TW520546B - Plate assembly and a processing apparatus having the same - Google Patents

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520546 A7 ________B7 __ 五、發明説明（ ） 發明背景 1. 發明領域 本發明係有關於一種平板總成及具有該平板總成之一 處理裝置，並且特別係有關於一種平板總成及具有該平板 總成之一處理裝置’其中該平板總成包括一板，而一晶圓 係定位於該板上且在一處理室中以在一真空環境中進行一 製程。 2. 相關技術之說明 目前，由於在資訊媒體中廣泛使用電腦，在半導體記 憶體裝置正以快速的步伐發展以提供具有一高記憶儲存容 量及更快之操作速度的半導體裝置，為達此目的，在此技 術中之現今技術係集中在發展與實現具有一高度整合性、 回應速度、及可靠性的記憶裝置。因此，如用以形成一薄 膜、形成一細緻圖案、及植入離子之一製程需要高的處理 技術。 此外，這些處理技術所使用之真空、溫度、及氣體量 的種種條件必須準確地加以控制，除非準確地控制這些條 件，否則該半導體裝置之失效及一處理錯誤將會發生，使 得它對於該半導體裝置之可靠性及產率產生一不好的效 果。特別地’最近的處理技術係以滿足一高度真空之方式 發展。 該等處理技術之離子植入製程必須滿足真空之條件， 例如 1.0x10·6至 1·〇χ10·7Τ〇ΓΓ。 此外，該半導體裝置係藉重覆貫行該薄膜成形製程、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4规格（210X297公楚） .......Γ-#-裝..............Γ·#.............#.線· f請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -4- 520546 A7 B7 入 10 程 五、發明説明 該離子植入製程等來製造，因此，在製造該半導體裝置時， 必須依據運送、實施該等製程之次序來準確地控制一晶圓 之位置對齊。 如上所述’該半導體裝置之製造需要有一用以同時控 制該真空、溫度及氣體之所有條件，以及該晶圓之位置對 齊、加工次序等之控制技術，例如，該等處理技術之離子 植入技術需要以下相同的控制。該處理室具有一真空條 件’即1.0x10 。該晶圓係被放置在一該處理室中之一板 (即，夾盤）上，同時，該晶圓係位在該板之一預定位置上， 如上所述’該晶圓之配置之控制係在加空時於高度真空環 境中完成’因此，多數構件係設置在該板上以配置該晶圓 之位置。 韓國專利第1999-6995號，韓國專利第2〇〇〇_34535號， 曰本專利第7-221042號及Doue等人之美國專利第 4,971，676號揭露具有多數安裝於其上之構件之板的例子。 該晶圓係藉上述構件配置在該板上。 欲在該處理裝置中於高度真空環境中載送之晶圓的一 例子如下。 第1圖是顯示一習知處理裝置之示意圖。 請參閱第1圖，可注意到的是其中顯示一用以將離子植 晶圓W之裝置，用以植入離子之裝置包括一處理室 該處理室10係在一真空環境度為1·0χ10-6下進行一製 一平板總成12係設置在該處理室1 〇中，該晶圓w係放 置在該平板總成12上，該平板總成12具有一塾i2a及一支持 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁} .裝· :線丨 -5- 520546 A7 ______Β7_ 五、發明説明纟 ) 該墊12a之板12b，而該墊12a之一面在該晶圓W被定位在該 平板總成12上時與該晶圓w接觸。此時，該平板總成12與 該晶圓W之後表面緊密接觸，同時，用以將離子植入該晶 圓W中之裝置更包括一機械手臂14。因此，藉由使用該機 械手臂14,該裝置可將該晶圓w由該處理室10外載送至該 平板總成12並且由該平板總成12載送至該處理室1〇外。此 外’該裝置包括一升降機18及一升降機銷16，當該晶圓w 被載送時’該升降機18及該升降機銷16支持該晶圓之後表 面以定位及/或升起在/來自該平板總成12之該晶圓。該平 板總成12具有一用以支持該晶圓w之圍板2〇及一用以在該 晶圓w於該平板總成12上移動時引導該晶圓w之凸緣22， 該圍板20及該凸緣22係安裝在該平板總成12之一半周緣部 份處。 第2圖是用以解釋藉由如第1圖所示之處理裝置來載送 一晶圓之狀態的示意圖。 请參閱第2圖，在此可注意到該晶圓w係藉由該機械手 臂14移動到該平板總成12上或由其移動出來，特別地，該 升降機18及該升降機銷16上升以由該平板總成12舉起該晶 圓w。在此，該機械手臂14係位在該升降機銷16及被放在 該升降機銷16上之該晶圓W之間，接著，該升降機銷16向 下降’因此，該晶圓W係被放在該機械手臂14上，而當該 機械手臂14移動時再被運送。 - 此時，·該晶圓W藉由設置在該平板總成丨2上之多數構 件（圖未示）而維持在該機械手臂14上位置，如果該晶圓w 本紙張尺度適用中國國家標準（⑽）A4規格（21〇><297公爱）

