TW590854B - Chemical mechanical polishing pad having holes and/or grooves - Google Patents
Chemical mechanical polishing pad having holes and/or grooves Download PDFInfo
- Publication number
- TW590854B TW590854B TW090125419A TW90125419A TW590854B TW 590854 B TW590854 B TW 590854B TW 090125419 A TW090125419 A TW 090125419A TW 90125419 A TW90125419 A TW 90125419A TW 590854 B TW590854 B TW 590854B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- holes
- polishing pad
- grooves
- chemical mechanical
- mechanical polishing
- Prior art date
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 123
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000000979 retarding effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
590854 A7 ____ 」7__ 五、發明説明(1 ) 技術領域 本發明係有關於一種用於化學機械拋光製程的拋光 墊,尤其是有關於一種化學機械拋光墊,其拋光表面形成 多數各具有溝槽、孔或其組合的同心圓。 背景技藝 通常化學機械拋光(CMP)為一高精密/經鏡面處理之 表面的拋光製程,其用以在半導體裝置製造過程中獲得整 體平面化。依據該化學機械拋光,一泥狀研磨劑供給至一 拋光墊與一擬拋光的晶圓之間,以便化學蝕刻該晶圓的表 面。藉使用該拋光墊,該晶圓的蝕刻表面則機械式地拋光。 參見第1圖,概要地說明以標號丨表示之典型化學機械 拋光機。此外,一使用該化學機械拋光機丨的化學機械拋光 方法概要地說明於第2圖。該化學機械拋光方法包括一化學 蝕刻反應製程及一機械拋光製程,其係利用一包括於該化 學機械拋光機1中的拋光墊1〇來執行。該化學蝕刻反應藉一 泥狀研磨劑42來完成。也就是說,該泥狀研磨劑42用以在 該擬拋光的晶圓30表面上產生化學反應,使得該機械拋光 製程及接下來的化學蝕刻反應可輕易地完成。在該機械拋 光製程中,該固定地設在一壓板上的拋光墊1〇旋轉著。由 一扣環32所緊密固定的晶圓3〇在振盪時旋轉。藉一泥狀研 磨劑供給構件4〇, 一含有磨粒的泥狀研磨劑供給至該拋光 墊10。δ亥供給的泥狀研磨劑引進該拋光墊10與該晶圓30之 間。憑藉該拋光墊、10與該晶圓3〇之間的一相對旋轉速差, 該引進的磨粒與該晶圓3〇形成磨擦接觸,使得該引進的磨 本紙張尺度賴巾關料Α4規格⑵0X297公楚7"--~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •、可丨 「·線丨 590854 A7 __B7_ 五、、發明説明(2 ) .粒執行機械拋光。該泥狀研磨劑42為一含有磨粒的膠狀液 體,該磨粒具有一粒子尺寸為十億分之一公尺。在該拋光 製程中,該泥狀研磨劑42塗抹於該拋光墊1〇上。當該拋光 r 墊10在該拋光製程中旋轉時,由於該拋光墊10之旋轉造成 的一離心力,供給至該拋光墊10的泥狀研磨劑42由該拋光 墊10的周圍向外排放。為了獲得一增強的拋光效率,許多 A 磨粒應在該拋光墊10的上表面上停留一期望的長時間,以 使該磨粒參與該晶圓的拋光。也就是說,該拋光塾1〇應盡 可能地使該泥狀研磨劑42停留在其表面上久一點。 在該化學機械拋光墊旋轉時所產生的離心力,離該拋 光墊10的周圍越近處越高。由於在該拋光墊上不同的徑向 位置之間離心力的差異,該拋光墊上的泥狀研磨劑在靠近 該拋光墊周圍時呈現一增強的流動率。因此,該泥狀研磨 劑延該拋光墊之徑向方向不均勻地散佈。由於該泥狀研磨 劑的此種不均勻散佈,該晶圓則不均勻地拋光,因為晶圓 的拋光率是視該拋光墊與該晶圓表面接觸的一徑向位置而 定的。拋光率的此種變化影響該晶圓的平面化。結果,該 - 拋光墊在其中央與周圍部份的拋光率呈現相當大的差異。 , 為此原因,藉由控制該泥狀研磨劑在該拋光墊上的流動, 使該泥狀研磨劑均勻地散佈在該拋光墊上是必要的。 在該拋光製程中,該晶圓壓迫該拋光墊,使得該晶圓 與磨粒成摩擦接觸。然而,由於此壓力,該泥狀研磨劑可 能難以到達該晶圓钠中央部份。為此原因,相較於該晶圓 周圍部份的泥狀研磨劑量,該泥狀研磨劑可相對減;地政 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂丨 :線丨 590854 A7 - -____W7_ 五、發明説明(3 ) 佈在該晶圓的中央部份。結果,該晶圓則不均勻地拋光。 為解決此一問題,而提出一方法,其中具有一所欲之 寬度、深度及形狀的孔或溝槽形成於一化學機械拋光墊 上。