mounting semiconductor chip on FPC substrate - Google Patents

Description

r 592000 玖、發明說明： 〔發明所屬之技術領域〕 本發明係關於在FPC基板上構裝半導體晶片時所使用 之FPC基板用之搬送托板及FPC基板上之半導體晶片構裝 方法。 〔先前技術〕 FPC基板（Flexible Printed Circuit基板，即軟性印刷 電路基板）係薄且富有柔軟性。因此，作為構成小型電子機 器的電路之基材，FPC基板在近幾年伴演極重要的角色。 然而，基於強度、平坦度、熱收縮性等的特性，在半導體 晶片之構裝方面，FPC基板並無法和紙酚醛基板或玻璃基 板進行同樣的處理。因此，已採用的方法，係在不銹鋼材 等製之搬送托板上，將FPC基板定位並用膠帶貼合後，把 不输鋼材當作補強板而進行半導體晶片之構裝。又，日本 專利特開平9 - 237995號公報揭示出，用黏著劑將Fpc義 板暫時固定在搬送托板上。 將FPC基板定位於搬送托板再用膠帶貼合之作業，由 於為手工作業，且每次構裝均須重複該作業，故作業效率 差。又’剝離膠帶後之殘膠，對品質有不好的影響。又由 於膠帶為抛棄式，且使用後從托板本體剝離後即拋棄，故 其經濟性及環境性均不理想。 於是’為了使膠帶之貼合及剝離作業簡單化，可考慮 才木用雙面勝帶之方法，其不須每次使用都剝離且能多次利 用。 2000 …、而雙面膠帶之黏著力’會隨使用 劇降低。a 曰讀用次數之增加而急 而產生劣卩，故其可再利料次數有限冓=戶;施加的熱 會在==:*之次數…就算採用雙*膠帶仍 二差C基板上產生接著劑之_’因此會使Fpc基板之 〔發明内容〕 佳、富經濟性、且 及FPC基板上之半 本發明之目的，係提供出作業效率 環境性良好之FPC基板用之搬送托板、 導體晶片構裝方法。 為達成上述目的，本發明係採用申請專利範圍第丨項 之構成。 〔實施方式〕 以下根據圖1 (a)、（b)及圖2來說明將本發明具體化而 成之第1實施形態。 如圖1(b)所示’搬送托板11係具備··作為補強板之非 伸縮性支持體12，及矽酮彈性體層13。本實施形態之支 持體12為銘板。 如圖1(a)及圖1(b)所示’在搬送托板11上形成··構裝 裝置的載置部31(參照圖2)定位用之2個第1孔14，及矩 形FPC基板1 5(如圖1 (a)之兩點鏈線所示）定位用之複數個 第2孔16。各第1孔14，分別形成於搬送托板11的長邊 方向之兩端部，且貫穿支持體12及矽酮彈性體層13。各 第2孔16，係貫穿支持體12及矽酮彈性體層13。本實施 形態τ，搬送托板 15之大小。複數第2孔16中之°為：密合6片FPC基核 基…-個對角線上之2個角:對，係對應於…。( =::彈:體層13之，彈性體，可藉由使具備下 式夕乳月木之聚有機石夕燒氧進行交聯而製得。

Rlsi丨 R

ο I /夕_性體，係包含上式中之R均為甲基之聚二甲基 夕氧烷’或將一部分的曱基以其他的烷基、乙烯基、苯基 氣烧基等之至少-種取代而成之各種聚有機石夕氧烧單獨 或至少混合2種而構成。 交聯方法沒有特別的限定，可採用以往公知的方法。 例如，將聚有機矽氧烷之甲基或乙烯基進行游離基反應而 交聯之方法。又可列舉出，使末端為矽烷醇之聚有機矽氧 烧、與具有可水解官能基之♦烧化合物進行縮合反應而交 聯之方法，在乙烯基上之氫化矽烷基的加成反應而交聯之 方法。 矽酮彈性體層13與支持體12間之接著，係依據一般 石夕酮彈性體層與其他材料間的接合法之公知方法。本實施 形態中，係對支持體12實施適當的底塗處理後，再形成 未交聯的矽酮彈性體層13。矽酮彈性體13與支持體12間 進行硫化接著。 592000 矽酮彈性體層13之剪切彈性模數G，係依動態黏彈性 测定法來測定。具體而言，將溫度2(rc下之矽酮彈性體層 13試片，使其以頻率10Hz振動，藉此求取矽酮彈性體層 13之剪切彈性模數G，。矽酮彈性體層13之剪切彈性模數 Gf範圍為 5_0 X l〇5pa〜5 〇 X 1〇6pa。 若剪切彈性模數G’低於5 〇xl〇5pa，由於石夕酮彈性體 變軟而使矽酮彈性體層丨3過度密合於Fpc基板丨5，要取 下FPC基板15變困難。另一方面，當剪切彈性模數G，高 於5.0Xl06Pa時，由於矽酮彈性體變得過硬，矽酮彈性體 層13不容易密合於FPC基板15，而使Fpc基板15之定 位變困難。藉由形成剪切彈性模數G，位於上述範圍内之石夕 _彈性體I 13’石夕酮彈性料13冑以適當的軟硬度密合 於FPC基板15。矽酮彈性體層13之適當剪切彈性模數 可藉由適當調整聚有機矽氧烷之種類、分子量、補強性 填料等之矽酮彈性體組成與交聯度來獲得。 FPC基板15上之半導體晶片構裝製程中，溫度可能會 上昇至約200〜24(rc，最近之無錯焊料的情形甚至上昇至 2^8〇C左右。因此，石夕_彈性體層13之剪切彈性模數&值 較佳為，就算在這些溫度範圍内，也能在5.〇x1〇5pa〜50 X 106Pa。 其次’說明使用上述構成之搬送托板11而在FPC基 板上之構裝半導體晶片之方法。 如圖2所示’在構震裝置之載置部31上，以對應於搬 送托板1 1的第1孔14夕士 4…L、 方式形成有凹部3 2。以搬送托板 9 592000 11之支持體12面對載置部31的方式將搬送托板u配置 於載置部31上。接著，使第1銷33貫通第1孔14而卡 合於對應之凹部32，藉此將搬送托板π定位並安裝於載 置部31。 FPC基板15在對應於第2孔16的位置形成有貫通孔

