TW535187B - Flat display and method of mounting field emission type electron-emitting source - Google Patents

Description

五、發明說明（1) 發明之背景 本發明有關於一種平面顯示器，它於係以自一場放射 型電子放射源所放射之電子在磷光質上被撞擊時即放射 光’以及一種設置場放射型電子放射源之方法。 近年來，在一平面板顯示器中，例如場放射顯示器FED 或平面真空螢光顯示器，當自一電子放射源所放射之電子 係被撞擊在其包含經形成於一相對電極上之磷光質之光放 射部分上時，它即放射光，一種使用碳毫微管於其光放射 源中者業經建議，在一碳微毫管中，一單層石墨係呈圓筒 形地被閉合，以及互構材環係經形成在圓筒形之末梢終端 處。由於此碳毫微管有一非常小之典型直徑如1011111至 50nm，故在一大約loov之電場之應用上，它可自其末梢終 端場放射電子。 曰本專利案公開公報第11-162383號（參考文件丨號）建 議一種利用碳毫微管在其此型電子放射源内之平面顯示 器。參考文件1號說明一種電子放射源，其中似針圓柱狀石 墨構件具有若干μιη至若干mm之長度並經形成一碳毫微管 組合者係以一可導電黏著劑固定，以及一電子放射源由印 製一種經混合以圓柱狀石墨構件之糊所形成。 在這些電子放射源中，一中斷部分諸如一突出部分或 凹部有時係形成。如果一並聯電場係經應用以獲得場電子 放射時’此電場集中在中斷部分上以造成局部電子放射、 局部電子放射造成使用此類電子放射源之一平面顯示器上 亮度之不均勻性。 五、發明說明（2) 曼明之概述 时本發明之目的係在提供一種平面顯示器，以此一顯示 $、又有π度不均勻性之均勻亮度可以獲得，以及設置一 場放射型電子放射源之方法。 為了要達成上述目的，依照本發明，特提供有一種平 面顯示器，包含一基片，一場放射型電子放射源經安裝於 此基片上，一前玻璃構件通過一真空空間相對此基片，並 至少部分地有光互導，一電子提取電極具有一電子傳送 孔，並背離此電子放射源設置以相對此基片，以及一磷光 薄膜經形成在相對此基片之前玻璃構件之表面上，此電子 放射源包含一板狀金屬構件具有大量之貫穿孔，並作用如 一成長核心用於毫微管纖維者，以及一毫微管形成之一塗 層薄膜匕覆盡金屬構件之一表面和貫穿孔之内壁。 败圖之簡要說明 第1Α圖係依照本發明之一具體例之平面顯示器之主 要部分之一透視圖，以及第1B圖係第1A圖内所示電子放射 源部分之剖視圖； 第2A圖係一金屬基片之平面圖，顯示第ία圖中所示用 於此電子放射源之製造程序，以及第2B圖係第2A圖中所示 金屬構件之一放大平面圖；以及 第3A和第3B圖分別地係平面和剖面圖，顯示一狀態， 其中第1A圖中所示電子放射源係藉使用金屬基片固定工 模而結合至一玻璃基片。 較佳具體例之說明 535187 五、發明說明（3) 本發明將以附圖為基準作詳細說明。 第1A圖顯示依照本發明之一具體例之一平面顯示 器。參看第1A圖，多個基片肋1〇4垂直向地豎立於一玻璃 基片101上以一預定之間距相互平行，以及一帶狀場放射型 電子放射源110係配置於玻璃基片1〇1上由基片肋1〇4作夾 層構造。此場放射型電子放射源110係以含有低密度熔合玻 璃之絕緣糊106固定於玻璃基體1〇1之表面。 