TW589237B - Abrasive machine - Google Patents

Abrasive machine Download PDF

Info

Publication number
TW589237B
TW589237B TW091108033A TW91108033A TW589237B TW 589237 B TW589237 B TW 589237B TW 091108033 A TW091108033 A TW 091108033A TW 91108033 A TW91108033 A TW 91108033A TW 589237 B TW589237 B TW 589237B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
plate
grinding
ring
fixed
polishing
Prior art date
Application number
TW091108033A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiromi Kishida
Yoshio Nakamura
Susumu Onishi
Original Assignee
Fujikoshi Machinery Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujikoshi Machinery Corp filed Critical Fujikoshi Machinery Corp
Application granted granted Critical
Publication of TW589237B publication Critical patent/TW589237B/zh

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B45/00Means for securing grinding wheels on rotary arbors
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)

Description

五、發明說明 <發明之範圍> 本發明係關於一種研廢 種能控制研磨板研磨面:=置-更正確的說’係關於-作件者。 ^狀的研磨裝置而可精準的研磨工 <發明之背景> 研磨裝置廣泛用以研磨 體晶圓、玻璃、0曰㉗蓉Λ磨先或磨平工作件,如半導 置。a 第5圖表示一種傳統的研磨裝 置 研磨板12被一板支拄此]」士处 t ^ ^ 基礎5〇上。研磨板12俜以::4支持,而板支持件則設於 件U2 螺拴固定於板支持件14。板支持 板1 2的板支持件丄4得以心:f保如此來支持者研磨 =支持件“並連接於一驅動機構,亦即一馬達。驅動: 起回轉板支持件1 4並連接於一驅動機構,亦即一馬 達。驅動機構一起回轉板支持件14與研磨板12。研磨板i 2 的上表面(即^研磨面)係以研磨布13被覆以便磨光工作件。 一支持單元3 0支持並押壓工作件,如半導體晶圓於研 磨板12上:工作件被吸取而保持於支持單元3〇之吸盤32的 底面部。藉回轉支持單元3〇與研磨板12,即可磨平工作 件。泥漿係從噴嘴34供應予研磨布13。 所應注意者’標號1 〇乃代表包含研磨板1 2、研磨布1 3 及板支持件1 4的研磨單元。 為了磨彳于工作件表面高度平坦,研磨板12的研磨面平 坦程度必須很高。有些場合下,研磨板1 2的研磨面有一些 突起或下陷’端視工作件而定。為了改進研磨板研磨面的
第5頁 589237 五、發明說明(2) 平坦度,研磨板加工的準確度保持較高,研磨板厚度保持 較大’或以堅勒的材料製成研磨板。另一方面,研磨板的 研磨面藉調整晶圓的壓力予以突起或下陷以便冷却研磨 板0 摩擦熱產生於研磨板研磨面與工作件之間,以致研磨 板因摩擦熱而膨脹。為了避免研磨板的熱膨脹,將冷却水 導入於研磨板與板支持件間的水路内。例如,日本專利公 報1 1 -30 7486號揭示了 一種研磨裝置其研磨面的形狀係藉 調整流經研磨板與板支持件間冷却水水壓來控制成突起 者。 第6圖表示形成於板支持件14上表面的水路4〇。冷却 水的入口45係形成於板支持件14的中央。板支持件14的上 表面分割成六個扇面,而水路4〇參差的形成於每一扇面 内 冷却水的出口 46係形成於每一扇面。這些出口 46位於 ,近入口 4 5之處。冷却水從板支持件1 4的中央流到其外緣 4刀’然後經水路4 〇流回中央,流回中央的冷却水從出口 4 6排放。 第7圖表示研磨單元1 〇的剖面圖。供應冷却水用的水 路42與排放冷却水用水路44形成於轉軸18内。水路42與44
、屋分配器(未圖示)連接於水供應〜排放機構(未圖示)。 第7圖中,這些水路4〇係形成於研磨板12與板支持件 1 4之間。 第7圖中,這些水路4〇係形成於研磨板12與板支持件 之間’因而研磨板1 2的研磨面形狀得以藉流經水路40内的
第6頁 589237 發明說明 冷却水水壓的控制予以控制。然而,在外徑大約5 〇 cm的小 研磨板的場合’研磨面不易變形,因此藉控制冷却水的水 壓並不易控制研磨面的形狀。在第7圖所示的傳統研磨單 元1 0中’除了水路4 〇以外,研磨板1 2與板支持件1 4乃成一 體’因此不易使研磨板1 2變形。 在曰本專利公報10-235552號所揭示研磨裝置中,冷 却水2流於研磨板與板支持件的整面間,但研磨板的外緣 係固定於板支持件。以此構造,研磨板不易變形。 <發明之總論> 本發明能夠解決上述之傳統研磨裝置的缺失。 本發明的一目的在提供一種研磨裝置,其能控制小型 研磨板的研磨面形狀,故得以精準的研磨工作件。 為了達成上述目的,本發明的研磨裝置包括: 一研磨板; =板支持件支持該研磨板; 一形成環狀的固定結合件固定於該板支持件,該固定 結合件與該研磨板的外緣結合; 第0型壤設置於該固定結合件之加壓面與該研磨板 的亡表面間’ §亥第一〇型環使該固定結合件的加壓面與該 研磨板的上表面分離; 第一 0型每設置於該板支持件的上表面與該研磨板的 3面之間’遠第二0型環使該板支持件的上表面與該研 磨板的下表面分離;及 /;IL體供應〜排放機構用以供應流體於由該研磨板的
第7頁 五、發明說明(4) 板支持件的上表面及第二0型環所包覆的區域 =區或排放流體,該流體供應〜排放俨 壓力來改變該研磨板的研磨面形狀; 稽“體 離者其中該研磨板的外周面係與該固定結合件的内周面分 一、在本發明的研磨裝置中,研磨板係以板支持件與第 一〇型環予以支持,該第一、二〇型 磨板雨请本。丨、/ Ο·战:a I β又置於研 面形狀得以容易的藉坰輕火知mα 疋以研磨 制。 易的藉5周生冷却研磨板用的流體壓力來控 ^ 研磨板與板支持件間的區域係利用〇型環緊密 該I:供應〜排放機構所供應的流體得以安全的 在研磨裝置中,在研磨板上表面内第一〇型環的位 造於:表面内的第二0型環的位置。以此構 的控制。反侍以容易的變形,於是研磨面的形狀得以容易 在研磨裝置中,該固定結合件可包含: 一固定部固定於該板支持件;及 -延伸部自該固定結合件的内 研磨板的外緣; 』π夂评亚復盍戎 在研磨裝置中,可形成一階梯狀部於 緣,該階梯狀部可藉兮田…处人从t 研磨板的外 /m n H # 疋結合件的延伸部予以支持。 在研磨裝置中,該研磨板可 竟製研磨板的使用,可防止研麼材枓製成。•陶 J防止研磨板的熱變形,而研磨 _ 第8頁 589237 五、發明說明(5) 狀得以藉調整冷却研磨板用流體的壓力來精準的控制。 <較佳具體實施例之詳細描述> 茲參照附圖詳細描述本發明的具體實施例。 第1圖為本發明一實施例中研磨裝置的研磨板丨2與板 支持件1 4的剖面圖。本實施例的研磨裝置同時具有一驅 機構(未圖示)用以一同回轉板支持件14與研磨板12,並具 有一支持單元(未圖示)用以支持工作件,即半導體晶圓一 此乃與傳統研磨裝置一樣。此外,不但可加裝一機構來支 持研磨板以便研磨裝置磨光工作件一側(如第5圖),亦可 使研磨裝置磨光工作件的兩側,及一磨平機等。 在第1圖中,研磨板12係形成一圓形盤並以氧化鋁陶 瓷作成。研磨板12的外徑為504咖;厚度為2〇 mni。在傳統 研磨裝置中,研磨板的整個下表面係以螺栓固定於板支持 件。反之,在本實施例中,固定結合件2〇係固定於板支持 件14外緣,而研磨板12的外緣則結合於固定結合件2〇,如 此一來研磨板12被支持於板支持件14上。 第4圖為研磨板12與固定結合件2〇相結合的平面圖。 研磨板12的整個外緣結合於固定結合件2〇。固定結合件2〇 开成%狀而旎夠以固定寬度結合。固定結合件2 〇以螺栓2工 固定於板支持件14。藉固定結合件2〇於板支持件14,研磨 板12的外緣垂直夾持於固定結合件2〇與板支持件14之間, 於是研磨板12乃被板支持件14支持。 第3圖為固定結合件2〇與研磨板12結合於板支持件14 上的部份放大剖面圖。固定結合件2〇的剖面形狀成L_形,
$ 9頁 589237 五、發明說明⑹ ' 即固定結合件20包含:一固定部20a垂直固定於板支持件 14 ;及一延伸部20b自固定結合件20的内周面2〇c向内延 伸。延伸部20b被覆研磨板12的外緣。有一圓形溝23a形成 於延伸部20b的下表面20d,面對研磨板12的上表面12(1。 第一〇型環22a套合於圓形溝23a内。第一〇型環22a的下 部自延伸部20b的下表面20d向下突起。 圓形階梯部1 2a沿研磨板1 2的上緣部形成。上表面! 2d 的最外部低於其他部份。上表面1 2 d的最外部受固定結合 件20的延伸部2〇b被覆。在此實施例中,研磨板12的研磨 面12c與固定結合件20的上表面的高度差、、h"在研磨板12 與固定結合件20結合的情形下約為2刪。 在第3圖中,有一圓形溝23b形成於板支持件14的上表 面14a。第二〇型環22b則套合於圓形溝23b内。第二〇型 環22b的上部自板支持件14的上表面14a向上突起。 在本實施例中,在研磨板12的上表面I2d上的第一〇 型環22a位置係對應於在下表面上的第二〇型環22b的位 置。亦即第一與第二〇型環2 2a與2 2b的接觸點係設於垂直 線V L "上。以此構造,研磨板1 2的上、下表面乃支持於 同一位置。 由於第一〇型環2 2 a的下部與第二〇型環2 2b的上部乃 各自從延伸部20的下表面20d與板支持件14的上表面14a突 起者,研磨板12被〇型環2 2a與22b夾持而不接觸於面20d 與 1 4a 〇 研磨板12的外周面12b與固定結合件20的内周面20c分
第10頁 589237 五、發明說明(7) 離。亦即如第1圖所示,研磨板12被〇型環22a與22b夾 持,而研磨板12的外周面12b自固定結合件20的内周面20c 分離。在本實施例中,只有〇型環22a與22b接觸於研磨板 12 〇 當研磨板12裝設於板支持14時,首先第二〇型環22b 套合於板支持件14的圓形溝23b,而研磨板12安裝於板支 持件14上。另一方面,第一〇型環22a套合於固定結合件 2 〇的圓形溝2 3 a。然後固定結合件2 0調整位置後裝設於板 支持件14。最後固定結合件20以螺栓21固定於板支持件 1 4 〇 s研磨板12:δτ养於板支持件14上時,研磨板12的位置 須予調整以便自固定結合件2〇的内周面2〇c分離研磨板12 的外周面1 2 b。 藉支持研磨板12如第1圖之情形,只有〇型環22a與 2 2b接觸研磨板12的上、下表面。 如第1圖所示,流體通路40為形成於板支持件η上表 面之溝渠。在本實施例中,包含流體通路4〇的區域乃為研 磨板12的下表面,板支持件14的上表面,及〇型環所包 , 疋以流體’如冷水者可被導入於該區内。流體可易於 μ f於流體通路4 〇内,是流體壓力可均勻施加於該區域。 於疋,流體通路40可以省略。 由於第二〇型環2 2 b係設置於研磨板1 2與板支持件1 4 ^間’该區被穩當的自外界封閉,故區内流體壓力得以維
589237 五、發明說明(8) 轉轴1 8以可轉方式支撐支持件丨4與研磨板丨2。供應冷 却水的水路42與排放冷却水的水路44形成於轉軸18内。水 路42與44均連接於水供應〜排放機構48,該機構48供應與 排放冷却水。以此構造,水供應〜排放機構48乃連通於研 磨板12 ’板支持件14及第二〇型環22b所包覆的區域,水 供應〜排放機構4 8能夠調整區内的水壓(流體壓力)。 在第1圖中,水供應〜排放機構48供應區内的冷却水 並排放區内冷却水。區内水壓為〇 kPa。由於未施加水 壓,研磨板12的研磨面12c些微下陷。在本實施例中,研 磨面12c中央的下陷深度對外緣部為7〇 。 另一方面,在區内水壓增加至1〇〇kPa情形下,研磨板 12的研磨面12c有些微的突起。在本實施例中,研磨面12c 中央的突起高度對外緣部為10 ^ 在第2圖中’在研磨板12,板支持件η及第二〇型環 22b包覆區内的水壓係有增加。藉區内水壓的增加,研磨 板12向上彎翹,所以研磨面12C亦向上突起。 如上述,研磨板12係由陶瓷製成,因此,研磨板12的 研磨面1 2 c形狀可藉調整區内水壓來控制。 在本實施例中’研磨板1 2為一個小研磨板其外徑為 5 0 4刪。傳統上靠調整冷却水水壓不容易使小研磨板變 形。在本實施例中,只有◦型環22 a與22b接觸於小研磨板 12的上、下表面12d與12c,而研磨板12的外周面12b乃自 固定結合件2 0分離者,小研磨板1 2研磨面形狀可以有效控 制。 ’
第12頁 589237
第 水,並 的0型 支持研 磨板12 12可輕 性支持 〇 ’板 間。以 而對著 二0型環22b水密性的封閉了該區,其内供應冷却 以第- 0型環22a夾持研磨板。由於夾持研磨板12 環22a與22b係由彈性材料所製成,是以可有彈性的 磨板12。如上所述,只有〇型環22&與22b接觸於研 ,所以0型環22a與22b成支點的作用。因此研磨板 易變形。此外,研磨板12係以〇型環22a與22b做彈 ,故研磨板1 2可容易的變形。 型% 2 2 a與2 2 b係沿研磨板1 2的外緣配置,被研磨板 支持14,及〇型環22b所包覆的區域為一封閉空 此構造’研磨板12的研磨面i2c可藉調整區内水壓 中心對稱的突起或下陷。 >在本實施例中,研磨板12只以◦型環22a與22b支持, 而凋整區内冷却水水壓。因此,可以控制研磨板丨2的研磨 面12c的形狀。本實施例的研磨裝置中,支持單元3〇所支 持的工作件如同第5圖所示的傳統研磨裝置一樣係被押壓 於研磨板12上。支持單元3〇針對研磨板12的壓力大約為 3 0kPa,所以遠小於區内冷却水的壓力。亦即支持單元3〇 的壓力並不會對研磨板1 2的變形有惡劣的影響。 在上揭實施例中,研磨板丨2係由陶瓷製成,但本發明 的研磨板材質並非限定於陶瓷而已,而在使用陶瓷製研磨 板的場合,研磨板的熱變形與熱膨脹並不因工作件與研磨 板的研磨布間之摩擦熱引起者。 研磨板研磨面的形狀可以經感知器偵測研磨面形狀來 調整區内流體壓力而得以控制。
589237 五、發明說明(ίο) 綜上所述,僅為本發明之一較佳實施例,並非用來限 定本發明實施之範圍。即凡依本發明申請專利範圍所做之 同等變更與修飾,應皆為本發明專利範圍所涵蓋。
第14頁
參照以下附圖來詳細描述,附圖 實施例中研磨裝置的研磨板與板支 第1圖為本發明— 持件的剖面圖; 第2圖為研磨板的剖面圖,其研磨 第3圖為固定結合件與研磨板結=向上犬起者; 第4圖為研磨板與固定結合件組釺人°分剖面圖; 第5圖為傳統研磨的說明圖;'' m 5的平面圖; 第6圖為傳統板支持件的平面 第7圖為傳統研磨板與板支 及 午的剖面圖。 <圖中元件與標號之對照> 10 : 研磨單元 12 : 研磨板 12a :圓階梯部 12b 、14a :上表 14 : 板支持件 18 : 轉轴 20 : 結合件 20a :固定部 20b :延伸部 20c :内周面 20d :下表面 21 : 螺栓 589237 圖式簡單說明 22a :第一 ◦型環 22b :第二〇型環 23a :圓形溝 30 支持單元 32 吸盤 34 喷嘴 40 水路 42 ’ • 4 4 :水路 45 冷却水的入口 46 冷却水的出口 50 基礎 52 軸承
第16頁

Claims (1)

  1. 589237
    1 · 一種研磨裝置,包括: 一研磨板; 板支持 形成環 結合件 第 的上表 研磨板 第 下表面 磨板的 下表面 並自該 壓力來 其 離者。 件支持 狀的固 與該研磨板的 該研磨 定結合 外緣結 一〇型環設置於該固 該第一 ◦型環 面間, 的上表 二0型 之間, 下表面 流體供 ,該板 區域排 改變該 中該研 面分離 環設置 該第二 分離; 應〜排 支持件 放流體 研磨板 磨板的 於該板 ◦型環 及 放機構 的上表 ,該流 的研磨 外周面 =固定於該板支持件,該固定 合; 疋f合件之加壓面與該研磨板 使°亥固定結合件的加壓面與該 支持件的上表面與該研磨板的 使該板支持件的上表面與該研 用以供應流體於由該研磨板的 面及第二〇型環所包覆的區域 體供應〜排放機構藉改變流體 面形狀; 係與該固定結合件的内周面分 2二如申請專利範圍第丨項之研磨裝置,其中所述第一 〇型%在該研磨板上表面之位置對應於該第二〇型環在下 表面之位置。 3·如申請專利範圍第丨項之研磨裝置,其中所述固定 結合件包含: 一固定部固定於該板支持件;及 一延伸部自該IU定結合件的内周面向内延伸並覆蓋該
    589237 六、申請專利範圍 研磨板的外緣。 4.如申請專利範圍第3項之研磨裝置,其中有一階梯 部形成於該研磨板的外緣,該階梯部藉該固定結合件的延 伸部支持。 5.如申請專利範圍第1項之研磨裝置,其中所述研磨板 為陶瓷製者。
    第18頁
TW091108033A 2001-04-27 2002-04-19 Abrasive machine TW589237B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001131717A JP4489320B2 (ja) 2001-04-27 2001-04-27 研磨装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW589237B true TW589237B (en) 2004-06-01

Family

ID=18979855

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW091108033A TW589237B (en) 2001-04-27 2002-04-19 Abrasive machine

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6692341B2 (zh)
EP (1) EP1252974B1 (zh)
JP (1) JP4489320B2 (zh)
KR (1) KR100791728B1 (zh)
DE (1) DE60207137T2 (zh)
MY (1) MY126202A (zh)
TW (1) TW589237B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI726113B (zh) * 2016-07-26 2021-05-01 日商迪思科股份有限公司 磨削裝置
TWI821857B (zh) * 2021-02-17 2023-11-11 德商萊普瑪斯特沃斯特股份有限公司 雙面或單面工具機

