TW556266B - Process for removal of photoresist after post ion implantation - Google Patents

Description

A7 556266 _______ B7 _ 五、發明說明（I ) 發明領域 本發明係相關於一種用於將光阻從一基板處剝除的程 序。更特別的是，本發明係相關於一種在一離子植入程序 被施行後、用於除去一層光阻之程序。 發明背景 積體電路的製造係包括有許多程序。離子植入係爲通 常使用在製造積體電路之此一程序，其中摻雜離子係經由 一有機光阻光罩而被選擇性地植入半導體基板之一表面中 。典型地爲藉由溶劑所脫落之有機光阻光罩係使用微成像 程序來界定圖案。一旦離子植入程序被施行之後’光阻光 罩係典型地藉由一剝去程序所除去。然而，在離子植入程 序期間，摻雜離子係會與光阻之一表面進行反應，用以產 生通常爲熟習此技者所稱之「硬皮部分（crust portion)」 。所造成之「硬皮部分」係爲相當地非多孔者，並且在隨 後很難使用傳統剝去程序所除去。硬皮在光阻層中之存在 係會對「後離子植入程序」造成不良影響。舉例言，吾人 係已發現的是，「硬皮部分」並無法容許在光阻層內所存 在之揮發性溶劑或是低分子量之聚合物在晶圓溫度於乾式 剝去程序期間而上升時能夠容易地剝離。因此，光阻層之 電漿剝去係可能在「提高的溫度（elevated temperatures) 」下造成起泡（blistering)或者爆裂（popping)，其係會 轉而造成缺陷以及微粒的產生。「提高的溫度」一詞係指 大於光阻層在植入程序之前所被烘烤或所遭受到之最大溫 __3_ —_ 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 -Μι ϋ ϋ rT - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) t· •線. A7 556266 _ B7___ 五、發明說明（> ) 度的溫度而言。使用傳統濕式化學剝除劑以剝除已離子植 入之光阻係需要較長的生產時間，此係由於硬皮部分之溶 解行爲係需要與剝除劑之較長接觸時間所致。再者，硬皮 部分之溶解行爲並不均勻。 不同的方法係已於習知技藝中所揭示，用以將光阻層 從已曝露至一離子植入程序之基板處除去。舉例而言， Fujimura等人之美國專利第4,938,839號係描述了一種經由 含氧性蝕刻氣體之電漿而將已離子植入之已圖案化光阻層 從基板處剝除時利用冷卻基板的方法。在剝除期間冷卻晶 圓係會降低光阻剝除速率，從而造成較長的生產時間。 多重的以及複雜的電漿處理步驟亦已爲人所嘗試，但 其係需要仔細的監視以決定光阻層之硬皮部分的除去。在 Tseng等人之美國專利第5,811，358號之中，發明者係揭示 了一種用於在高劑量離子植入後將光阻剝除的三步驟方法 。已離子植入之光阻的硬皮部分係首先經由一種氧氣及氮 氣/氫氣電漿而在一低溫（< 220°C )下被剝除，用以最小 化或防止上文中所提及之起泡以及/或者爆裂問題。接著 ’ 一個商溫（> 220 C )係被利用以除去剩餘的光阻。最後 ，基板係接著經由氫氧化銨以及過氧化氫來加以淸潔，用 以除去剩餘的污染物以及光阻殘留物。此一類型之多步驟 程序係需要不同模組及設備組，從而降低了晶圓產量並增 加了製造成本。

Kuo等人在美國專利第6,024,887號中係揭示了一種用 於剝除已離子植入之光阻的程序，其係首先藉由將已離子 ___4_____ t、紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) "—" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂丨 ;線· 556266 A7 _ B7___ 五、發明說明（）） 、 植入之光阻層曝露至一個從氧氣及氟氣所產生之第一電漿 。一個不帶有含氟種類之第二電漿係被使用於剝除已離子 植入之光阻。同樣地，仔細的監視係爲吾人所需以決定硬 皮層（crust layer)之除去。 有鑑於習知技藝，吾人所希求的係爲具有一種在曝露 至一後離子植入程序之後、用於除去光阻光罩的簡單剝除 程序。較佳的情況是，用於已離子植入之光阻的剝除程序 係需要最小監視、係可改變爲高產能處理、並且係適合於 濕式及乾式剝除程序。 發明槪要 本發明係克服了在習知技藝中、在一離子植入程序被 施行後用於除去一層光阻的問題。本發明之程序係具有使 其上具有一已離子植入之光阻層的基板曝露至一紫外線（ UV)輻射之共通步驟。將基板曝露至紫外線輻射之步驟係 爲在離子植入後並且在將光阻從基板處除去之前。已離子 植入之光阻層係隨後使用傳統濕式或乾式剝除程序來加以 剝除或除去。在乾式剝除的情況中，本發明係驚人地發現 到，在習知技藝中所令人注目之起泡以及/或者爆裂問題 係被最小化，並且有利的是，較高的剝除溫度係可以被使 用於乾式剝除程序之中。在濕式剝除的情況中，除去效率 係得以提昇。 本發明之用於除去已離子植入之光阻的程序係包括有 將一其上具有已離子植入之光阻層的基板、曝露至一個足 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •laj·. 線 衣纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 556266 A7 _______B7 _ 五、發明說明（W ) 以除去該光阻層並且將該光阻從基板處剝除之紫外線輻射 源的步驟。紫外線輻射源係較佳發射出波長從大約150nm 至大約450mn的輻射。更佳的情況是，該紫外線輻射源係 發出波長從大約200nm至大約400nm的輻射。基板係被曝 露至紫外線輻射源的曝露能量劑量係爲從大約l〇mJ7cm2至 大約lOOmJ/cm2。較佳的情況是，在基板表面處之曝露能 量劑量係至少爲lOOmJ/cm2。曝露基板之時間係爲可變者 ’並且係取決於紫外線曝露來源而定。可選擇的是，基板 係可以在紫外線曝露期間被加熱，用以提昇將光阻光罩從 基板處除去的速率。在基板被加熱的情況中，所使用之溫 度不應大於光阻層在曝露至紫外線輻射之前所被烘烤之最 大溫度。較佳的情況是，溫度範圍係爲從大約2〇它至大約 120°C。 本發明之程序係可以在一個其中具有紫外線曝光源之 分離模組中、或者是在相同於已適合具有一紫外線曝光源 之電發剝除程序的容室中施行。 本發明之其他實施例係已被考慮到提供特別的特點以 及基本部件之結構性變化。本發明之特定實施例以及變化 樣式及不同特點與優點在考慮到以下詳細說明及圖示時將 爲吾人所了解。 第〜圖係顯示出根據本發明之用於將已離子植入之光 阻從〜基板處除去之程序的諸步驟： ______________6 私紙張尺度適用@家標準（CNS)A4規格（21G x 297 _ -- ----------------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) · •線 556266 A7 ____ B7 _ 五、發明說明（$ ) 第二圖係爲一圖式，其係顯示出在針對根據本發明所 處理之晶圓的光阻中’以及在針對於在灰化（ashing )前 並未包括有一紫外線輻射曝露之晶圓的光阻中，藉由氫氧 族功能度（〇H functionality)之光學發射信號所監視到完 全除去已離子植入之光阻所需的時間；以及 第三圖係爲一圖式，其係顯示出針對根據本發明所處 理之晶圓，以及針對在灰化前並未包括有一紫外線輻射曝 露之晶圓，在相同狀況下所除去已離子植入之光阻的量。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) t· -•線· 元件符號說明 C 硬皮 I 摻雜離子 P 光阻 S 基板 較佳官施例之詳細說明 本發明係涉及一種用於剝除在被曝露至一離子植入程 序後之光阻層的程序。該程序係包括有使一其上具有已離 子植入之光阻層的基板曝露至一紫外線輻射下，以及隨後 藉由傳統剝除程序來除去已離子植入之光阻層。所選擇之 剝除程序（濕式或者乾式）係接著突破光阻層之硬皮部分 ，此方式係較並未被曝露至UV輻射下之已離子植入的光 阻層來得更加快速。因此，所選擇之剝除程序的除去效率 係被提昇。因此，在乾式剝除的情況中，通常被指爲灰化 ____2______ 衣纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 556266 A7 B7 五、發明說明（b ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，本發明係有利地避免了在低溫下爲除去已離子植入之光 阻層所需之延長灰化作用。再者，發明人係發現到的是， 經由濕式剝除程序，尤其是硬皮灰化程序，在灰化期間所 使用之溫度係可以被提昇，而此係會造成較快速的生產而 帶有最小的或者根本不會有起泡以及/或者爆裂。如同上 文中所提及者，本發明之程序係可以被修改以適合濕式以 及乾式剝除程序。 -線 現在參照第一圖，所顯示的是根據本發明之用於除去 已離子植入之光阻層的程序流程圖。第一步驟（a )係涉 及將光阻塗敷在一基板上，大體上係分別以P及S來標示 。光阻係一般爲被使用於將影像轉移至一下方基板之有機 光感性薄膜，並且係典型地被製作爲一液態塗膜。液態光 阻塗膜係例如是藉由旋轉塗敷、浸泡、滾動塗敷、或是其 他傳統技術而被塗敷至基板上。本發明大體上係可用於被 使用在 g-line、i-line、DUV、193nm、157nm 應用並隨後 被曝露至離子植入程序的光阻。此係包括有、但非限制於 包含有酣醒淸漆（novolaks )、聚乙稀酣（ polyvinylphenols )、丙烯酸酯（acrylates )、乙縮醛（ acetals)、銅縮醇（ketals)、聚嫌亞胺（polyimides)、 環烯（cyclic olefins)等等的光阻樹脂。其他適當的光阻 樹脂以及材料在考慮到本發明揭示內容後將爲熟習此技者 所了解。光阻係可以爲正向反應或是負向反應者，此係取 決於光阻的化學性質以及所選擇的顯影劑而定。 光阻係被傳統被使用在相關於塗敷有光阻並隨後被曝 __s______ 私紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) " 一 " 556266 B7 五、發明說明（) 露至離子植入的程序中的基板上。舉例而言，光阻係可以 被塗敷在用於微處理器以及其他積體電路元件之矽或二氧 化矽晶圓上。鋁-氧化鋁、砷化鎵、陶瓷、石英、或是銅質 基板亦可以被利用。其他適合使用於本發明之基板在熟習 此技者考慮到本發明之說明後將爲其所了解。 在光阻被塗敷在基板上之後，光阻P係使用傳統微成 像技術來加以圖案化，如同在步驟（b )中所顯示者。典 型的情況是，熟習此技者將以放射性輻射選擇性地通過一 個光罩而照射該光阻層。曝露程序係足以使光阻層中的光 感性成分有效地活化，用以在已曝露與未曝露區域之間產 生在溶解性質上的改變。光阻層係隨後依據先前已知之程 序進行顯影，用以獲得一個接替影像（relief image)。在 基板上之光阻塗敷物接下來的顯影，已顯影之基板係可以 在包括有一離子植入程序但沒有光阻的區域上選擇性地進 行處理。 在步驟（c )中，基板係被曝露至一離子植入程序。 大體上以I所標示之具能量摻雜離子係朝向基板而加速， 並且選擇性地植入基板之已曝露表面，亦即在沒有光阻光 罩之處，用以將所希求之電氣性質施予至基板之中。依據 所希求之電氣性質，離子係可以爲正離子或負離子。摻雜 離子以及使用於離子植入程序之操作參數的選擇係爲熟習 此技者所熟知。舉例而言，摻雜離子係包括有但非限制於 含有摻雜離子的砷、含有摻雜離子的硼、以及含有摻雜離 子的磷。在基板具有光阻光罩的那些區域中，摻雜離子係

_______Q 拿、紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) t· --線· 556266 五、發明說明（Z ) 與光阻之一表面相互反應’並且係被防止穿入基板的表面 之中。光阻與摻雜離子相互反應的部分係遭受到一化學變 化，其中此一部份係通常於工業中被稱之爲一「硬皮（ crust)」，在第一圖中大體上係以C來標示。硬皮部分在 下文中係被界定爲光阻與摻雜離子相互反應、並造成其除 去以及/或者溶解性質改變的部分而言。據此，硬皮將爲 光阻被曝露至摻雜離子並與其相互反應的表面。離子穿入 光阻表面中的程度係被加以限制，而由於不想被理論所束 縛，吾人所相信的是該程度係取決於離子植入程序之操作 參數、光阻的成分、以及光阻層之自由體積而定。如同上 文中所提及者，已離子植入之光阻在與未曝露至摻雜離子 的光阻相較之下係具有不同的剝除性質。因此，並且如同 在習知技藝中爲人所知者，光阻之已離子植入的部分（亦 即硬皮部分）係使得光阻層更難以除去或剝除。不同的硏 究係已顯示出硬皮部分爲一高度碳化、類似石墨的材料層 〇 如同顯示在第一（d )圖中，程序係更進一步地包括 :將包括有光阻光罩之已離子植入表面的基板曝露至一紫 外線輻射曝露。較佳的情況是，基板的整個表面係被曝露 至紫外線輪射。紫外線輻射的量係從大約10mJ/cm2至大約 lOOmJ/cm2。較佳的情況是，至少l〇〇mj/cm2係被使用。紫 外線輻射之波長爲從大約150nm至大約450nm。更佳的情 況是’輻射之波長爲從大約200nm至大約400nm。總曝露 時間係取決於許多因素而定，該等因素係包括有但非限制 言 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

幸、紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 556266 __________B7___ 五、發明說明（T ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於所使用輻射的波長以及量。曝露之最佳化將爲熟習此技 者在考慮到本發明揭示內容後而爲其所了解。可選擇的是 ，晶圓係可以被加熱在一個從大約20t至大約12(TC的溫 度範圍中，用以提昇紫外線輻、射曝露之效率。在晶圓於紫 外線輻射曝露期間被加熱的情況中，較佳的情況是晶圓所 被加熱至之溫度並不大於在離子植入前所使用之烘烤溫度 〇 由於不想被理論所束縛，吾人所相信的是紫外線輻射 曝露係會致使在下方大塊光阻中之光化學重新排列，該光 阻係接著會導致在已離子植入光阻層之除去速率的提昇。 藉由傳統剝除程序（濕式或者乾式者）來移除包括有硬皮 部分之已離子植入光阻層的速率係會相對於未曝露至紫外 線輻射之已離子植入光阻層的移除速率而增加。就其本身 而論，晶圓生產量係會增加。更重要的是，通常在乾式程 序期間所觀察到起泡以及/或者爆裂的現象，在與經由乾 式剝除方式來剝除並未曝露至紫外線輻射之已離子植入光 阻層相較之下，係得以最小化或者被消除。有利的是，發 明者係已發現到的是，紫外線輻射曝露的直接結果是，在 乾式剝除期間所使用的溫度係可以被提昇，而不會致使在 起泡以及/或者爆裂現象上的相應增加。在乾式剝除期間 於溫度上之提昇係會依所需地提昇晶圓之生產。 如同在第一（e )圖中，程序係接著包括有一個步驟 ，其中光阻係藉由爲熟習此技者所熟知之例如是乾式或濕 式剝除程序等傳統程序而從基板處剝除。 _____ t、紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 556266 B7_ 五、發明說明（β ) 在乾式剝除的情況中，其上具有已離子植入之光阻的 基板係被直接帶至一電漿灰化器，其中該等基板係在灰化 器容室內被曝露至紫外線下，並且接著被灰化。或者，紫 外線曝露單元係可以與離子植入設備整合爲一，或者作爲 一單獨的模組。在紫外線輻射曝露之後，反應性物種（ reactive species)係藉由產生一電漿而被形成在灰化器的 容室中。本發明並未意欲被限制在任何特殊的電漿或電漿 設備之中。電漿係可以爲含氧或不含氧者、含氟者、成形 氣體（forming gas)等等。成形氣體係指一種二成分的氣 體混合物，其中第一成分係爲氫氣，而第二成分係爲氮氣 或例如是氦氣、急氣等等的任一惰性氣體。適合被使用在 本發明中之其他氣體電漿成分或設備將爲熟習此技者在考 慮過本發明之揭不內容後而爲其所了解。反應性物種（ reactive species)係藉由與光阻相互反應以形成揮發性反 應產物，或者藉由減弱光阻對基板之黏著而將已離子植入 的光阻除去。剝除程序係繼續進行直到從反應而來而介於 光阻間之揮發性反應產物不再發展形成爲止，或者是進行 至光阻以及/或者殘留物可藉由一淸洗步驟而得以除去爲 止。此程序係可以利用傳統的監視設備或類似裝置。 適合用於本發明之電漿灰化裝置係包括有下游電漿灰 化器，例如是可以從商標名GEMINIES處所獲得之微波電 漿灰化器，以及從Eaton Corporation所購買取得者。然而 ，應當注意的是，本發明並未限制於在此或是在以下實施 例中所提及之任何特定電漿灰化器。舉例而言，一種誘導 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： 線- 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 556266 __B7___ 五、發明說明（〇 ) 耦合式電漿反應器係可以爲吾人所使用。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 電漿氣體之特殊成分係藉由其於電漿成形狀況下形成 一氣體及一電漿之能力來加以選擇。較佳的情況是，該等 成分係被組合並被加至電漿灰化器而作爲一氣體。電漿氣 體係主要與碳以及在光阻化合物中的其他原子以及/或者 殘留物相互反應，用以在出現於一電漿反應室中的狀況下 形成揮發性化合物。如同所提及者，電漿係可以爲不帶有 氧氣或者是含有氧氣之類型者。另外，電漿係可以包含有 氟，此係取決於所希求之剝除速率以及其他基板成分對氟 的敏感性而定。 濕式剝除係包括有酸、鹽基、以及溶解劑，如同爲熟 習此技者所了解的。在紫外線輻射曝露後，基板係使用適 當的濕式剝除劑而藉由傳統方式來進行剝除。所使用之特 定濕式剝除劑係爲熟習此技者所熟知者。舉例而言，硝酸 、硫酸、阿摩尼亞係通常被利用作爲濕式剝除劑，並且係 適合被使用在本發明之中。在操作中，濕式剝除劑係被浸 入、攪動、流動、或噴灑在基板上，並隨後以去離子水進 ί了淸洗。 可選擇的是，一個淸洗步驟係被利用於濕式或乾式剝 除步驟之後，用以除去污染物以及/或者光阻殘留物。較 佳的情況是’淸洗步驟係利用去離子水，但亦可以包括有 臭氧、硫酸、氫氟酸等等，如同爲熟習此技者所熟知者。 以下示例係爲根據本發明而用於剝除已離子植入之光阻之 程序的詳細說明。詳細的程序係落入在上文中更大體上所 _____ 13_____ 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 556266 ___B7_ 五、發明說明（β ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 描述而用以舉例說明的範圍之內。示例僅作爲舉例說明之 用，而不應被認爲是限制了本發明的範圍。 示例一 -線. 在此一示例之中，200mm砂晶圓係被塗敷有1.2//m 的光阻，並且隨後在一 Eaton High Current Implanter上被 植入含磷離子。劑量係爲5e15 atoms/cm2，而處在30KeV 之能量下。晶圓係接著於20°C下、在一 Fusion System 200 PCU光穩定器上被曝露至105mW/cm2之紫外線輻射30秒 。晶圓係接著使用Eaton之Fusion ES-AIM灰化器，而在 100GC下使用1700sccm的氧氣、llOOsccm的成形氣體（ 3%氫氣，97%氨氣）、以及150sccm的氟化碳（CF4)、 使用1.5Kw的微波功率而在1.5toir下進行乾式剝除，亦即 灰化。光阻之完全除去時間係藉由監視一氫氧族功能度（ OH functionality)之光學發射信號來加以紀錄，並且與剝 除前並未接收任何紫外線曝露之晶圓相比較。結果係被顯 示在第二圖中。未曝露至紫外線輻射之晶圓的剝除係首先 展現出發射信號之初始降低，並接著快速提昇。初始降低 以及隨後之快速提昇係表示出灰化程序破除光阻層之硬皮 部分。在比較下，曝露至紫外線輻射的晶圓係展現出從剝 除程序一開始之提昇，而此係暗示出一種更有效率的程序 。光阻層藉由每一程序所完全除去而爲吾人所紀錄的時間 係被顯不在表一中。 _________ 私紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) ~ " 556266 A7 B7 五、發明說明（β) 表一 U V曝露步驟 無U V曝露步驟 移除光阻之灰化時間 大約110秒 大約150秒 結果係淸楚地顯示出，已離子植入之光阻的除去在經 過UV輻射曝露後係以一種較快的速率所發生，而此係指 出U V曝露係會提昇已離子植入之光阻層的除去速率。 示例二 在此一示例之中，200mm矽晶圓係被塗敷有1.2/zm 的光阻，並且隨後被植入含磷離子、處理並監視，如同在 示例一之中。所使用在此一示例中之成形氣體係爲3%氫氣 以及97%氬氣的氣體混合物。如同在示例一中所提及者， 將光阻從已照射U V之晶圓上除去的時間係藉由監視在光 阻中氫氧族功能度之光學發射信號而被加以紀錄。在此一 示例之中，未曝露至UV輻射之晶圓係進行灰化以相同於 已照射U V輻射晶圓的時間量，其中在灰化後存在於晶圓 上之殘餘光阻係藉由偏振光橢圓計（ellipsometry)來加以 量測。結果係顯示在第三途中。在相同的狀況下，未曝露 至UV輻射之晶圓係具有大約i.〇#m的光阻殘留在晶圓上 ’而已曝露至UV輻射之晶圓上的光阻則係爲剝除程序所 完全地除去。 本發明之許多修改應試以及變化樣式將爲熟習此技者 在考慮到前述揭示內容後而爲其所了解。因此，將爲吾人 所了解到的是，在隨附申請專利範圍的範疇內，本發明係 __15______ 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ts]·. 線· 556266 A7 B7 五、發明說明（、 可以被施行爲不同於已特別顯示及描述者 16 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

1. A8B8C8D8 556266 六、申請專利範圍 1、 一種用於除去已離子植入之光阻（P )之程序， 其係包括有：使一其上具有已離子植入之光阻層的基板（ S )曝露至一個足以除去光阻層之紫外線輻射源，以及自 該基板處剝除該光阻。 2、 根據申請專利範圍第1項所述之程序，其中該剝 除步驟係爲由一乾式剝除程序及一濕式剝除程序中所選擇 的一個所構成。 3、 根據申請專利範圍第2項所述之程序，其中該乾 式剝除程序係包括有將已曝露至紫外線的已離子植入之光 阻層曝露至一電漿。 4、 根據申請專利範圍第3項所述之程序，其中該電 漿係爲從包含有氧氣之氣體所產生者。 5、 根據申請專利範圍第3項所述之程序，其中該電 漿係爲從不存在有氧氣之氣體混合物所產生者。 6、 根據申請專利範圍第1項所述之程序，其更包括 有在將該基板曝露至該紫外線輻射源之步驟期間對該基板 進行加熱。 7、 根據申請專利範圍第6項所述之程序，其中該基 板係被加熱至一個從大約2〇°c至大約l2〇°c的溫度。 8、 根據申請專利範圍第6項所述之程序，其中該基 板在曝露至該紫外線輻射源之前係被加熱至一個不大於光 阻層所烘烤之最大溫度的溫度。 9、 根據申請專利範圍第1項所述之程序，其中該紫 外線輻射源係發出波長從大約15〇nm至大約450nm的輻射 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公笼) (請先閱讀背面之注意事項再塡寫本頁)

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   1 Ο '根據申請專利範圍第1項所述之程序，其中該 紫外線輻射源係發出波長從大約200nm至大約400nm的輻 射。 1 1、根據申請專利範圍第1項所述之程序，其中將 基板曝露至紫外線輻射源的該步驟係爲處在從大約 10mJ/cm2至大約i〇〇mJ/cm2的曝露能量。 1 2、根據申請專利範圍第1項所述之程序，其中將 基板曝露至紫外線輻射源的該步驟係爲處在至少 lOOmJ/cm2的曝露能量。 1 3、一種除去已離子植入之光阻層的程序，該已離 子植入之光阻層係自一半導體基板（S )去除，該程序係 包括有以下步驟： 形成一個包括有光阻（P )之光罩於該基板上； 將該基板曝露至摻雜離子，其中該摻雜離子（I )係 與光阻光罩之一表面相反應，用以形成一個已離子植入之 光罩部分於光阻光罩中； 使摻雜離子（I)經由光罩中的開口而植入該基板之 中； 將該基板曝露至紫外線輻射； 藉由產生一電漿以形成一反應性物種；以及 將該基板曝露至電漿之反應性物種一段足以且得有效 將包括有已離子植入之光阻部分的光阻光罩從該基板處除 去的時間。 2 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁)

   度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公楚7 556266 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 1 4、根據申請專利範圍第1 3項所述除去已離子植 入之光阻層的程序，其中將基板曝露至紫外線輻射之該步 驟係包括有大約105mW/cm2之曝露能量。 1 5、根據申請專利範圍第1 4項所述之除去已離子 植入之光阻層的程序，其中將基板曝露至紫外線輻射之該 步驟係包括有大約30秒之曝露時間。 1 6、根據申請專利範圍第1 3項所述之除去已離子 植入之光阻層的程序，其中將基板曝露至紫外線輻射之該 步驟更包括有將晶圓加熱至一個使光阻光罩從該基板處移 去之速率得有效增加的溫度。 1 7、根據申請專利範圍第1 3項所述之除去已離子 植入之光阻層的程序，其中將基板曝露至紫外線輻射之該 步驟係包括有大約以105mW/cm2曝露30秒，其中該基板 係被維持在大約20°C的溫度。 線 1 8、根據申請專利範圍第1 3項所述之除去已離子 植入之光阻層的程序，其中該電漿係爲不帶氧者。 1 9、根據申請專利範圍第1 3項所述之除去已離子 植入之光阻層的程序，其中該電漿係爲包含有氧者。 2 0、根據申請專利範圍第1 3項所述之除去已離子 植入之光阻層的程序，其更包括有以去離子水進行淸洗的 步驟。 2 1、根據申請專利範圍第1 3項所述之除去已離子 植入之光阻層的程序，其中在除去已離子植入之光阻部分 期間的監視期間並沒有明顯的限制。 3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） 556266 韶 C8 D8 六、申請專利範圍 2 2、根據申請專利範圍第1 3項所述之除去已離子 植入之光阻層的程序，其中將已離子植入之光阻曝露至紫 外線輻射以及反應性種類之該等步驟係發生在相同的反應 容室中。 2 3、根據申請專利範圍第1 3項所述之除去已離子 植入之光阻層的程序，其中將基板曝露至紫外線輻射之該 步驟係包括有將該基板曝露在從大約10mJ/cm2至大約 1 OOmJVcm2的曝露能量。 2 4、根據申請專利範圍第1 3項所述之除去已離子 植入之光阻層的程序，其中將基板曝露至紫外線輻射之該 步驟係包括有將該基板曝露在至少100mJ/cm2的曝露能量 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 、言 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 x 297公笼)