TW524882B - Electroless plating method and electroless plating solution - Google Patents

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明背景 發明部份 本發明係有關無電塗鍍方法及無電塗鍍溶液。H日月_ 言之，本發明係有關適用於銅接線上之無電塗鍍方法 電塗鍍溶液，由銅鍍於例如半導體積體電路裝置中之？妾_ 孔或鑲嵌互接線上。 有關技藝之說明 迄此使用鋁合金作爲半導體晶片（此後稱爲半導H ^ 置）上所構製之高密度積體電路之細接線材料。然而，m 進一步增加半導體裝置之速度，需使用具有較低電阻率之 銅或銀作爲接線材料。 尤其是，銅具有低至1 · 8 //Ω - C.m之電阻率，且 故此有利於增加半導體裝置之速度。然而，銅具有對電遷 移之阻力，此高於鋁合金一約一位數。故此，預料此將爲 次一世代之材料。 大量之接觸孔或通孔（此後稱爲接觸孔）構製於半導 體裝置中，經由此電連接各元件或多層接線。接觸孔普通 由構製孔於層間絕緣層中，並埋置導電性材料於其中所構 成。 近年來，實際使用單鑲嵌法或多鑲嵌法，在單鑲嵌法 ，構製一槽於層間絕緣層中，並埋置銅於槽中，以形成一 槽接線，在雙鑲嵌法中，埋置銅於一槽中，並設置一孔於 槽底部，以整合構製槽接線及接觸孔。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ‘ 衣——訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -4 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 524882 A/ B7 五、發明說明（2 ) 作爲以良好精確度埋置銅於接觸孔中之方法，一電鍍 法近年來已引起興趣。由電鍍法所構製之銅薄膜中具有低 雜質濃度，且具有低電阻。故此’銅薄膜有利於增加半導 體裝置之速度。然而，當由電鍍法構製銅層時，接觸孔中 之銅之埋置性質大受所需之下塗層（種子層）之階覆蓋之 影響。即是，當由電鍍法埋置銅於接觸孔中時，需要足夠 良好之種子層之階覆蓋。 迄此已使用由濺散法所製並具有厚度約1 0 0 n m之 銅層作爲種子層。然而，由濺散法所製之種子層之階覆蓋 在許多情形並不佳，致難以均勻形成種子層於接觸孔中。 而且，當接觸孔之寬高比率（接觸孔之孔口直徑與深度之 比率）大於1 : 5時，幾乎不能提供均勻之階覆蓋。 故此，已有嘗試由銅之無電塗鍍（化學還原塗鍍）構 製種子層。 然而，銅之無電塗鍍有問題，因爲銅本身之催化活性 低，難以產生種子層所需之薄膜厚度，且無電塗鍍溶液之 壽命短。而且，由於銅微粒粗，有小空隙（中空部份）形 成於所構製之薄膜內各銅微粒之間之問題。 發明槪要 在此情況下，本發明之目的在提供一種無電塗鍍方法 及無電塗鍍溶液，在此，可使用銅構製良好品質之薄吴於、 半導體裝置之具有高寬高比率之一部份中，諸如接觸孔。 即是，本發明係有關一種無電塗鍍方法（此後稱爲本 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ‘-----------------^----訂·--------線 · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -5- 524882 A7 B7 五、發明說明（3 ) 發明之塗鍍方法），其中，當欲塗鍍之活化產物之表面接 受使用含有銅鹽之無電塗鍍溶液之無電塗鍍銅時，加進以 無電塗鍍溶液之組成份中之銅鹽爲基準之1克分子％或以 下之量之一螯合劑及一還原劑，諸如金，鎳，鈀，鈷，或 鉑之金屬之鹽於無電塗鍍溶液中，作爲塗鍍加速劑。 依據本發明之塗鍍方法，加進以無電塗鍍溶液之組成 份中之銅鹽爲基準之1克分子％或以下之特定量之具有高 催化活性之金屬，諸如金，鎳，鈀，鈷，鈾之鹽作爲塗鍍 加速劑。故此，在無電塗鍍之初始階段，在銅沉澱之前， 具有銅爲高之催化活性之適量之金屬（塗鑛加速劑）先沉 澱於欲塗鍍之產物之表面上，及銅然後沉澱。如此，銅可 均勻沉澱，以形成良好品質之銅鍍薄膜。反之，除非加進 塗鍍加速劑，否則，由於產生空隙，銅鍍之薄膜不均勻沉 澱。而且，當加速劑之量超過1克分子％時，銅鍍之薄膜 沉澱不正常。無論如何，不能施加均勻之銅鍍。. 而且，本發明另提供一種無電塗鍍溶液（此後稱爲本 發明之塗鍍溶液），作爲適於實施該塗鍍方法之塗鍍溶液 ，其中，除銅鹽外，加進以塗鍍溶液之組成份中之銅鹽爲 基準之1克分或以下之量之一螯合劑及一還原劑，諸 如金，鎳，鈀，鈷，或鉑之金屬之鹽，作爲無電塗鍍之加 速劑，使欲塗鍍之活化產物之表面接受銅之無電塗鍍。 附圖簡述 圖1爲槪要斷面圖，顯示本發明之實施例之無電塗鍍 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . 線* 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -6- 524882 A7 B7 五、發明說明（4 ) 之一·步驟 ° 圖2爲槪要斷面圖’顯示本發明之實施例之無電塗鍍 之另一步驟。 圖3爲槪要斷面圖’顯示本發明之實施例之無電塗鍍 之又另一步驟。 圖4爲槪要斷面圖，顯示本發明之實施例之無電塗鍍 之另一步驟。 圖5爲槪要斷面圖’顯示本發明之實施例之無電塗鍍 之另一步驟。 圖6爲槪要斷面圖’顯示由無電塗鍍所獲得之銅鍍薄 膜不均勻形成之情形。 圖7爲槪要斷面匱I ’顯示銅不正常沉澱於由無電塗鍍 所獲得之銅鍍薄膜上之情形。 主要元件對照表 1 晶片 2 銅接線 3 障壁層 6 孔 發明之較佳實施例 在本發明之塗鍍方法及塗鍍溶液中，爲確保功能有效 ，宜以銅鹽爲基準之1克分子％或以下加進金屬鹽，作爲 塗鍍加速劑。而且，當以無電溶液之組成份中之銅含量爲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------笔—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂------------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 524882 A7 B7 五、發明說明（5 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 基準之銅沉澱量到達1 %重量或以上時，再加進該金屬鹽 ，作爲塗鍍加速劑。然後，維持塗鍍溶液中之塗鍍加速齊IJ 維持於該等量，從而延長塗鍍溶液之壽命，此有利於重複 使用。 在此情形，再加之金屬鹽之量宜爲以無電塗鍍溶液之 組成份中之銅鹽爲基準之1克分子％或以下，如上述。 無電塗鍍溶液之P Η宜在8及1 2之間，及無電塗鑛 溶液之溫度宜在2 0及6 0 t之間。 參考附圖，更詳細說明本發明。 首先，當在半導體裝置之生產中執行銅之無電塗鍍時 ，先構製作爲障壁層3 ，5之氮化鉅於孔6 ，圖1所示之 接觸孔之底面上之銅接線2之表面上，及孔6之壁表面上 ，如顯示於圖2。 即是，在由蝕刻構製銅接線2於晶片1上後，疊置 S i〇2之一絕緣層4，然後由蝕刻再構製接觸孔6，並構 製障壁層於其上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然而’由先期處理之真空裝置或淸潔室之空氣中所含 之微少有機氣體所形成之有機污染物在許多情形以單分子 之形態附著於此等障壁層上。 故此’爲由無電塗鍍法構製銅接線層，欲塗鍍之表面 (障壁層之表面）宜接受以下方法（1 )至（5 )之催化 活化處理（預處理），使用具有高催化活性之金屬，諸如 P d。 (1 )移去有機材料 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t ) -8- 524882 A7 _ B7 五、發明說明（6 ) 欲塗鍍之表面上有機材料所構成之污染物由 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) U V /〇（紫外線/臭氧）處理，電漿灰化，或〇，,處 理移去。 (2 )施加親水性質之處理 障壁層中之金屬或氧化物之表面在水中氧化，俾使其 具有親水性並形成- 〇 Η於其上，該處理方法可爲施加親 水性質之處理，諸如（1 )中所述之〇3水處理，硫酸及過 氧化氫處理，次氯酸處理，氨溶液及過氧化氫之混合物處 理，或高錳酸胺處理。 (3 )交連處理 次一步驟中之催化劑處理用之P d (鈀）膠體及欲塗 鍍之表面使用矽烷交連劑或鈦交連劑黏合。矽烷交連劑或 鈦交連劑使由處理（2 )所產生之一 Ο Η可配價結合，及 在次步驟中之催化活化處理之P d膠體可進一步配價結合 。如此，該交連劑用以提高其間之附著力。 (4 )催化處理 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 具有高催化活性之金屬膠體，諸如P d固定於欲塗鍍 之表面上，使用由Slnpley所製之催化劑9 F，或Enthone 〇ΜI所製之Ε η p 1 a t e活化劑。 (5 )活化處理 使用Shipley所製之加速劑1 9或加速劑2 4 0活化在 (4 )中所固定之P d膠體之表面，以曝露p d之表面。 還原之銅可沉澱於此露出之P d上。 單分子薄膜以外之有機污染物在生產階層上並不固有 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -9- 524882 A7 B7 五、發明說明（7 ) 附著於晶片表面上。故此，附著於障壁層上之有機材料$ 由濕處理移去，使用在室溫上之臭氧水，具有濃度〇 . 5 Γ%先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁} p p m或以上，宜5至1 5 p p m，例如，在流率1至 3 0升/分上之一旋杯約1 0秒至2 0分鐘。在此情形， 施加超音波更爲有效，可短處理時間。在移去有機污染牛勿 中可先執行其他乾燥處理，諸如在紫外線照射下之臭氧水 處理及氧電漿灰化處理。 執行水中之氧化處理，俾在水中氧化構成障壁層5或 孔6之底面上之接線2之金屬之表面或/及其化合物，使 其具親水性，並有效形成- Ο Η於表面上。故此，在臭氧 水處理中，最宜該反應與移去有機材料之處理同時發生。 當移去有機材料之處理爲乾處理時，能氧化構成障壁層之 金屬或其化合物之任何產物，或任何處理方法，諸如臭氧 水處理，硫酸及過氧化氫混合物處理，次氯酸處理，或過 錳酸銨處理均可。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由化合結合之交連劑在水中氧化處理所產生反應性 -〇Η之處理可使用矽烷交連劑或鈦交連劑執行。宜使用 具有能與例如錫配價結合，以保護P d膠體催化劑之團之 化合物於其後之處理中，諸如在碳氫化物之分子鏈中或/ 及S 1或T :原子之相對端中之氨基團或硫赶團。 而且，經由矽烷交連或鈦交連處理之表面上形成分子 大小之隆起及陷下部份，以粗化該表面。故此’宜維持此 一親水性質，俾吸附其後處理中之催化金屬之膠體於如此 處理之表面上。此矽烷交連劑或鈦交連劑以分子鏈或未端 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -10- 524882 Α7 Β7 五、發明說明（8 ) 含有一〇H ，一 C〇〇R或一〇R團（R爲院基團）之化 合物爲典型。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 宜由催化金屬’例如氯化錫保護之鈀之膠體溶液處理 ，作爲鈀膠體之保護劑之氯化錫之錫原子配價結合於矽院 交連或鈦交連之氨基團或硫赶團’以結合鈀膠體。 即是，由氯化裼保護之P d膠體溶液在交連處理後作 用於晶片1上，及P d謬體之錫原子配價結合於晶片1上 之砂院交連劑或鈦父連劑之氨基團或硫赶團上，從而可堅 固黏合P d膠體。 在此情形，任何P d膠體催化劑，諸如Shipley所製之 催化劑9 F均可用。由於其使用於半導體處理中，故P d 膠體催化劑（其中，用以保護P d膠體之保護劑爲氯化錫 )較宜。 多餘之氯化錫（此不配價結合於晶片1之表面上）由 Η B F 4 (氫氟酸）或Η 2 S〇4 (硫酸）之水溶液沖洗去 ，以露出P d，並完成該預處理。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 在由沖洗移去中，基於品質及性能，含Η B F」之活化 劑，諸如Shipley所製之加速劑最宜。同時，基於環境，一 硫酸活化劑，諸如加速劑2 4 0更宜，雖其在品質及性能 上有些問題。 在僅由P d膠體溶液作用於晶片1上所獲得之產物中 ’ P d膠體僅吸附於其上。故此，不能執行活化處理，同 時施加超音波。當執行超音波處理時，有p d會移去之問 題。然而，在由含有〜NH2或一 s Η之矽烷交連劑或鈦交 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -11 - 524882 A7 B7 五、發明說明（9 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 連劑之先期處理及其後P d膠體之配價結合中，p d化學 結合於表面上，並堅固附著，俾可執行活化處理，同時施 加超音波。在此情形，具有大寬高比1 : 4或以上及直徑 0 · 3 m或以下之小盲孔亦可非常有效處理，及具有寬 高比1 : 10及直徑0 · 18//II1之孔之內部亦可均勻塗 鍍。 此處理步驟在同一杯中執行。爲此，能在同一杯中多 次處理之旋杯較宜。亦可使用浸池式。 無電塗鍍之預處理不獨可應用於半導體晶片之接線處 理，且亦可應用於所有金屬及無機材料之表面處理。如此 ，可達成具有高蓋力之強力精確塗鍍，而無需粗化處理。 在此情形，宜使用含有銅鹽，諸如甘氨酸之一兩性電 解質螯合劑，諸如琥珀酸銨之銨鹽式螯合劑，過磷酸銨之 還原劑，及非離子，陽離子，或銨鹽式之陰離子表面活化 劑之一無電塗鍍溶液。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 即是，可混合銅鹽（氯化物或硫酸化物），諸如甘氨 酸之兩性電解質螯合劑，及諸如琥珀酸銨銨鹽式螯合劑， 或頻果酸銨，並由氨水調整混合物之P Η，並使用鹼金屬 無離子還原劑，諸如過磷酸錶，過磷酸，氫硼化銨或聯氨 ，及一非離子，陽離子，或銨鹽式陰離子表面活化劑。 在完成此預處理後，半導體裝置浸於本發明之銅無電 塗鍍溶液中。無電塗鍍溶液之較宜組成份如下。 氯化銅（銅鹽）： 5至5 0 g /升，例如1 0 g /升（硫酸銅，硝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -12- 524882 A7 五、發明說明（1〇 ) 酸銅，或氨基磺酸銅亦可） 氯化鎳（塗鍍加速劑）： 1克分卞％或以下，例如以氯化銅爲基準之1克 分子％ (硫酸鎳，硝酸鎳，或氨基磺酸鎳亦可） 乙二胺（螯合劑）：

20至40g/升，例如3〇g/升〔EDTA (四醋酸乙二胺）亦可〕 硝酸鈷（還原劑）： 2 5至2 5〇g/升，例如40g/升 有關括弧中所示之化學劑，需決定與使用時之氯化銅 或乙烯二胺之克分子數相當之重量。 且塗鍍溶液之溫度宜在2 0及6 0 t之間，例如5 0 °C ’及其p Η値在8及1 2之間，例如9 。當在此範圍內 執行塗鍍時，可製造穩定之銅鍍薄膜，防止薄膜剝落，不 正常沉澱（沉澱於欲塗鍍之表面以外之位置上，例如，沉 澱於鍍池之內壁上），及沉積。 在塗鍍溶液之組成份中，加進1克分子％或以下之小 量之Ν 1 (鎳）鹽。此量適於達成銅之均勻無電塗鍍。結 果，有一效果，即形成密緻塗鍍之薄膜，而不產生空隙， 且延長無電塗鍍溶液本身之壽命。本發明者等澄淸，即塗 鍍薄膜之品質受所加之鎳鹽之量影響。 即是，當完全不加鎳鹽時，銅9生長成特別形狀，如 顯示於圖6 ，銅成島狀態沉澱於障壁層5之P d催化劑層 上，如顆粒。故此，空隙形成於銅微粒9之間。如此，不 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨線： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -13- 524882 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 - ^--- 五、發明說明（11 ) 能形成密緻之塗鍍薄膜’且附著性顯然不良。 而且，當無電塗鍍溶液中所加之鎳鹽量大於以_ s胃 基準之1克分子％時，不正常之銅沉澱9 >形成於所製成 之銅鍍薄膜7之表面上，如顯示於圖7，此不實用。 然而，當以銅鹽爲基準之特定量1克分子％或以τ力口 進鎳鹽於無電塗鍍溶液中時，則可獲得如圖3所示之無@ 隙之密緻薄膜。此乃由於在無電塗鍍之初始階段中，具；^ 較銅之催化活性爲高之N 1傾於均勻沉澱整個P d催化層 上。 在此情形，不發生銅粒9形成如圖6所示之島狀態， 而是銅開始均勻沉澱於P d催化層上。而且，銅自此成柱 狀態生長，此導致形成無空隙之塗鍍薄膜7。 而且，小量鎳鹽之加進於無電塗鍍溶液中可由催化活 化之作用延長塗鍍溶液之壽命，並增加薄膜形成率。 例如，當加進以銅鹽爲基準之1克分子％之N 1鹽於 無電塗鍍溶液中之情形與完全不加N 1鹽之情氣比較時， 獲得以下結果。 不力口 ： 壽命·· 25〇cni/升（薄膜形成l〇〇nm) 薄膜形成率：15n m /mi η 有加： 壽命：550crri/升（薄膜形成l〇〇nm) 薄膜形成率：30nm/min 此結果顯示在加有N 1鹽時之壽命及薄膜形成率至少 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 7 —II -----I--訂— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -14- 524882 Α7 Β7 五、發明說明（12) 爲不加時之二倍。 而且，在製造圖3所示之均勻銅塗鍍薄膜7中所加進 之小量N i鹽之效果自以銅含量爲基準之1 %重量以上之 N i鹽在無電塗鍍溶液中沉澱之階段逐漸減少。 故此，由以與初始階段相同之量（即1克分子或以下 )再加進N i鹽於無電塗鍍溶液，可由額外催化活性之效 果繼續產生無空隙之均勻銅塗鍍薄膜。可重複N 1鹽之此 再加進，同時繼續該效果。然而，再加進之次數視原無電 塗鍍溶液之組成份而定。 銨鹽全用於螯合劑，還原劑（過磷酸），及表面活化 劑（陰離子式）中，及氨水用以調整p Η。然而，以下組 成份亦可。 氯化銅 10至100g/升 (硫酸銅或氨基磺酸銅亦可） 甘氨酸 5至50g/升 (兩性電解質螯合劑，諸如其他胺酸） 琥珀酸銨 2至5 0 g /升 (頻果酸，檸檬酸，丙二酸，或甲酸之銨鹽） 次磷酸銨 2至5 0 g /升 (次磷酸，聯氨，或氫硼化銨） 氨水 5至2〇〇ml/升 (pH調整至8至1 2範圍中所需之値） 硫酸月桂銨 0 . 1至2 0 m g /升 (當P Η在酸性區域中時可用陽離子活化劑；當p Η 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線 « 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -15- 524882 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（13) 値在鹼性區域中時，可用陰離子活化劑；及當p Η在兩性 電解質區域中時，可使用非離子活化劑） 具有催化活性之金屬鹽，諸如鎳，鈷，鈀’或金作爲 塗鍍（反應）加速劑宜爲以銅鹽爲基準之1克分子％或以 下。 在每一步驟，在超音波之作用下，在至少濕狀態中有 效執行處理。爲此，每一步驟宜在同一室中執行，使用旋 杯式或浸池式裝置，及處理溶液散佈於欲塗鍍之產物上， 同時轉動該產物，或欲塗鍍之產物浸於處理溶液中’處理 後，且再加熱至預定溫度。 在處理後，宜使用含有1 %或以下之溶解氧之沖洗水 沖洗。即是，沖洗水中溶解之氧之比率減少至1 %或以下 ，俾可防止塗鍍薄膜之氧化，並增加導電率。且在無電塗 鍍後，宜執行烘烤處理。 本發明之塗鍍方法及塗鍍溶液可製造0 · 2 5 // m或 以下及寬高比率5或以上之孔。亦提供孔之直徑爲 〇.1 3〆m及寬高比率爲1 〇或以上之結果。而且，可 提供更高程度之結果。例如，即使接觸孔之寬高比率爲 1 : 1 0 (例如，孔口直徑爲0 . 1 // m及深度爲1 // m )，亦可製造具有良好階覆蓋之均勻之銅層。 在以上實施例中，加進N 1鹽，以達成催化活化。當 加進具有較銅爲高之催化活性之金屬，諸如金，鈀，鈷， 或鉑之鹽時，亦可獲得相同效果。 不獨由無電塗鍍所製之銅層作爲種子層，且整個接觸 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-----r---訂---------線I -16- 524882 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（14) 孔ί具以銅鍍之薄膜1 0 ，如顯示於圖4。在此情形，如顯 示於圖5 ’可由拋光上部構製完全塡平之銅接線1 〇 Α。 在此情形’由無電塗鍍所提供之銅較之由電鍍所提供之銅 堅硬，且可提高對電遷移之阻力。 而且，本發明不獨可用於半導體裝置，且可用於電路 基體之銅接線，且塗鍍溶液可由含有與上述還原劑不同之 還原劑之無電塗鍍溶液取代。 依據以上實施例，由於加進以銅鹽爲基準之適當量之 具有較銅爲高之催化活性之鎳作爲塗鍍加速劑，故可由無 電塗鍍製成無空隙之密緻之銅薄膜，具有以下效果。 (1 )可均勻執行由銅構製種子層於半導體裝置之接 觸孔上，並塡滿銅於其中，而不發生空隙，並提高欲塗鍍 之表面之附著力。 (2 )小量N 1鹽之加進可提高無電塗鍍溶液之壽命 薄膜形成率二或更多倍。 (3 )在無電塗鍍溶液之壽命期間中再加進N i鹽可 延長塗鍍溶及其重複使用。 (4 )由無電塗鍍構製銅種子層及銅塡滿使薄膜較之 由電鍍所製者堅硬，且增加電遷移之阻力。 (5 )由於無電塗鍍法並非爲使用甲醛水作爲還原齊ij 之無電塗鍍法，故減輕對人體及環境之影響，且亦可應用 於電路基體之銅接線上。 本實施例可根據本發明之技術構想，作各種修改。 例如，塗鍍溶液之組成份，諸如銅鹽，塗鍍加速劑， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-17- 524882 A7 五、發明說明（15 ) 還原劑，螯合劑，及其他預處理劑並 能力者亦可使用。而且，無電塗鍍不 片之積體電路之雙鑲嵌法及單鑲嵌法 他各種接線及欲塗鍍之所有產物上。 如上述，依據本發明，當欲塗鍍 受使用含有銅鹽，螯合劑，及還原劑 電塗鍍銅時，加進以無電塗鍍溶液之 準之1克分子％或以下之量之金屬， ，或鉑等之鹽於無電塗鍍溶液中，作 ，在無電塗鍍之初始階段中，具有較 金屬（塗鍍加速劑），諸如金，鎳， 之量沉澱於欲塗鍍之產物之表面上。 其上’可形成良好品質之銅鍍之薄膜ε 非關要，且具有相同 獨可應用於半導體晶 上，且亦可應用於其 之活化產物之表面接 之無電塗鍍溶液之無 組成份中之銅鹽爲基 諸如金，鎳，鈀，鈷 爲塗鍍加速劑。故此 銅爲局之ί隹化活性之 鈀，鈷，或鉑以適當 故此，銅均勻沉澱於 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -18-

Claims (1)

1. 524882 B8 C8 D8 丨公告本： 六、申鱗丽菌— 1 · 一種無電塗鍍方法，其中，當欲塗鍍 之表面接受使用含有銅鹽之無電塗鍍溶液之無 ，加進以無電塗鍍溶液之組成份中之銅鹽爲基 子％或以下之量之一螯合劑及一還原劑’諸如 之活化產物 電塗鑛銅時 準之1克分 金，鎳，鈀 鈷，或鉑之金屬之鹽於無電塗鍍溶液中，作爲塗鍍加速 請 先 閱 讀 背 面 劑 中， 量爲 塗鑛 中， 銅鹽 中， 中， 2 ·如申請專利範圍第1項所述之無電塗 當沉澱之銅量到達以無電塗鍍溶液之組成 基準之1 %重量或以上時，再加進該金屬 加速劑。 3 ·如申請專利範圍第2項所述之無電塗 再加進之金屬鹽之量爲以無電塗鍍溶液之 爲基準之1克分子％或以下。 4 ·如申請專利範圍第1項所述之無電塗 無電塗鍍溶液之p Η在8及1 2之間。 5 ·如申請專利範圍第1項所述之無電塗 無電塗鍍溶液之溫度在2 0及6 0 °C之間。 鍍方法，其 份中之銅含 之鹽，作爲 鍍方法，其 組成份中之 鍍方法，其 鍍方法，其 意 事 項

   頁 經濟部智慧財工消費合作社印製 6 · —種無電塗鍍溶液，其中，除銅鹽外，並加進以 港電塗鍍溶液之組成份中之銅鹽爲基準之1克分子％或以 钯，銘，或 塗鍍之活化 下之量之一螯合劑及一還原劑，諸如金，鎳 鉑之金屬之鹽，作爲無電塗鍍之加速劑，使欲 產物之表面接受無電塗鍍銅。 7 ·如申請專利範圍第6項所述之無電塗 中，當沉殿之銅量到達以無電塗鑛溶液之組成 鍍溶液，其 份中之銅含 衣妓永尺度適用中國國家標輋（CNS ) A4規格（210X297公赛） -19- 524882 ABCD 六、申請專利範圍 量爲基準之1 %重量或以上時 塗鍍加速劑。 再加進該金屬之鹽，作爲 I 8 .如申請專利範圍第7項所述之無電塗鍍溶液，其 中，再加進之金屬鹽之量爲以無電塗鍍溶液之組成份中之 銅鹽爲基準之1克分子％或以下。 9 .如申請專利範圍第6項所述之無電塗鍍溶液，其 中，無電塗鍍溶液之P Η在8及1 2之間。 1 〇 .如申請專利範圍第6項所述之無電塗鍍溶液， 其中，無電塗鍍溶液之溫度在2 0及6 0 t之間。 請 先 閱 讀 背 ιδ 之 意 事 項 再 填 寫 本 頁 經濟部智慧財4局自(工消費合作社印製 未纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20-