TW518906B - Ceramic heater - Google Patents

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經濟部中央標準局員工消費合作社印製 $18906 A7 五、發明説明（1 ) " ~~ 本發明係有關於一種使用在各種半導體製造裝置、蝕 刻裝置等的陶瓷加熱器的製造方法。 本發明之申請人曾揭露一種陶瓷加熱器，其在由祠密 的陶兗材料製成的圓盤狀基體的内部中，埋設由高炼點ς 屬製成的金屬線（wire)。此金屬線在圓盤狀基體内部以螺 旋狀捲繞，且此金屬線的兩端分別與端子連接。如上述構 成的陶瓷加熱器，已被發現其被利用在半導體製造用的裝 置中％，特別具有優良的特性。然而，此陶兗加熱器必須 =下述般製造：首先’將由高熔點金屬製成的金屬線以螺 旋狀捲繞，在金屬線的兩端附屬端子（電極），且在真空中 進行退火（armeal)。另一方面，充填陶瓷粉狀材料入壓製 (Press)成形機中，且事先成形至所需的硬度，同時在事先 成型體的表面設置凹部。然後，在此凹部中收容金屬線， 且在其上充填陶瓷粉狀材料。之後，將陶瓷粉狀材料一軸 加壓成形，而製作成圓盤狀成形體，進而由熱壓（h〇t pas) 燒結成圓盤狀成形體。 士然而，從退火用裝置運送阻抗加熱體至事先成形體 時，阻抗加熱體的形狀不破壞是很困難的，因此，其形狀 的破壞是不可避免的。又，在事先成型體的凹部設置阻抗 加熱體後，伴隨著一軸加壓成形充填陶瓷粉狀材料在事先 成型體上。然而，因為粉狀材料的充填密度會隨著部位不 同而不同，阻抗加熱體的形狀在此時也很容易破壞。 為了解決上述問題，本發明之申請人在日本專利特願 平4-66157號中提出-種方法，其在上述事先成形體的表 ________ 4 本紙張尺度適用中國^家標準（CNS ) A4現格（21GX297公羡） -—- (請先閣讀背面之注意事項*再本頁) -裝· 518906 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（2 ) 面上设置金屬羯，且在事先成形體上充填陶竟粉狀材料， 並由一軸加壓成形所得的陶瓷粉狀材料來製作圓盤狀成形 體。根據此方法，因為阻抗加熱體是由金屬箔製成，其不 像金屬線會產生三度空間的變形，因此在搬運時或設置時 形狀不會破壞。又，在曰本專利特開平6 260263號中， f提出在稠密的陶瓷基體内部埋設箱狀阻抗體而製造出陶 曼加熱的方法：首先，藉由冷等壓加壓（c〇ld is〇static 卿雜製作複數個陶究成形體，此複數個㈣成形體形 成積層，同時在複數個陶竟成形體之間失有由高溶點金屬 开/成的4狀阻抗體，之後由熱壓燒結此積層體。 本考X明針對上述各種陶兗加&器檢討改《，特別是以 如何減少陶莞加熱器的厚度作為開發改進的主題。對此， 已知在稠密的陶究基體内埋設上述箱狀的阻抗加熱體之陶 e加？器比在其中埋設線狀的阻抗加熱體之陶瓷加熱器的 厚度薄。然而，在陶曼基體内埋設箱狀的阻抗加熱體的加 熱器，已被發現有以下的問題。亦即，當陶竟加熱器重覆 地遭受熱循環數次時（例如陶瓷加熱器在300V以上中操 作甚至疋在300 C〜11 〇〇〇C的高溫區域中操作，然後被 冷卻至HHTC以下的溫度區域時），一些陶竞基體會產生 部分.的裂縫（crack)。 本發明的目的在於提供一種具有埋設在陶究基體中的 阻抗加熱體之陶莞加熱器，其可有效減少陶竟基體的厚 度’且當遭受在高溫區域和室溫區域之間重覆升降的熱循 環時，其耐久性提高。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) 八敉Τ' (請先閱讀背面之注意事項真本頁) -裝- 訂 518906 A7 五、發明説明（3 本發明係有關於一種陶竞加熱器，包括具有加敎面的 陶竟基體，以及埋設在陶究基體内的阻抗加熱體^中阻 抗加熱體的至少-部份是由網狀物所構成，且在網狀物的 網目中充填有構成陶瓷基體的陶瓷。 树明之發明人調查在㈣基體中埋設狀的阻抗加 熱體％，因為熱循環而使陶究基體發生裂縫的原因， 得到以下暫定的結論。也就是說，因為在加熱器中埋設作 為阻抗加熱體的金屬箱，金屬和陶竟之間的密著性不良， 因此在金屬猪的主面和陶究之間會產生細微的間隙。此細 微的間隙會阻礙熱傳導，所以熱輻射便很容易產生，進而 使金屬箔和陶瓷之間的溫度差有變大的傾向。當溫度上升 時，陶兗溫度比金屬箱低，所以金屬箱的熱膨服顯著地比 y的熱膨脹大，而使從金屬箱來的局部熱應办加至陶竞 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 另一方面，金屬箔的主面如一平面般連續地延伸。在 陶莞基體中，對應於此金屬箱的平面，會因面積太大而產 生缺陷。考慮如果此平面的缺陷存在’且局部熱應力施加 在面對此平面缺陷的陶究基體的一部份，結果在陶甍基體 上會產生應力集中，且變成裂縫進展的起始點。 土 二在本發明之發明人針對各種可防止此裂縫的構造作檢 討後，發現在陶瓷基體内埋設網狀物且在網狀物的網目中 ,真陶瓷的構造，當其遭受在高溫區域和低溫區域(特別 是室溫區域）之間重覆升降的熱循環時，其耐久性提高。 本發明之發明人即基於此發現來完成本發明。 一_____ 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A罐格（2獻Μ7公羡） $18906 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（4 [發明的實施例] 以氮化矽、氮化鋁、氮化硼以及矽鋁（sial〇n)等的氮 化物矽陶瓷和鋁矽化碳複合材料作為構成陶瓷基體的陶瓷 是較佳地。根據本發明人的研究，從耐熱衝擊性的觀點來 看，氮化矽是更佳地，然而從對抗_素系腐蝕性氣體的耐 钱性的觀點來看，氮化鋁是較佳地。 特別是在使用相對密度99%以上的氮化鋁和氟系腐 姓性氣體的場合中，反應生成物層以A1F3形成的保護 (passivation)層的形式在陶瓷基體的表面區域上形成。因 為此層具有耐蝕作用，可防止腐蝕朝此層的内部進行。上 述氮化銘為由常壓燒結、熱壓燒結或熱Cvd所製造且具 有相對密度99%以上的稠密氮化鋁是較佳地。 氮化銘作為耐蝕性陶瓷是眾所皆知的。然而，耐#性 陶兗通常是指對於酸、鹼溶液的離子反應性。另一方面， 根據本發明，離子反應性不僅需注意因電漿轟擊㊈ bombardment)導致的損傷，也需注意在無水分的環境中， 在齒素系腐蝕性氣體和電漿之間的反應性問題。 备在半導體製造裝置中使用陶瓷加熱器時，防止因半 導體的重金屬所造成的污染是必要的。特別是隨著高密度 化的進展，對於排除此重金屬的要求是被高度重視的。有 鑑於此，在氮化鋁中，除了鋁之外的金屬的含有量被抑制 在1°/。以下是較佳地。 埋設在陶瓷基體内部的網狀物材質並沒有限定，不過 因為陶瓷加熱器會被加熱至600°C以上的高溫，因此由高

(請先閲讀背面之注意事項鼻|^本頁) -裝 T訂 -線 $18906 A7 B7 五、發明説明（5 熔點金屬形成是較佳地。此類的高熔點金屬如鈕、鎢、鉬、 白金、銖、铪及其合金等。若陶变加熱器是被設置在半導 體製造裝置中，從防止半導體污染的觀點來看，组、鶴、 銷、白金及其合金是較佳地。 特別是至少含有銦的金屬是較佳地。此金屬可為純翻 $銦和其他金屬的合金。以鶴、銅、鎳和料為與翻形成 &金的金屬是較佳地。金屬以外的導電性材料可採 TiN 和 TiC 等。 構成網狀物的原料以纖維或線材是較佳地。如果纖 或線材的斷面為圓形，可有效地降低因熱膨服導致的應力 集中。 “ 在本發明的較佳實施例中，阻抗加熱體是由網狀物和 〃網狀物-體成形的金屬主(bulkm所形成。在這場人中 ㈣造為：在基體中設置孔，以露出部分金屬主體；㈣ ^子與金屬主體的露出部分接合’且電源經由電源線盥此 端子連接，以通電至陶瓷加熱器。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 又，如果連接電力供給用端子至網狀物（例如為圓 的任-部份的話，因為電流流過最短的電流通路，電流合 集中在網狀物的一部份。因此，網狀物的此部份會過熱: 而使加熱器之加熱面的溫度均一性受到限制。 嫌對此’根據本發明的另—較佳實施例，網狀物為細長 的帶狀形式。藉此’因為電流在帶狀的網狀物的縱長方向 上流動，由於電流集中導致的溫度分佈不均一並不會產 生’因此與圓形的網狀物不同。特別是可藉由在陶究基體

