TW589741B - Electronic devices including micromechanical switches - Google Patents

Description

589741 皇年 ί 月 -- 五、發明說明⑴ --L--—--- 将ί Ϊ明係關於電子裝置，更特別是積體電路裝置，包括 地機械1關:以及關於其方法和製造二特別地，但非獨佔 -本發明係關於積體電路光二極體陣列，帶有此個別的 極=陣列之定址被一結合的微機械開關所控制。 置已經=y微機械開關可以給予比常用的半導體開關裝 阻：Πίίί二極體，較低的開啟電阻和較高的關閉電 動臂摔的ϊίΤΞ形式的微機械開g，其*是使用一可移 诰士二( 或電磁啟動以完成此開關操作。已知用於製

犧牲臂襟的方法包含一具有適當機械和電子特性在 和留下^ί之臂樑結構的沈澱。此犧牲層實際上被去除 ，，靜雷⑭一^同&其中此臂標被反射在此開啟信號的應用。論文丨 等系石繼電器#M0SFETs集成，，出現在微電子機械 器包含一去i/的會議紀錄中，1"4，97頁描述一微繼電 心下方的洞1 :端處的臂樑帶有-定義於此光數之中 電器結構被整合至=ί，二之犧牲的钱刻所獲得。此微繼 械裝置之I C的相容性,aa體基板上，以至於顯示出此微機 用既有方法製造白kW 是由不同元件被整合 =械開關之積體電路裝置的問題 複雜性。 1置上而引起增加之製造程序的 根據本發明，提供一 置包含複數個微機“ ς 3 3體電路裝置的方法，此裝禮 共同的基板上，此；複數個薄模電路元件配備在- 沉積和佈型-下電極圖1， /、 義底部接觸於此薄膜電

O:\68\6856l-920110.ptc 苐5頁 械開關； 用以形成 定義犧牲 ’和定義 板的區域 層以提供 此薄膜電 觸臂樑每 牲區域以 圖樣之間 ’此上和 間共享， 理步驟的 如同用於 此元件層 對於此薄 可能的範 以包含二 上電極層 膜電路 圍。 極體， 其躺在 二極體可以是由 體電路裝置可以 曰 此薄膜電路元件在此下電核 區域在此配置於此微機械開 此薄膜電路元件在此配置二 上面； ' 一上電極圖樣，此上電極圖 路元件和且定義接觸臂樑於 一個都延伸通過一個別的犧 定義一在此接觸臂樑和每一 的空間。 下電極 由此降 數目。 此微機 的一區 ;” ^^90100269 五、發明說明（2) 路元件和用於此微機 =積和佈型元件層 ;;上面，此元件層 基板的區域上面 此ϋ膜電路元件之基 1和佈型一導電 51義了貝部接觸於 =2械開關，此接 牲區域； 去除此；^ a , 微機械開關 丨N之下電極 在本發明的方法 和此薄膜電路_ ^ 體電路裝置=牛之 路元件的卜處 I寻層也作 支撐。在此方法中， ί ί ΐ: ’使得要求 此薄臈電路元件〇 二極體結構，提供= 接地與其接觸。這些 產生的-極轉Ρ θ β a 像素。&開關積 此上電極層可以被 修正 圖樣在此微機械開關 低被要求以形成此積 此外，定義此薄膜電 械開關之接觸臂樑的 域疋義此微機械開關 元件和對於此開關的 例如定義一 P I N或N I P 此二極體結構上並直 非晶石夕層形成，而此 定義一影像感應器的 佈型以定義一在此犧牲區域中的井，