34·。使第2銷35貫穿貫通孔34及第2孔16，藉此將FPC 基板15定位於搬送托板11，並將FPc基板丨5固定於矽酮 彈性體層13。 其次，藉由加熱熔焊製程，將未圖示之半導體晶片構 裝於FPC基板15上。之後，從搬送托板n取下Fpc基板 15而元成構裝製程。在搬送托板Η上密合下一個Fpc基 板15，重複進行同樣的半導體晶片構裝製程。要將重複使 用後之搬送托板1 1廢棄時’係從支持體1 2剝離矽酮彈性 體層13，並將支持體12與矽酮彈性體層丨3分開廢棄。 (實施例及比較例） 以下，列舉實施例及比較例來更詳細說明前述實施形 態。 關於實施例1及比較例1之各搬送托板n，支持體i 2 係以厚度〇.8mm的鋁板來形成，矽酮彈性體層丨3係以厚 度200 # m來形成，而準備好試片。於溫度下使試片 以頻率10Hz振動，測定出之實施例丨及比較例丨之矽酮 彈性體層13的剪切彈性模數G，值如下所示。 10 剪切彈性模數G’〔 Pa ] f施例1 1.5 X1〇6 座較例1 1.0X 1〇7 實施例1及比較例1之各搬送托板丨i上，分別形成有 對應載置部31之第1孔14及對應Fpc基板15之第2孔 1 6。接著，在各搬送托板丨丨之既定位置上分別密合 基板15，進行加熱熔焊製程。 其結果，在實施例11，半導體晶片能在不產生位置偏 移下進行正常的構裝。且搬送托板n可重複使用。又， 在比較例1，在加熱熔焊製程中FPC基板15會從矽酮彈性 體層13浮起，而產生構裝上的不良情形。 本實施形態具備以下的優點。 搬送托板11係支持體12與矽酮彈性體層13所組成之 積層體。石夕酮彈性體$ 13之剪切彈性模數G，範圍在5〇 X 1〇5〜5.0Xl〇6Pa。因此，利用石夕綱彈性體層之黏著性，不用 膠帶即可使FPC基板15密合於石夕酮彈性體層13。又，由 於未使用膠帶，就算從搬送托板u除去Fpc基板15亦不 致產生殘膠。因此，作f效率佳，能纟防止口口口質降低下進 行FPC基板15上之半導體晶片的構裝。 在FPC基板15上構裝半導體晶片時，就算於加熱溶 焊製程等變成高溫，由於矽酮彈性體^ 13之耐熱性優異 ，故不易產生劣化。因此，搬送托板11 T重複使用而具 有經濟性。 石夕酮彈性體層13與支持體12係強固地接合在—起。 592000 因此，使用中沒有剝離之虞。又，就算實施第1孔14之 加工等’亦不致在加工端面產生剝離。 搬送托板11上形成有對應FPC基板15之第2孔16。 因此，藉由使第2銷35通過FPC基板15上之貫通孔34 及第2孔16，可容易地將FPC基板15定位於搬送托板11 之既定位置。 搬送托板11上形成有對應載置部3 1之第1孔14。因 此，藉由將第1銷33插入第1孔14内，可容易地將搬送 托板11定位於載置部3 1之既定位置。 支持體12由於是使用銘板’故能以易取得的材料來形 成支持體12。又，其比不銹鋼板輕且容易處理。 其次，說明圖1(a)、（b)及圖2之實施形態的變形例。 本實施形態中，除矽酮彈性體層13之剪切彈性模數G，範 圍在5.0\105?3〜5.0\10叶&外，與前述實施形態之不同點 在於，依JIS R 2618所測定之矽酮彈性體層13的熱傳導 係數為〇.4W/m · K以上。又，依JIS R 2618所測定之熱傳 導係數，係對放在矽酮彈性體層1 3的試片内之電熱線施 加一定電力時，根據該電熱線上昇溫度來測定。 石夕酮彈性體層13之適當熱傳導係數，例如可藉由添加 高熱傳導性之填料於矽酮彈性體中而獲得。若石夕_彈性體 層13之熱傳導係數過低，構裝時之加熱溶焊製程等的加 熱製程可能在搬送托板11會產生溫度參差。然而，藉由 將矽酮彈性體層13之熱傳導係數設定在〇.4w/m· K以上 ，可使熱傳導性變好，而在構裝時之加熱製程於搬送托板 12 592000 11上不易發生溫度參差。 (實施例及比較例） 以下列舉實施例及比較例來對本實施形態作更詳细的 說明。 、 實^例2、比較例2之各搬送托板1丨，除碎酮彈性體 層13之物性值以外係與實施例丨及比較例丨相同。實施 例2、比較例2中，使矽酮彈性體層13之試片於頻率 10Hz下振動，藉由溫度20。(：條件下之動態黏彈性測定， 來測定出矽酮彈性體層13之剪切彈性模數G，。又依JIS R 2618測定矽酮彈性體層13之熱傳導係數。