TW550842B - Magnetic resistance element and its manufacturing method - Google Patents
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 103
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 103
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 207
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 24
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 16
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- -1 Ab Si Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 3
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 claims 1
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 182
- 239000010408 film Substances 0.000 description 90
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 28
- 230000008859 change Effects 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 11
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 11
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 10
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 4
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003289 NiMn Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910019041 PtMn Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021302 Co50Pt50 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015136 FeMn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- CKPWHLGHHXSVJI-UHFFFAOYSA-N 3-fluoroethamphetamine Chemical compound CCNC(C)CC1=CC=CC(F)=C1 CKPWHLGHHXSVJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVEXGJYMHHTVKP-UHFFFAOYSA-N 6-oxabicyclo[3.2.1]oct-3-en-7-one Chemical compound C1C2C(=O)OC1C=CC2 TVEXGJYMHHTVKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017121 AlSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100150005 Caenorhabditis elegans spd-3 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052686 Californium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015360 Fe50Ni50 Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100443763 Mus musculus Dock7 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100180320 Mus musculus Itln1 gene Proteins 0.000 description 1
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010028980 Neoplasm Diseases 0.000 description 1
- RSPISYXLHRIGJD-UHFFFAOYSA-N OOOO Chemical compound OOOO RSPISYXLHRIGJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100180325 Oncorhynchus mykiss itln gene Proteins 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N [N].[O] Chemical compound [N].[O] OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 201000011510 cancer Diseases 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000001941 electron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000000066 reactive distillation Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000005477 standard model Effects 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- DNYWZCXLKNTFFI-UHFFFAOYSA-N uranium Chemical compound [U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U] DNYWZCXLKNTFFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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Description
550842 A7 ------- B7 _ 五、發明說明(.) [技術領域] 本發明’係關於硬碟機(HDD)等磁氣記錄中使用之磁頭、 與磁隨機動態存取記憶體(MRAM)中使用之磁阻元件,以 及其製造方法。 [習知技術] 對包含以鐵磁性層/非磁性層/鐵磁性層爲基本結構 之多層膜’以橫切非磁性層之方式流動電流的話,可獲得 磁阻效果。若使用穿隧(tunnel)絕緣層作爲非磁性層的話可 獲得旋轉穿隧(spin tunnel)效果,若使用Cu等之導電性金 屬層作爲非磁性層的話,則可獲得CPP(Cmrent Perpendicular to the Plane)GMR 效果。任一個磁阻效果(MR 效果),皆依存於夾著非磁性層之鐵磁性層的磁化相對角大 小,前者之磁阻效果的由來,係在兩磁性層間流動之穿隧 電子之遷移機率根據磁化相對角而變化,後者之由來則係 旋轉依存散亂之變化。 將磁阻元件元件化時,特別是使用在MRAM(磁隨機 存取動悲δΰ fe、體)等之磁氣記憶體時,由成本與集積度等観 點來看,確實有將其與習知矽半導體單體化(Monolithic)之 必要。
Si半導體製程中,爲了除去配線缺陷,係高溫進行熱 處理。此熱處理,例如係以400°C〜450°C左右之溫度在氫 氣中進行’然而,磁阻元件若在3CKTC〜350°C以上之溫度 中進行熱處理的話,其MR特性會劣化。 3 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -----:丨丨-----0^--------訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550842 五、發明說明(、> ) 亦有在半導體元件形成後,將磁阻元件作入之提案。 但若依據此提案,必須在磁阻元件製作完成之後,形成用 以對磁阻元件施加磁場之配線等。因此,若不進行熱處理 ,則配線阻抗會產生偏差,使得元件之可靠性與安定性降 低。 [發明欲解決之課題] 本發明之第1磁阻元件,係包含基板與形成於此基板 上之多層膜,此多層膜包含一對鐵磁性層、以及夾在此一 對鐵磁性層之間的非磁性層,其阻抗値會依上述一對鐵磁 性層之磁化方向所形成之相對角度而有不同。此磁阻元件 ,係以包含將基板與多層膜以330°C以上、視情形爲350T: 以上、或400°C以上之熱處理製程的方法所製造。此磁阻 元件’於厚度方向均等分割非磁性層所定之中心線起,到 一對鐵磁性層與非磁性層間之界面的最長距離R1在2〇nm 以下,最好是在10nm以下。 此處,最長距離R1,係從長度爲50nm的10條中心 線之各條所定之到上述界面之最長距離,除去最大値與最 小値之外決定8個最長距離,然後取上述8個最長距離之 平均値所決定。 本發明,亦提供適合上述第1之磁阻元件之製造方法 ◦此製造方法,包含: 在基板上,將除了上述鐵磁性層及上述非磁性層以外 之上述多層膜的一部份形成爲底膜之製程; _____ 4 _ 私紙張尺度適用中國@家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱)"""""" " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - -----訂---------一 550842 A7 —________w____ 五、發明說明(7) 以400°c以上對上述底膜進行熱處理之製程; 對上述底膜表面照射離子束以使此表面平坦化之製程 在上述表面上,形成包含上述鐵磁性層及上述非磁性 層之上述多層膜之殘餘部之製程;以及 以330°c以上、或視情形以400°c以上對上述基板及上 述多層膜進行熱處理之製程。 本發明之第2磁阻元件,係包含基板與形成於此基板 上之多層膜,此多層膜包含一對鐵磁性層、以及夾在此一 對鐵磁性層之間的非磁性層,其阻抗値會依上述一對鐵磁 性層之磁化方向所形成之相對角度而有不同。此磁阻元件 ,基板與多層膜係以包含330°C以上、或400°C以上之熱處 理製程的方法所製造。又,此磁阻元件,從一對鐵磁性層 與非磁性層之界面之至少一方起的2nm範圍內之該鐵磁性 層之組成,係由式(FexCoyNiz^JV^qM^rMiAt所表示。 其中,M1 爲選自 Tc、Re、Ru、〇s、Rh、Ir、Pd、Pt 、Cu、Ag以及Au中之至少一種元素,M2爲選自Mn以及 Cr中之至少一種之元素,M3爲選自Ti、Zr、Hf、V、Nb 、Ta、、W、A1、Si、Ga、Ge、In 以及 Sn 中之至少一 種之元素,A爲選自B、C、N、0、P以及S中之至少一 種之元素^”””^个“乂及“系分另權足^)‘^^ 100,0‘ yg 100 ’ 0$ 100,x+y+z=1〇〇,40$ 99·7, 0.3 ^ Q ^ 60 ? 0 = r = 20 J ^ S ^ 30 ^ 0 ^ t ^ 20 ^ p+q+r+s+t==l〇〇 之値。 5 i紙適用標準(CNS)A4規格(210 x 297公爱) · -----:-------------- I訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 550842 五、發明說明(y ) [圖式之簡單說明] 圖1A〜圖1C爲用以說明最長距離R1之剖面圖。 圖2爲本發明之磁阻元件之一形態之俯視圖。 圖3爲本發明之磁阻元件之一形態之剖面圖。 圖4爲顯示本發明之磁阻元件之基本結構之一例之剖 面圖。 圖5爲顯示本發明之磁阻元件之基本結構之另一例之 剖面圖。 圖6爲顯示本發明之磁阻元件之基本結構之再一例之 剖面圖。 圖7爲顯示本發明之磁阻元件之基本結構之又一例之 剖面圖。 Η 8爲威不本發明之恤阻兀件之基本結構之又一►例之 剖面圖。 圖9爲顯示本發明之磁阻元件之基本結構之又再一例 之剖面圖。 圖1〇爲顯不本發明之磁阻元件之基本結構之又再一例 之剖面圖。 圖11爲顯不本發明之磁阻元件之基本結構之又再一例 之剖面圖。 圖UA〜圖12D分別爲在實施例中所製造之磁阻元件 之一部份之剖面圖。 6 本、紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公复) ---" ------ΓΙ.-----0^--------訂---------線_ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 550842 ______Β7 _ 五、發明說明(,,) [元件符號說明] 1 基板 2 下部電極 3, 5 鐵磁性層 4 非磁性層 6 上部電極 7 層間絕緣膜 8 反鐵磁性層 51,53, 71, 73 鐵磁性膜 52, 72 非磁性金屬膜 [發明之實施形態] 經由實驗之確認,隨著以高溫進行之熱處理,非磁性 層之界面平坦性會降低,此平坦性與元件之MR特性存在 著相關關係。於是,藉由非磁性層之底膜之處理及/或在 上述界面附近之組成之調整,使熱處理後之非磁性層之界 面平坦化後,元件之MR特性亦獲得提升。 非磁性層界面之「不平」之中,對MR特性有較大影 響的,爲週期較短之「不平」。如圖1A所示,在鐵磁性 層13, 15與非磁性層14之界面21,22,存在有可以用大曲 率半徑R來表示之「起伏」。然而,此種長節距之「起伏 」並不會那麼地影響MR特性。爲了更明確掌握與元件之 MR特性之關係,最好是評鑑長度在50nm左右範圍的界面 狀態。 7 _ ____ 幸、紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -----:---------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 550842 五、發明說明(卜) 如圖1B所示,在本說明書中,爲了掌握與MR特性 之關係,使用了將非磁性層14依照厚度方向均等分割所定 之中心線10爲基準線。依照此方法,可以同時評鑑兩個界 面21,22之狀態。中心線1〇,其詳細可依照最小平方法來 訂定之。此方法,如圖1C中擴大圖所示,必須考慮:中 心線10上點Pi與對於通過此點之中心線1〇之垂線20、 此垂線與界面21之交點Qi之距離PiQi,以及點P:與垂線 20與界面22之交點Rii之距離HRi。接著,在這些距離之 平方和相等之條件(]*(/^〇2心^(/^)2办)下,訂定中心線10 使得Ι(Λ·δ〇2办成爲最小。 以此方式決定中心線1〇後,據此求得中心線1〇與界 面21,22間之最長距離L。本說明書中,爲了盡可能地排 除測量誤差,必須任意地訂定10條中心線’然後求得其 10個最長距離L,然後就除去最大値與最小値(Lmax與 Lmm)之8個最長距離L,求出其平均値,將此平均値作爲 評鑑之尺度R1。 上述測量,最好是能根據以穿透型電子顯微鏡(TEM) 拍攝之截面像圖進行。簡單之評價’亦可將成膜到非磁性 層而中止之樣本膜於減壓環境中實施就地(in-situ)熱處理, 一邊保持該狀態一邊以原子間力顯微鏡(AFM)觀察表面形 狀來進行。 此外,在所檢討之範圍內,以上述R1之評鑑,最適 於用來把握MR特性與非磁性層平坦性之關係。只是藉由 界面之最小曲率半徑之評鑑’亦有可能更能良好地說明上 8 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂·-------I 一 A7 550842 五、發明說明(' ) 述之關係。目前,由於TEM觀察用之樣本厚度之控制上有 限制,因此除了厚度非常薄之部分外’界面有在厚度方向 重疊之傾向。因此,特別是最小曲率半徑小之樣本’無法 明確地特定其最小曲率半徑。然而’根據製作TEM觀察用 樣本技術之進步,亦有可能例如在50〜100nm之範圍內決 定10個最小曲率半徑,與上述同樣的,除了最大値與最小 値外之8個値之平均値,可提供更爲適當之評鑑基準。 非磁性層之平坦性,會受提供表面(用以形成非磁性層 與夾著此之鐵磁性層之層積結構(鐵磁性層/非磁性層/鐵 磁性層)之表面)之底膜狀態的影響。當在多層膜中包含夾 著一對鐵磁性層之下部電極與上部電極時,底膜會包含下 部電極。下部電極,由於多形成爲例如較厚的lOOnm〜 2μηι程度,因此構成此電極之至少一部分的底膜,亦會形 成的較厚。厚膜化之底膜之表面平坦性與層內之變形,易 影響其上形成之非磁性層之平坦性。 此外,下部電極並不侷限於單層膜,亦可爲由複數導 電膜所構成之多層膜。 底膜,希望以400°C以上,最好是500°C以下之溫度寶 施熱處理。藉此熱處理,可以減低底膜之變形。熱處Ϊ里並 沒有特別之限制,可以在減壓環境中或是在Αι*等惰性氣體 環境中執行。 在底膜之表面,以低角度進行離子銑(ion milling)或照 射氣體群(Gas Cluster)離子束,即能抑制其表面之粗度。離 子束之照射,可以將離子束相對底膜之表面以入射角5。 9 幸、紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 550842 五、發明說明(/ ) 〜25之肖度照射。lit處’將入射爲垂直於表面方向定爲 90° ,平行於表面之方向定爲0° 。 若考慮藉由熱處理之結晶粒成長,則離子束照射之平 S化處理’在熱處理之後實施較佳。進行離子束處理之表 面’可在其上方直接形成鐵丨、生層之面,亦可透過其他層 來支撐鐵磁性層之面。 、" 使用單結晶基板’較易獲得R1低的元件。但是,即 使不使用單結晶基板’亦可錯由對下部電極之離子束照射 ,來得到R1低之元件。 非磁性層之界面附近之鐵磁性層之組成,亦會影響非 層性層之平坦性。 具體來說,若能使一對鐵磁性層與非層性層之界面之 最少一面到2nm之範圍、最好是4nm之範圍內,與該界面 連接之鐵磁性層之組成’下式所表示之範圍內的話,即能 容易地獲得R1低之磁阻元件。 (FexCoyNiz)pM1qM2rM3sAt 此處,Mi 爲選自 Tc、Re、Ru、〇s、Rh、Ir、Pd、Pt 、Cu、Ag以及Au中之至少一種之元素,最好是ir、Pd ' Pt ’ Μ2爲選自Μη以及Cr中之至少一種之元素,Μ3爲選 自 Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、w、Al、Si、Ga、Ge、 In以及Sn中之至少一種之元素,a爲選自B、C、N、〇、 P以及S中之至少一種之元素。 lit夕和,x、y、z、p、q、r、s以及t分另[J爲滿足:x $100,0$yS100,OSzSIOO,x+y+z=100,40$ρ$99·7 ____ 10 衣紙張尺中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐j _ 賴 --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 550842 五、發明說明(;) ,〇·3 ‘ q S 60,0 S r $ 20,0 $ s g 30,0 S t $ 20, p+q+r+s+t=100 之値。 上述式中,無論p+q+r=100(s=0,t=0)成立,或 p+q=l〇〇(r=0)成立皆可。 若在與非磁性層之界面附近包含元素Μ1,即能容易實 現小R1。藉由元素Μ1之添加,330°C以上之熱處理後之 MR特性,與熱處理前相比,反而會有所提昇◦目前,元 素M1的作用尙非十分淸楚。然而,由於此等元素對氧氣 等具有觸媒效果,因此由元素M1所構成磁性層之非磁性 化合物之結合狀態會被強化,其結果,會有改善屏障特性 等之可能性。 元素M1之含有量若超過60at%(q>60),由於鐵磁性層 作爲鐵磁性體之功能降低,因此MR特性會劣化。元素M1 之較佳含有量,在3〜30at%(3SqS30)。 元素M2,易被氧化,且被氧化後成爲具有磁性之氧化 物。元素M2,有使用在反鐵磁性層。此外,若藉由熱處理 而擴散到與非磁性層之界面附近時,即會在界面附近形成 氧化物,而可能使特性劣化。然而,元素M2,若在20at% 以下(r^20)的話,只要是在與元素Μ1 —起存在之情況下 ,並不會導致MR特性明顯之劣化。特別是當元素Μ2之含 有量比元素M1之含有量少時(q>r),MR特性並不會劣化, 反而會有所提昇。當與元素M1同時添加時(q>〇, r>0),則 元素Μ2會對熱處理後MR特性之提昇有可能會有所幫助。 在將磁阻元件使用於裝置時,除了 MR特性之外,軟 11 _ 才、紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) t ------------------------------訂 *-------1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 550842 五、發明說明(i ) 磁氣特性、高頻特性等之磁氣特性亦很重要。此時,可以 適當地在上述範圍內添加元素M3、元素A。