該孔或溝槽作用以控制在該拋光製程中持續供給之泥 狀研磨劑的流動與散佈。 以下將配合附圖說明習知之形成於一拋光墊上的孔 或溝槽。 第3a圖為說明由溝槽形成的拋光墊的概要圖,該溝槽 個別具有同心圓的形式。第3b圖為沿著第3a圖之線A-A獲得 之截面圖。如第3a及3b圖所示,形成於該拋光塾上的溝槽 具有同心圓的开> 式,其以一捏向方向均等地相互間隔,且 個別具有不同的直徑。持續供給至該拋光墊上的泥狀研磨 劑受該拋光墊旋轉時產生的離心力迫使向外移動。結果, 在該拋光製程中,該泥狀研磨劑暫時聚集在該同心圓溝槽 中,然後再由,些溝槽向外排放。該同心圓溝槽的一範例 揭露於美國專利第5,984,769號。該美國專利第5,984,769號 揭露一由多數同心圓溝槽或螺旋形溝槽所形成的拋光墊。 該拋光墊分成多數溝槽區域,其中形成個別具有不同寬度 及長度的溝槽。但是,此一具有圓形或螺旋形溝槽的拋光 墊並不能滿足一化學機械拋光製程中需求的眾多條件,因 為該拋光塾具有一僅由溝槽形成的固定圖案。 第4a圖為說明一由具有習知結構之孔形成的拋光塾的 概要圖。第4b圖說明如第4a圖所示的孔之截面圖。在第如 圖中的抛光塾,多數孔規則地排列著。排列在該拋光塾上 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) ........·· _ 裝..................tr-.............··線. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 590854
發明説明 的L儲存·仏給至其中的泥狀研磨劑,藉此遲緩因離心力 斤導致之該儲存泥狀研磨劑的排放。美國專利第5,853,317 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 號揭路*4槽形成的拋光塾,言亥溝槽形成於作為一拋光 表面以拋光一物體的該拋光墊第一表面上,並形成於固定 地:又於I板上的該拋光墊第二表面上,如此一來,形成 於該第一表面的溝槽比形成於該第一表面的溝槽具有一較 大的尺寸。同時,美國專利第5,329,734號揭露一拋光墊, 其具有一由多數細孔形成的第一區域以及一由多數細縫形 成的第二區域。 訂_ 在具有均等地相互間隔之溝槽或孔的習知拋光墊 中’供給至該拋光墊的泥狀研磨劑被阻擋流向一晶圓中央 部份’該晶圓正在拋光其與該拋光墊接觸的區域。結果, 在該晶圓中央部份產生拋光率的降低。 :線丨 另一方面,相較於其他習知的拋光墊,在具有離心圓 溝槽之習知拋光墊中,獲得很大的泥狀研磨劑儲存量,因 為各溝槽具有一部份關閉結構,其具有直立溝槽壁可抗離 心力地將泥狀研磨劑保留在該溝槽中。但是,此拋光墊具 有一缺點’即各溝槽的深.度等於拋光墊的1/4厚度是不夠 的。 由於形成在上述習知抛光塾上之溝槽或孔具有一同心 圓或格子的固定圖案,要形成一可以控制泥狀研磨劑流動 的溝槽圖案是很難的。依據使用開孔針來形成孔眼的方法, 該孔眼則具有一固定的形狀。由於該孔具有一簡單且固定 的圖案’要將他們排列成具有一化學機械拋光製程中所欲 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210X297公釐) 590854 A7 B7 五、發明説明(5 ) 之不同的孔圖案是很難的。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 為解決此問題,於是必須設計溝槽或孔的形狀、密度 與散佈,並顧及拋光製程之特定條件,如離心力以及晶圓 的位置。 本發明之揭露内容 因此,本發明之一目的為在一化學機械拋光製程中提供一 化學機械拋光墊,其由孔、溝槽或其組合形成,在均勻地散佈 該泥狀研磨劑於該拋光表面上時,可遲緩泥狀研磨劑供給至一 拋光表面上的排放率。 本發明之另一目的為提供一由孔、溝槽或其組合形成的 化學機械拋光墊,其可在拋光製程中提供有效地控制 泥狀研磨劑流動的作用。 依據本發明,這些目的藉提供用於一化學機械拋光製程 的化學機械拋光墊來完成,其中各具有孔、溝槽或其組合之 多數同心圓形成於該墊的拋光表面上。 圖式之簡要說明 第1圖為說明一典型化學機械拋光機及一使用該化學 機械拋光機來執行拋光方法的概要圖; 第2圖為說明一化學機械拋光方法之概念的概要圖; 第3a圖為說明一由個別具有同心圓圖案之溝槽所形 成之拋光墊的概要圖; 第3b圖為沿著第3a圖之線A-A所獲得的截面圖; 第4 a圖為說明、由具有習知結構的孔形成之拋光墊的 概要圖, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 590854 A7 B7 五、發明説明(6 ) 第4b圖為說明第4a圖所示之孔的截面圖; ' 第5圖為說明依據本發明形成之不同形狀的溝槽、孔 或其組合的概要圖; 第6a至6d圖為說明個別由溝槽、孔或其組合形成的同 心圓之不同實施例的概要圖; 第7圖為說明一具有多數個別由多數孔組成之不同直 徑同心圓之拋光墊的概要圖; ^ 第8圖為說明一拋光墊的概要圖,該拋光墊分成兩個 個別具有多數不同直徑之同心圓的徑向區域,該同心圓各 由多數孔組成;以及 第9與10圖分別為說明各具有多數不同直徑之同心圓 的化學機械拋光墊的概要圖,該拋光墊個別由溝槽、孔或 其組合組成。 