JP4752475B2 - 半導体ウェーハの両頭研削装置、静圧パッドおよびこれを用いた両頭研削方法 - Google Patents
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Description
上述したように、シフト調整およびチルト調整により、両頭研削後のウェーハのナノトポグラフィを平均して得た平均値成分の「中央部凹凸」や「最外周リング」の向きと大きさを変化させ最小化することはできたが、「中間リング」の向きと大きさを変化させることができなかった(図9参照)。そこで、本発明者らは、「中間リング」は「中央部凹凸」や「最外周リング」とは原因が異なるのではないかと考え、鋭意検討を行った結果、静圧パッドのランドパターンとナノトポグラフィの「中間リング」とが対応していることが判り、静圧パッドのランドパターンを従来の同心円パターンから非同心円パターンかつ静圧パッドを二等分するすべての直線について非対称であるパターンに改めることで、「中間リング」を最小化できることを見出し、本発明を完成させた。
原料ウェーハを支持するために必要な外周のランドパターンは前記原料ウェーハの自転中心に対して同心円状である必要がある。そして、従来は、図4(a)に示したようにその他のパターンも同じ同心円状のパターンであった。しかし、それでは前述のようにランドパターンに対応してナノトポグラフィに「中間リング」が発生してしまう。そこで、本発明では、外周のランドパターンより内側にあるランドパターンをウェーハの自転中心(パッドの中心)と同心円とはならないようにし、かつ静圧パッドを二等分するすべての直線について非対称であるようにすることで、むしろ均一に両頭研削ができるようにした。
なお、外周のランドパターンより内側にあるランドのパターンは、図1(a)に示したものに限定されず、ウェーハの自転中心Oに関して点対称の度合いが小さいものであればよい。
(比較例1)
試料ウェーハとしてCZ法で製造された直径300mmの単結晶シリコンウェーハを用いた。
半導体ウェーハ製造の両頭研削工程で用いる両頭研削装置において、図4(a)のランドパターンがウェーハの自転中心に対して同心円状となる従来の静圧パッド(同心円パターン)を用い、図2(a)に示すように、この静圧パッドにより原料ウェーハの両面を非接触支持しながら2枚のウェーハの両頭研削を行った。
上記で得た「中央部凹凸」「最外周リング」のPV値を基にして、それらを最小化するように両頭研削装置の砥石のシフト調整およびチルト調整を行った。
このように、静圧パッドのランドパターンを非同心円パターンとするだけでは、「中間リング」を最小化することができないことがわかる。
静圧パッドとして、ウェーハを支持するために必要な外周のランドパターンはウェーハの自転中心に対して同心円状であり、該外周のランドパターンより内側にあるランドパターンはウェーハの自転中心に対して非同心円状で、かつ前記静圧パッドを二等分するすべての直線について非対称である静圧パッド(非同心円かつ非対称パターン、図1(a))を用いた他は、比較例2と同条件で2枚のウェーハの両頭研削を行った。
このように、静圧パッドのランドパターンを非同心円かつ非対称パターンとすることによって、「中間リング」「中央部凹凸」を最小化してナノトポグラフィを改善できることが確認できた。
たとえば、ナノトポグラフィの測定は、光学干渉式の測定機以外に、静電容量式測定機やレーザ式センサで行ってもよい。また、本発明により製造されるウェーハは半導体シリコンウェーハに限られず、化合物半導体ウェーハであってもよい。
31…本発明の左静圧パッド、 41…本発明の右静圧パッド、
12…左砥石、 22…右砥石、 13…従来の静圧パッドのランド、
14…従来の静圧パッドのポケット、
23a、23b、23c、23d…本発明の静圧パッドの外周のランドより内側のランド、
24…本発明の静圧パッドのポケット、 25…本発明の静圧パッドの外周のランド、
h…静圧パッドとウェーハの間隙、 W…ウェーハ、
O…ウェーハの自転中心(パッドの中心)、 O’…研削砥石が挿入される孔の中心。
Claims (3)
- 半導体ウェーハの両頭研削装置において、原料ウェーハの両面に供給された流体の静圧により前記原料ウェーハをその両面で非接触支持する静圧パッドであって、該静圧パッドの原料ウェーハを支持する側の表面に形成されたポケットを囲む土手であるランドのパターンが、前記原料ウェーハを支持するために必要な外周のランドパターンは前記原料ウェーハの自転中心に対して同心円状であり、該外周のランドパターンより内側にあるランドパターンは前記原料ウェーハの自転中心に対して非同心円状で、かつ前記静圧パッドを二等分するすべての直線について非対称であることを特徴とする静圧パッド。
- 少なくとも、流体の静圧により原料ウェーハを支持し、該原料ウェーハの両面を同時に研削する半導体ウェーハの両頭研削装置であって、請求項1に記載の静圧パッドを具備することを特徴とする両頭研削装置。
- 半導体ウェーハの両頭研削方法であって、原料ウェーハの両面に流体を供給して、その静圧により原料ウェーハの両面を請求項1に記載の静圧パッドで非接触支持しながら、該原料ウェーハの両頭研削を行うことを特徴とする半導体ウェーハの両頭研削方法。
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