Fe、Co以及Ni,只要其含有量之合計在40〜99.7at°/〇 之間的話,其比率上並無限制。然而,若此三元素全部存 在時,則最好是0<Χ<100、0<Υ<100、0<z$90(特別是0<z $ 65)。當爲Fe與Co兩成份時(z=0),則最好是5 $ χ<1〇〇 、〇<y$95。當爲Fe與Ni兩成份時(y=0),則最好是5$ x< 100、0<z S 95 〇 組成之分析,例如可以依照TSM之局部組成分析來之 進行。關於在非磁性層之下方之鐵磁性層,可以用成膜至 非磁性層後停止之標準(model)膜來分析。此時,在以既定 溫度對標準膜進行熱處理後,使用硏磨法(milling)適當地 將非磁性層除去,然後使用奧諧(Auger)光電子分光、XPS 組成分析等之表面分析法來測量其組成即可。 圖2與圖3顯示磁阻元件之基本結構。在此元件,係 在基板1上,依序積層下部電極2、第1鐵磁性層、非磁 性層4、第2鐵磁性層5以及上部電極6。夾著鐵磁性層/ 非層性層/鐵磁性層之積層體的一對電極2,6之間,係以 層間絕緣膜7使之絕緣。 磁阻元件之膜構成,並不限定於此,亦可如圖4〜圖 11所示,進一步加上其他的層。此外,此等圖中,雖然省 略圖示,但亦可視需要,將下部電極配置在層積體之圖示 下方,將上部電極配置在層積體之圖示上方。更可以添加 在此等圖中未顯示之層(例如底層與保護層)。 12 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) " " * ------------------ —訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 550842 五、發明說明() 圖4中’反鐵磁性層8與鐵磁性層3係形成爲相接觸 。此兀件’藉由與反鐵磁性層8之交換偏壓磁場,鐵磁性 層3顯示一方向異方性,其反轉磁場變大。藉由反鐵磁性 層8之添加,此元件成爲鐵磁性層3具有固定磁性層、另 一鐵磁性層5具有自由磁性層之功能的旋轉閥(spin valve) 型元件。 如圖5所示,亦可以使用以一對鐵磁性膜51,53夾著 非磁性金屬膜52之積層鐵氧體(fem)來作爲自由磁性層5 〇 如圖6所示,亦可以爲雙旋轉閥(dual spin valve)型之 元件。此元件,配置有夾著自由磁性層5的兩個固定磁性 層3, 33 ’在自由磁性層5與固定磁性層3, 33之間,存在 有非層性層4, 34。 如圖7所示,雙旋轉閥型元件中,亦可以將固定磁性 層3, 33作爲積層鐵氧體51,52, 53 ; 71,72, 73。此元件中 ’係以接觸固定磁性層3,33之方式,分別配置鐵磁性層 8, 38 〇 如圖8所示,圖4所示之元件中,作爲固定磁性層3 ’亦可使用一對鐵磁性膜51,53夾著非磁性金屬膜52之 積層鐵氧體。 如圖9所示,亦可以是不使用反鐵磁性層之保磁力差 型之元件。此處,係將積層鐵氧體51,52, 53作爲固定磁 性層3來使用。 如圖10所示,圖8所示之元件中,更可以積層鐵氧體 __ 13 __ 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公釐) ------------------—訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 550842 B7_ 五、發明說明(.Ό 71,72, 73來構成自由磁性層5。 如圖11所示,可以在反鐵磁性層8之兩側,配置固定 磁性層3(33)、非磁性層4(34)、自由磁性層5(35)。此處, 係顯示使用將積層鐵氧體51(71),52(72),53(73)作爲固定 磁性層3(23)之例。 作爲基板1,可以使用表面被絕緣之板狀物,例如, 經熱氧化處理之Si基板、石英基板、藍寶石基板等。基板 之表面,以平滑者較佳,因此可視需要,施行化學機械硏 磨(CMP)等之平滑化處理。在基板之表面上,亦可以是先 製作好MOS電晶體等之開關元件。此時,在開關元件上形 成絕緣膜,在此絕緣膜上形成接觸孔,以確保在其上方製 作之磁阻元件之電氣連接。 反鐵磁性層8,可以使用含有Μη之反鐵磁性體或是 含有Ci*之反鐵磁性體。含有Μη之反鐵磁性體,例如有: PtMn、PdPtMn、FeMn、IrMn、NiMn。經由熱處理,有可 能從此等反鐵磁性體擴散出元素Μ2。因此,若考慮在非磁 性層附近元素Μ2之含有量(20at%以下),則非磁性層與g 鐵磁性層之距離(圖4中之d)最好在3nm以上,50nm以下 〇 構成多成膜之其他層,並沒有特別限制,可以使用_ 知之各種材料。 例如在非磁性層2上,視元件之種類,使用導電性_ 絕緣性材料即可。使用於CPP-GMR元件之導電性非磁个$ 層,可以使用例如包含Cu、Au、Ag、Ru、Cr以及此等;^ 14 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------------訂· —------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 550842 __ B7__ _ 五、發明說明(Λ ) 合金。CPP-GMR元件中非磁性層之適當膜厚爲1〜10nm。 在TMR元件之穿隧絕緣層中使用之材料沒有特別之限制, 可以使用各種絕緣體或是半導體,但以A1之氧化物或是 氮氧化物較適合。在TMR元件中非磁性層之適當膜厚爲 0.8〜3nm 〇 構成積層鐵氧體之非磁性膜材料,可以爲Cf、Cu、 Ag、An、Rii、k、Re、Os以及此等之合金及氧化物。此 非磁性膜之厚度,雖因材料而異,但在0.2〜1.2nm之間。 構成多層膜之各層的成膜法,並沒有特別地限制,可 以使用灑鑛法、分子束晶晶(MBE法、Molecular Beam Epitaxy)法、化學氣相沉積(CVD 法、Chemical Vapor Deposition)法、脈衝雷射沉積法、離子束濺鍍法。細微加 工法,可以使用眾知之細微加工法,例如:使用接觸罩及 步進器之光微影法、EB微影法、聚焦離子束(Focused Ion Beam)加工法等。 蝕刻法,亦可以使用離子銑(Ion Milling)法或反應性離 子蝕刻法(RIE法、Reactive Ion Etching)等眾知之方法。 習知之磁阻元件,若實施至300°C左右之熱處理的話 ,亦有在熱處理後MR特性提昇之情形。然而,在300〜 350°C以上之熱處理後,MR特性會劣化。本發明之磁阻元 件,相對於習知之元件,除了在330°C以上之熱處理後顯 示較佳之特性外,在350°C以上、400°C以上之熱處理溫度 越高時,其處理後特性之相異處非常明顯。 若考慮與S:[半導體製程之組合,則必須考慮在40(rc 15 才、紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐1 一 ' ------------· I------訂·-------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 550842 五、發明說明(〃) 附近之熱處理溫度。若應用本發明,則對於4〇〇〇C之熱處 理,亦可以提供有實用特性之元件。 如上所述,根據本發明,藉由330°C以上,甚至是350 °C以上之熱處理,可以提供MR特性較該熱處理前還要提 昇之磁阻元件。 藉由熱處理而得MR特性提昇之原因雖不十分淸楚, 但藉由熱處理,亦有可能改善非磁性層作爲屏障之特性。 此係因一般來說,屏障中之缺陷若減少,則MR特性會變 好,屏障高度若變高,MR特性亦會變好之故。藉由熱處 理之MR特性之提昇,亦可能係因非磁性層與鐵磁性層界 面之化學結合之變化而引起。無論哪一種情形,超過3〇〇 C之局溫熱處理可以得到之MR特性提昇之效果,在考慮 將磁阻元件應用到裝置上時,是非常重要的。 界面附近之鐵磁性層之組成,其在熱處理之溫度中, 適用於形成單一相之組成。 以普通之鑄造法,鑄造與界面之組成相同成分之合金 ,然後在惰性氣體中,以350°C〜450°C之溫度實施24小 時之熱處理。將此合金大致切半,硏磨其剖面,進一步對 表面進行了鈾刻。以金屬顯微鏡以及電子顯微鏡觀察了此 表面之粒子狀況。又,以上述組成分析法及EDX法對組成 分布進行了評鑑。其結果,若使用在所應用之熱處理溫度 顯示之不平均相之組成時,可以確認因爲長時間之熱處理 ,MR特性劣化之機率會變高。 塊體(bulk)與薄膜,因爲界面之效果等’其相之安定狀 16 本、紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ---------------------訂--------·線 (請先閒讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 550842 ------B7 _ 五、發明說明() 態不同,但是其在鐵磁性層之界面附件之組成,具體來說 爲上述式子所顯示之組成,在以330°C以上固定之熱處理 溫度中,形成單一之相者較佳。 實施例 《實施例M》 在單結晶MgO(lOO)基板上,以MBE法蒸鍍膜厚 lOOnm之pt膜,以作爲下部電極,然後以此狀態,在真空 中以400°C實施3小時之熱處理。接著,以相對於基板入 射角爲10〜15。之角度,使用離子槍照射Ar離子,進行 表面淸淨與平坦化之處理。 接著,在Pt膜上,以RF磁控管濺鑛法(RF magnetron sputtering法)形成膜厚爲8nm之NiFe膜。接著,在真空處 理室內導入純氧使以DC磁控管濺鍍法形成之A1膜氧化, 製作成A10x屏障。接著,以RF磁控管濺鍍法形成膜厚爲 10nm之Fe5GCo5(3膜。如此,在下部電極上,形成由鐵磁性 層/非磁性層/鐵磁性層(NiFe(8) / Α1〇χ(1·2) / Fe5QCo5Q(10))所組成之積層體。此處’括弧內之數字,爲 以nm爲單位之膜厚(以下皆相同)。 接著,以使用微影法之圖案化與離子銑蝕刻法,製作 與圖1及圖2中所示之結構相同之多數個磁阻元件。此外 ,可以分別在上部電極上使用DC磁控管濺鍍法形成Cll膜 ,在層間絕緣層上以離子束濺鍍法形成Si〇2膜。針對此等 磁阻元件,一邊施加磁場一邊以直流四端子法測定阻抗, 據以測定了 MR變化率。在260°C 1小時熱處理、300°C 1 17 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) I tn n I— n n n n n n m · emmmmw n I m n n n ^ ^ a n ϋ n n n ϋ— an I 言 矣 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550842 A7 ___B7_ 五、發明說明(夂) 小時熱處理、400°C 1小時熱處理後亦分別測定了其MR變 化率。此外,在MR變化率測定後,測量各元件之R1値 。將其結果顯不在表1A中。
表1A 並埶 R1 R1^3 3<R1^10 10<R1^20 20<R1 MR(%) (平均/最大) 12/13.5 11.9/13.2 10.5/12.8 8.2/- 處理 該樣本數 80 12 6 1 R1 R1^3 3<R1^10 10<R1^20 20<R1 260〇C MR(%) (平均/最大) 14.1/15.2 13.8/14.8 12.5/13.2 8.5/9.2 該樣本數 82 12 3 3 R1 R1^3 3<R1^10 10<R1^20 20<R1 300°C MR(%) (平均/最大) 15.8/16.0 15.5/15.9 14.5/14.9 2.1/9.2 該樣本數 62 15 9 12 R1 R1^3 3<R1^10 10<R1^20 20<R1 350〇C MR(%) (平均/最大) 16.2/16.4 15.7/16.0 14.5/14.9 1.9/5.2 該樣本數 17 14 26 33 R1 R1^3 3<R1^10 10<R1^20 20<R1 400°C MR(%) (平均/最大) 16.4/16.6 15.9/16.1 14.5/14.9 1.8/2.3 該樣本數 3 6 15 51 樣本數之合計,視熱處理溫度而不同。 《實施例1-2》 取代NiFe膜,除了使用膜厚6nm之NiFe膜與膜厚 2nm之Fe8QPt2()膜之外,與實施例1-1同樣的,製作成多數 . 18 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------------訂 —--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550842 A/ Β7 五、發明說明() 之磁阻元件。這些元件,包含可以以N:iFe(6)/Fe8QPt2()(2) /AlOx(1.2)/Fe5QCo5Q(10)來表示之積層體。針對此等磁阻 元件,測定了與上述相同之MR變化率與Rb其結果顯示 在表1B。
表1B to埶 J\\\J \ \ \ R1 R1^3 3<R1^10 10<R1^20 20<R1 MR(%) (平均/最大) 21.2/25.1 20.2/22.7 15.2/- -/- 處理 該樣本數 87 12 1 0 R1 R1S3 3<R1^10 10<R1^20 20<R1 260。。 MR(%) (平均/最大) 23.4/26.3 21.9/24.6 14.9/15.3 -/- 該樣本數 87 10 3 0 R1 R1^3 3<R1^10 10<R1^20 20<R1 300°C MR(%) (平均/最大) 24.6/26.5 23.2/25.2 14.5/15.1 6.8/- 該樣本數 87 8 2 1 R1 R1^3 3<R1^10 10<R1^20 20<R1 350〇C MR(°/〇) (平均/最大) 25.9/26.4 24.8/25.3 14.7/14.9 5.9/- 該樣本數 85 5 2 1 R1 R1^3 3<R1^10 10<R1^20 20<R1 400°C MR(%) (平均/最大) 26.6/26.9 25.1/25.2 14.1/14.6 6.2/6.6 該樣本數 80 4 3 2 樣本數之合計,視熱處理溫度而不同。 《比較例》 爲了比較,除了未進行電極之熱處理與使用離子槍之 19 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------------訂·-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 550842 B7 五、發明說明(β ) 處理外,以和實施例1-1同樣之方式,製作了多個磁阻元 件。針對此等磁阻元件,測定了與上述相同之MR變化率 與R1。其結果顯示在表1C。
表1C te埶 j \ w j \ w R1 R1^3 3<R1^10 10<R1^20 20<R1 MR(%) (平均/最大) -/- 11.8/12.5 10.4/12.6 8.1/9.1 處理 該樣本數 0 3 35 62 R1 R1^3 3<R1^10 10<R1^20 20<R1 260〇C MR(%) (平均/最大) -/- 13.8/14.1 12.2/13.2 8.3/9.0 該樣本數 0 2 25 73 R1 R1^3 3<R1^10 10<R1^20 20<R1 300°C MR(%) (平均/最大) -/- -/- 14.1/14.7 1.9/7.3 該樣本數 0 0 5 91 R1 R1^3 3<R1^10 10<R1^20 20<R1 350〇C MR(%) (平均/最大) -/- -/- -/- 1.7/4.8 該樣本數 0 0 0 89 R1 R1^3 3<R1^10 10<R1^20 20<R1 400°C MR(%) (平均/最大) -/- -/- -/- 1.2/1.9 該樣本數 0 0 0 75 樣本數之合計,視熱處理溫度而不同。 不實施下部電極表面處理之習知方法(表1C),在超過 3〇〇°C之熱處理後,其R1全部超過20nm。 比較在非磁性層附近之磁性層中加上Pt(表1B)與沒有 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---- 1訂---- S. 550842 A7 _ B7 五、發明說明() 加Pt(表1A),可以確認抑制了因熱處理所導致之R1之增 加。此外,藉由加入Pt,使得即使R1在相同之範圍,其 MR變化率亦有提昇。 《實施例1-3》 除了使用Si熱氧化處理基板作爲基板,使用膜厚 lOOnm之Cu膜與膜厚5mn之Ta膜以作爲下部電極,並使 用 NiFe(8)/Co75Fe2〇(2)/BN(2.0)/Fe5GC〇5()(5)作爲鐵磁性 層/非磁性層/鐵磁性層之積層體外,以和實施例1-1相 同之方式,製作多個磁阻元件。另外,以RF磁控管濺鍍 法來製作Cu膜與Ta膜,以DC及RF磁控管濺鍍法來製 作NiFe膜及Co75 Fe2〇膜,以反應性蒸鍍法來形成BN膜’ 以RF磁控管濺鍍法來形成FwCow膜。 針對此等磁阻元件,測定了與上述相同之MR變化率 與R1。其結果顯示在表2。 表2 te埶 j \w j \ w 處理 R1 R1^3 3<Rl^l〇 10<R1^20 20<R1 MR(%) (平均/最大) 18.1/20.0 17.9/19.5 15.5/17.8 10.2/13.2 該樣本數 67 22 7 4 R1 R1^3 3<Rl^l〇 10<R1^20 20<R1 260〇C MR(%) (平均/最大) 18.2/20.1 18.0/19.7 16.5/17.9 12.1/13.5 該樣本數 69 21 5 5 R1 R1^3 3<Rl^l〇 10<R1^20 20<R1 300°C MR(%) _ί平均/最大) 19.5/20.3 19.1/19.9 17.5/18.8 11.8/13.5 該樣本數 36 36 9 15 21 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550842 A7 B7 五、發明說明(7 ) 350〇C R1 R1S3 3<R1^10 10<R1^20 20<R1 MR(%) (平均/最大) 19.7/20,5 19.2*20.2 17.5/18.8 5.8/11.8 該樣本數 15 16 21 36 400°C R1 R1^3 3<R1^10 10<R1^20 20<R1 MR(%) (平均/最大) 19.9/20.6 19.2/20.0 16.8/18.5 2.8/5.6 該樣本數 1 8 13 52 樣本數之合計,視熱處理溫度而不同。 《實施例1-4》 除了 Si熱氧化處理基板作爲基板,以膜厚200nm之 Cu膜與膜厚3mn之Ta膜作爲下部電極,並使用NiFe(8) / C〇75Fe2()(2)/ Α1Οχ(2·0) / Fe5()Co5()(5)作爲鐵磁性層 / 非 磁性層/鐵磁性層之層積體外,與實施例1-1相同之方式 ,製作多個磁阻元件。另外,以陰離子氧化法形成ΑΙΟχ 膜。 針對此等磁阻元件,測定了與上述相同之MR變化率 與R1。其結果顯不在表3。 表3 iffi埶 j \ w j w\ R1 R1^3 3<R1^10 10<R1^20 20<R1 MR(%) (平均/最大) 22.1/24.2 21.5/24.1 20.1/22.8 15.5/17.9 處理 該樣本數 66 23 6 5 R1 R1^3 3<R1^10 10<R1^20 20<R1 260〇C MR(%) (平均/最大) 23.1/24.5 22.8/24.3 21.8/23.0 16,0/17.2 該樣本數 67 20 6 7 22 幸、紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------------訂--------1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550842 A7 _B7 五、發明說明() R1 R1^3 3<Rl^l〇 10<R1^20 20<R1 300°C MR(%) (平均/最大) 24.1/24.7 23.5/24.3 22.0/22.8 12.5/15.1 該樣本數 31 34 11 18 R1 R1^3 3<Rl^l〇 10<R1^20 20<R1 350〇C MR(%) (平均/最大) 24.3/24.7 23.8/24.1 21.8/22.2 3.2/8.1 該樣本數 3 7 14 58 R1 R1^3 3<Rl^l〇 10<R1^20 20<R1 400〇C MR(%) (平均/最大) -/- 23.8/23.9 21.6/21.6 2.6/3.6 該樣本數 0 2 3 61 樣本數之合計,視熱處理溫度而不同。 此外,作爲鐵磁性層,即使使用Co7QFe3()、C〇9QFe1()、 Ni6〇Fe4〇、鐵砂錦合金(Sendust)、Fe5QCo25Ni25、 C〇7QFe5Si15B1()等依其原狀使用或是將其多層化後使用,以 及作爲非磁性層,即使使用用反應性蒸鍍之ai2o3、使用 陰離子反應之A1N、使用自然氧化或氮化之Ta0、TaN、 A1N等,基本上都會得到相同之結果。 此外,如圖4〜圖11中所示結構之磁阻元件,基本上 亦會得到相同之結果。此外,在存在有多數個非磁性層接 合(Tunnel Junction)之元件,係以最大之R1作爲該元件之 R1。此寺兀件中’係使用CrPnMt(膜厚20〜30nm)、 Tb25Co75(10 〜20nm)、PtMn(20 〜30nm)、IrMn(10 〜30nm) 、PdPtMn(15〜30nm)等作爲反鐵磁性層,使用ru(膜厚ο.? 〜0.9nm)、Ir(0.3 〜0.5nm)、Rh(0.4 〜0.9nm)作爲非磁性金 23 私紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------------訂·-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550842 A7 ^____B7___^__ 五、發明說明(、, '/ ) 屬膜。 《實施例2》 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 由貫施例1 ’可以確認非磁性層附近之磁性層之組成 ,會使得MR變化率產生變化。因此,本實施例中,係針 對以和實施例1相同之成膜法與加工法所製作之磁阻元件 ,測定了鐵磁性層之組成與MR變化率之||彳系。 鐵磁性層之組成,使用了奧諧光電子分光、SIMS以及 XPS進f了了分析。如圖12A〜圖12D所示,在層之界面附 近以及層之中心測量了其組成。在界面之附近,係以界面 起2nm之範圍作爲測量對象。層之中心亦以包含厚度方向 之中心2nm之範圍爲測量對象。圖12A〜圖12D中所示之 「組成1」〜「組成9」,係對應以下所示各表中之顯示。 此外,圖12A〜圖12D中所示元件之結構,分別對應各表 中元件型a)〜d)。 此外,作爲非磁性層,使用了以lcp磁控管濺鍍法所 製成之A1膜,以及將純氧與高純度A]r之混合氣體導入處 理室內氧化而成之ALOW膜厚ι·〇〜2nm)。此外,分別使 用Ru膜(〇.7nm〜0.9nm)作爲非磁性層,以及使用 PdPtMn(15〜30nm)作爲反鐵磁性層。 此外,幾個磁阻元件中,係以鐵磁性層之組成與組成 比在層之厚度方向變化之方式進行了成膜。此成膜,係以 各目標之施加電壓之調整來進行。 24 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格x 297公釐) 550842 A7 _B7 五、發明說明(V1]) 丨(®ί 組成6 N i a〇Fe20 NiMFeie Nil0Fe20 Ni|0Fe20 組成5 NieoFe2e Ni,aFe20 Ni 40Ρβ20 Nid0Fe2e 組成4 Co75Fe25 (Co,sFe2S) s"Pt0.2 (Co75Fe25) 9s iPt01 (Co,5Fe25) SJPt3 組成3 〇r (CouFe25) M.aPt02 (Co,sFe2S) s"Pt0.3 (Co7SFe2S) 8?Pt3 組成2 Co75Fe25 (Co75Fe25) Μ.ιΡ^α.2 (Co/5Fe25) ».|Pt0>3 (Co75Fe25) 57Ptj 組成1 Co,sFe2S (Co75Fe25)SSiPt0<2 (Co75Fe25) s9.7Pt0>J (Co75Fe25) 97Pt3 CM CVJ CM LO z <n Z CO tn O CO C\i CM a〇 CO ca cn CM O) CM 〇 CM Z 卜 CM CM CM CM m CM in CM cn to CM un CvJ 熱處理溫度 | CC) W o CO CM O s a un cn o o km S CM 〇 CO s cr> o s CM O S S CO 〇 • W S C\i O s tn o Μ 樣本 No. 一 cn --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 __B7 五、發明說明(A ) CVI丨Q寸谳 組成6 Nie0Fe20 N i a〇Fe20 Nii0Fe20 N i a〇Fe20 組成5 Nii0Fe20 o Nie〇Fe20 Nii0Fe20 組成4 (Co75Fe25) i5Ptl5 (Co75Fe25) y,P t29 (CouFe2S) 4|Pt5i (Co75Fe25) 3«P t62 組成3 (Co75Fe25)a5Ptl5 (CouFe2S) nPt29 (CoI5Fe25) 4lPtss (Co75Fe2S) 3iPt|2 組成2 丨(Co75Fe25)“Ptls (Co75Fe25) j,Pt29 (Co75Fe25) 4lPt5s (Co75Fe25) 3jPte2 組成1 I_ 1 (Co74Fe25) i5Pt,5 (Coi5Fe25) 7jPt2S (Coi5Fe25) 4|Pt5i (CoiSFe2S) 3aPt62 〇〇 CO Osl σι un m CM CSJ <n cn m CM to CSi cn uo CVi C\J 〇〇 cn 09 CD S m S CSJ S CSJ QO 卜 m in CM CS4 熱處理溫度 (。〇 S CVJ 〇 cn 2 cn 〇 S Cvi o o LD CO 〇 o k. s CsJ o cn s cn o o w s CSJ O o in cn 〇 o 元件 型式 Q un CO 卜 oo --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 B7 五、發明說明(/ )
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CO 运 a <v LL^ 1 ' O 0> 〇 a? 〇T UO 运 SS o αΓ UL·^ o 〇T d? 0 aT wv 2 of o -a" u-^ § 2 Ξ «·» ? LU^ 00 1S 鸢 uv 2 CL^ ? UL·^ 3 〇 Q-^ ? LL·^ S 2 *t3 a. Q-^ :5 - (N Ξ o a. 1 1 LL·^ °5 5 5S ? 0 z 1 IL^ s Jl ? 气 1 U-^ ^N 〇〇 oo cn an «—· 〇Q cn CVi <〇 ca oo oo CVI 卜 CO oo s CM CVJ cn CM 卜 OO OO oo cn <n to σ> CO oo <0 O) ΙΛ cn CVJ 00 ay m |g w 靈 tRit> w S cu O 〇 to cn o o w o CO <M 0 cn S 〇 0 u. s ca 〇 S 0 uo cn o 0 w. 0 CO CVi 〇 0 CO CO 〇 〇 旧到‘ ο 璲2 ΓΟ ΤΓ un CO 8 2 ------------•裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------^0. 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 550842 B7 五、發明說明(Λ )
7518 組成3 LJL·^ (Co75Fe25) 9S el r0 ,Pd0 0SRh0 05 (Coi5Fe2S) S3 71 r0 lsPdMiRh0 M (CoriFe25) „ I r, 5Pd0 75Rh0 75 組成2 Co,0Fe,0 Co90Fe·。 CoS0Fe,0 CoS0Fel0 組成1 Co90Fe,0 Co9〇Fe,0 Co90Fel0 j Co90Fe,0 tr> CSJ ΙΛ S: CM m CTi ai 〇〇 CV4 卜 cn CM cn CSI CO CO ca CSi CM οα S z cn CVJ a〇 cn CM CO S cn CM CV4 cn cn CM cvj to ΚΓ CVJ 熱處理 溫度 ro k. 2 CM 〇 s cn O o W o CO 〇 s CO 400 iJ S CM o S CO 〇 «μ S CNJ o 〇 LT3 cn O o 元件 型式 樣本 No. 卜 〇〇 σ% S --------------------訂---------線Φ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 私紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 _B7 五、發明說明(^ )
CV1丨(Qrrfls CO 链 αΓ LL^ ^0 0 u. •a αΓ O* CJ s d S c» cai "O j* of U-^ cT CJ 0 0 of U-^ «s' CJ LO 链 S3 <i? UL^ 2* s 0 d m m £ s ^0 0 2 0 i UL·^ |A Oj^ u. οΓ LL·^ μ ^0 0 m 9« 供 〇f LL^ a s ^βί 〇T LL·^ 2* u« 0 气 αί U-^ 2* ΙΛ CVJ CNJ to S: <VI ΙΛ cn 00 cvi 卜 m CKi *«T cn CVi cn in CO CVJ CVI CSJ C\J s; cn m <NJ CO cn CvJ <·〇 s 〇> CVI CS4 CO CO CM C\J U3 CM lie S CVI 0 s cn 0 2 C\J 〇 CO 0 ΙΛ m 0 0 u. S CV4 〇 s cn 〇 ΤΓ S CM 0 S s CO g β到 Q Q Q Q Ί4 〇· 32 卜 CO cn S --------------------訂---------線(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 木纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐) 550842 A/ ___Β7 五、發明說明(4 ) ?(orf«« 組成3 (Coi5Fe2S) es 1 ιγ sPd3· 7Rhj. (Co75Fe25)711 rl4 5Pd? 2Rh7 j (Coi5Fe25)4l 1 r2$>5PdHi7RhM<| (Co 打 Fe25)3el r3,Pd|5.5Rh15.5 組成2 of CoS0Fe,0 1 C〇s〇Felo ! «2 LJL^ ^O* 組成1 o ιίΓ Co30Feie 〇 ιίΓ S $ CO S xr CVI CO cJ C\i OQ CO C\i cn 卜 esj s C^J <\4 C4 CS4 C\4 LA C\J in ui CO un CM s CVI cn CN4 CO CSJ un S 卜 Ο) LO CVI o 熱處理 溫度 rc) κ» 2 CVI o 宕 S cn o o u. 2 C\i 〇 2 CO O s ca o s S o rr S Ο CO Ο U9 cr> o o IS Q 樣本 No· C\J Cvi CO cvi --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 _ B7 五、發明說明()。)
τ(3 寸«K CO 1S S m 心 〇r UL^ Γ*· 气 W k. : 〇r IJL^ 5 g" 5 LL·^ ^〇" CL· uT* «α *·» «1? LL^ cT Ci in 铤 SS m s J3 o' 3 二 £ . αΓ LI^ ^O* «s «· w* w» έ w** k. ~s «Γ SS m «η Ξ w 2 oT «·» Ξ 气 Ί1 LL^ o' ma ύ 4» 1 U-^ o' CJ w· w« k. 〇> LL^ IA S CVi CO CSJ eg QO CO cv» CO CVJ s CVi CM CVJ CM un Csi U9 LO CM CO U7 CM S 04 €V4 cn C<J cri CM S 卜 α> tn C4 〇 _g « S CV4 〇 S CO 〇 w 0 CD CM 〇 <n 0 un CO 〇 〇 匕 〇 CO CM 〇 〇 m ro 〇 〇 k. s CM ο cn 〇 tn cn 〇 0 呍到 ^ 〇 擊2 cu CVi cn CVi -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 Κί _B7 五、發明說明(“)
T(prr絛 組成6 UL^ (C〇jSFfijj) |5^〇5 O' 〇 <af UL·^ o' CJ (Co,5Fe25)s$.|Pt0 2 € 〇r LL·^ o 4 o 5 〇T (ConFei5)" ,Pt。j O-^ aT Ll^ 2 «η o aT v-x (Co7SFe25) „Ptj (Co,5Fea) S1- |Pt2.9Mn4 1 (Co7&Fe2S) " 2Ptt ·Μη& | 組成5 〇r 2» 2* Ml g S IJL·^ (Coi5Fe25) 55.|Pt〇.2 4 Oi CL·^ s UL^ ^O* < O jj wn aT £ (Co,5Fe25)ss ,ΡΙ0 j «> <9 a-^ s ί O •4·^ Q-^ (Co75Fe25) i?Pt3 1 _________________ . 1 _丨 ^>1 §, OL^ aT ws Wt dT 組成4 Co„Fe2S (Co75Fe25) 9).ePt0 2 (Co?5Fe25)„.,Pt03 I ! (CoJ5Fe2S) S7Pt3 組成3 IL·^ (Co75Fe25)",Pt0·, (Co75Fe25)M 7Pt0 3 (CoJSFe25) i?Ptj 組成2 NieoFez。 NieoFe2# NieaFe2〇 «Γ 組成1 i- I t ! Ni4flFe20 1 1 Ni,eFe20 Ni.〇Fe20 aT s 9 ui C\i CSi C^i to cn CM CM CVi CO 〇〇 CM oo cn CO m m CO 〇> 〇〇 un C4 CSJ CM 卜 ΙΛ CO VO in cr> C\4 CS4 cn <〇 s CO m CO m CO O) 5 熱處理溫度 CC) o CO 〇 s cn 400 % « k. S <V4 o S 〇 U1 CO. O o 匕 s CSI o s S CO 〇 iJ S CM 〇 2 on O 1 /^S 樣本 No. to CSJ CO CV4 〇〇 CSI --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 __B7 五、發明說明(、〆) 7(prrtt« CO 链 S3 wt r^m € j 〇r ^o" 供 a. z «Γ UL^ ^o" «» IL·^ S m ή ο. αΓ U-^ ^ο* 猜 ο. i ιχ^ ^ο" «49 i LL·^ Wl 〇r U-^ Ol^ i LL^ ^〇" »Λ Q^ «ιΓ ^o* a1» si CL·^ «β to 运 SS U* of UL^ ,· W «〇 〇T LL·^ w -φ^ i U-^ i LL·^ a W»l J! 〇 ^o* ί J5 κ, 2 7 ιχ^ 2 LL·^ W» 4 Ji 7 LL^ c" Q^ o 〇T U-^ 1 LL^ t/v <> •φ^ ζΙζ 〇r LL·^ 〇" CJ c" <a Ll-^ 寸 uv of UL·^ «ft a. Z 〇r LL^ 2* β« J3 UL^ € LL^ Q CO «Γ LL·^ «ft 〇r LL^ 2 s 1 IL·^ 吾 s S; of LL^ <N SS 〇r SSL a? LL·^ αΓ LL·^ Ζ 〇T is 5 绽 i 〇r UL·^ iz «2 Ll-^ i LU^ tn S ui co cn to cn to CO ro ΤΓ s 09 <n CO O) CVJ CO CO tn <〇 CO m u> 〇> CM ro CM <n cn CM s XT CM C\J tn OO CO <0 CM 辑^ m μ w 漆 o CO Csi O S CO o o ^m0 U> S CSJ o S cn Ο Ο w 2 CM 〇 CO o LT3 m o o «Μ w S <V4 o CO o U9 CO o o 棚 Ί4 · σ% CNJ % cn cvi cn --------------------訂---------線0l^r (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 ___B7___ 五、發明說明(灼) 藉由表4a)之樣本1〜8,可以確認因添加0.3〜60at% 之Pt,在300°C以上之熱處理後之MR特性,與未添加Pt 之樣本相較,有所提昇。特別是在藉由3〜30at%程式之添 置加,在30(TC以上之熱處理後有MR特性提昇之傾向。 此傾向,在將表 4a)之 C〇75Fe25 換成 C〇9〇Fei()、C〇5〇Fe50、 Ni60Fe40、Fe50Co25Ni25,或將 Ni80Fe20 換成鐵石夕鋁合金、 Co90Fe10後,皆獲得了確認。此外,將Pt換成Re、Ru、 Os、Rh、Ir、Pd、Au 後獲得了確認。 藉由表4b)之樣本9〜16,以2:1之比例合計添加0.3 〜60at%,特別是添加3〜30at%之Pt與Pd,在以300°C以 上進行熱處理後之MR特性,較未添加之樣本有所提昇。 即使將所添加元素之比例由2:1換成10:1、6:1、3:1、 1:1、1:2、1:3、1:6、1:10,亦可以得到相同之傾向。此外 ,即使分別將(Pt,Pd)之Pt換成Tc、Re、Ru、Cu、Ag,將 Pd換成Os、Ir、Au,亦即包含(Pt,Pd)之共計28種元素之 組合,皆獲得相同之傾向。此外,將Ni6QFe4()換成 Co75Fe25、Fe5〇Co25Ni25,將 Ni8GFe2。換成 Sendust、 C〇9〇Fe1() ’亦可以得到相同之傾向。 藉由表4c)之樣本17〜24,即使將Ir、Pd、Rh以 2:1:1之比例添加,亦與表4a)、b)相同的,可確認MR特 性之提昇。此傾向,若Ir設爲1,將Pd、Rh分別在〇.〇1 〜1〇〇之範圍內變化其含有率,亦同樣的獲得了確認。此 外,將 Co90Fe10 換成 Ni80Fe20、Ni65Fe25Co10、C〇6〇Fe20Ni20 ’將 Co75Fe25 換成 Co5〇Fe5〇、Fe6〇Ni4〇 、Fe5〇Ni5〇 亦可以得 __ 35 ___ 私紙張尺度適用中國國家標準(Cns)A4規格(210 χ 297公釐) --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550842 A7 __B7___ 五、發明說明(钭) 到相同之傾向。 此外,在將元素之組合由(Ir、Pd、Rh)換成(Tc、Rd、 Ag)、(Ru、Os、Ir)、(Rh、Ir、Pt)、(Pd、Pt、Cu)、(Cu、 Ag、Au)、(Re、Ru、Os)、(Ru、Rh、Pd)、(Ir、Pt、Cu) ' (Re、Ir、Ag)時,亦可得到相同之傾向。 在表4d)之樣本25〜32中,亦可以得到與表4a)〜c)相 同之傾向。此等樣本之一部分中,可以確認在熱處理後 Μη由反鐵磁性層擴散。然而,此Μη之擴散,會因爲Pt 之添加而被抑制。這顯示:Pt之添加可以抑制非磁性層界 面之Μη濃度。此外,即使將Pt換成Tc、Ru、Os、Rh、 Ir、Pd、Cu、Ag,亦可以得到相同之傾向。另外,即使將 上述組成中之鐵磁性層改變,亦可以得到相同之傾向。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂--------- ___36 t、紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 ___B7 五、發明說明(β )
TQLOm 組成6 C〇,sFe2S c =¾ aT IL·^ 〇 CJ 〇 o <U Co,sFeiS W1 t m ll^ 2 4 ) LL·^ ^〇" J u. 2 » • cz 38^ 2 4 U» . 1 J u. 2 , , W1 1 ^o" .2 :4 d> ^o* 組成5 Coi5Fe25 〇r wn ιϋ 2* (Co,sFe25) s"Ree 丨 «« 〇T Q5^ ιίΓ m £ s w» «Μ 0) LL^ (Co75Fe25) 89.45Re〇. is m o 5 $ «» LL^ a! W9 «Μ UU^ s—^ (Co/sFe25)9Α.$Κβ| s 气 αΓ «· S of LL·^ 2* i ^dT si S 組成4 Co,5Fe25 (Co75Fe25) 99.|Re0 2 (Co,sFe25) ss.?Re〇.3 (C〇|jFfijs) 91^^1 組成3 CoS0Fe,e (Co80Fe,0)8i aRe〇 2 (Co9QFel0)ss lRe0} (C〇jqF6|q) I7R6J 組成2 o ιίΓ (Co90Fe,0) 99.9Re〇i (Co90Fel0)99 tsRe01S (Co90Fe,0)9e>sRe, s 組成1 O tif 2· Co90Fe,0 C〇s〇Fe,0 Cos0Fel0 〇> cvi CVI cn m CO CVI O 〇〇 C\i CVI cn 卜 cn cvj 〇〇 σ> CVi CO CO CO ΙΛ in CO CO CO cn m s 卜 CVJ CO 9> cn CO CM LO cn 0^ Lr> CO 熱處理溫度 ro • s CSi 〇 CO s cn o o Um S CVJ O S S cn o S C\J 〇 cn S CO O « w S CVI 0 0 CO S cn 〇 樣本 No. cn cn cn CO CO --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 幸、紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 __B7 五、發明說明(A )
SSM 組成6 〇r U-^ ^o* νΛ αΓ U-^ ^o* O o ? U-^ 2* i/l 〇T U1 C =¾ of o' (Co?sFe25) i0Mnl0 U- 2* cT =¾ IX^ ^o" 2 Cl 〇T LL^ C〇i5Fe25 4 LI^ ^〇" 丨(Coi5Fe2S)S0Mn,。| 組成5 (CoISFe2S) 82>5Re, >s 〇 <u 气 CO* o' O (CoJSFe25) j1.1Re7.4Mn, (Co75Fe,5)45.4Reu s w> 0 u->i S 氧 αΓ i IL·^ (Co,sFe25) 70 sRe2S 5 W» OC^ 0 1 UL·^ 4 of 气 m LL^ 5 (Co75Fe2S)45Re3l (C〇7&Fe衫)6a.7Re30.4Mn0S 1 (Co75Fe2s)sa.3Re30 7Mn(] 組成4 (Coi5Fe25) i5Rel5 (Coi5Fe25) 7lRe2i (Co?5Fe25) 4,Re5i (Co75Fe25) 3iRe62 組成3 (Co90Fel0) a5Re,5 (Co9QFet0) nRe29 (Co90Fei0) 4,Re59 (Co90Fel0) 3lRe62 組成2 (CoS0Fe,0) 92 5Re,5 (Co30Fel0) e5 sRe" 5 (CoS0Fel0) i0 5ReM 5 (Co90Fe,0) gjRe3, 組成1 Co90Fe,0 Co90Fel0 Co90Fe,0 Co90Fel0 os \〇 3E S 卜 CO CO CO in m CO CVi 〇> CM cn cn CO CO m cn 〇o CV4 CO <〇 cJ CO cn LA CM 00 cn CVJ <0 un 卜 <n 熱處理溫度 (°C) s <VJ o S cn 0 km S C\i 〇 cn s cn 〇 1» 〇 to CVI 0 CO 〇 to CO 〇 〇 k. S c\i 〇 CO S cn 〇 〇 元件 型式 樣本 No. QO CO <n 〇 --------------------訂·-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 Δ7 Άί __Β7 五、發明說明(^ ) 丨(qs谳 組成6 Co99_ aOs0_ 2 〇? «Μ 0 in % C〇99 70s0 3 <n 〇 C〇g〇 7〇S〇 3ΜΠ9 , » eo 4 <Λ °〇 <1 00 CM 09 s <s 組成5 Co^qF Gjq (C〇7〇FGjq) 99 2 ao g CM 〇 <3% 1 U- CD € 0 % i£ s (C〇70Fe3〇) 99 7〇S0 3 〇〇 g en CO* s; <0 Lu (C〇70Fβ3〇) 9l 9〇S〇> 3ΜΠι a (C〇7〇F630) 97OS3 (C〇7qF630) 95 3〇S3Mfl〇 7 r^· 4 U9 a> Ll. 組成4 N i 6〇F θ4〇 (N i 6〇Fe 和)09· a〇s〇. 2 (NigoFe^) 99 7〇s0 3 (N i g〇F 64¾) 97OS3 組成3 N i g〇F 640 (N i 6〇F e4〇) 99 aRu〇 2 (N i 6〇F640) 99 7Ru〇 3 (N i g〇F 640) 97RU3 組成2 N i g〇F ©2〇 (N i e〇F e2〇) 99 9Ru〇 1 (Nie〇Fe20)99 e5Ru〇 15 (Ni8〇Fe2〇) 98. sRut 5 組成1 N i g〇F 620 N i g〇F 820 N i g〇F 620 i 2Ε oo α〇 CO 〇 <〇 eg csj 00 cd to (O CO 寸 uo CV4 0 CVJ LO 寸 CO CO ▼—· 00 CO 〇> LO CO ΙΛ CO <a uo CO 〇> ui CO CM ao CO 1 37.9 1 熱處理溫度 (°c) 4-i s 04 〇 S CO o 0 +J· kJ s CM 〇 〇 Lrt CO 0 -M s CSJ 0 另 〇 LO CO § 4-i s CNJ 〇 0 LO CO 0 元件 型式 樣本 No. 5 --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A/ _Β7 五、發明說明(“) CSI丨(qsm CD m 4 ,· Vi «· c/> 供 <n «/> O^ 〜 c〇 , m 4. 2* S (/9 o £ im € AM W9 «« «a V» V? J ¢/1 ή 2 , «ί <〇 m to of LJU^ 2 in 〇 4 «/» W' «Οι a> 03 «» (/9 a> LL·^ %Λ Οι 4: ο <D LL·^ ^O* tn «a CO o o li! S (/9 :S W» • s c/i O 丨, i «s« «9 WY C/9 O i U-^ JT a> U-^ wv of LL·^ un 1 ^r Μ* U7 of €/9 ? S t〇 J 11^ LL^ cn 铤 SS w» 4 a? U-^ 供 £ i 09 i % 1 5 CVJ 二 αΓ U-^ £ u» i UL^ tf* ei N QS^ o U-^ J; OS^ 〇r 5 S3 of 2 o 03 a? z a? z LT) cn cn CVi CO to cn CO CO CO to 卜 CO CO cn CO tn CO 卜 cn ^r 〇J CO CM CVJ CO 〇〇 s ir> ei C\i in a〇 <〇 LA 卜 1 賴匕 S CS4 o S o o k. S c\i 〇 〇 m cn o o U. S «Μ o S S cn o o ^m0 4 w S CM a CO 〇 U1 CO o o ι4 · 輝2: un 卜 --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 __B7 五、發明說明(β ) 丨(CJSM 組成6 CoS0Fel0 (COyjFejs) 〇< o u^. s (Coi5Fe25),3 ePt0」Cu0 | 是 o c3 o t J UL·^ o d O LL^ (Co75Fe25) 93 ?Pt0,5Cu015 ^αί o w LL^ 4 αί a. O 〇r IJL·^ ^〇" (CoJ5Fe25)s/Pt, 5Cu, 5 *Λ 4 U-^ 0" CJ r*>* ai K i a. «〇 wv fM ιί! 組成5 CouFe2S I i___ (Co75Fe25) e8Mn, fM 〇r | (Coi5Fe25)ss.^Ptfl ,Cu0 , 3 βί •4^ ύ of U-, ci 5 O °ϊ· si sn (Co75Fe25) ss 7P t015Cu0,5 〇r 〇r U-^ 1 (Co7SFe25)9?Pt, 5Cu, 5 •丨 o av U-^ ^o" [(Co?5Fe25)S5 4Pt, 5Cu, sMn, | 組成4 I Co75Fe25 (Co75Fe25)93 ePt0jCu。」 (CoZ5Fe25)M./Pt,, i5Cu015 (Co75Fe25)S/Pt, 5CUj 5 組成3 Co30Fe10 Co ggF 6 IQ Co90Fe|0 Co90Fel0 1 i 組成2 I Coi0Fel0 Co90Fe,0 Co90Fel0 1 1 Co90Fel0 i 組成1 Cos0Fe,0 o ιϊΓ 2 5 2* Co90Fe,0 r— CSI cn CO cn QO CO m z to CM CVI e\j rr un CO 〇〇 CO cn CO CM CVi CVI cn CU ur> CO CO CO LO CO 〇〇 cn cn CNi s 〇〇 CO cn un cn 卜 ?; 〇〇 cn 熱處理溫度 (βΟ w. S CM o S s cn 400 •4m^ 260 O % o ΙΛ CO 400 w» S Csi o S CO 〇 « 260 〇 s cn 〇 〇 元件 型式 樣本 No. σ> g tn ΙΛ --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 ___B7 五、發明說明(< )
CSJ丨 os«8 組成6 (。。,"“)“Pt,$ i (Co75Fe25) n.£Pt7i2Cur2Mn4 40 ci a. ή αΓ (CoiSFe25) 71P t ,4.5Cul4 5 (C〇75Fe25) 6a.8^Ull.8^n4 «α £ CL·^ ιί ^m· (CouFe2S) 4lPt28 sCu" s =3 s U-^ • 〇T LL·^ v»x (CoiSFe2S) “Ptj丨 Cuj 丨 ai 〇L^ 1 LL^ S m =¾ I LL^ o~ e 組成5 (Co?5Fe25)e5Pt7 5Cu7 5 (CouFe2S)“ 5Cu7 5Mn0 s δ i (Co,5Fe25) j|Pt,4 sCu,4 5 U9 £ ,· O iL·^ ^〇" (Co7SFe2S)7。2Pt“ 4Cu14 4Mn· (Coi5Fe25)4|Pt2S 5Cu29 5 〇 =¾ «ί o i2 LL^ =* m 4 mi r*4 o of LL^ (Co?5Fe25) JaPt3lCua, _ .... 1 o ή 5 ο βΓ d" 4 s 5 ji 〇L^ 〇r 組成4 (Co75Fe25)*sPt7 5Cu7 5 I (CoJ5Fe25)7|Pt,4 5Cul4 5 (Co,5Fe25)41Pt28 5Cu29 5 I (CoJ5Fe25) 3aPt}|Cii], i 組成3 C〇g(jF 6|q Co90Fe,0 Co80Fel0 CoS0Fe,0 組成2 C〇jqF 6|Q CoS0Fe,0 CojqF 6 iq o αΓ 組成1 I [ I | C〇S0Fe 丨。 Co90Feia Co90Fel0 O 〇Γ CD CO cn «Λ CD 〇〇 CO <r> 09 m ro 卜 CM* CO 卜 CO QO CO cn in cn CO ca on U7 CO 〇Q CO cn CP m 卜 σ» in o 熱處理溫度 ro k» S CVJ 〇 S CO a S CVJ o s m 〇 ΤΓ o to C4 o S CO o o Lm S CM 〇 o to CO o 元件 型式 ^•s 樣本 No. CO U-J s ΙΛ UO CO CO --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 __B7 五、發明說明(d ) 7(ps«8
CO 运 SS Ll^ wn 4 〇T UL^ 5 o Wrt ιί eT li^ h/t e= =¾ LL^ o' O o W9 2* Wl 4M ιί! o ^c" o aT U-^ 2* w% LU^ us c: =¾ <«? LL^ 2* e 〇r LL·^ 2* ΙΛ 1S SS 〇r LL·^ ^o" i 7 UL^ LL·^ ^O* IL·^ dT 11^ 0) 7 Ί 2* ·, 〇r LL^ 2* t*4 Ί ll^ >-✓ SS • ’ i u. 9^4 〇 OL·^ i u. 〇 a. i UL <·% o J U- i a ί u. #·» Qj^ ιίΓ 〇 tn J u. CO & α> I LL. gi ιϊ CM 铤 SS 〇r U-^ 〇r LL^ Z <1 LL·^ 〇r z 5 SS d? 〇? of z aT 04 CO CSJ cn cn CNi O) oo LT3 卜 CM C\4 09 CM 卜 σ> CM cn cn un CO €SI cn CVJ Cv4 CSJ CO CNJ uo co C<l 〇〇 CO CSJ N fl〇 ca m 画a W u S 04 o s CO o •4·^ k. S <M o S cn C3 o 匕 S C4 o o ΙΛ CO o o k. S CV4 o s o ΙΛ cn o o 诗。· 癌Z s CO un cn LO S --------------------訂--------1(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 _B7 五、發明說明(
