TW589722B - Electronic element - Google Patents

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Description

589722 五、發明說明（2) 電子裝置。 為解決上述之問題本發明之電子元件係具備：電子零 件；由柔軟性材料所構成，以包圍上述電子零件的方式配 置，且其外面側設有預定的配線圖案，並與上述電子零件 的電極領域電性連接之配線基板，以及在上述配線基板的 外側面以三次元之方式配置，為了與外部進行電性連接而 連接於上述配線圖案的電極領域之複數外部端子。此外， 上述電子零件係包含：諸如半導體晶片之主動元件，或電 容器、電阻等之被動元件。 根據該構成，在配線基板的外面側以三次元之方式設 置外部端子，藉此半導體元件的佈設（layout)，將不再侷 限於傳統之二次元之配置方式，而得以實現三次元的配 置。藉此，在設計由複數之電子元件所構成之電子裝置 時，相較於傳統之形狀，因可自由地決定電子裝置之形 狀，而得以大幅提昇電子裝置設計上的自由度。 此外，根據本發明之電子裝置係藉由：連接上述電子 元件之分別選出的外部端子而構成。根據該構成，由於能 以三次元之方式配置電子元件，因此在設計由複數之電子 元件所構成之電子裝置時，相較於傳統之形狀，因可自由 地決定電子裝置的形狀，而得以大幅提昇電子裝置設計的 自由度。此外，亦可大幅地增加訊號數。 [實施方式] 以下，參照圖式，說明本發明之電子元件以及使用該 電子元件之電子裝置之構造。
314335.ptd 第6頁 589722 五、發明說明（3) (第1實施形態） 參照第1圖至第4圖，說明本實施形態之電子元件之一 例之半導體元件1 1 1的構造。 (半導體元件111的構造） 參照第1圖至第4圖，該半導體元件1 1 1其内部係具 備：作為電子零件之半導體晶片1。該半導體晶片1的上面 部的長邊方向的兩側部，設有複數電極領域3。 以包圍半導體晶片1的方式配置由柔軟性材料所形成 之配線基板2。配線基板2的材質，可例舉聚醯亞胺、玻璃 壞氧樹脂等材料。 配線基板2’以包辰半導體晶片1之方式配置’同時在 半導體晶片1之設有電極領域3之側的同一面側，配置有配 線基板2之端部的對接部2 A。 配線基板2的外面側，設有預定的配線圖案（省略圖 示），而設於配線基板2的外面側之電極領域2 B，與設於半 導體晶片1之電極領域3 ’係措由引線（w i r e ) 4進行電性連 接。配線基板2係透過接著層5、6而接著固定於半導體晶 片卜 以覆蓋電極領域2 B、3、以及引線4，同時充填半導體 晶片1與配線基板2之間的空隙之方式形成密封用密封樹脂 7。利用該密封樹脂7，即可避免電極領域2 B、3以及引線4 與外部的其他電氣端子間的短路、電極領域2 B、3與引線4 間的連接領域之破損等問題的產生，進而達成半導體元件 1 1 1的可靠性的提昇。
314335.ptd 第7頁 589722 五、發明說明（4) 在配線基板2的外面側，設有在配線基板的上面、側 面、以及底面以三次元的配置方式，為了與外部進行電性 連接而連接於配線圖案之電極領域之複數外部端子8。該 外部端子8係由金屬材料等所形成，並大致呈球形形狀。 (其他之形態） 以與上述半導體元件1 1 1相同之構成方式形成，具有 其他外徑形狀之半導體元件，可例舉如第5圖與第6圖所示 之半導體元件112，第7圖與第8圖所示之半導體元件113， 以及第9圖與第1 0圖所示之半導體元件1 1 4。 第5圖、第7圖以及第9圖，為顯示半導體元件1 1 2、 1 1 3、1 1 4之構造之全體斜視圖。而第6圖、第8圖以及第1 0 圖，為顯示半導體元件1 1 2、1 1 3、1 1 4之内部構造之斜視 圖。此外，在與上述之半導體元件1 1 1相同或相當之部 分，標示相同的參考符號，並省略重覆之說明。 第5圖與第6圖所示之半導體元件11 2係具備以下之構 成。電極領域3以橫斷半導體晶片1的中央部之方式設置。 配線基板2上，與第3圖對應之上面、側面以及底面設有外 部端子8 (與第4圖對應之側面並未設置外部端子8 )。 此外，第7圖與第8圖所示之半導體元件1 1 3係具備以 下之構成。在半導體晶片1的對角線上5設置電極領域3。 配線基板2，以沿著半導體晶片1的四邊反折上來之方式配 置。同時在配線基板2的上面、側面、底面的所有面均設 有外部端子8。 此外，第9圖與第1 0圖所示之半導體元件1 1 4係具備以
314335.ptd 第8頁 589722 五、發明說明（5) 下之構成。沿著半導體晶片1的四邊設置電極領域3。此外 配線基板2上，在沿著半導體晶片1的四邊的四個位置上設 有用以供引線4通過之開口部2 C。 以上，以上述構造形成之半導體元件1 1 1、1 1 2、 1 1 3、1 1 4，配線基板2的外面側係以三次元之方式設置外 部端子8，如此半導體元件的佈設（1 ayout)，不再侷限於 傳統之二次元之配置方式，而得以實現三次元之配置。藉 此，在設計由複數半導體元件所構成之電子裝置時，相較 於傳統之形狀，因可自由地決定電子裝置的形狀，而得以 大幅提昇電子裝置設計的自由度。 此外，有關外部端子8的設置位置，只要將外部端子 配置在上面、底面以及任一個側面中選出之3個面上，即 可形成外部端子8的三次元配置，並獲得上述之作用效 果。故不需在所有的面上，均配置外部端子8。此理在以 下所示之實施形態中亦同。 (第2實施形態） 以下，參照第1 1圖至第1 4圖，說明本實施形態之電子 元件的一例之半導體元件1 2 1之構造。此外，與上述半導 體元件1 1 1相同或相當之部分，標示相同之參考符號，並 省略重覆之說明。 (半導體元件121之構造） 參照第1 1圖至第1 4圖，將半導體元件1 2 1與第1實施形 態之半導體元件1 1 1進行比較時，其相異點僅在於：半導 體元件1 2 1，其配線基板2之端部的對接部2 A，係配置在半
314335_ptd 第9頁 589722 五、發明說明（6) 導體晶片1之設有電極領域3之側的相反面側。而其他構 成，係與第1實施形態之半導體元件111相同。 (其他之實施形態） 以與上述半導體元件121相同之構成方式形成，具有 其他外徑形狀之半導體元件，可例舉如第1 5圖與第1 6圖所 示之半導體元件122，第17圖與第18圖所示之半導體元件 123，以及第19圖與第2 0圖所示之半導體元件124。 第1 5圖、第1 7圖以及第1 9圖，為顯示半導體元件 122、123、124之構造之全體斜視圖。而第16圖、第18圖 以及第2 0圖，為顯示半導體元件1 2 2、1 2 3、1 2 4之内部構 造之斜視圖。此外，在與上述之半導體元件1 2 1相同或相 當之部分，標示相同的參考符號，並省略重覆之說明。 第15圖與第16圖所示之半導體元件122，其電極領域3 係以橫斷半導體晶片1的中央部之方式配置。此外，配線 基板2上在與半導體晶片1的中央部相對之位置上設有用以 供引線4通過之開口部2 D。而其他之構成，除配線基板2之 端部的對接部2 A配置在半導體晶片1之設有電極領域3之側 的相反面側外，與第5圖所示之半導體元件1 1 2相同。 此外，第1 7圖與第1 8圖所示之半導體元件1 2 3、以及 第1 9圖與第2 0圖所示之半導體元件1 2 4，除配線基板2之端 部的對接部2 A配置在半導體晶片1之設有電極領域3之側的 相反面側外，與第7圖所示之半導體元件1 1 3、第9圖所示 之半導體元件1 1 4具有相同之構成。 以上，以上述構造形成之半導體元件121、122、
314335.ptd 第10頁 589722 五、發明說明（7) 1 2 3、1 2 4，係在配線基板2的外面側以三次元之方式設置 外部端子8，故半導體元件的佈設，將不再侷限於傳統之 二次元的配置，而得以實現三次元的配置。藉此，在設計 由複數半導體元件所構成之電子裝置時，相較於傳統之形 狀，因可自由地決定電子裝置的形狀，而得以大幅提昇電 子裝置設計的自由度。 (第3至第7實施形態） 在此，參照第2 1圖至第2 5圖，說明上述第2實施形態 之第1 9圖所示構造之半導體元件1 2 4的其他形態。分別顯 示之剖面構造，不僅適用於第9圖與第1 9圖所示之構造， 其亦可適用於上述之第1實施形態之半導體元件1 1 1、 1 1 2、1 1 3、1 1 4，以及第2實施形態之半導體元件1 2 1、 122、 123> 124° (第3實施形態） 首先，參照第2 1圖，說明本實施形態之半導體元件 1 3 1之構造。該半導體元件1 3 1之構造上的特徵在於其係採 用：取代上述各實施形態中所使用之引線4，而使用直接 設在配線基板2的外側面之配線突起部9，並將該配線突起 部9連接至設於半導體晶片1之電極領域3上之構成。利用 該構成，亦可獲得與上述各實施形態相同之作用效果。 (第4實施形態） 以下，參照第2 2圖，說明本實施形態之半導體元件 1 4 1之構造。該半導體元件1 4 1之構造上的特徵係在：與上 述之半導體元件1 3 1進行比較時，其相異點僅在於：半導
314335.ptd 第11頁 589722 五、發明說明（8) 體元件1 4 1，其配線基板2之端部的 導體晶片1之設有電極領域3之側的、妾部2A ’係配置在半 成，則與第3實施形態之半導體元目反面側。而其他構 成，即可獲得與上述各實施形態 31相同。藉由該構 (第5實施形態） 5之作用效果。 以下，參照第2 3圖，說明本實 y a 1 5 1之構造。該半導體元件！ 5〗之構:形態之半導體元件 述之半導體元件1 3丨進行比較時，其&上的特徵係在··與上 基板2的電極領域2β係設在配線基f相異點僅在於··配線 域2B與設於半導體晶片1之電極^ ^ 2的内面側，該電極領 (bump) 10來連接。藉由該構成，即3嫌，藉由導電體凸塊 態相同之作用效果。 X传與上述各實施形 (第6實施形態） 以下 麥知第24圖，說明本實施形態之半導體元件 1 6 1之構成。該半導體元件1 6丨之構造上的特徵係在：與上 述之半導體元件1 5 1進行比較時，其相異點僅在於：半導 體元件1 6 1，其配線基板2之端部的對接部2A，係配置在半 導體晶片1之設有電極領域3之側的相反面側。而其他構 成，則與第5實施形態之半導體元件151㈣。藉由該構 成，即可獲得與上述各實施形態相同之作用效果。 (第7實施形態） 首先，苓照第2 5圖，說明本實施形態之半導體元件 1 7 1之構造該半導體元件1 7丨之構造上的特徵係在於：在 上述之各只施形態之構造外，在配線基板2的外面側設置
第12頁 314335.ptd 589722 五、發明說明（9) 用以增加配線總數之配線層2 E。藉由該構成，即可獲得與 上述各實施形態相同之作用效果。此外，即使配線基板2 之端部的對接部2 A為配置在半導體晶片1之設有電極領域3 之側的相反面側之構成，亦可獲得與上述各實施形態相同 之作用效果。 (第8實施形態） 上述之第1至第7實施形態皆為關於：使用做為主動元 件之半導體晶片1之半導體元件者，但如第2 6圖之剖面圖 所示，本實施形態係關於，以配線基板2覆蓋電容器、電 阻等被動元件1 1、1 2之電子元件1 8 1。其他之構造係與以 被動元件1 1、1 2取代第1至第7實施形態之半導體晶片1後 之形態相同。 