TW572804B - Method and apparatus for laser scribing glass sheet substrate coatings - Google Patents

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TW572804B
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Frank A Borgeson
Joseph J Hanak
Ricky S Harju
Norman L Helman
Kenneth R Hecht
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First Solar Llc
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Description

572804 A7 五、發明説明（ 技術領璏 本發明係有關於一種甩於在玻璃片基板上之塗層作 雷射劃線的方法與裝置。背景 在玻璃片基板上之塗層作雷射劃線已行之有年，如同 在頒給Hanak之美國專利第4,292,〇92號所揭露之内容。廣 而言之，雷射劃線係藉由雷射光束執行由基板之經塗佈側 邊受引導；然而，劃線同時係藉由將雷射光束通過玻璃片 基板引導至待劃線之塗層而執行，諸如在頒給Caplan之美 國專利第4,568,409號、頒給Carlson等人之美國專利第 4,854,974號、頒給Dicks〇n等人之美國專利第4,892,592 號、頒給Praschek等人之美國專利第5,296,674號以及頒給 Oswald等人之美國專利第5,593 9〇1號中之揭露内容。 傳統式雷.射加工系統係為二種類型。一類型包括一固 定的雷射頭安裝在一可移動的χγ平臺（二軸）的上方，經塗 佈之玻璃片係支撐於平臺上用於劃線，同時其他類型包括 一單一軸可移動之雷射掃描頭係安裝在一單一軸可移動平 的上方。第一類型之主要的缺點在於大χγ平臺之速度 制，一般係約位在300至500厘米/秒的範圍内。因此，為 獲得商用實務上之輸出，必需使用多重雷射或是分裂光束 以供複數之雷射噴嘴之用。除了價昂外，該等系統需要維 持光學對正係為困難的，同時每一噴嘴之電力必需.能夠獨 立地控制。此外，於噴嘴間必需具有即時間隔與調整 助於劃線間之間隔。其他的系統同時具有相同的問題 限 了 有 因 f-l.?先閲讀背面之注意事項再填趑本頁) 、\t· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公楚） 4 572804 、 A7 專… _ ____B7 五、發明説明（2 ) 為雷射頭之移動速度快於7〇〇至800厘米/秒係為困難的。 裝：… (if先閲讀背面之注&-^項再艰趑本頁) 於調查當中與本申請案相關的其他雷射劃線作業之 專利包括頒給Yamazaki之美國專利第4,6〇3,47〇號、頒給 Nishhira之美國專利第4,689,874號、以及頒給Kid〇guchi等 人之美國專利第5,956,572號。 概要說明 . 本發明之一目的在於提供一種改良方法，其係在一相 對高之速度下用於雷射劃線玻璃片基板塗層俾使從而提供· 具成本效益的產品。 線- 於完成上述目的當中，該雷射劃線方法係執行於具有 相對面向之表面的玻璃片基板，該其中之一表面係未經塗· 佈而另一表面係經塗佈。經塗佈之基板係沿著接近雷射源 之運輸方向輸送在接近紅外線之主要頻率下提供具有一波 長之脈衝雷射光束，並且所具有之脈衝頻率範圍為5〇至1〇() 千赫（Kilohertz)以及脈衝持續時間為8至7〇奈秒 (nanoseconds)的範圍内。脈衝雷射光束係藉由一χγζ檢流 計控制的反射鏡系統，從雷射源反射朝向玻璃片基板之未 經塗佈今面並通過至位在另一表面上的塗層，用以在至少 1000厘米/秒的速度下提供通過其之塗層與劃線之部分重 $ 的燒钱（ablations)。 玻璃片基板係於垂直方向上藉由氣壓與真空定位器 輸送並係相關於運輸方向橫向地配置，該定位器係沿著從 脈衝雷射光束通過基板之位置的運輸方向坐落於上游及下 游，以致定位器控制基板的平面度。氣壓與真空定位器將 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2]0Χ297公釐） 572804 A7 五、發明説明（3 ) 玻璃片基板定位在其之未經塗佈的表面，因此在塗佈表面 無剝姓。 雷射檢軔器檢測塗佈之基板的準確位置，因此劃線雷 射光束能夠正確地聚焦。 在本方法之一實踐上，在雷射劃線期間提供塗佈的玻 璃片基板之運輸係藉由將固定支撐的基板轉位。 在本方法之另一實踐上，當運送塗佈的玻璃片基板時 執行雷射劃線。 於執行雷射劃線方法當中，所揭露之塗佈的玻璃片基 板係具有複數之不同的塗層以及複數之雷射劃線係以不同 的功率大小製成，因此劃線延伸穿過不同層。更特定言之， •訂- 於雷射劃線法之最快速的性能中，複數之雷射源以及結合 的XYZ檢流計控制反射鏡系統在不同的功率、大小下，分別 • 地提供木同劃線之脈衝雷射劃線作業，每一者在接近紅外 •線之主要頻率下具有一波長，並且所具有之脈衝頻率範圍 為50至100千赫（Kn〇hertz)以及脈衝持續時間為8至奈秒 (nan〇Seconds)的範圍内，以及劃線速度至少為1000厘米/ 秒、。 、 本發明之另一目的在於提供改良裝置，用於雷射劃線 位在玻璃片基板上之一塗層。 在完成前述之目的當中，本發明之裝置包括一運輸裝 置，沿著運輸方向運送玻璃片基板，該基板具有相對面向 之表面其中之一表面係未經塗佈而另一表面具有一塗層。 一雷射源所提供之脈衝雷射光束在接近紅外線之主要頻率 本紙張尺歧财_i^(CNS〉^格⑽X297公楚)— 572804 ， A7 ______B7_ 五、發明説明（4 ) 下具有一波長，並且所具有之脈衝頻率範圍為5〇至1〇〇千赫 (Kilohertz)以及脈衝持續時間為8至7〇奈秒（nan〇sec〇nds) ------------------------^—— (請先閲讀背面之注意事項再填趑本頁) 的範圍内。脈衝雷射光束係藉由一 χγΖ檢流計控制之反射 鏡系統’從雷射源反射朝向玻璃片基板之未經塗佈表面並 通過至位在另一表面上的塗層，用以在至少1〇〇〇厘米/秒的 速度下提供通過其之塗層與劃線之部分重疊的燒蝕。 裝置於垂直的方向上支撐基板並包括氣壓與真空定 位器，該定位器係沿著從脈衝雷射光束通過基板之位置的 運輸方向坐落於上游及下游，以致在雷射劃線期間定位器 控制基板的平面度。 裝置包括雷射檢測器檢測塗佈之基板的準確位置，因 此劃線雷射光束能夠正確地聚焦。 :線- 所揭露之裝置包括複數之脈衝雷射源在不同的功率 大小下作動，每一者在接近紅外線之主要頻率下具有一波 長’並且所具有之脈衝頻率範圍為50至1〇〇千赫（Kil〇hertz) 以及脈衝持續時間為8至7〇奈秒（nanosecon(js)的範圍内，以 及裝置之複數的XYZ檢流計控制之雷射反射鏡系統分別地 從雷射源反射脈衝雷射光束，提&劃線速度至少為1〇〇〇厘 米/秒。 本舍明之一或更多具體實施例的細節係於伴隨的圖 式中提出並於以下說明。本發明之其他的特性、目的以及 優點由說明及圖式以及由申請專利範圍而顯而易見··的。 圖式之說明 第1圖係為一光伏打板（photovoltaic panel)製造系統之 、本紙張尺度適用中g國家標準A4規格（2]0X297公釐） 572804 A7 _B7 五、·發明説明（5 ) 不同工作站的概略視圖，其包括根據本發明建構的雷射劃 線裝置，其係用於執行本發明之方法。 第2圖係為一光伏打板的平面圖，其係已經劃線提供 分隔的電池。 · 第3圖係為取自一其上斧有塗層之待劃線的玻璃片基 板的截面圖，其係提供光伏打板。 第4圖係與第3圖類似.的截面圖，圖示在經第一與第二 次劃線之後的光伏打板。 第5圖係與第4圖類似的載面圖，圖示在經第三次劃線 之後位在之後的一階段的光伏打板。 第6圖係為一概略視圖圖示執行劃線的方法。 .訂- • 第7圖係為在第6圖中線7-7之方肉所取之一視圖，用以 圖示在劃線期間用以將玻璃片基板定位之定位器的結構。 第8圖係為一側視圖圖示雷射劃線站，每一站具有一 右負載端、一中央雷射劃線模組以及一左卸載端。 第9圖係為沿著第8圖中線9-9之方向以放大的比例所 、取之俯視圖，用以圖示雷射劃線模組。 第10圖係為沿著第9圖中線10-10之方向所取之側視 圖’以由第8圖中所示之放大的比例圖示雷射劃線模組。 第11圖係為一概略視圖圖示穿過執行雷射劃線之基板 塗層之部分重疊燒蝕的方式。 第12圖係為一視圖圖示雷射劃線的一方式，其係在塗 佈之玻璃片基板維持固定時藉由運輸轉位執行雷辦劃線。 第13圖係為另一方式的視圖，其中係藉由連續地移動 ·· « 本紙張尺度適用中國國㈣ --- ^ ^义）从規格（210><297公釐） · 8 · 572804 A7 五、發明説明（6 塗佈之玻璃片基板，並沿著運輸方向有角度地移動雷射光 束而進行雷·射劃線。 詳細說明 * 相關於圖式中之第！、2及3圖，—系統2〇包括特定圖 示用以製造光伏打板22的工作站，。光伏打板22係利用一玻 璃片基板24製成’如第3圖中所示具有一表面係以一氧化錫 層26塗佈。在將以氧化錫塗佈之玻璃基板24沖洗並清潔之 後’約為3000埃（angstroms)之厚度的硫化鎘層28在第一工 作站30處沉積。製程繼續進行玻璃片基板沿著箭頭^所示 之運輸方向運送至第二工作站32,於該處厚度約為3微米的 碲化鎘層34係在移動通過處理站36及38之前沉積。在基板 接續地運輸至第一劃線站4〇之前，脈衝雷射劃線裝置42a 提供第一組劃線44之劃線作業，以將於之後更加詳細說明 的本發明之執行方式，穿過氧化錫層26、硫化鎘層28以及 碲化鎘層34。在第一組劃線44之劃線作業之後，基板接著 運送至一工作站46於該處第一組劃線44係以電介質材料料 填注，隨之基板被運送至一第二劃線站5〇於該處根據本發 明建構的脈衝雷射劃線裝置42b，在較第一劃線站為低之電 力大小下作動，提供第二組劃線52之劃線作業穿過硫化鎘 層28以及碲化鎘層34而未將氧化錫層26劃線。基板接著運 送至塗佈站54，在移動至處理站58之前於該處施以一電氣 傳導性背面接觸層56(第5圖）。基板接著運送至第三劃線站 60於該處根據本發明建構的劃線裝置42。，在較第二劃線站 為低之電力大小下作動，提供第三組劃線62穿過背面接觸 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚） -9 ------------------------裝—— (諸先閲讀背面之注念氺項再填趑本頁) 訂- •線丨 572804 A7 B7 五、發明説明（ (請先閲^背面之注«事項再填趑本頁) 層56為了提供分開的電池64，其彼此間係串聯地電氣連 接。如第2圖中所示之電氣連接器65提供使用之光伏打板電 氣連接。 於第1圖中.所示在工作站30處硫化鎘之沉積以及在工 作站32處碲化鎘之沉積係可根據頒給Foote等人之美國專 利第5,248,349號、頒給Foote等人之美國專利第5,372,646 號、頒給Foote等人之美國專利第5,470,397號、頒給Foote 等人之美國專利第5,536,333號、頒給Powell等人之美國專 利第5,934,163號以及頒給poweii等人之美國專利第 6,037,241號之揭露内容執行，整個揭露内容於此併入本文 以為參考貧料。 • ’可， . 於第2圖中所示之光伏打板22具有一伸長的形狀，·於 其之相對側邊66之間的寬度約為6〇公分（6〇〇厘米），以及其 之相對端部68間的長度約為12〇公分。再者，上述之劃線作 業提供115個電池64,致使包括結合之劃線的每一電池的可 利用空間係恰好稍大於一公分。每一組用於提供光伏打板 之115個電池之劃線因而具有的總長度約為69，p〇〇厘米。為 了執行經濟的製造約可在一分鐘左右製成光伏打板，則雷 射裝置之劃線速度必需約為丨〇 〇 〇厘米/秒或更快。就現實狀 況而s，將於之後更為詳加說明之本發明之劃線裝置所具 有之劃線速度為2000至3〇〇〇厘米/秒考慮到站與站間的運 輸時間。儘管可能利用一單一雷射裝置供每一組劃線器所 用，但如第1圖中所示在三劃線站之每一站處準備雷射劃線 裝置42a、42b及42e ’提供一較高的操作速率以及一必然更 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS) Μ規格（2]〇><297公楚） A7 B7 五、發明説明（8 ) 為具成本效益的產品。 用於雷射劃線塗佈之玻璃片基板的方法將結合雷射 劃線裝置42以整體之方式加以說明，有助於瞭解本發明之 所有觀點。此雷射劃線裝置42係圖示於第6·1〇圖中並特別 地圖示在第8圖中，其係包括一右負載端部7〇、一左卸載端 部72以及一中央雷射劃線模組74。待劃線之塗佈的玻璃片 基板係於垂直延伸的方向朝向左運送從負載端部7〇至雷射 劃線模組74供雷射劃線，並接續地朝向左運送至卸載端部 72準備供傳送至下_工作站。從負載端部7()之運輸係藉助 於-負載運貨車76，而玻璃片係由一雷射劃線運輸裝置78 所接收於第_中清楚可見’在雷射劃線操作期間精確地 控制運輸。在將於之後更詳加說明之雷射劃線之後，經劃 線之玻璃片基板係從雷射劃線運輸裝置78運送至於第8圖 中所不之卸載站72的卸載運貨車8〇。於第6圖中所示運送破 璃片基板24之運輸裝置78具有_未塗佈之表面_及一塗 佈之表面82其上配置有氧化錫、硫化鎘以及碲化鎘層，以 致在施加前述說明之背面接觸層之前此係與於第丨圖中所 圖不之第一劃線站4〇處劃線相對應。藉由將雷射光束引導 通過玻璃片.基板24從其之未塗佈之表面以至其之塗佈之表 面82執行劃線作業，並且針對劃線通過不同層，針對每一 劃線藉由雷射之功率大小控制對層之劃線作業。 於第9圖中清楚可見，雷射劃線裝置.42包括一雷射源 83提供脈衝雷射光束84在接近紅外線之主要頻率下具有一 波長.，並且所具有之脈衝頻率範圍為5〇至】⑼千赫 572804 A7’ ___B7__ 五、發明説明（9 ) (Kilohertz)以及脈衝持續時間為8至70奈秒（nanoseconds) 的範圍内。所使用之特定的雷射源83係為一以二極體激發 式、Q-轉換、攙有鈦、鈒酸紀雷射源，提供一脈衝雷射光 束在接近紅外線之主要頻率下波長為1064奈米，並且> 脈 衝頻率範圍為50至100千赫（Kilohertz)係作動以及脈衝持 續時間的範圍為8至70奈秒（nanoseconds)。脈衝雷射光束係 藉由反射鏡86及88反射至一XYZ檢流計控制的反射鏡系統 (整體係以元件·標號90標示），引導雷射光束執行劃線。更 特定言之，XYZ檢流計控制的反射鏡系統9〇包括一檢流計 控制的聚焦裝置92水平地移動一透鏡控制光束在z方向上 的等、距’以及一檢流计控制的雙反射鏡總成9 4在χγ方向上 引導光束俾便從而整體地提供XYZ控制。 於第6圖中所示藉由劃線從玻璃片基板24之未塗佈之 表面81的雷射劃線作業，未具有由燒飯所形成之氣體流束 提供劃線以致氣體流束無法防止下一雷射脈衝不致通過塗 層而提供每一下一次燒蝕。更特定言之，如第11圖中所示 劃線係利用彼'此部份重疊之燒蝕95所執行。5〇%之部份重 疊提供一般而言係為均勻的劃線寬度以及快速的劃線速 度。燒蝕95因而提供一劃線諸如於第u圖中所示之第一劃 線44，同時以相同之方式提供第二及第，三劃線。 連續地參考第6圖並附加地參考第1〇圖，雷射劃線裝 置42包括氣壓與真空定位器96維持玻璃片基板於其之未塗 縣面81處的平面性，並且相關於運輸之方向橫向地將基 板定位，因此聚焦的脈衝雷射光束在受劃線之層（或複數層） 本紙張尺度適用中SS家標準（CNS) A4規格（210X29*7^5 ~-_ (^先閲汸背面之注意氺項再蜡踣本頁) :ϋ 訂— 572804 發明説明（ι〇 處於Z方向上具有其之焦點 '該等定位器96係垂直延伸成 組地配置，於配置位置之上游與下游位置雷射光束84通過 玻璃片基板用以提供雷射劃，線。更特定言之如第i 〇圖中所 示，在劃線位置之上游具有五個定位器96以及在劃線位置 之下游具有五個定位器96。如第6及7圖中所示，每一定位 器96具有一中心位置98由一真空源1〇〇經由一結合之導管 102%以真空至該處。每一定位器％之一環形的多孔構件 104環繞著中心位置98延伸，並自一氣體源106經由一結合 的導管108接收加壓的氣體。定位器96將未塗佈之表面81 定位在約4-6微米内，俾使提供一精確的位置供雷射光束聚 焦以及在受劃線之層（或複數層）處的燒姓。 如第ό、8以及1 〇圖中所示，雷射檢測器1〇9係位在劃 線位置之上游提供雷射檢測光束i 09a(第6圖）自未塗佈之 表面81反射回以檢測玻璃基板之確切位置，並經由與檢流 a十反射鏡系統90之聚焦裝置的連接，在感應到劃線雷射光 束之整個移動與劃線範圍而將脈衝劃線雷射光束84聚焦。 如此的檢測係考慮到玻璃片基板之任何的非平面性，諸如 當製造玻璃時所構成之滾輪波浪^。 可以執行雷射劃線之二不同的方式係分別地圖示於 第12及13圖中。於第12圖中，在塗佈之基板維持固定期間 雷射劃線站運輸裝置在每一雷射劃線112之間提供一運送 轉位110 ’以致雷射光束垂直地移動執行劃線作業，.在第一 次水平調整之後於先前所構成之相鄰的劃線之間提供合適 的間隔。如第13圖中所示，塗佈之玻璃片基板同時能夠沿 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） 13 裝 (>先¾¾背面之λι^ψ項再填释本頁) 訂- :線丨 572804 A7 __^_· . _B7_^__ 五、發明説明（11 ) (^先閲^背面之注念^項再場趑本頁) 著運輸方向C連續地運送，並且雷射劃線114之路徑因而為 有角度的沿著運輸方向以及相關於一真實的垂直方向，在 完成每一劃線之後，有一檢流計控制之反射鏡系統的復歸 動作115，以致如圖所示完成通過一般而言具有領結（b〇w tie)的形式。 相關於第10圖，在運輸至第一劃線站之前，塗佈之玻 璃片基板之二上角落具有個別之雷射基標（fiducials)係藉 由一對照相機116所檢測，俾使提供一信號供光伏打板之精 確位置以及基標間的間隔，因此可準確地劃線。如此容許 針對熱膨脹或疋收縮，以及針對在不同之基板上於基標間 ’ 之不同的間隔作調整。 .此外，每一基板係可配置一條碼由第9圖中所示之條 碼閱讀機118所感應，俾便提供識別每一受劃線之特定的基 板。此外，該裝置包括一排氣罩12〇接收自受劃線之基板之 塗佈側邊所排出之氣體。為確保在適當的功率大小下執行 劃線作業，㉟流計#制的反射鏡9〇可|期性地將雷射光束 84a反射至功率计丨22，其之所感應的功率因而可供來自脈 衝雷射源83之功率大小所需的任何調整所用。 為了提供第一、第二及第三組劃線44、52及62穿過上 述之不同層，該雷射之平均功率大小係分別約為2〇瓦、8 至9瓦以及4至5瓦。 儘管已詳細說明完成本發明之最佳的方式，但熟之此 技蟄之人士應瞭解為實踐本發明所作之不同的改變係由以 下之申請專利範圍所限定。 本紙張尺度適财關$料（CNS) Α4· (2^297^^ --—— -- 572804 A7 B7 五、發明説明（l2 ) 元件標號對照 20…系統 22…光伏打板 24…玻璃片基板 26…氧化錫層 28…硫化鎘層 30…第一工作站 32…第二工作站 34…碲化鎘層 36…處理站 38…處理站 40…第一劃線站 42…脈衝雷射劃線裝置 42a···脈衝雷射劃線裝置 42b···脈衝雷射劃線裝置 42c···脈衝雷射劃線裝置 44…第一組劃線 46…工作站 48…電介質材料 50…第二劃線站 52…第二組劃線 54…塗佈站 56…背面接觸層 (請先閲¾背面之注念事項再填寫本頁) 58…處理站 60…第三劃線站 62…第三組劃線 64…電池 65…電氣連接器 66…側邊 68…端部 70…右負載端部 72…左卸載端部 74···中央雷射劃線模組 76…負載運貨車 78…雷射劃線運輸裝置 80…卸載運貨車 81…未塗佈之表面 82…塗佈之表面 83…雷射源 84…脈衝雷射光束 843—雷射光束 86···反射鏡 88…反射鏡 90…反射鏡系統 92…聚焦裝置 15 本紙張尺度適用中S國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 572804 A7 B7 五、發明説明（U ) 94…雙反射鏡總成 109…雷射檢測器 95…燒钱 109〆··雷射檢測光束 96…定位器 110…運送轉位 98…中心位置 112···雷射劃線 100···真空源 114…雷射劃線 102…導管 116…照相機 104···多孔的構件 118…條碼閱讀機 106···氣體源 120…排氣罩 108…導管 122…功率計 (請先閲¾背面之注¾事項再填玆本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 16

Claims (1)

  1. A8 B8 C8 D8 572804 修正 六、申請專、利範圍 第91117978號專利申請案申請專利範圍修正本92年10月24日 1. 一種用於雷射劃線的方法，其包括： 提供一玻璃片基板，其具有相對面向之表面，該 其中之一表面係未經塗佈而另一表面具有塗層； 將經塗佈之基板沿k著接近雷射源之運輸方向輸 送，在接近紅外線之主要頻率下提供具有一波長之脈衝 雷射光束，並且所具有之脈衝頻率至少為5〇千赫 (Kilohertz)以及脈衝持續時間為不大於7〇奈秒 (nanoseconds);以及 將脈衝雷射光束藉由一 XYZ檢流計控制的反射鏡 糸統’從雷射源反射朝向破璃片基板之未經塗佈表面並 •通過至位在另一表面上的塗層，用以在至少1〇〇〇厘米/ 秒的速度下提供通過其之塗層與劃線之部分重疊的燒 姓（ablations) 〇 2 ·如申請專利範圍第1項之用於雷射劃線的方法，其中該 玻璃片基板係藉由氣壓與真空定位器於垂直方向上輸 送並係相關於運輸方向橫向地配置，該定位器係沿著從 脈衝雷射光束通過基板之位置的運輸方向坐落於上游 及下游，以致在雷射劃線期間定位器控制基板的平面 度。 3·如申請專利範圍第2項之用於雷射劃線的方法，其中該 亂壓與真空疋位益將玻璃片基板定位在其之未經塗佈 的表面，因此在塗佈表面無剝姓。 4·如申請專利範圍第2項之用於雷射劃線的方法，其中該 -----------Ί ^ · 1------^ · I----I I Γ ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
    )/2804
    申5月專利範圍 片土板之位置係藉由一雷射檢測光束加以檢測與 定位^相鄰’並且脈衝雷射光束在感應到所檢測之位置 而聚焦。 i如申請專利範圍第1項之用於雷射劃線的方法，在雷射 幻線期間玻璃片墓板之運輸提供其之轉位並維持基板 固定不動。 6·如申％專利範圍第丨項之用於雷射劃線的方法，其中該 雷射劃線係在運送玻璃片基板時執行。 7·如申凊專利範圍第丨項之用於雷射劃線的方法，其中該 玻璃片基板係具有複數之不同的塗層以及複數^雷射 劃線係以不同的功率大小製成，因此劃線延伸穿過不同 層。 訂 8.如申請專利範圍第7項之用於雷射劃線的方法，其中該 複數之雷射源以及結合的又¥2檢流計控制之反射鏡在 不同的功率大小下，分別地提供不同劃線之脈衝雷射劃 線作業，每一者在接近紅外線之主要頻率下具有一波 長，並且所具有之脈衝頻率範圍為5〇至】〇〇千赫 (Kilohertz)以及脈衝持續，時間為8至7〇奈秒 (nanoseconds)的範圍内，以及劃線速度至少為1〇〇〇厘米 /秒。 9·如申請專利範圍第！項之方法，其中該脈衝頻率範圍係 為50至1·〇〇千赫（Kilohertz)以及脈衝持續時間係為8至7〇 奈秒（nanoseconds) 〇 10·—種用於雷射劃線的方法，其包括： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 X 297公；g 572804 六、申請專利範圍 提供一玻璃片基板，其具有相對面向之表面，該其 中之一表面係未經塗佈而另一表面具有不同層之塗層； 將經塗佈之玻璃片基板於垂直的方向沿著接近一 飢2文鹽雷射源之運輸方向輸送，在接近紅外線之主要頻 率下提供具有一波長之竽選定功率的脈衝雷射光束，並 且所具有之脈衝頻率至少為50千赫（Kilohertz)以及脈 衝持續時間為不大於70奈秒（nanoseconds); 藉由氣壓及真空定位器將垂直定向之基板定位；以 及 將脈衝雷射光束藉由一 χγΖ檢流計控制的反射鏡 系統，從鈒酸鹽雷射源反射朝向玻璃片基板之未經塗佈 •表面並通過至位在另一表面上的塗層，用以在至少1000 厘米/秒的速度下提供通過其之塗層與劃線之部分重疊 的燒姓（ablations)。 11·如申請專利範圍第1〇項之方法，其中該脈衝頻率範圍係 為50至1 〇〇千赫（Kil〇hertz)以及脈衝持續時間係為8至 70奈秒（nanoseconds) 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印I 12.—種用於雷射劃線之裝置，其包括： 一運輸裝置，沿著運輸方向運送玻璃片基板，該基 板具有相對面向之表面其中之一表面係未經塗佈而另 一表面具有一塗層； 一雷射源，其係沿著運輸方向配置，所提供之脈衝 雷射光束在接近紅外線之主要頻率下具有一波長，並且 所具有之脈衝頻率範圍至少為5〇千赫（KU〇her 及 本紙張 祕 經濟部智慧財產局員工消費合作社印-M ^/2804 C8 4 … ~____^_ — .申請專利範圍· 一 脈衝持4貝B可間為不大於％奈秒（nan〇sec〇n(js);以及 一 XYZ檢流計控制之，反射鏡系統，其係用於將脈衝 雷射光束反射朝向玻璃片基板之未經塗佈表面並通過 至位在另一表面上的塗層，用以在至少約為1000厘米/ 衫的速度下提供通過其之塗層與劃線之部分重疊的燒 姓。 13·如申凊專利範圍第12項之用於雷射劃線之裝置，其中該 玻璃片基板進一步地包括氣壓與真空定位器係沿著從 脈衝雷射光束通過基板之彳立置的運輸方向坐落於上游 及下游’以致在雷射劃線期間定位器控制基板的平面 度與位置。 14·如申請專利範圍第13項之用於雷射劃線之裝置，其進一 步地包括雷射檢測器用於決定基板相鄰於定位器之位 置，用以將脈衝雷射光束聚焦。 1 5·如申請專利範圍第12項之用於雷射劃線之裝置，其係包 括複數之脈衝雷射源在不同的功率大小下作動，每一者 在接近紅外線之主要頻率下具有一波長，並且所具有之 脈衝頻率範圍為50至100千赫(〜Kil〇hertz)以及脈衝持續 時間為8至70奈秒（nanoseconds)的範圍内，以及裝置之 複數的χγζ檢流計控制之雷射反射鏡系統分別地從雷 射源'反射脈衝雷射光束，提供劃線速度至少為丨〇〇〇厘米 /秒。 16·如·申請專利範圍第12項之裝置’其中該脈衝頻率範圍係 為50至100千赫（Kilohertz)以及脈衝持續時間係為12至 本紙張尺1適用中國國家標準（匚〜5)八4規格(210: 297公釐) —=一·^一·~ ^--------^--------- 線 (請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) 572804 A8 B8 C8 D8 17. 申請專利範圍 70 奈秒（nanoseconds) 種用於雷射劃線之裝置，其包括： 一運輸裝置，沿著運輸方向運送玻璃片基板，該基 板具有相對面向之表面其中之一表面係未經塗佈而另 一表面具有包括複數層之一塗層； 複數之飢酸鹽雷射源，其係沿著運輸方向間隔地配 置，每一釩酸鹽雷射源提供一經選定功率之脈衝雷射光 束在接近紅外線之主要頻率下具有一波長，並且所具有 之脈衝頻率至少為50千赫（Kilohertz)以及脈衝持續時 間為不大於70奈秒（nanoseconds); 複數之XYZ檢流計控制之反射鏡系統，其係用於將 ，脈衝雷射光束分別地反射朝向玻璃片基板之未經塗佈 表面用以通過至位在另一表面上的塗層，用以在至少約 為1000厘米/秒的速度下提供通過其之一或更多之塗層 與劃線之部分重疊的燒蝕。 18 ·如申請專利範圍第17項之裝置，其中該脈衝頻率範圍係 為50至100千赫（Kilohertz)以及脈衝持續時間係為8至7〇 奈秒（nanoseconds) 〇 請 先 Μ 讀 背 面 之 注 意 事 項， 再ί 填、 ί裝 頁 訂 % 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI456780B (zh) * 2006-11-08 2014-10-11 Tel Solar Ag 對準太陽板刻劃之雷射光束之方法與裝置
TWI497741B (zh) * 2009-09-22 2015-08-21 First Solar Inc 用以自基板之邊緣移除塗層之系統及方法
TWI513016B (zh) * 2009-09-22 2015-12-11 First Solar Inc 用以自基板之邊緣追蹤與移除塗層之系統及方法
TWI560017B (en) * 2010-09-25 2016-12-01 M Solv Ltd Method and apparatus for dividing thin film device into separate cells
CN109507810A (zh) * 2017-09-14 2019-03-22 达洛斯创造公司 对眼镜镜片部分镀银的新方法及由该方法得到的镜片

Families Citing this family (139)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7259321B2 (en) * 2002-01-07 2007-08-21 Bp Corporation North America Inc. Method of manufacturing thin film photovoltaic modules
US20080105303A1 (en) * 2003-01-03 2008-05-08 Bp Corporation North America Inc. Method and Manufacturing Thin Film Photovoltaic Modules
JP2005297012A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
KR100626554B1 (ko) * 2004-05-11 2006-09-21 주식회사 탑 엔지니어링 비금속재 절단장치 및 비금속재 절단시의 절단깊이 제어방법
US20050255238A1 (en) * 2004-05-12 2005-11-17 Myer Charles N Pulsed heating process for curing substrates with near infrared radiation
US20050272175A1 (en) * 2004-06-02 2005-12-08 Johannes Meier Laser structuring for manufacture of thin film silicon solar cells
US20070227578A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-04 Applied Materials, Inc. Method for patterning a photovoltaic device comprising CIGS material using an etch process
US7547570B2 (en) * 2006-03-31 2009-06-16 Applied Materials, Inc. Method for forming thin film photovoltaic interconnects using self-aligned process
US7718347B2 (en) * 2006-03-31 2010-05-18 Applied Materials, Inc. Method for making an improved thin film solar cell interconnect using etch and deposition process
JP2007275962A (ja) * 2006-04-10 2007-10-25 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
GB2439962B (en) * 2006-06-14 2008-09-24 Exitech Ltd Process and apparatus for laser scribing
DE102006033296A1 (de) * 2006-07-17 2008-01-31 Manz Automation Ag Anlage zur Strukturierung von Solarmodulen
CN101134263A (zh) * 2006-09-01 2008-03-05 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 激光加工方法及相应的激光加工装置
CN101646800A (zh) * 2007-02-01 2010-02-10 威拉德&凯尔西太阳能集团有限责任公司 用于玻璃板半导体涂覆的系统和方法
EP2654089A3 (en) * 2007-02-16 2015-08-12 Nanogram Corporation Solar cell structures, photovoltaic modules and corresponding processes
DE102007015767A1 (de) * 2007-03-30 2008-10-02 Oerlikon Optics UK Ltd., Yarnton Methode zum Laserritzen von Solarzellen
US20080263877A1 (en) * 2007-04-24 2008-10-30 Newport Corporation Laser scribing system and method of use
GB0802289D0 (en) * 2008-02-07 2008-03-12 Rumsby Philip T Method and appartus for making a partially transparent solar panel
TW201002466A (en) * 2008-04-10 2010-01-16 Applied Materials Inc Laser-scribing platform
TW201006600A (en) * 2008-04-10 2010-02-16 Applied Materials Inc Laser-scribing platform and hybrid writing strategy
CN101999166A (zh) * 2008-04-11 2011-03-30 应用材料股份有限公司 用于激光刻划、熔接或任何构图系统的动态刻划对准
TW201006598A (en) * 2008-04-11 2010-02-16 Applied Materials Inc Laser scribe inspection methods and systems
US20090314752A1 (en) * 2008-05-14 2009-12-24 Applied Materials, Inc. In-situ monitoring for laser ablation
US9782949B2 (en) 2008-05-30 2017-10-10 Corning Incorporated Glass laminated articles and layered articles
US8514476B2 (en) 2008-06-25 2013-08-20 View, Inc. Multi-pane dynamic window and method for making same
DE102008032555B3 (de) * 2008-07-10 2010-01-21 Innolas Systems Gmbh Strukturierungsvorrichtung für die Strukturierung von plattenförmigen Elementen, insbesondere von Dünnschicht-Solarmodulen, entsprechendes Strukturierungsverfahren sowie Verwendung derselben
DE102008059813A1 (de) * 2008-07-17 2010-01-21 Lss Laser Scribing Systems Ag Laser-Scribing-System zum Strukturieren von Substraten für Dünnschichtsolarmodule
US7981778B2 (en) * 2009-07-22 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Directional solid phase crystallization of thin amorphous silicon for solar cell applications
CN102132378B (zh) 2008-08-26 2013-12-11 应用材料公司 激光材料移除方法和设备
US7994418B2 (en) * 2008-09-18 2011-08-09 General Electric Company Monolithically connected photovoltaic devices on flexible substrates
JP2010087041A (ja) * 2008-09-29 2010-04-15 Ulvac Japan Ltd レーザービームによる薄膜の除去方法及び薄膜太陽電池パネルの製造方法
US8633420B2 (en) * 2008-10-10 2014-01-21 Ipg Microsystems Llc Laser machining systems and methods with debris extraction
KR20110089356A (ko) * 2008-11-19 2011-08-05 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 레이저-스크라이빙 도구 구조
WO2010071201A1 (ja) * 2008-12-19 2010-06-24 シャープ株式会社 膜除去方法、光電変換装置の製造方法、光電変換装置、および膜除去装置
US20100212358A1 (en) * 2009-02-26 2010-08-26 Applied Materials, Inc. Glass substrate orientation inspection methods and systems for photo voltaics production
US11187954B2 (en) 2009-03-31 2021-11-30 View, Inc. Electrochromic cathode materials
US8764950B2 (en) 2010-04-30 2014-07-01 View, Inc. Electrochromic devices
US10156762B2 (en) 2009-03-31 2018-12-18 View, Inc. Counter electrode for electrochromic devices
US9261751B2 (en) 2010-04-30 2016-02-16 View, Inc. Electrochromic devices
US12043890B2 (en) 2009-03-31 2024-07-23 View, Inc. Electrochromic devices
US10261381B2 (en) 2009-03-31 2019-04-16 View, Inc. Fabrication of low defectivity electrochromic devices
US10591795B2 (en) 2009-03-31 2020-03-17 View, Inc. Counter electrode for electrochromic devices
US8582193B2 (en) 2010-04-30 2013-11-12 View, Inc. Electrochromic devices
US10852613B2 (en) 2009-03-31 2020-12-01 View, Inc. Counter electrode material for electrochromic devices
WO2016085764A1 (en) 2014-11-26 2016-06-02 View, Inc. Counter electrode for electrochromic devices
US8300298B2 (en) 2010-04-30 2012-10-30 Soladigm, Inc. Electrochromic devices
US8432603B2 (en) 2009-03-31 2013-04-30 View, Inc. Electrochromic devices
US8764951B2 (en) 2010-04-30 2014-07-01 View, Inc. Electrochromic devices
US8333843B2 (en) * 2009-04-16 2012-12-18 Applied Materials, Inc. Process to remove metal contamination on a glass substrate
US20100269853A1 (en) * 2009-04-27 2010-10-28 Applied Materials, Inc. Debris-extraction exhaust system
US8418418B2 (en) 2009-04-29 2013-04-16 3Form, Inc. Architectural panels with organic photovoltaic interlayers and methods of forming the same
DE102009020365A1 (de) 2009-05-07 2010-11-11 Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtsolarzellenmodulen mit einer vorbestimmten Transparenz
US20100294352A1 (en) * 2009-05-20 2010-11-25 Uma Srinivasan Metal patterning for electrically conductive structures based on alloy formation
US20100294349A1 (en) * 2009-05-20 2010-11-25 Uma Srinivasan Back contact solar cells with effective and efficient designs and corresponding patterning processes
US8706288B2 (en) * 2009-05-21 2014-04-22 Electro Scientific Industries, Inc. Apparatus and method for non-contact sensing of transparent articles
US20100314367A1 (en) * 2009-06-12 2010-12-16 Applied Materials, Inc. Methods and systems for laser-scribed line alignment
DE102009031233A1 (de) 2009-06-26 2010-12-30 Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh Vorrichtung zur Strukturierung von Dünnschichtsolarzellenmodulen mittels Laser
US20100330711A1 (en) * 2009-06-26 2010-12-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for inspecting scribes in solar modules
US20110008947A1 (en) * 2009-07-13 2011-01-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for performing multifunction laser processes
US20110005458A1 (en) * 2009-07-13 2011-01-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improving scribe accuracy in solar cell modules
US20110198322A1 (en) * 2009-08-06 2011-08-18 Applied Materials, Inc. In-line metrology methods and systems for solar cell fabrication
DE112010003736T5 (de) * 2009-08-06 2013-02-28 Applied Materials, Inc. Ritzen von quer verlaufenden ISO-Linien, verknüpfen, und vereinfachte Laser- und Scannersteuerungen
KR20120061865A (ko) * 2009-08-06 2012-06-13 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 향상된 수율을 갖는 박막 레이저 스크라이빙을 위한 방법들 및 관련 시스템들
US20110132884A1 (en) * 2009-08-06 2011-06-09 Applied Materials, Inc. Laser modules and processes for thin film solar panel laser scribing
US8932510B2 (en) * 2009-08-28 2015-01-13 Corning Incorporated Methods for laser cutting glass substrates
KR101094284B1 (ko) * 2009-09-02 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법
US20110065227A1 (en) * 2009-09-15 2011-03-17 Applied Materials, Inc. Common laser module for a photovoltaic production line
KR101144570B1 (ko) * 2009-09-30 2012-05-11 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
WO2011043734A1 (en) * 2009-10-07 2011-04-14 Manufacturing Integration Technology Ltd Laser scribing of thin-film solar cell panel
GB2474665B (en) 2009-10-22 2011-10-12 M Solv Ltd Method and apparatus for dividing thin film device into separate cells
US8865569B2 (en) 2009-10-22 2014-10-21 M-Solv Ltd. Method and apparatus for dividing thin film device into separate cells
US20110139755A1 (en) * 2009-11-03 2011-06-16 Applied Materials, Inc. Multi-wavelength laser-scribing tool
US8946590B2 (en) 2009-11-30 2015-02-03 Corning Incorporated Methods for laser scribing and separating glass substrates
US11314139B2 (en) 2009-12-22 2022-04-26 View, Inc. Self-contained EC IGU
US10303035B2 (en) 2009-12-22 2019-05-28 View, Inc. Self-contained EC IGU
US20110155707A1 (en) * 2009-12-31 2011-06-30 Du Pont Apollo Limited Laser scribing apparatus and process for solar panel
US9759975B2 (en) 2010-04-30 2017-09-12 View, Inc. Electrochromic devices
CN102906875B (zh) 2010-05-28 2015-07-22 弗立泽姆公司 用于带有点状互连和通孔的薄膜模块的方法和设备
US8247682B2 (en) * 2010-06-29 2012-08-21 Primestar Solar, Inc. Metallic gridlines as front contacts of a cadmium telluride based thin film photovoltaic device
DE202010013161U1 (de) 2010-07-08 2011-03-31 Oerlikon Solar Ag, Trübbach Laserbearbeitung mit mehreren Strahlen und dafür geeigneter Laseroptikkopf
US20120021536A1 (en) * 2010-07-23 2012-01-26 Primestar Solar, Inc. Method and system for application of an insulating dielectric material to photovoltaic module substrates
US8720228B2 (en) 2010-08-31 2014-05-13 Corning Incorporated Methods of separating strengthened glass substrates
US20120074109A1 (en) * 2010-09-29 2012-03-29 General Electric Company Method and system for scribing a multilayer panel
CN102544197B (zh) * 2010-10-12 2015-08-05 上方能源技术(杭州)有限公司 薄膜太阳能电池的划线方法及其设备
US8164818B2 (en) 2010-11-08 2012-04-24 Soladigm, Inc. Electrochromic window fabrication methods
US9958750B2 (en) 2010-11-08 2018-05-01 View, Inc. Electrochromic window fabrication methods
CN112731720A (zh) 2010-12-08 2021-04-30 唯景公司 绝缘玻璃装置的改良隔板
US8643933B2 (en) 2011-12-14 2014-02-04 View, Inc. Connectors for smart windows
US9442339B2 (en) 2010-12-08 2016-09-13 View, Inc. Spacers and connectors for insulated glass units
US10180606B2 (en) 2010-12-08 2019-01-15 View, Inc. Connectors for smart windows
US8912083B2 (en) 2011-01-31 2014-12-16 Nanogram Corporation Silicon substrates with doped surface contacts formed from doped silicon inks and corresponding processes
DE102011000673A1 (de) 2011-02-11 2012-08-16 Lpkf Laser & Electronics Ag Vorrichtung und Verfahren zum Einbringen von Ausnehmungen in ein Substrat mittels Laserstrahlen
US9454055B2 (en) 2011-03-16 2016-09-27 View, Inc. Multipurpose controller for multistate windows
US10429712B2 (en) 2012-04-20 2019-10-01 View, Inc. Angled bus bar
US10175549B2 (en) 2011-03-16 2019-01-08 View, Inc. Connectors for smart windows
US8207009B2 (en) * 2011-04-19 2012-06-26 Primestar Solar, Inc. Methods of temporally varying the laser intensity during scribing a photovoltaic device
GB2492971B (en) 2011-07-15 2013-09-18 M Solv Ltd Method and apparatus for dividing thin film device into separate cells
CN102299209B (zh) * 2011-09-13 2013-04-10 上海太阳能电池研究与发展中心 集成薄膜太阳能电池组件的制备方法
TW201334118A (zh) * 2011-11-16 2013-08-16 Applied Materials Inc 雷射劃線系統、設備及方法
US8677783B2 (en) 2011-11-28 2014-03-25 Corning Incorporated Method for low energy separation of a glass ribbon
US8377737B1 (en) 2011-11-30 2013-02-19 Primestar Solar, Inc. Methods of short wavelength laser scribing of a thin film photovoltaic device
US10739658B2 (en) 2011-12-12 2020-08-11 View, Inc. Electrochromic laminates
US10606142B2 (en) 2011-12-12 2020-03-31 View, Inc. Thin-film devices and fabrication
US11048137B2 (en) 2011-12-12 2021-06-29 View, Inc. Thin-film devices and fabrication
EP3919974A1 (en) 2011-12-12 2021-12-08 View, Inc. Thin-film devices and fabrication
US11719039B2 (en) 2011-12-14 2023-08-08 View, Inc. Connectors for smart windows
JP2013143563A (ja) 2012-01-10 2013-07-22 Hzo Inc 内部耐水性被覆を備える電子デバイスを組み立てるためのシステム
US11635666B2 (en) 2012-03-13 2023-04-25 View, Inc Methods of controlling multi-zone tintable windows
US9341912B2 (en) 2012-03-13 2016-05-17 View, Inc. Multi-zone EC windows
WO2013142858A1 (en) * 2012-03-23 2013-09-26 Hzo, Inc. Apparatuses, systems and methods for applying protective coatings to electronic device assemblies
US11255120B2 (en) 2012-05-25 2022-02-22 View, Inc. Tester and electrical connectors for insulated glass units
US9938180B2 (en) 2012-06-05 2018-04-10 Corning Incorporated Methods of cutting glass using a laser
EP2888427B1 (en) 2012-08-23 2021-02-17 View, Inc. Photonic-powered electrochromic (ec) devices
US9610653B2 (en) 2012-09-21 2017-04-04 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for separation of workpieces and articles produced thereby
CN103121365B (zh) * 2012-12-20 2014-02-12 苏州菱欧自动化设备有限公司 激光刻印装置
TWI555599B (zh) * 2013-02-25 2016-11-01 先進科技新加坡有限公司 在雷射劃刻裝置中執行光束特徵化之方法，及可執行此方法之雷射劃刻裝置
RU2019101249A (ru) 2013-06-18 2019-03-05 Вью, Инк. Электрохромные устройства непрямоугольных форм
WO2015114498A1 (en) 2014-01-31 2015-08-06 Flisom Ag Method for thin-film via segments in photovoltaic device
US11891327B2 (en) 2014-05-02 2024-02-06 View, Inc. Fabrication of low defectivity electrochromic devices
GB2527553B (en) 2014-06-25 2017-08-23 Fianium Ltd Laser processing
EP3677962B1 (en) 2014-09-05 2021-11-10 View, Inc. Integrated deposition system and method for fabricating an electrochromic stack
US9899546B2 (en) 2014-12-05 2018-02-20 Tesla, Inc. Photovoltaic cells with electrodes adapted to house conductive paste
US20160172243A1 (en) * 2014-12-11 2016-06-16 Nxp B.V. Wafer material removal
US10975612B2 (en) 2014-12-15 2021-04-13 View, Inc. Seals for electrochromic windows
JP6526200B2 (ja) * 2014-12-18 2019-06-05 サン−ゴバン グラス フランスＳａｉｎｔ−Ｇｏｂａｉｎ Ｇｌａｓｓ Ｆｒａｎｃｅ 防食処理された機能性コーティングを備えた複層板材の製造方法
NL2014040B1 (en) * 2014-12-23 2016-10-12 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Method of making a curent collecting grid for solar cells.
ITUB20152328A1 (it) * 2015-07-20 2017-01-20 Tapematic Spa Metodo e macchina per la decorazione di oggetti di piccole dimensioni e prodotto ottenibile
WO2018152249A1 (en) 2017-02-16 2018-08-23 View, Inc. Solar power dynamic glass for heating and cooling buildings
FR3105044B1 (fr) * 2019-12-20 2022-08-12 Saint Gobain Dispositif de traitement d’un substrat
WO2021165064A1 (en) 2020-02-18 2021-08-26 Agc Glass Europe Apparatus for removing at least one portion of at least one coating system presenting a multi-glazed window and associated method
JP7425966B2 (ja) * 2020-03-12 2024-02-01 日本電気硝子株式会社 ガラス板の製造方法及びその製造装置
US20230173617A1 (en) 2020-05-26 2023-06-08 Agc Glass Europe Apparatus and method for removing at least one portion of at least one coating system present in a multi-glazed window mounted on a stationary or mobile object
WO2021239603A1 (en) 2020-05-26 2021-12-02 Agc Glass Europe Apparatus and method for removing at least one portion of at least one coating system present in a multi-glazed window mounted on a stationary or mobile object
EP4251362A2 (en) 2020-11-30 2023-10-04 AGC Glass Europe Laser apparatus comprising a closing means and associated method and use
US20230415275A1 (en) 2020-11-30 2023-12-28 Agc Glass Europe Decoating apparatus and associated method to decoat at least partially a portion of a coating system presents on a surface of a window mounted in situ
EP4251364A2 (en) 2020-11-30 2023-10-04 AGC Glass Europe Method of calibrating a focal point of a laser apparatus mounted on a window mounted in situ
US20240001483A1 (en) 2020-11-30 2024-01-04 Agc Glass Europe Laser apparatus mounted on a window mounted in situ comprising a skirt and associated method and use
CN112768556A (zh) * 2020-12-31 2021-05-07 中国建材国际工程集团有限公司 一种CdTe太阳电池的制作工艺
WO2024115699A1 (en) 2022-12-02 2024-06-06 Agc Glass Europe Apparatus and associated methods for removing at least one portion of at least one coating system present in a multi-glazed window mounted on a stationary or mobile object

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4292092A (en) 1980-06-02 1981-09-29 Rca Corporation Laser processing technique for fabricating series-connected and tandem junction series-connected solar cells into a solar battery
US4645547A (en) * 1982-10-20 1987-02-24 Westinghouse Electric Corp. Loss ferromagnetic materials and methods of improvement
US4535218A (en) * 1982-10-20 1985-08-13 Westinghouse Electric Corp. Laser scribing apparatus and process for using
JPS59107579A (ja) * 1982-12-11 1984-06-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置の作製方法
JPS6018973A (ja) * 1983-07-13 1985-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換半導体装置
US4594471A (en) 1983-07-13 1986-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device
US4568409A (en) 1983-11-17 1986-02-04 Chronar Corp. Precision marking of layers
US4598039A (en) * 1984-07-02 1986-07-01 At&T Bell Laboratories Formation of features in optical material
JPS61263172A (ja) 1985-05-16 1986-11-21 Fuji Electric Co Ltd 薄膜太陽電池の製造方法
JPS6240986A (ja) * 1985-08-20 1987-02-21 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd レ−ザ−加工方法
US4752455A (en) * 1986-05-27 1988-06-21 Kms Fusion, Inc. Pulsed laser microfabrication
US4705698A (en) * 1986-10-27 1987-11-10 Chronar Corporation Isolation of semiconductor contacts
US4892592A (en) 1987-03-26 1990-01-09 Solarex Corporation Thin film semiconductor solar cell array and method of making
US4929092A (en) * 1987-06-12 1990-05-29 Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha Resistance temperature detector
US4854974A (en) 1987-06-29 1989-08-08 Solarex Corporation Electrical contacts for a thin-film semiconductor device
JP2587972B2 (ja) * 1988-01-06 1997-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜構造
CA2024662A1 (en) 1989-09-08 1991-03-09 Robert Oswald Monolithic series and parallel connected photovoltaic module
ATE97049T1 (de) * 1990-04-23 1993-11-15 Bystronic Laser Ag Verfahren und anlage zum schneiden von flachmaterial.
DE4034089A1 (de) * 1990-10-26 1992-04-30 Pierburg Gmbh Verfahren zur steuerung eines elektropneumatischen stellers
DE59103714D1 (de) 1991-10-07 1995-01-12 Siemens Ag Laserbearbeitungsverfahren für einen Dünnschichtaufbau.
US5248349A (en) 1992-05-12 1993-09-28 Solar Cells, Inc. Process for making photovoltaic devices and resultant product
JP3165304B2 (ja) * 1992-12-04 2001-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法及び半導体処理装置
CN100367461C (zh) * 1993-11-05 2008-02-06 株式会社半导体能源研究所 一种制造薄膜晶体管和电子器件的方法
US5658474A (en) * 1994-12-16 1997-08-19 Alza Corporation Method and apparatus for forming dispenser delivery ports
JP3510740B2 (ja) 1996-08-26 2004-03-29 シャープ株式会社 集積型薄膜太陽電池の製造方法
US5934163A (en) 1997-01-14 1999-08-10 Vorum Research Corporation Carving blank and mandrel for mounting same in a carving machine
US6037241A (en) 1998-02-19 2000-03-14 First Solar, Llc Apparatus and method for depositing a semiconductor material
JP2000052071A (ja) * 1998-08-04 2000-02-22 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ光を用いた薄膜除去方法
JP2000208798A (ja) * 1999-01-13 2000-07-28 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 薄膜構成体の加工方法
US6420675B1 (en) * 1999-10-08 2002-07-16 Nanovia, Lp Control system for ablating high-density array of vias or indentation in surface of object
US6300593B1 (en) * 1999-12-07 2001-10-09 First Solar, Llc Apparatus and method for laser scribing a coated substrate
US7157038B2 (en) * 2000-09-20 2007-01-02 Electro Scientific Industries, Inc. Ultraviolet laser ablative patterning of microstructures in semiconductors

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI456780B (zh) * 2006-11-08 2014-10-11 Tel Solar Ag 對準太陽板刻劃之雷射光束之方法與裝置
TWI497741B (zh) * 2009-09-22 2015-08-21 First Solar Inc 用以自基板之邊緣移除塗層之系統及方法
TWI513016B (zh) * 2009-09-22 2015-12-11 First Solar Inc 用以自基板之邊緣追蹤與移除塗層之系統及方法
TWI560017B (en) * 2010-09-25 2016-12-01 M Solv Ltd Method and apparatus for dividing thin film device into separate cells
CN109507810A (zh) * 2017-09-14 2019-03-22 达洛斯创造公司 对眼镜镜片部分镀银的新方法及由该方法得到的镜片

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