7(psflK
組成6 Coi5Fe« un 4 0> o' (Co75Fe25) 9〇Mn,〇 LL·^ 2 (Co75Fe25) 〇QM(i|0 ^eu (Co/5Fe25) 9SMns 0 0 C〇75Fe2S (Co?5Fe25) 95Mn5 〇 I UL^ 2* 組成5 Co/5Fe25 SJ CM ιίί (Co^Fe^) sgMrij Co75Fe25 (CojjFe^j) ^^Μηι (CoJ5Fe25) 9iMn2 <»r LL^ (CoisFe25) 99Mn, CoJ5Fe25 ajj 〇r li^ o' 1 (Co7SFe2S) 9iMn2 組成4 Fe"Pt23 Fe4lPt53 組成3 Feesptl5 FenP t29 a cu Fe3lPte2 組成2 Ni.〇Fe20 Nie〇Fe20 Nil0Fe20 Nii0Fe20 組成1 Nie0Fe20 Nii0Fe20 Nie0Fe20 N i40Fe20 CNJ cn cn CVi tn CVI s CO 〇> m CSJ QO r^* CM σ> CM cn CO ΙΛ C7> S 1 CO 卜 C\J ai C\4 cn 〇 CM CS4 CS4 m 00 〇> to 熱處理溫度 rc) o CO CSJ O CO s CO o S 〇 0 uo CO 〇 〇 w. s <VI 〇 〇 to CO 〇 〇 〇 CO CVi 〇 CO s CO 0 CU CO cn CO S --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 __B7 五、發明說明(0 )
72谳 組成6 \- (CoJSFe25) 9$.|Μπ0 2 ί (Co7SFe25) 94_ 8Mn5_ t •w 〇 on 〇T IJL·^ 2 (Coi5Fe2S) S3 ·Μηβ 2 (CoJSFe2S) 94iMn5_2 (Coi5Fe2S) i9.eMn,0i2 (Co7SFe25) 99.ΛΜη〇 2 (Co75Fe25) s4.|Mns<2 ol m m 1 (Co7SFe2&) s"Mn0 2 (CouFe25) S4 aMn5, 1 (Co75Fe2S) “ aMn丨〇 2 1 組成5 ι-- (Co?sFe25) 99.|Μη0 2 1_________ 丨(Co75Fe25)S7.eMni 2 f----- ,一 1 __ f · _ ! (Co75Fe25) 89 |Mn0 2 ^o" si uv 2" (Co7SFe2S)" ·Μη0 2 s of ιίΓ s (Co75Fe2S) 99 eMn0 2 m i ^o" 40 $ %Λ W> 組成4 Fe,"Mn0 2 4 of LJL· Fe9,.iPt〇 zMn0 2 FeM.4Pt0.2Mn0-4 Fe9, sPt0 3Mn0 2 WJ ^βί =* 〇 ί u. ^e87p^2.i^n0.2 SE^ cu^ of u. | 組成3 Fe99 aMn〇 2 FeM 6P t0 2Mn〇 2 Fesa.sPt0.3Mn0 2 Fe3?Pt2 |Mn0 2 組成2 1 1 (N i 80Fe20) 3"Mn0 2 (Ni eoFe20)3"Mn0 2 (N i loFe20) ” tMn0 2 (N ia0Fe20) $) |Mn0 2 組成1 (Nift0Fe20) j9.aMn0 2 I (Nia0Fe20) 99.eMn〇 2 (N i tQFe20) 9S &Mn0 2 (Ni80Fe2Q) 9j.|Mn0 2 S § CO CM in oo CVI CKi cn OO 1*· m OO CVI OO Cvj ΟΪ CVi LO 〇> CO m CM r— C\i in σ> evi cn m m C\i σ» oo CO <n <n S CO cn 熱處理溫度 (°C) Urn s o cn s oo o s ca o o tn 〇 a 〇 <〇 CM 〇 s cn 0 心 s cu 0 S cn 〇 〇 1元件 :型式 mi un CO ¢0 CO 〇〇 CO --------------------訂--------1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 ___B7 五、發明說明(〆) zna9«
組成6 (CoisFe25) ·α «Μη0 2 «μ \A UL^ o' CJ (Co7SFe25)as eMnl0>2 (Co/sFe25) ο·. eMn0, (CorsFe2S) S4 eMn5 2 (Co/5Fe2S)β〇.βΜη,0, (Co7iFe25) 9j eMn0 2 (Co7SFe2S) S44MnSi o 〇T UL^ (Co7SFei5) S5 |Mn0 2 (Co7SFe25) ·ί.»Μης 2 2 «ιΓ LL·^ ^o~ | 組成5 (Co,sFe25) 3,··Μγϊ0. 2 <a< of Lt^ 5 of LL·^ (Co,5Fe25) jS.|Mn0<2 (Co75Fe25) se.|MnL t (Co7SFe25) $7.|Μηί>2 (Co/5Fe25)ssiMfifl 2 i liT (Co7SFe25) 9rtMn2.2 (Co75Fe25) a9 *Mn0, (Co,5Fe2s) se.|Mnl>2 | (Co7SFe25) S7 sMn2 2 | 組成4 FeesPt“.*Mn0 2 <3 4 s * a. i2 ^e4|PUa.e^no.2 ^β3βΡ^β1.Β^η0.2 組成3 丨 ! FeesPt|4.eMn0 2 ^βϊ|Ρ^2β aMn0 2 Fe4lPt5e eMn0 2 Fe3ePt6, eMn0 2 組成2 (NieoFezo) 99 8Mn0 2 (Mie0Fe20) 3"Mne 2 (Nie0Fe20)8i eMn0 2 (Nia0Fe20) 99 ftMn0 2 組成1 1 (Ni80Fe20) 9S aMn0 2 (Ni aoFe2fl) 3S |Mn0 2 (N ieoFei0),"Mn0 2 (Nii0Fe20) 99 iMn0 2 ^ 5 *—· CO L〇 CVI 〇> CNJ CO 〇> CO QO cn U1 CM •^r S3 O〇 cn cn S V—* in <Si to ao CVI CM un o UO s CO cJ 04 ao <〇 熱處理溫度1 (°C) | s <SI o cn s cn o o k. S CVi 〇 CO 〇 LO CO a o w 2 CM O S S CO o ΤΓ imrn s CVI 〇 CO S CO o 元件 型式 X-N ary CO o CVI --------------------訂·--------波^^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 __B7 五、發明說明(“) l—(q9«8
CO 运 *Λ Ο» οΓ LL^ w* \A 4 9% ) O i CWi <u 〇 Uf o 4 αί 〇r U-^ ^o~ of LL·^ S d 4 〇T IJL^ \λ €Λ LL·^ i U-^ ^O* O <ή αΓ U-^ \Λ <9 «» ιίΓ cT CJ U1 w« J t 〇r LL^ 〇 笔 si aT IJL^ U*5 SS \Λ Ο UL^ 2* 〇Γ kn fM 4 〇T LL·^ W9 〇 〇r o' CJ € $ UL^ ^O* IA «Μ «Τ» αΓ >4% 〇 9» ^o" 笔 LL·^ a CJ W» cf ^a" e» 9» dT LL·^ 2* !/> t 0» 〇T LL^ ^〇" w* Ψ>Λ c W9 «· df S TT 1S S3 U9 αί ιί p- 4 of u. 〇 氣 〇 CL^ LL. € o OL i LL. 〇 i LL. 卜 o ΐί! VA CL^ o t «Μ ^03 η 运 W* ο 4 of LL. m o of LL. wv o Q-^ of LL. w* 4 Q-^ dT 04 链 SS W9 as^ LL·^ tfl o s U» ai 1 O «· 〇r *4» 5 绽 K* SE^ Oft 〇r U9 o 4 0» 〇r UL^ Si <*T 〇 m :S Ll^ eo CM CO CO CM ⑦ CO CM ΙΛ Ο) CJO in 卜 CV4 iO CO CM m cn C^i 卜 〇> 卜 LO CSJ O) σ> cu QO CV4 〇〇 〇〇 CM CO 卜 C4 〇> CM 卜 卜 m i- 圈P & rrsTrx ·Φ>^ S <VI 〇 S cn 〇 s CVI O S cn o u. S ca O s cn o xr o CO CVJ 〇 cn s CO a ^r ^-s 件· 奪Ζ ro tn CO I I n n n n n n n n n · n ϋ n n i n 一_°JI ϋ l n ·ϋ i n n I(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 ___ 五、發明說明(,) csi丨2谳 組成6 (CoiSFe25) s,.sMn0‘s (Co75Fe25) 94_ 5Mns_ 5 〇i 氣 7 U-^ o' CJ (Co75Fe25) qj. sMn0 c t S ll^ (CoJSFezs) |8.6^〇10_4 (Co75Fe25) 9S jMn0 5 4 热 LL^ O € ? IJL^ (Co74Fe25) S8 5Mn0 5 (Coi5Fe25) 94.sMn5> 5 1 (Coi5Fe25) i9 gMn,0 4 J 組成5 (C〇75Fe25)99.5Mn0.5 (Co7SFei5) 9β5Μη,_5 (Co75Fe25) 87 5Mn2<5 (Co75Fei5) SJ<sMn0-S (Co,sFe2S) “sMnLS (Co7SFe25) 97.sMnl>5 (Coi5Fe25) 8.5Mn0 * 4 of w> a* si 〇T (Co75Fe25) S8 sMn0 5 4 U-^ 5 (Co?5Fe25) 8y 5Mn2 5 丨 組成4 1 Fe“Ptl4 sMne 5 o 4 i u. FenPt2“Mn0 s ^β41^^Ι.5^η0. 5 Fe3*PUl.Wn0.S 組成3 Fe“Pt" sMn0 5 丨 FenPt2l sMn〇 s Fe4lPt5a sMn0 s f β3βΡ^6Ι.5^η0.5 組成2 (Nie〇Fe2〇) 99 sMn0 5 (NieoFe20)99 5Mn0 5 (NiB0Fe20) 99.5Mn0 5 (Nie0Fe20),s 5Mn0 5 組成1 (Nil0Fe20) 99 sMn0 5 (N ia0Fe20) si sMn0 5 (N ift0Fe20) n 5Mn0」 (NisoFe20) 5S 5Mn0 5 % 9 cn 卜 CO CVI Cvj CO XT co CO CVJ m tn CVI CO CM <〇 cn Z 〇〇 CO CVi CO cr> CO cn o Ol cn LO CVI CVI to σί ΙΛ CO 熱處理溫度 rc) • 1 w. s CM o S CO o rr 〇 CO C^l 〇 CO S CO 0 1 k. o CO CM o S CO O o W s CM o 芝 o un CO 〇 o 元件 型式 件. W 2: 卜 CO cn s --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 _B7 五、發明說明(叫) 丨2谳 組成6 (C〇7sF®25) ss鉍 η 丨 w m ιίΓ m d mi ut 〇T o* (Co^jFejj) 3SMii| ιί! m 0 (COjjFejj) (Co75Fe25) j4.|Mn5 s _ 〇 m 7 IL·^ (C〇jjF Cjj) jjMH| m w% i 1 (CoJ5Fe25) iS jMfijg s j 組成5 i (Co^Fe^j) jjMn| 1_______ . (Co,5Fe25) 9eMn2 of Ul^ 2* (C〇jjF 625) of LL·^ j· «Μ i2! (COjjFe^j) C: =*- 〇r UL·^ C 气 ιί (C〇yjFe25) $sMfi| 4 〇T IJL^ s 1 (Co7SFe25)97Mn3 | i 組成4 Fe^Mn! jT ^e38.|P^O. 2^°l Fe9a>iPt0> 2MnI>2 Fe,a.jM0 丨 «Μ 4 ο Ou^ of u. Fe97Pt2Mn, 1 »5 組成3 Fe9SMn, ^β9β.ίΡ^0.2^ΠΙ Fe9"Pt〇 jMn, Fe97Pt2Mn, 組成2 1 (N i jqF e jq) jjM π j (N i a〇Fc2〇) ssMOj (N i jqF e 2¾) 39M π 1 組成1 (N i β〇Ρβ2〇) jjMiij i 1 1 J i (N i joFe?。)的 Mn 丨 (N i loFe!。)对Μη! (N i iqFbjq) 3jMii| S § 卜 CVI CO 04 <〇 co CSJ 9> 〇〇 un tn C\J cn 00 oa <0 OP> C\J 19.09 <n tn CS4 O) CO C\4 u? ai 04 CO CO CS4 un CVJ π CO cn CM cn cn CO CSJ 40 <n 熱處理溫度 CC) s 04 〇 s CO 〇 w s CVi 0 cr> 0 m cn a 0 u! S CVI 〇 o U1 cn 〇 〇 S CVI 〇 〇 tn cn 〇 〇 元件 型式 樣本 No. CVI CO 〇〇 Q〇 3 ------------费--------tr---------$· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 B7 五、發明說明(
ζλο9« 組成6 (〇〇75^25) 99如1 丨(Co75Fe25) 94. σ» o VO <D (〇〇75卩〇25) ggMn、 as g 玉 cn <D 9» oi i s (〇 (C〇7sFe2s) figMllj ai c5 t ^in oT (Co75Fe25) «9 iMn10 〇 (CO75F825) ggMflj at g z <D a> 〇 σ> CO to <0 s 組成5 (0〇75卩〇25) 99ΜΠ1 g (D fn m <D s 'wX' (CO75F625) 99ΜΠ1 g tn (D s cn to in s (Co75Fe25) 99Mn1 % u> U9 s (C〇75F625) 97ΜΠ3 (G〇75Fe25) 99^1"^ 5 u> aT ur S £ U7 aT 組成4 FeesPt^Mn, < CO 0 Fe71Pt2eMm Fe4iPt5eMni Fe38Pt61Mn1 組成3 Fe^Pt^M^ Fey^^Mn, Fe41Pt58Mn1 FejgPtgiMn】 組成2 (N i qqF©£〇) 99ΜΠ) (N I g〇F©2〇) ggMflj (N 1 3qF〇2〇) ggMflj (N I gQp620) ggMflj 組成1 (N i g〇F 620) 99ΜΠ1 (N i 8qF 〇2〇) g^Mn^ (N i g〇F Θ20) 99Μ1Ί1 (N i aqF Θ20) 99ΜΠ] m ? CO CO τ1-· αο to CSJ tn O) CO 〇〇 T— CNJ T— CO un CNJ ......4.2,4 1 卜 τ— τ— T—· LO CSJ σ> <〇 CM Ui8j LO 0 〇〇 σ> CO cvi CS4 σ> CO CO T— I熱處理溫度I (〇〇」 -Μ s CM 0 § 0 10 CO 0 -M s CNJ 0 s CO 〇 寸 4-ί U. s CSi 0 0 LO CO 〇 -M s esj 0 〇 LO CO 0 0 元件 犁式 樣本 No. in 00 CO 00 5 CO CO --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 __B7 五、發明說明(β ) 7(P9«8 組成6 !- (Coi5Fe25) saMn2 a» UL^ O* CJ m LL·^ S (Co jjF 6¾¾) (Co75Fe25) S3- ,Mne s «〇 i LL^ (CO75F fijs) «· 1 o' s J2 (C〇”Fe25) “ΜΗ! m 5 i LL^ ^〇" «· <s «Γ 組成5 (COyjFfijj) t 4 LL^ 03 ^〇" (Co^FSjj) 9jM〇2 __________ 是 1 va a> (Co 衫 Fe“) “Mn! 後 10-^ • i LL^ ^〇" 組成4 1________ Fe 扣 Μη! z 4 if LL. Fe,7..Pte 1^37.心0 #n2.2 FeSuP t0 3Mn2 =* ο a? LL. FeslPt2Mn2 A si ·<!> 組成3 FeMMn2 ^e97.»PU. 2^n2 Fe9[7pt0.3Mn2 Fe3SPt2Mn2 組成2 (N i jqF9ίΜη2 (N i joFe^o) “Mn! (N i a〇Fe2。),…〜 _i (N i joFe!。)时鉍〜 組成1 丨 1 (NiB0Fe20) 9iMn2 ! j (NiflOFe20)9tMn2 (N i jqF ^2q) sgMflj (N ί 0qF62q) 91M1I2 CV4 CM QO csi CO 00 卜 CO O) ΤΓ CM _ «MB CO csi <n Csl β» oo ui 0> CO CO CVi ai CM ao CVJ CO CVi 卜 卜 CSJ CVJ cn C\i CO ao iO cn 熱處理溫度 rc) w S CNJ 〇 s cn 〇 〇 tJ S CSi 0 s CO 0 0 S CVI 〇 m s <n 〇 〇 二 S CM 〇 s CO 0 〇 IS 2 樣本 No. Ol a〇 s CVJ <n --------------------訂·-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 _B7 五、發明說明() MP9« (〇 4 〇r 丨 m of LL^ ^O* «〇 4 «〇 of LL^ 4 〇r LL^ 〇* CJ «1 fn «Ιι U-^ _ s ιίΓ 〇r LL^ «V ψ^ί df U-^ m 氧 ix^ c: 气 or LL^ m «1 of U-^ ^o* 49 〇T Ll^ ΙΛ 运 m cT =¾ o. ιϊΓ of LL·^ ιίΓ C of IJL·^ 〇" CJ 3 wi 〇T LL^ \ 1 U-^ ^o* LL^ 2* ur> i£ 4 ? li-^ ^o" <lf LL^ ^O* αΓ Ll^ cT CJ rT s sg i Q_^ 0) U. 〇L· \ a. £ i CO 链 ss fM 4 〇> ««4 c= SE^ «μ 工 e1 SE^ ιϋ i % cm <N si «Μ 〇T LL-^ S 36^ aT U-^ 〇r τ—· 链 m c =¾ 〇T c4 =1 dT 4 1 «s Ll^ m m f^· CVI CM CVJ CO o 〇〇 <£l XT cvi Γ- ΙΛ Cvj OO ca 09 OO CO m ai to m CVJ 卜 CO C\J -^r o 0¾ oi ^T CM CVI 〇〇 ai OO CO 頦^ 圈P l§ 一 嵌 w S CVI o cn o un CO 〇 w s <VJ o S e〇. O o w S Csi o S o o W O co CVI o s CO o xr /^N /»*N Ί4 〇 2: on ΙΛ cn CO 〇> --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 __B7 五、發明說明( 丨2m 1 組成6 ί I (COyjjFe^j) (CoiSFe25) so· 3Μη[, *4% LL·^ (C〇jsFe2S) j5Mns (CoTSFe2S),〇· jMns., (Co75Fe25) a5.5Mn,4 c (C〇jjFe2j) ο <»Γ ^ο* (Co75Fe25) « *Mn,4_ 5 (Co^Fejj) P*· 0 1 IX^ vg 〇r LL·^ 組成5 (Co^F gjj) \A z 〇T UL^ o" <J (Co75Fe25) n_ |Mn5-S (C〇7sFe25) 一 •t of UL·^ ^〇" • αΓ S (C〇|jFei5) Wft 1? LL^ ^〇" «V» Μ» l?T (Coj^Fej^) _____. I «Π wn ) Ll^ «» ιίΓ 組成4 Fe^Mrij i LL. Fe94 ,P t〇 2Mns ^eS4.iP^0.2^n5.2 Fe“jPte 3Mns «Α 〇 〇T Fe93Pt2Mn5 Fes2.,Pt2Mns 1 組成3 1 1 1 Fe^^Mn^ Fe94 aPt0 2Mn5 ^eS4.T^^0.3^n5 FeS3Pt2Mn5 組成2 (N ssMns (N i jjjFe!。)的ΜΠ5 (N i iqFc^q) 95Μ1Ί5 (N i 8qF 62¾) ssMnii 組成1 1 i i |0Ρβ20) j (N i j0Fe20) 35Mn5 (N i uoFe^。) ! (N i t〇F62〇) CsJ cn oo <VI oo ca m 〇〇 e〇 CJ CM CM a% 00 CM 卜 OO cn CQ «Μ· CO <Vi CO c〇 CVi u? CO CVi cn 卜 ^r CVI CT) Ol CM CO CO CO C^4 cn 熱處理溫度 CC) w. S CM O s cn 400 W S <vj 0 cn 0 m CO 〇 〇 S CVI 0 S m • S CM 〇 s cn 〇 元件 型式 ✓-N 樣本 No. 5 00 cn cn ay 0 --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 ___B7 五、發明說明(P) cvl-2m 組成6 (COjcFCjc) «ςΜίΙς s LL^ 4 of IJL^ (CotsFCjs) ssWric o i UL^ 〇 CJ (Co,sFe2S) “.5Mnus (CojjFcj^) (Co75Fe25) )〇.}Mnr7 (CoT5Fe25)45 &Μη.4_5 (Co^FBjj) 3$Μπδ t 0 1 (Co7SFe25) l5 5Mnu s | 組成5 (C〇jjF e^j) (Co75Fe25) S4> ,Mns> 9 m dT (C〇j5Fe2s) Ol ) LL^ ^〇" (Co,5Fe25)Sj· |Mni3 (C〇}<Fe*c) «cMnc i z 〇T LL^ m 〇T ^o* (Co 八 F6“) m \^i z 〇r UL^ ^〇" 1 (Co75Fe25) 5j ,Mn6, | 組成4 Fea5Pt,0Mns FenP t24Mn5 Fe4|P 免54鉍n5 f* 組成3 t loMfig FenPt24Mn5 Fe4,Pt54Mn5 Fe3ftPts7Mn5 組成2 ! (Nii0Fe20)9SMn5 (N i j〇F62q) (N i jqF 625) (N i ,§Μπ5 組成1 (N i eeF 62q) (Ni8〇Fe2g) ssMn5 (N i eoFe^g) (N i时卩❹扣)35ΜΠ5 妄$ CO cn CD CO 〇〇 ro O CM C\J eo m CSI 〇> 卜 ta CO C\i CO 卜 cn in c\i O) CO CVI tn 〇 CO 0 ΟΙ CVJ cvi CM m art ir> CO 熱處理溫度 ro 9 s CSI 〇 s CO 400 • S CVi O o m 〇 • S CVJ 0 〇 m cn 0 S <V4 〇 s CO g ΤΓ 元件 型式 s 樣本 No. 〇 CSi o cn 0 〇 --------------------訂·-------1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 ___B7 五、發明說明(4) 丨(qz«8 組成6 (CojjFejj) (Co75Fe25) ii.9Mn)2.i (Co,sFe2S) Ι3·7Μηιβ3 (C〇^F62j) i (Co,sFe2S) l3.7Mn|S_3 (C〇isF®2s) 92站口· (Co,sFe2S)ft7.9Mnl2」 (Co75Fe25) 43.)ΜΠ||.3 (Co^Fcj^) i of U-^ αΓ U-^ 組成5 (。〇75卩〜5) “Μη· _ It A o 〇T LL·^ S (COisFe”) 32“n· m A a? LL·^ <3 9>m 〇 df (C〇jjF 625) m c LL^ n丨 0 (Co7&Fe2&)於 Mnft _______ 1 (Co7SFe2S) 9l.2Mn·,· 1 (Co,sFe25)3。3Mns 7 組成4 FeS2Mn· 4 £ Fe9l iPt0 2Mne Fe,i.“Pt0 2Mn· |5 Fesi.?Pt0 aMn· ί 〇 if Fe^P “Μπβ Fees 95Pt2Mna 05 組成3 Fe^Mn, i I Fesi.ePt〇.zMne ^e9i.7^U.3^ne Fe90Pt2Mn· 組成2 (N I iqFCjq) (N i j〇Fe20)打Mn· (N ί BqF63¾) 1 (N ί 8〇F62q) 92^^β 組成1 (N ί jqF6¾¾) i (Ni80Fe20) 92MnB (N I jqF6¾¾) (N ί jqFβ2〇) 92^^8 cvj CO 卜 CVI oo ro CVJ CM σι S CM OO «VI oo to <0 σ» tn CM OO CVI 〇> CO CKI ao U3 C\i 卜 O) 卜 OO C\J 熱處理溫凌 (°C) S c\i o cn S cn o rr w S CVi o S CO o u. 0 CO esi 0 0 cn 〇 〇 S CVJ 〇 s cn Q 〇 元件 犁式 s /^S 樣本 No. CO o 卜 o OO 0 --------------------訂·-------1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 幸、紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐) 550842 A7 __B7 五、發明說明(@)
