JP2000271862A

JP2000271862A - ウェハ研磨装置用ウェハ保持プレート及びその製造方法

Info

Publication number: JP2000271862A
Application number: JP8383099A
Authority: JP
Inventors: Naoyuki Jinbo; 直幸神保; Yuji Okuda; 裕次奥田; Shigeji Ishikawa; 茂治石川; Tokuji Mishima; 篤司三島
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1999-03-26
Filing date: 1999-03-26
Publication date: 2000-10-03

Abstract

(57)【要約】【課題】高精度かつ高品質の半導体ウェハを効率よく
得ることができるウェハ研磨装置用ウェハ保持プレート
及びその製造方法を提供すること。【解決手段】このウェハ保持プレート６は、ウェハ研
磨装置１を構成しているテーブル２の研磨面２ａに対し
て、半導体ウェハ５を摺接させるためのものである。ウ
ェハ保持プレート６のウェハ接着面６ａには、接着剤８
を介して半導体ウェハ５が接着される。ウェハ接着面６
ａは、アンカー用溝パターン１０を有する鏡面である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハ研磨装置用
ウェハ保持プレート及びその製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体ウェハのデバイス形成面を
研磨するための研磨装置として、ラッピングマシンやポ
リッシングマシン等が知られている。この種のウェハ研
磨装置は、冷却ジャケット上部に固定されたテーブル
と、ウェハ保持プレートとを備えている。同プレートの
ウェハ接着面に対しては、熱可塑性ワックス等の接着剤
を用いて、被研磨物である半導体ウェハが貼り付けられ
る。

【０００３】ウェハ接着面は通常はフラットであるた
め、そこに半導体ウェハを確実に接着させようとした場
合には、接着剤をある程度厚く塗布する必要がある。そ
の結果、接着剤の厚さが不均一になりやすく、ウェハ接
着面に対する半導体ウェハの平行度が悪化し、半導体ウ
ェハが傾いた状態で保持されてしまう。そして、このよ
うな状態になると、加工を行ったとしても高い精度を得
ることは到底困難になる。

【０００４】以上のことから、従来では、肉薄の回転工
具を用いた研削加工により、ウェハ接着面に多数の溝か
らなるアンカー用溝パターンを形成する、という対策を
採っている。溝をウェハ接着面に形成しておくことによ
りアンカー効果が得られるため、接着剤の塗布厚を小さ
くしても接着性を改善できるからである。また、塗布厚
が小さくなれば接着剤が均一になりやすく、ウェハ平行
度も改善できるからである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、ウェハ接着
面における溝非形成部分の表面粗さが大きいと、プレー
トをテーブルの研磨面に押し付けた際、当該部分の凹凸
形状がウェハ裏面側に転写されてしまう。従って、半導
体ウェハの高精度化・高品質化を妨げる結果となる。ま
た、後にウェハを再研磨して修正するとなると、生産効
率の低下が避けられない。

【０００６】本発明は上記の課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、高精度かつ高品質の半導体ウェハ
を効率よく得ることができるウェハ研磨装置用ウェハ保
持プレートを提供することにある。

【０００７】本発明の別の目的は、上記の優れたプレー
トを安価にかつ確実に製造できる方法を提供することに
ある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１に記載の発明では、ウェハ研磨装置を構
成しているテーブルの研磨面に対して半導体ウェハを摺
接させるべく、ウェハ接着面に接着剤を介して前記半導
体ウェハが接着されるウェハ保持プレートにおいて、前
記ウェハ接着面は、アンカー用溝パターンを有する鏡面
であることを特徴とするウェハ研磨装置用ウェハ保持プ
レートをその要旨とする。

【０００９】請求項２に記載の発明では、ウェハ研磨装
置を構成しているテーブルの研磨面に対して半導体ウェ
ハを摺接させるべく、ウェハ接着面に接着剤を介して前
記半導体ウェハが接着されるウェハ保持プレートにおい
て、前記ウェハ接着面は、表面粗さＲａが０．１μｍ以
下であってかつアンカー用溝パターンを有することを特
徴とするウェハ研磨装置用ウェハ保持プレートをその要
旨とする。

【００１０】請求項３に記載の発明では、請求項１また
は２において、密度が２．７ｇ／ｃｍ³以上の珪化物セ
ラミックス製または炭化物セラミックス製の緻密体から
なるとした。

【００１１】請求項４に記載の発明では、請求項１乃至
３のいずれか１項において、前記アンカー用溝パターン
を構成する溝の幅は５０μｍ〜５００μｍであるとし
た。請求項５に記載の発明では、請求項１乃至４のいず
れか１項に記載のプレートを製造する方法であって、前
記ウェハ接着面に対する表面研磨加工を行った後、その
研磨された面に所定パターンのマスクを形成した状態で
噴射加工を行うことを特徴とするウェハ研磨装置用ウェ
ハ保持プレートの製造方法をその要旨とする。

【００１２】以下、本発明の「作用」について説明す
る。請求項１に記載の発明によると、ウェハ接着面にア
ンカー用溝パターンを形成したことにより、接着剤の塗
布厚さが均一化されるとともに、ウェハ平行度が改善さ
れる。また、ウェハ接着面における溝非形成部分は鏡面
であるため、当該部分の表面粗さは極めて小さく、ウェ
ハ裏面側へ凹凸形状が転写される心配がない。以上のこ
とから、高精度かつ高品質の半導体ウェハを得ることが
できる。また、転写された凹凸を除去するための修正作
業も不要になるため、半導体ウェハを効率よく得ること
ができる。

【００１３】請求項２に記載の発明によると、ウェハ接
着面にアンカー用溝パターンを形成したことにより、接
着剤の塗布厚さが均一化されるとともに、ウェハ平行度
が改善される。また、ウェハ接着面における溝非形成部
分は表面粗さＲａが０．１μｍ以下であるため、ウェハ
裏面側へ凹凸形状が転写される心配がない。以上のこと
から、高精度かつ高品質の半導体ウェハを得ることがで
きる。また、転写された凹凸をなくすための修正作業も
不要になるため、半導体ウェハを効率よく得ることがで
きる。

【００１４】請求項３に記載の発明によると、このウェ
ハ保持プレートは密度が２．７ｇ／ｃｍ³以上の緻密体
であることから、結晶粒子間の結合が強くてしかも気孔
が極めて少なく、従来に比べて耐食性に優れている。ま
た、かかる緻密体は珪化物セラミックス製または炭化物
セラミックス製であるため、高い剛性、低い熱膨張率、
高い熱伝導率を有し、さらに熱変形や熱衝撃にも強いと
いう性質を備えている。従って、このウェハ保持プレー
トを用いて研磨を行えば、半導体ウェハの大口径化、高
精度化及び高品質化に確実に対応することができる。

【００１５】請求項４に記載の発明によると、アンカー
用溝パターンを構成する溝の幅を上記好適範囲内に設定
していることから、高精度かつ高品質の半導体ウェハを
より確実に得ることができる。溝の幅が狭すぎると、ア
ンカー効果が充分に得られなくなるおそれがあり、接着
剤の塗布厚さの均一化及びウェハ平行度の改善が達成さ
れにくくなる。逆に、溝の幅が広すぎると、かえって溝
と溝非形成部分とがなす凹凸形状がウェハ側に転写され
るおそれがある。

【００１６】請求項５に記載の発明によると、ウェハ接
着面に対する表面研磨加工を行うことにより、ウェハ接
着面の表面粗さが極めて小さくなる。この研磨された面
にマスクを形成した状態で噴射加工を行うことにより、
多数の微細な溝を正確にかつ安価に形成することができ
る。また、マスクによって研磨面が砥粒の攻撃から保護
されるため、溝非形成部分の表面粗さＲａを小さな値に
維持することができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した一実施
形態のウェハ研磨装置１を、図１〜図６に基づき詳細に
説明する。

【００１８】図１には、本実施形態のウェハ研磨装置１
が概略的に示されている。より具体的にいうと、この装
置１は、ベアウェハプロセスにおけるスライス工程を経
たものに対する研磨を行うためのラッピングマシンであ
る。同装置１を構成しているテーブル２は、円盤状であ
って例えばステンレス等の金属材料を用いて形成されて
いる。テーブル２の上面は、半導体ウェハ５を研磨する
ための研磨面２ａとなっている。この研磨面２ａには図
示しない研磨クロスが貼り付けられている。このような
テーブル２は、同じく円盤状をした冷却ジャケット３の
上部に図示しないボルト等を用いて取り付けられてい
る。冷却ジャケット３自身は、円柱状の回転軸４により
水平に支持されている。冷却ジャケット３の内部には流
路が形成されている。この流路には冷却用流体としての
冷水Ｗが循環されるようになっている。

【００１９】このウェハ研磨装置１は、複数個（図１で
は図示の便宜上２個）のウェハ保持プレート６（いわゆ
るプッシャプレート）を備えている。図１では、便宜
上、プレート６を２個示している。ウェハ保持プレート
６は、円盤状をなす基材Ｂ１からなる。ウェハ保持プレ
ート６の上面６ｂの中心部には、図示しない駆動装置の
一部であるプッシャ棒７が固定されている。各プッシャ
棒７は、ウェハ接着面６ａをその下方にあるテーブル２
の研磨面２ａに対向させた状態で各ウェハ保持プレート
６を水平に支持している。また、各プッシャ棒７はプレ
ート６とともに回転することができるばかりでなく、所
定範囲だけ上下動することができる。プレート６のウェ
ハ接着面６ａには、複数枚の半導体ウェハ５の裏面５ｂ
が、接着剤である熱可塑性ワックス８を用いて貼り付け
られる。このとき、被研磨面であるウェハ５の表面は、
研磨面２ａ側に向けられる。ラッピングマシンである本
装置１では、プレート６は研磨面２ａに対して所定押圧
力で押し付けられる。その結果、ウェハ５が研磨面２ａ
に対して密着した状態で摺接するようになっている。

【００２０】本実施形態ではウェハ保持プレート６の形
成材料として、セラミックス焼結体を選択している。セ
ラミックス焼結体としては、珪化物セラミックス焼結体
製の緻密体または炭化物セラミックス焼結体製の緻密体
であることが好ましく、特に本実施形態では炭化珪素
（ＳｉＣ）焼結体製の緻密体を選択している。

【００２１】プレート６に使用される焼結体の密度は
２．７ｇ／ｃｍ³以上であることがよく、さらには３．
０ｇ／ｃｍ³以上であることが望ましく、特には３．１
ｇ／ｃｍ³以上であることがより望ましい。密度が高く
なるほど緻密になるので、熱伝導率が高くなるからであ
る。

【００２２】前記焼結体の熱伝導率は３０Ｗ／ｍＫ以上
であることがよく、さらには８０Ｗ／ｍＫ〜２００Ｗ／
ｍＫであることが望ましい。熱伝導率が小さすぎると焼
結体内に温度バラツキが生じやすくなり、半導体ウェハ
５の大口径化、高精度化及び高品質化を妨げる原因とな
ってしまうからである。逆に、熱伝導率は大きいほど好
適である反面、２００Ｗ／ｍＫを超えるものについて
は、安価かつ安定的な材料供給が難しくなるからであ
る。

【００２３】図２，図３に示されるように、本実施形態
のウェハ保持プレート６は、基材Ｂ１のウェハ接着面６
ａが、アンカー用溝パターン１０を有する鏡面になって
いる。より具体的にいうと、ウェハ接着面６ａの表面粗
さＲａが０．１μｍ以下と、極めて小さくなっている。

【００２４】アンカー用溝パターン１０は、凹部として
の多数の溝９からなる。前記溝９はウェハ接着面６ａの
全域に形成されるとともに、格子状となるべく等間隔に
かつ縦横に形成されている。つまり、本実施形態の溝パ
ターン１０は、直線的な溝９のみを組み合わせたもので
ある。図示されるように、この溝パターン１０は多数の
交差点を有している。ウェハ接着面６ａにおける溝９の
面積占有率は、１％〜５０％程度であることがよく、さ
らには１％〜２０％程度であることがよい。

【００２５】溝パターン１０を構成する溝９の幅は、５
０μｍ〜５００μｍ程度に設定されることがよい。この
幅が狭すぎると、溝９を形成したとしても好適なアンカ
ー効果を得られないおそれがあり、ワックス８の塗布厚
さの均一化及びウェハ平行度の改善が達成されにくくな
る。逆に、この幅が広すぎると、かえって溝９と溝非形
成部分とがなす凹凸形状がウェハ５側に転写されるおそ
れがあり、半導体ウェハ５の品質に影響を及ぼす可能性
がある。

【００２６】また、当該溝９の深さは２０μｍ〜１００
μｍ程度に設定されることがよい。この深さが小さすぎ
ると、溝９を形成したとしても好適なアンカー効果を得
られないおそれがあり、ワックス８の塗布厚さの均一化
及びウェハ平行度の改善が達成されにくくなる。逆に、
この深さが大きすぎると、かえって溝９と溝非形成部分
とがなす凹凸形状がウェハ５側に転写されるおそれがあ
り、半導体ウェハ５の品質に影響を及ぼす可能性があ
る。

【００２７】以下、プレート６を製造する方法の一例を
紹介する。まず、板状の基材Ｂ１を用意する。ここでは
イビデン株式会社製の緻密質炭化珪素焼結体「ＳＣ−８
５０（商品名）」を用いている。同焼結体の密度は３．
１ｇ／ｃｍ³であり、熱伝導率は１５０Ｗ／ｍＫであ
る。この場合、常法に従ってセラミックス原料作製工
程、成形工程及び焼成工程を順に実施し、セラミックス
緻密体製の焼結体からなる基材Ｂ１を作製してもよい。

【００２８】次に、基材Ｂ１のウェハ接着面６ａに対す
る表面研磨加工（いわゆる鏡面加工）を行い、同面６ａ
の表面粗さＲａの値を０．１μｍ以下にする。上記の加
工を実施するため、ここでは硬質な炭化珪素製研磨治具
を用いている。

【００２９】このような表面研磨加工を行った後、さら
に、その研磨されたウェハ接着面６ａに対して噴射加工
を行う。このような噴射加工として、本実施形態ではマ
スク１１を用いたサンドブラスト処理を行なっている。
以下、サンドブラスト処理の手順を図４〜図６に基づい
て簡単に説明する。

【００３０】処理に先立って、基材Ｂ１のウェハ接着面
６ａの全体にマスク１１を設けておく必要がある。マス
ク１１には開口部１３が形成されている。本実施形態に
おける開口部１３はアンカー用溝パターン１０と同じく
格子状であって、各溝９となるべき箇所に対応した位置
に存在している。このマスク１１は、溝形成部分のみを
外部に露出させるとともに、溝形成部分を被覆して遊離
砥粒１４の攻撃から保護する役割を果たす。

【００３１】直接印刷法による場合には、まず基材Ｂ１
に感光性樹脂Ｒ１を均一に塗布または貼着した後、フォ
トマスク１２を介して感光性樹脂Ｒ１に紫外線を照射す
る（図４参照）。その結果、溝９となるべき箇所のみを
選択的に露光する。感光性樹脂Ｒ１としては、例えば感
光性を付与したウレタン・アクリル系樹脂などが使用さ
れる。続いて、感光性樹脂Ｒ１を現像、洗浄、乾燥して
未露光部分を除去することにより、所定箇所に開口部１
３を形成する（図５参照）。

【００３２】間接印刷法による場合には、開口部１３を
有するフィルムをマスク１１として別途作製しておき、
それを位置合わせしたうえで基材Ｂ１のウェハ接着面６
ａに貼り付ければよい。なお、いずれの印刷法を採用す
る場合でも、マスク１１にはサンドブラスト処理に耐え
うるだけの厚さが確保されていることがよく、具体的に
は５０μｍ厚〜３００μｍ厚程度であることが望まし
い。

【００３３】続くサンドブラスト処理では、このような
マスク配設状態の基材Ｂ１に対してノズル１５の先端を
向け、噴射口から遊離砥粒１４を噴射する（図６参
照）。その際の具体的な処理条件を以下に記す。

【００３４】１）遊離砥粒１４の種類：ＧＣ（なお、
Ｃ，ＷＡ，Ａ等に変更可能）２）遊離砥粒１４の粒度：＃１８０〜＃１０００（な
お、溝９の幅、深さに応じて適宜この範囲内で選択す
る）３）投射圧：３．０ｋｇ／ｃｍ²〜５．０ｋｇ／ｃｍ² ４）ノズル１５とマスク１１との離間距離：２０ｍｍ
〜１５０ｍｍその結果、基材Ｂ１のウェハ接着面６ａが遊離砥粒１４
の衝突によって削り取られ、開口部１３に対応した位置
に所定幅・所定深さの溝９が形成される。そして、不要
となったマスク１１をサンドブラスト処理後に剥離する
ことにより、図２のような溝パターン１０を有するウェ
ハ保持プレート６が完成する。

【００３５】従って、本実施形態によれば以下のような
効果を得ることができる。（１）このウェハ保持プレート６は、ウェハ接着面６ａ
にアンカー用溝パターン１０を有している。従って、溝
パターン１０を備えない従来のものに比べ、ワックス８
を相当薄くしかも均一な厚さに塗布することができ、も
ってウェハ平行度を改善することができる。勿論、この
場合においても、ワックス８の接着性低下は認められ
ず、各種サイズの半導体ウェハ５の研磨を実施した後で
あっても位置ずれ・脱落は生じない。

【００３６】また、ウェハ接着面６ａにおける溝非形成
部分は、表面粗さＲａが０．１μｍ以下という鏡面にな
っている。そのため、溝非形成部分の凹凸形状が、ウェ
ハ裏面５ｂ側へ転写されるという心配もない。

【００３７】以上のことから、本実施形態のプレート６
によると、高精度かつ高品質の半導体ウェハ５を得るこ
とができる。また、転写された凹凸を除去するための修
正作業も不要になるため、半導体ウェハ５を効率よく低
コストで得ることができる。

【００３８】（２）このウェハ保持プレート６を構成す
る基材Ｂ１は、密度が２．７ｇ／ｃｍ³以上かつ熱伝導
率が３０Ｗ／ｍＫ以上のセラミック焼結体製の緻密体で
ある。従って、結晶粒子間の結合が強くてしかも気孔が
極めて少なく、従来に比べて耐食性に優れている。ま
た、かかる基材Ｂ１は炭化珪素焼結体製の緻密体である
ため、極めて高い剛性、低い熱膨張率、極めて高い熱伝
導率を有し、さらに熱変形や熱衝撃にも強いという優れ
た性質を備えている。従って、このウェハ保持プレート
６を用いて研磨を行えば、半導体ウェハ５の大口径化、
高精度化及び高品質化に確実に対応することができる。

【００３９】（３）本実施形態では、アンカー用溝パタ
ーン１０を構成する溝９の幅及び深さを、それぞれ５０
μｍ〜２００μｍ，２０μｍ〜１００μｍという好適範
囲内に設定している。このような設定によれば、溝パタ
ーン１０の形成による効果が最大限に奏され、高精度か
つ高品質の半導体ウェハ５をより確実に得ることができ
る。

【００４０】（４）本実施形態では、プレート６を製造
するに際し、ウェハ接着面６ａに対する表面研磨加工を
行った後、その研磨されたウェハ接着面６ａに所定パタ
ーンのマスク１１を形成した状態で噴射加工を行うとい
う手法を採用している。

【００４１】この場合、表面研磨加工を行うことによっ
て、ウェハ接着面６ａの表面粗さＲａが極めて小さくな
る。この状態でマスク１１を形成して噴射加工を行え
ば、基材Ｂ１における特定部分のみが除去され、多数の
微細な溝９を正確にかつ安価に形成することができる。
また、マスク１１を設けたことによって、研磨されたウ
ェハ接着面６ａが遊離砥粒１４の攻撃から保護されるた
め、溝非形成部分の表面粗さＲａを小さな値に維持する
ことができる。以上のように、本実施形態の製造方法に
よれば、上記の優れたプレート６を安価にかつ確実に製
造することができる。

【００４２】（５）特に本実施形態では、噴射加工の一
種であるサンドブラスト処理を行なうことにより溝パタ
ーン１０を形成している。ゆえに、砥石のような回転工
具を必要とせず、結果として砥石の使用に起因する諸問
題が解消されてしまう。つまり、砥石よりも極めて小さ
な遊離砥粒１４を使用することにより、高コスト化を伴
うことなく微細な溝９を比較的容易に形成することが可
能となる。このため、ウェハ接着面６ａに形成される溝
の大きさ、形状、数等の如何を問わず、安価にプレート
６を製造することができる。なお、サンドブラスト処理
のような噴射加工は、本実施形態のように硬質な材料を
基材Ｂ１として選択した場合についても好適である。

【００４３】なお、本発明の実施形態は以下のように変
更してもよい。・基材Ｂ１に形成される溝パターン１０は、前記実施
形態のような格子状のみに限定されることはない。例え
ば、図７に示される別例のウェハ保持プレート１６のよ
うに、ウェハ接着面１６ａの全体に略クモの巣状の溝パ
ターン１０を形成してもよい。この別例の溝パターン１
０は、同心円状である複数本の溝９と、放射状である複
数の溝９との組み合わせによって構成されている。

【００４４】・また、溝パターン１０は同一面内に１
つのみ形成されるのみに限られず、複数形成されていて
も構わない。例えば、図８に示される別例のウェハ保持
プレート１７では、ウェハ接着面１７ａ上の５箇所に、
同じ大きさをした略クモの巣状の溝パターン１０が形成
されている。これらの溝パターン１０は、そこに保持さ
れるべき半導体ウェハ５の外形寸法にほぼ等しくなって
いる。

【００４５】・溝パターン１０は格子状や略クモの巣
状以外の形状であって、複数の交差点を有する別のパタ
ーン形状を備えるものであっても勿論よい。また、交差
点を有しないパターン形状を採用することも勿論許容さ
れる。

【００４６】・基材Ｂ１の形成材料である珪化物セラ
ミックス焼結体としては、炭化珪素のほか、例えば窒化
珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）やサイアロン等を選択することも許容
されうる。もっとも、この場合においても、密度が２．
７ｇ／ｃｍ³以上の緻密体という条件を満たしているこ
とが望ましい。

【００４７】・炭化物セラミックス焼結体としては、
炭化珪素のほか、例えば炭化ホウ素（Ｂ₄Ｃ）等を選択
することも許容されうる。もっとも、この場合において
も、密度が２．７ｇ／ｃｍ³以上の緻密体という条件を
満たしていることが望ましい。

【００４８】・基材Ｂ１の形成材料は、セラミックス
焼結体のみに限定されることはなく、例えば金属等であ
ってもよい。・サンドブラスト以外の噴射加工、例えばショットブ
ラスト等の乾式噴射加工や、さらには液体ホーニング等
の湿式噴射加工を用いて、溝９の形成を行なうことも許
容される。

【００４９】・プレート６を製造するにあたって、ウ
ェハ接着面６ａに対する表面研磨加工工程を行う前に、
噴射加工等による溝加工工程を実施してもよい。・本発明のウェハ保持プレート６は、実施形態のよう
なラッピング装置に用いられるプッシャプレートとして
具体化されるばかりでなく、例えばポリッシング装置に
用いられるポリッシングプレート等として具体化されて
もよい。

【００５０】次に、特許請求の範囲に記載された技術的
思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技
術的思想を、必要に応じてその効果とともに以下に列挙
する。

【００５１】（１）請求項１または２において、前記
プレートは、密度が２．７ｇ／ｃｍ ³以上かつ熱伝導率
が３０Ｗ／ｍＫ以上である炭化珪素焼結体製の緻密体で
あること。従って、この技術的思想１に記載の発明によ
れば、半導体ウェハのよりいっそうの大口径化、高精度
化及び高品質化に対応可能なプレートとすることができ
る。

【００５２】（２）請求項１乃至４、技術的思想１の
いずれか１項において、前記ウェハ接着面における前記
溝の面積占有率は１％〜２０％であること。（３）請求項５において、前記噴射処理はサンドブラ
スト処理であること。従って、この技術的思想３に記載
の発明によれば、例えばセラミック焼結体のような硬質
な材料であっても、容易にかつ確実に所望のアンカー用
溝パターンを形成できる。

【００５３】（４）技術的思想３において、緻密質炭
化珪素焼結体を基材として用いた場合、前記サンドブラ
スト処理に用いられる遊離砥粒をＧＣとすること。従っ
て、この技術的思想４に記載の発明によれば、極めて硬
質な炭化珪素焼結体であっても、容易にかつ確実に所望
のアンカー用溝パターンを形成できる。

【００５４】（５）技術的思想３または４において、
前記マスクは、前記基材上に感光性樹脂を塗布または貼
着した後、その感光性樹脂の露光・現像を行なうという
直接印刷法により形成されること。従って、この技術的
思想５に記載の発明によれば、いわゆるフォトリソグラ
フィを利用していることから、極めて微細な溝であって
も容易にかつ正確に形成でき、もってアンカー用溝パタ
ーンを正確な位置・形状に形成できる。

【００５５】（６）請求項１乃至３、技術的思想１乃
至４のいずれか１つにおいて、前記マスクは、あらかじ
め開口部がパターニングされたフィルムを前記基材上に
貼り付けるという間接印刷法により形成されること。従
って、この技術的思想６に記載の発明によれば、露光・
現像装置を特に必要とせずにアンカー用溝パターンを形
成できる。

【００５６】

【発明の効果】以上詳述したように、請求項１〜４に記
載の発明によれば、高精度かつ高品質の半導体ウェハを
効率よく得ることができるウェハ研磨装置用ウェハ保持
プレートを提供することができる。

【００５７】請求項３に記載の発明によれば、半導体ウ
ェハの大口径化、高精度化及び高品質化に対応可能なプ
レートとすることができる。請求項４に記載の発明によ
れば、溝の幅を上記好適範囲内に設定したことにより、
高精度かつ高品質の半導体ウェハをより確実に得ること
が可能なプレートとすることができる。

【００５８】請求項５に記載の発明によれば、上記の優
れたプレートを安価にかつ確実に製造可能なウェハ研磨
装置用ウェハ保持プレートの製造方法を提供することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を具体化した実施形態のウェハ研磨装置
を示す概略図。

【図２】ウェハ研磨装置用のウェハ保持プレートの平面
図。

【図３】図２のＡ−Ａ線における部分概略断面図。

【図４】前記プレートの製造工程を説明するための部分
概略断面図。

【図５】前記プレートの製造工程を説明するための部分
概略断面図。

【図６】前記プレートの製造工程を説明するための部分
概略断面図。

【図７】別例のウェハ保持プレートの平面図。

【図８】別例のウェハ保持プレートの平面図。

【符号の説明】

１…ウェハ研磨装置、２…テーブル、２ａ…研磨面、５
…半導体ウェハ、６，１６，１７…ウェハ保持プレー
ト、６ａ，１６ａ，１７ａ…ウェハ接着面、８…接着剤
としての熱可塑性ワックス、９…溝、１０…アンカー用
溝パターン、１１…マスク。

フロントページの続き (72)発明者石川茂治岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１の１イビデン株式会社大垣北工場内 (72)発明者三島篤司岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１の１イビデン株式会社大垣北工場内Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AA16 AB04 AB06 AB08 AC04 CB01 CB03 DA02 DA17

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ウェハ研磨装置を構成しているテーブルの
研磨面に対して半導体ウェハを摺接させるべく、ウェハ
接着面に接着剤を介して前記半導体ウェハが接着される
ウェハ保持プレートにおいて、前記ウェハ接着面は、ア
ンカー用溝パターンを有する鏡面であることを特徴とす
るウェハ研磨装置用ウェハ保持プレート。
【請求項２】ウェハ研磨装置を構成しているテーブルの
研磨面に対して半導体ウェハを摺接させるべく、ウェハ
接着面に接着剤を介して前記半導体ウェハが接着される
ウェハ保持プレートにおいて、前記ウェハ接着面は、表
面粗さＲａが０．１μｍ以下であってかつアンカー用溝
パターンを有することを特徴とするウェハ研磨装置用ウ
ェハ保持プレート。
【請求項３】密度が２．７ｇ／ｃｍ³以上の珪化物セラ
ミックス製または炭化物セラミックス製の緻密体からな
ることを特徴とする請求項１または２に記載のウェハ研
磨装置用ウェハ保持プレート。
【請求項４】前記アンカー用溝パターンを構成する溝の
幅は５０μｍ〜５００μｍであることを特徴とする請求
項１乃至３のいずれか１項に記載のウェハ研磨装置用ウ
ェハ保持プレート。
【請求項５】請求項１乃至４のいずれか１項に記載のプ
レートを製造する方法であって、前記ウェハ接着面に対
する表面研磨加工を行った後、その研磨された面に所定
パターンのマスクを形成した状態で噴射加工を行うこと
を特徴とするウェハ研磨装置用ウェハ保持プレートの製
造方法。