根據該構成，同樣因為在配線基板2的外面側以三次 元之方式設置外部端子8，所以被動元件的佈設，不再侷 限於傳統之二次元的配置，而得以實現三次元的配置。如 此，在設計由複數被動元件所構成之電子裝置時，相較於 傳統之形狀，因可自由地決定電子裝置的形狀，而得以大 幅提昇電子裝置設計的自由度。 (第9至第1 1實施形態） 上述之第1至第8實施形態係關於電子元件之構造，而 以下所示之第9至第1 1實施形態乃關於使用第1至第8實施 形態所示之電子元件之電子裝置之構造。此外，例子中雖 以第7實施形態之半導體元件1 7 1進行說明，但對此並未加 以限定，第1至第6實施形態之半導體元件111、1 1 2、
314335.ptd 第13頁 589722 五、發明說明（10) 113、114、m、122、123 及電子元件181亦可適用。 (第9實施形態） 124 31、141、1 51 芩照第2 7圖，說明本實施形態之電壯 造。該電子裝置201係使從設於半導體-衣置201之構 8中選出的外部端子8間直接連接，而H件1 7 1之外部端子 電子裝置。 梁成三次元構造之 故 相
根據該構成，以三次元方式配置 在設計由複數半導體元件171所構成七體凡件171， 較於傳統之形狀，因可自由地決定電子包壯裝置20 1時 而得以大幅提昇電子裝置2 〇丨的設計的衣置2 0 1的形狀 由該構成亦可大幅地增加訊號數。 由度。此外， (第10實施形態） 參照第2 8圖，說明本實施形態之電 造。該電子裝置2 0 2之特徵為：不同於上^置^壯2之構 構造，其外部端子8間係透過導體構件來連】 f置2 0 it 件可使用導體片2卜或被動元件22。以上，—° "亥導體構 亦可獲得與上述第9實施形態相同之作用效猎本構成， (第1 1實施形態） > ^
參照第2 9圖與第3 0圖，說明本實施形態之電子 2 0 3之構造。該電子裝置2 0 3係在預定位置具備^數^ f + 極3 1與複數内部電極3 2之筒狀基板3 0的内部，配置複4電 導體元件1 71，並選擇性地使設於半導體元件丨7丨之f 子8之間相連接而構成。本實施形態中，雖將複數個#、曾端
314335.ptd 第14頁 589722 五、發明說明（11) 體元件1 7 1配置為螺旋狀，但未必需將其配置為螺旋狀， 由任意之積層構造所構成之三次元構造均可適用。如第3 0 圖所示，筒狀基板3 0的内部，係藉由填充樹脂3 3，進行樹 脂密封。以上，藉由本構成，亦可獲得與上述第9實施形 態相同之作用效果。 (第12實施形態） 以下，參照第31圖至第37圖，以第7圖所示之第1實施 形態之半導體元件1 1 3為例，說明上述半導體元件之製造 方法。首先，如第3 1圖所示，準備帶狀配線基板2 F，在該 帶狀配線基板2 F上，藉由在4個位置衝孔而形成預定形狀 之開口部2 Η，同時形成大致呈四邊形的底面領域2 a、以及 由底面領域2 a的四邊以放射狀方式延伸之大致呈三角形的 彎折領域2 b、2 c、2 d、2 e。考慮到作業性，底面領域2 a係 藉由框架2 K而與帶狀配線基板2 F呈連接狀態。之後，再將 外部端子8安裝於底面領域2 a與彎折領域2 b、2 c、2 d、2 e 之連接部分之外面側的預定位置上。 接著，參照第3 2圖，利用接著膠帶（接著層）5將半導 體晶片1固定於底面領域2a。此外，彎折領域2b、2c、 2d、2e上亦分別黏貼接著膠帶（接著層）6。接著，參照第 33圖，彎折彎折領域2b、2c、2d、2e使其包裹半導體晶片 1，之後再將彎折領域2b、2c、2d、2e固定於半導體晶片1 的表面側。 接著，參照第3 4圖，利用引線4連接（引線接合（w i r e b ο n d i n g ))設於配線基板2的外面側之電極領域2 B與設於半
314335.ptd 第15頁 589722 五、發明說明（12) 導體晶片1之電極領域9 知 覆蓋由引線4所連接2不。/妾者，參照第35圖與第36圖，在 . , 安之电極領域2 B與電極領娀3之丄車捲領域 的同時，利用樹脂注人員^ 3之連接^ 糾、丨、2古掊屯、M a 衣置7 0進灯树脂7的注入（樹脂密 g ’、 ¥ te晶片1與配線基板2之間所產生之間隙 領域。 接著，參日8筮9 7m ,9 s m . 回’將複數外部端子8安裝於底面領 、I b、2c、1 2 3 4d、2e的外面側之預定位置上。 之後’猎由切斷帶狀配線基板2F之框架2κ，而完成半導體 元件1 1 3。 如^上所述’利用帶狀配線基板2F形成半導體元件 1 1 3 ’藉此即此夠以包圍半導體晶片1的方式配置配線基板 2，及將外部端子8安裝在配線基板2的外面側。此外，因 可適用於量產線，故可達成生產性的提昇。 (第1 3實施形態） 以下，參照第38圖至第44圖，並以第9圖所示之半導 體元件1 1 4為例’說明上述半導體元件之製造方法。首 先’如第3 8圖所不’準備帶狀配線基板2 F，在該帶狀配線 基板2F上，藉由在4個位置衝孔而形成預定形狀之開口部 2H，並形成大致呈四邊形的底面領域2a、以及由底面領域 2 a的四邊以放射狀方式延伸之大致呈三角形的彎折領域
314335.ptd 第16頁 1 b、2 c、2 d、2 e。在彎折領域2 b、2 c、2 d、2 e上，分別形 2 成開口部2 C。此外’考慮到作業性，底面領域2 a係藉由框 3 架2K而與帶狀配線基板2F呈連接狀態。之後，再將外部端 4 子8安裝於底面領域2a與彎折領域2b、2c、2d、2e之連接 589722 五、發明說明（13) 部分之外面側的預定位置上。 接著，參照第3 9圖，利用接著膠帶（接著層）5將半導 體晶片1固定於底面領域2a。此外，彎折領域2b、2c、 2d、2e上亦分別黏貼接著膠帶（接著層）6。此外，需留意 不要使接著膠帶（接著層）6覆蓋開口部2C。接著，參照第 4 0圖，彎折彎折領2b、2c、2d、2e使其包裹半導體晶片 1，並將彎折領域2 b、2 c、2 d、2 e固定於半導體晶片1的表 面側。 接著，參照第4 1圖，配設引線4使其貫通開口部2C， 並利用引線4連接（引線接合）設於配線基板2的外面側之電 極領域2 B與設於半導體晶片1之電極領域3。接著，參照第 42圖與第43圖，覆蓋由引線4連接之電極領域2B與電極領 域3之連接領域露出之開口部2 C的同時，利用樹脂注入裝 置7 0進行樹脂7的注入（樹脂密封），以充填半導體晶片1與 配線基板2之間所產生之間隙領域。 接著，參照第4 4圖，將複數外部端子8安裝於底面領 域2 a與彎折領域2 b、2 c、2 d、2 e之外面側的預定位置上。 之後，藉由切斷帶狀配線基板2 F之框架2 K，而完成半導體 元件1 1 4。 如上所述，利用帶狀配線基板2 F形成半導體元件 1 1 4，藉此即能夠以包圍半導體晶片1的方式配置配線基板 2，及將外部端子8配置在配線基板2的外面側。此外，因 可適用於量產線，故可達成生產性的提昇。 此外，上述第1 2及第1 3實施形態係顯示第1實施形態
m 314335.ptd 第17頁 五、 所示 形態 可 發明說明 之半 所示 利用 此外 而採用以 例如 述電子 域之連接 之接著層 加以密封 以密封， 電極領域 件的可靠 此外 極領域最 此外 之方式， 面側配置 此外 之方式， 面側配置 此外 述外部端 此外 以 (14) 導體元件1 1 3、 之半導體元件 相同之製造方 ’在上述之電 下所示之形態 :在上述電子 零件之電極領 機構；及設於 ，且至少上述 。如上所述， 藉此即可防止 與連接機構之 性的提昇。 ，在上述電子 好配置在上述 ，在上述電子 在上述電子零 上述基板之端 ，在上述電子 在上述電子零 上述基板之端 ，在上述電子 子之間之方式 ，在上述電子 及第造方法，但第2至第7實施 法來製"造施形態所示之電子元件均 。件中，為了以更佳的狀態實現 元件Φ η 域邀I，隶好具備：用以連接設於 上述兩ί配線基板之預定的電極領 電極；：零件與上述配線基板之間 項域與上述連接機構# 1 項域與連接機構係 t月曰 與外却4 u j W樹脂4 卜。P之其他電氣端子間之S力口 連接領域夕；^ ig笙 $ %、 只碌之破相寺，可達成 70件中，上述配線基板之預 配線基板的外面側或内面側。的電 兀件中，最好以包裹上述電子 件之設有上述電極領域之側％件 部的對接部。 同〜 元件中，最好以包裹上述電予〜 件之設有上述電極領域之側零件 部的對接部。 4目反 元件中，最好以介於上述基 配置配線層。 Η上 凡件中，最好在上述配線基
314335.ptd 第18頁 589722 五、發明說明（15) 面側，設置預定的電極領域，並直接連接設於上述電子零 件之電極領域與上述配線基板之預定的電極領域，且在上 述配線基板的内部，以樹脂密封上述電子零件。 此外，在上述電子裝置中，最好使分別選出之各上述 外部端子間直接連接。 此外，在上述電子裝置中，最好使導體構件介於分別 選出之各上述外部端子間。 此外，在上述電子裝置中，最好具備：將上述電子裝 置安裝在，具備分別對應外表面與内表面之外部端子與内 部電極之筒狀基板的内部，並在使上述外部端子連接於預 定的上述内部電極的狀態下，以樹脂將上述電子裝置密封 於筒狀基板的内部之構造。 根據本發明之電子元件以及電子裝置，因在配線基板 的外面側配置三次元的外部端子，如此電子元件的佈設， 將不再侷限於傳統之二次元的配置，而得以實現三次元的 配置。藉此，在設計由複數之電子元件所構成之電子裝置 時，相較於傳統之形狀因其可自由地決定電子裝置的形 狀，故得以大幅提昇電子裝置設計的自由度。
314335.ptd 第19頁 589722 圖式簡單說明 [圖式簡單說明] 第1圖為顯示第1實施形態之半導體元件之構造之全體 斜視圖。 第2圖為僅顯示第1實施形態之半導體元件的内部構造 之斜視圖。 第3圖為第1圖中之I I I - I I I線的箭號方向的剖面圖。 第4圖為第1圖中之IV-IV線的箭號方向的剖面圖。 第5圖為顯示第1實施形態之具有其他外徑形狀之半導 體元件之構造之全體斜視圖。 第6圖為僅顯示第5圖所示之半導體元件的内部構造之 斜視圖。 第7圖為顯示第1實施形態之具有其他外徑形狀之半導 體元件之構造之全體斜視圖。 第8圖為僅顯示第7圖所示之半導體元件的内部構造之 斜視圖。 第9圖為顯示第1實施形態之具有其他外徑形狀之半導 體元件之構造之全體斜視圖。 第1 0圖為僅顯示第9圖所示之半導體元件的内部構造 之斜視圖。 第1 1圖為顯示第2實施形態之半導體元件的構造之全 體斜視圖。 第1 2圖為僅顯示第2實施形態之半導體元件的内部構 造之斜視圖。 第1 3圖為第1 1圖中之X III -X I I I線的箭號方向的剖面
314335.ptd 第20頁 589722 圖式簡單說明 圖。 第1 4圖為第1 1圖中之X I V-X I V線的箭號方向的剖面 圖。 第1 5圖為顯示第2實施形態之具有其他外徑形狀之半 導體元件之構造之全體斜視圖。 第1 6圖為僅顯示第1 5圖所示之半導體元件的内部構造 之斜視圖。 第1 7圖為顯示第2實施形態之具有其他外徑形狀之半 導體元件之構造之全體斜視圖。 第1 8圖為僅顯示第1 7圖所示之半導體元件的内部構造 之斜視圖。 第1 9圖為顯示第2實施形態之具有其他外徑形狀之半 導體元件之構造之全體斜視圖。 第2 0圖為僅顯示第1 9圖所示之半導體元件的内部構造 之斜視圖。 第2 1圖至第2 5圖為顯示第3實施形態至第7實施形態之 半導體元件之構造之剖面圖。 第2 6圖為顯示第8實施形態之電子元件之構造之剖面 圖。 第2 7圖為顯示第9實施形態之半導體裝置的全體構造 之剖面構造圖。 第2 8圖為顯示第1 0實施形態之半導體裝置的全體構造 之剖面構造圖。 第2 9圖為顯示第1 1實施形態之半導體裝置的全體構造
314335.ptd 第21頁 589722 圖式簡單說明 之剖面構造圖。 第3 0圖為顯示第1 1實施形態之半導體裝置的全體構造 之斜視圖。 第3 1圖至第3 7圖為顯示第1 2實施形態之半導體元件的 製造方法之第1至第7步驟圖。 第3 8圖至第4 4圖為顯示第1 3實施形態之半導體元件的 製造方法之第1至第7步驟圖。 第4 5圖為顯示傳統之電子元件（半導體裝置等）的構造 之全體斜視圖。
1 半導體晶片 2 配線基板 2 a 底面領域 2b 、2 c、2 d、2 e 彎 2A 對接部 2B 、3電極領域 2C、 2D、 2H 開口 部 2E 配線層 2F 帶狀配線基板 2K 框架 4 引線 5 ^ 6接著層 7 密封樹脂 8 外部端子 9 配線突起部 10 導電體凸塊 1卜 1 2被動元件 21 導電片 22 被動元件 30 筒狀基板 31 外部電極 32 内部電極 33 樹脂 70 樹脂注入裝置 111 、112、 113、 114、 12卜 122、 123、 124 、m、 14 卜 15卜 161 > 1 7 1半導體元件 314335.ptd 第22頁 589722
314335.ptd 第23頁

Claims (1)

  1. 589722 _案號92100963 年1月上[日 修正_ 六、申請專利範圍 1. 一種電子元件，具備： 電子零件； 由柔軟性材料所構成之配線基板，以包圍前述電 子零件之方式配置，且其外側面設有預定的配線圖 案，並與前述電子零件之電極領域電性連接；以及 以三次元之方式配置於前述配線基板的上面、側 面以及底面，為了與外部進行電性連接而連接於前述 配線圖案之電極領域之複數外部端子。 2. 如專利申請範圍第1項之電子元件，其中，具備：用以 連接設於前述電子零件之電極領域與前述配線基板之 預定的電極領域之連接機構；及設於前述電子零件與 前述配線基板之間之接著層，且至少前述電極領域與 前述連接機構係以樹脂加以密封。 3. 如申請專利範圍第2項之電子元件，其中，前述配線基 板之預定的電極領域係設在前述配線基板的外面側。 4. 如申請專利範圍第2項之電子元件，其中，前述配線基 板之預定的電極領域係設在前述配線基板的内面側。 5. 如申請專利範圍第1項之電子元件，其中，以包裹前述 電子零件之方式，在前述電子零件之設有前述電極領 域之側的同一面側配置前述配線基板之端部的對接 部° 6. 如申請專利範圍第1項之電子元件，其中，以包裹前述 電子零件之方式，在前述電子零件之設有前述電極領 域之側的相反面側配置前述配線基板之端部的對接
    314335(修正版）.ptc 第24頁 589722 案號 92100963 %年：x月>ς曰 修正 六、申請專利範圍 部。 7. 如申請專利範圍第1項之電子元件，其中，以介於前述 配線基板與前述外部端子之間之方式設置配線層。 8. 如申請專利範圍第1項之電子元件，其中，在前述配線 基板的内面側設置預定的電極領域，並使設於前述電 子零件之電極領域與前述配線基板之預定的電極領域 直接連接，且在前述配線基板的内部，以樹脂密封前 述電子零件。
    314335(修正版）.ptc 第25頁
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