矽酮彈性體層 13^8^^^模數〇’及熱傳導係數之數值如下〇 剪切彈性模數G’〔 Pa〕 取但：r ο 熱傳導係數 〔W/m · K〕 實施例2 2.OX 1〇6 0.8 比較例2 l.o χίο7 0.3 實施例2及比較例2之各搬送托板11上，形成有和實 籲 施例1同樣的兩個第1孔14及複數個第2孔16。使FPC 基板15密合於對應搬送托板n之矽酮彈性體層1 3，進行 加熱溶焊製程。其結果，實施例2之搬送托板11，和實施 例1同樣地可正常地構裝半導體晶片，而比較例2則發生 構裝不良的情形。又，相較於比較例2，實施例2在搬送 托板11上不易產生溫度參差的情形。 本實施形態，除前述實施形態之優點外，另具備以下 優點。 13 矽_彈性體層13之剪切彈性模數G，的範圍在 i〇5Pa〜5·〇 X i〇6Pa，且矽酮彈性體層13之熱傳導係數為 〇.4W/m · K以上，依據該構成，矽酮彈性體層13之熱傳 導性良好，而能防止構裝時之加熱製程中搬送托板u上 之加熱參差。 其次’說明圖1(a)、（b)及圖2的實施形態之另一變形 例。本實施形態，除矽酮彈性體層13之剪切彈性模數 範圍在5.0X105Pa〜5.0xl〇6Pa外，與前述實施形態之不同 點在於，依JIS K 7194所測定之矽酮彈性體層丨3的體積 電阻係數為1·〇χ l〇1()Q · cm以下。又，依jis κ 7194之4 探針法，係將4支電極呈直線狀配置在矽酮彈性體層i 3 的試片上，當電流流過外側2支電極間時，根據内側2支 電極間所產生之電位差，來計算出矽酮彈性體層1 3之體 積電阻係數。 石夕酮彈性體層13之適當體積電阻係數，例如藉由添加 導電性填料於矽酮彈性體中而獲得。若矽酮彈性體層i 3 之體積電阻係數過高，在矽酮彈性體層13的表面上較容 易附著塵埃，對製程而言並不佳。然而，藉由使矽酮彈性 體層13之體積電阻係數成為1·ΟΧ1〇μΩ · cm以下，可使 矽酮彈性體層13之導電性變良好，而防止靜電所造成之 塵埃附著。 (實施例及比較例） 以下，列舉實施例及比較例來對本實施形態作更詳細 的說明。 592000 剪切彈性模數G’〔 Pa〕 體積電阻係數 〔Ω · cm〕 實施例3 3.0 X1〇6 2.OX 103 實施例4 3.0X 1〇6 1.OX 10s 比較例3 1.0X 107 1.0Χ 1016 實施例3、實施例4及比較例3之各搬送托板11，除 石夕酮彈性體層13之物性值以外係與實施例1及比較例1 相同。實施例3、實施例4、比較例3中，使矽酮彈性體 層13之試片於頻率10Hz下振動，藉由溫度20°C條件下之 動態黏彈性測定，來測定出矽酮彈性體層13之剪切彈性 模數G’。又依JIS K 7194，以4探針法測定矽酮彈性體層 13之體積電阻係數。矽酮彈性體層13之剪切彈性模數G’ 及體積電阻係數之數值如下。 _ 針對實施例3、實施例4及比較例3之各搬送托板11 ，和實施例1同樣地，使FPC基板15密合於對應矽酮彈 性體層13，進行加熱熔焊製程。其結果，實施例3、實施 例4之搬送托板11，和實施例1同樣地可正常地構裝半導 體晶片，而比較例3則發生構裝不良的情形。又，相較於 比較例3，實施例3、實施例4在搬送托板11上不易附著 塵埃。 本實施形態’除刚述實施形態之優點外，另具備以下 優點。 石夕_彈性體層13之剪切彈性模數G，的範圍在5〇χ 105Pa〜5.0Xl06Pa，且矽酮彈性體層13之體積電阻係數為 15 592000 1·0 X 101()Ω · cm，依據該構成，矽酮彈性體層13之導電 性良好，而能防止靜電所造成之塵埃附著。 以下’根據圖3(a)、（b)及圖4來說明本發明之第2實 施形態。本實施形態，係針對和圖1 (a)、（b)及圖2的實施 形態不同的部分作說明，對相同部分則賦予同一符號，並 省略其詳細說明。 如圖3 (b)所示般，矽酮彈性體層13係包含：積層於支 持體12上之第1層13a、及積層於其上方之第2層13b。 FPC基板15係密合於第2層13b。 構成第1及第2層13a、13b之矽酮彈性體，可藉由使 具有上述矽烷氧骨架之聚有機矽氧烷進行交聯而製得。 使第1層13a之試片於頻率10Hz下振動，藉由溫 2 0 C條件下之動態黏彈性測定，來測定出第1 > 13 &之 切彈性模數G’。第1層l3a之剪切彈性模數G，的範圍 3·0 X 104Pa〜5.G X lG6Pa。以相同條件進行動態黏彈性測定 所測定出之第2層13b的剪切彈性模數G，範圍在5〇χ 105Pa〜5.0Χ 106Pa。

而使矽酮彈性體 1 3與支持體12 藉由將第1層13a密合於支持體12, 層13接著於支持體12。在矽酮彈性體> 間不須使用底塗或接著劑等。 若第1層13a之剪切彈性模數Γ 果致〇過低，亦即若矽_彈 性體過軟’片材之操作性會變差。__ 乃一方面，若第 1 居 13a之剪切彈性模數G，過高，亦即 j即右矽_彈性體過硬，篦 1層13a變得不易密合於支持體12。 又，因W加於作業中 16 592000 之應力、或第1及第2孔14、16之形成，可能在支持體 12與第1層13a間會產生剝離。

若第2層13b之剪切彈性模數G，過低，由於第2層 13b與FPC基板15過於密合，要取下Fpc基板15變得困 難。另一方面，若第2層13b之剪切彈性模數G，過高，第 2層13b不易密合於FPC基板15，而使FPC基板之定位變 困難。藉由使第1層及第2層l3a、丨3b之剪切彈性模數 Gf分別位於上述範圍，第丨層13&可良好地密合於支持體 12’第2層13b可良好地密合於Fpc基板15。

第1層13a之剪切彈性模數G，比第2層13b之剪切彈 性模數G’為低。例如，當第丨層13a之剪切彈性模數g，比 第2層13b之剪切彈性模數G，為高時，第丨層13a之密合 力比第2層13b為弱。這時，將Fpc基板15從搬送托板 11剝下時，可能會將矽酮彈性體層13從支持體12剝下。 然而’當第1 | 13a之剪切彈性模數G，比第2 $ m為低 時，第1層13a之密合力變得比第2層Ub為強。因此， 將FPC基板15從搬送托板u剝下時，可防止♦酮彈性體 層13從支持體12剝離。 適當的第i及第2層13a、13b之剪切彈性模數^ 可藉由適當調整聚有機矽氧烷之種類、分子量、補強性 料等之矽酮彈性體組成與交聯度來獲得。 FPC基板15上之半導體晶片構裝製程中，溫度可能 上昇至約200〜24(TC，最近之無錯焊料的情形甚至上昇 職左右。因此，第1及第"之剪切彈⑴ 17 592000 數G’值等的物性值較佳為，就算到達這些溫度仍是有效的 〇 其次，說明使用上述構成之搬送托板11而在FPC基 板上之構裝半導體晶片之方法。又，圖4所示之構裝裝置 的載置部31之構成，係和圖2相同。本實施形態中，搬 送托板11係和圖2之實施形態同樣地配置於載置部3 1上 〇 (實施例及比較例） 實施例5及比較例4之各搬送托板11，其支持體12 為厚度0.8mm之銘板。準備出形成有厚度〇1 mm的第1 層13a之试片’並準備出形成有厚度〇 2mm之第2層13b 的試片。於溫度20°C條件下使各試片以頻率1 ohz振動， 藉由動態黏彈性測定來測定出第1及第2層13a、13b之剪 切彈性模數G，。實施例5及比較例4之第1層及第2層的 剪切彈性模數值如下所示。 矽酮彈性體層 一剪切彈性模數G，〔 Pa] 實施例5 第1層 8.3 X 1〇4 第2層 3.0 X1〇6 比較例4 第1層 —_ 6.0 X 1〇6 第2層 3.0 X1〇6 在實施例5及比較例4之各搬送托板u的既定位置， 分別密合與其對應的FPC基板15，進行加熱熔焊製程。 其結果，實施例5 +，半導體晶片能在不產生位置偏 移下進行正常的構裝。且搬送托板U可重複使用。又， 18 592000 使用後能用手將矽酮彈性體層13從支持體12剝離。 另一方面，在比較例4，在搬送托板1 1之第1孔i 4 形成時，矽酮彈性體層13會從支持體12浮起。又，在加 熱熔焊製程中矽酮彈性體層13與支持體12間會產生剝離 ’而發生構裝上的不良情形。 本實施形態具備以下的優點。 搬送托板11係支持體12、第1層13a及第2層13b 所構成之積層體。第2層13b之剪切彈性模數G»範圍在 5·0 X l〇5pa〜5.0 X 106Pa。依據該構成，利用第2層13b之 黏著性，不須使用膠帶即可將FPC基板15密合於搬送托 板11上。又，由於不使用膠帶，就算將FPC基板15從搬 送托板11上除去也不會產生殘膠。因此，作業效率佳， 且能在防止品質降低下進行FPC基板15上之半導體晶片 的構裝 第1層13a之剪切彈性模數G，範圍在3.0 Xl〇4pa〜5.〇 X 105Pa。利用第1層13a之密合力，對石夕酮彈性體層 不須使用底塗或接著劑等，即可使第i層丨3a強固地密合 於支持體12。又在搬送托板π之使用中石夕酮彈性體層u 不致從支持體12剝離，在加工第1孔14時，在加工端面 不致產生剝離。且，由於有別於採用接著劑等來接著之構 成’從支持體12剝下矽酮彈性體層13後，可予以分開廢 棄。 第1層13a之剪切彈性模數G，比第2層13b之剪切彈 性模數Gf為低。因此，第1層13a對支持體12的密合力 19 592000 、比第2層13b對FPC基板15的密合力為強，要將ρρ。 基板1 5從搬送托板11剝離時，矽酮彈性體層1 3不致從 支持體12上剝離。 在FPC基板15上構裝半導體晶片時，就算於加熱熔 焊製程等變成高溫，由於矽酮彈性體層13之耐熱性優異 ，故不易產生劣化。因此，搬送托板1 1可重複使用而具 有經濟性。

其次’根據圖5及圖6來說明本發明之第3實施形態 。又，係針對與圖3(a)、（b)及圖4的實施形態不同的部分 作說明，對相同部分則省略其詳細說明。 如圖5及圖6所示，搬送托板25係包含：在未圖示之 FPC基板上暫時固定用的帶體23，及帶體23密合於其表 面之托板本體24。帶體23係包含剪切彈性模數G，不同之 石夕_彈性體所構成之第1及第2層2 1、22。

第1及第2層21、22所含之矽酮彈性體中，在不影響 本發明所需的物性之範圍内，可添加周知的添加劑。作為 添加劑，可列舉时：熱解氧切、沉降性氧切、石英 料的氧切1藻土、碳_、碳黑、氧化、氧化鎮 、氧化鋅、氮化硼、氧化鐵等等。 “ υ，共會受到矽酮彈 ㈣料之聚有㈣氧㈣分子構造及交聯狀態的影響 柔軟性。為獲得具有適當的損耗係數ta以之石夕 可調整原料及交聯度。例如，若使用將聚有機 P分甲氧以其他官能絲代Μ线有機石夕氧院 20 ^2ϋϋϋ 減低矽酮彈性體之結晶性，而择 。 獲仔適當的損耗係數tan(j 於溫度20°C下，第】層21之剪切彈 1〇4〜5.0X1〇5Pa。較佳為 5.0Χ1 、為 3.0Χ 模數….0X1吟a為低，第二二。若剪切彈性 變困難。另φ ^ β 良知過軟而使操作 交困難3方面，右剪切彈性模數G，比3〇χι〇%言， 第1層21將不易密合於托板本體24，在 〇 半導體晶片之製程前.第丨層2 土反上構裝 第1層21可能會從托板本體24剝 離。又，剪切彈性模數G f孫莊士 吴数0係藉由和上述實施形態同樣條件 下之動態黏彈性測定來測定出。 〃 第1層21之損耗係數tan5範圍較佳為〇 15〜〇的。 若損耗係數tan5比0.15小’當第1層21密合於托板本體 24時’由於第丨層21之變形在短時間内會復原，並無法 充分地密合。另一方面，若損耗係數tan δ大於0.60,使 用中之變形增大，而無法承受重複使用。 在FpC基板上構裝半導體晶片時，當使用無鉛焊料的 情形會加熱至辑。因此，第1層21之剪切彈性模數。， 範圍，較佳為在溫度280t的條件下也能在

3·0 X 1〇4〜5·〇 X 1〇 Pa ’ 更佳為 5·0 X 1〇4〜3.0 X l〇5pa。 ^在溫度20°C的環境下，第2層22之剪切彈性模數g， 乾圍必須在5·0Χ105〜5.0X106Pa。若剪切彈性模數G，低於 5·〇Χ10 pa ’第2層22與pc基板間之接著力過高，在半 導體曰曰片構震後不易取下FPC基板。另-方面，若剪切彈 性模數G’高於5.〇Xl〇6Pa，第2層22與FPC基板間之接 21 著力不足，原先目的之FPC基板的暫時固定變得困難。 和第1層21同樣地，於溫度28〇t的環境下，第2層 22之剪切彈性模數G’範圍較佳為5·〇 X 1〇5〜5·0 X 106Pa，更 佳為 5.0 X 105〜3.0 X l〇6pa。 第1及第2層21、22，各層分別以未交聯的狀態進行 積層，再進行硫化接著。但不一定要採用此方式，只要能 以各層21、22之剪切彈性模數G，位於上述範圍内之方式 進行第1、第2層21、22之接著，則也能採用其他方法。 第1層21之厚度範圍，較佳為3〇 # m〜2〇〇 "茁，更佳 _ 為50# m〜100# m。例如，當第i層21厚度比3〇#㈤薄時 ，要貼附於托板本體24時無法獲得充分的變形量，第i 層21無法完全地密合於粍板本體24。又，當第1層η厚 度比200 ”厚時，對於半導體晶片構裝時所施加的應力 ，其變形量變得過大，而使構裝精度變低。 如圖6所示，帛i層21密合於托板本體24上，第2 層22的上面露出於表面。在第2層22上接著未圖示之 FPC基板纟FPC基板上構裝未圖示之半導體晶片。為將_ 半導體晶片構裝於FPC基板而進行加熱時，pc基板會被 第一2層22的黏著力暫時固定在搬送托板25上。又，雖未 圖不出’為將托板定位於構裝裝置之搬送部 形成銷孔。 攸工 托板本體24較佳為不_鋼或㈣所 是在構裝半導體晶片拄目很 ^ 八要 …，J 時具備咖基板補強材所需之财熱性 及強又也此採用其他素材。 22 592000 托板本體24具備凹部28，其深度和帶體23厚度大致 相同，且具有可貼合㈣23之寬度。例如，當在托板本 體24未形成凹部28而將帶體23貼合於托板本體μ表面 時’帶體23本身將在搬送托板25上形成凸部，在載置於 帶體23上之FPC基板中，除和帶體23貼合以外的部分會 和托板本體24間產生間隙。因此，托板本體⑽無法發 揮其作為補強材的機g，在構裝|導體晶片日夺將產生偏移 〇 具體而言，帶體23厚度與凹部28深度之差距X較佳 為〇m〜0.05mm。該差距x大於〇 〇5mm時，和未形成凹部 28即在托板本體24表面上貼合帶體23的情形同樣地， FPC基板與托板本冑24 fa1之空隙變λ，在構裝|導體晶片 時可能會產生偏移。 另一方面，當凹部28深度比帶體23厚度為大時，差 距X較佳為0.05mm以下，以0mm為最佳。相對於帶體 23厚度，若凹部28過深時，要將Fpc基板接著於帶體23 時，必須彎折FPC基板。因此所構裝之Fpc基板可能會從 目標位置偏移。 如圖7之變形例所示般，在托板本體24表面未形成圖 6之凹部28,而使帶體23密合亦可。若在Fpc基板26下 面、FPC基板26下面所設之突起27、托板本體24所區隔 出之收容空間内收容帶體23，就算是具有突起27之Fpc 基板26也能安定地收容帶體23，在構裝半導體晶片時可 使偏移變小。 23 592000 在搬送托板25上構裝未圖示的Fpc基板及半導體晶 片之方法，在以下作說明。首先，將帶體23之第丨層21 貼合於托板本體24上，例如使第2層22並排於搬送托板 25表面。在搬送托板25上載置Fpc基板，藉由第2層的 黏著力來固定FPC基板，進行加熱熔焊製程，以將半導體 晶片構裝於FPC基板上。藉由使Fpc基板固定於第2層 22上，可將半導體晶片以不偏移的方式構裝於既定位置。 又’也能以在FPC基板不發生殘膠的方式來進行剝離 。又’帶體23不須剝離，相較於通常的雙面膠帶，能以 更多的次數來進行再利用，當最終劣化而須剝離時，並不 致在托板本體24上產生接著劑之殘膠，而能用手剝離。 以下，列舉實施例及比較例來對上述實施形態作更詳 細的說明。剪切彈性模數G，及損耗係數un5之數值，係 使用（股）岩本製作所製分光計VHSF__ m，以溫度2〇艽、 頻率10Hz的條件進行測定。 (實施例6) 首先，在將厚l_2mm實施局部切削而構成之深〇.3mm 的搬送托板凹部，透過第1層來貼合含有第丨及第2層之 帶體。 實施例6之第丨層，係將導入苯基甲基矽烷氧單元而 成之聚甲基矽氧烧基質的聚合物、進行交聯而生成之厚 〇.lmm的層，溫度2G°C下第1層的剪切彈性模t G，為8.3 X 1〇4pa ’ 損耗係數 tan 5 為 0.28。 實施例6之第2層，係使GE東芝矽利康（股）製之 24 592000 TSE2913- U進行交聯所生成之厚G 2mm的層^溫度抓 下第2層之剪切彈性模數（3，為i 〇 χ 1〇6ρ&。 其次，在搬送托板之既定位置上載4 Fpc基板，於溫 度24(TC進行構裝半導體晶片用之加熱熔焊製帛。Fpc基 板不致產生位置偏移’能正常地將半導體晶片構裝於Fpc 基板上，構裝後取下之FPC基板沒有殘膠產生。又，帶體 至少可重複使用3G次。經3G次使用後，时可容易地從 托板本體剝離，在托板本體上沒有殘膠產生。 (比較例5) # 幸乂例5之第1層，在聚二甲基石夕氧烧基質之聚合米 進行交聯時，並不含苯基甲基♦氧貌單元，故其物性會^ 生以下的變化，此外係和實施例i進行同樣的評價。 比車又例5之第1層厚為〇. lmm，溫度t下第1層之 剪切彈性模數G，為2.〇xl〇6pa，損耗係數為Q i2。曰 進行加熱料製程時，帶體會在托板本體上產生偏彩 ，而產生構裝上的不良情形。

本實施形態具備以下的優點。 “藉由剪切彈性模數G，低之第1層，能使帶體2… ，本體24安定地密合，藉由勢切彈性模& g,高之第2層 2^可將待固uFPC基板與帶體23間之黏著力抑 暫時固定的程度。 就算為在FPC基板上構 時，仍能將半導體晶片 由於矽酮彈性體之耐熱性高， 裝半導體晶片而進行加熱熔焊製程 以不產生位置偏移的方式進行構裝 25 592000 又’由於石夕_彈性體不易劣化，相較於通常的帶體， 旎作更多次數的再利用，當最終劣化時，能用手以不產生 殘膠的方式予以剝離。 又’實施形態並不限於各實施形態，也能作以下的變 形。 如圖8所示’在FPC基板15上之對應第2孔16的位 置，分別以衝壓成形法等來形成凸部42亦可。這時，藉 由使凸部42卡合於對應之第2孔16，而將FPC基板15定 位於搬送托板11之既定位置。圖9係矽酮彈性體層丨3包鲁 含第1及第2層13a、13b的情形之圖8實施形態的變形例 〇 在FPC基板15上形成凸部42的情形，形成於搬送托 板11之卡合凸部42用者’並不限於第2孔16，也可以是 凹部。該凹部之深度，通常是貫穿矽酮彈性體層1 3而到 達支持體12之中途，當然也可以深達支持體12。 為將FPC基板15定位於搬送托板11既定位置之構成 籲 ’並不限於僅第2銷35、或僅圖8及圖9之凸部42與第 2孔16的卡合，同時使用第2銷35及凸部42兩者亦可。

