TW510021B - Semiconductor device and its producing method - Google Patents

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510021 A7 8667pif.doc/008 B7 五、發明説明（I ) 發明領域 本發明是關於一種半導體裝置及其製造方法，尤其是 關於記憶胞（memory cell)之擴散層接觸窗（contact)之形成 的半導體裝置及其製造方法。 發明背景 在半導體裝置中，爲降低源極/汲極（souixe/drain)擴散 層對接觸窗之阻抗，因而一般會於源極/汲極之上面形成 矽化鈦(TiSi)或矽化鈷(CoSi)等的金屬矽化物層。 第5A圖至第6B圖所示係爲說明習知技術之適用於 DRAM胞的接觸窗製程之的工程元件剖面圖。 首先，請參照第5A圖所示，於p型矽基板1上以淺 溝渠隔離（Shallow Trench Isolation，STI)法形成元件隔離 區域2，並於p型矽基板1之全部表面上以熱氧化法形成 閘（gate)氧化膜3，再於其上沈積多晶矽，進行圖案化 (patternning)以形成電晶體(transistor)之閘電極4。之後， 進行磷(P)或砷（As)等的不純物的離子植入等，以自對準 (self-alignment)形成例如是l〇〇nm厚的η型擴散層5 〇 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，請參照第5Β圖所示，使用化學氣相沈積 (chemical vapor deposition，CVD)法沈積例如是由 700nm 左右之硼憐砂玻璃（borophosphosilicate glass，BPSG)所構 成之層間絕緣膜6。其後，經由微影（photolithography)製 程與反應性離子蝕刻(reactive ion etching，RIE)對層間絕 緣膜6進行蝕刻，以形成朝向擴散層5開口並暴露出擴散 層5之接觸窗開口 7。 510021 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 8667pif.doc/008 B7 五、發明説明（7 ) 接著，請參照第5C圖所示，使用濺鍍（sputter)之方法 沈積例如是鈦的金屬阻障物(barrier metal)，並於暴露之擴 散層5上形成20nm厚的金屬阻障膜8。 之後，請參照第6A圖所示，於攝氏600度下及熱處 理，金屬阻障膜8會與所接觸之擴散層5之矽產生反應， 而形成由矽化鈦所構成之金屬矽化物層9。此時，所生成 之矽化鈦其鈦之膜厚與矽之膜厚的比率爲1 : 2.27，且所 形成之金屬矽化物層9係爲自p型矽基板1表面以下之 45nm左右之深度。 最後，請參照第6B圖所示，以化學氣相沈積法等於 全體上沈積例如是膜厚爲400nm的鎢（tungsten，W)，並塡 滿接觸窗開口 7。之後，利用化學機械硏磨（Chemical-Mechanical Polishing，CMP)法等將表面完全平坦化以形成 鎢插塞(plug)10。 然而，隨著細微化同時，擴散層之深度會變淺至l〇〇nm 左右，因而導致擴散層與矽基板之界面與金屬矽化物層之 底面之間的距離大幅縮短。請參照第7圖之用以說明情形 的模式圖所示，在前述習知例中擴散層之深度爲l〇〇nm， 而金屬矽化物層之深度則爲45nm，因而擴散層與矽基板 之界面與金屬矽化物層之間的距離僅有55nm。此時，由 於擴散層與矽基板之界面與金屬矽化物層之間的距離變 短，及金屬矽化物層之膜厚的原因，因而會形成朝擴散層 突出之稱爲尖峰（spike)的局部較深的金屬矽化物層，進而 產生已知之擴散層的接合洩漏(leak)之問題。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝_ 訂- _線 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 510021 A7 8667pif.d〇c/〇〇8 g-y ~—--------- 五、發明説明（3 ) 因此，當發生習知例中之由金屬矽化物層所造成之擴 散層的接合洩漏時’則會有降低記憶胞之資料保持特性的 問題。 