JPH07221042A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JPH07221042A JPH07221042A JP6011053A JP1105394A JPH07221042A JP H07221042 A JPH07221042 A JP H07221042A JP 6011053 A JP6011053 A JP 6011053A JP 1105394 A JP1105394 A JP 1105394A JP H07221042 A JPH07221042 A JP H07221042A
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- Japan
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- wafer
- clamper
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- central
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 イオン注入時、ウエハ表面に発生するチャー
ジアップ現象を低減、もしくは皆無にできるイオン注入
装置を得る。 【構成】 ディスクパッドが、ウエハ２の周辺部におい
て該ウエハ２の表面に接触する周辺クランパ３と、ウエ
ハ２の中央部で該ウエハ２の表面に接触する中央クラン
パ７とを備えた構成とする。 【効果】 従来よりも接地電位とウエハ表面の接触する
部分の面積を増加でき、また、ウエハ面内でクランパか
ら最も離れた部分からクランパまでの距離を小さくで
き、ウエハ表面に発生する電荷の排除を従来よりも容易
とできる。
ジアップ現象を低減、もしくは皆無にできるイオン注入
装置を得る。 【構成】 ディスクパッドが、ウエハ２の周辺部におい
て該ウエハ２の表面に接触する周辺クランパ３と、ウエ
ハ２の中央部で該ウエハ２の表面に接触する中央クラン
パ７とを備えた構成とする。 【効果】 従来よりも接地電位とウエハ表面の接触する
部分の面積を増加でき、また、ウエハ面内でクランパか
ら最も離れた部分からクランパまでの距離を小さくで
き、ウエハ表面に発生する電荷の排除を従来よりも容易
とできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体製造プロセス等
に用いられるイオン注入装置に関するものである。
に用いられるイオン注入装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５(a) ，(b) は従来のイオン注入装置
のエンドステーション部のディスクパッドの構成を示す
平面図及び断面図である。図において、１ａはステー
ジ、２はステージ１上に載置されたウエハ、２ａはウエ
ハに設けられたオリエンテーションフラット、３はウエ
ハ２の周辺を固定する周辺クランパ、１ｂは周辺クラン
パ３をステージ１ａに固定するリングである。
のエンドステーション部のディスクパッドの構成を示す
平面図及び断面図である。図において、１ａはステー
ジ、２はステージ１上に載置されたウエハ、２ａはウエ
ハに設けられたオリエンテーションフラット、３はウエ
ハ２の周辺を固定する周辺クランパ、１ｂは周辺クラン
パ３をステージ１ａに固定するリングである。
【０００３】図６はイオン注入時の動作を説明するため
の図であり、図において、図５と同一符号は同一又は相
当部分であり、４はプラスイオン、５はイオン注入によ
ってウエハ上に蓄積されたプラス電荷である。
の図であり、図において、図５と同一符号は同一又は相
当部分であり、４はプラスイオン、５はイオン注入によ
ってウエハ上に蓄積されたプラス電荷である。
【０００４】次に動作について説明する。イオン注入に
よって、任意の不純物を注入する場合、図７に示すよう
に、ウエハ２はディスクパッドのステージ１ａに載せら
れ、周辺クランパ３によって周辺を固定される。
よって、任意の不純物を注入する場合、図７に示すよう
に、ウエハ２はディスクパッドのステージ１ａに載せら
れ、周辺クランパ３によって周辺を固定される。
【０００５】図６において、注入される不純物は、図示
しない高電位部から接地電位であるウエハ２を含むディ
スクパッドに向かってプラスイオン４の状態で一様に照
射される。
しない高電位部から接地電位であるウエハ２を含むディ
スクパッドに向かってプラスイオン４の状態で一様に照
