TW516114B - MOCVD system - Google Patents

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516114 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 A7 B7 五、發明說明（1 ) 本發明係關於一種在半導體處理中所使用之MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition)系統，具體 來說係關於一種系統，其係於室溫下（約20°C )使用液相 有機金屬化合物作為原料液而於被處理基板上形成諸如鈕 氧化膜（TaOx )等之金屬氧化膜者。又，此處所謂的半導 體處理意指，為在半導體晶圓及LCD基板等的被處理基板 上以預定之圖樣佈局形成半導體層、絕緣層及導電層等， 俾在該被處理基板上製造包括有半導體裝置及連接於半導 體裝置之配線及電極等的構造物，而實施之各種處理。 當製造半導體裝置時，係對半導體晶圓反覆施行成膜 處理及圖樣佈局之腐姓處理。而，成膜處理則隨著半導體 裝置之高密度化及高積體化，其規格年趨嚴謹。壁如要求 對電容器之絕緣膜及栅絕緣膜之類非常薄之氧化膜亦要求 更進一步之薄膜化（控制膜厚度）及高度之絕緣性（控制品 質）。 此等絕緣膜以往是使用矽氧化膜及矽氮化膜等。但， 最近則有申請案係形成金屬氧化膜如鈕氧化（Ta2〇5)膜，及 含有兩種以上金屬元素之高介電體膜或強介電體膜如 (Ba，Sr)Ti〇3膜（即BST膜）等具有更良好之絕緣性的材料。 而，這種膜可藉MOCVD法，即將有機金屬化合物氣化後加 以使用之方法來成膜。 在曰本公開公報特開平第2-283022號上揭示用以形成 钽氧化膜之MOCVD技術。該公報所揭示之技術中係使用钽 之金屬醇鹽（烷氧鹽）如Ta(〇C2H5)(五乙氧鈕）作為原料 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -----^----^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -4- 516114

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液—”料液邊藉氮氣等滞騰，-邊供入呈真空狀態之處 理室。所供入之原料乃在加熱至如·。c之半導體晶圓w表 面上刀解而提供成膜材料’並藉該成膜材料在晶1] W之表 面上堆積形成叙氧化膜。 但，該系統則不易以高精度控制原料之供應量。即， 於為騰之狀g下供給原料液時，難以以高精度控制原料液 之流1。因此，最後供入處理室内之原料供應量與目標值 將有分歧，而CVD膜及品質之再現性也將變差。 在日本公開公報特公開第10-79378號上則揭示用以形 成鈕氧化膜之另一種M0CVD技術，其係為處理上述問題點 而開發者。揭示於該公報之技術係藉惰性氣體一邊控制與 上述者相同之原料液流量，一邊壓送，同時並予氣化而轉 換成處理氣體。再將處理氣體供入處理室，俾使用於半導 體晶圓上，藉CVD法成膜。 第5圖中概略地顯示了日本公開公報特開平第 10-79378號上所揭示之習知m〇CVD系統構造圖。 在該系統中，儲存於原料桶2内之五乙氧鈕等的原料液 4係藉氦氣等的加壓氣體壓送。該儲存之原料液藉加熱器6 加熱至易流之溫度如2〇〜50°C之間。所壓送之原料液4藉流 量控制單元8—邊控制流量，一邊供往下游側，而在氣化單 元10藉惰性氣體如氦氣氣化之，並轉換成處理氣體。 接著，令處理氣體流過捲繞有用以防止其再液化之磁 帶加熱器12之氣體供給管14内而供往成膜單元16，處理氣 體係由喷淋頭19供入處理室18内，並於加熱至處理溫度之 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -裝----------訂—-------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 516114 A7 B7 五、發明說明（ 半導體晶圓W表面上分解，以提供成膜材料。藉該成膜材 料於半導體晶圓w表面上堆積，而形成叙氧化膜。 曰本公開公報特開平第10-79378號上所揭示之系統較 前者之系統可更正確地控制原料之供應量。但，即使在後 者之系統中，還是有CVD膜之厚度及品質之再現性低落的

If幵發生。又’除處理室18外還有氣化單元1〇及配管等的 高溫構件，因此對周圍環境之熱影響相當大。 本發明之目的係在提供一種膜厚度及品質之再現性高 之MOCVD系統。 本發明之目的又係在提供一種對周圍環境之熱影響 ;，且膜厚度及品質之再現性高之m〇cvd系統。 本發明之第i觀點係-種MQCVD系統，其係用以於室 溫下，使用液相之有機金屬化合物作為原料液，而在被處 理基板上形成金屬氧化膜者’其包含有以下構件： 一氣密處理室； 件’係配砂該處理室内而用以支持前述被處理 -排氣機構，係用以將該處理室内排 成真空狀態者，· 于尤將之叹疋 :游本管，係連接於該處理室以供給處理氣體 一氣化單元’係於該處理室外連接於訂 Μ， 該氣化單元中，髂钤店… S ’而可在 、U原料液加熱至較氣化溫戶言 使其氣化並轉換成前述處理氣體者； "137 上游本官’係連接於該氣化單元而用以供給前述原料液 本纸張尺度適用㉛家鮮(CNS)A4^^^ t I I 訂 線 ' 6 - 516114 A7 B7 五、發明說明（4 者； 一原料桶，係於該處理室外為該上游本管所連接，而用以 儲存前述原料液者； 一流量控制單元，係配設於該原料桶與該氣化單元間之該 上流本管中者；及 ’見度維持機構，係用以將該原料桶及該流量控制單元之 1度維持在較该氣化溫度低但較室溫高之狀態者。 本發明之第2觀點係一種M〇CVD系統，其係用以於室 下’使用液相之有機金屬化合物作為原料液，而在被處理 基板上形成金屬氧化膜者，其包含有以下構件·· 一氣密處理室； -支持構件，係配設於該處理室内而用以支持前述 基板者； -排氣機構，係用以將該處理室内排氣，同時並將之 成真空狀態者； :下游本管，係料於該處理m給處理氣體者； 係於該處理室外連接於該下游本管，而可在 早70中’將該原料液加熱至較氣化溫度高之溫度， 使其乱化並轉換成前述處理氣體者· =游本管，係連接於該氣化單元而用以供給前述原料液 :二杨’係於該處理室外為該上游本管所連 儲存前述原料液者； 用乂 一流量控制單元，係配設於該肩料桶與該氣化單元間之該 本紙張尺度·中“豕鮮（cns)A4規格⑵

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、發明說明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 上流本管中者； ::隔牆’係用以與該淨室内之其他空間相隔離，而在該 卓室内形成—可將該處理室、該下游本管、該氣化單元、 5亥上游本管、該原料桶及該流量控制單元-起加以收納之 隔離空間者； :溫度維持機構’係用以將該原料桶及該流量控制單元之 溫度維持在較該氣化溫度低但較室溫高之狀態者；及 -恆溫斷熱箱’係供該溫度維持機構在該隔離空間内將該 原料桶、該流量控制單元及其等之間的該上游本管部分加 以收納者。 (圖示之簡單說明） 第1圖係一概略顯示本發明之實施態樣m〇cvd系統 之構造圖。 第2圖係一概略顯示將第丨圖所示之系統配設於淨室 内之狀態的側面圖。 第3圖係一擴大顯示對第1圖所示之上游及下游本管 所使用之接頭的剖面圖。 第4圖係一概略顯示本發明另一實施態樣之m〇cVd 系統的構造圖。 第5圖係一概略顯示習知之m〇cvD系統之構造圖。 本案發明人等在本發明之開發過程中，曾研究前參照 第5圖所述MOCVD系統之CVD膜其厚度及品質再現性低落 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） ------—I ^---------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 陘齊郎智慧財產咼員工消費合作杜印製 516114 五、發明說明（6 ) 的原因。結果獲得以下結論。 即，第5圖所示之系統係由淨室内之空間成本、㈣ 液之使用效率及系統之維修觀點，而於淨室内之狹窄空間 中集結零件而構成者。因此，原料液管及流量控制單元8 容易受到來自同系統内其他單元之熱影響。原料液4固然由 桶2出來後便可具有依加熱器6所提供之加熱溫度而決定之 黏性等的物理特性，但由於流量控制單元s之侧的溫度關 係，該物理特性則將產生很大的變化。 由於原料液4係透過流量控制單元8而供入氣化單元 10，因此在理想的條件下原料液4供給量之控制性將相當 冋。但，由桶2至流量控制單元8之過程中因溫度變化而使 原料液4之物理特性變化時，原料液4之供給量將變動，c 膜之厚度及品質之再現性也將降低。 以下，參照圖示並加以說明關於根據該結論而構成之 本發明實施態樣。又，在以下之說明中對具有同一機能及 構造之構成要素係附加同一符號，且只在必要時進行重複 說明。 第1圖係一概略顯示本發明一實施態樣之MOCVD系 統的構造圖。在此係就以鈕氧化（Ta2〇5)膜成膜以作為金屬 氧化膜時之情形來說明。 MOCVD系統22係由一用以於被處理基板之半導體晶 圓W上施行成膜處理之成膜單元24及一用以使原料液氣化 並將之供入成膜單元24中作為處理氣體用之原料供給部26 所構成。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 原料供給部26具有一氣密狀態之原料桶30，其中儲存 有作為成膜原料之原料液2 8，例如金屬醇鹽的一種，即五 乙氧叙（Ta(〇C2H5)5)。在原料桶30之氣相空間中，加壓管 32之前端由上部導入。加壓管32將如氦氣之加壓氣體導入 原料桶30内之氣相空間。在加壓管32上裝設如閥34及質量 流控制器等之流量控制器36。 原料桶30係藉不銹鋼製之上游本管38a連接於氣化單 元48。又’氣化單元48係藉不銹鋼製之下游本管38b連接於 成膜單元24。上游本管38a之液流量通常非常少，例如是 5mg/min，因此係由内徑1〜2inm左右之配管所組成。相對 於此，下游本管38b内則流通氣態原料（處理氣體），因此内 徑由10〜20mm左右之大配管所組成。 上游本管38a之上游端部40係浸泡於原料桶30内之原 料液28中並位於桶底部附近。當加壓體由加壓管32供入原 料桶30時，原料液28便藉其壓力而導入管38a内。在上游本 管3 8a上配設控制原料液28流量之流量控制單元44,例如使 用林德（y y夕）公司所製之液體質量流控制器（商品 名）°在上游本管38a及下游本管38b上配設多數之切換閥 42a〜42b。又’實際上係配設有多數的切換閥，但為方便計， 圖上則只顯示具代表性者。 氣化單元48係用以將原料液28蒸氣化並轉換成處理 氣體者。在流量控制之狀態下將加熱至l5〇t〜16〇。匸間之 氣化用氦氣由配管54供入氣化單元48内。在氣化單元48内 由於氦氣與原料液28混合而使原料液蒸氣化並轉換成處理 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -----------------^----訂---------線 i^w. C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -10 - 516114 A7 B7 五、發明說明（8 氣體。 在氣化單元48本身及與其流量控制器％間之配管部 分’捲繞有磁帶加熱器等的保溫用加熱器以。藉該加熱器 58，氣化用氣體及氣化單元48乃被加熱而維持在15〇它 60C之間，以促進原料液28之氧化。並於較氧化單元料 下游側之下為本官38b上捲繞由磁帶加熱器所構成之溫度 調整用加熱器60。如此，處理氣體乃藉加熱器⑼之保溫而 維持在較原料之氣化溫度（即液化溫度）高而較分解溫度低 之溫度下，如15〇。〇〜180°C之間。 成膜單元24具有一以紹等成形之筒狀氣密處理室 ^處理室80之側壁以可在氣密下進行開關之栅閥％為中 介而連接於一負荷閉密室94，並以柵閥92為中介而在負荷 密閉室94與處理室8〇間搬送作為被處理基板之半導體晶圓 W 〇 在處理至80之頂板上配没有為下游本管3此之下游端 邛所連接之噴淋頭82。又，喷淋頭82除下游本管38b外並連 接於用以供給第2處理氣體〇2之管81。含五乙氧鈕之處理 軋體” 3 〇2之第2處理氣體由形成於噴淋頭μ底面之多數 孔朝處理空間内嘴出。 在處理室80内之底部配設有内部内藏有加熱器之載 置台84。在載置台84上面則載置有作為被處理基板之半導 體晶圓W。於處理室80之底部形成排氣口 85且連接有真空 排氣管86。在真空排氣管86内配設有一用以除去排氣氣體 中之殘留原料及副生成物之除害單元8 8，及用以使處理室 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵〇 χ 297公爱 -11 - 516114

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（9) 80排氣同時設定真空狀態之真空唧筒90。 第1圖所不之Μ Ο C V D系統係没置於淨室内。第2圖係 一概略顯示其狀態之側面圖。 第1圖所示之系統中之氣化單元48乃至成膜單元24係 加熱至較原料液之氣化溫度高且較分解溫度低之丨5〇 t 〜18 0 C之間。該等高溫部分係以斷熱材料做保護，但儘管 如此對周圍環境所產生之熱影響依舊很大。又，所使用之 原料有可能會污染作業環境。當更進一步考慮原料液之使 用效率及系統之維修時，則期能將原料供給部26配設於接 近成膜單元24處。 基於此觀點，本實施態樣乃將整個MOCVD緊密地集 結在一起，同時並在淨室100内藉附門板之間隔牆或包圍牆 I圍使其與淨至内之其他空間完全隔離。即，處理室8〇、 下游本官38b、氣化單元48、上游本管38a、原料桶3〇及流 量控制單元44係一同收納於藉間隔牆1〇2所形成之隔離空 間内。又，在隔離牆102内之隔離空間之頂板上配設一強制 送風裝置，另一方面在地板形成排氣用開口 1〇6，而在隔離 空間内進行強制性換氣。 如此’當整個系統為間隔牆1 〇2所包圍時，高溫部分 雖以斷熱材料所保護，且在間隔牆1〇2内之空間並予強制換 氣’但若繼續進行處理’則該空間之溫度將變得相當高。 假设整個原料供給部26均直接曝露於間隔牆丨〇2内，熱容量 較小之上游本管38a及流量控制單元44將隨著間隔牆1〇2内 之度而被加熱。在該假設下，原料液2 8之物理特性將在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------tr---------^*· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -12- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 516114 A7 B7 五、發明說明（10) 由桶30至流量控制單元44為止之階段產生變化，因此比起 無間隔牆或包圍牆102之情形，CVD膜之厚度及品質之再現 性將更低。 基於此觀點，乃配設溫度維持機構62以將原料桶30、 流量控制單元44及其等間之上游本管38a部分維持在原料 液28之預定加溫溫度（較氣化溫度低且較室溫高）配設。具 體來說，溫度維持機構62於間隔牆1 02内具有收納該等部分 B 之恒溫斷熱箱64。此恒溫斷熱箱64具有不銹鋼等金屬製之 外裝體64a及配設設於外裝體64a内面上之烏拉坦或矽氧樹 脂等非金屬材料製斷熱層64b。而，加壓管32及上游本管38a 對恆溫斷熱箱64之貫通部上則配設設有氣密構件66，以維 持恆溫斷熱箱64内之氣密性。 在恆溫斷熱箱64上，於側壁下部形成用以導入已加溫 之溫度調整用氣體之供氣口 68，同時並於頂板上形成用以 排出該溫度調整用氣體之排氣口 78。供氣口 68上連接有以 | 加溫恆溫斷熱箱64之溫度調整用氣體來強制換氣之溫度調 整換氣單元70。換氣單元70係具有一用以將由間隔牆外取 入之空氣吹入恆溫斷熱箱内之鼓風機72及一為加熱自鼓風 機72來之空氣而内藏電阻加熱器74之加熱室76。 又，溫度維持機構62配設於恆溫斷熱箱64内並具有用 以檢測該恆溫加熱箱64内之溫度之傳感器69。將傳感器69 之檢測溫度供至溫度控制器71，而溫度控制器71則據此改 變電流值以控制加熱器74之發熱量。藉此，恒溫斷熱箱64 内之加溫溫度，即溫度調整用氣體之溫度乃可維持於一定 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------裝-----；----訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -13 - 516114 A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之溫度。χ，當原料液28為溶點約為饥之五乙氧組時， 該加溫溫度為30。。± 5,但較理想之溫度係將溫度設定於3〇 °C± 1°C之範圍内。 接者，說明關於用以洗淨如第丨圖所示之系統之配管 内之機構。 於上游本管38a上於原料桶30之出口至達於氣化單元 48刖之部份連接有來自欲洗淨本系統内時所使用之洗淨供 給機構50之配管53。洗淨液供給機構5〇係設計成可在加壓 狀態下將諸如酒精等之醇類導入系統内，以洗淨堆積於上 游本管38a及氣化單元48等之副生成物者。 由於要防止下游本管内副生成物之堆積，同時要使未 氣化部分之原料自由落入放泄管5 1並供入成膜單元24是非 承困難的’因此乃將下游本管3 8b設計成以垂直管部分49 為主要部分。換言之，係將下游本管38b由氣化單元48至成 膜單元24為止的配管設定成向下方延伸之部分為一半以上 者。並由垂直管部分49分歧出放泄管51，且使其向垂直下 方延伸。 又’在進行洗淨時，若原料殘留於上游及下游本管 38a、3 8b，則在隨後之處理製程中所形成之CVD膜將發生 極大的異常現象。為解決該問題，乃對上游及下游本管 3 8a、3 8b做了以下之努力。即，上游及下游本管38a、38b 係由多數之配管部分及連接配管部分之接頭所構成。如第3 圖所示，此處所使用之接頭39在本體39a及填料39b兩者間 與原料液或處理氣體接觸之面係形成實質上無凹凸者。因 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ! I I · I I I l· I I I ^ · I------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -14- 516114 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（I2) 此’在上游及下游本管38a、38b内將無靜止區，而上述之 問題便將難以發生。 洗淨液供給機構50之動作係藉洗淨控制器52加以控 制。又，洗淨控制器52又係設定成可對應於各種不同之洗 淨模式而自動選擇系統内之閥之開閉者。即，於洗淨時， 配設於洗淨液供給機構50側之管53、上游及下游本管38a、 38b及放泄管51上之閥46a、46b、42a〜42e等係依洗淨控制 ® 器52之選擇而開閉之。 其次，說明關於第1圖之系統中所進行之M0CVD處 理。 首先，在維持真空狀態之處理室80内，由負荷密閉室 94侧以處於開之狀態的閘閥92為中介搬入未處理之半導體 晶圓W且載置於載置台84上。其次，晶圓w維持較原料之 分解溫度高之預定製程溫度，例如4〇(TC，同時並將處理室 80内維持於預定之製程壓力。在此狀態下，供入含五乙氧 _ 鈕之第1處理氣體及含〇2之第2處理氣體，開始成膜。 藉原料供給部26將已控制流量之氦氣等的加壓氣體導 入原料桶30内。原料液28乃在該壓力下藉流量控制單元44 ，之一邊控制流量而一邊被壓送入上游本管3 8a内。此時例如 加壓氣體之供給量為數100SCCM，又，原料之供給量則因 成膜速度之不同而不同，但舉例來說約為數mg/rnin左右， 量非常之小。 壓送之原料液將在氣化單元48中藉流量控制在 200〜500SCCM左右之氦氣等的氣化用氣體而被氣化（蒸氣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------裝-----；----訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -15- 516114 A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 化），並轉換成處理氣體。此處理氣體將更進一步流入下游 本管38b並被導入處理室80之噴淋頭82。然後，到達噴淋頭 82之原料氣體則如前述般的導入處理室内。 由於下游本管38b將藉溫度調整用加熱器6〇加熱至預 疋之度，例如150 c〜180 c ,因此原料氣體將不致再液 化或發生熱分解而安定地流至噴淋頭82。又，由於在對原 料液28進行氣化時係藉氣化單元48及保溫用加熱器58將之 加熱至最適宜之溫度，例如16(rc左右，因此可有效率且迅 速地將原料液氣化。 又’將原料桶30、流量控制單元44及兩者間之上游本 管38a之部分收納於恆溫斷熱箱64内，並在丨亙溫斷熱箱64 内導入由溫度調整換氣單元70加熱至預定溫度之溫度調整 用氣體（此處為空氣）。因此，原料液28由桶30至流量控制 單元44為止之溫度約同為25°C〜35°C(30°C± 5。〇，尤以維 持於29C〜31C(3〇C± 1C)之範圍内為佳。因此，原料液 28可以一定之低黏性緩緩地壓經上游本管38a。又，在這期 間原料液2 8之黏性等的物理特性之變動將非常少，因此可 藉流量控制單元44精密地控制其流量。 溫度調整用氣體係藉恆溫斷熱箱64下部之給氣口 68 導入，並由上部之排氣口 78排出。因此，溫度調整用氣體 將流通於整個恒溫斷熱箱64内，並可將整個恒溫斷熱箱64 内均勻地加熱而維持於上述之預定溫度。 又，在本實施態樣中雖係將流量控制單元44及原料桶 30等一同收納於恆溫斷熱箱64内，但亦可將此等構件44、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----^----訂---------線 rtt先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -16- 516114 A7 B7 ί 丨才 t h L· 五、發明說明（I4) 30個別調整溫度。第4圖係本發明M0CVD系統基於此觀點 而構成之另一實施態樣的概略構造圖。 第4圖所示之系統並不使用第1圖所示之系統之溫度 調整換氣單元70及恆溫斷熱箱64。而取而代之地，於原料 桶30配設加熱器98 ,並在流量控制單元44及其與原料桶％ 間之上游本管3 8 a的部分，捲繞諸如磁帶加熱器9 9等以為溫 度維持機構。 而，原料桶30、流量控制單元44及其等間之上游本管 38a部分即藉此加熱器98及磁帶加熱器99維持於3(rc ± 5 C ’尤其是在30°C ± 1°C之範圍内。因此，可獲得與第1圖 所示之系統相同之效果。又，原料桶3〇與流量控制單元44 間之上游本管38a部分之長度，若短至原料液28之溫度不致 過份變化的程度，則上游本管38a上亦可不設加熱器99。 又，在上述之實施態樣中雖係舉以鈕氧化膜進行成膜 者為例來加以說明，但本發明實可適用於所有在室溫下使 用液相有機金屬化合物作為原料液而在被處理基板上形成 金屬氧化膜之MOCVD系統。例如’本發明也可適用於形成 氧化鈦、氧化锆、氧化鋇及氧化锶等膜的情形，在這種情 形下，原料液將使用該等金屬之金屬醇鹽。進而，本發明 亦適用於形成氧化銳、氧化給、氧化記及氧化錯等膜的情 形。 又，本發明中之成膜單元並不限定於實施態樣中所示 之形式。本發明亦可適用於諸燈加熱型之成膜單元及使用 電衆之成膜單元等。又，本發明並不一定要以半導體晶圓 ❿ 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： 線- -17- A7 B7 五、發明說明（l5) 為被處理基板，亦可適用於處理LCD用玻璃基板之裝置。 主要元件標號對照表 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 原料桶 39 接頭 4 原料液 39a 本體 6 加熱器 39b 填料 8 流量控制單元 40 上游端部 10 氣化單元 42a > 42b ' 42c 闊 12 加熱器 42d、 42 e 閥 14 氣體供給管 44 流量控制單元 16 成膜單元 46a、 46b 閥 18 處理室 46b 閥 19 噴淋頭 48 氣化單元 22 OCVD系統 49 垂直管部分 24 成膜單元 50 洗淨亦供給機構 26 原料供給部 51 放泄管 28 原料液 52 洗淨控制器 30 原料桶 53 管 32 加壓管 54 配管 34 閥 56 流量控制器 36 流量控制器 58 保溫用加熱器 38a 上游本管 60 加熱器 38b 下游本管 62 恆溫斷熱機構

-----r---^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -18 - 516114 A7 五、發明說明（l6) 64 恆溫斷熱箱 64a 外裝體 84 載置台 64b 斷熱層 85 排氣口 66 氣密構件 86 真空排氣管 70 換氣單元 88 除害單元 71 控制器 90 真空唧桶 72 鼓風機 92 閥 74 電阻加熱器 94 負荷密閉 76 加熱室 99 磁帶加熱器 78 排氣口 100 淨室 80 處理室 102 間隔牆 81 管 104 強制送風裝置 82 喷淋頭 106 排氣用開口 -------------裝-----：----訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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Claims (1)

1. 、申請專利範圍 •種MOCVD系統，係用以於室溫下，使用液相之有機 金屬化合物作為原料液，而在被處理基板上形成金屬氧 化膜者，其包含有以下構件： 一密封處理室； -支持構件’係、配設於該處理室内而用以支持前述被處 理基板者； 排亂機構，係用以將該處理室内排氣，同時並將之設 定成真空狀態者； 下游本管’係連接於該處理室以供給處理氣體者； -氣化單元，係於該處理㈣連接於該下游本管，而可 在該氣化單元中，將該原料液加熱至較氣化溫度高之溫 度，使其氣化並轉換成前述處理氣體者； 一上游本管，係連接於該氣化單元而用以供給前述原料 液者； 用 原料桶，係於該處理室外為該上游本管所連接，而 以儲存前述原料液者； -流1控制單元，係配設於該原料桶與該氣化單元間之 該上流本管中者；及 -溫度維持機構，係用以將該原料桶及該流量控制單元 之溫度維持在較該氣化溫度低但較室溫高之狀態者。 料 2.如申請專利範圍第i項之M0CVD系統，其中該溫度維 持機構具有—恆溫斷熱箱，該怪溫斷熱箱係將該原 以 訂 桶、該流量控制單元及其等之間的該上游本管部分加 收納者β 本紙張尺度適用中g標準（CNS)A4規格⑽χ 297公髮 -20 - 516114 A8 B8 C8 D8 L 申請專利範圍 3. 如申請專利範圍第2項之MOCVD系統，其中該溫度維 持機構具有一溫度調整換氣部，該溫度調整換氣部係使 用在該恆溫斷熱箱内加溫後之溫度調整用氣體以換氣 者。 4. 如申請專利範圍第1項之MOCVD系統，其中該原料液 係由戊糖乙氧钽成為實質的且該加溫溫度設定於25°C 〜35°C之範圍内。 5. —種MOCVD系統，係配置於淨室内，而用以於室溫下 使用液相之有機金屬化合物作為原料液，以在基板上形 成金屬氧化膜者，其包含有以下構件： 一密封處理室； 一支持構件，係配設於該處理室内而甩以支持前述被處 理基板者； 一排氣機構，係用以將該處理室内排氣，同時並將之設 定成真空狀態者； 一下游本管，係連接於該處理室以供給處理氣體者； 一氣化單元，係於該處理室外連接於該下流本管，而可 在該氣化單元中，將前述原料液加熱至較氣化溫度高之 溫度，使其氣化並轉換成前述處理氣體者； 一上流本管，係連接於該氣化單元以供給前述原料液者； 一原料桶，係於該處理室外為該上游本管所連接以儲存 前述原料液者； 一流量控制單元，係設置於該原料桶與該氣化單元間之 該上游本管中者； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） —-------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -21 - 516114 A8 B8 C8 D8

   申請專利範圍 二間：牆’係用以與該淨室内之其他空間相隔離，而在 A淨^内形成_可將該處理室、該下游本管、該氣化單 70、忒上游本管、該原料桶及該流量控制單元一起加以 收納之隔離空間者； 一:度維持機構，係用以將該原料桶及該流量控制單元 之/皿度維持在較該氣化溫度低但較室溫高之狀態者；及 恆溫斷熱箱，係供該溫度維持機構在該隔離空間内將 該原料桶、該流量控制單元及其等之間的該上游本管部 分加以收納者。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -IAW--------訂·--------I 一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -22-