JP7234876B2

JP7234876B2 - 基板の接続構造

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Inventors: 彰宏北村
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Description

本発明は、それぞれに導体パターンが形成された複数の基板を接続する構造に関する。

所定の電気回路や電子回路を構成する回路基板の一例として、特許文献１には、プリント基板が開示されている。特許文献１に記載のプリント基板は、絶縁基材、導体パターン、および、レジスト膜を備える。

導体パターンは、絶縁基材の一面に形成されている。レジスト膜は、導体パターンの一部を除いて、導体パターン、および、絶縁基材における導体パターンの形成面を覆う。導体パターンにおけるレジスト膜に覆われていない部分（レジスト膜の開口部）がランドとなる。そして、導体パターンは、ランドを用いて、導電性接合材等を介して、例えば、他の回路基板の導体パターン等に接続する。

特開２００１－２３０５１３号公報

導電性接合材だけを用いて２個の回路基板を接続すると、物理的な接続の強度を十分に得られない場合がある。特に、所謂、オーバーレジストと称されるランドを形成する導体パターンの端をレジスト膜で覆う形状では、ランドの面積が小さくなり、接続の強度を低下させやすい。

このため、これら２個の回路基板を接合するために、導電性接合材とは別の接合材（接着材も含む）を用いることも考えられる。

しかしながら、近年の高密度化、小型化に伴って、このような接合材を、別途、独立して配置するスペースを設けることは容易でない。

したがって、本発明の目的は、基板の面積を大きくすることなく、大きな接合面積を確保できる基板の接続構造を提供することにある。

本発明の基板の接続構造は、第１基板、第２基板、導電性接合材、および、補助接合材を備える。第１基板は、第１絶縁基材、該第１絶縁基材の一面に形成された第１導体パターン、および、第１導体パターンおよび第１絶縁基材の一面を覆う絶縁膜を備える。導電性接合材は、第１導体パターンと第２基板とを電気的および物理的に接続する。補助接合材は、第１基板と第２基板とを物理的に接合する、熱硬化性樹脂を含んだ接合材である。

絶縁膜は、第１導体パターンに重なる位置に、第１導体パターンを外部に露出させる第１開口、および、第２開口を有する。第１導体パターンは、第１開口を介して、導電性接合材によって第２基板に接続する。第１基板は、第２開口を介して、補助接合材によって第２基板に接合する。

この構成では、第１基板と第２基板は、第１開口を介して電気的および物理的に接続するとともに、第２開口を介して、少なくとも物理的に接合する。これにより、第１開口のみの場合よりも、物理的な接合面積は、大きくなる。そして、第２開口は、第２基板に電気的に接続するのに必須の第１導体パターンに重なっているので、第１基板の形状を、第２開口のためだけに大きくしなくてもよい。

この発明によれば、基板の面積を大きくすることなく、大きな接合面積を確保できる。

図１は、第１の実施形態に係る基板の接続構造を示す側面断面図である。図２（Ａ）は、第１の実施形態に係る基板の部分的な平面図であり、図２（Ｂ）は、第１の実施形態に係る基板の部分的な側面断面図である。図３（Ａ）は、第２の実施形態に係る基板の部分的な平面図であり、図３（Ｂ）は、第２の実施形態に係る基板の部分的な側面断面図である。図４は、第３の実施形態に係る基板の部分的な平面図である。図５は、第４の実施形態に係る基板の部分的な側面断面図である。図６は、第５の実施形態に係る基板の接続構造を示す側面断面図である。図７は、第６の実施形態に係る基板の接続構造を示す側面断面図である。図８は、第７の実施形態に係る基板の接続構造を示す側面断面図である。

（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る基板の接続構造について、図を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る基板の接続構造を示す側面断面図である。図２（Ａ）は、第１の実施形態に係る基板の部分的な平面図であり、図２（Ｂ）は、第１の実施形態に係る基板の部分的な側面断面図である。図２（Ｂ）は、図２（Ａ）におけるＡ－Ａ断面を示しており、図１は、図２（Ｂ）と同じ断面を示している。

図１に示すように、基板の接続構造１は、基板１０、基板５０、導電性接合材６０、および、補助接合材７０を備える。基板１０は、本発明の「第１基板」に対応し、基板５０は、本発明の「第２基板」に対応する。

（基板１０の構造）
図２（Ａ）、図２（Ｂ）に示すように、基板１０は、絶縁基材２０、導体パターン３０、および、絶縁膜４０を備える。

絶縁基材２０は、絶縁材料を主体として形成されており、面２０１を有する。絶縁基材２０が、本発明の「第１絶縁基材」に対応し、面２０１が、本発明の「第１絶縁基材の一面」に対応する。なお、絶縁基材２０は、内部にさらに導体パターンを１つまたは複数有していてもよい。

導体パターン３０は、例えば、帯状の導体である。導体パターン３０は、絶縁基材２０の面２０１に配置される。

絶縁膜４０は、所謂、レジスト膜、カバーレイと称されるものであり、主たる機能は、基板１０の主体を形成するものではなく、導体パターン３０や絶縁基材２０の保護を目的とするものである。絶縁膜４０は、絶縁基材２０よりも薄い。絶縁膜４０は、図２に示す領域において絶縁基材２０の面２０１側に配置される。絶縁膜４０は、絶縁基材２０の面２０１を覆う。また、絶縁膜４０は、開口４１および開口４２を除く導体パターン３０の残りの部分を覆う。

絶縁膜４０は、開口４１と開口４２とを有する。開口４１は、本発明の「第１開口」に対応し、開口４２は、本発明の「第２開口」に対応する。開口４１と開口４２は、所定の形状からなる絶縁膜４０の非形成部によって実現される。本実施形態では、開口４１と開口４２とは、平面視して矩形である。なお、開口４１と開口４２の形状は、矩形に限らない。

開口４１と開口４２とは、導体パターン３０に重なっている。すなわち、開口４１と開口４２とは、導体パターン３０を部分的に、基板１０の外部に露出させる。

（基板５０の構造）
図１に示すように、基板５０は、絶縁基材５１、および、導体パターン５２を備える。絶縁基材５１は、絶縁材料を主体として形成されている。絶縁基材５１は、面５１１を有する。絶縁基材５１が、本発明の「第２絶縁基材」に対応し、面５１１が、本発明の「第２絶縁基材の一面」に対応する。なお、絶縁基材５１は、内部に導体パターンを有していてもよい。

導体パターン５２は、絶縁基材５１の面５１１に配置される。

（基板１０と基板５０との接続構造）
図１に示すように、基板１０の開口４１は、基板５０の導体パターン５２に重なっている。基板１０の開口４２は、基板５０の絶縁基材５１に重なっている。

導電性接合材６０は、例えば、はんだである。導電性接合材６０は、開口４１に挿入されている。これにより、導電性接合材６０が開口４１外へはみ出すことは、抑制される。

導電性接合材６０は、導体パターン３０における開口４１に重なる部分（開口４１によって外部に露出する部分）に接触するとともに、導体パターン５２に接触する。これにより、導体パターン３０は、導体パターン５２に対して、電気的且つ物理的に接続する。

補助接合材７０は、例えば、絶縁性の接着剤等からなる。補助接合材７０は、開口４２に挿入されている。これにより、補助接合材７０が開口４２外へはみ出すことは、抑制される。

補助接合材７０は、導体パターン３０における開口４２に重なる部分（開口４２によって外部に露出する部分）に接触するとともに、絶縁基材５１の面５１１に接触する。これにより、基板１０と基板５０とは、物理的に接合する。なお、補助接合材７０は、はんだとは異なり、熱硬化性樹脂を含んだ接合材である。ただし、熱硬化性樹脂を含んでいるために、はんだよりも導電性は小さいが、接続箇所を導通させることは可能な接合材である。また、導電性接合材６０は、例えば、導体パターン３０がグランドである場合には、熱硬化性樹脂を含んだ接合材であってもよい。

このように、補助接合材７０を用いることによって、導電性接合材６０のみを用いた場合よりも、基板１０と基板５０との接合強度は、向上する。そして、補助接合材７０によって接合される部分は、基板１０と基板５０との電気的な接続に寄与する導体パターン３０に重なっている。これにより、補助接合材７０のために、別途基板１０上にスペースを確保する必要がない。したがって、基板１０を大きくすることなく、基板１０と基板５０との物理的な接合強度は、向上する。接合の手順としては、例えば、接合面に導電性接合材６０を塗布し、リフローで硬化させた後、補助接合材７０を塗布し、接合してもよいし、接合面に導電性接合材６０および補助接合材７０を塗布した後、一度にリフローで硬化させてもよい。

なお、図１に示すように、補助接合材７０は、開口４２を形成する側面にも接触していると、よりよい。これにより、補助接合材７０を介した基板１０と基板５０との接合面積は大きくなり、物理的な接合強度はさらに向上する。

また、上述の説明では、開口４１と開口４２は、ともに絶縁膜４０を厚み方向に貫通している。しかしながら、開口４１は、絶縁膜４０を厚み方向に沿って貫通するが、開口４２は、絶縁膜４０を厚み方向に貫通していなくてもよい。ただし、開口４２も絶縁膜４０を貫通する方が、接合に利用できる開口４２の側壁面の面積が大きくなり、好ましい。また、補助接合材７０に、導体パターン３０への接合強度が高い材料を用いた場合にも、開口４２が絶縁膜４０を貫通する方が、接合強度を高められ、好ましい。

また、図１、図２（Ａ）、図２（Ｂ）の場合、開口４１の面積と開口４２の面積は、略同じであるが、開口４１の面積と開口４２の面積は同じでなくてもよい。また、開口４１の平面形状と開口４２の平面形状は、矩形に限るものではなく、他の形状であってもよ。これらの場合でも、上述の作用効果を得られる。

また、上述の説明では、所謂オーバーレジストの状態を示しているが、これに限るものではない。ただし、オーバーレジストの場合、導電性接合材６０による接合面積を稼ぐことが難しいので、本実施形態の構成は、より有効に作用する。

なお、導電性接合材６０は、はんだに限るものではなく、はんだ以外の導電性接合材であっても上述の作用効果を得られる。

また、上述の構成において、開口４１および開口４２の底部、すなわち、導体パターン３０における開口４１および開口４２に重なる表面には、接合性を向上させるため、金属メッキを行っていてもよい。例えば、導体パターン３０が銅（Ｃｕ）であり、金属メッキとして、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）メッキを施してもよい。このようにすれば、接合面に酸化物が形成されることを抑制でき、接合性を向上させることができる。

（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態に係る基板の接続構造について、図を参照して説明する。図３（Ａ）は、第２の実施形態に係る基板の部分的な平面図であり、図３（Ｂ）は、第２の実施形態に係る基板の部分的な側面断面図である。図３（Ｂ）は、図３（Ａ）におけるＢ－Ｂ断面を示している。

図３（Ａ）、図３（Ｂ）に示すように、第２の実施形態に係る基板の接続構造では、第１の実施形態に係る基板の接続構造に対して、基板１０Ａの構成において異なる。第２の実施形態に係る基板の接続構造における他の構成は、第１の実施形態に係る基板の接続構造と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

図３（Ａ）に示すように、基板１０Ａは、絶縁膜４０に、複数の開口４２Ａを有する。複数の開口４２Ａが、本発明の「複数の部分開口」に対応する。

複数の開口４２Ａは、それぞれに、平面視して矩形である。複数の開口４２Ａは、導体パターン３０に重なっている。複数の開口４２Ａは、規則的に配置されている。具体的には、本実施形態では、複数の開口４２Ａは、導体パターン３０の長手方向と短手方向とを直交二軸として、二次元配列されている。

このような基板１０Ａの構成であっても、第１の実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、基板１０Ａの構成を用いることで、導体パターン３０が外部に露出する面積を小さくできる。これにより、基板１０Ａを基板５０に接続する前の工程における運搬時に表面に傷がつくことを防止できる。また、導体パターン３０の腐食を抑制できる。さらに、表面が上述のように金属メッキされる場合には、前述した効果に加え、メッキ時のメッキ槽での流動により表面に傷がつくことも抑制できる。また、複数の開口４２Ａによって、複数の側面を作ることができるので、補助接合材７０の接合面積を増やすことができる。

なお、複数の開口４２Ａの配列パターンは、上述の構成に限らず、また、複数の開口４２Ａの形状も、上述の構成に限らず、これらの構成においても、第１の実施形態の構成と同様の作用効果を奏することができる。

（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態に係る基板の接続構造について、図を参照して説明する。図４は、第３の実施形態に係る基板の部分的な平面図である。

図４に示すように、第３の実施形態に係る基板の接続構造では、第１の実施形態に係る基板の接続構造に対して、基板１０Ｂの構成において異なる。第３の実施形態に係る基板の接続構造における他の構成は、第１の実施形態に係る基板の接続構造と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

基板１０Ｂは、絶縁膜４０に、複数の開口４２Ｂを有する。複数の開口４２Ｂが、本発明の「複数の第２開口」に対応する。

複数の開口４２Ｂは、それぞれに、平面視して矩形である。複数の開口４２Ｂは、導体パターン３０に重なっている。複数の開口４２Ｂは、開口４１を挟むように配置されている。図４に示す構成では、より具体的には、複数の開口４２Ｂは、導体パターン３０の長手方向において、開口４１を挟むように配置されている。さらに、複数の開口４２Ｂは、導体パターン３０の短手方向において、開口４１を挟むように配置されている。

このような基板１０Ｂの構成であっても、第１の実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、基板１０Ｂの構成を用いることで、導電性接合材６０によって電気的且つ物理的に基板１０Ｂと基板５０とを接続する箇所を囲んで、補助接合材７０によって基板１０Ｂと基板５０とを物理的に接合する。これにより、導電性接合材６０によって電気的且つ物理的に基板１０Ｂと基板５０とを接続する箇所を、より効果的に保護できる。例えば、剥離の応力が掛かる方向によらず、導電性接合材６０によって電気的且つ物理的に基板１０Ｂと基板５０とを接続する箇所を保護できる。

なお、複数の開口４２Ｂの配列パターンは、上述の構成に限らない。例えば、複数の開口４２Ｂは、導体パターン３０の長手方向のみにおいて、開口４１を挟むように配置してもよく、導体パターン３０の短手方向のみにおいて、開口４１を挟むように配置してもよい。また、複数の開口４２Ａの形状も、上述の構成に限らず、これらの構成においても、第１の実施形態の構成と同様の作用効果を奏することができる。

（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態に係る基板の接続構造について、図を参照して説明する。図５は、第４の実施形態に係る基板の部分的な側面断面図である。

図５に示すように、第４の実施形態に係る基板の接続構造では、第１の実施形態に係る基板の接続構造に対して、基板１０Ｃの構成において異なる。第３の実施形態に係る基板の接続構造における他の構成は、第１の実施形態に係る基板の接続構造と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

図５に示すように、基板１０Ｃでは、絶縁膜４０における開口４１と開口４２との間の部分である共用部４０１の高さＨ４０１は、絶縁膜４０の他の部分の高さＨ４０よりも高い。換言すれば、共用部４０１の膜厚は、絶縁膜４０の他の部分の膜厚よりも厚い。例えば、共用部４０１の部分だけ選択的にカバーレイを貼り付けることで、選択的に膜厚を変えることができる。

このような基板１０Ｃの構成であっても、第１の実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、基板１０Ｃの構成によって、補助接合材７０が開口４１側に流れることを抑制できる。これにより、例えば、補助接合材７０によって、導電性接合材６０と基板５０の導体パターン５２（図１参照）との電気的な接続が阻害されることを抑制できる。

（第５の実施形態）
本発明の第５の実施形態に係る基板の接続構造について、図を参照して説明する。図６は、第５の実施形態に係る基板の接続構造を示す側面断面図である。

図６に示すように、第５の実施形態に係る基板の接続構造１Ｄは、第１の実施形態に係る基板の接続構造１に対して、基板５０Ｄを備える点で異なる。基板の接続構造１Ｄの他の構成は、基板の接続構造１と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

基板５０Ｄは、絶縁膜５３を備える。絶縁膜５３は、所謂、レジスト膜、カバーレイと称されるものであり、主たる機能は、基板５０Ｄの主体を形成するものではなく、導体パターン５２や絶縁基材５１の保護を目的とするものである。絶縁膜５３は、絶縁基材５１よりも薄い。絶縁膜５３は、絶縁基材５１における導体パターン５２の形成面側に配置される。絶縁膜５３は、絶縁基材５１における導体パターン５２の形成面を覆う。また、絶縁膜５３は、図６に示した領域において、開口５３０を除く導体パターン５２の残りの部分を覆う。

絶縁膜５３は、開口５３０を有する。開口５３０は、所定の形状からなる絶縁膜５３の非形成部によって実現される。本実施形態では、開口５３０は、平面視して矩形である。なお、開口５３０の形状は、矩形に限らない。基板５０Ｄの開口５３０は、基板１０の開口４１に対向する。

導電性接合材６０は、導体パターン３０における開口４１に重なる部分（開口４１によって外部に露出する部分）に接触するとともに、導体パターン５２における開口５３０に重なる部分（開口５３０によって外部に露出する部分）に接触する。これにより、導体パターン３０は、導体パターン５２に対して、電気的且つ物理的に接続する。

補助接合材７０は、導体パターン３０における開口４２に重なる部分（開口４２によって外部に露出する部分）に接触するとともに、基板５０Ｄの絶縁膜５３の外面５３１に接触する。これにより、基板１０と基板５０とは、物理的に接合する。

このような基板の接続構造１Ｅであっても、第１の実施形態に示した基板の接続構造１と同様の作用効果を奏することができる。さらに、基板の接続構造１Ｄの構成によって、基板５０Ｄの導体パターン５２を、基板１０への電気的接続部を除いて、保護できる。

（第６の実施形態）
本発明の第６の実施形態に係る基板の接続構造について、図を参照して説明する。図７は、第６の実施形態に係る基板の接続構造を示す側面断面図である。

図７に示すように、第６の実施形態に係る基板の接続構造１Ｅは、第１の実施形態に係る基板の接続構造１に対して、基板５０Ｅを備える点で異なる。基板の接続構造１Ｅの他の構成は、基板の接続構造１と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

基板５０Ｅは、金属部材５４を備える。金属部材５４は、例えば、基板１０および基板５０Ｅを含む電子機器に備えられた導電性の電池カバーや、グランド用導体である。

基板１０の開口４２は、金属部材５４に対向している。補助接合材７０は、開口４２に配置され、導体パターン３０に接触するとともに、金属部材５４に接触している。

このような基板の接続構造１Ｅであっても、第１の実施形態に示した基板の接続構造１と同様の作用効果を奏することができる。さらに、基板の接続構造１Ｅの構成によって、例えば、補助接合材７０を導電性材料とした場合、導体パターン３０と金属部材５４とを電気的に接続できる。そして、例えば、導体パターン３０が他の部分によって接地されている場合、金属部材５４は、補助接合材７０および導体パターン３０を介して、接地できる。

（第７の実施形態）
本発明の第７の実施形態に係る基板の接続構造について、図を参照して説明する。図８は、第７の実施形態に係る基板の接続構造を示す側面断面図である。

図８に示すように、第７の実施形態に係る基板の接続構造１Ｆは、第５の実施形態に係る基板の接続構造１Ｄに対して、基板１０Ｆおよび基板５０Ｆを備える点で異なる。基板の接続構造１Ｆの他の構成は、基板の接続構造１と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

基板１０Ｆは、グランド導体パターン３０Ｆを備える。基板１０Ｆのグランド導体パターン３０Ｆは、基板１０の導体パターン３０と同様の構造である。基板１０Ｆの他の構成は、基板１０と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

基板５０Ｆは、グランド導体パターン５２Ｆを備える。グランド導体パターン５２Ｆは、例えば、絶縁基材５１の面５１１に配置される。

絶縁膜５３は、開口５３０および開口５３００を有する。開口５３０および開口５３００は、所定の形状からなる絶縁膜５３の非形成部によって実現される。開口５３０は、開口４１に対向し、開口５３００は開口４２に対向する。

導電性接合材６０は、グランド導体パターン３０Ｆにおける開口４１に重なる部分（開口４１によって外部に露出する部分）に接触するとともに、グランド導体パターン５２Ｆにおける開口５３０に重なる部分（開口５３０によって外部に露出する部分）に接触する。これにより、グランド導体パターン３０Ｆは、グランド導体パターン５２Ｆに対して、導電性接合材６０を介して、電気的且つ物理的に接続する。

補助接合材７０Ｆは、グランド導体パターン３０Ｆにおける開口４２に重なる部分（開口４２によって外部に露出する部分）に接触するとともに、グランド導体パターン５２Ｆにおける開口５３００に重なる部分（開口５３００によって外部に露出する部分）に接触する。これにより、グランド導体パターン３０Ｆは、グランド導体パターン５２Ｆに対して、補助接合材７０を介して、物理的に接続する。

このような構成では、例えば、次のような場合に有効である。基板５０Ｆは、グランド導体パターン５２Ｆを基準電位とする伝送線路を備える。グランド導体パターン５２Ｆとグランド導体パターン３０Ｆとは、平面視において重なり部と非重なり部を有している。

この場合、グランド導体パターン５２Ｆとグランド導体パターン３０Ｆとが、近接していることによって、グランド導体パターン５２Ｆとグランド導体パターン３０Ｆとが容量性結合し、一体のグランド導体として見做すことが可能になる。したがって、伝送線路のグランド導体の面積を擬似的に大きくでき、グランド導体での高周波信号の反射を抑制できる。特に、補助接合材７０が熱硬化性樹脂からなる場合、低い導電性を有する。これにより、グランド導体パターン５２Ｆの電位とグランド導体パターン３０Ｆの電位との差がさらに小さくなり、より安定した大面積のグランド導体を形成できる。

また、上述の各実施形態の構成は、適宜組み合わせることができ、組合せに応じた作用効果を奏することができる。

１、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ：基板の接続構造
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｆ、５０、５０Ｄ、５０Ｅ、５０Ｆ：基板
２０、５１：絶縁基材
３０、５２：導体パターン
３０Ｆ、５２Ｆ：グランド導体パターン
４０、５３：絶縁膜
４１、４２、４２Ａ、４２Ｂ、５３０、５３００：開口
５４：金属部材
６０：導電性接合材
７０、７０Ｆ：補助接合材
２０１、５１１：面
４０１：共用部
５３１：外面

Claims

第１絶縁基材、該第１絶縁基材の一面に形成された第１導体パターン、および、前記第１導体パターンおよび前記第１絶縁基材の一面を覆う絶縁膜を備えた第１基板と、
第２基板と、
前記第１導体パターンと前記第２基板とを電気的および物理的に接続する導電性接合材と、
前記第１基板と前記第２基板とを物理的に接合する、熱硬化性樹脂を含んだ補助接合材と、
を備え、
前記絶縁膜は、前記第１導体パターンに重なる位置に、前記第１導体パターンを外部に露出させる第１開口、および、第２開口を有し、
前記第１導体パターンは、前記第１開口を介して、前記導電性接合材によって前記第２基板に接続し、
前記第１基板は、前記第２開口を介して、前記補助接合材によって前記第２基板に接合し、
前記補助接合材は、前記第２基板における絶縁性を有する部分に接触する、
基板の接続構造。
前記第２基板は、グランド導体パターンを有し、
前記第１導体パターンは、グランド用導体であり、
前記グランド導体パターンは、前記第１導体パターンと重なる、
請求項１に記載の基板の接続構造。
前記導電性接合材は、熱硬化性樹脂を含んだ接合材である、
請求項２に記載の基板の接続構造。
前記第２開口は、複数の部分開口からなる、
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の基板の接続構造。
前記複数の部分開口は、同じ形状で、規則的に配置されている、
請求項４に記載の基板の接続構造。
前記第２開口は、複数であり、
前記複数の第２開口は、前記第１開口を挟む位置に配置されている、
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の基板の接続構造。
前記絶縁膜における前記第１開口と前記第２開口との間の共用部は、前記絶縁膜における前記共用部以外の部分よりも高い、
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の基板の接続構造。
前記第２基板は、
第２絶縁基材と、
前記第２絶縁基材の一面に形成された第２導体パターンと、
を備え、
前記第２導体パターンは、前記導電性接合材によって前記第１導体パターンに接続し、
前記第２絶縁基材は、前記補助接合材によって前記第１基板に接合する、
請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の基板の接続構造。
前記第２基板は、
前記第２絶縁基材の一面に形成され、前記第２導体パターンの一部を開口する第２基板用絶縁膜を備え、
前記補助接合材は、前記第２基板用絶縁膜に接合する、
請求項８に記載の基板の接続構造。