CN1498429A - 磁阻元件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明是提供磁阻特性比现有优越的磁阻元件,通过包含在330℃以上的热处理工序的方法制造、而且从非磁性层的中心线到一对强磁性层和所述非磁性层之间的界面的最长距离为10nm以下。该元件例如在基板上作底膜,将该底膜在400℃以上进行热处理,在该底膜的表面上照射离子束而降低表面粗糙度,在其后,可以形成所述强磁性层以及所述非磁性层。在距非磁性层的界面2nm范围的强磁性层内,若添加M1(从Tc、Re、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Ag以及Au中选择的至少1种元素),所述最长距离相对地降低。

Description

磁阻元件及其制造方法
技术领域
本发明涉及硬盘驱动器(HDD)等的磁记录用磁头或磁随机存取存储器(MRAM)的磁阻元件及其制造方法。
背景技术
如果在作为基本结构而含有强磁性层/非磁性层/强磁性层的多层膜上按照将非磁性层横切的方式使电流流过,可以得到磁阻效果。使用隧道绝缘层作为非磁性层或使用铜等的导电性金属作为非磁性层的话,可以分别得到回旋隧道效应和CPP(电流垂直于面:CurrentPerpendicular to the Plane)GMR(巨磁电阻)效应。任何一个磁阻效应(MR效应)都依存于夹着非磁性层的强磁性层的磁化相对角的大小,其原由被分别解释为前者是由于在两磁性层之间流的隧道电子的迁移概率是与磁化相对角相对应而变化的,而后者是依存旋转的散射发生了变化。
将磁阻元件装置化时,特别是在用于MRAM(磁随机存取存储器)等的磁存储器时,从成本、集成度的角度看,需要现有的Si半导体和集成化。
在Si半导体的工艺中,为了除去配线缺陷,在高温下进行热处理。该热处理在例如温度为400℃-450℃左右的氢中进行。但是磁阻元件若进行300℃-350℃以上的热处理,MR特性就会变坏。
也有在半导体元件形成后再做进磁阻元件的方案。但是,如果按照该方案的话,为向磁阻元件加磁场的配线等则必须在制作磁阻元件后再作。因此,如果不进行热处理的话,配线阻抗还是会发生偏差,而使元件的可靠性和稳定性降低。
发明内容
本发明的第一磁阻元件包含基板和在该基板上形成的多层膜,该多层膜包含一对强磁性层和夹在这一对强磁性层之间的非磁性层,磁阻值根据上述一对强磁性层的磁化方向形成的相对角度的不同而不同。该磁阻元件通过包括将基板和多层膜在330℃以上、有时在350℃以上、进而达到400℃以上的温度下进行热处理的工序的方法制造。在该磁阻元件上,按照将非磁性层在厚度方向上等分地分割的方式而确定的中心线到一对强磁性层和非磁性层之间的界面的最长距离R1为20nm以下,优选10nm以下。
但是,最长距离R1,是从根据长度为50nm的10条中心线的每一条而确定的到上述界面的最长距离中,去掉最大值和最小值后确定8个最长距离,进而取上述8个最长距离的平均值而得到。
本发明还提供适于制造上述第一磁阻元件的方法,该制造方法包含:
将除去上述强磁性层以及上述非磁性层的上述多层膜的一部分作为底膜在基板上形成的工序,
将上述底膜在400℃以上进行热处理的工序,
在上述底膜的表面上照射离子束而使该表面平坦的工序,
在上述表面上,形成包括上述强磁性层以及上述非磁性层的上述多层膜的剩余部分,
将上述基板以及上述多层膜在330℃以上,有时在350℃以上,进而400℃以上的温度下进行热处理的工序。
本发明的第二磁阻元件包含基板和在该基板上形成的多层膜,该多层膜包含一对强磁性层和夹在这一对强磁性层之间的非磁性层,磁阻值根据上述一对强磁性层的磁化方向形成的相对角度的不同而不同。该磁阻元件通过包括将基板和多层膜在330℃以上、有时在350℃以上、进而400℃以上的温度下进行热处理的工序的方法制造。另外,该磁阻元件在从一对强磁性层和非磁性层的界面中的至少一个起的2nm的范围内的该强磁性层的组成由式(FexCoyNiz)pM1qM2rM3sAt表示。
其中M1为从Tc、Re、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Ag以及Au中选择的至少1种元素,M2为从Mn以及Cr中选择的至少1种元素,M3为从Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W、Al、Si、Ga、Ge、In以及Sn中选择的至少1种元素,A为从B、C、N、O、P以及S中选择的至少1种元素,x、y、z、p、q、r、s以及t是分别满足0≤x≤100、0≤y≤100、0≤z≤100、x+y+z=100、40≤p≤99.7、0.3≤q≤60、0≤r≤20、0≤s≤30、0≤t≤20、p+q+r+s+t=100的值。
附图说明
图1A-图1C,是为了说明最长距离R1的截面图。
图2是本发明的磁阻元件的一个形态的俯视图。
图3是本发明的磁阻元件的一个形态的截面图。
图4是表示本发明的磁阻元件基本构成的一个例子的截面图。
图5是表示本发明的磁阻元件基本构成的另一个例子的截面图。
图6是表示本发明的磁阻元件基本构成的又一个例子的截面图。
图7是表示本发明的磁阻元件基本构成的再一个例子的截面图。
图8是表示本发明的磁阻元件基本构成的再一个例子的截面图。
图9是表示本发明的磁阻元件基本构成的再一个例子的截面图。
图10是表示本发明的磁阻元件基本构成的再一个例子的截面图。
图11是表示本发明的磁阻元件基本构成的再一个例子的截面图。
图12A-图12D分别为在实施例中制作的磁阻元件一部分的截面图。
具体实施方式
根据实验确认的内容,伴随着在高温下的热处理,非磁性层的界面的平坦性下降,该平坦性与元件的MR特性存在着相关的关系。因此,通过进行作为非磁性层的底的膜的处理以及/或者调整在上述界面附近的组成,使热处理后的非磁性层的界面变得平坦,从而提高了元件的MR特性。
非磁性层的界面的“粗糙”中,对MR特性影响大的是周期比较短的“粗糙”。如图1A所示,在强磁性层13、15和非磁性层14的界面21、22上,存在可以通过大的曲率半径R表示的“起伏”。但是,这种节距长的“起伏”对MR特性没有什么影响。为了更加明确地把握与元件的MR特性的关系,优选评价在长度为50nm左右范围内的界面状态。
如图1B所示,本说明书中,为了把握与MR特性的关系,以将非磁性层14在厚度方向上等分地分割那样而确定的中心线10用作基准线。根据该方法,可以同时评价两个界面21、22的状态。中心线10,具体地地说,是可以根据最小平方法来确定。用该方法,如在图1C中放大表示的那样,中心线10上的点Pi和通过该点而与确定的中心线10垂直的垂线20与界面21的交点Qi之间的距离为PiQi,点Pi与同样地确定的与界面22的交点Ri之间的距离为PiRi。然后在这些距离的平方和相等的条件(∫(PiQi)2dx=∫(PiRi)2dx)下,使∫(PiQi)2dx为最小那样确定中心线10。
这样地确定了中心线10后,与此相对应,求得中心线10与界面21、22之间的最长距离L。在本说明书中为了尽量地排除测定误差,对于任意确定的10条中心线分别确定10个最长距离L,对去掉最大值以及最小值(Lmax、Lmin)后的8个最长距离L,算出平均值,将该平均值作为评价的尺度R1。
上述测定可以根据通过透射电子显微镜(TEM)而得到的截面像而进行。作为简单的评价,可如下进行,也可以将到非磁性层为止而终止成膜的模型膜在减压的气氛下在那个状态下(in-situ)进行热处理,一边保持那样的状态一边通过原子力显微镜(AFM)观察表面形状。
另外,在研究的范围内,利用上述R1的评价,对于把握MR特性和非磁性层的平坦性的关系是最为适合的。但是,依靠根据界面的最小曲率半径而作的评价,可能可以更好地说明上述关系。在现在,用于TEM观察的样本厚度的控制有限度的,所以除去厚度十分薄的部分,界面在厚度方向有重叠倾向。因此,特别是最小曲率半径小的样本上,不能明确地确定最小曲率半径。但是,随着制作用于TEM观察的样本的技术的进步,例如在50-100nm的范围内在10个地方确定最小曲率半径,与上述相同地,那个去掉最大值以及最小值后的8个值的平均值,则有可能提供更加适合的评价标准。
提供用于形成非磁性层和夹持该非磁性层的强磁性层的叠层构造(强磁性层/非磁性层/强磁性层)膜的表面的底膜的状态影响非磁性层的平坦性。在多层膜中具有夹着一对强磁性层的下部电极以及上部电极时,底膜包含下部电极。由于下部电极多为例如100nm-2μm左右那样形成得比较厚,所以该电极为构成至少一部分的底膜则形成得较厚。被厚膜化的底膜的表面平坦性和层内的畸变容易影响在其上面形成的非磁性层的平坦性。
另外,下部电极,不仅限于单层膜,也可是有多个导电膜组成的多层膜。
温度在400℃以上,优选500℃以下,对底膜进行热处理是优选的。通过该热处理,可以减低底膜的畸变。热处理并不作特别的限制,在减压气氛中或在Ar等惰性气体的气氛中进行即可。
在底膜的表面,如以低角度进行离子铣削和照射气体离子聚束,可以抑制该表面的粗糙度。以离子束向底膜表面的入射角为5°~25°那样进行离子束的照射即可。在此,入射角是将与表面相垂直的方位定为90°,而将与表面相平行的方位定为0°。
考虑到由于热处理而引起结晶粒的成长,依靠离子束照射的平坦化处理,可以在热处理后进行。处理离子束的表面作为在其上直接形成强磁性层的面虽然优选,但是经其他层而支承强磁性层的面也可以。
使用单晶基板的话,容易地得到R1低的元件。但是,即使不使用单晶基板,通过离子束向下部电极的照射,也可以得到R1小的元件。
在非磁性层的界面周围的强磁性层的组成也影响非磁性层的平坦性。
具体地说,是在距离一对强磁性层和非磁性层的界面的至少一方的2nm的范围内,优选在4nm的范围内,若使与该界面相接触的强磁性层的组成在利用以下式子表示的范围内,容易得到R1低的磁阻元件。
(FexCoyNiz)pM1qM2rM3sAt
其中M1为从Tc、Re、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Ag以及Au中选择的至少1种元素,优选Ir、Pd、Pt,M2为从Mn以及Cr中选择的至少1种元素,M3为从Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W、Al、Si、Ga、Ge、In以及Sn中选择的至少1种元素,A为从B、C、N、O、P以及S中选择的至少1种元素。
x、y、z、p、q、r、s以及t是分别满足0≤x≤100、0≤y≤100、0≤z≤100、x+y+z=100、40≤p≤99.7、0.3≤q≤60、0≤r≤20、0≤s≤30、0≤t≤20、p+q+r+s+t=100的值。
在以上式子中,也可成立p+q+r=100(s=0,t=0),也可成立p+q=100(进而r=0)。
在与非磁性层的界面周围含有元素M1的话,容易实现小的R1。通过添加元素M1,在330℃以上的热处理后的MR特性与热处理之前相比较,反而提高了。在现阶段,元素M1的作用还不十分明确。但是,由于这些元素对氧等有催化的效果,所以构成非磁性层的非磁性化合物的结合状态通过元素M1而被强化,其结果有可能改善了势垒特性。
元素M1的含有量超过60at%(q>60)的话,强磁性层中作为强磁性体的功能下降,所以MR特性变坏。M1的优选含有量为3-30at%(3≤q≤30)。
元素M2易被氧化,且若被氧化会变成具有磁性的氧化物。元素M2可用于反强磁性层。这样,若通过热处理向与非磁性层的界面周围扩散,在界面附近形成氧化物,有可能使特性变坏。但是,元素M2在20at%(r≤20)以下的话,在与元素M1同时存在的条件下,不会带来MR特性的明显变坏。特别是当元素M2的含有量低于元素M1的含有量时(q>r),MR特性不会变坏,有时反而提高。在与元素M1一起被添加时(q>0,r>0),有可能依靠元素M2提高热处理后的MR特性。
将磁阻元件用于器件上时,除了MR特性外,软磁特性、高频特性等的磁特性也是重要的。在这种情况下,可以适当地在上述范围内添加元素M3和元素A。
若Fe、Co和Ni含有量的合计为40~99.7at%,其比例没有限制。但是在这3种元素都存在时,0<x<100,0<y<100,0<z≤90(特别是0<z≤65)是适宜的。在有Fe和Co两种成分的情况下(z=0),5≤x<100,0<y≤95,是适宜的。在有Fe和Ni两种成分的情况下(y=0),5≤x<100,0<z≤95,是适宜的。
组成的分析可以通过由TEM而作的局部分析而进行。对于非磁性层下方的强磁性层,也可以使用将到非磁性层为止而终止成膜的模型膜进行分析。在这种情况下,在规定温度下对模型膜进行热处理后,通过铣削适当地除去非磁性层,通过奥格光电子光谱、XPS组成分析等的表面分析法测定组成即可。
图2以及图3表示磁阻元件的基本构造。在该元件上,在基板1上按照下部电极2、第一强磁性层3、非磁性层4、第二强磁性层5以及上部电极6的顺序进行层叠。夹着强磁性层/非磁性层/强磁性层的层叠体的一对电极2、6之间,通过层间绝缘膜7进行绝缘。
磁阻元件的膜构成,不仅限于此,如图4-图11所示的那样,也可再加上其他层。另外,在这些图上,图示被省略了,但是根据需要,下部电极可以配置在层叠体的图示下方,上部电极可以配置在层叠体的图示上方。也可以再加上在这些图中未表示的层(例如底层和保护层)。
在图4中反强磁性层8是与强磁性层3相接那样形成的。在该元件上,通过与反强磁性层8的交换偏移磁场,强磁性层3表现出一个方向的各向异性,其反转磁场变大。通过附加反强磁性层8,该元件则变成以强磁性层3作为固定磁性层、另一个强磁性层5作为自由磁性层而发挥作用的旋转阀型元件。
如图5所示,也可以使用一对强磁性膜51、53夹着非磁性金属膜52的层叠铁氧体作为自由磁性层5。
也可如图6所示的那样,作为双旋转阀型元件。在该元件上,夹着自由磁性层5那样配置两个固定磁性层3、33,而非磁性层4、34介于自由磁性层5和固定磁性层3、33之间。
如图7所示的那样,在双旋转阀型元件上,也可将固定磁性层3、33作为叠层铁氧体51、52、53和71、72、73。在该元件上,按与固定磁性层3、33相接那样分别配置反强磁性层8、38。
也可以如图8所示,在图4所示的元件上,使用一对强磁性膜51、53夹着非磁性金属膜52的层叠铁氧体作为固定磁性层3。
也可如图9所示的那样,作为不用反强磁性层的矫顽力差型元件。在此,叠层铁氧体51、52、53作为固定磁性层3来使用。
也可以如图10所示,在图8所示的元件上通过叠层铁氧体71、72、73构成自由磁性层5。
也可如图11所示的那样,在反强磁性层8的两侧,分别配置固定磁性层3(33)、非磁性层4(34)、自由磁性层5(35)。在此,表示了使用叠层铁氧体51(71)、52(72)、53(73)作为固定磁性层3(23)的例子。
作为基板可以使用表面绝缘的板状体,例如热氧化处理过的Si基板、石英基板和蓝宝石基板。由于基板的表面光滑为好,所以根据需要也可以进行化学机械抛光法(CMP)等的光滑处理。也可在基板表面,预先制作MOS晶体管等的开关元件。在这种情况下,在开关元件上形成绝缘层,在该绝缘层上形成接触孔,以能确保与在上部制作的磁阻元件的电连接。
在反强磁性层8上,可以使用含Mn的反强磁性体或含Cr的反强磁性体。作为含Mn的反强磁性体,例如可用PtMn、PdPtMn、FeMn、IrMn、NiMn。通过热处理,元素M2可能会从这些反强磁性体中扩散。所以,考虑到在强磁性层的界面周围元素M2的优选含有量(20at%以下),非磁性层和反强磁性层之间的距离(在图4中的d)为3nm以上50nm以下为好。
在构成单层膜的其他层上,可以无特别限制地使用现有所知的各种材料。
例如在非磁性层2上,根据元件的种类不同,可以使用导电性或绝缘性的材料。在用于CPP-GMR元件的导电性非磁性层上,可以使用例如Cu、Au、Ag、Ru、Cr以及它们的合金。CPP-GMR元件上的非磁性层的优选膜厚为1-10nm。对于用于TMR元件所用隧道绝缘层的材料没有特别限制,可以使用各种绝缘体或半导体,而Al的氧化物、氮化物和氮氧化物是适宜的。TMR元件上的非磁性层的优选膜厚为0.8-3nm。
作为构成层叠铁氧体的非磁性膜的材料,可例举Cr、Cu、Ag、Au、Ru、Ir、Re、Os以及它们的合金及氧化物。该非磁性膜的优选膜厚为0.2-1.2nm。
对于构成多层膜的各层的成膜法,也没有特别的限制,适宜地使用溅射法、MBE(分子束外延:Molecular Beam Epitaxy)法、CVD(化学气相沉积:Chemical Vapor Deposition)法、脉冲激光沉积法、离子束溅射法等的薄膜制作法即可。作为精细加工法,使用众所周知的精细加工法,例如使用接触掩膜或分档器的光刻蚀法、EB刻蚀法、FIB(聚离子束:Focused Ion Beam)加工法即可。
蚀刻法可以使用离子铣削和RIE(反应性离子刻蚀:Reactive IonEtching)等众所周知的方法。
现有的磁阻元件,如果是300℃左右的热处理,在热处理后MR特性会提高。但是在300℃-350℃以上的热处理之后MR特性则变坏了。本发明的磁阻元件,相对于现有的元件,可以显示在330℃以上的热处理后的优良特性,在350℃以上、400℃以上的话,随着热处理的温度升高,处理后特性的不同是明显的。
考虑到将Si半导体处理组合的话,作为热处理的温度需要考虑在400℃附近。如使用本发明,则可以提供即使对于400℃的热处理,也可以显示具有实用特性的元件。
如上,根据本发明,通过330℃以上,进而在350℃以上的热处理,可以提供MR特性比该热处理前相对地提高了的磁阻元件。
虽然通过热处理提高MR特性的原因还没有被十分搞清,但是通过热处理有可能改善非磁性层作为势垒的特性。一般地说,势垒中的缺陷减少的话,MR特性可以变好,而势垒的高度变高的话,MR特性也会变好。通过热处理而提高MR特性,有可能是由于在非磁性层和强磁性层的界面中的化学结合状态的变化所带来的。无论如何,如果考虑磁阻元件在器件上的应用,通过超过300℃的高温热处理可以得到MR特性提高的效果这一点是极为重要的
在热处理的温度下,界面附近的强磁性层的组成适合于形成单一相的组成。
将具有与界面中组成相同组成的合金用通常的铸造法浇铸,另外在惰性气体中以350℃-450℃进行24小时的热处理。将该合金切断成几乎两半,研磨断面,进行表面腐蚀。用金属显微镜以及电子显微镜观察该表面的颗粒状态。另外,通过上述的组成分析法和EDX评价组成分布。其结果是可以确认在适用的热处理温度下若使用显示不均一的相的组成的话,通过长时间的热处理,MR特性变坏的概率高。
在整体和膜中,由于界面效应等,相的稳定状态不同,但优选强磁性层的界面附近的组成,具体地说是由上式表示的组成,在330℃以上的规定温度下,形成单一的相。
实施例
(实施例1-1)
通过MBE将膜厚为100nm的Pt膜蒸发附着到单晶MgO(100)基板上作为下部电极,就这样在真空中以400℃进行3小时的热处理。然后,以相对于基板的入射角为10~15°那样使用离子枪照射Ar,进行表面清洁以及平坦化处理。
接下来,在Pt膜上,通过RF磁控溅射法形成膜厚为8nm的NiFe膜。另外,通过向真空室内引入纯氧将用DC磁控溅射法形成Al膜氧化,制作AlOx势垒。接下来,通过RF磁控管溅射法形成膜厚为10nm的Fe50Co50膜。这样,在下部电极上形成由强磁性层/非磁性层/强磁性层(NiFe(8)/AlOx(1.2)/Fe50Co50(10))组成的层叠体。在此,括号内的数值为以nm为单位的膜厚。(以下相同)。
另外,通过依靠光刻法制作布线图案和离子铣削刻蚀法,制作了具有与图1以及图2中所示的同样构造的多个磁阻元件。另外,分别通过DC磁控溅射法在上部电极上形成Cu膜,在层间绝缘膜上通过离子束溅射法形成SiO2膜。
对于这些磁阻元件,一边加磁场一边通过直流四端子法测定阻抗,从而测定MR的变化。MR的变化率在温度为260℃的1小时的热处理后、温度为300℃的1小时的热处理后、温度为350℃的1小时的热处理后、温度为400℃的1小时的热处理后都进行测定。另外,在测定了MR的变化率后,对各元件测定R1。其结果如表1A所示。
表1A
 无热处理 R1   R1≤3  3<R1≤10   10<R1≤20   20<R1
MR(%)(平均/最大) 12/13.5 11.9/13.2 10.5/12.8 8.2/-
该样本数   80  12   6   1
 260℃ R1   R1≤3  3<R1≤10   10<R1≤20   20<R1
MR(%)(平均/最大)   14.1/15.2  13.8/14.8   12.5/13.2   8.5/9.2
该样本数   82  12   3   3
 300℃ R1   R1≤3  3<R1≤10   10<R1≤20   20<R1
MR(%)(平均/最大) 15.8/16.0 15.5/15.9 14.5/14.9 2.1/9.2
该样本数   62  15   9   12
 350℃ R1   R1≤3  3<R1≤10   10<R1≤20   20<R1
MR(%)(平均/最大) 16.2/16.4 15.7/16.0 14.5/14.9 1.9/5.2
该样本数   17  14   26   33
 400℃ R1   R1≤3  3<R1≤10   10<R1≤20   20<R1
MR(%)(平均/最大) 16.4/16.6 15.9/16.1 14.5/14.9 1.8/2.3
该样本数   3  6   15   51
样本的合计数量,根据热处理的温度而不同。
(实施例1-2)
除了替代NiFe膜而使用由膜厚为6nm的NiFe膜和膜厚为2nm的Fe80Pt20膜的层叠体外,与实施例1-1相同地制作多个磁阻元件。这些磁阻元件包含可以用NiFe(6)/Fe80Pt20A(2)/AlOx(1.2)/Fe50Co50(10)表示的层叠体。对于这些磁阻元件,同上一样地测定MR的变化率以及R1。
其结果如表1B所示。
表1B
 无热处理 R1 R1≤3  3<R1≤10  10<R1≤20  20<R1
MR(%)(平均/最大) 21.1/25.1 20.2/22.7 15.2/- -/-
该样本数 87  12  1  0
 260℃ R1 R1≤3  3<R1≤10  10<R1≤20  20<R1
MR(%)(平均/最大) 23.4/26.3 21.9/24.6 14.9/15.3 -/-
该样本数 87  10  3  0
 300℃ R1 R1≤3  3<R1≤10  10<R1≤20  20<R1
MR(%)(平均/最大) 24.6/26.5 23.2/25.2 14.5/15.1 6.8/-
该样本数 87  8  2  1
 350℃ R1 R1≤3  3<R1≤10  10<R1≤20  20<R1
MR(%)(平均/最大) 25.9/26.4 24.8/25.3 14.7/14.9 5.9/-
该样本数 85  5  2  1
 400℃ R1 R1≤3  3<R1≤10  10<R1≤20  20<R1
MR(%)(平均/最大) 26.6/26.9 25.1/25.2 14.1/14.6 6.2/6.6
该样本数 80  4  3  2
样本的合计数量,根据热处理的温度而不同。
(比较例)
为了比较,除了不进行电极的热处理和使用离子枪的处理外,与实施例1-1相同地制作多个磁阻元件。对于这些磁阻元件,同上一样地测定MR的变化率以及R1。其结果如表1C所示。
表1C
 无热处理 R1  R1≤3  3<R1≤10  10<R1≤20  20<R1
MR(%)(平均/最大) -/- 11.8/12.5 10.4/12.6 8.1/9.1
该样本数  0  3  35  62
 260℃ R1  R1≤3  3<R1≤10  10<R1≤20  20<R1
MR(%)(平均/最大) -/- 13.8/14.1 12.2/13.2 8.3/9.0
该样本数  0  2  25  73
 300℃ R1  R1≤3  3<R1≤10  10<R1≤20  20<R1
MR(%)(平均/最大) -/- -/- 14.1/14.7 1.9/7.3
该样本数  0  0  5  91
 350℃ R1  R1≤3  3<R1≤10  10<R1≤20  20<R1
MR(%)(平均/最大) -/- -/- -/- 1.7/4.8
该样本数  0  0  0  89
 400℃ R1  R1≤3  3<R1≤10  10<R1≤20  20<R1
MR(%)(平均/最大) -/- -/- -/- 1.2/1.9
该样本数  0  0  0  75
样本的合计数量,根据热处理的温度而不同。
采用不进行下部电极的表面处理的现有方法(表1C),在进行超过300℃的热处理后,R1都超过了20nm。
可以发现若在非磁性层近旁的磁性层上加Pt(表1B)的话,与不加Pt的情况(表1A)相比,可以抑制由于热处理带来的R1的增加。另外,通过加Pt,即使R1在同样的范围内,MR也提高了。
(实施例1-3)
除了用Si热氧化处理基板作为基板,用膜厚为100nm的Cu膜和膜厚为5nm的Ta膜作为下部电极,用NiFe(8)/Co75Fe25(2)/BN(2.0)/Fe50Co50(5)作为强磁性层/非磁性层/强磁性层组成的层叠体外,与实施例1-1相同地制作多个磁阻元件。另外,用RF磁控溅射法形成Cu膜以及Ta膜;分别用DC以及RF磁控溅射法形成NiFe膜以及Co75Fe25膜;用反应性蒸镀法形成BN膜;用RF磁控溅射法形成Fe50Co50膜。
对于这些磁阻元件,同上一样地测定MR的变化率以及R1。其结果如表2所示。
表2
  无热处理 R1     R1≤3  3<R1≤10  10<R1≤20  20<R1
MR(%)(平均/最大) 18.1/20.0- 17.9/19.5 15.5/17.8 10.2/13.2
该样本数     67  22  7  4
260℃ R1     R1≤3  3<R1≤10  10<R1≤20  20<R1
MR(%)(平均/最大) 18.2/20.1 18.0/19.7 16.5/17.9 12.1/13.5
该样本数 69 21 5 5
300℃ R1     R1≤3  3<R1≤10  10<R1≤20  20<R1
MR(%)(平均/最大) 19.5/20.3 19.1/19.9 17.5/18.8 11.8/13.5
该样本数     36  36  9  15
350℃ R1     R1≤3  3<R1≤10  10<R1≤20  20<R1
MR(%)(平均/最大) 19.7/20.5 19.2/20.2 17.5/18.8 5.8/11.8
该样本数     15  16  21  36
400℃ R1     R1≤3  3<R1≤10  10<R1≤20  20<R1
MR(%)(平均/最大) 19.9/20.6 19.2/20.0 16.8/18.5 2.8/5.6
该样本数     1  8  13  52
样本的合计数量,根据热处理的温度而不同。
(实施例1-4)
除了用Si热氧化处理基板作为基板,用膜厚为200nm的Cu膜和膜厚为3nm的TiN膜作为下部电极,用NiFe(8)/Co75Fe25(2)/AlOx(2.0)/Fe50Co50(5)作为强磁性层/非磁性层/强磁性层组成的层叠体外,与实施例1-1相同地制作多个磁阻元件。另外,通过等离子体氧化形成AlOx膜。
对于这些磁阻元件,同上一样地测定MR的变化率以及R1。其结果如表3所示。
表3
  无热处理 R1  R1≤3  3<R1≤10  10<R1≤20  20<R1
MR(%)(平均/最大)  22.1/24.2  21.5/24.1  20.1/22.8  15.5/17.9
该样本数  66  23  6  5
260℃ R1  R1≤3  3<R1≤10  10<R1≤20  20<R1
MR(%)(平均/最大) 23.1/24.5 22.8/24.3 21.8/23.0 16.0/17.2
该样本数  67  20  6  7
300℃ R1  R1≤3  3<R1≤10  10<R1≤20  20<R1
MR(%)(平均/最大) 24.1/24.7 23.5/24.3 22.0/22.8 12.5/15.1
该样本数  31  34  11  18
350℃ R1  R1≤3  3<R1≤10  10<R1≤20  20<R1
MR(%)(平均/最大) 24.3/24.7 23.8/24.1 21.8/22.2 3.2/8.1
该样本数  3  7  14  58
400℃ R1  R1≤3  3<R1≤10  10<R1≤20  20<R1
MR(%)(平均/最大) -/- 23.8/23.9 21.6/21.6 2.6/3.6
该样本数  0  2  3  61
样本的合计数量,根据热处理的温度而不同。
另外,即使将Co70Fe30、Co90Fe10、Ni60Fe40、铝硅铁粉、Fe50Co25Ni25、Co70Fe5Si15B10等各自地或将它们多层化地作为强磁性层;使用通过反应性蒸镀法得到的Al2O3、AlN、通过等离子体反应得到的AlN、通过自然氧化或氮化得到的TaO、TaN、AlN等作为非磁性层,基本上也可得到同样的结果。
另外,即使在如图4-图11所示的那种构造的磁阻元件上,基本上也可得到同样的结果。另外,在存在多个由非磁性层产生的接合(隧道结)的元件上,将最大的R1作为该元件的R1。在这些元件上,分别用CrMnPt(膜厚20-30nm)、Tb25Co75(10-20nm)、PtMn(20-30nm)、IrMn(10-30nm)、PdPtMn(15-30nm)等作为反强磁性层,分别用Ru(膜厚0.7-0.9nm)、Ir(0.3-0.5nm)、Rh(0.4-0.9nm)等作为非磁性金属膜。
实施例2
根据实施例1,通过非磁性层近旁的磁性层的组成,可以确认MR变化率变化的情况。因此,在本实施例中,对于使用与实施例1同样的成膜法以及加工法制作的磁阻元件,测定强磁性层的组成与MR变化率的关系。
通过奥格光电子光谱、SIMS以及XPS法分析强磁性层的组成。如图12A-图12D所示的那样,在层的界面近旁以及层的中心测定组成。在界面近旁,以从界面起2nm的范围作为测定对象。在层的中心,以包括厚度方向中心的2nm的范围作为测定对象。图12A-图12D所示的“组成1”-“组成9”与以下所示各表的表示相对应。另外。图12A-图12D所示的元件的构造分别与各表的元件型式a)-d)相对应。
另外,将纯氧和高纯度的Ar的混合气体导入室内,将通过ICP磁控溅射法形成的Al膜氧化而得的Al2O3膜(膜厚1.0-2nm)作为非磁性层。分别用Ru膜(0.7-0.9nm)作为非磁性金属层,PdPtMn(15-30nm)作为反强磁性层。
另外,在几个磁阻元件上,使强磁性层的组成和组成比按照在厚度方向上变化而成膜。这种膜的形成,通过调整对各自靶所加电压等来进行。
表4a)-1
样品号    元件类型   热处理温度(℃)      MR(%)          组成1            组成2           组成3        组成4  组成5 组成6
    1     a)     r.t.     22.2 Co75Fe25 Co75Fe25 Co75Fe25 Co75Fe25 Ni80Fe20 Ni80Fe20
    260     24.5
    300     24.3
    350     15.3
    400     10.1
    2     a)     r.t.     22.3 (Co75Fe25)99.8Pt0.2 (Co75Fe25)99.8Pt0.2 (Co75Fe25)99.8Pt0.2 (Co75Fe25)99.8Pt0.2 Ni80Fe20 Ni80Fe20
    260     23.8
    300     23.2
    350     14.9
    400     10.2
    3     a)     r.t.     23.1 (Co75Fe25)99.7Pt0.3 (Co75Fe25)99.7Pt0.3 (Co75Fe25)99.7Pt0.3 (Co75Fe25)99.7Pt0.3 Ni80Fe20 Ni80Fe20
    260     24.7
    300     24.7
    350     24
    400     21.1
    4     a)     r.t.     24.2 (Co75Fe25)97Pt3 (Co75Fe25)97Pt3 (Co75Fe25)97Pt3 (Co75Fe25)97Pt3 Ni80Fe20 Ni80Fe20
    260     25.2
    300     25.4
    350     26.3
    400     25.4
表4a)-2
样品号   元件类型  热处理温度(℃)     MR(%)         组成1           组成2          组成3          组成4     组成5     组成6
    5     a)     r.t.     23.8 (Co75Fe25)85Pt15 (Co75Fe25)85Pt15 (Co75Fe25)85Pt15 (Co75Fe25)85Pt15 Ni80Fe20 Ni80Fe20
    260     24.9
    300     25.5
    350     30.1
    400     33.2
    6     a)     r.t.     23.9 (Co75Fe25)71Pt29 (Co75Fe25)71Pt29 (Co75Fe25)71Pt29 (Co75Fe25)71Pt29 Ni80Fe20 Ni80Fe20
    260     25.1
    300     25.3
    350     25
    400     24.8
    7     a)     r.t.     18.9 (Co75Fe25)41Pt59 (Co75Fe25)41Pt59 (Co75Fe25)41Pt59 (Co75Fe25)41Pt59 Ni80Fe20 Ni80Fe20
    260     19.4
    300     20.1
    350     20.5
    400     20.2
    8     a)     r.t.     12.5 (Co75Fe25)38Pt62 (Co75Fe25)38Pt62 (Co75Fe25)38Pt62 (Co75Fe25)38Pt62 Ni80Fe20 Ni80Fe20
    260     17.8
    300     15.3
    350     12.2
    400     11.2
表4b)-1
样品号   元件类型    热处理温度(℃) MR(%) 组成1 组成2 组成3 组成4 组成5 组成6
    9     a)     r.t.     19.1     Ni60Fe40     Ni60Fe40     Ni60Fe40     Ni60Fe40  Ni80Fe20  Ni80Fe20
    260     21.2
    300     22.1
    350     15.1
    400     10.2
    10     a)     r.t.     18.5     (Ni60Fe40)99.8Pt0.13Pd0.07     (Ni60Fe40)99.8Pt0.13Pd0.07     (Ni60Fe40)99.8Pt0.13Pd0.07     (Ni60Fe40)99.8Pt0.13Pd0.07  Ni80Fe20  Ni80Fe20
    260     19.9
    300     18.1
    350     15.8
    400     11.2
    11     a)     r.t.     19.1     (Ni50Fe40)99.7Pt0.2Pd0.1     (Ni60Fe40)99.7Pt0.2Pd0.1     (Ni60Fe40)99.7Pt0.2Pd0.1     (Ni60Fe40)99.7Pt0.2Pd0.1  Ni80Fe20  Ni80Fe20
    260     20.9
    300     21.1
    350     19.9
    400     19.7
    12     a)     r.t.     19.8     (Ni60Fe40)97Pt2Pd1     (Ni60Fe40)97Pt2Pd1     (Ni60Fe40)97Pt2Pd1     (Ni60Fe40)97Pt2Pd1  Ni80Fe20  Ni80Fe20
    260     22.1
    300     22.3
    350     22.2
    400     22.1
表4b)-2
样品号   元件类型 热处理温度(℃)      MR(%)     组成1     组成2     组成3     组成4     组成5     组成6
    13     a)     r.t.     18.8     (Ni60Fe40)85Pt10Pd5     (Ni60Fe40)85Pt10Pd5     (Ni60Fe40)85Pt10Pd5     (Ni60Fe40)85Pt10Pd5 Ni80Fe20 Ni80Fe20
    260     19.9
    300     19.8
    350     26.2
    400     28.8
    14     a)     r.t.     18.7     (Ni60Fe40)71Pt19Pd10     (Ni60Fe40)71Pt19Pd10     (Ni60Fe40)71Pt19Pd10     (Ni60Fe40)71Pt19Pd10 Ni80Fe20 Ni80Fe20
    260     19.8
    300     20.1
    350     22.5
    400     23.1
    15     a)     r.t.     18.7     (Ni60Fe40)41Pt39Pd20     (Ni60Fe40)41Pt39Pd20     (Ni60Fe40)41Pt39Pd20     (Ni60Fe40)41Pt39Pd20 Ni80Fe20 Ni80Fe20
    260     18.8
    300     19.1
    350     19.9
    400     19.6
    16     a)     r.t.     16.4     (Ni60Fe40)38Pt41Pd21     (Ni60Fe40)38Pt41Pd21     (Ni60Fe40)38Pt41Pd21     (Ni60Fe40)38Pt41Pd21 Ni80Fe20 Ni80Fe20
    260     16.8
    300     15.9
    350     12.3
    400     9.8
表4c)-1
样品号    元件类型    热处理温度(℃)      MR(%)  组成1  组成2     组成3
    17     a)     r.t.     22.5  Co90Fe10  Co90Fe10     Co75Fe25
    260     24.5
    300     24.1
    350     15.2
    400     9.9
    18     a)     r.t.     21.8  Co90Fe10  Co90Fe10   (Co75Fe25)99.8Ir0.1Pd0.05Rh0.05
    260     23.7
    300     23.4
    350     15.3
    400     11.3
    19     a)     r.t.     22.2  Co90Fe10  Co90Fe10   (Co75Fe25)99.7Ir0.15Pd0.07Rh0.08
    260     24.2
    300     24.1
    350     23.9
    400     23.8
    20     a)     r.t.     20.6  Co90Fe10  Co90Fe10   (Co75Fe25)97Ir1.5Pd0.75Rh0.75
    260     22.9
    300     23.3
    350     24.2
    400     24.5
表4c)-2
样品号   元件类型    热处理温度(℃)      MR(%)     组成4     组成5     组成6
    17     a)     r.t.     22.5     Co75Fe25     Co75Fe25     Co75Fe25
    260     24.5
    300     24.1
    350     15.2
    400     9.9
    18     a)     r.t.     21.8     (Co75Fe25)99.8Ir0.1Pd0.05Rh0.05     (Co75Fe25)99.8Ir0.1Pd0.05Rh0.05     (Co75Fe25)99.8Ir0.1Pd0.05Rh0.05
    260     23.7
    300     23.4
    350     15.3
    400     11.3
    19     a)     r.t.     22.2     (Co75Fe25)99.7Ir0.15Pd0.07Rh0.08     (Co75Fe25)99.7Ir0.15Pd0.07Rh0.08     (Co75Fe25)99.7Ir0.15Pd0.07Rh0.08
    260     24.2
    300     24.1
    350     23.9
    400     23.8
    20     a)     r.t.     20.6     (Co75Fe25)97Ir1.5Pd0.75Rh0.75     (Co75Fe25)97Ir1.5Pd0.75Rh0.75     (Co75Fe25)97Ir1.5Pd0.75Rh0.75
    260     22.9
    300     23.3
    350     24.2
    400     24.5
表4c)-3
样品号    元件类型    热处理温度(℃)    MR(%) 组成1 组成2     组成3
    21     a)     r.t.   20.5  Co90Fe10  Co90Fe10   (Co75Fe25)85Ir7.5Pd3.7Rh3.8
    260   21.4
    300   22.6
    350   26.8
    400   27.3
    22     a)     r.t.   20.4  Co90Fe10  Co90Fe10   (Co75Fe25)71r14.5Pd7.2Rh7.3
    260   21.1
    300   22.2
    350   25.2
    400   25.5
    23     a)     r.t.   15.3  Co90Fe10  Co90Fe10   (Co75Fe25)41Ir28.5Pd14.7Rh14.8
    260   20.2
    300   21.4
    350   23.2
    400   23.1
    24     a)     r.t.   15.1  Co90Fe10  Co90Fe10   (Co75Fe25)38Ir31Pd15.5Rh15.5
    260   20.1
    300   19.7
    350   15.1
    400   10.2
表4c)-4
样品号   元件类型   热处理温度(℃)     MR(%)     组成4     组成5     组成6
    21     a)     r.t.     20.5     (Co75Fe25)85Ir7.5Pd3.7Rh3.8     (Co75Fe25)85Ir7.5Pd3.7Rh3.8     (Co75Fe25)85Ir7.5Pd3.7Rh3.8
    260     21.4
    300     22.6
    350     26.8
    400     27.3
    22     a)     r.t.     20.4     (Co75Fe25)71Ir14.5Pd7.2Rh7.3     (Co75Fe25)71Ir14.5Pd7.2Rh7.3     (Co75Fe25)71Ir14.5Pd7.2Rh7.3
    260     21.1
    300     22.2
    350     25.2
    400     25.5
    23     a)     r.t.     15.3     (Co75Fe25)41Ir29.5Pd14.7Rh14.8     (Co75Fe25)41Ir29.5Pd14.7Rh14.8     (Co75Fe25)41Ir29.5Pd14.7Rh14.8
    260     20.2
    300     21.4
    350     23.2
    400     23.1
    24     a)     r.t.     15.1     (Co75Fe25)38Ir31Pd15.5Rh15.5     (Co75Fe25)38Ir31Pd15.5Rh15.5     (Co75Fe25)38Ir31Pd15.5Rh15.5
    260     20.1
    300     19.7
    350     15.1
    400     10.2
表4d)-1
样品号   元件类型  热处理温度(℃)     MR(%) 组成1 组成2 组成3 组成4     组成5     组成6
    25     b)     r.t.     22.5  Ni80Fe20  Ni80Fe20     Co75Fe25     Co75Fe25     Co75Fe25     Co75Fe25
    260     34.2
    300     36.1
    350     22.2     (Co75Fe25)99Mn1     (Co75Fe25)95Mn5
    400     14.8     (Co75Fe25)98Mn2     (Co75Fe25)90Mn10
    26     b)     r.t.     21.8  Ni80Fe20  Ni80Fe20     (Co75Fe25)99.8Pt0.2     (Co75Fe25)99.8Pt0.2     (Co75Fe25)99.8Pt0.2     (Co75Fe25)99.8Pt0.2
    260     33.8
    300     35.5
    350     18.9     (Co75Fe25)98.8Pt0.2Mn1     (Co75Fe25)94.8Pt0.2Mn5
    400     15.1     (Co75Fe25)97.3Pt0.7Mn2     (Co75Fe25)89.8Pt0.2Mn10
    27     b)     r.t.     22.2  Ni80Fe20  Ni80Fe20     (Co75Fe25)99.7Pt0.3     (Co75Fe25)99.7Pt0.3     (Co75Fe25)99.7Pt0.3     (Co75Fe25)89.7Pt0.3
    260     34.1
    300     35.7
    350     35.5     (Co75Fe25)98.8Pt0.3Mn0.9     (Co75Fe25)95.7Pt0.3Mn4
    400     32.2     (Co75Fe25)97.9Pt0.3Mn1.8     (Co75Fe25)90.7Pt0.3Mn8
    28     b)     r.t.     20.6  Ni80Fe20  Ni80Fe20     (Co75Fe25)97Pt3     (Co75Fe25)97Pt3     (Co75Fe25)97Pt3     (Co75Fe25)97Pt3
    260     33.3
    300     34.4
    350     35     (Co75Fe25)96.2Pt3Mn0.8     (Co75Fe25)93.1Pt2.9Mn4
    400     34.9     (Co75Fe25)95.4Pt3Mn1.6     (Co75Fe25)89.2Pt2.8Mn8
表4d)-2
样品号   元件类型 热处理温度(℃)     MR(%)  组成1  组成2   组成3   组成4     组成5     组成6
    29     b)     r.t.     20.5  Ni80Fe20  Ni80Fe20 (Co75Fe25)85Pt15 (Co75Fe25)85Pt15     (Co75Fe25)85Pt15     (Co75Fe25)85Pt15
    260     33.5
    300     35.1
    350     36.5     (Co75Fe25)84.6Pt14.9Mn0.5     (Co75Fe25)83.3Pt14.7Mn2
    400     41.1     (Co75Fe25)84.2Pt14.8Mn1     (Co75Fe25)81.6Pt14.4Mn4
    30     b)     r.t.     20.4  Ni80Fe20  Ni80Fe20 (Co75Fe25)71Pt29 (Co75Fe25)71Pt29     (Co75Fe25)71Pt29     (Co75Fe25)71Pt29
    260     33.8
    300     34.9
    350     36.2     (Co75Fe25)70.6Pt28.9Mn0.5     (Co75Fe25)69.6Pt28.4Mn2
    400     36.5     (Co75Fe25)70.3Pt28.7Mn1     (Co75Fe25)68.2Pt27.8Mn4
    31     b)     r.t.     15.3  Ni80Fe20  Ni80Fe20 (Co75Fe25)41Pt59 (Co75Fe25)41Pt59     (Co75Fe25)41Pt59     (Co75Fe25)41Pt59
    260     29.5
    300     31.1
    350     33.2     (Co75Fe25)40.8Pt58.7Mn0.5     (Co75Fe25)40.2Pt57.8Mn2
    400     30.2     (Co75Fe25)40.6Pt58.4Mn1     (Co75Fe25)39.4Pt56.6Mn4
    32     b)     r.t.     12.4  Ni80Fe20  Ni80Fe20 (Co75Fe25)38Pt62 (Co75Fe25)38Pt62     (Co75Fe25)38Pt62     (Co75Fe25)38Pt62
    260     15.2
    300     16.8
    350     14.6     (Co75Fe25)37.8Pt61.7Mn0.5     (Co75Fe25)37.2Pt60.8Mn2
    400     12.1     (Co75Fe25)37.6Pt61.4Mn1     (Co75Fe25)36.5Pt59.5Mn4
通过表4a〕的样本1-8,可以确认通过添加0.3-60at%的Pt,300℃以上的热处理后的MR特性与不加Pt的样本相比提高了。特别是通过0.3-30at%左右的添加,有通过300℃以上的热处理提高MR特性的倾向。这种倾向在将表4a〕的Co75Fe25置换为Co90Fe10、Co50Fe50、Ni60Fe40、Fe50Co25Ni25时,将Ni80Fe20置换为铝硅铁粉、Co90Fe10时,也可以同样确认。另外,将Pt置换为Re、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Au时,也可以同样确认。
通过表4b〕的样本9-16,可以确认通过使Pt与Pd的比例为2∶1合计添加0.3-60at%,特别是3-30at%,300℃以上的热处理后的MR特性与不加的样本相比提高了。
即使将添加元素的比例从2∶1变为10∶1、6∶1、3∶1、1∶1、1∶2、1∶3、1∶6、1∶10也可以得到同样的倾向。另外,分别将(Pt、Pd)的Pt改变为Tc、Re、Ru、Rh、Cu、Ag,将Pd改变为Os、Ir、Au,即在包含(Pt、Pd)的28种的元素组合中也可以得到同样的倾向。另外,将Ni60Fe40置换为Co75Fe25、Fe50Co25Ni25时,将Ni80Fe20置换为铝硅铁粉、Co90Fe10时,也可得到同样的倾向。
通过表4c〕的样本1 7-24,通过使Ir、Pd、Rh的比例为2∶1∶1进行添加,可以确认与表4a〕、表4b〕同样地MR特性提高了。该倾向在以Ir为1,而Pd、Rh分别为0.01-100的范围内使含有比例变化时也可以同样确认。另外,将Co90Fe10置换为Ni80Fe20、Ni65Fe25Co10、Co60Fe20Ni20时,将Co75Fe25置换为Co50Fe50、Fe60Ni40、Fe50Ni50时,也可得到同样的倾向。
另外,作为元素的组合,用(Tc、Re、Ag)、(Ru、Os、Ir)、(Rh、Ir、Pt)、(Pd、Pt、Cu)、(Cu、Ag、Au)、(Re、Ru、Os)、(Ru、Rh、Pd)、(Ir、Pt、Cu)、(Re、Ir、Ag)替换(Ir、Pd、Rh),可得到同样的倾向。
在表4d〕的样本25-32中,也可以得到与表4a〕-4c〕的同样的倾向。在这些样本的一部分中,可以确认在热处理后Mn从反强磁性层扩散。但是,这种Mn的扩散,可以通过添加Pt来抑制。这表示通过添加Pt,可以控制在非磁性层的界面中Mn的浓度。另外,即使用Tc、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Cu、Ag替代Pt,也可得到同样的倾向。
另外,即使将强磁性层变更为上述的组成,也可得到同样的倾向。
表5a)-1
样品号   元件类型  热处理温度(℃)      MR(%) 组成1 组成2 组成3 组成4 组成5 组成6
    33     b)     r.t.     22.9  Co90Fe10   Co90Fe10 Co90Fe10 Co75Fe25     Co75Fe25     Co75Fe25
    260     34.1
    300     34.3
    350     23.5     (Co75Fe25)99Mn1     (Co75Fe25)95Mn5
    400     10.4     (Co75Fe25)98Mn2     (Co75Fe25)90Mn10
    34     b)     r.t.     22.8  Co90Fe10   (Co90Fe10)99.9Re0.1 (Co90Fe10)99.8Re0.2 (Co75Fe25)99.8Re0.2     (Co75Fe25)99.9Re0.1     Co75Fe25
    260     34.3
    300     34.7
    350     23.4     (Co75Fe25)99Re0.1Mn0.9     (Co75Fe25)95Mn5
    400     11.8     (Co75Fe25)98.1Re0.1Mn1.8     (Co75Fe25)90Mn10
    35     b)     r.t.     21.9  Co90Fe10   (Co90Fe10)99.85Re0.15 (Co90Fe10)99.7Re0.3 (Co75Fe25)99.7Re0.3     (Co75Fe25)98.85Re0.15     Co75Fe25
    260     33.6
    300     34.5
    350     35.1     (Co75Fe25)99.85Re0.15Mn0.8     (Co75Fe25)95Mn5
    400     33.6     (Co75Fe25)98.25Re0.15Mn1.6     (Co75Fe25)90Mn10
    36     b)     r.t.     20.5  Co90Fe10   (Co90Fe10)98.5Re1.5 (Co90Fe10)97Re3 (Co75Fe25)97Re3     (Co75Fe25)98.5Re1.5     Co75Fe25
    260     32.7
    300     33.9
    350     35.2     (Co75Fe25)97.8Re0.15Mn0.7     (Co75Fe25)95Mn5
    400     35.3     (Co75Fe25)97.1Re1.5Mn1.4     (Co75Fe25)90Mn10
表5a)-2
样品号 元件类型  热处理温度(℃)     MR(%) 组成1 组成2 组成3 组成4 组成5 组成6
    37     b)     r.t.     20.1  Co90Fe10 (Co90Fe10)92.5Re7.5 (Co90Fe10)85Re15 (Co75Fe25)85Re15 (Co75Fe25)92.5Re7.5     Co75Fe25
    260     30.7
    300     33.4
    350     35.3 (Co75Fe25)92Re7.5Mn0.5     (Co75Fe25)95Mn5
    400     37.6 (Co75Fe25)91.6Re7.4Mn1     (Co75Fe25)90Mn10
    38     b)     r.t.     22.4  Co90Fe10 (Co90Fe10)85.5Re14.5 (Co90Fe10)71Re29 (Co75Fe25)71Re29 (Co75Fe25)85.5Re14.5     Co75Fe25
    260     32.9
    300     34.3
    350     35.1 (Co75Fe25)85.1Re14.4Mn0.5     (Co75Fe25)95Mn5
    400     35.1 (Co75Fe25)84.6Re14.4Mn1     (Co75Fe25)90Mn10
    39     b)     r.t.     18.3  Co90Fe10 (Co90Fe10)70.5Re29.5 (Co90Fe10)41Re59 (Co75Fe25)41Re59 (Co75Fe25)70.5Re29.5     Co75Fe25
    260     31.2
    300     32.6
    350     33 (Co75Fe25)70.1Re29.4Mn0.5     (Co75Fe25)95Mn5
    400     32.5 (Co75Fe25)69.8Re29.2Mn1     (Co75Fe25)90Mn10
    40     b)     r.t.     13.8  Co90Fe10 (Co90Fe10)69Re31 (Co90Fe10)38Re62 (Co75Fe25)38Re62 (Co75Fe25)69Re31     Co75Fe25
    260     24.9
    300     26.2
    350     15.4 (Co75Fe25)68.7Re30.8Mn0.5     (Co75Fe25)95Mn5
    400     9.7 (Co75Fe25)68.3Re30.7Mn1     (Co75Fe25)90Mn10
表5b)-1
样品号   元件类型 热处理温度(℃)    MR(%) 组成1 组成2 组成3 组成4 组成5 组成6
  41     c)     r.t.   18  Ni80Fe20   Ni80Fe20   Ni60Fe40   Ni60Fe40   Co70Fe30   Co
    260   37.8
    300   40.3
    350   24.6
    400   12.2
  42     c)     r.t.   16.8  Ni80Fe20   (Ni80Fe20)99.9Ru0.1   (Ni60Fe40)99.8Ru0.2   (Ni60Fe40)99.4Os0.2   (Co70Fe30)99.8Os0.2   Co99.8Os0.2
    260   36.5
    300   37.7
    350   25.4   (Co70Fe30)99Os0.2Mn0.8   Co95.8Os0.2Mn4
    400   12.9   (Co70Fe30)98Os0.2Mn1.8   Co90.8Os0.2Mn9
  43     c)     r.t.   16.5  Ni80Fe20   (Ni80Fe20)99.85Ru0.15   (Ni60Fe40)99.7Ru0.3   (Ni60Fe40)99.7Os0.3   (Co70Fe30)99.7Os0.3   Co99.7Os0.3
    260   36.4
    300   38.1
    350   35.9   (Co70Fe30)98.9Os0.3Mn0.6   Co95.7Os0.3Mn4
    400   30.5   (Co70Fe30)97.9Os0.3Mn1.8   Co90.7Os0.3Mn9
  44     c)     r.t.   16.3  Ni80Fe20   (Ni80Fe20)98.5Ru1.5   (Ni60Fe40)97Ru3   (Ni60Fe40)97Os3   (Co70Fe30)97Os3   Co97Os3
    260   35.1
    300   35.9
    350   38.2   (Co70Fe30)96.3Os3Mn0.7   Co93.3Os2.9Mn3.8
    400   37.9   (Co70Fe30)95.4Os2.9Mn1.7   Co88.5Os2.7Mn8.8
表5b)-2
样品号   元件类型  热处理温度(℃)      MR(%) 组成1 组成2 组成3 组成4 组成5 组成6
    45     c)     r.t.     15.5  Ni80Fe20 (Ni80Fe20)92.5Ru7.5 (Ni60Fe40)85Ru15 (Ni60Fe40)85Os15     (Co70Fe30)85Os15     Co85Os15
    260     30.6
    300     32.3
    350     35.4     (Co70Fe30)84.6Os14.9Mn0.5     Co81.9Os14.5Mn3.6
    400     38.3     (Co70Fe30)83.9Os14.8Mn1.3     Co77.9Os13.7Mn8.4
    46     c)     r.t.     17.6  Ni80Fe20 (Ni80Fe20)85.5Ru14.5 (Ni60Fe40)71Ru29 (Ni60Fe40)71Os29     (Co70Fe30)71Os29     Co71Os29
    260     32
    300     33.1
    350     34.3     (Co70Fe30)70.6Os28.9Mn0.5     Co68.4Os28Mn3.6
    400     35.1     (Co70Fe30)70.1Os28.6Mn1.3     Co65Os26.6Mn8.4
    47     c)     r.t.     11.7  Ni80Fe20 (Ni80Fe20)70.5Ru29.5 (Ni60Fe40)41Ru59 (Ni60Fe40)41Os59     (Co70Fe30)41Os59     Co41Os59
    260     30.3
    300     32.4
    350     32.2     (Co70Fe30)40.8Os58.7Mn0.5     Co39.5Os56.9Mn3.6
    400     30.8     (Co70Fe30)40.5Os58.2Mn1.3     Co37.6Os54Mn8.4
    48     c)     r.t.     9.5  Ni80Fe20 (Ni80Fe20)69Ru31 (Ni60Fe40)38Ru62 (Ni60Fe40)38Os62     (Co70Fe30)38Os62     Co38Os62
    260     15.2
    300     18.1
    350     15.6     (Co70Fe30)37.8Os61.7Mn0.5     Co36.6Os69.8Mn3.6
    400     11.7     (Co70Fe30)37.5Os61.2Mn1.3     Co34.8Os56.8Mn8.4
表5c)-1
 样品号   元件类型  热处理温度(℃)     MR(%) 组成1 组成2 组成3 组成4 组成5 组成6
    49     c)     r.t.     21.7  Co90Fe10  Co90Fe10  Co90Fe10   Co75Fe25     Co75Fe25     Co90Fe10
    260     36.3
    300     38.1
    350     24.5     (Co75Fe25)99Mn1     (Co75Fe25)95Mn5
    400     11.6     (Co75Fe25)98Mn2     (Co75Fe25)90Mn10
    50     c)     r.t.     22.2  Co90Fe10  Co90Fe10  Co90Fe10   (Co75Fe25)99.8Pt0.1Cu0.1     (Co75Fe25)99.8Pt8.1Cu8.1     (Co75Fe25)99.8Pt0.1Cu0.1
    260     35.4
    300     36.8
    350     22.3     (Co75Fe25)98.8Pt0.1Cu0.1Mn1     (Co75Fe25)94.8Pt0.1Cu0.1Mn5
    400     13.2     (Co75Fe25)97.8Pt0.1Cu0.1Mn2     (Co75Fe25)89.8Pt0.1Cu0.1Mn10
    51     c)     r.t.     21.9  Co90Fe10  Co90Fe10  Co90Fe10   (Co75Fe25)99.7Pt0.15Cu0.15     (Co75Fe25)99.7Pt0.15Cu0.15     (Co75Fe25)99.7Pt0.15Cu0.15
    260     35.1
    300     36.6
    350     35.4     (Co75Fe25)98.8Pt0.15Cu0.15Mn0.9     (Co75Fe25)94.9Pt0.15Cu0.15Mn4.8
    400     33.8     (Co75Fe25)97.9Pt0.15Cu0.15Mn1.8     (Co75Fe25)90.1Pt0.15Cu0.15Mn9.6
    52     c)     r.t.     20.2  Co90Fe10  Co90Fe10  Co90Fe10   (Co75Fe25)97Pt1.5Cu1.5     (Co75Fe25)97Pt1.5Cu1.5     (Co75Fe25)97Pt1.5Cu1.5
    260     32.8
    300     35.3
    350     37.7     (Co75Fe25)96.2Pt1.5Cu1.5Mn0.8     (Co75Fe25)92.5Pt1.5Cu1.4Mn4.6
    400     38.1     (Co75Fe25)95.4Pt1.5Cu1.5Mn1.6     (Co75Fe25)98.1Pt1.4Cu1.3Mn9.2
表5c)-2
样品号   元件类型 热处理温度(℃)     MR(%) 组成1 组成2 组成3 组成4 组成5 组成6
    53     c)     r.t.     19  Co90Fe10 Co90Fe10  Co90Fe10   (Co75Fe25)85Pt7.5Cu7.5     (Co75Fe25)85Pt7.5Cu7.5     (Co75Fe25)85Pt7.5Cu7.5
    260     31.6
    300     34.5
    350     38.9     (Co75Fe25)94.5Pt7.5Cu7.5Mn0.5     (Co75Fe25)81.6Pt7.2Cu7.2Mn4
    400     41.3     (Co75Fe25)84.2Pt7.4Cu7.4Mn1     (Co75Fe25)78.2Pt6.9Cu6.9Mn8
    54     c)     r.t.     15.8  Co90Fe10 Co90Fe10  Co90Fe10   (Co75Fe25)71Pt14.5Cu14.5     (Co75Fe25)71Pt14.5Cu14.5     (Co75Fe25)71Pt14.5Cu14.5
    260     31.2
    300     32.7
    350     37.1     (Co75Fe25)70.7Pt14.4Cu14.4Mn0.5     (Co75Fe25)68.2Pt13.9Cu13.9Mn4
    400     36.8     (Co75Fe25)70.2Pt14.4Cu14.4Mn1     (Co75Fe25)65.4Pt13.3Cu13.3Mn8
    55     c)     r.t.     15.4  Co90Fe10 Co90Fe10  Co90Fe10   (Co75Fe25)41Pt29.5Cu29.5     (Co75Fe25)41Pt29.5Cu29.6     (Co75Fe25)41Pt29.5Cu29.5
    260     31
    300     32.6
    350     35.1     (Co75Fe25)40.8Pt29.4Cu29.3Mn0.5     (Co75Fe25)68.2Pt13.9Cu13.8Mn4
    400     33.8     (Co75Fe25)40.6Pt29.2Cu29.2Mn1     (Co75Fe25)37.7Pt27.2Cu27.1Mn8
    56     c)     r.t.     11.8  Co90Fe10 Co90Fe10  Co90Fe10   (Co75Fe25)38Pt31Cu31     (Co75Fe25)38Pt31Cu31     (Co75Fe25)30Pt31Cu31
    260     24.9
    300     24.7
    350     14.9     (Co75Fe25)37.9Pt30.8Cu30.8Mn0.5     (Co75Fe25)36.4Pt29.8Cu29.8Mn4
    400     10.5     (Co75Fe25)37.6Pt30.7Cu30.7Mn1     (Co75Fe25)35Pt28.5Cu28.5Mn8
表5d)-1
 样品号   元件类型 热处理温度(℃)      MR(%) 组成1 组成2 组成3 组成4 组成5 组成6
57 c)     r.t.     12.7  Ni80Fe20  Ni80Fe20  Fe   Fe   Co75Fe25   Co75Fe25
260 28.4
    300     29.3
    350     18.9   (Co75Fe25)99Mn1   (Co75Fe25)95Mn5
    400     15.1   Fe99.8Mn0.2   (Co75Fe25)98Mn2   (Co75Fe25)90Mn10
58 c)     r.t.     12.7  Ni80Fe20  Ni80Fe20  Fe99.8Pt0.2   Fe99.8Pt0.2   Co75Fe25   Co75Fe25
260 28.2
    300     29.7
    350     19.3   (Co75Fe25)99Mn1   (Co75Fe25)95Mn5
    400     15.4   Fe99.5Pt0.2Mn0.2   (Co75Fe25)98Mn2   (Co75Fe25)90Mn10
59 c)     r.t.     12.5  Ni80Fe20  Ni80Fe20  Fe99.7Pt0.3   Fe99.7Pt0.3   Co75Fe25   Co75Fe25
260 27.1
    300     29.4
    350     27.2   (Co75Fe25)99Mn1   (Co75Fe25)95Mn5
    400     29   Fe99.55Pt0.3Mn0.15   (Co75Fe25)90Mn2   (Co75Fe25)90Mn10
60 c)     r.t.     12.3  Ni80Fe20  Ni80Fe20  Fe97Pt3   Fe97Pt3   Co75Fe25   Co75Fe25
260 26.5
    300     26.8
    350     28.7   (Co75Fe25)99Mn1   (Co75Fe25)95Mn5
    400     30   Fe95.9Pt3Mn0.1   (Co75Fe25)98Mn2   (Co75Fe25)90Mn10
表5d)-2
样品号   元件类型   热处理温度(℃)      MR(%)  组成1  组成2  组成3  组成4   组成5   组成6
    61     c)     r.t.     12.4  Ni80Fe20  Ni80Fe20  Fe85Pt15  Fe85Pt15   Co75Fe25   Co75Fe25
    260     23.9
    300     25.1
    350     30.4   (Co75Fe25)99Mn1   (Co75Fe25)95Mn5
    400     37   (Co75Fe25)98Mn2   (Co75Fe25)90Mn10
    62     c)     r.t.     11.9  Ni80Fe20  Ni80Fe20  Fe71Pt29  Fe71Pt29   Co75Fe25   Co75Fe25
    260     25.1
    300     27.8
    350     29.1   (Co75Fe25)99Mn1   (Co75Fe25)95Mn5
    400     33.4   (Co75Fe25)98Mn2   (Co75Fe25)90Mn10
    63     c)     r.t.     11.5  Ni80Fe20  Ni80Fe20  Fe41Pt59  Fe41Pt59   Co75Fe25   Co75Fe25
    260     24.9
    300     27.4
    350     27.6   (Co75Fe25)99Mn1   (Co75Fe25)95Mn5
    400     29.4   (Co75Fe25)98Mn2   (Co75Fe25)90Mn10
    64     c)     r.t.     10.3  Ni80Fe20  Ni80Fe20  Fe38Pt62  Fe38Pt62   Co75Fe25   Co75Fe25
    260     21
    300     22.1
    350     18.5   (Co75Fe25)99Mn1   (Co75Fe25)95Mn5
    400     15.9   (Co75Fe25)98Mn2   (Co75Fe25)90Mn10
表6a)-1
样品号 元件类型  热处理温度(℃)     MR(%)     组成1        组成2           组成3        组成4          组成5      组成6
65 c)     r.t.     12.6 (Ni80Fe20)99.8Mn0.2 (Ni80Fe20)99.8Mn0.2 Fe99.8Mn0.2 Fe99.8Mn0.2     (Co75Fe25)99.8Mn0.2     (Co75Fe25)99.8Mn0.2
260 28.5
    300     29.1
    350     18.9     (Co75Fe25)98.8Mn1.2     (Co75Fe25)94.8Mn5.2
    400     15.1     Fe99.6Mn0.4     (Co75Fe25)97.8Mn2.2     (Co75Fe25)89.8Mn10.2
66 c)     r.t.     12.8 (Ni80Fe20)99.8Mn0.2 (Ni80Fe20)99.8Mn0.2 Fe99.6Pt0.2Mn0.2 Fe99.6Pt0.2Mn0.2     (Co75Fe25)99.8Mn0.2     (Co75Fe25)99.8Mn0.2
260 28.4
    300     29.1
    350     19.5     (Co75Fe25)89.8Mn1.2     (Co75Fe25)94.8Mn5.2
    400     15.6     Fe99.4Pt0.2Mn0.4     (Co75Fe25)97.8Mn2.2     (Co75Fe25)99.8Mn10.2
67 c)     r.t.     12.7 (Ni80Fe20)99.8Mn0.2 (Ni80Fe20)99.8Mn0.2 Fe99.5Pt0.3Mn0.2 Fe99.5Pt0.3Mn0.2     (Co75Fe25)99.8Mn0.2     (Co75Fe25)99.8Mn0.2
260 27.4
    300     30.1
    350     29.5     (Co75Fe25)98.8Mn1.2     (Co75Fe25)94.8Mn5.2
    400     33.4     Fe99.35Pt0.3Mn0.35     (Co75Fe25)97.8Mn2.2     (Co75Fe25)89.8Mn10.2
68 c)     r.t.     12.5 (Ni80Fe20)99.8Mn0.2 (Ni80Fe20)99.8Mn0.2 Fe97Pt2.8Mn0.2 Fe97Pt2.8Mn0.2     (Co75Fe25)99.8Mn0.2     (Co75Fe25)99.8Mn0.2
260 27
    300     28.9
    350     33.6     (Co75Fe25)98.8Mn1.2     (Co75Fe25)94.8Mn5.2
    400     36.7     Fe96.9Pt2.8Mn0.3     (Co75Fe25)97.8Mn2.2     (Co75Fe25)89.8Mn10.2
表6a)-2
样品号   元件类型 热处理温度(℃)     MR(%) 组成1 组成2 组成3 组成4 组成5 组成6
    69     c)     r.t.     12.1 (Ni80Fe20)99.8Mn0.2   (Ni80Fe20)99.8Mn0.2   Fe85Pt14.8Mn0.2     Fe85Pt14.8Mn0.2     (Co75Fe25)99.8Mn0.2     (Co75Fe25)99.8Mn0.2
    260     25.3
    300     29.9
    350     34.2     (Co75Fe25)98.8Mn1.2     (Co75Fe25)94.8Mn5.2
    400     39.6     (Co75Fe25)97.8Mn2.2     (Co75Fe25)89.8Mn10.2
    70     c)     r.t.     11.8 (Ni80Fe20)99.8Mn0.2   (Ni80Fe20)99.8Mn0.2    Fe71Pt28.8Mn0.2     Fe71Pt28.8Mn0.2     (Co75Fe25)99.8Mn0.2     (Co75Fe25)99.8Mn0.2
    260     25.3
    300     27.4
    350     31.8     (Co75Fe25)98.8Mn1.2     (Co75Fe25)94.8Mn5.2
    400     37.9     (Co75Fe25)97.8Mn2.2     (Co75Fe25)89.8Mn10.2
    71     c)     r.t.     11.4 (Ni80Fe20)99.8Mn0.2   (Ni80Fe20)99.8Mn0.2   Fe41Pt58.8Mn0.2     F841Pt58.8Mn0.2     (Co75Fe25)99.8Mn0.2     (Co75Fe25)99.8Mn0.2
    260     25.1
    300     27.1
    350     28.5     (Co75Fe25)98.8Mn1.2     (Co75Fe25)94.8Mn5.2
    406     34.2     (Co75Fe25)97.8Mn2.2     (Co75Fe25)89.8Mn10.2
    72     c)     r.t.     10.5 (Ni80Fe20)99.8Mn0.2   (Ni80Fe20)99.8Mn0.2    Fe38Pt61.8Mn0.2     Fe38Pt61.8Mn0.2     (Co75Fe25)99.8Mn0.2     (Co75Fe25)99.8Mn0.2
    260     20.5
    300     22.3
    350     18.7     (Co75Fe25)98.8Mn1.2     (Co75Fe25)94.8Mn5.2
    400     16     (Co75Fe25)97.8Mn2.2     (Co75Fe25)89.8Mn10.2
表6b)-1
样品号   元件类型 热处理温度(℃)     MR(%) 组成1 组成2 组成3 组成4 组成5 组成6
73 c)     r.t.     12.8 (Ni80Fe20)99.5Mn0.5 (Ni80Fe20)99.5Mn0.5 Fe99.5Mn0.5 Fe99.5Mn0.5     (Co75Fe25)99.5Mn0.5     (Co75Fe25)99.5Mn0.5
260 28.6
    300     28.9
    350     19.5     (Co75Fe25)98.5Mn1.5     (Co75Fe25)94.5Mn5.5
    400     15.6   Fe99.3Mn0.7     (Co75Fe25)97.5Mn2.5     (Co75Fe25)89.6Mn10.4
74 c)     r.t.     12.7 (Ni80Fe20)99.5Mn0.5 (Ni80Fe20)99.5Mn0.5 Fe99.3Pt0.2Mn0.5 Fe99.3Pt0.2Mn0.5     (Co75Fe25)99.5Mn0.5     (Co75Fe25)99.5Mn0.5
260 28.6
    300     29.5
    350     19.7     (Co75Fe25)98.5Mn1.5     (Co75Fe25)94.5Mn5.5
    400     15.7   Fe99.1Pt0.2Mn0.7     (Co75Fe25)97.5Mn2.5     (Co75Fe25)89.6Mn10.4
75 c)     r.t.     12.4 (Ni80Fe20)99.5Mn0.5 (Ni80Fe20)99.5Mn0.5 Fe99.2Pt0.3Mn0.5 Fe99.2Pt0.3Mn0.5     (Co75Fe25)99.5Mn0.5     (Co75Fe25)99.5Mn0.5
260 27.1
    300     29.9
    350     28.4     (Co75Fe25)98.5Mn1.5     (Co75Fe25)94.5Mn5.5
    400     30.8   Fe99Pt0.3Mn0.7     (Co75Fe25)97.5Mn2.5     (Co75Fe25)89.6Mn10.4
76 c)     r.t.     12.8 (Ni80Fe20)99.5Mn0.5 (Ni80Fe20)99.5Mn0.5 Fe97Pt2.5Mn0.5 Fe97Pt2.5Mn0.5     (Co75Fe25)99.5Mn0.5     (Co75Fe25)99.5Mn0.5
260 27.6
    300     29.4
    350     34.4     (Co75Fe25)98.5Mn1.5     (Co75Fe25)94.5Mn5.5
    400     37.7   Fe96.85Pt2.5Mn0.65     (Co75Fe25)97.5Mn2.5     (Co75Fe25)89.6Mn10.4
表6b)-2
样品号   元件类型  热处理温度(℃)      MR(%)       组成1            组成2       组成3      组成4          组成5          组成6
77 c)     r.t.     13.1 (Ni80Fe20)99.5Mn0.5 (Ni80Fe20)99.5Mn0.5 Fe85Pt14.5Mn0.5 Fe85Pt14.5Mn0.5     (Co75Fe25)99.5Mn0.5     (Co75Fe25)99.5Mn0.5
260 26.7
    300     31.2
    350     38.4     (Co75Fe25)98.5Mn1.5     (Co75Fe25)94.5Mn5.5
    400     42.4     Fe84.5Pt14.5Mn0.5     (Co75Fe25)97.5Mn2.5     (Co75Fe25)89.6Mn10.4
    78     c)     r.t.     12.1     (Ni80Fe20)99.5Mn0.5     (Ni80Fe20)99.5Mn0.5     Fe71Pt28.5Mn0.5     Fe71Pt28.5Mn0.5     (Co75Fe25)99.5Mn0.5     (Co75Fe25)99.5Mn0.5
    260     25.5
    300     27.1
    350     37     (Co75Fe25)98.5Mn1.5     (Co75Fe25)94.5Mn5.5
    400     42.1     (Co75Fe25)97.5Mn2.5     (Co75Fe25)89.6Mn10.4
    79     c)     r.t.     11.6     (Ni80Fe20)99.5Mn0.5     (Ni80Fe20)99.5Mn0.5     Fe41Pt58.5Mn0.5     Fe41Pt58.5Mn0.5     (Co75Fe25)99.5Mn0.5     (Co75Fe25)99.5Mn0.5
    260     24.9
    300     26.8
    350     33.8     (Co75Fe25)98.5Mn1.5     (Co75Fe25)94.5Mn5.5
    400     39     (Co75Fe25)97.5Mn2.5     (Co75Fe25)89.6Mn10.4
    80     c)     r.t.     10.4     (Ni80Fe20)99.5Mn0.5     (Ni80Fe29)99.5Mn0.5     Fe38Pt61.5Mn0.5     Fe38Pt61.5Mn0.6     (Co75Fe25)99.5Mn0.5     (Co75Fe25)99.5Mn0.5
    260     19.9
    300     22.5
    350     19.5     (Co75Fe25)98.5Mn1.5     (Co75Fe25)94.5Mn5.5
    400     16.5     (Co75Fe25)97.5Mn2.5     (Co75Fe25)89.6Mn10.4
表6c)-1
 样品号   元件类型   热处理温度(℃)      MR(%) 组成1 组成2 组成3 组成4 组成5 组成6
81 c)     r.t.     12.7 (Ni80Fe20)99Mn1 (Ni80Fe20)99Mn1 Fe99Mn1 Fe99Mn1   (Co75Fe25)99Mn1   (Co75Fe25)99Mn1
260 28.4
    300     28.6
    350     18.9   (Co75Fe25)98Mn2   (Co75Fe25)94.1Mn5.9
    400     15.1  Fe99.8Mn0.2   (Co75Fe25)97Mn3   (Co75Fe25)89.1Mn10.9
82 c)     r.t.     12.5 (Ni80Fe20)99Mn1 (Ni80Fe20)99Mn1 Fe98.8Pt0.2Mn1 Fe98.8Pt0.2Mn1   (Co75Fe25)99Mn1   (Co75Fe25)99Mn1
260 28.3
    300     29.6
    350     19.09   (Co75Fe25)98Mn2   (Co75Fe25)94.1Mn5.9
    400     15.3  Fe98.6Pt0.2Mn1.2   (Co75Fe25)97Mn3   (Co75Fe25)89.1Mn10.9
83 c)     r.t.     12.1 (Ni80Fe20)95Mn1 (Ni80Fe20)99Mn1 Fe98.7Pt0.3Mn1 Fe98.7Pt0.3Mn1   (Co75Fe25)99Mn1   (Co75Fe25)99Mn1
260 26.9
    300     29.5
    350     27.4   (Co75Fe25)98Mn2   (Co75Fe25)94.1Mn5.9
    400     28.8  Fe98.5Pt0.3Mn1.2   (Co75Fe25)97Mn3   (Co75Fe25)89.1Mn10.9
84 c)     r.t.     12.5 (Ni80Fe20)99Mn1 (Ni80Fe20)99Mn1 Fe97Pt2Mn1 Fe97Pt2Mn1   (Co75Fe25)99Mn1   (Co75Fe25)99Mn1
260 27.4
    300     29.6
    350     33.3   (Co75Fe25)98Mn2   (Co75Fe25)94.1Mn5.9
    400     36.2  Fe96.85Pt2Mn1.15   (Co75Fe25)97Mn3   (Co75Fe25)89.1Mn10.9
表6c)-2
样品号   元件类型  热处理温度(℃)    MR(%)     组成1     组成2    组成3  组成4   组成5   组成6
85 c)     r.t.   13.3 (Ni80Fe20)99Mn1 (Ni80Fe20)99Mn1 Fe85Pt14Mn1 Fe85Pt14Mn1   (Co75Fe25)99Mn1   (Co75Fe25)99Mn1
260 26.8
    300   31.5
    350   39.1   (Co75Fe25)98Mn2   (Co75Fe25)94.1Mn5.9
    400   43.8  Fe84.9Pt14Mn1.1   (Co75Fe25)97Mn3   (Co75Fe25)89.1Mn10.9
    86     c)     r.t.   12.1   (Ni80Fe20)99Mn1   (Ni80Fe20)99Mn1   Fe71Pt28Mn1  Fe71Pt28Mn1   (Co75Fe25)99Mn1   (Co75Fe25)99Mn1
    260   25.6
    300   27
    350   37   (Co75Fe25)98Mn2   (Co75Fe25)94.1Mn5.9
    400   42.4   (Co75Fe25)97Mn3   (Co75Fe25)89.1Mn10.9
    87     c)     r.t.   11.7   (Ni80Fe20)99Mn1   (Ni80Fe20)99Mn1   Fe41Pt58Mn1  Fe41Pt58Mn1   (Co75Fe25)99Mn1   (Co75Fe25)99Mn1
    260   25.1
    300   26.9
    350   34.8   (Co75Fe25)98Mn2   (Co75Fe25)94.1Mn5.9
    400   39.4   (Co75Fe25)97Mn3   (Co75Fe25)89.1Mn10.9
    88     c)     r.t.   10.5   (Ni80Fe20)99Mn1   (Ni80Fe20)99Mn1   Fe38Pt61Mn1  Fe38Pt61Mn1   (Co75Fe25)99Mn1   (Co75Fe25)99Mn1
    260   19.8
    300   22.6
    350   19.7   (Co75Fe25)98Mn2   (Co75Fe25)94.1Mn5.9
    400   16.6   (Co75Fe25)97Mn3   (Co75Fe25)89.1Mn10.9
表6d)-1
样品号   元件类型 热处理温度(℃)     MR(%)     组成1     组成2     组成3     组成4     组成5   组成6
89 c)     r.t.     12.5 (Ni80Fe20)98Mn2 (Ni80Fe20)98Mn2 Fe98Mn2 Fe98Mn2   (Co75Fe25)98Mn2   (Co75Fe25)98Mn2
260 28.2
    300     28.3
    350     18.7   (Co75Fe25)97Mn3   (Co75Fe25)93.1Mn6.9
    400     14.9     Fe97.8Mn2.2   (Co75Fe25)96Mn4   (Co75Fe25)88.2Mn11.8
90 c)     r.t.     12.4 (Ni80Fe20)98Mn2 (Ni80Fe20)98Mn2 Fe97.8Pt0.2Mn2 Fe97.8Pt0.2Mn2   (Co75Fe25)98Mn2   (Co75Fe25)98Mn2
260 28.1
    300     29.1
    350     18.9   (Co75Fe25)97Mn3   (Co75Fe25)93.1Mn6.9
    400     15.1     Fe97.6Pt0.2Mn2.2   (Co75Fe25)96Mn4   (Co75Fe25)88.2Mn11.8
91 c)     r.t.     11.9 (Ni80Fe20)98Mn2 (Ni80Fe20)98Mn2 Fe97.7Pt0.3Mn2 Fe97.7Pt0.3Mn2   (Co75Fe25)98Mn2   (Co75Fe25)98Mn2
260 26.6
    300     29.1
    350     27   (Co75Fe25)97Mn3   (Co75Fe25)93.1Mn6.9
    400     28.4     Fe97.55Pt0.3Mn2.15   (Co75Fe25)96Mn4   (Co75Fe25)88.2Mn11.8
92 c)     r.t.     12.6 (Ni80Fe20)98Mn2 (Ni80Fe20)98Mn2 Fe96Pt2Mn2 Fe96Pt2Mn2   (Co75Fe25)96Mn2   (Co75Fe25)98Mn2
260 27.7
    300     30.2
    350     32.9   (Co75Fe25)97Mn3   (Co75Fe25)93.1Mn6.9
    400     35.8     Fe95.9Pt2Mn2.1   (Co75Fe25)96Mn4   (Co75Fe25)88.2Mn11.8
表6d)-2
样品号   元件类型   热处理温度(℃)     MR(%)     组成1     组成2   组成3   组成4    组成5     组成6
    93     c)     r.t.     13.5   (Ni80Fe20)98Mn2   (Ni80Fe20)98Mn2   Fe85Pt13Mn2   Fe85Pt13Mn2   (Co75Fe25)98Mn2   (Co75Fe25)98Mn2
    260     27.1
    300     32.2
    350     40.6   (Co75Fe25)97Mn3   (Co75Fe25)93.1Mn6.9
    400     46.8   (Co75Fe25)96Mn4   (Co75Fe25)88.2Mn11.8
    94     c)     r.t.     12.4   (Ni80Fe20)98Mn2   (Ni80Fe20)98Mn2   Fe71Pt27Mn2   Fe71Pt27Mn2   (Co75Fe25)98Mn2   (Co75Fe25)98Mn2
    260     25.7
    300     28.1
    350     38.6   (Co75Fe25)97Mn3   (Co75Fe25)93.1Mn6.9
    400     44.5   (Co75Fe25)96Mn4   (Co75Fe25)88.2Mn11.8
    95     c)     r.t.     11.9   (Ni80Fe20)98Mn2   (Ni80Fe20)98Mn2   Fe41Pt57Mn2   Fe41Pt57Mn2   (Co75Fe25)98Mn2   (Co75Fe25)98Mn2
    260     25.5
    300     27.1
    350     37   (Co75Fe25)97Mn3   (Co75Fe25)93.1Mn6.9
    400     42   (Co75Fe25)96Mn4   (Co75Fe25)88.2Mn11.8
    96     c)     r.t.     10.4   (Ni80Fe20)98Mn2   (Ni80Fe20)98Mn2   Fe38Pt60Mn2   Fe38Pt60Mn2   (Co75Fe25)98Mn2   (Co75Fe25)98Mn2
    260     19.9
    300     22.4
    350     19.8   (Co75Fe25)97Mn3   (Co75Fe25)93.1Mn6.9
    400     16.8   (Co75Fe25)96Mn4   (Co75Fe25)88.2Mn11.8
表7a)-1
样品号   元件类型 热处理温度(℃)      MR(%)     组成1     组成2     组成3     组成4     组成5     组成6
97 c)     r.t.     12.4 (Ni80Fe20)95Mn5 (Ni80Fe20)95Mn5 Fe95Mn5 Fe95Mn5   (Co75Fe25)95Mn5   (Co75Fe25)95Mn5
260 28.3
    300     28.4
    350     18.5   (Co75Fe25)94.1Mn5.9   (Co75Fe25)90.3Mn9.7
    400     14.8   Fe94.8Mn5.2   (Co75Fe25)93.1Mn6.9   (Co75Fe25)85.5Mn14.5
98 c)     r.t.     12.2 (Ni80Fe20)95Mn5 (Ni80Fe20)95Mn5 Fe94.8Pt0.2Mn5 Fe94.8Pt0.2Mn5   (Co75Fe25)95Mn5   (Co75Fe25)95Mn5
260 28
    300     28.9
    350     18.7   (Co75Fe25)94.1Mn5.9   (Co75Fe25)90.3Mn9.7
    400     14.9   Fe94.6Pt0.2Mn5.2   (Co75Fe25)93.1Mn6.9   (Co75Fe25)85.5Mn14.5
99 c)     r.t.     11.8 (Ni80Fe20)95Mn5 (Ni80Fe20)95Mn5 Fe94.7Pt0.3Mn5 Fe94.7Pt0.3Mn5   (Co75Fe25)95Mn5   (Co75Fe25)95Mn5
260 26.4
    300     28.8
    350     26.5   (Co75Fe25)94.1Mn5.9   (Co75Fe25)90.3Mn9.7
    400     27.9   Fe94.55Pt0.3Mn5.15   (Co75Fe25)93.1Mn6.9   (Co75Fe25)85.5Mn14.5
100 c)     r.t.     12.4 (Ni80Fe20)95Mn5 (Ni80Fe20)95Mn5 Fe93Pt2Mn5 Fe93Pt2Mn5   (Co75Fe25)95Mn5   (Co75Fe25)95Mn5
260 27.1
    300     29.9
    350     31.6   (Co75Fe25)94.1Mn5.9   (Co75Fe25)90.3Mn9.7
    400     32.8   Fe92.9Pt2Mn5.1   (Co75Fe25)93.1Mn6.9   (Co75Fe25)85.5Mn14.5
表7a)-2
样品号   元件类型  热处理温度(℃)     MR(%)     组成1     组成2     组成3     组成4     组成5   组成6
    101     c)     r.t.     13.3     (Ni80Fe20)95Mn5     (Ni80Fe20)95Mn5   Fe85Pt10Mn5     Fe85Pt10Mn5   (Co75Fe25)95Mn5   (Co75Fe25)95Mn5
    260     26.9
    300     31.8
    350     40.1   (Co75Fe25)94.1Mn5.9   (Co75Fe25)90.3Mn9.7
    400     45   (Co75Fe25)94.1Mn6.9   (Co75Fe25)85.5Mn14.5
    102     c)     r.t.     12.2     (Ni80Fe20)95Mn5     (Ni80Fe20)95Mn5   Fe71Pt24Mn5     Fe71Pt24Mn5   (Co75Fe25)95Mn5   (Co75Fe25)95Mn5
    260     25.8
    300     27.9
    350     36.7   (Co75Fe25)94.1Mn5.9   (Co75Fe25)90.3Mn9.7
    400     43.2   (Co75Fe25)93.1Mn6.9   (Co75Fe25)85.5Mn14.5
    103     c)     r.t.     11.7     (Ni80Fe20)95Mn5     (Ni80Fe20)95Mn5   Fe41Pt54Mn5     Fe41Pt54Mn5   (Co75Fe25)95Mn5   (Co75Fe25)95Mn5
    260     25.3
    300     26.9
    350     34.4   (Co75Fe25)94.1Mn5.9   (Co75Fe25)90.3Mn9.7
    400     40.5   (Co75Fe25)93.1Mn6.9   (Co75Fe25)85.5Mn14.5
    104     c)     r.t.     10.3     (Ni80Fe20)95Mn5     (Ni80Fe20)95Mn5   Fe38Pt57Mn5     Fe38Pt57Mn5   (Co75Fe25)95Mn5   (Co75Fe25)95Mn5
    260     19.9
    300     22.2
    350     19.5   (Co75Fe25)94.1Mn5.9   (Co75Fe25)90.3Mn9.7
    400     16.5   (Co75Fe25)93.1Mn6.9   (Co75Fe25)85.5Mn14.5
表7b)-1
样品号   元件类型  热处理温度(℃)      MR(%) 组成1 组成2 组成3 组成4 组成5 组成6
105 c)     r.t.     12.1 (Ni80Fe20)92Mn8 (Ni80Fe20)92Mn8 Fe92Mn8 Fe92Mn8   (Co75Fe25)92Mn8   (Co75Fe25)92Mn8
260 27.6
    300     27.8
    350     18   (Co75Fe25)91.2Mn8.8   (Co75Fe25)87.9Mn12.1
    400     14.3   Fe91.85Mn8.15   (Co75Fe25)90.3Mn9.7   (Co75Fe25)83.7Mn16.3
106 c)     r.t.     12.2 (Ni80Fe20)92Mn8 (Ni80Fe20)92Mn8 Fe91.8Pt0.2Mn8 Fe91.8Pt0.2Mn8   (Co75Fe25)92Mn8   (Co75Fe25)92Mn8
260 27.9
    300     28.2
    350     18.1   (Co75Fe25)91.2Mn8.8   (Co75Fe25)87.9Mn12.1
    400     14.5   Fe91.65Pt0.2Mn8.15   (Co75Fe25)90.3Mn9.7   (Co75Fe25)83.7Mn16.3
107 c)     r.t.     11.6 (Ni80Fe20)92Mn8 (Ni80Fe20)92Mn8 Fe91.7Pt0.3Mn8 Fe91.7Pt0.2Mn8   (Co75Fe25)92Mn8   (Co75Fe25)92Mn8
260 25.9
    300     28.1
    350     24.9   (Co75Fe25)91.2Mn8.8   (Co75Fe25)87.9Mn12.1
    400     25.8   Fe91.6Pt0.3Mn8.1   (Co75Fe25)90.3Mn9.7   (Co75Fe25)83.7Mn16.3
108 c)     r.t.     12 (Ni80Fe20)92Mn8 (Ni80Fe20)92Mn8 Fe90Pt2Mn8 Fe90Pt2Mn8   (Co75Fe25)92Mn8   (Co75Fe25)92Mn8
2690 26.8
    300     29.7
    350     28.7   (Co75Fe25)91.2Mn8.8   (Co75Fe25)87.9Mn12.1
    400     30   Fe89.95Pt2Mn8.05   (Co75Fe25)90.3Mn9.7   (Co75Fe25)83.7Mn16.3
表7b)-2
样品号   元件类型  热处理温度(℃)     MR(%) 组成1 组成2 组成3 组成4 组成5 组成6
    109     c)     r.t.     12.9     (Ni80Fe20)92Mn8     (Ni80Fe20)92Mn8     Fe85Pt7Mn8     Fe85Pt7Mn8   (Co75Fe25)92Mn8   (Co75Fe25)92Mn8
    260     26.2
    300     31.1
    350     32.3   (Co75Fe25)91.2Mn8.8   (Co75Fe25)87.9Mn12.1
    400     37.3   (Co75Fe25)90.3Mn9.7   (Co75Fe25)83.7Mn16.3
    110     c)     r.t.     11     (Ni80Fe20)92Mn8     (Ni80Fe20)92Mn8     Fe71Pt21Mn8     Fe71Pt21Mn8   (Co75Fe25)92Mn8   (Co75Fe25)92Mn8
    260     24.9
    300     26.2
    350     30.4   (Co75Fe25)91.2Mn8.8   (Co75Fe25)87.9Mn12.1
    400     34.1   (Co75Fe25)90.3Mn9.7   (Co75Fe25)83.7Nn16.3
    111     c)     r.t.     10.6     (Ni80Fe20)92Mn8     (Ni80Fe20)92Mn8     Fe41Pt51Mn8     Fe41Pt51Mn8   (Co75Fe25)92Mn8   (Co75Fe25)92Mn8
    260     24.9
    300     26.1
    350     28.5   (Co75Fe25)91.2Mn8.8   (Co75Fe25)87.9Mn12.1
    400     32.6   (Co75Fe25)90.3Mn9.7   (Co75Fe25)83.7Mn16.3
    112     c)     r.t.     10.2     (Ni80Fe20)92Mn8     (Ni80Fe20)92Mn8     Fe38Pt54Mn8     Fe38Pt54Mn8   (Co75Fe25)92Mn8   (Co75Fe25)92Mn8
    260     19.7
    300     21.9
    350     18.3   (Co75Fe25)91.2Mn8.8   (Co75Fe25)87.9Mn12.1
    400     15.4   (Co76Fe25)90.3Mn9.7   (Co75Fe25)83.7Mn16.3
表7c)-1
样品号  元件类型  热处理温度(℃)     MR(%) 组成1 组成2   组成3   组成4         组成5   组成6
113 c)     r.t.     11.6 (Ni80Fe20)88Mn12 (Ni80Fe20)88Mn12 Fe88Mn12 Fe88Mn12     (Co75Fe25)88Mn12   (Co75Fe25)88Mn12
260 26.1
    300     26.5
    350     17     (Co75Fe25)87.3Mn12.7   (Co75Fe25)84.5Mn15.5
    400     13.6   Fe87.9Mn12.1     (Co75Fe25)86.6Mn13.4   (Co75Fe25)81Mn19
114 c)     r.t.     11.8 (Ni80Fe20)88Mn12 (Ni80Fe20)88Mn12 Fe87.8Pt0.2Mn12 Fe87.8Pt0.2Mn12     (Co75Fe25)88Mn12   (Co75Fe25)88Mn12
260 26.5
    300     26.9
    350     17.2     (Co75Fe25)87.3Mn12.7   (Co75Fe25)84.5Mn15.5
    400     13.7   Fe87.7Pt0.2Mn12.1     (Co75Fe25)86.6Mn13.4   (Co75Fe25)81Mn19
115 c)     r.t.     11.5 (Ni80Fe20)88Mn12 (Ni80Fe20)88Mn12 Fe87.7Pt0.3Mn12 Fe87.7Pt0.3Mn12     (Co75Fe25)88Mn12   (Co75Fe25)88Mn12
260 25.7
    300     27.8
    350     23.5     (Co75Fe25)87.3Mn12.7   (Co75Fe25)84.5Mn15.5
    400     24   Fe87.65Pt0.3Mn12.05     (Co75Fe25)86.6Mn13.4   (Co75Fe25)81Mn19
  116   c)     r.t.     11.8   (Ni80Fe20)88Mn12   (Ni80Fe20)88Mn12   Fe86Pt2Mn12   Fe86Pt2Mn12     (Co75Fe25)88Mn12   (Co75Fe25)88Mn12
    260     26.6
    300     27.9
    350     25.7     (Co75Fe25)87.3Mn12.7   (Co75Fe25)84.5Mn15.5
    400     27.2     (Co75Fe25)86.6Mn13.4   (Co75Fe25)81Mn19
表7c)-2
样品号  元件类型  热处理温度(℃)     MR(%) 组成1 组成2 组成3 组成4 组成5 组成6
  117   c)     r.t.     11.9   (Ni80Fe20)88Mn12   (Ni80Fe20)88Mn12   Fe81Pt7Mn12   Fe81Pt7Mn12   (Co75Fe25)88Mn12   (Co75Fe25)88Mn12
    260     25.9
    300     30.2
    350     27.2   (Co75Fe25)87.3Mn12.7   (Co75Fe25)84.5Mn15.5
    400     29.9   (Co75Fe25)86.6Mn13.4   (Co75Fe25)81Mn19
  118   c)     r.t.     10.1   (Ni80Fe20)88Mn12   (Ni80Fe20)88Mn12   Fe71t17Mn12   Fe71Pt17Mn12   (Co75Fe25)88Mn12   (Co75Fe25)88Mn12
    260     23.9
    300     25.7
    350     26.8   (Co75Fe25)87.3Mn12.7   (Co75Fe25)84.5Mn15.6
    400     29.4   (Co75Fe25)86.6Mn13.4   (Co75Fe25)81Mn19
  119   c)     r.t.     10.1   (Ni80Fe20)88Mn12   (Ni80Fe20)88Mn12   Fe41Pt47Mn12   Fe41Pt47Mn12   (Co75Fe25)88Mn12   (Co75Fe25)88Mn12
    260     24.2
    300     25.6
    350     24.9   (Co75Fe25)87.3Mn12.7   (Co75Fe25)84.5Mn15.5
    400     27.2   (Co75Fe25)86.6Mn13.4   (Co75Fe25)81Mn19
  120   c)     r.t.     9.9   (Ni80Fe20)88Mn12   (Ni80Fe20)88Mn12   Fe38Pt50Mn12   Fe38Pt50Mn12   (Co75Fe25)88Mn12   (Co75Fe25)88Mn12
    260     19.2
    300     21.2
    350     17   (Co75Fe25)87.3Mn12.7   (Co75Fe25)84.5Mn15.5
    400     13.9   (Co75Fe25)86.6Mn13.4   (Co75Fe25)81Mn19
表7d)-1
样品号   元件类型   热处理温度(℃)      MR(%) 组成1 组成2 组成3 组成4 组成5 组成6
121 c)     r.t.     10.9 (Ni80Fe20)81Mn19 (Ni80F20)81Mn19 Fe81Mn19 Fe81Mn19     (Co75Fe25)81Mn19   (Co75Fe25)81Mn19
260 24.2
    300     24.7
    350     16.1     (Co75Fe25)80.5Mn19.5   (Co75Fe25)78.6Mn21.4
    400     12.8   Fe80.95Mn19.05     (Co75Fe25)80Mn20   (Co75Fe25)75.1Mn23.9
122 c)     r.t.     11.2 (Ni80Fe20)81Mn19 (Ni80Fe20)81Mn19 Fe80.8Pt0.2Mn19 Fe80.8Pt0.2Mn19     (Co75Fe25)81Mn19   (Co75Fe25)81Mn19
260 25.1
    300     25.3
    350     16.1     (Co75Fe25)80.5Mn19.5   (Co75Fe25)78.6Mn21.4
    400     12.8   Fe80.75Pt0.2Mn19.05     (Co75Fe25)80Mn20   (Co75Fe25)75.1Mn23.9
    123     c)     r.t.     11.4     (Ni80Fe20)81Mn19   (Ni80Fe20)81Mn19   Fe80.7Pt0.3Mn19   Fe80.7Pt0.3Mn19     (Co75Fe25)81Mn19   (Co75Fe25)81Mn19
    260     25.5
    300     26.9
    350     21.8     (Co75Fe25)80.5Mn19.5   (Co75Fe25)78.6Mn21.4
    400     21.9     (Co75Fe25)80Mn20   (Co75Fe25)75.1Mn23.9
    124     c)     r.t.     11.4     (Ni80Fe20)81Mn19   (Ni80Fe20)81Mn19   Fe79Pt2Mn19   Fe79Pt2Mn19     (Co75Fe25)81Mn19   (Co75Fe25)81Mn19
    260     26.1
    300     27.2
    350     22.7     (Co75Fe25)80.5Mn19.5   (Co75Fe25)78.6Mn21.4
    400     23.1     (Co75Fe25)80Mn20   (Co75Fe25)75.1Mn23.9
表7d)--2
样品号   元件类型  热处理温度(℃)      MR(%)     组成1     组成2  组成3 组成4   组成5     组成6
    125     c)     r.t.     11.6  (Ni80Fe20)81Mn19 (Ni80Fe20)81Mn19 Fe74Pt7Mn19 Fe74Pt7Mn19   (Co75Fe25)81Mn19   (Co75Fe25)81Mn19
    260     25.8
    300     28.9
    350     24.4   (Co75Fe25)80.5Mn19.5   (Co75Fe25)78.6Mn21.4
    400     25.1   (Co75Fe25)80Mn20   (Co75Fe25)75.1Mn23.9
    126     c)     r.t.     9.9  (Ni80Fe20)81Mn19 (Ni80Fe20)81Mn19 Fe71Pt10Mn19 Fe71Pt10Mn19   (Co75Fe25)81Mn19   (Co75Fe25)81Mn19
    260     22.1
    300     24.2
    350     23.1   (Co75Fe25)80.5Mn19.5   (Co75Fe25)78.6Mn21.4
    400     24   (Co75Fe25)80Mn20   (Co75Fe25)75.1Mn23.9
    127     c)     r.t.     9.8  (Ni80Fe20)81Mn19 (Ni80Fe20)81Mn19 Fe41Pt40Mn19 Fe41Pt40Mn19   (Co75Fe25)81Mn19   (Co75Fe25)81Mn19
    260     23.9
    300     24.2
    350     21.4   (Co75Fe25)80.5Mn19.5   (Co75Fe25)78.6Mn21.4
    400     21.9   (Co75Fe25)80Mn20   (Co75Fe25)75.1Mn23.9
    128     c)     r.t.     9.5  (Ni80Fe20)81Mn19 (Ni80Fe20)81Mn19 Fe38Pt43Mn19 Fe38Pt43Mn19   (Co75Fe25)81Mn19   (Co75Fe25)81Mn19
    260     18.2
    300     20.1
    350     15.1   (Co75Fe25)80.5Mn19.5   (Co75Fe25)78.6Mn21.4
    400     12.7   (Co75Fe25)80Mn20   (Co75Fe25)75.1Mn23.9
表8a)-1
样品号   元件类型  热处理温度(℃)     MR(%)     组成1     组成2     组成3     组成4     组成5    组成6
    129     c)     r.t.     10.1     (Ni80Fe20)78Mn22     (Ni80Fe20)78Mn22     Fe78Mn22     Fe78Mn22   (Co75Fe25)78Mn22   (Co75Fe25)78Mn22
    260     21.1
    300     21.4
    350     13.2   (Co75Fe25)77.7Mn22.3   (Co75Fe25)76.4Mn23.6
    400     10.6   (Co75Fe25)77.4Mn22.6   (Co75Fe25)74.9Mn25.1
    130     c)     r.t.     10.2     (Ni80Fe20)78Mn22     (Ni80Fe20)78Mn22     Fe77.8Pt0.2Mn22     Fe77.8Pt0.2Mn22   (Co75Fe25)78Mn22   (Co75Fe25)78Mn22
    260     21.4
    300     21.6
    350     13   (Co75Fe25)77.7Mn22.3   (Co75Fe25)76.4Mn23.6
    400     10.4   (Co75Fe25)77.4Mn22.6   (Co75Fe25)74.9Mn25.1
    131     c)     r.t.     10.4     (Ni80Fe20)78Mn22     (Ni80Fe20)78Mn22     Fe77.7Pt0.3Mn22     Fe77.7Pt0.3Mn22   (Co75Fe25)78Mn22   (Co75Fe25)78Mn22
    260     21.6
    300     21.7
    350     14.6   (Co75Fe25)77.7Mh22.3   (Co75Fe25)76.4Mn23.6
    400     12.2   (Co75Fe25)77.4Mn22.6   (Co75Fe25)74.9Mn25.1
    132     c)     r.t.     10.5     (Ni80Fe20)78Mn22     (Ni80Fe20)78Mn22     Fe76Pt2Mn22     Fe76Pt2Mn22   (Co75Fe25)78Mn22   (Co75Fe25)78Mn22
    260     21.9
    300     21.7
    350     14.7   (Co75Fe25)77.7Mn22.3   (Co75Fe25)76.4Mn23.6
    400     12.5   (Co75Fe25)77.4Mn22.6   (Co75Fe25)74.9Mn25.1
表8a)-2
样品号   元件类型  热处理温度(℃)      MR(%) 组成1 组成2 组成3 组成4 组成5 组成6
    133     c)     r.t.     10.7 (Ni80Fe20)78Mn22 (Ni80Fe20)78Mn22  Fe71Pt7Mn22  Fe71Pt7Mn22   (Co75Fe25)78Mn22   (Co75Fe25)78Mn22
    260     22.1
    300     22.3
    350     14.9   (Co75Fe25)77.7Mn22.3   (Co75Fe25)76.4Mn23.6
    400     12.8   (Co75Fe25)77.4Mn22.6   (Co75Fe25)74.9Mn25.1
    134     c)     r.t.     9.6 (Ni80Fe20)78Mn22 (Ni80Fe20)78Mn22  Fe68Pt10Mn22  Fe68Pt10Mn22   (Co75Fe25)78Mn22   (Co75Fe25)78Mn22
    260     18.2
    300     19.9
    350     14.6   (Co75Fe25)77.7Mn22.3   (Co75Fe25)76.4Mn23.6
    400     12.7   (Co75Fe25)77.4Mn22.6   (Co75Fe25)74.9Mn25.1
    135     c)     r.t.     9.5 (Ni80Fe20)78Mn22 (Ni80Fe20)78Mn22  Fe41Pt37Mn22  Fe41Pt37Mn22   (Co75Fe25)78Mn22   (Co75Fe25)78Mn22
    260     17.6
    300     18.1
    350     13.4   (Co75Fe25)77.7Mn22.3   (Co75Fe25)76.4Mn23.6
    400     10.4   (Co75Fe25)77.4Mn22.6   (Co75Fe25)74.9Mn25.1
    136     c)     r.t.     8.1 (Ni80Fe20)78Mn22 (Ni80Fe20)78Mn22  Fe38Pt40Mn22  Fe38Pt40Mn22   (Co75Fe25)78Mn22   (Co75Fe25)78Mn22
    260     16.2
    300     16.9
    350     11.3   (Co75Fe25)77.7Mn22.3   (Co75Fe25)76.4Mn23.6
    400     10.7   (Co75Fe25)77.4Mn22.6   (Co75Fe25)74.9Mn25.1
表8b)-1
样品号   元件类型    热处理温度(℃)      MR(%)  组成1  组成2     组成3
    137     d)     r.t.     18.9  Co50Pt50  Co50Pt50  Co75Fe25
    260     37.1
    300     36.5
    350     15.1
    400     9.9
    138     d)     r.t.     18.8  Co50Pt50  Co50Pt50  (Co75Fe25)99.8Rh0.2
    260     35.6
    300     36.6
    350     15.4
    400     10.5
    139     d)     r.t.     18.5  Co50Pt50  Co50Pt50  (Co75Fe25)99.7Rh0.3
    260     35.9
    300     36.6
    350     26.5
    400     25.9
    140     d)     r.t.     18.1  Co50Pt50  Co50Pt50  (Co75Fe25)97Rh3
    260     36.2
    300     36.4
    350     35.6
    400     30.1
表8b)-2
样品号   元件类型    热处理温度(℃)     MR(%)     组成4     组成5       组成6     组成7   组成8   组成9
    137     d)     r.t.     18.9     Co75Fe25     Ni80Fe20     Co75Fe25     Co75Fe25  Co50Pt50   Co50Pt50
    260     37.1
    300     36.5
    350     15.1
    400     9.9
    138     d)     r.t.     18.8     (Co75Fe25)99.8Rh0.2     Ni80Fe20     (Co75Fe25)99.8Rh0.2     (Co75Fe25)99.8Rh0.2  Co50Pt50   Co50Pt50
    260     35.6
    300     36.6
    350     15.4
    400     10.5
    139     d)     r.t.     18.5     (Co75Fe25)99.7Rh0.3     Ni80Fe20     (Co75Fe25)99.7Rh0.3     (Co75Fe25)99.7Rh0.3  Co50Pt50   Co50Pt50
    260     35.9
    300     36.6
    350     26.5
    400     25.9
    140     d)     r.t.     18.1     (Co75Fe25)97Rh3     Ni80Fe20     (Co75Fe25)97Rh3     (Co75Fe25)97Rh3  Co50Pt50   Co50Pt50
    260     36.2
    300     36.4
    350     35.6
    400     30.1
表8b)-3
样品号   元件类型    热处理温度(℃) MR(%) 组成1 组成2 组成3
    141     d)     r.t.     16.5     Co50Pt50     Co50Pt50     (Co75Fe25)85Rh15
    260     32.1
    300     33.2
    350     34.2
    400     36.6
    142     d)     r.t.     16.1     Co50Pt50     Co50Pt50     (Co75Fe25)71Rh29
    260     30.1
    300     32.4
    350     34.5
    400     34.3
    143     d)     r.t.     15.2     Co50Pt50     Co50Pt50     (Co75Fe25)41Rh59
    260     25.7
    300     26.6
    350     30.3
    400     29.8
    144     d)     r.t.     10.3     Co50Pt50     Co50Pt50     (Co75Fe25)38Rh62
    260     22.1
    300     23.5
    350     16.1
    400     11.2
表8b)-4
 样品号   元件类型    热处理温度(℃)      MR(%)   组成4 组成5 组成6 组成7  组成8  组成9
    141     d)     r.t.     16.5 (Co75Fe25)85Rh15  Ni80Fe20 (Co75Fe25)85Rh15 (Co75Fe25)85Rh15  Co50Pt50  Co50Pt50
    260     32.1
    300     33.2
    350     34.2
    400     36.6
    142     d)     r.t.     16.1 (Co75Fe25)71Rh29  Ni80Fe20 (Co75Fe25)71Rh29 (Co75Fe25)71Rh29  Co50Pt50  Co50Pt50
    260     30.1
    300     32.4
    350     34.5
    400     34.3
    143     d)     r.t.     15.2 (Co75Fe25)41Rh59  Ni80Fe20 (Co75Fe25)41Rh59 (Co75Fe25)41Rh59  Co50Pt50  Co50Pt50
    260     25.7
    300     26.6
    350     30.3
    400     29.8
    144     d)     r.t.     10.3 (Co75Fe25)38Rh62  Ni80Fe20 (Co75Fe25)38Rh62 (Co75Fe25)38Rh62  Co50Pt50  Co50Pt50
    260     22.1
    300     23.5
    350     16.1
    400     11.2
表8c)-1
样品号   元件类型   热处理温度(℃)      MR(%)     组成1   组成2     组成3
    145     d)     r.t.     15.1   Co50Fe50   Co50Fe50     Co90Fe10
    260     32.1
    300     34.1
    350     10.1
    400     8.5
    146     d)     r.t.     15.3   (Co50Fe50)99.8Pt0.2   (Co50Fe50)99.8Pt0.2     (Co50Fe50)99.9Pt0.1
    260     32.4
    300     34.3
    350     11.1     (Co90Fe10)99.8Pt0.1Mn0.1
    400     9.5     (Co90Fe10)99.7Pt0.2Mn0.1
    147     d)     r.t.     15.5   (Co50Fe50)99.7Pt0.3   (Co50Fe50)99.7Pt0.3     (Co90Fe10)99.85Mn0.15
    260     33.1
    300     35.2
    350     28.4     (Co90Fe10)99.7Pt0.15Mn0.15
    400     24.6     (Co90Fe10)99.55Pt0.3Mn0.15
    148     d)     r.t.     16.3   (Co50Fe50)97Pt3   (Co50Fe50)97Pt3     (Co90Fe10)99Mn1
    260     35.2
    300     36.7
    350     32.8     (Co90Fe10)98Pt1Mn1
    400     29.9     (Co90Fe10)97Pt2Mn1
表8c)-2
样品号 元件类型     热处理温度(℃) MR(%) 组成4 组成5 组成6 组成7 组成8 组成9
    145     d)     r.t.     15.1     Fe60Ni40   Ni80Fe20     Fe60Ni40     Co90Fe10   Co50Fe50     Co50Fe50
    260     32.1
    300     34.1
    350     10.1     Fe57Ni43   Ni78.9Fe21.1     Fe57Ni43
    400     8.5     Fe54Ni46   Ni77.8Fe22.2     Fe54Ni46
    146     d)     r.t.     15.3     (Fe60Ni40)99.8Ir0.2   Ni80Fe20     (Fe60Ni40)99.8Ir0.2     (Co90Fe10)99.9Mn0.1   (Co50Fe50)99.8Pt0.2     (Co50Fe50)99.8Pt0.2
   260     32.4
   300     34.3
   350     11.1     (Fe57Ni43)99.8Ir0.2   Ni78.9Fe21.1     (Fe57Ni43)99.8Ir0.2     (Co90Fe10)99.8Pt0.1Mn0.1
   400     9.5     (Fe54Ni46)99.8Ir0.2   Ni77.8Fe22.2     (Fe54Ni46)99.8Ir0.2     (Co90Fe10)99.7Pt0.2Mn0.1
    147     d)    r.t.     15.5     (Fe60Ni40)99.7Ir0.3   Ni80Fe20     (Fe60Ni40)99.7Ir0.3     (Co90Fe10)99.85Mn0.15   (Co50Fe50)99.7Pt0.3     (Co50Fe50)99.7Pt0.3
   260     33.1
   300     35.2
   350     28.4     (Fe57Ni43)99.7Ir0.3   Ni78.9Fe21.1     (Fe57Ni43)99.8Ir0.2     (Co90Fe10)99.7Pt0.15Mn0.15
   400     24.6     (Fe54Ni46)99.7Ir0.3   Ni77.8Fe22.2     (Fe54Ni46)99.8Ir0.2     (Co90Fe10)99.55Pt0.3Mn0.15
    148     d)     r.t.     16.3     (Fe60Ni40)97Ir3   Ni80Fe20     (Fe60Ni40)97Ir3     (Co90Fe10)99Mn1   (Co50Fe50)97Pt3     (Co50Fe50)97Pt3
    260     35.2
    300     36.7
    350     32.8     (Fe56.9Ni43.1)97.1Ir2.9   Ni78.9Fe21.1     (Fe56.9Ni43.1)97.1Ir2.9     (Co90Fe10)98Pt1Mn1
    400     29.9     (Fe53.8Ni46.2)97.3Ir2.7   Ni77.8Fe22.2     (Fe53.8Ni46.2)97.3Ir2.7     (Co90Fe10)97Pt2Mn1
表8c)-3
样品号    元件类型   热处理温度(℃)      MR(%)     组成1       组成2     组成3
    149     d)     r.t.     17.5   (Co50Fe50)85Pt15   (Co50Fe50)85Pt15   (Co90Fe10)95Mn5
    260     39.2
    300     42.4
    350     42.6   (Co90Fe10)90Pt5Mn5
    400     38.1   (Co90Fe10)85Pt10Mn5
    150     d)     r.t.     16.9   (Co50Fe50)71Pt29   (Co50Fe50)71Pt29   (Co90Fe10)90.5Mn9.5
    260     37.8
    300     38.2
    350     38.1   (Co90Fe10)81Pt9.5Mn9.5
    400     37.9   (Co90Fe10)71.5Pt19Mn9.5
    151     d)     r.t.     15.2   (Co75Fe50)41Pt59   (Co50Fe25)41Pt59   (Co90Fe10)80.55Mn19.5
    260     34.3
    300     34.5
    350     33.6   (Co90Fe10)61Pt19.5Mn19.5
    400     33.1   (Co90Fe10)41.5Pt39Mn19.5
    152     d)     r.t.     13.2   (Co50Fe50)38Pt62   (Co50Fe50)38Pt62   (Co90Fe10)79Mn21
    260     25.9
    300     26.3
    350     14.2   (Co90Fe10)58Pt21Mn21
    400     12.5   (Co90Fe10)37Pt42Mn21
表8c)-4
样品号 元件类型    热处理温度(℃) MR(%) 组成4 组成5 组成6 组成7 组成8 组成9
  149    d)    r.t.     17.5   (Fe60Ni40)85Ir15   Ni80Fe20   (Fe60Ni40)85Ir15   (Co90Fe10)85Mn5 (Co50Fe50)85Pt15 (Co50Fe50)85Pt15
   260     39.2
   300     42.4
   350     42.6   (Fe56.5Ni43.5)85.7Ir14.3   Ni78.9Fe21.1   (Fe56.5Ni43.5)85.7Ir14.3   (Co90Fe10)90Pt1Mn5
   400     38.1   (Fe53.1Ni46.9)86.5Ir13.5   Ni77.8Fe22.2   (Fe53.1Ni46.9)86.5Ir13.5   (Co90Fe10)85Pt10Mn5
  150    d)    r.t.     16.9   (Fe60Ni40)71Ir29   Ni80Fe20   (Fe60Ni40)71Ir29   (Co90Fe10)90.5Mn9.5 (Co50Fe50)71Pt29 (Co50Fe50)71Pt29
   260     37.8
   300     38.2
   350     38.1   (Fe55.9Ni44.1)72.4Ir27.6   Ni78.9Fe21.1   (Fe55.9Ni44.1)72.4Ir27.6   (Co90Fe10)81Pt9.5Mn9.5
   400     37.9   (Fe51.9Ni48.1)73.9Ir26.1   Ni77.8Fe22.2   (Fe51.9Ni48.1)73.9Ir26.1   (Co90Fe10)71.5Pt19Mn9.5
  151    d)    r.t.     15.2   (Fe60Ni40)41Ir59   Ni80Fe20   (Fe60Ni40)41Ir59   (Co90Fe10)80.5Mn19.5 (Co50Fe50)41Pt59 (Co50Fe50)41Pt59
   260     34.3
   300     34.5
   350     33.6   (Fe53.2Ni46.8)43.9Ir56.1   Ni78.9Fe21.1   (Fe53.2Ni46.8)43.9Ir56.1   (Co90Fe10)61Pt19.5Mn19.5
   400     33.1   (Fe47.2Ni51.9)46.9Ir53.1   Ni77.8Fe22.2   (Fe47.2Ni51.8)46.9Ir53.1   (Co90Fe10)41.5Pt39Mn19.5
  152    d)    r.t.     13.2   (Fe60Ni40)33Ir67   Ni80Fe20   (Fe60Ni40)41Ir59   (Co90Fe10)75Mn21 (Co50Fe50)38Pt62 (Co50Fe50)38Pt62
   260     25.9
   300     26.3
   350     14.2   (Fe51.8Ni48.2)36.3Ir63.7   Ni78.9Fe21.1   (Fe51.8Ni48.2)36.3Ir63.7   (Co90Fe10)58Pt21Mn21
   400     12.5   (Fe44.9Ni55.1)39.7Ir60.3   Ni77.8Fe22.2   (Fe44.9Ni55.1)39.7Ir60.3   (Co90Fe10)37Pt42Mn21
表8d)-1
  样品号 元件类型 热处理温度(℃)    MR(%)  组成1  组成2   组成3
    153     c)     r.t.     17.2  Co50Fe50  Ni50Fe50   Ni50Fe50
    260     30.4
    300     31.3
    350     16.7
    400     12.2
    154     c)     r.t.     17.3  Co50Fe50  Ni50Fe50   (Ni50Fe50)99.8Pt0.2
    260     30.6
    300     31.1
    350     16.5
    400     13.1
    155     c)     r.t.     17.5  Co50Fe50  Ni50Fe50   (Ni50Fe50)99.7Pt0.3
    260     31.2
    300     32.4
    350     27.6
    400     25.8
    156     c)     r.t.     18.2  Co50Fe50  Ni50Fe50   (Ni50Fe50)97Pt3
    260     32.9
    300     33.4
    350     31.3
    400     31.1
表8d)-2
样品号   元件类型   热处理温度(℃)      MR(%)  组成4  组成5  组成6     组成7  组成8  组成9
    153     c)     r.t.     17.2  Ni50Fe50  Ni80Fe20  Co75Fe25     Co75Pt25  Co75Fe25  Co50Pd50
    260     30.4
    300     31.3
    350     16.7
    400     12.2
    154     c)     r.t.     17.3  Ni50Fe50  Ni80Fe20  Co75Fe25   (Co75Fe25)99.8Pt0.14Mn0.03Cr0.03  Co75Fe25  Co50Pd50
    260     30.6
    300     31.1
    350     16.5
    400     13.1
    155     c)     r.t.     17.5  Ni50Fe50  Ni80Fe20  Co75Fe25   (Co75Fe25)99.7Pt0.2Mn0.05Cr0.05  Co75Fe25  Co50Pd50
    260     31.2
    300     32.4
    350     27.6
    400     25.8
    156     c)     r.t.     18.2  Ni50Fe50  Ni80Fe20  Co75Fe25   (Co75Fe25)97Pt2Mn0.5Cr0.5  Co75Fe25  Co50Pd50
    260     32.9
    300     33.4
    350     31.3
    400     31.1
表8d)-3
   样品号 元件类型 热处理温度(℃)     MR(%)   组成1   组成2 组成3
    157     c)     r.t.     17.9   Co50Fe50   Ni50Fe50 (Ni50Fe50)85Pt15
    260     30.5
    300     31.1
    350     32.2
    400     32.7
    158     c)     r.t.     17.5   Co50Fe50   Ni50Fe50 (Ni50Fe50)71Pt29
    260     29.3
    300     29.7
    350     31.3
    400     31.5
    159     c)     r.t.     15.6   C050Fe50   Ni50Fe50 (Ni50Fe50)41Pt69
    260     25.4
    300     26
    350     27.9
    400     26.1
    160     c)     r.t.     12.1   Co50Fe50   Ni50Fe50 (Ni50Fe50)38Pt62
    260     20.4
    300     21.7
    350     17.2
    400     13.5
表8d)-4
   样品号   元件类型   热处理温度(℃)      MR(%)  组成4  组成5  组成6     组成7  组成8  组成9
    157     c)     r.t.     17.9  Ni50Fe50  Ni80Fe20  Co75Fe25   (Co75Fe25)85Pt10Mn2.5Cr2.5  Co75Fe25  Co50Pd50
    260     30.5
    300     31.1
    350     32.2
    400     32.7
    158     c)     r.t.     17.5  Ni50Fe50  Ni80Fe20  Co75Fe25   (Co75Fe25)71Pt19Mn5Cr5  Co75Fe25  Co50Pd50
    260     29.3
    300     29.7
    350     31.3
    400     31.5
    159     c)     r.t.     15.6  Ni50Fe50  Ni80Fe20  Co75Fe25   (Co75Fe25)41Pt39Mn10Cr10  Co75Fe25  Co50Pd50
    260     25.4
    300     26
    350     27.9
    400     26.1
    160     c)     r.t.     12.1  Ni50Fe50  Ni80Fe20  Co75Fe25   (Co75Fe25)38Pt41Mn10.6Cr10.5  Co75Fe25  Co50Pd50
    260     20.4
    300     21.7
    350     17.2
    400     13.5
在表5a)中表示的样本中,在非磁性层的界面近旁添加了Re。根据表5a),Re的浓度优选为3-30at%。但是,在此不能抑制Mn的扩散。该原因之一是因为在与反强磁性层的界面近旁没有添加Re。使用Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Au替代Re,也可得到同样的倾向。另外,即使将强磁性层变更为上述的组成,也可得到同样的倾向。
在表5b)中表示的样本中,没有在非磁性层的两侧添加别的元素。在这种情况下,也能得到同样的效果。分别将表5b)的Ru改变为Tc、Re、Rh、Ir、Pd、Pt、Ag、Au,而将Os改变为Tc、Re、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Au,也可以得到同样的效果。在此,也将强磁性层变更为上述的组成,仍可得到同样的倾向。
在表5c)中表示的样本中,仅在非磁性层的界面中的一个中添加Pt、Cu。在这种情况下也能得到同样的效果。即使将表的(Pt、Cu)改变为Tc、Re、Rh、Ir、Pd、Pt、Ag、Au、(Ru、Ir)、(Pt、Pd)、(Pt、Au)、(Ir、Rh)、(Ru、Pd)、(Tc、Re、Ag)、(Ru、Os、Ir)、(Rh、Ir、Pt)、(Pd、Pt、Cu)、(Cu、Ag、Au)、(Re、Ru、Os)、(Ru、Rh、Pd)、(Ir、Pt、Cu)、(Re、Ir、Ag),也可得到同样的倾向。将强磁性层变更为上述的组成,在此也可得到同样的倾向。
在表5d)-表8a)中表示了添加了Mn和Pt时的结果。表5d)与添加了0at%的Mn相对应。表6a)-表8a)表示添加了0.2、0.5、1、2、5、8、12、19、22at%的Mn时,使Pt的添加量改变时的结果。
在Pt少的领域内,由于来自反强磁性层的扩散而引起的Mn仅仅在界面存在,所以可以确认能够利用添加Pt而控制扩散。
在表8b)-d)中,表示对于具有多个非磁性层的元件的测定结果。即使在存在多个由于非磁性层引起的势垒的情况下,也可以通过控制至少一个非磁性层的界面近旁的组成,改变热处理后的MR特性。
在表9a)中将含有Mn以及Pt的样本在350℃以及400℃的热处理后的MR的变化率汇总,作为相对于Mn以及Pt的添加量为0的样本(样本57)的比例。
但是,在表9a)中,Pt的量以及(Pt+Mn)的量为在热处理前的样本的“组成4”的各个量。
在表9b)中,表示相对于在各种Mn的添加量下Pt的添加量为0的样本的MR的变化率,各个样本的MR的变化率。
在Pt的添加量为0.3-60at%、Mn的添加量为20at%以下的范围,特别是在Mn<Pt的范围内,可得到良好的特性。在Mn为8-5at%以下的领域内,Mn<Pt时,可以发现通过同时添加Mn,存在比单独添加Pt特性提高的可能。在以1∶0.01-1∶100的比例添加了Cr或(Mn、Cr)以替代Mn的元件上,也可得到同样的倾向。另外即使取代Pt而添加在表4a)-表5c)中用的元素,也可得到同样的倾向。即使用表4中所用的强磁性层,也可得到同样的倾向。
虽未在表4a)-表9b)中表示,还制作了具有样本间组成的若干元件,在这些元件上,也可看到同样的倾向。
在表4a)-表9b)中表示了到400℃的热处理的结果,对于几个样本,在400℃-540℃的范围内,每10℃进行热处理,测定了MR特性。其结果是使Pt等的添加元素M1的含有量为0.3-60at%的元件上,在达到450℃的热处理后,可以得到比不添加的元件更加优越的MR特性。特别是当添加量为3-30at%的话,在到500℃的范围内,与无添加的元件相比,可得到更加优越的MR特性。
在与M1一起同时添加Mn、Cr(添加元素M2)的元件上,也进行了同样的测定。其结果是元素M1的含有量为0.3-60at%而M2<M1的元件上,在达到450℃的热处理后,可以得到相对优良的MR特性。另外,M1的含有量为3-30at%、M1的含有量不到8at%而M2<M1的元件上,与无添加的元件相比,在达到500℃的热处理后,可得到相对优良的MR特性。
另外,以上表示了在非磁性层中使用了通过自然氧化得到的AlOx的结果,而在将非磁性层作为通过等离子体氧化得到的AlO、通过离子自由基氧化得到的AlO、通过反应性蒸镀得到的AlO、通过自然氮化得到的AlN、通过等离子体氮化得到的AlN、通过反应性蒸镀得到的AlN、通过等离子体氮化或反应性蒸镀得到的BN、通过热氧化和等离子体氧化或离子自由基氧化得到的TaO、通过热氧化和自然氧化或等离子体氮化得到的AlSiO、通过自然氧氮化和等离子体氧氮化或反应性溅射法得到AlON时,也可得到同样的倾向。
另外,作为反强磁性层,使用FeMn、NiMn、IrMn、PtMn、RhMn、CrMnPt、CrAl、CrRu、CrRh、CrOs、CrIr、CrPt、TbCo替代PdPtMn时,也可得到同样的倾向。
另外,作为非磁性层,使用Rh(0.4-1.9nm)、Ir(0.3-1.4nm)、Cr(0.9-1.4nm)替代Ru(膜厚0.7-0.9nm)时,也可得到同样的倾向。
另外,即使关于元件的构造,对于图示的各个形态,基本上也可以得到同样的倾向。
实施例3
在本实施例中,也使用与实施例1、2相同的成膜法以及加工法制作了磁阻元件,组成的测定方法与实施例2相同。
将纯氧和高纯度氮比例为1∶1的混合气体导入室内,将Al膜氧氮化而得的AlON膜(膜厚1.0-2nm)制作为非磁性层。用Rh(1.4-1.9nm)作为非磁性金属膜。用PtMn(20-30nm)作为反强磁性层。
元件构造以及强磁性层与表5d)-表8a)中表示的样本相同。但是,在本实施例中,除了Pt和Mn,还测定了Ta以及N的添加效果。
与实施例2相同,调查了到540℃为止的热处理后的特性,在此表示了具有特征的350℃和400℃的测定结果。在本实施例中,作为磁特性测定了自由层的矫顽力。在表10-22中,表示了对应于不同的界面添加组成的自由层的矫顽力。
在表中没有记载矫顽力的是不能测定磁特性。通过添加Ta、N提高了软磁特性。但是,非磁性添加物约为70at%以上的话,则不能测定磁特性。
表10、11、12、15、16、19、20的样本中,热处理后的MR特性与没有添加Ta、N的元件相比,在±10%以内。与此相对,表13、17、21的样本是10-20%左右MR特性变坏,而表14、18、22的样本是50-60%左右MR特性变坏。
另外,用Ti、Zr、Hf、V、Nb、Mo、W、Al、Si、Ga、Ge、In、Sn替代Ta,可得到同样的倾向。另外,用B、C、O替代N,也可得到同样的倾向。
实施例4
在本实施例中,也使用与实施例1、2相同的成膜法以及加工法制作了元件,组成的测定方法与实施例2相同。
将利用O的离子自由基源而将Al膜氧化而得的AlOx膜(膜厚1.0-2nm)制作为非磁性层。用Ir(1.2-1.4nm)作为非磁性金属层。用NiMn(30-40nm)作为反强磁性层。
元件构造以及强磁性层与表4-表8中表示的样本相同。但是,在本实施例中,添加了Pt、Pr、Au,分别调查了热处理后的MR特性和固溶状态是否稳定。
为了判定固溶状态,首先用AES深度剖析法、SIMS法、铣削后的XPS分析等来决定在350℃、400℃、450℃、500℃的各个温度下进行热处理后的非磁性层的界面组成。接下来,另外制作该组成的合金样品、在350℃、400℃、450℃、500℃的各个温度下进行24小时的减压气氛(10-5Pa)下的热处理。在对该合金样品的表面进行化学腐蚀后,通过金属显微镜进行组织观察。另外在腐蚀后,在减压气氛中进行离子铣削,通过扫描型电子显微镜(SEM)进行组织观察,并通过EDX进行面内组成的分析。然后,通过这些测定结果,评价是否为单一的相状态。
对于与热处理温度相对应的合金样品,在可以观测到组成分布以及多个相时,与那个合金样品相对应的元件在热处理后的MR特性与没有添加M1等元素的元件相比,提高了30-100%。另外,在合金样品显示为单相状态时,与那个合金样品相对应的元件在热处理后的MR特性与没有添加元素的元件相比,提高了80-200%。另外,在与单相状态稳定的合金相对应的元件上,热处理后的MR特性变得更好了。
实施例5
实施例2的表4d)、5a)、5b)、5c)、5d)的样品中、通过适当地改变反强磁性层/强磁性层的界面和强磁性层/非磁性层的界面的距离以及热处理温度,控制热处理后被观测到的Mn的扩散效果。但是,使热处理温度为300℃以上。以热处理后在非磁性层的界面的Mn在20-0.5at%的范围为目标进行该控制。其结果是,在上述距离不到3nm时,即使添加了Pt等元素,热处理后磁性元素(Fe、Co、Ni)的含有量也在40at%以下,MR特性也明显变坏了。另外,当上述距离超过50nm时,即使仅仅为了使界面中Mn的含有量提高0.5at%,也需要400℃以上的温度。另外,由于上述距离过长,由于反强磁性层不能充分得到强磁性层的磁化方向的固定效果,所以热处理后的MR特性明显变坏。
表9a)
Mn量                                1        2         3          4         5         6         7         8
0 Pt量Pt+Mn量     00     0.20.2     0.30.3     33     1515     2929     5959     6262
350℃400℃     11     1.021.02     1.441.92     1.521.99     1.612.45     1.542.21     1.461.95     0.981.05
0.2 Pt量Pt+Mn量     00.2     0.20.4     0.30.5     2.83     14.815     28.829     58.859     61.862
350℃400℃     11     1.031.03     1.562.21     1.782.43     1.812.62     1.682.51     1.512.27     0.991.06
0.5 Pt量Pt+Mn量     00.5     0.20.7     0.30.8     2.53     14.515     28.529     58.559     61.562
350℃400℃     11     1.011.01     1.461.98     1.772.42     1.972.73     1.92.71     1.742.5     11.06
1 Pt量Pt+Mn量     01     0.21.2     0.31.3     23     1415     2829     5859     6162
350℃400℃     11     1.011.01     1.451.91     1.762.4     2.072.9     1.962.81     1.842.61     1.041.1
2 Pt量Pt+Mn量     02     0.22.2     0.32.3     24     1315     2729     5759     6062
350℃400℃     11     1.011.01     1.441.9     1.762.39     2.173.13     2.062.98     1.982.81     1.061.12
5 Pt量Pt+Mn量     05     0.25.2     0.35.3     27     1015     2429     5459     5762
350℃400℃     11     1.011.01     1.431.89     1.72.21     2.163.04     1.982.92     1.862.73     1.051.11
8 Pt量Pt+Mn量     08     0.28.2     0.38.3     210     715     2129     5159     5462
350℃400℃     11     1.011.01     1.391.8     1.62.09     1.82.6     1.692.38     1.592.27     1.021.07
12 Pt量Pt+Mn量     012     0.21 2.2     0.312.3     214     719     1729     4759     5062
350℃400℃     11     1.011.01     1.381.77     1.512     1.62.2     1.582.17     1.472     11.02
19 Pt量Pt+Mn量     019     0.219.2     0.319.3     221     726     1029     4059     4362
350℃400℃     11     11     1.361.71     1.411.8     1.521.95     1.441.87     1.331.71     0.940.99
22 Pt量Pt+Mn量     022     0.222.2     0.322.3     224     729     1032     3759     4062
350℃400℃     11     0.990.99     1.11.16     1.111.19     1.131.21     1.11.2     1.010.99     0.861.01
表5d)表6a)表6b)表6c)表6d)表7a)表7b)表7c)表7d)表8a)
表9b)
Mn量                                 1      2          3         4          5         6          7         8
    0 Pt量Pt+Mn量   00   0.20.2   0.30.3   33   1515   2929   5959   6262
350℃400℃   11   1.021.02   1.441.92   1.521.99   1.612.45   1.542.21   1.461.95   0.981.05
    0.2 Pt量Pt+Mn量   00.2   0.20.4   0.30.5   2.83   14.815   28.829   58.859   61.862
350℃400℃   11   1.031.03   1.562.21   1.782.43   1.812.62   1.682.51   1.512.27   0.991.06
    0.5 Pt量Pt+Mn量   00.5   0.20.7   0.30.8   2.53   14.515   28.529   58.559   61.562
350℃400℃   11   1.011.01   1.461.98   1.772.42   1.972.73   1.92.71   1.742.5   11.06
    1 Pt量Pt+Mn量   01   0.21.2   0.31.3   23   1415   2829   5859   6162
350℃400℃   11   1.011.01   1.451.91   1.762.4   2.072.9   1.962.81   1.842.61   1.041.1
    2 Pt量Pt+Mn量   02   0.22.2   0.32.3   24   1315   2729   5759   6062
350℃400℃   11   1.011.01   1.441.9   1.762.39   2.173.13   2.062.98   1.982.81.   1.061.12
    5 Pt量Pt+Mn量   05   0.25.2   0.35.3   27   1015   2429   5459   5762
350℃400℃   11   1.011.01   1.431.89   1.72.21   2.163.04   1.982.92   1.862.73   1.051.11
    8 Pt量Pt+Mn量   08   0.28.2   0.38.3   210   715   2129   5159   5462
350℃400℃   11   1.011.01   1.391.8   1.62.09   1.82.6   1.692.38   1.592.27   1.021.07
    12 Pt量Pt+Mn量   012   0.212.2   0.312.3   214   719   1729   4759   5062
350℃400℃   11   1.011.01   1.381.77   1.512   1.62.2   1.582.17   1.472   11.02
    19 Pt量Pt+Mn量   019   0.219.2   0.319.3   221   726   1029   4059   4362
350℃400℃   11   11   1.361.71   1.411.8   1.521.95   1.441.87   1.331.71   0.940.99
    22 Pt量Pt+Mn量   022   0.222.2   0.322.3   224   729   1032   3759   4062
350℃400℃   11   0.990.99   1.11.16   1.111.19   1.131.21   1.11.2   1.010.99   0.861.01
表5d)表6a)表6b)表6c)表6d)表7a)表7b)表7c)表7d)表8a)
表10(Ta=0,N=0)
Mn量
    0     Pt量添加元素总量   00   0.20.2   0.30.3   33   1515   2929   5959   6262
    350℃400℃   98   98   99   113   127   147   196   196
  88   88   89   101   115   132   176   176
    0.5     Pt量添加元素总量   00.5   0.20.7   0.30.8   2.53   14.515   28.529   58.559   61.562
    350℃400℃   97   97   98   112   126   146   194   194
  87   87   88   100   114   131   175   175
    1     Pt量添加元素总量   01   0.21.2   0.31.3   23   1415   2829   5859   6162
    350℃400℃   93   93   94   107   121   140   186   186
  84   84   85   96   109   126   168   168
    5     Pt量添加元素总量   05   0.25.2   0.35.3   27   1015   2429   5459   5762
    350℃400℃   88   88   89   101   115   132   176   176
  79   79   80   91   103   119   159   159
    8     Pt量添加元素总量   08   0.28.2   0.38.3   210   715   2129   5159   5462
    350℃400℃   93   93   94   107   121   140   186   186
  84   84   85   96   109   126   168   168
    19     Pt量添加元素总量   019   0.219.2   0.319.3   221   726   1029   4059   4362
    350℃400℃   96   96   97   110   125   144   192   192
  86   86   87   99   112   130   173   173
    22     Pt量添加元素总量   022   0.222.2   0.322.3   224   729   1032   3759   4062
    350℃400℃   100   100   101   115   130   150   200   200
  90   90   91   103   117   135   180   180
表11(Ta=1,N=0)
Mn量
    0     Pt量添加元素总量   01   0.21.2   0.31.3   34   1516   2930   5960   6263
    350℃400℃   99   99   100   114   129   149   198   198
  89   89   90   102   116   134   178   178
    0.5     Pt量添加元素总量   01.5   0.21.7   0.31.8   2.54   14.516   28.530   58.560   61.563
    350℃400℃   98   98   99   113   127   147   196   196
  88   88   89   101   115   132   176   176
    1     Pt量添加元素总量   02   0.22.2   0.32.3   24   1416   2830   5860   6163
    350℃400℃   94   94   95   108   122   141   188   188
  85   85   85   97   110   127   169   169
    5     Pt量添加元素总量   06   0.26.2   0.36.3   28   1016   2430   5460   5763
    350℃400℃   89   89   90   102   116   134   178   178
80 80 81 92 104 120 160 160
    8     Pt量添加元素总量   09   0.29.2   0.39.3   211   716   2130   5160   5463
    350℃400℃   94   94   95   108   122   141   188   188
  85   85   85   97   110   127   169   169
    19     Pt量添加元素总量   020   0.220.2   0.320.3   222   727   1030   4060   4363
    350℃400℃   97   97   98   112   126   146   194   194
  87   87   88   100   114   131   175   175
    22     Pt量添加元素总量   023   0.223.2   0.323.3   225   730   1033   3760   4063
    350℃400℃   101   101   102   116   131   151   202   202
  91   91   92   105   118   136   182   182
表12(Ta=15,N=0)
Mn量
    0     Pt量添加元素总量   015   0.215.2   0.315.3   318   1530   2944   5974   6277
    350℃400℃   58   58   59   67   75   87   -   -
  52   52   53   60   68   78   -   -
    0.5     Pt量添加元素总量   015.5   0.215.7   0.315.8   2.518   14.530   28.544   58.574   61.577
    350℃400℃   57   57   58   66   75   86   -   -
  52   52   52   59   67   78   -   -
    1     Pt量添加元素总量   016   0.216.2   0.316.3   218   1430   2844   5874   6177
    350℃400℃   55   55   56   63   72   83   -   -
  50   50   50   57   64   74   -   -
    5     Pt量添加元素总量   020   0.220.2   0.320.3   222   1030   2444   5474   5777
    350℃400℃   52   52   53   60   68   78   -   -
  47   47   47   54   61   70   -   -
    8     Pt量添加元素总量   023   0.223.2   0.323.3   225   730   2144   5174   5477
    350℃400℃   55   55   56   63   72   83   -   -
  50   50   50   57   64   74   -   -
    19     Pt量添加元素总量   034   0.234.2   0.334.3   236   741   1044   4074   4377
    350℃400℃   57   57   57   65   74   85   -   -
  51   51   52   59   67   77   -   -
    22     Pt量添加元素总量   037   0.237.2   0.337.3   239   744   1047   3774   4077
    350℃400℃   59   59   60   68   77   89   -   -
  53   53   54   61   69   80   -   -
表13(Ta=29,N=0)
Mn量
    0     Pt量添加元素总量     029     0.229.2     0.329.3     332     1544     2958     5988     6291
    350℃400℃     22     22     22     25     29     33     -     -
    20     20     20     23     26     30     -     -
    0.5     Pt量添加元素总量     029.5     0.229.7     0.329.8     2.532     14.544     28.558     58.588     61.591
    350℃400℃     22     22     22     25     28     33     -     -
    20     20     20     23     25     29     -     -
    1     Pt量添加元素总量     030     0.230.2     0.330.3     232     1444     2858     5888     6191
    350℃400℃     21     21     21     24     27     31     -     -
    19     19     19     22     24     28     -     -
    5     Pt量添加元素总量     034     0.234.2     0.334.3     236     1044     2458     5488     5791
    350℃400℃     20     20     20     23     26     30     -     -
    18     18     18     20     23     27     -     -
    8     Pt量添加元素总量     037     0.237.2     0.337.3     239     744     2158     5188     5491
    350℃400℃     21     21     21     24     27     31     -     -
    19     19     19     22     24     28     -     -
    19     Pt量添加元素总量     048     0.248.2     0.348.3     250     755     1058     4088     4391
    350℃400℃     22     22     22     25     28     32     -     -
    19     19     20     22     25     29     -     -
    22     Pt量添加元素总量     051     0.251.2     0.351.3     253     758     1061     3788     4091
    350℃400℃     22     22     23     26     29     34     -     -
    20     20     20     23     26     30     -     -
表14(Ta=31,N=0)
Mn量
    0     Pt量添加元素总量     031     0.231.2     0.331.3     334     1546     2960     5990     6293
    350℃400℃     18     18     18     21     23     27     -     -
    16     16     16     19     21     24     -     -
    0.5     Pt量添加元素总量     031.5     0.231.7     0.331.8     2.534     14.546     28.560     58.590     61.593
    350℃400℃     18     18     18     20     23     27     -     -
    16     16     16     18     21     24     -     -
    1     Pt量添加元素总量     032     0.2322     0.332.3     234     1446     2860     5890     6193
    350℃400℃     17     17     17     20     22     26     -     -
    15     15     16     18     20     23     -     -
    5     Pt量添加元素总量     036     0.236.2     0.336.3     238     1046     2460     5490     5793
    350℃400℃     16     16     16     19     21     24     -     -
    15     15     15     17     19     22     -     -
    8     Pt量添加元素总量     039     0.239.2     0.339.3     241     746     2160     5190     5493
    350℃400℃     17     17     17     20     22     26     -     -
    15     15     16     18     20     23     -     -
    19     Pt量添加元素总量     050     0.250.2     0.350.3     252     757     1060     4090     4393
    350℃400℃     18     18     18     20     23     26     -     -
    16     16     16     18     21     24     -     -
    22     Pt量添加元素总量     053     0.253.2     0.353.3     255     760     1063     3790     4093
    350℃400℃     18     18     19     21     24     28     -     -
    17     17     17     19     21     25     -     -
表15(Ta=0,N=1)
Mn量
    0     Pt量添加元素总量     01     0.21.2     0.31.3     34   1516     2930     5960     6263
    350℃400℃     101     101     102     116   131     152     202     202
    91     91     92     105   118     136     182     182
    0.5     Pt量添加元素总量     01.5     0.21.7     0.31.8     2.54   14.516     28.530     58.560     61.563
    350℃400℃     100     100     101     115   130     150     200     200
    90     90     91     103   117     135     180     180
    1     Pt量添加元素总量     02     0.22.2     0.32.3     24   1416     2830     5860     6163
    350℃400℃     96     96     97     110   125     144     192     192
    86     86     87     99   112     130     173     173
    5     Pt量添加元素总量     06     0.262     0.36.3     28   1016     2430     5460     5763
    350℃400℃     91     91     92     105   118     136     182     182
    82     82     83     94   106     123     164     164
    8     Pt量添加元素总量     09     0.29.2     0.39.3     211   716     2130     5160     5463
    350℃400℃     96     96     97     110   125     144     192     192
    86     86     87     99   112     130     173     173
    19     Pt量添加元素总量     020     0.220.2     0.320.3     222   727     1030     4060     4363
    350℃400℃     99     99     100     114   129     148     198     198
    89     89     90     102   116     134     178     178
    22     Pt量添加元素总量     023     0.223.2     0.323.3     225   730     1033     3760     4063
    350℃400℃     103     103     104     118   134     155     206     206
    93     93     94     107   121     139     185     185
表16(Ta=0,N=10)
Mn量
    0     Pt量添加元素总量     010     0.210.2     0.310.3     313     1525     2939     5969     6272
    350℃400℃     62     62     63     71     81     93     -     -
    56     56     56     64     73     84     -     -
    0.5     Pt量添加元素总量     010.5     0.210.7     0.310.8     2.513     14.525     28.539     58.569     61.572
    350℃400℃     61     61     62     71     80     92     -     -
    55     55     56     64     72     83     -     -
    1     Pt量添加元素总量     011     0.211.2     0.311.3     213     1425     2839     5869     6172
    350℃400℃     59     59     59     68     77     88     -     -
    53     53     54     61     69     80     -     -
    5     Pt量添加元素总量     015     0.215.2     0.315.3     217     1025     2439     5469     5772
    350℃400℃     56     56     56     64     73     84     -     -
    50     50     51     58     65     75     -     -
    8     Pt量添加元素总量     018     0.218.2     0.318.3     220     725     2139     5169     5472
    350℃400℃     59     59     59     68     77     88     -     -
    53     53     54     61     69     80     -     -
    19     Pt量添加元素总量     029     0.229.2     0.329.3     231     736     1039     4069     4372
    350℃400℃     61     61     61     70     79     91     -     -
    55     55     55     63     71     82     -     -
    22     Pt量添加元素总量     032     0.232.2     0.332.3     234     739     1042     3769     4072
    350℃400℃     63     63     64     73     82     95     -     -
    57     57     57     65     74     85     -     -
表17(Ta=0,N=19)
Mn量
    0     Pt量添加元素总量     019     0.219.2     0.319.3     322     1534     2948     5978     6281
    350℃400℃     25     25     25     29     33     38     -     -
    23     23     23     26     29     34     -     -
    0.5     Pt量添加元素总量     019.5     0.219.7     0.319.8     2.522     14.534     28.548     58.578     61.581
    350℃400℃     25     25     25     28     32     37     -     -
    22     22     22     26     29     33     -     -
    1     Pt量添加元素总量     020     0.220.2     0.320.3     222     1434     2848     5878     6181
    350℃400℃     24     24     24     27     31     36     -     -
    21     21     22     25     28     32     -     -
    5     Pt量添加元素总量     024     0.224.2     0.324.3     226     1034     2448     5478     5781
    350℃400℃     23     23     23     26     29     34     -     -
    20     20     20     23     26     30     -     -
    8     Pt量添加元素总量     027     0.227.2     0.327.3     229     734     2148     5178     5481
    350℃400℃     24     24     24     27     31     36     -     -
    21     21     22     25     28     32     -     -
    19     Pt量添加元素总量     038     0.238.2     0.338.3     240     745     1048     4078     4381
    350℃400℃     25     25     25     28     32     37     -     -
    22     22     22     25     29     33     -     -
    22     Pt量添加元素总量     041     0.241.2     0.341.3     243     748     1051     3778     4081
    350℃400℃     26     26     26     29     33     38     -     -
    23     23     23     26     30     34     -     -
表18(Ta=0,N=21)
Mn量
    0     Pt量添加元素总量     021     0.221.2     0.321.3     324     1536     2950     5980     6283
    350℃400℃     21     21     21     24     27     32     -     -
    19     19     19     22     25     28     -     -
    0.5     Pt量添加元素总量     021.5     0.221.7     0.321.8     2.524     14.536     28.550     58.580     61.583
    350℃400℃     21     21     21     24     27     31     -     -
    19     19     19     22     24     28     -     -
    1     Pt量添加元素总量     022     0.222.2     0.322.3     224     1436     2850     5880     6183
    350℃400℃     20     20     20     23     26     30     -     -
    18     18     18     21     23     27     -     -
    5     Pt量添加元素总量     026     0.226.2     0.326.3     228     1036     2450     5480     5783
    350℃400℃     19     19     19     22     25     28     -     -
    17     17     17     20     22     26     -     -
    8     Pt量添加元素总量     029     0.229.2     0.329.3     231     736     2150     5180     5483
    350℃400℃     20     20     20     23     26     30     -     -
    18     18     18     21     23     27     -     -
    19     Pt量添加元素总量     040     0.240.2     0.340.3     242     747     1050     4080     4383
    350℃400℃     21     21     21     24     27     31     -     -
    19     19     19     21     24     28     -     -
    22     Pt量添加元素总量     043     0.243.2     0.343.3     245     750     1053     3780     4083
    350℃400℃     21     21     22     25     28     32     -     -
    19     19     19     22     25     29     -     -
表19(Ta=3,N=2)
Mn量
    0     Pt量添加元素总量     05     0.25.2     0.35.3     38     1520     2934     5964     6267
    350℃400℃     79     79     80     91     103     119     158     158
    71     71     72     82     92     107     142     142
    0.5     Pt量添加元素总量     05.5     0.25.7     0.35.8     2.58     14.520     28.534     58.564     61.567
    350℃400℃     78     78     79     90     102     117     156     156
    70     70     71     81     92     106     141     141
    1     Pt量添加元素总量     06     0.26.2     0.36.3     28     1420     2834     5864     6167
    350℃400℃     75     75     76     86     98     113     150     150
    68     68     68     78     88     101     135     135
    5     Pt量添加元素总量     010     0.210.2     0.310.3     212     1020     2434     5464     5767
    350℃400℃     71     71     72     82     92     107     142     142
    64     64     65     74     83     96     128     128
    8     Pt量添加元素总量     013     0.213.2     0.313.3     215     720     2134     5164     5467
    350℃400℃     75     75     76     86     98     113     150     150
    68     68     68     78     88     101     135     135
    19     Pt量添加元素总量     024     0.224.2     0.324.3     226     731     1034     4064     4367
    350℃400℃     77     77     78     89     101     116     155     155
    70     70     70     80     91     105     139     139
    22     Pt量添加元素总量     027     0.227.2     0.327.3     229     734     1037     3764     4067
    350℃400℃     81     81     81     93     105     121     161     161
    73     73     73     83     94     109     145     145
表20(Ta=14,N=7)
Mn量
    0     Pt量添加元素总量     021     0.221.2     0.321.3     324     1536     2950     5980     6283
    350℃400℃     38     38     38     44     49     57     -     -
    34     34     35     39     44     51     -     -
    0.5     Pt量添加元素总量     021.5     0.221.7     0.321.8     2.524     14.536     28.550     58.580     61.583
    350℃400℃     38     38     38     43     49     56     -     -
    34     34     34     39     44     51     -     -
    1     Pt量添加元素总量     022     0.222.2     0.322.3     224     1436     2850     5880     6183
    350℃400℃     36     36     36     42     47     54     -     -
    32     32     33     37     42     49     -     -
    5     Pt量添加元素总量     026     0.226.2     0.326.3     228     1036     2450     5480     5783
    350℃400℃     34     34     35     39     44     51     -     -
    31     31     31     35     40     46     -     -
    8     Pt量添加元素总量     029     0.229.2     0.329.3     231     736     2150     5180     5483
    350℃400℃     36     36     36     42     47     54     -     -
    32     32     33     37     42     49     -     -
    19     Pt量添加元素总量     040     0.240.2     0.340.3     242     747     1050     4080     4383
    350℃400℃     37     37     38     43     48     56     -     -
    34     34     34     39     44     50     -     -
    22     Pt量添加元素总量     043     0.243.2     0.343.3     245     750     1053     3780     4083
    350℃400℃     39     39     39     45     50     58     -     -
    35     35     35     40     45     52     -     -
表21(Ta=29,N=19)
Mn量
    0     Pt量添加元素总量     048     0.248.2     0.348.3     351     1563     2977     59107     62110
    350℃400℃     5     5     5     6     7     -     -     -
    5     5     5     5     6     -     -     -
    0.5     Pt量添加元素总量     048.5     0.248.7     0.348.8     2.551     14.563     28.577     58.5107     61.5110
    350℃400℃     5     5     5     6     6     -     -     -
    4     4     4     5     6     -     -     -
    1     Pt量添加元素总量     049     0.249.2     0.349.3     251     1463     2877     58107     61110
    350℃400℃     5     5     5     5     6     -     -     -
    4     4     4     5     6     -     -     -
    5     Pt量添加元素总量     053     0.253.2     0.353.3     255     1063     2477     54107     57110
    350℃400℃     5     5     5     5     6     -     -     -
    4     4     4     5     5     -     -     -
    8     Pt量添加元素总量     056     0.256.2     0.356.3     258     763     2177     51107     54110
    350℃400℃     5     5     5     5     6     -     -     -
    4     4     4     5     6     -     -     -
    19     Pt量添加元素总量     067     0.267.2     0.367.3     269     774     1077     40107     43110
    350℃400℃     5     5     5     6     -     -     -     -
    4     4     4     5     -     -     -     -
    22     Pt量添加元素总量     070     0.270.2     0.370.3     272     777     1080     37107     40110
    350℃400℃     5     5     5     -     -     -     -     -
    5     5     5     -     -     -     -     -
表22(Ta=31,N=21)
Mn量
    0     Pt量添加元素总量     052     0.252.2     0.352.3     355   1567   2981   59111   62114
    350℃400℃     5     5     5     5   6   -   -   -
    4     4     4     5   5   -   -   -
    0.5     Pt量添加元素总量     052.5     0.252.7     0.352.8     2.555   14.567   28.581   58.5111   61.5114
    350℃400℃     4     4     4     5   6   -   -   -
    4     4     4     5   5   -   -   -
    1     Pt量添加元素总量     053     0.253.2     0.353.3     255   1467   2881   58111   61114
    350℃400℃     4     4     4     5   6   -   -   -
    4     4     4     4   5   -   -   -
    5     Pt量添加元素总量     057     0.257.2     0.357.3     259   1067   2481   54111   57114
    350℃400℃     4     4     4     5   5   -   -   -
    4     4     4     4   5   -   -   -
    8     Pt量添加元素总量350℃400℃     060     0.260.2     0.360.3     262   767   2181   51111   54114
    4     4     4     5   6   -   -   -
    4     4     4     4   5   -   -   -
    19     Pt量添加元素总量     071     0.271.2     0.371.3     273   778   1081   40111   43114
    350℃400℃     -     -     -     -   -   -   -   -
    -     -     -     -   -   -   -   -
    22     Pt量添加元素总量     074     0.274.2     0.374.3     276   781   1084   37111   40114
    350℃400℃     -     -     -     -   -   -   -   -
    -     -     -     -   -   -   -   -

Claims (14)

1.一种磁阻元件,包含基板和在该基板上形成的多层膜,所述多层膜包含一对强磁性层和夹在所述一对强磁性层之间的非磁性层,磁阻值根据所述一对强磁性层的磁化方向形成的相对角度的不同而不同,其特征在于,
通过包括将所述基板和所述多层膜在330℃以上的温度下进行热处理的工序的方法制造,
从按照将所述非磁性层在厚度方向上等分地分割的方式而确定的中心线到所述一对强磁性层和所述非磁性层之间的界面之间的最长距离为20nm以下,
其中,所述最长距离,是从根据长度为50nm的10条中心线的每一条而确定的到所述界面的最长距离中,去掉最大值和最小值后而确定8个最长距离,进而取所述8个最长距离的平均值而得到。
2.根据权利要求1所述的磁阻元件,其特征在于,所述基板为单晶基板。
3.根据权利要求1所述的磁阻元件,其特征在于,所述非磁性层为隧道绝缘层。
4.根据权利要求1所述的磁阻元件,其特征在于,所述多层膜还包括按夹着一对强磁性层那样配置的一对电极。
5.根据权利要求1所述的磁阻元件,其特征在于,所述最长距离为3nm以下。
6.根据权利要求1所述的磁阻元件,其特征在于,从所述界面中的至少一个起向与所述非磁性层相反方向仅进去的2nm的范围的组成由式(FexCoyNiz)pM1qM2rM3sAt表示,
其中,M1为从Tc、Re、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Ag以及Au中选择的至少1种元素,M2为从Mn以及Cr中选择的至少1种元素,M3为从Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W、Al、Si、Ga、Ge、In以及Sn中选择的至少1种元素,A为从B、C、N、O、P以及S中选择的至少1种元素,x、y、z、p、q、r、s以及t是分别满足0≤x≤100、0≤y≤100、0≤z≤100、x+y+z=100、40≤p≤99.7、0.3≤q≤60、0≤r≤20、0≤s≤30、0≤t≤20、p+q+r+s+t=100的值。
7.根据权利要求6所述的磁阻元件,其特征在于,p+q+r=100。
8.根据权利要求7所述的磁阻元件,其特征在于,p+q=100。
9.根据权利要求1所述的磁阻元件,其特征在于,多层膜还包括反强磁性层。
10.根据权利要求9所述的磁阻元件,其特征在于,非磁性层与反强磁性层的距离为3nm以上50nm以下。
11.一种磁阻元件,包含基板和在该基板上形成的多层膜,所述多层膜包含所述一对强磁性层和夹在所述一对强磁性层之间的非磁性层,磁阻值根据所述一对强磁性层的磁化方向形成的相对角度的不同而不同,其特征在于,
通过包括将所述基板和所述多层膜在330℃以上的温度下进行热处理的工序的方法制造,
从所述一对强磁性层和非磁性层的界面中的至少一个起向与所述非磁性层相反的方向仅进去的2nm的范围的组成利用式(FexCoyNiz)pM1qM2rM3sAt表示,
其中,M1为从Tc、Re、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Ag以及Au中选择的至少1种元素,M2为从Mn以及Cr中选择的至少1种元素,M3为从Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W、Al、Si、Ga、Ge、In以及Sn中选择的至少1种元素,A为从B、C、N、O、P以及S中选择的至少1种元素,x、y、z、p、q、r、s以及t是分别满足0≤x≤100、0≤y≤100、0≤z≤100、x+y+z=100、40≤p≤99.7、0.3≤q≤60、0≤r≤20、0≤s≤30、0≤t≤20、p+q+r+s+t=100的值。
12.一种磁阻元件的制造方法,该磁阻元件包含基板和在该基板上形成的多层膜,所述多层膜包含所述一对强磁性层和夹在所述一对强磁性层之间的非磁性层,磁阻值根据所述一对强磁性层的磁化方向形成的相对角度的不同而不同,其特征在于,该制造方法包含:
将除去所述强磁性层以及所述非磁性层的所述多层膜的一部分作为底膜在所述基板上形成的工序,
将所述底膜在400℃以上进行热处理的工序,
向所述底膜的表面上照射离子束而降低所述表面粗糙度的工序,
在所述表面上,形成包括所述强磁性层以及所述非磁性层的所述多层膜的剩余部分的工序,和
将所述基板以及所述多层膜在330℃以上的温度下进行热处理的工序。
13.根据权利要求12所述的磁阻元件的制造方法,其特征在于,将离子束按照向底膜表面的入射角为5°以上25°以下的方式照射。
14.根据权利要求12所述的磁阻元件的制造方法,其特征在于,作为多层膜的一部分形成下部电极和上部电极,所述下部电极包含在底膜内。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108391452A (zh) * 2016-12-02 2018-08-10 Tdk株式会社 磁化反转元件、磁阻效应元件、集成元件及集成元件的制造方法
CN109888088A (zh) * 2019-03-01 2019-06-14 西安交通大学 一种磁阻传感器结构及其制造方法
CN111837208A (zh) * 2018-03-16 2020-10-27 日东电工株式会社 磁性布线电路基板及其制造方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005031838A1 (ja) * 2003-09-30 2005-04-07 Japan Aviation Electronics Industry Limited 固体表面の平坦化方法及びその装置
CN100440450C (zh) * 2003-09-30 2008-12-03 日本航空电子工业株式会社 固体表面平坦化方法及其装置
DE602006020866D1 (de) * 2005-05-20 2011-05-05 Japan Aviation Electron Verfahren zur verflachung einer festkörperoberfläche
TWI413117B (zh) * 2005-09-13 2013-10-21 Canon Anelva Corp 磁阻效果元件之製造方法及製造裝置
JP4385043B2 (ja) * 2006-09-15 2009-12-16 Tdk株式会社 磁性膜の製造方法及び磁性膜
US8174800B2 (en) * 2007-05-07 2012-05-08 Canon Anelva Corporation Magnetoresistive element, method of manufacturing the same, and magnetic multilayered film manufacturing apparatus
JP4593601B2 (ja) * 2007-08-03 2010-12-08 キヤノンアネルバ株式会社 汚染物質除去方法、半導体製造方法、及び薄膜形成加工装置
EP2323189B1 (en) * 2008-09-12 2019-01-30 Hitachi Metals, Ltd. Use of a self-pinned spin valve magnetoresistance effect film
EP3588591A1 (en) * 2018-06-25 2020-01-01 Deutsches Elektronen-Synchrotron DESY A multilayer device having an improved antiferromagnetic pinning layer and a corresponding manufacturing method thereof

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5736434A (en) * 1980-08-13 1982-02-27 Sekisui Chem Co Ltd Magnetic recording medium and its production
JP3347534B2 (ja) * 1995-07-07 2002-11-20 アルプス電気株式会社 磁気抵抗効果多層膜
US5648885A (en) * 1995-08-31 1997-07-15 Hitachi, Ltd. Giant magnetoresistive effect sensor, particularly having a multilayered magnetic thin film layer
US6535362B2 (en) * 1996-11-28 2003-03-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Magnetoresistive device having a highly smooth metal reflective layer
US6245450B1 (en) * 1997-11-17 2001-06-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Exchange coupling film magnetoresistance effect device magnetoresistance effective head and method for producing magnetoresistance effect device
JP2000091665A (ja) * 1998-09-09 2000-03-31 Nec Corp 磁気抵抗効果膜及びその製造方法
JP3235572B2 (ja) * 1998-09-18 2001-12-04 日本電気株式会社 磁気抵抗効果素子,磁気抵抗効果センサ及びそれらを利用したシステム
US6613240B2 (en) * 1999-12-06 2003-09-02 Epion Corporation Method and apparatus for smoothing thin conductive films by gas cluster ion beam
US6853520B2 (en) * 2000-09-05 2005-02-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistance effect element
JP2003086866A (ja) * 2001-09-13 2003-03-20 Anelva Corp スピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108391452A (zh) * 2016-12-02 2018-08-10 Tdk株式会社 磁化反转元件、磁阻效应元件、集成元件及集成元件的制造方法
CN111837208A (zh) * 2018-03-16 2020-10-27 日东电工株式会社 磁性布线电路基板及其制造方法
CN109888088A (zh) * 2019-03-01 2019-06-14 西安交通大学 一种磁阻传感器结构及其制造方法

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