實施本發明之最佳實施例 以下將參考附圖詳細說明本發明之結構與功能。 • 依據本發钩,係提供一化學機械拋光墊,於其一拋光 表面上具有多數各具有溝槽、孔或其組合的同心圓。參見 第5圖,其顯示不同形狀的該溝槽、孔或其組合排列成一依 據本發明的同心圓。 依據本發明,個別具有一所欲的寬度及深度之連續的 溝槽可形成為個別具有同心圓的形式。該連續的溝槽揭露 於美國專利第5,984,769號。在美國專利第5,984,769號揭露 之拋光墊中,形成多數均等地相間隔的圓形溝槽。 、 依據本發明,可形成各具有一所欲之寬度、深度與長 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) ......................裝..................訂..................線· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 590854 五、發明説明 A7
度的不連續溝#,其相互間隔並有規則地排列著。該等溝 槽可以一預定的距離均等地相間隔。選擇性地,該溝槽可 有規則或不規則地排列著並均等或不均等地相互間隔。而 且,該溝槽可個別具有不同的深度、寬度或長度。習知中, 各溝槽可具有一矩形橫截面。當然,各溝槽可具有其他橫 截面形狀,如一倒三角形。 選擇性地,依據本發明,多數具有一所欲之深度與直 徑的孔可排列成在相鄰孔的中央之間具有一均等的距離。 备介於相鄰孔之間的距離小於該孔的半徑時,該孔則具有 一連續的排列。介於該相鄰孔之間的距離可調增或調減。 此外’本發明之拋光墊可具有孔群,其各具有至少兩個藉 一距離rl而相互間隔的孔。如此,當該孔群藉一所欲的距 離『2(〇]:1)均等地相互間隔時,可規則地排列^而且, 該孔也可在該溝槽中不均等地相互間隔。此外,該孔可個 別具有不同的深度、直徑或形狀。 依據本發明’可形成一孔及溝槽的組合。該孔及溝槽 的組合可包括具有不同圖案之溝槽及孔的組合。也就是 說’本發明拋光墊可具有,許多各由孔及溝槽形成的組合之 不同圖案。譬如,各具有一所欲之深度與直徑的孔,以及 各具有一所欲之深度、寬度與長度的溝槽在相互間隔時, 可選擇性地排列。 由溝槽、孔或其組合形成的各圖案形成一同心圓。此 由溝槽、孔或其組合形成之同心圓的不同範例個別顯不 在第6a至6d圖。 本紙張尺彦適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇><297公釐) 請 先. 閲 意 事
頁 訂
秦 590854 A7 B7 五、發明説明(8 ) ^ 第6a圖顯示一同心圓,其由多數具有一所欲之寬度與 長度且均等地相互間隔的溝槽形成。第6a圖顯示一同心 圓,其由多數具有一所欲之寬度與長度且均等地相互間隔 ’ 的孔形成。第6c及6d圖顯示各由一溝槽及孔的組合形成的 同心圓。在第6c圖的同心圓中,溝槽及孔以一溝槽交替一 孔且均等地相互間隔的方式規則地排列著。在第6d圖的同 φ 心圓中,溝槽及孔以兩孔交替一溝槽且均等地相互間隔的 方式規則地排列著。 個別顯示在第6a至6d圖的同心圓僅作說明用。依據本 發明,形成具有不同形狀的孔、溝槽或其組合之不同圖案 所組成的同心圓是可能的。 因此,本發明之化學機械拋光墊可由多數各具有溝 槽、孔或其組合之不同直徑的同心圓形成。 依據本發明,形成於該拋光墊上的同心圓可具有相同 或不同的圖案,其各由溝槽、孔或其組合所組成。而且, 該同心圓在該拋光墊的某一區域中可具有相同圖案,而在 其他區域中可具有不同圖案。 ^ 形成於該拋光墊上之相鄰同心圓之間的距離可以是均 • 等或不均等的。而且,該圓的距離可依據該圓的半徑而逐 漸相異。譬如,該圓的距離可由該拋光墊中央部份向周圍 遞減,而在圓半徑的增加上則成反比。 第7圖顯示一由多數不同直徑之同心圓形成的拋光 墊,該同心圓各具有多數孔。就此案例,該同心圓的孔具 有相同直徑及孔距離。該同心圓也具有相同的圓距離。當 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) -11- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、可I :線 590854 A7 B7 五、發明説明(9 ) 然,不同的變動可藉由調整形成各同心圓的孔之深度、直 徑或距離或該圓距離來達成,使得該拋光墊之孔的圖案不 同。 依據本發明,該拋光墊可分成多數徑向區域。參見第 8圖,其顯示一分成兩個徑向區域的拋光墊。 該拋光墊的各徑向區域可由多數具有不同直徑但具有 相同圖案的同心圓形成。該徑向區域可具有不同圖案或不 同深度、寬度或距離的溝槽或孔。 譬如,該拋光墊可分成内及外徑向區域,其個別界定 在一具有半徑r〇的圓之相對面。該内徑向區域具有一半徑 小於該半徑r。(r<r〇),而該外徑向區域具有一半徑大於 該半徑r〇(r>r。)。該内及外徑向區域各由具有不同半徑 的同心圓形成,且由具有相同直徑及孔距離的孔組成。該 外徑向區域可比該内徑向區域具有較大的孔直徑與孔距 離。 第9及10圖顯示本發明實施例,其有關各由多數具有溝 槽、孔或其組合之不同直徑的同心圓形成的化學機械拋光 〇 同時,孔及/或溝槽可形成具有最可滿足該特定拋光製 程條件的不同圖案。 