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6942544B2 (en) * 2003-09-30 2005-09-13 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method of achieving very high crown-to-camber ratios on magnetic sliders
US6913515B2 (en) * 2003-09-30 2005-07-05 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. System and apparatus for achieving very high crown-to-camber ratios on magnetic sliders
JP2005268566A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Ebara Corp 化学機械研磨装置の基板把持機構のヘッド構造
JP5303491B2 (ja) 2010-02-19 2013-10-02 信越半導体株式会社 研磨ヘッド及び研磨装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5803797A (en) * 1996-11-26 1998-09-08 Micron Technology, Inc. Method and apparatus to hold intergrated circuit chips onto a chuck and to simultaneously remove multiple intergrated circuit chips from a cutting chuck
JPH10235552A (ja) 1997-02-24 1998-09-08 Ebara Corp ポリッシング装置
JPH11307486A (ja) 1998-04-23 1999-11-05 Toshiba Corp Cmp方法およびそれに使用するcmp装置
JP2000094307A (ja) * 1998-09-18 2000-04-04 Ebara Corp ポリッシング装置
US6227950B1 (en) * 1999-03-08 2001-05-08 Speedfam-Ipec Corporation Dual purpose handoff station for workpiece polishing machine
US6527632B1 (en) * 1999-12-01 2003-03-04 Gerber Coburn Optical, Inc. Lap having a layer conformable to curvatures of optical surfaces on lenses and a method for finishing optical surfaces

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI726113B (zh) * 2016-07-26 2021-05-01 日商迪思科股份有限公司 磨削裝置
TWI821857B (zh) * 2021-02-17 2023-11-11 德商萊普瑪斯特沃斯特股份有限公司 雙面或單面工具機

Also Published As

Publication number Publication date
US20020160702A1 (en) 2002-10-31
EP1252974A2 (en) 2002-10-30
MY126202A (en) 2006-09-29
US6692341B2 (en) 2004-02-17
KR20020083436A (ko) 2002-11-02
EP1252974A3 (en) 2004-01-28
JP2002326155A (ja) 2002-11-12
KR100791728B1 (ko) 2008-01-03
DE60207137D1 (de) 2005-12-15
DE60207137T2 (de) 2006-07-20
JP4489320B2 (ja) 2010-06-23
EP1252974B1 (en) 2005-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100729022B1 (ko) 연마장치 및 방법
US5036630A (en) Radial uniformity control of semiconductor wafer polishing
TW474848B (en) Workpiece carrier with segmented and floating retaining elements
JP2000301450A (ja) Cmp研磨パッドおよびそれを用いたcmp処理装置
JPH01216768A (ja) 半導体基板の研磨方法及びその装置
US8454410B2 (en) Polishing apparatus
TW589237B (en) Abrasive machine
US6267659B1 (en) Stacked polish pad
JP2010131745A (ja) ウェハ用両頭研削装置および両頭研削方法
KR100511882B1 (ko) 연마장치
CN110744440A (zh) 一种双面研磨装置及方法
JP2001291690A (ja) 研磨装置及び方法
TWI727121B (zh) 工件硏磨頭
JP2010247301A (ja) 研磨装置に用いる基板保持ヘッド
CN212601122U (zh) 一种抛光垫及抛光设备
KR20070063150A (ko) 연마용 정반, 이를 사용한 연마장치 및 연마방법
TW202202274A (zh) 一種拋光墊、拋光設備及矽片的拋光方法
JP2002231672A (ja) ウェーハ研磨方法およびその装置
JP2002046058A (ja) 両面研磨用研磨布のドレッシング方法
JPH0752034A (ja) ウェーハ研磨装置
JP3795198B2 (ja) 基板保持装置及び該基板保持装置を備えたポリッシング装置
JPH11333677A (ja) 基板の研磨装置
JP4163359B2 (ja) 研磨用定盤
JP2612012B2 (ja) 研磨装置
JPH10296619A (ja) 研磨用定盤

Legal Events

Date Code Title Description
MK4A Expiration of patent term of an invention patent