O:\68\68561-920110.ptc 第6頁 589741

修正 以更在此犧牲區域的移除後，一接點投射被定義在此接觸 光^的I側上。此接點投射幫助降低此開關的啟動電阻。 一支撐層可以被沉積和佈型在此配置於此微機械開關之 基板的區域中之元件層上，以提供此接觸臂樑的機構支 撐。此可以幫助改善此臂樑的剛性和預防臂樑的瓦解在其 後的钱刻程序期間或在積體電路元件切割和封裝期間。& 犧牲區域的移除最好使用一蝕刻劑來完成，其留下支樓 $，使得額外的支撐被提供於此完成之產品中的接觸^ 根據本發明之積體電路裝置形式之電子裝置的具 置，和其製造方法現在將藉由例子參考來描述，^ 之圖例中所示，其中： 久如件k 圖1表示要求用於一積體電路二極體結構之製造 步驟； 灸 圖2表示本發明的處理步驟用於一微機械開關 結合在如圖1之二極體結構的相同基板上； 衣每孤 圖3表示一二極體和一微機械開關的組合像 一位置處之側面地相鄰元件； 土板上 圖4說明一組合的光二極體和微機械開關之 影像感測器中的像素元素； ’、像在一 圖5表示根據本發明之方法製造之影德片、 成；及 〜像感測器的電路組 圖6表示在製造在一共同基板上包含撒拖 體結構之電孑裝置的方法之另一具體穿w沾械^開關和二極 衣罝的處理步驟。

1118

O:\68\68561-920110.ptc 第7頁 589741 五、發明說明（4) 應該瞭解這 是，特定的尺 其他的尺寸可 整個圖中指示 本發明涉及 電路元件的集 造一積體電路 1 0備有一臂樑 一啟動信號的 關的關閉。此 成缝隙1 4。本 層開始定義， 形成犧牲層隨 將被描述在一 含光二極體和 此製造程序 和半導電層的 中，此程序是 的製造，包含 於絕緣基板上 要求用以形 考圖1來描述 處理步驟。此 如表示於圖 案號 90100269 修正 些圖只是概要的且不是根據尺寸畫的。特別 寸，像層和區域的厚度可能已經誇大了 ，而 能被縮小。也應該瞭解相同的參考數字用於 相同或類似的零件。 在一共同基板上微機械開關和其他薄膜電子 成。特別是，且如圖3所示，本發明提供製 形式之電子裝置的方法，其中此微機械開關 1 2其延伸在一縫隙1 4上，此臂樑1 2可以藉由 應用而選擇性地移入此縫隙1 4中以造成此開 臂樑1 2沉積在一犧牲層上其隨後被移除以形 發明提供一種方法，其中薄膜電路元件20從 其不但可形成薄膜電路元件2 0之結構，亦可 後被移除以形成縫隙1 4。藉由例子，本發明 積體電路影像感測器裝置的上下文中，其包 微機械開關載於一共同基板上。 含有藉由在一共同基板上之各種導電，絕緣 光刻法的技術來沉積和佈型。在一般的術語 熟知的，已經使用在大面積，薄膜電子裝置 薄膜二極體，薄膜電晶體陣列，和類似的載 〇 成一薄膜光二極體裝置的製造步驟首先將參 ，其表示要求用以形成一堆疊二極體結構的 二極體結構本身通常是慣用的形式。 1Α中的一底部電子地導電接觸層4，最好是

O:\68\68561-920110.ptc 第8頁 589741

金屬的，提供在一絕緣基板2上 觸層4可以包含一色彩層，苴 j如玻璃的。此底部接 積和佈型。如圖1 B中所示/定羞慣用的薄膜處理技術沉 導體層5被直接沉積和佈型在 此^要求之二極體結構的半 電極層6躺在並直接與觸層4上，跟隨-上 導體層可以由非晶體的矽形成且^的上表面接觸。此半