本纸張尺度制t eNS丨 318906 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（6 ) 的每一部伤上均一分佈帶狀網狀物，而使在陶瓷基體的加 熱面上的溫度更均一化。由此觀之，陶瓷基體的加熱面與 網狀物的主面大致上平行是較佳地。 網狀物的平面形狀、構成網狀物的金屬線直徑並不特 別限定。由具有純度99。/。以上的金屬製成之金屬線是較 仫地，其由滾製引伸加工而被成形為線材。又，構成金屬 線的金屬在室溫下的阻抗值為hl X 1〇·6Ώ· cm#下是較 佳地，特別是在6 X 1〇_6Ω · cm以下是更佳地。 又’構成網狀物的金屬電極的厚度為〇8mm以下是 較佳地，且在每英吋中具有8條以上的線交叉是較佳地。 如果金屬線厚度被設定在〇8mm以下的話，線的加熱速 度快，可使得加熱量適切。又，如果金屬線厚度被設定在 〇.〇2mm以上的話，由於線的過熱導致的電流集中就不會 發生。構成網狀物的線材的直徑為〇〇13mm以上是較佳 地’若為0.02mm以上則更佳。 又，當在每英吋中具有8條以上的線交叉時，電流可 輕易地以均一的方式流過網狀物全體，且在構成網狀物的 f内部並不會產生電流集中。從實際製造的觀點來看，每 英吋中的線交叉數在1〇〇條以下是較佳地。 構成網狀電極的線材之寬度方向剖面形狀可為圓形、 橢圓形、長方形等的滾製形狀。 、下♦考圖式詳細說明本發明之實施例。第丨圖是在 艙室（chamber)i内設置本發明的一實施例的陶瓷加埶器3 的狀態之概略剖面圖。第2⑷圖是陶竟加熱器3的立體 (請先閱讀背面之注意事項再β本頁) ----裝， 訂 線

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（7 ) 圖其中陶兗加熱裔3被剖開；且第2⑻圖是網狀物8的 立體圖。 經由臂（arm)7設置陶瓷加熱器3於艙室i内。在大 致為圓盤形狀的陶£基體4的側周面4d上設置環狀突緣 4:。在基體4的内部埋設由網狀物8製成的阻抗加熱體。 攸網狀物8觀之，表面層4a在半導體晶圓等的被固定物 的加熱面3a側上形成，反之裏面層仆形成在背面扣側。 表面層4a和裏面層4b以沒有縫隙的方式一體成形，且在 此一體成形層中包圍和埋設網狀物8。在加熱面3a上設 置半導體晶圓2。 構成阻抗加熱體的網狀物8是由縱橫編織的線u和 構成網狀物8的外周緣部的圓形線1〇所構成。由線1〇和 11的内側形成的無數網目9中充填有陶瓷材料，藉此連 接表面層4a和裏面層4b。 舉例來說’在陶瓷基體4中埋設一對端子5 A和5B， 電性連接各端子5A和5B的一端至網狀物8,而各端子5A 和5B的另一端則與電力供給電纜6a、6B接合。 由以下的方法製造本發明的陶瓷加熱器。 (方法（1)) 製造陶瓷的事先成形體，且在此事先成形體上設置網 狀物。然後’在此事先成形體和網狀物上充填陶瓷粉末， 且加以一軸加壓成形。由在網狀物的厚度方向上加壓的熱 壓燒結此成形體。 此熱壓的壓力在50kg/cm2以上是必要的，若為 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項 本頁) -裝· *tr 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 518906 A7 -------------B7 五、發明説明（8 ) ~^一 "~ -一 1〇〇kg/cm、上是較絲。又考慮實際裝置的性能等，磨 力通常可被設在2t〇n/cm2以下。 舉例來說，先準備大致如第3⑷圖所示的加壓成形 機。在加麼成形機的下型17嵌合型框13。在型框13的 内。P工間14充填陶瓷粉末15，其由下型和未圖示的 上型而被-軸加壓成型’藉此製造事先成形體ΐ9β。然後， 在事先成形體19B上設置網狀物2〇。舉例來說，網狀物 20可由如第2(b)圖所示的網狀物8編組而成。 其次，充填陶瓷粉末15至網狀物2〇上，以在粉末下 方埋設網狀物8。粉末15在下型和未圖示的上型之間被 軸加壓成型，以作成如第3(b)圖的成形體18。在成形 體丨8中，在事先成形體19A和19B之間埋設網狀物2〇。 然後，由熱壓燒結此成形體丨8，且在此成形體丨8上施加 所定的研削加工，而製造出陶瓷加熱器。 (方法（2)) 由冷等壓加壓法製造兩平板狀的成形體，且在兩平板 狀成形體之間夾有電極。在這狀態中，由熱壓燒結成形體， 同時在電極的厚度方向上加壓兩成形體和電極。 舉例來說，如第4圖所示的兩平板形狀的成形體21八 和21B由冷等壓加壓陶瓷粉末15而成形。然後，在成形 體21A和21B之間夾有網狀物20，在這狀態下，由熱壓 燒結成形體21A和21B。 第5(a)〜(c)圖是各種網狀物的例子的剖面圖。在如第 5(a)圖所示的網狀物22A中，在三度空間中交又編織縱線 11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐）

五、發明説明（9 24A和橫線23A，且縱複24A如p細η 狄琛24A和杈線23A均為波狀。在 如弟5⑻圖所示的網狀物22β中，橫線23β為筆直的， 縱線24B為波狀。在如第5⑷圖所示的網狀物22C中， 在三度空間中交又編織縱線24C和橫線況，且縱線Μ “線23C均為波狀。且，滾製加工網狀物，以使 縱線和橫線的外型為沿著線A和B的形狀。 在氮化鉬粉末中埋設如第5⑷圖所示且由純鉬線製成 =、、祠狀物22A，且在18〇〇〇c下由熱壓燒成。然後，觀察 構成網狀物的銦線之剖面。結果發現在橫線23A與縱線 24A父叉、接觸的部分為—體成形，且無任何界面。 上述各網狀物均適合在陶竟加熱器的阻抗加熱器中被 使用然而，如第5(c)圖所示且具有滾製形狀的網狀物是 更佳地’因為其具有最良好的平坦度，且縱線和橫線的接 觸最確實。 —第6(a)圖疋在陶瓷加熱器中使用的網狀物的另一 實施例的平面圖’且第6(b)圖是陶瓷加熱器41的概略平 面圖，在其中埋設第6(a)圖的網狀物26。 、、祠狀物26由線27縱橫地編織而構成。網狀物26 的内周側和外周側均大致上為圓形，以使網狀物26全體 為圓％形狀。在網狀物26中設置切除部43，且網狀物26 的一對端部29互相面對。 在陶究加熱器41中，在陶瓷基體31的内部埋設網狀 物26。網狀物26的一對端部29分別與端子3〇a、3〇b 連接藉此’在端子30A和30B之間，電流沿著圓環形 --12 本紙張 請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項 養 裝 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（10 ) 狀的網狀物26之縱具士人 中。 狄長方向以圓周狀流過，以防止電流集 第7⑷圖是本發明的—實施例的陶竞加熱器η的平 圖=7⑻圖是第7(a)圖中繼加熱器32沿著線 通b的剖面圖，盆中尤 設網狀物34。 體33(例如為圓盤形狀）的内部埋 伽兩^基體33的中央部埋設端子3〇Α，且其從背面33b ，路。在基體33的周緣部埋設端子30B，且其從背面 33b側路出。中央的端子3qa和端子細藉由網狀物μ 連接。標號33a為加熱面。 —祠狀物34由如第6(a)圖所示的網狀體所形成。但是， 在第7(a)圖和第7(b)圖中，由於受限於圖式的尺寸，網狀 物：4的微細網目被省略。從平面圖上可看出，網狀物34 在端子3〇A和3〇β之間為旋渴狀。端子3〇A和達連接 至未圖示的電力供給電镜。 (實施例） (實驗A) 一使用如第6(ά)圖所示的網狀物26製造如第6⑻圖所 厂、的本毛月的灵細*例的陶兗加熱器41。準備包含5 %氧 化紀的氮化銘粉末作為陶曼粉末15。參照第3⑷圖和第3⑻ 圖所說明的方法，此粉末和網狀才勿26被-軸加壓成形， 以製造成形體18。 網狀物由純錮製造。構成網狀物的線的直徑以及每英 吋線的父叉數分別如表i所示般變更。網狀物％的外徑

(請先閱讀背面之注意事項本頁) -裝·

、1T -線· 518906 A7 B7 五、發明説明（11 ) 和内徑分別為44mm和28mm。 在1900°C、200kg/cm2下由熱壓燒結成形體18。藉此， 得到相對密度為99.4%的氮化鋁燒結體。陶瓷基體的直徑 和厚度分別為50mm和10mm。藉由超音波加工從基體的 背面側在基體上鑽孔，且端子30A和30B與網狀物26接 合。 各陶曼加熱器分別被施加熱循環試驗。具體而言，加 熱器在100°C/hour的速率下從室溫被加熱至700QC，在 700°C下保持1小時，且以100°C/hour的速率降溫至室溫。 此步驟即被稱為一次循環。此熱循環最多被重覆200次 後，檢查陶瓷加熱器有無裂縫發生。 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 裝. —訂 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 318906 A7 B7 五、發明説明（12 二 試驗 編號 線直徑 (mm) 每英吋線 的數目 而f熱循環 1.0 5 /欠熱基體產生 2 0.8 環^和加熱體均

14 0.03 50 (請先閑讀背面之a意事項再本ί 製 -訂· 15 0.02 100 16 0.013 100 經濟部中央標準局員工消費合作社印東 17 0.01 100 _____ jg 上 ______g 上 次熱部分加熱 127次熱循環後，加熱體^^ 如表1所示，本發明的陶兗加熱器都存在高耐熱循壤 性。特別是當線直徑被設定在〇·8〜0.02mm時 ，财熱傭後 性顯著地提高。 (實驗B) 15 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（21〇χ297公釐） -線· « n ϋ 1 *- 1 1- i 01 9 8 51. A7 __B7 五、發明説明（13 ) 以與實驗A同樣的方法製造陶瓷加熱器，且進行熱 循環試驗。埋設由鉬製成且外徑為44mm、内徑為28mm、 厚度為0.65mm的箔作為阻抗加熱體。結果基體在15次 熱循環後即發生裂缝。 (實驗C) 製造如第7(a)和7(b)圖所示、本發明另一實施例的陶 瓷加熱器32。具體的製造程序與實驗A相同。基體33的 外徑和厚度分別為200mm和15mm。 如第7(a)圖的平面圖所示，在基體内以漩渦的形狀埋 設網狀物34。網狀物34的寬度分別被選為1.5mm、9mm、 15mm和30mm。網狀物34的線直徑為0.12mm，且每英 忖中線的數目為5 0。 結果，當網狀物34的寬度在1.5mm〜30mm的範圍中 時，確認各陶瓷加熱器可被加熱至790QC。又，在熱循環 試驗中，即使在100次的熱循環實施後，也確認基體中沒 有裂缝產生。 (實驗D) 以與實驗A相同的方法製造如第6(a)和6(b)圖所示、 本發明另一實施例的陶瓷加熱器41。基體31的外徑和厚 度分別為50mm和2mm或4mm。網狀物26的外徑和内 徑分別被選為44mm或28mm。網狀物26的線直徑為 0.12mm，且每英吋中線的數目為50。 結果，當基體31的厚度為2mm或4mm時，確認各 陶瓷加熱器可被加熱至790°C。又，在熱循環試驗中，即 16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項舁雀本頁) 裝· 訂 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製

Qe 9 8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（14 ) 使在100次的熱循環實施後，也確認基體中沒有裂缝產生。 (實驗E) 以與實驗C相同的方法製造如第7(a)和7(b)圖所示、 本發明另一實施例的陶瓷加熱器32。基體33的外徑為 200mm，厚度為 4mm、8mm、12mm 或 20mm。 如第7(a)圖的平面圖所示，在基體内以旋渦的形狀埋 設網狀物34。網狀物34的寬度為8mm。網狀物34的線 直徑為0.12mm，且每英吋中線的數目為50。 結果，當基體33的厚度為4mm、8 mm、12mm或20mm 時，確認各陶瓷加熱器可被加熱至790°C。又，在熱循環 試驗中，即使在100次的熱循環實施後，也確認基體中沒 有裂缝產生。 (實驗F) 以與實驗A相同的方法製造如第6(a)和6(b)圖所示、 本發明另一實施例的陶瓷加熱器4。阻抗加熱體的材質為 鉬鎢合金（50wt°/〇的鉬、50wt%的鎢）。阻抗加熱體的線直 徑為0· 12mm，且每英叶中具有50個線交叉。 發明之效果 結果，確認此加熱器可被加熱至790QC，且即使在200 次的熱循環實施後，基體和阻抗加熱體之間也沒有損傷產 生。 〔發明效果〕 如上所述，根據本發明，具有阻抗加熱體埋設在陶瓷 基體中的陶瓷加熱器，其陶瓷基體的厚度可減小，且當被 17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項•再本頁) 裝· 訂 線 518906 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 五、發明説明（15) ' ' ----- 施加在高溫區域和室溫區域之間的熱循環時，其耐久性 提面。 〔圖式簡單說明〕 第1圖是在艙室（chambeOl内設置本發明的一實施例 的陶瓷加熱器3的狀態之概略剖面圖； 第2(a)圖是陶瓷加熱器3的立體圖，其中陶曼加熱哭 被剖開；且第2(b)圖是網狀物8的立體圖； …时 第3(a)圖是在一軸成形用模型中充填網狀物和陶瓷粉 末之成形狀態的概略剖面圖；且第3(b)圖是成形體18 = 剖面圖； 第4圖是在由冷等壓加壓法成形的CIp成形體 和21B間失有網狀物20的狀態之剖面圖； 第5(a)、（b)、⑷圖是在本發明中被使用的各網狀物 的微構造的剖面圖； 第6(a)圖是網狀物26的平面圖；且第6(b)圖是陶瓷 加熱器41的概略剖面圖，其中在陶瓷基體中埋設第 圖的網狀物；以及 第7(a)圖是本發明的一實施例的陶瓷加熱器32的平 面圖；且第7(b)圖是第7(a)圖中的陶瓷加熱器32的概略 剖面圖。 〔符號說明〕 1艙室、3、32、41陶瓷加熱器、3a、33a加熱面、 4、31、33陶瓷基體、5八、53、30八、306端子、8、26、 34網狀物（阻抗加熱體）、9網目、、丨1、27線。 (請先閲讀背面之注意事項再本頁) 裝· 18

Claims (1)

1. 518906 第87119602號中文專利範圍修正本 修正日期：90, 5· 29

   1 翰 4 員 ηλ； v fIL4:1f質内容 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 I 一種陶瓷加熱器，包括： 陶兗基體，具有加熱面；以及 阻抗加熱體，埋設在該陶瓷基體内； 中該阻抗加熱體的至少—部料由導電性的網狀物 所構成，該網狀物為帶狀，寬度為15〜3()公厘，且㈣ 網狀物的網目中充填構成該陶瓷基體的陶瓷。 / 2.如申晴專利圍帛i項所述之陶竟加熱器，其中該 阻抗加熱體包括該網狀物以及與該網狀物—體成形的 主體。 •如申睛專利範圍第1或2項所述之陶瓷加熱器，其 中該陶瓷基體的該加熱面與該網狀物的主面大致上平行。 4·如申請專利範圍第丨或2項所述之陶瓷加熱器，其 中該陶瓷基體由氮化鋁所形成，且該阻抗加熱體由鉬或鉬 合金所形成。 5·如申請專利範圍第3項所述之陶瓷加熱器，其中該 陶瓷基體由氮化鋁所形成，且該阻抗加熱體由鉬或鉬合金 所形成。

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