爲此，尤其是在DRAM等的記憶胞中，對源極/汲極 擴散層而言，在原常用的全面形成矽化鈦或矽化鈷等的金 屬矽化物層的邏輯（logic)電路部分上變更爲不形成金屬矽 化物層，再於未形成金屬矽化物層之擴散層上形成鎢插塞 等的接觸窗，然此也會產生新的擴散層接合洩漏之問題。 因此，本發明之目的係提供一種半導體裝置及其製造 方法，以形成可靠度高的接觸窗。 發明槪述 本發明提出一種第一型式之半導體裝置，係由擴散 層、絕緣層、及金屬砂化物層所構成，其中擴散層係形成 於矽基板之表面。絕緣層係形成於擴散層之上，且於接觸 窗形成位置上具有接觸窗開口。金屬矽化物層係形成於位 於接觸窗開口內且與擴散層相連接之接觸窗的底部，且金 屬矽化物層之底面係位於矽基板之表面之同一面、或砂基 板之表面之較高位置上。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明提出一種第二型式之半導體裝置，係由擴散 層、絕緣層、及金屬矽化物層所構成，其中擴散層係形成 於矽基板之表面。絕緣層係形成於擴散層之上，且於接觸 窗形成位置上具有接觸窗開口。金屬矽化物層係形成於位 於接觸窗開口內且與擴散層相連接之接觸窗的底部，金屬 矽化物層之底面係位於矽基板之表面之較低位置且自5夕基 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4说格（210X297公瘦^ ---- 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 510021 8667pif.doc/008 _______B7___— 五、發明説明（V ) 板之表面至金屬矽化物層之距離係小於接觸窗底部所形成 之金屬矽化物層之膜厚的1/2。 在上述半導體裝置中，矽薄膜之材質係選自於多晶矽 或非晶矽其中之一。矽薄膜內所含有之元素係選自於硼、 磷、砷、銻或銦等元素。金屬矽化物層之材質較佳係由選 自於鈦、锆、給、釩、鈮、鉬、鉻、鉬、鎢、鐵、鈷、鎳、 鈀或鈾等材質。 本發明提出一種第一型式之半導體裝置之製造方法， 包括：於矽基板之表面上形成薄的氧化膜及閘極，再於矽 基板之表面形成源極•汲極擴散層。接著，於矽基板之上 沈積絕緣膜，且絕緣膜具有暴露出源極•汲極擴散層及薄 的氧化膜的接觸窗開口。再於矽基板之上形成矽薄膜。之 後，於矽薄膜之上形成金屬阻障，再進行熱處理，以使金 屬阻障與矽薄膜反應形成金屬矽化物層。 前述矽薄膜之形成厚度係可使於接觸窗底部所形成之 金屬砂化物層之底面位於與砂基板之表面同一面上，或位 於矽基板之表面之較高位置之面上。或是前述矽薄膜之形 成厚度係可使於接觸窗底部所形成之金屬矽化物層之底面 位於矽基板之表面之較低位置，且自矽基板之表面至於接 觸窗底部所形成之金屬矽化物層之底面的距離係低於接觸 窗底部所形成之金屬矽化物層之膜厚的1/2。 本發明提出一種第一型式之半導體裝置之製造方法， 包括：於矽基板之表面上形成薄的氧化膜及閘極，再於砂 基板之表面形成源極•汲極擴散層。接著，於矽基板之上 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 510021 A7 B7 8667pif.doc/008 五、發明説明（匕） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 沈積絕緣膜，且絕緣膜具有暴露出源極•汲極擴散層及薄 的氧化膜的接觸窗開口。再於矽基板之上形成金屬阻障。 之後，於金屬阻障之上形成砂薄膜，再進行熱處理，以使 金屬阻障與矽薄膜反應形成金屬矽化物層。 前述矽薄膜之形成厚度係可使於接觸窗底部所形成之 金屬矽化物層之底面位於矽基板之表面之較低位置，且自 砂基板之表面至於接觸窗底部所形成之金屬砂化物層之底 面的距離係低於接觸窗底部所形成之金屬砂化物層之膜厚 的1/2。再者，前述矽薄膜之材質係選自於多晶矽或非晶 矽其中之一。前述矽薄膜內所含有之元素係選自於硼、磷、 砷、銻或銦等元素。前述金屬矽化物層之材質係選自於鈦、 锆、鈴、釩、鈮、鉬、鉻、鉬、鎢、鐵、站、鎳、銷或金白 等材質。 在上述本發明之半導體裝置及其製造方法中，形成金 屬矽化物膜所使用之矽層係於形成金屬阻障之前或之後所 形成，藉由矽之充足地提供，可以確保金屬矽化物膜與擴 散層之間的距離足夠，以提供可減少洩漏並提高可靠性的 接觸窗。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 爲讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細 說明如下： 圖式之簡單說明 第1A圖至第1C圖所示爲本發明之第一較佳實施例 之半導體裝置之製造方法的工程剖面圖。 8 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 510021 A7 8667pif.doc/0〇8 B7 五、發明説明（6 ) 第2A圖至第2C圖所示爲本發明之第一較佳實施例 之半導體裝置之製造方法的工程剖面圖。 第3A圖至第3C圖所示爲本發明之第二較佳實施例 之半導體裝置之製造方法的工程剖面圖。 第4A圖至第4C圖所示爲本發明之第二較佳實施例 之半導體裝置之製造方法的工程剖面圖。 第5A圖至第5C圖所示爲習知技術之適用於DRAM 胞的接觸窗製程之製造方法的工程剖面圖。 第6A圖至第6B圖所示爲習知技術之適用於DRAM 胞的接觸窗製程之製造方法的工程剖面圖。 第7圖所示爲用以說明習知技術之問題點的模式圖。 圖式之標iR說明： ---------裝.-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 1，101， 201 : p型矽基板 2，102， 202 :元件隔離區域 3 ， 103 ， 203 :閘氧化膜 4 ， 104 ， 204 :閘電極 5 ， 105 ， 205 : η型擴散層 6 ， 106 ， 206 :層間絕緣膜 7 ， 107 ， 207 :接觸窗 8 ， 109 ， 208 :金屬阻障膜 9，110，210 :金屬矽化物層 I 〇，111，211 :鎢插塞 II :尖峰 108，209 :矽薄膜 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4说格（210X 297公釐） 訂 -線· 經濟部中央標準局貝工消費合作社印繁 510021 8667pif.doc/008 ^ 五、發明説明（1 ) 較佳實施例之詳細說明 第1A圖至第2C圖所示爲本發明之適用於DRAM胞 之第一較佳實施例之半導體裝置之製造方法的工程元件剖 面圖。 首先，參照第1A圖所示，於p型矽基板ι〇1上以淺 溝渠隔離法形成元件隔離區域102，並於p型砂基板101 之全部表面上以熱氧化法形成閘氧化膜103，再於其上以 化學氣相沈積法沈積多晶矽，並以微影法進行圖案化，以 形成電晶體之閘電極104。之後，進行磷或砷等的不純物 的離子植入等，以對閘電極104自對準形成例如是i〇〇nm 厚的η型擴散層105。 接著，請參照第1Β圖所示，使用化學氣相沈積法沈 積例如是由700nm左右之硼磷矽玻璃所構成之層間絕緣膜 106。其後，經由微影製程與反應性離子蝕刻對層間絕緣 膜106進行蝕刻，以形成朝向擴散層105開口並暴露出擴 散層105之接觸窗開口 107。 之後，請參照第1C圖所示，使用化學氣相沈積法於 全面上沈積厚度爲45nm之例如是由多晶砍(poly silicon) 或非晶矽（amorphous silicon)所構成之政薄膜108。 在沈積矽之材料中，尤以低溫沈積之非晶矽爲較佳之 材料。 接著，請參照第2A圖所示’使用例如是濺鍍之方法 沈積例如是鈦的金屬阻障物，並於矽薄膜108上形成20nm 厚的金屬阻障膜109。 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現格（210X297公釐） --------^-琴------、tr----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 510021 8667pif.doc/008 B7 五、發明説明（i ) 之後，於攝氏600度下及熱處理，金屬阻障膜109會 與所接觸之矽薄膜1〇8之矽產生反應，而形成如第2B圖 所示之由矽化鈦所構成之金屬矽化物層110 ° 此時，如同前述敘述，所生成之矽化鈦，其鈦之膜厚 與矽之膜厚的比率爲1:2.27,且所形成之金屬矽化物層110 與p型砂基板101之界面係形成於p型砂基板101表面。 