JP2010131745A - ウェハ用両頭研削装置および両頭研削方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 184
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 150
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 claims description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
- B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
- B24B41/061—Work supports, e.g. adjustable steadies axially supporting turning workpieces, e.g. magnetically, pneumatically
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/10—Single-purpose machines or devices
- B24B7/16—Single-purpose machines or devices for grinding end-faces, e.g. of gauges, rollers, nuts, piston rings
- B24B7/17—Single-purpose machines or devices for grinding end-faces, e.g. of gauges, rollers, nuts, piston rings for simultaneously grinding opposite and parallel end faces, e.g. double disc grinders
Abstract
【解決手段】研削対象ウェハの両面に流体静圧により非接触支持しつつ砥石を研削対象ウェハの両面に押し当てることにより両面同時研削可能としてなるウェハ用両頭研削装置であって、前記研削ウェハの静圧支持部材を前記研削対象ウェハに対面する静圧パッド部材とその背面に配置されるベース部材とから形成し、前記静圧パッド部材をセラミック材料により形成するとともに、前記ベース部材を金属材料により形成してなることを特徴としている。
【選択図】図1
Description
上記実施形態によれば、ウェハ表面上におけるうねりを極小とすることができ、品質が向上、または安定する。また、セラミック材料は金属材料および樹脂材料よりも変形や摩耗による劣化が少なく、その結果、研削後のウェハの高品質を維持できる。
Claims (13)
- 研削対象ウェハの両面に流体を供給することにより前記研削対象ウェハを非接触状態で支持する静圧支持部材と、前記研削対象ウェハの両面に押し当てて回転により前記研削対象ウェハを研削可能としてなる砥石と、を有し、
前記静圧支持部材は、前記研削対象ウェハに対面する静圧パッド部材とその背面に配置されて反力を受けるベース部材とにより形成され、
前記静圧パッド部材はセラミック材料により形成され、
前記ベース部材は金属材料により形成され、
てなることを特徴とするウェハ用両頭研削装置。 - 前記静圧パッド部材の背面を前記ベース部材に締結手段によって面接合状態で一体的に締結してなることを特徴とする請求項1に記載のウェハ用両頭研削装置。
- 目標とするウェハ平坦度が得られるように、前記静圧パッド部材のウェハ対向面における平面度および/または前記ベース部材と接合する前記静圧パッド部材の背面における平面度および/または前記静圧パッド部材と接合する前記ベース部材の接合表面における平面度を所定値以下に設定することを特徴とする請求項2に記載のウェハ用両頭研削装置。
- 前記所定値が10μmであることを特徴とする請求項3に記載のウェハ用両頭研削装置。
- 前記静圧パッド部材の熱膨張率が、前記静圧パッド部材の周辺温度を23℃とした場合に、10μm/℃以下であることを特徴とする請求項1に記載のウェハ用両頭研削装置。
- 前記静圧パッド部材のウェハ対向面には流体が供給される複数のポケットが形成されていることを特徴とする請求項1に記載のウェハ用両頭研削装置。
- 前記セラミック材料がアルミナ、ジルコニア、窒化ケイ素、炭化ケイ素であることを特徴とする請求項1に記載のウェハ用両頭研削装置。
- 研削対象ウェハの両面にセラミック材料により形成された静圧パッド部材を対面させ、
前記静圧パッド部材の背面を金属材料により形成されたベース部材に面接合状態で接合させた状態で前記静圧パッド部材と前記研削対象ウェハとの隙間に流体を供給して前記研削対象ウェハの両面を非接触状態で静圧支持し、
静圧支持された前記研削対象ウェハの両面に砥石を押し当て、
前記研削対象ウェハを回転させつつ前記砥石に自転運動と前記研削対象ウェハの周方向に回る公転運動を行なわせる、
ことにより前記研削対象ウェハの両面を同時研削することを特徴とするウェハ用両頭研削方法。 - 目標とするウェハ平坦度が得られるように、前記静圧パッド部材のウェハ対向面における平面度および/または前記ベース部材と接合する前記静圧パッド部材の背面における平面度および/または前記静圧パッド部材と接合する前記ベース部材の接合表面における平面度を所定値以下に設定することを特徴とする請求項8に記載のウェハ用両頭研削方法。
- 前記所定値が10μmであることを特徴とする請求項9に記載のウェハ用両頭研削方法。
- 前記静圧パッド部材の熱膨張率が、前記静圧パッド部材の周辺温度を23℃とした場合に、10μm/℃以下であることを特徴とする請求項8に記載のウェハ用両頭研削方法。
- 前記静圧パッド部材のウェハ対向面には流体が供給される複数のポケットが形成されていることを特徴とする請求項8に記載のウェハ用両頭研削方法。
- 前記セラミック材料がアルミナ、ジルコニア、窒化ケイ素、炭化ケイ素であることを特徴とする請求項8に記載のウェハ用両頭研削方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009243559A JP5463570B2 (ja) | 2008-10-31 | 2009-10-22 | ウェハ用両頭研削装置および両頭研削方法 |
US12/607,265 US8251778B2 (en) | 2008-10-31 | 2009-10-28 | Double-side grinding apparatus for wafer and double-side grinding method |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008282257 | 2008-10-31 | ||
JP2008282257 | 2008-10-31 | ||
JP2009243559A JP5463570B2 (ja) | 2008-10-31 | 2009-10-22 | ウェハ用両頭研削装置および両頭研削方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010131745A true JP2010131745A (ja) | 2010-06-17 |
JP5463570B2 JP5463570B2 (ja) | 2014-04-09 |
Family
ID=42231609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009243559A Active JP5463570B2 (ja) | 2008-10-31 | 2009-10-22 | ウェハ用両頭研削装置および両頭研削方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8251778B2 (ja) |
JP (1) | JP5463570B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN104858736A (zh) * | 2014-02-26 | 2015-08-26 | 光洋机械工业株式会社 | 双头平面磨削方法和双头平面磨床 |
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- 2009-10-22 JP JP2009243559A patent/JP5463570B2/ja active Active
- 2009-10-28 US US12/607,265 patent/US8251778B2/en active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20100144248A1 (en) | 2010-06-10 |
US8251778B2 (en) | 2012-08-28 |
JP5463570B2 (ja) | 2014-04-09 |
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