該孔、溝槽或其組合的形成較佳為使用一雷射機製過 程獲得。該雷射機製過程提供的利益為,它可精確地製造 具有一複雜結構的孔或溝槽,使得該孔及/或溝槽具有一光 滑的内表面,並輕易地調整該孔及/或溝槽的形狀、尺寸及 -12- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 590854 A7 B7 五、發明説明(1Q ) 深度。 當然,該孔、溝槽或其組合的機械式製造可藉由一使 用依據本發明之機械構件的切割或研磨製程。同樣地,該 機械式製造方法可藉使用一雷射機製方法及一機械式製造 方法的組合獲得。 工業上的應用性 > 由上述可明顯看出,本發明提供一用於化學機械拋光製程 的拋光墊,其由具有不同形狀、尺寸與圖案的孔、溝槽或其組合 形成,且可遲緩供給至一拋光表面之泥狀研磨劑排放率,使 泥狀研磨劑均勻地散佈遍該拋光表面,並在化學機械拋光製程 中,有效地控制該泥狀研磨劑的流動,藉此穩定地維持一所欲 的拋光率以及獲得一改良的平面化。 雖然本發明之較佳實施例已援圖示揭露有關形成在一 用以化學機械拋光的拋光墊上之孔及/或溝槽的圖案,習知 此技藝的人士應了解,不同的變動、增加及替代仍不脫離 I 本發明的範圍及精神。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、町— :線丨 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210X297公釐) -13- 590854 A7 B7 五、發明説明(11 ) 元件標號對照表 1.. .化學機械拋光機 10.. .抛光塾 20…壓板 30.. .晶圓 32.. .扣環 40.. .泥狀研磨劑供給構件 42.. .泥狀研磨劑 -14- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)
Claims (1)
- 590854 A8 B8 C8申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) • 一種用於化學機械拋光製程的化學機械拋光墊, 其中多數各具有溝槽、孔或其組合之同心圓係形 成於該墊的一拋光表面上。 2·如申請專利範圍第1項之化學機械拋光墊,其中該 同心圓各自具有多數設置成相互間隔的不連續溝 槽’該溝槽各自具有一所欲的深度、寬度與長度。 3·如申請專利範圍第2項之化學機械拋光墊,其中該 溝槽至少在深度、寬度與長度中之一者上不同。 4·如申請專利範圍第2項之化學機械拋光墊,其中該 溝槽中鄰近者間限定的距離為均等或不均等的。 :π_ 5.如申請專利範圍第1項之化學機械拋光墊,其中 各同心圓具有多數設置成相互間隔的孔,各孔 具有一所欲的深度與一所欲的直徑。 6·如申請專利範圍第5項之化學機械拋光墊,其中該 孔至少在深度、直徑與鄰近孔間限定的距離中之 一者上不同。 7·如申請專利範圍第1項之化學機械拋光墊,其中各 同心圓具有孔的組合,該等孔具有一所欲的深 度、所欲的直徑與所欲之鄰近孔間限定的距離, 且具有溝槽,該溝槽具有一所欲的深度、所欲的 寬度與所欲的長度,該孔及溝槽係交替地設置, 同時相互間隔以使該等孔中至少一者與該等溝槽 中之一者交替設置。 8·如申請專利範圍第1至7項中任一項之化學機械拋 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) -15- 590854 A8 B8 C8 -- -----D8 中請專利範圍~ ~ " --光墊’其中該同心圓係均等地相互間隔。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如申請專利範㈣1至7項中任-項之化學機械抛 先塾’其中該同心圓不均等地相互間隔,使得在該 同心圓中鄰近者間限定之距離係由該墊的 中央部份向周圍部份遞減。 如申請專·㈣丨至7項巾任—項之化學抛光 塾,其中該溝槽、孔或其組合係以雷射來機械加 工〇 U· 一種用於化學機械拋光製程的化學機械拋光墊,該 墊分成至少兩個徑向區域,其各由多數具有相同 的溝槽、孔或其組合之圖案的不同直徑之同心圓 形成,該各徑向區域的圖案與其他徑向區域的圖 案不同。 U· —種用於化學機械拋光製程的化學機械拋光墊,該 墊分成至少兩個徑向區域,該區域係各由多數均 荨地相隔且各具有溝槽、孔或其組合之不同直徑 的同心圓形成,在各個該徑向區域中之該同心圓 中鄰近者間的距離與另一徑向區域中者不同。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) -16-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020010049355A KR100646702B1 (ko) | 2001-08-16 | 2001-08-16 | 홀 및/또는 그루브로 형성된 화학적 기계적 연마패드 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW590854B true TW590854B (en) | 2004-06-11 |
Family
ID=19713251
