JP3551196B2 - 磁気抵抗素子の製造方法 - Google Patents
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基板と基板上に形成された多層膜を含み、多層膜が一対の強磁性層と一対の強磁性層の間に挟持された非磁性層とを含み、一対の強磁性層における磁化方向がなす相対角度により抵抗値が異なる磁気抵抗素子の製造方法であって、
基板上に、強磁性層および非磁性層を除く多層膜の一部を下地膜として形成する工程と、
下地膜を400℃以上で熱処理する工程と、
下地膜の表面にイオンビームを照射して表面の粗さを低減する工程と、
表面上に、強磁性層および非磁性層を含む多層膜の残部を形成する工程と、
基板および多層膜を330℃以上で熱処理する工程と、を含む。
イオンビームを下地膜の表面への入射角が5°以上25°以下となるように照射することが好ましい。また、多層膜の一部として下部電極および上部電極を形成し、下部電極が下地膜に含まれることも好ましい。
非磁性層の平坦性には、非磁性層の界面近傍における強磁性層の組成も影響する。
ただし、M1は、Tc、Re、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、AgおよびAuから選ばれる少なくとも1種の元素、好ましくはIr、Pd、Ptであり、M2は、MnおよびCrから選ばれる少なくとも1種の元素であり、M3は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W、Al、Si、Ga、Ge、InおよびSnから選ばれる少なくとも1種の元素であり、Aは、B、C、N、O、PおよびSから選ばれる少なくとも1種の元素である。
元素M2は、反強磁性層に使用されることがある。そして、熱処理により非磁性層との界面近傍にまで拡散すると、界面近傍で酸化物を形成し、特性を劣化させる可能性がある。しかし、元素M2は、20at%以下であれば(r≦20)、元素M1とともに存在する限りにおいて、MR特性の著しい劣化をもたらさない。特に、元素M2の含有量が元素M1の含有量よりも少ない場合には(q>r)、MR特性は、劣化せず、むしろ向上する場合があった。元素M1とともに添加された場合には(q>0,r>0)、熱処理後におけるMR特性の向上に元素M2が寄与している可能性はある。
単結晶MgO(100)基板上に、下部電極として、膜厚100nmのPt膜をMBEにより蒸着し、そのまま真空中において400℃3時間で熱処理した。次いで、基板に対する入射角が10〜15°となるように、イオンガンを用いてArイオンを照射し、表面クリーニングおよび平坦化処理を行った。
NiFe膜に代えて、膜厚6nmのNiFe膜と膜厚2nmのFe80Pt20膜との積層体を用いた以外は、実施例1−1と同様にして、複数の磁気抵抗素子を作製した。これらの素子は、NiFe(6)/Fe80Pt20(2)/AlOx(1.2)/Fe50Co50(10)により表示できる積層体を含んでいる。これらの磁気抵抗素子について、上記と同様にしてMR変化率およびR1を測定した。結果を表1Bに示す。
比較のために、電極の熱処理とイオンガンを用いた処理を行わなかった以外は、実施例1−1と同様にして、複数の磁気抵抗素子を作製した。これらの磁気抵抗素子について、上記と同様にしてMR変化率およびR1を測定した。結果を表1Cに示す。
基板としてSi熱酸化処理基板を、下部電極として膜厚100nmのCu膜と膜厚5nmのTa膜を、強磁性層/非磁性層/強磁性層の積層体としてNiFe(8)/Co75Fe25(2)/BN(2.0)/Fe50Co50(5)を用いた以外は、実施例1−1と同様にして複数の磁気抵抗素子を作製した。なお、Cu膜およびTa膜はRFマグネトロンスパッタリング法により、NiFe膜およびCo75Fe25膜はそれぞれDCおよびRFマグネトロンスパッタリング法により、BN膜は反応性蒸着法により、Fe50Co50膜はRFマグネトロンスパッタリング法により、それぞれ成膜した。
基板としてSi熱酸化処理基板を、下部電極として膜厚200nmのCu膜と膜厚3nmのTiN膜を、強磁性層/非磁性層/強磁性層の積層体として、NiFe(8)/Co75Fe25(2)/AlOx(2.0)/Fe50Co50(5)を用いた以外は、実施例1−1と同様にして複数の磁気抵抗素子を作製した。なお、AlOx膜はプラズマ酸化により形成した。
実施例1から、非磁性層近傍の磁性層の組成により、MR変化率が変化することが確認できた。そこで、本実施例では、実施例1と同様の成膜法及び加工法を用いて作製した磁気抵抗素子について、強磁性層の組成とMR変化率との関係を測定した。
本実施例でも、実施例1、2と同様の成膜法及び加工法を用いて磁気抵抗素子を作製した。組成の測定方法は、実施例2と同様とした。
本実施例でも、実施例1、2と同様の成膜法及び加工法を用いて磁気抵抗素子を作製した。組成の測定方法は、実施例2と同様とした。
一方、合金サンプルが単相状態を示した場合、その合金サンプルに対応する素子の熱処理後のMR特性は、添加元素がない素子と比較して、80〜200%程度向上した。また、単相状態が安定な合金に対応する素子において、熱処理後のMR特性はより良好となった。
実施例2の表4d)、5a)、5b)、5c)、5d)のサンプルにおいて、熱処理後に観察されたMnの拡散効果を、反強磁性層/強磁性層の界面と強磁性層/非磁性層の界面との距離と、熱処理温度とを適宜変更することにより制御した。ただし、熱処理温度は300℃以上とした。この制御は、熱処理後に非磁性層の界面におけるMnを20〜0.5at%の範囲とすることを目標に行った。その結果、上記距離が3nm未満では、Pt等の元素を添加しても、熱処理後には磁性元素(Fe,Co、Ni)の含有量が40at%以下となり、その結果、MR特性も著しく劣化した。一方、上記距離が50nmを上回る場合には、界面におけるMnの含有量を0.5at%増加させるためだけにでも400℃以上の温度を要した。また、上記距離が長すぎるため、反強磁性層による強磁性層の磁化方向の固定効果が十分に得られず、熱処理後のMR特性が著しく劣化した。
2 下部電極
3,5 強磁性層
4 非磁性層
6 上部電極
7 層間絶縁膜
8 反強磁性層
51,53,71,73 強磁性膜
52,72 非磁性金属膜
Claims (3)
- 基板と前記基板上に形成された多層膜を含み、前記多層膜が一対の強磁性層と前記一対の強磁性層の間に挟持された非磁性層とを含み、前記一対の強磁性層における磁化方向がなす相対角度により抵抗値が異なる磁気抵抗素子の製造方法であって、
前記基板上に、前記強磁性層および前記非磁性層を除く前記多層膜の一部を下地膜として形成する工程と、
前記下地膜を400℃以上で熱処理する工程と、
前記下地膜の表面にイオンビームを照射して前記表面の粗さを低減する工程と、
前記表面上に、前記強磁性層および前記非磁性層を含む前記多層膜の残部を形成する工程と、
前記基板および前記多層膜を330℃以上で熱処理する工程と、を含む磁気抵抗素子の製造方法。 - イオンビームを下地膜の表面への入射角が5°以上25°以下となるように照射する請求項1に記載の磁気抵抗素子の製造方法。
- 多層膜の一部として下部電極および上部電極を形成し、前記下部電極が前記下地膜に含まれる請求項1に記載の磁気抵抗素子の製造方法。
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