DE112004001583B4 - Verfahren zur Bildung eines Metallfilms - Google Patents

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Abstract

Verfahren zur Bildung eines Metallfilms auf einer nicht durch einen Schaltkreis gebildeten Oberfläche eines Halbleiter-Wafers, das folgende Schritte umfasst: (i) Aufbringen einer Klebefolie auf eine durch einen Schaltkreis gebildete und nicht durch einen Metallfilm gebildete Oberfläche eines Halbleiter-Wafers, wobei – die Klebefolie einen Basisfilm und eine auf einer Oberfläche davon aufgebrachte Klebstoffschicht umfasst, und – der Basisfilm wenigstens eine Filmschicht aufweist, die ausgewählt ist aus einer Metall-Filmschicht, einer Metalloxid-Filmschicht und einem flüssigkristallinen Polymerfilm, und die eine Gastransmissionsrate von ≤ 49,35 ml/m2·Tag/MPa (5,0 cm3/m2Tagatm) aufweist; und (ii) Ausbilden eines Metallfilms auf der Oberfläche des Halbleiter-Wafers, auf der die Klebefolie nicht aufgebracht ist.

Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Bildung eines Metallfilms auf einer nicht durch einen Schaltkreis gebildeten Oberfläche eines Halbleiter-Wafers. Genauer betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Bildung eines Metallfilm unter Verwendung einer Klebefolie, die eine Beschädigung an einer nicht durch einen Metallfilm gebildeten Oberfläche oder eine Kontamination am Wafer während der Bildung eines Metallfilms unterdrückt. Gemäß der vorliegenden Erfindung kann ein Verfahren zum Waschen der nicht durch einen Metallfilm gebildeten Oberfläche weggelassen werden, wodurch eine Rationalisierung des Herstellungsverfahren und eine Produktivitätsverbesserung verwirklicht werden.
  • Stand der Technik
  • Ein Verfahren, das Schleifen eines Halbleiter-Wafers an einer Oberfläche, an der kein Schaltkreis angebracht ist (im folgenden wird eine solche Oberfläche als ”Rückseite eines Halbleiter-Wafers” bezeichnet), und Bilden eines Metallfilms auf der Rückseite umfasst, kann als ein Beispiel für Hochtemperaturbehandlungen in Halbleiter-Produktionsprozessen genannt werden.
  • Herkömmlicherweise wird ein Metallfilm auf einer Rückseite eines Halbleiter-Wafers durch ein Verfahren gebildet, das Schleifen eines Halbleiter-Wafers, auf dem eine Oberflächenschutz-Klebefolie befestigt ist, zu einer Dicke von 300 μm und Abziehen der Oberflächenschutz-Klebefolie davon umfasst. In letzter Zeit ist allerdings die technologische Innovation bezüglich Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Wafern zusammen mit einer Miniaturisierung und erhöhten Funktionalisierung von Vorrichtungen fortgeschritten, und Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Wafern sind Änderungen unterworfen, um an ultradünne Chips angepasst zu werden. Unter diesen Umständen wurden Materialien zum Schützen einer Oberfläche eines Halbleiter-Wafers, die einen ultradünnen Halbleiter-Wafer stützen, intensiver Entwicklung unterworfen. Beispielsweise ist in der japanischen offengelegten Patentanmeldung ( JP-A) Nr. 2001-77304A ein Verbundstoffharz-anorganisches Substrat offenbart, das durch Imprägnieren und Härten eines wärmebeständigen Harzes als Trägermaterial erhalten wird. Allerdings erfordert das Material eine Investition für Anlagen zur Befestigung des Substrats an dem Halbleiter-Wafer. Darüber hinaus ist das Befestigungsverfahren ein Verfahren der thermischen Kompressionsbindung, das Hochtemperaturbedingungen erfordert. Da ein solches Material bei hoher Temperatur unter Verwendung von Wasserdampf oder dgl. abgelöst wird, gibt es Probleme, zum Beispiel dahingehend, dass Vorrichtungen an der Oberfläche des Halbleiter-Wafers gebrochen werden könnten.
