JP2838570B2 - 周辺露光装置 - Google Patents
周辺露光装置Info
- Publication number
- JP2838570B2 JP2838570B2 JP2063362A JP6336290A JP2838570B2 JP 2838570 B2 JP2838570 B2 JP 2838570B2 JP 2063362 A JP2063362 A JP 2063362A JP 6336290 A JP6336290 A JP 6336290A JP 2838570 B2 JP2838570 B2 JP 2838570B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- peripheral
- temperature
- semiconductor wafer
- exposure
- exposed
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
この発明は周辺露光装置に関する。
半導体製造工程の一つであるリソグラフィ工程は、主
として表面処理、レジスト塗布、露光、現像、エッチン
グの５つの工程に分けられる。これらの工程で用いられ
る投影型露光装置やエッチング装置等の真空装置は、半
導体ウェーハの搬送や処理台への固定方法として、ウェ
ーハの周縁をクランプするメカニカル方式を採用してい
る。このため、ウェーハの周縁部にレジストが残留して
いると、半導体ウェーハの搬送の際に、レジストの剥が
れが起きて、ウェーハに対するパーティクル発生の原因
となり易い。 このようなウェーハ周縁部のレジストが剥がれによる
パーティクル発生を防止するため、この半導体ウェーハ
の周縁部のレジスト層を円環状に露光し、現像すること
により上記半導体ウェーハの周縁部のレジストを除去す
る方法がとられている。このような、周辺露光装置とし
て、例えば特開昭58−159535号，特開昭59−158520号等
に記載されたものが知られている。 これらの従来の周辺露光装置は、単に半導体ウェーハ
の周縁部に光を照射するだけで、その雰囲気温度の調整
は行っていない。
として表面処理、レジスト塗布、露光、現像、エッチン
グの５つの工程に分けられる。これらの工程で用いられ
る投影型露光装置やエッチング装置等の真空装置は、半
導体ウェーハの搬送や処理台への固定方法として、ウェ
ーハの周縁をクランプするメカニカル方式を採用してい
る。このため、ウェーハの周縁部にレジストが残留して
いると、半導体ウェーハの搬送の際に、レジストの剥が
れが起きて、ウェーハに対するパーティクル発生の原因
となり易い。 このようなウェーハ周縁部のレジストが剥がれによる
パーティクル発生を防止するため、この半導体ウェーハ
の周縁部のレジスト層を円環状に露光し、現像すること
により上記半導体ウェーハの周縁部のレジストを除去す
る方法がとられている。このような、周辺露光装置とし
て、例えば特開昭58−159535号，特開昭59−158520号等
に記載されたものが知られている。 これらの従来の周辺露光装置は、単に半導体ウェーハ
の周縁部に光を照射するだけで、その雰囲気温度の調整
は行っていない。
ところで、周辺露光装置においても、レジスト材料の
種類、レジスト層の厚さ等に応じて、光の照度、照射時
間を変える必要がある。これは、少量多品種の装置にお
いては特に重要である。 このため、ある材料、また厚さのレジストに対して適
切な露光を行える条件にあっても、レジスト材料や厚さ
に応じて、光照度、照射時間を変更したとき、光源から
の熱によってレジスト表面付近の温度が上昇し、適正露
光条件から外れてしまう恐れがある。すなわち、一般
に、アルカリ現像液による現像によってレジストを除去
するためには、露光時、カルボン酸Ｒ−COOH（Ｒはアル
キル基）等の生成が不可欠である。このカルボン酸の生
成のためには、レジストに含まれるカルボニル基COと
雰囲気の水分が、また不可欠である。ところが、露光し
ている半導体ウェーハの周縁部近傍の雰囲気温度が高く
なると、逆に湿度は低下するので、水分が不足となって
カルボン酸の生成が良好に行われず、露光不足となって
しまう。そして、このように露光不足になると、カルボ
ン酸の生成が行われないため、半導体ウェーハ周縁部の
レジストは現像によって十分に除去できずに残留して前
記のようなパーティクル発生の原因になる。 この発明は、以上の点に鑑み、常に適正な条件で露光
を行えるようにした周辺露光装置を提供しようとするも
のである。
種類、レジスト層の厚さ等に応じて、光の照度、照射時
間を変える必要がある。これは、少量多品種の装置にお
いては特に重要である。 このため、ある材料、また厚さのレジストに対して適
切な露光を行える条件にあっても、レジスト材料や厚さ
に応じて、光照度、照射時間を変更したとき、光源から
の熱によってレジスト表面付近の温度が上昇し、適正露
光条件から外れてしまう恐れがある。すなわち、一般
に、アルカリ現像液による現像によってレジストを除去
するためには、露光時、カルボン酸Ｒ−COOH（Ｒはアル
キル基）等の生成が不可欠である。このカルボン酸の生
成のためには、レジストに含まれるカルボニル基COと
雰囲気の水分が、また不可欠である。ところが、露光し
ている半導体ウェーハの周縁部近傍の雰囲気温度が高く
なると、逆に湿度は低下するので、水分が不足となって
カルボン酸の生成が良好に行われず、露光不足となって
しまう。そして、このように露光不足になると、カルボ
ン酸の生成が行われないため、半導体ウェーハ周縁部の
レジストは現像によって十分に除去できずに残留して前
記のようなパーティクル発生の原因になる。 この発明は、以上の点に鑑み、常に適正な条件で露光
を行えるようにした周辺露光装置を提供しようとするも
のである。
この発明は、レジストが塗布された被処理体の周縁部
に沿って光を照射して前記周縁部を露光する周辺露光装
置において、前記被処理体の前記周縁部の露光時の当該
周縁部近傍の温度上昇を防止するように、前記周縁部の
露光部近傍のみを少なくとも温度調整する手段を設けた
ことを特徴とする。
に沿って光を照射して前記周縁部を露光する周辺露光装
置において、前記被処理体の前記周縁部の露光時の当該
周縁部近傍の温度上昇を防止するように、前記周縁部の
露光部近傍のみを少なくとも温度調整する手段を設けた
ことを特徴とする。
被処理体の少なくとも周縁部の露光部が少なくとも温
度調整されるから、周辺露光の光の照度、照射時間を変
えた場合にも、上記周縁部近傍の雰囲気の湿度は所定の
ものに保たれ、常に適正露光条件に保持される。
度調整されるから、周辺露光の光の照度、照射時間を変
えた場合にも、上記周縁部近傍の雰囲気の湿度は所定の
ものに保たれ、常に適正露光条件に保持される。
以下、この発明による周辺露光装置の一実施例を図を
参照しながら説明する。 第１図及び第２図に示すように、被処理体の例として
の半導体ウェーハ１は、円板状の載置台２に真空吸引さ
れて、吸着固定されている。載置台２は、例えば回転角
度がパルス制御可能なステッピングモータを備える回転
機構３の回転軸に連結されて回転可能とされており、こ
の載置台２の回転によりこれに吸着固定された半導体ウ
ェーハ１が回転させられるようになっている。この場
合、載置台２の回転中心位置と半導体ウェーハ１の中心
位置とが一致する状態で、半導体ウェーハ１は載置台２
上に載置されるものである。 回転機構３のステッピングモータの駆動及び回転は、
例えばコンピュータを備える制御部10からの制御パルス
によりコントロールされる。 載置台２の近傍には、この載置台２に載置された半導
体ウェーハ１の周辺露光を必要とする周縁を特定するた
めに、端面検出手段４が設けられる。この端面検出手段
４は、半導体ウェーハ１の外周端面を検知可能なよう
に、光源５と光センサ７とがレンズ６を介して半導体ウ
ェーハ１の外周端面を挟むように設けられる。この例で
は、光源５は、半導体ウェーハ１の半径方向にライン状
に並べられたLEDからなり、また、光センサ７は、この
光源５のLEDに対向するように配置された、例えばCCD固
体撮像素子からなるラインセンサで構成される。 また、半導体ウェーハ１の露光すべき周縁部に対向し
て光照射体11が設けられている。この光照射体11は、可
動機構12により半導体ウェーハ１の半径方向に往復移動
が可能に構成されており、これにより半導体ウェーハ１
の周縁を周辺露光する幅の決定と、半導体ウェーハ１の
オリエンテーションフラットの部分においても、上記と
同じ幅で周辺露光できるようにしている。 可動機構12には例えばボールネジ（図示せず）が設け
られ、このボールネジを介して可動機構12に回転駆動を
伝える駆動機構13が設けられる。この駆動機構13は、例
えばパルス制御されるステッピングモータで駆動され、
このステッピングモータの駆動は制御部10によって制御
される。 光照射体11には光導管14例えばグラスファイバあるい
は液体ファイバが接続されている。この光導管14には、
露光用光例えばUV光が、図示しない光源から導かれる。 制御部10は、端面検出手段４からのセンサ出力を受け
て、予め半導体ウェーハ１のオリエンテーションフラッ
ト部を含む外周端面の検出を行い、その結果の情報を記
憶するメモリを有している。また、周辺露光の幅は、制
御部10に対して接続されるキーボード（図示せず）から
キー入力されて定められる。 そして、この例においては、半導体ウェーハ１の光照
射体11からの光照射部分に対して、温度および湿度がコ
ントロールされた空気を供給するノズル15を設ける。ノ
ズル15は少なくとも空気の温度調節をする装置、この例
では空気の温湿度制御装置20に接続されている。 温湿度調節装置20は、大気空気から、所定の湿度及び
温度のエアーを得るもので、取り込んだ大気空気をフィ
ルタ21を通して、パーティクルを除去した後、脱湿器22
に供給する。この脱湿器22は、例えば、メンブランフィ
ルタがカートリッジ内に収納されたものが用いられる。
この場合、メンブランフィルタは、水分に対して選択性
を有し、水分粒子は通さないが、エアーは通す性質を有
する膜状フィルタで、できるだけ表面積が大きくなるよ
うに、カートリッジ内に収納されて構成されている。 この脱湿器22を通過したエアーは、水分がメンブラン
フィルタによって除去された、湿度が０〜５％の脱湿エ
アーである。 この脱湿エアーは、脱湿器22から温度調節器23に供給
され、所定の温度に温度調節される。温度調節された脱
湿エアーは、加湿器24に供給されて、相対湿度が例えば
20〜50％、好ましくは30〜40％となるように加湿され
る。 こうして、所定の温度及び湿度に調節されたエアー
は、送風機25により、パーティクル除去用のフィルタ26
を介してノズル15より送り出される。したがって、、こ
の温湿度調節された空気が露光される半導体ウェーハ１
の外周縁部近傍の雰囲気となる。 周辺露光動作は、次のようにしてなされる。 制御部10は、そのコンピュータのプログラムに従っ
て、内蔵メモリに記憶した外周端面情報および周辺露光
の幅情報を参照して、半導体ウェーハ１の外周縁の露光
すべき部分（オリエンテーションフラット部を含む）を
光照射体11が露光するように、回転機構３および駆動機
構13を制御する。 そして、その周辺露光の際、温湿度調節装置20によっ
て温度及び湿度が所定のものに調整された空気が、ノズ
ル15からその露光されるウェーハ１の周縁部分に対して
供給される。すなわち、周辺露光すべき半導体ウェーハ
１の外周幅部分の近傍の空気の温度及び湿度が所定のも
のとされる。これにより、光照射体11の光源照度及び照
射時間が変えられても変化しないように制御されるもの
である。したがって、ウェーハ周縁部のレジストの露光
条件は常に適正なものとなり、良好にカルボン酸の生成
がなされ、現像によって半導体ウェーハ周縁のレジスト
は良好に除去される。 なお、以上の例では、ノズル15から温湿度調節した空
気を周辺露光すべき部分に対して供給するようにした
が、この発明の主たる目的は、要するに周辺露光すべき
部分の温度を、光照射体11の光源による加熱によって変
化しないようにして、上記周辺露光すべき部分の近傍の
雰囲気の湿度を適正にすることができればよいので、上
記周辺露光すべき部分の近傍の雰囲気の温度を上昇させ
ないようにすればよい。したがって、半導体ウェーハ１
の外周部の露光する部分近傍の雰囲気が光照射体11の光
源の熱によっても変化しないように、温調装置により温
調した冷却用気体をノズルより射出させて、周辺露光部
分近傍の雰囲気、例えば流束0.1／分、20℃〜30℃、
ウェーハの回転速度１〜20回転／分の状態における雰囲
気を所定の温度に冷却するようにしてもよい。 なお、温湿度調節してノズルから噴出させる気体は空
気でなくともよい。また、冷却用の気体も空気でなくと
も良いことはいうまでもない。 また、周辺露光を行うための光照射体による光照射部
位置の制御手段としては、光照射体を移動制御するので
はなく、ウェーハ側を移動制御するようにしてもよい。
また、ウェーハのオリエンテーションフラット部も含め
て周辺露光を行うための光照射体のウェーハに対する相
対的な位置の制御手段としては、ウェーハと相似形の、
倣いカムを用いた方法を採用することもできる。 さらに、被処理体としては、半導体ウェーハに限らな
いことはいうまでもない。 また、上記実施例ではウェーハ近傍の温度調整手段と
してエアーブローについて説明したが、補助ヒータを用
いてもよい。
参照しながら説明する。 第１図及び第２図に示すように、被処理体の例として
の半導体ウェーハ１は、円板状の載置台２に真空吸引さ
れて、吸着固定されている。載置台２は、例えば回転角
度がパルス制御可能なステッピングモータを備える回転
機構３の回転軸に連結されて回転可能とされており、こ
の載置台２の回転によりこれに吸着固定された半導体ウ
ェーハ１が回転させられるようになっている。この場
合、載置台２の回転中心位置と半導体ウェーハ１の中心
位置とが一致する状態で、半導体ウェーハ１は載置台２
上に載置されるものである。 回転機構３のステッピングモータの駆動及び回転は、
例えばコンピュータを備える制御部10からの制御パルス
によりコントロールされる。 載置台２の近傍には、この載置台２に載置された半導
体ウェーハ１の周辺露光を必要とする周縁を特定するた
めに、端面検出手段４が設けられる。この端面検出手段
４は、半導体ウェーハ１の外周端面を検知可能なよう
に、光源５と光センサ７とがレンズ６を介して半導体ウ
ェーハ１の外周端面を挟むように設けられる。この例で
は、光源５は、半導体ウェーハ１の半径方向にライン状
に並べられたLEDからなり、また、光センサ７は、この
光源５のLEDに対向するように配置された、例えばCCD固
体撮像素子からなるラインセンサで構成される。 また、半導体ウェーハ１の露光すべき周縁部に対向し
て光照射体11が設けられている。この光照射体11は、可
動機構12により半導体ウェーハ１の半径方向に往復移動
が可能に構成されており、これにより半導体ウェーハ１
の周縁を周辺露光する幅の決定と、半導体ウェーハ１の
オリエンテーションフラットの部分においても、上記と
同じ幅で周辺露光できるようにしている。 可動機構12には例えばボールネジ（図示せず）が設け
られ、このボールネジを介して可動機構12に回転駆動を
伝える駆動機構13が設けられる。この駆動機構13は、例
えばパルス制御されるステッピングモータで駆動され、
このステッピングモータの駆動は制御部10によって制御
される。 光照射体11には光導管14例えばグラスファイバあるい
は液体ファイバが接続されている。この光導管14には、
露光用光例えばUV光が、図示しない光源から導かれる。 制御部10は、端面検出手段４からのセンサ出力を受け
て、予め半導体ウェーハ１のオリエンテーションフラッ
ト部を含む外周端面の検出を行い、その結果の情報を記
憶するメモリを有している。また、周辺露光の幅は、制
御部10に対して接続されるキーボード（図示せず）から
キー入力されて定められる。 そして、この例においては、半導体ウェーハ１の光照
射体11からの光照射部分に対して、温度および湿度がコ
ントロールされた空気を供給するノズル15を設ける。ノ
ズル15は少なくとも空気の温度調節をする装置、この例
では空気の温湿度制御装置20に接続されている。 温湿度調節装置20は、大気空気から、所定の湿度及び
温度のエアーを得るもので、取り込んだ大気空気をフィ
ルタ21を通して、パーティクルを除去した後、脱湿器22
に供給する。この脱湿器22は、例えば、メンブランフィ
ルタがカートリッジ内に収納されたものが用いられる。
この場合、メンブランフィルタは、水分に対して選択性
を有し、水分粒子は通さないが、エアーは通す性質を有
する膜状フィルタで、できるだけ表面積が大きくなるよ
うに、カートリッジ内に収納されて構成されている。 この脱湿器22を通過したエアーは、水分がメンブラン
フィルタによって除去された、湿度が０〜５％の脱湿エ
アーである。 この脱湿エアーは、脱湿器22から温度調節器23に供給
され、所定の温度に温度調節される。温度調節された脱
湿エアーは、加湿器24に供給されて、相対湿度が例えば
20〜50％、好ましくは30〜40％となるように加湿され
る。 こうして、所定の温度及び湿度に調節されたエアー
は、送風機25により、パーティクル除去用のフィルタ26
を介してノズル15より送り出される。したがって、、こ
の温湿度調節された空気が露光される半導体ウェーハ１
の外周縁部近傍の雰囲気となる。 周辺露光動作は、次のようにしてなされる。 制御部10は、そのコンピュータのプログラムに従っ
て、内蔵メモリに記憶した外周端面情報および周辺露光
の幅情報を参照して、半導体ウェーハ１の外周縁の露光
すべき部分（オリエンテーションフラット部を含む）を
光照射体11が露光するように、回転機構３および駆動機
構13を制御する。 そして、その周辺露光の際、温湿度調節装置20によっ
て温度及び湿度が所定のものに調整された空気が、ノズ
ル15からその露光されるウェーハ１の周縁部分に対して
供給される。すなわち、周辺露光すべき半導体ウェーハ
１の外周幅部分の近傍の空気の温度及び湿度が所定のも
のとされる。これにより、光照射体11の光源照度及び照
射時間が変えられても変化しないように制御されるもの
である。したがって、ウェーハ周縁部のレジストの露光
条件は常に適正なものとなり、良好にカルボン酸の生成
がなされ、現像によって半導体ウェーハ周縁のレジスト
は良好に除去される。 なお、以上の例では、ノズル15から温湿度調節した空
気を周辺露光すべき部分に対して供給するようにした
が、この発明の主たる目的は、要するに周辺露光すべき
部分の温度を、光照射体11の光源による加熱によって変
化しないようにして、上記周辺露光すべき部分の近傍の
雰囲気の湿度を適正にすることができればよいので、上
記周辺露光すべき部分の近傍の雰囲気の温度を上昇させ
ないようにすればよい。したがって、半導体ウェーハ１
の外周部の露光する部分近傍の雰囲気が光照射体11の光
源の熱によっても変化しないように、温調装置により温
調した冷却用気体をノズルより射出させて、周辺露光部
分近傍の雰囲気、例えば流束0.1／分、20℃〜30℃、
ウェーハの回転速度１〜20回転／分の状態における雰囲
気を所定の温度に冷却するようにしてもよい。 なお、温湿度調節してノズルから噴出させる気体は空
気でなくともよい。また、冷却用の気体も空気でなくと
も良いことはいうまでもない。 また、周辺露光を行うための光照射体による光照射部
位置の制御手段としては、光照射体を移動制御するので
はなく、ウェーハ側を移動制御するようにしてもよい。
また、ウェーハのオリエンテーションフラット部も含め
て周辺露光を行うための光照射体のウェーハに対する相
対的な位置の制御手段としては、ウェーハと相似形の、
倣いカムを用いた方法を採用することもできる。 さらに、被処理体としては、半導体ウェーハに限らな
いことはいうまでもない。 また、上記実施例ではウェーハ近傍の温度調整手段と
してエアーブローについて説明したが、補助ヒータを用
いてもよい。
この発明によれば、被処理体の周辺露光すべき部分の
近傍の雰囲気の、少なくとも温度を露光光源からの熱の
影響を除去するように、所定の値に制御するようにした
ので、周辺露光する部分の近傍の雰囲気の湿度が所定の
ものとなり、露光不足となるようなことはないから、被
処理体の周縁のレジスト除去を適正に行うことができ
る。
近傍の雰囲気の、少なくとも温度を露光光源からの熱の
影響を除去するように、所定の値に制御するようにした
ので、周辺露光する部分の近傍の雰囲気の湿度が所定の
ものとなり、露光不足となるようなことはないから、被
処理体の周縁のレジスト除去を適正に行うことができ
る。
第１図は、この発明による周辺露光装置の一実施例を示
す図、第２図は、その一部の側面図である。 1;半導体ウェーハ 2;載置台 3;回転機構 4;端面検出手段 5;光源 6;レンズ 7;光センサ 10;制御部 11;光照射体 12;可動機構 13;駆動機構 15;ノズル 20;温湿度調節装置
す図、第２図は、その一部の側面図である。 1;半導体ウェーハ 2;載置台 3;回転機構 4;端面検出手段 5;光源 6;レンズ 7;光センサ 10;制御部 11;光照射体 12;可動機構 13;駆動機構 15;ノズル 20;温湿度調節装置
Claims (3)
- 【請求項１】レジストが塗布された被処理体の周縁部に
光を照射して前記周縁部を露光する周辺露光装置におい
て、 前記被処理体の前記周縁部の露光時の当該周縁部近傍の
温度上昇を防止するように、前記周縁部の露光部近傍の
みを少なくとも温度調整する手段を設けたことを特徴と
する周辺露光装置。 - 【請求項２】前記温度調整する手段は、温度のみでなく
湿度を調節した空気を、前記被処理体の少なくとも前記
周縁部の露光すべき部分に対して供給することを特徴と
する請求項１に記載の周辺露光装置。 - 【請求項３】前記温度調整する手段は、温度調整した冷
却用気体を、前記被処理体の前記周縁部の露光部近傍の
みの雰囲気に対して供給することを特徴とする請求項１
に記載の周辺露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2063362A JP2838570B2 (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | 周辺露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2063362A JP2838570B2 (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | 周辺露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03263817A JPH03263817A (ja) | 1991-11-25 |
| JP2838570B2 true JP2838570B2 (ja) | 1998-12-16 |
Family
ID=13227082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2063362A Expired - Lifetime JP2838570B2 (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | 周辺露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2838570B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3678144B2 (ja) * | 2000-12-22 | 2005-08-03 | ウシオ電機株式会社 | フィルム回路基板の周辺露光装置 |
| JP5618425B2 (ja) * | 2012-02-23 | 2014-11-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 周辺露光方法及び周辺露光装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4849242A (ja) * | 1971-10-26 | 1973-07-11 | ||
| JPS6295221U (ja) * | 1985-12-06 | 1987-06-17 | ||
| JPH0797549B2 (ja) * | 1987-08-28 | 1995-10-18 | 東京エレクトロン九州株式会社 | 露光方法及びその装置 |
-
1990
- 1990-03-14 JP JP2063362A patent/JP2838570B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03263817A (ja) | 1991-11-25 |
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