TW591564B - Display device - Google Patents

Display device Download PDF

Info

Publication number
TW591564B
TW591564B TW092107583A TW92107583A TW591564B TW 591564 B TW591564 B TW 591564B TW 092107583 A TW092107583 A TW 092107583A TW 92107583 A TW92107583 A TW 92107583A TW 591564 B TW591564 B TW 591564B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
organic
driving
display device
light
Prior art date
Application number
TW092107583A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200307228A (en
Inventor
Shoichiro Matsumoto
Katsuya Anzai
Original Assignee
Sanyo Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co filed Critical Sanyo Electric Co
Publication of TW200307228A publication Critical patent/TW200307228A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TW591564B publication Critical patent/TW591564B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0404—Matrix technologies
    • G09G2300/0417—Special arrangements specific to the use of low carrier mobility technology
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439—Pixel structures
    • G09G2300/0465—Improved aperture ratio, e.g. by size reduction of the pixel circuit, e.g. for improving the pixel density or the maximum displayable luminance or brightness
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0814—Several active elements per pixel in active matrix panels used for selection purposes, e.g. logical AND for partial update
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0819—Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
    • G09G2310/0254—Control of polarity reversal in general, other than for liquid crystal displays
    • G09G2310/0256—Control of polarity reversal in general, other than for liquid crystal displays with the purpose of reversing the voltage across a light emitting or modulating element within a pixel
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

591564 五、發明說明（l) ' 一~ -— [發明所屬/之技術領域] 本务明係關於顯示裝置，特別係關於電場發光顯示裝 置。 [先前技術] 用電場發光（Electro Luminescence:以 下、稱之為Γρτ 、-从 EL」）兀件之EL顯示裝置，可取代傳統之 C R T、L C D頻示矣 $ # & # υτ — μ 衣置而備文矚目，其中例如：具備做為驅動 該EL兀件之開M - /iL > # 關凡件之缚膜電晶體（Th i n F i 1 m Transistor: VJ ^ ^ ^ ^ r a介姓婷、# ^ 乂下稱之為 TFT」）之EL顯示裝置的研究開 發亦持縯進行巾。
