JP2012049274A - 基板サポート板および基板サポート板へのウェハ仮固着方法 - Google Patents
基板サポート板および基板サポート板へのウェハ仮固着方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012049274A JP2012049274A JP2010188977A JP2010188977A JP2012049274A JP 2012049274 A JP2012049274 A JP 2012049274A JP 2010188977 A JP2010188977 A JP 2010188977A JP 2010188977 A JP2010188977 A JP 2010188977A JP 2012049274 A JP2012049274 A JP 2012049274A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate support
- support plate
- wafer
- main surface
- overlap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 132
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 36
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 35
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 117
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Abstract
【解決手段】
本発明に係る基板サポート板1は、ウェハ10が固着される主面に形成され、当該主面上におけるウェハ10の配置位置限界を示す、重ね合わせ限界域マーク2を、備えている。
【選択図】図1
Description
Claims (9)
- ウェハが固着される主面と、
前記主面上における前記ウェハの配置位置限界を示す、前記主面に形成される、重ね合わせ限界域マークとを、備える
ことを特徴とする基板サポート板。 - 前記重ね合わせ限界域マークは、
前記主面に掘られた凹部である、
ことを特徴とする請求項1に記載の基板サポート板。 - 前記重ね合わせ限界域マークは、
前記主面において、環状に掘られた前記凹部である、
ことを特徴とする請求項2に記載の基板サポート板。 - 前記凹部の両側面のうち、少なくとも前記基板サポート板の端縁に近い側の側面は、
前記凹部が立広がりとなるように、傾斜して形成されている、
ことを特徴とする請求項3に記載の基板サポート板。 - (A)ウェハが固着される主面に形成された重ね合わせ限界域マークを有する基板サポート板を用意する工程と、
(B)仮接着剤を介して、前記主面に、前記ウェハを仮固着する工程と、
(C)前記重ね合わせ限界域マークと重ならないように、前記ウェハが、前記基板サポート板に固着されているかの成否を観測する工程とを、備える、
ことを特徴とする基板サポート板へのウェハ仮固着方法。 - 前記重ね合わせ限界域マークは、
前記主面に掘られた凹部である、
ことを特徴とする請求項5に記載の基板サポート板へのウェハ仮固着方法。 - 前記重ね合わせ限界域マークは、
前記主面において、環状に掘られた前記凹部である、
ことを特徴とする請求項6に記載の基板サポート板へのウェハ仮固着方法。 - 前記凹部の両側面のうち、少なくとも前記基板サポート板の端縁に近い側の側面は、
前記凹部が立広がりとなるように、傾斜して形成されており、
(D)前記工程(C)における前記観測の結果、「成」と判断された、前記基板サポート板に固着されている前記ウェハに対して、所望の処理を施す工程と、
(E)前記工程(D)の後、前記基板サポート板を回転させながら、所定の溶剤を用いて、前記仮接着剤を溶解する工程とを、さらに備える、
ことを特徴とする請求項7に記載の基板サポート板へのウェハ仮固着方法。 - 前記ウェハは、
SiCウェハである、
ことを特徴とする請求項5乃至請求項8の何れかに記載の基板サポート板へのウェハ仮固着方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010188977A JP5501899B2 (ja) | 2010-08-26 | 2010-08-26 | 基板サポート板および基板サポート板へのウェハ仮固着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010188977A JP5501899B2 (ja) | 2010-08-26 | 2010-08-26 | 基板サポート板および基板サポート板へのウェハ仮固着方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012049274A true JP2012049274A (ja) | 2012-03-08 |
JP5501899B2 JP5501899B2 (ja) | 2014-05-28 |
Family
ID=45903827
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010188977A Active JP5501899B2 (ja) | 2010-08-26 | 2010-08-26 | 基板サポート板および基板サポート板へのウェハ仮固着方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5501899B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013235875A (ja) * | 2012-05-02 | 2013-11-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削方法 |
US9011632B2 (en) | 2012-11-02 | 2015-04-21 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Support disk fixing apparatus, manufacturing method for a semiconductor device using this apparatus, and semiconductor manufacturing apparatus |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0533572U (ja) * | 1991-10-07 | 1993-04-30 | 新潟日本電気株式会社 | 印刷回路 |
JPH0823025A (ja) * | 1994-07-06 | 1996-01-23 | Fujitsu Ltd | ウェハチャック及びそのチャック部の製造方法 |
JPH08181166A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板 |
JPH10242256A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-11 | Kyocera Corp | 静電チャック |
JP2000271863A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-03 | Ibiden Co Ltd | ウェハ研磨装置用ウェハ保持プレート及びその製造方法 |
JP2000271862A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-03 | Ibiden Co Ltd | ウェハ研磨装置用ウェハ保持プレート及びその製造方法 |
JP2000271864A (ja) * | 1999-01-18 | 2000-10-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウェーハの研磨方法および研磨ブロック |
JP2001007056A (ja) * | 1999-06-17 | 2001-01-12 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | ウェーハフレーム |
JP2004031594A (ja) * | 2002-06-25 | 2004-01-29 | Kyocera Corp | 静電チャックおよびその製造方法 |
JP2005183689A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Seiko Epson Corp | 支持基板、搬送体、半導体装置の製造方法、半導体装置、回路基板、並びに電子機器 |
JP2005191550A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-07-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 基板の貼り付け方法 |
JP2006210488A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メカノケミカル研磨方法及びメカノケミカル研磨装置 |
JP2008258303A (ja) * | 2007-04-03 | 2008-10-23 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
2010
- 2010-08-26 JP JP2010188977A patent/JP5501899B2/ja active Active
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0533572U (ja) * | 1991-10-07 | 1993-04-30 | 新潟日本電気株式会社 | 印刷回路 |
JPH0823025A (ja) * | 1994-07-06 | 1996-01-23 | Fujitsu Ltd | ウェハチャック及びそのチャック部の製造方法 |
JPH08181166A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板 |
JPH10242256A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-11 | Kyocera Corp | 静電チャック |
JP2000271864A (ja) * | 1999-01-18 | 2000-10-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウェーハの研磨方法および研磨ブロック |
JP2000271862A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-03 | Ibiden Co Ltd | ウェハ研磨装置用ウェハ保持プレート及びその製造方法 |
JP2000271863A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-03 | Ibiden Co Ltd | ウェハ研磨装置用ウェハ保持プレート及びその製造方法 |
JP2001007056A (ja) * | 1999-06-17 | 2001-01-12 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | ウェーハフレーム |
JP2004031594A (ja) * | 2002-06-25 | 2004-01-29 | Kyocera Corp | 静電チャックおよびその製造方法 |
JP2005191550A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-07-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 基板の貼り付け方法 |
JP2005183689A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Seiko Epson Corp | 支持基板、搬送体、半導体装置の製造方法、半導体装置、回路基板、並びに電子機器 |
JP2006210488A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メカノケミカル研磨方法及びメカノケミカル研磨装置 |
JP2008258303A (ja) * | 2007-04-03 | 2008-10-23 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013235875A (ja) * | 2012-05-02 | 2013-11-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削方法 |
US9011632B2 (en) | 2012-11-02 | 2015-04-21 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Support disk fixing apparatus, manufacturing method for a semiconductor device using this apparatus, and semiconductor manufacturing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5501899B2 (ja) | 2014-05-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5334411B2 (ja) | 貼り合わせ基板および貼り合せ基板を用いた半導体装置の製造方法 | |
TWI777200B (zh) | 接合基板之設備及方法 | |
TWI462834B (zh) | 利用熱機械效應製作經調節之多層構造之方法 | |
JP5151104B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
US20150087088A1 (en) | Method for producing image pickup apparatus and method for producing semiconductor apparatus | |
JPWO2013179765A1 (ja) | 撮像装置の製造方法および半導体装置の製造方法 | |
JP2013008915A (ja) | 基板加工方法及び基板加工装置 | |
JP5501899B2 (ja) | 基板サポート板および基板サポート板へのウェハ仮固着方法 | |
JP6037655B2 (ja) | 粘着テープの貼着方法 | |
JP2006062002A (ja) | 半導体装置の個片化方法 | |
JP2013197511A (ja) | サポート基板、半導体装置の製造方法、半導体装置の検査方法 | |
TW201308411A (zh) | 避免薄化晶圓破片之晶圓切割方法 | |
US9824912B2 (en) | Method of transforming an electronic device | |
TWI619158B (zh) | Device wafer processing method | |
CN104362117B (zh) | 基底键合装置和键合方法 | |
EP3195351B1 (en) | Methods of protecting peripheries of in-process semiconductor wafers and related in-process wafers and systems | |
US20140038357A1 (en) | Singulated ic stiffener and de-bond process | |
JP2016082130A (ja) | 基板装置及びその製造方法 | |
JP5934578B2 (ja) | 保護テープ貼着方法 | |
JP6125170B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2013235911A (ja) | 保護部材 | |
JP5319310B2 (ja) | 板状部材の加工装置および加工方法 | |
JP2013235910A (ja) | 保護部材 | |
JP6699515B2 (ja) | 半導体ウエハおよびその製造方法 | |
JP6063641B2 (ja) | ウエーハ保護部材 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121217 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140312 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5501899 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |