JP2003516629A - マイクロメカニカルスイッチを含む電子デバイス - Google Patents

マイクロメカニカルスイッチを含む電子デバイス

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Abstract

(57)【要約】 共通の基板(２)上に設けられたマイクロメカニカルスイッチ(１０)と薄膜回路素子(２０)を有する集積回路デバイスを具える電子デバイスを製造する方法である。マイクロメカニカルスイッチ(１０)はそれぞれの犠牲領域の上を延在する接点ビーム(１２)を有する。薄膜回路素子を構成する素子層(５)をマイクロメカニカルスイッチに割り当てられた基板の領域において犠牲領域として使用する。これにより種々の層をマイクロメカニカルスイッチと薄膜回路素子との間で共用することができる。追加の支持層(５０)を接点ビームのために設けて、後続の処理及び製造工程中に接点ビームを損傷から保護することができる。この支持層の一部分を完成品の接点ビームに付着したまま残存させてこれを補強することもできる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 (技術分野) 本発明は、電子デバイス、特にマイクロメカニカルスイッチを含む集積回路デ
バイス及びそれらの製造方法に関するものである。特に、本願発明は個々のフォ
トダイオードのアドレス指定が関連するマイクロメカニカルスイッチにより制御
される集積回路フォトダイオードアレイに関するものであるが、これに限定され
ない。
【０００２】 (背景技術) マイクロメカニカルスイッチはトランジスタやダイオードのような慣例の半導
体スイッチデバイスより低いオン抵抗値及び高いオフ抵抗値を有することが認め
られている。種々のタイプのマイクロメカニカルスイッチが提案されており、こ
れらはスイッチング動作を達成するために可動ビームの静電又は電磁駆動を用い
ている。このようなスイッチのビームを製造する既知の方法では、適切な機械的
及び電気的特性を有するビーム構造を犠牲支持層上に堆積する。この犠牲層は最
終的には除去して空所を残存させ、この空所内でビームが駆動信号の印加時に偏
向し得るようにする。「Proceedings of the IEEE on Microelectro- mechani
cal Systems」、1994、第97頁の論文「Electrostatic Polysilicon Microrelays
integrated with MOSFETs」に、両端で支持されたビームを具えるとともに、ビ
ームの中心部の下部に二酸化シリコンの犠牲エッチングにより形成された空所を
具えたマイクロリレーが開示されている。このマイクロリレー構造はトランジス
タ基板上に集積され、マイクロメカニカルデバイスのＩＣコンパチビリティが証
明されている。
【０００３】 マイクロメカニカルスイッチを含む集積回路デバイスを製造する既存の方法は
、種々の構成要素をデバイス上に集積する必要があることから製造プロセスの複
雑になることにある。
【０００４】 (発明の開示) 本発明は、共通の基板上に設けられた複数のマイクロメカニカルスイッチと複
数の薄膜回路素子を具える集積回路デバイスを製造する方法において、 下部電極パターンを堆積しパターン化して薄膜回路素子及びマイクロメカニカ
ルスイッチの下部接点を形成し、 薄膜回路素子を構成するための素子層を下部電極パターンの上に堆積しパター
ン化し、該素子層によって、マイクロメカニカルスイッチに割り当てられた基板
の領域の上に犠牲領域を形成するとともに薄膜回路素子に割り当てられた基板の
領域の上に薄膜回路素子を形成し、 導電層を堆積しパターン化して上部電極パターンを形成し、該上部電極パター
ンによって、薄膜回路素子の上部接点を形成するとともにマイクロメカニカルス
イッチの接点ビームを形成し、各接点ビームは各犠牲領域の上を延在させ、 前記素子層の犠牲領域を除去して各マイクロメカニカルスイッチの接点ビーム
と下部電極パターンとの間に空間を形成することを特徴とする。
【０００５】 本発明の方法では、下部及び上部電極パターンをマイクロメカニカルスイッチ
と薄膜回路素子との間で共用し、集積回路電極を形成するのに必要とされる追加
の製造工程の数を低減する。更に、薄膜回路素子を構成する層をマイクロメカニ
カルスイッチの接点ビームの支持体としても作用する。このようにすると、素子
層の一部分がマイクロメカニカルスイッチの犠牲層を形成するため、薄膜回路素
子とスイッチに必要とされる製造工程が可能最大限に共用される。
【０００６】 薄膜回路素子はダイオード、例えばＰＩＮ又はＮＩＰダイオード構造とし、そ
のダイオード構造の上に直接接触する上部電極層を設けることができる。これら
のダイオードはアモルファスシリコン層から形成することができ、得られたダイ
オード−スイッチ集積回路デバイスはイメージセンサの画素を構成するもとする
ことができる。
【０００７】 上部電極層をパターン化してこの電極層の犠牲領域に孔を形成して、犠牲領域
の除去後に、接点突部が接点ビームの下面に形成されるようにすることができる
。接点突部はスイッチのオン抵抗値の低減を助ける。
【０００８】 支持層をマイクロメカニカルスイッチに割り当てられた基板の領域における素
子層の上に堆積しパターン化して接点ビームの機械的支持体を設けることができ
る。これによりビームの剛性を向上させ、後続のエッチング処理又は集積回路素
子のダイシング及びパッケージング中にビームが壊れるのを防ぐことができる。
犠牲領域の除去は支持層を残すエッチャントを用いて実行して追加の支持体を完
成品の接点ビームに与えるのが好ましい。
【０００９】 (発明を実施するための最良の形態) 各図は単なる線図であって、一定の寸法比で描いてない。特に、層や領域の所
定の寸法、例えば厚さを他の寸法より誇張してある。また、全図を通して同一又
は類似の部分は同一の符号で示す。
【００１０】 本発明は、マイクロメカニカルスイッチと他の薄膜電子回路素子を共通の基板
上に集積する技術と関連する。特に、本発明は図３に示すような集積回路デバイ
スの形態の電子デバイスを製造する方法を提供する。この電子デバイスでは、マ
イクロメカニカルスイッチ１０が空隙１４上を延在するビーム１２を具え、該ビ
ーム１２を駆動信号の印加により空隙１４内へ選択的に移動させてスイッチを閉
じることができる。ビーム１２は、後に除去されて空隙１４を形成する犠牲層の
上に堆積される。本発明は、薄膜回路素子２０を、これらの薄膜回路素子の構造
を形成するのみならず後に除去されて空隙１４を形成する犠牲層も形成する層か
ら形成する方法を提供する。一例として、本発明を共通の基板上に支持されたフ
ォトダイオードとマイクロメカニカルスイッチを具える集積回路イメージセンサ
デバイスについて説明する。
【００１１】 製造プロセスは、共通基板上への導電性、絶縁性及び半絶縁性の種々の層の堆
積及びフォトリソグラフィ技術によるパターンニングを用いる。一般に、このよ
うなプロセスは公知であり、絶縁性基板上に支持された薄膜ダイオード、薄膜ト
ランジスタ等のアレイを具える大面積薄膜電子デバイスの製造に使用されている
。
【００１２】 薄膜フォトダイオードデバイスを形成するのに必要な製造ステップを図１を参
照して説明する。図１はスタックダイオード構造を形成するのに必要とされる製
造工程を示す。このダイオード構造自体は一般に慣例のものである。
【００１３】 図１Ａに示すように、好ましくは金属の下部導電接点層４を例えばガラスの絶
縁基板２上に設ける。下部接点層４は、慣例の薄膜製造技術を用いて堆積しパタ
ーン化したクロム層とすることができる。図１Ｂに示すように、所要のダイオー
ド構造を形成する半導体層５を下部接点層４上に直接堆積し、パターン化し、次
いでその上にダイオード構造の上部表面と直接接触する上部電極層６を設ける。
半導体層５はアモルファスシリコンとすることができ、例えばＮＩＰ又はＰＩＮ
構造を形成することができる。従って、半導体層５は、第１のドーパント型の下
部層と真性層と第２（反対）ドーパント型の上部層の３つの個別の層を具える。
上部接点層は透明なＩＴＯとすることができ、これによりダイオードを上方から
入射する光に応答させることができる。層５及び６は単一エッチング工程中に一
緒にパターン化して図１Ｂに示すようなダイオード構造を形成する。
【００１４】 次に、図１Ｃに示すように、適切な絶縁材料のパッシベーション層７を堆積し
、ダイオード構造を囲むように適切にパターン化してダイオードスタックのエッ
ジにおけるエッジリーク電流を減少させるとともに、上部層６の面積の少なくと
も相当部分を露出したままにする。 この層７は窒化シリコンとすることができ、この層も慣例の技術を用いて堆積
しパターン化することができる。
【００１５】 最後に、図１Ｄに示すように、上部接点層８を堆積し、パターン化してダイオ
ード構造の上部電極への接点を形成する。層８はパッシベーション層７の表面上
を延在して上部電極６の露出表面と直接電気的に接触する。この層は金属層とし
、後に明かになるように、この層の性質、すなわち組成、厚さなどはマイクロメ
カニカルスイッチの機械的及び電気的要件を考慮して選択される。図１Ｄは１つ
の完成ダイオード構造を示すが、これは同時に形成された他のダイオード構造と
一緒に、マイクロメカニカルスイッチと共通の基板上に集積される薄膜回路素子
２０を提供する。
【００１６】 種々の層を堆積し、パターン化する技術は、大面積電子デバイスを製造するた
めに絶縁基板上に薄膜電子デバイスを製造するのに慣用されているような既知の
種類のもの、代表的には例えばＣＶＤプロセスによる層の堆積及びフォトリソグ
ラフィプロセスによる次のパターニングを含むものとするのがよい。従って、こ
れらのプロセスをここに詳細に記載する必要はないものと思われる。
【００１７】 図２は、図１のダイオードと同一の基板上に集積されるマイクロメカニカルス
イッチの製造工程を示す。図２の工程Ａ，Ｂ及びＤで実行される層の堆積及びパ
ターニングは図１の工程Ａ．Ｂ及びＤで実行される層の堆積及びパターニングに
対応するため、同一の層堆積及びパターニングプロセスを用いてダイオードとス
イッチを適切な相互接続と一緒に同時に都合よく製造することができる。
【００１８】 図２Ａに示すように、下部接点層４を構成する堆積金属層をマイクロメカニカ
ルスイッチの相互離間スイッチ接点１６Ａ、１６Ｂと中間制御電極１６Ｃも形成
するようにパターン化する。図２Ｂのダイオードスタック５、６を構成する素子
層の堆積及びパターン化によって、スイッチ接点の上方を延在する各マイクロメ
カニカルスイッチの位置において犠牲領域を構成する。
【００１９】 図２Ｃはマイクロメカニカルスイッチにのみ必要とされる製造工程を示す。こ
の工程では、堆積したダイオード層構造の上部電極層６に、一方のスイッチ接点
、即ち接点１６Ｂの真上の部分に孔１７をエッチングする。この図２の工程Ｃは
図１の工程Ｃの前又は後で実行することができる。更に図１の工程Ｃはマイクロ
メカニカルスイッチ構造の製造の役にはたたない。
【００２０】 図２の工程Ｄにおいて、堆積した上部金属接点層８をパターン化して接点ビー
ムを形成する。孔１７内に侵入する上部接点層８の部分が接点ビーム１２の裏面
又は下面上の接点突部１８を構成する。
【００２１】 マイクロメカニカルスイッチ位置にある前記犠牲領域を構成する層５、６の部
分をエッチングにより除去する。この犠牲領域のダイオード構造を構成するアモ
ルファスシリコン層と上部ＩＴＯ接点層６を除去すると、図２Ｅに示す構造が得
られる。これらの層の除去は自由空間空隙１４を生成し、ビーム１２が接点１６
Ａの上部領域を中心に回動可能になって、接点１６Ｃへの駆動電圧の印加時又は
除去時に、スイッチ電極１６Ａ、１６Ｂ間の電気的接触を層８によりメーク又は
ブレークすることができる。
【００２２】 図２Ｅに示す構造を生成する犠牲層領域のエッチング中、フォトダイオード２
０を構成する層は適切なフォトマスクによって使用するエッチャントから遮蔽す
る。犠牲層領域の除去はウエットエッチングを用いて実行するのが好ましい。そ
の理由は、エッチング液は空隙１４のあらゆる部分へ侵入し得るためである。こ
のエッチングはまた比較的費用がかからず、ドライエッチングやベイパーエッチ
ング技術に比較して安全なプロセスである。選択するエッチャントは金属接点ビ
ーム１２及び電極１６に影響を与えないものとする必要があり、これに従って選
択すること勿論である。
【００２３】 ダイオードとマイクロメカニカルスイッチを含む集積回路デバイスのイメージ
センサへの応用について説明する。フォトダイオードを用いる慣例の大面積薄膜
集積回路イメージセンサはイメージセンサ画素のアレイを具え、各画素はフォト
ダイオードと（入射光から遮蔽された）薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）又はスイッ
チングダイオードの形態のスイッチングデバイスを具える。
【００２４】 本発明の方法を用いて製造されたマイクロメカイカルスイッチをイメージセン
サフォトダイオードアレイ内のスイッチング素子として使用する。この場合には
、各イメージセンサ画素はフォトダイオードと、該フォトダイオードへの又はか
らの電荷の通過を制御してイメージセンサアレイのアドレシングを可能にするマ
イクロメカニカルスイッチを具える。これは、フォトダイオードとスイッチを一
体に形成された上部接点８及びビーム１２を経て電気的に相互接続することによ
り達成される。
【００２５】 マイクロメカニカルスイッチを使用することにより達成される減少したオン抵
抗及び増大したオフ抵抗によって、フォトダイオードに蓄積され読み出すことが
できる電荷量を増大することができ、これにより動作速度を増大することができ
、また読出し後もフォトダイオードに若干の電荷が残存する所謂メモリ効果を低
減することができる。マイクロメカニカルスイッチの使用は、ＴＦＴ又はスイッ
チングダイオードと比較して、デバイスの出力キャパシタンスも低減し、イメー
ジセンサアレイの動作性能を更に向上させることができる。また、マイクロメカ
ニカルスイッチは感光性でないため、このようなデバイスを入射光氏から遮蔽す
る必要もなくなる。
【００２６】 図３は、マイクロメカニカルスイッチが接点８及びビーム１２を構成する金属
層によりフォトダイオードと直列に接続された各画素回路を構成する、並んで位
置する薄膜ダイオード２０とマイクロメカニカルスイッチ１０を示す。図１及び
２で使用した符号と同一の符号を使用しているので、２つのデバイス１０と２０
の間における層の共用が容易に認識することができる。図３は完成デバイス内の
マイクロメカニカルスイッチ１０を保護するオプションの保護層１９も示す。こ
の層１９はスペーサとして作用するパッシベーション層７を覆う金属上部接点層
８の部分１１の最上部平坦面に取り付けた予備成形ガラスマイクロシートとする
ことができる。
【００２７】 自然の状態では、マイクロメカニカルスイッチのビーム１２の位置は図３に示
す位置にあって、接点１６Ａ及び１６Ｂは電気的に絶縁され、スイッチは実際上
開である。駆動電圧を電極１６Ｃに供給すると、ビーム１２は静電引張り効果に
より下向きに回動されるため、ビーム１２の突部１８が電極１６Ｂと接触し、ス
イッチを閉じて電極１６Ａ及び１６Ｂを電気的に接続する。駆動信号を除去する
と、ビーム１２は最初の弛緩状態位置に戻る。代表的な例として、ビームは約２
０μｍの長さとし、弛緩状態における突部１８と電極１６Ｂとの間の空隙は約１
．５μｍとし、ビーム１２の回動変位量は約８度とした。
【００２８】 図４及び図５は図３に示すダイオード−スイッチ配置を用いるイメージセンサ
を示す。図４は光感知素子としてフォトダイオードを使用するイメージセンサの
基本的動作原理を示す。
【００２９】 図４に示すように、電磁放射Ｒが感光性ダイオード３０に入射し、このダイオ
ードは電磁放射Ｒに応答する。電磁放射Ｒは可視光にすることができる。図４に
示すように、単一感光性素子はダイオード３０の寄生又は固有のキャパシタンス
を表わすキャパシタ２と並列であり、このキャパシタは検出器のダイナミックレ
ンジを改善するために追加のキャパシタを含むこともできる。ダイオード３０の
陰極３０ａは共通ライン３４に接続され、ダイオード３０の陽極３０ｂは関連す
るスイッチング素子３６の一端に接続される。スイッチ３６の他端は読取増幅器
３８に接続される。図４の回路は単一イメージセンサ画素の要素レイアウトを示
す。
【００３０】 図４の回路を駆動してフォトダイオードの入射光を表わす出力を出力させる一
つの可能な駆動方法を以下に説明する。 アドレス期間の開始時に、スイッチ３６を閉じ、キャパシタ３２を端子３４の
電圧と増幅器３８により与えられる電圧との差により決まる初期値に充電する。
例えば、端子３４は５ボルトにし、増幅器３８はフォトダイオードの陽極を零ボ
ルトに駆動することができる。これによりフォトダイオードキャパシタ３２は５
ボルトの初期電圧に充電され、フォトダイオードは逆バイアスされる。次の光感
知動作中は、スイッチ３６を開くため、端子３４へと又はから何の電流も流れな
い。この時間中に、フォトダイオード３０に入射する光は少数キャリヤ（光電子
）電流を生成し、矢印３９で示すようにキャパシタンス３２を放電する。光感知
動作の終了時に、フォトダイオードの両端間電圧は入射光の強度の関数として低
下する。この電圧低下の量を測定するために、スイッチ３６を再び閉じ、端子３
４からキャパシタ２を再充電する電流を増幅器３８で測定する。
【００３１】 当業者に明らかな種々の画素構成及び駆動方法がある。フォトダイオードを電
気的に絶縁して光感知期間中フォトダイオードキャパシタンスの放電を生じさせ
るためにスイッチ３６が本質的に必要とされる。
【００３２】 図５は、図４の画素構成を、スイッチ３６として作用するマイクロメカニカル
スイッチを有する大面積２次元イメージセンサに実現した場合を示す。アレイは
個別画素の行及び列を具え、各画素は電荷感知読取増幅器３８と全画素に共通の
共通端子３４との間に電気的に直列に接続されたフォトダイオード２０とマイク
ロメカニカルスイッチ１０を具える。行駆動回路４０が設けられ、マイクロメカ
ニカルスイッチの電極１６Ｃに供給する駆動信号を発生してこれらのスイッチを
開閉する。慣例の如く、アレイの画素は一度に一行づつアドレスする。画素は代
表的には２００μｍのピッチを有し、アレイは４００ｍｍ×４００ｍｍまでの全
サイズを有し、人間又は動物の体の一部の診断用Ｘ線画像を検出するのに使用さ
れる画像検出器に要求される解像度を達成するものとすることができる。代表的
には、アレイは２０００×２０００画素のアレイにすることができるが、明瞭の
ため図５にはその一部分のみを示す。Ｘ線イメージ検出器の場合には、電磁放射
Ｒは、入力としてＸ線を有し、出力としてダイオードで検出し得る可視光を出力
するエネルギー変換層（図示せず）から供給することができる。このような場合
には、エネルギー変換層は蛍光体層、例えばチタンドープ沃化セシウムの層とす
ることができる。
【００３３】 アクティブマトリクススイッチング機能用にマイクロメカニカルスイッチを使
用する点を除いて、このアレイはフォトダイオードを用いる既知の構成のイメー
ジセンサアレイと、その動作が大体同一である。
【００３４】 画素を回路４０、３８及び共通端子３４と相互接続するアドレスラインは基板
上に堆積した導電材料から形成すること明かである。従って、スイッチ制御電極
１６Ｃはフォトダイオードの下部接点層４に使用するものと同一の堆積金属層か
ら形成された行アドレス導体群と一体の延長部を具えるものとすることができる
。列アドレス導体群も同様に別の堆積導電層、例えば上部接点層８に使用する導
電層から適切なパターン化により形成することができ、フォトダイオードの下部
接点４は一方の列アドレス群に接続する一体の延長部及びスイッチ接点１６Ｂは
他方の列アドレス群に接続する一体の延長部を有するものとする。これらの行導
体と列導体の間にはそれらの交差部に絶縁材料を設け、これはパッシベーション
層７を形成するために堆積する材料で設けることができる。
【００３５】 図２につき記載した製造プロセスに関して、場合によっては、図２Ｅに示す空
隙１４を形成するのに用いるウエットエッチングの結果として問題が起り得る。
ウエットエッチングプロセスに使用する液体は粘性であり、液体内の移動時にビ
ーム１２が折れ曲がり、破断し得る。乾燥も問題を生じ得る。その理由は、清浄
処理に使用された水がビーム１２の下部に残存し、乾燥中に小さくなるにつれて
玉になり、表面張力がビームを変形し得るためである。ビーム１２は、デバイス
の大面積アレイをダイシングし、パッケージングする際、又は相互接続を集積回
路デバイスのエッジまで形成する際にも物理的損傷を被り得る。これらの問題の
解決には困難が生ずる。その理由は、ビーム１２の材料は、使用する大面積薄膜
プロセスとコンパチブルであるのに加えて、スイッチの電気的特性を決定する電