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW090125419A TW590854B (en) | 2001-08-16 | 2001-10-15 | Chemical mechanical polishing pad having holes and/or grooves |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6875096B2 (zh) |
EP (1) | EP1417703B1 (zh) |
JP (1) | JP2005500174A (zh) |
KR (1) | KR100646702B1 (zh) |
CN (1) | CN1261983C (zh) |
DE (1) | DE60144396D1 (zh) |
TW (1) | TW590854B (zh) |
WO (1) | WO2003017348A1 (zh) |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2002316640C1 (en) * | 2001-07-10 | 2009-01-29 | Johnson & Johnson Research Pty Limited | Methods for genetic modification of hematopoietic progenitor cells and uses of the modified cells |
JP3843933B2 (ja) * | 2002-02-07 | 2006-11-08 | ソニー株式会社 | 研磨パッド、研磨装置および研磨方法 |
US6942549B2 (en) * | 2003-10-29 | 2005-09-13 | International Business Machines Corporation | Two-sided chemical mechanical polishing pad for semiconductor processing |
JP2005177897A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Nec Electronics Corp | 研磨方法および研磨装置と半導体装置製造方法 |
US6955587B2 (en) * | 2004-01-30 | 2005-10-18 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc | Grooved polishing pad and method |
US7329174B2 (en) * | 2004-05-20 | 2008-02-12 | Jsr Corporation | Method of manufacturing chemical mechanical polishing pad |
US6974372B1 (en) | 2004-06-16 | 2005-12-13 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad having grooves configured to promote mixing wakes during polishing |
KR100568258B1 (ko) | 2004-07-01 | 2006-04-07 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 연마용 연마 패드 및 이를 이용하는 화학적기계적 연마 장치 |
JP2007103602A (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-19 | Toshiba Corp | 研磨パッド及び研磨装置 |
KR100752181B1 (ko) * | 2005-10-05 | 2007-08-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 화학적 기계적 연마장치 |
CN1958236B (zh) * | 2005-11-03 | 2010-08-11 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 一种化学机械抛光中研磨垫沟槽加工方法 |
US20070128991A1 (en) * | 2005-12-07 | 2007-06-07 | Yoon Il-Young | Fixed abrasive polishing pad, method of preparing the same, and chemical mechanical polishing apparatus including the same |
US20070202780A1 (en) * | 2006-02-24 | 2007-08-30 | Chung-Ching Feng | Polishing pad having a surface texture and method and apparatus for fabricating the same |
