TW546821B - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

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546821 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 、發明說明（i ) 發明之背景 本發明係關於一種丰導辦壯 、 置或液晶顯示器等之基板加 万去及加工裝置，尤其係關於— 而進行之基板處理方法及基板處a㈣） 後半I，： I置或/從晶顯T器係於基板上實施各種加工，最 後亚形成微細圖樣而賦加所希力 取 丄 , 的功月色0進行如此·^其狀 加工時，不僅使用氣體之 ^ m # 土 士命、… . ^ ^ ’使用藥液之濕式製稆 亦廣泛被採用。例如，在形成一 ^ , . 加工微細圖樣時所使用之 •1、光性树脂（photosensitive resiMFi n i ve r*eSln)圖樣時的顯 用濕式製程。 你使 說明有關在濕式製程中形选A 土 α ^ 衣Y忝成感先性樹脂圖樣（光阻）之方 法。在形成於矽或石英基板上夕 丞扳上又被加工膜上，首先塗布咸 先性樹脂，使用曝光掩模而進行牿 ., <订狩疋£域之感光性樹脂的 恐光。 繼而，使用顯像液例如有機溶劑或驗性之水溶液，正刑 光阻時除去感光部，負型光阻時除去未感光部，而形成= 光性樹脂圖樣。此步驟稱爲顯像步驟。 一 曝光用鉻掩模之加工時，在其加工膜之加工亦使 製程。在此情形下，於石英基板上形成路膜後，形成感 性樹脂圖樣，使用硝酸第2铯錄（ceric a_〇n〜容 液等，從感光性樹脂圖樣露出之鉻膜被等方性2 (isotropically)濕式 |虫刻。 又，加工之丽，當除去附著於基板上之不要的有機物 時，或，蝕刻加工終了後除去殘留之感光性樹脂圖樣時， . ^ Φ ^ ---------I ----------------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ' -4 - 546821 A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 到吏用硫酸與過氧化氫水之混合藥液。空氣中之氧與石夕基 板反紇而开/成之自然氧化膜（native 〇xide)亦防礙均一的加 工，故可使用NHJ或經稀釋之犯作爲藥液而除去。進一 步，於矽晶圓上形成金膜時，可使用八11鍍液。 習知顯像液之供給係使用如下方法：使用—擁有從處理 基板上万供給顯像液之孔的噴嘴，而一面使晶圓旋轉—面 供給顯像液，藉離心力展開顯像液。此方法係揭示於例如 特開平5-B32C)號公報。此方法係於顯像液供給孔正下方 連續地供給顯像液。然而，以離心力擴展之顯像液係在晶 ®擴展之際使光阻溶解，故顯像液中之鹼成分會完全消 耗：在周邊部驗之濃度會降低。其結果，在處理基板面内 《顯像液供給正下方與離供給孔之處，會出現精加工尺寸 差0 從3此之事，立在處理基板上供給顯像液作爲藥液膜。 但’從處理基板上方供給藥液呈膜狀乃不容易。亦即，若 於處理基板上方搭載藥液膜，處理基板對藥液之接觸角 (contact angie)很高時，處理基板會彈 出，必須供給處理上必需量以上之藥液，結果會有 量之藥液之問題。 〃 、又’製作藥液膜之其中-方法有：將藥液膜支持構件設 於處理基板之上方，於藥液膜保持構件之下方製作藥液 膜。然而丄例如若顯像液膜呈一定以上厚度，由顯像^膜 二構成〈樂液會呈液滴而下垂。若爲免成爲液滴，有問題 爲，、屬像液膜會變薄而無法得到顯像必需的液量。 . e --------^---------^ ΙΑ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -5- 546821

此，可使處理基板之處理面向下，將藥液配心 ^ 下方之方法。但，習知所提出之方法，係將趣像 已存於藥液槽而進行浸潰顯像的方法(例如， 特開平2-觀㈣公報），有必須使用大量之藥液 理之使處理基板與藥液面呈平行而使處 土 牛，或，援升樂液槽而接觸藥液。若實施此 法，會有如下問題：處理基板與藥液之間產生氣泡 生，陷，即使不致產生缺陷，亦會造成精加工尺寸之參声 不齊。此氣泡係因藥液與處理基板不是同時接觸全面所： 成的。 k /成氣泡之其中一原目，係藥液與處理基板之接觸時間 Ik地點而有差4 ’故有時空氣被捲入藥液與處理基板間。 又處理基板對樂液（潤濕性乃不佳，故即使藥液與處理 基板接觸，藥液會彈開，所彈開處之周邊的藥液於所彈開 處形成攝入泡。進一步，在此方法中藥液容器很難保持清 淨，需要時間進行洗淨。 Μ 又，在顯像步驟中，成爲可溶性之光阻會溶解。有時此 光阻會接觸容器壁而成爲粒子的原因。又，顯像液爲驗性 之水溶液，故藉水分蒸發而鹼成分會結晶化，或，與空氣 中足二氧化碳反應而製成碳酸鹽（carbonate)析出。此等亦 成爲粒子的原因，甚至產生缺陷。因此，可防止此等附著 同時並簡單地洗淨乃很重要。在揭示於特開平2_10 1467號 公報的顯像液槽中，設有一可供給排出顯像液或洗淨液之 本紙把尺度過用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 n n 一一口、» I H I 1· I I I I ϋ I I I ϋ I I I l ϋ I I I n I n ϋ n n I n n n

五、發明說明（4 ) 凹凸部或閥等，很難洗淨之構 持清淨，又，要洗淨須耗時間。’。因此，亦很難保 發明之摘要 本發明係依如上之課題所構成 的消耗量進行藥液處理，又， 棱供一種可以很少 接觸藥液膜，以進行藥液供給之上：播入空氣而 此方法之基板處理裝$。 ^處理万法及用以實施 爲達成上述目的，本發明第一種能 其具備如下步驟·· 〜7基板處理万法， 將藥液供給於板狀之藥液保 形成藥液膜； ^保持…於河述藥液保持體上 以其被處理面與前述藥液保持體 式，配置被處理基板； 上之藥液膜相向之 方 使I述被處理基板之被處理面以一點接觸於藥液膜； 以可述一點爲起點，使接觸徐緩地擴展開至處理基板之 被處理面全面接觸於藥液膜。 本發明第二種態樣之基板處理裝置，係具備如下·· 板狀之藥液保持體； 樂液供給構構，其係藥液供給於藥液保持體上而於藥液 保持體上形成藥液膜； 保持機構，其係以其被處理面與前述藥液保持體上相向 之方式，配置被處理基板； 第一驅動構構，其係至少使前述藥液保持體及處理基板 之 者移動而使處理基板之被處理面的端邵接觸於藥；夜

546821 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、發明說明（ 第_驅動機構，其係以被處理面的端部爲起點，使接觸 V、、’爰地擴展開至被處理面全面接觸於藥液膜之方式，移動 至少前述藥液保持體及處理基板之一者。 本發明第三種態樣之基板處理裝置，係具備如下： 板狀之藥液保持體； 樂液供給機構，其係將藥液供給於藥液保持體上而於藥 液保持體上形成藥液膜； ’ 保持機構，其係以其被處理面與前述藥液保持體上的藥 液膜相向之方式，配置被處理基板； η第一驅動構構，其係至少使前述處理基板之被處理而側 弓曲王凸狀而被處理面的凸部之前端接觸於藥液膜； 第二驅動機構，其係以被處理面與藥液的接觸點爲起 點，使接觸徐緩地擴展開至前述處理基板之被處理面全面 接觸於樂液膜之方式，消除前述處理基板之彎曲。 在本發明中，係於板狀顯像液保持體上供給藥液而製成 薄的樂液膜後，使藥液膜與被處理基板之被處理面相向。 傾斜被處理基板而使被處理基板與藥液膜接近，或，使被 處理基板朝藥液膜側彎曲，而使藥液膜之一部份與被處理 基板之。卩彳77接觸。然後，以被處理基板之被處理面與藥 液膜主平行之方式，而藉藥液膜與被處理面間之表面張力 (interfacial tension)，於被處理面全面藥液膜之接觸面擴展 開來，而進行藥液供給。在被處理基板上可形成均一薄的 樂液膜，故可以很少消耗量進行藥液處理，而且，藥液供 篇 > n an n ϋ I n ϋ I n _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -n n n ϋ I, n I I n - •8· 五、 發明說明（ 给於被處理基板上不會捲入空氣地進行。 :於被處理基板上不會捲入氣泡，4，不會產生處心 ::進仃樂液供給，宜使藥液對被處理面之 ： :力二舌。:：接觸角形成4〇。以下，係藉由在藥液； 又，1 劑，或，於被處理面實施表面處理來達成。 者樂！很以地於藥液料體上擴展，宜選定兩 〜1寺俾樂液對藥液保持體之接觸角呈3 0。以下。若 口此地選定，可使液膜變薄成爲可能 可降低藥液量。 ”肩像，且邓 、又’上述之接角係如以下般求取。液滴呈直徑2_以下 :万式滴被處理面或藥液保持台上。所滴下之液滴的斷面 、 圖1 5中’但’在圖中之Θ爲接觸角。接觸角没係液 滴401與被處理基板4〇〇之表面接觸的部分之切線與基板表 面構成的角度。但，假設液滴爲圓之-部分，接近如下般。 θ ^2 Θ ,=2tan'1 (h/r) 此處，h爲液滴之高度，Γ爲液滴之底邊的1/2。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制π 曰又’本發明係於板狀之藥液保持體上製成藥液膜而進行 顯像，故與浸潰比較，以少量之液量即可，且，可確保處 理上必需的液量作爲藥液量。又，因藥液保持體爲板狀， 在保持體表面無凹凸，粒子可很容易以洗淨除去，故可清 淨地維持藥液保持體。 圖面之簡單之説明 圖1係本發明之塗布顯像裝置及曝光機之系統構成圖。 圖2 A和2 B係用以説明本發明第1實施例之顯像液膜供給 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐 五、 發明說明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 方法的顯像裝置主要部之概略斷面圖。 :3係表不本發明顯像液膜之膜厚顯像 依存性的特性圖。 休待植從轉數圖4係用以説明本發明顯像 圖。 狂又晶圓平面 圖5係用以説明在顯偾 成機構的晶圓平面圖:像，™成响 圖圖6係用以况明晶圓上之顯像液膜厚測定處的晶圓平面 圖7A-7C係使用一稀釋成〇.2敝顯像液，以第1余施 ^法使負光阻短時間顯像時的光阻膜厚分布特性；， ::角乃分別圖W、圖-爲4〇。、圖7C爲20。 圖8A-8⑽使圖7八_7(：之縱轴的刻度分別部分擴大圖。 圖9係第實施例所使用之顯像單元的模式斷面圖。 圖1 〇係第1實施例所使用之顯像單元的模式平面圖。 圖11係用以說明本發明第2實施例且使用噴嘴之顯像裝 置的概略斷面圖。 圖1 2 A係说明在第2實施例中使用直線型喷嘴之例，其 像裝置之平面圖。 圖12B係沿著圖12A之12B-12B線的斷面圖。 圖13A係本發明第3實施例所使用之顯像裝置的平面圖 圖13B係沿著圖i3Ai13B_13B線的斷面圖。 圖14A和14B係用以階段性地説明本發明第3實施例之 例 接 顯 顯 —Id --------1---------^1#------------------------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -10- 546821 五、發明說明（8 ) 像方法的顯像裝置之斷面圖。 圖1 5係用以説明接觸角之測定法的圖。 發明之詳細説明 以下’參照圖面而說明發明之實施例。 本發明足藥液處理方法係説明一種藉顯像液使感光性樹 脂顯像時爲例。晶圓處理係於一可使感光性樹脂之塗布及 頭像一貫進行的塗布顯像裝置連接曝光裝置而進行的。 (第1實施例） 圖1係本务明塗布_像裝置（c〇ating and devei〇pment apparatus)及曝光機（exposure apparatus)之系統構成圖。如 訂 圖1所不般，塗布顯像裝置係由卡匣座丨〇丨、處理系統 (processing station) 102、界面部（interface secti〇n) ι〇3所構 成，進一步，以界面部1〇3連接曝光機1〇4與塗布顯像裝 置。 卡匣座10 1係於晶圓匣（未圖示）將作爲被處理基板之半 導體等的晶圓（未圖示）以複數片例如24片單位從外部搬入 線 或搬出此系統。又，可將晶圓從晶圓匠搬入或搬出處理座 102 ° 處理座102係於塗佈顯像步驟中對每一片晶圓實施特定 處理之葉片式（single wafer processing)各種處理單元以多 段式配置於特定位置。處理座1〇2係由塗布單元（c〇ating unit) 105、顯像單元（development unit) 1〇6、烘箱型處理單" 元（oven-type processing unit) 107所構成。 空布單το 105、顯像單兀1〇6係例如於鐘罩内使晶圓搭載 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 546821 五、發明說明（9 ) 於旋轉卡盤而進行特定處理之旋轉型單元，並使用於光阻 及反射防止膜（antireflection film)等之塗布、光阻等之顯像 處理。 洪箱型處理單元1 07係將晶圓放置於載置台上而進行特 走處理之單元，例如：進行冷卻處理之冷卻單元（c〇〇liM unit) 108、用以提高光阻定影性之所謂進行疏水化處理 (hydrophobic processing)之黏著單元（adhesi〇n ⑽⑴ ι〇9 進 行、走位之定位單元（alignment unit) 11〇、擴張單元 (extension unit) i丨i、進行曝光處理前之加熱處理的預烘烤 單元（Pfe-baking unit) i 12及進行曝光處理後之加熱處理的 後曝路烘烤單元（p0s1>eXp0Sure baking unit) 113、烘烤單元 (baking unit) 1 14等重疊配置。在界面部1〇3中，係處理座 102與曝光機1〇4之間進行晶圓之傳遞。 晶圓之處理係如下般進行。於晶圓匣放置特定片數晶 圓’再被安置於卡匣座1〇1。晶圓係從卡匣座1〇1搬送至烘 箱型處理單元1〇7之冷卻單元1〇8，載置4〇秒後，搬送至塗 布單元10)。在塗布單元1 〇5將反射防止膜塗布於晶圓上膜 厚60 nm。晶圓被搬送至烘箱型處理單元1〇7之17(Γ(：的烘 烤單元1 14，進行加熱處理6 0秒。 然後’晶圓被搬送至冷卻單元1〇8，以2 3 I冷卻6 〇秒。 其次’爲塗布光阻，搬送至光阻塗布單元105，塗布膜厚 0.4 " m足正型感光性樹脂。晶圓被搬送至烘箱型處理單元 107之140°C的預烘烤單元112，進行預烘烤9〇秒。然後， 晶圓被搬送至冷卻單元丨〇8，以2 3。〇冷卻6 〇秒。 -12- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I n ϋ n n ϋ ϋ n I ϋ ϋ i_i n ϋ n ϋ I ϋ ϋ ϋ ϋ I I n ϋ ϋ ϋ n 546821 A7 _ -__—_ _ B7 _ 五、發明說明（10) 其次，晶圓被移送至界面部丨〇3，再搬入曝光機丨〇4内。 曝光係在 ΝΑ = 0·6、σ = 0.75、一般送明（normal iUuminati〇n) 下進行。然後，晶圓通過界面部1 〇 3而放入塗布顯像裝 置’在後曝卷烘烤單元113中以14 0 °C進行加熱處理9 〇秒。 再者，晶圓被從卡匣座搬送至烘箱型處理單元之冷卻單 元，載置1 20秒而冷卻之。此晶圓被搬送至顯像單元而進 行顯像。 其次，參照圖2 A、2 B及3而説明形成於晶圓上之光阻的 顯像方法。圖2 A和2 B係搭載一表示於圖1之顯像單元1 〇6 的晶圓之顯像裝置斷面圖，圖3係表示顯像膜之膜厚的顯 像液保持體旋轉數依存性之特性圖。顯像單元中配置板狀 之頻像液保持體（developer holder) 1。此顯像液保持體1比 晶圓還大，且爲圓形，被眞空卡盤2固定著。又，顯像液 保持體1係以可旋轉的方式於眞空卡盤2之下方安裝旋轉機 構3。 首先，直管型之顯像液供給噴嘴4乃從外部之退避位置 和動土頭像液保持體1之中央。如圖2 a所示，一面使顯像 液保持體1旋轉一面從顯像液供給噴嘴4使顯像液5滴在顯 像液保持體1上。藉離心力使顯像液5在顯像液保持體1上 擴展開來，於顯像液保持體1上形成很薄的顯像液膜6。其 次，顯像液供給噴嘴4移動至顯像液保持體1之外側的退避 位置。 此處所使用之光阻即使晶圓1 0全面曝光，爲使全部光陴 溶解必需之顯像液5係從酸、驗之中和反應計算必須爲3 〇 ____ -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---；------------% (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

一-0、· II ϋ ϋ ϋ n I ϋ I I I I I n ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ I ϋ ϋ ϋ ϋ n n ϋ ϋ H ϋ n I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 546821 A7 ----~---^_ 五、發明說明（”） A m厚。因此，顯像液膜6之膜厚必須爲3〇 #爪以上。 頰像液膜6之膜厚係依存於顯像液保持體丨之材質與旋轉 數。圖3表不使用矽（Si)作爲顯像液保持體時之顯像液保持 把的旋轉數（rpm)(橫軸）相對於顯像液膜之膜厚（"m)(縱 軸）。從圖3可知，若使顯像液保持體之旋轉數爲4〇〇〇 rpm，可製作3〇 " m厚之顯像液膜。此處，係使滴下量爲6 ml ’駛轉數爲2〇〇〇 rpm而形成顯像液膜之膜厚爲㈤。 顯像液保持體係接觸角對於顯像液愈低，即使以低旋轉 數亦可製作薄的液膜，可減少於晶圓外浪費之顯像液的液 量。若顯像液對顯像液保持體之接觸角很高，即使以離心 力展開顯像液，顯像液亦保持體上亦不會形成漂亮的液 膜。 表1表示當顯像液之滴下量爲6 ml，顯像液保持體之旋 轉數爲2000 rpm時，顯像液保持體之旋轉終止後的顯像液 狀態。接觸角爲70。時，在旋轉終了之狀態，顯像液會彈 開，不會形成漂亮的液膜。接觸角爲4 〇。時，旋轉終了 後，顯像液會形成液膜，但造成晶圓外周部之顯像液會被 顯像液之表面張力拉至晶圓中央部而於晶圓外周部無顯像 液之拉回現像。當3 〇。時，不會引起如此之情況，而可於 顯像液保持體上製作顯像液膜。 因此，對於顯像液之接觸角宜爲略3 〇。以下。在第i奮 施例中雖使用矽，但亦可使用接觸角對顯像液爲1 〇。之玻 璃等其他的材料。又，於顯像液中添加界面活性劑 (suface-active agent)可抑制顯像液保持體與顯像液之接觸 ____ -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -I------訂-------· I I I j (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

角土很低。進_步，翻你、 t 於顯像液保持體表面塗布親水性膜 可抑制與顯像液之接觸角。 表1 接觸角7 0 習知之方法有~— 你、、 日日0的上面供給顯像液而於晶圓上g 方法(例如參照特開平5_i332〇號公報)，及，方 :::存顯像液，使光阻面朝下方而顯像液與以」 接觸 < 方法（例如來昭縣門 …、、、特開千2-10467號公報）。在此等方g 中’若考量所必需之顧徐、、θ /，象夜I，當前者時，僅管顯像液， 、…、一’阻上’爲避免顯像被彈回之拉回現像，、乃使與 像液之膜厚爲1 mm以上。 ’ / _以上。因此，使用於每-片8英吋晶厦 (頭像液的量爲31 ml以上。 又，後者之方法中係爲於藥液貯槽亦儲存水 至少亦必須100 ml以上之1§僮油工Λμ I。置損 又頜像政。然而，若使用本發明 万法’顯像液可抑制至6⑹以下，可大幅降低所使用之海 像液量，並可無問題地進行，光阻之感度亦與在習知方法 進行顯像時沒有改變。 / 在第i實施例中雖使用直管型之直型喷嘴，但本發 :口:要可將顯像液供給至晶圓上之噴嘴即可，並非限定索 在第1實施例中，如上述般使用板狀體作爲顯像液保 體。將保持體爲板狀之優點說明於下。 ’ ______________-1 5- 本紙張尺度1¾时晒家標準（CNS)A4規格(21〇T297^7 4 t---------線_ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 546821 五、發明說明（13) 在顯像處理中成爲可溶性之光阻會溶解。有時此光阻备 接觸容器壁^爲粒子的原因。又，顯像液爲驗性的水二 及。因水+洛發而鹼成分會結晶化，或，與空氣中之二氧 :匕：反應而生成碳鹼鹽，析出。此等亦告成：子的原：， 甚土產生缺陷。因此，防卜士笔IJ/I ^ 防止此寺附耆同時並可容易清洗乃 很重要。 、若使用如示於特開平2_1()1467號公報之顯像液貯槽，用 以供給、排出顯像液、清洗液之凹凸部或闕門等，很難洗 淨之構件乃很多。因此，要使顯像液容器維持清淨亦很 難，又，洗淨很耗時間。 。但，在本發明中係顯像液保持體爲板狀，一般洗淨晶 圓，使洗濯喷嘴在顯像液保持體上方移動而一面使顯像^ 保持體旋轉-面使洗灌液滴下而洗淨保持體表面，進一牛 提高旋轉數而甩開洗灌液進行乾燥之方法。因此，此等^ ^在短時間内很容易地洗淨及乾燥，要維持保持體表: 凊·4亦很容易。以上乃於顯像液保持體上製作顯像液膜之 步驟。 其次，晶圓10塗布光阻之面（光阻面）7係以藉眞空卡盤2 保持相反的面，而光阻面7對向於顯像液保持體^方^進 行移動。首先，如圖2B所示般，傾斜晶圓1〇，使光：： 晶圓端與顯像液膜6接觸。然後，倒下晶圓1〇而於顯像液 保持體1上所形成的顯像液膜6會利用顯像液與晶圓1 〇之 表面張力而展開。若光阻與顯像液之潤濕性良好，顯像液 膜6會於光阻面7上依序接觸。此時，顯像液擴展成爲'顯像 -16- 本紙張尺度適用中θ國家標準（CNS)A4規格⑵〇__χ 297公爱 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) J1T, · I I I I i I i 1 I ϋ ϋ I ϋ — — ΙΙΙΙΙΙΙΙ — I I I I I . 546821 五、發明說明（14) 部 智 慧 財 員 工 消 費 合 社 印 製 液膜6，故攝入氣泡會消失〇且w 、凌俣祛麵1 Μ 4 ΛΑ念、 ，、把上，印圓1 〇下面與顯像 及保持^構成的角度剛開始爲15' 面與顯像液保持體1構成的角度成爲0。。 Q 習知之一般顯像液與光阻係 高，1係先阻對顯像液之接觸角很 ^ 土 。如此地當接觸角很高時，因光阻合 年開顯像液，故若晶圓傾斜之速度不減缓，氣泡會進入。曰 此處，參照圖4和5而説明氣泡進人之 説明本發明之顯像液膜形成過程的晶圓平面圖。I: 明而從上面觀察顯像液之擴展，本來， 下而顯像液膜6與晶圓1。之接觸面會從接觸點移動而則 液膜ό會展開來（圖4)。 力而..·>、像 但，：阻對顯像液之接觸角很高時，如 t不會潤濕而形成液體展開停止之處。然而，被爾 係依％所而異，故在顯像液展開會 你 '、心v 日丨τ止足處的周圍，若顧 像視膜ό與光阻被潤濕，顯像液之 ^右〜 备#_，m展開會停止之處的空 空氣滞留而成爲氣泡。此乃引起缺 :’周圍之液面行進而順利地擠出空氣，即使於液面 二：：分供給顯像液而可避免氣泡的發 =或：像液的濃度差之故，顯像會比其他部分還遲， m果，精加工尺寸在晶圓面内之參差不齊會很大。 =:在第丨實施例中，顯像液内添力:；面活性劑， =嶋之接觸角爲4°。以下。於顯像液内添加界面 ^而降低對光阻之接觸角，研究氣泡、、 、八 < 方法，結 〇 氣 擴 間 其 光 活 果 L__ -17- 準（cns)A4 546821 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（15 ) 表示於表2中。光阻對顯像液之接觸 ν η馬/ U 睡，於蜂u 傾斜晶圓而使顯像液與光阻接觸時， ’ 气冶、桂λ 、士 在後+氣泡會進入。 矾/包進入t處，不會顯像而成成顯像 而斗卜4令丨I n 4艮。另外，添加界 面活性劑而接觸角呈4 0。 、2 0。時，兹目— , τ 銳祭不到氣泡。因 此’样員像液之接觸角必須在4 〇。以下。 表2 接觸角7 0 接觸角4 0 接觸角3 0 若使接觸角爲4 0。以下，顯像液會很 曰恨難於光阻彈開，即 使日日圓傾斜速度加快，很大的氣泡亦 .. 進入。因此，不 έ有很大氣泡進入時之顯像不良。又，初 "心馬彳政泡爲原因之 缺卩曰，光阻對顯像液之接觸角爲7 〇。每 ^ 哼，母1片晶圓產生 100個至200個，但顯像液之接觸角爲4 。 >

XiK Ati H 1 J- 1- 争，母 1 片晶圓 P:低至數個左右。進-步，顯像液之接觸角若爲2〇。，訪、 爲微泡爲原因之缺陷幾乎看不出來。 〜 又若與顯像液之供給亦接觸角很高時比鉍 门ϊ比k，可很順利地 進行。圖6、7A-7C和8八_8〇係顯示研究顯像液之件认方古

的實驗結果。更詳而言之，&用稀釋成Q2in之顯H 如圖6所示，傾斜晶圓而使顯像液膜與井 / 〜丨且接觸，在光阻 不會完全顯像之短時間内，中止顯像。從ρ 匕^ 化日曰®中心朝晶圓 的傾斜方向離50 mm之位置·，測定垂直弘曰 既万；日曰圓傾斜方向 線上（離中心線± 5 mm)的殘存光阻膜厚。 卞員先阻係被稀釋 顯像液溶解，但殘存光阻之膜厚參差不I， + ^ 仕一者均可觀 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） L --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 546821 Α7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 察㈣利地供給顯像液。若順利地供給顯像液，殘存光阻 之膜厚的參差不齊應會變小，若顯像液會彈開，或氣泡會 進入而不均一地供給，殘存光阻之膜厚參差不齊會變大。 如圖7 A所tf，在接觸角7 〇。時測定部之左側部分氣泡 進入，光阻係膜厚約丨5〇 nm之顯像殘留。在測定部之右側 邠刀可充分供給顯像液，故光阻只殘存4〇 nm。 圖7B和7C係測定部之左右皆均等地供給顯像液，故光 阻：殘存膜厚的參差不齊幾乎不會產生。⑮，在圖 的貫驗中，各別之顯像時間不會被嚴密地控制。因此，殘 存腠厚又値本身並非可在圖7A-7C間進行比較，只膜厚之 不均被注意。 圖8A-8C係部分地擴大圖7八-7〇者。可知接觸角7〇。（圖 8 A)時即使爲充分顯像之右側部分，膜厚不均亦很大。 又，隨接觸角下降至40。（圖8B)、2〇。（圖8C)，膜厚不 均會變小。 卞 匕醚著光阻對頜像液之接觸角變小，顯像液順利地 被承載著。實際上，使用接觸角爲7〇。之顯像液的情形， 與，使用接觸角爲40。之顯像液的情形，若比較精加工尺 寸的均一性，使用接觸角爲70。之顯像液時，即使除去氣 泡進入的部分，精加工尺寸變異就3σ爲15 nm，但若使用 接觸角馬40°之顯像液，精加工尺寸變異就3。爲6_，尺 寸均一性會提高。 顯像液對光阻之接觸角係愈低氣泡愈難進入，缺陷會降 低。接觸角40。附近爲無問題之程度界限，若接觸角爲 ------.---------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公 546821 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（17 ^ 、下大的氣/包很難進入，只有以檢查缺陷裝置才知 念μ L亦每片爲數個左右。因此，顯像液對光阻之接觸 角以4 0。以下爲適當。 第1貝訑例中，係藉由添加界面活性劑使顯像液之接 :角Ρ牛低’但添加之主旨係降低光阻對顯像液的接觸角， 貫施所謂對光阻進行表面處理例如於光阻表面塗布親水性 (hydrophilic)足膜的方法，亦可降低接觸角。 以上爲晶圓全面供給顯像液之步驟。其次，維持顯像液 :挾住於顯像液保持板與基板之間的三明治構造，而進行 顯像6 0秒。 朝上方提高晶圓後，洗淨晶圓。在第丄實施例中，係將 曰^圓朝洗蘇單元（未圖示）移動而敛述有關進行洗務之例。 晶圓係以光阻面朝上的方式翻過來，搬送至洗滌單元。晶 圓被固定於洗淨單元之眞空卡盤。洗滌單元係可供给洗： 液之洗滌噴嘴被固定於手臂上，形成可移 嘴 朝處理基板中央移動後，流出洗蘇液 =门'角 進行絲。 w以轉晶圓而 洗滌方法不限於上述，亦可晶圓之光阻 、A L丄 叫别下’直接從 下万m條液。X，在貯存洗蘇液之洗蘇液貯槽接觸晶 圓之光阻面而停止顯像之步驟，亦可在曰 曰曰 之前。 下…洗務液 其後，乾燥晶圓而顯像步·驟終了。晶圓離開洗滌單元而 搬運至塗布顯像裝置之卡匣座1 〇 1，光阻 111像形成乃終 了0 .20· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） . --------^----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線. 546821

五、發明說明（18) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一繼而，參照圖9和10而説明使用於此實施例之顯像單 元。圖9爲顯像單元之斷面圖，圖1〇爲顯像單元之 圖。晶圖1 〇係以光阻面朝下的方式被固定於眞空卡盤 的下方具二卡盤202係藉合頁狀之鬲精度軸承204安裝於 保持構件206，進一步，保持構件2〇6被固定於晶圓手臂 208 〇 晶圓手臂208係藉空氣之出入連接於可上下動、旋轉運 動之唧筒21〇。唧筒210係使用一種眞空卡盤2〇2不會振動 具防振效果之高精度者。於眞空卡盤2〇2上方係安裝於附 帶滑車212及繩車214之馬達218。 當晶圓10平行於顯像液保持體216上面時，使馬達2丨8旋 轉而鬆開繩子’以合頁（高精度軸承）204部分作爲支點而 使眞空卡盤202旋轉，以本身重量呈平行。 使晶圓1 0對顯像液保持體2 1 6上面傾斜時，使馬達2 1 8與 先觔朝反方向旋轉而拉引繩子，以合頁（高精度軸承）204 部分爲支點，俾滑車固定板220與眞空卡盤202密接。馬達 2 1 8係連接於未圖示之直流電源，藉正負之連接更換而可 正逆旋轉。 使晶圓1 0之一端與顯像液2 1 5接觸後，爲徐緩傾斜晶圓 1 0，速度的抑制乃很重要。在馬達21 8與繩車2 14之間置入 齒列2 19而作動轉矩，且使速度減緩。又，以可改變馬達 2 1 8之直流電流量，使馬達之旋轉速度變化，俾控制晶圓 1 0之傾斜的速度。 顯像液供給噴嘴222係藉噴嘴保持體224安裝於噴嘴手臂 -21- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） IJ " --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 546821

五、發明說明（19) 226。噴嘴手臂226係連接於可上下動之唧筒而進—步於軌 道230上移動，從喷嘴待臂位置A(圖12)至顯像液供给位 置B之間可平行移動。 顯像液保持體216係被載置於一以馬達228構成可旋轉之 Λ £卡盤228之上。因此，可很容易卸下顯像液保持體216 而進行洗淨。又，從顯像液保持體216溢出之顯像液被收 集於杯2 3 6中。 其次，説明此顯像單元之動作。在開始之狀態，係眞空 卡盤在具2卡盤符避位置C(圖1〇中之虛線位置），朝下方 降下。顯像液供給喷嘴222係從噴嘴待避位置Α至相當於顯 像液保持體2 1 6上之位置B沿著執道230而移動，朝下方降 下 I馬達2 2 8使頭像液保持體2 1 6旋轉同時並供給顯像液 而製作顯像液膜2 1 5。顯像噴嘴222若終止顯像液之供給， 朝上方上昇，進一步至噴嘴待避位置A沿著軌道23〇而移動。 具空卡盤202之下面係與顯像液保持體2丨6之上面呈平 行。搬送而來之晶圓200係使光阻塗布面朝下而被固定於 眞空卡盤202的下面。使用唧筒210而舉起眞空卡盤2〇2， 使晶圓手臂208旋轉，眞空卡盤202從眞空卡盤待避位置c 朝顯像液保持體2 16上面移動。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次’使馬達218旋轉而拉引繩子，以高精度軸承2〇4作 爲支點，舉起眞空卡盤202至與滑車固定板220接觸處，俾 曰曰圓1 0保持傾斜。晶圓呈傾斜之狀態，晶圓手臂2 〇 $會下 降至晶圓1 0之一端與顯像液膜2 1 5接觸的位置。藉由使馬 達2 1 8逆旋轉而放鬆繩子，晶圓i 〇係以高精度軸承2〇4爲支 ___-22- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 546821 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（2〇 ) 點’而傾斜地倒下。藉此，顯像液膜會與晶圓1 〇全面接觸 而開始顯像。 顯像終了時，使用唧筒210舉起晶圓手臂2〇8，進一步， 旋轉晶圓手臂208而使眞空卡盤2〇2移動至眞空卡盤待避位 置C。晶圓1〇在眞空卡盤待避位置a被載置於未圖示之手 臂’再搬送至未圖示之洗滌單元。 如以上般，在第1貫施例中係.使藥液膜與被處理基板之 一场接觸後，被處理基板乃與藥液保持體呈平行之方式傾 斜，藥液乃藉藥液膜與被處理基板間之表面張力於被處理 基板上擴展開來。因此，可進行、無氣泡捲入或產生處理不 均之藥液供給。 \ (第2實施例） 其次’參照圖1 1而說明第2實施例。 圖1 1係搭載晶圓之顯像裝置的概略斷面圖，顯示一顯像 裝置，其係使用與製作顯像液膜之第i實施例不同的另外 方法。以不使顯像液保持體21旋轉的狀態，從顯像液供給 喷嘴24供給顯像液25。此時，若被眞空卡盤⑶呆持之顯 像液保持體2 1對顯像液的接觸角降低至3 〇。以下，顯像

液會擴展開纟，可製作顯像液膜26。其結果，可使顯像、、、 膜2 6變薄。 ’、I 若顯像液對顯像液保持體2丨之接觸角很高，顯像液不會 擴展而若不增加顯像液之滴下量，無法於8英吋之顯像： 保持體2 1上製作漂壳的液膜。若顯像液量刪減至習知之一 半以下，亦即，15·5 nU以下，在5秒以内於8英对之” --------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 23- 546821 A7 —-—- -— B7_____ 五、發明說明（21 ) 夜保持體2 1上擴展顯像液爲目標，顯像液保持體2丨對顯 像液之接觸角必須爲30。以下。在第2實施例中，係使用、 與顯像液之接觸角爲1〇。之陶資板作爲顯像液保持體 2 1。或’亦可於藥液中添加界面活性劑而調節接觸角。 於顯像液供給喷嘴中’如圖li所示，係使用一於直管之 前端藥液會散開來之噴灑噴嘴24，但亦可爲在第丨實施例 ^所使用之直管型的直型噴嘴。又，如圖12A和12B所示， 顯像液保持體2 1爲圓形時，係使其徑（方形時其一邊的長 度）長度略相同之直線型噴嘴24,，一面供給顯像液一面從 顯像液保持體21的一端朝另一端移動而供給顯像液。雖未 圖示，但直線型喷嘴對向於顯像液保持體之面係形成多數 之喷嘴孔，於顯像液保持體上面可均一地供給顯像液。 於頭像液保持體2 1上形成顯像液膜後，轉移至將顯像液 供給至晶圓全面的步驟，但其後係與第1實施例同樣。如 上述般’即使形成顯像液膜，亦可得到與第1實施例同樣 的效果。 (第3實施例） 其次，參照圖13A、13B和14A、14B而説明第3實施例。 在本實施例中係説明一種從形成於顯像液保持體之顯像 液膜將顯像液供給至晶圓全面之方法。圖13A和13B係保持 晶圓之眞空卡盤的平面圖及斷面圖，圖14八和丨43係使用眞 空卡盤而對晶圓供給顯像液之顯像裝置的概略斷面圖。 首先’如圖13A和13B所示，晶圓30背面之外周部及中央 部分別被眞空卡盤321和322固定。圖13A之虛線係表示從 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） .——5-------mw (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 546821 A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 叩圓3 〇之表面觀看時之眞空卡盤321、322的一 中央邵< 眞空卡盤322係被固定於軸324，外周部之直分 卡盤321被固疋於中空環323，此乃連接於軸325。轴324虛 軸325係可分別地控制上下移動。 其次，如圖14A所示，如晶圓3 〇之中央部呈凹型般，聽 由使中央邵之眞空卡盤322突出，致晶圓3 0變形。維持過 形狀直接使晶圓3 〇側向下而降下晶圓3 〇，僅凹部與顯 液膜3 6接觸。 其後，如圖14B所示，僅使外周部之眞空卡盤321下降而 晶圓3 0呈平坦。其結果，依據顯像液與晶圓3 〇之下面和 形成之晶圓的光阻（未圖示）之間的表面張力，顯像液膜h 會從中央邵朝外周部展開。藉此方法，顯像液膜3 6中不看 攝入氣泡，而可擴展顯像液膜3 6。 將本發明所敘述之顯像液供給於晶圓全面之方法，基本 上如下。藉由使顯像液保持體或晶圓移動或使晶圓變形， 而俾頭像液膜之一邵份與晶圓之一部份接觸。然後，令晶 圓與顯像液保持體呈平行。此時，顯像液膜與晶圓之一部 分會接觸之處爲起點（接觸點），而藉顯像液與光阻之間的 表面張力，液膜會展開，故氣泡不會進入而顯像液膜擴展 開來。從最初之起點液膜擴展開來時，氣泡會逃逸之方 式，若晶圓與顯像液保持體可呈平行，起點的位置不限於 上述實施例所述之位置。 第1乃至第3實施例中，藥液處理乃以感光性樹脂之顯像 步驟作爲例而進行説明，但藥液處理不限於此，亦可適用 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） .—^---------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 23、 546821 A7 B7 五、發明說明（ 於曝光用鉻掩模之濕式蝕刻步驟，矽晶圓上之自然氧化膜 除去步驟等的藥液處理。又，晶圓以外亦可適用液晶、 C D等之處理。 ίί-------%------- 丨訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 •26· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 546821 A8 B8 C8 D8

   申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 •一種基板處理方法，其具備如下步驟： 將藥液供給於板狀之藥液保持體，於前述藥液保持體 上形成藥液膜； 以被處理面與前述藥液保持體上之藥液膜相向之方 式，配置被處理基板； 使1述被處理基板之被處理面以一點接觸於藥液膜； 、以雨述-點純點，使接觸徐緩地擴展❹處理基板 之被處理面全面接觸於藥液膜。 2.根據申請專利範圍第i項之基板處理方法，並中進一乎 更具備如下步驟：以處理基板之被處理面相對藥液之接 觸角爲40度以下之方式進行準備。 3·根據巾請專利範圍第2項之基板處理方法，纟中使接觸 徐緩地擴展開之步驟，係包括：以保持前述一點之接觸 之狀態下直接使處理基板與藥液保持體上面呈平行，利 用樂液膜與處理基板間之表面張力而使藥液膜擴展至被 處理面全面。 4·根據申請專利範圍第2項之基板處理方法，其中使前述 被處理基板之被處理面以一點接觸於藥液膜之步驟，係 包括：使被處理基板傾斜而處理基板之被處理面端接觸 於藥液膜； 使接觸徐緩地擴展開之步驟，係包括··在處理基板之 被處理袖接觸於樂液膜之狀態下傾倒處理基板，傾斜至 與樂液保持體上面呈平行，藉而利用藥液膜與處理基板 間《表面張力而使藥液擴展至被處理面全面成爲液膜。 -27- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) ,4 · -I ----- I 訂 ----III — — I « 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 546821 C8 ------— ___ 六、申請專利範圍 5.根據申請專利範圍第2項之基板處理方法，其中使前述 被處理基板之被處理面以一點接觸於藥液膜之步驟，係 包括：翹曲處理基板而使處理基板中央相對藥液保持體 側呈凸部之方式使處理基板與液膜接觸； 使接觸徐緩地擴展開之步驟，係包括：在處理基板中 央與藥液膜接觸之狀態下，消除前述處理基板趣曲而使 其與藥液保持的上面呈平行，藉藥液膜與處理基板間之 表面張力而使藥液以液膜擴展至被處理面全面。 6·根據申請專利範圍第2項之基板處理方法，其中以處理 基板I被處理面相對藥液之接觸角爲4 〇度以下之方式進 行準備的步驟，係包括：於藥液中添加界面活性劑。 7·根據申請專利範圍第2項之基板處理方法，纟中以處理 基板 < 被處理面相對藥液之接觸角爲4 0度以下之方式進 仃準備的步驟，係包括：對被處理面施以減少接觸角之 表面處理。 ，據申叫專利範圍第i項之基板處理方法，其中於前述 夜保持上形成樂液膜的步驟，係包括：一面使藥液 保持體旋轉一面從藥液保持體上方供給藥液。 9·根據申請專利範圍第8項之基板處理方法，其中更進一 • y “備·準備相對藥液之接觸角爲3 〇度以下之板狀藥液 保持體的步驟。 1〇· 2據申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中更進一 ^準備相對樂液之接觸角爲3 〇度以下之板狀藥液 保持體的步驟； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線J _ -28- 、申請專利範圍 :前述藥液保持體上形成藥液膜的步驟，係包括：以 、吏樂視保持體靜止之狀態，從藥液保持體上方供給藥 死並擴展樂液，而形成藥液膜。 u·:據申請：利範圍第丨項之基板處理方法，*中於前述 “呆持上形成藥液膜的步驟，係、包括：使用—擁有 =^視保持體之幅寬或徑大致相同長度之直線型噴嘴供 ^藥液’同時並從藥液保持體之—端至另—端移動此直 、、泉型噴嘴而供給藥液。 12· —種基板處理裝置，具備： 板狀之藥液保持體； 一藥液供給機構，其係將藥液供給於藥液保持體上而於 藥液保持體上形成藥液膜； 保持機構，其係以被處理面與前述藥液保持體上相向 之方式，配置被處理基板； 第一驅動構構，其係使前述藥液保持體及處理基板之 土 y 者和動而使處理基板之被處理面的端部接觸於藥 液膜； 第一驅動機構，其係以被處理面的端部爲起點，使接 觸徐緩地擴展開至被處理面全面接觸於藥液膜之方式， 移動前述藥液保持體及處理基板之至少一者。 13.根據申請專利範圍第1 2項之基板處理裝置，其中藥液保 持體係被設定成與藥液之接觸角爲3 0度以下。 14·根據申請專利範圍第1 3項之基板處理裝置，其中藥液供 給機構係包括一配置於藥液保持體之略中央上的噴灑噴 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再本頁) --------^---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 嘴。 15·根據申請專利範圍第12項之基板處理裝置，並 、、 給機構係包括使用―配置於藥液保持體之略中央 ^嘴而供給藥液，同時並使藥液保持體旋轉，而供： 16·根據申請專利範圍第12項之基板處理裝置， 給機構係包括：使用—擁有與藥液保持體之幅宽或押大' :相=度之直線型噴嘴供給藥液，同時並從藥液二寺 把 < 崎至另一端移動此直線型噴嘴而供給藥液。 17.^中請專利範圍第12項之基板處理裝£，^中被處理 基板之保持機構包括第三驅動機構，其在前述藥液佴认 機構料藥液保持體供給藥液時，使前述非處理基板待 避於藥液保持體之實質外側。 18·—種基板處理裝置，具備： 板狀之藥液保持體； 一藥液供給機構，其係將藥液供給於藥液保持體上而於 樂液保持體上形成藥液膜； 保持機構，其係以被處理面與前述藥液保持體上的藥 液膜相向之方式，配置被處理基板； 第驅動構構，其係使前述處理基板之被處理面側彎 曲^凸狀而令被處理面的凸部之前端接觸於藥液膜； 第驅動機構，其係以被處理面與藥液的接觸點爲起 點，、使接觸徐、緩地擴展開至前述處理基板之被處理面全 面接觸毛樂液膜爲止之方式，消除前述處理基板之彎 546821 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、申請專利範圍 曲。 19 園第18項之基板處理裝置，其中藥液保 、被5又疋成與樂液之接觸角爲3〇度以下。 範園第18項之基板處理裝置，其中藥液供 核構係包括使用-配置於藥液保持體之略中央 =嘴供給藥液，同時並使藥液保持體旋轉，而供给= 乩根據申請專利範圍第19項之基板處理裝置，其中藥液供 :機構係包括一配置於藥液保持體之略中央上的噴灑喑 嘴0 '、 22. 根據申請專利範圍第18項之基板處理裝置，其中藥液供 給機構係包括：使用一擁有肖藥液保持體之巾昌寬=徑^ if相同長度之直線型噴嘴供給藥液，同時並從藥液^持 體之一端至另一端移動此直線型噴嘴而供給藥液。 23. 根據申請專利範圍第17項之基板處理裝置，其中被處理 基板之保持機構，係包括：前述藥液供給機構對於藥液 保持體供給藥液時，使前述非處理基板待避於藥液保持 體之實質外側的機構。 -31- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）