第9圖為顯一 > pT 1 _ r u Γ不有機EL顯示裝置的像素部之平面圖，第 1 U圖I a )马顯示VL益楚^ eg + ^n /Q者弟9圖之A-A線之剖面圖，第1〇圖（b)為 捧頁不，/口者弟9圖之β_Β線之剖面圖。 如第9圖遍笙，^回&一 七FI ΛΛ /、弟1 0圖所不，閘極訊號線5 1與汲極訊號線 二圍的7員域形成有像素部115,各像素部115配置成矩 一 f該像素部115中配置：本身為自發光元件之有機EL 兀件〇，控制提供電流給該有機EL元件60的時間（timing) 之開關用TFT30 ;提供電流給該有機EL元件6〇之驅動用 TFT40，以及保持電容。此外，有機EL元件60係由：陽極 層6卜由發光材料所形成之發光元件層、以及陰極層6已所 構成。 亦即’在兩訊號線5 1，5 2的交點附近具備有作為開關 用TFT之第一 TFT30,該TFT30的源極33s兼作為電容電極55
314585.ptd 第6頁 591564 五、發明說明（2) 〜- 以在其與保持電容電極線5 4之間形成電容，並且連接於作
為EL兀件驅動用TFT之第二TFT40的閘極電極41，第二TFT 的源極43s連接於有機EL元件60的陽極層6 1，另一側的汲 極43d則連接於作為將電流提供給有機EL元件60之電流源 之驅動電源線5 3。 此外’保持電容電極線5 4係與閘極訊號線5 1並行配 f 1該保持電容電極線54係由鉻等所形成’其係隔著閘極 =，I2在其與和TFT的源極33s連接之電容電極55之間蓄 =二I!成電容（保持電$ )。言史置此保持電容的目的： 乐用乂保持施加在第二TFT4〇的閘極電極41之電壓。 月匕所^ 1G圖所示，有機職示裝置係在由玻璃或合成樹 才I ι〇ί依i ί板或具有導電性 < 基板或半導體基板等的基 呈古道^層積形成TFT以及有機以元件而成。但，使用 ^板1 性之基板或半導體基板做為基板1 0時，係先在， ίο上形成Si〇烕SiN等的絕緣膜後再形成第一、第二" 膜：於及/^EL元件。兩TFT均為，問極電極隔介間極‘緣 膜位於主動層上方之所謂的頂閘型構造。 百先，說明有關作為開關用TFT之第一 TFT3〇。 成之ΐΐ 圖（a)所示，在由石英玻璃、無鹼玻璃等所構 f性基板10上’利用CVD法等進行非晶石夕膜（以下、 柄之為a-Si膜」）的成膜，對該a_Si膜照射 溶融再結晶化而形成多晶石夕膜(以下、稱之：田「：上使其 T」 )’並以此多晶石夕膜做為主動層33。在該主‘層133之 ，>成Sl0骐、Si職的單層或疊層体以做為閘極絕緣膜
314585.ptd 第7頁 591564 五、發明說明（3) 1 2。此外在閘極絕緣膜1 2上方係具備：由鉻（Cr )、鉬（Mo) 等的高熔點金屬所形成之兼作為閘極電極3 1之閘極訊號線 5 1以及由鋁（A 1 )所形成之汲極訊號線5 2，並配置有作為有 機EL元件的驅動電源之由A 1所形成之驅動電源線5 3。 此外，在閘極絕緣膜1 2與主動層3 3上的全面，形成依 序層積S i 0媒、S i N膜以及S i 0膜而成之層間絕緣膜1 5，並 設置在對應於汲極3 3 d而設之接觸孔中填充A 1等金屬而形 成之沒極電極3 6，此外在全面形成由有機樹脂所形成之使 表面平坦之平坦化絕緣膜1 7。 接著，說明作為有機EL元件的驅動用TFT之第二 TFT40。如第10圖（b)所示，在由石英玻璃、無鹼玻璃等所 構成之絕緣性基板1 0上依序形成：對a-S i膜照射雷射光使 之多結晶化而成之主動層4 3、閘極絕緣膜1 2、以及由C r、 Mo等的高熔點金屬所形成之閘極電極4 1，在該主動層4 1設 置：通道4 3 c，以及設於該通道4 3 c的兩側之源極4 3 s與汲 極4 3 d。此外，在閘極絕緣膜1 2與主動層4 3上的全面，形 成依序層積S i 0媒、S i N膜以及S i 0媒而成之層間絕緣膜 1 5，並配置在對應於汲極4 3 d而設之接觸孔中填充A 1等金 屬而與驅動電源連接之驅動電源線5 3。再在全面具備例如 由有機樹脂所形成之使表面平坦之平坦化絕緣膜1 7。然 後，在該平坦化絕緣膜1 7之對應於源極4 3 s的位置形成接 觸孔，再將透過該接觸孔與源極4 3 s接觸之由氧化銦錫 (I T 0， I n d i u m T i η 0 X i d e )所形成之透明電極，亦即將有 機EL元件的陽極層6 1設於平坦化絕緣膜1 7上。該陽極層6 1
314585.ptd 第8頁 591564 五、發明說明（4) 係呈島狀分離形成於各像素部。 有機EL元件6 0，其一般的構造為依序層積形成：由 I T 0等的透明電極所形成之陽極層6 1、由 MTDATAC4,4-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl ;中文名：4, 4-雙（3-甲基苯基苯胺基）聯苯）所形成之第 一電洞輸送層、由 TPD(4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenyl amine;中文名：4, 4, 4-參（3-甲基苯基苯胺基）三苯胺所 形成之第二電洞輸出層所形成之電洞輸送層62、由包含喹 吖酮（Quinacr idone)衍生物之
Bebq2(10-benzo[h]quinolinol berryllum complex;中 文名：1 0 -苯并〔h〕喹啉酚鈹錯合物）所形成之發光層 63，以及由Be bq 2所形成之電子輸送層64、由鎂銦合金或 鋁、或鋁合金所形成之陰極層6 5而成之構成。 有機E L元件6 0，係在發光層的内部使從陽極層6 1注入 之電洞與從陰極層6 5注入之電子再結合，以激發形成發光 層之有機分子而產生激發子。該激發子於放射鈍化的過程 中從發光層放射光，該光從透明的陽極層6 1透過透明絕緣 基板放射至外部而發光。上述之技術記載於例如特開平 1 1 - 2 8 3 1 8 2號公報中。 在上述之有機EL顯不裝置中，陰極層65係以覆蓋像素 部1 1 5全體之方式配置。第11圖為顯示有機EL顯示裝置的 一畫素部的配置之圖。像素部2 〇 〇係由：包含有機EL元件 之發光部201、包含TFT之電路部2〇2所構成。此外，有機
314585.ptd
591564
二元容件]的陰極層Π’係配置於像素部20。的全雜。 之技彳楚^題 ^ 如上所述傳統之有機EL顯示裝置 等的配線材料，僅做為陰極層來使用 配線。 使用於陰極層之鋁 而不使用於其他的 降低，將導 邊驅動電路 積增大的問 本發明 其他的配線 低以及周邊 線、電源線 亦即， 各像素部具 電場發光元 之驅動電晶 極層相同的 前述陰極層 此外， 素部及驅動 素部具備包 在像素部配設新的 致有機el顯示裝置 部配設新的訊號線 題。 益術手 係藉由對陰極層進 層，而能夠以不造 驅動電路部的佔有 本發 備包 件之 體之 層形 以外 本發 前述 含有 明之特 含有在 發光部 電路部 成，且 的配線 明之其 複數之 在陽極 徵構成 陽極層 、及包 之顯不 與前述 之配線 他的特 像素部 層與陰 的亮度的降低。此外，在周 或電源線時，將導致佔有面 行圖案式分割而將之使用於 成有機EL顯示裝置的亮度降 面積增加的方式增設訊^ 為，在具有複數個像素部， 與陰極層之間具有發光層之 含有驅動前述電場發光元件 裝置中，具有：以與前述陰 陰極層電性絕緣，並使用： 層。 、 徵構成為，在具有複數個像 之周邊驅動電路部，且各像 極層之間具有發光層之電場
•Ptd 第10頁 oyl564
罘i圖馮 ^ . · 只冗π態之有機EL顯示萝罢从 部的配置（layout)例之概略圖。如第 、置的- 係由：包含有機EL元件之發光部2〇1、及):：像 用TFT及驅動用TFT之電路部202所構成。實p
EL顯示裝置，•由配置成矩陣狀之複數個 像^的有 所構成。 、诼f邛2(
此外，陰極層C 1係配置於發光部2 〇丨上，且僅使 有機EL元件的陰極層。配線層C2係由與陰極層ci相同户 (亦即，相同的配線材料）所構成，其係以與陰極層〇1電^ 絕緣的方式與陰極層C1分割，而與陰極層C1鄰接而配置友 電路部2 0 2上。為了避免造成開口率降低的影冑，陰極層 C1與配線層C2的分割位£，以在電路部2()2的上部為佳。曰 但，陰極層C1與配線層C2間的配置關係，並不侷限於 第1圖（a)所示之構成。例如：如第丨圖（b)所示，陰極岸c 與配線層C2的分割位置，在發光部2〇1之上亦可。此外曰， 如第^所示，陰極層C1與配線層C2的分割位置’在發 光部2〇m、電路部2 0 2的交界亦可。“卜陰極層C1，以 有的部=:—定都必須在發光部201上。相同地，配線 層C 2，其所有的部分亦不須全在電路部2 〇 2上。
314585.ptd 第11頁 591564 五、發明說明（7) ----- 以下，參照圖式詳細說明有機EL元件裝置的 置。 第2圖為有機EL顯示裝置的一像素部的配置 在該例中，與陰極層C1分割之配線層，係做為反向：壓用 的電源配線層來使用。 圖中顯示，包含像素選擇用TFTn〇、有機叽元件驅動 用TFT100:以及有機EL元件12〇，且形成於第n列的閘極訊 號線5 0與第m列的汲極訊號線7 〇的交叉點附近的像素部。 但實際上係有複數個像素部排列成矩陣狀。 提供閘極訊號Gn之閘極訊號線5〇，與提供汲極訊號亦 即視頻訊號Dm之汲極訊號線7〇相互交叉。兩訊號線的交又 點附近，配置有：有機EL元件12〇、驅動該有機EL元件12〇 之有機EL元件驅動用TFT 100、以及用以選擇該像素部之 素選擇用TFT110。 驅動電源1 0 5連接於有機EL元件驅動用TFT丨〇 〇的源極 100s，並由該驅動電源105提供正的驅動電壓pvdd。此 外，汲極100d連接於有機EL元件12〇的陽極121。 此外，閘極訊號線5 0與像素選擇用TFT丨i 〇的閘極連 接，藉此而得以提供閘極訊號G n，汲極訊號線7 〇與汲極 110d連接，藉此而得以提供視頻訊號Dm。TFTU〇的源極 1 1 Os ’連接於TFT 1 00的閘極。在此，閘極訊號Gn由未顯 不於圖中之閘極驅動器電路輸出。而視頻訊號Dm則由未顯 示於圖中之汲極驅動器電路輸出。 此外’有機E L元件1 2 0係由：陽極1 2 1、陰極1 2 2、形
