TW557384B

TW557384B - Active matrix-type liquid crystal display device

Info

Publication number: TW557384B
Application number: TW088110844A
Authority: TW
Inventors: Makoto Watanabe; Takahiko Watanabe
Original assignee: Nec Lcd Technologies Ltd
Priority date: 1998-07-24
Filing date: 1999-06-28
Publication date: 2003-10-11
Also published as: JP3127894B2; US6404474B1; KR100313726B1; JP2000039626A; KR20000011930A; NL1012470C2; CN1246639A; CN1103062C; NL1012470A1

Description

557384 五、發明說明（i) 本發明係有關於一種水平電場架構之主動矩顯示裝置。干八履曰日習知上，普通液晶顯示裝置為一型式，其中電用在垂直於基板表面的方向上，改變液晶分子軸向 (director，分子軸）的方向，藉以控制光的穿透度而* 面板上影像的顯示（後文中將以”垂直電場驅動型”稱之^。扭轉向列（TN)模式即為垂直電場驅動型的代表性模式。、然而，在垂直電場驅動型液晶顯示裝置中，在電場施加=軸向指向垂直於基板表面。因此，折射率依觀察方向 :?變，造成對視角的高相依性，使得此型顯示裝置不適用於需要廣視角的應用。為解決此問題，近年來，其中軸向指向平行於基板表，且電場作用在平行於基板表面的方向上，以在平行於的平面中旋轉’藉以控制光的穿透度而完成面板上影動:” '示之型式的液晶顯示裝置（後文中將以，，平行電場驅 # f稱之）。因平行電場驅動型液晶顯示裝置展現主要降二=射率依觀察方向的變化，可得到高晝質和廣視野的顯不表現。 Μ 4水平電場驅動型液晶顯示裝置習知技術將在後文中參 …、第1至9圖加以說明。 M2 Λ參照第1圖，所示為一顯示畫素，包括：掃描線以連接至外部驅動電路；信號線1〇3 ;共電極i 〇6 ; 4膜電晶體5〇3，作為開關元件，以及畫素電極1〇4。

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4如第2圖中所示，在薄膜電晶體側玻璃基板102上，共電極1 0 6與畫素電極1 〇 4和形成於其上以間層絕緣層丨3 〇插置的4戒線1 0 3 —同形成。在形成時，畫素電極丨〇 4和共電極1〇6交互放置。此等電極以保護絕緣層110覆蓋，其上施以對準液晶107所需的薄膜電晶體側對準膜12〇並施加滾刷處理。以此方式，形成薄膜電晶體側基板丨〇()。

在相對側玻璃基板1 〇 1上，遮光層2 〇 3以矩陣形式裝没’其上形成顯示彩色所需的彩色層丨42。另外在彩色層 142上為平坦化膜2〇2，以將相對側的表面平坦化，其上施以對準液晶107所需的相對側對準膜122並施加滾刷處理。滾刷處理的方向和薄膜電晶體側基板丨〇〇相反。以此方式’形成相對側基板2 〇〇。

液晶107和間隔粒3〇2填充在薄膜電晶體側基板1〇〇和相對側基板200之間。二基板之間的間隙由間隔粒3〇2的直徑所決定。最後’薄膜電晶體側偏光片丨45黏貼在薄膜電晶體側玻璃基板1 〇 2無電形狀形成於其上的表面上，使其穿透軸的方向正交於滾刷方向。相對側偏光片丨42亦黏貼在相對侧玻璃基板丨〇 i無形狀形成於其上的表面上，使其穿透轴的方向正交於薄膜電晶體侧偏光片145的穿透轴方向。以上述製程，完成液晶顯示面板300。之後’如第3圖中所示，液晶顯示面板3〇〇置於背光源 4〇〇上’且連接至驅動電路5〇〇。接著’參照第4圖和第5圖，說明液晶顯示裝置的操作。第4圖係顯示習知技術液晶顯示裝置等效電路的電路

