TW571117B - Observation device, ultraviolet microscope and observation method - Google Patents

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TW571117B
TW571117B TW091108228A TW91108228A TW571117B TW 571117 B TW571117 B TW 571117B TW 091108228 A TW091108228 A TW 091108228A TW 91108228 A TW91108228 A TW 91108228A TW 571117 B TW571117 B TW 571117B
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ultraviolet
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ultraviolet light
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TW091108228A
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Atsushi Tsurumune
Jiro Mizuno
Shinichi Ito
Riichiro Takahashi
Tatsuhiko Ema
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Nikon Corp
Toshiba Corp
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    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B21/00Microscopes
    • G02B21/16Microscopes adapted for ultraviolet illumination ; Fluorescence microscopes

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Description

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五、發明説明(1 ) 2001年4月27曰提出申請的日本第200 ^^2239號,申請 案的所有内容在此併入當成參考。 發明背景 1 .發明的技術領域 本發明係關於利用紫外區域或深紫外區域之光觀察標本 之觀察裝置、紫外線顯微鏡及觀察方法。 2 .相關技術 以往,已知有利用紫外區域或深紫外區域之光(波長356 =n、266 nm、248 nm等光線總稱「紫外光」)觀察標本之 紫外線顯微鏡存在。紫外線顯微鏡因具有比利用可見光之 光學顯微鏡更高之分解能力,故在邁向微細化之領域上, 已逐漸被廣泛利用之中。 而在半導骨豆領域上’隨著半導體元件之高積體化,晶圓 上之圖案的微細化已有顯著的進展。近年來,圖案線寬已 達0.U轉〜〇.24_程度。如此微細化之圖案,無法利用可 見光〈光學顯微鏡加以觀察,因&,在半導體領域上,已 在檢討使用紫外線顯微鏡。 典然而’以往之紫外線顯微鏡與利用可見光之_般性的光 子顯微鏡-樣,係在空氣中觀察標本,故如圖9所示,存 ,物鏡92間之空氣93中之氧會因紫外光^而 臭氧之一部分變成氧等離子體(活性氧) 而對私本91表面造成傷害(損傷)。 導體製程所用之光阻材料圖案形成於晶圓上 本情形’光阻材料圖案表面會时氣93中之氧等 -5- 571117 A7
離子體(活性氧)而變得容易剝離。也 圖案表面,因氣菩離子俨r、车杜尤I且材科 、, S乳寺離子組(活性氧)而進行光阻材料分子之 为解作用,低分子化之輕的弁 ^ 尤阻材枓刀子會與空氣93中之 乳、、^ 5而蒸發散失掉。 再者’紫外線顯微鏡之紫外氺T e , 糸外九Luv波長接近於光阻材 圖案形成時之曝光波長(近年來之主流波長為248 nm)y 利用紫外光Luv觀料,會再度地將光阻材料圖案曝光, 故在照射紫外光Luv之部位,會進行光阻材料分子之分解 作用,而受到與上述相同之傷害。 發明概述 …本發明《目的以提供可減^紫外光觀I時之標本傷害 之觀察裝置、紫外線顯微鏡及觀察方法。 [對應於申請專利範圍第1項] 本發明利用紫外光觀察標本之紫外光觀察裝置包含在利 用紫外光之觀察中,供應惰性氣體至標本週邊之氣體供應 裝置。[對應於中請專利範圍第18項]在此紫外光觀察^ 中’進-步包含控制氣體供應裝置供應惰性氣體之時間之 時間控制裝置’時間控制裝置最好採用可控制氣體供應裝 置,以便在利用紫外光觀察標本前,可預備性地供應惰性 氣體’並至少在利用紫外光之觀察中,可正式地供應惰性 氣體之時間控制裝置。 [對應於申請專利範圍第2項] 本發明之紫外線顯微鏡包含利用紫外光觀察標本之紫外 光觀察裝置、與在利用紫外光之觀察中,供應惰性氣體至 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 571117
標本週邊之氣體供應裝置。 [對應於申請專利範圍第3項] 在此’、外光觀察裝置中,進一步包含控制氣體供應裝置 供應惰性氣體之供應時間之時間控制裝置,時間控制裝置 最好採用可控制氣體供應裝置,以便在利用紫外光觀察標 本削 了預備性地供應惰性氣體,並至少在利用紫外光之 觀察中,可正式地供應惰性氣體之時間控制裝置。[對應 於申請專利範圍第4項]此時,時間控制裝置最好採用可在 利用紫外光進行觀察之準備中,預備性地供應惰性氣體之 時間控制裝置。[對應於申請專利範圍第5項]另外,時間 控制裝置最好採用可在利用紫外光進行觀察之準備完畢 時’正式地開始供應惰性氣體之時間控制裝置。 [對應於申請專利範圍第6項] 時間控制裝置最好採用在利用紫外光進行觀察之動作完 畢時,可停止惰性氣體之正式地供應之時間控制裝置。 [對應於申請專利範圍第7項] 另外,進一步包含利用可見光觀察標本之可見光觀察裝 置,且時間控制裝置最好採用可在利用可見光進行觀察之 動作完畢時起至利用紫外光進行觀察之動作開始為止之期 間’預備性地供應惰性氣體之時間控制裝置。 [對應於申請專利範圍第8項] 氣體供應裝置包含控制氣體供應裝置所供應之惰性氣體 之流量之流量控制裝置,流量控制裝置最好採用可對應於 氣體供應裝置正式地開始供應惰性氣體之時間,而增加惰 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 571117 五、發明説明( A7 B7
性氣體之流量之流量控制裝置。[對應於申請專利範圍第9 項]此時,包含記憶裝置,其係可事先記憶有關氣體供應 裝置所供應之惰性氣體之流量之設定值者,且流量控制裝 置最好採用可依據記憶裝置所記憶之設定值,控制惰性氣 體之流量之流量控制裝置。[對應於申請專利範圍第1〇項] 另外,氣體供應裝置包含檢出裝置,其係可檢出氣體供應 裝置所供應之.惰性氣體之流量者,且流量控制裝置最好^ 用可調整惰性氣體之流量,使檢出裝置之檢出值與記憶裝 置所記憶之設定值一致之流量控制裝置。[對應於申請專 利範圍第11項]另外,最好進一步包含警告裝置,在檢出 裝置之檢出值在特定之臨限值以下時,可對外部發出警 告。[對應於申請專利範圍第12項]另外,警告裝置最好採 用在氣體供應裝置正式地供應惰性氣體之期間中,檢出2 在臨限值以下時,可停止利用紫外光觀察標本之警告 tp? 今 置。 [對應於申請專利範圍第13項] 惰性氣體最好係氮氣。[對應於申請專利範圍第14項] 又,惰性氣體最好係可抑制塗敷於標本表面之光阻材料之 低分子化之氣體。 & [對應於申請專利範圍第15項] 紫外光觀察裝置包含物鏡,且氣體供應裝置最好採用可 將h性軋體供應至標本與物鏡之間之氣體供應裝置。 [對應於申請專利範圍第16項] 紫外光觀察裝置包含快門裝置,可利用機械方式切斷紫
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卜光且决門裝置最好採用在利用紫外光之觀察中以外, 可切斷糸外光對標本之照射之快門裝置。 [對應於申請專利範圍第17項] 此另外一步包含自動對焦裝置,其係用於自動地施行 糸外光觀祭裝置〈焦點調節者,1自動對焦裝置最好採用 在利用紫外光之觀察前,可使用異於紫外光之自動對焦用 光線施行自動對焦之自動對焦裝置。 [對應於申請專利範圍第丨9項] 、本發明之標本觀察方法係採用將惰性氣體供應至標本週 邊,利用紫外光而以顯微鏡觀察標本之方法。 [對應於申請專利範圍第20項] ^此^本觀察方法中’可在利用紫外光而以顯微鏡觀察 e l則,預備性地供應惰性氣體至標本週邊,在利用紫 外光而以顯微鏡觀察標本時,正式地供應惰性氣體至標本 圖式之簡單說明 圖1係表示紫外線顯微鏡10全體之構成圖。 圖2係表示紫外線顯微鏡i 〇之觀察動作之步驟之流程 〇 圖3係表示紫外綠顯微鏡1〇之觀察動作之步驟之流程 〇 圖4係表示氮氣供應部之另一構成例之圖。 圖5A、5B係表示氮氣供應部之另一構成例之圖。 圖6係有關光阻材料圖案之尺寸變化之實驗結果。 -9-
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圖7係有關非曝光部之^社垃 尤阻材枓膜厚變化之實驗結果。 圖8係有關RIE(異方性論早‘古丨、+ 「離予蝕刻)處理後之尺寸變化之實 驗結果。 圖9係用於說明本發明之課題之圖。 較佳具體實施例之說明 以下,利用圖式詳細說明本發明之實施形態。 本貫施形愍之紫外線顯微鏡1〇如圖丨所示,係由保持標 本11,同,時可向xy方向移動之台面12、利用紫外光觀察標 本ill紫外光觀察部(21〜26)、利用可見光觀察標本η之可 見光觀祭部(31〜37)、切斷紫外光或可見光之快門部 (41〜43)、氮氣供應部(51〜57)、自動對焦部(61〜67)、 CPU(中央處理部)13、記憶體14及操作部15所構成。 ’、外線顯微鏡10之觀察對象之標本丨丨例如係使用於半導 體製程而形成有光阻材料圖案之半導體晶圓。詳細情形在 後面再加以說明。本實施形態之紫外線顯微鏡丨〇適合應用 在形成於標本11之微細光阻材料圖案(線寬013#m〜024#m 程度)之高解像度觀察之裝置。 茲就紫外線顯微鏡10之構成加以具體說明。紫外光觀察 部(21〜26)係由射出紫外光之光源21、半反射鏡22、物鏡 23、二向色鏡24、CCD(電荷耦合裝置)攝影機25及監視器 26所構成。其中,半反射鏡22係用於使來自光源21之紫外 光在物鏡23侧反射,同時可使來自物鏡23之紫外光或可見 光透過。二向色鏡24可使來自半反射鏡22之紫外光向CCD 攝影機25侧反射,同時可使可見光透過。 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
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又,紫外光觀察部(21〜26)之光源21可使用水銀•氙氣 燈、水銀燈、UV(紫外線)雷射等紫外線光源。使用水銀· 氣氣燈或水銀燈作為光源21時,光源21與半反射鏡22之間 最好插設可取出紫外區域或深紫外區域之任意波長之波長 選擇濾光器。 物鏡23為紫外光觀察用物鏡,不僅對紫外光,連對自動 對焦用之光(紅外區域或遠紅外區域之光),也可補正色像 差。CCD攝影機25為對紫外區域或深紫外區域具有靈敏度 之紫外光用攝影裝置,其輸出端子經由CPU i3連接至監視 器26 〇 另一方面,紫外線顯微鏡1〇之可見光觀察部(31〜37)係 由射出可見光之光源3 1、半反射鏡32、物鏡33、紫外光阻 斷過濾器34、半反射鏡35、CCD攝影機36及監視器37所構 成。 其中,半反射鏡32係用於使來自光源3丨之可見光在物鏡 33側反射,同時可使來自物鏡33之紫外光或可見光透過。 紫外光阻斷過濾器34可使來自二向色鏡24之可見光透過, 同時阻斷由二向色鏡24漏出之紫外光。半反射鏡35可使來 自二向色鏡24之可見光透過CCD攝影機36,同時使其向目 叙(未予圖7F )侧反射。 又,可見光觀察部(31〜37)之光源31例如使用鹵素燈。 物鏡33為可見光觀察用物鏡,不僅對可見光,連對自動對 焦用 < 光(紅外區域或遠紅外區域之光),也可補正色像 差。CCD攝影機36為對可見光區域具有靈敏度之可見光用 -11-
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攝影裝置’其輸出端子連接至監視器37。 又,在圖i中雖僅顯示i面物鏡33,但在紫外線顯微鏡1〇 〈可見光觀察部(31,中其實準備著由低倍率至高倍率 之:數面物鏡33。以下,將多數面物鏡33中之低倍率物鏡 33稱為「低倍物鏡33」,將高倍率物鏡33稱為「高倍 33」。 另外,上述紫外光觀察部(21〜26)之物鏡23與可見光觀 察部(31〜37)之低倍物鏡33、高倍物鏡33係被裝定於未予圖 =之電動旋轉器上。因此,可依據電動旋轉器之轉動狀 怨,將紫外光觀察用之物鏡23、可見光觀察用之低倍物鏡 33、高倍物鏡33中之一個插入於觀察光路丨以上。 其/人,說明紫外線顯微鏡1〇之快門部(41〜43)。快門部 (41〜43)係利用可插入於紫外光觀察部21〜26之光源21與半 反射鏡22間(紫外照明光路4ia)之快門41、可插入於可見光 觀祭部(3 1〜37)之光源3 1之半反射鏡32間(可見照明光路42a) 之快門42、及開閉驅動該2個快門41、42之快門控制器43 所構成。 使快門41退離紫外照明光路41a(開放狀態)時,可將來自 光源21之紫外光引導至觀察光路1〇a。在紫外線顯微鏡1〇 中’可利用备、外光觀祭標本11。反之,將快門41插入紫外 照明光路4la(關閉狀態)時,來自光源21之紫外光被快門41 阻斷而不能被引導至觀察光路l〇a。 又,使快門42退離·可見照明光路42a(開放狀態)時,可將 來自光源31之可見光引導至觀察光路1〇a。在紫外線顯微 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)
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571117 A7 -------B7 五、發明説明(9 ) 鏡1 〇中,可利用可見光觀察標本11。反之,將快門42插入 可見照明光路42a(關閉狀態)時,來自光源31之可見光被快 門41阻斷而不能被引導至觀察光路1〇a。 洋細情形將在後面再加以敘述,快門控制器43可依據來 自CPU 13之控制訊號,開閉驅動快門41、42,利用紫外光 觀察標本11時,使快門41呈現開放狀態,使快門42呈現關 閉狀態。又,利用可見光觀察標本丨丨時,使快門41呈現關 閉狀態,使快門42呈現開放狀態。但利用紫外光觀察標本 11時’使快門41呈現開放狀態之時間係依照ccd攝影機25 之攝影時間(產生1幀圖像之時間)加以限制。 其次’說明紫外線顯微鏡1〇之氮氣供應部(51〜57)。氮 氣供應部(51〜57)係用於將氮氣供應於上述紫外光觀察用之 物鏡23與標本η之間隙。本實施形態之氮氣供應部(51〜57) 係由設有氮氣之導入口 51與排出口 52之氮氣淨化裝置53、 連接於氮氣之導入口 51之氮氣槽54、流量調整閥55、流量 傳感器56、連接於排出口 52之吸入裝置57所構成。 氮氣淨化裝置53為密閉之箱型盒子,用於收容上述物鏡 23、33、標本11與台面12。新鮮的氮氣常時由導入口 51導 入於氮氣淨化裝置53内部,而氮氣淨化裝置53内部之污濁 的氮氣則利用吸入裝置57由排出口 52排出。氮氣淨化裝置 53之氣金性只要可使氮氣能積存於標本1丨與物鏡23之間隙 之程度即可。 氮氣槽54可在對應於來自Cpu 13之控制訊號之時間(後 述)噴出氮氣。又,流量調整閥55係用於調整來自氮氣槽 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 571117 A7 B7 五、發明説明(1〇 ) 54之氮氣流量。流量調整閥55之調整量被CPU 13所控制。 流量傳感器56(檢出機構)檢出來自流量調整閥55之氮氣流 量,並將檢出值輸出至CPU 13。 其次,說明紫外線顯微鏡10之自動對焦部(61〜67)。自 動對焦部(61〜67)係由使台面12向上下(z)方向移動之z驅動 部61、射出紅外區域或遠紅外區域之光之LED(發光二極體) 光源62、隙縫63、半反射鏡64、65、二分割傳感器66、 AF(自動對焦)控制器67所構成。 此自動對焦部(61〜67)係利用由LED光源62射出而通過隙 缝63之AF(自動對焦)光,將隙缝影像投影在標本丨丨表面。 而在標本11所反射之隙缝狀之AF光則射入於二分割傳感 器66。隙缝狀之AF光射入於二分割傳感器66之位置係對應 於^本11之ζ方向之位置偏移量。 AF控制器67依據對應於由二分割傳感器66所輸出之標 本11之位置偏移量之訊號,控制ζ驅動部61,使台面12向ζ 方向移動。其結果,即可將標本丨丨定位於對焦位置。自動 對焦部(61〜67)係在對應於來自cplj 13之控制訊號之時間(詳 見後述)’執行上述AF動作,將標本11定位於對焦位置。 如上所述’在本實施形態之紫外線顯微鏡1〇中,Αρ光 之波長區域之色像差可在紫外光觀察用之物鏡23與可見光 觀察用之物鏡33雙方獲得補正。因此,不僅在利用可見光 觀察標本11時,連利用紫外光觀察標本^時,也可使自動 對焦部(61〜67)執行AF動作。 ':' 又’在紫外線顯微鏡1〇中,連接於“!^ 13之操作部15係 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)_A4規格(21〇 X 297公釐)
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571117 11 五、發明説明( 供操作者在指示開始觀察時、使台面12向^方向移動時、 及指示切換物鏡(23、33)時操作之機構。 另外,在紫外線顯微鏡1〇中,連接於cpu 13之記憶體 14(、口己隱裝置;)中記憶著可供最適當執行紫外光觀察之各種 設足條件(處方),處方係以檢查表之方式構成。在此處方 中,例如包含對應於紫外光觀察條件之氮氣流量值、氮氣 心賣附時間、氮氣濃度、紫外光觀察用之^⑶攝影機25之 攝影時間等等。 ’ CPU 13依據輸人於操作部15之指示或記憶於記憶體此 處万,執行後述之各種控制動作。cpui3對應於「時間控 制裝置」、「流量控制裝置」、「警告裝置」。 其/入,說明在上述所構成之紫外線顯微鏡1〇之標本Η觀 察動作。紫外線顯微鏡10之CPU 13接到由操作部15輸入之 開始觀察之指示時’依照圖2、圖3所示流程之步驟,執行 載置於台面12上之標本丨〗的觀察動作。在圖2、圖3中,同 時顯示紫外線顯微鏡Π)之觀察順序與氮氣供應順序。 紫外線顯微鏡10的觀察動作之概略情形如下:首先,利 :可見光觀察’特別選㈣本u中希望觀察之處(觀察對 象邵位)。接著,一面將氮氣供應於觀察對象部位之附 近’ 一面利用紫外光對觀察對象部位加以觀察。如此,在 ,用紫外光觀察之前’先利用可見光觀察,以鎖定觀察對 象邵位,故可縮短紫外光對標本u之照射時間。 —當紫外線顯微鏡之咖13接到來自操作部15之開始觀 祭<指示時,即控制紫外線顯微鏡10之各部,準備進行可 -15- 571117 五、發明説明(12 ) 見光觀察(步驟si)。具體而言,係使可見光觀察用低倍物 鏡33插入觀察光路10a,並點亮光源3〗,並控制快門控制 器43使快門42開放。 此時,來自光源3 1之可見光經半反射鏡32反射而被引導 至低倍物鏡33,以照明標本n。而後,經標本11反射之可 見光經由低倍物鏡33、半反射鏡32、65、22、二向色鏡24 與紫外光阻斷過濾器34而被引導至半反射鏡35,並向二方 向分射。 通過半反射鏡35之可見光射入於CCD攝影機36,在半反 射鏡35反射之可見光則到達目鏡(未予圖示)。另外, 攝影機36所攝下之可見光影像可在監視器37中顯示,以作 為標本11之可見光影像。因此,紫外線顯微鏡1〇之操作者 可經由監視器37或目鏡觀察標本可見光影像。 其次,當紫外線顯微鏡10<CPU 13接到來自操作部15之 移動台面12之指示時(步驟⑽「γ」時),使台面12向巧 方向移動(步驟S3)。其結果,標本n也向巧方向移動,並 更新操作者所觀察到之標本丨丨之可見光影像。在步驟Μ 中,未接到來自操作部15之移動台面12之指示時,不執行 步驟S3之處理,而進入其次之步騾§4。 在步驟S4中,CPU 13衫物鏡(23、33)之切換指示是否 ,輸入至操作部15’切換指示未被輸入時(在步驟“中選 N」時),不執行步驟S5〜S8之處理,而進入步驟s9。切 換指π有被輸入時(在步驟54中選「γ」時)所執行之步 S5〜S8容後再予敘述。 … 571117 五、發明説明(13 ,说在Θ時點’不切換物鏡(23、33),則保持著可見光 觀祭用之低倍物鏡33插人於觀察光路心之狀態。在步驟 S中—CPU 13fe制AF控制器67,使其執行動作,將標 本11,位於低倍物鏡33之對焦位置。因此,紫外線顯微鏡 10(知作者可經由監視器37或目^,以完全對焦狀態觀察 標本11之可見光影像。 其次,CPU 13判定在該時點,紫外光觀察用之物鏡奴 否已插入於觀祭光路1〇a(步驟sl〇)。而如果可見光觀察用 之物叙33已經插入於觀察光路1〇a時(步驟si〇中選「n」 時)’進入步驟sii,依據氮氣供應部(51〜57)之流量傳感器 5 6之檢出值判定有無氮氣流通。 I步驟s 11之判定之結果,顯示有氮氣流通時(步騾s工工 選「Y」時),進入步騾S12,控制氮氣槽54,停止氮氣流 通。然後,進入步騾S13。反之,無氮氣流通時(步驟sn 選「N」時),不執行步驟S12之處理,進入步驟S13。 又,經上述步驟S10之判定結果,紫外光觀察用之物鏡 23已插入於觀察光路10a時(步驟sl〇選「γ」時),執行圖3 之步騾S14〜S24之處理後,進入圖2之步驟S13,有關圖3之 步驟S14〜S24之情形,在後面再加以說明。 CPU 13在圖2之步驟S13中,判定紫外線顯微鏡10之觀察 動作是否要結束,不要結束時(步驟S13選「N」時),回到 步驟S2之處理。如此,可見光觀察用之低倍物鏡33已插入 於觀察光路10a時,CPU I3 —面反覆施行步驟S2〜S4、 S9〜S13之處理,一面用低倍物鏡33繼續施行可見光觀察 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 571117
(連續觀察)。在此期間,紫外線顯微鏡1〇之操作者可一 以元全對焦狀態觀察標本1 1之低倍率 移動台面12,並將標本咐意之範 加以定位。 ^ 而物鏡(23、33)之切換指示已被輸入至操作部15時(步驟 Μ選「Υ」時),CPU 13即進人步驟S5,判定該指示是否為 =可見光觀察用物鏡33切換為紫外光觀察用物鏡23之切換 在此,說明輸入至操作部15之指示為由可見光觀寧用之 低倍物鏡33切換為高倍物鏡33之切換指示之情形(步驟S5 選「N」時之情形)。此時,CPU 13不執行步驟s7之處 理而進入步驟S8,並將可見光觀察用高倍物鏡33插入觀疼 光路1 Oa。 τ 其後,CPU 13在可見光觀察用高倍物鏡33插入觀察光路 l〇a之狀態,一面反覆施行步騾S2〜S4、S9〜S13之處理,一 面繼續施行可見光觀察(連續觀察)。在此期間,紫外線顯 微鏡10之操作者可一面以完全對焦狀態觀察標本u之高倍 率之可見光影像,一面移動台面12,並特別選定標本丨1中 之任意之觀察對象部位,加以定位。 其次,說明利用紫外光觀察上述可見光觀察所鎖定之標 本11之觀察對象部位之情形。此時,因由可見光觀察用^ 鏡33切換為紫外光觀察用物鏡23之切換指示被輸入至操作 部15(步驟S4、S5選「Y」),於是,CPU 13進入步驟% , 開始紫外光觀察之準備。
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571117 A7 __________B7 五、發明説明(15 ) 也就是說,CPU 13控制氮氣槽54及流量調整闕55,開始 ^氣之預備供應茂備噴出、預備流通),㈣也開始吸入 裝置57之動作,藉以除去積存於標本丨丨之觀察對象部位附 近之不要的空氣。 另外’ CPU 13係在步驟S7中,控制快門控制器43,並關 閉快門42。其結果,來自光源31之可見光被快門42所阻 斷。其後’ CPU 13使紫外光用光源21點亮。但因在此時 點,快門仍關„,故紫外光不致於照射於標本u上。 ”人CPU 13使糸外光觀察用物鏡23插入於觀察光路 l〇a(步驟S8)。再控制AF控制器67,藉以將標本n之觀察 對象部位定位於紫外光觀察用物鏡23之對焦位置(步驟 S9)。 其後,因在該時點,紫外光觀察用物鏡23插入於觀察光 路l〇a(步驟SH)選「Y」),故_ 13執行圖3之步驟 S14〜S24之處理。 在步驟S14中,CPU 13讀入記憶於記憶體14之處方(紫外 光觀察用之各種設定條件),然後,依據所讀入之處方中 所含氮氣之流量值,控制流量調整閥55(步驟S15),開始 施行氮氣之正式供應(正式流通)(步驟S16)。正式流通時之 氮氣之流量大於預備流通時之流量。 此時,在紫外光觀察之準備期間(圖2之步驟S6〜sl〇、圖 3之步驟S14、S 15)中,因持續地施行氮氣之預備流通,故 在該時點(實際上係在紫外光觀察開始之前),紫外光觀察 用之物鏡23與標本U之間隙之空氣幾乎完全被除去。 -19-
571117 A7 B7 五、發明説明(16 因此,在上述步驟S 16中,開始施行氮氣之正式供應 時,可在短時間增加至必要之流量值。其結果,紫外光觀 祭用之物鏡23與標本11之間隙在紫外光觀察開始之前,實 際上已填滿充分之氮氣。 其次,CPU 13在步驟S17,依據流量傳感器56之檢出 值,判定氮氣之正式流通是否正常,並依據步驟s 17之判 定結果,在氮氣流通正常時(步驟S17選「γ」時),進入步 驟S18,使紫外照明光路4U上之快門41退離(開放狀態), 藉以實際地開始紫外光觀察。 此時,來自光源21之紫外光經半反射鏡22反射,並透過 半反射鏡65、32,被引導至紫外光觀察用物鏡u,以照明 標本11之觀察對象部位。而在標本u之觀察對象部位反射
之紫外光則經紫外光觀察用物鏡23與半反射鏡32、65、U 被引導至二向色鏡24,利用在此反射,入射於ccd攝影機 25。 又,CCD攝影機25所攝影之紫外光像被顯示於監視器 26,以作為標本丨丨之觀察對象部位之紫外光影像。:此 紫外線顯微鏡10之操作者可經由監視器26 ,以完全對焦狀 態,觀察標本11之觀察對象部位之紫外光像。 w 如上所述,物鏡23與標本11之間隙已填滿充分之氮氣, 2氣(含氧氣)幾乎不存在。故紫外光照射標本〖丨時,物鏡 23與標本11之間隙,幾乎不產生臭氧或活性氧,從而可確 實減輕標本11之觀察對象部位之傷害。 又,在標本11之觀察對象部位形成微細之光阻材料圖案 -20-
571117 A7 B7 五、發明説明(17 ) 時,如果照射“本11之紫外光波長接近於光阻材料圖案形 成時之曝光波長,在光阻材料圖案之表面,有時會進行= 阻材料分子之分解作用。 但在本實施形態之紫外線顯微鏡10中,紫外井顴臾 物鏡23與標本η之間隙已填滿充分之氮氣= 輕 光阻材料分子不會蒸發散失掉而會再度與標本丨丨内之光阻 材料分子結合。也就是說,可抑制光阻材料圖案表面之光 阻材料分子之低分子化。因此,可確實減輕標本η之觀察 對象部位(微細之光阻材料圖案)之傷害。 當CPU 13在步驟S18,開放紫外照明光路41a上之快門41 時,即進入步驟S19,以判定是否要取入標本丨丨之觀察對 象部位之丨個紫外光影像(單次觀察)。此判定係依據步驟 S14所讀入之處方内容進行。 步驟S19之判定結果,認為需施行單次觀察時(步驟si9 選「Y」時),在開始計時之同時,開始產生CCD攝影機25 <幀影像。然後,進入步驟S20,並待機至處方中所含之 CCD攝影機25之攝影時間為止。此即所謂利用電子快門拍 攝標本11。 sCCD攝影機25之攝影時間經過時(步驟S2〇選「丫」 時),CPU 13即進入步驟S21,使記憶體14記憶ccd攝影機 25所攝影之紫外光像,以作為標本u之觀察對象部位之紫 外光影像(觀察影像)。 當CCD攝影機25之攝影結束時,cpu 13關閉快門^,結 束紫外光之單次觀察(步騾S22),停止氮氣之正式流通(步 -21-
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驟S23)後,進入圖, 、七w — 圈2又步驟S13。在步驟S13中,如上 .^ 疋否要結束,不要結束時(步騾S13選「N」 時),返回步驟S2之處理。 / PU 13在糸外光觀察用之物3入 心之狀態下,-面反覆施行圖2之步驟一心路 圖Γ/去驟S14〜S23、S13之處理,一面使紫外線顯微鏡10 4作者可用紫外光繼續施行單次觀察。此時,紫外線顯 微鏡心操作者可依次取人有關上述可見光觀察所鎖定之 觀祭對象部位週邊之觀察影像。 又、’在上述步驟S17之判定結果,流量傳感器56之檢出 值低於特足之臨限值時(步驟Sl7選「N」時),CPU 13進入 步驟S24,通知操作者,向其警告氮氣之正式流通已檢出 異常。警告係利用聲音(警告聲)或顯示方式。㈣,進入 步驟S23 ’停止氮氣之正式流通。 又,不施行紫外光之單次觀察(步驟S19選「N」)時, CPU 13不執行步騾S2〇〜S23之處理,而進入圖2之步驟 S 13 1其後,在紫外光觀察用之物鏡23插入於觀察光路 之狀態下,利用反覆施行步驟S2〜S4、S9、S10、 S14〜S19、S13之處理,使紫外線顯微鏡1〇之操作者可用紫 外光連續觀察。即使在連續觀察之中,也可依照步騾S14 所讀入之處方内容,改變氮氣之正式流通時之流量。 另外,在紫外光觀察(單次觀察或連續觀察)之後,要再 施行可見光觀察時,可將由紫外光觀察用物鏡23切換為可 •22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 五、發明説明(19 ) 見光觀察用物鏡33之切換指示輸入至操作部15(步驟以選 「Y」’步驟S5選「N」),故CPU13進入步㈣,開始施 行可見光觀察之準備。也就是說,使可見光觀察用物料 插入觀察光路10a(步驟S8),同時開放可見照明光路42a上 之快門42。 其後’ CPU 13在可見光觀察用之物鏡33插入觀察光路 l〇a之狀態,一面反覆施行步驟S2〜S4、S9〜si3之處理,一 面繼續施行可見光觀察(連續觀察)。而如果上述紫外光之 連續觀察時所供應之氮氣尚未停止時(步驟su選「Y」) 時’可在步驟S12中停止氮氣之供應。 如以上所述’本實施形態之紫外線顯微鏡ig在紫外光昭 射標本_ ’物鏡23與標本Η之間隙已填滿充分之氮氣’,、 2¾ (含乳氣)幾乎不存在。故物鏡23與標本^之間隙,幾 乎不產生臭氧或活性氧,從而可確實減輕標本 象部位之傷害。 规'T、對 又,標本U之觀察對象部位形成微細之光阻材料圖案 時’也可抑制光阻材料圖案表面之綠材料分子之分解作 錄分子化)。因此,可確實減輕標本此觀察對象部位 (微細 < 光阻材料圖案)之傷害。 ^而,可在標本η上曝光成型之微細之光阻材料圖案 (線見0.13 _〜〇.24_程度)尺寸幾乎毫無改變之情況下, 施=形狀之觀察及尺寸測定。也就是說,本實 U外線顯微鏡1〇確屬最適合於標本η上微細之光阻材料 圖案《南解像度觀察之裝置。 571117
又’本實施形態之紫外線顯微鏡1 〇由於氮氣供應順序適 口於觀祭順序,故可毫無浪費地有效施行對標本1 1之氮氣 供應。再者,本實施形態之紫外線顯微鏡1〇由於係在施行 鼠氣之預備流通後,再施行正式流通,故可在短時間内增 加至所需之流量值,並可在氮氣之正式流通開始後,立即 開始進行紫外光觀察。 本只知形態之紫外線顯微鏡1 〇由於在紫外照明光路 叹置快門41,在紫外光觀察用之CCD攝影機25取入^幀 〜像之際’可在最低限度之必要的攝影時間内,開啟快門 41而在CCD攝影機25攝影完後立即關閉快門41,故可避 免不必要地長時間對標本U照射紫外光。其結果,即可抑 制紫外光對標本11之傷害。 乂 , 尽貫施形怨之紫外線顯微鏡10由於在利用紫外區域 或深紫外區域之AF光施行對焦後,t開啟快門41,故可 避免不必要地長時間對標本u照射紫外光。其結果,即可 抑制紫外光對標本11之傷害。 一又、,本A施形怨I紫外線顯微鏡1()由於在利用可見光觀 祭:鎖,,觀察對象部位之後,再施行該觀察對象 部位之|外光觀察,故可避务 避免不必要地長時間對標本11照 射糸外光。其結果,即可抑制聲 J抑制糸外光對標本11之傷害。 又,在上述實施形態中,伟 在# w⑦ 係斥J用氮氣供應部(51〜57)將 氮乳供應至標本11與物鏡23> ρη 止…. 兄23《間。但本發明並不限定於此 種構造,茲列舉2個氮齑仳虛加,c 崎0日 Μ供應以外之構造例加以 說明。 -24-
571117 A7 _______ B7 五、發明説明(21 ) 圖4係用管71將氮氣72(以箭號表示)導入物鏡23之正下方 &例。管7 1係被固定於紫外線顯微鏡之本體侧之安裝器具 73所支持’使氮氣噴出口 71a維持於物鏡23之前端部附 近。管71使用聚四氟乙烯製材料製成,故可防止氮氣72之 污染及標本11之污染。 採用圖4之構造時,由氮氣槽74供應之氮氣72通過管71 後,由氮氣噴出口 71a噴出,供應至台面12上之標本^與 物鏡23二間隙。因此,標本n與物鏡23之間隙可充滿氮氣 7 2而將芝氣排除。 圖5係將氮氣導入物鏡75之内部而由物鏡75之前端部分 對“本1丨嗜出氮氣之構造例。圖5(a)為物鏡75之剖面圖, 圖5(b)為物鏡75之前端部分之外觀圖。 物鏡75由保持紫外光觀察用透鏡(未予圖示)之透鏡保持 鏡筒76、及覆蓋其外周之蓋鏡筒77所構成。蓋鏡筒77之内 徑大於透鏡保持鏡筒76之外徑,因此,透鏡保持鏡筒刊與 蓋鏡筒77之間可確保一定之空間。 又,在蓋鏡筒77之侧面設置導入氮氣7S之管乃,此管79 上安裝著連接於氮氣槽(未予圖示)之管8〇。另外,在蓋鏡 筒77之下邵開設3個氮氣喷出口 81。 依據圖5之構造,來自氮氣槽(未予圖示)之氮氣78通過 管80與管79,被導入於蓋鏡筒77與透鏡保持鏡筒%之間, 並由3個氮氣噴出口 81對標本11噴出。因此,標本Η與物 鏡7 5之間隙可充滿氮氣7 8而將空氣排除。 3個氮氣噴出口 81最好向物鏡75之焦點位置方向斜斜地 -25- 本紙張尺度適用巾g a家標準(CNS) A4规格(·Χ 297公6 " ------- 571117
说置,以便可使噴出之氮氣78有效地流向物鏡乃之中心附 近。又,氮氣噴出口 81之數量只要3個至5個即可。 又’在上述之實施形態中,在紫外光觀察時,係在開啟 陡門4 1之則,先施行氮氣流通是否正常之檢查(圖3之步驟
Si7),但最好在開啟快門41之後,也施行同樣之檢查。而 在檢出氮氣流通有異常時,最好在對外部發出警告之同 時,關閉快門41。 β σ 又,在開啟快門41後,施行氮氣流通是否正常之檢查 時,利用依㈣量傳感器56之檢出{直,反#控制流量調整 閥55,即可經常使氮氣之流量(流量傳感器兄之檢出值)與 處方設定值一致。 ,另外,在上述之實施形態中,係以氮氣之正式流通時之 流量多於氮氣之預備流通時之情形為例加以說明,但也可 不改變流量。也可在氮氣之預備流通後,暫時停止氮氣之 供應。 ' 又,在上述之實施形態中,係以使用氮氣之例加以說 明,但也可使用其他惰性氣體。又,只要是可抑制光阻材 料之低分子化,均屬理想之氣體。 另外,在上述之實施形態中,係以紫外光觀察之準備完 畢時才開始使氮氣正式流通之情形為例加以說明,但也= 在氮氣之預備流通時起經過特定時間後,才開始使氮氣正 式流通。此特定時間為氮氣可充分填滿紫外光觀察用2物 鏡與標本11之間之時間。 又,本發明也可適用於使用共用之物鏡,作為可見光與 ____ -26-
^紙張尺度適財㈣冢料(CNS)鐵格(训〉〈爱) 五 、發明説明 (23 ’、外光兩用之物鏡之紫外光顯微鏡。此時,因不需要施广 =鏡之切換動作,故只要依照觀察模式控制氮氣之流通^ 另外’快:門41之開放時間不僅可設定於ccd攝影機2 攝影時間(產生U貞圖像之時間),最好要考慮到紫 心本1、1可能造成之傷害因素,而事先設定於達到所能容 之傷害量前完成開放之時間。 又,也可在點亮可見光用之光源31時(圖2之步 點亮紫外光用之光源21。 ) 在上述實施形態中,係以紫外線顯微鏡為例加以說明, 但未必需要限定於此内纟。本發明也可適用於顯微鏡以外 <觀察裝置’亦即可適用於所有使用紫外光觀察標本之全 般觀察裝置。 其次’說明本發明之實施例。 在此,係具體地說明利用上述紫外線顯微鏡1〇觀察形成 於標本11之130細制光阻材料圖案之情形。紫外線顯微鏡 1〇(光源21為波長266 nm之紫外線光源。本實施例之標本 11之觀察動作基本上與上述圖2'圖3之步騾相同,故:略 有關基本動作之說明。 順便說明-下,13〇nm制光阻材料圖案係⑴切基板上 塗敷反射防止膜與化學放大型光阻材料,(2)利用KrF(氟化 氪)艾克斯瑪雷射’經由標線片將所希望之圖案縮小投影 曝光,(3)熱處理後,進行顯影所形成。 在本實施例中,在施行圖2之步驟S6〜si3、圖3之 571117 A7 ________ B7___ 五、發明説明(24 ) S14、SI5之處理之期間,係以〇 1 m/sec程度之流速施行氮 氣之預備供應(預備流通)。又,在施行圖3之步騾S16〜S22 <處理之期間,係以0.3〜0.5 m/sec程度之流速施行氮氣之 正式的噴出。 而後一面施行氮氣之正式的喷出(〇·3〜〇.5 m/sec),一面 在步驟S18開啟快門41,開始將紫外光照射於標本11。其 後’經由監視器26對標本11之光阻材料圖案進行形態觀 祭’施行單次觀察時,取入來自CCD攝影機25之紫外光影 象(v驟S 21)’獲得必要之資訊後’阻斷快門41 (步驟 S22) °此時’紫外光照射標本11之光阻材料圖案之昭射_ 間(快⑽之開放時間)為15秒鐘之程度。 時 利用紫外線顯微鏡10施行紫外光觀察後,依據通常之半 2體積體電路之製程,繼續進行處理之結果,確認在利用 紫外線顯微鏡10施行紫外光觀察之標本i i之部位(照射紫 外光之觀察對象部位)完全無損傷。 / 2外本案發明人等為詳細調查利用紫外線顯微鏡1 〇施 仃糸外光觀察時有無傷害,曾經進行以下3種實驗。在此3 種實驗中,利用與上述相同之氮氣條件(預備流通時之、、云 ,· Ο.Ι^/sec程度、正式流通時之流速:〇3〜〇5m/se = 又),以紫外光(波長266 nm)之照射時間為參 主 夂私 双一面改變 >数’一面碉查光阻材料可能受到之傷害。 (實驗1 :光阻材料圖案之尺寸變化) 圖ό係表示對紫外光照射時間之光阻材料圖案之 化H结果(參照「Ν2 bl()w(喷出氮氣)」)。= -28- 571117 五、發明説明( 25 A7 B7 光照射時間,縱軸為光阻材料圖案之尺寸變化距離基準值 (未照射紫外光之部位之尺寸)之變化率。施行測定之紫外 S光照射時間為 〇 see、1 sec、3 sec、5 sec、1〇 sec、、3〇 又圖6中同時顯示不供應氮氣時之光阻材料圖案之 尺寸變化之測定結果(參照「單純照射」)。 中結果可以知悉,在不供應氮氣之通常氣體環境 了、糸外光(參照「單純照射」)時,開*照射時起邛 SeC後,光阻材料圖案之尺寸減少18%之程度。 日/「目rt/在本實施例之含氣氣體環境中照射紫外光(參 ’、、、2 〇W(噴出氮氣)」)時,開始照射時起3〇 se :且::圖案〈尺寸也只減少1%之程度。也就是說,可顯 材料圖案所受之傷害。因此,利用紫外線; 氣二境:進:材科圖案之紫外光觀察可以說最好在含氮 (實驗2 :非曝光部之光阻材料膜厚變化) 化《非曝切《光阻材料膜厚變化的測定結果 光部,係指未形成圖案之處而言。圖7之橫轴==曝 射時間,縱軸為光阻材料膜厚由基準值(紫照 :=厚)之變化率。施行測定之紫外先照射= 由圖7之結果可以知悉,在含氣氣體環境中 :’開始照射時起約-後,光阻材料膜厚幾 化,而在10 sec後起,光阻材料膜厚開.“、.交 sec後大 本纸張尺度it财S ®家標準(CNS) -29- 571117 26 五、發明説明( 致減程度,其後則幾乎看不出變化。 約Γο攻疋說&’在含氮氣體環境中照射紫外光時,照射時間 内二以#,可將光阻材料膜厚之變化抑制在0.5%以 二=為了充分抑制光阻材料圖案之傷害,可說最好 在含氮氣體環境中,α ?η ^ 光觀察。兄中以20 see以内之照射時間,進行紫外 較:缓:始二射時起30sec後,光阻材料膜厚之變化變得 現大致穩4之狀態。故也可利用此種傾向, 確地測足光阻材肖圖案《卩寸及膜厚等。 例如’只要對光阻材料圖案施行30 see以上之紫外光昭 】,:紫外光照射所引起之光阻材料膜厚之變化穩定: 二,阻材料圖案之尺寸及膜厚等,在所得之測定值 韓:士…補償值即可。補償值為光阻材料膜厚之變化 穩疋時足1 %部分。 之二:不必考慮到紫外光照射時間引起之傷害量 =因素’獲仔絲材料圖案之尺寸及膜厚等之正確測定 六時如!用紫外線顯微鏡10施行光阻材料膜之各種測 =區Γ 外光照射引起之膜厚變化量幾乎為零之 (實驗3 : RIE處理後之尺寸) 在此,準備照射10 sec時間之光阻材料圖案與照射%似 時間之光阻材料圖案,施行以各光阻材料圖案為掩罩之里 万性離子蚀刻_)處理,以形成氮切SiN層之圖案,並 測定RIE處理後之SiN層之圖案尺寸變化。 木 -30- 本紙張尺度適财S S家標準(CNS) A4規格(210X297公董) 571117 A7
時之列定表Γ果在广氮t體環境中照射紫外光00 sec、30 sec 中照射紫:光(1V 30與在不供應氮氣之通常氣體環境 )時之測定結果(C)、(d)。圖8 2 e、⑷m可以知悉’在通常氣體環境中照身 二二時’ SlN層之圖案尺寸上發現··照射10 sec時,減; 。私度,照射30 sec時,減少1〇%程度。 相對地,在含氮氣體環境中照射紫外光時,由圖8(a)、 ⑻之結果可以知悉,在SiN層之圖案尺寸上發現:昭射ι〇 sec時’只減少1:5%程度’照射30sec時,只減少〇7%程 度。此種程度之減少率屬於照射紫外光以前之工序中尺寸 差異之可容許範圍内。也就是說,在10 see、30 see之情形 均可顯著地抑制傷害之發生。 土由以上 < 結果可知,在所具有之吸收帶位於紫外線顯微 叙10之紫外光照明波長附近之感光性光阻材料膜之觀察當 中在含氮氣體環境中,施行數十秒(sec)程度之短時間觀 祭時,可在良好重現性之情況下,降低光阻材料膜之傷 害。 以上所述係有關於本發明之實施例,但本發明之内涵並 不僅限定於此,在不超越本發明之精神及範圍之情況下, 當然可做種種適當之變更。 -31- ^張尺Μ岭標準(CNS)織格_χ 297公爱)

Claims (1)

  1. 571117 六 第091108228號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(92年5月) 申請專利範園 一種紫外光觀察裝置’係利用紫外光觀察標本,其包 含氣體供應裝置,可在利用前述紫外光之觀察中y將 活性氣體供應至前述標本週邊者。 2. 一種紫外線顯微鏡,其係包含·· 紫外光觀察裝置,其㈣用紫外絲察標本者;及 氣體供應裝置,其係可在利用前述紫外光之觀察 中,將活性氣體供應至前述標本週邊者。 3·如申請專利範圍第2項之紫外線顯微鏡,並中 ^步包含時間控難置,其係㈣料氣體供應 装置供應丽述惰性氣體之供應時間者; 則述時間控制裝置可控制前述氣體供應裝置 用前述紫外光觀察標本前,可預備 在利 備性地供應前述惰性 孔' 並至少在利用前述紫外光之觀察中,可正^ 供應前述惰性氣體者。 ^ 4. 如:請專利範圍第3項之紫外線顯微鏡,其中 準=時間控制裝置可义在利用前述紫外;進行觀察之 中 預備性地供應前述惰性氣體者。 5. 如申請專利範圍第4項之紫外線顯微鏡,其中 控制裝置可在利用前述紫外;進行觀察之 ,畢時,正式地開始供應前述惰性氣體者。 .°申請專利範圍第3項之紫外線顯微鏡,其中 之 =述時間控制裝置可在利用前述紫外;進行觀定 力作完畢時,停止前述惰性氣體之正式供廡者。丁 7.如申凊專利範圍第3項之紫外線顯微鏡,其中 巧張尺度Α4規格; X 297公釐) 571117 Αδ
    其係利用可見光觀察 進一步包含可見光觀察裝置 標本者; 料時間控制裝置可在利用前述可見光進行觀察3 動作冗畢時起至利用前述紫外 _ — ' 卜先進仃硯祭又動作開每 為止之,、月間’預備性地供應前迷惰性氣體者。 8.如:請專利範圍第3項之紫外線顯微鏡,並中 前述氣體供應裝置包含流量控制裝置,其係控制前 述^體供應裝置所供應之前述惰性氣體之流量者; 月'J述说I控制纟置可對應於前述氣體供應裝置正式 地開始供應前述惰性氣體之時間,而增加前述惰性氣 體之流量者。 9. 如申請專利範圍第8項之紫外線顯微鏡,其中包含: «己r思裝置,其係可事先記憶有關前述氣體供應裝置 所供應之前述惰性氣體之流量之設定值者; 、前述流量控制裝置可依據前述記憶裝置所記憶之設 定值,控制前述惰性氣體之流量者。 10. 如申請專利範圍第9項之紫外線顯微鏡,其中 則述氣體供應裝置包含檢出裝置,其係可檢出前述 氣體供應裝置所供應之前述惰性氣體之流量者; 則述流量控制裝置可調整前述惰性氣體之流量,使 岫述檢出裝置之檢出值與前述記憶裝置所記憶之設定 值一致者。 11·如申請專利範圍第丨0項之紫外線顯微鏡,其中 進一步包含警告裝置,其係可在前述檢出裝置之檢 -2 - 本紙張尺度適财S S家標準(CNS) A4規格(21G X 297公董) 申請專利範圍 12.如由在特疋值以下時,對外部發出警告者。 〜曰專利範圍第11項之紫外線顯微鏡,其中 述_逑4告裝置可在前述氣體供應裝置正式地供應前 ^生乳體 < 期間中’於前述檢出值在前述特定值以 13 4由停止利用前述料光觀察前述標本者。 口 I睛專利範圍第2項之紫外線顯微鏡,其中 則述惰性氣體係氮氣。 14·如I請專利範圍第2項之紫外線顯微鏡,其中 則迷惰性氣體係可抑制塗 材料之低分子化之氣體者敷於則仏本表面之光 15.如二請專利範圍第2項之紫外線顯微鏡,其中 則述紫外光觀察裝置包含物鏡; 月1逑乳體供應裝置可將前述惰性 本與前述物鏡之間者。 土則述 16·如:請專利範圍第2項之紫外線顯微鏡,並中 W述紫外光觀察裝置包含快門裝置,其 械万式切斷前述紫外光者; W 則述快Η裝置可在❹前述紫外光之觀 時間’切斷前述紫外光對前述標本之昭射者、 17.如申請專利範圍第2項之紫外線顯微鏡,並中 進一步包含自動對焦裝置,其係用 述紫外光觀察裝置之焦點調節者; 力地把 前述自《 U置可在利用前述料 使用異於前述紫外光之自動對焦用光線心^前: 鮮焦 阻 標 用機 外之 行 Μ -3- 本紙張尺度適财關家標準(CNS) Α4規格(21GX297^Jf 571117 A8 B8 C8 六
    者。 18·如申請專利範圍第1項之紫外光觀察裝置,其中 進一步包含時間控制裝置,其係控制前述氣體供應 裝置供應前述惰性氣體之供應時間者; 則述時間控制裝置可控制前述氣體供應裝置,在利 用前述紫夕卜tm#前述標本I,預備性地供應前_ 性氣體’並至少在利用前述紫外光之觀察中,正式^ 供應前述惰性氣體者。 19·「種標本觀察方法,其係將惰性氣體供應至標本週 利用紫外光而以顯微鏡觀察前述標本者。 20.如申睛專利範圍第19項之標本觀察方法,其中 在利用紫外光而以顯微鏡觀察前述樟太 你伞< W,預備 性地供應惰性氣體至標本週邊; ^刊 在利用紫外光而以顯微鏡觀察前述標本時,β 、 地供應惰性氣體至標本週邊者。 正式 _4 -
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