US7985122B2 (en) | 2006-06-13 | 2011-07-26 | Freescale Semiconductor, Inc | Method of polishing a layer using a polishing pad |
TWI409868B (zh) * | 2008-01-30 | 2013-09-21 | Iv Technologies Co Ltd | 研磨方法、研磨墊及研磨系統 |
US9180570B2 (en) | 2008-03-14 | 2015-11-10 | Nexplanar Corporation | Grooved CMP pad |
US20120258652A1 (en) * | 2009-11-12 | 2012-10-11 | Koehnle Gregory A | Rotary buffing pad |
JP5789634B2 (ja) * | 2012-05-14 | 2015-10-07 | 株式会社荏原製作所 | ワークピースを研磨するための研磨パッド並びに化学機械研磨装置、および該化学機械研磨装置を用いてワークピースを研磨する方法 |
US9873180B2 (en) | 2014-10-17 | 2018-01-23 | Applied Materials, Inc. | CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes |
US9776361B2 (en) * | 2014-10-17 | 2017-10-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles |
CN107078048B (zh) | 2014-10-17 | 2021-08-13 | 应用材料公司 | 使用加成制造工艺的具复合材料特性的cmp衬垫建构 |
US11745302B2 (en) | 2014-10-17 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process |
US10875153B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pad materials and formulations |
US10269555B2 (en) * | 2015-09-30 | 2019-04-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Post-CMP cleaning and apparatus |
CN113103145B (zh) | 2015-10-30 | 2023-04-11 | 应用材料公司 | 形成具有期望ζ电位的抛光制品的设备与方法 |
US10593574B2 (en) | 2015-11-06 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables |
US10391605B2 (en) | 2016-01-19 | 2019-08-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process |
US10155297B2 (en) * | 2016-07-08 | 2018-12-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing head |
US20180281076A1 (en) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Gelling reduction tool for grooving chemical mechanical planarization polishing pads |
US11471999B2 (en) | 2017-07-26 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods |
WO2019032286A1 (en) | 2017-08-07 | 2019-02-14 | Applied Materials, Inc. | ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME |
JP7113626B2 (ja) * | 2018-01-12 | 2022-08-05 | ニッタ・デュポン株式会社 | 研磨パッド |
KR20210042171A (ko) | 2018-09-04 | 2021-04-16 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 진보한 폴리싱 패드들을 위한 제형들 |
KR102113003B1 (ko) * | 2018-11-29 | 2020-05-20 | 한국생산기술연구원 | 웨이퍼용 화학기계연마 장치의 패드부 |
TWI738323B (zh) * | 2019-05-07 | 2021-09-01 | 美商Cmc材料股份有限公司 | 化學機械拋光墊及化學機械拋光晶圓之方法 |
US11813712B2 (en) | 2019-12-20 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads having selectively arranged porosity |
US11806829B2 (en) | 2020-06-19 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods |
CN114425743A (zh) * | 2020-10-28 | 2022-05-03 | 中国科学院微电子研究所 | 一种抛光垫及化学机械抛光设备 |
US11878389B2 (en) | 2021-02-10 | 2024-01-23 | Applied Materials, Inc. | Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5020283A (en) * | 1990-01-22 | 1991-06-04 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad with uniform abrasion |
US5329734A (en) * | 1993-04-30 | 1994-07-19 | Motorola, Inc. | Polishing pads used to chemical-mechanical polish a semiconductor substrate |
US6273806B1 (en) * | 1997-05-15 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing apparatus |
US5921855A (en) * | 1997-05-15 | 1999-07-13 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system |
JPH11285962A (ja) * | 1998-04-06 | 1999-10-19 | Sony Corp | 研磨パッド、研磨装置および研磨方法 |
JP2000084833A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-03-28 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | 研磨盤および研磨パッドの取り換え方法 |
KR20000025003A (ko) * | 1998-10-07 | 2000-05-06 | 윤종용 | 반도체 기판의 화학 기계적 연마에 사용되는 연마 패드 |
US6238271B1 (en) * | 1999-04-30 | 2001-05-29 | Speed Fam-Ipec Corp. | Methods and apparatus for improved polishing of workpieces |
US6261168B1 (en) * | 1999-05-21 | 2001-07-17 | Lam Research Corporation | Chemical mechanical planarization or polishing pad with sections having varied groove patterns |
JP2001071256A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-21 | Shinozaki Seisakusho:Kk | 研磨パッドの溝形成方法及び装置並びに研磨パッド |
US6656019B1 (en) * | 2000-06-29 | 2003-12-02 | International Business Machines Corporation | Grooved polishing pads and methods of use |
EP1412129A4 (en) * | 2001-08-02 | 2008-04-02 | Skc Co Ltd | METHOD FOR PRODUCING A CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING PILLOW USING LASER |
-
2001
- 2001-08-16 KR KR1020010049355A patent/KR100646702B1/ko active IP Right Grant
- 2001-08-29 CN CNB018235409A patent/CN1261983C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-29 DE DE60144396T patent/DE60144396D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-29 EP EP01963600A patent/EP1417703B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-29 JP JP2003522157A patent/JP2005500174A/ja active Pending
- 2001-08-29 US US10/110,802 patent/US6875096B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-29 WO PCT/KR2001/001465 patent/WO2003017348A1/en active Application Filing
- 2001-10-15 TW TW090125419A patent/TW590854B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE60144396D1 (de) | 2011-05-19 |
CN1543669A (zh) | 2004-11-03 |
EP1417703A4 (en) | 2008-04-09 |
EP1417703A1 (en) | 2004-05-12 |
KR20030015568A (ko) | 2003-02-25 |
JP2005500174A (ja) | 2005-01-06 |
EP1417703B1 (en) | 2011-04-06 |
KR100646702B1 (ko) | 2006-11-17 |
US6875096B2 (en) | 2005-04-05 |
WO2003017348A1 (en) | 2003-02-27 |
US20040058630A1 (en) | 2004-03-25 |
CN1261983C (zh) | 2006-06-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW590854B (en) | Chemical mechanical polishing pad having holes and/or grooves | |
EP1433197B1 (en) | Chemical mechanical polishing pad having wave-shaped grooves | |
US5628862A (en) | Polishing pad for chemical-mechanical polishing of a semiconductor substrate | |
US6165904A (en) | Polishing pad for use in the chemical/mechanical polishing of a semiconductor substrate and method of polishing the substrate using the pad | |
TWI773663B (zh) | 用於cmp拋光墊之碎屑移除凹槽 | |
JP3524073B2 (ja) | 化学機械研磨パッド・コンディショナ、化学機械研磨ツール、化学機械研磨パッドをコンディショニングする方法及び化学機械研磨パッド | |
US6955587B2 (en) | Grooved polishing pad and method | |
KR101109160B1 (ko) | 슬러리 소모량을 감소시키기 위한 홈 배열을 갖는 연마 패드 | |
JP3986733B2 (ja) | 化学的機械的研磨のためのリテーニングリング | |
TWI380853B (zh) | 具有重疊之固定面積螺旋狀溝槽的cmp墊 | |
KR101601281B1 (ko) | 고속 연마 방법 | |
KR101127256B1 (ko) | 요철 패드 컨디셔너 및 그 사용법 | |
US7108597B2 (en) | Polishing pad having grooves configured to promote mixing wakes during polishing | |
JP2004327567A (ja) | 研磨パッド | |
GB2362592A (en) | Polishing pad and slurry feed | |
KR20220009877A (ko) | 다공성 돌출 패턴을 포함하는 화학-기계적 연마 패드 및 레이저를 이용한 그 제조 방법 | |
KR100597710B1 (ko) | 웨이브 형태의 그루브가 형성된 화학적 기계적 연마패드 | |
JP2004291115A (ja) | ラップ盤 | |
KR100636431B1 (ko) | 웨이브 형태의 그루브가 형성된 화학적 기계적 연마패드 | |
KR20230137262A (ko) | 씨엠피 컨디셔닝 디스크, 씨엠피 컨디셔닝 디스크 제조장치 및 제조방법 | |
TW202232594A (zh) | 化學機械研磨拋光墊修整器及其製造方法 | |
KR20010001675U (ko) | 반도체 소자 연마장치용 연마패드 | |
KR20020016306A (ko) | 패드를 구비하는 화학 기계적 연마 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |