TW561318B - The process to form the anti-taper resist pattern - Google Patents
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Description
561318 A7 B7 五、發明說明() Λ 曼明所屬f音诚 本發明係關於形成使用新型之負型感光性樹脂組成物 的逆錐狀阻體圖像的方法、利用該所形成之逆錐狀阻體 圖像的金屬膜圖像形成方法、及使用作爲該新型負型感 光性樹脂組成物之金屬膜隔離壁元件。更詳細而言,本 發明係關於半導體積體迴路、光罩、液晶顯示裝置(LCD) 及有機電致發光顯示裝置(有機EL顯示裝置)等之製 造中用於形成金屬膜圖像的材料,或可適於利用作爲金 屬隔離壁材料等,於使用新型負型感光性樹脂組成物之 逆錐狀阻體圖像的形成方法,及以利用該圖像之剝落法 的金屬膜圖像形成方法’更於該阻體圖像之有機EL顯 示裝置中作爲金屬隔離壁材料的利用。 習知技術 薄膜電極等之金屬膜的形成圖像方法方面,一般爲塗 佈感光性組成物於金屬膜上而形成光阻膜,圖像曝光該 光阻膜後並形成所顯像之阻體圖像,然後以2種濕式或 乾式飾刻的方法,或圖像曝光後顯像基板上之光阻膜, 蒸鍍金屬於具有所得之阻體圖像的基板上,然後剝離除 去阻體圖像之剝落法者。該剝落法中,係蒸鍍金屬於具 有阻體圖像之基板上,並形成蒸鍍膜於阻體圖像上及基 板上,此時阻體圖像之剖面形狀如爲懸垂狀或逆錐狀, 於基板上形成之蒸鍍膜則變成形成於阻體圖像上之蒸鍍 膜且爲非連續,係已熟知之利於形成電極者。 在以往超LSI等半導體積體迴路之製造或LCD液晶顯 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------------裝--- *· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 561318 A7 ---------B7__^_ 五、發明說明(2 ) 示面板之製造等中,爲了形成光阻膜,使用了正型或負 型之各種感光性樹脂組成物。然而,適用於上述剝落法 之感光性樹脂組成物卻不爲所知,通常係從習知之感光 性樹脂組成物中選擇適合者,以設定控制曝光條件、顯 像條件等之特殊的處理條件,來進行逆錐狀之阻體圖像 的形成。又欲得之逆錐狀阻體圖像方面,該阻體圖像則 於圖像形狀有問題,而且通常爲有阻體之耐熱性、吸濕 性等阻體膜特性不佳等問題。 另一方面,關於近年來有機EL顯示面板之製造方面 ’雖然是3色獨立發光方式之RGB有機EL媒體之塗覆 ,或電極之形成,此時可形成良好逆錐狀之形狀的阻體 膜作爲陰極隔離壁元件,卻提高耐熱性或低吸水性同時 電氣級緣性材料的重要性。即有機EL顯示面板通常以 與其垂直之方向的複數個絕緣膜及隔離壁爲既定間隔, 被設置於基板上之複數個平行條帶狀的第1電極上,於 該隔離壁露出第1電極之區域中,對於紅(R)、綠(G)、 藍(B)等之發光色之有機EL媒體,則經由脫模之蒸鍍罩 來蒸鍍成既定圖像,其次於包含該有機EL媒體及隔離 壁之整體表面上,蒸鍍導電性良好的金屬,並於有機 EL媒體上形成第2電極。然後以玻璃板密封使用接著 劑等之基板的隔離壁及形成有機EL媒體之表面側,於 基板上所形成之中空內部空間,以玻璃板、接著劑、充 塡非活性氣體等來阻隔從外部來的濕氣,以形成最終之 有機EL面板。如果於前述第2電極形成時隔離壁變爲 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------裝--- f (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 561318 A7 B7 五、發明說明(3 ) \ ---------I----裝--- - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 逆錐狀’蒸鍍於隔離壁之金屬層與有機el媒體上之金 屬層’即與第2電極形成非連續,可防止鄰接第2電極 間之傳導、短路。再者,有機EL發光元件係由於容易 遭受因水份、溶劑成份等之損壞,希望以吸水性低者作 爲隔離壁材料(特開平1 0-3 1 2886號公報),同時在爲 了除去隔離壁材料中殘留在溶劑之於高溫下的脫氣處理 中,以無因曝光間隔材料導致間隔元件變形者來用於防 止鄰接電極間之短路爲佳。 