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沒有準確地被放在該機械手臂14上，則該晶圓 械手臂14損壞而在其-表面上產生到痕。在-極端之= 中，在㈣機械手臂14載送時，該晶㈣會由該機械手臂 1曰4向上掉洛’這是因為當該升降機18與該升降機銷16使該 晶圓w上升時，在該平板總成12與該晶圓w間之一空間中 產生-壓力差的緣故，gp，在該處理室1()中之真空環境突 然地施加於上述空間。 在使用該裝置的許多情形中，該晶圓w不會準確地被 放置在該機械手臂14上，其原因i，如上所述，當該晶圓 w被該升降機18與該升降機銷16升起時，在該平板總成^ 與該晶圓W間之空間中產生之壓力差。 因此，在使用該裝置之真正製程中，當該晶圓w藉該 機械手臂14而被載送時，該晶圓…係在其一表面上被刮傷 或由該機械手臂14上掉落，故，該受損之晶圓必須重新加 工或丟棄。所以，所產生的一問題是在製造該半導體裝置 時使用該裝置會降低該晶圓之可靠性及產率。 發明概要 本發明係欲解決上述問題，並且因此本發明之第一目 的是提供一用以施加一處理室之真空環境於一晶圓之後表 面上的平板總成。 本發明之第二目的是提供一種用以施加一處理室之真 空環境於一晶圓之後表面上的處理裝置，藉此減少由於在 一晶圓之後表面上所產生之壓力差而產生之晶圓的不當配 置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚） 520546 A7 --—--- —_B7__ 五、發明説明· ） " — 為了達到本發明之第一目的，本發明提供一種平板總 成，其包括-設置在一處理室中以在一真空環境下進行一 製程的板，一工作件則被放置在該板上，-整係形成在該 板上且具有一設有多數凹孔之表面，使得該處理室之真空 環境可以被施加於與該墊接觸之該工作件之一後表面。 猎由形成上述凹孔，該處理室之真空環境係經由該墊 之凹孔而;加於被放置在該平板總成上之晶圓之後表面， 因此，當該晶圓被舉起時，由於突然施加該真空環境而產 生之該晶圓之不當配置可以減至最少。 為了達到本發明之第二目的，本發明提供-種處理裝 置，其包括一用以在一真空環境下進行一製程的處理室， 一包括一板之平板總成係設置在一用以在該真空環境下進 行一製程的處理室中，一工作件則被放置在該板上，一墊 係形成在該板上且具有一設有多數凹孔之表面，使得該處 理室之真空環境可以被施加於與該墊接觸之該工作件之一 後表面。一升降銷支持該工作件，當該工作件移動且定位 於該平板總成上時，該升降銷之末端與該工作件之後表面 之一預定部份接觸，該升降銷延伸穿過該平板總成以上下 移動。當該工作件被定位在與該升降銷連接之該平板總成 上時’一升降機使該升降銷上下移動。 該工作件可以是一用以製造一半導體裝置之晶圓，該 處理裝置包括一用以形成一膜於該晶圓上之裝置，一用以 在該晶圓中形成一圖案之裝置，及一用以將離子植入該晶 圓之裝置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇χ297公釐）

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發明説明 此外，該平板總成以具有一圓盤形狀且具有一比該工 更覓之面積，使得該工作件之後表面完全與該塾之表 面接觸者為佳。 該處理裝置可更包括一凸緣，其係包括一接連地設置 在一第一周緣部份及該平板總成之後表面處以在該升降機 上下移動時引導該工作件至該平板總成，一圍板係設置在 相對該第-周緣部份之該平板總成之一第二周緣部份並且 面向該凸緣以支持被該凸緣所支持之工作件。一機械手臂 由該處理室外載送該工作件至該平板總成並且由該平板總 成載送至該處理室外。 在該處理裝置中，該晶圓係藉使用該升降機與該升降 機鎖而被放在該平板總成上或由該平板總成上升起。該機 械手臂妨礙該升降機與該升降機銷的操作是不宜的，因 此，較佳地，該機械手臂具有一在其端部分叉之γ型的形 狀。 類似地，該升降機與該升降機銷妨礙該機械手臂之操 作亦不且因此，較佳地，該升降機銷係位在分又端之間 且更佳的是設置至少兩升降機銷。 該等凹孔具有一由該墊之一第一端側連續地延伸至一 相對㈣之第一端側的第二端側之槽形’較佳的是，當由 該晶圓之頂面看去時，該等凹孔係以一直線狀平行。 該塾係由-包括-橡膠之非鐵金屬材料所構成以減少 抵壓該晶圓之效應 > 二. 藉形成如上所述之凹孔，該真空環境係經由該墊之凹 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公楚）

(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝- 訂 線· -9- 520546 A7 — B7 五、發明説明k ) ^ ^ 孔來施加，因此，在該晶圓被升高時，該晶圓在該機械手 臂上由於突然施加該真空環境所造成之不當配置的情形可 減至最少。故，該晶圓之刮傷可以避免且因而可以安全地 運送。 圖式之簡蕈說明 本發明之上述及其他目的將可藉在與附圖一起考慮時 參考以下詳細說明而輕易地了解，其中·· 第1圖是一示意圖，顯示一習知處理裝置； 第2圖是一示意圖，說明藉操作如第1圖所示之處理裝 置而載送一晶圓之狀態； 第3圖是一示意圖，顯示一本發明之一實施例之處理裝 置； 第4圖是一示意圖，顯示一本發明之實施例之離子植入 機； 第5圖是一示意圖，顯示一本發明之實施例之膜成形裳 置； 第6圖是一立體圖，顯示一設置在本發明之實施例之膜 成形裝置中的平板總成； 第7圖是一沿著第6圖中之線W -W所截取之該平板總 成的截面圖； 第8圖是一示意圖，用以顯示一設置在第3圖之處理裝 置中的機械手臂；及 第9圖是一示意、圖，說明一藉第3圖中之處理裝置而舉 起被放在該平板總成上之晶圓之狀態。 本紙張尺度‘適用中國國家標準（⑽）A4規格（21〇)<297公釐） ,··.裝....... 訂-------------Φ-線. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 520546 A7 B7 五、發明説明 毯進實施例之謀细钤明 以下將配合附圖詳細說明本發明之較佳實施例。 第3圖是一示意圖，用以顯示一本發明之一實施例之處 理裝置。 在第3圖中，所顯示的是一離子植入機之一處理室及一 膜成形裝置之一處理室。 該離子植入機將加說明如下。 第4圖是一示意圖，用以顯示一本發明之一實施例之離 子植入機。 在第4圖中，所示的是一高能離子植入機，該離子植入 機包括一用以排出離子之離子源4〇〇，一用以加速所排出之 離子之離子加速器405,一用以在所排出之離子中選擇欲被 植入該晶圓W之離子的質量分析器41〇及一用以使所需之 離子具有方向性以將所植入之離子均勻地分配在該晶圓w 中的導向器415。 此外’該處理裝置包括該晶圓W定位於其中之一處理 室440 ’ 一平板總成445係設置在該處理室44〇中，而該晶圓 w則放置於該平板總成445上。該處理室44〇之真空度係不 小於1·0χ10·3Τ〇ΓΓ，最近，該處理室之真空度係不小於 1·0χ1(Γ6Τογγ ° 該膜成形裝置將說明如下。 第5圖是一示意圖，用以顯示本發明之一實施例之膜成 形裝置。 、 在第5圖中所示一用以藉一 CVD(化學真空蒸鑛）而形 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS) Α4規格（210X297公爱） ------------------------裝------------------訂................線- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -11- 520546 A7 --------- B7 五、發明説明έ ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 成一膜於該晶圓W上之裝置，該cVD製程係由在該膜成形 裝置中之電漿來完成。因此，該膜成形裝置具有用以供應 電力以產生電漿之電極555與560，而在該膜成形裝置中設 置有供該晶圓w放置於其上之一平板總成56〇，另一方面， 該平板總成係被當作其中一電極使用。 一處理至550具有不小於mo-STor之真空度，最 近’該處理室具有不小於1·〇χ1〇·6τ〇ΓΓ之真空度。 除了上述裝置以外，該處理裝置更包括一用以藉一濺 鍍法在該晶圓上形成一膜的裝置，一用以在該晶圓上形成 一精細圖案之裝置等。 如上所述，具有一處理室之另一處理裝置將參照第3 圖詳細加以說明，而在該處理室中，一製程係在高度真空 環境下進行。 首先’該處理裝置包括一處理室30，該處理室3〇主要 是在1·0χ10·6Τογγ之真空環境下進行一製程。 一平板總成32係設置在該處理室30中，而該晶圓貿係 放置在該平板總成32上。該平板總成32包括一用以與該晶 圓W面接觸的墊32a及一用以在該晶圓W被定位在該平板 總成32上時支持該墊32a之板32b。 該平板總成32將詳細說明如下。 第6圖是一立體圖，用以顯示一設置在第3圖中所示之 本發明之實施例之膜成形裝置中的平板總成且第7圖是沿 第6圖中之線通-Vi[所截取之該平板總成之截面圖。 在第6與7圖中，所顯示的是包括該墊32a與該板32b的 本紙張尺度適用_國國家標準（06) A4規格（210X297公爱） -12- 520546 A7 _：______B7 玉、發明説明（〇 ) 該平板總成32。 該塾32a具有多數凹孔，該等凹孔具有一由該墊32之一 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 側至另一側連續延伸而形成之槽形。此外，該等凹孔係具 有一直線通道的形狀，因此，該處理室3〇之真空環境係經 由該墊32a之凹孔而施加於該晶圓…之後表面。故，該真空 環i兄係施加於欲被放置在該平板總成3 2上之晶圓w之後表 面上。 另一方面，該平板總成32具有一由欲被定位在該平板 總成32上之工作件所決定之圓盤形狀，如果將該晶圓冒放 ^在該平板總成32上，如實施例所示者，該平板總成32大致 ~ 具有一圓盤形狀。 另外，該平板總成32具有大於該晶圓貿所具有之直徑 的直徑，因此，該平板總成32收容整個晶圓w，而其中該 晶圓w之後表面與該平板總成32接觸。 Φ 同時，該墊32a係由一不會影響使用該晶圓W之一製程 的材料構成，因此，該墊32a係由一非鐵金屬製成，且以一 橡膠材料為佳。此外，一矽成份可以被加入由一橡膠材料 構成之墊32a。 ^ 該處理裝置包括一機械手臂34 ,因此，該晶圓W係藉 該機械手臂34由該處理室30外載送至該平板總成32上或相 反地由該平板總成32載送至該處理室3〇外。 此外，該處理裝置包括一升降機38及一升降機銷％ , 在該處理裝置中，該平板總成32具有，該等通道穿過其中 之多數通道以便讓該升降機銷36沿著該等通道延伸通過該 ^紙張尺度適财關家標準（CNS) 2κ)χ297公楚 -----~~ -13-

A7 ' ----- B7_ 五、發明説明。^ 一·'~ - 平板總成32。該升降機38係連接於該升降機銷％以提供一 操作該升降機銷36使其上下移動之力，因此，該升降機銷 36與該升降機38可以接收來自處理室3〇外而被該機械手臂 34所載送之晶圓W且接著將該晶圓w施號在該平板總成w 上或相反地由該平板總成32舉起該機械手臂34之該晶圓W 並且將該晶圓W載送至該處理室30外。 第8圖是一用以顯示一安裝在第3圖中之處理裝置之機 械手臂的示意圖。 請參閱第8圖，該機械手臂34係在其一端分又的γ型以 便在載送該晶圓W時與該晶圓w之後表面接觸，因此，該 機械手臂34不會影響該等升降機銷36之操作。即，該等升 降機銷36係設置在該機械手臂34之分又之間，通常係設置 至少兩升降機銷36以便在該等升降機銷36接觸該晶圓…時 平衡該晶圓w。類似地，兩升降機銷36也較佳地設置在該 機械手臂34之分叉端之間。 一凸緣42係可樞轉地安裝在該平板總成32之一預定部 份處，該凸緣42在其一端處由該平板總成32之邊緣向上延 伸一預定南度並且在其另一端處由該平板總成32之邊緣向 該平板總成32之中心延伸。該凸緣42引導藉該升降機銷％ 由該機械手臂傳送至該平板總成32之晶圓w，該凸緣42係 被組合成可相對於該平板總成32以左與右方向移動，而該 凸緣42之移動係藉由該升降機38與該升降機銷36來達成。 一圍板40係設置在相對於-該凸緣42所安裝之該平板總成32 之周緣部份之該平板總成32之一周緣部份處，該等圍板4〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） ----------费 ί: (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 訂— 520546

支持受該凸緣42引導之晶圓w，因此凸緣42與該等圍板4〇 係用來如上所述地配置該晶圓w。 藉使用該裝置而將該晶圓W放置在該平板總成32之方 法如下 〇 首先，該機械手臂34將該晶圓W由該處理室3〇外載送 至該平板總成32上。 p 接著，該升降機38使欲被定位在一位於該機械手臂 之分叉端間之空間之升降機銷36上升，因此，該等升降機 銷36於其末端處接觸該晶圓貿之底面。當該等升降機銷％ | 上升時，組合於該平板總成32之凸緣42係被該升降機38壓 | ‘迫使得該凸緣42以-逆時針方向旋轉，此時，該晶圓輝 被保持成受該升降機銷36支持且該機械手臂34係以遠離該 平板總成32被拉回。 接著’該升降機38將該升降機銷36放下，因此，該晶 φ圓W被放在該平板總成32上，同時，安裝在該平板總成32 之周緣部處之該凸緣42係可樞轉地且順時針地移動至初始 位置以將在該平板總成32上之晶圓推向該圍板4〇。該晶圓 W係受該圍板4〇支持，即，該晶圓冒係被該升降機％及該 升降機銷3 6放在該平板總成32上並且被該凸緣42及該圍板 40配置。雖然將該晶圓W配置在該平板總成上之構件係如 上所述者，但是其他的構件也可以設置於該處理裝置以將 該晶圓配置在該平板總成上。 此時，進行使用該晶/圓W製造該半導體裝置之製程， 該處理室30具有高度真空環境，而其接著經由形成在該平 本紙張尺度適用中國國家標準（⑽）A4規格（21〇χ297公爱） -15- 520^40 A7 ________ B7 I-- -------- 五、發明説明（U ) 板總成之墊32a中之凹孔而施加於該晶圓w之後表面。 以下將說明在該製程於該高度真空環境中完成之後， 將該晶圓W載送至該處理室3〇外之方法。 第9圖是用以說明藉在第3圖中之處理裝置而將在該平 板總成上之晶圓升起之狀態的示意圖。 如第9圖所示，第9圖顯示藉升高該升降機銷36而將在 該平板總成上之晶圓升起之狀態。 首先，操作該升降機38而以一定速升起該升降機銷 3 6 ’因此’被放在該平板總成3 2上之晶圓W被該升降機銷 36由該平板總成32升起，此時，該晶圓w係在一業經配置 之狀態下被升高。如果該晶圓W被不當地配置，由該機械 手臂34所產生之該晶圓之移動將會受到干擾，一空間係形 成在該晶圓W與該平板總成32之間，而該處理室3〇之真空 環境係施加於該空間。因此，在該空間中產生壓力差，故， 該壓力差使該晶圓不當地配置在該升降機銷36上。但是， 在此實施例中，該真空環境係經由形成在該墊32a上之凹孔 而連續地施加於該晶圓W之後表面，使得在該晶圓w與該 平板總成3 2之間的空間在該真空環境中得以保持。所以， 該晶圓W由於壓力差而由該業經配置之位置產生之不當配 置在此實施例中被減至最少。該機械手臂34係被放在該平 板總成32上方’連續地操作該升降機38以將該升降機銷％ 拉下’因此，該晶圓W係被定位在該機械手臂34上且在該 升降機銷36及該平板總成32之間，接著被該機械手臂34載 • 送至該處理室30外❶此時，該晶圓w係連續地被固持在該 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公复） ........ '•訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 520546 A7 B7 五、發明説明（4 ) 業經配置之狀態。&，該晶圓w被該機械手臂34刮傷且由 該機械手臂34上掉落的情形得以避免。 依據本發明’其一優點是該晶圓之載送係在具有高度 真空裱境之處理室中進行，即，當該高度真空環境施加於 该晶圓之底面時’在載送該晶圓時由於壓力差而產生之晶 圓不當配置可減至最少。 因此’在載送該晶圓時發生之問題可以解決，因為該 曰曰圓之載送可以穩定地進行，故，該等用以製造半導體裝 置之製程之可靠性及產率可以改善。 雖然本發明之較佳實施例已說明過了，在此應了解的 是本發明不限於這些較佳實施例，而且熟習此項技術者可 以在以下申請專利範圍之精神與範疇内進行各種變化與修 改0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· •訂丨 :線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -17- 520546 A7 B7 五、發明説明“) 【元件標號對照表】 10...處理室 450…平板總成 12...平板總成 550...處理室 12a···墊 555,560…電極 12b···板 560...平板總成 14...機械手臂 λν...晶圓 16...升降機銷 18...升降機 20...圍板 2 2…凸緣 30…處理室 32...平板總成 32a…墊 32b…板 34...機械手臂 36…升降機銷 38...升降機 40...圍板 42...凸緣 400...離子源 405…離子加速器 410…質量分析器 415...導向器 440…處理室 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -18

Claims (1)

1. A8 B8 ____ C8 ' ---~---- D8_ ^申請^ L一種平板總成，其包含： 板’係設置在一處理室中以在一真空環境下進行 處理’一工作件則被放置在該板上；及， 塾’係形成在該板上且具有一設有多數凹孔之表 面，使得該處理室之真空環境可以被施加於與該墊接觸 之該工作件之一後表面。 2·如申請專利範圍第1項之平板總成， 其中該處理室之真空 度係不小於1〇Χ1〇·3Τ〇1Τ。 申叫專利範圍第1項之平板總成，其中該平板總成具有 一圓盤形狀。 如申明專利範圍第丨項之平板總成，其中該平板總成具有 較該工作件更寬之區域以使該工作件之後表面與該墊之 表面完全接觸。 5·如申請專利範圍第丨項之平板總成，其中該等凹孔具有一 由該墊之一第一端側延伸至一相對該墊之第一端側的第 一端側之槽形。 如申叫專利範圍第1項之平板總成，其中該墊係由一非鐵 金屬材料構成。 7·如申請專利範圍第6項之平板總成，其中該墊係由一橡膠 材料構成。 8·如申請專利範圍第1項之平板總成，其中該工作件係一用 以製造一半導體裝置之晶圓。 9·一種處理裝置，其包括： 一處理室，用以在一真空環境下進行一製程者； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再«窝本頁)

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   包括一設置在 進行一製程的虚— —^ 1在該真空環境下 上 ’理室巾之板’而—卫作件被放置在該板 墊’該墊係形成在該板上且具有—設有多數凹 墊接觸二::該處理室之真空環境可以被施加於與該 接觸之該:L作件之_後表面；

   -升降銷’係用以支持該工作件者，當在該平板總 成之該工作件移動時，該升降銷之末端與該工作件之 後表面之-預㈣份接觸，且該升降㈣伸穿過該平板 總成以上下移動；及 升降機，係用以使該升降銷上下移動者，在該平 板總成上之該工作件移動時，該升降機與該升降銷連接。 10·如申明專利範圍第9項之處理裝置，更包含： 一凸緣，其係接連地設置在一第一周緣部份及該平 板總成之一後表面處以引導該工作件朝向該平板總 成該凸緣係依據該升降機之上下移動而水平地移動； 及 ， 一圍板，其係設置在相對該第一周緣部份之該平板 總成之-第二周緣部份，且該圍板面向該凸緣以支持被 該凸緣所支持之工作件。 11·如申請專利範圍第9項之處理裝置，更包含一機械手 臂，其係用以由該處理室外載送該工作件至該平板總成 並且由該平板總成載送至該處理室外。 12·如申請專利範圍第u項之處理裝置，其中該機械手臂具 有一Y型的形狀且在與該工作件之後表面接觸之狀態 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS) A4規格（210X297公爱) -20- A8 B8 C8 D8

   、申請專利範圍 下載送該工作件。 f請先閱讀背面之注意事頊再墦穷本頁) 13.如申請專利範圍第9項之處理裝置，其中該處理室之真 空度係不小於10x1 。 14·如申請專利範圍第9項之處理裝置，其中該平板總成具 有一圓盤形狀。 15.如申請專利範圍第9項之處理裝置，其中該平板總成具 有較該工作件更寬之區域以使該工作件之後表面與該 塾之表面完全接觸。 16·如申請專利範圍第9項之處理裝置，其中該等凹孔具有 由該墊之一第一端側延伸至一相對該墊之第一端側 的第二端側之槽形。 訂· 17·如申請專利範圍第9項之處理裝置，其中該塾係由一包 括一橡膠材料之非鐵金屬材料構成。 18·如申請專利範圍第9項之處理裝置，其中該處理裝置具 有至少兩升降機銷。 19·如申請專㈣圍第9項之處理裝置，其中該工作件是一 用以製ia半導體裝置之晶圓，並且該處理裝置是一用 以形成一膜於該晶圓上之裝置。 2〇·如申請專利範圍第9項之處理裝置，其中該卫作件是一 用以製U—半導體裝置之晶圓，並且該處理裝置是一用 以將離子植入該晶圓之離子植入機。

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