TW529319B - Improved barrier region for optoelectronic devices - Google Patents
Improved barrier region for optoelectronic devices Download PDFInfo
- Publication number
- TW529319B TW529319B TW091102085A TW91102085A TW529319B TW 529319 B TW529319 B TW 529319B TW 091102085 A TW091102085 A TW 091102085A TW 91102085 A TW91102085 A TW 91102085A TW 529319 B TW529319 B TW 529319B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- composite material
- density
- layers
- polymer substrate
- Prior art date
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 98
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 32
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 102
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 claims abstract description 77
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 379
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 18
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 14
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 10
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- -1 cyciotenes Polymers 0.000 claims description 7
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 6
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 6
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 3
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004713 Cyclic olefin copolymer Substances 0.000 claims description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 241000208140 Acer Species 0.000 claims 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 6
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- WKBPZYKAUNRMKP-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2,4-dichlorophenyl)pentyl]1,2,4-triazole Chemical compound C=1C=C(Cl)C=C(Cl)C=1C(CCC)CN1C=NC=N1 WKBPZYKAUNRMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- LLLVZDVNHNWSDS-UHFFFAOYSA-N 4-methylidene-3,5-dioxabicyclo[5.2.2]undeca-1(9),7,10-triene-2,6-dione Chemical compound C1(C2=CC=C(C(=O)OC(=C)O1)C=C2)=O LLLVZDVNHNWSDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019738 Limestone Nutrition 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- PRPAGESBURMWTI-UHFFFAOYSA-N [C].[F] Chemical compound [C].[F] PRPAGESBURMWTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001632 homeopathic effect Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000006028 limestone Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
529319 A7 _ B7 五、發明説明(1) 發明領域 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關用以保護有機光電子裝置對抗周圍環境 中的化學物質之結構體。 發明背景= 有機光電子裝置,包括電路,例如有機發光二極體, 有機電色顯示器,有機光生伏打裝置及有機薄膜電晶體, 皆爲技藝中已知者且從經濟觀點來看正變得逐增地重要。 以一特定例子而言,有機發光裝置(“〇L E D S,, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 )’包括聚合物和小分子兩種0 L E D s ,爲大多數虛擬 -和直接-觀看型顯示器,例如膝上型電腦、電視機、數 位手錶、電話、傳呼機、蜂巢式無線電話、計算器和類似 者、之潛在候選用品。與無機半導體發光裝置不同者,有 機發光裝置通常爲簡單且製造起來相當容易且不貴者。此 外,◦ L E D s本身可輕易地應用於需要廣多種顏色者及 用於考慮大面積裝置的應用。一段而言,造像應用所用的 一維〇L E D行列係技藝中已知者且典型地係用排列成行 和列的眾多0 LEDs (其中有一或更多者係形成圖素) 所構成者。行列中每一個別的〇L E D典型地係由一第一 透明陽極(例如I T 0 ),在該第一電極上的一有機電致 發光層’及在該有機電致發光介質上的一金屬陰極所構成 者。他種〇L E D結構也爲技藝中已知者例如透明 〇LEDs (具有透明陰極接觸),和反OLEDs。基 材材料可包括玻璃、塑膠、金屬箔、矽晶圓,等。 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 529319 A7 B7 五、發明説明(2) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在形成0 L E D時’典型地要利用一層反應性金屬作 爲陰極以確保有效率的電注射和低操作電壓。不過,反應 性金屬和彼等與有機材料的介面都對氧和濕氣敏感,其可 能嚴重地限制到裝置的壽命。濕氣和氧氣也爲已知會產生 其他有舍效應者。例如’氣和氧都是已知會增加與 〇L E D s相關的“黑點部位” (dark spot areas )者。 多種其他有機光電子裝置(例如,有機電色顯示器, 有機光生伏打裝置和有機薄膜電晶體)的組件都同樣地對 來自外部環境物質,包括水和氧的作用具敏感性。 發明槪述 上述及其他挑戰都可由本發明予以解決。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據本發明第一具體實例,提出一種有機光電子裝置 結構體’其包括:(a ) —第一阻隔區,其包括(丨)一 第一複合材料層堆疊和(i i ) 一第二複合材料層堆疊, 其係接者到該第一複合材料層堆畳;(b ) —有機光電子 裝置’其係選自下列之中者··有機發光二極體、有機電色 顯示器、有機光生伏打裝置和有機薄膜電晶體;與(c ) 至少一附加的阻隔區,其中該至少一附加的阻隔區係與該 第一阻隔區協同限制水和氧氣從外面環境穿透到該光電子 裝置之內。該第一複合材料層堆疊包括一第一聚合物基材 層,至少一第一平面化層和至少一第一高密度層,同時該 第二複合材料層堆疊包括一第二聚合物基材層,至少一第 二平面化層和至少一第二高密度層。 -5- 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS )八4規格(21〇><297公釐) 529319 A7 B7 五、發明説明(3) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 該第一和第二聚合物基材層可具有相同的材料組成或 不同的材料組成。另外,該第一和第二高密度層可具有相 同的材料組成;或該第一和第二高密度層中至少一者可具 有一第一材料組成,而彼等層中的至少一其他層具有一第 二材料層。類似地,該第一和第二平面化層可具有相同的 材料組成;或該第一和第二平面化層中至少一者可具有一 第一材料組成,而彼等層中的至少一其他層具有一第二材 料組成。 於某些具體實例中,該第一和第二複合材料層堆疊係 透過該第一和第二平面化層中的一者彼此接著在一起,而 於其他具體實例中,在該第一和第二複合材料層堆疊之間 更加裝一黏著劑層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 可以有許多種組態。例如,至少一該第一平面化層, 至少一該第一高密度層,至少一該第二平面化層和至少一 該第二高密度層可以配置在該第一聚合物基材層和第二聚 合物基材層之間。就另一例子而言,彼等層可經安排而使 得(i )至少一該第一平面化層和至少一該第一高密度層 係經配置在該第一聚合物基材層之上,(i i )該第二聚 合物基材層係經配置在至少一該第一平面化層和至少一該 第一高密度層之上,且(i i i)至少一該第二平面化層 和至少一該第二高密度層係經配置在該第二聚合物基材層 之上。 較佳者,該第一和第二複合材料層堆疊中至少一者包 括二或更多層的平面化層與二或更多層的高密度層。更佳 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 529319 A7 B7 五、發明説明(4) 者,該第一和第二複合材料層堆疊中至少一者包括一交錯 系列的二或更多層的平面化層與二或更多層的高密度層。 