即，在金屬矽化物形成之際，金屬阻障層反應所需之矽是 由沈積於擴散層之上的矽層所供給，因而不會於P型矽基 板之表面下形成金屬矽化物層。 最後，請參照第2C圖所示，以化學氣相沈積法等於 全體上沈積例如是膜厚爲400mn的鎢，並塡滿接觸窗開口 107。之後，利用化學機械硏磨法等將表面完全平坦化以 形成鎢插塞Π1。 由此所形成之接觸窗係與形成於接觸窗底部之金屬矽 化物層之最底部位於砂基板之最表面與同一面上，或是位 於矽基板之最表面之較高之面上。如此，可以確保擴散層 與矽基板之界面與金屬矽化物層之間的距離足夠長，再 者，即使因金屬矽化物層之膜厚而形成局部較深且稱爲尖 峰的金屬矽化物層之際，也可以防止擴散層之接合洩漏。 再者，在本第一較佳實施例中，於接觸窗開口底部所 形成之矽薄膜的厚度較薄時，則會發生在金屬矽化物形成 之際之來自矽薄膜之矽供給不足時，並發生其所需之矽由 其下之擴散層所供給之情形。在此情形下，則所形成之金 屬矽化物膜之底面會略低於前述之矽基板表面，但此自矽 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 510021 8667pif.doc/008 ___B7_ 五、發明説明（1 ) 基板之表面至金屬矽化物底面之距離不會超過金屬矽化物 之膜厚的1/2。因此爲了有效地抑制洩漏之發生，其滿足 之條件係由矽薄膜之厚度所決定。 第3A圖至第4C圖所示爲本發明之適用於DRAM胞 之第一較佳實施例之半導體裝置之製造方法的工程元件剖 面圖。 首先，參照第3A圖所示，於p型矽基板201上以淺 溝渠隔離法形成元件隔離區域202，並於p型矽基板201 之全部表面上以熱氧化法形成閘氧化膜203，再於其上以 化學氣相沈積法沈積多晶矽，並以微影法進行圖案化，以 形成電晶體之閘電極204。之後，進行磷或砷等的不純物 的離子植入等，以對閘電極204自對準形成例如是lOOnm 厚的η型擴散層205。 接著，請參照第3Β圖所示，使用化學氣相沈積法沈 積例如是由7〇〇nm左右之硼磷矽玻璃所構成之層間絕緣膜 206。其後，經由微影製程與反應性離子蝕刻對層間絕緣 膜206進行蝕刻，以形成朝向擴散層205開口並暴露出擴 散層205之接觸窗開口 207。 之後，請參照第3C圖所示’使用例如是濺鍍之方法 沈積例如是鈦的金屬阻障物，以形成2〇nm厚的金屬阻障 膜 208 〇 接著，請參照第4A圖所示，使用例如是濺鍍之方法 沈積厚度爲22.5nm之例如是由多晶矽或非晶矽所構成之 矽薄膜209。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） --------裝.------訂-----φ線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 510021 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 8667pif.doc/008 D / 五、發明説明（（U ) 之後，於攝氏600度下及熱處理，金屬阻障膜208會 與所接觸之矽薄膜209及擴散層205中之矽產生反應，而 形成如第4B圖所示之由矽化鈦所構成之金屬矽化物層 210 ° 當此矽化鈦生成時，其鈦之膜厚與矽之膜厚的比率爲 1 : 2.27，因而消耗了位於金屬阻障膜208之上部之22.5nm 的矽薄膜209及位於金屬阻障膜208之下部之22.5nm的p 型矽基板201。因而形成自p型矽基板201表面朝下深 22.5nm的金屬矽化物層210。換言之，形成金屬矽化物層 時所使用之矽係由擴散層與矽薄膜兩者所提供，此與習知 例比較可知，可以明顯地減少朝向擴散層側之金屬矽化物 的形成量。 另一方面，由於在層間絕緣膜206上對金屬阻障208 之厚度爲20nm而言具有22.5nm之矽薄膜2〇9，因此不會 有爲反應之金屬阻障208之殘留，而沒有後續之去除製程 上的問題。 最後，請參照第4C圖所不’以化學氣相沈積法等於 全體上沈積例如是膜厚爲400nm的鎢，並塡滿接觸窗開口 207。之後，利用化學機械硏磨法等將表面完全平坦化以 形成鎢插塞211。 由此所形成之接觸窗係與形成於接觸窗底部之金屬矽 化物層之最底部位於矽基板之較低之最表面’且自矽基板 之最表面至形成於接觸窗底部之金屬矽化物層之距離，係 低於形成於接觸窗底部之金屬矽化物層的膜厚的1/2。如 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂- _線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 510021 A7 8667pif.doc/008 B7 _ 五、發明説明（U ) 此，可以確保擴散層與矽基板之界面與金屬矽化物層之間 的距離足夠長，再者，即使因金屬矽化物層之膜厚而形成 局部較深且稱爲尖峰的金屬矽化物層之際，也可以防止擴 散層之接合洩漏。 在上述各較佳實施例中，於形成金屬阻障之前後所形 成之矽薄膜，也可以分別摻雜有硼（B)、磷、砷、銻（Sb)、 銦（In)等元素。亦即，對η型擴散層而言可以含有磷、砷 或銻，而對Ρ型擴散層而言則可含有硼或銦等與擴散層具 有同一導電型的矽薄膜，如此可以有效的防止金屬矽化物 層吸收擴散層之不純物。 再者，金屬阻障之材料係選自於鈦、锆(Zr)、飴(Hf)、 釩（V)、鈮(Nb)、鉬（Ta)、鉻（Cr)、鉬（Mo)、鎢、鐵(Fe)、 鈷、鎳(Ni)、鈀(Pd)、鉑(Pt)等之範圍，使用前述材質之情 形可以形成對矽安定的金屬矽化物層。 發明之效果 由本發明之申請範圍第1項可知，形成於接觸窗底部 之金屬矽化物層之最下部位於矽基板之最表面與同一面 上，或是位於矽基板之最表面之較高位置上。如此，可以 確保擴散層與矽基板之界面與金屬矽化物層之間的距離足 夠長，再者，即使因金屬矽化物層之膜厚而形成局部較深 且稱爲尖峰的金屬矽化物層之際，也可以防止擴散層之接 合拽漏。 由本發明之申請範圍第2項可知，形成於接觸窗底部 之金屬矽化物層之底面係位於矽基板之表面之較低位置， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· -線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 510021 A7 B7 8 6 6 7 pif. doc/008 五、發明説明（Vi 且自矽基板之最表面至形成於接觸窗底部之金屬矽化物層 之最下部之距離，係低於形成於接觸窗底部之金屬矽化物 層的膜厚的1/2。如此，可以確保擴散層與矽基板之界面 與金屬矽化物層之間的距離足夠長，再者，即使因金屬矽 化物層之膜厚而形成局部較深且稱爲尖峰的金屬矽化物層 之際，也可以防止擴散層之接合洩漏。 由本發明之申請範圍第6項可知，當朝向擴散層之接 觸窗開口形成之後，於暴露之擴散層上依序沈積矽薄膜與 金屬阻障，再進行後續之熱處理而形成金屬矽化物層。此 時形成金屬矽化物所必需之矽係由矽薄膜所供給，由此所 形成之金屬矽化物之底面未與擴散層與矽基板之介面近 接，而可確保具有足夠長之距離。如此，即使因金屬矽化 物層之膜厚而形成局部較深且稱爲尖峰的金屬矽化物層之 際，也可以防止擴散層之接合洩漏。 由本發明之申請範圍第9項可知，當朝向擴散層之接 觸窗開口形成之後，於暴露之擴散層上依序沈積金屬阻障 與矽薄膜，再進行後續之熱處理而形成金屬矽化物層。此 時形成金屬矽化物所必需之矽係由位於金屬阻障上之矽薄 膜所供給，由此所形成之金屬矽化物之底面未與擴散層與 矽基板之介面近接，而可確保具有足夠長之距離。如此， 即使因金屬矽化物層之膜厚而形成局部較深且稱爲尖峰的 金屬矽化物層之際，也可以防止擴散層之接合洩漏。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現格（210X297公釐） --------裝------訂-----^線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝

Claims (1)

1. 經濟邹智慧財產局員工消費合作社印製 510021 A8 B8 8667pif-d〇C/Q〇8 諸_ 六、申請專利範圍 1 · 一種半導體裝置，包括： 一擴散層，形成於一矽基板之一表面； 一絕緣層’形成於該擴散層之上，且於一接觸窗形成 位置上具有一接觸窗開口；以及 一金屬政化物層，係形成於位於該接觸窗開口內且與 該擴散層相連接之一接觸窗的底部，該金屬矽化物層之底 面係位於該矽基板之該表面之同一面、或該矽基板之該表 面之一較高位置上。 2· —種半導體裝置，包括： 一擴散層，形成於一矽基板之一表面； 一絕緣層’形成於該擴散層之上，且於一接觸窗形成 位置上具有一接觸窗開口；以及 一金屬矽化物層，係形成於位於該接觸窗開口內且與 該擴散層相連接之一接觸窗的底部，該金屬矽化物層之底 面係位於該矽基板之該表面之一較低位置且自該矽基板之 該表面至該金屬矽化物層之一距離係小於該接觸窗底部所 形成之該金屬矽化物層之一膜厚的1/2。 3 ·如申g靑專利範圍第1項或第2項中任一項所述之半 導體裝置，其中該矽薄膜之材質係選自於多晶矽或非晶砂 其中之一。 4·如申請專利範圍第1項或第2項中任一項所述之半 導體裝置，其中於該矽薄膜內所含有之元素係選自於硼、 磷、砷、銻或銦等元素。 5·如申請專利範圍第i項或第2項中任一項所述之半 I 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2]0 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

   510021 A8 BS 8667pif.d〇c/〇〇8 六、申請專利範圍 導體裝置，其中於該金屬砍化物層之材質係選自於欽、錯、 給、釩、鈮、鉬、鉻、鉬、鎢、鐵、鈷、鎳、鈀或鉬等材 質。 6·—種半導體裝置之製造方法，包括： 於一砂基板之一表面上形成一薄的氧化膜及一閘極； 於該矽基板之該表面形成一源極·汲極擴散層； 於該矽基板之上沈積一絕緣膜，且該絕緣膜具有暴露 出該源極•汲極擴散層及該薄的氧化膜的一接觸窗開口； 於該矽基板之上形成一矽薄膜； 於該矽薄膜之上形成一金屬阻障；以及 進行一熱處理，以使該金屬阻障與該矽薄膜反應形成 一金屬砂化物層。 7·如申請專利範圍第6項所述之半導體裝置之製造方 法，其中該矽薄膜之形成厚度係可使於該接觸窗底部所形 成之該金屬矽化物層之一底面位於與該矽基板之該表面同 一面上，或位於該矽基板之該表面之較高位置之一面上。 8. 如申請專利範圍第6項所述之半導體裝置之製造方 法，其中該矽薄膜之形成厚度係可使於該接觸窗底部所形 成之該.金屬矽化物層之一底面位於該矽基板之該表面之較 低位置，且自該矽基板之該表面至於該接觸窗底部所形成 之該金屬矽化物層之該底面的一距離係低於該接觸窗底部 所形成之該金屬矽化物層之一膜厚的1/2。 9. 一種半導體裝置之製造方法，包括： 於一矽基板之一表面上形成一薄的氧化膜及一閘極； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】ΰχ297公坌） -----— Ill---· I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510021 3667pif.d〇c/ 0 0 8 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 於該矽基板之該表面形成一源極·汲極擴散層； 於該矽基板之上沈積一絕緣膜，且該絕緣膜具有暴露 出該源極•汲極擴散層及該薄的氧化膜的一接觸窗開口； 於該矽基板之上形成一金屬阻障； 於該金屬阻障之上形成一砂薄膜；以及 進行一熱處理，以使該金屬阻障與該矽薄膜反應形成 一金屬矽化物層。 10·如申請專利範圍第9項所述之半導體裝置之製造 方法’其中該矽薄膜之形成厚度係可使於該接觸窗底部所 形成之該金屬矽化物層之一底面位於該矽基板之該表面之 較低位置，且自該矽基板之該表面至於該接觸窗底部所形 成之該金屬矽化物層之該底面的一距離係低於該接觸窗底 部所形成之該金屬矽化物層之一膜厚的1/2。 Π·如申請專利範圍第6項至第1〇項中任一項所述之 半導體裝置之製造方法，其中該矽薄膜之材質係選自於多 晶矽或非晶砂其中之一。 12·如申請專利範圍第6項至第1〇項中任一項所述之 半導體裝置之製造方法，其中於該矽薄膜內所含有之元素 係選自於硼、磷、砷、銻或銦等元素。 13·如申請專利範圍第6項或第9項中任一項所述之 半導體裝置之製造方法，其中於該金屬矽化物層之材質係 選自於鈦、锆、給、釩、鈮、鉬、鉻、鉬、鎢、鐵、鈷、 鎳、鈀或鉑等材質。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公坌） ---------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 言 r 涇齊卽智i材查¾員工消費合作fi印妓