TW556185B - Optical information recording medium and the manufacturing method thereof, record reproduction method and record reproduction device - Google Patents

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TW556185B
TW556185B TW090118861A TW90118861A TW556185B TW 556185 B TW556185 B TW 556185B TW 090118861 A TW090118861 A TW 090118861A TW 90118861 A TW90118861 A TW 90118861A TW 556185 B TW556185 B TW 556185B
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Noboru Yamada
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Matsushita Electric Ind Co Ltd
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Description

556185 A7 ____ B7___ 五、發明說明(丨) 【技術領域】 本發明係有關於可記錄型之光學資訊記錄媒體、其製 造方法、記錄再生方法及記錄再生裝置,其係藉由在基板 上所形成之薄膜上照射雷射光束等高能量光束,能記錄再 生高品質之資訊信號。 【習知技術】 在透明基板上形成薄膜,在該薄膜上照射雷射光(聚成 微小光點),來進行資訊信號之記錄再生之技術係習知的技 術。就這種記錄再生所使用的可記錄型之記錄媒體而言, 在曰本專利特開昭50-46317號公報中,揭示了在基板上設 置材料薄膜[以Te與Te02之混合物TeOx(0<x<2)爲主成 分]之記錄媒體。這種記錄媒體,在再生用之光束照射中, 能得到大的反射率變化。 以這種TeOx爲主成分之記錄膜,係在成膜後之非結晶 狀態下,不必進行雷射退火等之初期化處理,一面調變強 度,一面照射雷射光,來形成結晶之標記,藉此能記錄資 訊信號,因這是非可逆過程,故不能藉由寫在上面來修正 或消去等,兼備作爲可記錄型之記錄媒體之重要特性。又 ,以TeOx爲主成分之記錄膜,可提高耐濕性等之環境可靠 性,不需要電介質之保護層等,通常係使用單層薄膜來作 爲記錄媒體,在生產成本方面也很低。 但是,在TeOx*,在記錄後之信號飽和前,即,在記 錄膜中,藉由雷射光照射來充分進行結晶化前,需要若干 4 --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 。 ‘ 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 556185 B7 五、發明說明(〆) 的時間。例如,將資料記錄在光碟上,一轉動後,像查證 該資料之電腦用資料檔案時等那樣,不適合作爲記錄媒體( 要求高速響應性)。爲了彌補該缺點,揭示(特開昭60-203490號公報,特開昭61-68296號公報,特開昭62· 88152號公報)了在TeOx中添加Pd或Au(作爲第3元素)之 記錄媒體。Pd或Au係在TeOx薄膜中,當照射雷射光時, 能達到促進Te之結晶成長作用,藉此作用,高速產生Te 及Te-Pd合金或Te-Au合金之結晶粒。其結果,能以高速 來進行結晶化記錄,可得到上述高速響應性。而且,因Au 具有高耐氧化性,故不損TeOx薄膜之耐溼性。 又,就用來增加平均1片媒體處理資訊量之基本裝置 而言,有藉由縮短雷射光之波長,或增大物鏡(聚集雷射光 )之數値孔徑,來縮小雷射光之點徑,提高記錄面密度之方 法。又,爲了提高周方向之記錄密度,記錄標記之長度成 爲資訊之標記邊緣記錄,發明了島及槽記錄[爲了提高半徑 方向之記錄密度,記錄於雷射光導引用的槽(groove)及島 (land)之兩方,並加以導入。又,爲了增加平均1片媒體之 處理資訊量,提案了多層構造媒體(複數積層記錄再生資訊 之層)及其記錄再生方法(特開平9-212917號公報,特表平 10-505188號公報,專利公開2000-36130號公報等),及層 識別機構(選擇這種複數資訊層中之任一資訊層,用來進行 記錄再生)及層切換機構(特表平10-505188號公報等)。 爲了對應這種高密度記錄,提案了改良記錄材料(在 TeOx中添加Pd或Au作爲第3元素)之組成、及膜厚之記 5 --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) β ‘ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 556185 A7 p-----— _B7__ _ 五、發明說明(1 ) 錄媒體(特開平9_326135號公報,WO98/09823號公報)。 但是’近年來,隨著資訊之大容量化,進一步要求提 高記錄密度’必須開發能對應高密度記錄(使用更短波長, 高NA之光學系統,特別是使用藍紫色之雷射光)之記錄媒 體。 即使變化記錄再生所使用之雷射光之波長,基本上, 記錄材料之熱特性係相同,但光學特性,特別係光學常數 ’有時因材料而有大變化。特別係在藍紫色波長範圍, TeOx基本之記錄材料之反射率變化比紅色波長範圍小,所 得到之信號振幅與C/N比也變小之傾向。 【發明槪要】 本發明之目的係提供可記錄型之光學資訊記錄媒體及 其製造方法、記錄再生方法及記錄再生裝置,即使在高密 度之資訊記錄再生(使用藍紫色之雷射光)中,也可得到高 C/N比之良好記錄再生特性。 爲了達成上述目的,本發明之光學資訊記錄媒體,其 特徵在於:在透明基板上備有資訊層,前述資訊層係由記 錄層與電介質層所構成; 前述記錄層含有Te、0及M(其中,Μ係選自Ab Si 、Ti、V、Cr、Μη、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、 Nb、Mo、RU、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、 Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中之1種或複數元素); 前述記錄層中0原子之含有比例係25%原子以上60% 6 表紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · . 556185 A7 __B7_______ 五、發明說明(叱) 原子以下,Μ原子之含有比例係1%原子以上35%原子以 下; 前述電介質層之折射率η爲1_5以上。 其次,本發明之第1種光學資訊記錄媒體之製造方法 ,係在透明基板上備有資訊層,前述資訊層係由記錄層與 電介質層所構成,其特徵在於: 在前述透明基板上,藉由氣相薄膜堆積法來形成記錄 層[含有Te、0及Μ(其中,Μ係選自Α卜Si、Ti、V、Cr 、Μη、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、 Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir 、Pt、An、Bi中之1種或複數元素)]、及電介質層(折射率 η係1.5以上),前述記錄層中Ο原子之含有比例係25%原 子以上60%原子以下,Μ原子之含有比例係1°/。原子以上 35%原子以下; 在60°C以上之條件下,進行退火處理(保持5分鐘以 上)。 其次,本發明之第2種光學資訊記錄媒體之製造方法 ,係在透明基板上備有資訊層與保護層,前述資訊層係由 記錄層與電介質層所構成,其特徵在於: 首先,形成前述保護層; 在前述保護層上,藉由氣相薄膜堆積法來形成記錄層[ 含有Te、Ο及M(其中,Μ係選自AhSi、Ti、V、Cr、 Μη、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru 、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、 7 幸、紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · . 556185 A7 _______ B7__ 五、發明說明(4 )
Pt、Au、Bi中之1種或複數元素)]、及電介質層(折射率η 係1.5以上),形成資訊層,該資訊層係前述記錄層中0原 子之含有比例爲25%原子以上60%原子以下,Μ原子之含 有比例爲1%原子以上35%原子以下; 在前述資訊層上,貼合前述透明基板之前或後, 在60°C以上之條件下,進行退火處理(保持5分鐘以 上)。 其次,本發明之光學資訊記錄媒體之記錄或再生方法 ,其特徵在於:在透明基板上備有資訊層,前述資訊層係 由記錄層與電介質層所構成; 前述記錄層含有Te、Ο及M(其中,Μ係選自Ab Si 、Ti、V、Cr、Μη、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、 Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、 Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中之1種或複數元素); 前述記錄層中〇原子之含有比例係25%原子以上60% 原子以下,Μ原子之含有比例係1%原子以上35%原子以 下,前述電介質層之折射率η係1.5以上;從前述透明基 板側照射500nm以下之光束,來記錄再生資訊信號。 其次,本發明之光學資訊記錄媒體之記錄或再生裝置 ,其特徵在於:在透明基板上備有資訊層,前述資訊層係 由記錄層與電介質層所構成; 前述記錄層含有Te、0及M(其中,μ係選自A卜Si 、Ti、V、Cr、Μη、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、 Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn ' Sb、Hf、Ta、W、 8 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 · 556185 A7 ____B7___ 五、發明說明(V)
Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中之1種或複數元素); 前述記錄層中〇原子之含有比例係25%原子以上60% 原子以下,Μ原子之含有比例係1%原子以上35%原子以 下; 前述電介質層之折射率η係1.5以上; 並且,爲了記錄再生資訊信號而具備:光束產生機構 ,係照射波長500nm以下之光束;及光束調變機構,係在 形成標記時,對應前述標記之長度,用脈衝波形(由不同脈 波數之脈波列所構成)來調變前述光束。 若依本發明的話,則能提供可記錄型之光學資訊記錄 媒體及其製造方法、記錄再生方法及記錄再生裝置,即使 在高密度之資訊記錄再生(使用藍紫色之雷射光)中,亦可 得到高C/N比之良好記錄再生特性。 【發明之較佳實施形態】 在本發明之光學資訊記錄媒體中,也可使用單層或複 數層來作爲資訊層。當使用複數層時,較佳係在前述透明 基板上,通過各自之分離層來積層η層(其中,η爲2以上 之整數),前述η層資訊層中至少1層係本發明之資訊層。 就前述η層而言,從單層(這種情形不需要分離層)、2〜6 層最實用。 又,較佳係對前述記錄層,用波長500nm以下之光束 ,進行記錄再生。 又,較佳係前述記錄層之膜厚爲5nm以上70nm以下。 9 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _ 556185 A7 ___B7 五、發明說明(<]) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,較佳係前述電介體層是由ZnS、Ti〇2、Zr〇2、Si 、SiC、Si3N4、及GeN中,至少選擇1種或2種以上之混 合物爲主成分之材料所構成。此處,所謂主成分係指前述 化合物爲80%摩爾(mole)以上,更佳係90%摩爾以上。 又,較佳係前述電介質層之衰減係數k爲0以上1.0 以下。若衰減係數k小的話,則能複數層積層資訊層。 又,較佳係前述分離層係紫外線硬化樹脂,較佳係其 厚度爲1.0/Z Π1以上。 又,較佳係在本發明中,在最外層進一步備有保護層 〇 其次,在本發明之光學資訊記錄媒體之記錄再生方法 中,在形成標記時,較佳係對應前述標記之長度,用脈衝 波形(由不同脈衝數之脈衝列所構成)來調變前述光束,並 進行照射。 又,較佳係在前述第2資訊層之全記錄領域完成記錄 後,在前述第1資訊層進行記錄。 同樣地,當資訊層有η層時,較佳係首先在最終層之 第η資訊層之全記錄領域完成記錄後’向雷射光之照射側 在η-1之資訊層依序進行記錄。 以下,一面參照圖面,一面具體說明本發明之實施形 態。圖1及圖2係本發明之光學資訊記錄媒體之一構成例 之部分截面圖。如圖1及圖2所示’本發明之光學資訊記 錄媒體係在透明基板1上設置電介質層2、記錄層3、及保 護層4所構成。用電介質層2及記錄層3,構成資訊層21 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 556185 A7 __B7___ 五、發明說明) 。對這種光學資訊記錄媒體,從透明基板1側以物鏡6將 雷射光5進行聚光,然後照射來進行記錄再生。 又,圖3係本發明之光學資訊記錄媒體之一構成例之 部分截面圖。如圖3所示,本發明之光學資訊記錄媒體, 係在透明基板1上設置第1資訊層7、分離層8、第2資訊 層9、及保護層4所構成。此處,第1資訊層7及第2資 訊層9中之至少一方,係由電介質層2及記錄層3所構成 。對該光學資訊記錄媒體,從透明基板1側用物鏡6將雷 射光5進行聚光,然後照射來進行記錄再生。 就透明基板1之材料而言,較佳係在雷射光5之波長 中,是大致透明之材料,可使用聚碳酸酯樹脂、聚甲基丙 烯酸酯樹脂、聚烯樹脂、降冰片烷系樹脂、紫外線硬化性 樹脂、玻璃,或適當組合上述材料之材料等。又,透明基 板1之厚度雖沒有特別限定,但能使用〇·〇5〜1.5mm左右 厚度之透明基板。 就電介質層2之材料而言,能使用折射率n爲h5以 上之材料,較佳係能使用折射率η爲2.0以上之材料,更 佳係能使用折射率η爲2·5以上之材料。具體而言,例如 ,可使用以 ZnS、Ti02、Zr02、Si、SiC、Si3N4、GeN 等爲 主成分之材料。又,較佳係電介質層2之膜厚選擇能增大 反射率變化之膜厚。雖前述膜厚係根據波長及各層之光學 常數來決定,但例如當設定進行記錄再生之光束波長爲λ ,電介質層2之折射率爲η時,較佳係0.31 λ /η以上0.5 λ /η以下。又衰減係數k係表示複數折射率之虛部。 11 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) " " --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 556185 A7 ___B7 _ 五、發明說明() 就記錄層3之材料而言’可使用含有Te、0及Μ(其 中,Μ 係選自 Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu 、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn 、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi 中之 1 種或 複數元素)之材料。就M而言,雖特別使用Pd或Au,但 從能得到充分結晶化速度及高環境可靠性方面來看’特別 好。 記錄層3之材料之較佳組成範圍係〇原子爲25%原子 以上60%原子以下,Μ原子爲1°/〇原子以上35%原子以下 。將其理由說明如下。 記錄層3之〇原子在未滿25%原子之領域,因記錄層 3之熱傳導率太高,故記錄標記變太大,即使提高記錄功 率,也不能提高C/N比。相對地’記錄層3之Ο原子在超 過60%原子之領域,因記錄層3之熱傳導率太低,故即使 提高記錄功率,記錄標記也不能充分變大,C/N比變低, 感度也不充分。 記錄層3之Μ原子在未滿1%原子之領域,當照射雷 射光時,促進Te結晶成長之作用相對地變小,記錄層3之 結晶化速度變成不足,不能用高速來形成標記。相對的, 記錄層3之Μ原子在超過35%原子之領域,當照射雷射光 時,非結晶-結晶間之反射率變化變小,C/N比變低。 又,在記錄層3中,如以上之說明,就記錄膜而言, 已用使用材料(由Te、0、Μ所構成)之例來加以說明,但 因熱傳導率、光學常數等之調整、或耐熱性、環境可靠性 12 --------------------訂---------線 ·* (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 556185 A7 __B7___ 五、發明說明(、〇 ) 之提高等目的,也可依需要在記錄3全體之5%原子以內之 組成比例範圍,適當添加1種元素或複數元素(選自S、N 、F、B、C)。 若記錄層3之膜厚在5nm以上70nm以下的話,就能 得到充分之C/N比。若記錄層3係未滿5nm之膜厚的話, 因不能得到充分的反射率及反射率變化,故C/N比變低, 又,若是超過70nm之膜厚的話,因記錄層3之薄膜面內 之熱擴散大,故在高密度記錄中,C/N比變低。 就保護層4之材料而言,能使用與作爲透明基板1所 舉之相同材料,但也可使用與透明基板1不同之材料,也 可在雷射光5之波長中,不是透明之材料。又,雖沒有特 別限定保護層4之厚度,但可使用〇.〇5mm〜3.0mm左右之 厚度。 就第1資訊層7及第2資訊層9而言,如以上所述, 至少任一方,必須是由電介質層2及記錄層3所構成之資 訊層’但另一方,也可係具有與本發明之記錄層3不同之 記錄層’不是可記錄型,能作爲重寫型與再生專用型中之 任一種資訊層。 就分離層8而言,可使用紫外線硬化性樹脂等。當再 生第1資訊層7及第2資訊層9中之任一方時,分離層8 之厚度係至少必須爲物鏡6之數値孔徑NA與雷射光5之 波長λ所決定之焦點深度δζ以上之厚度,以使來自他方 之串訊變小。此處,焦點深度ΔΖ,若聚光點之強度以無像 差之80%爲基準的話,一般而言,能近似^2= λ/{2(ΝΑ)2}。 13 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _ 556185 A7 _ B7 五、發明說明(\\ ) 例如,當 λ = 405nm,ΝΑ = 0.65 時,則△ Z = 0.479 // m 。因此,±0.5//以內成爲焦點深度內,故當使用該光學系 統時,較佳係分離層6之厚度設定在至少超過1.0//m之値 〇 又,分離層8之厚度係在第1資訊層7及第2資訊層 9之2個資訊層,能記錄再生高密度之資訊,故兩層間之 距離能在物鏡6之聚光範圍,配合透明基板1之厚度,必 須在能容許物鏡之基材厚度公差內。 又,使各自之保護層4側相對面,貼合2片上述光學 資訊記錄媒體,藉由所形成之雙面構造,平均1片媒體可 儲存之資訊量就會增加2倍。 電介質層2、記錄層3、第1資訊層7及第2資訊層9 ,例如,能藉由真空蒸鍍法、濺鍍法、離子電鍍法、 CVD(Chemical Vapor Deposition)法,MBE(Molecular Beam Epitaxy)法等通常之氣相薄膜堆積法來形成。此處,第2資 訊層9,例如,係以保護層來作爲基板,在該基板上,從 雷射光5之入射側來看,從遠層依序進行成膜。相對地, 第1資訊層7,例如,也可在透明基板1上,從雷射光5 之入射側來看,從近層依序進行成膜。也可在分離層8上 ,從雷射光5之入射側來看,從遠層依序進行成膜。 又’本發明之光學資訊記錄媒體,就退火製程而言, 係在高溫度條件下,保持一定時間以上,藉此能得到更高 C/N比及更低顫動値。這是考慮藉由退火製程,在記錄層 3中’隨意擴散之部分各原子適度結合,形成微小的結晶 14 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------------訂---------線 i - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 556185 A7 厂 ___B7____ 五、發明說明(γ) 核,當記錄時,使結晶化更穩定,藉此使標記邊緣充分一 致,標記形狀能形成較整齊之標記所致。 退火溫度也因記錄層3之組成而不同,若依本發明者 等之實驗的話,較佳係60°C以上。而且,透明基板1等係 必須在熱變形或不熔融之透明基板1之軟化點或融點以下 ,例如,聚碳酸酯之情形,也必須在120°C以下。又,雖 退火時間也因記錄層3之組成及退火溫度而不同,但若依 本發明者等之實驗的話,藉由退火製程之C/N比提高等效 果,爲了飽和,必須至少退火5分鐘,飽和後,即無論保 持多長時間,在記錄再生特性中也看不見變化。 以下,就本發明之光學資訊記錄媒體之光學設計及光 學特性加以敘述。就多層膜而言,若決定各層材料之折射 率η、衰減係數k及膜厚的話,則對所有的界面,根據能 量不滅定律,成立各界面之光能量平衡之聯立方程式,藉 由解此聯立方程式,能求出作爲多層膜全體所入射之光束 之反射率、透射率及各層之吸收率(久保田廣著「波動光學 」岩波書店,1971年等)。使用這種手法,進行以下之光 學計算與設計。 首先,從雷射光入射側,依序就基板/記錄層/基板之 構成a、基板/電介質層/記錄層/基板之構成b、基板/記錄 層/電介質層/基板之構成c、基板/電介質層/記錄層/電介質 層/基板之構成d之各構成,使各層之膜厚變化,用波長 405nm及660nm來進行光學計算。 在進行計算時,基板之光學常數η- ik,係在任一波 15 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------------訂---------線 -* (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 556185 A7 ___B7__ 五、發明說明(νη ) 長中,都爲1·6 - iO.O。爲了確認其依存性,電介質層之光 學常數係在η=1·5〜3.0之範圍變化,係以k=0.0來計算。 假定使用 Te—O — Pd(原子數比:Te : O : Pd= 42 : 53 : 5) ,在波長405nm中,非結晶記錄層之光學常數爲2.5 —i0.6 ,結晶記錄層之光學常數爲2.0- il.6,在波長660nm中, 非結晶記錄層之光學常數爲2.5 - i0.6,結晶記錄層之光學 常數爲3.0- il.6。這些都是用分光器來測定反射率及透射 率,根據該測定値,藉由計算來求出石英基板上所成膜之 膜厚(約20nm)樣本。又,結晶狀態之樣本係使用在爐內, 用趨近結晶化溫度(250°C),保持2分鐘,使其結晶化之樣 本。 圖4A〜圖4D係表示光學計算之結果。圖中,係設定 記錄層結晶時之反射率爲Rcry,及設定非結晶時之反射率 爲Ramo,則圖示反射率差△RsRcry-Ramo。此處,記錄 層之膜厚係就20nm及40nm之情形來計算,在構成b、構 成c及構成d中,算出ΔΙΙ(將ΔΙΙ成爲最大之電介質膜厚 最佳化時)之値,並加以圖示。 根據圖4A及圖4B,若是波長660nm的話,只與記錄 層之構成a比較,若是追加電介質層之構成b、c及d的話 ,則即使把電介質層之折射率η增大到3.0,AR最高也只 能提高到3成。相對的,根據圖4C及圖4D,若是波長 405nm的話,與記錄層之構成a比較,構成b、c及d之電 介質層之折射率η越大,ΔΙΙ越明顯變大,能提高若干倍 〇 16 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------------訂---------線 ** (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 556185 A7 __________B7_ 五、發明說明(A ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 追加該兩波長電介質層之效果差異係記錄層之結晶折 射率η之不同,即,考慮起因於波長405nm之結晶折射率 比波長660nm小1.0左右。 一般而言,非結晶之光學常數之波長依存性小,但結 晶之光學常數之波長依存性往往很大。以Te爲主成分之材 料,這種傾向很明顯,若波長變短的話,則結晶之折射率 η變小。在紅色波長範圍,因結晶之折射率η大,故不必 追加電介質層,能得到充分的ΔΙΙ。但是,在藍紫色波長 範圍,因結晶之折射率η小,故只在記錄層,ΔΙΙ變小。 但是,追加高折射率η之電介質層,藉此能得到與紅色波 長範圍同等以上之大AR。 具體而言,例如,若是Te — 0 —Pd等之Te—Ο —Μ系 材料的話,在500nm以下之波長中,因結晶之折射率變小 到2.0左右,故追加折射率到1.5以上,更好係追加折射率 到2.0以上,較佳係追加折射率到2.5以上之電介質層2, 藉此能得到大的ΔΙΙ。 圖5係本發明之光學資訊記錄媒體之記錄再生方法及 記錄再生裝置一例之槪略圖。若依圖5的話,則雷射二極 體10所發出的雷射光5係通過半反射鏡11及物鏡6,在 藉由馬達12旋轉之光碟13上,進行聚焦,進行資訊信號 之記錄再生。 在進行資訊信號之記錄時,係使用圖6所示之脈衝波 形,來調變雷射光5之強度。即,至少Pl(在照射光時, 使照射部瞬間熔融之充分功率位準)、P2及P3(即使照射光 17 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 556185 A7 ^__B7__ 五、發明說明(A ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,也不可能使照射部瞬間熔融之功率位準)(其中,P1>P2 SP320)之間,調變雷射光5之強度。又,爲了將雷射強 度調變成上述那樣,較佳係調變半導體雷射之驅動電流來 進行,或使用電光調變器、聲光調變器等裝置。 對形成標記之部分,也可用功率位準P1之單一矩形 脈衝,但特別係在形成長的標記時,能減少過剩的熱,使 標記寬均勻爲目的,使用記錄脈衝列(由功率位準PI、P2 及P3之間所調變之複數脈衝列所構成)。對不形成標記, 或消去標記之部分,在功率位準P2保持一定。 又,在上述複數脈衝列之後,若設置功率位準P4(其 中,P2>P4^〇)之冷卻區間的話,則特別容易成爲熱過剩 ,能除去後端部分之熱,有效調整標記形狀。相反的,在 標記前端部分,爲了使標記寬度與後端一致,在前述複數 脈衝列中,僅能擴大先頭之脈衝之寬度,也能比P1提高其 功率位準。 又,若使上述複數之脈衝列之各脈衝及脈衝間之長度 一定的話,因能用單一頻率來調變,故能有利於簡化調變 裝置。 此處,係因標記之長度、其前後之空間長度、及鄰接 標記之長度等各圖案,在標記邊緣位置,產生不一致,有 時成爲顫動之原因。本發明之光學資訊記錄媒體之記錄再 生方法,係爲了防止此現象,來改善顫動,依需要,調整 上述脈衝列各脈衝之位置或長度,以使各圖案之邊緣位置 一致,並進行補償。 18 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 556185 A7 ________B7___ 五、發明說明(vW ) 當再生這種記錄之資訊信號時,將功率位準P5(其中 ’ P2>P5>0)之連續光照射光碟,使該反射光射入到光感 測器14,檢出其反射光量變化來作爲再生信號。 又,在光學資訊記錄媒體(具有圖3所示之複數資訊層 )中,當記錄再生資訊時,爲了選擇複數資訊層中之任一方 來記錄再生資訊,必須要有層識別機構及層切換機構等, 例如,這些裝置係記載在特表平10-505188號公報等中, 又,也可搭載在業已商品化之再生專用光碟DVD之記錄再 生裝置等中,能使用這些技術所確保之裝置。 又,本發明之光學資訊記錄媒體係設定記錄層3爲非 結晶時之透射率爲Tamo,及設定結晶時之透射率爲Tcry 時,則Tamo>Tcry。因此,當把記錄層3應用於第1資訊 層7時,當記錄於第2資訊層時,用未記錄狀態來記錄第 1資訊層7,比用記錄完成之狀態來記錄至少部分之第1資 訊層7時,到達第2資訊層9之雷射光強度變大,第2資 訊層9之記錄所需要之雷射功率,只要很少即可。因此’ 本發明之光學資訊記錄媒體較佳系從第2資訊層9開始記 錄,用完可記錄第2資訊層9之全領域後,在第1資訊層 7,開始記錄。 【實施例】 以下,藉由實施例,進一步具體說明本發明,本發明 不受限於以下之實施例。 在以下之實施例1〜3中,係表示如下之例。 19 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 556185 A7 __B7___ 五、發明說明(1 ) (1) 實施例1 :資訊層1層’島及槽記錄’透明基板之 厚度爲0.6mm(數値孔徑ΝΑ0·56)。 (2) 實施例2 :資訊層2層,島及槽記錄,透明基板之 厚度爲0.58mm(數値孔徑ΝΑ0.65)。 (3) 實施例3 :資訊層4層,槽記錄,透明基板之厚度 爲 0.085mm(數値孔徑 NA0.85)。 (實施例1) 就基板而言,使用由聚碳酸酯樹脂所構成,直徑約爲 12cm,厚度約爲0.6mm,槽間距約爲0.70/zm,深度約爲 40nm之雷射導引用槽之基板。 在形成該基板槽之表面上,係藉由濺鑛法,使用ZnS 目標材,依序積層膜厚約60nm之ZnS電介質層,使用Te — Pd(原子數比90 : 10)目標材,依序積層膜厚約40nm之 Te—O —Pd記錄層之各層。以上皆使用直徑爲100mm,厚 度爲6mm左右之目標材,電介質層係用RF電源500W, 記錄層係用DC電源100W,又,電介質層只用Ar,記錄 層係用Ar與02之混合氣體(流量比45 : 55),都是將氣壓 保持在約〇.2Pa之周圍環境中成膜。 在上述條件下所形成之膜面上,透過紫外線硬化性樹 脂貼合空基板後,照射紫外線光來進行硬化黏著。又,在 90°C下,將該光碟退火2小時左右,來完成光碟。將此光 碟作爲本實施例之光碟A。 若使用奧諧(Auger)電子分光法之元素分析的話,該光 20 表紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------------訂---------線 齡- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 556185 A7 __B7____ 五、發明說明( 碟A之Te- 0 —Pd記錄層之組成,其原子數比爲Te : 〇 : Pd= 42 : 53 : 5。又,Te—Ο — Pd記錄層之非結晶狀態之 光學常數η — ik,在波長405nm中,非結晶之光學常數爲 2.5 — i0.6,結晶之光學常數爲2.0 — i0.6,聚碳酸酯之光學 常數1.6—i〇e〇,ZnS之光學常數爲2.5 —iO.O。若根據這些 光學常數來計算的話,本實施例之光碟反射率爲Ramo = 11.9%,Rcry= 24.9%,ΔΙΙ= 13.0%。 又,就第1之比較例而言,除了省略退火製程以外, 作成與本實施例相同之光碟Β,就第2之比較例而言,除 了 ZnS電介質層以外,作成與本實施例相同之光碟C。該 比較例光碟B之反射率,若進行與本實施例光碟A之同樣 計算的話,則用 Ramo= 12.7%,Rcry= 18.9%,△ R= 6.2% ο 對上述光碟,係使用波長405nm,數値孔徑ΝΑ0.65之 光學系統,一面用線速度8.6m/s進行旋轉,一面記錄 14.6MHz之單一信號。記錄所使用之脈衝波形係用峰値功 率P1及偏壓功率P2間所調變之單一矩形脈衝,脈衝寬爲 17.5nm。P2 爲 l.OmW,再生功率 P5 也一樣,爲 l.OmW。 在這種條件下,在未記錄之軌道中,只進行1次記錄,用 光譜分析儀來測定該信號之C/N比。
其結果,本實施例之光碟A,在槽,用Pl = 6mW,能 得到52dB之C/N比。在島,用Pl = 7mW,能得到52dB之 C/N比。相對的,比較例B之光碟,在槽,用Pl = 6mW, 能得到47dB之C/N比。在島,用Pl = 7mW,能得到48dB 21 表紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------------Aw--------訂---------線 參 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 556185 A7 ___Β7_ 一 五、發明說明(^ )
之C/N比,比較例C之光碟,在槽,用Pl = 6mW,能得到 48dB之C/N比。在島,用Pl = 7mW,能得到44dB之C/N 由此能瞭解,設置ZnS層,藉此使ΔΙΙ變大,又’施 以退火,藉此就實用的光學資訊記錄媒體而言’能得到充 分的C/N比。 (實施例2) 就基板而言,使用由聚碳酸酯樹脂所構成’直徑約胃 12cm,厚度約爲0.58mm,槽間距約爲0.70// m,深度約爲 40nm之雷射導引用槽之基板。 在形成該基板槽之表面上,就第1資訊層而言’係藉 由濺鍍法,使用ZnS目標材,依序積層膜厚約70nm之 ZnS電介質層,使用Te-Pd(原子數比90 : 10)目標材’依 序積層膜厚約20nm之Te- Ο-Pd記錄層之各層。又’在 形成另1片相同基板之槽之表面上,就第2資訊層而言’ 係藉由濺鍍法,使用Te —Pd(原子數比90 : 10)目標材’依 序積層膜厚約40nm之Te—0—Pd記錄層,使用ZnS目標 材,依序積層膜厚約60nm之ZnS電介質層之各層。上述 都使用直徑爲100mm,厚度爲6mm左右之目標材,電介 質層係用RF電源500W,記錄層係用DC電源l〇〇W,又 ,電介質層係只用Ar,記錄層係用Ar與02之混合氣體( 流量比45 : 55),都是將氣壓保持在約0.2Pa之周圍環境中 成膜。 22 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------------訂---------線 * * (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 556185 A7 _____ B7____ 五、發明說明(yC?) 在上述條件下所形成之膜面彼此相對面,其間隔當作 分離層,透過紫外線硬化性樹脂將兩者貼合後,照射紫外 線光來進行硬化黏著。又,在90°c下,將光碟進行2小時 左右退火,來完成碟片。 本實施例之光碟反射率,若依與實施例1同樣之計算 的話’則在單獨第1資訊層,Ramo=3.4%,Rcry= 15.1% ,ΔίΙ= 11.7%,在單獨第 2 資訊層,Ramo= 11.9%,Rcry = 24.9%,13·0ο/〇。 對上述光碟,係使用波長405nm,數値孔徑ΝΑ0.65之 光學系統,一面用線速度8.6m/s進行旋轉,一面記錄 14.6MHz之單一信號。記錄所使用之脈衝波形係用峰値功 率P1及偏壓功率P2間所調變之單一矩形脈衝,脈衝寬爲 17.5nm。P2爲l.OmW,當再生第1資訊層時,再生功率P5 爲l.OmW。當再生第2資訊層時,再生功率P5爲1.5mW。 在這種條件下,在未記錄之軌跡上,只進行1次記錄,用 光譜分析儀來測定該信號之C/N比。 由其結果能瞭解,本實施例之光碟,在第1資訊層之 槽,用Pl = 7mW,能得到49dB之C/N比。在島,用Pl = 8mW,能得到50dB之C/N比,在第2資訊層之槽,用Η =10mW,能得到50dB之C/N比,在島,用Pl= 12mW, 能得到50dB之C/N比。上述都能作爲實用的光學資訊記 錄媒體,且具有充分的C/N比及感度。 23 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -—―丨丨—訂---------· 556185 A7 ______B7___ 五、發明說明(八) (實施例3) 圖7係本發明之實施例3之光學資訊記錄媒體之截面 圖。 就保護層4而言,係使用由聚碳酸酯樹脂所構成,直 徑約爲12cm,厚度約爲1.1mm,槽間距約爲0.32//m,深 度約爲3〇nm之雷射導引用槽之基板。 在形成該保護層4之槽表面上,就第4資訊層34而言 ,係藉由濺鍍法,使用Te-Pd(原子數比90 : 10)目標材, 依序積層膜厚約40nm之Te- 0 —Pd記錄層,使用ZnS目 標材,依序積層膜厚約60nm之ZnS電介質層之各層。在 該第4資訊層34之表面上,使用紫外線硬化樹脂,藉由 2P法(photo-polymerization法),轉印與保護層相同之槽圖 案,形成厚度約爲10 A m之分離層8c。在該分離層8c之 表面上,就第3資訊層33而言,係藉由濺鍍法,使用Te 一 Pd(原子數比90 : 10)目標材,依序積層膜厚約20nm之 Te- Ο-Pd記錄層,使用ZnS目標材,依序積層膜厚約 65nm之ZnS電介質層之各層。在該第3資訊層33之表面 上,使用紫外線硬化樹脂,藉由2P法,轉印與保護層相同 之槽圖案,形成厚度約爲10/zm之分離層8b。在該分離層 8b之表面上,就第2資訊層32而言,係藉由濺鍍法,使 用Te—Pd(原子數比90 : 10)目標材,依序積層膜厚約 20mn之Te-0-Pd記錄層,使用ZnS目標材,依序積層 膜厚約70nm之ZnS電介質層之各層。在該第2資訊層32 之表面上,使用紫外線硬化樹脂,藉由2P法,轉印與保護 24 私紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公f ) " " --------------------訂---------線 - ♦ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 556185 A7 ____B7___ 五、發明說明(//) 層相同之槽圖案,形成厚度約爲10//m之分離層8a。在該 分離層8a之表面上,就第1資訊層31而言,係藉由濺鍍 法,使用Te - Pd(原子數比90 : 10)目標材,依序積層膜厚 約15nm之Te—0—Pd記錄層,使用ZnS目標材,依序積 層膜厚約70nm之ZnS電介質層之各層。在該第1資訊層 31之表面上,使用紫外線硬化性樹脂,來貼合聚碳酸酯之 薄片,作爲厚度〇.〇85mm(數値孔徑0.85)之透明基板1。成 膜係都使用直徑100mm,厚度6mm左右之目標材,電介 質層係用RF電源500W,記錄層係用DC電源100W,又 ,電介質層只用Ar,記錄層係用Ar與02之混合氣體(流 量比45 : 55),都是將氣壓保持在約0.2Pa之周圍環境中成 膜。 又,在90t下,將該光碟進行2小時左右之退火,作 爲完成基板。 對上述光碟之槽,係使用波長405nm,數値孔徑 NA0.85之光學系統,用物鏡6將雷射光5聚光,進行照射 ,用線速度4.5m/s,一面旋轉上述光碟,一面記錄 14.6MHz之單一信號。記錄所使用之脈衝波形係用峰値功 率P1及偏壓功率P2間所調變之單一矩形脈衝,脈衝寬爲 17.5nm。P2爲〇.5mW,當再生第1資訊層時,再生功率 P5爲0.5mW,當再生第2資訊層時,再生功率P5爲 0_6mW,當再生第3資訊層時,再生功率P5爲〇.8mW,當 再生第4資訊層時,再生功率P5爲l.lmW。在這種條件 下,在未記錄之軌跡上,只進行1次記錄,用光譜分析儀 25 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------------訂---------線 - 泰 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 556185 A7 ____B7__ 五、發明說明(y々) 來測定該信號之C/N比。 由其結果能瞭解,本實施例之光碟,在第1資訊層, 用Pl = 7.0mW,能得到49dB之C/N比,在第2資訊層, 用Pl = 8.5mW,能得到49dB之C/N比,在第3資訊層, 用PI = 10.5mW,能得到49dB之C/N比,在第4資訊層, 用PI = 13.0mW,能得到48dB之C/N比。上述都能作爲實 用的光學資訊記錄媒體,且具有充分之C/N比及感度。 【圖式之簡單說明】 圖1係本發明之一實施形態之光學資訊記錄媒體之截 面圖。 圖2係本發明之另一實施形態之光學資訊記錄媒體之 截面圖。 圖3係本發明之另一實施形態之光學資訊記錄媒體之 截面圖。 圖4A〜圖4D係表示在本發明之一實施形態中,在各 波長、各記錄層膜厚之反射率差與電介質層之折射率η之 關係圖。 圖5係本發明之一實施形態之光學資訊記錄媒體之記 錄再生裝置之槪略圖。 圖6係可適用於本發明記錄之脈衝波形之一實施形態 之波形圖。 圖7係本發明之實施例3之光學資訊記錄媒體之截面 圖。 26 表紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -t 訂---------線- 556185 A7 五、發明說明(八) 【符號說明】 1 透明基板 2 電介質層 3 記錄層 4 保護層 5 雷射光 6 物鏡 7 第1資訊層 8 分離層 9 第2資訊層 10 雷射二極體 11 半反射鏡 12 馬達 13 光碟 14 光感測器 21 資訊層 31 第1資訊層 32 第2資訊層 34 第4資訊層 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) PI、P2、P3、P4、p5 功率位準 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

  1. 556185 頜 C8 D8 六、申請專利範圍 1、 一種光學資訊記錄媒體,其特徵在於:在透明基板 上備有資訊層,前述資訊層係由記錄層與電介質層所構成 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,前述記錄層含有Te、0及M(其中,Μ係選自A卜Si、 Ti、V、Cr、Μη、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、 Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、 Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中之1種或複數元素); 前述記錄層中O原子之含有比例係25%原子以上60% 原子以下,Μ原子之含有比例係1%原子以上35%原子以 下; 前述電介質層之折射率η係1.5以上。 2、 如申請專利範圍第1項之光學資訊記錄媒體,其中 ,係在上述透明基板上,透過各自之分離層來積層η層(其 中,η係2以上之整數)之資訊層,前述η層資訊層中之至 少一層係申請專利範圍第1項之資訊層。 3、 如申請專利範圍第1項之光學資訊記錄媒體,其中 ,係對前述記錄層,用波長500nm以下之光束來進行記錄 再生。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4、 如申請專利範圍第1項之光學資訊記錄媒體,其中 ,前述記錄層之膜厚係5nm以上70nm以下。 5、 如申請專利範圍第1項之光學資訊記錄媒體,其中 ,前述電介質層係以選自ZnS、Ti02、Zr02、Si、SiC、 Si3N4、及GeN中至少一者爲主成分之材料所構成。 6、 如申請專利範圍第1項之光學資訊記錄媒體,其中 ,前述電介質層之衰減係數k係0以上1.0以下。 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 556185 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 7、 如申請專利範圍第2項之光學資訊記錄媒體,其中 ,前述分離層係紫外線硬化樹脂。 8、 如申請專利範圍第2項之光學資訊記錄媒體,其中 ,前述分離層之厚度係1.0/zm以上。 9、 如申請專利範圍第1項之光學資訊記錄媒體,其中 ,在最外層進一步備有保護層。 10、 如申請專利範圍第9項之光學資訊記錄媒體,其 中,在前述保護層上形成前述資訊層後,在前述資訊層上 形成前述透明基板。 11、 如申請專利範圍第1項之光學資訊記錄媒體,其 中,在60°C以上之條件下,將前述光學資訊記錄媒體進行 保持5分鐘以上,進行退火。 12、 一種光學資訊記錄媒體之製造方法,其係在透明 基板上備有資訊層,前述資訊層係由記錄層與電介質層所 構成,其特徵在於: 在前述透明基板上,藉由氣相薄膜堆積法來形成記錄 層[含有Te、Ο及M(其中,Μ係選自A卜Si、Ti、V、Cr 、Μη、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、 Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir 、Pt、Au、Bi中之1種或複數元素)]與電介質層(折射率η 爲1·5以上),前述記錄層中〇原子之含有比例係25%原子 以上60%原子以下,Μ原子之含有比例係1%原子以上 35%原子以下; 在60°C以上之條件下,進行退火處理(保持5分鐘以 2 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ---------------------訂---------線 - * (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 556185 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 ___ D8 六、申請專利範圍 上)。 13'如申請專利範圍第12項之光學資訊記錄媒體之 製造方法,其中,在前述透明基板上,透過各自之分離層 來積層η層(其中,n係2以上之整數)之資訊層,前述^層 資訊層中之至少i層爲申請專利範圍第li項之記錄層。 14、 一種光學資訊記錄媒體之製造方法,其係在透明 基板上備有資訊層與保護層,前述資訊層係由記錄層與電 介質層所構成,其特徵在於: 首先,形成前述保護層; 在前述保護層上,藉由氣相薄膜堆積法來形成記錄層[ 含有Te、〇及M(其中,Μ係選自八卜8卜14、¥、(:1·、 Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru 、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、 Pt ' Au、Bi中之1種或複數元素)]與電介質層(折射率n係 1·5以上),前述記錄層中〇原子之含有比例爲25%原子以 上60%原子以下,μ原子之含有比例爲1%原子以上35% 原子以下; 在前述資訊層上,貼合前述透明基板之前或後, 在60°C以上之條件下,進行退火處理(保持5分鐘以 上)。 15、 如申請專利範圍第14項之光學資訊記錄媒體之 製造方法,其中,在前述透明基板上,透過各自之分離層 來積層η層(其中,η係2以上之整數)之資訊層,前述η層 資訊層中之至少1層爲申請專利範圍第11項之記錄層。 3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) # (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,¾ 訂---------線| A8B8C8D8 556185 六、申請專利範圍 16、 一種光學資訊記錄媒體之記錄再生方法,其特徵 在於:在透明基板上備有資訊層,前述資訊層係由記錄層 與電介質層所構成,前述記錄層含有Te、0及M(其中,Μ 係選自 Al、Si、Ti、V、Cr、Μη、Fe、Co、Ni、Cu、Ζη、 Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、 Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi 中之 1 種或複數元 素); 前述記錄層中〇原子之含有比例係25%原子以上60% 原子以下,Μ原子之含有比例係1%原子以上35%原子以 下; 前述電介質層之折射率η係1.5以上; 從前述透明基板側照射波長500nm以下之光束,來記 錄或再生資訊信號。 17、 如申請專利範圍第16項之光學資訊記錄媒體之 記錄再生方法,其中,在前述透明基板上,透過各自之分 離層來積層η層(其中,η係2以上之整數)之資訊層,前述 η層資訊層中之至少1層爲專利範圍第13項之記錄層。 18、 如申請專利範圍第16項之光學資訊記錄媒體之 記錄再生方法,其中,在形成標記時’係對應前述標記之 長度,用脈衝波形(由不同脈衝數之脈衝列所構成),來調 變前述光束,並進行照射。 19、 如申請專利範圍第17項之光學資訊記錄媒體之 記錄再生方法,其中,在前述η層之資訊層中,首先,在 最終層之第η資訊層之全記錄領域中完成記錄後,向雷射 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 556185 C8 _ D8 六、申請專利範圍 光之照射側,對第n-1之資訊層依序進行記錄。 20、 一種光學資訊記錄媒體之記錄再生裝置,其特徵 在於:在透明基板上備有資訊層,前述資訊層係由記錄層 與電介質層所構成,前述記錄層係含有Te、0及Μ(其中 ,Μ 係選自 Α卜 Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、 Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、 Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi 中之 1 種或複 數元素); 前述記錄層中0原子之含有比例係25%原子以上60% 原子以下,Μ原子之含有比例係1°/。原子以上35%原子以 下; 前述電介質層之折射率η係1.5以上; 並且,爲了記錄再生資訊信號而具備:光束產生機構 ,係照射波長500nm以下之光束;及光束調變機構,係在 形成標記時,對應前述標記之長度,用脈衝波形(由不同脈 波數之脈波列所構成)來調變前述光束。 21、 如申請專利範圍第20項之光學資訊記錄媒體之 記錄再生裝置,其中,在前述透明基板上,透過各自之分 離層來積層η層(其中,η係2以上之整數)之資訊層,前述 η層資訊層中之至少1層爲申請專利範圍第20項之記錄層 5 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 χ 297公釐) --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _
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