  • Andererseits ist als Verfahren zur Verhinderung einer Beschädigung oder Kontamination an der nicht durch einen Metallfilm gebildeten Oberfläche ein Verfahren bekannt, das Aufbringen eines Elements, zum Beispiel eines Resists, umfasst. Bei diesem Verfahren ist allerdings ein Schritt zur Entfernung des Resists an der nicht durch einen Metallfilm gebildeten Oberfläche mit einem Lösungsmittel oder dgl. nach Bildung eines Metallfilms erforderlich und dies stellt ein großes Hindernis bezüglich der Produktivität unter den Gesichtspunkten der Komplexität von Arbeitsgängen und Umweltproblemen dar. In den letzten Jahren wurden außerdem die Formen von Adhärends zur Bildung eines Metallfilms diversifiziert, die Oberflächen der nicht durch einen Metallfilm gebildeten Oberflächen wurden kompliziert und es gibt Fälle, in denen das Resist an der nicht durch einen Metallfilm gebildeten Oberfläche zurückbleiben könnte, selbst nachdem es mit einem Lösungsmittel gewaschen wurde. Darüber hinaus wird das Adhärend selbst dünner. Folglich wurde darauf hingewiesen, dass, wenn das Resist oder dgl. ungleichmäßig aufgetragen wird, das Adhärend zur Zeit der Bildung eines Metallfilms beschädigt oder gebrochen werden könnte. Daher sind Elemente, die fähig sind, die nicht durch einen Metallfilm gebildete Oberfläche leicht zu schützen, stark gefragt.
  • DE-A-102 44 185 beschreibt eine Klebefolie zum Schutz der Oberfläche eines Halbleiter-Wafers, in der mindestens eine Schicht einer Zwischenschicht und eine Klebmittelschicht auf einer Oberfläche einer Basisfolie angeordnet sind, wobei der Mindestwert (G'min) des Speichermoduls der Klebmittelschicht (B) bei 50–100°C 0,07–5 MPa und der Speichermodul der mindestens einer Schicht (C) der Zwischenschicht bei 50°C 0,001 bis weniger als 0,07 MPa beträgt, und die Dicke (tb [μm]) der Klebmittelschicht (B) und die Gesamtdicke (tc [μm]) der Zwischenschicht, die diesen Speichermodul aufweist, die Beziehung tc ≥ 3 tb erfüllen.
  • EP-B-0 816 462 betrifft eine druckempfindliche Klebstoffzusammensetzung, bei der bei Raumtemperatur das elastische Speichermodul G' wenigstens 20 N/cm2 und die Klebkraft wenigstens 9,81 N/20 mm Breite beträgt, wobei die Zusammensetzung eine Polyester mit einem gewichtsmittleren Molekulargewicht von ≥ 10.000 umfasst, der synthetisiert wird aus (1) Diolkomponenten, die ein Polycarbonatdiol mit einer Polycarbonatstruktur mit einer Wiederholungseinheit der Formel -(O-R-O-C(=O))n- (R ist eine C2-20-Kohlenwasserstoffkette) und (2) Dicarbonsäurekomponenten, die eine Dicarbonsäure mit einer aliphatischen C2-20-Kohlenwasserstoffkette oder einer alicyclischen Kohlenwasserstoffgruppe enthalten.
