TW538321B - Device for exposure of peripheral area of thin film circuit board - Google Patents

Device for exposure of peripheral area of thin film circuit board Download PDF

Info

Publication number
TW538321B
TW538321B TW090124549A TW90124549A TW538321B TW 538321 B TW538321 B TW 538321B TW 090124549 A TW090124549 A TW 090124549A TW 90124549 A TW90124549 A TW 90124549A TW 538321 B TW538321 B TW 538321B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
exposure
film circuit
thin film
peripheral
Prior art date
Application number
TW090124549A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiki Mimura
Kazumoto Tochihara
Original Assignee
Ushio Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ushio Electric Inc filed Critical Ushio Electric Inc
Application granted granted Critical
Publication of TW538321B publication Critical patent/TW538321B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G03F7/2026Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G03F7/2026Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction
    • G03F7/2028Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction of an edge bead on wafers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0393Flexible materials
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0073Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
    • H05K3/0082Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the exposure method of radiation-sensitive masks
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0097Processing two or more printed circuits simultaneously, e.g. made from a common substrate, or temporarily stacked circuit boards

Description

經濟部智慧財產笱員工消費合作社印製 538321 Α7 Β7 五、發明説明(1 ) 【發明所屬技術領域】 本發明係關於將塗抹於T A B磁帶等之薄膜電路基板 周邊部之無用抗蝕劑予以曝光之周邊曝光裝置。 【習知技術】 液晶基板,攜帶電話,攝影機,桌上型電子計算機, I C卡等、乃使用在厚度25//m〜125//m左右之聚 酯薄膜或聚亞胺薄膜等上、安裝積體電路之薄膜電路基板 〇 圖5 (a )爲顯示薄膜電路基板之一之TAB磁帶一 部分。TAB磁帶TP爲例如幅度3 5〜7 Omm,長度 數百m之帶狀工作物,卻通常被捲繞於捲盤。 T A B磁帶T P上之電路製造、則在上述絕緣性薄膜 上粘貼導電體(例如銅箔)、藉反覆抗蝕劑塗敷工程,轉 印所盼電路圖案之曝光工程、抗蝕劑之顯像工程、除去無 用導電體之腐蝕工程等予以進行。在各工程、薄膜電路基 板即自捲盤被予以捲出,經過處理.加工、再被予以捲取 〇 T A B磁帶T P (以下有時稱爲磁帶)係在其兩側以 等間隔(例如4 · 7 5 m m間距)設有被稱爲孔眼P Η ( 有時稱爲鏈輪孔)之孔洞。該孔眼Ρ Η被使用於上述各工 程之磁帶Τ Ρ定位或搬運。例如,將具卡扣於孔眼ρ Η之 凸起之滾輪予以轉動以搬送磁帶Τ Ρ、或在曝光處理時, 將裝置所定位置裝設之插銷穿入於孔眼Ρ Η而進行磁帶 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210'〆297公釐) 4 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
538321 經濟部智慧財產¾員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(2 ) T P之定位。 如上述、在腐蝕工程予以除去不需要之導電體(以下 有時稱爲銅箔Cu) °導電體之除去不完成時、有時即發 生絕緣不良成爲製品不佳。又、外觀上亦不揚。 圖5 (b )爲顯示TAB磁帶TP之銅箔Cu上塗敷 抗鈾劑R之狀態。該圖亦爲圖5 ( a )之剖面顯示圖。 如上述、銅箔C u乃被粘貼於絕緣薄膜上。銅箔之邊 緣(以下有時稱爲周邊部)由於表面張力致塗敷之抗蝕劑 R隆起,厚度變爲比其他部分厚。 通常、電路圖案係避開銅箔C u周邊部加以形成。形 成電路圖案之領域在圖5 ( a )即以圖案形成領域表示。 通常,銅箔C u周邊部由腐蝕工程予以除去。 惟、如上述銅箔周邊部之抗蝕劑R較厚、致爲完成曝 光,其曝光量需比其他部分(圖案形成領域)爲多。僅一 次曝光(圖案形成時之曝光)卻曝光量不足。於是,顯像 時周邊部會殘留未曝光之抗蝕劑、在腐鈾工程無法完全除 去銅范。 因此、有僅對銅箔周邊部進行曝光之周邊曝光方法之 提案。以下,就本案申請人先前提案之周邊曝光裝置(特 願2 0 0 0 — 1 8 7 6 4 6號)加以說明。 在圖6 ,圖7顯示上述周邊曝光裝置。圖6爲將周邊 曝光裝置由直交於薄膜電路基板搬運方向之方向予以觀看 之圖、圖7爲由薄膜電路基板搬運方向予以觀看之圖。 周邊曝光裝置係在薄膜電路基板(以下稱爲T A B磁 本紙張尺度適用中國國家標奉(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
538321 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(3 ) 帶)顯像裝置上游側(顯像前階段)、沿每一磁帶兩側被 設兩台、T A B磁帶T P卻對應顯像速度以1 . 0〜 3 · Om/分被連續搬運。且在該搬運中、進行銅箔周邊 部之抗鈾劑曝洸。 在圖6 ,圖7、TAB磁帶TP即如圖6所示、由搬 運滾輪R 1 , R 2沿如同圖箭頭方向予以搬運於載台3上 〇 曝光T A B磁帶T P上抗蝕劑之曝露光(紫外光)則 自具燈泡1 a及聚光鏡1 b之光源部1、由石英光導向構 件1 c介未圖示之掩模予以導至投影透鏡單元2 。投影透 鏡單元2乃將由上述掩模遮住一部分之曝露光予以聚光於 載台3上之T A B磁帶T P之銅箔周邊部。即,曝露光照 射領域由上述掩模加以形成、並藉投影透鏡單元2予以投 影於T A B磁滯T P上。 T A B磁帶T P上所粘貼銅箔之邊緣卻由發光部4 a 及聚光部4 b所構成之光感測器4加以檢測。自發光部 4 a發射之感測光係介上述銅箔之邊緣部分及載台3所設 之缺口部分由聚光部4 b予以聚光。 光感測器4則可使用例如半導體雷射之平行光線性感 測器。自平行光線性感測器之發光部4 a照射之感測光( 曝露光)爲直進性良好之雷射光、對平面物體予以垂直投 影時,光之形狀卻呈薄長方形。聚光部4 b乃能將自發光 部4 a發射之光在所定距離予以全部聚光、且可檢測聚光 量之變化。 本^張尺度適用中國國家標参(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·
、1T 線 538321 A7 B7 五、發明説明(4 ) 光感測器4之發光部4 a及聚光部4 b係被設置於光 感測器裝設構件6、光感測器裝設構件6被配設於滑動台 5 。滑動台5卻由驅動馬達7予以驅動於圖7之箭頭方向 (TAB磁帶TP搬運方向之直交方向)。而滑動台5則 裝設有上述投影透鏡單元2、致以驅動馬達7促使滑動台 5移動於圖7之箭頭方向時、投影透鏡單元2及光感測器 4隨之亦同向移動。 圖7所示控制部8乃被輸入對應於光感測器4之聚光 部4 b聚光量之大小之信號。即,控制部8驅動該驅動馬 達7俾使光感測器4移動、且將上述聚光量經常保持於一 定地令滑動台5移動。由於滑動台5裝設有包括投影透鏡 單元2之可放射周邊曝露光之放射部(含有投影透鏡)、 致隨滑動台5之移動、上述放射部所放射曝露光之照射領 域位置亦變動。即,光感測器4促使聚光量經常保持於一 定地移動、而曝露光照射領域對應感測器之移動方向,移 動量、僅以同方向,同量移動於與TAB磁帶T P搬運方 向呈直交之方向。 【發明欲解決之課題】 上述T A B磁帶等薄膜電路基板係在有機化合物之薄 膜粘貼銅箔予以構成。銅箔之粘貼由於施加熱或壓力所進 行、故因銅箔與薄膜之熱膨脹係數之不同等、致粘貼後、 如圖8所示磁帶幅度方向有時會發生彎翹。 又、如爲具孔眼之T A B磁帶、則在前工程將鏈滾輪 本紙張尺度適用中國國家標參(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538321 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(5 ) 卡扣於孔眼以搬運T A B磁帶時、由於形成有孔眼之磁帶 周邊部有時伸張變形致產生皺紋。 如圖8所示,磁帶周邊部有彎翹或有皺紋、且進行該 周邊部之抗蝕劑曝光時、進行曝光之磁帶周邊部位置可會巨 自周邊曝光裝置之投影透鏡之曝露光焦點位置沿所照射曝 露光之光軸方向錯移。 因此,投影於磁帶周邊部之掩模邊緣像會模糊、而減 低曝光之精確度。 爲防止之、雖矯正薄膜電路基板之平面即可、惟乃需 解決下述條件。 (1 ) 在周邊曝光中、矯正曝露光照射之其真正領 域。 無論如何矯正照射領域近邊、關鍵之曝光部份平面度 亦難轉好。因此、推押手段非能使曝露光能透過不可。 (2 ) 需將T A B磁帶以習知原來之所定速度予以 搬運、並能進行彎翹或皺紋。 周邊曝光裝置係被裝設於以所定速度搬運磁帶而進行 顯像之顯像機。致爲推押磁帶而暫停磁帶搬運或延緩搬運 速度時、非變更顯像之諸條件不可。且生產率亦會下降。 本發明即爲解決上述問題所開發者、乃以提供一種在 薄膜電路基板之周邊曝光裝置、雖薄膜周邊部有彎翹或有 皺紋、亦能予以滿足上述(1 ) ( 2 )條件、且以良好精 確度進行薄膜周邊部之曝光爲目的。 本紙張尺度適用中國國家標举(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
538321 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(6 ) 【課題解決之手段】 本發明則如下述進行解決上述課題。 係在具有將發光部發出之感測光由聚光部加以聚光之 光感測器所構成邊緣檢測手段、與藉該邊緣檢測手段之輸 出、促使上述曝露光照射領域及上述薄膜電路基板相對性 移動、並控制曝露光照射於上述薄膜電路基板周邊部之控 制手段之薄膜電路基板的周邊曝光裝置、將氣體,例如空 氣吹向薄膜電路基板之進行周邊曝光之領域、而予以推押 於薄膜電路基板背面側所設平面度良好之載台。該薄膜電 路基板由於被氣體推押於上述載台進行搬運、致在搬運中 、該載台能避免薄膜電路基板背面受擦傷以進行平面度良 好之加工。 又、爲上述邊緣檢測手段之聚光感測器可聚集發光感 測器之感測光、乃將被推押薄膜之上述載台由可透過或反 射感測光之材料予以構成。 如上述,本發明係以氣體吹押薄膜電路基板、致能在 薄膜電路基板搬運中不遮住曝露光、予以矯正曝露光照射 領域之薄膜電潞基板之彎翹及皺紋。 且,由於推押動作可避免薄膜電路基板表面產生擦傷 、又,如將載台表面予以加工呈良好之平面度、則亦可防 止磁帶背面受傷。 【發明之實施形態】 圖1 ,圖2爲顯示本發明實施例之周邊曝光裝置構成 本紙張尺度適用中國國家標準* (CNS ) A4規格(210'〆297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 538321 A7 B7 五、發明説明(7 ) 。其中,圖1爲將周邊曝光裝置由直交於薄膜電路基板搬 運方向之方向予以觀看之圖、圖2 ( a )爲由薄膜電路基 板搬運方向予以觀看之圖、且對與上述圖6 ,圖7所示相 同構件即予以附上相同符號。又、以下說明雖就薄膜電路 基板以使用T A B磁帶之情形加以說明、然,本發明亦可 同樣適用於未具有孔眼之薄膜電路基板。 在圖1 ,圖2、爲曝光TAB磁帶TP上之抗蝕劑所 需之曝露光係自具燈泡1 a ,聚光鏡1 b之光源部1、由 石英光導向構件1 c如上述介未圖示之掩模予以導至投影 透鏡單元2。該投影透鏡單元2乃將由上述掩模遮住一部 分之曝露光予以聚光於載台3上之TAB磁帶T P之銅箔 周邊部。 T A B磁帶T P上所粘貼之銅箔邊緣、卻藉由發光部 4 a及聚光部4 b所構成光感測器4予以檢測。 載台3之被發光部4 a之感測光予以照射之部分、則 如圖3所示設有石英板3 a。感測光即投射於石英板3 a 之T A B磁帶T P (以虛線顯不於同圖)上、介T A B石啟 帶TP周邊部及該石英板3 a由載台3底側之聚光部4 b 予以聚光。又、替代上述石英板3 a、亦可使用如丙烯基 等由曝露光無法劣化之其他透明構件。 光感測器4乃如上述可使用例如半導體雷射之平行光 線性感測器。 回至圖1 ,圖2所示、光感測器4之發光部4 a及聚 光部4 b係被設於光感測器裝設構件6、光感測器裝設構 ---- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
538321 A7 B7 五、發明説明(8 ) 件6被配設於滑動台5。滑動台5卻由驅動馬達7予以驅 動於圖2 (a )之箭頭方向(TAB磁帶TP搬運方向之 直交方向)。 而滑動台5則裝設有上述投影透鏡單元2、致以驅動 馬達7促使滑動台5移動於圖2之箭頭方向時、對應之, 投影透鏡單元2及光感測器4亦隨之同向移動。 圖2 ( a )所示控制部8乃被輸入對應於光感測器4 之聚光部4 b所聚光之聚光量大小之信號。控制部8即驅 動該驅動馬達7俾使光感測器4移動、且將上述聚光量經 常保持一定地令滑動台5移動。由於滑動台5裝設有包括 投影透鏡單元2之可放射周邊曝露光之放射部(含投影透 鏡)、致隨滑動台5之移動、上述放射部所放射曝露光之 照射領域位置會變動。即,光感測器4促使聚光量經常保 持於一定地移動、而曝露光放射部,即曝露光照射領域對 應感測器之移動方向移動量、僅以同方向同量移動於與 T A B磁帶丁 P搬運方向呈直交之方向。 上述投影透鏡單元2係介裝設構件9 a設有噴嘴9、 將例如2 0 0 k P a〜3 0 0 k P a之空氣供給該噴嘴9 、對TAB磁帶TP之進行周邊曝光之領域、自磁帶TP 內側向外側予以噴吹空氣。 噴嘴9之空氣噴吹口 9 b卻如圖2 ( b )所示、爲符 合周邊曝露光之照射領域之形狀、而呈沿T A B磁帶T P 搬運方向較長,沿其直交方向較窄之裂縫狀開口。藉由該 噴吹口 9 b自T A B磁帶T P內側向外側以斜向予以噴吹 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210'〆297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538321 A7 B7 五、發明説明(9 ) 空氣、自該噴吹口 9 b噴吹之空氣即擴展到周邊曝露光之 照射領域、發生彎翹及皺紋之T A B磁帶Τ P周邊部乃被 空氣壓力予以雅押於載台3表面。 載台3之感測光透過附近如上述設有石英板3 a、且 如將該石英板3 a及其近旁之載台3表面予以加工呈具良 好平面度、則T A B磁帶Τ P周邊部雖有灣翹或有皺紋、 該丁 A B磁帶Τ P周邊部亦仿照載台3表面呈平面。 因此、只要將載台3表面與曝露光焦點位置予以對正 、掩模之邊緣像即不致模糊、可進行精確度良好之曝光。 在本實施例、由於T A B磁帶Τ P之彎翹及皺紋之矯 正手段爲氣體(空氣)、故不會遮住曝露光、可予以噴吹 丁 A B磁帶Τ P之曝露光照射部位、促使T A B磁帶Τ P 周邊部確實一致於曝露光之焦點位置。 又、能在矯正彎翹及皺紋同時、進行搬運T A B磁帶 TP。且,藉推押致TAB磁帶TP表面亦不會擦傷、只 要將受推押之載台3表面加工呈良好平面度、則亦可防止 磁帶T P背面受傷。 上述周邊曝光裝置、由於將TAB磁帶TP粘貼之銅 箔邊緣藉設於載台3上側之發光部4 a與設於載台3下側 之聚光部4 b所成之光感測器加以檢測、致如圖3所示, 載台之感測光照射部分材質需由玻璃或丙烯基等之感測光 透過性構件充當之。 其次、說明替代設成感測光透過性構件、在載台3之 聚集感測光部分使用鏡子之實施例。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4規格(210X297公釐) I---------裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T -線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538321 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(10) 圖4爲在感測光照射部分使用鏡子之本發明第二實施 例顯示圖。該圖爲將周邊曝光裝置自直交於薄膜電路基板 搬運方向之方向加以觀看之圖、其中與圖1 ,圖2所示構 件相同者即附上相同符號。 本實施例之周邊曝光裝置之構成及動作雖與上述圖1 ,圖2相同、但,本實施例卻在感測光照射部分使用鏡子 同時、尙將邊緣檢測感測器之聚光部4 b配置於載台3之 上側。 在圖4、TAB磁帶TP上粘貼之銅箔邊緣乃由設於 載台3上側之發光部4 a ’與聚光部4 b ’所構成光感測 器4予以檢出之。 載台3之發光部4 a ’發射之感測光照射部分係設有 鏡子3 b、自發光部4 a ’之感測光即被投射於上述鏡子 3 b部分之T AB磁帶TP上、並在鏡子3b,TAB磁 帶TP表面反射、由聚光部4b’加以聚光。由在TAB 磁帶TP表面與在鏡子3 b面之反射率不同、故可利用此 種反射率之不同、與上述第一實施例一樣、檢出T A B磁 帶T P之銅箔邊緣。 如同第一實施例、光感測器4之發光部4 a與聚光部 4 b則被設置於滑動台(未圖示)、滑動台及投影透鏡單 元2卻由驅動馬達加以驅動。且,如上述、對應光感測器 4之聚光部4 b所聚集聚光量多寡之信號被輸入於控制部 (未圖示)、該控制部即保持聚光量經常呈一定地促使滑 動台及投影透鏡單元2移動。藉此、可變移曝露光照射領 本紙張尺度適用中國國家標參(CNS) A4規格(210X297公釐) _ 13_ ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
538321 A7 B7 五、發明説明(彳巧) 域之位置、將紫外光聚集於T A B磁帶T P之銅箔周邊部 、以進行曝光周邊部。 上述投影透鏡單元2係如上述設有噴嘴9、且將該噴 嘴9之空氣噴吹於T A B磁帶T P之在進行周邊曝光領域 、以空氣壓力予以推押於載台3表面。藉此、如同第一實 施例、雖T A B磁帶T P周邊部有彎翹或有皺紋、亦能促 使丁 A B磁帶T P周邊部呈平面。 又、上述實施例、雖使投影透鏡單元2移動以相對性 移動曝露光之照射領域與上述薄膜電路基板、惟促使掩模 移動亦可。此時、如上述特願2 0 0 0 — 1 8 7 6 4 6號 所示、卻需將掩模移動方向與光感測器4移動方向設成互 相呈反向。且,使載台3移動促使曝露光之照射領域與上 述薄膜電路基板相對性移動亦可。 【發明之效果】 如上所作說明、在本發明可獲得如下效果。 (1 ) 進行周邊曝光位置不致與曝露光焦點位置( 曝光周邊部之曝露光光軸方向)錯移。故由於掩模之邊緣 像不致模糊投影於薄膜周邊部、而可進行精確度良好之曝 光。 (2 ) 可在矯正彎翹及皺紋同時、進行搬運薄膜電 路基板。且不需變更習知之薄膜搬運速度、予以進行周邊 曝光、故不必改變顯像機之顯像條件。又、亦能防止生產 率之下降。 本紙張尺度適用中國國家標參(CNS ) A4規格(210X297公釐) —--------涛-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、言 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538321 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(12 ) (3 ) 載台之被推押薄膜電路基板部分係由感測光 可透過或可反射之構件加以構成、故藉由光感測器所構成 邊緣檢測手段能檢出在進行周邊曝光部分之銅箔邊緣。因 此,可仿照該鏝緣進行精確度良好之周邊曝光。 【圖示之簡單說明】 圖1爲本發明第一實施例之周邊曝光裝置構成顯示圖 (1 ) ° 圖2爲本發明第一實施例之周邊曝光裝置構成顯示圖 (2 )。 圖3爲本潑明第一實施例之載台所設石英板顯示圖。 圖4爲本發明第二實施例之周邊曝光裝置構成顯示圖 〇 圖5爲在薄膜電路基板之一之ΤΑ B磁帶一部分及銅 箔上塗敷抗蝕劑之狀態顯示圖。 圖6爲習知周邊曝光裝置之構成顯示圖(1) ° 圖7爲習知周邊曝光裝置之構成顯示圖(2)。 圖8爲丁 A B磁帶周邊部發生彎翹之狀態顯示圖。 【符號說明】 1 光源部 la 燈泡 lb 聚光鏡 1c 石英光導向構件 ---- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
538321 A7 B7
五、發明説明( 2 3 3 a 3 b 4 4 a 4 b 5 6 7 8 9 9 a 9 b TP 13 4a’ 4b’ 投影透鏡單元 載台 石英板 鏡子 光感測器 發光部 聚光部 滑動台 光感測器裝設構件 驅動馬達 控制部 噴嘴 噴嘴裝設構件 噴吹口 T A B磁帶 經濟部智慧財產¾員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 货

Claims (1)

  1. A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1,一種薄膜電路基板的周邊曝光裝置、係將薄膜電 路基板搬運於所定方向同時、藉對該薄膜電路基板周邊部 之抗蝕劑予以照射光照射手段之曝露光、而曝光上述周邊 部之抗蝕劑、其特徵則在設有: 將發光部發出之感測光由聚光部加以聚光之光感測器 所構成邊緣檢測手段、與 藉該邊緣檢測手段之輸出、促使上述曝露光照射領域 及上述薄膜電路基板相對性移動、並控制曝露光照射於上 述薄膜電路基板周邊部之控制手段、與 在上述光照射手段對上述周邊部進行照射曝露光時、 將氣體噴吹於曝露光所照射上述周邊部之氣體噴出手段、 以及 位於被噴吹氣體之上述周邊部背面側、可使上述感測 光透過或予以反射之載台。 裝 訂 絲 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局3工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210x297公釐) -17 -
TW090124549A 2000-12-22 2001-10-04 Device for exposure of peripheral area of thin film circuit board TW538321B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000390314A JP3678144B2 (ja) 2000-12-22 2000-12-22 フィルム回路基板の周辺露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW538321B true TW538321B (en) 2003-06-21

Family

ID=18856707

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW090124549A TW538321B (en) 2000-12-22 2001-10-04 Device for exposure of peripheral area of thin film circuit board

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6700643B2 (zh)
EP (1) EP1217449A2 (zh)
JP (1) JP3678144B2 (zh)
KR (1) KR100523890B1 (zh)
TW (1) TW538321B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117542330A (zh) * 2024-01-10 2024-02-09 深圳聚点互动科技有限公司 一种智能家居控制设备及屏幕亮度自适应调节方法、介质

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5144992B2 (ja) * 2007-08-27 2013-02-13 株式会社オーク製作所 露光装置
US8023105B2 (en) * 2007-11-19 2011-09-20 Orc Manufacturing Co., Ltd. Compact projection exposure device and associated exposure process performed by the device for exposing film-shaped tape to form circuit patterns
US20090163115A1 (en) * 2007-12-20 2009-06-25 Spirit Aerosystems, Inc. Method of making acoustic holes using uv curing masking material
JP4536784B2 (ja) * 2008-01-31 2010-09-01 富士フイルム株式会社 機能性フィルムの製造方法
EP2095946A1 (en) * 2008-02-27 2009-09-02 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO A system for patterning flexible foils
JP2010183105A (ja) * 2010-04-26 2010-08-19 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体装置の製造方法
MX2021008966A (es) 2019-01-30 2021-11-04 Sanifit Therapeutics S A Compuestos de fosfato de inositol para su uso en el aumento de la perfusion tisular.

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4801352A (en) * 1986-12-30 1989-01-31 Image Micro Systems, Inc. Flowing gas seal enclosure for processing workpiece surface with controlled gas environment and intense laser irradiation
JPH01295421A (ja) * 1988-05-24 1989-11-29 Nec Corp 周辺露光装置
JP2657973B2 (ja) * 1989-08-22 1997-09-30 ウシオ電機株式会社 フィルム回路基板の製作方法
JP2838570B2 (ja) * 1990-03-14 1998-12-16 東京エレクトロン株式会社 周辺露光装置
TW329340U (en) * 1992-10-09 1998-04-01 Adtec Eng Co Ltd Aligner for alignment employing film mask
JP2881362B2 (ja) * 1993-01-18 1999-04-12 東京エレクトロン株式会社 露光装置
JP3199548B2 (ja) * 1993-12-28 2001-08-20 東京エレクトロン株式会社 露光装置および露光方法
JP3521587B2 (ja) * 1995-02-07 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 基板周縁の不要物除去方法及び装置並びにそれを用いた塗布方法
KR0146610B1 (ko) * 1995-03-15 1998-10-01 원우연 플렉시블 프린트 배선판의 회로패턴 연속노광장치
TW316322B (zh) * 1995-10-02 1997-09-21 Ushio Electric Inc
KR100257279B1 (ko) * 1996-06-06 2000-06-01 이시다 아키라 주변노광장치 및 방법
JP3541783B2 (ja) * 2000-06-22 2004-07-14 ウシオ電機株式会社 フィルム回路基板の周辺露光装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117542330A (zh) * 2024-01-10 2024-02-09 深圳聚点互动科技有限公司 一种智能家居控制设备及屏幕亮度自适应调节方法、介质
CN117542330B (zh) * 2024-01-10 2024-03-15 深圳聚点互动科技有限公司 一种智能家居控制设备及屏幕亮度自适应调节方法、介质

Also Published As

Publication number Publication date
EP1217449A2 (en) 2002-06-26
JP2002196500A (ja) 2002-07-12
KR100523890B1 (ko) 2005-10-26
KR20020051820A (ko) 2002-06-29
JP3678144B2 (ja) 2005-08-03
US6700643B2 (en) 2004-03-02
US20020085191A1 (en) 2002-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5690334B2 (ja) 基板をフォトイメージングする方法及び装置
JP4218418B2 (ja) 帯状ワークの両面投影露光装置
WO2007049640A1 (ja) 露光方法及び露光装置
JP2009053383A (ja) 露光装置及び露光方法
TW538321B (en) Device for exposure of peripheral area of thin film circuit board
TWI481971B (zh) 曝光方法及曝光裝置
TW564198B (en) Device for exposure for belt-shaped work having zigzag correction mechanism
TW559867B (en) Exposure process and exposure device
TWI386763B (zh) Projection exposure device
JP4479383B2 (ja) パターン検査装置
TW500981B (en) Device for exposure of the peripheral area of a film circuit board
JPH05323621A (ja) フィルム露光装置におけるフィルムとレチクルの位置合わせ方法
JP4407333B2 (ja) 帯状ワークの露光装置
JP2798158B2 (ja) フィルム露光装置
JP6659181B2 (ja) 搬送装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法
JP2017183669A (ja) 搬送装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法
JP2005005586A (ja) 電子部品実装用フィルムキャリアテープの検査装置および検査方法
JP2657973B2 (ja) フィルム回路基板の製作方法
JPH05241247A (ja) フィルム搬送機構およびこのフィルム搬送機構を具えたフィルム露光装置
JP2000267294A (ja) 露光装置
JP2836787B2 (ja) フィルム露光装置
JPH08160626A (ja) 露光方法及びその装置
TW202209011A (zh) 搬送裝置、曝光裝置及物品之製造方法
JPH0378238A (ja) フィルム露光装置
KR100671768B1 (ko) 띠 형상 워크의 노광 장치 및 마스크와 워크 스테이지의평행 설정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees