TW507285B - Protecting method for semiconductor wafer and surface protecting adhesive film for semiconductor wafer used said method - Google Patents

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TW507285B
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film
adhesive
semiconductor wafer
adhesive film
semiconductor
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TW090130780A
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English (en)
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Yoshihisa Saimoto
Yasuhisa Fujii
Makoto Kataoka
Kentaro Hirai
Hideki Fukumoto
Original Assignee
Mitsui Chemicals Inc
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Description

五、發明說明（1) 之領域 本發明係關於一種半導體晶圓保 該方法之半導體晶圓用之表面保護黏著ί 及一種使用於 、：其係關於-種有用於在將半導體‘圓::f。更明確言之 半導體晶圓之破裂，且可改p = f、交薄之步驟中防止 法，及-種使用於該方法之二曰二：導體晶圓保護方 薄膜。 日日®用之表面保護黏著 查JI之背景 加工半導體晶圓之步驟包括將半曰 黏著薄膜黏著至半導體晶圓之 ®用之表面保護 •半導體晶圓之非電路形成表面;=成表面之步驟，加工 表面保護黏著薄膜剝離之步驟，；；導導體晶圓用之 之方粒切製步驟，將分割後之半^ =晶圓分割及切割 Γ 後為利用供保護外部部分用之樹脂密封 體晶片之成型步驟等等。 在晶粒黏合步驟巾’迄今大多係使用將作為晶粒黏合材 ^之樹脂糊料供給至導線架，及將半導體晶片置於其上進 行黏合之方法。然而，當使用樹脂糊料時，很難將其均勻 地塗布於導線架上。因此，會有在將黏合層固化時產生空 隙，產生晶片龜裂等等的問題。 為改良作為晶粒黏合材料之樹脂糊料之瑕疵的不均勻塗 布性質及使整體步驟合理化，曰本公開專利Ν〇· 3 02, 629/ 1 994揭示一種將晶粒黏合用之黏合薄膜使用於晶 粒黏合步驟中之方法。此方法係於將晶粒黏合用之黏合薄
C:\2D-CODE\91-03\90130780.ptd 第7頁 五、發明說明（2) 膜黏著至半導體晶圓之非電 晶粒黏合用之黏合薄膜黏著於表面之步驟，將經固定 及切割之晶粒黏合步驟及將方板切製帶上，及將其分割 行將半導體晶片晶粒黏合至2製帶剝離之步驟之後進 此方法係在進行方粒切製驟：j步驟之方法。 180 下’將晶粒黏合用之黏入驟之使用輥子在15。至 微米之半導體晶圓之非電路熱黏著至厚度大約3〇〇 半導體晶圓黏著至方粒切努！:成^面’將經黏著黏合劑之 劑之半導體晶片，然後將唾：签^割及切割成具有黏合 粒切製帶剝離，並熱壓於導合劑之半導體晶片自方 有！將半導體晶圓之非電路形：#:f法：然而’此方法 更薄，尤其係至低於2 〇 〇微 ^ σ工以使半導體晶圓 之表面保護黏著薄膜，否則" ’除非黏著半導體晶圓用 合用之黏合薄膜之輥子之厭f導體晶圓將會被黏著晶粒黏 近年來極度需要使半導=:1等等的嚴重問題。 刚微米之晶m。/此+\體/曰片變薄’且需要厚度30至 合薄膜，且甚至不使經如而士^；；種可黏著晶粒黏合用之黏 體晶圓保護方法。 欠溥之半導體晶圓破裂之半導 1明之竭元肉客 鑑於前述問題，本發 體晶圓弄薄至200微米以下二的^提供一種即使當將半導 破裂之半導體晶圓保護方旱又~仍可防止半導體晶圓 半導體晶圓用之表面保=著J;種使用於保護方法中之 本發明人積極進行研究1此發現可解決前述之問題， C:\2D-G0DE\91-03\90!30780.ptd 第8頁 五、發-說明（3) ______ **^致在進行牌 導體晶圓之d;圓用之表面保護點著薄膜勘著至半 面加工，鈇接s屯成表面，將半導體晶圓之非電路形述# 圓之非電：形黏合用之黏合薄膜黏著至半導體晶 用之表面保列的步驟中，在將半導體晶圓 之狀態中將晶粒黏人用：：士 士導體晶圓之電路形成表面 電路形成表面，及二缚膜黏著至半導體晶圓之非 2 0 〇 t以上炫點之了脂用制將///形成於至少-^ 晶圓用t A β Μ日衣成之基材薄膜之一表面之丰g _ 、換=本第著此發現導致本‘ 去，其包括將半導沪曰：月係、#半導體晶圓保護方 導體晶圓之電路表面保護黏著薄膜黏著至半 非電路形成表面之第：牛弟：步驟，加工半導體晶圓之 至半導體晶圓之非；路形成之黏合薄膜 在於第三步驟係未將半導體曰二步驟，其特徵 1而進行，及使用將具有在/^用下之表+面保護黏著薄膜剝 小a)之儲能彈性模數及3至1 〇〇微米，/ 1 X 1〇5帕斯卡 〉、一層係由具有2〇〇 t以上溶之^子又之黏著層形成於至 ~ί面/之半導體晶圓用之表面 么明之第一發明的特徵為在自雕、。 呆濩黏著薄膜黏著至半導c Β ’蜍肢晶圓用之表面 離的-系列步驟中，將晶粒;形成表面至其之剝 體晶圓之非電路形成表面之步 ^ a合薄膜黏著至半導 電路形成表面之步驟之後，在將主' 加工半導體晶圓之非 在將+導體晶圓用之表面保護 -—--------- mmm! 第9頁 C:\2D-00DE\9l.03\90I30780.ptd 507285 五、發明說明（4) 黏著薄膜黏著至半導體晶圓之電路形 仃，及使用將黏著層形成於至少一^表面之狀態中進 熔點之樹脂製成之基材薄膜之一声f係由具有200 °C以上 此等步驟中所使用之半導體晶圓黏著薄膜作為在 此外，本發明之第二發明係—種往，面保護黏著薄膜。 半導體晶圓保護方法中之半導⑬曰2於根據第一發明之 膜’且其係-種可適當地：：：;;：以：=黏著薄 體晶圓用之表面保護黏著薄膜，其中二圓之半導 少1 X 1 〇5帕斯卡之枝& w ^ 于將具有在150 C下至 声來占仇 卡"早性杈數及3至1〇〇微米厚度之邦英 ί ΐ 2 層係由具有200 °c以上熔點之樹脂f i 且具，至35。微米厚度之基材薄膜的一表面:成’ 發明’即使係在具有2〇〇微米以下厚度之薄半導 仍：產生可防止半導體晶圓在前述之系列步驟 甲之破裂、污染等等的效果。 哪 佳方式 以下詳細說明本發明。在製造應用根據本發明之 晶/圓保護方法之半導體晶圓之方法中，如前所述，先依$ 進订將半導體晶圓用之表面保護黏著薄膜黏著至半導體曰 圓^電路形成表面（以下稱為表面）之第〆步驟及加工半曰i 體晶圓之非電路形成表面（以下稱為背面）之第二步驟，然 後=將表面保護黏著薄膜剝離，而進行將晶粒黏合用之黏 合薄膜黏著至半導體晶圓之背面之第三步驟。後續之步驟 並^特殊之限制。舉例來說，提及一種依序進行剝離半導 體晶圓用之表面保護黏著薄膜之步驟，分割及切割半導體 π
第10頁 C:\2D-G0DE\91-03\90130780.ptd 、發明說明（5) 晶圓之方教 制 半導體晶片=二步驟，利用供保護外部部分用之樹脂密封 首先，二;；”驟等等之製造半導體晶圓之方法。 本發明之丰莫=、Γ呪明本發明之半導體晶圓保護方法。在 用之表面佯1 Γ，保濩方法中，依序進行將半導體晶圓 加工半導至：導體晶圓之表面之步驟及 晶圓用之# 之第一步驟，然後進行不將半導體 薄膜黏著：主Γΐ黏著薄膜剝離，而將晶粒黏合用之黏合 在1501下5牛丨¥肢晶圓之背面之第三步驟。此時，將具有 米厚度之& /思1 \ 1 〇5帕斯卡之儲能彈性模數及3至1 00微 之樹脂1^2 =於至少一層係由具有200 °cw上炫點 關衣成之基材薄膜的一表面上。 將剝離;體晶圓保護方法之細•，首先， 稱為表面伴f Ιέ菩用之表面保護黏著薄膜（以下簡 表面暴露ίΐ ϊ)之黏著層側剝•’以使黏著層之 體晶圓之矣〃透過黏者層將表面保護黏著薄膜黏著至半導 基巧；ί:?二驟)。！後透過表面保護黏著薄2 置之夾A 2 : + ¥ 一圓固疋於背面加工機器或其類似裝 σ上’以加工半導體晶圓之背面（第二牛 中’可進行研磨半導體晶圓之背面之-步u: 以步：：拋光步驟之全部，或可進行此等步驟之任二 而針4者將半導體晶圓輸送至不將表面保護黏著薄膜剝離 =土粒黏合用之黏合薄M ’以黏著晶粒黏合用之點人 ::之步驟（第三步驟）。其後將表面保護黏著薄膜剝離： 此外，於將表面保護黏著薄膜剝離之後，視需要對半導體
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晶圓之表面施行諸如水洗、電漿洗滌等等之處理。 在一般的方法中，在背面加工步驟中，視半導體晶片 類型等等，而將在研磨背面之前具有5〇〇至1，〇〇〇微米厚= 之半導體晶圓弄薄至20 0至6 00微米。另一方面，經由^ $ 本發明之保護方法，可將其弄薄至2 〇 〇微米以下之厚度。
在此情況，半導體晶圓之最小厚度大約為2 〇微米。當將半 導體晶圓弄薄至2 0 0微米以下時，在背面研磨之後進^于濕 式蝕刻步驟或拋光步驟較佳。在研磨背面之前之半導體·晶 圓的厚度係視半導體晶圓之直徑、類型等等而適當地決 定，及在研磨背面之後之半導體晶圓的厚度係視所產生之 晶片之尺寸、電路之類型等等而適當地決定。 將表面保護黏著薄膜黏著至半導體晶圓之表面之步驟有 時係以人工方式進行。然而，其一般係利用裝有成卷表面 保邊黏著薄膜之稱為自動層合機之裝置進行。此一層合機 之例子包括Taka tori Corporation製造之型式
ATM-1000B 、ATM-1100 及TEAM-100及Teikoku Seiki K K 製造之型式STL系列。 ·’ 關於背面研磨方法，使用已知之研磨方法諸如通過供料 (through-feed)方法、内供料（in-feed)方法等等。在任 何此等方法中，通常係邊經由供應水以使半導體晶圓及磨 石冷卻，邊進行背面研磨。於背面研磨完成後，視需要進 打濕式蝕刻及拋光。進行濕式蝕刻步驟及拋光步驟係要將 在半導體晶圓之背面上所產生之彎曲移除，使半導體晶圓 進一步變薄，將氧化物層或其類似物移除，在背面上形成
507285 發明說明（7) 電極時進行前處理等等。蝕刻溶液係根據前述目的而適當 地選擇。 關於使用在黏著晶粒黏合用之黏合薄膜之步驟中的裝 置，舉例來說，說明Takatori C〇rp〇rati〇n製造之型式 ATM-820 0、DM-80 0。關於晶粒黏合用之黏合薄膜，提及一 種經由將由聚醯亞胺樹脂及熱固性樹脂之混合物製成之清 漆塗布於聚酿或聚丙稀薄膜之表面上形成黏合層所製得之 黏合薄膜。此時，聚醯亞胺樹脂及熱固性樹脂之混合物有 時可視需要而包含添加劑。利用輥子將晶粒黏合用之黏合
薄膜熱黏著至半導體晶圓之背面，而形成黏著有黏合劑之 半導體薄膜。 於分別完成背面研磨步驟、蝕刻步驟及黏著晶粒黏合用 之黏合薄膜之步驟之後，將表面保護黏著薄膜自半導體晶 圓之表面剝離。此等步驟之系列有時係以人工方式進行B，a 但其一般係利用稱為自動剝離機之裝置進行。關於此自動 剝離機，說明Takatori Corporation製造之型气 ATRM-200 0B 及 ATRM-2100 及 Teikoku Seiki K.lJ 製造之型 式STP系列。此外，為改良剝離性質，視需| = t 貝矾而要進行熱剝離 季父隹。
視需要洗滌於將表面保護黏著薄膜剝離後之半導體曰 的表面。洗滌方法之例子包括濕洗諸如水洗、 ς =二 等，乾洗諸如電漿洗滌等等，及其他類似方法。省2 中，可結合使用超音波洗滌。此等洗滌方法係視 晶圓之表面上的污染情況而適當地選擇。 - 5072 幻
下。根二本：：用ΐ本發明之表面保護黏著薄膜說明於 成於基材薄保護ί著薄膜係經由將-黏著層形 -剝離薄臈黏得。為保護黏著層，通常將 剝離時所暴露之黏ΪΪ層ΐ表面。考慮透過當將剝離薄膜 仇，脸* ί由黏者層所造成之在半導體晶圓之表面上的污 焊形成黏# ί ΐ 缚膜之一表面上，並乾 黏者層’及將所產生之黏著層轉移於基材薄膜之一 表面上之方法為較佳。 竹辟肤& 基材薄膜之至少一層德由且右9 n n L w 成的耐熱性薄膜較佳。由且；250。。以卜广點之樹脂製 甶/、有250 c u上熔點之樹脂製成 之溥膜更佳。樹脂薄膜包括由聚酯諸如聚對苯二甲酸乙二 酉曰聚萘一曱酸乙二_等等、聚醯亞胺、聚峻驗嗣、聚_ ，及其之混合樹脂所製成之樹脂薄膜。其之典型的商業產 口 口 括Teijin Ltd·製造之商品名Teonex，三菱化學股份 有限公司（Mitsubishi Chemical Corporation)製造之; 品名Torlon 4203L ,及ICI製造之商品名45G&2〇〇p等等°。 當表面保護黏著薄膜之基材薄膜具有至少一層由具有 2 0 0 C以上溶點之樹脂製成之耐熱層時，其可與其他薄膜 層合。當所有層之熔點皆低於200 t時，在黏著晶粒黏合 用之黏合薄膜之步驟中在表面保護黏著薄膜上會產生因"熱 的變形，其可能會使變薄的半導體晶圓破裂。 為提南在研磨半導體晶圓之背面時的保護性質，除了耐 熱性薄膜之外，可層合由具低彈性模數之樹脂製成之薄、
五、發明說明（9) 膜。具低彈性模數之薄膜 共聚物、乙稀-丙稀酸烧包括由乙烯-乙酸乙烯醋 子）、低密度聚乙烯、乙” ♦物（烷基具有1至4個碳原 至8個碳原子）簟笙制+烯_ α _烯烴共聚物（α _烯烴具有3 百分比之乙=膜。…㈣5。重量 薄膜為較佳。 3里之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物 製造基材薄膜之一血 模數之薄膜擠出成型之忐係在利用擠塑機將具低彈性 薄膜層合之U。為㉟進^且^與預先製備得之财熱性 薄膜之間的黏著，可在苴ς低弹性模數之薄膜與耐熱性 材薄膜與黏著層之間的黏著'2 一黏合層。為增進在基 膜的表面施行電暈放電處理、化；；士形成黏著層之基材薄 材薄膜之厚度為5〇至35 b干處理等等較佳。整體基 低彈性模數之薄膜層二，二，^ 米，及後—層之厚度為20至3〇(^層平之//為10至300微 W微米更佳。具低彈膜度 裂。其上形成黏著劑層之以之破 上或在具低彈性模數之薄膜之=層K耐；則 為較佳。“者步驟…具低彈性模數之薄膜之側 曲考ίί21止/弄薄謂0微米以下之半導體晶圓之彎 由八200 C以上炼點之樹脂製成之基材薄膜層之儲能
^U/285 五、發明說明（ίο) =性模數在0至l〇(TC下為1〇3至1〇5 MPa，以1〇3至1〇4 MPa :父佳’及在100至300 °c下為10至1〇4 MPa，以1〇2至1〇3 MPa 較佳。 2成根據本發明之表面保護黏著薄膜之黏著層的黏著劑 J L ΐ在黏著晶粒黏合用之黏☆薄膜 < 溫度條件下仍完全 :黏二劑之功能較佳。其之明確例子包括丙婦酸系黏著 :”著劑等等。黏著層之厚度為3至100微米較 I道# ί著劑層中，於將表面保護黏著薄膜剝離之後，在 _ :導肽日日圓之電路形成表面上不會發生由於黏著劑轉移 4所致之污染較佳。 ^具有反應性官能基之交聯劑、過氧化物、放射線等 ί ί =被度下使黏著層交聯較佳，以免在將晶粒黏合用之 膜熱黏著之晶粒黏合步驟中暴露 =地，曾加，及提高在半導體晶圓之表面上之污Π 黏者晶粒黏合用之黏合薄膜時，即使當在1 50 t以 ^溫纟之條件下進行熱處王里時，Μ會發生由於黏著之 二〇所致之不充分的剝離，且不會發生黏著劑轉移較佳。 ，此，黏著層具有在150。(：下至少1χ 1〇5帕斯卡之儲能彈 性杈數較佳。黏著層具有在2〇(rc下至少1χ 1〇5帕斯卡之 =J彈性模數更佳。儲能彈性模數愈高愈佳。然而，上限 通吊為lx 1〇8帕斯卡。 二卜’ 4慮到防止經弄薄至200 M米以下之半導體晶圓 弓曲，由具20 〇t以上熔點之樹脂製成之基材薄膜 儲能彈性模數[(G) MPa]及厚度[(D)微米]之比在Oifoo之。c
507285 五、發明說明（ii) _ 下最好滿足由以下方程式（1 )所表示之關係，及在丨〇 〇至 300 °C下最好滿足由以下方程式（2)所表示之關係。 3 ^ G/D ^ 1 0,00 0 …（1) 〇· 〇3 $ G/D $ 1，0 0 0 …（2) 爾述之比在0至l〇Q°C下滿足由以下方程式（3)所表示之 關係，及在100至3 0 0 t下滿足由以下方程式（4)所表 關係更佳。 ' 5 ^ G/D ^ 70 0 …⑻ 〇. 5 ^ G/D ^ 70 …⑷ =形成$有前述特性之黏著層之方法，提及一 丙烯酉夂糸黏著劑之方法。黏著層传 劑（其係分別包含特定量之（甲;)係丙=使Λ 系黏著 /Λ、 θ ^ 竹心里丙烯酸烷基酯單體覃开 (Α)、具有可與交聯劑反應之官能基之 官能單體單元（C)之乳液聚合共聚物早入7"(Β)及二 聚力或調整黏著力之在分子中且 ：二用於提高内 劑之溶液或乳液所形成。在：上：=2基之交聯 劑之情況中，經由脫鹽作用等等 ^ ^ 、酸系黏著 乳液聚合作用製得之乳液分離"劑自經由 且在許多情況中，丄：2具有相當高的分子量， 由成本的硯點來看，就此使 Τ因此，亦 較佳。 礼液形恶之丙烯酸系黏著劑 關於使用於本發明之丙稀酸系黏著劑 用丙稀酸烧基酿、曱基丙歸酸貌基醋或其之混合
C:\2D-CODE\91-03\90130780.ptd 第17頁 507285 五、發明說明（12) 單體[以下稱為單體（人）]，及將Α盥—人 及將具與包含具有可與交聯劑 反應之S此基之共單體之單體混合物 酸系黏著劑。 初/、♦合而製付之丙烯 产ST甲之其例子包括含具1至12個碳原子之烧基的丙稀酸 酸;:明酸基:稀酸 丙細酸丁自旨、丙稀酸2-乙基己酷耸笪 甘 以上之混合物使用。以作：以：起；：：獨或以兩者 j扣有釗之起始物料 的總量計，單體⑴之使用量通常係在10至98斤有早^ 比之範圍内較^圭。其為85至95重量百分比更佳。經由將刀 體(Α)之使用1指定於此一範圍β，製得包含ι〇至们重 量百分比，以8 5至9 5重量百分比經佳&卩 · 醋單體單元⑴的聚合物。“之(甲基)丙烯酸烧基 形成具有可與交聯劑反應之官能基之單體 體（B)的例子包括丙稀酸、甲基丙稀酸、伊康酸; 酸、檸康酸、反丁烯二酸、順丁烯二酸、伊康烷基 醋、中康酸單烷基醋、檸康酸單烷基醋、反丁 I酸 基酯、順丁烯二酸單烷基酯、丙烯酸環氧丙酯、 丙= 酸環氧丙醋、丙烯酸2-羥乙略、甲基丙烯酸 ： :醯胺盆甲基丙=胺、丙埽酸第三丁基 、丙 第三丁基胺m較佳者為丙婦酸、？基丙稀酸、丙 釋-經乙醋、甲基丙細酸2、經乙醋、内稀酿胺、甲基丙
»11 C:\2D-CDDE\91-03\90130780.ptd 第18頁 507285 五、發明說明（13) 烯醯胺等等。可將其之一者與主單體丘平 卞版合，或可將豆之 兩者以上與其共聚合。一般而言，以作為 μ 1卜馮黏著劑之起始物 料之所有單體的總量計，具有可與交聯劑反廡 單體（Β)之使用量係在重量百分比之範^内較盆 量為1至10重量百分比更佳。如此製得具有與單體组成物 大約相同組成物之具有結構單元（B )的聚合物。 此外，為使黏著層即使係在加工半 著晶粒黏合用之黏合薄膜等等中之溫 有黏著劑之功能，最好調整黏著或剝 法，最好考慮顆粒本體之交聯方法， 聚力。
導體晶圓之背面，黏 度條件下仍可完全具 離性質。關於其之方 以維持乳液顆粒之内 由於乳液顆粒即使係在150至20 0 t之溫度條件下仍具有 1 X 1 05帕斯卡以上，因此最好經由共聚合二官能單體（c ) 改良父聯方法’以維持内聚力。可良好共聚合之單體的例 子包括曱基丙細酸稀丙S旨、丙稀酸稀丙@旨、二乙稀基笨、 甲基丙烯酸乙烯酯、丙烯酸乙烯酯，其中，例如，兩端為 -一丙稀酸s旨或一甲基丙細酸S旨之材料及主鍵為丙二醇[曰 本油脂股份有限公司（Nippon Oils and Fats Cck，Ltd.) 製造之商品名：PDP-2 00、PDP-40 0、ADP - 20 0 及 ADP-400 ] 、丁二醇[日本油脂股份有限公司製造之商品名：ADT-250 及A D T - 8 5 0 ]或其之混合物[日本油脂股份有限公司製造之 商品名：ADETM 80 0及ADPT-400 0 ]之結構等等。 當將二官能單體（C)乳液共聚合時，以所有單體計，其 之使用量為0.1至30重量百分比較佳，〇·1至5重量百分比
C:\2D-00DE\9 卜 03\90130780.ptd 第19頁 507285 五、發明說明 大約相等之組成物的 更佳。如此，製得具有與單體組成物 具有結構單元（C )的聚合物。
除了構成钻者劑之主單體及具有可與交聯劑反應之官能 基之共皁體之外，可共聚合具有作為.表面活性劑之性質的 特定共單體（以下稱為可共聚合之表面活性劑）。可丘聚八 之表面活性劑具有可與主單體及共單體共聚合，且亦可於 乳液聚合作用中提供作為乳化劑之性質。在使用經由乳液 聚合作用使用可共聚合之表面活性劑而製得之丙烯酸系黏 著劑之情況中’通常不會發生由於表面活性劑所致之在半 導體晶圓之表面上的污染。此外，即使當由於黏著劑層而 發生輕微污染時’其可經由以水洗滌半導體晶圓之表面而 容易地除去。 此一可共聚合之表面活性劑的例子包括將可聚合之丨一丙 細基引入於本ί衣中之聚氧伸乙基壬苯基鱗[Daiichi Kogyo
Seiyaku Co·，Ltd·製造之商品名：Aquaron RN-10、 Aquaron RN-20 、 Aquaron RN-30 、Aquaron RN-50 等等]、 將可聚合之1-丙烯基引入於苯環中之聚氧伸乙基壬苯基醚 之硫酸酯的銨鹽[Daiichi Kogyo Seiyaku Co·，Ltd·製造 之商品名：Aquaron HS-10、Aquaron HS-20 等等]、及在 分子中具有可聚合雙鍵之磺酸琥珀酸二元酯系列[Kao Corporation 製造之商品名：Latemul S-120A、Latemul S- 180A等等]。此外，視需要可共聚合具有可聚合雙鍵之 單體，諸如乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等等。 丙烯酸系黏著劑之聚合反應機構的例子包括自由基聚合
C:\2D-GQDE\91-03\90130780.ptd 第20頁 （15) ΐ:;::-- :，包括有機過氧化物諸如過氧：=基聚合引發劑的 :氣化異丁基、過氧化辛酿酿：過氧化乙酿、 化二-第三戊基等等，益ϋ化一-弟三丁基、過氧 酸鉀、過硫酸鈉等等，‘，及傜S 物諸如過硫酸銨 '過硫 L «文w寻寻，及偶氮 ^ ^ ^ 丁腈、2,2，-偶氮雙-2_甲灵。物；#如2,2_偶氮雙異 酸等等。 基丁如、4, 4 _偶氮雙-4-氰基戊 用中’在此等自由 物諸如過硫酸銨、 中具有羧基之水溶 基戊酸等等為較佳 ，過硫酸銨及在分 -偶氮雙-4-氰基戊 化合物，諸如4，4， 有二或多個可交聯 劑之官能基反應， 包括環氧化合物諸 丙醚、異戊四醇聚 環氧丙醚、新戊二 等，異氰酸酯化合 基聚合 過硫酸 性偶氮 。考慮 子申具 酸等等 -偶氮 在利用乳液聚合方法之聚合作 I訓之中，水溶性無機過氧化 鉀、過硫酸鈉等等，以及在分子 化合物，諸如4, 4，-偶氮雙〜4 一氰 到離子對半導體晶圓表面之影響 有叛基之偶氮化合物，諸如4 4, iV圭。分子中具有叛基之偶氮 雙一 4-氰基戊酸等等為最佳。 官能基 以調璧 如山_ 環氧汚 醇二J| 物諸女 將使用於本發明之在分子中具 之交聯劑使用於與丙烯酸系黏^ 黏著力及内聚力。交聯劑之例子 糖醇聚環氧丙醚、聚甘油聚環氧 _、二甘油聚環氧丙醚、甘油聚 氧丙鱗、間苯二酴二環氧丙醚等
C:\2D-roDE\91-03\90130780.ptd 第21頁 507285 五、發明說明（16) 二異氰酸丁二酯、二異氰酸己二酯、三曱醇丙烷甲苯二異 氰酸酯3-加成產物、聚異氰酸酯等等，吖丙烷化合物諸如 三甲醇丙烷-三-召-吖丙基丙酸酯、四曱醇甲烷〜三-/5-吖 丙基丙酸酯、Ν，Ν’ -二苯基甲烷-4, 4’ -雙（1-吖丙烷羧醯胺
)、Ν，Ν’ -六亞甲基-1，6-雙（1-吖丙烷羧醯胺）、Ν，Ν，-甲苯 -2, 4 -雙（1-吖丙烷羧醯胺）、三曱醇丙烷-三-召〜（2-甲基 吖丙烷）丙酸酯等等，四官能環氧化合物諸如Ν，Ν，Ν，，Ν，-四環氧丙基-間二曱苯二胺、1，3-雙（Ν，Ν，_二環氧丙基胺 甲基）環己烷，及三聚氰胺化合物諸如六甲氧甲醇三聚氰 胺等等。其可單獨或以兩者以上之混合物使用。 交聯劑 丙烯酸系 當於交聯 視需要可 系黏著劑 太低時， 150 至200 ，有時傾 力增高， 時會在自 破裂。當 之間的黏 中，水或 且將發生 之含量 黏著劑 反應中 包含較 ，交聯 有時黏 °C下低 向於發 當將表 動剝離 含量太 著將減 灰塵將 半導體 通幂係在殳聯劑中 中之官能基之數目 新產生官能基或當 大量的交聯劑。對 劑之較佳含量為〇 . 著劑層之内聚力將 於1 X 1 05帕斯卡， 生由於黏著劑層所 面保護黏著薄膜自 機中發生剝離問題 高時，有時在黏著 低，以致在研磨半 進入在半導體晶圓 晶圓之破裂或半導 之官能基之數目不大於 的範圍内較佳。然而， 交聯反應進行緩慢時， 每100份重量之丙燁酸 1至15份重量。當含量 不足，且彈性模數在 而使财熱性降低。因此 致之黏著劑轉移，黏著 半導體晶圓之表面剝離 ，且半導體晶圓將完全 層與半導體晶圓之表面 導體晶圓之背面的步驟 之表面與黏著層之間， 體晶圓之表面的污染。
五、發明說明（17) - I : i t ^ :之黏著劑塗布溶液除了經由丘聚人特定之 一 S此早體而製得之丙 狀丨示）、·工甶，、冰口特疋之 適當地包含不會影響本^糸黏著劑及交聯劑之外，尚可 之增黏劑，諸如松香^月^目的之程度的用於調整黏性 劑等等。此外，者涂右二萜烯樹脂等等，各種表面活性 明之目的之程度；，適：：為乳液時，可在不會影響本發 趟等等。當使用作為成^^入成膜劑諸如乙二醇單院基 生物大量地存在於黏著層烷基醚及其之衍 之表面至無法進杆夺收M t 其可旎會污染半導體晶圓 塗布溶液之乾焊溫产u度。目此，最好使用在黏著劑 之殘留量減至i:揮發的物f，以使其於黏著劑層中 本發明中之表面保護黏著薄 圓之加工條件、半導體曰 苍刀』号應牛V脰日日 體晶圓之，侉日f版日日圓之直徑、於研磨背面後之半導 月丑日日口之厗度、日日粒黏合用之 ^地調整。當黏著力太低時，㈣ η^ ^ m - ^ „ 口之表面，且表面保護黏著薄膜之保 ° 、文付足，因而半導體晶圓將破裂或半導體晶圓之 :面2研磨灰塵等等污染。此夕卜，當黏著力口； 離：作性可能會減低，以致於進行半導體晶圓之背面加工 j: t將表面保護黏著薄膜自半導體晶圓之表面剝離時 曰在自動剝離機中發生剝離問題，或半導體晶圓會破裂。 以對SUS304-BA板之黏著力計，黏著力通常 25毫米，以1〇至300克/25毫米較佳。 瓦’ 關於將黏著劑塗布溶液塗布於基材薄臈或剝離薄膜之一
表面上之方法，可應用已知之涂
逆輥塗布機法、凹槽輥法、刮；:诸如輥塗機法、 coater)法、口模式塗布機法’、土收點塗機（comma 燥的條件並無特殊之布之黏著劑乾 之溫度範圍内乾燥1Q秒至1Q分鐘：匕在8G至2 0 0 C 著劑之交聯反應’可於黏著劑V;滿^;也加&快交聯劑與黏 表面伴1 ^ /塗布》谷液之乾燥完成後，網 表=4黏者㈣在40至8〇 t下加熱5謂〇小時。
中：半導體晶圓用之表面保護黏著薄膜之力 ”看：：製造所有起始物料諸如基材薄膜、剝 j:』等等,大氣’及製備、儲存、塗布及乾燥黏著劑塗 布浴液之大氣維持在美國聯邦標準209b所規定之等級 1，0 0 0以下的清潔度下較佳。 可應用本發明之半導體晶圓保護方法的半導體晶圓包括 矽晶圓以及鍺、鎵-砷、鎵_磷、鎵_砷_鋁等等之晶圓。 實施例 經由參照實施例而將本發明更明確說明於下。在展示於 下之所有的實施例及比較實施例中，黏著劑塗布溶液之製 備及塗布、半導體矽晶圓之背面研磨、晶粒黏合用之黏合 薄膜之黏著等等係於維持在美國聯邦標準2〇9b所規定之等 級1，0 0 0以下之清潔度下的大氣中進行。本發明並不限於 此等實施例。實施例中所說明之各種性質係利用以下方法 測量。
507285 五、發明說明（19) 1. 測量各種性質 1~——^克 /25 毫米） 除了定義於下的條件之外，黏著力皆係根據於j丨S z-0237-1 99 1中所規定之方法測量。使於實施例及比較實施 ； 例中製得之各黏著劑薄膜在2 3 °c之大氣中透過其之黏著劑 ·-層黏著至5公分X 20公分之SUS304-BA板（規定於JIS G-430 5-1 99 1中）的表面，並使其靜置6〇分鐘。將樣品之一端 固定住，及使樣品以18〇。之剝離角度及3〇〇毫米/分鐘之 剝離速率自SUS304-BA板之表面剝離。此時，測量應力， 並以25毫米之寬度計算。 _ 1 - 2 ·儲能彈性模數（岫斯卡、 1 )黏著層 將半導體晶圓用之表面保護黏著薄膜之黏著層的一部分 層合至1毫米之厚度，以製備得直徑8毫米之供測量黏彈性 用之樣品。使用動態黏彈性測量裝置（型式· 一8q〇，
Rheometrics Inc·製造）在150°C及200 °C下測量儲能彈性 模數。測量頻率為1赫茲（Hz )，及彎曲為〇 · 1至3%。 2)基材薄膜層 將半導體晶圓用之表面保護黏著薄膜之基材薄膜層的一 _ 部分切割，以製備得矩形樣品（機器方向：3毫米，垂直於 機器方向之方向：4 0毫米）。使用動態黏彈性測量裝置（型 式：RSA-II，Rheometrics Inc·製造）在 〇 至 3〇(Pc 下測量 儲能彈性模數（機器方向）。測量頻率為1赫茲，及彎曲為 0 · 0 1至0 · 1 %。在層合基材薄膜之情況中，分別測量各別
\\312\2d-code\91-03\90130780.ptd 第25頁 507285 五、發明說明（20) 層0 1~ 污染評估 使表面保護黏著薄膜之樣品透過其之黏著層黏著至 體矽晶圓（直徑：8英吋，厚度：6〇〇微米，切割線之 :8微米，切割線之寬度：1〇〇微米）之全體表面，並進^ 半導體晶圓之背面加工步驟及黏著晶粒黏合用之黏人 之步驟。然後將表面保護黏著薄膜剝離（型式：hr85〇〇ii、 ’Nitto Seiki lnc.製造）。其後利用雷射聚隹 式：VF-7510 、VF-7500及VP-ED100 ，KEYENCE c〇 = 250倍的倍率下觀察半導體晶圓之表面。評估標準如、下在 Ο :無黏著劑轉移 X ••發生黏著劑轉移。 ~壬-__導體晶.1^破裂（片材之齡曰、 研磨半導體晶圓之背面之步驟、_著晶粒黏合用 之黏口薄膜之步驟、及剝離表面保護 破裂半導體晶圓的數目。 考屬膜之步驟中之 —~~查.面保謨黏著缉唭之Μ備會施你丨 H·基材薄敗之製備眚湓 選擇聚萘二甲酸乙二酯（熔點269。 0 MPa ： 數作為耐熱性薄膜。將其與具低彈性模‘之乙ϊ -文乙烯酯共聚物（蕭耳（Sh〇re)D硬度35，熔點85七_ = ί數14.5心)薄膜(厚度7°微米)層合。 子其上形成黏者層之具低彈性模數之薄膜侧施行電暈放電 第26頁 \\312\2d-code\91-03\90130780.ptd 1 507285 五、發明說明（21) 2處2理’Λ製備得總厚度120微米之基材薄膜。 硬低Γ生模數之乙烯'乙酸乙稀醋共聚物樹脂(蕭耳I) Ϊ Ϊ二:；;m。。)之單層薄膜(厚度120微米，5〇 t下之 荖吴數14.5 MPa)指定為基材薄膜2。對其上形成和 者層之側施行電暈放電處理。 丹上形成黏 選擇聚丙烯（熔點1 6 〇 〇c )薄腺Γ戶疮ς Λ ^丨， 能彈性模數UO。MPa)作為：』；？50微米，5(rC下之儲 MM ^ ^ )作為耐熱性溥膜。將其與具低彈性 笼r 、—乙酸乙烯酯共聚物（蕭耳D硬度35，熔點85 D 溥膜（厚度70微米，50 t下之儲 又α烙點85C) 合。對其上形成黏著層之且性拉數14. 5 Mpa)層 放雷声搜^ = 具低弹性模數之薄膜側施行電暈 2 4二得總厚度m微米之基材薄膜3。 ~較製備竇施^
選擇聚曱基戊烯(熔點230。。）薄 下之儲能彈性模數10〇 MPa，2〇(rc 二&00,未’ 5〇 C MPa)作為耐熱性薄膜。將其與具低彈性模：：^數5 乙烯酿共聚物（蕭耳D硬度35，炫點 拉數，乙烯-乙酸 米，5(TC下之儲能彈性模數14 5 Mp C =膜(厚度50微 黏著層之具低彈性模數之薄膜側施行曰：。對其上形成 備得總厚度35G微米之基材薄膜4。 軍放電處理’而製 ~製備實施例1 將聚合反應容器裝入；[50份重量之 引發劑之0.625份重量之4, 4, 一偶氮去離^水、作為聚合 雙〜4〜氰基戊酸（商品名
C:\2D-G0DE\91-03\90130780.ptd 第27頁 507285 五、發明說明（22) ---—-一 —_ ：ACVA ^ Otsuka Chemical Co. , Ltd. ^ (A)之62· 25份重量之丙烯酸2-乙基已Y 、作為單體 酸正丁酯及12份重量之曱基丙烯酸甲_、 伪之丙烯 份重量之甲基丙烯酸2-羥乙酯、2份重曰量作為單體（β)之3 份重量之丙烯醯胺、作為單體（C)之1份重之ι甲基丙烯酸及1 丙烯酸酯（商品名：ADT-250，日本油^ I之聚丁二醇二 )、及作為水溶性共單體之〇· 75份重量之^^^有^限公司製造 烯基引入於苯環中之聚氧伸乙基壬笨基:I :合之1 一丙 均加入分子數：大約20)之硫酸酯之鉸鹽(、商=虱乙烷之平
Aquaron HS-10，Daiichi Kogyo Seiya^u 〇 口口名： 造）。經由在70至72°C下攪拌8小時進行广0取，人Ltd•製 丙烯酸系樹脂乳液。利用9重量百分比之&口 ’而製得 、 7火〉容 2夜（n Fi = 7.0?將其中和’而形成具有42. 5重量百分比之固 量 丙烯酸系黏著劑（黏著劑1 )。 里的 H ·黏著劑之製備實旅你丨？ 將聚合反應容器裝入150份重量之去離子水、作為取人 引發劑之0· 625份重量之4, 4,-偶氮雙〜4—氰基戊酸（商 名：ACVA，Otsuka Chemical Co·，Ltd·製造）、作為單體 (A)之62· 25份重量之丙烯酸2-乙基己酯、18份重量之丙稀 酸正丁酯及12份重量之曱基丙烯酸甲酯、作為單體（Β)之3 份重量之曱基丙烯酸2-羥乙酯、2份重量之曱基丙烯酸 份重量之丙烯醯胺、作為單體（C)之1份重量之曱基丙婦酸 烯丙酯（Wako Pure Chemical Industries Ltd·製造）、及 作為水溶性共單體之〇 · 7 5份重量之將可聚合之1 -丙烯基引
C: \2D-00DE\91-03\90130780.ptd 第28頁 507285 五、發明說明（23) 入於本環中之聚氧伸乙基壬本基喊（環氧乙烧之平均加入 分子數··大約20)之硫酸酯之銨鹽（商品名·· Aquaron HS-10 ’Daiichi Kogyo Seiyaku C〇·，Ltd·製造）。經由 在7 0至7 2 °C下授拌8小時進行乳液聚合，而製得丙烯酸系 樹脂乳液。利用9重量百分比之氨水溶液（pH = 7· 0)將其中 和，而形成具有42· 5重量百分比之固體含量的丙烯酸系黎 著劑（黏著劑2 )。 Ιζ Ί. 黏著劑之比鲂f備實施例1 將聚合反應容器裝入150份重量之去離子水、作為聚合 引發劑之0· 625份重量之4, 4’ -偶氮雙_4-氰基戊酸（商品 名：ACVA，Otsuka Chemical Co·， Ltd·製造）、作為單體 (A)之63·25份重篁之丙細酸2-乙基己_份重量之丙婦 酸正丁酯及12份重量之曱基丙烯酸曱酯、作為單體（Β)之3 份重量之曱基丙稀酸2-經乙酯、2份重量之曱基丙蝉酸及1 份重量之丙烯醯胺、及作為水溶性共單體之〇 · 7 5份重量之 將可聚合之1-丙烯基引入於苯環中之聚氧伸乙基壬苯基醚 (環氧乙烷之平均加入分子數：大約2〇)之硫酸酯之鈹鹽 (商品名：Aquaron HS-10 ，Daiichi Kogyo Seiyaku Co·，
Ltd·製造）。經由在70至72 t：下攪拌8小時進行乳液聚合 而製得丙烯酸系樹脂乳液。利用9重量百分比之氨水溶液 (ΡΗ = 7· 0)將其中和，而形成具有42· 5重量百分比之固體含 量的丙烯酸系黏著劑（黏著劑3 )。 j - 8 ·黏著劑塗布溶液之意備實施例ί 收集1 0 0份重量之於黏著劑之製造實施例i中製得之黏著
)υ/285 五、發明說明（24) 劑1 ’並經由加入9重量百分比之氨水溶液而將其進一步調 整至9 · 5之pH。接著加入1 · 6份重量之吖丙烷交聯劑（商品 名 Chemitight Pz-33 ’ Nippon Shokubai Kagaku Kogy〇 C 〇 ·，L t d ·製造），而製得黏著劑塗布溶液i。 ~塾羞劑塗^溶液之製備f施例2 一 Γι Ϊ Ϊ ΐ劑塗布溶液之製造實施例1相同之方式製得黏 ί i = tiT液2，除了使用於黏著劑之製造實施例2中製得 < f 6著劑Z。 容液之比較製備眘 以與黏著劑塗布溶液之製造實施例 著劑塗布溶液3，除了使用於黏著劑 2 = 1士 =付黏 製得之黏著劑3。 者J之比較製造實施例1中 ~~製備實施例1 使用輥塗機將黏著劑塗布溶液1塗 薄膜，厚度：50微米）上，並在12(rc^f來丙烯溥膜（剝離 成厚度ίο微米之黏著層。將基材薄獏分鐘，而形 面黏合至黏著層，並加壓以轉移黏著層。：電暈處理的表 品在6 0 °C下加熱4 8小時，然後々卻$ a、；轉移後，將產 晶圓用之表面保護黏著薄膜丨。黏著層至之^，而製得半導體 150 t下為1· 5 X 1〇5帕斯卡及在2〇〇亡6儲能彈性模數在 卡。此外，黏著力為12〇克/託毫米。…1· 3x 105帕斯 _ 黏著薄 使用輥塗機將黏著劑塗布溶液2塗布 薄膜，厚度：5 0微米）上，並在丨2 〇。、攻丙烯薄膜（剝離 L下乾燥2分鐘，而形
五、發明說明（25) 成厚度1 0微米 面黏合至黏著 品在6 0 °C下加 晶圓用之表面 150 °C 下為2. 5 卡。此外，黏 使用輥塗機 薄膜，厚度·· 成厚度1 0微米 面黏合至黏著 品在6 0 °C下加 晶0用之表面 1 5 0 °C 下為 1. 5 卡。此外，黏 2^1 4. 黏著蓮 使用輥塗機 薄膜，厚度： 成厚度1 0微米 面黏合至黏著 品在6 0 C下加 晶圓用之表面 150 °C 下為4. 5 卡。此外，黏 之黏著層。將基材薄膜1之 層，並加壓以轉移黏著層Γ於電鞋H理的表 熱48小時，然後冷卻至室π，； 將產 保護黏著薄膜2。黏著層之儲At而衣付半導體 “"白斯卡及在20(TC下模數在 者力為150克/25毫米。 外
Is比較製備實施例] ΐ劑塗布溶液1塗布於聚丙歸薄膜（剝離 50微米）上，並在12(rc下乾燥2分鐘而形 之黏著層。將基材薄膜2之經電暈處理的表 層’並加壓以轉移黏著層。於轉移後，將產 熱48小時，然後冷卻至室溫，而製得半導體 保護黏著薄膜3。黏著層之儲能彈性模數在 X 1〇5帕斯卡及在20(TC下為1·3χ ι〇5帕斯 著力為125克/25毫米。 i之比較製備實施例2 將黏著劑塗布溶液3塗布於聚丙烯薄膜（剝離 50微米）上，並在120 °C下乾燥2分鐘，而形 之黏著層。將基材薄膜1之經電暈處理的表 層，並加壓以轉移黏著層。於轉移後，將產 熱4 8小時’然後冷卻至室溫’而製得半導體 保護黏著薄膜4。黏著層之儲能彈性模數在 X 1〇4帕斯卡及在2 00 °C下為4· 3 X 1〇4帕斯 著力為90克/25毫米。
\\312\2d-code\91-03\90130780.ptd 第31頁 五、發明說明（26) ~交製備f施例3 =用輮塗機將黏著劑塗布溶液工塗布於 =膜，厚度：5〇微米）上，並在120力下乾膜（剝離 f厚度10微米之黏著層。將基材薄膜3之經卞電：：，而形 ，合至黏著層，並加壓以轉移黏著層。上， :在6° C下加熱48小時，然後冷卻至室溫：而：ί主：產 曰曰圓用之表面j呆護黏¥薄膜5。黏著層之二付半導體 c下為1. 5 x ! 〇5帕斯卡及在2 〇 〇。。下為! ·：二：二在 卡。此外，黏著力為12〇克/25毫米。 沂 _ ~較製備f施例4 使用輥塗機將黏著劑塗布溶液3塗布 薄膜，厚度：5〇微米）上，並在120。二、乾、丙2 =膜（剝離 成厚度10微米之黏著層。將基材薄膜4之工里二> ，至黏著層，並加壓以轉移黏著層。於轉軍移1里的表 :=° C :加熱48小時’然後冷卻至室溫，而製得半導體 15 0 C Λ 4 ® ^ € Ιέ^ ^ 6 ^ ^ ^ ^ =〇 C下為4.5Χ 1〇4帕斯卡及在2 00 t下為4 3χ 1〇4帕斯 卡。此外，黏著力為90克/25毫米。 保護方法之會施例 _篮方法之會施你丨1 測里半V體晶圓用之表面保護黏著薄膜丨的保護性質。 將半導體晶圓用之表面保護黏著薄膜1黏著至2〇片半導體 矽晶圓（直徑1英吋，厚度：6 0 0微米’切割線之深度：8 微米，切割線之寬度：100微米）之各者的電路形成全體表
C:\2D-C0DE\91-03\90130780.ptd 第32頁 507285 五、發明說明（27) =。在此狀態，在背面研磨（型式：DFD_2S/8，Disc〇. =步驟中’將半導體矽晶圓之背面研磨至薄至】〇〇微米之 2度。接著不將表面保護黏著薄m自+導體石夕晶圓之電 形成表面剝離，而在15(rc下將晶粒黏合用之黏合薄膜 (商品名：Hl-Attach，Hitachi Kasei κ κ.製造）黏合至 體石夕晶圓（型式：DM_80 0，Takatori c〇rp〇rati〇n製 :)之背®。結* ’在所有的20片半導體晶圓巾，在黏著 5合薄膜時並未發生半導體晶圓之破裂。即使係在剝離步 驟（型式：HR8500 II，Nitt0 Seiki Inc.製造）中，亦未發 J半導體晶圓之破裂。Λ外，於將表面保護黏著薄膜剝離 ^，在半導體晶圓之表面上並未觀察到由於黏著劑轉移等 專所致之污染。所得結果示於表1。 蔓方法之眘施例？· 進仃與實施例1相同之方法，除了使用半導體晶圓用之 表面保護黏著薄膜2。結果，得到與實施例丨相 所得結果示於表1。 $ _复護方法之比齡會施#丨1 將半導腺日日圓用之表面保護黏著薄膜1黏著至片半導 體矽晶圓（直徑·· 8英吋，厚度：60 0微米，切割線之深 度：8微米，切割線之寬度：1〇〇微米）之各者的電路形成 王體表面。在此狀態進行背面研磨（型式：Dpj)_2S/8， DiS/Co製造）步驟。於經由背面研磨而弄薄至1〇〇微米之厚 度後，。將半導體晶圓用之表面保護黏著薄膜丨剝離。然後 在1 5 0 C下將晶粒黏合用之黏合薄膜（商品名：
507285 五、發明說明（28)
Hi-Attach，Hitachi Kasei Κ·Κ·製造）黏著至半導體晶圓 (型式：DM-800，Takatori Corporation 製造）之背面。結 果’在黏著黏合薄膜時，1 5片半導體晶圓破裂，且無法黏 著晶粒黏合用之黏合薄膜。所得結果示於表2。 H1護方法之比較實施例2
進行與實施例1相同之方法，除了使用半導體晶圓用之 表面保護黏著薄膜3。結果，於黏著晶粒黏合用之黏合薄 膜後，與夾台接觸之表面保護黏著薄膜3的基材薄膜被熱 炼融。因此無法利用臂自夾台輸送，且無法利用臂移動晶 粒黏合用之黏合薄膜，以進行後固化。所得結果示於表 2 (在表2，將此現象描述為錯誤丨）。 5 ·__篮_護方法之比較實施例3 進行與實施例1相同之方法，除了使用半導體晶圓用之 表面保護黏著薄膜4。結果，在2〇片晶圓中，有15片發生 表面保護黏著薄膜之不充分的剝離。對5片可黏著晶粒黏 合用之黏合薄膜之半導體晶圓，利用光學顯微鏡測量在月 黏著薄膜剝離之步驟後之半導體晶圓的表面。、结果，在4 片半導體晶圓上發生黏著劑轉移。所得結果示於表2。
......——保護方法之比較免j施例4 進灯與貫施例1相同之方法，⑨了使用半導體晶圓用之 t:保護黏著薄膜5。、结果，於黏著晶粒黏合用之黏合薄 膜後’與夾台接觸之表面保護黏著薄膜5的基材薄膜被熱 ”丄因此無法利用臂自夾台輪送，且無法利用臂移動』 拉黏&用之黏合薄膜，以進行後固化。所得結果示於表
507285
507285 五、發明說明（30)表1 實施例] 實施例2 半導體晶圓用之 表面保護黏著薄 膜 基材薄膜 1 1 黏著劑 ] 2 黏著薄膜 ' 1 2 耐熱性基材薄膜 之性質 儲能彈性模數 [MPa, 5 0°C] 2800 2800 G/D[MPa/ β m, 50°C ] 56 56 儲能彈性模數 [MPa, 200°C] 190 190 G/D[MPa/ β m, 200°C ] 3.8 3.8 耐熱性基和 1*薄膜層之熔點[°c] 269 269 具低彈性模數之基材薄膜層之熔點[°c] 85 85 在黏著晶粒黏合用之薄膜時之半導體晶圓 用之表面保護黏著薄.膜的黏著 是 是 黏著層之性質 儲能彈性模數 [Pa3 150°C] 1 .5x10s 2.5x105 儲能彈性模數 [Pa5 200°C] 1 .3xl05 1 .8x105 黏著力[g/25mm] 120 1 50 在黏著晶粒黏合, 晶圓1 毛之黏合薄膜之步驟中之 的破裂（片數） 0 0 於黏著晶粒黏合用之黏合薄膜之歩驟後之 輸送（片數） OK OK 半導體晶圓用之表面保護黏著薄膜之不充 分的剝離（片數） 0 0 晶圓表面之污染（片數） 0 0 #
C:\2D-CODE\91-03\90130780.ptd 第36頁 507285
507285 圖式簡單說明 C:\2D-CODE\91-03\90130780.ptd 第38頁

Claims (1)

  1. 507285
    六、申請專利範圍 _ 1 05帕斯卡之儲能彈性模數及3至1 务 成於至少一層係由 =度之黏著層形 具有5〇则微米厚度之基材薄；所製成’且 7·如申清專利範圍第6項之半 著薄膜，其中，該由且右2f)n。厂、θ日®用之表面保護黏 材薄膜層之厚度係為i。至30。微米。之树月曰製成之基 8 ·如申請專利範圍第6項 著薄膜，其中，該由具2阶^:曰曰固用之表面保護黏 _ ^ ^ 具2 〇 〇 C以上k點之樹脂制成 薄膜層之儲能彈性模數UG) Mpa] =之基材 0至10(rc下滿足由以下方程式⑴所表示^關^]之比在 至300 C下滿足由以下方程式⑴所表示之關係、及在100 3 - G/D ^ 1 0, 000 ...⑴ 0.03 ^ G/D ^ 1,〇〇〇 …⑴。 第40頁 \\312\2d-code\91-03\90130780.ptd
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