第6頁 557384 砵明說明（3) 圖，而第5圖所示為施加於掃描線，信號線，與共電極的電壓波形，和畫素電壓的波形。在第5圖中的Vfd即為給穿 $壓。施加在共電極上的電壓設定在使得表示畫素電極電 f之正和負圖框中的振幅之DV+和Dv—，當視訊信號對應至半灰階時，彼此相等。以在單位元素中的電荷流動和液晶的光切換作說明。開/關信號’在與第1圖中之共電極106同一層設置〇掃撝線上，使薄膜電晶體5 〇 3切換開關。當薄膜電晶體開％，電荷自信號線丨〇 3流入至晝素電極丨〇 4。請參照圖’如所示，一直流定電壓一直施加在共電極1〇6上。就電路而言，如第4圖中所示，畫素電極1〇4和共電極各自透過液晶107，薄膜電晶體側玻璃基板1〇2，和間曰絕緣膜130而形成CLC，CGL，和CSC。之後，電荷即使在薄膜電晶體5〇3關閉後由該等電容斤=持。所保持的電荷在晝素電極104和共電極1〇6之間產電位差而造成平行於玻璃基板的水平電場，而轉動液晶的軸向以改變液晶面板300的相位延遲。所改變的相位 =士 ’造成自第3圖中所示之背光源糊射出的入射光，在 =上沒有遮光膜203，晝素電極m，共電極⑽，掃描 =2，和薄膜電晶體503的部份穿透率的變化。第6圖係圖了旦素電極和共電極之間之電位差和面板穿透率的關係 =述.之習知技術液晶顯示袭置遭受下述二個缺點。個缺點疋因電荷保持時間減少，面板穿透率被降

557384 五、發明說明（4) 低，而產生不平穩的顯示。其理由將在下文中說明。明確地说’在前述之習知技術液晶顯示裝置_，雖然所需電荷在薄膜電晶體503關閉時由電容CLC，CGL，和CSC 所完全保持’但就電路而言電何量實際上以某一時間常數減少。此時間常數t 〇 f f以方程式（1 )近似表示·· toff = Roff (CLC + CGL + CSC + CGSKl) 其中Roff表示薄膜電晶體503關閉時的阻值，而CGS表示如第7圖中所示之薄膜電晶體5〇3的閘極—源極電容。 —在水平電場架構之液晶顯示裝置中，因其為邊際電容，CLC和CGL小於在垂直電場架構之液晶顯示裝置令者。一由薄膜電晶體503的製程所限制的常數，而 C S由溥臈電晶體所決定’二者僅具有低程度的彈性。此當背致r率的降低。晶體的背通道t ϊ度時’光漏電流因光入射在薄膜電成電洞，而被增加。查：第L圖中所示的n-i-η電阻部份形極之間電位差的降低旦田電何的漏失造成共電極和畫素電的曲線而降低。此外，面板穿透率根據第6圖中所示

變動而改，：可能由於】3漏：流量依薄膜電晶體的製造生不平穩的亮度。 .·、、員不表面上光漏電流的變動而產曰除了電荷經由薄獏曰曰材料時，亦即告日日體漏失之外，當使用低阻值液的離子在電荷寫入全匕括多離子之液晶材料時，液晶中 * 息素電極之後一段時間，形成一電性 557384

丘所保持的電荷可視為常數，該降低導致晝素電極和 ς、極之間的電壓降。該電壓降近似為與以下對應於查電容比例之參數乂成正比·· 旦素電壓降 α X = CLC/(CGS + CLC + CGL + CSC)(2) 當CSC不能被設定得夠高時，可預期在此模型下的電堅降會增加，此情況下面板穿透率也被降低。 i 、以此方式，水平電場架構之主動矩陣式液晶顯示裝置造成難以在維持開口率下，得到與垂直電場架構之主動矩陣式液晶顯示裝置類似的保持特性之缺點，因而使其難以抑制面板穿透率的降低和不平穩顯示的產生。第一缺點為在長時間連續使用後產生釉彩和影像污點。其理由將在後文中說明。、明確地說，薄膜電晶體的給穿電壓近似表示如方程式（3)。因方程式（3)中的分母在水平電場架構之主動矩陣式液晶顯示裝置中較小，使Vfd增加。此外，在整個電容中CLC的比例高於垂直電場架構之主動矩陣式液晶顯示裝置中的值。因此理由，當灰階準位改變時，即當CLC改變時，Vfd與垂直電場架構相較之更變化更大。vfd增加意謂當掃描信號波形在大面板或其他類似者中延遲，而在顯示單元的右和左部份中的V f d出現差別。