314585.ptd 第12頁 591564
五、發明說明（8) 成於該陽極121與陰極122間之未顯示於 所構成。陰極122,與陰極層C1形成一 ΰ中之、务光元件層 顯示於圖中之負電源。 亚連接於未 此外，TFT10 0的閘極與保持電容13〇連接。 持電容130的其中一電極連接於閘極，而 + / I7，保 於TFT131。保持電容130的設置係為了保持對】連接 唬Dm之電荷，而得以在i圖場（f ield) 、4矾 視頻訊號Dm。 保持像素部的 TFT131係用於對有機El元件120施加反向偏壓， 回復其亮度特性之TFT，TFT131係連接於有機EL元件12〇的 陽極121與負電源配線層C3之間。TFT131的源極Uis，係 透過接點1 3 2連接於負電源配線層c 3。T F T 1 3 1的閘極，則 連接於開關控制用訊號線1 3 3。 ' 以下’說明上述構成之EL顯示裝置的動作。閘極訊號 Gη在一個水平期間成為高準位時，TFT 110即導通（on)。如 此，汲極訊號線7 0的視頻訊號Dm即通過TFT110，而施加於 TFT10 0的閘極。按照閘極接受的視頻訊號Dm，第一 TFT100 的電導（conductance )產生變化，回應該變化之驅動電流 流通於驅動電源1 05、TFT 1 00、有機EL元件1 20、陰極層C1 的路徑。藉此，有機EL元件1 20得以發光。 此外，有機EL元件1 2 0的亮度會隨著時間而劣化，但 藉由使反向偏壓用TFT 131導通（ON)，由負電源配線層C3施 加反向偏壓給有機EL元件1 2 0，藉此即可回復其亮度特 性。為了施加反向偏壓給有機E L元件1 2 0，負電源配線層
314585.ptd 第13頁 591564
C 3的電位需為比陰極層c丨低之電位。 第3圖為有機el顯示裝置的一像素部的其他配置電路 圖。在該例中，與陰極層C1分割之配線層，係做為放電用 的電源配線層C4來使用。圖中，在有機EL元件12〇的陽極 1 2 1 /、放黾用黾源配線層c 4之間設置放電用τ ρ τ 1 3 4。 TFT 1 34的閘極係與開關控制用訊號線 源配線層C 4，係、與陰極層C i相鄰接且與3:連二放缘'用二 一 有機EL元件120之陽極121中殘留有電荷時，有機EL顯 示裝置會出現殘像。因此，為進行該電荷的放電，而設有 放電用T F T 1 3 4、電源配線層C 4。電源配線層c 4的電位可以 是與陰極層C 1相同之電位或不同之電位。 第4圖為有機EL顯示裝置的一像素部的其他配置電路 圖。在該例中，與陰極層C1分割之配線層，係做為重設 (r e s e t)用的電源配線層C 5來使用。圖中，在像素選擇用 TFT的110與有機EL元件驅動用TFT 100之間，設有耦合電容 138，透過該耗合電容138將視頻訊號Dm提供給有機EL元件 驅動用TFT 1 00的閘極。 此外，有機EL元件驅動用TFT 1 00的閘極與重設用電源 配線層C5之間連接有重設用TFT 139。重設用TFT 139的閘極 則與開關控制用的訊號線1 4 3連接。重設用電源配線層 C5，係與陰極層C1相鄰接且與之電性絕緣。 設置重設用TFT1 39、電源配線層C5的原因如下。有機 EL驅動用TFT100的閾值Vt與有機EL元件120的閾值Ft因有
314585.ptd 第14頁 591564 五、發明說明（ίο) 製造上的品質不均，故即使施加相同的視頻訊號Dm，流通 於有機EL驅動用TFT1 00的電流亦會產生不均的現象。 因此’在施加視頻訊號Dm前的時間點，將有機el驅動 用TFT 10 0的電位重設為（vt+ vFt)，藉此施加相同的視頻 訊號Dm，即可有相同的電流流動。（v t+ VF t )的值，係以 預先透過監視所得之值為該數值。因此，電源配線層 電位設定為（V t+ V F t )。 第5圖為顯示有機EL顯示裝置的複數個像素部之其他 的配置圖。此外，第6圖為第5圖之各像素部2〇〇的等二電 路圖。此外，在第5圖、第6圖中，與第细、第2圖相同構 成之部分標示相同之符號。 在該例中，與有機EL元件i 20的陰極層2〇4分割之配線 層，係做為提供正驅動電壓pvdd給有機EL元件12〇之pvdd 線2 0 3來使用。亦即，pvd. 2〇3,係兼用陰極層2〇4的材 料（例如··鋁）來進行配線。 、如第5圖所示，像素部2〇〇係配置成矩陣狀而構成顯示 領域。此外，陰極層2〇4係延伸於配置在列方向的多數像 素邰2 0 y的發光部2 〇 1上，且圖中係連結於左端部但整體
而Ϊ 形成梳子形狀。此外，發光部201係形成有機EL 元件1 2 0之部分。 PVdd線2 0 3，係延伸於配置在列方向的多數像 素部20 0的電路部2〇2上，且圖中係連結 同梳子形狀。此外，電路部2〇2,係形成有機EL 兀件驅動用TFT100、像素選擇用TFTu〇、保持電容"Ο之
314585.ptd
第15頁 591564 五、發明說明（11) 部分。此外，上述形成梳子形狀之陰極層2 0 4與PVdd線203 係在上述顯不領威中以相互咬合之狀鄰接配置。 根據上述構造’能夠以不使像素部2 〇 〇之開口率降低 白式’並實現用以對有機EL元件1 20供給電源之PVdd線 2 〇 3之高密度配線。 個像ΐ:::圖顔所'V在有機_示裝置3〇〇中，由複數 素部供給資料訊;:二：=01的周邊，係配置有：對各像 素部供給閘極訊號Gn之二f驅動器電路3〇2;以及對各像 動電路部之訊號線盥電二亟驅動器電路3 0 3。該等周邊驅 層形成。適用對象/，、σ /原、線’亦可利用與陰極層c 1相同的 極驅動器電路3 0 3供為例如對汲極驅動器電路3 0 2及閘 可為對汲極驅動哭^源之電源線3 04、3 0 5。此外，亦 訊號線3 0 6、及對問極^ Z供給汲極驅動訊號之汲極驅動 閘極驅動訊號線3 〇 7。驅動器電路3 0 3供給閘極驅動訊號之 藉此，如第7圖所八 閑極驅動器電路3 〇 3上不’由於可在汲極驅動器電路3 0 2及 增加周邊驅動電路部、重®配置該等配線，因此能夠以不 線。 的佔有面積之方式增設訊號線或電源 第8圖係像素部與周、真 像素部中，顯示了有' 义驅動電路部之部分剖面圖。於 動電路部中顯示7 機EL元件及驅動用TFT，而於周邊驅 驗破璃等所形成、、、°像素部，係於：由石英玻璃、無 緣性基板2 1 0上，分—、坡續、以及無鹼玻璃等所形成之絕 ^成··對a-Si膜照射雷射光使之多
第16頁 591564 五、發明說明（12) 結晶化的主動層2 1 1 ;閘極絕緣膜2 1 2 ;以及由Cr、Mo等高 融點金屬所形成之閘極電極2 1 3，而在該主動層2 1 1上，設 有通道、及位於該通道兩側之源極2 1 1 s及汲極2 1 1 d。 然後，於閘極絕緣膜2 1 2及主動層2 1 1上之全面，形成 依照S i 0骐、S i N膜及S i 0骐之順序層積而成之層間絕緣膜 2 1 4。此外’再在配置於對應汲極2 1 1 d而設之接觸孔中填 充A 1專金屬而與驅動電源p v d d連接之驅動用電源線2 1 5 (沒 極電極）。另外，具備有全面由例如有機樹脂形成，使表 面平坦之第一平坦化絕緣膜2 1 6。然後，於該平坦化絕緣 膜2 1 6之對應於源極2 1 1 s的位置形成接觸孔，再於第一平 坦化絕緣膜2 1 6上設置透過該接觸孔與源極電極2丨7接觸之 由I T⑽成之透明電極，亦即有機EL元件之陽極層2丨8。該 陽極層21 8係呈島狀分離形成於每一像素部。 —接著形成第二平坦化絕緣膜2丨9，而在陽極層2丨8上係 將第二平坦化絕緣膜2丨9除去。有機EL元件，係依照：陽 極層218、電洞輸送層22〇、發光層221、電子輸送層222、 陰極層2 2 3之順序層積形成。 ,、f 一方面’周邊驅動電路部中，在層間絕緣膜2 1 4上 形成第一配線層2 3 0。該第一配線層2 3 0，係與像素部的電 源線2 1 5、源極電極2 1 7為同一層。在第一配線層2 3 0的下 層’存在有層間絕緣膜2 1 4、閘極絕緣膜2 1 2，但對於配線 領域而言該膜的存在並非必要，可以將其去除。 ^ 此外’在第二平坦化膜2 1 9上形成第二配線層2 3 1。該 第一配線層2 3 1，係與像素部的陰極層2 2 3為同一層。第二
314585.ptd 第17頁 591564 五、發明說明（13) 配線層2 3 1，如上所述，可利用作為：用以提供電源予汲 極驅動器電路3 0 2以及閘極驅動器電路3 0 3之電源線3 0 4、 3 0 5，用以提供汲極驅動訊號予汲極驅動器電路3 0 2之汲極 驅動訊號線3 0 6，用以提供閘極驅動訊號予閘極驅動器電 路3 0 3之閘極驅動訊號線3 0 7等。 第二配線層2 3 1，其下層，因設有第一平坦化絕緣膜 2 1 6與第二平坦化絕緣膜2 1 9，故其寄生電容，比下層之第 一配線層2 3 0的寄生電容小。因而可實現高速化、低消費 電力4匕。 發明之功效 根據本發明之顯示裝置，分割像素部的陰極層以做為 配線材料，並將其使用於訊號線或電源線，藉此即能夠以 不使開口率降低的方式增設訊號線或電源線。 此外，在周邊驅動電路部中，分割像素部的陰極層以 做為配線材料，並將其使用於訊號線或電源線，藉此即能 夠以不增加佔有面積的方式增設訊號線或電源線。此外， 因可減少採上述作法之訊號線或電源線之寄生電容，因而 可實現高速化、低消費電力化。
314585.ptd 第18頁 591564 圖式簡單說明 [圖式簡單說明] 第1圖（a)至（c)為顯示本發明實施形態之有機EL顯示 裝置之一像素部的配置之概略圖。 第2圖為顯示本發明實施形態之有機EL顯示裝置之一 像素部的配置電路圖。 第3圖為顯示本發明實施形態之有機EL顯示裝置之一 像素部的其他的配置電路圖。 第4圖為顯示本發明實施形態之有機EL顯示裝置之一 像素部的其他的配置電路圖。 第5圖為顯示本發明實施形態之有機EL顯示裝置的其 他的配置圖。 第6圖為顯示本發明實施形態之有機EL顯示裝置之像 素部之等效電路圖。 第7圖為顯示本發明實施形態之有機EL顯示裝置之全 體配置圖。 第8圖為顯示本發明實施形態之有機EL顯示裝置之像 素部與周邊驅動電路部的部分剖面圖。 第9圖為顯示有機EL顯示裝置之像素部之平面圖。 第1 0圖為顯示有機EL顯示裝置之像素部之剖面圖。 第1 1圖為顯示傳統之有機E L顯示裝置之一像素部的配 置之圖。 10 基板 12 閘極絕緣膜 15 層間絕緣膜 17 平坦化絕緣膜
314585.ptd 第19頁 591564 圖式簡單說明 30, 40 TFT(薄 膜 電 晶體 ) 33, 43 主 動 層 33d ，43d 汲 極 33s,43s 源 極 31， 41 閘 極 電 極 36 汲 極 電 極 43c 通 道 5 0,51 閘 極 訊 號 線 52, 70 汲 極 訊 號 線 53 驅 動 電 源 線 54 保 持 電 容 電 極線 55 電 容 電 極 60 有 機 EL元 件 61 陽 極 層 62 電 洞 送 層 63 發 光 層 64 電 子 送 層 65 陰 極 層 100 有 機 EL元 件 驅動 用 TFT 105 驅 動 電 源 110 像 素 選 擇 用 TFT 110 s 源 極 115, 200 像 素 部 120 有 機 EL元 件 121 陽 極 122 陰 極 130 保 持 電 容 131 反 向 偏 壓 用 TFT 131s 源 極 132 接 點 133 ，137, 143 開 關 控 制 用 訊號線 134 放 電 用 TFT 138 耦 合 電 容 139 重 設 用 TFT 201 發 光 部 202 電 路 部 203 PVdd 線 204 陰 極 層 210 絕 緣 性 基 板 211 主 動 層 21 Id 汲 極 211 s 源 極 212 閘 極 絕 緣 膜 213 閘 極 電 極 214 層 間 絕 緣 膜
314585.ptd 第20頁 591564 圖式簡單說明 215 驅 動 用 電 源 線 216 第 一 平 坦 化 絕 緣 膜 217 源 極 電 極 218 陽 極 層 219 第 二 平 坦 化 絕 緣 膜 220 電 洞 送 層 221 發 光 層 222 電 子 送 層 223 陰 極 層 230 第 一 配 線 層 231 第 -~ 配 線 層 300 有 機 EL顯 示 裝 置 301 顯 示 領 域 302 汲 極 馬區 動 器 電 路 303 閘 極 馬區 動 器 電 路 304, 305 電 源 線 306 汲 極 驅 動 訊 號 線 307 閘 極 馬區 動 訊 號 線 C1 陰 極 層 C2 酉己 線 層 C3 反 向 偏 壓 用 電 源 配線層 C4 放 電 用 電 源 配 線 層 C5 重 設 用 電 源 配 線 層 Dm 視 頻 訊 號 Gn 閘 極 訊 號 PVdd 驅 動 電 壓
314585.ptd 第21頁

Claims (1)

  1. 591564 六、申請專利範圍 1. 一種顯示裝置，具有複數個像素部，各像素部具備： 包含有在陽極層與陰極層之間具有發光層之電場發光 元件之發光部；及包含有驅動前述電場發光元件之驅 動電晶體之電路部， 其特徵為具有··以與前述陰極層相同的層形成， 且與前述陰極層電性絕緣，並使用於前述陰極層以外 的配線之配線層。 2. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中，前述陰極層 配置於前述發光部上，前述配線層與前述陰極層鄰接 而配置。 3. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中，前述配線層 係使用於電源配線層或訊號配線層。 4. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中，前述配線層 係使用於提供驅動電壓給前述電場發光元件之配線。 5. —種顯示裝置，具有複數個像素部、及驅動前述複數 個像素部之周邊驅動電路，各像素部係具備：包含有 在陽極層與陰極層之間具有發光層之電場發光元件之 發光部；及包含有驅動前述電場發光元件之驅動電晶 體之電路部， 其特徵為具有：以與前述陰極層相同的層形成， 且與前述陰極層電性絕緣，並使用於前述周邊驅動電 路部之配線之配線層。 6. 如申請專利範圍第5項之顯示裝置，其中，前述配線層 係使用於前述周邊驅動電路部的電源配線層或訊號配
    314585.ptd 第22頁 591564 六、申請專利範圍 線層。 画 Kill 第23頁 314585.ptd
TW092107583A 2002-04-24 2003-04-03 Display device TW591564B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002122149 2002-04-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200307228A TW200307228A (en) 2003-12-01
TW591564B true TW591564B (en) 2004-06-11

Family

ID=29267432

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW092107583A TW591564B (en) 2002-04-24 2003-04-03 Display device

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6828723B2 (zh)
JP (1) JP2004004797A (zh)
KR (1) KR100560026B1 (zh)
CN (1) CN1250052C (zh)
TW (1) TW591564B (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW594617B (en) * 2002-03-13 2004-06-21 Sanyo Electric Co Organic EL display panel and method for making the same
KR100531294B1 (ko) * 2003-06-23 2005-11-28 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법
US7027044B2 (en) * 2004-02-20 2006-04-11 Au Optronics Corporation Power line arrangement for electroluminescence display devices
KR100581903B1 (ko) 2004-03-09 2006-05-22 삼성에스디아이 주식회사 전계 발광 디스플레이 장치
KR100698697B1 (ko) * 2004-12-09 2007-03-23 삼성에스디아이 주식회사 발광표시장치 및 그의 제조방법
US7485967B2 (en) * 2005-03-10 2009-02-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device with via hole for electric connection
KR100683766B1 (ko) 2005-03-30 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
TW200703216A (en) * 2005-07-12 2007-01-16 Sanyo Electric Co Electroluminescense display device
JP5011680B2 (ja) * 2005-08-30 2012-08-29 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器
JP4661557B2 (ja) * 2005-11-30 2011-03-30 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP2007286081A (ja) * 2006-04-12 2007-11-01 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
KR101924605B1 (ko) * 2011-12-16 2018-12-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
CN102956197B (zh) * 2012-10-26 2015-07-01 上海大学 硅基有机发光二极管微显示器电流脉宽调制驱动电路
KR20150032071A (ko) * 2013-09-17 2015-03-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 구비한 유기 발광 표시 장치
TWI681559B (zh) * 2013-10-10 2020-01-01 日商精工愛普生股份有限公司 發光裝置及包含其之電子機器
US10140924B2 (en) * 2014-11-04 2018-11-27 Sony Corporation Display device, method for driving display device, and electronic device
KR102579307B1 (ko) * 2014-12-31 2023-09-15 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN105742312B (zh) * 2014-12-31 2019-02-12 乐金显示有限公司 有机发光显示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW364275B (en) * 1996-03-12 1999-07-11 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device
JP3999837B2 (ja) * 1997-02-10 2007-10-31 Ｔｄｋ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JPH11283182A (ja) 1998-03-31 1999-10-15 Sony Corp ナビゲーション装置
JP3595718B2 (ja) * 1999-03-15 2004-12-02 株式会社東芝 表示素子およびその製造方法
JP3815269B2 (ja) * 2000-07-07 2006-08-30 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示体及びその製造方法、孔開き基板、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP2002318556A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Toshiba Corp アクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR100560026B1 (ko) 2006-03-15
TW200307228A (en) 2003-12-01
JP2004004797A (ja) 2004-01-08
CN1250052C (zh) 2006-04-05
US20040017149A1 (en) 2004-01-29
KR20030084662A (ko) 2003-11-01
US6828723B2 (en) 2004-12-07
CN1453759A (zh) 2003-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW591564B (en) Display device
KR100527029B1 (ko) 일렉트로 루미네센스 표시 장치
US10916611B2 (en) Organic light emitting display device and fabricating method thereof
US9520455B2 (en) Organic light emitting display and method of fabricating the same
US7248236B2 (en) Organic light emitting diode display having shield electrodes
TW435053B (en) Electroluminescence display device
JPH11231805A (ja) 表示装置
US20130320314A1 (en) Organic light emitting diode display
JP2000221903A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2003330387A (ja) 表示装置
US9245480B2 (en) Organic light emitting diode display with vertical compensation control line formed in parallel with the data line
TW201103142A (en) Organic light emitting display device and fabricating method thereof
JP4449116B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法と表示装置
JP2000214800A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
KR20110111746A (ko) 유기 발광 표시 장치
US8841832B2 (en) Organic light emitting diode display having improved strength by preventing the exfoliation of a sealant
JP2000276078A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2003223120A (ja) 半導体表示装置
JPH11212493A (ja) 発光表示装置
KR100582132B1 (ko) 표시 장치
WO2019184693A1 (zh) 阵列基板及其制备方法、阵列基板的修复方法、显示装置
JP2001134214A (ja) 表示装置
KR20100128794A (ko) 유기전계발광 표시장치와 그 제조방법
JP2000172199A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
US20060197440A1 (en) Organic EL display and method of manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees