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Die vorliegende Erfindung bezieht
sich auf eine Waferhalteplatte, die für Waferpoliermaschinen verwendet
wird, und ein Verfahren zu ihrer Herstellung.
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Geräte zum Schleifen der Oberfläche eines Halbleiterwafers,
wie etwa eine Läppmaschine
oder eine Poliermaschine, sind im Stand der Technik bekannt. Eine
typische Waferschleifmaschine enthält einen Tisch, der an einem
Kühlmantel
angebracht ist, und eine Waferhalteplatte. Die Platte hat eine Waferanhaftoberfläche, auf
der ein Adhäsiv,
wie etwa ein thermoplastisches Wachs, aufgebracht wird. Das Adhäsiv bringt
einen Halbleiterwafer an der Platte an.
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Da die Waferanhaftoberfläche flach
ist, muss das Adhäsiv
relativ dick sein, um Anhaftung des Halbleiterwafers sicherzustellen.
Es ist schwierig, das Adhäsiv
gleichförmig
aufzubringen. Als Ergebnis wird Parallelität zwischen der Waferanhaftoberfläche und
dem Halbleiterwafer nicht erreicht, was dazu führt, dass der Halbleiterwafer
geneigt gehalten wird. Daher ist es schwierig, hochgenaues Schleifen
zu erzielen.
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Darüber hinaus werden, falls die
Oberfläche der
Platte rau ist, die Hügel
und Löcher
der Plattenoberfläche
auf die rückseitige
Oberfläche
des Wafers (die an der Platte anhaftende Oberfläche) übertragen, wenn die den Wafer
haltende Platte gegen eine Schleiffläche gepresst wird. Dies vermindert
die Genauigkeit und Qualität
des Halbleiterwafers. Zusätzlich
sinkt die Produktionseffizienz, da die Wafer nochmals auf korrekte
Abmessungen geschliffen werden müssen.
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EP-A-1020253 (Dokument des Stands
der Technik gemäß Art. 54
(3) EPÜ)
offenbart eine Waferhalteplatte, die eine Rauheit von 0,5 μm bis 1,5 μm aufweist.
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Es ist eine Aufgabe der vorliegenden
Erfindung, eine Waferhalteplatte für eine Waferschleifmaschine
bereitzustellen, die einen Halbleiterwafer mit hoher Genauigkeit
und hoher Qualität
herstellen kann.
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Um die obige Aufgabe zu erreichen,
stellt die vorliegende Erfindung eine in einer Waferschleifmaschine
verwendete Waferhalteplatte bereit, einschließlich einer in einer Waferschleifmaschine
verwendeten Waferplatte, beinhaltend ein eine Waferanhaftoberfläche aufweisendes
Substrat, an der ein Halbleiterwafer durch ein Adhäsiv befestigt
werden kann, dadurch gekennzeichnet, dass die Waferanhaftoberfläche ein
auf ihr ausgebildetes Rillenmuster und eine Oberflächenrauheit
Ra von nicht mehr als 0,1 μm
aufweist.
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Andere Aspekte und Vorteile der vorliegenden
Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung in Zusammenschau
mit den beigefügten
Zeichnungen ersichtlich, die mittels Beispielen die Prinzipien der
Erfindung illustrieren.
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Die Erfindung und ihre bevorzugten
Aufgaben und Vorteile können
am besten unter Bezug auf die folgende Beschreibung gewisser beispielhafter bevorzugter
Ausführungsformen
zusammen mit den beigefügten
Zeichnungen verstanden werden, in denen:
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1 ein
schematisches Diagramm ist, welches eine Waferschleifmaschine gemäß der vorliegenden
Erfindung zeigt;
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2 eine
schematische Aufsicht ist, die eine Waferhalteplatte des Apparats
von 1 zeigt;
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3 eine
schematische Querschnittsansicht längs der Linie 3-3 in 2 ist.;
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4(a) bis 4(c) schematische Querschnittsansichten
sind, welche das Verfahren zur Herstellung der Platte von 2 illustrieren;
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5 eine
schematische Querschnittsansicht ist, die eine Waferhalteplatte
zeigt, die nicht in den Schutzbereich der vorliegenden Erfindung
fällt;
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6(a) bis 6(d) schematische Querschnittsansichten
sind, welche die Verfahren zur Herstellung der Platte von 5 illustrieren;
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7 eine
schematische Querschnittsansicht ist, die eine Waferhalteplatte
gemäß einer
zweiten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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8 eine
schematische Querschnittsansicht ist, die eine Waferhalteplatte
gemäß einer
dritten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt; und
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9(a) bis 9(c) schematische Querschnittsansichten
sind, welche die Verfahren zur Herstellung der Platte von 5 zeigen.
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In den Zeichnungen werden gleiche
Bezugszeichen durchgängig
für ähnliche
Elemente verwendet.
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1 ist
eine schematische Ansicht, die eine Waferschleifmaschine 1 gemäß einer
ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt. Die Waferschleifmaschine 1 ist
eine Läppmaschine
zum Schleifen einer Waferscheibe. Der Wafer wurde während eines
blanken Waferverfahrens in Scheiben ge schnitten. Weiterhin enthält die Waferschleifmaschine 1 einen
runden Metalltisch 2, der vorzugsweise aus rostfreiem Stahl
oder dergleichen hergestellt ist. Der Tisch 2 hat eine
Oberfläche,
oder Schleifoberfläche 2a,
auf welcher der Halbleiterwafer 5 geschliffen wird. Ein
Schleiftuch (nicht dargestellt) wird an der Schleifoberfläche 2a angebracht.
Der Tisch 2 wird an einem runden Kühlmantel 3 mit Bolzen
(nicht gezeigt) befestigt. Der Kühlmantel 3 wird
horizontal durch einen zylindrischen Drehschaft 4 gestützt. Kühlmittel
W zirkuliert durch einen Flussdurchgang, der sich durch das Innere
des Kühlmantels 3 erstreckt.
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Die Waferschleifmaschine 1 weist
eine Mehrzahl (z. B. zwei) von Waferhalteplatten 6 (auch
als Drückerplatten
bekannt, nur eine wird gezeigt) auf. Jede der Waferhalteplatten 6 ist
aus einem kreisförmigen
Substrat B1 gebildet. Das Substrat B1 hat eine obere Oberfläche 6b,
deren Zentrum an einem Drückerstab 7 einer
Antriebsvorrichtung (nicht gezeigt) befestigt ist. Eine Waferanhaftoberfläche 6a liegt
auf der gegenüberliegenden,
unteren Seite des Substrats B1 und weist zur Schleifoberfläche 2a des
Tisches 2. Der Drückerstab 7 trägt die Waferhalteplatte 6,
so dass die Waferanhaftoberfläche 6a parallel
zur Schleifoberfläche 2a ist.
Jeder Drückerstab 7 rotiert integral
mit der zugehörigen
Platte 6 und bewegt sich vertikal innerhalb eines vorgegebenen
Bereichs. Eine Mehrzahl von Halbleiterwafern 5 sind an
der Waferanhaftoberfläche 6a der
Platte 6 durch ein thermoplastisches Wachs 8 angeheftet.
Die Frontfläche jedes
Wafers 5 weist zur Schleifoberfläche 2a. Die Waferschleifmaschine 1 presst
die Platte 6 mit einer vorgegebenen Kraft gegen die Schleifoberfläche 2a, so
dass die Wafer 5 die Schleifoberfläche 2a berühren.
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Es wird bevorzugt, dass die Waferhalteplatten 6 aus
einem gesinterten keramischen Körper
gebildet werden. Weiter wird es bevorzugt, dass der gesinterte keramische
Körper
eine hohe Dichte aufweist und aus einem Material wie etwa gesintertem keramischen
Silicid oder gesintertem keramischen Carbid gemacht wird. In der
ersten Ausführungsform sind
die Waferhalteplatten 6 aus einem gesintertem Siliciumcarbid
(SiC)-Körper
gebildet.
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Die bevorzugte Dichte des gesinterten
keramischen Körpers
ist 2,7 g/cm3 oder höher. Es ist bevorzugter, dass
die Dichte 3,0 g/cm3 oder höher ist und
am meisten bevorzugt, dass die Dichte 3,1 g/cm3 oder
höher ist.
Dies liegt daran, dass die thermische Leitfähigkeit steigt, wenn die Dichte
des sinterten Körpers
steigt.
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Die bevorzugte thermische Leitfähigkeit
ist 30 W/mK oder größer. Es
ist bevorzugter, dass die thermische Leitfähigkeit innerhalb des Bereichs
von 80 W/mK bis 200 W/mK liegt. Falls die thermische Leitfähigkeit
zu niedrig ist, ist es schwierig, die Temperatur des gesinterten
Körpers
gleichförmig
zu halten. Eine nicht gleichförmige
Temperatur beschränkt die
Genauigkeit und Qualität
und behindert die Herstellung von Halbleiterwafern 5, die
einen großen Durchmesser
aufweisen. Andererseits ist es schwierig, stabile, preisgünstige Materialien
zu finden, welche eine thermische Leitfähigkeit größer als 200 W/mK aufweisen.
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Unter Bezugnahme auf die 2 und 3 ist die Waferanhaftoberfläche 6a eine
spiegelartige Oberfläche
mit einer Oberflächenrauheit
Ra von 0,1 μm
oder weniger. Ein Ankerrillenmuster 10 ist in der Waferanhaftoberfläche 6a ausgebildet.
Das Verankerungsrillenmuster 10 enthält eine Mehrzahl von geraden
Rillen 9. Die Rillen 9 sind voneinander gleich
beabstandet und in einer gitterartigen Weise angeordnet. Anders
ausgedrückt,
wird das Rillenmuster 10 durch Kreuzen einer Mehrzahl von
Rillen 9 miteinander ausgebildet. Es wird bevorzugt, dass
die Rillen 9 etwa 1% bis 50% der Waferanhaftoberfläche 6a be legen.
Es wird weiterhin bevorzugt, dass die Rillen 9 etwa 1%
bis 20% der Anhaftoberfläche 6a belegen.
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Es wird bevorzugt, dass die Breite
der Rillen etwa 50 μm
bis 500 μm
beträgt.
Falls die Breite geringer als 50 μm
ist, kann das Wachs 8 nicht richtig an der Anhaftoberfläche 6a verankert
werden. Dies macht es schwierig, das Wachs 8 gleichförmig aufzubringen,
was es wiederum schwierig macht, die Waferparallelität zu verbessern.
Andererseits können, falls
die Breite 500 μm übersteigt,
die von den Rillen 9 gebildeten Löcher und Hügel auf die Wafer 5 übertragen
werden und die Qualität
der Wafer 5 beeinträchtigen.
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Es wird bevorzugt, dass die Rillen 9 eine
Tiefe von etwa 20 μm
bis 100 μm
aufweisen. Falls die Tiefe der Rillen 9 geringer als 20 μm ist, mögen die Rillen 9 nicht
korrekt als Anker funktionieren. Falls andererseits die Tiefe der
Rillen 9 100 μm übersteigt, können von
den Rillen 9 gebildete Löcher und Hügel auf die Wafer 5 übertragen
werden.
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Ein Verfahren zur Herstellung der
Platten 6 wird nunmehr beschrieben.
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Ein plattenartiges Substrat B1 wird
zuerst vorbereitet. Die bevorzugte Ausführungsform verwendet "SC-850", das ein von der
IBIDEN KABUSHIKI KAISHA hergestellter fester gesinterter Siliciumcarbid-Körper ist.
Der gesinterte Körper
hat eine Dichte von 3,1 g/cm3 und eine thermische
Leitfähigkeit
von 150 W/mK. Das Substrat B1 kann aus einem dichten gesinterten
Keramikkörper
gebildet sein, der durch ein normales Verfahren hergestellt ist,
bei dem ein Keramikrohmaterial-Bildungsschritt,
ein Formungsschritt und ein Backschritt nacheinander durchgeführt werden.
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Die Waferanhaftoberfläche 6a des
Substrats B1 wird dann geschliffen, um eine spiegelartige Oberfläche zu erhalten,
deren Oberflächenrauheit RA
0,1 μm oder
geringer ist. Das Oberflächenschleifen
wird unter Verwendung eines harten Siliziumcarbid-Schleifspannfutters
durchgeführt.
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Nach dem Schleifverfahren wird die
Waferanhaftoberfläche 6a sandgestrahlt.
Eine Maske 11 wird beim Sandstrahlen verwendet, um die
Rillen 9 zu bilden. Das Sandstrahlverfahren wird nun unter Bezugnahme
auf 4(a) bis 4(c) diskutiert.
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Bevor das Sandstrahlverfahren durchgeführt wird,
wird die Maske 11, die gitterartig ist, um dem Rillenmuster 10 zu
entsprechen, auf die Waferanhaftoberfläche 6a aufgebracht.
Die Maske 11 exponiert die Stellen der Rillen 9 für die Schleifkörner 14 und schützt andere
Teile der Waferanhaftoberfläche 6a vor
den Schleifkörnern 14.
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Wenn ein Direktdruckverfahren verwendet wird,
um die Maske 11 zu bilden, wird ein fotosensitives Harz
R1 gleichförmig
auf das Substrat B1 aufgebracht. Ultraviolettstrahlen werden dann
auf das fotosensitive Harz R1 durch eine Fotomaske 12 gestrahlt,
um selektiv den Rillen 9 entsprechende Bereiche den ultravioletten
Strahlen auszusetzen (4(a)).
Ein Fotosensitivität
aufweisendes Urethan oder Acryl-Harz kann als das fotosensitive
Harz R1 verwendet werden. Nachfolgend wird das fotosensitive Harz
R1 entwickelt, gewaschen und getrocknet. Anschließend werden
die unbelichteten Bereiche des fotosensitiven Harzes R1 entfernt,
um Schlitze 13 zu bilden ( 4(b)).
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Wenn zum Ausbilden der Maske 11 ein
indirektes Druckverfahren verwendet wird, wird eine die Schlitze 13 aufweisende
Filmmaske 11 auf der Waferanhaftoberfläche 6a des Substrats
B1 positioniert und angeheftet. Unabhängig vom Druckverfahren wird
die Maske 11 benötigt,
um eine Dicke zu haben, welche dem Sandstrahlen widerstehen kann.
Spezifischer wird es bevorzugt, dass die Maske 11 eine
Dicke von 50 μm
bis 300 μm
aufweist.
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Während
des Sandstrahlverfahrens werden die Schleifkörner 14 gegen das
Substrat B1 aus einer Düse 15 geblasen
(4(c) ) Die für das Sandstrahlverfahren
notwendigen Bedingungen werden nun diskutiert.
- 1)
Art der Schleifkörner 14:
GC (kann nach C, WA, A verändert
werden)
- 2) Größe der Schleifkörner 14:
#180 bis #1000 (aus diesem Bereich in Übereinstimmung mit der Breite
und Tiefe der Rillen 9 ausgewählt)
- 3) Strahldruck: 3,0 kg/cm2 bis 5,0 kg/cm2
- 4) Abstand zwischen der Düse 15 und
der Maske: 20 mm bis 150 mm.
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Die gestrahlten Schleifkörner 14 ätzen die Waferanhaftoberfläche 6 und
bilden die Rillen 9, die eine vorgegebene Breite und Tiefe
an den Schlitzen 13 entsprechenden Stellen aufweisen. Nach
dem Sandstrahlverfahren wird die Maske 11 entfernt und die
Waferhalteplatte 6 ist fertiggestellt.
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Die Vorteile der ersten Ausführungsform werden
nun diskutiert.
- (1) Die Waferhalteplatte 6 ist
mit dem auf der Waferanhaftoberfläche 6a ausgebildeten
Verankerungsrillenmuster 10 verse hen. Das Rillenmuster 10 fungiert
als ein Anker, der das Wachs 8 veranlasst, an der Platte 6 anzuhaften.
Dies gestattet die Aufbringung einer dünnen, gleichförmigen Schicht
von Wachs 8 und verbessert die Parallelität der Wafer 5.
Dies erzeugt hochqualitative, exakte Halbleiterwafer 5.
Weiterhin sinkt die Haftfähigkeit
des Wachses 8 nicht. Dies verhindert, dass verschiedene
Größen von
Halbleiterwafern 5 verrücken
oder von der Waferhalteplatte 6 herunterfallen, nachdem
die Wafer geschliffen sind.
Die Bereiche der Waferanhaftoberfläche 6a zwischen
den Rillen 9 sind spiegelartig und endbearbeitet, um eine
Oberflächenrauheit
Ra von 0,1 μm aufzuweisen.
Diese Bereiche übertragen
keine Hügel
und Löcher
auf die rückwärtige Oberfläche des
Wafers 5. Dementsprechend sind keine Korrekturen notwendig,
die zum Eliminieren solcher übertragener
Hügel und
Löcher
gemacht werden. Dies verbessert die Herstelleffizienz.
- (2) Die Dichte des Substrats B1 jeder Waferhalteplatte 6 ist
2,7 g/cm3 oder mehr und das Substrat B1
ist ein dichter gesinterter keramischer Körper mit einer thermischen
Leitfähigkeit
von 30 W/mK oder mehr. Dementsprechend ist die Bindung zwischen
Kristallkörnern
stark und die Anzahl von Poren relativ niedrig in der Waferhalteplatte 6. Weiterhin
sind die Waferhalteplatten 6 sehr korrosionsbeständig. Das
dichte gesinterte Siliciumcarbid-Substrat B1 hat eine hohe Steifigkeit,
einen niedrigen Koeffizienten der thermischen Ausdehnung und einen
hohen Koeffizienten thermischer Leitfähigkeit. Weiterhin widersteht
die Waferhalteplatte 6 thermischer Deformation und thermischen Schocks.
Dementsprechend erzeugt die Verwendung der Waferhalteplatte 6 Halbleiterwafer 5 mit hoher
Genauigkeit und Qualität.
Des weiteren können
Wafer mit größeren Durchmessern
bearbeitet werden.
- (3) Die Rillen 9 des Rillenmusters 10 haben
eine Breite von 50 bis 200 μm
und eine Tiefe von 20 bis 100 μm.
Dies maximiert den Verankerungseffekt des Rillenmusters 10 und
erhöht
damit die Genauigkeit und Qualität
der Halbleiterwafer 5.
- (4) Beim Herstellen der Waferhalteplatte 6 wird nach
dem Schleifen die Waferanhaftoberfläche 6a mit der Maske 11 am
Ort sandstrahlbearbeitet. Das Schleifen vermindert die Oberflächenrauheit Ra
der Waferanhaftoberfläche 6a.
Die Maske 11 blockiert gewisse Flächen des Substrats B1 und bildet
eine Mehrzahl von engen Rillen 9 in einer genauen und preiswerten
Weise. Weiterhin schützt
die Maske 11 die geschliffene Waferanhaftoberfläche 6a vor
den Schleifkörnern 14.
Somit bleibt die Oberflächenrauheit
Ra der Flächen neben
den Rillen 9 durch das Sandstrahlen unverändert. Demgemäss werden
die Platten 6 preisgünstig
und genau gebildet.
- (5) Das Sandstrahlverfahren wird verwendet, um das Rillenmuster
auszubilden. Daher wird ein Drehwerkzeug, wie etwa ein Schleifstein
nicht benötigt
und die mit solchen Werkzeugen verbundenen Probleme treten nicht
auf. Durch Verwendung der Schleifkörner 14, die weitaus
kleiner als ein Schleifstein sind, werden die engen Rillen 9 relativ einfach
ohne steigende Kosten gebildet. Dementsprechend können die
Platten 6 in einer preiswerten Weise unabhängig von
der Größe, Form
und Anzahl der auf der Waferanhaftoberflächen 6a gebildeten
Rillen hergestellt werden. Sandstrahlen ist sehr effektiv, wenn
man mit harten Materialien wie etwa dem Substrat B1 arbeitet.
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5 ist
eine Querschnittsansicht, die eine Waferhalteplatte 60,
die nicht in den Schutzbereich der vorliegenden Erfindung fällt, zeigt.
Die Waferhalteplatte 60 enthält ein Substrat B1 mit einer
spiegelartigen Oberfläche 60a.
Ein Verankerungsrillenmuster 10 ist auf der spiegelartigen
Oberfläche 60a ausgebildet.
Das Verankerungsrillenmuster 10 enthält eine Mehrzahl von allgemein
V-förmigen
Rillen 90. Wie in den 5 und 6(d) gezeigt, sind die Kanten der
Rillen 90 gekrümmt.
Das heiß,
die Kanten der Rillen 90 sind nicht quadratisch. Weiterhin
haben die Rillen 90 alle eine gerundete Bodenfläche. Anders ausgedrückt weisen
die Kanten und Wände
jeder Rille keine gewinkelten Oberflächen auf, an denen interner
Zug sich konzentrieren würde.
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Unter Bezugnahme auf die 6(a) bis 6(d) werden die Rillen 90 durch
Aufbringen der Maske 11 auf das Substrat B1 und Sandstrahlen
von Schleifkörnern 14 aus
der Düse 15 gegen
das Substrat B1 ausgebildet. Bei diesem Verfahren ist die Menge
von gegen einen ersten Bereich des Substrats B1 geblasenen Schleifkörnern 14,
der direkt unter der Düse 15 gelegen
ist, größer als
der, der gegen Bereiche neben dem ersten Bereich oder einem zweiten
Bereich des Substrats B2 gestrahlt wird. Demgemäss wird der erste Bereich mit
einer größeren Geschwindigkeit als
der zweite Bereich geätzt.
Daher ist der Grund jeder Rille 90, wie in 6(d) gezeigt, an der dem ersten Bereich
entsprechenden Stelle ausgebildet. Die Schleifkörner 14 bilden Kanten,
die gekrümmt
und nicht rechtwinklig sind. Anders ausgedrückt werden, wenn die Waferanhaftoberfläche 6a sandgestrahlt
ist, die Bildung der Rillen 90 und die Abrundung der Rillenkanten
gleichzeitig durchgeführt.
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Hier sind die Kanten der Rillen 90 im
Rillenmuster 10 jeder Waferhalteplatte 60 gerundet.
Da die Rillen 90 keine rechtwinkligen Kanten haben, ist
es unwahrscheinlicher, dass die Rillenkanten brechen. Demgemäss gibt
es keine Orte, wo die Partikel wahrscheinlich aus den Rillen 10 ausbrechen.
Daher werden Hügel
und Löcher
nicht auf die Wafer 5 übertragen.
Somit werden die Wafer 5 weder zerkratzt noch beschädigt. Da
keine Korrektur von übertragenen Hügeln und
Löchern
notwendig ist, wird die Herstelleffizienz verbessert.
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Die Bildung und Abrundung der Rillen 90 werden
gleichzeitig durchgeführt.
Dementsprechend werden die Rillen 90 mit gekrümmten Kanten
innerhalb einer kurzen Zeitspanne ausgebildet. Die Platten 6 werden
somit preisgünstig
und effizient gebildet.
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Es sollte für Fachleute ersichtlich sein,
dass die vorliegende Erfindung in vielen anderen spezifischen Formen
ausgeführt
werden kann. Insbesondere sollte man verstehen, dass die vorliegende
Erfindung in den folgenden Formen ausgeführt werden dann.
- (1) Das auf dem Substrat B1 ausgebildete Rillenmuster 10 muss
nicht notwendigerweise gitterartig sein. Beispielsweise kann das
Rillenmuster 10 allgemein netzartig, wie in 7 gezeigt, sein. Das Rillenmuster 10 von 7 enthält eine Mehrzahl von konzentrischen
kreisförmigen
Rillen 9 und eine Mehrzahl von sich radial erstreckenden Rillen 9.
Wie
in 8 gezeigt, kann eine
Mehrzahl (z. B. fünf)
der netzartigen Rillenmuster 10 auf der Waferanhaftoberfläche 17a der
Waferhalteplatte 17 ausgebildet werden. Die Größe jedes
Rillenmusters 10 ist im wesentlichen dieselbe wie die Außenabmessungen
der auf dem Muster 10 gehaltenen Halbleiterwafer 5.
- (2) Außer
den gitterartigen oder netzartigen Mustern kann das Rillenmuster 10 jegliche
Form annehmen, welche eine Mehrzahl von Schnittpunkten hat. Das
Rillenmuster 10 kann auch ohne Schnittpunkte ausgebildet
sein.
- (3) Zusätzlich
zu Siliciumcarbid kann Siliciumnitrid (Si3N4) oder Sialon als gesinterter keramischer
Silicidkörper
verwendet werden, aus dem das Substrat B1 gebildet wird. In diesem
Fall wird es bevorzugt, dass ein Körper mit einer Dichte von 2,7 g/cm3 verwendet wird.
- (4) Zusätzlich
zu Siliciumcarbid kann Borcarbid (B4C) für den gesinterten
keramischen Carbidkörper
verwendet werden, aus dem das Substrat B1 gebildet wird. In diesem
Fall wird bevorzugt, dass ein Körper
mit einer Dichte von 2,7 g/cm3 verwendet
wird.
- (5) Das Substrat B1 kann aus einem anderen Material als einer
gesinterten Keramik gebildet werden, wie etwa Metall.
- (6) Die Rillen 9 können
durch andere Verfahren als Sandstrahlen gebildet werden. Beispielsweise können die
Rillen 9 durch ein Trockenstrahlverfahren, wie etwa Strahlsanden
(Shot Blasting), oder durch ein Nassstrahlverfahren, wie etwa Flüssigkeitsstrahlen,
gebildet werden.
- (7) Während
der Herstellung der Platten 6 kann der Strahlprozess durchgeführt werden,
um die Rillen zu bilden, bevor die Waferanhaftoberfläche 6a geschliffen
wird.
- (8) Bei den illustrierten Ausführungsformen wird die Waferhalteplatte 6 auf
einer Drückerplatte
einer Läppmaschine
aufgebracht. Jedoch kann die Waferhalteplatte 6 auch auf
einer Polierplatte einer Poliermaschine aufgebracht werden.
- (9) Wie in den 9(a) bis 9(c) gezeigt, kann die Bildung
und Abrundung der Rillen 90a getrennt durchgeführt werden.
Die Rillen 90a werden zuerst mit einem Mahlstein 18 in
der Waferanhaftoberfläche 6a des
Substrats B1 eingeschliffen. In diesem Zustand haben die Rillen 90a rechtwinklige
Kanten. Die Rillen 90a werden dann sandgestrahlt, so dass
die Kanten und Grundflächen durch
Schleifkörner
gerundet werden. Dies beseitigt die eckigen Bereiche, die während des
Schleifens gebildet worden sind. In diesem Fall kann das Sandstrahlverfahren
ohne die Maske 11 durchgeführt werden, wie in 9(c) gezeigt, oder mit der
Maske 11.
- (10) In einer nicht in den Schutzbereich der Erfindung fallenden
Ausführungsform
können
die Rillen 90 so ausgebildet sein, dass sie gebogene Kanten
und flache Böden
aufweisen.
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Die vorliegenden Beispiele und Ausführungsformen
sind als illustrativ und nicht beschränkend anzusehen.