其他方面,以往用於剝落法之感光性樹脂組成物或以 剝落法之圖像形成方法方面,已知有使用含吸收曝光光 線之化合物的負型感光性樹脂組成物者(專利第298906 4號公報)等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又從耐熱性提昇之觀點來看,已知有配合芳香族二醯 胺化合物於以冰片烯衍生物開環聚合之聚合物的感光性 樹脂組成物(特開昭60- 1 1 1 240號公報);配合光聚合 起始劑、增感劑、共聚合單體所構成之感光性樹脂組成 物(特開昭6 1 -2 3 6 1 8號公報)。再者,雖亦提案酚醛樹 脂系熱硬化性樹脂(特開平5- 1 7 895 1 )、含有環狀烯烴 系樹脂與芳香族系二醯胺化合物之組成物(特開平7-92668號)等,任何提昇耐熱性者,均希望更爲改善使 用作爲利用剝落法之圖像形成方法,或有機EL面板中 之陰極隔離壁材料之感光性樹脂組成物。 【發明欲解決之課題】 鑑於如上述之狀況,本發明係以提供不具有該等習知 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 561318 A7 B7 五、發明說明(4 ) 問題之阻體圖像的形成方法、以剝落法形成良好之金屬 膜圖像的方法、及有機el隔離壁元件爲目的。即,本 發明係以提供形成圖像形狀及耐熱性優異、吸水性亦低 之逆錐狀阻體圖像之方法、使用利用該阻體圖像之剝落 法的金屬膜圖像形成方法、及由阻體圖像所構成之有機 EL的間隔元件爲目的。 【用於解決課題之手段】 本發明係關於一種逆錐狀阻體圖像之形成方法,其特 徵爲在形成使用負型感光性樹脂組成物之逆錐狀阻體圖 像的方法中,該負型感光性樹脂組成物含有以下述一般 式(I)表示之羥甲基化雙酚類化合物,及聚合聚合必要時 所使用之酚類化合物與醛類所得之鹼性可溶性樹脂。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ·
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (式中係各別表示氫原子、1〜3個碳數之烷基或 —CH2〇H,而Ri〜R4中至少任一個係表示一CH2〇H; R5 及R6係各別表示氫原子或1〜3個碳數之烷基。) 再者,本發明係關於一種逆錐狀阻體圖像之形成方法 ,其特徵在於上述感光性樹脂組成物之鹼性可溶性樹脂 爲以重量比爲4 0 : 6 0〜1 0 0 : 0之比例,來使用以上述一般 式(I)表示之羥甲基化雙酚類化合物與酚類化合物而得 者。 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 561318 Α7 Β7 五、發明說明(5 ) Λ 又,本發明係關於一種金屬膜圖像之形成方法,其特 徵爲從以上述圖像形成方法而得之逆錐狀阻體圖像上形 成金屬膜,接著除去逆錐狀阻體圖像。 又,本發明係關於一種由金屬膜所形成之圖像的形成 方法,其特徵爲從以上述圖像形成方法而得之逆錐狀阻 體圖像上形成金屬膜,並使用該逆錐狀阻體圖像作爲金 屬膜隔離壁元件。 再者,本發明係關於一種有機電致發光顯示裝置,其 具有由含有以上述一般式(I)表示之羥甲基化雙酚類化合 物,及聚縮合時所必要使用之酚類化合物與醛類,獲得 鹼性可溶性樹脂之負型感光性樹脂組成物所形成之逆錐 狀金屬隔離壁元件。 本發明之詳細說明 於本發明之阻體圖像形成方法及金屬膜圖像形成方法 中所使用的、或使用作爲金屬膜隔離壁元件之材料的上 述負型感光性樹脂組成物方面,以含有以上述一般式(I) 表示之(Α)羥甲基化雙酚類化合物,及聚縮合時所必要 使用之酚類化合物與醛類所得之鹼性可溶性樹脂、(Β)交 聯材料及(C)以光之照射來產生氧之光氧產生劑者爲佳。 以下具體地說明關於構成該等負型感光性樹脂組成物之 材料。 (Α)鹼性可溶性樹脂 首先,作爲本發明中所使用之鹼性可溶性樹脂原料的 以上述一般式(I)表示之羥甲基化雙類化合物,係可由 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------------裝—— t (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 561318 A7 B7__ 五、發明說明(6 ) 在鹼性觸媒下使雙酚類與福馬林反應後酸析而得者。雙 酌類方面,舉例有雙酣A、B、C、E、F、G等,特別以 雙酚A、雙酚B或雙酚F爲佳。又,羥甲基化物方面雖 可爲單、二、三、四經甲基化物之任一種,但是以下述 式(II)表示之四羥甲基化物爲佳。
於本發明所使用之鹼性可溶性樹脂係以添加福馬林等 之醛類於至少一種該羥甲基化雙酚類,或其與對於進一 步需要使用之各種酚類化合物之混合物中,聚縮合而 得。於製造該鹼性可溶性樹脂時所使用酚類化合物,係 表示包含所謂酚類、雙酚類、酚類等化合物之廣義酚類 化合物,具體而言可舉出酚、對甲酚、間甲酚、鄰甲 酚、2,3-二甲酚、2,4-二甲酚、2,5-二甲酚、2,6-二甲 酚、3,4-二甲酚、3,5-二甲酚、2,3,4-三甲酚、2,3,5-三甲 酚、3,4,5-三甲酚、2,4,5-三甲酚、亞甲基雙酚、亞甲基 雙-對-甲酚、間苯二酚、兒茶酚、2-甲基間苯二酚、4-甲基間苯二酚、鄰氯苯酚、間氯苯酚、對氯苯酚、2,3-二氯苯酚、間羥甲基酚、對羥甲基酚、對羥丁基酚、鄰 乙基酚、間乙基酚、對乙基酚、2,3-二乙基酚、2,5-二乙 基酚、對異丙基酚、α -酚、/3 -酚等。其可單獨地或以 複數個之混合物來使用。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) Λ裝--- * (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · ·
56l3i8 A7 B7 五、發明說明(7 ) 羥甲基化雙酚類化合物與醛類化合物之使用比例(重 量比)通常爲40:60〜100:0,而以50:50〜100:0爲佳,而 以70:30〜95:5爲更佳;又鹼性可溶性樹脂之聚苯乙烯換 算重量平均分子量係以2,000〜10,000爲佳、而以3,000〜 7,000爲更佳。 至於醛類方面,除了福馬林之外,係可使用對甲醛、 乙醯酵等任意之醛類化合物,其可單獨地或以複數個之 混合物來使用。相對於酚類化合物1莫耳,係使用〇. 6〜 3 · 0莫耳之該等醛類、而以使用〇. 7〜1. 5莫耳爲佳。 (B) 交聯劑 於本發明所使用之交聯劑係可使用任意一種以氧來起 始交聯反應者。該等交聯劑方面,舉出除了三聚氰胺 系、苯胍-甲醛系、尿素系化合物之外,而以羥烷基烷 基化三聚氰胺樹脂或烴烷基烷基化尿素樹脂等之羥烷基 烷基化胺基樹脂爲佳。該等羥烷基烷基化胺基樹脂之具 體範例方面’舉出有羥甲基甲基化三聚氰胺樹脂、羥乙 基甲基化三聚氰胺樹脂、羥丙基甲基化三聚氰胺樹脂、 羥丁基甲基化三聚氰胺樹脂、羥甲基甲基化尿素樹脂、 羥乙基甲基化尿素樹脂、羥丙基甲基化尿素樹脂、羥丁 基甲基化尿素樹脂等。 該等交聯劑係可單獨地或以2種以上之混合物來使用 ,該配合量爲每1 〇〇重量份之鹼性可溶性樹脂,通常爲 2〜50重量份,而以5〜30重量份爲佳。 (C) 光氧產生劑 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------裝—— 參 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 561318 A7 B7__ 五、發明說明(8 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之光氧產生劑方面,亦可使用任一種以習知化 學放大型感光性樹脂組成物,所使用之眾所週知或公認 之光氧產生劑。 該等光氧產生劑之範例方面,鏺鹽有碘鐵鹽、毓鹽、 重氮鹽、銨鹽、吡啶鹽等;含鹵素化合物有含有鹵化烷 基烴化合物、含有鹵化烷基雜環化合物等;重氮酮化合 物有1,3-二酮-2-重氮化合物、重氮苯醌化合物、重氮萘 醌化合物等;楓化合物有/3 -酮楓、/3 -磺醯楓等;磺酸 化合物有烷基磺酸酯、鹵化烷基磺酸酯、芳基磺酸酯、 亞氨基磺酯等作爲代表。光氧產生劑係可單獨地或以2 種以上之混合物來使用’該配合重爲每1 0 0重量份之驗 性可溶性樹脂,通常爲0.1〜1 0重量份,而以0.5〜5.0重 量份爲佳。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又於本發明之感光性樹脂組成物中,以配合作爲添加 劑之鹼性化合物爲佳。該鹼性化合物係於以由於曝光而 從光氧產生劑產生氧之阻體膜中來控制擴散現象,可提 高顯像度同時可提高曝光容限等。該等鹼性化合物方面 ,可舉出第1級、第2級、第3級之脂肪族胺類、芳香 族胺類、雜環胺類、具有烷基或芳基等之氮化合物、含 有醯胺基或亞醯胺基化合物等。 於本發明之感光性樹脂組成物中,溶解鹼性可溶性樹 月旨、交聯劑及光氧產生劑之溶劑方面,可舉出乙二醇單 甲基醚、乙二醇單乙基醚等之乙二醇單烷基醚類;乙二 醇單甲基醚乙酸酯、乙二醇單乙基醚乙酸酯等之乙二醇 -10 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 561318 Α7 Β7 1、發明說明() (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 單烷基醚乙酸酯類;丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚 等之丙二醇單烷基醚;丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇 單乙基醚乙酸酯等之丙二醇單烷基醚乙酸酯類;乳酸甲 酯、乳酸乙酯等之乳酸酯類;甲苯、二甲苯等之芳香族 烴類;甲基乙基酮、2-庚酮、環己酮等之酮類;N,N-二 甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮等之醯胺類;τ -丁內酯 等之內酯類。該等之溶劑可單獨地或倂用2種以上來使 用。 於本發明之負型感光性樹脂組成物中,必要時可配合 染料、接著助劑及界面活性劑等。染料之範例方面有甲 基紫、結晶紫、孔雀綠等;接著助劑之範例方面有六甲 基二矽烷基胺、氯化甲基矽烷等;界面活性劑之範例方 面有非離子系界面活性劑,例如聚二醇類及其衍生物, 即聚丙二醇、或聚羥乙烯基月桂酯,含氟界面活性劑, 例如氟洛拉得(商品名,住友3 Μ社製)、美格伐克( 商品名,大日本油墨化學工業社製)、思耳氟洛恩(商 品名’旭玻璃社製)’或有機矽氧烷界面活性劑,例如 ΚΡ341 (商品名,信越化學工業社製)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於本發明中,使用該等負型感光性樹脂組成物之逆錐 狀阻體圖像之形成,係通常利用如下之方法。即首先以' 習知之旋轉塗佈法、輥筒塗佈法等眾所週知的塗佈法, 於基板上塗佈負型感光性樹脂組成物,進行預焙並形成 光阻體膜。其次進行圖像曝光,於必要時進行曝光後焙 (ΡΕΒ)之後,使用鹼性顯像劑來進行顯像。調整該等各 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 561318 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(1Q ) 種條件,並可得逆錐狀阻體圖像,該逆錐狀阻體圖像之 錐面與基板形成之角度的逆錐角以75。以下爲佳,而以 60°以下爲更佳。 再者’於本發明中,塗佈負型感光性樹脂組成物後之 預焙而得之光阻體膜的厚度雖可爲任意之厚度,但是例 如在使用所形成之逆錐狀阻體圖像作爲有機EL面板之 電極隔離元件的情況下,該膜厚以1〜1 〇〆m範圍爲佳。 又於形成阻體圖像之基板上,設置電極等,當然可於表 面存在凹凸者。曝光中係使用用於紫外線、遠紫外線、 電子射線、X射線寺之習知感光性樹脂組成物之曝光中 任意放射線。 又,利用剝落法之金屬膜圖像之形成,係使用如上述 所形成之阻體圖像作爲光罩,於基板上形成金屬膜,進 行使用溶劑等來剝離除去阻體圖像。阻體之剝離劑方 面,舉例有AZ脫模劑1 00 (克拉里安特 日本社製) 等。又構成以本發明所形成之金屬膜圖像之金屬方面, 除了鋁、銅、金等之導電性良好的金屬外,亦可爲金屬 氧化物等。又於金屬膜之形成方面,可舉出真空蒸鍍、 濺鍍、CVD、離子噴鍍等。於該剝落法中,於阻體圖像 之除去時,同時除去形成於阻體上之金屬膜或阻體,如 此一來則形成金屬膜圖像。又由於蒸鍍時等之基板加熱 ,使阻體亦爲高溫,因此感光性樹脂組成物方面,係以具 有耐熱性、由於蒸鍍時之加熱而不會引起圖像之變形者 爲佳。 -12- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 1.
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 561318 A7 __;__B7_______ 五、發明說明(U ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其他方面,利用所形成之逆錐狀阻體圖像作爲有機 EL面板之電極隔離元件的情況下,蒸鍍該阻體圖像於 EL媒體層、電極層爲基板上作爲光罩,以於阻體圖像 殘留包含例如形成電極之金屬層的原來狀態以形成面板 。因此,爲了防止鄰接之電極間短路,於金屬蒸鍍時, 在逆錐狀阻體圖像之側面必須不能形成金屬膜,並充分 地形成逆錐角,同時必須充分注意從蒸鍍源出來之蒸鍍 角度。又逆錐狀之形狀在例如阻體圖像之表面部分爲薄 薄地延伸的形狀之狀況下,或於耐熱性不足的情況下, 於爲了極力減少蒸鍍時之昇溫或從隔離元件而來之有機 性氣體釋放的阻體圖像之加熱時,由於乾式蝕刻時之昇 溫等使阻體圖像變形,並導致阻體圖像上之金屬層與電 極膜接觸,因爲產生發光元件間之短路,所以阻體圖像 具有良好之形狀、耐熱性爲重要的要素。又於阻體之吸 水率變高的情況下,於形成有機EL顯示面板後,由於 從作爲隔離元件之阻體產生水分,因而有機EL之壽命 變短,如上所述必須選擇不具有如此缺點者作爲阻體材 料。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 【實例】 以下雖然以本實例來說明本發明,本發明之範例應不 限於該等之實例。 合成實例(鹼性可溶性樹脂A之合成) 將114g之雙酚A、163a之37重量%的福馬林、17〇g 的水裝入可分離燒瓶中,從滴液漏斗滴入由4 0 g氫氧化 • 13 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ' 561318 A7 --一'__— _B7___ 五、發明說明(12 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 鈉及40g水所構成之混合液於其中。滴入完畢後昇溫至 4 5 t,攪拌8小時同時進行反應。反應完畢後冷卻至1 5 °C,從滴液漏斗滴入500 ml之2當量鹽酸,進行酸析並 析出2,2-二(3,5-二羥甲基-4-羥苯基)丙烷之粉末結晶。 以將其進行過濾、水洗、乾燥,得到140g之粉末狀結 晶。 相對於如此所得之雙酚A之四羥甲基物與間甲酚(重 量比50:50 )之100重量份之合計量,以54重量份之37 重量%之甲醛、2重量份草酸之比例裝入,並於氮氣壓 中,以反應溫度1 00°C反應5小時。所得之鹼性可溶性 樹脂A之分子量以聚苯乙嫌換算爲6,200。 實例1 (1) 以合成例所得之鹼性可溶性樹脂A 1 00重量份 (2) 烷氧甲基化苯胍-甲醛樹脂 25重量份 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (3) 2,4,6-三(三氯甲基)三阱 2重量份 溶解於丙二醇單甲基醚乙酸酯之後,以鐵氟龍製之0.2 // m薄膜過濾器過濾,調製負型感光性樹脂組成物。旋 轉塗佈該組成物於4吋晶圓上,於1 00t之加熱板上烘 焙120秒之後,得到3.0 // m厚度之阻體膜。於該阻體 膜上使用普洛克西米提曝光機(佳能 PL501F)來進行 曝光,然後於100°C進行90秒鐘的PEB,以2.38重量% 之氫氧化四甲基銨水溶液進行90秒鐘的顯像,進行30 // m之圖像的形成。 所得之圖像的逆錐角爲50°,阻體圖像之形狀變成薄 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 56l3i8 A7 B7 &、發明說明(13) 薄地延伸成屋簷之形狀,同時亦爲上方部份無凹陷之良 好形狀。 更於300°C溫度下進行60分鐘之加熱處理所得之圖像 後,觀察圖像形狀時,大致上無發現屋簷部份鬆動、線 幅變寬等之形狀變化,亦可維持逆錐角於60°。 比較例 1 除了鹼性可溶性樹脂爲由以6/4之比例來混合間甲酚/ 對甲酚之混合甲酚而形成者之外,與實例1相同地來調 製負型感光性樹脂組成物,並進行圖像之形成。雖然所 得之圖像的逆錐角爲55°,稍微薄薄地延伸成屋簷之形 狀,同時於上方部份約有1 500久之凹陷的形狀。 再者,於30(TC溫度下進行60分鐘之加熱處理所得之 圖像後,觀察圖像形狀時,導致顯著的形狀變化而無法 維持逆錐形狀。 實例2 於實例1中,除了使圖像曝光變爲全面曝光,同時顯 像時間變爲60秒鐘之外,於270°C加熱處理同樣地所得 之圖像膜60分鐘。更於50°C下乾燥24小時後,測定重 量(Ml)。然後浸漬於純水中24小時,再次測定重量(M2) 。此處,以W作爲晶圓重量之飽和吸水率時,依照(M2-Ml)/(M1-W)xl00之公式計算時爲2.72%。 比較例2 感光性組成物方面,除了於實例1所使用之感光性樹 脂組成物之外,與實例2相同來計算吸水率時爲4 · 6 3 % -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ----^----------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 561318 A7 B7 1 4 五、發明說明() ’比較於本發明之感光性樹脂組成物,所得之阻體圖像 的吸水率約爲1.7倍大。 由上述之結果得知,於本發明所使用之感光性樹脂組 成物’係由於可形成具有良好形狀之逆錐狀阻體圖像, 並亦可形成吸水率低之阻體圖像,可知適合作爲剝落法 之感光性樹脂組成物,同時亦適用於作爲有機EL顯示 裝置之電極隔離壁材料。 【發明之效果】 如以上之詳述,以使用本發明新穎之負型感光性樹脂 組成物之圖像形成方法,可形成良好形狀之逆錐狀阻體 圖像。又所形成之逆錐狀阻體圖像,係由於耐熱性優異 ,亦可以剝落法來形成良好之金屬膜圖像,更由於吸水 率低,亦可適用於有機EL顯示裝置之電極隔離壁材料 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i裝--------訂---------線
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Claims (1)
- 561318A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種逆錐狀阻體圖像之形成方法,其中在形成使用負 型感光性樹脂組成物之逆錐狀阻體圖像的方法中,該 負型感光性樹脂組成物含有以下述一般式(I)表示之羥 甲基化雙酚類化合物,及聚縮合時所必要使用之酚類 化合物與醛類所得之鹼性可溶性樹脂,(式中Ri至R4係各別表示氫原子、1至3個碳數之院 基或一CH2〇H,而t至R4中至少任一個係表示一 CH2〇H ; R5及R6係各別表示氫原子或1至;3個碳數之 烷基)。 2.如申請專利範圍第1項之逆錐狀阻體圖像之形成方 法,其特徵在鹼性可溶性樹脂爲以重量比爲40:60至 100:0之比例,來使用以上述一般式⑴表示之羥甲基化 雙酚類化合物與酚類化合物而得者。 3 · —種金屬膜圖像之形成方法,其中於申請專利範圍第 1或2項之逆錐狀阻體圖像之形成方法所得之逆錐狀 阻體圖像上形成金屬膜,接著除去逆錐狀阻體圖像。 4. 一種由金屬膜所形成之圖像的形成方法,其中於申請 專利範圍第1或2項之逆錐狀阻體圖像之形成方法而 得之逆錐狀阻體圖像上形成金屬膜,並使用該逆錐狀 阻體圖像作爲金屬膜隔離壁元件。 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ·:---^----------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 561318 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 Λ 5. —種有機電致發光顯示裝置,其具有由含申請專利範 圍第1項之一般式(I)表示之羥甲基化雙酚類化合物, 及聚縮合時所必要使用之酚類化合物與醛類,獲得鹼 性可溶性樹脂之負型感光性樹脂組成物所形成之逆錐 狀金屬隔離壁元件。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -18 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
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KR101498664B1 (ko) * | 2010-05-04 | 2015-03-05 | 주식회사 엘지화학 | 네가티브 포토레지스트 조성물 및 소자의 패터닝 방법 |
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US9568362B2 (en) | 2012-12-19 | 2017-02-14 | Viavi Solutions Inc. | Spectroscopic assembly and method |
US9448346B2 (en) | 2012-12-19 | 2016-09-20 | Viavi Solutions Inc. | Sensor device including one or more metal-dielectric optical filters |
US10197716B2 (en) | 2012-12-19 | 2019-02-05 | Viavi Solutions Inc. | Metal-dielectric optical filter, sensor device, and fabrication method |
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TWI483075B (zh) * | 2013-08-08 | 2015-05-01 | Chi Mei Corp | 負型感光性樹脂組成物及其應用 |
US10106494B2 (en) | 2013-12-02 | 2018-10-23 | Empire Technology Development Llc | Gemini surfactant and their use |
CA3194688A1 (en) * | 2014-06-18 | 2015-12-23 | Viavi Solutions, Inc. | Metal-dielectric optical filter, sensor device, and fabrication method |
JP7044058B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2022-03-30 | 日本ゼオン株式会社 | レジストパターン形成方法及びレジスト |
US10607856B2 (en) | 2017-06-18 | 2020-03-31 | Powertech Technology Inc. | Manufacturing method of redistribution layer |
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---|---|---|---|---|
US4571375A (en) | 1983-10-24 | 1986-02-18 | Benedikt George M | Ring-opened polynorbornene negative photoresist with bisazide |
NO162165C (no) | 1987-05-27 | 1989-11-15 | Autoshift As | Automatisk transmisjon. |
JPH0237348A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-07 | Tosoh Corp | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP2989064B2 (ja) * | 1991-12-16 | 1999-12-13 | 日本ゼオン株式会社 | 金属蒸着膜のパターン形成方法 |
JPH06308729A (ja) * | 1993-04-19 | 1994-11-04 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
FR2704470B1 (fr) * | 1993-04-27 | 1995-07-21 | Lorraine Laminage | Procédé de soudage par faisceau laser d'un récipient constitué de deux demi-coquilles présentant une collerette et dispositif pour sa mise en Óoeuvre. |
US5738931A (en) * | 1994-09-16 | 1998-04-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic device and magnetic device |
JPH10312886A (ja) | 1997-05-09 | 1998-11-24 | Pioneer Electron Corp | 有機elディスプレイとその製造方法 |
JPH10321622A (ja) * | 1997-05-21 | 1998-12-04 | Oki Electric Ind Co Ltd | 配線形成方法 |
US6110641A (en) * | 1997-12-04 | 2000-08-29 | Shipley Company, L.L.C. | Radiation sensitive composition containing novel dye |
JP3028094B2 (ja) * | 1998-01-09 | 2000-04-04 | 日本ゼオン株式会社 | リフトオフ法によるパターン形成用ネガ型感光性組成物 |
JP3333139B2 (ja) | 1998-10-20 | 2002-10-07 | クラリアント インターナショナル リミテッド | 感放射線性樹脂組成物 |
US6306559B1 (en) * | 1999-01-26 | 2001-10-23 | Mitsubishi Chemical Corporation | Organic electroluminescent device comprising a patterned photosensitive composition and a method for producing same |
JP4253416B2 (ja) * | 2000-01-14 | 2009-04-15 | パイオニア株式会社 | 電子放出素子を用いた撮像素子 |
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