T2* CO 运 SS c =* i UL·^ 4 <D~ UL^ 氣 df U-^ 2* v»^ 4 ιίΓ o" CJ 〇? LL·^ i LL^ 〇T UL^ 4 ? LL^ ^〇" LL^ € 〇T LL^ 4. 1 ^o" αΓ in =¾ αΓ o' CJ «〇 t a? LL·^ ^O* t o wil 〇T Sw^ : c =¾ aF 0* CJ «α t <n ^wrt CM 0^ t wn qT LL·^ m c s; tl^ =* W« fW ^O* Nw^ t U-^ 0 ϋ «Ο € tfl 7 U-^ Q s 〇T TT 链 SS «· § CL·^ 0> UL· «» z a. c£* of uu m 4 ιί! cn «a lJT 40 z a. «£ CL· £ «· c= i2! CVJ 运 SS =¾ dT ad =¾ of U-^ m C ss <υ2 LL^ m C % 〇T 5 绽 气 〇r c" =* 1r § • of LL·^ e> CVI CNJ 40 CM CO Os» cn CO 一 cn Z CVI U3 <VJ CO 0 σι <0 CS4 in cd <Si CO CVI cn CVJ 〇 卜 Ol ΟΪ CM CO QO to 割Ρ w s c\i a s S cn 〇 XT U. S cvi 0 m s CO 〇 〇 w. S CNJ 〇 S cn 〇 〇 • u. 0 CO CVJ 0 s CO 0 ^:1h 择。· cn o 0 ^―· €SJ 6 5 ---------------------訂---------線▲ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 B7 五、發明說明(6
丨 組成6 (Coi5Fe25) ί#ΜηΙ2 (Co7SFe2S) j4.5Mnl55 <〇 (Coi5Fe25) 4aMn12 (Co7SFe2S) “sMnlss (Co75Fe25) i|Mn,s (Co7SFe25) ejMnl2 i ιίΓ (CoisFe25) eeMnl2 t i LJL^ wt 組成5 (Co,sFe25) j|Mn,2 1 2 of U-^ (Co,5Fe25) eaMn,2 1 I o (Co?sFets) “·#η"·4 (Co?5Fe25) ieMn,2 (CoJ5Fe25)ar 3Mn,r7 (CoJSFezs) “·δΜηι34 (Co75Fe25) iaMn,2 (Coi5Fe25)i73Mnl27 (Co75Fe25) |g §Mnl3 4 組成4 FeiaMni2 i u. Fee7.ePt0 zMn丨2 ^ββ7.ϊΡ ^0.2^Π12. 1 ^β47.ϊΡ^0.3^η!2 i O i U- Fet|P t2Mnt2 組成3 1 1 FeMMn12 i 1 Ρβίϊ.βΡ^0. 2^n!2 jPt〇 3Μη·2 Fe|6Pt2Mnl2 i組成2 1_ (NieoFe20) ejMn,2 (Nie0Fe20) ieMn,2 (N il0Fe20) ieMnl2 (N i A0Fe20) ft8Mn,2 組成1 (NiB0Fe20)“Mn 丨 2 (Nie0Fe20) i8Mn,2 (Ni80Fe20) MMnl2 (Nie〇Fe20) iaMnl2 ^ g CO U3 <VI un CO «VI CO cn 〇〇 to CO CM O) <〇 CVJ CS4 卜 f—* 卜 <n UO 卜 un ca eo U? CO C\4 CS4 CO <〇 CO CM cn CVJ 卜 m CVJ 04 卜 CVI 熱處理溫度 (°〇 u. S CSJ 〇 2 CO O • « u. S CV4 〇 〇 m cn O o S CVJ O S 〇 o L. s CM O S cn o rr 11 樣本 No. CO to CO -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 B7 五、發明說明( 組成6 (Co,5Fe25)“Mn 丨 2 (Co75Fe25)i4 5Mn,5 s (Co^Fe^j^uMnn (CouFezs)“Mnlt (Co75Fe,5) nMnls (Col5Fe2S)“Mnl2 i 4 (Co75Fe25) e|Mnu ui LL·^ | (Co7SFe2S)e 丨 Mnl9 | 組成5 (CoT5Fe2S) «Μη., 卜 la i LL·^ <3 (Co7iFe25) iiMn,2 〇r (Co^Fe^JjigMn^^ (Co7sFe25) ·8Μιΐ|2 (Col5Fe25) ii.3Mnir7 CD~ Li^ (Cor5Fe25) ieMn,2 卜 αΓ IJU^i ^〇" (Co7SFe25)|g.kHn|3 4 組成4 Fe 應 |Pt7Mn,2 Fe7lPtl7Mnl2 Fe4lPt4JMnl2 Fe“PtS0Mnl2 組成3 Fea,Pt7Mn,2 Fe7lPtuMnu Fe4lPt4?Mnl2 FeMpts〇Mnl2 1 組成2 (N i e〇Fe2〇) aaMn,2 (Ni 40Fe20) MMnl2 (Ni e0Fe20) |AMnt2 (Ni aoFe2〇) ajMn12 組成1 (Ni|0Fe20) B‘Mnu (N i ^Fe^o) (Nie0Fe20)eeMnl2 (N ί jqF81^^12 宝§ ay m CM CM S CNJ 〇> C^4 V™· o 〇> CO <VJ 卜 in ou OO CO CVJ cr> ca o <V| s; CO ui CM cn CVi CVJ σ> cr> CsJ CVi CM 卜 <n 熱處理溫度 CC) s CM O s s CO 〇 o 參 !»> S CVJ O s s era o o W. s o CO S CO 〇 • u. S CM o cn s cn 0 1 II /—N r-N 樣本 No. 卜 OO 〇r> r— o <N4 -IP- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線·· 8 5 本、紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公楚) 550842 A7 __B7 五、發明說明(;Ί)
Tsffls
組成6 (Co75Fe25) |iMn.s z 4 • tiT Ψ^Λ wi w· W9 (C〇jcFe25) iiMn.s 氣 ή αΓ U-^ LL-^ (Co,5Fe25) a,Mnls i m i IJL^ CJ W1 3 (CoJ5Fe25) ||ΜΠ|9 4 i LL^ LI^ 組成5 (CoJ5Fe25) ι,Μη,,· \Λ m IJL·^ s 2 ιί* !C (Co,5Fei5) |,Mnls tf» m 4 ei 1 2 S (CoJ5Fe25) ||Mnu w» LJL^ 〇 4 〇T (CoJ5Fe25) nMriu w· mi 4 曹y 2 a dT 組成4 Fe»|Mnl$ s mi A 〇r LL. Feao.ePU.2^nis A o O ^β*0.ϊΡ^0.3^ηΐί FeJSPt2Mn·, 組成3 i Fe„Mnls ^eB0.«PU. 2^°IS FeeiuPte aMn" Fe7SPt2Mn)S 組成2 (NiBOFe2〇)|,Mn|9 (Nie〇Fe20)||Mn)9 (Ni|0Fe20)t|Mn,9 (N ja0Fe20)eiMri|) L_組成1 (N i |〇Fe2〇) ·|ΜΠ|, (NiB0Fe20) ||Mn,9 (Ni|0Fe20) t|Mn,s (NiA0Fe20) eiMn,s 妄5 〇 evi 卜 CO 〇〇 CM C\i to CSJ cn tn CM <〇 09 CVJ xr m tn CS4 cn CO C\4 03 ca 〇> €SI co CSI C\J 卜 ca CVJ CO CV4 熱處理溫度 CC) • w. S CM O s S cn 〇 ul o CO CM 〇 s CO. 〇 ΤΓ • s <\4 〇 CO S CO C3 〇 • w. s CM o <n O to CO o o 樣本 No. 5 CVI CVJ cn CM CM --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7B7 五、發明說明( 7(ρζ«δ
組成6 1 (Co75Fe25) »|Mn,s ί i LL·^ m 〇r LU^ (Co}&Fe25) “Mn·, £ ή 〇r LL·^ m fS4 in 09 JtJ (Co75Fe25) nMnls ή ιίΓ m w· wr» ^〇T (Coi5Fe25) e,Mn,s «ί «w 1/» LL·^ 〇" CJ 組成5 (Co75Fe25) ιιΜη,9 (Go,5Fe25) io.sMfius 〇 C4 =1 Ll^ (Co^Fejj) a|Mn,s (Co7SFe25)e0SMn|9S (Co75Fe25) e〇Mn20 1 1 (Co75Fe25) B|MnjS ! d i LL^ 0 s 1 (Coi5Fe25) i|Mn,s \Λ i UL^ o' CJ 〇 4 UL^ 組成4 Fe74Pt7Mnl9 Fe7,P tl0Mn(9 Fe4|Pt<〇Mni9 Fe3lPt43Mnls 組成3 FeMPt7Mn 丨, Fe"Pt|〇Mn 丨, Fe4,P t40Mn,9 1 ^β3ί^ ^43^n»S 組成2 1 (N i A0Fe20) e|Mn,j 1 1_ (N i (N ie0Fe20)e,Mn,s (N i eoFfijo) ·|Μίΐ,0 組成1 (N i joFc^q) ai^^i9 (N i j〇Fe2ij)以Μη" (NitQFe20) 8|ΜΠ|9 (Ni80Fe20) i|Mni9 % g CO CO LO cu 28.9 24.4 in <Ni Ο) en • CM CVI CO CVJ 〇〇 ai O) cn CVI CM rr CVI cn CM to βϊ CM od S U7 卜 Cvi 熱處理溫度 (UC) u. S CV4 O s cn 0 \1 S 0 S cn 〇 〇 u. S CVJ 0 0 CO cn 〇 〇 S CNJ 〇 <0 0 ro 〇 〇 元件 型式 樣本 No. ΙΛ CVI CO CV4 r- CNJ GO CVI --------------------訂---------(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 Δ7 Α7 _Β7 五、發明說明(I )
T((d8M
CO 4 οΓ LL^ o' CJ (A «η <*? U-^ U9 4 :· ut =1 UL^ 吾 «4» 7 tJL·^ Wft 土 s#» LL^ <*4 =1 〇T 11-^ LL^ Wl 09 LL^ •n LL·^ 4 ιίΓ w* LO 运 SS 〇r LL^ *n «w C= ^o" C 〇r LL^ αΓ LL^ m 4 〇r U-^ o" «•V 心: 〇r LL^ 4« -I « 4 ? LL·^ A df U-^ • Μ ι£ U9 寸 ^4> i o CL^ ιίΓ =¾ 〇 li! JM LJL. CO 绽 ① 4; O li e4 i 〇-_ J U- 4 jd" 运 SS «Μ JM 5¾ 〇r JM =1 dT 5 SS =1 =1 =1 % 1 UL·^ % g ·—· 〇 ^―· CVi CVJ CSJ CO CO o CM o CM CO 二 ^r o o CO ipM e\i 卜 CSI <〇 C\J CVI m O cn CM 卜 CvJ 卜 to C^i si_ 刮 •tw、 W S 〇 S CO o -φ^ k. s CNi o cn s CO o xr Urn S C\i o s s CO o w. S Csi O s s <n ο 件· 2 cn CVi cn CM CO - ---tr— --- φ(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 B7 五、發明說明(
CVI丨 0?〇〇«« 組成6 (Coi5Fe2S) 74Mn22 I IJL^ A z ^〇T jrt (Co75Fe25) ,«Mn22 «a rn! of LL^ ^〇" (Co75Fei5) /4.9Mn2S>, (Co75Fe25) 7ΙΜη22 (C〇75Fe25) 7|.4^〇23>| 4. Ί IL^ ^〇" (Co75Fe25) 7jMn22 7 ^O* 1 (Coi5Fe25) 74 sMn25, | 組成5 (Coi5Fe2S) 7βΜηζ2 (Co75Fe25) «Μ 〇r LL^ (Co?5Fe25) iftMn22 〇T (Co?5Fe25) 77.4Mn22>| (CouFe25) 74Mn22 ㈣ οΓ LL·^ (Co7SFe2S) 7ϊ·4Μη22β (Co75Fe25) 7aMn22 (Co75Fe25) 77.7Mn22>3 (Co75Fe2S) 77.4Mn2I s ^組成4 FenPt?Mn22 FeeiP t1QMn22 Fe4,Pt37Mn22 Fe3ePt40Mnn 組成3 Fe"Pt,Mn„ FefiePt,eMn22 Fe41Pt37Hn22 Fe3aP t40Mn22 組成2 (Nii0Fe20) ieMn22 (N iB0Fe20) 7βΜη22 (N i80Fe20) 7iMn22 (NiaoFe20)7eMn22 組成1 (Nie0Fe20) 7lMn22 (N ie0Fe20) /4Mn22 (Nia0Fe20) 7lMn22 (Nie0Fe20) 7|Mn22 卜 〇 C\4 CV4 CO cJ CM 〇> c〇 CO ei QO O) cn CO ^r 卜 C4 irt <〇 卜 OQ CO o QQ <\4 CO 〇> to 卜 O 熱處理溫度 (°C) Ο CO CM 〇 s CO o ^m0 〇 to C\J o o CO cn O o w. s Csi 〇 cn S o S CVi o S CO o o 元件 型式 樣本 No. cn cn ΤΓ cn tn cn CO CO --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 _B7 五、發明說明(U )
T(qooM 組成3 LJL·^ 2* (Co75Fe25) jj ^Rho 2 (CoiSFen) 3a 7Rh0 3 (Co,5Fe25) s,Rhj 組成2 Co5〇P t5〇 Co50Pt50 ^°50^U〇 CoS0Pt50 1 1 組成1 Co50Ptw i- C〇5〇Pt5〇 ! 1 C〇5〇Pt5fl 〇 宝9 cn CO cn un <〇 cn cn t— cn oi CO 〇〇 CO uo cn CO CO tn U-» o tn OO cn LT3 CO <x> CO CO iO <〇 cvi O1) U) CM CO €VJ CO CO CO CO tn OO 5 熱處理 溫度 (°C) Urn S CVI 〇 s CO O o 〇 CO CVI o CO S CO 〇 s CVI o o m CO o o u. S CVi o s cn O o 元件 型式 樣本 No. 卜 cn OO CO 0¾ cn 〇 --------------------訂---------(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 _B7 五、發明說明(一) CVI丨(qoo谳 〇 0 0 ^P-« 0 00 〇 «Μ 0 0 0 卜 αΓ UL·^ ^jp <«? IJ^ ^Jp f*· si 〇r LL·^ a> LX^ 吾 CD 运 & 〇Γ UL^ ^〇" 4M 〇 〇· 1r LLj^ S 〇 cvi 〇» d? UL^ 2 JZ QS^ 〇T - LO αΓ 〇T LL·^ Z 〇T Ll^ z αΓ LL^ 寸 5S αΓ LL^ ^JO 〇T U-^ 0 i LL·^ o' CJ 9) 〇〇 卜 CO m CO CO LT> cn σί QO CO CO ΙΛ CO CO <0 CO LT3 LO 〇 un 00 〇> ΙΛ CO CO CO CO to CO CNi LT3 ca 00 C\J CO CO *»T <0 CO CO U1 CO _:g U. 〇 CO Cvl 〇 S CO 〇 Urn S 0 CO s CO 〇 0 CSI 0 s a U7 CO 0 0 二 s CVI 0 S CO 0 0 到 ^"N 诗。· 卜 CO 00 cn 〇> on 〇 IP— -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 _B7 五、發明說明(Η )
?(q00術 組成3 (Co75Fe25) i5Rhl5 (Co75Fe25)7lRh29 (Coi5Fe25)4lRh59 (Co75Fe25) 3eRh|2 組成2 CoS0Pt50 L—— Co50Pt50 C〇5〇P“〇 C〇50P t50 組成1 C〇5〇Pt5〇 Co50Pt50 s 1 C〇s〇Pt50 % S <〇 <V4 CO CVI CO CO CO co cn CO cu cn un CO CVJ ur> 卜 un c\4 <〇 CO CM oo S 〇〇 cr> ca c〇 o 04 CU m cn CM CO 04 熱處理 鲕 (ec) 2 〇 CO 〇 m n O o Urn S «si 〇 o m CO 〇 o k· S <VI o 〇 uo CO | 400 I S 04 〇 cn S cn o *^T 元件 型式 樣本 No. CVJ CO --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 550842 _B7 五、發明說明(_) 了(qooM (Ji a O 2* o 00 运 SS a o C9 W3 Ou^ ^O* Ji 卜 QS^ LL·^ 吾 供 «a? 〇* LL^ 2* % 7 11-^ CO US QC 1 LL·^ o' s z d? UL·^ 吾 ί LL·^ o' <J 气 dT LL^ S 1〇 〇r 2 o 〇T 2= ①2 LL^ oT W« Ul^ ^O* °% 1 UL^ «1 £ 7 UL^ ^O* % J LL^ 〇 CJ wn CO CM cn CsJ CO CO 04 <·〇 CO cn CO S 可 CVJ cn LO CO CM un 卜 vn CM CO i〇 CM CO S 〇〇 cn CM cn O CM CM tn CO CsJ CO CS4 蠢竊七 S CVJ o s S <n O 〇 w S CM O s. S CO o 〇 w S CV4 〇 cn S CO o o \mm 〇 c〇 CM 〇 <*n s co o itln 丨關 诗· mtA/ ο zsi ·—· ΤΓ CV| CO rr (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Μψ. 私紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 ___ B7 五、發明說明(6)
— 0OOM
cn 运 SS αΓ d i o* CJ O o flu^ o <lT Ll^ o «SI d ou^ si o clT cS w* ^βί 4 αΓ o 4 o ^m§ Of i LL^ cT CJ wt O i·» o Ql^ si O αΓ A 7 2 % a? o* CJ §. LL^ 2* <N 1S 绽 IL^ o m i LL·^ «·» o (U LJL·^ ¢3 λ 2j dT UL^ CJ 5 箱 οΓ 2 〇 Ou^ m m <US U-^ •n o ^m0 Ou^ or» 1 LL^ o* CJ Q-^ :s U-^ trt CV4 crj 〇 un OO CO uo rr 04 CO cn 二 un 〇> un un cn cn cvi LO CO 〇〇 CO CO CO CO C\4 LO OO 卜 CO CO 〇〇 CM CO cn cn ou ΓΓΤ11 ||8 Urn 2 CM o CO s CO σ XT w S C\J 〇 ro- s o 2 CM o s cn o w S ca o CO o LO CO O o ^:ΤΚ 件。· uo CO XT CO --------------------訂---------線(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 明 SS術 說 明 發 五
組成9 ^ : Co50FeS0 (CoS0FeS0) ss gPta 2 (Co50Fe50) js 7Pt0 j (Co50Fe50) SiPt j 組成8 C〇50Fe50 j ί (CowFeS0) 9J eP t〇 2 (Co50Fe50) 99 7Pt0 j 1 1 (CoS0Fe50) j/Ptj 組成7 CoS0Fe,0 (Co90Fe丨0) sa aMn01 〇 OL·^ m «V 〇T LJL·^ d o CL·^ ai 1 o (Coi0Fe丨0) 99 esMn0 (CoS0Fe,0) 9S> 7P t0_ ,5Mn0_ 15 (Co90Fel0)ss 5SPt0 jMn0 (Co^qF6|q) 3jMr)| (COjqFCiq) J|P t |M〇| € 〇T 2 組成6 Fei0Ni40 Fe57N»43 FeS4Ni4S (Fee0Ni40)s"l r0 j (FeSiNi43) 8"l r0.2 (FeS4Ni 46) 59 ·Ι r0 2 (Fei0Ni40)S9,1 r0 j (Fe57Ni43)9"l γ0·2 (FeS4Ni46),s al r0 2 (Fe60Ni40)S7l r3 (Fe«.⑼I),7.1 1 r2., (^e53.eN*46.l) 97.3^2.7 組成5 N ie0Fe20 z ^03 ή 2S jT m z Nie0Fe20 I Ni?e.sFe2M I 〇r LL^ N ieoFe2。 J Ll-^ i LU^ M i l0Fe20 1 Ni7e sFe2,, «J ^〇T 組成4 ! Fe60Ni40 l FeSiNi43 ! Fe54Ni46 1 (Fe60Ni 40) 95 j I r0 2 (Fe57Ni43) 9S el r0 2 (FeS4Ni46) 99 al r0 j (Fe60Ni40) 9S 7I r0 j (Fe5?Ni4J) 9i 7I r0 j (Fe54Ni4i) 9S 71 r〇 j (Fe60Ni40) S7I r3 (Fe56 sNi 43 ,) j/ | 1Γ2 j ^e53.eNi4e 2) S7 3I r2 7 式、✓ m CM CO 〇 1Λ 〇〇 CO ur> CVI ro cn Ά 二 un 〇> un m CO <n CVI un cn oo CM CO CO CO CVI m CO 卜 CO 〇〇 CNJ m σι C7) CVJ liS o CO CVi o s cn 〇 ΤΓ S 04 O 〇 un CO o o • u. o CO CVI O s cn 〇 o S CM o 〇 m CO o xr 1 元件 型式 樣本 A No. xr CO 卜 OO 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
550842 A7 _B7 五、發明說明(“Ί ) T2m 組成3 1 (。0扣卩6|。),$ΜΠς § of Ll^ hr» c =i a. 〇T LJL^ (Cos0Fel0)go 5Mn8 5 «; a. 7 LL·^ Μΐ 4 ή O CD ^o1 (Coi0Fe丨0) e。5Mnl9 s «ί 4 a. Z <aT Ll^ w« =|j •«Mf J o 〇T (CoS0Fe,0) 7eMn2l 〇r LX^ a. 〇r U-^ s 組成2 (CoS0Fe50) e5Pt,5 (Co50FeS0) nPt29 (Co50Fe50) 4lPt5S (Co5QFe50) 3iPtg2 1 組成1 i- I (Co50Fe50) i5Pt l5 (Co50Fe50) nPt28 I 1 1 (Co50Fe50) 4,Pt5S ! (Co50Fe50) 3jPt62 1 1 1 % S LO Ol CO CVI CO csj CO CO CD CO a〇 卜 cn CVi CO CO QO CO 卜 <r> CM tn cn m <r> cn CO CM CO CD C\4 cn CO 04 CVi m CSI 熱處理 溫度 (°C) ul S C\i o S cn 〇 S CV4 o S CO 〇 u. S C\J 〇 S <r> o rr s <Si C3 CD ur> <r> o Q 併. 緣:g cn S ·— cn OJ ΙΛ --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 B7 五、發明說明(θ ) 5Ξ:ϋ03) :0.=29^03) f-vardsoo) =0.-【(S9JS。。) 00¾¾ --ϋ^03) S5LL.S03) •-ϋ^οο) S5LL.S03) 卜¾¾ :=22(2 9^003) -u^d'sajsos
Cr5d-Yaru.s03) C2E5 os(odru.OSQo) s jngjosQ。) 14-soioo) 2UH2YOTJS03) = 41^0-,1¾¾ =4-:^503) cr^^YarJSOo) -υίο,ι^οαΓϋ) -IS3NS9U.) MJmgu.) =上 torLL.) SJI =32S3J) :vr:乂一JNiJ) :w3-JNiLL.) idaj) • c£j:sziu.) SJI;32S9LL·) rsjjij) r09J:t(rssziJ)
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私紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 _B7 五、發明說明(叫) τ(ροο«δ CO 5 ιίΐ 2 «· 1 *n o au^ ari UL·^ 1 LL·^ 04 运 〇? z of % «ϋ2 li^ 2 a 03 z 5 SS of U-^ <DS o ① LL^ of 2* N CVI 卜 CO CO 卜 CO ca m 卜 c〇 S cn un <〇 CO ΙΛ 卜 CVI CO CM cn CO Γ*- CSJ ao to CVi CVI od 0¾ CM CO XT CO CO cn cn CO P m 靡 m<1 勁 m u. S CVI o s s cn 〇 o S C\i O s CO 〇 o S <\4 〇 s o uo cn o o u. S Csl O' 〇 to CO 〇 〇 件。· _ 2= m Ln S to un C0 cn —f I— an n I— I— l l ϋ —Βϋ an · I n I fl— mmmamm n n w ^ I 11 I I ·ϋ n I— tmt fl 言 矣 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 _B7 五、發明說明(P) MPO0谳 組成9 ί i 1 C〇50P‘ CoS0Pd50 a ^o1 組成8 Co75Fe2S lJT CouFe2S 組成7 ί Co?5Pt25 (CouFe2S) a"Pt0.“Mn0.oiCr0.0j (C〇75Fe25) 35.7^^0. 2^n〇.05^r0.05 (Co7SFe2S) SJP12Mn0.5C r 0. s 組成6 ί Co75Fe25 Co75Fe25 〇T LJL^ CoI5Fel5 組成5 N i i〇Fe20 Mi i〇Fe20 〇T UL^ 22 Mi八! 組成4 NiS0Fe50 of z NisoFese Ni50Fe50 <\4 CO cn 卜 CO CM C\i <n 卜 CO CO tn to try un 卜 ··* CVI CO CM CO <〇 c\i OO ir> CM CO O) CM CO cn CO CO cn CO 熱處理 溫度 rc) 2 CM O S CO 400 S 04 o 〇 U1 CO O o 9 w S CM o S CO 〇 π • o <〇 CM O s S CO C3 元件 型式 ^N 樣本 No. cn un CO Irt un CO ΙΛ ---------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 _ B7 五、發明說明(…) ε 丨(P8«« 組成3 (Ni50FeS0) e5Ptl5 ί (N i50Fe50) /|Pt29 (N“〇Fe50) 4,Pt5, (NU〇Fe山Pti2 組成2 Ni50Fes。 1 1 i 1 Ni50Fe50 Ni50Fe50 NisoFeso 組成1 «5 of Co50Fe50 MR (%) CP> un S CO CM C\J CO CVi cn ID P— cn CN4 卜 O) CM <n *»· cn CO CO m CO ca CO C\J CM s 卜 «Μ : CVI CM 卜 un cn 熱處理溫度ΓΟ S CVI CD S g CO 〇 U. S CM 〇 2 CO 〇 S Csi 〇 o CO o o u. s <VJ o s s cn o *^r 11 :一 1 y0^ 樣本No. r— LO 〇〇 CO CT> ΙΛ s --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 _B7 五、發明說明(>) τ(ροο«κ
組成9 1 a s ^o1 a. » 1 0 2* 組成8 i U-^ m Coi5FeiS 1 1 〇T LU s 組成7 (Co75Fe25) 45P t i0Mn2> s€ r L 5 (C〇j5F 625) j|P t uMfijCfc (Coi5Fe25)4lPt39Mnl0Cr,0 (Co75Fe25)3ePt4,Mn,0>5Crl0 5 組成6 ! Co?5Fe25 CoiSFe2S of C〇j5Fe25 組成5 1 NiMFe20 Ni40Fe20 Nia0Fe20 Nii0Fe2〇 組成4 N i50Fe5e NiS0FeS0 Ni wFe50 of % Z cn Ul S cn <\i CM cn 卜 oa cn m r— CO cn CSJ ay <VI CO CO LO CO CO ur» CM C\4 cn cu CO CM s N CVJ CVI 卜 ur> cn 熱處理 溫度 CC) w S CM O s 〇 CD <n a o ^m0 o CO CM 〇 S CO 1 400 1 w s CM 0 S S CO a • Urn s CM 0 芑 〇 wn cn 〇 〇 元件 型式 y-N 樣本 No. 卜 ΙΛ 〇〇 tn ΟΊ in S --------------------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 _____B7____ 五、發明說明(1) 表5a)所示之樣本中,在非磁性層之界面附近添加了 Re。根據表5a),Re之濃度最好在3〜30at%。然而,此處 Μη之擴散並未受到抑制。其原因之一爲:在與反鐵磁性 層之界面附近未添加Re。將Re換成Ru、Os、Rh、lr、Pd 、Pt、Cu、Au等,亦可以得到相同之傾向。此外,將鐵磁 性層換成上述之組成,亦可以得到相同之傾向。 表5b)所示之樣本中,在非磁性層之兩側添加了其他 元素。此時亦可得到同樣之效果。即使將表5b)中之RU換 成 Tc、Re、Rh、Ir、Pd、Pt、Ag、Au,將 Os 換成丁c、Re 、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、An,亦可得到相同之效果。此處 ,將鐵磁性層換成上述之組成,亦可以得到相同之傾向。 表5c)所示之樣本中,僅在非磁性層之界面之一側添加 了 Pt,Cu。此時亦得到相同之傾向。即使將表之(Pt,Cu)換 成 Tc、Re、Rh、Ir、Pd、Pt、Ag、Au、(Ru,Ir)、(Pt,Pd) 、(Pt,Au)、(Ir,Rh)、(Ru,Pd)、(Tc,Re,Ag)、(Ru,Os,Ir) 、(Rh,Ir,Pt)、(Pd,Pt,Cu)、(Cu,Ag,An)、(Re,Ru,〇s)、 (Ru,Rh,Pd)、(Ir,Pt,Cu)、(Re,Ir,Ag),亦可得到相同之 傾向。將鐵磁性層換成上述之組成,亦可以得到相同之傾 向。 表5d)〜表8a)顯示添加了 Μη與Pt時之結果。表5d) 係對應添加Μη Oat%。表6a)〜表8a)顯示添加MnO.2、0.5 、1、2、5、8、12、19、22at%時,改變Pt之添加量時之 結果。 在Pt少之區域,由反鐵磁性層擴散來之Μη雖有些微 75 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------I----------------I 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550842 A7 __ B7 ___ 五、發明說明(焯) 存在於界面,但可確認Pt之添加可以抑制擴散。 表8b)〜d)中,顯示了針對具有複數個非磁性層之元件 的測動結果。即使在存在複數個因非磁性層而產生之屏障 時,亦可藉由控制至少一個非磁性層之界面附近之組成’ 即能改善熱處理後之MR特性。 表9a)中,將包含Μη與Pt之樣本置於350°C以及4〇〇 °C之熱處理後之MR變化率,以相對Μη與Pt之添加量爲 〇之樣本(樣本57)作爲比例加以歸納整理。 不過,表9a)中,Pt量及(Pt+Mn)量,係熱處理前之樣 本中「組成4」之各量。 表9b)顯示在各Μη添加量中,相對Pt添加量爲0之 樣本之MR變化率的各樣本之MR變化率之比例。
Pt之添加量在0.3〜60at%、Μη之添加量在20at%以 下之範圍,特別是在Mn<Pt之範圍,可以得到良好之特性 。當Μη在8〜5at%以下之區域中,可以看到若與Μη同時 添加,可以較Pt單獨添加時,其特性會有提昇之可能性。 即使在添加Cr或(Mn、Cr)以1:〇.〇1〜1:1〇〇之比例來替換 Μη之兀件’亦可以得到同樣之傾向。此外,添加表如)〜 表5)中使用之元素來取代pt,亦可得到相同之傾向。此外 ,使用表4中使用之鐵磁性層,亦可以到相同之傾向。 雖然表4a)〜表9b)中未顯示,但進一步地製作了幾個 具有樣本間組合的元件。此等元件,亦可以得到相同之傾 向。 表4a)〜表9b)中雖顯示了至4〇〇°C之熱處理的結果, 76 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) "" ------ --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 550842 ___ B7__— — 五、發明說明(“) 但針對若干樣本,在400°C〜540°C之範圍內,以l〇°C爲一 單位進行熱處理,並測定了其MR特性。其結果,Pt等之 添加元素M1之含有量在0.3〜60at%之元件,在到450°C之 熱處理之後,可以得到較未添加元素之元件,更優異之特 性。 對與M1添加之同時添加了 Μη、Ο(添加元素M2)之元 件,進行了相同之測定。其結果,M1之含有量爲〇·3〜 60at%、MkM1之元件,在至450°C之熱處理後,可以得到 相對較優之MR特性。此外,在M1之含有量爲3〜3〇at% 、Μ1之含有量不滿8at%、MkM1之元件,在至500°C之熱 處理後,與未添加任何元素之元件相較,可以得到相對較 優之MR特性。 又,以上雖顯示了將自然氧化之A10x使用在非磁性層 之結果,但在將使用陰離子氧化之A10、離子基氧化之 A1〇、使用反應性蒸鍍之A10、使用自然氮化之A1N、使用 陰離子氮化之A1N、使用反應性蒸鑛之A1N、使用陰離子 氧化或Ion Radical氧化之TaO、使用熱氧化、自然氧化或 是陰離子氧化之AlSiO、使用自然氧氮化、陰離子氧氮化 或是反應性濺鎪之A10N等使用在非磁性層時,亦可得到 相同之傾向。 又,作爲反鐵磁性層,使用FeMn、NiMn、IrMn、 PtMn、RhMn、CrMnPt、CrAl、CrRu ' CrRh、CrOs、Crlr 、CrPt、TbCo來取代PdPtMn,亦可得到相同之傾向。 又,作爲非磁性金屬,使用Rh(0.4〜1.9nm)、Ir(〇.3〜 ___ 77 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550842 A7 ______ B7 _ 五、發明說明(义) 1.4nm)、Cr(0.9〜1.4nm)來取代 Ru(〇 7〜〇 9mn),亦可得到 相同之傾向。 此外,就元件構造而言,在圖示之各形態中,基本上 都可得到相同之傾向。 《實施例3》 本實施例中’使用了與實施例1、2相同之成膜法與加 工法來製作了fe阻兀件。組成之測定方法,與實施例2相 同。 作爲非磁性層,使用了將純氧與高純度之氮氣以1:1 之混合比例之氣體導入之處理室中,使A1膜氧氮化所得之 A10N膜(膜厚1.4〜1.9nm)。作爲非磁性金屬膜,使用了
Rh(1.4〜1.9m)。作爲反鐵磁性層,使用了 PtMll(20〜30nm) 〇 元件構造與鐵磁性層,與表5d)〜表8a)所示之樣本相 同。本實施例中,除Pt與Μη外,亦測定了 Ta及N之添 加效果。 與實施例2同樣的,雖調查了至54CTC之熱處理後之 特性,但此處則顯示具特徵性之350°C與400°C之測量結果 。本實施例中,測定了作爲磁氣特性之自由層的保磁力。 表10〜22中,分別顯示了對界面之添加組成的自由層之保 磁力。 表中,未記載保磁力的爲無法測量其磁氣特性。軟磁 氣特性,藉由Ta、N之添加獲得了提昇。然而,當非磁性 添加物到達約70at%以上時,即無法測量其磁氣特性。 78 ........ __________ ... ___" — _ 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------------訂---------線 AW. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 550842 ____B7 _ 五、發明說明(,7 ) 表10、11、12、15、16、19、20之樣本,其熱處理後 之MR特性,與沒有添加Ta、N之元件相較,在±10%以 內。相對於此,表13、17、21之樣本,MR特性劣化了約 10〜20%左右,表14、18、22之樣本,MR特性劣化了約 50〜60%左右。 止匕夕f ,SPi吏使用 Ti、Zr、Hf、V、Nb、Mo、W、Α1、 Si、Ga、Ge ' In、Sn來取代Ta,亦可得到相同之傾向。 另外,使用B、C、Ο來取代N,亦可得到相同之傾向。 《實施例4》 本實施例中,使用了與實施例1、2相同之成膜法與加 工法來製作了磁阻元件。組成之測定方法,與實施例2相 同。 作爲非磁性層,係使用在〇之離子基源中將A1膜氧 化之AlOx(膜厚1.0〜2nm)。作爲非磁性金屬膜,使用 Ir(1.2〜1.4nm)。作爲反鐵磁性層,使用了 NiMn(30〜 40nm) 〇 元件結構與鐵磁性層,與表4〜表8中顯示之樣本相 同。本實施例中,調查了添加Pt、Pi·、An,分別進行熱處 理後之MR特性與固溶狀態是否安定。 爲了判斷固溶狀態,首先,使用AES(奧諧電子光譜) 深度記錄、SIMS(二次離子質譜分析法)、硏磨後之XPS(X 光光電光譜)分析等,決定了以35(TC、400°C、45CTC、 500°C之各溫度進行熱處理之元件中非磁性層界面之組成。 接著’另外製造該組成之合金樣本,以350°C、40CTC、 79 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) " --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 550842 五、發明說明(π) 450°C、500°C之溫度進行24小時之減壓環境(l〇_5Pa)中之 熱處理。接著,在對此合金樣本表面施行化學蝕刻後’以 金屬顯微鏡觀察其組織。此外,在蝕刻後,再在減壓環境 中實施離子銑,然後以掃描型電子顯微鏡(SEM)觀察其組 織,以EDX分析其面內組成。接著,由這些測量結果’評 鑑是否成爲單一之相狀態。 就對應熱處理溫度與組成之合金樣本,當觀察到組成 分布與多數之相時,對應該合金樣本之元件之熱處理後之 MR特性,與沒有添加M1等之元件相比較,提昇了約30 〜100%左右。另一方面,在合金樣本顯示爲單相狀態時, 對應該合金樣本之元件之熱處理後MR特性,與沒有添加 元素之元件相比較,提昇了約80〜200%左右。此外,在對 應安定單相狀態合金之元件,其熱處理後之MR特性會更 好。 《實施例5》 實施例2之表4d)、5a)、5b)、5c)、5d)之樣本,藉由 適當地變更反鐵磁性層/鐵磁性層之界面與鐵磁性層/非 磁性層之界面間之距離、以及熱處理溫度,來控制了熱處 理後所觀察之Μη之擴散效果。此處,熱處理溫度設在 300°C以上。此控制,係以熱處理後在非磁性層界面之Μη 設爲20〜0_5at%之範圍爲目標而進行。其結果,在上述距 離未滿3nm時,即使添加pt等之元素,其熱處理後磁性 元素(Fe、Co、Ni)之含有量會變成在40at%以下,使得MR 特性顯著地劣化。另一方面,當上述距離超過50nm時, 80 才、紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------------訂---------線 ^1^· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550842 A7 B7 五、發明說明( 即使只爲了將在界面之Μη之含有量增加0.5at%,也必須 要40(TC以上之溫度。此外,因爲上述距離太過長,使得 無法得到因爲反鐵磁性層而產生之鐵磁性層磁化方向之固 定效果,因此熱處理後之MR特性會顯著地劣化。 81 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------------·--------π---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550842 A7 B7 五、發明說明(f) 表9a) Μη量 1 2 3 4 5 6 7 8 Pt量 0 0.2 0.3 3 15 29 59 62 表 0 Pt+Mn 置 0 0.2 0.3 3 15 29 59 62 5d) 350°C 1 1.02 1.44 1.52 1.61 1.54 1.46 0.98 400°C 1 1.02 1.92 1.99 2.45 2.21 1.95 1.05 PtS 0 0.2 0.3 2.8 14.8 28.8 58.8 61.8 表 0.2 Pt+Mn S 0.2 0.4 0.5 3 15 29 59 62 6a) 350〇C 1 1.03 1.56 1.78 1.31 1.68 1.51 0.99 400°C 1 1.03 2.21 2.43 2.62 2.51 2.27 1.06 Pt量 0 0.2 0.3 2.5 14.5 28.5 58.5 61.5 表 0.5 Pt+Mn 量 0.5 0.7 0.8 3 15 29 59 62 6fa) 350°C 1 1.01 1.46 1.77 1.97 1.9 1.74 1 400°C 1 1.01 1.98 2.42 2.73 2.71 2.5 1.06 PtS 0 0.2 0.3 2 14 28 58 61 表 1 Pt+Mn 量 1 1.2 1.3 3 15 29 59 62 6c) 350°C 1 1.01 1.45 1.76 2.07 1.96 1.84 1.04 400°C 1 1.01 1.91 2.4 2.9 2.81 2.61 1.1 Pt量 0 0.2 0.3 2 13 27 57 60 表 2 Pt+Mn 量 2 2.2 2.3 4 15 29 59 62 6d) 350°C 1 1.01 1,44 1.76 2.17 2.06 1.98 1.06 400°C 1 1.01 1.9 2.39 3.13 2.98 2.81 1.12 Pt量 0 0.2 0.3 2 10 24 54 57 表 5 Pt+Mn 量 5 5.2 5.3 7 15 29 59 62 7a) 350°C 1 1.01 1.43 1.7 2.16 1.98 1.86 1.05 400°C 1 1.01 1.89 2.21 3.04 2.92 2.73 1.11 表 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 21 51 54 7b) 8 Pt+Mn 量 8 8.2 8.3 10 15 29 59 62 350°C 1 1.01 1.39 1.6 1.8 1.69 1.59 1.02 400°C 1 1.01 1.8 2.09 2.6 2.38 2.27 1.07 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 17 47 50 表 12 Pt+Mn 量 12 12.2 12.3 14 19 29 59 62 7c) 350°C 1 1.01 1.38 1.51 1.6 1.58 1.47 1 400°C 1 1.01 1.77 2 11 2.17 2 1.02 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 10 40 43 表 19 Pt+Mn 量 19 19.2 19.3 21 26 29 59 62 7d) 350°C 1 1 1.36 1.41 1.52 1.44 1.33 0.94 400°C 1 1 1.71 1.8 1.95 1.87 1.71 0.99 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 10 37 40 表 22 Pt+Mn 量 22 22.2 22.3 24 29 32 59 62 8a) 350°C 1 0.99 1.1 1.11 1.13 1.1 1.01 0.86 400°C 1 0.99 1.16 1.19 1.21 1.2 0.99 1.01 ---------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 82 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 __ B7 五、發明說明) 表9b) Μη量 1 2 3 4 5 6 7 8 Pt量 0 0.2 0.3 3 15 29 59 62 表 Pt+Mn 量 0 0.2 0.3 3 15 29 59 62 5d) 0 350°C 1 1.02 1,44 1.52 1.61 1.54 1.46 0.98 400°C 1 1.02 1.92 1.99 2.45 2.21 1.95 1.05 Pt量 0 0.2 0.3 2.8 14.8 28.8 58.8 61.8 表 Pt+Mn S 0.2 0.4 0.5 3 15 29 59 62 6a) 0.2 350°C 1 1.03 1.56 1.78 1.81 1.68 1.51 0,99 400°C 1 1.03 2.21 2.43 2.62 2.51 2.27 1.06 Pt量 0 0.2 0.3 2.5 14.5 28.5 58.5 61.5 表 Pt+Mn S 0.5 0.7 0.8 3 15 29 59 62 6b) 0.5 350°C 1 1.01 1.46 1.77 1.97 1.9 1.74 1 400°C 1 1.01 1.98 2.42 2.73 2.71 2.5 1.06 Pt量 0 0.2 0.3 2 14 28 58 61 表 Pt+Mn 量 1 1.2 1.3 3 15 29 59 62 6c) 1 350°C 1 1.01 1.45 1.76 2.07 1.96 1.84 1.04 400°C 1 1.01 1.91 2.4 2.9 2.81 2.61 1.1 Pt量 0 0.2 0.3 2 13 27 57 60 表 Pt+Mn 量 2 2.2 2.3 4 15 29 59 62 6d) 2 350°C 1 1.01 1.44 1.76 2.17 2.06 1.98 1.06 400°C 1 1.01 1.9 2.39 3.13 2.98 2.81 1.12 Pt量 0 0.2 0.3 2 10 24 54 57 表 Pt+Mn 量 5 5.2 5.3 7 15 29 59 62 7a) 5 350°C 1 1.01 1.43 1.7 2.16 1.98 1.86 1.05 400°C 1 1‘01 1.89 2.21 3.04 2.92 2.73 1.11 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 21 51 54 表 Pt十Μη量 8 8.2 8.3 10 15 29 59 62 7b) 8 350°C 1 1.01 1.39 1.6 1.8 1.69 1.59 1.02 400°C 1 1.01 1.8 2.09 2.6 2.38 2.27 1.07 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 17 47 50 表 Pt+Mn 量 12 12.2 12.3 14 19 29 59 62 7c) 12 350°C 1 1.01 1.38 1.51 1.6 1.58 1.47 1 400°C 1 1.01 1.77 2 2.2 2.17 2 1.02 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 10 40 43 表 Pt+Mn 量 19 19.2 19.3 21 26 29 59 62 Id) 19 350°C 1 1 1.36 1.41 1.52 1.44 1.33 0.94 400°C 1 1 1.71 1.8 1.95 1.87 1.71 0.99 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 10 37 40 表 Pt+Mn 量 22 22.2 22.3 24 29 32 59 62 8a) 22 350°C 1 0.99 1.1 1.11 1.13 1.1 1.01 0.86 400°C 1 0.99 1.16 1.19 1.21 1.2 0.99 1.01 --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 83 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 B7 五、發明說明(p) 表10 (Ta=0, N=0) Μη量 Pt量 0 0.2 0.3 3 15 29 59 62 添加元素總量 0 0.2 0.3 3 15 29 59 62 0 350°C 98 98 99 113 127 147 196 196 400°C 88 88 89 101 115 132 176 176 Pt量 0 0.2 0.3 2.5 14.5 28.5 58.5 61.5 添加元素總量 0.5 0.7 0.8 3 15 29 59 62 0.5 350°C 97 97 98 112 126 146 194 194 400°C 87 87 88 100 114 131 175 175 Pt量 0 0.2 0.3 2 14 28 58 61 添加元素總量 1 1.2 1.3 3 15 29 59 62 1 350°C 93 93 94 107 121 140 186 186 400°C 84 84 85 96 109 126 168 168 Pt量 0 0.2 0.3 2 10 24 54 57 添加元素總量 5 5.2 5.3 7 15 29 59 62 5 350°C 88 88 89 101 115 132 176 176 400°C 79 79 80 91 103 119 159 159 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 21 51 54 添加元素總量 8 8.2 8.3 10 15 29 59 62 8 350°C 93 93 94 107 121 140 186 186 400°C 84 84 85 96 109 126 168 168 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 10 40 43 添加元素總量 19 19.2 19.3 21 26 29 59 62 19 350°C 96 96 97 110 125 144 192 192 400°C 86 86 87 99 112 130 173 173 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 10 37 40 添加元素總量 22 22.2 22.3 24 29 32 59 62 22 350°C 100 100 101 115 130 150 200 200 400°C 90 90 91 103 117 135 180 180 --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 550842 ___B7 五、發明說明(S ) 表(丁3二1, N=0) Μη 5 Pts 0 0.2 0.3 3 15 29 59 62 添加元素總量 1 1.2 1.3 4 16 30 60 63 0 350°C 99 99 100 114 129 149 198 198 400°C 89 89 90 102 116 134 178 178 Pt量 0 0.2 0.3 2.5 14.5 28.5 58.5 61.5 添加元素總量 1.5 1.7 1.8 4 16 30 60 63 0.5 350°C 98 98 99 113 127 147 196 196 400°C 88 88 89 101 115 132 176 176 Pt a 0 0.2 0.3 2 14 28 58 61 添加元素總量 2 2.2 2.3 4 16 30 60 63 1 350°C 94 94 95 108 122 141 188 188 400°C 85 85 85 97 110 127 169 169 Pt量 0 0.2 0.3 2 10 24 54 57 添加兀素總里 6 6.2 6.3 8 16 30 60 63 5 350°C 89 89 90 102 116 134 178 178 400°C 80 80 81 92 104 120 160 160 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 21 51 54 添加元素總量 9 9.2 9.3 11 16 30 60 63 8 350°C 94 94 95 108 122 141 188 188 400°C 85 85 85 97 110 127 169 169 Pt量 0 0.2 0,3 2 7 10 40 43 添加元素總量 20 20.2 20.3 22 27 30 60 63 19 350°C 97 97 98 112 126 146 194 194 400°C 87 87 88 100 114 131 175 175 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 10 37 40 添加元素總量 23 23.2 23.3 25 30 33 60 63 22 350°C 101 101 102 116 131 151 202 202 400°C 91 91 92 105 118 136 182 182 -----------IMW--------訂---------緯籲 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 85 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 550842 _JB7 五、發明說明(外) 表 12 (Ta=15, N=0) Μη量 pta 0 0.2 0.3 3 15 29 59 62 添加元素總量 15 15.2 15.3 18 30 44 74 77 0 350°C 58 58 59 67 75 87 一 一 400°C 52 52 53 60 68 78 一 一 Pt量 0 0.2 : 0.3 2.5 14.5 28.5 58.5 61.5 添加元素總量 15.5 15.7 15.8 18 30 44 74 77 0.5 350°C 57 57 58 66 75 86 一 一 400°C 52 52 52 59 67 78 — 一 Pi 0 0.2 0.3 2 14 28 58 61 添加元素總量 16 16.2 16.3 18 30 44 74 77 1 350°C 55 55 56 63 72 83 一 一 400°C 50 50 50 57 64 74 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 10 24 54 57 添加元素總量 20 20.2 20.3 22 30 44 74 77 5 350°C 52 52 53 60 68 78 一 — 400°C 47 47 47 54 61 70 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 21 51 54 添加元素總量 23 23.2 23.3 25 30 44 74 77 8 350°C 55 55 56 63 72 83 一 一 400°C 50 50 50 57 64 74 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 10 40 43 添加元素總量 34 34.2 34.3 36 41 44 74 77 19 350°C 57 57 57 65 74 85 一 一 400°C 51 51 52 59 67 77 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 10 37 40 添加元素總量 37 37.2 37.3 39 44 47 74 77 22 350°C 59 59 60 68 77 89 一 一 400°C 53 53 54 61 69 80 一 一 ----1-------.ΜΨ------- —訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 86 私紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 550842 _B7 五、發明說明(& ) 表13 (Ta=29, N=0) Μπ量 PtM 0 0.2 0.3 3 15 29 59 62 添加元素總量 29 29.2 29.3 32 44 58 88 91 0 350°C 22 22 22 25 29 33 一 一 400°C 20 20 20 23 26 30 — 一 Pt量 0 0.2 0.3 2.5 14.5 28.5 58.5 61.5 添加元素總量 29.5 29.7 29.8 32 44 58 88 91 0.5 350°C 22 22 22 25 28 33 一 一 400°C 20 20 20 23 25 29 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 14 28 58 61 添加元素總量 30 30.2 30.3 32 44 58 88 91 1 350°C 21 21 21 24 27 31 一 一 400°C 19 19 19 22 24 28 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 10 24 54 57 添加元素總量 34 34.2 34.3 36 44 58 88 91 5 350°C 20 20 20 23 26 30 一 一 400°C 18 18 18 20 23 27 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 21 51 54 添加元素總量 37 37.2 37.3 39 44 58 88 91 8 350°C 21 21 21 24 27 31 一 一 400°C 19 19 19 22 24 28 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 10 40 43 添加元素總量 48 48.2 48.3 50 55 58 88 91 19 350°C 22 22 22 25 28 32 一 一 400°C 19 19 20 22 25 29 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 10 37 40 添加元素總量 51 51.2 51.3 53 58 61 88 91 22 350°C 22 22 23 26 29 34 一 一 400°C 20 20 20 23 26 30 — 一 -----------Amw--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 87 $纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐) 550842 A7 B7 五、發明說明(扎) 表14 (Ta=31,N=0) Μπ量 Pt量 0 0.2 0.3 3 15 29 59 62 添加元素總量 31 31.2 31.3 34 46 60 90 93 0 350°C 18 18 18 21 23 27 一 一 400°C 16 16 16 19 21 24 一 一 Pt S 0 0.2 0.3 2.5 14.5 28.5 58.5 61.5 添加元素總量 31.5 31.7 31.8 34 46 60 90 93 0.5 350°C 18 18 18 20 23 27 一 一 400°C 16 16 16 18 21 24 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 14 28 58 61 添加元素總量 32 322 32.3 34 46 60 90 93 1 350°C 17 17 17 20 22 26 一 一 400°C 15 15 16 18 20 23 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 10 24 54 57 添加元素總量 36 36.2 36.3 38 46 60 90 93 5 350°C 16 16 16 19 21 24 一 一 400°C 15 15 15 17 19 22 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 21 51 54 添加元素總量 39 39.2 39.3 41 46 60 90 93 8 350°C 17 17 17 20 22 26 一 一 400°C 15 15 16 18 20 23 一 — Pt量 0 0.2 0.3 2 7 10 40 43 添加元素總量 50 50,2 50.3 52 57 60 90 93 19 350°C 18 18 18 20 23 26 — — 400°C 16 16 16 18 21 24 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 10 37 40 添加元素總量 53 53.2 53.3 55 60 63 90 93 22 350°C 18 18 19 21 24 28 一 一 400°C 17 17 17 19 21 25 一 一 -------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 B7 五、發明說明(:]) 表Ί5 (Ta = 0, N = 1) Mn S Pt量 0 0.2 0.3 3 15 29 59 62 添加元素總量 1 1.2 1.3 4 16 30 60 63 0 350°C 101 101 102 116 131 152 202 202 400°C 91 91 92 105 118 136 182 182 Pt量 0 0.2 0.3 2.5 14.5 28.5 58.5 61.5 添加元素總量 1.5 1.7 1.8 4 16 30 60 63 0.5 350°C 100 100 101 115 130 150 200 200 400°C 90 90 91 103 117 135 180 180 Pt量 0 0.2 0.3 2 14 28 58 61 添加元素總量 2 2.2 2.3 4 16 30 60 63 1 350°C 96 96 97 110 125 144 192 192 400°C 86 86 87 99 112 130 173 173 Pt量 0 0.2 0.3 2 10 24 54 57 添加元素總量 6 62 6.3 8 16 30 60 63 5 350°C 91 91 92 105 118 136 182 182 400°C 82 82 83 94 106 123 164 164 Pt量 0 0.2 0,3 2 7 21 51 54 添加元素總量 9 9.2 9.3 11 16 30 60 63 8 350°C 96 96 97 110 125 144 192 192 400°C 86 86 87 99 112 130 173 173 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 10 40 43 添加元素總量 20 20.2 20.3 22 27 30 60 63 19 350°C 99 99 100 114 129 148 198 198 400°C 89 89 90 102 116 134 178 178 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 10 37 40 添加元素總量 23 23.2 23.3 25 30 33 60 63 22 350°C 103 103 104 118 134 155 206 206 400°C 93 93 94 107 121 139 185 185 -------------------訂---------4# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 五、發明說明(汊) 表 16 (Ta=0, N=10) Μη量 Pt S 0 0.2 0.3 3 15 29 59 62 添加元素總量 10 10.2 10.3 13 25 39 69 72 0 350°C 62 62 63 71 81 93 一 一 400°C 56 56 56 64 73 84 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2.5 14.5 28.5 58.5 61.5 添加元素總量 10.5 10.7 10.8 13 25 39 69 72 0.5 350°C 61 61 62 71 80 92 一 一 400°C 55 55 56 64 72 83 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 14 28 58 61 添加元素總量 11 11.2 11.3 13 25 39 69 72 1 350°C 59 59 59 68 77 88 一 一 400°C 53 53 54 61 69 80 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 10 24 54 57 添加元素總量 15 15.2 15.3 17 25 39 69 72 5 350°C 56 56 56 64 73 84 一 一 400°C 50 50 51 58 65 75 一 一 Pt量 0 0.2 0,3 2 7 21 51 54 添加元素總量 18 18.2 18.3 20 25 39 69 72 8 350°C 59 59 59 68 ΊΊ 88 一 一 400°C 53 53 54 61 69 80 一 一 PtS 0 0.2 0.3 2 7 10 40 43 添加元素總量 29 29.2 29.3 31 36 39 69 72 19 350°C 61 61 61 70 79 91 一 一 400°C 55 55 55 63 71 82 — 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 10 37 40 添加元素總量 32 32.2 32.3 34 39 42 69 72 22 350°C 63 63 64 73 82 95 一 一 400°C 57 57 57 65 74 85 一 一 -------------------訂--------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 ____ B7 五、發明說明() 表 π (Ta=0, N=19) Μη量 pta 0 0.2 0.3 3 15 29 59 62 添加元素總量 19 19.2 19.3 22 34 48 78 81 0 350°C 25 25 25 29 33 38 一 一 400°C 23 23 23 26 29 34 一 一 PtS 0 0.2 0.3 2.5 14.5 28.5 58.5 61.5 添加元素總量 19.5 19.7 19.8 22 34 48 78 81 0.5 350°C 25 25 25 28 32 37 一 一 400°C 22 22 22 26 29 33 一 一 Pi 0 0.2 0.3 2 14 28 58 61 添加元素總量 20 20.2 20.3 22 34 48 78 81 1 350°C 24 24 24 27 31 36 一 一 400°C 21 21 22 25 28 32 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 10 24 54 57 添加元素總量 24 24.2 24.3 26 34 48 78 81 5 350°C 23 23 23 26 29 34 一 一 400°C 20 20 20 23 26 30 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 21 51 54 添加元素總量 27 27.2 27.3 29 34 48 78 81 8 350°C 24 24 24 27 31 36 一 一 400°C 21 21 22 25 28 32 一 一 Pt量 0 0.2 0,3 2 7 10 40 43 添加元素總量 38 38.2 38.3 40 45 48 78 81 19 350°C 25 25 25 28 32 37 一 一 400°C 22 22 22 25 29 33 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 10 37 40 添加元素總量 41 41.2 41.3 43 48 51 78 81 22 350°C 26 26 26 29 33 38 一 一 400°C 23 23 23 26 30 34 一 一 ------------’番--------訂---------MW (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 550842 __ B7 五、發明說明(7。) 表18 (Ta = 0. N = 21) Μη量 pta 0 0.2 0.3 3 15 29 59 62 添加元素總量 21 21.2 21.3 24 36 50 80 83 0 350°C 21 21 21 24 27 32 — 一 400°C 19 19 19 22 25 28 一 — Pt量 0 0.2 0.3 2.5 14.5 28.5 58.5 61.5 添加元素總量 21.5 21.7 21.8 24 36 50 80 83 0.5 350°C 21 21 21 24 27 31 一 一 400°C 19 19 19 22 24 28 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 14 28 58 61 添加元素總量 22 22.2 22.3 24 36 50 80 83 1 350°C 20 20 20 23 26 30 一 一 400¾ 18 18 18 21 23 27 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 10 24 54 57 添加元素總量 26 26.2 26.3 28 36 50 80 83 5 350°C 19 19 19 22 25 28 一 一 400°C 17 17 17 20 22 26 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 21 51 54 添加元素總量 29 29.2 29.3 31 36 50 80 83 8 350°C 20 20 20 23 26 30 一 一 400°C 18 18 18 21 23 27 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 10 40 43 添加元素總量 40 40.2 40.3 42 47 50 80 83 19 350°C 21 21 21 24 27 31 一 一 400°C 19 19 19 21 24 28 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 10 37 40 添加元素總量 43 43.2 43.3 45 50 53 80 83 22 350°C 21 21 22 25 28 32 一 一 400°C 19 19 19 22 25 29 一 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------IT-------- 92 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公爱) 550842 A7 B7 五、發明說明(y) 表 19 (Ta = 3, N = 2) Μπ量 Pt量 0 0.2 0.3 3 15 29 59 62 添加元素總量 5 5.2 5.3 8 20 34 64 67 0 350°C 79 79 80 91 103 119 158 158 400°C 71 71 72 82 92 107 142 142 Pt量 0 0.2 0.3 2.5 14.5 28.5 58.5 61.5 添加元素總量 5.5 5.7 5.8 8 20 34 64 67 0.5 350°C 78 78 79 90 102 117 156 156 400°C 70 70 71 81 92 106 141 141 Pt S 0 0.2 0.3 2 14 28 58 61 添加元素總量 6 6.2 6.3 8 20 34 64 67 1 350°C 75 75 76 86 98 113 150 150 400°C 68 68 68 78 88 101 135 135 Pt量 0 0.2 0.3 2 10 24 54 57 添加元素總量 10 10.2 10,3 12 20 34 64 67 5 350°C 71 71 72 82 92 107 142 142 400°C 64 64 65 74 83 96 128 128 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 21 51 54 添加元素總量 13 13.2 13.3 15 20 34 64 67 8 350°C 75 75 76 86 98 113 150 150 400°C 68 68 68 78 88 101 135 135 Pt董 0 0.2 0.3 2 7 10 40 43 添加元素總量 24 24.2 24.3 26 31 34 64 67 19 350°C 77 77 78 89 101 116 155 155 400°C 70 70 70 80 91 105 139 139 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 10 37 40 添加元素總量 27 27.2 27.3 29 34 37 64 67 22 350°C 81 81 81 93 105 121 161 161 400°C 73 73 73 83 94 109 145 145 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 B7 五、發明說明( 表 20 (Ta=14, N=7) Mn S Pt5 0 0.2 0.3 3 15 29 59 62 添加元素總量 21 21.2 21.3 24 36 50 80 83 0 350°C 38 38 38 44 49 5Ί 一 一 400°C 34 34 35 39 44 51 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2.5 14.5 28.5 58.5 61.5 添加兀素總量 21.5 21.7 21.8 24 36 50 80 83 0.5 350°C 38 38 38 43 49 56 一 一 400°C 34 34 34 39 44 51 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 14 28 58 61 添加元素總量 22 22.2 22.3 24 36 50 80 83 1 350°C 36 36 36 42 47 54 一 一 400°C 32 32 33 37 42 49 一 — Pt量 0 0.2 0.3 2 10 . 24 54 57 添加元素總量 26 26.2 26.3 28 36 50 80 83 5 350°C 34 34 35 39 44 51 一 一 400°C 31 31 31 35 40 46 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 21 51 54 添加元素總量 29 29.2 29.3 31 36 50 80 83 8 350°C 36 36 36 42 47 54 一 一 400°C 32 32 33 37 42 49 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 10 40 43 添加元素總量 40 40.2 40.3 42 47 50 80 83 19 350°C 37 37 38 43 48 56 一 一 400°C 34 34 34 39 44 50 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 10 37 40 添加元素總量 43 43.2 43.3 45 50 53 80 83 22 350°C 39 39 39 45 50 58 一 一 400°C 35 35 35 40 45 52 一 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 曹--------J---------§, 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 Δ7 Α7 Β7 五、發明說明(θ) 表21 (Ta = 29, N=19) Μη量 Pt量 0 0.2 0.3 3 15 29 59 62 添加元素總量 48 48.2 48.3 51 63 77 107 110 0 350°C 5 5 5 6 7 一 一 一 400°C 5 5 5 5 6 一 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2.5 14.5 28.5 58.5 61.5 添加元素總量 48.5 48,7 48.8 51 63 77 107 110 0.5 350°C 5 5 5 6 δ 一 一 一 400°C 4 4 4 5 6 一 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 14 28 58 61 添加元素總量 49 49.2 49.3 51 63 77 107 110 1 350°C 5 5 5 5 6 一 一 一 400°C 4 4 4 5 6 一 — 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 10 24 54 57 添加元素總量 53 53.2 53.3 55 63 77 107 110 5 350°C 5 5 5 5 6 一 一 一 400°C 4 4 4 5 5 一 — 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 21 51 54 添加元素總量 56 56.2 56.3 58 63 77 107 110 8 350°C 5 5 5 5 6 — 一 一 400°C 4 4 4 5 6 一 — 一 Pt置 0 0.2 0.3 2 7 10 40 43 添加元素總量 67 67.2 67.3 69 74 77 107 110 19 350°C 5 5 5 6 一 一 一 一 400°C 4 4 4 5 一 一 一 — Pt 4 0 0.2 0.3 2 7 10 37 40 添加元素總量 70 70.2 70.3 72 77 80 107 110 22 350°C 5 5 5 400°C 5 5 5 ---------------I---訂--------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A7 _B7五、發明說明(艸)
表 22 (Ta=31, N=21) Μη量 Pt量 0 0.2 0,3 3 15 29 59 62 添加元素總量 52 52.2 52.3 55 67 81 111 114 0 350°C 5 5 5 5 6 一 一 一 400°C 4 4 4 5 5 一 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2.5 14.5 28.5 58.5 61.5 添加元素總量 52.5 52.7 52.8 55 67 81 111 114 0.5 350°C 4 4 4 5 6 一 一 一 400°C 4 4 4 5 5 一 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 14 28 58 61 添加元素總量 53 53.2 53.3 55 67 81 111 114 1 350°C 4 4 4 5 6 一 一 一 400°C 4 4 4 4 5 一 一 一 Pt畳 0 0.2 0.3 2 10 24 54 57 添加元素總量 57 57.2 57.3 59 67 81 111 114 5 350°C 4 4 4 5 5 一 一 一 400。。 4 4 4 4 5 一 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 21 51 54 添加元素總量 60 60.2 60.3 62 67 81 111 114 8 350°C 4 4 4 5 6 一 一 一 400°C 4 4 4 4 5 一 一 一 Pt量 0 0.2 0.3 2 7 10 40 43 添加元素總量 71 71.2 71.3 73 78 81 111 114 19 350°C 400°C Pt置 0 0.2 0.3 2 7 10 37 40 添加元素總量 74 74.2 74.3 76 81 84 111 114 22 350°C 400°C 96 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
Claims (1)
- 550842 頜 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項存填寫本買) 1 ·一種磁阻元件,係包含基板與形成於前述基板上之 多層膜’前述多層膜包含一對鐵磁性層、以及夾在前述一 對鐵磁性層之間的非磁性層,其阻抗値會依前述一對鐵磁 性層之磁化方向所形成之相對角度而有不同,其特徵在於 前述基板與前述多層膜係以包含330°c以上之熱處理 製程的方法所製造; 於厚度方向均等分割前述非磁性層所決定之中心線起 ’到前述一對鐵磁性層與非磁性層間之界面的最長距離在 20nm以下; 此處,前述最長距離,係從長度爲50nm的10條中心 線之各條所決定之到上述界面之最長距離,除去最大値與 最小値之外取8個最長距離,然後取上述8個最長距離之 平均値所決定。 ^ 2 ·如申請專利範圍第1項之磁阻元件,其中,前述基 板爲早結晶基板。 3 ·如申請專利範圍第1項之磁阻元件,其中,前述莽 磁性層爲穿隧絕緣層。 4 ·如申請專利範圍第1項之磁阻元件,其中,前述多 層膜進一步包含一對電極,此一對電極係配置成挾持一對 鐵磁性層。 5 ·如申請專利範圍第1項之磁阻元件,其中,前述最 長距離在3nm以下。 6 ·如申請專利範圍第1項之磁阻元件,其中,從前述 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 550842 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 界面之至少一方起朝前述非磁性層之相反側前進2nm之範 圍內之組成,係由式(FexCoyNizhN^qN^rlV^sAt所表示; 其中,M1 爲選自 Tc、Re、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt 、Cu、Ag以及Au中之至少一種元素,M2爲選自Mn以及 Cr中之至少一種之元素,μ3爲選自Ti、Zr、Hf、V、Nb 、Ta、Mo、W、A1、Si、Ga、Ge、In 以及 Sn 中之至少一^ 種之元素,A爲選自B、C、N、0、P以及S中之至少一 種之元素,x、y、z'p、q、r、s以及t係分別滿足 100,100,100,X+y+Z=l〇〇,4〇$衫 99 7, 0.3 $ q $ 60,0 ^ r $ 20, p+q+r+s+t=100 之値。 7 ·如申請專利範圍第( p+q+r=100。 8 ·如申請專利範圍第’ p+q+=100 。 9 ·如申請專利範圍第1項之磁阻元件,_ + 進一步包含反鐵磁性層。 10 ·如申請專利範圍第9項之磁阻元件, 性層與反鐵磁性層之距離在3nm以上50nm以> 11 · 一種磁阻元件,係包含基板與形成於>、、 之多層膜,前述多層膜包含一對鐵磁性層、以基板上 一對鐵磁性層之間的非磁性層,其阻抗値會依断夹在前述 磁性層之磁化方向所形成之相對角度而有不_ —對鐵 於: ^ s ~ 30,0 ^ t ^ 20 ^ 項之紐阻7^件,其中, 項之磁阻元件 其中 多層膜 其中,非磁 其特徵在 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 、-ί·σ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) L88892 ABCD 550842 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 前述基板與前述多層膜係以包含330°C以上之熱處理 製程的方法所製造;; 從前述界面之至少一方起朝前述非磁性層之相反側前 進 2nm之範圍內之組成,係由式(FexCoyNiz) ρΜ、Μ2ι:Μ35Αΐ:所表示; 其中,Mi 爲選自 Tc、Re、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt 、Cu、Ag以及Au中之至少一種元素,M2爲選自Mn以及 Cr中之至少一種之元素,M3爲選自Ti、Zr、Hf、V、Nb 、Ta、M〇、W、A卜 Si、Ga、Ge、In 以及 Sn 中之至少一 種之元素,A爲選自B、c、N、0、.P以及S中之至少一 種之元素,x、y、z、p、q、r、s以及t係分別滿足 100,〇‘y‘100,OSzglOO,x+y+z=100,40 $ p g 99.7, 0.3 S q $ 60 ’ 0 ‘ r ‘ 20 ’ 0 ‘ s ^ 30 ’ 0 ^ 1 ^ 20, p+q+r+s+t==l〇〇 之値。 12 •—種磁阻元件之製造方法,該磁阻元件包含基板 與形成於前述基板上之多層膜’前述多層膜包含一對鐵磁 性層、以及夾在前述一對鐵磁性層之間的非fe性層’其阻 抗値會依前述一對鐵磁性層之磁化方向所形成之相對角度 而有不同,其特徵在於,包含: 在前述基板上,形成除了前述鐵磁性層及前述非磁性 層以外之前述多層膜的一部分’來作爲底膜之製程; 以4〇〇°C以上對前述底膜進行熱處理之製程; 對前述底膜表面照射離子束以減低前述表面粗度之製 程; 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210>< 297公釐) 550842 A8B8C8D8 申%專利範圍 在前述表面上,形成包含前述鐵磁性層及前述非磁性 層之前述多層膜之殘餘部之製程;以及 _ 33(TC以上對前述基板及前述多層膜進行熱處理之 製_ 其 •如申請專利範圍第12項之磁阻元件之製造方法’ :子束對底膜表面之照射,其入射角爲5°以上25 其中 正 章人 如申請專利範圍第12項之磁阻元件之製造方法’ 形成下部電極及上部電極以作爲多層膜之一部分 前1卞部電極包含於前述底膜中 適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001192217 | 2001-06-26 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW550842B true TW550842B (en) | 2003-09-01 |
Family
ID=19030702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW091113850A TW550842B (en) | 2001-06-26 | 2002-06-25 | Magnetic resistance element and its manufacturing method |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040086752A1 (zh) |
EP (1) | EP1401031A1 (zh) |
CN (1) | CN1498429A (zh) |
TW (1) | TW550842B (zh) |
WO (1) | WO2003001614A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8540852B2 (en) | 2005-09-13 | 2013-09-24 | Canon Anelva Corporation | Method and apparatus for manufacturing magnetoresistive devices |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005031838A1 (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-07 | Japan Aviation Electronics Industry Limited | 固体表面の平坦化方法及びその装置 |
CN100440450C (zh) * | 2003-09-30 | 2008-12-03 | 日本航空电子工业株式会社 | 固体表面平坦化方法及其装置 |
DE602006020866D1 (de) * | 2005-05-20 | 2011-05-05 | Japan Aviation Electron | Verfahren zur verflachung einer festkörperoberfläche |
JP4385043B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2009-12-16 | Tdk株式会社 | 磁性膜の製造方法及び磁性膜 |
US8174800B2 (en) * | 2007-05-07 | 2012-05-08 | Canon Anelva Corporation | Magnetoresistive element, method of manufacturing the same, and magnetic multilayered film manufacturing apparatus |
JP4593601B2 (ja) * | 2007-08-03 | 2010-12-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | 汚染物質除去方法、半導体製造方法、及び薄膜形成加工装置 |
EP2323189B1 (en) * | 2008-09-12 | 2019-01-30 | Hitachi Metals, Ltd. | Use of a self-pinned spin valve magnetoresistance effect film |
JPWO2018100837A1 (ja) * | 2016-12-02 | 2019-10-17 | Tdk株式会社 | 磁化反転素子、磁気抵抗効果素子、集積素子及び集積素子の製造方法 |
JP7352363B2 (ja) * | 2018-03-16 | 2023-09-28 | 日東電工株式会社 | 磁性配線回路基板およびその製造方法 |
EP3588591A1 (en) * | 2018-06-25 | 2020-01-01 | Deutsches Elektronen-Synchrotron DESY | A multilayer device having an improved antiferromagnetic pinning layer and a corresponding manufacturing method thereof |
CN109888088B (zh) * | 2019-03-01 | 2021-05-28 | 西安交通大学 | 一种磁阻传感器结构及其制造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5736434A (en) * | 1980-08-13 | 1982-02-27 | Sekisui Chem Co Ltd | Magnetic recording medium and its production |
JP3347534B2 (ja) * | 1995-07-07 | 2002-11-20 | アルプス電気株式会社 | 磁気抵抗効果多層膜 |
US5648885A (en) * | 1995-08-31 | 1997-07-15 | Hitachi, Ltd. | Giant magnetoresistive effect sensor, particularly having a multilayered magnetic thin film layer |
US6535362B2 (en) * | 1996-11-28 | 2003-03-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive device having a highly smooth metal reflective layer |
US6245450B1 (en) * | 1997-11-17 | 2001-06-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Exchange coupling film magnetoresistance effect device magnetoresistance effective head and method for producing magnetoresistance effect device |
JP2000091665A (ja) * | 1998-09-09 | 2000-03-31 | Nec Corp | 磁気抵抗効果膜及びその製造方法 |
JP3235572B2 (ja) * | 1998-09-18 | 2001-12-04 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果素子,磁気抵抗効果センサ及びそれらを利用したシステム |
US6613240B2 (en) * | 1999-12-06 | 2003-09-02 | Epion Corporation | Method and apparatus for smoothing thin conductive films by gas cluster ion beam |
US6853520B2 (en) * | 2000-09-05 | 2005-02-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect element |
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-
2002
- 2002-06-25 EP EP02738796A patent/EP1401031A1/en not_active Withdrawn
- 2002-06-25 TW TW091113850A patent/TW550842B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-06-25 WO PCT/JP2002/006344 patent/WO2003001614A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2002-06-25 CN CNA02806836XA patent/CN1498429A/zh active Pending
-
2003
- 2003-10-24 US US10/693,283 patent/US20040086752A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2003001614A1 (fr) | 2003-01-03 |
US20040086752A1 (en) | 2004-05-06 |
EP1401031A1 (en) | 2004-03-24 |
CN1498429A (zh) | 2004-05-19 |
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---|---|---|---|
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