Vfd = [CGS/(CGS + CLC + CGL + CSC)] X (VG-ON-VG-0FF)(3) 如上所述，因均勻且不變的直流電壓施加在整個顯示表面的共電極上，如前述的現象，造成在表面上畫素電極

557384 五、發明說明（6) 表面的共電極上’如前述的現象，造成在表面上畫素電極與共電極之間的電壓之直流分量，和灰階準位之間的變化增加。此造成產生轴彩，和由於施加在液晶材料中的直流電壓造成的材料劣化而產生之影像污點的問題，以及由於在顯示表面施加在液晶上的等效電壓不同而產生之不平穩亮度。第8圖係顯示在另一習知技術中的單位畫素的平面圖，而第9圖所示為取自第8圖中之b-b，線所得之剖面圖。在第8圖和第9圖中的單位畫素與在第1圖和第2圖中的主動矩陣式液晶顯示裝置相似，除了畫素電極1Q4的末端部份延伸至與共電極1〇6重疊。以前述缺點的觀點而形成本發明，其主要目的在提供一種主動矩陣式液晶顯示裝置，具有有利的保持特性和降低的給穿電壓，以及在維持開口率之下良好的顯示平穩性及可靠度。〜 . 根據本發明之主動矩陣式液晶顯示裝置具有二相對透明絕緣基板，以及液晶插置於二基板之間。在第一基板上，具有複數條掃描線和複數條信號線相互正交，薄膜晶體:共電極，晝素電極，以及第一對準膜。/ 、近。電晶體形成於每個掃描線和信號線的交叉點附出物平行於掃描線而延伸’且各具有梳齒狀凸時，在二獻田政=伸。畫素電極’當自正面方向觀察基板 +仃於梳齒狀凸出物而形成，且部份畫素電極相對於共第10頁 557384 五、發明說明（7) 電極以間層絕緣膜上，以保護絕緣膜在第二基板上區域具有開口，以液晶由產生一加電壓的液晶層之根據本發明之積電容增加裝置，其間層絕緣膜具有累積電容更大的累此外，在本發插置其間插置其間，具有黑及第二對主要平行電場所控主動矩陣以得到在相等厚度積電容。明中，累。第一對準膜形成在共電極色矩陣’在相對於晝素電極的準膜。於在畫素電極和共電極之間施制。式液晶顯示裝置進一步包括累畫素電極和共電極之間，比^ 且為平坦結構的情況下產生的之至少一種 (1)-正面方向觀凸出物之間 (2)-部份，畫素板時，形成素電極之間 (3) 一之間的間層 —部份區域 (4) 一層絕緣膜，或多種結構，察基板積電谷增加裝置可為下列衾士構其中具有時，置於的第一基板的區結構，其中在第電極與共電極之一凹陷處；且一該凹陷處的墙垣結構，其中所形絕緣膜，在共電薄於其他區域；結構，其中插置在共電極與晝素預設介夾在共域内；電常數電極與一基板的上表，當自緣膜插重疊處間層絕表面；成之插極與畫以及於共電電極之置於共素電極極與畫重疊處

的介電質，當自晝素電極梳齒狀面區域的至少— 正面方向觀察基置於共電極與畫電極與晝素電極之重疊處的至少素電極之門 <間的間的至少_畔分區 !Μι 第11頁 557384 五、發明說明（8) 域，以具有預設介電常數的介電質形成。另外’在本發明中，問声罐续胳的介雷皙m女膜或具有預設介電常數 2 Γϋ 有比第一基板和第一基板上之其他絕緣膜更大的；丨電常數之鈦氧化物透明介電質形成較佳。、” 海具i讓ί發明之上述和其他目#、特徵、和優點能更明 ’、、' 文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作# 細說明如下：、 1卞评圖式簡單說明：的平面圖；第1圖係顯示習知技術液晶顯示裝置之單位畫素面圖；第2圖係顯示習知技術液晶顯示裝置之單位晝素的剖一立第3圖所不為習知技術中穿透式液晶顯示裝置結構的不思圖；第4圖係顯示習知技術之水平電場型之液晶顯示裝寺效電路的電路圖；信第5圖所不為習知技術之主動矩陣式液晶顯示裝置戒波形的時序圖；特十生圖；第6圖所示為習知技術液晶顯示裝置之電壓-亮度的会士第7圖係顯示習知技術之反轉堆疊結構的薄膜電晶體、、°傳的剖面圖；第8圖係顯示另一習知技術單位晝素的平面圖；第9圖所示為另一習知技術單位畫素的剖面圖；

557384 五、發明說明（9) 第10圖之單位畫素第11圖之單位晝素第12圖的保持特性第13圖在顯示表面第14圖信號電壓振第15圖之單位畫素第16圖之單位畫素第17圖之單位畫素第18圖之單位畫素第19圖之單位畫素第20圖之單位晝素符號說 100〜薄膜電所示為的平面係顯示的剖面係顯示圖；所示為上給穿係顯示幅與給係顯示的平面所示為的剖面所示為的平面係顯示的剖面係顯示的平面所示為的剖面明：晶體側根據本發電壓的分根據本發穿電壓的根據本發圖；取自第15 圖，根據本發圖；取自第17 圖；根據本發圖；以及取自第19 圖0 根據本發明第一實施例之液晶顯示裝置圖，取自第10圖中之C-C’線之液晶顯示裝置圖，根據本發明第一實施例之液晶顯示裝置明第一實施例之液晶顯示裝置佈圖；明第一實施例之液晶顯示裝置關係圖；明第二實施例之液晶顯示裝置圖中之d-d’線之液晶顯示裝置明第三實施例之液晶顯示裝置圖中之d-d’線之液晶顯示裝置明第四實施例之液晶顯示裝置圖中之d-d’線之液晶顯示裝置基板；101〜相對側玻璃基板；102〜薄膜電

第13頁 557384 五、發明說明（ίο) 晶體側玻璃基板；1 0 3〜信號線；1 〇 4〜晝素電極；1 〇 6〜共電極； 1 0 7〜液晶；11 〇〜保護絕緣膜；1 2 0〜對準膜；1 2 2〜對準膜；1 3 0〜間層絕緣膜；1 4 2〜彩色層；1 4 3〜相對側偏光片；1 4 5〜薄膜電晶體侧偏光片；2 0 0〜相對側基板；2 〇 2〜平坦化膜；203〜遮光膜；230〜高介電常數絕緣膜；300〜液晶顯示面板；3 0 2〜間隔粒；4 0 0〜背光源；5 0 〇〜驅動電路；5 〇 2〜掃描線；503〜薄膜電晶體；504〜半導體層；505〜溝槽；601〜第一間層絕緣膜；6 0 2〜第二間層絕緣膜。實施例：根據本發明第一實施例之主動矩陣式液晶顯示裝置將參照第1 0圖作說明。根據本發明第一實施例之主動矩陣式液晶顯示裝置採用水平電場架構，且具有二相對透明絕基板。 " 在第一基板上，具有複數條掃描線502和複數條信號線103相互正交，薄膜電晶體5〇3，共電極1〇6，畫素電極 104，分開共電極1〇6和畫素電極1〇4的間層絕緣膜13〇，在其上經由插置保護絕緣膜11 〇而形成一第一對準膜（未示出）。薄膜電晶體503形成於每個掃描線502和信號線1〇3的交叉點附近。共電極106主要平行於掃描線502而延伸，且具有複數條梳齒狀凸出物。晝素電極丨〇4，在相鄰之共電極的梳齒狀凸出物之間的間隙中形成。 ' 在第二基板上，如習知技術之第2圖中所說明，具有遮光膜形成在相對於畫素電極的區域具有開口之黑色矩陣，平坦化膜，以及第二對準膜。

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此汁 -脖蕾，且右古入:: 電場架構主動矩陣式液晶顯 ,gf ^ A ^r ^ Μ ,, 緣膜23〇，包括在溥膜電晶體側玻璃基板（弟-基板），當自正面方向觀察基板時電極1〇6和畫素電極104的梳齒狀&出物之間的 ^ 有預設介電常數之透明介電質。〃本發明第-實施例將參照第10圖至第14圖

說明。 T J

請參照第11圖，薄膜電晶體側玻璃基板在共電極1()6 和畫素電極1 04的梳齒狀凸出物之間的區域被蝕刻形成溝槽。之後，具有高相對介電常數之透明介電質，例如鈦氧化物（titanium oxide，Ti〇2，相對介電常數e?85)鍍在溝槽中。該絕緣膜被稱為高介電常數絕緣膜23〇。對應於薄膜電晶體的閘極絕緣膜，間層絕緣膜丨3〇和習知技術相似地被鍍上，以仟到下導線（掃描線5〇2，共電極1〇6)與上導線（彳§號線1 0 3 )之間相同的跨越電容，以及與在習知技術中薄膜電晶體相同的特性。其他的製造步驟和架構和習知技術相似。在如上述形成的液晶顯示裝置中，如第1〇圖中所示，開口率並未減少’且自信號線103經由薄膜電晶體5〇3流至晝素電極104的電荷，被以與畫素電極104，共電極106，和絕緣層一同形成之累積電容所保持。累積電容和習知技術相較之下，由於高介電常數絕緣膜230形成於溝槽中而增加。因此’根據習知技術中所說明的機制而改進保持特性及降低給穿電壓。

第15頁 557384 五、發明說明（12) 亡述第一實施例的效應將參照第1 2圖至第1 4圖作明。第1 2圖係顯示當圖框時間，即保持時間改變時，面板牙透率的結果。第12圖所示為給穿電壓依信號電化的關係圖。第1 2圖係顯示假設當薄膜電晶體一直打面板穿透率為1〇〇%的結果。如第1 2圖所示，可得知和習知技術相較之下，本例即使在長保持時間下幾乎不減少。又，如第12圖和圖所示，在顯示表面和各種不同信號電壓二種情況下穿電壓展現比在習知技術中更小的變動量。換句話說本實施例中，在顯示表面上所有位置和所有灰階準位情況下’在畫素電極1 〇 4和共電極1 0 6之間的直流電壓可忽略。因此理由，本實施例除去起始顯示特性的缺如在顯示表面之不平穩，以及可靠度的缺點，如不平示和影像污點。此外，在本實施例中，因開口率未減液晶顯示裝置的亮度並未降低。 ' 如上所述，在本發明第一實施例中，在薄膜電晶玻璃基板100上具有高相對介電常數的透明介電質的可增加以畫素電極104和共電極106形成的累積電容。此’可得到具有有利的保持特性和低給穿電壓的液晶面板。此外，本實施例可以維持傳統開口率，而提$

有令人滿意的顯示平穩性及可靠度之主動矩陣式液曰^ 裝置。 / M 其次’本發明之第—實施例將在後文中表照第1 5 第16圖作說明。 ^1 說量測壓變開時 •實施第13 ，給，在二種分量點，穩顯少，體側多成因顯示一具顯示圖和 557384 五、發明說明（13) 不似前述之第一實施例，在第二實施例中，畫素電極 104具有一末端部份延伸至與共電極ι〇6重疊。當^層絕緣膜130形成時，在間層絕緣膜丨30中，自正面方向觀^薄膜電晶體側玻璃基板1 〇〇，晝素電極1 〇 4與共電極1 q 6重'最部、份内，製作一裂縫。又，與薄膜電晶體5〇3之半導體^ ^ 鑛的同時’以製成形狀以在裂缝部份中留下半導體居 5 0 4。其他架構和第一實施例相似。一

在第二實施例中，具有相對高介電常數（介電常數 e?12)在畫素電極1〇4與共電極1〇6之間的非晶矽—Si)之形成’與習知技術相較可增加累積電容。a — s i可如習知技術在薄膜電晶體側基板製成形狀上，以相同的曝光數目製造。此使得液晶面板在開口率，有利的保持特性，和低給 ^電壓無明顯減少，以及主動矩陣式液晶顯示裝置具有^ 亮度和令人滿意的顯示平穩性和可靠度。而在本實施例中，半導體膜504形成於間層絕緣膜13〇的裂縫中，但本發明不限於前述結構。替代半導體膜 504，具有高介電常數的透明介電質可以與前述第一實施例相似而形成。接著，本發明之第三實施例第1 8圖作說明。將在後文中參照第1 7圖和

不似刖述之第一實施例，本實施例的特點為，裂縫形狀的溝槽5 0 5以在形成丘雷搞1 n r + 1 μ 士站* i ,λλΓ 電極之刖，蝕刻在薄膜電晶體侧玻璃基板1〇〇部份令於畫素電極104與共電極1〇6之間重叠部份下方而形成。其他步驟和習知技術相似。

557384 五、發明說明（14) 在本實施例中，以前述結構，如第1 8圖中所示，畫素電極 1 0 4，間層絕緣膜1 3 0，和共電極1 0 6可形成於溝槽5 0 5的墙垣。此造成畫素電極104與共電極106之間重疊部份的面積增加，藉而可能增加以畫素電極1 〇 4與共電極1 〇 6形成的保持電容。因此，可得到和前述第一實施例相似的效果。而在本實施例中，裂縫形狀的溝槽505形成在薄膜電晶體側玻璃基板1 0 0部份中於畫素電極1 〇 4與共電極1 〇 6之間重疊部份下方，但本發明不限於前述結構。替代地，本發明可利用在薄膜電晶體側玻璃基板丨00具有凸起和凹下的綽構’使得畫素電極1 〇 4與共電極1 〇 6之間重疊部份的面積增加。然後，本發明之第四實施例將在後文中參照第丨9圖和第2 0圖作說明。在本實施例中，如第20圖中所示，二種具有大蝕刻率比例的膜，即第一間層絕緣膜601和第二間層絕緣膜6〇2叠合以作為間層絕緣膜。在畫素電極1〇4與共電極丨〇6之間重疊部份，只有第二間層絕緣膜6〇2被蝕刻以使得間層絕緣膜薄於其他區域。

因前述結構，在與習知技術相較下，可減少晝素電極 1 0 4與共電極1 〇 6之間重疊部份間層絕緣膜的厚度，以晝素電極104與共電極106形成的保持電容可增加，而得到和前述第一實施例相似的效果。而在本實施例中，間層絕緣膜具有由具有不同蝕刻率

第18頁 557384 五、發明說明（15) 之第一間層絕緣膜601和第二間層絕緣膜6〇2形成的二層結構，但本發明不限於前述結構。替代地，本發明可利用例如任何只要可使晝素電極丨04與共電極1〇6之間重疊部份的間層絕緣膜之膜厚降低的結構，以及可使疊合結構。 X尺夕層的如上所述，根據本發明，寫入畫素電極的電性改被改善，且給穿電壓可被降低，而開口顯=特少，造成改善顯示特性和可靠度的效果。革…、月顯减其理由為任何前述結構或結構的組合用 :命畫素電極’和絕緣層，藉以可能增加液：二電數無關的累積電容。 ”夜日日之介電常雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，限定本發明，任何熟習此技藝者，在不魅“、、其並非用以和範圍内，當可作更動與潤飾，因此本本發明之精神視後附之申請專利範圍所界定者為準。*月之保護範圍當

Claims

5573814 六、月曰包括 1· 一種主動矩陣式二相對透明絕緣基板；以及液晶，插置於二基；夕pq 4< ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 基板之間，其中該液晶由產生一主要干4丁於在置於第—該其ijS I- «ν ^ Jt ^ -,^ . ^ Q a 土板上之旦素電極和共電極二者之間施加電壓的液晶層之電場所控制，該顯示裝置進一步包括·· 在該第一基板上，具有·· 複數條掃描線和複數條信號線，相互正交·，的交又點：Ξ膜電晶體，形成於每個該掃描線和該信號線备彻祕4共電Ϊ，主要平行於該掃描線而延伸’且具有複數個梳齒狀凸出物朝向該掃描線延伸；之吁丘雷當自正面方向觀察該基板時，在相鄰 $ j，、電極的梳齒狀凸出物之間的間隙之間，主要平行於梳齒狀凸出物而形成，且i卩、極以間層絕緣膜插置其間；电}和耵於d ％間；以及門層絕緣膜’置於該共電極與該晝素電極之膜插置其間第對準膜’形成在該共電極上，以保護絕緣在第一基板上，具有·· 有開口；以及一第 ::色矩陣，在相對於每個該畫素電極的區域具準臈；以及

該動-㈣式液晶！示裝置之特徵在於包括 ιιη 557384 m$^L-.88n〇844 六、申請專利範圍月曰修正極之間，、：：::置’用以得到在該畫素電極和該共電情況下產生的累X ^f _具有相等厚度且為平坦結構的生的累積電容更大的累積電容。裝置，第1項所述之主動矩陣式液晶顯示的介電質，二積電谷增加裝置& ·· 一具有預設介電常數極盥哕蚩去正面方向觀察該基板時，置於夾在該共電内，。、μ旦素電極梳齒狀凸出物之間的該第一基板的區域 3·如申請專利範圍第i項所述之主動矩陣式液晶顯示、其中在該第一基板的上表面區域的至少一部份，當自正面方向觀察基板時，該畫素電極與該共電極之重疊處’形成一凹陷處；且該累積電容增加裝置為丨一間層絕緣膜插置於該共電極與該畫素電極之間該凹陷處的墙垣表面0 4 ·如申請專利範圍第1項所述之主動矩陣式液晶顯示裝置，其中該累積電容增加裝置為：一分隔開該共電極與該畫素電極之間的間層絕緣膜，當自正面方向觀察基板時’在該共電極與該畫素電極之重疊處的至少一部份區域製成較薄。 5 ·如申請專利範圍第1項所述之主動矩陣式液晶顯示裝置，其中該累積電容增加裝釁為· 一分隔開該共電極與該畫素電極之間的間層絕緣膜，當自正面方向觀察基板時，在該共電極與該晝素電極之重疊處的至少一部份區域，由具有預設介電常數的介電質形成^。土^、 6·如申請專利範圍竿i谓所5之主動矩-陣式液晶顯示_ 2138-2659-pfl.Ptc 第21貢 557384 _案號88110844_年月曰修正_ 六、申請專利範圍裝置，其中該間層絕緣膜為一至少二層的結構，以除去一或更多該層而形成薄於其他區域。 7. 如申請專利範圍第2、3或4項所述之主動矩陣式液晶顯示裝置，其中該間層絕緣膜，由具有高於該保護絕緣膜和該第一基板之一之介電常數的透明介電質所形成。 8. 如申請專利範圍第5項所述之主動矩陣式液晶顯示裝置，其中該具有預設介電常數的介電質，由具有高於該間層絕緣膜，該保護絕緣膜，和該第一基板之一之介電常數的透明介電質所形成。 9. 如申請專利範圍第7項所述之主動矩陣式液晶顯示裝置，其中該透明介電質由鈦氧化物形成。 1 〇.申請專利範圍第8項所述之主動矩陣式液晶顯示裝置，其中該透明介電質由鈦氧化物形成。 11.如申請專利範圍第8項所述之主動矩陣式液晶顯示裝置，其中該透明介電質由用以形成該薄膜電晶體之半導體層所形成。 1 2.如申請專利範圍第1項所述之主動矩陣式液晶顯示裝置，其中該累積電容增加裝置為：申請專利範圍第2至5 項所述之累積電容增加裝置中之至少二種。

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