結構。因此，此半導體層5包含一可\定義例如一NIP或PIN 雜物型式的底[一本質層和3二個分開的薄[-第- 層。此上接觸層可以包含I TO，盆^7^相3反^雜物型式的頂 極體能夠被感應於由上入射的光、。‘"薄舞、’由此使此二 〜 /寻層5和6 —起被佈帮在 一单一蝕刻步驟期間以定義此二極體結構，如圖丨B 。 如圖1C中所示，一適當絕緣材料的鈍化層7則被沉積和 適當地佈型以圍繞此二極體結構為了降低在此二極體堆最 之邊緣處的漏電流，而留下此上層6之範圍的至少一實質^ 部分被曝光。 ' 薄層7可以包含氮化矽’且用慣用的技術再次被沉積和 模佈型。 ' 最後，如圖1 D中所示’一上接觸層8被沉積和佈型以— 義此接點至此二極體結構之上電極的頂端。此薄層8延二 過此鈍化層7的表面以電子地直接與此上電極6的曝光表 接觸。此包含一金屬層，且將由下列的而明顯，此層的性 質，亦即成分，厚度，等等，被選擇考慮到此微機^開關 的機構和電子的需求。圖1D顯示一完成的二極體結構=其 與其他的一起，同時地-形成二極體結構，提供此薄膜電〃

O:\68\68561-920110.ptc

589741 j 號 901002M 發明說明（6) 曰 修正 路7^件2〇用於在一帶有微機械 成。 凤開關之一共同基板上的集 將會知道用於沉積和佈型 如同慣用於在絕緣基板上之薄=!的技術是已知種類的 面積的電子裝t，且*型地留=子裝置的製造以產生大 類似之薄層的沉積和豆後藉，:，例如一CVD程序或 樣不認為需要在此詳細描‘1:=刻程序的佈型。像這 關Γ備表提示/Λ此械開關之製造的處理步驟，當此開 供整合於如圖1之-太 田 在顯示於圖2A，2B』之步—驟極二的相同基板上。此完成 圖1之步驟A，B和D中的沉積Ϊ: ^沉積和佈型層相當於在 沉積和佈型程序含有 •層，以至於此相同層的 的連絡—起方便地被製&。-極體和開關以同時地與適當 佈型G::微m 1部接觸層4之沉積的金屬層也被 ^疋義此微機械開關之互相間隔的 5 6?^V?4V116C 〇 、 < 7L件層的〉儿積和佈型形成一 過此接點之微機械開關的位置上。 -母一延伸超 驟，ΪΪ示—僅要求用於此微機械開關的處理步驟4牛 ::有蝕刻一開口 1 7通過此沉積之二極二：此步 層:在-直接躺在此開關接點之—上 ？。構,上電極 16Β。顯示於圖2C中的步驟可以進行或 就二接點 的步驟。此外，顯示於圖1C中的步驟 -頁不於圖1C中 此微機械開關結構的製造中。 加入任何部分在

589741

曰 案號9〇ig^q 五 發明說明（7) 在顯示於圖2D的步驟中，當佈型時此沉積的上金屬接 層8形成接觸臂樑12。延伸入井17中之上接觸層8的區域6 義一接觸投射1 8在此接觸臂樑1 2的下面。 疋 構成在此微機械開關位置處的犧牲區域之薄層56的部 分被蝕刻而去除。在顯示於圖2E中的結構造成在此非晶^夕 層的餘刻後疋義此二極體結構和頂端丨T 〇接觸層6在此區 中。這些層的移除產生自由空間空隙丨4其使臂樑丨2的樞轴 移動能夠繞其躺在接點1 6 Α上的區域以在此開關電極丨6 Α， 1 6 Β之間造成或破壞電子接點，經由薄層8，在一啟動電 的應用和移除上至此接點1 6 C。 在犧牲蝕刻期間，導致顯示於圖2 ε中的結構，定義此光 了極體2 0的薄層藉由一適當的光罩來保護以避免蝕刻。此 犧牲層區域的移除最好使用濕蝕刻來完成，因為此液體可 以$透入此空隙1 4的所有範圍。此也是一相較於另外的乾 和洛氣姓刻技術比較便宜和安全的程序。當然，此選擇的 姓刻必須留下未受影響的金屬接觸臂樑丨2和電極丨6且依此 被選擇。 在一影像感測器中之結合二極體和微機械開關之積體電 路裝置的使用現在將被描述。使用光二極體之慣用的大範 圍’薄膜積體電路影像感測器陣列包含影像感測器像素， 其中每一像素包含一光二極體和一薄膜電晶體（TFT)或一 開關二極體之形式的開關裝置（其被保護以避免入射光）。 使用本發明之方法製造的微機械開關被用作開關元件在 一影像感測器光二極體陣列中。在此情況中，每一影像感