射される。
【０００６】ここで、不純物が照射されるウエハの一
部，もしくは全体の表面が絶縁物に覆われていて、ウエ
ハ全体の表面が十分に接地されない構造を有している場
合、絶縁膜へのプラスイオンの衝突，混入により２次電
子が発生し、この２次電子が雰囲気中に飛散すること等
によって、２次電子の発生に伴って発生したプラス電荷
の一部が絶縁膜表面上に取り残される等の現象により、
絶縁膜表面には図６に示すようにプラス電荷５が発生す
る。上述のように、ウエハ全体の表面が十分に接地され
ない構造を有している場合、連続的なプラスイオンの照
射にともなって、絶縁膜表面には多量のプラス電荷が蓄
積される、いわゆるチャージアップ現象が生ずる。この
とき、絶縁膜がウエハ上に形成されたデバイスのゲート
酸化膜である場合は、上述のようにして蓄積されたプラ
ス電荷によって絶縁膜の表面側とウエハ側との間に生じ
る絶縁膜の厚み方向の電場により、絶縁膜中で誘電分極
がおこり、ゲート酸化膜の耐圧が劣化する現象が生じ
る。また、絶縁膜がコンタクト開口部を有する酸化膜で
あるような場合には、上述のようにして絶縁膜上に蓄積
されたプラス電荷がコンタクト開口部側壁に沿って接地
される際に生じる放電により、酸化膜コンタクト開口部
が破壊する現象が起こる。
部，もしくは全体の表面が絶縁物に覆われていて、ウエ
ハ全体の表面が十分に接地されない構造を有している場
合、絶縁膜へのプラスイオンの衝突，混入により２次電
子が発生し、この２次電子が雰囲気中に飛散すること等
によって、２次電子の発生に伴って発生したプラス電荷
の一部が絶縁膜表面上に取り残される等の現象により、
絶縁膜表面には図６に示すようにプラス電荷５が発生す
る。上述のように、ウエハ全体の表面が十分に接地され
ない構造を有している場合、連続的なプラスイオンの照
射にともなって、絶縁膜表面には多量のプラス電荷が蓄
積される、いわゆるチャージアップ現象が生ずる。この
とき、絶縁膜がウエハ上に形成されたデバイスのゲート
酸化膜である場合は、上述のようにして蓄積されたプラ
ス電荷によって絶縁膜の表面側とウエハ側との間に生じ
る絶縁膜の厚み方向の電場により、絶縁膜中で誘電分極
がおこり、ゲート酸化膜の耐圧が劣化する現象が生じ
る。また、絶縁膜がコンタクト開口部を有する酸化膜で
あるような場合には、上述のようにして絶縁膜上に蓄積
されたプラス電荷がコンタクト開口部側壁に沿って接地
される際に生じる放電により、酸化膜コンタクト開口部
が破壊する現象が起こる。
【０００７】従来のイオン注入装置は、ウエハの周辺部
においてウエハの表面と接触している導電性の周辺クラ
ンパ３を備えており、絶縁膜表面に発生したプラス電荷
５の一部は、図８に示すように、この周辺クランパ３を
通って、ディスクパッドを含む全体の電位である接地電
位に引き抜かれる。また、ウエハ周辺部においては、プ
ラスイオンが周辺クランパ３に衝突することによって発
生した２次電子によって絶縁膜表面上のプラス電荷が中
和されるという現象が生じる。このため、ウエハ周辺部
においては、絶縁膜上のプラス電荷の蓄積は非常に少な
い。
においてウエハの表面と接触している導電性の周辺クラ
ンパ３を備えており、絶縁膜表面に発生したプラス電荷
５の一部は、図８に示すように、この周辺クランパ３を
通って、ディスクパッドを含む全体の電位である接地電
位に引き抜かれる。また、ウエハ周辺部においては、プ
ラスイオンが周辺クランパ３に衝突することによって発
生した２次電子によって絶縁膜表面上のプラス電荷が中
和されるという現象が生じる。このため、ウエハ周辺部
においては、絶縁膜上のプラス電荷の蓄積は非常に少な
い。
【０００８】一方、ウエハの中央部分において発生した
プラス電荷は、より周辺側において生じた２次電子との
結合等により実質的にウエハ周辺部に移動し、周辺クラ
ンパまで辿り着いた電荷は、周辺クランパ３を通って接
地電位に引き抜かれる。発生したプラス電荷の周辺クラ
ンパまでの距離が大きければそれだけ周辺クランパまで
辿り着くまでの時間は長くなり、このため、ウエハ中央
部分では、連続的なイオンの照射によるプラス電荷の発
生に追従できず、絶縁膜上に多量のプラス電荷が蓄積さ
れることとなる。
プラス電荷は、より周辺側において生じた２次電子との
結合等により実質的にウエハ周辺部に移動し、周辺クラ
ンパまで辿り着いた電荷は、周辺クランパ３を通って接
地電位に引き抜かれる。発生したプラス電荷の周辺クラ
ンパまでの距離が大きければそれだけ周辺クランパまで
辿り着くまでの時間は長くなり、このため、ウエハ中央
部分では、連続的なイオンの照射によるプラス電荷の発
生に追従できず、絶縁膜上に多量のプラス電荷が蓄積さ
れることとなる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来のイオン注入装置
は以上のように構成されているので、絶縁膜上への電荷
の蓄積を十分に抑えられる箇所はウエハの周辺のみに限
られ、十分にプラス電荷をウエハ表面から取り除くこと
ができないという問題点があった。
は以上のように構成されているので、絶縁膜上への電荷
の蓄積を十分に抑えられる箇所はウエハの周辺のみに限
られ、十分にプラス電荷をウエハ表面から取り除くこと
ができないという問題点があった。
【００１０】また、ウエハ表面の周辺と中央とで、蓄積
されるプラス電荷の個数が異なるため、図９のウエハ上
に形成されたデバイスのゲート耐圧のウエハ面内分布が
示すように、ウエハ面内において絶縁膜の品質の不均一
が生じるという問題点があった。
されるプラス電荷の個数が異なるため、図９のウエハ上
に形成されたデバイスのゲート耐圧のウエハ面内分布が
示すように、ウエハ面内において絶縁膜の品質の不均一
が生じるという問題点があった。
【００１１】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、イオン注入時、ウエハの表面の
中央部分の絶縁膜上へのプラス電荷の蓄積を低減できる
とともに、ウエハ全体にわたる表面の電荷の蓄積を低
減、あるいは皆無にできるイオン注入装置を得ることを
目的とする。
ためになされたもので、イオン注入時、ウエハの表面の
中央部分の絶縁膜上へのプラス電荷の蓄積を低減できる
とともに、ウエハ全体にわたる表面の電荷の蓄積を低
減、あるいは皆無にできるイオン注入装置を得ることを
目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明に係るイオン注
入装置は、そのディスクパッドが、ウエハの周辺部にお
いて該ウエハの表面に接触する周辺クランパと、ウエハ
の中央部で該ウエハの表面に接触する中央クランパとを
備えたものである。
入装置は、そのディスクパッドが、ウエハの周辺部にお
いて該ウエハの表面に接触する周辺クランパと、ウエハ
の中央部で該ウエハの表面に接触する中央クランパとを
備えたものである。
【００１３】またこの発明に係るイオン注入装置は、さ
らに、上記中央クランパの電位を上記周辺クランパの電
位に対し、これと同じ接地電位あるいは高電位，低電位
の任意の電位とする電位設定手段を備えたものである。
らに、上記中央クランパの電位を上記周辺クランパの電
位に対し、これと同じ接地電位あるいは高電位，低電位
の任意の電位とする電位設定手段を備えたものである。
【００１４】
【作用】この発明におけるイオン注入装置は、ウエハの
中央部で該ウエハの表面に接触する中央クランパを付加
した構成としたから、従来よりも接地電位とウエハ表面
の接触する部分の面積を増加でき、また、ウエハ面内で
クランパから最も離れた部分からクランパまでの距離を
小さくでき、よって、ウエハ表面に発生する電荷の排除
を従来よりも容易とできる。また、ウエハ面内のクラン
パからの距離の差を緩和でき、電荷の蓄積量のウエハ面
内の位置による不均一性も緩和できる。
中央部で該ウエハの表面に接触する中央クランパを付加
した構成としたから、従来よりも接地電位とウエハ表面
の接触する部分の面積を増加でき、また、ウエハ面内で
クランパから最も離れた部分からクランパまでの距離を
小さくでき、よって、ウエハ表面に発生する電荷の排除
を従来よりも容易とできる。また、ウエハ面内のクラン
パからの距離の差を緩和でき、電荷の蓄積量のウエハ面
内の位置による不均一性も緩和できる。
【００１５】また、この発明におけるイオン注入装置
は、さらに中央クランパの電位を周辺クランパの電位に
対し、これと同じ接地電位あるいは高電位，低電位の任
意の電位とする電位設定手段を備えた構成としたから、
中央クランパと周辺クランパの間に電場を形成して、ウ
エハ表面に発生する電荷にクランパ方向に力を加えるこ
とができ、その排除をさらに容易とできる。
は、さらに中央クランパの電位を周辺クランパの電位に
対し、これと同じ接地電位あるいは高電位，低電位の任
意の電位とする電位設定手段を備えた構成としたから、
中央クランパと周辺クランパの間に電場を形成して、ウ
エハ表面に発生する電荷にクランパ方向に力を加えるこ
とができ、その排除をさらに容易とできる。
【００１６】
実施例１．図１(a) ，(b) は本発明の一実施例によるイ
オン注入装置のエンドステーション部のディスクパッド
の構成を示す平面図及び断面図である。図において、１
ａはステージ、２はステージ１上に載置されたウエハ、
２ａはウエハに設けられたオリエンテーションフラッ
ト、３はウエハ２の周辺を固定する周辺クランパ、１ｂ
は周辺クランパ３をステージ１に固定するリング、７は
中央部に設けられた中央クランパである。
オン注入装置のエンドステーション部のディスクパッド
の構成を示す平面図及び断面図である。図において、１
ａはステージ、２はステージ１上に載置されたウエハ、
２ａはウエハに設けられたオリエンテーションフラッ
ト、３はウエハ２の周辺を固定する周辺クランパ、１ｂ
は周辺クランパ３をステージ１に固定するリング、７は
中央部に設けられた中央クランパである。
【００１７】図３は本実施例のイオン注入時の動作を説
明するための図である。図３において、図１と同一符号
は同一又は相当部分であり、４はプラスイオン、５はイ
オン注入によってウエハ上に蓄積されたプラス電荷であ
る。
明するための図である。図３において、図１と同一符号
は同一又は相当部分であり、４はプラスイオン、５はイ
オン注入によってウエハ上に蓄積されたプラス電荷であ
る。
【００１８】次に動作について説明する。イオン注入を
行う場合、図２に示すように、ウエハ２はあらかじめ中
央クランパ７と同じ形状に中央を加工された状態、即ち
中央部分に中央クランパ７の軸を通すための貫通孔２ｂ
が設けられた状態でステージ１ａに載せられ、周辺クラ
ンパ３と中央クランパ７によって周辺と中央を固定され
る。
行う場合、図２に示すように、ウエハ２はあらかじめ中
央クランパ７と同じ形状に中央を加工された状態、即ち
中央部分に中央クランパ７の軸を通すための貫通孔２ｂ
が設けられた状態でステージ１ａに載せられ、周辺クラ
ンパ３と中央クランパ７によって周辺と中央を固定され
る。
【００１９】中央クランパ７は導電性材料で形成されて
おり、図３に示すように、周辺クランパ３と同じ接地電
位となっている。従って、ウエハ表面と接地電位のクラ
ンパが接触する面積は、周辺クランパ３のみを備えた従
来のイオン注入装置に比べ、中央クランパ７が接触する
面積が加算され増加する。
おり、図３に示すように、周辺クランパ３と同じ接地電
位となっている。従って、ウエハ表面と接地電位のクラ
ンパが接触する面積は、周辺クランパ３のみを備えた従
来のイオン注入装置に比べ、中央クランパ７が接触する
面積が加算され増加する。
【００２０】また、周辺クランパ３のみを備えた従来の
イオン注入装置では、クランパまでの距離が大きいた
め、ここに辿り着くまでの時間が長くなり、連続的な電
荷の発生に追従できず、排除がなされなかったウエハ中
央部近傍の絶縁膜上のプラス電荷は、本実施例では周辺
クランパ３よりも近い距離にある中央クランパ７より排
除されることが可能となる。
イオン注入装置では、クランパまでの距離が大きいた
め、ここに辿り着くまでの時間が長くなり、連続的な電
荷の発生に追従できず、排除がなされなかったウエハ中
央部近傍の絶縁膜上のプラス電荷は、本実施例では周辺
クランパ３よりも近い距離にある中央クランパ７より排
除されることが可能となる。
【００２１】ここで、中央クランパ７の大きさはウエハ
上に形成されるチップサイズ程度（約１０〜２０mmφ）
であり、この中央クランパの設置によって、中央の１チ
ップ分が皆無となるが、ウエハの中央近傍の多数（５〜
９ケ）のチップに関して、プラス電荷の蓄積による絶縁
膜劣化に起因する不良を防ぐことができるので結果的に
歩留りを向上することができるものである。
上に形成されるチップサイズ程度（約１０〜２０mmφ）
であり、この中央クランパの設置によって、中央の１チ
ップ分が皆無となるが、ウエハの中央近傍の多数（５〜
９ケ）のチップに関して、プラス電荷の蓄積による絶縁
膜劣化に起因する不良を防ぐことができるので結果的に
歩留りを向上することができるものである。
【００２２】このように、本実施例では、ウエハ２の周
辺部でウエハ表面に接触する周辺クランパ３の他に、ウ
エハ中央部でウエハ表面に接触する中央クランパ７を備
えた構成としたので、接地電位とウエハ表面の接触する
部分の面積を増加でき、また、ウエハ面内でクランパか
ら最も離れた部分からクランパまでの距離を小さくで
き、これにより、ウエハ表面に発生するプラス電荷の排
除を従来よりも容易とでき、ウエハ全体にわたる表面の
プラス電荷の蓄積を低減できる。また、ウエハ面内のク
ランパからの距離の差を緩和でき、プラス電荷の蓄積量
のウエハ面内の位置による不均一性も緩和できる。
辺部でウエハ表面に接触する周辺クランパ３の他に、ウ
エハ中央部でウエハ表面に接触する中央クランパ７を備
えた構成としたので、接地電位とウエハ表面の接触する
部分の面積を増加でき、また、ウエハ面内でクランパか
ら最も離れた部分からクランパまでの距離を小さくで
き、これにより、ウエハ表面に発生するプラス電荷の排
除を従来よりも容易とでき、ウエハ全体にわたる表面の
プラス電荷の蓄積を低減できる。また、ウエハ面内のク
ランパからの距離の差を緩和でき、プラス電荷の蓄積量
のウエハ面内の位置による不均一性も緩和できる。
【００２３】実施例２．なお、上記実施例では、中央ク
ランパ７が接地電位の場合、即ち周辺クランパと等電位
であるものについて説明したが、中央クランパ７が周辺
クランパよりも高電位、もしくは低電位であってもよ
い。
ランパ７が接地電位の場合、即ち周辺クランパと等電位
であるものについて説明したが、中央クランパ７が周辺
クランパよりも高電位、もしくは低電位であってもよ
い。
【００２４】図４は中央クランパ７の電位を周辺クラン
パよりも高電位、もしくは低電位とできる本発明の他の
実施例の構成を示す図である。本実施例では、中央クラ
ンパ７が接地電位の周辺クランパ３に対し、交流電源８
によって周期的に電位状態が変化するようになってい
る。ここで交流電源の電圧はイオン注入に影響を与えな
いよう、イオン注入エネルギよりも２〜３桁低い電圧と
する。例えば５０ＫｅＶの注入エネルギに対し、単相１
００Ｖの交流電源を用いる。
パよりも高電位、もしくは低電位とできる本発明の他の
実施例の構成を示す図である。本実施例では、中央クラ
ンパ７が接地電位の周辺クランパ３に対し、交流電源８
によって周期的に電位状態が変化するようになってい
る。ここで交流電源の電圧はイオン注入に影響を与えな
いよう、イオン注入エネルギよりも２〜３桁低い電圧と
する。例えば５０ＫｅＶの注入エネルギに対し、単相１
００Ｖの交流電源を用いる。
【００２５】これによって、ウエハ表面上には周辺方向
もしくは中央方向に一様な電場が形成できるため、ウエ
ハ表面に発生した電荷５はその極性によって中央クラン
パ７方向、または周辺クランパ３方向に力を加えられる
ため、より容易に排除されることとなる。
もしくは中央方向に一様な電場が形成できるため、ウエ
ハ表面に発生した電荷５はその極性によって中央クラン
パ７方向、または周辺クランパ３方向に力を加えられる
ため、より容易に排除されることとなる。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、この発明にかかるイオン
注入装置によれば、中央クランパをディスクパッドに付
加したので、ウエハ表面の電荷を従来よりも多く、かつ
均一に取り除くことができる効果がある。
注入装置によれば、中央クランパをディスクパッドに付
加したので、ウエハ表面の電荷を従来よりも多く、かつ
均一に取り除くことができる効果がある。
【図１】この発明の一実施例によるイオン注入装置のデ
ィスクパッドの構造を示す平面図及び断面図である。
ィスクパッドの構造を示す平面図及び断面図である。
【図２】図１に示すイオン注入装置にウエハを載置する
様子を示す図である。
様子を示す図である。
【図３】この発明の一実施例によるイオン注入装置の動
作を説明するためのディスクパッドの電位図である。
作を説明するためのディスクパッドの電位図である。
【図４】この発明の他の実施例によるイオン注入装置の
動作を説明するためのディスクパッドの電位図である。
動作を説明するためのディスクパッドの電位図である。
【図５】従来のイオン注入装置のディスクパッドの構造
を示す平面図及び断面図である。
を示す平面図及び断面図である。
【図６】ウエハ表面に発生する電荷を示す図である。
【図７】図５に示すイオン注入装置にウエハを載置する
様子を示す図である。
様子を示す図である。
【図８】ウエハ表面より電荷が排除される様子を示す図
である。
である。
【図９】ゲート耐圧のウエハ面内分布を示す図である。
１ａ ステージ １ｂ リング ２ ウエハ ３ 周辺クランパ ４ プラスイオン ５ 電荷 ７ 中央クランパ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関谷 晃一 兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地 菱電セミ コンダクタシステムエンジニアリング株式 会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 エンドステーション部に、ウエハが載置
されるディスクパッドを備えたイオン注入装置におい
て、 上記ディスクパッドが、ウエハの周辺部において該ウエ
ハの表面に接触する周辺クランパと、ウエハの中央部で
該ウエハの表面に接触する中央クランパとを備えたこと
を特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のイオン注入装置におい
て、 上記中央クランパの電位を上記周辺クランパの電位に対
し任意の電位とする電位設定手段を備えたことを特徴と
するイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6011053A JPH07221042A (ja) | 1994-02-02 | 1994-02-02 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6011053A JPH07221042A (ja) | 1994-02-02 | 1994-02-02 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07221042A true JPH07221042A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=11767286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6011053A Pending JPH07221042A (ja) | 1994-02-02 | 1994-02-02 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07221042A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002124484A (ja) * | 2000-10-17 | 2002-04-26 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | パーティクル除去方法及びその装置 |
| US6746540B2 (en) | 2001-03-06 | 2004-06-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wafer support plate assembly having recessed upper pad and vacuum processing apparatus comprising the same |
| JP2013171637A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | Ulvac Japan Ltd | イオン注入装置 |
-
1994
- 1994-02-02 JP JP6011053A patent/JPH07221042A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002124484A (ja) * | 2000-10-17 | 2002-04-26 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | パーティクル除去方法及びその装置 |
| US6746540B2 (en) | 2001-03-06 | 2004-06-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wafer support plate assembly having recessed upper pad and vacuum processing apparatus comprising the same |
| JP2013171637A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | Ulvac Japan Ltd | イオン注入装置 |
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