可以加裝附加的複合材料層堆疊。例如,該第一阻隔 區可更包括一經接著到該第二複合材料層堆疊上之第三複 合材料層堆疊,於此種情況中,該第三複合材料層堆疊包 括一第三聚合物基材層,至少一第三平面化層與至少一第 三高密度層。 較佳者,(a )該等平面化層包括一選自下列之中的 材料:氟化聚合物,聚對一二甲苯基(parylenes), cyclotenes,與聚丙烯酸酯,且(b )該等高密度層包括一 選自下列之中的材料:氧化矽、氮化矽、金屬氧化物(例 如氧化鋁、氧化銦錫、和氧化鋅銦錫),金屬氮化物,金 屬碳化物,金屬氧氮化物。該等聚合物基材層較佳地包括 一選自下列之中的材料:氟碳化合物聚合物、聚醚硕、聚 醯亞胺聚烯烴(例如環烯烴共聚物),和聚酯(例如聚對 苯二曱酸乙二醇酯)。 本發明也有關一種形成有機光電子裝置結構體之方 法。根據本發明一具體實例,係裝上一第一複合材料層堆 疊,其包括一第一聚合物基材層,至少一第一平面化層與 至少一第一高密度層。另外也裝上一第二複合材料層堆 疊,其包括一第二聚合物基材層,至少一第二平面化層與 至少一第二高密度層。將該第一複合材料層堆疊接著到該 第二複合材料層堆疊以形成一第一阻隔區。在該第一阻隔 區與該至少一附加的阻隔區之間配置一選自下列之中的有 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 529319 A7 B7 五、發明説明(5) 機光電子裝置··有機發光二極體、有機電色顯示器、有機 光生伏打裝置和有機薄膜電晶體,使得該至少一附加的阻 隔區係與該第一阻隔區協同限制水和氧氣從外面環境穿透 到該光電子裝置之內。 較佳者’於此方法中該複合材料層堆疊係經由下述而 裝上者:(a)裝上一聚合物基材層,與在該聚合 物基材上安置至少一平面化層與至少一高密度層。 本發明的一項優點在於可使製成的有機光電子結構體 受到裝在有機光電子裝置與周圍大氣之間的有效阻隔區所 保護’減低該周圍大氣中的化學物質例如溫氣和氧引起的 不良效應。 本發明的另一項優點在於對所加的阻隔區之材料的選 擇與設計可提供大幅彈性。 本發明的此等與其他具體實例和優點可由熟諳於此技 者經由閱讀下列揭示內容而輕易地明白。 圖式之簡單說明 第1圖爲根據本發明一具體實例的阻隔區之橫斷面圖 0 第2圖爲闡明如何用兩層複合材料層疊,根據本發明 一具體實例形成第1圖阻隔區之橫斷面圖。 第3圖爲闡示如何用參層複合材料層疊,根據本發明 一具體實例形成一阻隔區之橫斷面圖。 第4圖爲闡示如何用二層複合材料層疊和一黏著劑声 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -8 - 529319 A7
’根據本發明一具體實例形成一阻隔區之橫斷面圖。 第5圖爲闡示如何用二層複合材料層疊,根據本發明 另一具體實例形成一阻隔區之橫斷面圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第6圖爲利用第1圖所示阻隔區根據本發明一具體實 例的〇L E D結構體之橫斷面圖。 第7圖爲利用第5圖的阻隔區,根據本發明一具體實 例的〇L E D結構體之橫斷面圖。 第8圖爲根據本發明一具體實例將第6圖所示 〇L E D結構體加裝一封裝阻隔層後之橫斷面圖。 第9圖爲根據本發明一具體實例將第6圖所示 〇L· E D結構體加裝一邊緣阻隔層後之橫斷面圖。 第1 0圖爲根據本發明一具體實例,被一可轉動的扣 具固持住的〇L E D結構體之示意圖。 如此等圖式所示情況的代表者,上述皆爲經簡化的示 意表出,且實際的結構體會在許多方面,包括各組件的相 對規彳旲等之上有所差異。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 元件對照表 110a ,11〇b:聚合物基材層 1 2 0 :阻隔區
121 a - e :平面化層 122a — d:高密度層 1 3 0 :黏著劑區 1 4 0 :〇 L E D -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 529319 A7 B7 五、發明説明(7) 1 5 0 :附加阻隔區 1 6〇:封裝區 1 6 5 :可轉動扣具 190 :〇LED結構體 120 a :第一複合材料層堆疊 1 2 0 b ··第二複合材料層堆疊 1 2 0 c ··第三複合材料層堆疊 1 2 5 a :未固化黏著劑層 1 2 5 b :固化黏著劑層 發明之詳細說明 至此本發明要在後文參照顯示出本發明較佳具體實例 的所附圖式予以更完整地說明。不過,本發明可用不同的 形式具體實施而不應視爲受限於本文所列述的諸具體實例 〇 如本文所用者,一所給材料的“層”包括一該材料區 ’其厚度相對於其長度和寬度係小者。層的例子包括片材 、箱、膜、積層體、塗層、等。如本文中所用者,~層不 需爲平面者,反而可爲例如彎曲、摺疊或其他種輪廓者, 以至少部份包封另一組件。 至此參看第1圖,顯示出根據本發明一具體實例的阻 隔區1 2 0。該阻隔區1 2 0典型地係基於下列特性而選 出者:對於來自外面環境的氧、水和任何其他有害分子的 傳輸之抗拒性,光學特性,撓曲性和對其他表面的保形性 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) _ ------!---^ 衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 529319 A7 B7 五、發明説明(8) (conformability ),在加工(如網片加工)中的尺寸穩定 性,及對其他組件的充足黏合。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 該阻隔區包括兩層聚合物基材層1 1 〇 a ,1 1 Ob 。在該兩層聚合物基材層1 1 〇 a ,1 1 〇b之間有一系 列交錯搭配的阻隔層,包括平面化材料層1 2 1 a 一 6和 高密度材料層1 2 2 a — d。 第1圖的阻隔區1 2 0係用第一和第二複合材料堆疊 形成的,各含有下列:一聚合物基材層,至少一平面化層 和至少一高密度層。例如,參照第2圖,第一複合材料層 堆疊1 2 0 a包括一聚合物基材層1 1 〇 a,三層平面化 層1 2 1 a — c和三層高密度層1 22 a — c。於此例中 的第二複合材料層堆疊1 2 〇 b包括一聚合物基材層 1 1 Ob,二層平面化層1 2 1 d - e和一高密度層 1 2 2 d。在按第2圖中所示組裝之後,該第一和第二兩 複合材料層堆疊120a ,120b導致第1圖的阻隔區 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 聚合物基材層典型地係根據彼等的上述整體阻隔區特 性的貢獻能力而選擇的,且也必須針對具有對任何鄰接搭 配阻隔層的充足黏合作用而選擇。用於聚合物基材層的較 佳材料包括聚烯烴、聚酯、聚醚硕、聚醯亞胺和氟碳化合 物聚合物等能夠提供與其他材料的堅固黏著性黏合者。較 佳的聚酯包括聚對苯二甲酸乙二醇酯。較佳的能夠提供與 其他材料的堅固黏合的氟碳化合物聚合物包括ACiar®氟聚 合物,其可得自Honeywell ,較佳的聚烯烴包括可得自 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 529319 A7 B7 五、發明説明(9)
Ticona,Summit NJ 的 Topas®環烯烴共聚物。 於本發明某些具體實例中,該聚合物基材層可具有差 異性材料組成。例如,圖1中的聚合物基材層1 1 0 a , 1 1 0 b之一層可經選擇以提供對濕氣的穿透之增強抗拒 性’而該聚合物基材層1 1 〇 a ,1 1 〇 b的其他層可經 選擇成對氧氣穿透提供增強的抗性者。就一更特定性例子 而s ’該聚合物基材層1 1 〇 a可用聚對苯二甲酸乙二醇 酯形成’其對氧氣穿透具有良好抗性,而聚合物基材層 1 1 0 b可用Topas®環烯烴共聚物來形成,其具有對濕氣 穿透的良好抗性。 該聚合物基材層典型地具有2 5到7 5微米之厚度。 如同聚合物基材層一般,該等協同阻隔層(亦即,平 面化層和高密度層)典型地係基於彼等對上述阻隔區的整 體特性之貢獻能力而選擇的。該等平面化層和高密度層較 佳地係以在阻隔區內呈交錯組態裝設,不過也可以有其他 的層排列。較佳者,在阻隔區內有1到1 〇對此等層,更 佳者有3到7對。較佳者有1 一 5,更佳者1 一 3對的此 等層經用來與每一複合材料層堆疊搭配形成阻隔區。 ‘‘平面化材料”意指在施加後形成一平滑表面,而非 形成會反映底下表面所具不規則輪廓的表面之材料。較佳 由平面化材料包括聚合物,例如氟化聚合物、聚對-二甲 苯基、cyclotenes和聚丙烯酸酯。在單一阻隔區內或甚至在 單一複合材料層堆疊之內可以使用具有不同組成的平面化 層。平面化材料層可以經由使用技藝中已知的技術來加裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) Α4規格(2!〇χ 297公釐) -12 - 529319 A7 B7 五、發明説明(β ,例如使用浸塗、施塗、濺鍍、蒸發塗覆、噴塗、閃蒸、 化學蒸氣沈積等。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,局幣度材料”蒽指一材料,其具有足夠靠近的原子 間距使用外物,特別者水和氧,的擴散被其所阻。較佳的 高密度材料包括無機材料例如金屬氧化物、金屬氮化物、 金屬碳化物和金屬氧氮化物。更佳者爲氧化矽(s i ◦ χ) ,包括一氧化矽(S i〇)和二氧化矽(S i〇2 )、氧化 矽(典型者S i 3 N 4 )、氧氮化矽、氧化鋁(典型地 A 1 2 0 3 ),銦錫氧化物(I T 0 )和鋅銦錫氧化物。在 單一阻隔區內或甚至於在單一複合材料層堆疊之內可以使 用多層各具不同組成的高密度層。高密度材料層可以經由 使用技藝中已知的技術來施加,例如使用熱蒸發、濺鍍、 P E C V D法、電子束技術等。 同時包括多層高密度材料層和多層平面化材料層的多 層阻隔區的例子經揭示於,例如,美國專利第 5 ,757,126號之中,其整個揭示內容以引用方式 倂於本文。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 較佳者,本發明阻隔區係經由首先加裝二或多層複合 材料層堆疊,每一堆疊包括一聚合物材料層和一合意數目 的平面化層和高密度層,而形成。然後將該等複合材料層 堆豐組合形成單一阻隔區。例如,於第2圖中,係將兩複 合材料層堆疊120a ,120b組合形成阻隔區12〇 〇 有多種技術可用來將複合材料層堆疊組合形成單一阻 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 529319 A7 _______B7 五、發明説明(〇 隔區。