JPH11307486A

JPH11307486A - Ｃｍｐ方法およびそれに使用するｃｍｐ装置

Info

Publication number: JPH11307486A
Application number: JP11296898A
Authority: JP
Inventors: Kenji Doi; 建治土井; Naoto Miyashita; 直人宮下
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1998-04-23
Filing date: 1998-04-23
Publication date: 1999-11-05

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体基板の化学機械研磨に際して研磨盤の交
換無しに各種の研磨条件に対応できる研磨装置、研磨方
法を提供する。【解決手段】研磨盤と研磨パッドの間に中空のチューブ
を埋設し、チューブに充填した液体の温度、圧力を調整
する事により研磨盤の直径方向に温度、高さの異なる領
域を作り、研磨盤内で研磨速度を変更できるようにす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造におけ
る半導体基板表面の平面加工を行う場合の化学機械研磨
（ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｏｌｉ
ｓｈ：以下ＣＭＰと略す）方法及びそれに使用するＣＭ
Ｐ装置に関するものであり、とりわけ、半導体製造工程
での、絶縁膜、電極膜等の製造工程途中での表面平坦化
に用いるＣＭＰ方法およびそれに使用するＣＭＰ装置に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置の集積度の増加に伴
い、半導体チップ内における１デバイスの占有領域は、
トレンチ技術等を用いることで縮小を重ね、また、各デ
バイスの接続は多層配線によって行われることが一般的
になり、半導体装置に要求される加工精度は微細化し続
けている。

【０００３】しかしながら半導体装置の製造技術は、平
坦化された面への加工が基本であり、平坦化が不十分な
場合は、配線の段切れ等の問題が発生し、微細加工が不
可能になる。

【０００４】従って、微細加工が必要な半導体装置の製
造工程では工程中の表面平坦化が必須であり、一般に
は、ＣＭＰにより工程中の表面平坦化が行われている。
以下に従来のＣＭＰ装置を図５を用いて説明する。

【０００５】図５（Ａ）は、従来のＣＭＰ装置の概略図
である。また、図５（Ｂ）は、ＣＭＰ装置の上面図、図
５（Ｃ）はＣＭＰ装置の断面図をそれぞれ示している。
図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、固い金属で作られ、
平坦な表面を持つ円盤状の研磨盤１は、研磨盤の回転軸
１Ａを中心として一方向に一定速度で回転するようにな
っている。研磨盤１の表面にはソフトパッド２Ａ、ハー
ドパッド２Ｂよりなる研磨パッド２が貼付されており、
研磨パッド２上には研磨剤６Ａが、研磨剤供給チューブ
６を経由して滴下供給されるようになってている。

【０００６】一方、研磨盤１上の研磨パッド２表面に
は、半導体基板固定冶具５下面が、回転軸５Ａを介して
加えられた圧力により研磨盤１上の研磨パッド２と加圧
接触し、回転軸５Ａを中心として一方方向に一定速度で
回転するようになっている。研磨パッドに加圧接触する
半導体基板固定冶具下面には、図５（Ｃ）に示すよう
に、研磨すべき面を露出して半導体基板２１が貼付され
る。

【０００７】図５（Ｂ）で、研磨盤１、半導体基板固定
冶具５が、矢印１００、矢印２００で示した方向にそれ
ぞれ何れも時計回りに回転する場合、半導体基板固定冶
具５と研磨盤１の回転方向が同一方向である領域（例え
ば図５（Ｂ）中の４１で示される点線で囲んだ、冶具５
の回転軸５Ａよりも研磨盤１の中心に対して外側の領
域）では研磨盤１と半導体基板固定冶具５の相対的な摺
動速度は小さい。逆に半導体基板固定冶具５の回転方向
と研磨盤１の回転方向が反対方向である領域（例えば図
５（１）中の４２で示される点線で囲んだ、冶具５の回
転軸５Ａよりも研磨盤１の中心に対して内側の領域）で
は研磨盤１と半導体基板固定冶具５の相対的な摺動速度
は大きくなる。また、図５（Ｂ）中の４３で示される点
線で囲んだ半導体基板固定冶具５の中心部領域の相対速
度は、固定冶具５の回転速度が小さいため、常にその位
置の研磨盤の速度とほぼ等しい。

【０００８】このようなＣＭＰ装置によって製造される
半導体装置の製造方法の一例を図６を用いて、トレンチ
にポリシリコンを埋め込み、表面を平坦化する工程につ
いて説明する。

【０００９】図６（Ａ）は半導体基板２１に酸化珪素膜
２３、窒化珪素膜２４を積層して形成したものである。
引き続き、公知の方法によって、所望の位置にトレンチ
２０を形成する（図６（Ｂ））。

【００１０】トレンチ２０内壁にシリコン熱酸化膜２３
Ａを形成した後（図６（Ｃ））、全面にポリシリコン膜
２２Ａを形成する（図６（Ｄ））。この後、上記のＣＭ
Ｐ装置によって次のようにＣＭＰを行う。すなわち、図
５に示したように半導体基板２１を半導体基板固定冶具
５の研磨盤１表面に対向した下面に半導体基板２１のＣ
ＭＰすべき面が露出するように貼付し、研磨剤供給チュ
ーブ６より供給される研磨剤６Ａによって研磨する。

【００１１】これにより、表面のポリシリコン膜が研磨
除去され、窒化珪素膜に到達したところで研磨が停止す
ることにより、トレンチをポリシリコン２２で埋め込ん
だ平坦な半導体基板２１を得ることができる（図６
（Ｅ））。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のＣＭＰ
装置を用いた半導体装置の製造方法によれば、上記図５
（Ｂ）の説明で述べたように、半導体基板固定冶具５と
研磨盤１との摺動速度には半導体基板固定冶具５内の各
部分で差があり、半導体基板２１を固定冶具５の回転軸
５Ａ近くが中心となるように貼付した場合でも、一般的
に、比較的摺動速度の大きい半導体基板固定冶具５の周
辺部の研磨速度が大きく、比較的摺動速度の小さい半導
体基板固定冶具５の中心部の研磨速度は小さくなる場合
が多い。

【００１３】このことは、上述したＣＭＰを行った場合
には、研磨盤１と半導体基板固定冶具５間の相対的摺動
速度が大きい場合、温度上昇によって化学研磨が支配的
となり、例えば図５（Ｂ）に示した半導体基板５の周辺
部においてその中心部に比較してポリシリコン２２Ａの
エッチング速度が速くなることによるためと考えられ
る。このことにより、半導体基板の中心部のエッチング
を適正な時間実施した場合、半導体基板の周辺部ではト
レンチ２０に埋め込まれたポリシリコン２２部分がエッ
チングされ、ポリシリコン膜のオーバーエッチング２２
Ｃが形成されてしまうことがある（図７）。このような
現象を一般にディッシング（Ｄｉｓｈｉｎｇ）と称す
る。また、このような現象が更に進行した場合には、オ
ーバーエッチング部がポリシリコン２２に留まらず、周
辺の窒化珪素膜２４、酸化珪素膜２３も含めてオーバー
エッチングされる場合が有る。このような現象をシンニ
ング（Ｔｈｉｎｎｉｎｇ）と称する。

【００１４】また、研磨パッドの状態によっては、半導
体基板５の周辺部で機械研磨が早く進み、研磨ストッパ
として形成されている窒化珪素膜２４、酸化珪素膜２３
も研磨されてしまうこともある（図８）。

【００１５】このように、従来のＣＭＰ装置を用いた場
合、同一の半導体基板２１内の均一性に不都合が生ずる
場合が多い。本発明は、上述の問題を解決するためにな
されたものであり、研磨盤１の温度、表面形状を制御す
ることにより、研磨状況に応じて研磨条件を制御し、研
磨盤、研磨パッド、研磨剤等の交換無しに所望の研磨形
状がえられるＣＭＰ方法およびそれに使用するＣＭＰ装
置を提供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明にかかるＣＭＰ装
置では上記の問題を解決するため、回転自在に形成され
た研磨盤と、前記研磨盤上面に貼付された研磨パッド
と、前記研磨盤と前記研磨パッドとの間に載置された中
空チューブと、前記研磨盤上面の上方に位置し、回転自
在に形成され、前記研磨盤上面に対向して摺動可能で、
半導体基板を固着すべき下面を有する半導体基板固定冶
具と、前記研磨盤上に研磨剤を供給する研磨剤供給機構
とを具備し、前記中空チューブに流体を供給し、研磨速
度を制御するようにしたことを特徴とする。

【００１７】また、前記中空チューブが、前記研磨盤の
回転軸を中心として同心円状ないし螺旋状に載置されて
いることを特徴とする。さらに、前記中空チューブが、
研磨板全体に配置されていることを特徴とする。

【００１８】ないしは、前記中空チューブが、研磨板中
央部のみに配置されていることを特徴とする。また、前
記中空チューブが前記研磨盤上に形成された溝に埋設さ
れている事を特徴とする。

【００１９】また、本発明にかかるＣＭＰ方法では、表
面に薄膜の形成された半導体基板を前記表面が露出する
ように半導体基板固定冶具下面に固着する工程と、前記
半導体基板固定冶具下面に固着された前記半導体基板
と、前記半導体基板固定冶具下面と対向して載置され、
上面に研磨パッドの貼付された研磨盤上面とを、研磨粒
を含んだ研磨剤を介して互いに摺動することにより研磨
する工程とを具備し、前記研磨の速度制御を、前記研磨
盤と前記研磨パッドとの間に載置されている中空チュー
ブに前記研磨パッドと温度の異なる流体を充填し、また
は流体を流して、前記流体からの熱伝導により研磨パッ
ド上面の温度を制御することにより行うことを特徴とす
る。

【００２０】また、本発明にかかるＣＭＰ方法では、表
面に薄膜の形成された半導体基板を前記表面が露出する
ように半導体基板固定冶具下面に固着する工程と、前記
半導体基板固定冶具下面に固着された前記半導体基板
と、前記半導体基板固定冶具下面と対向して載置され、
上面に研磨パッドの貼付された研磨盤上面とを、研磨粒
を含んだ研磨剤を介して互いに摺動することにより研磨
する工程とを具備し、前記研磨の速度制御を、前記研磨
盤と前記研磨パッドとの間に載置されている中空チュー
ブに流体を充填し、または流体を流して、前記流体の圧
力を制御する事により前記中空チューブを膨張させ、前
記研磨パッド上面の形状を制御することにより行うこと
を特徴とする。

【００２１】

【発明の実施の形態】（第一の実施の形態）以下に図面
を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明す
る。図１、図２は、本発明の第一の実施の形態に基づく
ＣＭＰ装置を示したものである。

【００２２】図１は本発明の第一の実施の形態のＣＭＰ
装置の要部の断面図を示したものであり、１は研磨盤、
２はソフトパッド２Ａ、ハードパッド２Ｂの２層に構成
された研磨パッド、３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ、３Ｅは、
それぞれ研磨盤上面と研磨パッドとの間に設置された中
空のチューブを示している。３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ、
３Ｅは通常流体が充填されている。

【００２３】図２は、本発明の第一の実施の形態のＣＭ
Ｐ装置の中空チューブのうちの３Ａ、３Ｄの２本を例に
とってその設置の形態を図示した概略図である。図２で
は、研磨盤上面の研磨パッドを除去した状態を示してお
り、研磨盤中空チューブ３Ａ、３Ｄが上面に露出してい
る。ここで、１３Ａ、１３Ｄは、それぞれ中空チューブ
３Ａ、３Ｄに流体を供給する配管を、また、１４Ａ、１
４Ｄはそれぞれ中空チューブから流体を排出する配管を
示しており、何れも研磨盤１の内部に固定されている。
これらの配管１３Ａ、１３Ｄ、１４Ａ、１４Ｄは、ロー
タリージョイント１０で、研磨盤基台５０に摺動固定さ
れており、それぞれ、外部配管１２Ａ、１２Ｄ、１５
Ａ、１５Ｄと、１回転毎に接続され、流体の授受ができ
る。また、中空チューブ３Ａ、３Ｄはそれぞれ独立に配
管に接続されており、中空チューブ内の温度、圧力は独
立に制御する事ができる。

【００２４】図２に示したように、中空チューブ３Ａ、
３Ｄは研磨盤１上面に、研磨盤１の回転軸を中心に同心
円状に形成されている。また、中空チューブ３Ａ、３Ｄ
のそれぞれの一端部は研磨盤内部に設置された流体供給
配管１３Ａ、１３Ｄに接続されている。また、その他端
は流体排出配管１４Ａ，１４Ｄに接続されている。ここ
で、温度の制御された流体は、流体供給外部配管１２
Ａ、１２Ｄからそれぞれ導入され、流体供給配管１３
Ａ、１３Ｄ中を通って中空チューブ３Ａ、３Ｄの一端に
入り、同心円状に設置された中空チューブ３Ａ、３Ｄ内
を通過した後、中空チューブ３Ａ、３Ｄ他端に接続され
た液体排出配管１４Ａ、１４Ｄの一端に入り、１４Ａ、
１４Ｄを通って、それらの他端に接続された流体排出外
部配管１５Ａ、１５Ｄから外部に排出される。この間、
中空チューブ３Ａ、３Ｄ通過時に研磨パッド２と流体間
での熱交換が行われ、研磨パッドの温度を制御すること
ができる。また、流体の圧力を変化させることにより、
中空チューブ３Ａ、３Ｄの直径を変化させ、研磨パッド
２表面の高さを変えることができる。

【００２５】また、各中空チューブ３Ａ、３Ｂ、３Ｄ、
３Ｅは、研磨盤１上面に、粘弾性を持つ、例えば、ゴム
系の接着剤により接着保持されている。このような構成
をとることで、本実施の形態の研磨盤では、中空チュー
ブ内の流体温度を変えることで研磨パッド表面の温度を
制御することが出来、また、中空チューブ内の流体の圧
力を制御することで研磨パッド表面の凹凸を制御するこ
とが出来る。

【００２６】ここで、中空チューブ内に充填する流体と
しては、熱容量が大きく粘性の低いものが望ましく、通
常熱交換媒体として用いられるフロン系の流体等がよ
い。また、中空チューブ３は流体圧力増加によって僅か
に直径が増加し、かつ、圧力の低下によって直径が元に
戻る事のできるものが望ましい。一般にはテフロン等の
ポリマー材料から成るものでよい。

【００２７】以下、図１（Ａ）から（Ｄ）を用いて本発
明の第１の実施の形態のＣＭＰ方法を説明する。図１
（Ａ）は、中空チューブ３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ、３Ｅ
に研磨盤表面よりも温度の低い冷却水を流した場合を示
している。この場合には研磨盤表面の温度を低下させる
ことが出来、さらに、研磨盤表面の局所的な温度上昇を
抑えて、エッチング速度を研磨盤面内で一定に保つ事が
出来る。

【００２８】図１（Ｂ）は、研磨盤中心部の中空チュー
ブ３Ｅの圧力を保持し、研磨盤周辺部の中空チューブ３
Ａ、３Ｂの圧力をあげ、その中間の中空チューブ３Ｃ、
３Ｄの圧力をややあげるように各中空チューブに水を充
填した場合を示している。この場合には研磨盤中心部で
の研磨速度を小さく、周辺部での研磨速度をやや大きく
することが出来る。

【００２９】図１（Ｃ）は、図１（Ｂ）とは逆に中心部
の中空チューブ３Ｅの圧力をあげ、周辺部の中空チュー
ブ３Ａ、３Ｂの圧力を保持し、その中間の中空チューブ
３Ｃ３Ｄの圧力をやや上げた場合を示している。この場
合には、図１（Ｂ）と逆に、研磨盤中心部での研磨速度
を大きく、周辺部での研磨速度をやや小さくすることが
出来る。

【００３０】図１（Ｄ）は、研磨盤中心部の中空チュー
ブ３Ｅ、研磨盤周辺部の中空チューブ３Ａ、３Ｂの圧力
を保持し、その中間の中空チューブ３Ｃ、３Ｄの圧力を
あげた場合を示している。この場合には３Ｃ、３Ｄ部分
のハードパッド２Ｂが持ち上がり、比較的研磨速度の小
さい半導体基板中央部を研磨できるので半導体基板内の
研磨のばらつきを抑える効果がある。

【００３１】何れの場合でも、本実施の形態を用いれ
ば、研磨パッドを交換する事なく、中空チューブ３Ａ、
３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ、３Ｅの圧力を調整しながら最適の研
磨条件を確認する事ができるので、構造の異なる半導体
基板の最適な研磨条件を容易に見いだす事ができる。

【００３２】（第二の実施の形態）次に、本発明の第二
の実施の形態につき、図面を用いて説明する。図３は、
本発明の第二の実施の形態に基づくＣＭＰ装置の要部の
断面図を示したものであり、研磨盤中央部の中空チュー
ブ３Ｃ、３Ｄのみを設置した例を示している。

【００３３】上述の本発明の第一の実施の形態の図１
（Ｄ）の説明で述べたように、研磨盤中央部の位置を周
辺より持ち上げることにより加工面の平坦化が実現する
場合が多いため、本実施の形態は研磨盤中央部にのみ中
空チューブ３Ｃ、３Ｄを設置したものである。このよう
に本実施の形態では、第一の実施の形態と比較して非常
に簡単な構成で同等に近い効果が期待できる。ここで、
３Ｃ、３Ｄは、２本の同心円状の中空チューブを用いて
も良いが、１本の中空チューブを螺旋状に２回転して用
いても同様の効果が得られ、この場合には、流体導入用
の配管が一組あれば良く、配管の構成が簡単である。

【００３４】（第三の実施の形態）次に、本発明の第三
の実施の形態につき、図面を用いて説明する。図４は、
本発明の第三の実施の形態に基づくＣＭＰ装置の要部の
断面図を示したものであり、研磨盤１上の研磨盤中空チ
ューブ３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ、３Ｅの設置場所にそれ
ぞれ研磨盤中空チューブ設置溝４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４
Ｄ、４Ｅを設け、研磨盤中空チューブを研磨盤１中に埋
設した状態を示している。本第三の実施の形態を用いる
ことにより、上記の第一の実施の形態に記載の効果に加
え、研磨盤中空チューブに過度の圧力が印可される事を
防ぎ、研磨加工時の研磨盤中空チューブの摩耗疲労を減
少する事ができる。

【００３５】上述の各実施の形態の説明では研磨盤に上
面に設置された中空チューブを３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３
Ｄ、３Ｅの５区分とし、それぞれ圧力をかけ、或いはそ
れぞれに温度を制御した流体を流すこととしたが、本発
明の実施はこれに限られる事はなく、全ての中空チュー
ブを連結して同一の流体を流しても良い。また、中空チ
ューブの本数に制限がない事も言うまでもなく、また、
１本のチューブのみで、螺旋状に研磨盤１上面前面に形
成して使用しても良い。

【００３６】また、上述の何れの場合も、研磨盤中空チ
ューブ３の一端を封止して内部に流体を封じ込めても良
い。この場合には、温度の制御は困難となるが、流体と
して圧縮空気等を用いて、圧力を制御し、研磨パッド表
面の形状変更を容易に行う事ができる。

【００３７】また、上記の各実施の形態では流体として
フロンを用いた例を示したが、本発明の実施はこれに限
られることはなく、温度の制御された、水等の流体を用
いてもよい。

【００３８】

【発明の効果】本発明の実施により、研磨盤中空チュー
ブの温度、圧力を調整する事により、研磨盤ないし研磨
パッドの交換をする事なく、多種類の最適な製造条件の
異なる半導体基板の研磨が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一の実施の形態の研磨盤の断面図で
ある。

【図２】本発明の第一の実施の形態の研磨盤の断面図及
び見取り図である。

【図３】本発明の第二の実施の形態の研磨盤の断面図で
ある。

【図４】本発明の第三の実施の形態の研磨盤の断面図で
ある。

【図５】従来のＣＭＰ装置の概略図、その上面図及びそ
の断面図である。

【図６】半導体基板にトレンチを形成しポリシリコンを
埋め込んで平坦化する工程の工程断面図である。

【図７】半導体基板にトレンチを形成しポリシリコンを
埋め込んで平坦化する工程で、ポリシリコン部がオーバ
ーエッチングされた状態を示している。

【図８】半導体基板にトレンチを形成しポリシリコンを
埋め込んで平坦化する工程で、研磨ストッパとして形成
されている窒化珪素膜、酸化珪素膜が研磨された状態を
示している。

【符号の説明】

１・・・研磨盤１Ａ・・・研磨盤の回転軸２・・・研磨パッド２Ａ・・・ソフトパッド２Ｂ・・・ハードパッド３Ａ・・・研磨盤中空チューブ（外側）３Ｂ・・・研磨盤中空チューブ３Ｃ・・・研磨盤中空チューブ３Ｄ・・・研磨盤中空チューブ３Ｅ・・・研磨盤中空チューブ（中心部）４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄ、４Ｅ・・・研磨盤中空チュー
ブ設置溝５・・・半導体基板固定冶具５Ａ・・・半導体基板固定冶具の回転軸６・・・研磨剤供給チューブ６Ａ・・・研磨剤１０・・・ロータリージョイント１２Ａ、１２Ｄ・・・流体供給外部配管１２Ａ１、１２Ｄ１、１２Ａ１、１２Ｄ１・・・チュー
ブ配管と外部配管の摺動部１３Ａ、１３Ｄ・・・流体供給チューブ配管１４Ａ、１４Ｄ・・・液体排出チューブ配管１５Ａ、１５Ｄ・・・流体排出外部配管２０・・・トレンチ２１・・・半導体基板２２・・・ポリシリコン２２Ａ・・・ポリシリコン膜２２Ｂ・・・ポリシリコン残り２２Ｃ・・・ポリシリコン膜のオーバーエッチング２３・・・酸化珪素膜２３Ａ・・・トレンチ内壁の熱酸化膜２４・・・窒化珪素膜４１・・・半導体基板固定冶具の回転方向と研磨盤の回
転方向が同一方向である領域４２・・・半導体基板固定冶具の回転方向と研磨盤の回
転方向が反対方向である領域４３・・・半導体基板固定冶具の中心部の領域５０・・・研磨盤基台１００・・・研磨盤１の回転方向２００・・・半導体基板固定冶具５の回転方向

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】回転自在に形成された研磨盤と、前記研磨
盤上面に貼付された研磨パッドと、前記研磨盤と前記研
磨パッドとの間に載置された中空チューブと、前記研磨
盤上面の上方に位置し、回転自在に形成され、前記研磨
盤上面に対向して摺動可能で、半導体基板を固着すべき
下面を有する半導体基板固定冶具と、前記研磨盤上に研
磨剤を供給する研磨剤供給機構とを具備し、前記中空チ
ューブに流体を供給し、研磨速度を制御するようにした
ことを特徴とするＣＭＰ装置。
【請求項２】前記中空チューブが、前記研磨盤の回転軸
を中心として同心円状ないし螺旋状に載置されているこ
とを特徴とする請求項１に記載のＣＭＰ装置。
【請求項３】表面に薄膜の形成された半導体基板を前記
表面が露出するように半導体基板固定冶具下面に固着す
る工程と、前記半導体基板固定冶具下面に固着された前
記半導体基板と、前記半導体基板固定冶具下面と対向し
て載置され、上面に研磨パッドの貼付された研磨盤上面
とを、研磨粒を含んだ研磨剤を介して互いに摺動するこ
とにより研磨する工程とを具備し、前記研磨の速度制御
を、前記研磨盤と前記研磨パッドとの間に載置されてい
る中空チューブに前記研磨パッドと温度の異なる流体を
充填し、または流体を流して、前記流体からの熱伝導に
より研磨パッド上面の温度を制御することにより行うこ
とを特徴とするＣＭＰ方法。
【請求項４】表面に薄膜の形成された半導体基板を前記
表面が露出するように半導体基板固定冶具下面に固着す
る工程と、前記半導体基板固定冶具下面に固着された前
記半導体基板と、前記半導体基板固定冶具下面と対向し
て載置され、上面に研磨パッドの貼付された研磨盤上面
とを、研磨粒を含んだ研磨剤を介して互いに摺動するこ
とにより研磨する工程とを具備し、前記研磨の速度制御
を、前記研磨盤と前記研磨パッドとの間に載置されてい
る中空チューブに流体を充填し、または流体を流して、
前記流体の圧力を制御する事により前記中空チューブを
膨張させ、前記研磨パッド上面の形状を制御することに
より行うことを特徴とするＣＭＰ方法。