O:\68\68561-920110.ptc

丄 年丨月P曰 修正 五 -^^^0100269 發明說明⑻ '〜 測器像素包含_朵_ 至或來自此光二拓—極體和一結合的微機械開關用以控制 器陣列。此藉ϋ卜，之電荷的通過使能夠定址此影像感測 整體形成的接點8二1體和二關被電子地相互連接通過 此降低的開電 #、樑12來元成。 來達成，使儲存於:，加的關電阻可以使用一微機械開關 以被讀出，且由此光二極體上的電荷量能夠增加，其可 記憶效應，由此j作的速度旎夠增加，或降低所謂的 體上。此微機械開^二取週期後一 ^電荷維持在此光二極 能夠降低此裝置的二、使用也使相較於TFTs或開關二極體 作效能。此微機械^ ^ f容更改善此影像感測器陣列的工 該裝置不受入射^ j 也沒有任何光感度，因此避免保護 圖3顯示此薄膜-技二；^ & 義一個別的像素電―^體0Λ此微機械開關靠在一起，定 體電子地串聯連^ ί態其中此微機械開關丨〇與此光二極 相同的參考數^於：=屬層構成接點8和臂樑12。 的共用層可以容易被^別和^士且甚在此二裝置10，20之間 19用以保護此微也顯示-可選擇的保護層 以包含一^先ΪΪ 關在此完成的裝置中。薄層19可 上的上# ^成紙狀的玻璃裱在此覆蓋於鈍化層7 觸W之部分U最上層的平面，其作為間隔塾 於然Λ狀態中’此微機械開關之臂樑12的位置顯示 成開路。者一啟翻雷厭产啼电于地^絕而開關有效地 攻開路田啟動電壓^號外加於電極16C時，臂樑12被

589741 __案號90100269 一__艺亡年ί月f。曰 絛炎_^ 五、發明說明（9) 樞軸的轉動向下經由靜電吸引效應使得臂樑1 2的突出部1 8 接觸電極1 6 B，由此使此開關.閉路並電子地連接電極1 6 A和 1 6 B。當此啟動信號被移除時，臂樑回到其最初，鬆弛的 狀態。像一典型的例子，此臂樑可以在長度上大約是 2 〇 V m，在鬆弛狀態中突出部1 8和電極1 6 B之間的間隙大約 疋1.5 //in ’而此臂標之槐私脫離的寬度大約是8度。 圖4和5說明在一影像感測器中圖3之二極體開關裝置的 使用。圖4說明使用一光二極體作為光感測元件之景^像 測器的基本工作原理。 〜

如圖4中所示，電磁輻射R入射在一感光性的二極體3〇 上，其易感應此電磁輻射R，其可以包含可見光。一— 感光性的元件和一電容32同時顯示於圖4中，1 : ^二極㈣的寄生或自生電容，或也可以包括、—額外表^ 測：的動態範圍。此二極體的陰極3°a連接 至一共地線34，然而此二極體3〇的陽極3〇b 社人 之巧關元件36的-端點。此開關36的另一至二 取放大器38。圖4的電路表干斟# 。。 旦/你a 的零件佈局。 ^表不料—早—影像感測器像素 表示在此光二極體 現在將描述使圖4的電路能夠提供 上之入射光的輸出之可能的驅動圖。

在一定址週期的開始處，開關36是閉路而電容Μ 端點34上的電壓和由放大器38提供的電壓之間 差來^定的初始值。例如，端點34可以是在5伏 缺曰 放大器驅動此光二極體的陽極至〇伏特。此光二極體g笔

589741 _案號90100269 >年（月/^日 修正_ 五、發明說明（10) 32由此被充電至一5伏特的初始電壓，帶有此光二極體的 反向偏壓。在其後光感測工作期間，開關3 6被開路以至於 沒有電流可以流至或自端點3 4。在此時期間，入射在此光 二極體30上的光造成一少數載體（照相的）電流的產生，其 造成電容32的放電由箭號39所表示。在光感測工作的末 端，通過此光二極體的電壓將會降低如同此入射光之強度 的函數。為了測量電壓降的量，開關3 6再次閉路且流自端 點3 4以對電容3 2充電的電流被放大器3 8所測量。 有各種替換的像素組態和驅動方案，其對於那些技術上 已熟練的人是明顯的。基本上，開關3 6被要求使此光二極 體能夠被電子地絕緣以至於此光二極體電容的放電發生在4 一感光週期期間。 圖5顯示在一帶有用作開關3 6之微機械開關1 0的大面積 二維影像感測器陣列中圖4之像素組態的實現。此陣列包 含個別像素的列和行，每一像素包含一光二極體2 0和一微 機械開關1 0電子地串聯於易感電荷的讀取放大器3 8和一所 有像素共享的共同端點3 4之間。列驅動電路4 0被提供用以 產生此啟動信號外加於此微機械開關的電極1 6 C為了開路 和閉路此開關。像照慣例的，此陣列的像素在一時間順序 的被定址一列。此像素可以典型地具有一 2 0 0 # m的間距且 此陣列可以具有一大到4 0 0 m m X 4 0 0 m m的整個尺寸以達到 用於偵測人類或動物身體範圍之診斷用X光影像的影像偵 測器所要求的解析程度。典型地，此陣列可以是一 2 0 0 0 X 2 0 0 0像素的陣列，雖然為了清楚只有此陣列的一部分顯示

O:\68\68561-920110.ptc 第14頁 修it 曰 五 —案號 90100269 一_ 月 、發明說明（丨丨） ==5中。在一x光影像侦測器的情況中，電 換二去具有當作輸入X光和提供當作輸出可見光的可以 量不出）’其被此二極體偵測。在此—情\\能量轉 層可以是-磷層，例如-蛇摻雜之碘中，此能 對於此像素主動矩陣開關功能除了此微 j绝的薄層。 極體= 的操…用 -^ ": ΐ ϊ ; 位址導體同樣地可以形 袠/儿積的金屬層。這些組行 光二極體之底接觸的薄層和呈 至一組之整數延伸的 的開關接點1 6B的適當佈曰型/、連接^另一組之整數延伸 和行導體之間交又點處，且里、材料被提供於這些組列 鈍化層7。 八 以材料沉積來提供以形成 關於參考圖2描述的處理則 題由於溼蝕刻被用以形成顯示於圖^情況下#可1遭遇一問 溼蝕刻裎序中的液體是有黏性的 中的二隙1 4。此用於 可能造成臂樑12彎曲或破碎。铲#且當在液體中移動時其 為用於—清潔操作的水被留在〔可能是一個問題，因 狀當其變小時，在乾燥期間在212下面且傾向形成—珠 此臂㈣也可能遭受物理的破樑變形。 田裝置的一大面積陣列被

589741

Laj° 修正

案號 90100269 五、發明說明（12) 切塊和封裝時，或相互連接被形成於此積體電路裝置的 緣，在解決這些問題中產生困難度，因為用於此臂樑12 = 材料也必須（加上相容於此大面積，薄膜，使用的程序）滿 足定義此開關之電子特性的電子需求和藉由外加 號用以修正此臂樑1 2之變形的機構要求。 勒15 另一微機械開關的具體裝置和其製造方法現在將被描述 關於圖6說明在此微機械開關之製造中的額外方法 向解決任何此種問題。關於圖2A和26說明的步驟是第一曰次 被實行以便定義帶有佈型犧牲層的開關面積。然後一介電 材料的支撐層5 0被沉積和佈型在此開關的犧牲層上以提供 對於此接觸臂樑的機構支撐。圖6A顯示一通過在圖“中線 A-A之杈截面視圖，其顯示一平面視圖在此製造程序中之 此階段處。支撑層5 0延伸超過此犧牲層的周圍邊緣，在此 參考52，像可以自此平面視圖看到的。薄層52相當於前一 具體裝置中的薄層5。此支撐層5〇備有一連串開口 54完全 地延伸由此通過，且其被置於遠離此接觸臂樑想要的位置 但超過此犧牲層52以便提供進入此犧牲層52為了濕蝕刻， 像將要自以下而明顯。此支撐層5〇也備有一額外的開口56 與此接點電極16C排成-、線，其被用以形成此接點投㈣ 描述關於圖2 D。 圖6C相當於，其中井17產生在此上接觸層6中，但 此次支撐層50用作一光罩’用蝕刻穿過開口56。 上=層Λ如先前所述被形成，且伴隨使用满钱刻此顯 不於圖6D L果的結構之犧牲層的去除。選擇腐#劑以去除

589741 mm 2〇\οο?μ 五、發明說明（13) ί ΐ ΐ ϊ 和構成此犧牲層之上接觸層的非晶矽層，但 且有ϊΐf在適當位置。此支撐層最好包含氮化矽，其 i撐；層8之金屬大的硬度。此犧牲層52去除後’ ί i ^二 定義一支架其支撐此接觸臂樑1 2。此支架延 』觸臂ViU:1/下且側面地由此至-周邊牆50，其橫跨 50b接舖I & 叉木、准持70正且沿此上和下邊緣50a， 土板，如圖6 E所示，及沿一端點邊緣5 〇 ϊ 圖“的橫截面中看到。 舳點遺緣50c其可以在 封二ί SIS ί持在適當的位置在積體電路元件的切割和 序完成以後祜妒形成期Ρθ1。此夕卜，此支架可以在濕蝕刻程 斤广成以後破移除，其移除犧 接觸臂樑1 2的反魔雜早斜利,,；此支条了以精由用此 接觸臂樑+ # ^ ，乍用如同一光罩。任何躺在 =哥下面之支撐層50的材料將冗合姑拓雍雜工 程序所移除，所以A可M t f不會被反應離子姓刻 如同一加強屛以担I 7 ^接維持在此臂樑的下面，作用 示此微機械開關之纟士謹方*加*制電極1 6C之間。圖6F顯 圖，而圖6 G顯-4、Ό > 木反應離子#刻後的平面 類I 2 Ϊ不相同結構的橫戴面視圖。 成開關裝置^二〇於先一極體的微機械開關也可以用以形 例如像一移仇暫存雷 =1何敏感的放大1538内， 整合至像影像感:m 2情況中，$些電路可以被 在相同的方法;像°自相二的基板上，並同時製造和 像自相同/儿積層的像素開關1 0。此外或額

589741 _案號90100269 年（月日 修正_ 五、發明說明（14) 外地，多工電路可以提供在此列驅動電路4 0和此像素的陣 列之間，及在放大器3 8和此像素的陣列之間。這些多工器 電路同樣地也可以被整合至像此陣列之像素的相同基板 上，且再次可以包含相同設計的微機械開關。 雖然本發明已經特別地參考一包含二極體和開關串聯之 影像感測器像素組態來描述，本發明可以可以外加於許多 其他包含積體電路裝置的電子裝置。同樣地，雖然一種特 定的像素設計已經顯示用於一影像感測器，許多其他的可 能性對於那些技術上已熟練的人是顯而易見的。一使用具 有光二極體之像素的影像感測器和使用本發明之方法製造 的微機械開關可以被使用，例如，在一 X光影像感測器 内，文件掃描器或指紋感測器，或許多其他的應用，其中 一光學影像被擷取。本發明的方法使能夠要求在此積體電 路裝置之製造程序中有降低的光罩數目和與更多常用的開 關設計相比改善該裝置的效能。 許多描述於此專利書中之可供選擇的特別材料對於那些 技術上已熟練的人是很明顯的。沉積和佈型的程序未在此 專利書中詳細描述，因為這些方面對於那些在薄膜積體電 路設計之技術上已熟練的人也是很明顯的。

O:\68\68561-920110.ptc 第18頁 589741 案號90100269 >年 ί月日 修正

O:\68\68561-920110.ptc 第19頁 589741 修正 案號 90100269 圖式簡單說明 38 讀取放大器 3 9 箭號 4 0 列驅動電路 50 補充的支撐層 5 0a 上邊緣 5 0b 下邊緣 5 0c 端點邊緣 5 2 犧牲層 54 開口 56 開口

O:\68\68561-920110.ptc 第20頁

Claims (1)

1. 589741 _案號90100269 ^>年（月曰 修正_ 六、申請專利範圍 1. 一種製造積體電路裝置的方法，該裝置包含複數個微 · 機械開關和複數個提供在一共同的基板上之薄膜電路元 件，該方法包含： 沉積和佈型一下電極圖樣，其定義供該薄膜電路元件 和該微機械開關之底部接觸； 沉積和佈型元件層用以形成該薄膜電路元件在該下電 極圖樣上面，該元件層定義犧牲區域於該配置給該微機械 開關之基板的區域上面，和定義該薄膜電路元件於該配置 給該薄膜電路元件之基板的區域上面； 沉積和佈型一導電層以提供一上電極圖樣，該上電極 圖樣定義供該薄膜電路元件之頂部接觸及定義接觸供該微+ 機械開關之臂樑，該接觸臂樑每一個都延伸通過一個別的 犧牲區域； 去除該元件層的犧牲區域以定義一在該接觸臂樑和每 一微機械開關之下電極圖樣之間的空間。 2 .根據申請專利範圍第1項的方法，其中該薄膜電路元 件包含二極體。 3. 根據申請專利範圍第1或2項的方法，其中該元件層定 義一 P I N或N I P二極體結構和一上電極層。 4. 根據申請專利範圍第3項的方法，其中非晶矽層被沉 積以定義該二極體結構。 5 .根據申請專利範圍第3項的方法，其中該上電極層被 Μ 佈型以定義一在該犧牲區域中的井，以便在該犧牲區域的 移除後，一接點投射被定義在該接觸光線的下側上。

   O:\68\68561-920110.ptc 第21頁 589741 修正 案號 90100269 六、申請專利範圍 6. 根據申請專利範圍第1項的方法，更包含沉積一鈍化 層繞該佈型元件層構成該薄膜電路元件。 7. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中該上電極圖樣 被佈型以對於每一微機械開關定義一懸臂的臂樑結構。 8. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中一支撐層可以 被沉積和佈型在該配置於該微機械開關之基板的區域中之 元件層上，以提供該接觸臂樑的機構支撐。 9. 根據申請專利範圍第8項的方法，其中該犧牲區域的 移除使用一蝕刻劑來完成，其留下支撐層。

   1 0 .根據申請專利範圍第9項的方法，其中跟隨該犧牲層 的移除，該支撐層更使用該接觸臂樑當作一光罩來蝕刻， 以至於留下形成一直接延伸在該接觸臂樑下面上之加強層 的一部分。 1 1. 一種影像感測器，包含一像素的陣列，每一像素包 含一光二極體和一微機械開關，該影像感測器裝置使用前 述申請專利範圍任一項中的方法來製造。 1 2 .根據申請專利範圍第1 1項的影像感測器，用以偵測 入射的X光輻射，並包括一轉換層藉由該影像感測器裝置 的光二極體用以轉換入射的X光輻射成為用於偵測的光學 輻射。

   O:\68\68561-920110.ptc 第22頁