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於某些情況中,在該複合材料層堆疊內的諸平面化層 或高密度層之一可以用於此目的。 有一例子可參照第2圖來說明。首先,在聚合物基材 層11〇a之上形成層121a — c和i22a — c ,且 在聚合物基材層1 1 〇 b之上形成層1 2 1 d和1 2 2 d 。隨後,將平面化層1 2 1 e的前體(對於第2圖中的平 面化層前體與平面化層不給以分開的編號),例如,未固 化的液體單體層,施加到第二複合材料層堆疊1 2 〇 b之 上。然後如所不將第一和第二複合材料層堆疊1 2 Q a, 1 2 0 b組合,於其上使該前體層固化(例如,經由熱固 化或紫外光固化)而形成平面化層1 2 1 e。其結果,該 第一和第二複合材料層堆疊1 2 〇 a,1 2 0 b係彼此黏 著形成阻隔區1 2 0。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於相關例子中,在第二複合材料層堆疊1 2 〇 b中的 平面化層1 2 1 e可用熱塑性材料予以形成。在將第一和 第二複合材料層堆疊12〇a,120b組合之後,在壓 力下加熱該結構體,使熱塑料軟化並使其與該第一複合材 料層堆疊1 2 0 a接觸。於冷卻之後,該熱塑料層 1 2 1 e即黏合到該層1 2 2 c而形成阻隔區1 2 〇。 於其他情況中,可以利用一分隔的黏著劑區。該黏著 劑層不需爲一平面化層(亦即,其不需要在施加後形成一 平滑的表面),只要該黏著劑層於加工中最後可塡充在諸 複合材料層堆疊之間的區域即可。較佳的黏著劑爲熱固化 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 529319 A7 五 、發明説明(〇 ------„---*^5;衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) f生4者劑和紫外光可固化性黏著劑。此等技術的一例子可 配口第4圖予以闡明。首先,裝上一第一複合材料層堆疊 1 2 〇 a和一第二複合材料層堆疊1 2 〇 b。隨後在該第 一複合材料層堆疊1 2 0 b上施加一未固化的黏著劑層 1 2 5 a。然後將該第一和第二複合材料層堆疊1 2〇a 1 2 0 b組合並將黏著劑層固化。經固化的黏著劑層 1 2 5 b會將該第一複合材料層堆疊1 2 〇 a黏著到該第 一複合材料層堆疊1 2 0 b,而形成阻隔區1 2 0。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 雖然上述諸例子都包括兩複合材料層堆疊,不過根據 本發明可以將三、四或甚至更多的堆疊組合在一起。例如 ’參看第3圖,其中即使用三個複合材料層堆疊。第一複 合材料層堆疊1 20a裝有平面化層1 2 1 a ,b和高密 度層122a ’ b,c。第二複合材料層堆疊i2〇b裝 有平面化層1 2 1 c ,d和高密度層1 22d。第三複合 材料層堆疊1 2 0 c裝有平面化層1 2 1 e ,f和高密度 層1 2 2 e。將該第一、第二和第三複合材料層堆曼 1 2 0 a ,b,c ,組合時(例如經由按上述組裝之後將 平面化層1 2 1 d,f予以固化),即形成一阻隔區 1 2 0 〇 雖然上述諸具體實例在組裝諸複合材料層堆疊之後導 致在外表面上具有聚合物基材層的阻隔區,不過也可能有 其他種具體實例。例如,參照第5圖,從用來形成第2圖 中的阻隔區1 2 0的相同配對之複合材料層堆疊1 2 0 a ,1 2 0 b形成阻隔區1 2 0。不過,於此情況中,阻隔 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 529319 A7 B7 五、發明説明(1含 區1 2 0 a經翻面使得在組裝之後高密度層1 2 2 c暴露 出而非聚合物基材層1 1 0 a暴露出。 本發明阻隔區可用於許多種光電子裝置,包括電路, 例如有機發光二極體,有機電色顯示器,有機光生伏打裝 置和有機薄膜電晶體。因此,雖然下面的特定實例係有關 〇LEDs ,不過此等阻隔區可用以〇LEDs以外的其 他裝置。 至此參看第6圖,其闡示出一種〇L E D結構體 190 ,於其中一〇LED 140經配置在如第1圖之 阻隔區120上面。爲了保護〇LED 140對抗周圍 環境,乃用黏著劑區1 3 0將一附加的阻隔區} 5 〇固著 到該阻隔區1 2 0。較佳者該第二阻隔層1 5 0不與該 ◦LED 140接觸,如所示者。 該黏著劑區1 3 0係經選擇以提供在該阻隔區1 2 0 與該附加阻隔區1 5 0之間有良好的黏合,且提供對濕氣 和氧氣的阻隔,而在固化中不損及該◦ L E D (例如,因 除氣所致損壞)。此等目的所用的較佳材料包括紫外光可 固化和熱可固化的環氧樹脂材料。較佳的環氧樹脂材料爲 紫外光可固化,單份式環氧樹脂例如Epotek 0G 1 59,黏著 劑區的厚度典型地爲2 5到1 0 〇微米。 雖然從第1圖的二維呈像不一定可立即明白,該黏著 劑區1 3 0典型地係包圍該〇L E D 1 4 0,其外觀頗 類似於一佔據在阻隔區1 2 0的聚合物基材層與附加阻隔 區1 5 0之間的空間之墊圈。其結果,在所示具體實例中 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ------^----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -16- 529319 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明( ,黏著劑區1 3 0配合阻隔區1 2 0和該附加阻隔區 1 5 0而將該〇 L E D與外面環境隔離。 於所示具體實例中,一聚合物基材層1 1 〇 a經配置 成鄰接〇LED 1 40與黏著劑區1 30。於另一具體 實例中,該阻隔區1 2 0係經構造成使得諸協合阻隔區( 亦即,有平面化層和高密度層的區)中有一者係經裝設成 與〇L E D和黏著劑區相接觸,而非與聚合物基材層接觸 。例如,第7圖闡示出本發明一具體實例,其中係使用第 5圖的阻隔區來構成一〇L E D結構體1 9 0。於此具體 實例中,將一高密度層1 2 2 c裝設成與〇l ED 1 4 0和黏著劑區1 3 0接觸。不過,此等具體實例於某 些情況中可能爲較不佳者,因其中在0 L E D (如金屬罐 等)相反側加上附加阻隔區之方式可能到最後導致有實質 量的應力會施加到在聚合物基材層與該協合阻隔區之間的 介面之上。可惜者,在該聚合物基材層與該協合阻隔層區 之間的黏合經常爲相當弱者。因而所得結構體可能不會特 別堅牢,該協合阻隔層區可能會與該聚合物基材層分離。 外,此種組態經認爲會導致於某些情況中在陽極處理過程 中的阻隔效率之減低。 該附加阻隔層1 5 0的較佳材料可依應用之不同而變 異且包括金屬、砂晶圓、陶瓷和低穿透性聚合物。 金屬可提供優良的阻隔性質,且可用多種組態加裝, 例如金屬罐及/或金屬箔形成,較佳者的金屬箔以其容易 製造之故。較佳的金屬范包括銘、金 '鎳、鎳合金和銦, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
Ji衣. 訂 本紙張尺度適用不國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -17- 529319 A7 B7 五、發明説明(4 以及技藝中已知的其他箔。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 陶瓷也在許多情況中提供低穿透性且提供透明性。較 佳的陶瓷爲玻璃,更佳者爲石灰石玻璃和硼矽酸鹽玻璃。 於需要光透性及/或連續製造的容易性(如以片材爲 基的製造)之情況中,聚合物常爲較佳者。較佳的低穿透 性聚合物包括聚酯、聚醚硕、聚醯亞胺和氟碳化合物聚合 物以及含有聚合物的複合材料結構體,其中含有一系列協 合性阻隔層,例如在對阻隔層1 2 0所討論過者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 該OLED 140可爲技藝中已知的任何〇LED ,例如,如上文所提及者,該〇L E D通常包括一陽極層 (典型地爲透明者),一陰極層和一配置在該陽極層與陰 極層之間的發光層(發射層)。該發光層可用多種組態裝 設,包括下列:(a )三層組態,包括一電洞傳送層,〜 發射層和一電子傳送層(亦即,雙重異結構組態),(b )兩層組態,包括一電洞傳送層和一可同時提供發射和電 子傳送兩種功能的層(亦即,一種單一異結構組態)及( c ) 一種包括單一層的組態,該層可同時提供電洞傳送, 電子傳送和發射等功能,(亦即,一種單層組態)。於每 一種組態中,可以含有附加的層,例如可增強電洞注射或 電子注射的層,或可用來阻斷電洞或電子的層。此等裝置 所用的數種構造在例如,美國專利第5 ,7 0 7,7 4 5 號中有討論到,其整個內容以引用方式倂於本文。技藝中 也有其他更複雜的◦ L E D構造。 於本發明某些具體實例中,在靠近〇LED 1 4 〇 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) •18- 529319 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(1含 處配置著一除氣材料(未顯示出)。該除氣材料係用來捕 捉可到途裝置1 9 0且ί貝及〇L E D 1 4 〇的任何濕 氣,氧氣等。較佳的除氣材料包括C a 0和B a 〇。一種 特別的產品爲可得自Cookson SPM的Η I C A P 2 0 0〇,一種C a〇糊。 依情況而定,可能發生外面環境中的有害物質之側面 擴散。一種解決側面擴散的方法爲第8圖中所示者,其中 在第6圖的整個〇L ED結構體1 9 0外面包著一封裝區 1 6 0,該區係作爲另一阻隔區。於第9圖中,闡示本發 明另一具體實例,只在如第6圖的〇L E D結構體]_ 9 〇 的邊緣包以封裝區1 6 0,該區係作爲針對側面擴散的邊 緣阻隔。根據本發明另一具體實例(未示出),在組裝到 裝置結構體1 9 0之前,就在阻隔區1 2 0的邊緣加裝一 邊緣阻隔區。 作爲第8和第9圖中的封裝區1 6 0之較佳材料爲環 氧樹脂。更佳者爲具有足夠低的黏度以順暢地流動且可形 成透光表面的紫外光可固化性環氧樹脂材料。較佳者,該 封裝區1 6 0的折射率爲經儘可能精確地匹配基材1 1〇 的折射率者。施加封裝區1 6 0的較佳技術包括浸塗、傾 倒和旋塗。 在只有◦ L E D結構體1 9 0的邊緣(或阻隔區 1 2 0的邊緣)要加工封裝區1 6 0的情況中,可將該 〇L E D結構體1 9 0固持在一可轉動的扣具1 6 5之內 ,如第1 0圖中所示者。隨著扣具1 6 5的轉動,該 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -19- 529319 Μ Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(U 0 L E D結構體1 9 〇會浸到呈液體形式的適當材料之內 ’例如’在上述環氧樹脂,或液體聚醯亞胺或氟碳化合物 g周配物之內’其後將液體形式的材料固化。其他代用物也 可以使用,例如在旋轉該扣具之同時噴佈適當的材料。 於又另一具體實例中,係將〇L E D結構體1 9 0 ( 或阻隔區1 2 〇 ),連同任何扣具或其他固持器,插置於 一真空室內’於其中施加高密度材料(例如上面所討論者 )或其他恰當材料,例如,採用濺鍍、電子束技術、或任 何其他種已知的在真空下沈積一層所用的技術。 依聚合物基材層所用材料而定,從基材層可能釋放出 化學物質。因此,搭配本發明的實施所用的基材在使用之 前,較佳地要在真空下加熱以除氣。此舉對於鄰接光電子 裝置配置的聚合物基材層具有增強的重要性(參看,例如 ’第8和第9圖,其中聚合物基材層1 1 〇 ^係鄰接著該 ◦ LED 140)。 雖然本發明已就數個示範實例予以說明過,不過對於 諳於此技者而言都明白上述諸具體實例可有許多其他變異 。要了解者’此等變異都在本發明旨意之內,且本發明只 受限於後面所附申請專利範圍。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
Ji衣· 、*ιτ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公羡) -20
Claims (1)
- 529319 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 1 . 一種有機光電子裝置結構體,其包括: (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一第一阻隔區,其包括一第一複合材料層堆疊和一第 二複合材料層堆疊,該第二複合材料層堆疊係接著到該第 一複合材料層堆疊;該第一複合材料層堆疊包括一第一聚 合物基材層,至少一第一平面化層和至少一第一高密度 層,且該第二複合材料層堆疊包括一第二聚合物基材層, 至少一第二平面化層和至少一第二高密度層; 一有機光電子裝置,其係選自下列之中者:有機發光 二極體、有機電色顯示器、有機光生伏打裝置和有機薄膜 電晶體;與 至少一附加的阻隔區,其中該至少一附加的阻隔區係 與該第一阻隔區協同限制水和氧氣從外面環境穿透到該光 電子裝置之內。 2 ·如申請專利範圍第1項之有機光電子裝置結構 體,其中該第一和第二聚合物基材層具有相同的材料組 成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 ·如申請專利範圍第1項之有機光電子裝置結構 體,其中該第一和第二聚合物基材層具有不同的材料組 成。 4 ·如申請專利範圍第1項之有機光電子裝置結構 體,其中該第一複合材料層堆疊和該第二複合材料層堆疊 係透過該第一和第二平面化層中的一者彼此接著在一起。 5 ·如申請專利範圍第1項之有機光電子裝置結構 體,其在該第一和第二複合材料層堆疊之間更包括一黏著 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -21 - 529319 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 劑層。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 6 ·如申請專利範圍第1項之有機光電子裝置結構 體,其中該至少一該第一平面化層,至少一該第一高密度 層,至少一該第二平面化層和至少一該第二高密度層係經 配置在該第一聚合物基材層和該第二聚合物基材層之間。 7 ·如申請專利範圍第1項之有機光電子裝置結構 體,其中(i )至少一該第一平面化層和至少一該第一高 密度層係經配置在該第一聚合物基材層之上,(1 i ) 該第二聚合物基材層係經配置在至少一該第一平面化層和 至少一該第一高密度層之上,且(i i i)至少一該第二 平面化層和至少一該第二高密度層係經配置在該第二聚合 物基材層之上。 8 ·如申請專利範圍第1項之有機光電子裝置結構 體,其中該第一和第二複合材料層堆疊中至少一者包括二 或更多層的平面化層與二或更多層的高密度層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9 ·如申請專利範圍第1項之有機光電子裝置結構 體,其中該第一和第二複合材料層堆疊中至少一者包括一 交錯系列的二或更多層的平面化層與二或更多層的高密度 j^i^T 〇 1〇· 一種〇L E D結構體,其包括: _ 一第一阻隔區,其包括一第一複合材料層堆疊和一第 二複合材料層堆疊,該第二複合材料層堆疊係接著到該第 一複合材料層堆疊;該第一複合材料層堆疊包括一第一聚 合物基材層,至少一第一平面化層和至少一第一高密度 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -22 · 529319 A8 B8 C8 D8 3 中請專利範圍 1¾ 自’且該第二複合材料層堆疊包括一第二聚合物基 g少〜第 材層 平面化層和至少 高密度層; 〇L E D ;與 至少一附加的阻隔區,其中該至少一附加的阻 協同限制水和氧氣從外面環境穿透 與該第一阻隔區 電子裝置之內。 如申請專利範圍第1 〇項之〇 L E D結 二聚合物基材層具有相同的材料組成 2 ·如申請專利範圍第1 〇項之〇L E D結 二聚合物基材層具有不同的材料組成 請專利範圍第1 0項之〇L E D結 二高密度層具有相同的材料組成。 4 ♦如申請專利範圍第1 〇項之〇L E D結 其中該第一和第 其中該第一和第: 1 3 ·如申 其中該第一和第: 其中該第 成且該第 成。 第 高密度層中至少一者具有一第 高密度層中至少一者具有一第 隔區係 到該光構體, 〇構體, 0構體, _體, 特料組 材觀 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} -襞 -訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 成。 1 5 ·如申請專利範圍第1 〇項之〇L E D社秘 細構體 其中該第一和第二平面化層具有相同的材料組成。 < 1 6 ·如申請專利範圍第1 〇項之〇l E D社& — 和情體 其中該第一和第二平面化層中至少一者具有一第〜 、一 * 〜树料 成且該第一和第二平面化層中至少一層具有一第〜 結橇體, 和第二平 -23: 529319 A8 B8 C8 ___ D8 六、申請專利範圍 4 面化層中的一者彼此接著在一起。 1 8 ·如申請專利範圍第1 0項之〇L E D結構體, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其在該第一和第二複合材料層堆疊之間更包括一黏著劑 層。 1 9 ·如申請專利範圍第1 〇項之〇l E D結構體, 其中該至少一該第一平面化層,至少一該第一高密度層, 至少一該第二平面化層和至少一該第二高密度層係經配置 在該第一聚合物基材層和該第二聚合物基材層之間。 2〇·如申請專利範圍第1 〇項之〇l E D結構體, 其中(i )至少一 g亥弟一平面化層和至少一該第一高密度 層係經配置在該第一聚合物基材層之上,(i i )該第二 聚合物基材層係經配置在至少一該第一平面化層和至少一 該第一高密度層之上,且(i i i )至少一該第二平面化 層和至少一該第二高密度層係經配置在該第二聚合物基材 層之上。 2 1 ·如申請專利範圍第1 〇項之〇l E D結構體, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中該第一複合材料層堆疊包括二或更多層的第一平面化 層與二或更多層的第一高密度層。 2 2 ·如申請專利範圍第2 1項之〇l E D結構體, 其中該第二複合材料層堆疊包括二或更多層的第二平面化 層與二或更多層的第二高密度層。 2 3 ·如申請專利範圍第1 〇項之〇l e D結構體, 其中該第一複合材料層堆疊包括一交錯系列的二或更多層 的第一平面化層與二或更多層的第一高密度層。 本度適用中關家標準(CN^J(_ 21()χ29ϋ-Γ24:- 529319 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5 2 2二如申請專利範圍第2 3項之0 L E 〇結構體, 其中該弟一複合材料層堆疊包括一交錯系列的二或更多芦 的第一平面化層與二或更多層的第二高密度層。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 5 ·如申請專利範圍第i 〇項之〇L E d結構體, 其中該第一阻隔區更包括一經接著到該第二複合材料層堆 g上之第二複合材料層堆疊,該第三複合材料層堆疊包括 一第二聚合物基材層,至少一第三平面化層與至少一第三 高密度層。 2 6 如申5靑專利範圍第1 〇項之〇L E D結構體, 其中至少 β第一平面化層和至少一該第二平面化層包括 一選自下列之中的材料:氟化聚合物,聚對一二甲苯基 (parylenes ) ,cyciotenes,與聚丙烯酸酯。 2 7 ·如申請專利範圍第1 0項之〇L E D結構體, 其中至少一該第一高密度層和至少一該第二高密度層包括 一選自下列之中的材料:金屬氧化物,金屬氮化物,金屬 碳化物和金屬氧氮化彳勿。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 8 ·如申請專利範圍第1 〇項之〇l E D結構體, 其中至少一該第一高密度層和至少一該第二高密度層包括 一選自下列之中的材料:氧化矽、氮化矽、氧化鋁、氧化 銦錫、和氧化鋅銦錫。 2 9 ·如申請專利範圍第1 〇項之〇l E D結構體, 其中該第一和第二聚合物基材層包括一選自下列之中的材 料:氟碳化合物聚合物、聚醚楓、聚醯亞胺、聚烯烴,和 聚酯。 本紙張尺度適用中國國豕標率(CNS ) A4規格(210X297公釐) -25 - 529319 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 6 3 〇 ·如申請專利範圍第1 〇項之〇L E D結構體, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中該第一聚合物基材層包括聚烯烴且該第二聚合物基材 層包括聚酯。 3 1 ·如申請專利範圍第1 〇項之〇L E D結構體, 其中該第一聚合物基材層包括環狀烯烴共聚物且該第二聚 合物基材層包括聚對苯二甲酸乙二醇酯。 3 2 · —種形成有機光電子裝置結構體之方法,其包 括: 裝上一第一複合材料層堆疊,該第一複合材料層堆疊 包括一第一聚合物基材層,至少一第一平面化層與至少一 第一高密度層; 裝上一第二複合材料層堆疊,該第二複合材料層堆疊 包括一第二聚合物基材層,至少一第二平面化層與至少一 第二高密度層; 將該第一複合材料層堆疊接著到該第二複合材料層堆 疊以形成一第一阻隔區; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 提出一選自下列之中的有機光電子裝置:有機發光二 極體、有機電色顯示器、有機光生伏打裝置和有機薄膜電 晶體, 將該有機光電子裝置配置在該第一阻隔區與該至少一 附加的阻隔區之間,使得該至少一附加的阻隔區係與該第 一阻隔區協同限制水和氧氣從外面環境穿透到該光電子裝 置之內。 ‘ 3 3 ·如申請專利範圍第3 2項之方法,其中該第一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) _ 26 - 529319 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 7 和第二聚合物基材層具有相同的材料組成。 3 4 ·如申請專利範圍第3 2項之方法,其中該第一 和第二聚合物基材層具有不同的材料組成。 3 5 ·如申請專利範圍第3 2項之方法,其中該第一 複合材料層堆疊和該第二複合材料層堆疊係透過該第一和 弟一平面化層中的一者彼此接者在一起。 3 6 ·如申請專利範圍第3 2項之方法,其中該第一 複合材料層堆疊和該第二複合材料層堆疊係透過一黏著劑 層彼此接著在一起。 3 7 ♦如申請專利範圍第3 2項之方法,其中該第一 複合材料層堆疊係經接著到該第二複合材料層堆疊使得至 少一該第一平面化層,至少一該第一高密度層,至少一該 桌一平面化層和至少一該第二尚密度層全部都配置在該第 一聚合物基材層和第二聚合物基材層之間。 3 8 ·如申請專利範圍第3 2項之方法,其中(i ) 至少一該第一平面化層和至少一該第一高密度層係經配置 在該第一聚合物基材層之上,(i i )該第二聚合物基材 層係經配置在至少一該第一平面化層和至少一該第一高密 度層之上,且(i i i)至少一該第二平面化層和至少一 該第二高密度層係經配置在該第二聚合物基材層之上。 3 9 ·如申請專利範圍第3 2項之方法,其中該第一 和第一複合材料層堆疊中至少一者包括二或更多層的平面 化層與二或更多層的高密度層。 4 0 ♦如申g靑專利範圍第3 2項之方法,其中該第一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21 Οχ297公慶) i in i-i— m m-i —ϋ m n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、tr 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 27 529319 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 8 和第二複合材料層堆疊中至少一者包括一交錯系列的二或 更多層的平面化層與二或更多層的高密度層。 4 1 ·如申請專利範圍第3 2項之方法,其中該有機 光電子裝置爲一〇LED。 4 2 ·如申請專利範圍第3 2項之方法, 其中該第一複合材料層堆疊係經由包括下述的方法裝 上者:裝上一第一聚合物基材層,及在該第一聚合物基材 上沉基至少一第一平面化層與至少一第一高密度層,且 其中該第二複合材料層堆疊係經由包括下述的方法裝 上者:裝上一第二聚合物基材層,及在該第二聚合物基材 上沉基至少一第二平面化層與至少一第二高密度層。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -28-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/785,066 US6576351B2 (en) | 2001-02-16 | 2001-02-16 | Barrier region for optoelectronic devices |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW529319B true TW529319B (en) | 2003-04-21 |
Family
ID=25134352
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW091102085A TW529319B (en) | 2001-02-16 | 2002-02-06 | Improved barrier region for optoelectronic devices |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6576351B2 (zh) |
TW (1) | TW529319B (zh) |
WO (1) | WO2002067342A2 (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103855320A (zh) * | 2012-11-30 | 2014-06-11 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN103904248A (zh) * | 2012-12-25 | 2014-07-02 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104078607A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104078579A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
TWI566638B (zh) * | 2009-09-11 | 2017-01-11 | 皇家飛利浦電子股份有限公司 | 有機發光二極體系統及其製造方法 |
Families Citing this family (85)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6617644B1 (en) * | 1998-11-09 | 2003-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US20100330748A1 (en) | 1999-10-25 | 2010-12-30 | Xi Chu | Method of encapsulating an environmentally sensitive device |
US7198832B2 (en) * | 1999-10-25 | 2007-04-03 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
US6866901B2 (en) | 1999-10-25 | 2005-03-15 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
JP2002175877A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-06-21 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器 |
US6664137B2 (en) * | 2001-03-29 | 2003-12-16 | Universal Display Corporation | Methods and structures for reducing lateral diffusion through cooperative barrier layers |
US20030011108A1 (en) * | 2001-07-12 | 2003-01-16 | Matthies Dennis L. | Assembly display modules |
US6765351B2 (en) | 2001-12-20 | 2004-07-20 | The Trustees Of Princeton University | Organic optoelectronic device structures |
JP2003224245A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
WO2003084290A1 (fr) * | 2002-03-29 | 2003-10-09 | Pioneer Corporation | Ecran d'affichage organique electroluminescent |
US8900366B2 (en) | 2002-04-15 | 2014-12-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
US8808457B2 (en) | 2002-04-15 | 2014-08-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
US20030203210A1 (en) * | 2002-04-30 | 2003-10-30 | Vitex Systems, Inc. | Barrier coatings and methods of making same |
US20060208634A1 (en) * | 2002-09-11 | 2006-09-21 | General Electric Company | Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same |
US20050181212A1 (en) * | 2004-02-17 | 2005-08-18 | General Electric Company | Composite articles having diffusion barriers and devices incorporating the same |
US7449246B2 (en) * | 2004-06-30 | 2008-11-11 | General Electric Company | Barrier coatings |
US7015640B2 (en) | 2002-09-11 | 2006-03-21 | General Electric Company | Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same |
JP4185341B2 (ja) * | 2002-09-25 | 2008-11-26 | パイオニア株式会社 | 多層バリア膜構造、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法 |
SG112874A1 (en) * | 2003-02-20 | 2005-07-28 | Sony Corp | Reducing water permeation into electronic devices |
US7648925B2 (en) * | 2003-04-11 | 2010-01-19 | Vitex Systems, Inc. | Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks |
US7535017B2 (en) | 2003-05-30 | 2009-05-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Flexible multilayer packaging material and electronic devices with the packaging material |
US20040238846A1 (en) * | 2003-05-30 | 2004-12-02 | Georg Wittmann | Organic electronic device |
CN101218691A (zh) * | 2003-05-30 | 2008-07-09 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 柔性多层封装材料和具有该封装材料的电子器件 |
JP4342870B2 (ja) * | 2003-08-11 | 2009-10-14 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機el表示装置 |
JP4716699B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2011-07-06 | 三洋電機株式会社 | 有機elパネル |
JP4497881B2 (ja) | 2003-09-30 | 2010-07-07 | 三洋電機株式会社 | 有機el素子および有機elパネル |
JP4428979B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2010-03-10 | 三洋電機株式会社 | 有機elパネル |
JP2005123012A (ja) * | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネセンス表示パネルとその製造方法 |
US20060284556A1 (en) * | 2003-11-12 | 2006-12-21 | Tremel James D | Electronic devices and a method for encapsulating electronic devices |
US20050238803A1 (en) * | 2003-11-12 | 2005-10-27 | Tremel James D | Method for adhering getter material to a surface for use in electronic devices |
JP4439260B2 (ja) | 2003-12-26 | 2010-03-24 | 三洋電機株式会社 | 表示装置の製造方法 |
JP2005197009A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置及びその製造方法及び製造装置 |
JP4475942B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-06-09 | 三洋電機株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
WO2005081333A2 (en) * | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Diffusion barrier layer and method for manufacturing a diffusion barrier layer |
US8405193B2 (en) * | 2004-04-02 | 2013-03-26 | General Electric Company | Organic electronic packages having hermetically sealed edges and methods of manufacturing such packages |
KR20060046476A (ko) | 2004-06-18 | 2006-05-17 | 산요덴키가부시키가이샤 | 일렉트로루미네센스 패널 |
US20090110892A1 (en) * | 2004-06-30 | 2009-04-30 | General Electric Company | System and method for making a graded barrier coating |
US8034419B2 (en) * | 2004-06-30 | 2011-10-11 | General Electric Company | Method for making a graded barrier coating |
EP1655790B1 (en) * | 2004-10-21 | 2010-08-04 | LG Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same |
JP2006164708A (ja) | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子機器および発光装置 |
JP4573672B2 (ja) | 2005-02-28 | 2010-11-04 | 三洋電機株式会社 | 有機elパネル |
US7541671B2 (en) * | 2005-03-31 | 2009-06-02 | General Electric Company | Organic electronic devices having external barrier layer |
US20060240275A1 (en) * | 2005-04-25 | 2006-10-26 | Gadkaree Kishor P | Flexible display substrates |
US20060278965A1 (en) * | 2005-06-10 | 2006-12-14 | Foust Donald F | Hermetically sealed package and methods of making the same |
KR100719554B1 (ko) * | 2005-07-06 | 2007-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
US7767498B2 (en) | 2005-08-25 | 2010-08-03 | Vitex Systems, Inc. | Encapsulated devices and method of making |
US8173995B2 (en) | 2005-12-23 | 2012-05-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electronic device including an organic active layer and process for forming the electronic device |
WO2007096565A2 (fr) * | 2006-02-22 | 2007-08-30 | Saint-Gobain Glass France | Dispositif electroluminescent organique et utilisation d'une couche electroconductrice transparente dans un dispositif electroluminescent organique |
FR2904508B1 (fr) * | 2006-07-28 | 2014-08-22 | Saint Gobain | Dispositif electroluminescent encapsule |
US20080100201A1 (en) * | 2006-10-31 | 2008-05-01 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Organic electroluminescence device and fabricating method thereof |
US20080138538A1 (en) * | 2006-12-06 | 2008-06-12 | General Electric Company | Barrier layer, composite article comprising the same, electroactive device, and method |
US20080295885A1 (en) * | 2007-05-30 | 2008-12-04 | Shing Man Lee | Thick Crystalline Silicon Film On Large Substrates for Solar Applications |
US8143514B2 (en) * | 2007-09-11 | 2012-03-27 | Silicon China (Hk) Limited | Method and structure for hydrogenation of silicon substrates with shaped covers |
KR100906284B1 (ko) * | 2007-11-02 | 2009-07-06 | 주식회사 실트론 | 산소농도 특성이 개선된 반도체 단결정의 제조방법 |
KR101563763B1 (ko) | 2008-05-07 | 2015-10-27 | 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 | 전자 장치들 또는 다른 물품들 위의 코팅들에 사용하기 위한 혼성 층들 |
US20100080929A1 (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-01 | General Electric Company | System and method for applying a conformal barrier coating |
US8033885B2 (en) * | 2008-09-30 | 2011-10-11 | General Electric Company | System and method for applying a conformal barrier coating with pretreating |
JP2010087339A (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Fujifilm Corp | 有機太陽電池素子 |
US9184410B2 (en) | 2008-12-22 | 2015-11-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Encapsulated white OLEDs having enhanced optical output |
US9337446B2 (en) | 2008-12-22 | 2016-05-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Encapsulated RGB OLEDs having enhanced optical output |
WO2010093237A1 (en) | 2009-02-11 | 2010-08-19 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast- Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Optoelectronic device and method for fabricating such device |
TWI389271B (zh) * | 2009-04-10 | 2013-03-11 | Ind Tech Res Inst | 環境敏感電子元件之封裝體及其封裝方法 |
US20110008525A1 (en) * | 2009-07-10 | 2011-01-13 | General Electric Company | Condensation and curing of materials within a coating system |
DE102009038904A1 (de) * | 2009-08-29 | 2011-03-10 | Bundesdruckerei Gmbh | Gegenstand mit einem Organic Light Emitting Display |
US9472783B2 (en) * | 2009-10-12 | 2016-10-18 | General Electric Company | Barrier coating with reduced process time |
US8590338B2 (en) | 2009-12-31 | 2013-11-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Evaporator with internal restriction |
TWI443784B (zh) | 2010-07-29 | 2014-07-01 | Ind Tech Res Inst | 環境敏感電子元件之封裝體及其封裝方法 |
US9935289B2 (en) | 2010-09-10 | 2018-04-03 | Industrial Technology Research Institute Institute | Environmental sensitive element package and encapsulation method thereof |
EP2476784A1 (en) | 2011-01-18 | 2012-07-18 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Method for manufacturing an electronic device by electrodeposition from an ionic liquid |
KR20140021398A (ko) * | 2012-08-10 | 2014-02-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN103855105B (zh) | 2012-12-06 | 2017-04-26 | 财团法人工业技术研究院 | 环境敏感电子元件封装体及其制作方法 |
TWI497655B (zh) | 2012-12-14 | 2015-08-21 | Ind Tech Res Inst | 環境敏感電子元件封裝體及其製作方法 |
US9847512B2 (en) | 2012-12-22 | 2017-12-19 | Industrial Technology Research Institute | Electronic device package structure and manufacturing method thereof |
CN104051357B (zh) | 2013-03-15 | 2017-04-12 | 财团法人工业技术研究院 | 环境敏感电子装置以及其封装方法 |
JP6646352B2 (ja) * | 2014-08-29 | 2020-02-14 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US9847509B2 (en) | 2015-01-22 | 2017-12-19 | Industrial Technology Research Institute | Package of flexible environmental sensitive electronic device and sealing member |
CN104993063A (zh) * | 2015-07-17 | 2015-10-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种封装件及其制作方法、oled装置 |
DE102016115742B4 (de) | 2015-12-08 | 2022-11-24 | Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. | Verbundsubstrat, flexible Anzeigevorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
CN105552247B (zh) * | 2015-12-08 | 2018-10-26 | 上海天马微电子有限公司 | 复合基板、柔性显示装置及其制备方法 |
US9954033B2 (en) * | 2015-12-11 | 2018-04-24 | Flexterra, Inc. | Bonding P-type and N-type sheets to form complementary circuits |
KR102550694B1 (ko) * | 2016-07-12 | 2023-07-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP2020129429A (ja) * | 2017-05-30 | 2020-08-27 | 富士フイルム株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置 |
TWI627064B (zh) * | 2017-08-08 | 2018-06-21 | Southern Taiwan University Of Science And Technology | 複合板及其應用 |
US20190207152A1 (en) * | 2018-01-03 | 2019-07-04 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Oled panel and method for fabricating the same |
US20190334123A1 (en) * | 2018-04-25 | 2019-10-31 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Package structure and packaging method of oled device |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2049274B (en) | 1979-03-16 | 1983-04-27 | Sharp Kk | Moisture absorptive arrangement for a glass sealed thinfilm electroluminescent display panel |
JPS63105493A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-10 | アルプス電気株式会社 | 薄膜elパネル |
US5051654A (en) | 1988-12-16 | 1991-09-24 | Loctite Luminescent Systems, Inc. | Electroluminescent lamp and method of manufacture |
US5189405A (en) * | 1989-01-26 | 1993-02-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film electroluminescent panel |
JPH07169569A (ja) | 1993-12-17 | 1995-07-04 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機el素子およびその製造方法 |
EP0781075B1 (en) | 1994-09-08 | 2001-12-05 | Idemitsu Kosan Company Limited | Method for sealing organic el element and organic el element |
US5707745A (en) | 1994-12-13 | 1998-01-13 | The Trustees Of Princeton University | Multicolor organic light emitting devices |
US5771562A (en) | 1995-05-02 | 1998-06-30 | Motorola, Inc. | Passivation of organic devices |
JPH09148066A (ja) | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Pioneer Electron Corp | 有機el素子 |
JP2682524B2 (ja) | 1995-11-29 | 1997-11-26 | 日本電気株式会社 | 有機薄膜el素子の製造方法 |
US5686360A (en) | 1995-11-30 | 1997-11-11 | Motorola | Passivation of organic devices |
US5952778A (en) | 1997-03-18 | 1999-09-14 | International Business Machines Corporation | Encapsulated organic light emitting device |
CA2295676A1 (en) | 1997-07-11 | 1999-01-21 | Fed Corporation | Sealing structure for organic light emitting devices |
JP3488474B2 (ja) | 1998-02-02 | 2004-01-19 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 有機発光ダイオード用のアノード改質 |
US6146225A (en) | 1998-07-30 | 2000-11-14 | Agilent Technologies, Inc. | Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices |
WO2000026973A1 (en) | 1998-11-02 | 2000-05-11 | Presstek, Inc. | Transparent conductive oxides for plastic flat panel displays |
EP1524708A3 (en) | 1998-12-16 | 2006-07-26 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material and methods of making. |
US6268695B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-07-31 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
TW543341B (en) | 1999-04-28 | 2003-07-21 | Du Pont | Flexible organic electronic device with improved resistance to oxygen and moisture degradation |
WO2000065879A1 (en) | 1999-04-28 | 2000-11-02 | Emagin Corporation | Organic electroluminescence device with high efficiency reflecting element |
US6083313A (en) | 1999-07-27 | 2000-07-04 | Advanced Refractory Technologies, Inc. | Hardcoats for flat panel display substrates |
US6413645B1 (en) * | 2000-04-20 | 2002-07-02 | Battelle Memorial Institute | Ultrabarrier substrates |
US6537688B2 (en) * | 2000-12-01 | 2003-03-25 | Universal Display Corporation | Adhesive sealed organic optoelectronic structures |
US6614057B2 (en) * | 2001-02-07 | 2003-09-02 | Universal Display Corporation | Sealed organic optoelectronic structures |
-
2001
- 2001-02-16 US US09/785,066 patent/US6576351B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-02-06 TW TW091102085A patent/TW529319B/zh active
- 2002-02-11 WO PCT/US2002/005239 patent/WO2002067342A2/en not_active Application Discontinuation
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI566638B (zh) * | 2009-09-11 | 2017-01-11 | 皇家飛利浦電子股份有限公司 | 有機發光二極體系統及其製造方法 |
CN103855320A (zh) * | 2012-11-30 | 2014-06-11 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN103855320B (zh) * | 2012-11-30 | 2016-12-21 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN103904248A (zh) * | 2012-12-25 | 2014-07-02 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104078607A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104078579A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20020113548A1 (en) | 2002-08-22 |
WO2002067342A2 (en) | 2002-08-29 |
WO2002067342A3 (en) | 2002-11-21 |
US6576351B2 (en) | 2003-06-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW529319B (en) | Improved barrier region for optoelectronic devices | |
US6537688B2 (en) | Adhesive sealed organic optoelectronic structures | |
US6737753B2 (en) | Barrier stack | |
US7187119B2 (en) | Methods and structures for reducing lateral diffusion through cooperative barrier layers | |
US6624568B2 (en) | Multilayer barrier region containing moisture- and oxygen-absorbing material for optoelectronic devices | |
US8022623B2 (en) | Ultra-thin multi-substrate color tunable OLED device | |
JP4856313B2 (ja) | 有機発光デバイスのための環境バリヤー材料及びその製造方法 | |
US6835950B2 (en) | Organic electronic devices with pressure sensitive adhesive layer | |
US8633585B2 (en) | Device comprising an encapsulation unit | |
US9172057B2 (en) | Encapsulation structure for an opto-electronic component | |
JP6070558B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置及びその製造方法 | |
CN103718324B (zh) | 用于光电子器件的封装结构和用于封装光电子器件的方法 | |
WO2005119808A2 (en) | Protected organic electronic devices and methods for making the same | |
TW201030860A (en) | Method for encapsulating environmentally sensitive devices | |
TW200304337A (en) | Organic optoelectronic device structures | |
US20110284494A1 (en) | Method for Manufacturing an Opto-Electronic Component | |
KR20160135804A (ko) | 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법 | |
WO2009140029A1 (en) | Organic light emitting device based lighting for low cost, flexible large area signage | |
WO2017033823A1 (ja) | 電子装置 | |
JP2009252364A (ja) | 有機発光装置 | |
JP2010067355A (ja) | 有機el素子パネル及びその製造方法 | |
US9768414B2 (en) | Display device | |
JP6746635B2 (ja) | 発光装置 | |
KR20060111643A (ko) | 가요성 전기발광 소자 |