TW554406B - OPC mask manufacturing method, OPC mask, and chip - Google Patents

Description

554406 A7

·! 裝 訂

554406 五、發明説明（2 )

與成本的問題。 發出模擬庫OPC 步驟）改變時重複此種作業，導致耗費時間 為求解決前述規則庫〇PC的問題，而開 的技術。 汗 模擬庫OPC係依據預先準備之少數 要文別试圖案的測長結果 ’產生要點（製程模型），盆传矣银去 一 八/、表見考慮光接近效果所轉印 由前述要點進行模擬計算求出光罩圖案之形狀 :糟由該光罩圖案轉印至晶圓上之圖案形狀的差異，再依 據該模擬結果校正光罩圖案。 該模擬庫OPC與規則庫OPC比較，由於不需要測長大量 之測試圖案，因此有助於節約時間與成本。 【發明所欲解決之問題】 然而’上述模擬庫〇PC在晶圓上形成具有特定線寬之圖 案時’很難因應圖案與鄰接於該圖案之圖案間之間隔(空間) 尺寸之增減’換言《’很難因應圖案間之間隔的疏密，將 圖案線寬受到影響之現象的空間關係忠實地反映在模擬結 ，上，導致實際上形成於晶圓上之圖案之線寬變動大的問 因此，本發明之目的在提供一種〇pc光罩之製造方法、 opc光罩及晶片，藉由執行忠實地反映空間關係之影響的 模擬，可抑制實際上形成於晶圓上之圖案線寬的變動。 【解決問題之手段】 本發明為達成前述目I的，提供一種OPC光罩之製造方法 ’其包含：模擬步驟，其係藉由考慮光接近效果之模擬計 算’求出以特定最小尺寸值所定義之設計規則設計出之光 554406 五、發明説明（3 罩上所形成之光罩圖案的形狀、與藉由該光罩圖案轉印至 晶圓上之圖案形狀的差異；及校正步驟，其係以依據前述 核擬步驟之結果’使轉印在前述晶圓上之圖案的形狀成為 所需之依據設計資料之形狀的方式，校正前述光罩圖案之 形狀的叹计=貝料，前述模擬步驟藉由表現前述光罩圖案之 轉印製程的模擬模型，亦即藉由要點來執行；其特徵為·· 前述要點係依據測試用之光罩圖案形狀之設計資料、及前 述，試用之光罩圖案被轉印、姓刻，實際所形成之測試用 之晶圓之圖案形狀之實測資料所產生，前述測試圖案包含 2個第案群’其係由大致具有前述特定最小尺寸之線 寬：成直線狀延伸之帶狀的數個問圖案於線寬方向以相同 間隔彼此平行排列構成，前述數個第—圖案群彼此之間， 構成前述閘圖案之間隔為彼此互異的尺寸。 因而，執行前述模擬之要點係依據包含前述第一圖案 的測试圖案而產生。 “此外，本發明提供一種OPC光罩之製造方法，其包含： 模擬步驟，其係藉由考慮光接近效果之模擬計算，求出以 特定最小尺寸值所定義之設計規則設計出之光罩上所形成 之光罩圖案的形狀、與藉由該光罩圖案轉印至晶圓上之圖 案形狀的差異；及校正步驟，其係以依據前述模擬步驟之 2果·，使轉印在前述晶圓上之圖案的形狀成為所需之依據 設計資料之形狀的方式，校正前述光罩圖案之形狀的設計 資料；前述模擬步驟藉由表現前述光罩圖案之轉印製2的 模擬模型，亦即藉由要點來執行；其特徵為：前述要點係 -6 - 本紙張尺度適用中g @家標準(CNS) Μ規格(21GX 297公董） 554406 發明説明（ 依據測試用之光罩圖案形狀之設計資料、^、. ·、 先罩圖水破轉印、蝕刻，實際所形成之測 牵开彡狀夕者、日丨次丨 、°式用之晶圓之圖 ς :之貝測-貝料所產生，前述測試圖案包含數 案群，其係由具有小於前述特定最小尺寸* 、 狀延伸之帶狀的數個閘圖案彼此平行，於/ ’成直線

Rs ijt xr Lit 見方向以相同 ㈣非列構成’前述數個第二圖案群分 之間隔為彼此互異的尺寸。 战引述閘圖案 因而，執行前述模擬之要點係依據包含 的測試圖案而產生。 < 弟一圖案鮮 此外，本發明提供—種QPC光罩之製造方法，宜 杈擬步驟，其係藉由考慮光接 /、 特定最小尺寸值所定義之設計規則設計出=上= 之光罩圖案的形狀、與藉由該光罩圖案轉印至晶圓上之圖 :形狀的差異；及校正步驟，其係以依據前述模擬步驟之 轉印在前述晶圓上之圖案的形狀成為所需之依據 ❸十貝#之形肖大的方 <，校正前述光罩圖案之形狀的設士十 =料二前述模Μ步驟II由表現前述光罩圖案之轉印製程的 換擬核型’亦即藉由要點來執行；其特徵為：前述要點係 依據測試用之光罩圖案形狀之設計資料、及前述測試用之 光罩圖案被轉印、蝕刻，實際所形成之測試用之晶圓之圖 案形狀之實測資料所產生，前述測試圖案包含數個第三圖 案群’其係由具有大於前述特定最小尺寸之線寬，成直線 狀延伸之帶狀的數個閘圖案彼此平行，於線寬方向以相同 間隔排列構成，前述數個第三圖案群分別構成前述閘圖案

A7

之間隔為彼此互異的尺寸。 因而’執行前述模擬之i>从二 的測試圖案而產生。、I點係依據包含前述第三圖案群

裝 訂

卜rf發明提供"'種〇PC光罩，其係藉由考慮光接近 二 =擬計算，求出以特定最小尺寸值所定義之設計規 罩二絲之先罩上所形成之光罩圖案的形狀'與藉由該光 + =印至晶圓上之圖案形狀的差異，以依據前述模擬 广、，，。*，使轉印在前述晶圓上之圖案的形狀成為所需 ::據：計資料之形狀的方式，校正前述光罩圖案之形狀 制°又°十貝肖’前述模擬計算藉由表現前述光罩圖案之轉印 製程：模擬模型，'亦即藉由要點來執行，並依據前述所校 ,,之。又片貝料製造’其特徵為：前述要點係、依據測試用之 光罩圖案形狀之設計資料、及前述測試用之光罩圖案被轉 :、蝕刻，實際所形成之測試用之晶圓之圖案形狀之實測 貢料所產生，前述測試圖案包含數個第一圖案群，其係由 大致具有前述特定最小尺寸之線寬，成直線狀延伸之帶狀 的數個閘圖案於線寬方向以相同間隔彼此平行排列構成， 前述數個第-圖案群彼此之間，構成前述問圖案之間隔為 彼此互異的尺寸。 因而，執行前述模擬之要點係依據包含前述第一圖案群 的測試圖案而產生。 此外，本發明提供一種OPC光罩，其係藉由考慮光接近 效果之模擬计异，求出以特定最小尺寸值所定義之設計規 則《又计出之光罩上所形成之光罩圖案的形狀、與藉由該光 本紙張尺度通財g时標準(⑽）A4規格_χ 297公爱) 6 五、發明説明（ 罩圖案轉印至晶圓上之圖案形狀的差異，以依據前述模擬 步驟之結果，使轉印在前述晶圓上之圖案的形狀成為所需 之依據設計資料之形狀的方式，校正前述光罩圖案之形狀 的°又a十貝料，前述模擬計算藉由表現前述光罩圖案之轉印 製程的模擬模型，亦即藉由要點來執行，並依據前述所校 正之。又4貝料製造；其特徵為：前述要點係依據測試用之 光罩圖案形狀之設計資料、及前述測試用之光罩圖宰被轉 印、姓刻，實際所形成之測試用之晶圓之圖案形狀之實測 資料所產生’前述測試圖案包含數個第二圖案群，其係由 具有小於前述特定最小尺寸之線寬，成直線狀延伸之 的數個閘圖案彼此平行，於t官 ，义 丁於線見方向以相同間隔排列構成 月J以目_圖案群分別構成前述開圖案之間隔為彼此 互異的尺寸。 因而’執仃前述模擬之要點係依據包含前述第 的測試圖案而產生。 U杀砰 二卜:本發:月提供一種〇PC光罩，其係藉由考慮光接近 效果之核擬汁算，求出以特 則料h M u 行疋敢小尺寸值所定義之設計規 貝! “出之先罩上所形成之光罩圖案的形狀、與藉 步驟之-果：^ 的差異，以依據前述模擬 果，使轉印在前述晶圓上之圖案的形狀成為所需 的資料^ ，式，杈正前述光罩圖案之形狀 枓’則述棋擬計算藉由表現前述光罩圖案之轉印 正之設計資料製造；其特徵為‘:ί::，並依據前述所校 八符徵為·刖述要點係依據測試用之 本紙張尺奴財關雜準(咖） 7 五、發明説明（ 及前述測試用之_案被轉 且：所產生’前述測試圖案包 :丨 的數個閘圖案彼此平行，於線寬方向 ，前述數個第r闯安f γ τ I j间卩同排列構成 互異的尺寸群分別構成前述問圖案之間隔為彼此 :圖模擬之要點係依據包含前述第三圖案群 :計ΐ發=:乂尺考慮光接近效果 計出之… 寸值所定義之設計規則設 上所形成之光罩圖案的形狀、與藉由該光罩圖 至晶圓上之圖案形狀㈣異，以依據前述模擬步驟 ，果，使轉印在前述晶圓上之圖案的形狀成為所需之依 據=計資料之形狀的方式，校正前述光罩圖案之形狀的設 "十貝料則述杈擬計异藉由表現前述光罩圖案之轉印製程 的模擬模型’亦即藉由要點來執行，並自晶圓切出的晶片 ，該晶圓係依據OPC光罩來製造，該〇pc光罩係依據前述 ㈣正之設計資料來製造；其特徵為：前述要點係依據測 »式用之光罩圖案形狀之設計資料、及前述測試用之光罩圖 案f轉印、蝕刻，實際所形成之測試用之晶圓之圖案形狀 之實測資料所產生，前述測試圖案包含數個第一圖案群， 其係由大致具有前述特定最小尺寸之線寬，成直線狀延伸 之可狀的數個閘圖案於線寬方向以相同間隔彼此平行排列 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210/29^7公董) 554406 五、發明説明（8 成·]迟數個第一圖案群彼此之間，構成前述閘圖案之 間隔為彼此互異的尺寸。 因而，執行前述模擬之要點係依據包含前述第一圖案群 的測試圖案而產生。 此外’本發明提供—種晶片，其係藉由考慮光接近效果 f模擬計算’求出以特定最小尺寸值所定義之設計規則設 -十出之光罩上所形成之光罩圖案的形狀、與藉由該光罩圖 案轉印至晶圓上之圖案形狀的差異，以依據前述模擬計算 之結果^使轉印在前述晶圓上之圖案的形狀成為所需之依 據设計貧料之形狀的方式，校正前述光罩圖案之形狀的設 计貧料，前述模擬計算藉由表現前述光罩圖案之轉印製程 的模擬模型，亦即藉由要點來執行，並自晶圓切出的晶片 ，該晶圓係依據0PC光罩來製造，該〇PC光罩係依據前述 w父正之設計資料來製造；其特徵為：前述要關依據測 試用之光罩圖案形狀之設計資料、及前述測試用之光罩圖 案被轉印、蝕刻’實際所形成之測試用之晶圓之圖案形狀 之實測資料所產生，前述測試圖案包含數個第二圖案群， 其係由具有小於前述特定最小尺寸之線寬，成直線狀延伸 2的㈣問圖案彼此平行，於線寬方向以相同間隔排 J冓成，刚述數個第二圖案群分別構成前述閘圖案之間 為彼此互異的尺寸。 ⑺ 因而，執行前述模擬之要點係依據包含前述第二 的測試圖案而產生。 ’、砰 此外本發明提供一種晶片’其係藉由考慮光接近效果 -11 - 五、發明説明（9 ) 之模擬計算，求出以特宕界 計屮夕氺W卜& ,、寺 小寸值所定義之設計規則設 安形成之光罩圖案的形狀、與藉由該光罩圖 之結果，使轉印在以依據前述模擬步驟 Μ…一晶圓上之圖案的形狀成為所需之依 斗次W 二 弋杈正刖述光罩圖案之形狀的設 二-貝料，則述模擬計算藉由表現前述光 的模擬模型，亦即藉由要點來執行1自晶圓切 所=圓係依據0PC光罩來製造，該OPC光罩係依據前述 =r=:4f製造;其特徵為：前述要點係依據測 大用之先罩圖案形狀之設計資料、及前述測試用之光罩圖 案被轉印、㈣’實際所形成之測試用之晶圓之圖案形狀 之實測資料所產生，前述測試圖案包含數個第三圖案群， 其=由具有大於前述特定最小尺寸之線寬，成直線狀延伸 之π狀的數個閘圖案彼此平行，於線寬方向以相同間隔排 列構成’前述數個第三圖案群分別構成前述閘圖案之間Ρ 為彼此互異的尺寸。 同 因而，執行前述模擬之要點係依據包含前述第三圖汽 的測试圖案而產生。 / 【發明之實施形態】 其次，說明本發明之OPC光罩之製造方法、〇pc光罩及 晶片的實施形態❶ 如圖3所示，本實施形態為獲得〇PC光罩之光罩圖案而 用模擬工具1 〇。 前述模擬工具10係藉由在電腦上工作之軟體而實現者， 554406 A7

554406

其次’對於校正後之設計資料進行規則檢查，以完成設 計資料⑽)。另外，前述規則檢查結果，需要修正要點時 ’則執行要點的修正’繼續進行步驟S14，執行同樣的處 理。 其次，該校正後之設計資料提供給光罩布局用的cAD , 製造經過校正的光罩，亦即製造0PC光罩（S18卜 繼繽，藉由光刻步驟，使用前述OPC光罩製造晶圓，藉 由切斷該晶圓來製造晶片。 本貫施形態之前述步驟S14相當於本發明之模擬步驟，步 驟S 1 6相當於本發明之校正步驟。 圖1係顯示產生本實施形態之0PC光罩製造方法之要點 時之處理程序的流程圖，圖2係說明模擬工具之資料輸入輸 出的區塊圖。 此外’圖 1中之步驟 S20, S22, S24, S26, S28, S36 為 相當於先前技藝的處理，步驟S3〇，S32，S34，S36為相當 於本發明的處理。 前述要點12的產生如下。 首先’製造測試用光罩（S20)。該測試用光罩包含：附屬 於則述模擬工具1 0之原有測試圖案（以下稱原有測試圖案） 、與後述之新製的測試圖案（以下稱新製測試圖案）。 前述原有測試圖案係將成直線狀延伸之數個閘圖案、彼 此形成十字形交叉之兩個閘圖案的組合，分別以特定值改 變各閘圖案之線寬來構成。 刖述原有測試圖案中不包含彼此保持間隔平行成直線狀 鴨14 - 本紙張尺度適用中@ @家標準(CNS) A4規格(21GX 297公爱) 554406 A7 B7 五、發明説明（12 ) 延伸之帶狀的閘圖案。 前述新製測試圖案如圖5(B)所示，包含具有前述特定之 最小尺寸線寬L 1 (1 50 nm)，成直線狀延伸之帶狀的數個閘 圖案30在線寬方向保持間隔彼此平行排列所構成之數個第 一圖案群 3002，3004，3006，3008。 將前述各第一圖案群3002，3004，3006，3008之前述閘 圖案30之間隔分別為spi〇，SP11，SP12，SP13時，此等間 隔構成SP10< SP11< SP12< SP13的關係，構成彼此不同的 尺寸。 此外，前述新製測試圖案如圖5(A)所示，包含具有小於 前述特定之最小尺寸線寬L1 (150 nm)的線寬L2 (140 nm) ’成直線狀延伸之帶狀的數個閘圖案40在線寬方向保持間 隔彼此平行排列所構成之數個第二圖案群4〇〇2，4〇〇4,4〇〇6 ，4008 〇 將刖述各第二圖案群4002，4004，4006，4008之前述閘 圖案30之間隔分別為SP20，SP21，SP22，SP23時，此等間 隔構成SP20< SP21< SP22< SP23的關係，構成彼此不同的 尺寸。 此外’刖述新製測試圖案如圖5 (C)所示，包含具有大於 前述特定之最小尺寸線寬L1 (150 nm)的線寬乙3<如150 nm) ’成直線狀延伸之帶狀的數個閘圖案5〇在線寬方向保持間 隔彼此平行排列所構成之數個第三圖案群5〇〇2, 5〇〇4, 5〇〇6 ，5008 〇 將前述各第三圖案群5002，5004，5006，5008之前述閘 -15- 本紙張尺度適财S國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公$ 五、發明説明（13 ) 五、發明説明（13 ) SP33時，此等間 構成彼此不同的 圖案30之間隔分別為SP30，SP31，SP32 , 隔構成 SP3〇<SP31<SP32<sp33 的關係 尺寸。 ,其次’執行藉由前述測試用光罩轉印、 測試圖案及新製測試圖案之晶圓上之圖宰的..料“有 試圖案的實測資料（S22)。 木的測長，測定測 該測定僅執行對應於践所選擇之原 :=實測資料。對於前述原有測試圖案的測長 设定的位置執行。 肛頂无 宰二:如：斤示，形成於前述測試用光罩之原有測試圖 案的故七貝料輸人至前述模擬卫具1G，依據前述設計資料 進订模擬計算’並輸出形狀因光接近效果而改變之原有 試圖案的資料（以下稱模擬資料）（S24)。 該模擬計算係在自前述原有測試圖案之設計資料中 別對㈣提高模擬精度之設計資料構成較大加權.，對於其 他設計資料構成較小加權的狀態下進行。 ，其次’如圖2所示，前述模擬工具1〇比較前述模擬資料與 前述實測資料，判定模擬精度是否合格（S26)。 具體而言’係判斷前述模擬資料之線寬及前述實測資料 之線寬之差超過特定基準值者為。處時合格，i處以上者不 合格。 另外，所謂前述模擬資料之線寬及前述實測資料之線寬 之差’相當於「前述模擬資料之線寬與欲形成於晶圓上之 閘圖案之設計資料之線寬（目標值）之偏差量的邊緣布局錯 554406 A7 —__ B7 五、發!( 14 ) " ~ -- 誤（EPE ; Edge Placement Error)」、與「前述實測資料之線 寬與須形成於晶圓上之閘圖案之設計資料之線寬（目標值） 之偏差量的EPE」的差。 步驟S26判定合格（"γ”）時，因前述模擬工具1〇為藉由前 述要點12可滿足模擬精度者，因此產生前述要點12 (s36) ，結束處理。 另外，以步驟S26判定不合格（"N”）時，改變對前述原有 測试圖案之設計資料的加權，及增加、刪除原有測試圖案 (S28)，執行包含前述步驟S24，S26，S28之一連串處理。 即使重複特定次數，如重複6次該一連串處理，模擬精度仍 不合格時，進行下一個步驟。 另外’有關此等改變加權及增加與刪除原有測試圖案的 處理’係刖述模擬工具丨〇中已取得之功能，因與本發明無 直接關係，因此省略其詳細說明。 其-人’重新測長前述新製測試圖案之第一圖案群3〇〇2 , 3 004 ’ 3 006 ’ 3008的實測資料（S3〇)。該實測資料係有關各 閘圖案30之線寬所測定之資料。 繼續’依據第一圖案群3〇〇2，3004，3006 , 3008之設計 資料進行模擬計算，輸出形狀因光接近效果而改變之前述 新製測試圖案的模擬資料（$ 3 2)。 其次，如圖2所示，前述模擬工具1〇比較前述第一圖案群 之核擬倉料與前述第一圖案群之實測資料，判定模擬精度 是否合格（S34)。 具體而言’係判斷前述模擬資料之線寬及前述實測資料 _______ -17· 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)八4規格^"><297公^---- 554406 A7

2線見之差超過特定基準值者為〇處時合格 合：。前述特定基準值可任意設定，本例中設：二Γ :驟S34判定合格(”ΥΊ時，因前述模擬工具1〇為藉由前 '點12可滿足杈擬精度者，因此產生前述要點12 (S36) ，結束處理。 另外，以步驟S34判定不合格（,,Ν·,)時，則進行步驟S30。 其次，重新測長前述新製測試圖案之第二圖案群4002 , 4004，4006，4008的實測資料（S3〇)。該實測資料係有關各 開圖案40之線寬所測定之資料。 以下，與第一圖案群同樣地，重複步驟S32 , S34的處理。 ，步驟S34判定合格(”γ”)時，因前述模擬工具_藉由前 述要點12可滿足模擬精度者，因此產生前述要點12 ，結束處理。 另外，以步驟S34敎不合格（”N”）時，則進行下一個步 驟。 其次，重新測長前述新製測試圖案之第三圖案群5〇〇2， 5004, 5006’ 5008的實測資料（S3〇)e該實測資料係有關各 閘圖案5 0之線寬所測定之資料。 以下，與第一圖案群同樣地，重複步驟S32 , S34的處理。 步驟S34判定合格（"γ”）時，因前述模擬工具1〇為藉由前 述要點12可滿足模擬精度者，因此產生前述要點12 (s36) ，結束處理。 步驟S34對前述第三圖案群判定為不合格（，，N·，）時，停止 處理。 -18 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

裝 訂

線 554406

其次，具體說明藉由圖1之處理所執行之模擬精度的比較 結果。 圖6、圖7係顯示貫測資料與模擬資料之比較的說明圖， 秩軸均表不測定位置，縱軸均表示距閘圖案之線寬設計值 的偏差里EPE。圖中的實線表示模擬資料，虛線表示實測 值。 圖6(A1)、（B1)、圖7(A1)、（B1)係閘圖案之線寬的設計資 料（目枯值）為 150 nm時，圖 6(A2)、（B2)、圖 7(A2)、（B2)係 閘圖案之線寬的設計資料（目標值）為19〇 nm時。 圖6(A1)、（A2)係執行圖1流程圖之步驟S2〇至S26的狀態 ’顯示僅藉由原有測試圖案的模擬結果。 圖6(B1)、（B2)顯示僅藉由原有測試圖案模擬後，再執行 新製測試圖案之第一圖案群之模擬時的模擬結果。 圖7(A1)、（A2)顯示原有測試圖案及第一圖案群模擬後， 再執行第二圖案群之模擬時的模擬結果。 圖7(B1)、（B2)顯示原有測試圖案及第一、第二圖案群模 擬後，再執行第三圖案群之模擬時的模擬結果。 觀察此等結果，瞭解不論閘圖案之設計資料為"Ο 或 19〇 nm，以執行新製測試圖案之模擬者，模擬資料與實測 資料之差變小。 亦即確°心藉由執行前述第一、第二、第三圖案群之模 擬所產生之要點12，可執行忠實地反映閘圖案之空間關係 之影響的模擬，模擬精度提高。 /、人使用技照圖1之流程圖產生之要點1 2，製造實際製

554406 A7

〇口之光罩，並且製造藉由該光罩轉印、蝕列戶* ，比較測長形成於該晶圓上之閘圖案之^^所4造的晶圓 模擬資料。 /、、’'見的實測資料與 圖8係比較實際製品之閘圖案之線寬之每 擬資料的說明圖。閘圖案之線寬的設計=剛資料與各模 nm。 、’、（目標值）為150 今、I m聞示丨日j <線|

(空間），縱軸以nm單位表示閘圖案之線寬CD。 圖中’黑色矩形表示實測資料，白色矩形一 有測試圖案之模擬資料，x表示除原有測試圖 裝 ，並執行第一圖案群之模擬的模擬資料，三角形杈梃 有測試圖案與第一測試圖案之模擬外，並執行第表== 之模擬的模擬資料，圓圈表示除原有測試圖案=第圖: :測試圖案之模擬外，並執行第三圖案群之模擬的模擬 料0 、 模擬資料與 訂

圖8中亦瞭解，執行新製測試圖案之模擬者 實測資料之差變小。 亦即與圖6、圖7時同樣地，確認藉由執行前述第一、 第二、第三圖案群之模擬所產生之要點12，可執行忠實地 反映閘圖案之空間關係之影響的模擬，模擬精度提高。 其次，使用按照圖1之流程圖產生之要點12，有關實際製 品之光罩，與圖8同樣地，比較執行模擬時之模擬資料 寬變動。 圖9(A)至（D)係比較實際製品之光罩之閘圖案之各模擬 -20-

554406 A7 B7 五 資料之變動的說明圖 為 150 nm 〇 閘圖案之線寬的設計資料（目標值） 圖中，橫軸係以μιη單位表示閘圖案間之線寬方向的間隔 (空間），縱軸係以μm單位表示閘圖案之線寬cd。 圖中之圓圈、三角形、菱形分別表示閘圖案不同位置上 之模擬資料。 ^

圖9(A)顯示僅藉由原有測試圖案之模擬資料，圖9⑻愚 不除原㈣試㈣之模擬外，並執行第—㈣群之模擬合 模擬資料，圖9(c)顯示除原有測試圖案及第—測試圖案$ 模擬外’並執行第：圖案群之模擬的模擬資料，圖9咖 裝 讀原有測試㈣及第—、第二測試圖案之模擬外，並者 行第二圖案群之模擬的模擬資料。 “圖：之σ表示各模擬資料的標準偏差值，range表示各 模擬資料之最大值與最小值之差異質。 訂

從圖”可瞭解’與⑷所示之僅藉由原有測試圖案之模 擬比較’（B)’（D)之模擬資料的。與^職兩者之值均小 ，換言之變動變小。 比較⑻與（D)來觀察時，RANG]^(B)中為i麵，於⑴) 中為2 _時，（B)的變動較小，而觀察空間為以,之模擬 資料時’（D)中數個模擬資料均一致。因此，可評估成 之模擬資料的精度高於（B)。 如以上說明，採用本實施形態之〇pc光罩之製造方法、 OPC光罩及晶片時，由於係依據包含前述第一、第二、第 三圖案群中之至少-個的測試圖t，產生執行前述模擬的 -21 - !)54406 五、發明説明（19 要點，因此可執行忠實地反 模擬。因此，可菸由^ 之二間關係之影響的 晶圓之圖案形狀成為所+夕彳/ M 果以使轉印於則述 一正，…據設計資料之形狀的方式， 才又正刖述先罩圖案之形狀的設計資料， [II卜；5曰ΰ e m t 、 抑制貫際形成於晶 W上及日日片上之圖案線寬的變動。 第三圖案群的數量 要為數個即可，並 另外，本貫施形態係說明前述第一至 為4個，不過第一至第三圖案群的數量只 無限制。 ~ 【發明之功效】 如以上說明，採用本發明藉由執行前述第一、第二、第 三圖案群之模擬所產生之要點，可執行忠實地反㈣圖案 之工間關k之影響的模擬’ II此可抑制實際形成於晶圓上 及晶片上之圖案線寬的變動。 【圖式之簡單說明】 圖1係顯示產生本實施形態之OPC光罩製造方法之要點 時之處理程序的流程圖。 圖2係說明模擬工具之資料輸入輸出的區塊圖。 圖3係說明模擬工具之設計資料輸入輸出的區塊圖。 圖4係顯示〇PC光罩製造程序的流程圖。 圖5 (A)係顯示第二圖案群之構造的說明圖，（b )係顯示第 一圖案群之構造的說明圖，（C)係顯示第三圖案群之構造的 說明圖。 圖6(A1)係顯示閘圖案之線寬的設計資料（目標值）為15〇 n m ’僅精由原有測試圖案之模擬結果的說明圖，（a 2)係顯 -22- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210x烈7公釐) 554406 A7 _____B7 五、發明説明（20""") ' 示閘圖案之線寬的設計資料(目標值)為刚_，僅藉由原 有測試圖案之模擬結果的說明圖，（B1)係顯示閘圖案之線 寬的設計資料（目標值)為15〇 nm，執行第一圖案群之模擬 時之模擬結果的說明圖，（B2m顯示閘圖案之線寬的設計 貧料（目標值）W90 nm’執行第—圖案群之模擬時之模擬 結果的說明圖。 圖7(間係顯示問圖案之線宽的設計資料（目標值）為15〇 nm，執行第二圖案群之模擬時之模擬結果的說明圖， 係顯示閘圖案之線寬的設計資料（目標值）為19〇 nm，執行 第二圖案群之模擬時之模擬結果的說明圖，（Βι)係顯示問 圖案之線寬的設計資料（目標值）為15〇腿，執行第三圖案 群之模擬時之模擬結果的說明圖，（B2)係顯示閘圖案之線 見的设计貧料（目標值）為丨9〇 nm，執行第三圖案群之模擬 時之模擬結果的說明圖。 圖8係比較實際製品之閘圖案之線寬之實測資料與各模 擬資料的說明圖。 圖9係比較實際製品之閘圖案之各模擬資料之變動的說 明圖’（A)係顯示執行僅藉由原有測試圖案之模擬之模擬資 料的說明圖，（B)係顯示除原有測試圖案之模擬外，並執行 第一圖案群之模擬之模擬資料的說明圖，（c)係顯示除原有 測試圖案及第一測試圖案之模擬外，並執行第二圖案群之 模擬之模擬資料的說明圖，（D)係顯示除原有測試圖案及第 一、第二測試圖案之模擬外，並執行第三圖案群之模擬之 核擬資料的說明圖。

554406 A7 B7 五 、發明説明（21 ) 【元件符號之說明】 10···模擬工具，12···要，點，30，40，50···閘圖案，3002 ，3004，3006，3008···第一圖案群，4002，4004，4006， 4008···第二圖案群，5002，5004，5006，5008···第三圖案 群。 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)

Claims (1)

1. 554406 8 ABS 第0911〇65〇3號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(92年8月) 六、申請專利範圍· 1. -種OPC光罩之製造方法’其包含：伽切 模擬步驟，其係藉由考慮光接近效果i擬-t/算Ά 出以特定最小尺寸值所定義之設計規則設計出之 ί所形成之光罩圖案的形狀、與藉由該光罩圖案轉印至 日日圓上之圖案形狀的差異；及 校正步驟，其係以依據前述模擬步驟之結果，使 在前述晶圓上之圖案的形狀成為所需之依據設計資料 之：狀的方式，校正前述光罩圖案之形狀的設計資料； 月!I述模擬步驟藉由表現前述光罩圖案之轉印製程的 模=模型，亦即藉由要點來執行；其特徵為： 刖述要點係依據測試用之光罩圖案形狀之設計資料 、及由前述測試用之光罩圖案被轉印、蝕刻，而實際形 成之測试用之晶圓之圖案形狀之實測資料所產生， 前述測試圖案包含數個第一圖案群，其係由大致具有 前述特定最小尺寸之線寬，且成直線狀延伸之帶狀的數 個閘圖案於線寬方向以相同間隔彼此平行排列而構成， 前述數個第一圖案群彼此之間，係構成為前述閘圖案 之間隔為彼此互異的尺寸。 2·如申請專利範圍第丨項之〇pc光罩之製造方法，其中前 述測試圖案包含數個第二圖案群，其係由具有小於前述 特定最小尺寸之線寬，且成直線狀延伸之帶狀的數個閘 圖案彼此平行，於線寬方向以相同間隔排列而構成，前 述數個第二圖案群分別構成為前述閘圖案之間隔為彼 此互異的尺寸。 本纸谏尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(2ι〇 χ 297公釐) 554406 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 3·如申請專利範圍第丨或2項之〇pc光罩之製造方法，其中 前述測試圖案包含數個第三圖案群，其係由具有大於前 述特疋最小尺寸之線寬，且成直線狀延伸之帶狀的數個 2圖案彼此平行，於線寬方向以相同間隔排列而構成， 月’J述數個第三圖案群分別構成為前述閘圖案之間隔為 彼此互異的尺寸。 4· 一種OPC光罩之製造方法，其包含： 模擬步驟，其係藉由考慮光接近效果之模擬計算，求 出以特定最小尺寸值所定義之設計規則設計出之光罩 上所形成之光罩圖案的形狀、與藉由該光罩圖案轉印至 晶圓上之圖案形狀的差異；及 校正步驟，其係以依據前述模擬步驟之結果，使轉印 在别述晶圓上之圖案的形狀成為所需之依據設計資料 之2狀的方式，校正前述光罩圖案之形狀的設計資料； 月，J述模擬步驟藉由表現前述光罩圖案之轉印製程的 模擬模型，亦即藉由要點來執行；其特徵為： 前述要點係依據測試用之光罩圖案形狀之設計資料 、、及由前述測試用之光罩圖案被轉印、蝕刻，而實際形 成之測試用之晶圓之圖案形狀之實測資料所產生， ^前述測試圖案包含數個第二圖案群，其係由具有小於 前述特定最小尺寸之、線寬，i成直線狀延伸之帶狀的數 個閘圖案彼此平行’於線寬方向以相同間隔排列而構成 則述數個第二圖案群分別構成為前述閘圖案之間隔 衣紙張家標準(CNS)八4規格(210X297公釐)_

   訂

   554406 A8 B8

   為彼此互異的尺寸。 5·如申請專利範圍第4項之〇pc光罩之製造方法，其中前 述測试圖案包含數個第三圖案群，其係由具有大於前述 特定最小尺寸之線寬，1成直線狀延伸之帶狀的數個問 圖案彼此平行，於線寬方向以相同間隔排列而構成，前 述數個第三圖案群分別構成為前述閘圖案之間隔為彼 此互異的尺寸。 6· —種OPC光罩之製造方法，其包含： 模擬步驟，其係藉由考慮光接近效果之模擬計算，求 出以特定最小尺寸值所定義之設計規則設計出之光罩 上所形成之光罩圖案的形狀、與藉由該光罩圖案轉印至 晶圓上之圖案形狀的差異；及 校正步驟’其係以依據前述模擬步驟之結果，使轉印 在别述晶圓上之圖案的形狀成為所需之依據設計資料 之形狀的方式，校正前述光罩圖案之形狀的設計資料； 前述模擬步驟藉由表現前述光罩圖案之轉印製程的 模擬模型，亦即藉由要點來執行；其特徵為： 月1J述要點係依據測試用之光罩圖案形狀之設計資料 、及由前述測試用之光罩圖案被轉印、蝕刻，而實際形 成之測試用之晶圓之圖案形狀之實測資料所產生， 前述測試圖案包含數個第三圖案群，其係由具有大於 月’J述特定最小尺寸之線寬，且成直線狀延伸之帶狀的數 個閘圖案彼此平行，於線寬方向以相同間隔排列而構成 -3-

   六、申請專利範園· 前述數個第三圖案群分別構成為前述 為彼此互異的尺寸。 ]圖案之間隔 7. -種OPC光罩，其係藉由考慮光接近效果之 =特定最小尺寸值所定義之設計規則設二算光 形成之光罩圖案的形狀、與藉由該光 至晶圓上之圖案形狀的差異， 案轉印 以依據前述模擬計算之結果 圖案的形狀成為所需之贫撼…Λ “晶圓上之 正前述光罩圖案之形狀的設計資料，狀的方式，权 前述模擬計算藉由表現前述光罩圖案 模擬模型’亦即藉由要點來執行， w Ρ“的 並依據前述所校正之設計資料而製造；其 前述^點係依據測試用之光罩圖案形狀之設計資料 成二二Γ試用之光罩圖案被轉印'钱刻，而實際形 成之測4用之晶圓之圖案形狀之實測資料所產生， 圖案包含數個第一圖案群，其係由大致具有 月卜疋小尺寸之線寬’且成直線狀延伸之帶狀的數 個開圖案於線寬方向以相同間隔彼此平行排列而構成， 前述數個第一圖案群彼此之間，係構成為前述閘圖案 之間隔為彼此互異的尺寸。 如申請專利範圍第7項之0PC光罩，其中前述測試圖案 包含數:第二圖案群’其係由具有小於前述特定最小尺 权線寬二且成直線狀延伸之帶狀的數個_案彼此平 行，於線寬方向以相同間隔排列而構成，前述數個第二 8. 554406 A8 B8 C8

   六、申請專利範圍， 圖案群分別構成為前述閘圖案之間隔為彼此互異的尺 寸。 9·如申請專利範圍第7或8項之〇PC光罩，其中前述測試圖 案包含數個第三圖案群，其係由具有大於前述特定最小 尺寸之線寬，且成直線狀延伸之帶狀的數個閘圖案彼此 平行，於線寬方向以相同間隔排列而構成，前述數個第 三圖案群分別構成為前述閘圖案之間隔為彼此互異的 尺寸。 10· —種OPC光罩， 求出以特定最V 其係藉由考慮光接近效果之模擬計算， 衣出以特定最小尺寸值所定義之設計規則設計出之光 罩上所形成之光罩圖案的形狀、與藉由該光罩圖案轉印 至晶圓上之圖案形狀的差異， 以依據前述模擬步驟之結果，使轉印在前述晶圓上之 圖案的形狀成為所需之依據設計資料之形狀的方式，校 正前述光罩圖案之形狀的設計資料， 刖述模擬計算藉由表現前述光罩圖案之轉印製程的 模擬模型，亦即藉由要點來執行， 並依據前述所校正之設計資料而製造；其特徵為： 前述要點係依據測試用之光罩圖案形狀之設計資料 、及由前述測試用之光罩圖案被轉印、蝕刻，而實際形 成之測試用之晶圓之圖案形狀之實測資料所產生， 前述測試圖案包含數個第二圖案群，其係由具有小於 前述特定最小尺寸之線寬，且成直線狀延伸之帶狀的數 個閘圖案彼此平行，於線寬方向以相同間隔排列而構成 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 554406 A8 B8 C8 D8

   前述數個第二圖案群分別構成為前述閘圖案之間隔 為彼此互異的尺寸。 11·如申請專利範圍第10項之OPC光罩，其中前述測試圖案 包含數個第三圖案群，其係由具有大於前述特定最小^ 寸之線寬，且成直線狀延伸之帶狀的數個閘圖案彼此平 行，於線寬方向以相同間隔排列而構成，前述數個第三

   裝 圖案群分別構成為前述閘圖案之間隔為彼此互異的Z 寸。 12. —種OPC光罩，其係藉由考慮光接近效果之模擬計算， 求出以特定最小尺寸值所定義之設計規則設計出之光 罩上所形成之光罩圖案的形狀、與藉由該光罩圖案轉印 至晶圓上之圖案形狀的差異， 以依據前述模擬步驟之結果，使轉印在前述晶圓上之 圖案的形狀成為所需之依據設計資料之形狀的方式，校 正前述光罩圖案之形狀的設計資料，

   前述模擬計算藉由表現前述光罩圖案之轉印製程的 模擬模型，亦即藉由要點來執行， 並依據前述所校正之設計資料而製造；其特徵為： 前述要點係依據測試用之光罩圖案形狀之設計資料 、、及由前述測試用之光罩圖案被轉印、蝕刻，而實際形 成之測試用之晶圓之圖案形狀之實測資料所產生， 前述測試圖t包含數個第三圖㈣，其係由具有大於 前述特定最小尺寸之線寬，且成直線狀延伸之帶狀的數

   A8 B8

   554406 A8 B8 C8 六 申請專利範園 數個第二圖案群，其係由具有小於前述特定最小尺寸之 線寬，且成直線狀延伸之帶狀的數個閘圖案彼此平行， 於線寬方向以相同間隔排列而構成，前述數個第二圖案 群分別構成為前述閘圖案之間隔為彼此互異的尺寸。 15.如申請專利範圍第13或14項之晶片，其中前述測試圖案 包含數個第三圖案群，其係由具有大於前述特定最小尺 寸之線寬，且成直線狀延伸之帶狀的數個閘圖案彼此平

   行，於線寬方向以相同間隔排列而構成，前述數個第三 圖案群分別構成為前述閘圖案之間隔為彼此互異的尺 寸0 16•-種根據OPC光罩所製造之晶片，其係藉由考慮光接近 效果之模擬計算，求出以特定最小尺寸值所定義之設計 規則設計出之光罩上所形成之光罩圖案的形狀、與藉由 δ亥光罩圖案轉印至晶圓上之圖案形狀的差異， 線

   以依據前述模擬步驟之結果，使轉印在前述晶圓上之 圖：的形狀成為所需之依據設計資料之形狀的方式，校 正前述光罩圖案之形狀的設計資料， 月IJ述模擬計算藉由表現前述光罩圖案之轉印 模擬模型，亦即藉由要點來執行， =依根據前述所校正之設計資料所製造的0PC 斤製造之晶圓切片；其特徵為： 前述要點係依據測試用之光罩圖案形狀之設計 占及由前述測試用之光罩圖案被轉印際 成之測試用之晶圓之圖案形狀之實測資料所產生 -8 - 度適用--~- 554406 A8 B8 C8

   ▲前述：試圖案包含數個第二圖案群，其係由具有小於 月J述特定最小尺寸之線寬，且成直線狀^伸之帶狀的數 個閘圖案彼此平行，於線寬方向以相同間隔排列而構成 ， 前述數個第二圖案群分別構成為前述閘圖案之間隔 為彼此互異的尺寸。 17. 士 U利範圍第16項之晶片，其中前述測試圖案包含 數個第—圖案群’其係由具有大於前述特定最小尺寸之 線寬’且成直線狀延伸之帶狀的數個閘圖案彼此平行， 於線寬方向以相同間隔排列而構成，前述數個第三圖案 群分別構成為前述閘圖案之間隔為彼此互異的尺寸。 18. 一種根據0Pc光單所製造之晶片，其係藉由考慮光接近 效果之模擬計算’求出以特定最小尺寸值所定義之設計 規則設計出之光罩上所形成之光罩圖案的形狀、與藉由 β亥光罩圖案轉印至晶圓上之圖案形狀的差異， 以依據前述模擬步驟之結果，使轉印在前述晶圓上之 圖^的形狀成為所需之依據設計f料之形狀的方式，校 正前述光罩圖案之形狀的設計資料， *前述模擬計算藉由表現前述光軍圖案之轉印製程的 模擬模型，亦即藉由要點來執行， 並自依根據前述所校正之料f料所製造的帆光 罩所製造之晶圓切出；其特徵為： 前述要點係依據測試用之料圖案形狀之設計資料 、及由前述測試用之光罩圖案被轉印、蝕刻，而實際形 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Μ規格_χ 297公董) 554406 A8 B8 C8 _ _D8 六、申請專利範圍· 成之測試用之晶圓之圖案形狀之實測資料所產生， 前述測試圖案包含數個第三圖案群，其係由具有大於 前述特定最小尺寸之線寬，且成直線狀延伸之帶狀的數 個閘圖案彼此平行’於線寬方向以相同間隔排列而構成 前述數個第三圖案群分別構成為前述閘圖案之間隔 為彼此互異的尺寸。 -10