JP2000190209A - ワ―ク保持ブロックの製造方法 - Google Patents

ワ―ク保持ブロックの製造方法

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JP2000190209A
JP2000190209A JP36995298A JP36995298A JP2000190209A JP 2000190209 A JP2000190209 A JP 2000190209A JP 36995298 A JP36995298 A JP 36995298A JP 36995298 A JP36995298 A JP 36995298A JP 2000190209 A JP2000190209 A JP 2000190209A
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wafer
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work
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Naoyuki Jinbo
直幸 神保
Yuji Okuda
祐次 奥田
Shigeji Ishikawa
茂治 石川
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Ibiden Co Ltd
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ワーク保持面に形成されるアンカー用凹部の
大きさ、形状、数等の如何を問わず、安価にブロックを
製造できるワーク保持ブロックの製造方法を提供する。 【解決手段】 ワーク保持ブロック6を構成する基材B
1のワーク保持面6aに対し、噴射加工を行なうことに
より、アンカー凹部9を形成する。このようなワーク保
持面6aには、接着剤8によりワーク5が接着保持され
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ワーク保持ブロッ
クの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、各種の加工を行なうための加
工装置では、加工の際にワークを何らかの手段により保
持しておく必要が生じる。そのため、一般的に加工装置
にはワーク保持ブロックが設けられている。図9,図1
0にその従来例を簡単に示す。
【0003】ワーク保持ブロック21を構成する基材2
2は、ワーク保持面23を有している。そして、ワーク
保持面23には接着剤24を用いてワーク25が接着保
持されるようになっている。
【0004】ところで、ワーク保持面23は通常はフラ
ットであるため、当該フラットな面にワーク25を確実
に接着させようとすると、ワーク保持面23に対して接
着剤24をある程度厚く塗布せざるをえない。すると、
接着剤24の厚さが不均一になりやすく、ワーク保持面
23に対するワーク25の平行度が悪化し、ワーク25
が傾いた状態で保持されてしまう(図10の二点鎖線参
照)。このような状態になると、加工を行ったとしても
高い精度を得ることは到底困難になる。
【0005】以上のことから、図11,図12に示す別
の従来例のワーク保持ブロック26では、ワーク保持面
23に多数の溝27を縦横に形成した構成を採用してい
る。凹形状をなす溝27がワーク保持面23にあると、
アンカー効果が得られるため、接着剤24の塗布厚を小
さくしても接着性を改善することができるからである。
また、塗布厚が小さくなれば接着剤24が均一になりや
すく、ワーク25の平行度の改善につながるからであ
る。なお、この種の溝26の形成は、従来では肉薄の円
盤状砥石(回転工具)を用いた研削加工により行われて
いた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術には以下のような問題点があった。 1)砥石を用いた研削加工では、溝27の線幅を細くす
るためには、より肉薄の円盤状砥石を用いる必要があ
る。しかし、円盤状砥石は肉薄になるほど高価になるた
め、結果として溝1本あたりの単価が高くなり、ひいて
はワーク保持ブロックの高コスト化につながってしま
う。
【0007】2)円盤状砥石の肉薄化にもおのずと限界
があることから、現状ではせいぜい200μm幅の加工
が限界であった。従って、それよりも幅狭の溝27を形
成することは実際上極めて困難であった。
【0008】本発明は上記の課題を解決するためなされ
たものであり、その目的は、ワーク保持面に形成される
アンカー用凹部の大きさ、形状、数等の如何を問わず、
安価にブロックを製造することができるワーク保持ブロ
ックの製造方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項1に記載の発明では、基材のワーク保持面
にアンカー凹部を有し、接着剤によりワークが接着保持
されるワーク保持ブロックを製造する方法であって、前
記アンカー凹部を前記ワーク保持面に対する噴射加工に
より形成することを特徴としたワーク保持ブロックの製
造方法をその要旨とする。
【0010】請求項2に記載の発明は、請求項1におい
て、前記噴射加工は、前記アンカー凹部となるべき箇所
に対応した位置に開口部を有するマスクを前記ワーク保
持面に設けた状態で行われるとした。
【0011】請求項3に記載の発明は、請求項2におい
て、前記開口部の幅は50μm〜200μmであるとし
た。請求項4に記載の発明は、請求項3において、前記
開口部は複数の交差点を有するパターン形状に形成され
ているとした。
【0012】以下、本発明の「作用」について説明す
る。請求項1に記載の発明の作用を説明する。噴射加工
とは遊離砥粒を衝突させることで対象物の表面を加工す
るものであり、砥石のような回転工具を必要としない点
で、研削加工と異なっている。従って、砥石の使用に起
因する諸問題が解消され、具体的には遊離砥粒の使用に
より高コスト化を伴うことなく微細なアンカー用凹部を
比較的容易に形成することが可能となる。このため、ワ
ーク保持面に形成されるアンカー用凹部の大きさ、形
状、数等の如何を問わず、安価にブロックを製造するこ
とができる。
【0013】請求項2に記載の発明によると、マスクを
設けた状態で噴射加工を行なうことにより、開口部から
露出している部分のみが選択的に遊離砥粒による攻撃を
受ける。従って、微細なアンカー用凹部を精度よく形成
することができる。
【0014】請求項3に記載の発明によると、開口部の
幅を50μm〜200μmに設定しておくことにより、
研削加工では困難であった200μm以下の溝を容易に
かつ確実に形成することができる。
【0015】請求項4に記載の発明によると、開口部を
上記パターン形状に形成しておくことにより、複数の交
差点を有する溝パターンを、アンカー用凹部としてワー
ク保持面に簡単に形成することができる。また、このよ
うな形状の溝パターンであると、交差点が複数箇所にあ
ることから、より高いアンカー効果を得ることができ、
例えばワークのX−Y方向への位置ずれが起こりにくい
ワーク保持ブロックとすることができる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明のワーク保持ブロッ
クの製造方法を具体化した、一実施形態のウェハ研磨装
置用ウェハ保持プレートの製造方法を、図1〜図6に基
づき詳細に説明する。
【0017】図1には、本実施形態のウェハ研磨装置1
が概略的に示されている。同ウェハ研磨装置1を構成し
ているテーブル2は、円盤状であって例えばステンレス
等の金属材料を用いて形成されている。テーブル2の上
面は、ウェハ5を研磨するための研磨面2aとなってい
る。この研磨面2aには図示しない研磨クロスが貼り付
けられている。このようなテーブル2は、同じく円盤状
をした冷却ジャケット3の上部に図示しないボルト等を
用いて取り付けられている。冷却ジャケット3自身は、
円柱状の回転軸4により水平に支持されている。冷却ジ
ャケット3の内部には流路が形成されている。この流路
には冷却用流体としての冷水Wが循環されるようになっ
ている。
【0018】このウェハ研磨装置1は、複数個(図1で
は図示の便宜上2個)のウェハ保持プレート6を備えて
いる。このワーク保持ブロックであるウェハ保持プレー
ト6は、円盤状をなすセラミック焼結体製の基材B1か
らなる。ウェハ保持プレート6の上面6bの中心部に
は、図示しない駆動装置の一部であるプッシャ棒7が固
定されている。各プッシャ棒7は、ワーク保持面6aを
その下方にあるテーブル2の研磨面2aに対向させた状
態で各ウェハ保持プレート6を水平に支持している。ま
た、各プッシャ棒7はウェハ保持プレート6とともに回
転することができるばかりでなく、所定範囲だけ上下動
することができる。ウェハ保持プレート6のワーク保持
面6aには、ワークであるウェハ5が接着剤である熱可
塑性ワックス8を用いて複数枚貼着保持される。このと
き、ウェハ5における被研磨面5aは、テーブル2の研
磨面2a側を向く。
【0019】この装置1がラッピングマシン、即ちベア
ウェハプロセスにおけるスライス工程を経たものに対す
る研磨を行う装置である場合、ウェハ保持プレート6は
ウェハ5を研磨面2aに対して所定押圧力を印加した状
態で摺接させるものであることがよい。
【0020】一方、この装置1がエピタキシャルウェハ
製造用のポリッシングマシン、即ち前記ラッピング工程
を経たものに対してエピタキシャル成長工程を実施した
うえで研磨を行う装置である場合には、ウェハ保持プレ
ート6はウェハ5を研磨面2aに対してほぼ押圧力無印
加状態で摺接させるものであることがよい。シリコンエ
ピタキシャル成長層は、単結晶シリコンと比べて剥離し
やすいからである。この装置1が各種膜形成工程後にケ
ミカルメカニカルポリッシング(CMP)を行うための
マシンである場合も、基本的には同様である。
【0021】本実施形態においてはウェハ保持プレート
6の材質として、例えばセラミックでは、アルミナ焼結
体、炭化物セラミック焼結体、珪化物セラミックスのほ
か、緻密な炭化珪素焼結体なども選択することができ
る。
【0022】図2,図3に示されるように、本実施形態
のウェハ保持プレート6は、基材B1のワーク保持面6
aに、アンカー凹部としての多数の溝9からなる溝パタ
ーン10を有している。前記溝9はワーク保持面6aの
全域に形成されるとともに、格子状となるべく等間隔に
かつ縦横に形成されている。つまり、本実施形態の溝パ
ターン10は、直線的な溝9のみを組み合わせてなる。
図示されるように、この溝パターン10は多数の交差点
を有している。
【0023】溝パターン10を構成する溝9の幅は、1
0μm〜200μm程度に設定されることがよい。この
幅が狭すぎると、溝9を形成したとしても、好適なアン
カー効果を得られなくなるおそれがある。逆にこの幅が
広すぎると、ウェハ5にワーク保持面6a側の凹凸が転
写される可能性があり、ウェハ5の品質に影響を及ぼす
おそれがある。また、当該溝9の深さは20μm〜10
0μm程度に設定されることがよい。
【0024】ここで溝9はワーク保持面6aに対する噴
射加工により形成される。このような噴射加工として、
本実施形態ではマスク11を用いたサンドブラスト処理
を行なっている。以下、サンドブラスト処理の手順を図
4〜図6に基づいて簡単に説明する。
【0025】まず処理に先立って、基材B1のワーク保
持面6aの全体にマスク11を設けておく必要がある。
マスク11には開口部13が形成されている。本実施形
態における開口部13は溝パターン10と同じく格子状
であって、各溝9となるべき箇所に対応した位置に存在
している。ここでは、10μm〜200μm程度の溝9
を形成すべく、開口部13の幅を50μm〜200μm
程度に設定している。
【0026】直接印刷法による場合には、まず基材B1
に感光性樹脂R1を均一に塗布または貼着した後、フォ
トマスク12を介して感光性樹脂R1に紫外線を照射す
る(図4参照)。その結果、溝9となるべき箇所のみを
選択的に露光する。感光性樹脂R1としては、例えば感
光性を付与したウレタン・アクリル系樹脂などが使用さ
れる。続いて、感光性樹脂R1を現像、洗浄、乾燥して
未露光部分を除去することにより、所定箇所に開口部1
3を形成する(図5参照)。
【0027】間接印刷法による場合には、開口部13を
有するフィルムをマスク11として別途作製しておき、
それを位置合わせしたうえで基材B1のワーク保持面6
aに貼り付ければよい。なお、いずれの印刷法を採用す
る場合でも、マスク11にはサンドブラスト処理に耐え
うるだけの厚さが確保されていることがよく、具体的に
は50μm厚〜300μm厚程度であることが望まし
い。
【0028】続くサンドブラスト処理では、このような
マスク配設状態の基材B1に対してノズル15の先端を
向け、噴射口から遊離砥粒14を噴射する(図6参
照)。その結果、基材B1のワーク保持面6aが遊離砥
粒14の衝突によって削り取られ、開口部13に対応し
た位置に所定幅・所定深さの溝9が形成される。そし
て、不要となったマスク11をサンドブラスト処理後に
剥離することにより、図2のようなウェハ保持プレート
6が完成する。
【0029】以下、本実施形態をより具体化した実施例
を紹介する。
【0030】
【実施例】実施例では、イビデン株式会社製の緻密質炭
化珪素焼結体「SC−850(商品名)」を用いた。同
焼結体の密度は3.1g/cm3であり、熱伝導率は1
50w/mKであった。焼結体に含まれているほう素は
0.4重量%、遊離炭素は1.8重量%であった。
【0031】上記焼結体の片側面に対して、炭化珪素製
研磨治具を用いた研磨加工を施し、ワーク保持面6aの
面粗度を小さくした。次いで、直接印刷法により基材B
1のワーク保持面6aにマスク11を形成した状態で、
サンドブラスト処理を行ない、図2に示す所望のウェハ
保持プレート6aを得た。処理の条件は以下に記す通り
である。
【0032】 1)遊離砥粒14の種類: GC,C,WA,A等 2)遊離砥粒14の粒度: #180〜#1000 (なお、溝9の幅、深さに応じて適宜この範囲内で選択
する。) 3)投射圧: 3.0kg/cm2〜5.0kg/cm2 4)ノズル15とマスク11との離間距離: 20mm
〜150mm このようにして得られた実施例のウェハ保持プレート6
を上記各種の研磨装置1にセットするとともに、一般的
な熱可塑性ワックス8を用いてウェハ5をワーク保持面
6aに貼着保持させる。このとき熱可塑性ワックス8
は、溝9を全く形成していないものに比較してかなり薄
く、しかも均一に塗布することが可能であった。
【0033】そして、この状態で各種サイズのウェハ5
の研磨を行なったところ、ウェハ5に位置ずれや脱落が
生じることもなかった。また、各種の研磨装置1による
研磨を経て得られたウェハ5を観察したところ、ウェハ
5がテーパ状になることもなく、均一な厚さに研磨され
ていた。
【0034】そして、このような高精度加工を実現でき
たのは、溝パターン10のもたらす好適なアンカー効果
により、ワーク保持面6aに対するウェハ5の平行度が
改善されたためである、という結論に達した。また、ウ
ェハ5に溝パターン10の凹凸が転写されているような
こともなかった。つまり、本実施例のウェハ保持プレー
ト6を用いて研磨を行なえば、極めて高精度、高品質の
ウェハ5を得られることが実証された。
【0035】従って、本実施形態によれば以下のような
効果を得ることができる。 (1)本実施形態の製造方法では、噴射加工の一種であ
るサンドブラスト処理を行なうことで、ワーク保持面6
aに溝パターン10を形成している。ゆえに、砥石のよ
うな回転工具を必要とせず、結果として砥石の使用に起
因する諸問題が解消されてしまう。つまり、砥石よりも
極めて小さな遊離砥粒14を使用することにより、高コ
スト化を伴うことなく微細な溝9を比較的容易に形成す
ることが可能となる。このため、ワーク保持面6aに形
成されるアンカー用凹部の大きさ、形状、数等の如何を
問わず、安価にウェハ保持プレート6を製造することが
できる。なお、サンドブラストのような噴射処理は、本
実施形態のように硬質な材料を基材B1として選択した
場合についても好適である。
【0036】(2)本実施形態の製造方法では、サンド
ブラスト処理を行なうに際して、あらかじめワーク保持
面6aにマスク11を設けることとしている。この状態
でサンドブラスト処理を行なえば、開口部13から露出
している部分のみを遊離砥粒14により選択的に攻撃す
ることができる。従って、余分な箇所が削り取られるこ
とがなく、マスク11に開口部13を正確に設けておけ
ば、微細な溝9からなる溝パターン10を精度よく形成
することができる。
【0037】(3)本実施形態の製造方法では、マスク
11の開口部13の幅を50μm〜200μmに設定し
ている。そのため、研削加工では困難であった200μ
m以下の溝9を容易にかつ確実に形成することができ
る。
【0038】(4)本実施形態の製造方法では、マスク
11の開口部13を多数の交差点をゆするパターン形状
に形成しておくことを特徴とする。従って、ワーク保持
面6aにアンカー用凹部である格子状の溝パターン10
を簡単に形成することができる。また、このような形状
の溝パターン10には、溝9同士が交差する点が多数存
在することから、そのような交差点が存在していないも
のに比べてより高いアンカー効果を得ることができる。
ゆえに、ウェハ研磨時においてウェハ5のX−Y方向に
沿った摺動力が加わったとしても、ウェハ5に位置ずれ
が起こりにくいという利点がある。
【0039】なお、本発明の実施形態は以下のように変
更してもよい。 ・ 基材B1に形成される溝パターン10は、前記実施
形態のような格子状のみに限定されることはない。例え
ば、図7に示される別例のウェハ保持プレート16のよ
うに、ワーク保持面16aの全体に略クモの巣状の溝パ
ターン10を形成してもよい。この別例の溝パターン1
0は、同心円状である複数本の溝9と、放射状である複
数の溝9との組み合わせによって構成されている。言い
換えると、曲線的な溝9と直線的な溝9との組み合わせ
からなる。なお、この溝パターン10も実施形態のもの
と同様に多数の交差点を有している。
【0040】・ また、溝パターン10は同一面内に1
つのみ形成されるのみに限られず、複数形成されていて
も構わない。例えば、図8に示される別例のウェハ保持
プレート17では、ワーク保持面17a上の5箇所に、
同じ大きさをした略クモの巣状の溝パターン10が形成
されている。これらの溝パターン10は、そこに保持さ
れるべきウェハ5の外形寸法にほぼ等しくなっている。
【0041】・ 溝パターン10は格子状や略クモの巣
状以外の形状であって、複数の交差点を有する別のパタ
ーン形状を備えるものであっても勿論よい。また、交差
点を有しないパターン形状を採用することも勿論許容さ
れる。
【0042】・ アンカー用凹部は前記実施形態や別例
のような溝形状、つまり連続の凹部のみに限定されるこ
とはなく、非連続の単なる凹部であってもよい。 ・ 基材B1の形成材料はセラミック焼結体のみに限定
されことはなく、例えば金属等であってもよい。
【0043】・ サンドブラスト以外の噴射加工、例え
ばショットブラスト等の乾式噴射加工や、さらには液体
ホーニング等の湿式噴射加工を用いて、アンカー用凹部
の形成を行なうことも許容される。
【0044】・ 本発明の製造方法は、ウェハ5以外の
ワークを接着保持するためのブロックの製造に適用され
ても勿論よい。例えば、ワークの例としては、ラッピン
グ装置に用いられるラッププレート等が挙げられる。別
の言い方をすると、ワーク保持ブロックは、研磨時にラ
ッププレートを接着保持するためのブロックであっても
よい。なお、この種のブロックは必ずしも平板状でなく
てもよい。また、ワークがウェハ5でないような場合に
は、アンカー用凹部を構成する溝9の幅を、例えば20
0μm以上に設定しても特に差し支えない。
【0045】次に、特許請求の範囲に記載された技術的
思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技
術的思想をその効果とともに以下に列挙する。 (1) 請求項1乃至3のいずれか1つにおいて、前記
噴射処理はサンドブラスト処理であること。従って、こ
の技術的思想1に記載の発明によれば、例えばセラミッ
ク焼結体のような硬質な材料であっても、容易にかつ確
実に所望のアンカー用凹部を形成することができる。
【0046】(2) 技術的思想1において、前記基材
は硬質なセラミック焼結体製であること。 (3) 技術的思想1において、前記基材は炭化物セラ
ミック焼結体製または珪化物セラミックス焼結体製であ
ること。
【0047】(4) 技術的思想1において、前記基材
が炭化珪素焼結体である場合、前記サンドブラスト処理
に用いられる遊離砥粒をGCとすること。従って、この
技術的思想4に記載の発明によれば、極めて硬質な炭化
珪素焼結体であっても、容易にかつ確実に所望のアンカ
ー用凹部を形成することができる。
【0048】(5) 請求項1乃至3、技術的思想1乃
至4のいずれか1つにおいて、前記マスクは、前記基材
上に感光性樹脂を塗布または貼着した後、その感光性樹
脂の露光・現像を行なうという直接印刷法により形成さ
れること。従って、この技術的思想5に記載の発明によ
れば、いわゆるフォトリソグラフィを利用していること
から、極めて微細な開口部であっても容易にかつ正確に
形成することができ、もってアンカー用凹部を正確な位
置・形状に形成することができる。
【0049】(6) 請求項1乃至3、技術的思想1乃
至4のいずれか1つにおいて、前記マスクは、あらかじ
め開口部がパターニングされたフィルムを前記基材上に
貼り付けるという間接印刷法により形成されること。従
って、この技術的思想6に記載の発明によれば、露光・
現像装置を特に必要とせずにアンカー用凹部を形成する
ことができる。
【0050】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項1〜4に記
載の発明によれば、ワーク保持面に形成されるアンカー
用凹部の大きさ、形状、数の如何を問わず、安価にブロ
ックを製造可能なワーク保持ブロックの製造方法を提供
することができる。
【0051】請求項2に記載の発明によれば、微細なア
ンカー用凹部を高精度に形成することができる。請求項
3に記載の発明によると、200μm以下の溝を容易に
かつ確実に形成することができる。
【0052】請求項4に記載の発明によると、形成され
るアンカー用凹部に、より高いアンカー効果を付与する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を具体化した実施形態のウェハ研磨装置
を示す概略図。
【図2】ウェハ研磨装置用のウェハ保持プレートの平面
図。
【図3】図2のA−A線における部分概略断面図。
【図4】前記ウェハ保持プレートの製造工程を説明する
ための部分概略断面図。
【図5】前記ウェハ保持プレートの製造工程を説明する
ための部分概略断面図。
【図6】前記ウェハ保持プレートの製造工程を説明する
ための部分概略断面図。
【図7】別例のウェハ保持プレートの平面図。
【図8】別例のウェハ保持プレートの平面図。
【図9】溝のない従来例のワーク保持ブロックの平面
図。
【図10】図9のB−B線における部分概略断面図。
【図11】溝を有する従来例のワーク保持ブロックの平
面図。
【図12】図11のC−C線における部分概略断面図。
【符号の説明】
1…ウェハ研磨装置、5…ワークとしてのウェハ、6,
16,17…ワーク保持ブロックとしてのウェハ保持プ
レート、6a,16a,17a…ワーク保持面としての
ウェハ接着面、8…接着剤としての熱可塑性ワックス、
9…アンカー凹部としての溝、11…マスク、13…開
口部、B1…基材。
フロントページの続き (72)発明者 石川 茂治 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方1の1 イビデ ン 株式会社大垣北工場内 Fターム(参考) 3C058 AA07 AA09 AB03 AB04 CB05 CB10 DA17 5F031 HA08 HA80 MA22

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基材のワーク保持面にアンカー凹部を有
    し、接着剤によりワークが接着保持されるワーク保持ブ
    ロックを製造する方法であって、前記アンカー凹部を前
    記ワーク保持面に対する噴射加工により形成することを
    特徴とするワーク保持ブロックの製造方法。
  2. 【請求項2】前記噴射加工は、前記アンカー凹部となる
    べき箇所に対応した位置に開口部を有するマスクを前記
    ワーク保持面に設けた状態で行われることを特徴とする
    請求項1に記載のワーク保持ブロックの製造方法。
  3. 【請求項3】前記開口部の幅は50μm〜200μmで
    あることを特徴とする請求項2に記載のワーク保持ブロ
    ックの製造方法。
  4. 【請求項4】前記開口部は複数の交差点を有するパター
    ン形状に形成されていることを特徴とする請求項3に記
    載のワーク保持ブロックの製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100951613B1 (ko) * 2003-03-11 2010-04-09 주식회사 코미코 하부전극의 상면에 돌출부들과 세라믹 판의 하부면에홈들을 갖는 정전척

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KR100951613B1 (ko) * 2003-03-11 2010-04-09 주식회사 코미코 하부전극의 상면에 돌출부들과 세라믹 판의 하부면에홈들을 갖는 정전척

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