一透明前玻璃構件103係經配置以相對於玻璃基片 101，以及多個前玻璃肋105垂直向地豎立在前玻璃構件1〇3 之表面上，它相對於玻璃基片101，以一預定之間距成為相 互平行’因此，它們是垂直於基片肋104。前表面肋1〇5之 下部端面和基片肋104之上部端面係在其交截部分處相互 接觸中。一磷光薄膜140係形成於前玻璃構件1〇3之表面之 ε域上’它係由前表面肋1 〇 5作成夾層結構，以及一後金屬 薄膜130作用如一陽極者係形成在磷光薄膜14〇之表面上。 多個似梯電子提取電極120與後金屬薄膜130相對者係 被支承在基片肋104之上部端面上以相當於由前表面肋ι〇5 所界定之各自之區域。此玻璃基片101和前玻璃構件1〇3通 過一間隔玻璃框（圖中未顯示）以一預定距離相互相對，以 及其周邊係以低熔變熔合玻璃黏著至間隔玻璃框之兩表 面。由此玻璃基片101，前玻璃構件1 〇3和間隔玻璃框所構 成之包囊之内部係經保持在1〇·5 Pa範圍之真空程度。 構成此包囊之玻璃基片1 〇 1，前玻璃構件1 〇3以及隔間 玻璃框係以低鹹納#5玻璃所製成，以及玻璃基片丨〇丨和前玻 6 535187 五、發明說明（4) 璃構件103使用平面玻璃具有imm至2mm之厚度者。基片肋 104係以由篩印一含低熔度熔合玻璃之絕緣糊重覆地在此 玻璃基片101上至一預定之高度，並鍛燒此印製之絕緣糊。 在此一情況下，各基片肋1〇4係經形成以有一50μιη之寬度 和自電子放射源110 0.3mm至0.6mm之高度。此肋間距係如 此設定，即電子放射源11〇有一〇.3mm之寬度。 此基片肋104係不受限於上述配置，以及其寬度表面只 要是它並不造成鄰接電子放射源11〇之間之介體破壞即 可，並能忍受大氣壓力。基片肋104之高度係適當地小，在 不會造成電子放射源110和電子提取電極120之間之放電之 範圍以内。此肋間距於需要時亦可以改變。 一如第1B圖内所示，此電子放射源11〇係包含一板狀 金屬構件111之具有大量之貫穿孔117者，並作用如用於毫 微管纖維之成長核心，以及一塗層薄膜丨12以大量之毫微管 纖維製成’它覆蓋板狀金屬構件Π1之表面和貫穿孔117之 内壁。此板狀金屬構件111係一鐵和含鐵合金製成之金屬 板。貫穿孔117係呈矩陣地形成於板狀金屬構件内，因此， 此板狀金屬構件111有一似柵格形狀。 貫穿孔117之開口可以是任何形狀，只要能使塗層薄膜 112係均勻地分布於板狀金屬構件ln上即可，以及此開口 之大小可以不限於相同。例如，此開口可能是諸如三角形 之多角形、正四角开>、或六角形，那些以此類多角形之角 變角，或圓圈，或橢圓形所形成。板狀金屬構件丨丨丨之剖面 形狀在貫穿孔之間者係不限於一正方形如第1B圖中所

7 五、發明說明（5) 不，但可以疋任何形狀諸如由 田曲線所構成之一圓圈或蛋 形，一多角形諸如三角形，自 巧仏四角形或六角形，或者那些由 使此類多角形之角變圓所形成者。 構成此塗層薄膜112之毫微管纖維有大約10nm或更大 並小於Um之厚度，以及大約—或更大並小於1〇〇㈣之 長度，並係以碳纖維材料製成。此毫微管纖維滿足於如果 它們是單層之碳毫微管，在每—其中—單層石墨係圓筒形 地被閉合’以及-五構件環係形成於圓筒之末梢終端。另 可供選擇;為此毫微管纖維可以是共軸多層之碳毫微 管’在每一其中多個石墨層係多層叠置以形成一望遠鏡結 構並係各自地呈圓筒形地被閉合，中空石墨管各具有一 不規則之結構以產生_瑕疲，或者石墨管盛滿以碳。另一 可供選擇方式為此亳微管可以混合地有這些結構。 每一種上文所說明之毫微管纖維有一端連接至板狀金 屬構件111之表面或貫穿孔之壁表面，以及另一端經熱化處 理或纏以其他毫微管纖維以覆蓋構成此栅格之金屬部分， 藉以形成此似綿塗層薄膜i 12。在此一情況下，此塗層薄膜 112覆蓋此板狀金屬構件m以〇 〇5rnni至0.20mm之厚度對 10 μηι至30 μηι之厚度以形成一平順之曲線表面。 前表面肋105係藉篩印含低熔度熔化玻璃之絕緣糊重 覆地在前玻璃構件1〇3之内表面之預定位置處至一預定高 度’並鍛燒此印製之絕緣糊。在此一情況下，各前表面肋 105係經形成以有一 5〇 之寬度和2.0mm至4.0mm之高度 於電子提取電極120和後金屬薄膜130之間。此肋間距係如 535187 五、發明說明（6) 此設定，即此填光薄膜在由前面肋105所夾層構造之區域處 者有一 0.3mm之寬度。 此前表面肋10 5係不限於上述配置，以及其寬度滿足於 只要是它並不造成鄰接金屬後薄膜130或電子提取電極120 之間之介體破壞’並可忍受大氣壓力即可。前玻璃肋1〇5 之高度可以依照要予以應用至後金屬薄膜13 〇之電壓而改 變。此肋間距亦可以隨需要而改變。 此磷光薄膜140係以多個具有預定放射色彩之磷製 成，並係以筛印各色彩之磷糊呈一條狀在前玻璃構件103 之内表面上而形成，並鍛燒此印製之條以有一 10μιη至1〇〇 μηι之厚度和〇.3mm之寬度。此磷光薄膜14〇係包含使用紅 色放射磷之一紅色放射磷薄膜140R用來顯示紅色，綠色放 射磷薄膜140G使用一綠色放射磷用來顯示綠〇色，以及藍 色放射磷薄膜140B使用一藍色放射磷用來顯示藍色b。此 磷光薄膜140係在由前表面肋1〇5所界定之區域内呈紅放射 填薄膜140R，綠放射磷薄膜14〇g，以及藍放射磷薄膜140B 之順序重覆地配置。 作為用於R，G和B之各自之磷光薄膜140R，140G和 140B ’熟知之氧化磷或硫化磷它們係通常地被使用於陰極 射線管或類似裝置中並於係以由4KV至10KV之一高電壓 之電子加速撞擊時放射光者可以使用。雖然三種磷光薄膜 係使用以放射三種主要（R，G，B)顏色於彩色顯示中，但 本發明係不限於此，以及一種之磷光薄膜可以使用於單色 顯示。此後金屬薄膜13〇係鋁薄膜之具有大約〇1 μηι之厚度 9 535187 五、發明說明（7) 者形成，並係藉使用習知之汽相澱積結而形成在磷光薄膜 上。 電子提取電極120係50 μπι厚之不銹鋼板或42_6合金板 製成，並有以梯形狀具有長方形電子傳送孔121以各電子提 取電極120之蝕刻所形成，寬度係裝配在正表面肋1〇5之 間，以及邊件部分係配置於基汽肋1〇4上並在電子放射源 110之中線上面。此電子傳送孔121係不限於有長方形狀， 但亦可以有其他形狀，亦即，它們可能構成一篩網結構， 或者可以是大量之圓形開口具有20 0111至1〇〇 μιη之直徑 者。 上述平面顯示器之製造方法，它包括黏著此電子放射 源120至玻璃基片1〇1之步驟者，將以第μ，2β，3Α和3Β 圖為基準來說明。 電子放射源之構成 首先，一如第3a圖中所示，一金屬基片113，與其結成 整體地有多個帶狀，板狀金屬構件111具有大量之貫穿孔 117並相互平行地配置於一預定間距處，以及一對夾持構件 105相互相對地通過此帶狀，板狀金屬構件丨丨丨，並用以夾 持各帶狀以板金屬構件111之兩端者，係經製造。此對夾持 構件115有兩組安裝貫穿孔116在相對位置。一如第2B圖中 所示，每一板狀金屬構件111有貫穿孔117呈一矩陣地形 成，因此它有一栅格形狀。 在金屬基片113之製造上，一光敏性電阻薄膜形成於由 鐵或含鐵合金所形成之一金屬板上者，係藉使用一光罩而

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暴露以光或紫外線，而此光罩具有一圖形用以形成此板狀 金屬構件111之呈整體地具有大量之貫穿孔117和爽持構件 115者，並開發，藉以形成—電阻薄膜之具有所要圖形者。 隨後，此金屬板係浸入一蝕刻溶劑中以移除其不需要之部 分，即沒有電阻薄膜係經形成之部分。此之後，此電阻薄 膜係移除，以及所產生之結構係被沖洗，因此獲得此金屬 基片113。

在此一情況下，此貫穿孔U7可以藉光罩圖形而形成為 任思形狀。如果一圖形係形成在金屬板之一個表面上之電 阻薄膜上。而同時讓另一表面上之電阻薄膜不被觸動時， 則鄰接貫穿孔和構成此栅格之間之金屬部分之剖面形狀變 成梯形或三角形。如果圖形係形成在兩個表面上之電阻薄 膜上時，此剖面形狀變成六角形或菱形。依照此製造方法 和製造條件以此一方式此剖面形狀可以改變。餘刻後，如 果電拋光係經實施時，一曲線之剖面形狀可以獲得。

鐵或含鐵合金係使用作為金屬基片U3之材料，因為鐵 作用為一成長核心用於碳製成之毫微管纖維。當鐵係被選 定作為金屬基片113之材料時，工業純鐵（Fe具有99.96%之 純度）係被使用。此一純度並非規格上所必需，以及可以 是，例如：97%或99.9%。作為含鐵合金，例如，一42合金 (42% Ni)或42-6合金（42% Ni和6% Cr)可以使用。不過，本 發明係不受限於這些規格。在此一具體例中，一 42-6含金 薄板具有0.05 mm至0.20mm之厚度者因考慮製造成本及供 應能力而被使用。 11 五、發明說明（9) 後續地，碳毫微管纖維形成之塗層薄膜112係藉熱化學 汽相澱積CVD而形成在金屬基片113上。更明確言，此金屬 基片113係裝載於一反應容器内，以及此反應容器之内部係 被抽成真空。隨後，甲烷氣體和氫氣，或一氧化碳及氫氣 體係以預定比例被引進入此反應容器内以保持此反應容器 之内部在latm。在此一大氣體中，此金屬基片113係由一紅 外線燈來加熱至一預定之時期以成長此碳毫微管纖維塗層 薄膜112在金屬基片113之表面上和構成此栅格之貫穿孔 117之内壁上。當熱化學汽相澱積係使用時，碳毫微管纖維 之構成此塗層薄膜112者可以呈一捲曲狀態地形成。 [電子放射源之安置] 用以黏著電子放射源110之絕緣糊106係應用於構成此 包含之玻璃基片101上。更明確言，此一含低熔度熔合玻璃 之絕緣糊106係篩印在電子放射源11〇係要予以配置之玻璃 基片101上之區域上。此絕緣糊含低熔度熔合玻璃者係篩印 在玻璃基片101上之那些區域上，該處基片肋104係重覆地 要予配置至一預定高度者。此玻璃基片1〇1係以在空氣加熱 它至400 C來鍛燒，藉以移除糊内所含之黏合劑。 一如第3B圖内所示，此金屬基片U3藉使用一金屬結 合工模150以塗層薄膜112係經放置在鍛燒之玻璃基片ιοί 上所形成。此金屬結合工模150有一槽溝151具有一深度幾 乎相等於玻璃基片101之厚度，因此，它能容納此玻璃基片 101。兩組突出部分152係形成於背脊150a上，它們通過此 槽溝151而相互相對，以相當於用於金屬基片113而在夾持 12 535187 五、發明說明（ίο) 構件115中所形成之貫穿孔116。 一如第3B圖中所示，此鍛燒之玻璃基片1〇1係被收容 於金屬結合工模150之槽溝151内，以及夾持構件115之貫穿 孔116係與金屬結合工模150之突出部分152接合，藉以放置 具有塗層薄膜112之金屬基片113在玻璃基片101上。後續 地，此夾持構件115係被驅策以抵靠具有一對條狀保持工模 153經安裝在槽溝151之兩邊上之金屬結合工模150之背脊 150a之上部表面，由是而固定此金屬基片113。此玻璃基片 101和突出部分152係如此配置，即當用於金屬基片113之夾 持構件115之貫穿孔116係與相當之突出部分152相接合 時，具有塗層薄膜112並作用如電子放射源之金屬構件ill 與經印製以用以黏合此電子放射線11 〇之絕緣糊106之區域 重疊。 玻璃基片101和金屬基片113係安裝在其上之金屬結合 工模150係在氮大氣中或具有一減少氧局部壓力之空氣大 氣中加熱至400°C至600°C。隨後，熔合玻璃之被含於絕緣 糊106内者係被溶化，因此，此金屬構件111之具有塗層薄 膜112者係經固定而部分地被埋置於絕緣糊1〇6内。如果此 絕緣糊106係很薄時，該已形成在板狀金屬構件m上之塗 層薄膜112之部分，它係要黏著至此絕緣糊1〇6者，可以事 先地予以移除。 作為金屬結合工模150之材料之不銹鋼有一較作為玻 璃基體101之材料之低醎鈉辦玻璃’或者42-6合金作為金屬 基片113之材料者為大之熱膨脹係數。當加熱係在4〇〇t至

13 535187 五、發明說明（11 ) 6〇〇°C處實施時，此金屬結合工模150係經膨脹得較金屬基 片113為大。以及依此，此金屬基片113係以一係對其應用 之拉伸力量而被黏著。當溫度還原至室溫時，一收縮力量 係在黏著至玻璃基片101並具有此塗層薄膜112之板狀金屬 構件111内產生。 此玻璃基片101係自金屬結合工模150移出，以及夾持 構件115係自黏著於此玻璃基片101之金屬基片113分開。以 此一方法，此玻璃基片101經黏著以產生此收縮力量並具有 此電子放射源110者係經獲得。 在上述具體例中，此基片肋104係於板狀金屬構件111 對其黏合之前以印製於玻璃基片101上所形成。如果此基片 肋係未被使用時，僅用以黏合電子放射源110之絕緣糊106 可以印製於玻璃基片101上。含低熔度熔合玻璃之絕緣糊 106係使用作為黏著劑。不過，本發明係不受限於此，以及 可導電糊諸如銀糊者亦可以取代地使用，只要是它係一含 熔合玻璃之黏著劑即可。固定此電子放射源110至玻璃基片 101之方法係不限於固定此整個電子放射源110以黏著劑， 但此電子放射源110亦可以部分地以此黏著劑固定，例如， 僅在其兩終端。 平面顯示器以上述方法製造之操作將予說明。 在依照此一具體例中之平面顯示器中，一直流電源電 壓係經應用於電子提取電極120和電子放射源110之間，如 此，此電子提取電極120係在正電位處。因此，一電磁場係 均勻地應用於相當於電子提取電極120和電子放射源11〇之

14 535187 五、發明說明（l2) 交截部分之電子放射源110之毫微管纖維（塗層薄膜112)， 以自毫微管纖維提取電子。此提取之電子係自電子提取電 極120之電子傳送孔121所放射。在此一時刻，當一正電壓 (加速電壓）係應用於後金屬薄膜130時，自電子傳送孔121 所放射之電子係經加速朝向後金屬薄膜13〇。此加速之電子 係通過此後金屬薄膜130傳送，並向著此磷薄膜140撞擊， 促使它放射光。 此電子提取電極120和電子放射源11〇係分別地在預定 之列數和行數中形成。以一正電壓（加速電壓）係應用於金 屬後薄膜130，一預定之正電壓係應用於此有效列上之電子 提取電極12 0，以及一預定之負電壓係應用在相當於有效列 上之那些象素之行上之電子放射源110，它們係放射光。此 一操作係為第一列上之電子提取電極120依序地實施，直到 一預定列上之那些為止，俾使點矩陣顯示可以實施。此電 子放射源110，負電壓係不對其應用者，以及那些電子提取 電極120之在除了有效列以外之其他列上者，係設定至〇v。 依照此一具體例，作用如電子放射源之毫微管纖維覆 蓋板狀金屬構件111之表面和貫穿孔117之内壁以形成此塗 層薄膜112以平順之表面。電磁場係因此而均勻地應用於此 表面’因此’此場放射電子係非局部地放射而係均勻地放 射。其結果，均勻之場電子放射可以獲得，以及一均勻亮 度可以在整個屏幕上獲得。 由於一收縮力量經常不斷地作用於電子放射源丨J 〇 上’故此電子放射源11〇並不因熱膨脹而變形，以及電子放 15 535187 五、發明說明（π) 射源110和電子提取電極120之間距離上之波動可以抑制。 此將防止在亮度上之波動，因此獲得一均勻之亮度。由於 此電子放射源110係以其整個長度黏著於玻璃基片101，故 電子放射源110於驅動中所成之振動係被抑制，因此防止雜 訊0 本發明係不限於上述具體例，但可以應用於任何類型 只要是它係一平面顯示器，藉黏著一場放射型電子放射源 至一基片所使用者，此電子放射源包含一板狀金屬構件之 具有大量之貫穿孔，並作用如用於亮微管纖維之一成長核 心，以及一塗層薄膜以此毫微管纖維所形成，它覆蓋此金 屬構件之表面以及貫穿孔之内壁即可。本發明可以用各種 不同方式作變更，例如，一類型之平面顯示器，其中玻璃 和陶瓷隔間係使用作為基片肋或前表面肋，但其中兩個隔 間玻璃構件係經堆疊，以及電子提取電極係做成夾層結構 並固定於隔間玻璃構件之間，以及一種類型它沒有基片肋 或前表面肋，但其中一後金屬薄膜亦作用如一電子提取電 極者，亦可以形成。 一如上文業已說明，依照本發明之平面顯示器，由於 場放射電子係非局部而係均勻地放射，故一均勻亮度之沒 有-亮度不均勻性者可以獲得。同時，電子放射源和電： 提取電極之間距離上之波動之係因熱膨脹所造成者可以被 抑制，因而防止亮度上之不穩定。 535187 五、發明說明（ι〇 101···玻璃基片 103···前玻璃構件 104···基片肋 105···前玻璃肋 106…絕緣糊 110···帶狀場放射型電子放射源 111···金屬構件 112···塗層薄膜 113···金屬基片 115···夾持構件 116···安裝貫穿孔 117···貫穿孔 元件標號對照 120…電子提取電極 121…電子傳送孔 130…後金屬薄膜 140…填光薄膜 140R···紅色磷光薄膜 140G…綠色磷光薄膜 140B…藍色磷光薄膜 150…金屬結合工模 150a…背脊 151…槽溝 152…突出部分 153…條狀保持工模 17

Claims (1)

1. A B c D 535187 六、申請專利範圍 第90116519號申請案申請專利範圍修正本 修正日期：91年11月 1· 一種平面顯示器，其特徵在於其包含： 一基片（101); 一場放射型電子放射源（110)經安裝於該基片上； 一前玻璃構件（103)，通過一真空空間相對於該基 片，並至少局部地有光互導； 一電子提取電極（120)，其具有電子傳送孔（121)並 背離該電子放射源而設置以相對於該基片；以及 一鱗薄膜（140，14011，140〇，1406)經形成在該相對 於該基片的前玻璃構件之一表面上； 該電子放射源係包含： 一具有大量之貫穿孔（117)之板狀金屬構件（ln)， 該板狀金屬構件並作為毫微管纖維之一成長核心；以及 一由亳微管纖維形成之塗層薄膜（112)，該亳微管 纖維覆蓋該金屬構件之表面和貫穿孔之内壁。 2·如申請專利範圍第1項之顯示器，其中 該電子放射源包含多個相互平行地配置之帶狀電 子放射源， 該電子提取電極包含多個帶狀提取電極，該等帶狀 提取電極經佈置在垂直於該帶狀電子放射源之一方向 中，以及 該磷薄膜包含多個帶狀磷光薄膜，該等帶狀磷光薄 膜經配置以相對於該帶狀提取電極。

   18 C8 D8 申請專利範圍 3·如申請專利範圍第2項之顯示器，其中 邊顯不器更包含多個支承肋（1〇句，該等支承肋係 以一預定之間距垂直向地豎立在基片上， 該帶狀電子放射源係經佈置在支承肋之中間，以及 為▼狀電子&取電極係被支承於該等支承肋上。 4存袭\申請專利範圍第1項之顯示11，其中該電子放射源係 含有熔合玻璃之黏著劑固定於該基片。 5 · 請專利範圍第1項之顯示器，其中 遂電子放射源之金屬構件係以鐵及含鐵合金之一 製成；以及 構成該塗層薄膜之毫微管係以碳製成，並採用來覆 蓋該呈一捲曲狀態之金屬構件。 6·如申凊專利範圍第5項之顯示器，其中構成該塗層薄膜 之晕微S纖維係為各個具有不小於1 〇nm但小於1 ^爪之 厚度，以及不小於1μηι但小於1〇〇μηι之長度之纖維。 7·如申請專利範圍第5項之顯示器，其中 該金屬構件有〇.〇5mm至0.2〇mm之一厚度，以及 该塗層薄膜係覆蓋該金屬構件之表面及貫穿孔之 内壁至一 ΙΟμηι至30μιη之厚度以形成一平滑之曲線之 表面。 8·如申請專利範圍第丨項之顯示器，其中該金屬構件具有 呈一矩陣形狀以形成一栅袼之貫穿孔。 9· 一種設置場放射型電子放射源之方法，其特徵在於其包 含： 535187

   六、申請專利範圍 製造一金屬基片（113)，該金屬基片整體地有一多 數的帶狀板狀金屬構件（111)，該等金屬構件由以一預 定間距相互平行地配置之金屬板形成，並具有大量之貫 穿孔（117)以作為毫微管之成長核心，以及一對通過此 帶狀板狀金屬構件而相互相對之夾持構件（115)，該夾 持構件並經採用以夾持每一帶狀板狀金屬構件之兩終 端， 在金屬基片之表面和貫穿孔之内壁上，形成一以亳 微管纖維製成之塗層薄膜（112)， 藉一拉伸力量黏著此帶狀金屬構件至玻璃基片 (101)之表面，該拉伸力量係施於該經形成有塗層薄膜 之金屬基片與該夾持構件之間，以及 將該夾持構件與該金屬基片分開，並卸載一玻璃基 片至一業已安裝之場放射型電子放射源之上。 10·如申請專利範圍第9項之方法，其中該黏著步驟包含下 列步驟：黏合此帶狀金屬構件於玻璃基片上，同時，該 結合有板狀金屬的金屬固定件係經加熱至4〇〇至600 °C ’該金屬基片兩端係經固定於該金屬固定件上。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚） 20