TW578182B - Method for forming fine barrier, method for manufacturing flat panel display device, and abrasive for blasting - Google Patents

Description

578182 ⑴ 發明說明 (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明) 發明之技術領域 本發明係關於微細分隔壁之形成方法、平面顯示裝置之 衣造方法及噴射加工用研磨劑，更詳細而言係關於採用喷 射加工法，在良好之加工精度、及高效率之研削下形成具 有穩疋形狀之微細分隔壁之料如八us Η* > ny 1 刀W 土 I傲細分隔壁之形成方法，及應 用該方法於平面顯示裝置之生 ^ ^ _ 衣绝方法，及於此等方法中所 使用之噴射加工用研磨劑。 發明之揭示 之一& 一，1之微細分隔壁之形成方： 諸如噴砂法等之切加I法。在此方法φ 在玻璃等基板上塗覆低熔點破螭 α 玻璃膠漿乾燥層表面積 〃水而使之乾燥後，在 π ®積層具耐嘖 劑，然後利用玻螭光罩針對預/ 之感先性乾膜光 然後利用喷砂法噴射研磨劑，、：之圖案予以曝光、顯影 工。此時所採用之研磨劑；用：：成圖案之形狀予以 然而，碳酸舞與被加酸妈或玻壤珠。 細化情況，受限J:卜土 、著性，分隔壁之圖案之 “你云之方式。 另外，因玻璃珠為球形 、 小粒徑，而具有不易 工逮度緩慢，且因不易作 刃取侍之問題點 另外，近年來，平面型顯示.·’、、， 化，雖然期望分隔 ’、面板伴隨向精細及高輝 2間之間距 化，但為形成微細 刀隔壁寬度可予以微 々W雙而造 首先，要求研磨劑粒徑之微下之問題點。 1工I微細π β 化及加工性與撥水性。 578182

(2) I發瞒說瞵續I 另外，要求微細圖案所對應之光阻劑之解析度和薄膜化 以及對被加工物之密著性與剝離性。 接著，要求低熔點玻璃膠漿之微粒子化，同時要求提高 維持形狀之特性。 本發明為驗證此實際狀況，以此為目的，而提供採用喷 射加工法，在良好之加工精度、及高效率之研削下形成具 有穩定形狀之微細分隔壁之微細分隔壁之形成方法，及應 用該方法於平面顯示裝置之製造方法，及於此等方法中所 使用之噴射加工用研磨劑。 發明之揭示 為達成上述之目的，本發明所述之微細分隔壁之形成方 法，其特徵為在基板表面上形成微細分隔壁之時，該表面 採用包含矽塗覆之碳酸鈣粉末之研磨劑予以喷射加工。 本發明所述之平面顯示裝置之製造方法係具有第1面板 及第2面板，且在前述第1面板及第2面板之間，形成放電 空間之電漿平面顯示裝置之製造方法；其特徵為在構成前 述第2面板之第2基板表面上，在形成供區隔前述放電空間 之分隔壁時，該表面採用包含矽塗覆之碳酸鈣粉末之研磨 劑予以噴射加工。 本發明所述之噴射加工用研磨劑，其特徵係表面包含矽 塗覆之碳酸鈣粉末之噴射加工用研磨劑。 較佳者，形成前述研磨劑之各種，粒子之尺寸具有三角形 以上之多角形狀或積層多角形狀層之立體形狀。 較佳者，較佳研磨劑之最大粒徑係前述微細分隔壁之分 578182

(3) 隔壁寬度之1 /2以下，前述研磨劑之平均粒徑係前述微細 分隔壁之分隔壁寬度之1 /5以下。另外，較佳者，前述研 磨劑之最大粒徑係1 〇微米以下。 較佳者，前述微細分隔壁之分隔壁間距係1 5 0微米以 下，例如5 0〜1 0 0微米，前述微細分隔壁之分隔壁寬度係 5 0微米以下，例如1 0〜3 5微米，前述微細分隔壁之高度係 300微米以下，例如100〜200微米。 較佳者，供形成預定圖案之前述MW之光阻膜（30)之厚 度係前述微細分隔壁之分隔壁寬度之1.2倍以下之厚度。 在本發明中，光阻劑層雖不加以特別限定，係採用耐喷砂 特性之液狀、膠漿狀或膠膜狀之材料。膠膜狀之光阻劑層 係使用諸如在樹脂膜之間積層感光性膠装之材料。樹脂膜 係採用諸如聚對苯二甲二乙酯（PET)之膜。 較佳者，供形成前述微細分隔壁之低熔點玻璃膠漿之各 種玻璃料之粒徑，係前述微細分隔壁之分隔壁寬度之1 /5 以下。低熔點玻璃膠漿，不加以特別限定，而雖然含鉛膠 漿或無鉛膠漿均佳，特別良好者為無鉛膠漿。 在本發明中所述之研磨劑中藉以矽塗覆碳酸鈣之表 面，而具優良之撥水性及流動性。因此，採用此研磨劑， 若實施喷砂等噴射加工，在微細分隔壁依預定圖案形成之 時，有效防止了在微細分隔壁或溝内之被加工物上附著殘 存研磨劑，且完全清移除。 另外，在本發明中，構成研磨劑之各種粒子，其具有由 尺寸不同之具三角形以上之多角形狀之多角形狀層積層 578182 (4) 發_説明續頁 而成之立體形狀，故平均粒徑相當小而研磨 而可形成精度優良之微細分隔壁。 另外，在研磨劑之最大粒徑係前述微細分 寬度之1 /2以下、且其平均粒徑係微細分隔 度之1 /5以下時，則可在不損及其形狀之下 間距之微細寬度分隔壁。特別者，在研磨劑 1 0微米以下時，則可在不損及其形狀之下加 距之微細寬度分隔壁。 利用本發明之方法所形成之微細分隔^ 距，雖然未加以限定，間距可為150微米以 隔壁之分隔壁寬度可為50微米以下，而微細 可為300微米以下。 在本發明中，供形成預定圖案之微細分隔 阻層之厚度係微細分隔壁之分隔壁寬度之1 度，而可形成無剝離、崩塌、扭曲之微細寬 外，其與低熔點玻璃膠漿呈緊密之密著性， 有微細間距及分隔壁寬度之分隔壁圖案。 供形成微細分隔壁之低熔點玻璃膠漿之: 種玻璃料之粒徑，係微細分隔壁之分隔壁 下，故可形成微細而安定形狀之分隔壁。 藉本發明，可提供採用噴射加工法，在 度、及高效率之研削下形成具有穩定形狀之 微細分隔壁之形成方法，及應用該方法於平 製造方法，及於此等方法中所使用之喷射加 :效率良好，因 隔壁之分隔壁 壁之分隔壁寬 加工具有微細 之最大粒徑係 工具有微細間 g之分隔壁間 下，又微細分 分隔壁之高度 壁所採用之光 .2倍以下之厚 度之圖案，另 故易於形成具 構成材料之各 寬度之1/5以 良好之加工精 微細分隔壁之 面顯示裝置之 工用研磨劑。 -10- 578182 發_説肩磺 圖式之簡單說明 第1圖係關於本發明之第一實施型態之平面顯示裝置之 主要部位剖面圖。 第2圖係第1圖所示之平面顯示裝置之形成分隔壁之製 程示意流程圖。 第3 A圖至第3 C圖係壁形成製程示意之主要部位剖面 圖。 第4圖係關於本發明之第一實施型態於喷射加工時所採 用之研磨劑之顯微鏡照片。 第5圖係與第4圖不同放大倍率之顯微鏡照片。 第6圖係採用第4圖及第5圖所示之研磨劑而利用噴射加 工所加工得之分隔壁之顯微鏡照片。 第7圖係與第6圖不同放大倍率之顯微鏡照片。 第8圖係關於本發明之其它實施型態於噴射加工時所採 用之研磨劑之顯微鏡照片。 第9圖係與第8圖不同放大倍率之顯微鏡照片。 第1 0圖係採用第8圖及第9圖所示之研磨劑而利用喷射 加工所加工得之分隔壁之顯微鏡照片。 第11圖係與第10圖不同放大倍率之顯微鏡照片。 實施本發明之最佳形態 以下根據實施型態所示之圖面說明本發明。 第1圖係關於本發明之第一實施型態之平面顯示裝置之 主要部位剖面圖。 第2圖係第1圖所示之平面顯示裝置之形成分隔壁之製

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發_訛明續I 程示意流程圖。 第3 A圖至第3 C圖係壁形成製程示意之主要部位剖面 圖。 第4圖與第5圖係關於本發明之第一實施型態於喷射加 工時所採用之研磨劑之不同放大倍率之顯微鏡照片。 第6圖與第7圖係採用第4圖及第5圖所示之研磨劑而利 用噴射加工所加工得之分隔壁之不同放大倍率之顯微鏡 照片。 第8圖與第9圖係關於本發明之其它實施型態於喷射加 工時所採用之研磨劑之不同放大倍率之顯微鏡照片。 第1 0圖與第1 1圖係採用第8圖及第9圖所示之研磨劑而 利用喷射加工所加工得之分隔壁之不同放大倍率之顯微 鏡照片。 電漿平面顯示裝置之整體結構 首先，根據第1圖，說明交流驅動（AC)型電漿平面顯示 裝置（以下簡化稱為電漿顯示裝置）之整體結構。 在第1圖中所示之AC型電漿平面顯示裝置2，屬於所謂3 電極型，係在一對放電維持電極1 2之間產生放電。此AC 型電漿顯示裝置2係由相當於前面板之第1面板10及相當 於後面板之第2面板20所組合形成。第2面板20上之螢光體 層25R、25G、25B之發光，通過第1面板10而被觀察到。 即第1面板1 0成為顯示面側。 第1面板10係包含，透明之第1基板11，及在第1基板11 上配置呈直條狀，而包含透明導電材料之多數成對之放電

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⑺ 維持電極i2，及為使放電維持電極12之阻抗（impedence) 下降所配置，而包含電阻率較放電維持電極12更低之材料 之匯流排電極1 3，及在包含匯流排電極丨3與放電維持電極 12之第1基板11上所形成之電介體層14，及在其上所形成 之保4層1 5。另外，雖然保護層丨5不一定必須形成，然而 形成時較佳。 另外，第2面板20係包含第2基板21，及在第2基板21上 配置成直條狀之多數定址電極（亦稱為數據電極）22，及在 包含定址電極22上之第2基板21上所形成之電介體膜（圖 不中省略），及在電介體膜上相鄰定址電極22間之區域與 疋址電極22相平订而延長之絕緣性分隔壁24，及自電介體 膜上至分隔壁24之側壁面上所全面配置之螢光體層。螢光 拉層心包3紅色螢光體層25R、綠色榮光體層25〇、及藍 色螢光體層25B。 圖係顯不裝置之部份分解斜視圖，實際上，第2面板 2 〇側之刀隔壁2 4之頂部係對應接續於第1面板1 〇側之保護 層1 5對放電維持電極1 2，及定位於兩分隔壁24間之定 址電極22之重複區域，即相當於單一放電格(cm)。又， 在相鄰刀隔壁24與鸯光體層25R、25G、25B及保護層15 所圍成之放電空間4之 2面板20之周邊部份， 中，封入放電氣體。第1面板10及第 使用玻璃料予以接合。 在放電空間4内所44 X , 7封入之放電氣體，雖然不加以特別限 定，係採用氙（Χ〇痛 ^ , )鼠、氮（Ne)氣、氦（He)氣、氬（Α〇氣、 氮（Ν2)氣質等惰性翁 &體’或此等惰性氣體之混合氣體。所 -13 - (8)578182

係 6 X 1 〇 3 封入之放電氣體之全壓 巴〜8 X 104巴。 雖然不加以特別限定 放電維持電極12之投影像之延 、伸方向與定址電極22 > 投影像之延伸方向略為垂直相 ^ 乂（雖然亚非必要垂直 之下，一對放電維持電極12， 人 及3原色發光螢光體層25r、 25G、25B為一組之重複區域 ^ 即相當於一個圖素

p1Xel)。因為在一對放電維持電 ^ U 丨2之間產生輝光放電， 此類型電漿顯示裝置係稱為「 回敌電型」。一對放電

電極12之間施加電壓之前，諸如 、 牧汉寬格之放電開始 金更低之面板電壓施加於定址電極22，而在放電格内 壁電荷（實施顯示時選擇放電格），而降低可觀察到之放^ 開始電壓。然後，在-對放電維持電極12之間開始放電， 維持較放電開始電壓更低之電壓。 ,^ φ ^ ^ 在放電格中，藉根據輝 先放電所產生之真空紫外線照射而激發之螢光體層， 對應之該螢光體層材料之種類而呈現特有之發光色/ 外，依封入放電氣體之種類而產生具有對應波二

外線。 % 本實施型態之電漿平面顯示裝置2，即所謂反射型電漿 顯示裝置，螢光體25R、25G、25β之發光，因係透過第工 面板10而予以觀察，雖然相關於構成定址電極22之導電性 材料不在乎是否為透明/不透明，構成放電維持電極丨2之 導電性材料必須為透明。另外，本文中所述之透明/不透 明’係根據在螢光體層材料之原來發光波長（可見光範圍） 下導電性材料之光透過性。即若對應於自螢光體射出之光 -14 - 578182

(9) 為透明性’則構成放電維持電極或定址電極之導電性材料 即稱為透明。 不透明之導電性材料，Ni、Al、Au、Ag、Al、Pd/Ag、 Cr、Ta、Cu、Ba、LaB6、Ca〇.2La〇8Cr〇3 等材料可在單獨 或適當之組合下予以採用。透明之導電性材料方面，可為 ITO(銦錫氧化物）或Sn〇2。放電維持電極12或定址電極22 可措錢鍵性、或蒸著法、網版印刷法、噴砂法、電鍍法、 昇華（lift-off)法等予以形成。 放電維持電極1 2之電極寬度，雖然不加以特別限定，係 200〜400微米。另外，此等對應於放電維持電極12相互間 之距離’雖然不加以特別限定’較佳為5〜1 5 〇微米。又， 定址電極22之寬度，係50〜100微米之程度。 匯流排電極1 3，典型為金屬材料，係包含諸如a g、A u、 Al、Ni、Cu、Mo、Cr等之單層金屬膜，或Cr/Cu/Cr等之 積層膜。包含此類金屬材料之匯流排電極丨3，在反射型電 裝顯不裝置中，使自螢光體放射出而通過第1基板n之可 見光之透過光量降低，係造成顯示晝面之輝度下降之主要 因素’較佳為要求放電維持電極整體之電阻值在所知範圍 内可依細節予以限制。具體而言，匯流排電極丨3之電極寬 度’係較放電維持電極12之電極寬度更小，諸如30〜200 微米之程度。匯流排電極丨3，可藉濺鍍法、或蒸著法、網 版印刷法、噴砂法、電鍍法、昇華卜〇ff)法等予以形成。 在放電維持電極1 2之表面上所形成之電介體層1 4，較佳 係藉電子束蒸著法或濺鍍法、蒸著法、網版印刷法等予以 -15 - 578182

(ίο) 形成。經由電介體層Μ之配置，雖然在放電空間4内產生 離子或電子，可防止與放電維持電極12直接接觸。其結 果，可防止放電維持電極12之磨耗。電介體層“係具有， 在定址期間蓄積所產生壁電荷之功能，供作限制過剩放電 電流之抵抗體功能，維持放電狀態之記憶功能。典型而 言，電介體層14雖然可由低熔點玻璃所組成，亦可採用其 它電介體層材料予以形成。 在電介體層14之放電空間側表面上所形成之保護層 15，達成防止離子或電子與放電維持電極直接接觸之作 用。其結果，可有效防止放電維持電極12之磨耗。另外， 保護層1 5具有在放電時釋放2次電子之功能。構成保護層 15之材料，舉例而言，可為氧化鎮（Mg〇)、氟化鎮、 氟化舞（CaF2)。其中氧化猛係具有化學安定性、低錢鐘 率、在螢光體層發光波長下光透過率高、放電開始電壓低 等等特色之良好材料。另外，亦佳者係保護層1 5，選自包 括此等材料中之至少2種材料而構成積層膜結構。 第1基板1 1及第2基板2 1之構成材料，可舉例諸如高·彎曲 點玻璃、鈉鹹玻璃（Na20 · CaO · Si02)、硼酸玻璃（Na20 · B2〇3 · Sl〇2)、鎂橄欖石（forsterite) (2MgO · Si02)、鉛玻璃（Na20 · PbO ·

Sl〇2)。第1基板1 1及第2基板2 1之構成材料，可為相同或相 異。 螢光體層25R、25G、25B係選自包括紅色發光螢光體層 材料、綠色發光螢光體層材料及藍色發光螢光體層材料之 榮光體層材料所構成，係配置於定址電極22之上方。電裝 -16 - 578182

00 顯不裝置為彩色顯示之場合，具體而言諸如包含紅色發光 營光體層材料之螢光體層（紅色螢光體層25 R)係配置於定 址電極22之上方、綠色發光螢光體層材料之螢光體層（綠 色榮光體層25 G)係配置於另一定址電極22之上方、藍色 發光#光體層材料之螢光體層（藍色螢光體層25B)係配置 於再另一定址電極22之上方、此等3原色發光螢光體層成 為一組’按照所定之順序配置。且如前述，一對放電維持 電極12’及此等3原色發光之一組螢光體層25R、25G、25B 重複區域’即相當於1個晝素。紅色螢光體層、綠色螢光 體層及藍色螢光體層、形成直條狀為佳，形成格子狀亦佳。 構成螢光體層25R、25G、25B之螢光體層材料，可自傳 、统習知之螢光體層材料中採用適當選自包括高量子效 率、對真空紫外線為飽和之少數螢光體層材料。設定為彩 色顯示之場合，將色純度依NTSC之規定接近3原色，混合 3原色時獲白平衡、殘光時間縮短、3原色之殘光時間大致 相等所形成之螢光體層材料予以組合。 螢光體層材料之具體實例如以下所示。紅色發光螢光體 層材料，諸如（Y2〇3:Eu) 、 (YB03:Eu) 、 (YV04:Eu)、 (Y〇.96P〇.6qV〇.4〇〇4:Eu〇.〇4) 、 [ (Y，Gd)B 03: Eu ] 、 (GdB03:Eu) (ScB03:Eu)，（3.5MgO ·0·5ΐν^Ρ2 -GaC^Mn)綠色發光螢光體層 材料，諸如（ZnSi02:Mn)、（BaAl12019:Mn)、（BaMg2Ali6027:Mn) 、（MgGa204:Mn)、（YB03:Tb)、（LuB03:Tb)、（Sr4Si308Cl4:Eu)， 藍色發光螢光體層材料，諸如（Y2Si〇5:Ce)、（CaW04:Pb)、 CaW04、ΥΡ0·85ν015Ο4、（BaMgAl14023:Eu)、（Sr2P207:Eu)、（Sr2P207:Sn)。 578182

(12) 螢光體層25R、25G、25B之形成方法可為諸如，厚膜印 刷法、螢光體層粒子噴灑法、在螢光體層之預定形成位置 附著預粘著性物質、螢光體層粒子附著法、使用感光性螢 光體層漿糊、及藉曝光及顯影將螢光體層製成圖案、將全 面螢光體層形成後之不必要部份藉噴砂法予以除去之方 法。 另外，螢光體層25R、25G、25B係直接形成於定址電極 22 ’及自定址電極22上至分隔壁24之侧壁面上全面形成。 或者螢光體層25R、25G、25B係形成於配置在定址電極22 上之電介體膜上，及自配置在定址電極22上之電介體膜上 至分隔壁24之側壁面上全面形成。另外，螢光體層25R、 25G、25B僅形成於分隔壁24之側壁面上亦可。電介體膜 之構成材料可為諸如低熔點玻璃或si〇2。 在第2基板21上，如前述，係形成有定址電極22及平行 延伸之分隔壁24(i:ib)。另外，分隔壁（rib)24，具有曲折狀 (11^&11(161：)之結構亦佳。在電介體膜形成於第2基板21及定 址電極22上之場合’分隔壁24亦係形成於電介體膜上之場 合。分隔壁24之構成材料，可採用傳統習知之絕緣材料， 諸如在廣泛被使用之低熔點玻璃中混入氧化鋁等金屬 氧化物。舉例而言’分隔壁2 4之寬度係5 0微米以下程度， 車乂佳為10〜35微米’高度係3〇〇微米以下，較佳係ι〇〇〜2〇〇 微米之程度。分隔壁24之間距間隔係諸如5〇〜4〇〇微米之 ^度’較佳為150微米以下。有關分隔壁24之形成方法， 於下文描述。 -18 - 578182 ⑼

對分 2 2和 在第2基板21上所形成之一對分隔壁24， 隔壁24所圍成範圍内之放電維持電極12及 螢光體層25R、25G、25B即構成一個放電格 格内部，更具體而言，在依分隔壁所圍成 部，封入混合氣體所組成之放電氣體，螢 25G、25B，根據在放電空間4内之放電氣體 放電產生紫外線照射而發光。 與佔據〜 又址電槌 光體 間 内 層 25R、 輝光 電漿顯示裝置之製造方法 以下說明關於本發明之實施型態之電 造方法。 漿黑貝 置之製

第1面板10可藉以下方法製得。首先，由高蠻 曲點破蹲 或鈉鹹玻璃所組成之第1基板11之全面上藉諸如 W錢鍍法形 成IT 0層。藉微影钱刻技術及钱刻技術使IT 〇層呈直條狀 而藉濺鍍以形成多數對成對放電維持電極12。放電維持電 極1 2係延著第1方向延伸。

接著，在第1基板11之内面全面，諸如藉蒸著法形成鋁 膜，藉微影蝕刻技術及蝕刻技術使鋁膜製成圖案，藉此沿 著放電維持電極1 2邊緣形成匯流排電極1 3。然後，在形成 有匯流排電極13之第1基板11之内面全面形成由Si02組成 之電介體層14，且在其上藉電束蒸著法形成包含厚度0.6 微米之氧化鎂（MgO)之保護層15。藉以上之工序可形成第 1面板1 〇。 另外，第2面板20可藉以下方法製得。首先，由高彎曲 點玻璃或鈉鹹玻璃所組成之第2基板21之全面上藉諸如濺 -19- (14)

缶％成叙膜。藉微影餘刻技術 幸 ^ 汁及蝕刻技術使鋁膜製成圖 错此以定址電極2 2。定址蛩化1 直少妓 電極22係延著與第1方向垂 且 < 卓2方向延伸。接著，藉锢 赴+ 錯、、用版印刷法形成全面之低熔 “，，占坡螭膠漿層，且藉燒結此低烷科* * 體骐。 低熔點玻璃膠裝層以形成電介 设，在相 4 ^ ^ ^--L- -¾ ή 上’利肖以下方法形成微細直^大圖案之分隔壁24。 首先，在第2圖所示之步驟S1中’藉諸如網版印刷法或 各種塗覆法將低熔點玻璃膠裝塗佈成預定厚度，如圖 所示，在第2基板21之表面形成分隔壁層24a。另外，構成 供形成分隔壁層24a之低嫁點玻璃膠漿之各種玻璃料之粒 徑，係既有之第3C圖所示之分隔壁寬度评丨之1/5以下。 接著’在第2圖所示之步驟S2中，將形成有分隔壁層24a 之第2基板21自然放置（硬化)數分鐘之後，在乾燥爐中乾 燥，以去除分隔壁層24a内之溶劑成份。乾燥後之分隔壁 層24a之厚度係3 00微米以下。另外，在第3A圖至第3c圖 中，省略了第1圖中所示之定址電極22等之圖示。 接著，在第2圖所示之步驟S3中，如第3A圖所示，在乾 燥後之溫熱狀態之分隔壁層24a之表面上，採用層合方 式，將感光性乾式膜層合光阻膜3 0予以層合。此光阻膜3 〇 之膜厚T1，係既有之分隔壁24之寬度Wl(參考第圖）之 1.2倍以下厚度。感光性乾式膜層合光阻膜30，具有諸如 以P E T膜包挾感光性膠裝層之積層結構。 在第2圖所示之步驟S4中，採用依預定形狀製成圖案之 578182 發瞵.説瞵續買 光罩，實施光阻膜30之曝光。接著，在第2圖所示之步驟 S 5中，依預定形狀圖案曝光後之第2基板2 1以鹹性水溶液 顯影，且除去未曝光部份而獲得預定分隔壁形狀之光阻圖 案。其狀態如第3 B圖所示。 然後，在第2圖所示之步驟S 6中，藉噴砂法（喷射加工法 之一種）噴灑研磨劑，藉切削除去已移除光阻膜3 0部份之 分隔壁層24a而形成分隔壁24。此狀態如第3C圖所示。 在本實施型態中，研磨劑係採用表面以矽塗覆之碳酸鈣 粉末所製成之研磨劑。在本實施型態中，構成研磨劑之各 粒子，如第4圖及第5圖或第8圖及第9圖中所示，其尺寸具 有呈相異四角形以上之多角形狀層之積層立體形狀。另 外，研磨劑之最大粒徑，係分隔壁24之分隔壁寬度W 1之 1 /2以下。研磨劑之平均粒徑，係分隔壁24之分隔壁寬度 W 1之1 /5以下。且研磨劑之最大粒徑，係1 0微米以下。 然後，在第2圖所示之步驟S 7中，將無法藉噴砂法移除 之光阻膜3 0採用氫氧化鈉或碳酸鈉等鹹性水溶液或光阻 劑專用剝膜液予以剝離。 然後，在預定溫度下藉燒結以形成預期微細圖案之分隔 壁24。此時之燒結（分隔壁燒結工序）係在空氣中進行，燒 結溫度係560°C之程度，保持10分鐘。 另外，藉使分隔壁24呈黑化，即所謂形成黑色矩陣 (black· matrix)，可達成顯示畫面之高對比化。分隔壁24 之黑化方法，舉例而言可採用添加黑色顏料之低熔點玻璃 膠漿材料以形成分隔壁之方法。 -21 - 578182

(16) 接著，在第2基板21上所形成之分隔壁24之間依順序印 刷3原色螢光體層泥漿（slurry)。接著，將此第2基板21在 燒結爐内燒結，在自分隔壁24間之電介體膜上至分隔壁24 之側壁面上全面形成螢光體層2511、250、256。此時之燒 結（螢光體燒結工序）係在空氣中進行，燒結溫度係51〇t 之程度’燒結時間為10分鐘之程度。 接著’實施電漿顯示裝置之組立。即首先，藉網版印 刷在第2面板20之邊緣部份形成框膠層。接著，如第i圖所 示，將第1面板10與第2面板20貼合組立，硬化燒結之框膠 層。然後將在第1面板1 〇與第2面板2〇間所形成之空間予以 排氣後，封入放電氣體，且蔣此扣#人 电礼胺且將此二間封合，即完成電漿顯 示裝置。 、、纟I结構之電漿顯示裝置之交流冑光放電動 二之-實例予以說明。首先’在-方整體放電維持電極12 :，短時間内施加較放電啟始電壓Vbd為高之電壓。藉此 生輝先放電’另_方面在放電維持電極附近之電介體層 14之表面因電介分極產生壁電荷，蓄積壁電荷^ '

電啟電壓下降。然後在施加電壓至定址電極 σ見之A 加電壓於包含不顯示之放電格之另_ 之同時，施 藉此在定址電極22盥$ 電維持電極 €極22與另一方放電維持電極 輝光放電’消除所蓄積之壁電荷。依順序在 0 實施此消除放電。另外，不施加電壓於=定址… 之另-方放電維持電極，藉此維持壁電荷3蓄？之放電格 一對整體放電維持電極12處，施加預 。然後，在 頂疋脈衝電Μ，藉此在 -22- 578182 (18) I發瞒説礴續頁 另外分隔壁24之分隔壁寬度W1可為50微米以下，分隔壁 高度H1可為300微米以下。 另外在本實施型態中，所採用之供形成分隔壁2 4之光阻 膜30之厚度，因係分隔壁寬度W1之1.2倍以下之厚度，而 可形成無剝離、崩塌、扭曲之微細寬度之圖案，另外，其 與低熔點玻璃膠漿所製成之分隔壁層24a呈緊密之密著 性，故易於形成具有微細間距及分隔壁寬度之分隔壁24。 另外，供形成分隔壁24之低熔點玻璃膠漿之構成材料之 各種玻璃料之粒徑，因係分隔壁24之分隔壁寬度W1之1/5 以下，故可形成微細而安定形狀之分隔壁24。 其它實施型態 另外，本發明並非限定於上述實施型態，而是可在本發 明之範圍内實施各種改變。 例如，在本發明中，電漿顯示裝置之具體結構，係不限 定於如圖1所示之實施型態，係其它結構亦佳。諸如在第1 圖所示之實施型態中，即3電極型電漿顯示裝置之實例， 本發明之電漿顯示裝置即使是2電極型之電漿顯示裝置亦 佳。在此場合，將一對放電維持電極之一形成於第1基板 上，而另一個則形成於第2基板上而構成。另外，一放電 維持電極之投影像朝第1方向延伸，而另一放電維持電極 之投影像朝與第1方向相異之第2方向延伸（較佳與第1方 向略為垂直），一對放電維持電極係面對面對向配置。對2 電極型電漿顯示裝置而言，按照需要，上述實施型態之說 明中可將「定址電極」改讀為「另一放電維持電極」。 -24- 578182 (19) 篆 另外，上述實施型態之電漿顯示裝置，雖然第1面板1 ο 形成顯示面板側，即所謂反射型電漿顯示裝置，本發明之 電漿顯示裝置若為所謂透過型電漿顯示裝置亦佳。但在透 過型電漿顯示裝置中，螢光體層之發光，因係透過第2面 板2 0而予以觀察，雖然相關於構成放電維持電極之導電性 材料不在乎是否為透明/不透明，因係將定址電極2 2 配置 於第2基板21上，定址電極必須為透明。 另外，本發明有關之微細分隔壁之形成方法，採用上述 結構之電漿顯示裝置及別種結構之平面顯示裝置以形成 微細分隔壁之場合亦可適用。在此場合中，微細分隔壁之 圖案，不限定為直條狀，矩形波狀、小圓餅狀（waffle)、 曲折狀等其它各種形狀亦佳。 以下，雖然根據更詳細之實施例說明，本發明並不限定 於此等實施例。 實施例1 首先，在由高彎曲點玻璃或鈉鹹玻璃所組成之第2基板 2 1之上，將平均粒徑4微米以下之低熔點玻璃膠漿藉網版 印刷法所獲得之預定高度為較佳之印刷，如第3 A圖所 示，形成分隔壁層2 4 a。 接著，將此第2基板2 1自然放置（硬化）5分鐘之後，在乾 燥爐中以1 2 0 °C乾燥，以去除膠漿内之溶劑成份。然後， 基板2 1保溫於8 0 °C。 接著，將膜厚度2 0微米之感光性乾式膜層合光阻膜3 0 予以層合於分隔壁層24a之表面上而成層合層。 -25- 578182 (20)

發瞒訛瞒續頁I 接著，採用間距90微米及分隔壁寬度20微米圖案化之負 型光罩，實施光阻膜30之曝光。 接著，如第3 B圖示，採用0.2 %碳酸鈉水溶液，使形成 於基板2 1上之已曝光成預定形狀之光阻膜3 0予以顯影，形 成預定分隔壁圖案。 接著，藉噴砂法，以表面塗覆有矽之平均粒徑3微米之 碳酸鈣研磨劑實施噴射加工（微米SAKI SHE-1/第4圖及第 5圖所示），如第3 C圖所示，形成微細直條狀圖案之分隔壁 24 ° 接著，將殘留之光阻膜3 0置於2 · 5 %之氫氧化鈉水溶液中 進行剝膜處理。 藉此，如第6圖及第7圖所示，獲得間距90微米，分隔壁 寬度20微米，分隔壁高度187微米（燒結前）之微細分隔壁。 實施例2 採用膜厚16微米之感光性乾式膜光阻膜30，及間距78 微米與分隔壁寬度20微米圖案化之負型光罩，實施光阻膜 30之曝光。如第8圖及第9圖所示，以表面塗覆有矽之平均 粒徑3微米之碳酸鈣研磨劑實施噴射加工（微米SAKI #RC-1 )，與前述實施1相同，形成微細分隔壁。 其結果，如第1 0圖及第1 1圖所示，獲得間距7 8微米，分 隔壁寬度20微米，分隔壁高度178微米（燒結前）之微細分 隔壁。 -26 -

Claims (1)

1. 578182 第091117040號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(92年12月〉

   拾、申請專利範圍 1. 一種微細分隔壁之形成方法，其特徵為在基板之表面形 成微細分隔壁之時，採用包含表面塗覆有矽之碳酸鈣粉 末之研磨劑實施喷射加工。 2. 如申請專利範圍第1項之微細分隔壁之形成方法，其中 構成前述研磨劑之各粒子，具有尺寸不同之具三角形以 上之多角形狀的多角形狀層積層而成之立體形狀。

   3. 如申請專利範圍第1項或第2項之微細分隔壁之形成方 法，其中前述研磨劑之最大粒徑係前述微細分隔壁之分 隔壁寬度之1 /2以下，前述研磨劑之平均粒徑係前述微 細分隔壁之分隔壁寬度之1 /5以下。 4. 如申請專利範圍第3項之微細分隔壁之形成方法，其中 前述研磨劑之最大粒徑係1 〇微米以下。

   5. 如申請專利範圍第1或2項之微細分隔壁之形成方法，其 中前述微細分隔壁之分隔壁間距係1 5 0微米以下，前述 微細分隔壁之分隔壁寬度係5 0微米以下、前述微細分隔 壁之高度係3 0 0微米以下。 6. 如申請專利範圍第1或2項之微細分隔壁之形成方法，其 中供形成特定圖案之前述微細分隔壁所採用之光阻層 之厚度，係前述微細分隔壁之分隔壁寬度之1 .2倍以下 之厚度。 7.如申請專利範圍第1或2項之微細分隔壁之形成方法，其 中供形成前述微細分隔壁之低熔點玻璃膠漿之各種玻 璃料之粒徑，係前述微細分隔壁之分隔壁寬度之1 /5以 下

   578182 8. —種電漿平面顯示裝置之製造方法，該裝置具有第1面 板及第2面板，且在前述第1面板及第2面板之間，形成 放電空間；其特徵為： 在構成前述第2面板之第2基板表面上，於形成供區隔 前述放電空間之分隔壁時，採用包含表面以矽塗覆之碳 酸鈣粉末之研磨劑予以喷射加工。 9. 如申請專利範圍第8項之平面顯示裝置之製造方法，其 中構成前述研磨劑之各粒子，具有由尺寸不同之具三角 形以上之多角形狀的多角形狀層積層而成之立體形狀。 10. 如申請專利範圍第8項或第9項之平面顯示裝置之製造 方法，其中前述研磨劑之最大粒徑係前述微細分隔壁之 分隔壁寬度之1 /2以下，前述研磨劑之平均粒徑係前述 微細分隔壁之分隔壁寬度之1 /5以下。 11. 如申請專利範圍第1 0項之平面顯示裝置之製造方法，其 中前述研磨劑之最大粒徑係1 〇微米以下。 12. 如申請專利範圍第8或9項之平面顯示裝置之製造方 法，其中前述微細分隔壁之分隔壁間距係1 5 0微米以 下，前述微細分隔壁之分隔壁寬度係5 0微米以下、前述 微細分隔壁之高度係3 0 0微米以下。 13. 如申請專利範圍第8或9項之平面顯示裝置之製造方 法，其中供形成特定圖案之前述微細分隔壁所採用之光 阻層之厚度，係前述微細分隔壁之分隔壁寬度之1.2倍 以下之厚度。 14·如申請專利範圍第8或9項之平面顯示裝置之製造方

   578182 法，其中供形成前述微細分隔壁之低熔點玻璃膠漿之各 種玻璃料之粒徑，係前述微細分隔壁之分隔壁寬度之 1 / 5以下。 15. —種喷射加工用研磨劑，係包含表面塗覆有矽之碳酸鈣 粉末構成前述研磨劑之各粒子，具有由尺寸不同之具三 角形以上之多角形狀的多角形狀層積層而成之立體形 狀。 16. 如申請專利範圍第1 5項之喷射加工用研磨劑，其中前述 研磨劑之最大粒徑係1 〇微米以下。 578182 第0911Π〇4〇號專利申請案 中文圖式替換頁(92年12足}

   578182 第0911Π〇4〇號專利申請案 Φ文圖式替換頁(92年12 1}

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   圖7 578182 第091117040號專利申請案 中文圖式替換頁(92年12月）

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   圖10 -10- 第〇91ΐΠ〇4〇號專利申請案