気的要件と供給駆動信号によるビーム１２の正しい変形のための機械的要件の両
方を十分に満足する必要があるためである。
【００３６】 マイクロメカニカルスイッチ及びその製造方法の他の実施例を図６を参照して
以下に説明する。図６は上述の問題を解決するためのマイクロメカニカルスイッ
チの製造における追加の製造工程を示す。図２Ａ及びＢについて説明した工程を
最初に実施してパターン化された犠牲層を有するスイッチエリアを形成する。次
に誘電体材料の支持層５０をスイッチの犠牲層上に堆積しパターン化して接点ビ
ームに機械的支持体を与える。図６Ａはこの製造工程における平面図を示す図６
Ｂの線Ａ−Ａにおける断面図を示す。支持層５０は、平面図から明らかなように
、犠牲層（ここでは５２で示す）の周縁を超えて延長する。層５２は前実施例の
層５に対応する。支持層５０には、後に明らかとなるように、接点ビームに予定
された位置から外れているが犠牲層５２の上に位置する部分に一連の貫通孔５４
を設けてウエットエッチャントが犠牲層５２に接近し得るようにする。支持層５
０には接点電極１６Ｂと整列する追加の孔５６も設け、これを図２Ｄにつき記載
した接点突部１８の形成のために使用する。
【００３７】 図６の工程Ｃは図２の工程Ｃに対応し、この工程では孔１７を上部接点層６に
設けるが、ここでは支持層５０をマスクとして使用し、孔５６を経てエッチング
する。
【００３８】 上部接点層８を前述したように形成し、次いでウエットエッチングを用いて犠
牲層を除去して図６Ｄに示す構造を得る。エッチャントは、犠牲層を構成するダ
イオード構造のアモルファスシリコン層とＩＴＯ上部接点層を除去するが支持層
５０はそのまま残すものを選択する。この支持層は上部接点層８の金属より大き
な剛性を有する窒化シリコンとするのが好ましい。犠牲層５２の除去後に、支持
層５０は実際上接点ビーム１２を支持するクレードルを構成する。クレードルは
接点ビーム１２の下面を延在し、そこから、接点ビーム１２と基板２との間の空
隙を埋める周囲壁５０まで横方向に延在する。図６Ｅの平面図に示すように、ク
レードルはこの段階ではもとのままであり、図６Ｅに示すように上部及び下部エ
ッジ５０ａ、５０ｂと終端エッジ５０ｃ（図６Ｄの断面図にも示す）に沿って基
板と接触する。
【００３９】 このクレードルは集積回路要素のダイシング及びパッケージング中及び相互接
続の形成中残存させることができる。或は又、クレードルは犠牲層を除去するウ
エットプロセスの終了後に除去することもできる。クレードルは、接点ビーム１
２をマスクとして用いて、反応性イオンエッチングにより除去することができる
。接点ビーム１２の下面上に位置する支持層５０の材料はこの反応性イオンエッ
チングにより除去されないので、この支持層はビームの下面上に直接残存して補
強層として作用してビームを補強するとともに、例えば接点ビーム１２と静電駆
動用の制御電極１６Ｃとの間の絶縁をもたらす。図６Ｆはクレードルの反応性イ
オンエッチング後のマイクロメカニカルスイッチの構造を平面図で示し、図６Ｇ
は同一の構造を断面図で示す。
【００４０】 フォトダイオードと関連するマイクロメカニカルスイッチと類似のマイクロメ
カニカルスイッチを行駆動回路４０又は電荷感知増幅器３８内のスイッチングデ
バイスとして、例えばシフトレジスタ回路の要素として使用することもできる。
この場合には、これらの回路をイメージセンサアレイと同一の基板上に集積する
ことができ、画素スイッチ１０と同一の方法で、同一の堆積層から同時に製造す
ることができる。その代わりに、あるいはそれに加えて、マルチプレクサ回路を
行駆動回路４０と画素アレイとの間及び増幅器３８と画素アレイとの間に設ける
ことができる。これらのマルチプレクサ回路は同様に画素アレイと同一の基板上
に集積し、この場合にも同一の設計のマイクロメカニカルスイッチングを具える
ものとすることができる。
【００４１】 以上、本発明を特にダイオードとスイッチを直列に具えるイメージセンサ画素
構造について説明したが、本発明は集積回路デバイスを具える多くの他の電子デ
バイスに適用することができる。同様に、一つの特定の画素設計をイメージセン
サについて示したが、多くの他の可能性が当業者に明かである。本発明の方法を
用いて製造されたフォトダイオードとマイクロメカニカルスイッチを有する画素
を用いるイメージセンサは、例えばＸ線イメージセンサ、ドキュメントスキャナ
、指紋センサ、或は光画像を補足する必要がある他の多くの用途に使用すること
ができる。本発明の方法は、集積回路デバイスの製造プロセスにおいて必要とさ
れるマスク数を減少させることができ、デバイスの性能を慣例の設計のスイッチ
を具えるものと比較して向上させることができる。
【００４２】 本願明細書に記載した特定の材料の代わりに種々の他の材料を使用することが
できることは当業者に明かである。堆積及びパターニングプロセスについて詳細
に説明してなかったが、これはこれらのプロセスは薄膜集積回路の技術分野にお
いて当業者に明かであるためである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 集積回路ダイオード構造の製造に必要とされる製造工程を示す。
【図２】 図１のダイオード構造と同一の基板上に集積すべきマイクロメカニカ
ルスイッチの製造に必要とされる本発明の製造工程を示す。
【図３】 基板上の一つの位置に横方向隣接要素として存在するダイオードとマ
イクロメカニカルスイッチの組合わせを示す。
【図４】 イメージセンサ内の画素として存在するフォトダイオードとマイクロ
メカニカルスイッチの組合わせの動作を示す。
【図５】 本発明の方法に従って製造したイメージセンサの回路構成を示す。
【図６】 共通の基板上にマイクロメカニカルスイッチとダイオード構造を具え
る電子デバイスを製造する本発明の他の方法の製造工程を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｈ 59/00 Ｈ０４Ｎ 5/32 Ｈ０１Ｌ 27/14 5/335 Ｕ 31/10 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｃ Ｈ０４Ｎ 5/32 31/10 Ｈ 5/335 27/14 Ｋ (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＣＮ，Ｊ Ｐ，ＫＲ Ｆターム(参考） 2G088 EE01 FF02 GG19 GG20 JJ05 JJ09 JJ37 KK40 4M118 AB01 BA05 CA05 FB03 FB09 FB11 FB16 FB24 5C024 AX11 CY47 GX03 HX01 5F049 MA04 MB05 NA14 NA18 NB03 QA02 RA04 RA08 SE05 SE11 SS01 TA11 WA07

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 共通の基板上に設けられた複数のマイクロメカニカルスイッチと
    複数の薄膜回路素子を具える集積回路デバイスを製造する方法において、 下部電極パターンを堆積しパターン化して薄膜回路素子及びマイクロメカニカ
    ルスイッチの下部接点を形成し、 薄膜回路素子を構成するための素子層を前記下部電極パターンの上に堆積しパ
    ターン化し、該素子層によって、マイクロメカニカルスイッチに割り当てられた
    基板の領域の上に犠牲領域を形成するとともに薄膜回路素子に割り当てられた基
    板の領域の上に薄膜回路素子を形成し、 導電層を堆積しパターン化して上部電極パターンを形成し、該上部電極パター
    ンによって、薄膜回路素子の上部接点を形成するとともにマイクロメカニカルス
    イッチの接点ビームを形成し、各接点ビームは各犠牲領域の上を延在させ、 前記素子層の犠牲領域を除去して各マイクロメカニカルスイッチの接点ビーム
    と下部電極パターンとの間に空間を形成することを特徴とする集積回路デバイス
    の製造方法。
  2. 【請求項２】 薄膜回路素子はダイオードを具えることを特徴とする請求項1記
    載の方法。
  3. 【請求項３】 前記素子層はＰＩＮ又はＮＩＰダイオード構造及び電極層を構成
    することを特徴とする請求項１又は２記載の方法。
  4. 【請求項４】 アモルファスシリコン層を堆積して前記ダイオード構造を形成す
    ることを特徴とする請求項３記載の方法。
  5. 【請求項５】 接点ビームの裏面側に接点突部が形成されるように、前記上部電
    極層をパターン化してこの電極層に犠牲領域内にて孔を形成することを特徴とす
    る請求項３又は４記載の方法。
  6. 【請求項６】 薄膜回路素子を構成するパターン化された素子層の周囲にパッシ
    ベーション層を堆積することを特徴とする請求項１-５の何れかに記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記上部電極パターンは各マイクロメカニカルスイッチに対し片
    持ちビーム構造を形成するようにパターン化することを特徴とする請求項１-６
    の何れかに記載の方法。
  8. 【請求項８】 支持層をマイクロメカニカルスイッチに割り当てられた基板の領
    域における素子層の上に堆積しパターン化して接点ビームの機械的支持体を形成
    することを特徴とする請求項１-７の何れかに記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記犠牲領域の除去は支持層を残すエッチャントを用いて実行す
    ることを特徴とする請求項８記載の方法。
  10. 【請求項１０】 前記犠牲領域の除去に続いて、前記接点ビームをマスクとして
    用いて前記支持層を更にエッチングして、前記接点ビームの裏面上を直接延在す
    る補強層を形成する部分を残存させることを特徴とする請求項９記載の方法。
  11. 【請求項１１】 画素のアレイを具え、各画素はフォトダイオードとマイクロメ
    カニカルスイッチを具えるイメージセンサデバイスであって、該イメージセンサ
    デバイスは請求項１-１０の何れかに記載の方法で製造されていることを特徴と
    するイメージセンサデバイス。
  12. 【請求項１２】 入射Ｘ線放射をイメージセンサデバイスのフォトダイオードで
    検出し得る光放射に変換する変換層を含むことを特徴とする入射Ｘ線放射検出用
    の請求項１１記載のイメージセンサデバイス。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005342839A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Nikon Corp マイクロアクチュエータアレー、光学装置及び光スイッチアレー
JP2007513782A (ja) * 2003-10-31 2007-05-31 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
JP2007149318A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Korea Advanced Inst Of Sci Technol 機械的なスイッチを利用したメモリアレイ、その制御方法、機械的なスイッチを利用した表示装置及びその制御方法
US7956709B2 (en) 2006-08-04 2011-06-07 Seiko Epson Corporation MEMS switch and manufacturing method thereof
JP2013508894A (ja) * 2009-10-15 2013-03-07 アルテラ コーポレイション 構成可能なマルチゲートスイッチ回路
JP2017050175A (ja) * 2015-09-02 2017-03-09 Tdk株式会社 圧電型ｍｅｍｓスイッチ及び圧電型ｍｅｍｓスイッチの製造方法

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7005314B2 (en) * 2001-06-27 2006-02-28 Intel Corporation Sacrificial layer technique to make gaps in MEMS applications
EP1760036B1 (en) 2001-11-09 2012-06-13 WiSpry, Inc. MEMS device having contact and standoff bumps and method of actuating
JP3770158B2 (ja) * 2001-12-26 2006-04-26 ソニー株式会社 Ｍｅｍｓ素子の製造方法
US7053967B2 (en) 2002-05-23 2006-05-30 Planar Systems, Inc. Light sensitive display
WO2003073159A1 (en) 2002-02-20 2003-09-04 Planar Systems, Inc. Light sensitive display
US7009663B2 (en) 2003-12-17 2006-03-07 Planar Systems, Inc. Integrated optical light sensitive active matrix liquid crystal display
US6990539B2 (en) * 2002-04-15 2006-01-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Apparatus and method of implementing BREQ routing to allow functionality with 2 way or 4 way processors
EP1556877B1 (en) * 2002-10-25 2007-01-24 Analog Devices, Inc. A micromachined relay with inorganic insulation
US20080084374A1 (en) * 2003-02-20 2008-04-10 Planar Systems, Inc. Light sensitive display
US7199498B2 (en) * 2003-06-02 2007-04-03 Ambient Systems, Inc. Electrical assemblies using molecular-scale electrically conductive and mechanically flexible beams and methods for application of same
US20040238907A1 (en) * 2003-06-02 2004-12-02 Pinkerton Joseph F. Nanoelectromechanical transistors and switch systems
US6841411B1 (en) * 2003-06-30 2005-01-11 Agilent Technologies, Inc. Method of utilizing a top conductive layer in isolating pixels of an image sensor array
ES2246693B1 (es) * 2003-11-18 2006-11-01 Baolab Microsystems S.L. Circuito integrado con matriz de conexion analogica.
US7084000B2 (en) * 2003-12-16 2006-08-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state imaging device and method for manufacturing the same
US7773139B2 (en) 2004-04-16 2010-08-10 Apple Inc. Image sensor with photosensitive thin film transistors
DE602005011420D1 (de) * 2004-04-19 2009-01-15 Baolab Microsystems Sl Integrierte schaltung mit analoger verbindungsmatrix
JP2007538483A (ja) * 2004-05-19 2007-12-27 バオラブ マイクロシステムズ エス エル レギュレータ回路及びその使用法
DE102004055939B4 (de) * 2004-11-19 2007-05-03 Siemens Ag Schaltmatrix
US20070048160A1 (en) * 2005-07-19 2007-03-01 Pinkerton Joseph F Heat activated nanometer-scale pump
US7875483B2 (en) 2005-08-10 2011-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of microelectromechanical system
US7602261B2 (en) * 2005-12-22 2009-10-13 Intel Corporation Micro-electromechanical system (MEMS) switch
FR2895986B1 (fr) * 2006-01-06 2008-09-05 Centre Nat Rech Scient Preparation de microcomposants multicouches par la methode de la couche epaisse sacrificielle
CN101438366B (zh) * 2006-03-08 2011-10-26 维斯普瑞公司 微机电系统（mems）可变电容器、激励部件及相关方法
US7554421B2 (en) * 2006-05-16 2009-06-30 Intel Corporation Micro-electromechanical system (MEMS) trampoline switch/varactor
US7605675B2 (en) * 2006-06-20 2009-10-20 Intel Corporation Electromechanical switch with partially rigidified electrode
US7642114B2 (en) * 2006-07-19 2010-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Micro electro mechanical device and manufacturing method thereof
US7573040B2 (en) * 2007-03-23 2009-08-11 General Electric Company Energy discriminating detector different materials direct conversion layers
CN101569530B (zh) * 2008-04-30 2013-03-27 Ge医疗系统环球技术有限公司 X-射线检测器和x-射线ct设备
US9029719B2 (en) 2010-03-30 2015-05-12 International Business Machines Corporation Integrated electro-mechanical actuator
US9310923B2 (en) 2010-12-03 2016-04-12 Apple Inc. Input device for touch sensitive devices
US8638320B2 (en) 2011-06-22 2014-01-28 Apple Inc. Stylus orientation detection
US8928635B2 (en) 2011-06-22 2015-01-06 Apple Inc. Active stylus
US9329703B2 (en) 2011-06-22 2016-05-03 Apple Inc. Intelligent stylus
US8629036B2 (en) * 2011-11-11 2014-01-14 International Business Machines Corporation Integrated semiconductor devices with amorphous silicon beam, methods of manufacture and design structure
US9557845B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Apple Inc. Input device for and method of communication with capacitive devices through frequency variation
US9176604B2 (en) 2012-07-27 2015-11-03 Apple Inc. Stylus device
US9652090B2 (en) 2012-07-27 2017-05-16 Apple Inc. Device for digital communication through capacitive coupling
US10048775B2 (en) 2013-03-14 2018-08-14 Apple Inc. Stylus detection and demodulation
US10845901B2 (en) 2013-07-31 2020-11-24 Apple Inc. Touch controller architecture
US9936147B2 (en) * 2014-03-28 2018-04-03 Varex Imaging Corporation Low power standby mode in wireless imagers
US10067618B2 (en) 2014-12-04 2018-09-04 Apple Inc. Coarse scan and targeted active mode scan for touch
US10474277B2 (en) 2016-05-31 2019-11-12 Apple Inc. Position-based stylus communication
CN113037221A (zh) * 2021-01-28 2021-06-25 明峰医疗系统股份有限公司 用于SiPM读出系统的共基极前置放大网络电路及其读出方法
DE102021213664A1 (de) 2021-12-02 2023-06-07 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Mikromechanische Vorrichtung mit einem Relais und einem Sensor

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4414968A1 (de) * 1994-04-28 1995-11-02 Siemens Ag Mikrosystem mit integrierter Schaltung und mikromechanischem Bauteil und Herstellverfahren
US5659195A (en) * 1995-06-08 1997-08-19 The Regents Of The University Of California CMOS integrated microsensor with a precision measurement circuit
US5638946A (en) * 1996-01-11 1997-06-17 Northeastern University Micromechanical switch with insulated switch contact
US6046659A (en) * 1998-05-15 2000-04-04 Hughes Electronics Corporation Design and fabrication of broadband surface-micromachined micro-electro-mechanical switches for microwave and millimeter-wave applications
FI106894B (fi) * 1998-06-02 2001-04-30 Nokia Mobile Phones Ltd Resonaattorirakenteita
US6069540A (en) * 1999-04-23 2000-05-30 Trw Inc. Micro-electro system (MEMS) switch

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007513782A (ja) * 2003-10-31 2007-05-31 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
JP4744449B2 (ja) * 2003-10-31 2011-08-10 エプコス アーゲー 電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
KR101140688B1 (ko) 2003-10-31 2012-05-03 에프코스 아게 전자 장치 및 그 제조 방법
JP2005342839A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Nikon Corp マイクロアクチュエータアレー、光学装置及び光スイッチアレー
JP4604561B2 (ja) * 2004-06-03 2011-01-05 株式会社ニコン マイクロアクチュエータアレー、光学装置及び光スイッチアレー
JP2007149318A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Korea Advanced Inst Of Sci Technol 機械的なスイッチを利用したメモリアレイ、その制御方法、機械的なスイッチを利用した表示装置及びその制御方法
US7956709B2 (en) 2006-08-04 2011-06-07 Seiko Epson Corporation MEMS switch and manufacturing method thereof
JP2013508894A (ja) * 2009-10-15 2013-03-07 アルテラ コーポレイション 構成可能なマルチゲートスイッチ回路
US8804295B2 (en) 2009-10-15 2014-08-12 Altera Corporation Configurable multi-gate switch circuitry
JP2017050175A (ja) * 2015-09-02 2017-03-09 Tdk株式会社 圧電型ｍｅｍｓスイッチ及び圧電型ｍｅｍｓスイッチの製造方法

Also Published As

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TW589741B (en) 2004-06-01
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