這時，例如在FPC基板15使貫通孔34及凸部42各形成J 個。 圖1(a)、（b)及圖2之實施形態中，矽酮彈性體層13 - 之熱傳導係數及體積電阻係數，可在上述範圍、即熱傳導 係數0.4W/m· K以上、體積電阻係數1.〇xi〇i〇q · em以 下。適當之熱傳導係數及體積電阻係數，可藉由同時添加 26 592000 馬熱傳導性的填料及導電性填料於矽酮彈性體中來獲得。 圖1(a)、（b)及圖2之實施形態的變形例中，矽_彈性 體層13之熱傳導係數不到〇.4W/m· K亦可，但為防止構 震時之加熱製程中在搬送托板u上發生溫度參差，較佳 為熱傳導係數在〇.4W/m · K以上。 圖1(a)、（b)及圖2之實施形態的另一變形例中，石夕酮 彈性體層13之體積電阻係數超過ι·〇 X 1〇1〇Ω · cm亦可， 但為防止靜電造成之塵埃附著，較佳為體積電阻係數在 1·〇Χ101()Ω · cm 以下。 _ 圖1(a)、（b)〜圖4之各實施形態中，矽酮彈性體層13 之剪切彈性模數G’、熱傳導係數、體積電阻係數等的物性 值並不一疋要在大致200〜240°C、最近無鉛焊料的情形 之280 C左右仍保持住。例如，若加熱炼焊製程等之溫度 未達20(TC，則可保持矽_彈性體層13的物性值之溫度比 200°C為低亦可。 圖Ua)、（b)〜圖9之各實施形態中，在密合於搬送托 板11、25上之FPC基板15、％構裝半導體晶片之製程， 並不限於加熱熔焊製程。例如也可以是浸流焊接製程（波動 焊接製程）等等。 圖丨0)、（b)〜圖4之各實施形態中，以第2銷35來將 FPC基板1 5定位在搬送托板丨丨之既定位置時，並不限於 . 在搬送托板11上形成第2孔16，例如形成凹部亦可。凹 部深度’係貫穿矽酮彈性體層13而到達支持體12之中途 27 $920°° 圖1 (a)、（b)〜圖4之各實施形態中，在搬送托板n上 不形成對應於FPC基板15之複數個第2孔16或凹部亦可 ，但當形成其等時，FPC基板15可容易地定位於搬送托板 i i之既定位置。 圖1(a)、（b)〜圖4之各實施形態中，在搬送托板11不 形成對應構裝裝置的載置部31之第1孔14亦可，但當形 成第1孔14時，搬送托板11可容易地定位於構裝裝置的 載置部3 1之既定位置。 圖1(a)、（b)〜圖4之各實施形態中，支持體12並不限 於鋁板，例如可使用不銹鋼板、鎂合金板等的金屬板，環 氧含浸玻纖板、聚酯含浸玻纖板等的塑膠板。又，只要機 械強度、耐熱性、平滑性足夠，非伸縮性之支持體12也 能使用其他材料，但以前述之不銹鋼板等的金屬板、環氧 含浸玻纖板等的塑膠板為特別適合。 圖1(a)、（b)〜圖9之各實施形態中，將矽酮彈性體層 13、帶體23之第1及第2層21、22之剪切彈性模數G，調 整為適當值之方法，例如可將複數個市售的矽_化合物以 任意比例來摻合。 圖1(a)、（b)〜圖4之各實施形態中，矽_彈性體層13 與支持體12之接合法，並不限於硫化接著，例如，將交 聯後的矽酮彈性體片用矽酮系接著劑來接著於支持體Μ 亦可。 圖1(a)、⑻〜圖4之各實施形態中，在石夕綱彈性體層 13中，在不影響本發明之剪切彈性模數G，、熱傳導係數、 28 體積電阻係數等物性之範圍内 性體組成物巾之周知的添加劑 解氧化矽、沉降性氧化矽、石 碳酸鈣、碳黑、氧化鋁、氧化 鐵等等。 ，可添加以往添加於;5夕酮彈 。該等添加劑，可列舉如熱 英粉等的氧化矽，矽藻土、 鎂、氧化鋅、氮化硼、氧化 圖1⑷、⑻〜圖4之各實施形態中，密合於搬送托板 11上之FPC基板15不限於6片，可配合搬送托板n及 FPC基板15的大小來作適當的變更。例如當搬送托板Η 較大時’可密合於搬送托板u^Fpc基板15 &目變少。 又當搬送托板11較大時，可密合之FPC基板15數目變多 第2孔16之形成位置，可適當的改變至對應於Fpc基 板15的位置。 圖1(a)、（b)〜圖4之各實施形態中，第2孔16之形成 位置，並不限於一片FPC基板15之對角線上的2個角部 所對應的位置，可作適當的改變。第1孔14之形成位置 ’並不限於搬送托板Π之長邊方向兩端部，可作適當的 改變。 〔圖式簡單說明〕 (一）圖式部分 圖1(a)係本實施形態的第1實施形態之搬送托板之俯 視圖。 圖1(a)係順沿圖Ua)的1b - lb線之截面圖。 圖2係顯示圖Ub)的搬送托板作用之截面圖。 圖3(a)係第2實施形態之搬送托板之俯視圖。 29 592000 圖3(b)係順沿圖3(a)的3b - 3b線之截面圖。 圖4係顯示圖3(b)的搬送托板作用之截面圖。 圖5係第3實施形態之搬送托板之立體圖。 圖6係順沿圖5的6 - 6線之截面圖。 圖7係圖5實施形態的變形例之搬送托板的截面圖。 圖8係其他實施形態之搬送托板之部分截面圖。 圖9係其他實施形態之搬送托板之部分截面圖。 (二）元件代表符號

11、25…搬送托板 12…支持體 13…矽酮彈性體層 14…第1孔

15、 26··· FPC 基板 16· •第2孔 21· •帶體之第 1層 22· •帶體之第 2層 23· •帶體 24· •托板本體 27· •突起 28· •凹部 31· •載置部 32· •凹部 33· •第1銷 34· •貫通孔 30 592000 35…第2銷 42···凸部

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Claims (1)

1. 拾、申請專利範圍： 種FPC基板用之搬送托板，其特徵在於，| 備·· 〜 非伸縮性的支持體；及 且a於該支持體上之石夕酮彈性體，於溫度2 〇 ι使其以 頻率10Hz振動之動態黏彈性測定法所測定出之剪切彈性 模數 G 範圍在 5.〇xi〇5pa〜5.〇xi〇6pa。 2、 如申請專利範圍第丨項之搬送托板，其中，對放在 該矽酮彈性體的試片内之電熱線施加一定電力時，根據該 φ 電熱線上昇溫度所測定的矽酮彈性體之熱傳導係數為 〇_4W/m · Κ 以上。 3、 如申請專利範圍第i或第2項之搬送托板，其中， 在該石夕綱彈性體上將4支電極呈直線狀配置，當電流流過 外側2支電極間時，根據内側2支電極間所產生之電位差 所計算出之矽酮彈性體之體積電阻係數為1.〇><1〇1()Ω · 以下。 4、 如申請專利範圍第i或第2項之搬送托板，該搬送 _ 托板係具備FPC基板定位用之凹部。 5、 如申請專利範圍第1或第2項之搬送托板，該搬送 托板係載置於構裝裝置之載置部上，且該搬送托板係具備 用來定位於該載置部之孔。 ό、如申請專利範圍第1或第2項之搬送托板，其中， 該支持體係擇自不銹鋼板、鋁板、鎂合金板、環氧含浸玻 纖板及聚酯含浸玻纖板中之任一者。 32 592000 7、一種FPC基板上之半導體晶片構裝方法，其特徵 在於，係具備·· 搬送托板之準備製程，該搬送托板係具備非伸縮性的 支持體、及疊合於該支持體上之矽酮彈性體，該矽酮彈性 體，於溫度20°C使其以頻率ι〇Ηζ振動之動態黏彈性測定 法所測定出之剪切彈性模數G，範圍在5.0><i〇5Pa〜5.〇x 106Pa ； 將FPC基板密合於矽酮彈性體上之製程；以及 在FPC基板上構裝半導體晶片之製程。 8、 一種FPC基板用之搬送托板，其特徵在於，係具 備非伸縮性的支持體、疊合於支持體上之第丨層、及疊合 於第1層上之第2層； 該第1層及第2層為矽酮彈性體製，於溫度2(Γ(：使其 以頻率10Hz振動之動態黏彈性測定法所測定出之第丨層 的剪切彈性⑽G’範圍在，於溫度 2〇°C使其以頻率10Hz振動之動態黏彈性測定法所測定出 之第2層的剪切彈性模| G’範圍在mχ 1〇6pa ο 9、 如申請專利範圍第8項之搬送托板，其中，在該搬 送托板上形成FPC基板定位用之凹部。 1〇、如申請專利範圍第8或第9項之搬送托板，其中 ，該搬送托板係載置於構裝裝置之載置部上，且在該搬送 托板形成用來定位於該載置部之孔。 如申請專利範圍第8或第9項之搬送托板，其中 33 592000 ，該支持體係擇自不銹鋼板、鋁板、鎂合金板、環氧含浸 玻纖板及聚酯含浸玻纖板中之任一者。 12、一種FPC基板上之半導體晶片構裝方法，其特徵 在於，係具備： ”$ 搬送托板之準備製程，該搬送托板係具備非伸縮性的 支持體、疊合於支持體上之第丨層、及疊合於第丨層上之 第2層；該第1層及第2層為矽酮彈性體製，於溫度川。[ 使其以頻率10Hz振動之動態黏彈性測定法所測定出之第i 層的剪切彈性模數G，範圍在3.0X104Pa〜5e0xl〇6Pa，於溫 度20°C使其以頻率l〇Hz振動之動態黏彈性測定法所測定 出之第2層的剪切彈性模數G，範圍在5.OXi〇5Pa〜5〇>< 106Pa ； 將FPC基板密合於該第2層上之製程；以及 密合後，在FPC基板上構裝半導體晶片之製程。 13、一種暫時固定用帶體，其特徵在於，係用來暫時 固定FPC基板之帶體，其具備石夕酮彈性體製之第1層及第 2層； 於溫度20°C使其以頻率10Hz振動之動態黏彈性測定 法所測定出之第1層的剪切彈性模數Gf範圍在3.0 X 104卩&〜5.0父105?&，且該第1層的損耗係數(^11(5)範圍在 0.15〜0·60 ; 於溫度20°C使其以頻率10Hz振動之動態黏彈性測定 法所測定出之第2層的剪切彈性模數G，範圍在5.0 X 105Pa〜5.0X 106Pa。 34 592000 14、 如申請專利範圍第13項之暫時固定用帶體，其中 ’該第1層的厚度範圍在30 // m〜200 // m。 15、 一種FPC基板用之搬送托板，其特徵在於，係具 備暫時固定用帶體及托板本體； 該暫時固定用帶體，係用來暫時固定FPC基板之帶體 ，其具備矽酮彈性體製之第1層及第2層；於溫度2〇〇c使 其以頻率10Hz振動之動態黏彈性測定法所測定出之第i 層的剪切彈性模數G，範圍在3e〇Xl〇4Pa〜5〇><1〇5Pa，且該 第1層的損耗係數（tan 5 )範圍在〇·15〜0.60 ;於溫度20°C 使其以頻率10Hz振動之動態黏彈性測定法所測定出之第2 層的剪切彈性模數G，範圍在5 〇><l〇5pa〜5.〇><1〇6pa ; 且該第1層係密合於該托板本體的表面。 16、 如申請專利範圍第15項之搬送托板，其中，該托 板本體具有凹部，該第1層係密合於凹部，且凹部深度與 暫時固定用帶體的厚度間之差距範圍在〇mm〜0.05mm。 拾壹、圓式： 如次頁 35