  • US 5,268,065 offenbart ein Verfahren zur Verjüngung eines Halbleiter-Wafers, umfassend das Verbinden einer ersten Hauptoberfläche einer Trägerfolie, die einer Temperatur von ca. 200°C widersteht und eine erste und eine zweite Hauptfläche aufweist, wobei die erste Hauptoberfläche bei einem Abziehwinkel von 90° eine Haftkraft von weniger als ca. 20 g/25 mm Trägerfolienbreite aufweist, mit einer ersten Hauptoberfläche eines Halbleiter-Wafers mit einer ersten und einer zweiten Hauptoberfläche, Entfernen einer gewünschten Dicke des Halbleiter-Wafers von dessen zweiter Hauptoberfläche, und Abtrennen der ersten Hauptoberfläche der Trägerfolie von der ersten Hauptoberfläche des Halbleiter-Wafers.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Bereitstellung eines Verfahrens, das fähig ist, eine Schädigung an einer nicht durch einen Metallfilm gebildeten Oberfläche oder eine Kontamination an einer nicht durch einen Metallfilm gebildeten Oberfläche zu unterdrücken, wenn ein Metallfilm auf einer nicht durch einen Schaltkreis gebildeten Oberfläche eines Halbleiter-Wafers in einem Halbleiter-Herstellungsverfahren gebildet wird, und die fähig ist, das Verfahren zur Bildung eines Metallfilms weiter zu rationalisieren.
  • Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben umfangreiche Forschungen durchgeführt und haben als Resultat gefunden, dass eine Klebefolie, die einen Basisfilm, der mit wenigstens einer Filmschicht mit einer Gastransmissionsrate von nicht mehr als 49,35 ml/m2·d·MPa (5,0 cm3/m2·Tag·atm) laminiert ist, verwendet, für den Schutz einer nicht durch einen Metallfilm gebildeten Oberfläche zur Zeit der Bildung eines Metallfilms am besten geeignet ist. Auf diese Weise wurde die vorliegende Erfindung vollendet.
  • Das heißt, die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bildung eines Metallfilms auf einer nicht durch einen Schaltkreis gebildeten Oberfläche eines Halbleiter-Wafers, das folgende Schritte umfasst:
    • (i) Aufbringen einer Klebefolie auf eine durch einen Schaltkreis gebildete und nicht durch einen Metallfilm gebildete Oberfläche eines Halbleiter-Wafers, wobei
    • – die Klebefolie einen Basisfilm und eine auf einer Oberfläche davon aufgebrachte Klebstoffschicht umfasst, und
    • – der Basisfilms wenigstens eine Filmschicht aufweist, die ausgewählt ist aus einer Metall-Filmschicht, einer Metalloxid-Filmschicht und einem flüssigkristallinen Polymerfilm, und die eine Gastransmissionsrate von ≤ 49,35 ml/m2·d·MPa (5,0 cm3/m2Tagatm.) aufweist; und
    • (ii) Ausbilden eines Metallfilms auf der Oberfläche des Halbleiter-Wafers, auf der die Klebefolie nicht aufgebracht ist.
  • Es ist vorteilhaft, wenn der Basisfilm eine Metall-Filmschicht oder eine Metalloxid-Filmschicht und wenigstens eine Filmschicht mit einer Gastransmissionsrate von nicht mehr als 49,35 ml/m2·d·MPa (5,0 cm3/m2·Tag·atm) umfasst. Der Grund ist, dass so Ausgas aus dem Klebstofffilm in einem Verfahren zur Bildung eines Metallfilms verringert werden kann.
  • Darüber hinaus ist es vorteilhaft, dass der Basisfilm mindestens eine Filmschicht mit einer Gastransmissionsrate von nicht mehr als 9,87 ml/m2·d·MPa (1,0 cm3/m2·Tag·atm) und einem Wasserabsorptionsvermögen von nicht mehr als 1,0 Gew.-% hat. Der Grund ist, dass dadurch die Zeit, die zum Erreichen eines Anfangs(Blindwert)-Vakuumlevels in einem Verfahren zur Bildung eines Metallfilms reduziert werden kann.
  • Darüber hinaus ist es vorteilhaft, dass der Basisfilm außerdem eine Filmschicht umfasst, die ausgewählt ist aus einem Ethylen-Vinylacetat-Copolymer, Polyester und Polyethylen. Der Grund dafür ist, dass ein solcher Basisfilm fähig ist, Trägereigenschaften und/oder Dämpfungseigenschaften bereitzustellen, um so ein Brechen des Halbleiter-Wafers zu verhindern.
  • Es ist vorteilhaft, dass die Klebstoffschicht einen dynamischen Elastizitätsmodul von nicht weniger als 1 × 105 Pa bei 150°C hat. Dadurch kann ein Klebstoffrest auf dem Halbleiter-Wafer nach Ablösen der Klebefolie vermieden werden.
  • Es ist vorteilhaft, wenn der Basisfilm wenigstens eine Filmschicht mit einer Gastransmissionsrate von nicht mehr als 9,87 ml/m2·d·MPa (1,0 cm3/m2·Tag·atm) und einem Wasserabsorptionsvermögen von nicht mehr als 1,0 Gew.-% umfasst. Der Grund ist, dass Ausgas aus der Klebefolie verringert werden kann und die Zeit, die notwendig ist, um einen Anfangs(Blindwert)-Vakuumlevel in einem Verfahren zur Bildung eines Metallfilms zu erreichen, verkürzt werden kann. Unter erfindungsgemäßer Verwendung der Klebefolie kann eine Schädigung an der nicht durch einen Metallfilm gebildeten Oberfläche unterdrückt werden, wenn ein Metallfilm gebildet wird, und die Produktivität kann erhöht werden. Da außerdem eine Kontamination an der nicht durch einen Metallfilm gebildeten Oberfläche unterdrückt werden kann, kann ein Schritt des Waschens mit einem Lösungsmittel weggelassen werden und somit kann auch eine Verbesserung bei der Bearbeitbarkeit erreicht werden.
  • Bester Modus zur Durchführung der Erfindung
  • Nachfolgend wird die vorliegende Erfindung detaillierter beschrieben.
  • Zunächst wird ein Verfahren zum Schützen der nicht durch einen Metallfilm gebildeten Oberfläche einer nicht durch einen Schaltkreis gebildeten Oberfläche eines Halbleiter-Wafers zur Zeit der Bildung eines Metallfilms erläutert werden.
  • Erstens wird erfindungsgemäß die Klebefolie auf die nicht durch einen Metallfilm gebildeten Oberfläche des Halbleiter-Wafers über eine Klebstoffschicht aufgebracht. Anschließend wird das Adhärend, das an der Klebefolie befestigt ist, auf eine Metallfilm-bildende Vorrichtung gelegt, um einen Film aus einem Metall auf einer Oberfläche zu bilden, auf der die Klebefolie nicht befestigt ist. Dann wird die Klebefolie abgezogen und das durch den Metallfilm gebildete Adhärend wird erhalten. Das Adhärend wird danach in geeigneter Weise bearbeitet.
  • Bedingungen zur Bildung eines Films aus einem Metall sind in Abhängigkeit von der Metallart (zum Beispiel Gold, Nickel, Titan oder dgl.) und den Verfahren zur Bildung eines Films (zum Beispiel Metallverdampfungsverfahren, Metallsputterverfahren oder dgl.) unterschiedlich. Ein Metallfilm wird jedoch bei einer Temperatur von 50–200°C unter einem Druck von 10–3 bis 10–7 Pa gebildet.
  • Der Vorgang des Befestigens der Klebefolie an dem Halbleiter-Wafer wird automatisch durchgeführt, wobei eine Klebemaschine verwendet wird, die eine walzenförmige Klebefolie umfasst, obgleich er in einigen Fällen auch manuell erfolgen kann. Die nicht durch einen Metallfilm gebildete Oberfläche wird bei Bedarf gewaschen, nachdem die Klebefolie abgezogen wurde. Als Waschverfahren können ein nasses Waschen, zum Beispiel Waschen mit Wasser, oder ein trockenes Waschen, zum Beispiel Plasmawaschen und dgl., durchgeführt werden. Beim nassen Waschen kann ein Ultraschallwaschen in Kombination eingesetzt werden. Die Waschverfahren werden in geeigneter Weise in Abhängigkeit vom Kontaminierungszustand der nicht durch einen Metallfilm gebildeten Oberfläche ausgewählt.
  • Als nächstes wird die erfindungsgemäß verwendete Klebefolie erläutert.
  • Die erfindungsgemäß verwendete Klebefolie wird produziert, indem ein Basisfilm hergestellt wird und eine Klebstoffschicht auf einer Oberfläche des Basisfilms gebildet wird. Eine Klebefolie mit einem auf der Klebstoffschicht befestigten Trennfolie ist unter dem Gesichtspunkt der Verhinderung einer Kontamination der Klebstoffschicht bevorzugt. Die Klebefolie wird über die Oberfläche der Klebstoffschicht, die nach Abziehen der Trennfolie freigelegt wird, an ein Adhärend geklebt. Wenn die Trennfolie laminiert werden soll, um die Kontamination der Klebstoffschicht zu verhindern, ist es vorteilhaft, dass die Klebstoffbeschichtungslösung auf eine Oberfläche der Trennfolie aufgetragen wird und unter Bildung einer Klebstoffschicht getrocknet wird; dann wird die so gebildete Klebstoffschicht auf eine Oberfläche des Basisfilms übertragen.
  • Der Basisfilm, der für die erfindungsgemäß verwendete Klebefolie verwendet wird, ist ein Basisfilm, der mit wenigstens einer Filmschicht mit einer Gastransmissionsrate von nicht mehr als 49,35 ml/m2·d·MPa (5,0 cm3/m2·Tag·atm) laminiert ist. Die Gastransmissionsrate ist vorzugsweise nicht mehr als 9,87 ml/m2·d·MPa (1,0 cm3/m2·Tag·atm) und das Wasserabsorptionsvermögen ist vorzugsweise nicht mehr als 1,0 Gew.-%, und weiter bevorzugt nicht mehr als 0,1 Gew.-%, und zwar im Hinblick auf die Tatsache, dass die Zeit zur Erreichung des Anfangsvakuumlevels im Verfahren zur Bildung eines Metallfilms dadurch verkürzt werden kann. Ein Basisfilm, der wenigstens eine Filmschicht mit einer Gastransmissionsrate von nicht mehr als 49,35 ml/m2·d·MPa (5,0 cm3/m2·Tag·atm) umfasst, ist bevorzugt, da ein Effekt der Verringerung des Ausgases aus der Klebefolie gezeigt wird, der Zustand der durch Metall gebildeten Oberfläche günstig wird und als Resultat die elektrischen Eigenschaften nach Montage auf einem Halbleiter-Wafer günstig werden. Es wird davon ausgegangen, dass Ausgas von einer Seite der Klebefolie, das heißt einem Rand des Halbleiter-Wafers mit der daran befestigten Klebefolie, und von einer Hauptoberfläche des Basisfilms erzeugt wird. Durch Begrenzen der Gastransmissionsrate des Basisfilms kann Ausgas von der Hauptoberfläche des Basisfilms abgeschirmt werden, so dass es einen deutlichen Effekt der Verringerung des Ausgases gibt. Infolge dieses Effektes kann darüber hinaus die Zeit zur Erreichung des Anfangsvakuumlevels im Verfahren zur Bildung eines Metallfilms verkürzt werden, was auch zu einer Erhöhung der Bearbeitbarkeit führt. Darüber hinaus ist es möglich, die Bildung eines Metallfilms in einem Zustand zu verhindern, in dem der Vakuumlevel infolge des erzeugten Ausgases im Verfahren zur Bildung eines Metallfilms noch nicht erreicht wurde, und es ist auch möglich, eine schlechte Ausbildung eines Films, verursacht durch das erzeugte Ausgas während der Bildung eines Metallfilms, zu verhindern. Beispiele für die Filme, die diesen physikalischen Eigenschaften genügen, umfassen Filme mit einer Metall-Filmschicht oder einer Metalloxid-Filmschicht und flüssigkristalline Polymerfilme bzw. Polymerfolien. Darüber hinaus können auch Basisfilme, die diese Filme laminiert mit einem Film, ausgewählt aus einem Ethylen-Vinylacetat-Copolymer, Polyester, Polyethylen oder dgl. haben, eingesetzt werden. In Anbetracht der Temperatur- und Vakuumbedingungen im Verfahren zur Bildung eines Metallfilms hat in diesem Fall allerdings eine vorteilhafte Filmkonstruktion eine Filmschicht mit einer Gastransmissionsrate von nicht mehr als 49,35 ml/m2·d·MPa (5,0 cm3/m2·Tag·atm), die an der äußersten Schicht des Basisfilms nicht auf der Seite der Klebstoffschicht angeordnet ist.
  • Typische Beispiele für den Metallfilm umfassen einen durch Dampf abgeschiedenen Film aus Metallen wie Aluminium und dgl. und Beispiele für einen Metalloxidfilm umfassen einen Oxidfilm von Metallen wie Silicium, Titan und Aluminium.
  • Als Verfahren zur Bildung einer Metalloxid-Filmschicht können beispielhaft genannt werden: ein Verfahren, das Auftragen oder Aufdampfen eines Oxids, zum Beispiel von Silicium, Titan, Aluminium oder dgl. auf einem Film wie Polyester, einschließlich Polyethylenterephthalat und dgl., umfasst. Die Dicke der Metallschicht und der Metalloxid-Filmschicht beträgt vorzugsweise 1–50 nm, und weiter bevorzugt 1–30 nm.
  • Die Dicke des Films ist vorzugsweise etwa 10–200 μm. Darüber hinaus beträgt die Dicke des Verbundbasisfilms, der mit einem Film, ausgewählt aus einem Ethylen-Vinylacetat-Copolymer, Polyester und Polyethylen, laminiert ist, vorzugsweise etwa 50–300 μm.
  • Als durch Metalldampf abgeschiedener Film kann ein durch Dampfabscheidung bearbeiteter Film, hergestellt von Tohcello Co., Ltd. oder dgl. genannt werden. Als ein Film mit einem durch Dampfabscheidung gebildeten Metalloxidfilm kann TECHBARRIER (Handelsbezeichnung, hergestellt von Mitsubishi Plastics, Inc.) oder dgl. genannt werden. Als flüssigkristalliner Polymerfilm können VECSTAR (Handelsbezeichnung, hergestellt von Kuraray Co., Ltd.), BLAC® (Handelsbezeichnung, hergestellt von Japan Goretech) oder dgl. genannt werden.
  • Der Klebstoff, der die Klebstoffschicht der erfindungsgemäß verwendeten Klebefolie bildet, ist annehmbar, soweit er als Klebstoff selbst unter den Temperaturbedingungen zur Zeit der Bildung eines Metallfilms fungiert. Als wünschenswerte Klebstoffe können beispielsweise ein Acrylklebstoff und ein Siliciumklebstoff genannt werden. Die Dicke der Klebstoffschicht beträgt vorzugsweise 3–100 μm. Wenn die Klebefolie abgelöst wird, ist es bevorzugt, dass der Klebstoff keine Kontamination an der nicht durch einen Metallfilm gebildeten Oberfläche verursacht.
  • Es ist insbesondere bevorzugt, dass der Klebstoff mit einem Vernetzungsmittel, das eine reaktive funktionelle Gruppe hat, einem Peroxid, radioaktiven Strahlen oder dgl. in einer hohen Dichte vernetzt wird, damit die Klebefestigkeit während der Behandlung bei hoher Temperatur im Metallfilmbildungsverfahren erhöht ist und eine Kontamination an der nicht durch einen Metallfilm gebildeten Oberfläche erhöht ist. Der dynamische Elastizitätsmodul der Klebstoffschicht bei 150°C ist vorzugsweise nicht weniger als 1 × 105 Pa, und weiter bevorzugt nicht weniger als 1 × 106 Pa. Darüber hinaus ist der dynamische Elastizitätsmodul der Klebstoffschicht bei 200°C vorzugsweise nicht kleiner als 1 × 105 Pa, und weiter bevorzugt nicht kleiner als 1 × 106 Pa.
  • Im folgenden wird als Beispiel für ein Verfahren zur Bildung einer Klebstoffschicht ein Verfahren unter Verwendung eines Acrylklebstoffs beschrieben. Allerdings ist die vorliegende Erfindung nicht auf ein solches Verfahren beschränkt.
  • Die Klebstoffschicht wird unter Verwendung einer Lösung oder einer Emulsion gebildet, in der ein Vernetzungsmittel mit zwei oder mehr funktionellen Gruppen in einem Molekül einem Copolymer zugesetzt ist, welches durch Durchführen einer Emulsionspolymerisation einer (Meth)acrylsäurealkylester-Monomereinheit (A), einer Monomereinheit (B) mit einer funktionellen Gruppe, die fähig ist, mit einem Vernetzungsmittel zu reagieren, und einer difunktionellen Monomereinheit (C) zur Erhöhung der Kohäsionskraft und zur Einstellung der Klebefestigkeit erhalten wird.
  • Bei Verwendung des Acrylklebstoffs bei der Herstellung einer Lösung wird der Acrylklebstoff aus einer Emulsion, die durch die Emulsionspolymerisation erhalten wird, durch Entsalzen oder dgl. abgetrennt, in einem Lösungsmittel wieder aufgelöst und verwendet. Wenn der Acrylklebstoff ein hohes Molekulargewicht hat, löst er sich in vielen Fällen nicht vollständig in einem Lösungsmittel oder wird nicht aufgelöst. Daher ist es auch im Hinblick auf die Kosten bevorzugt, den Acrylklebstoff in Form einer Emulsion einzusetzen.
  • Beispiele für das Monomer (A), das die Monomereinheit (A) bildet, umfassen einen Acrylsäurealkylester oder einen (Meth)acrylsäurealkylester, der eine Alkyl-Gruppe mit etwa 1 bis 12 Kohlenstoffatomen hat (diese werden allgemein als (Meth)acrylsäurealkylester bezeichnet). Bevorzugte Beispiele dafür umfassen einen (Meth)acrylsäurealkylester, der eine Alkyl-Gruppe mit 1 bis 8 Kohlenstoffatomen hat. Spezifische Beispiele dafür umfassen Methylacrylat, Methylmethacrylat, Ethylacrylat, Ethylmethacrylat, Butylacrylat, Butylmethacrylat und 2-Ethylhexylacrylat. Diese können entweder einzeln oder in einem Gemisch aus zwei oder mehr Arten davon eingesetzt werden. Üblicherweise liegt die verwendete Menge des Monomers (A) im Bereich von 10–98,9 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmenge aller Monomeren als Ausgangsmaterialien für den Klebstoff. Weiter bevorzugt liegt sie im Bereich von 85–95 Gew.-%. Indem die für das Monomer (A) verwendete Menge in einem solchen Bereich spezifiziert wird, kann ein Polymer erhalten werden, das 10–98,9 Gew.-% und vorzugsweise 85–95 Gew.-% der (Meth)acrylsäurealkylester-Monomereinheit (A) enthält.
  • Beispiele für das Monomer (B), das die Monomereinheit (B) bildet, die eine funktionelle Gruppe hat, die fähig ist, mit einem Vernetzungsmittel zu reagieren, umfassen Acrylsäure, Methacrylsäure, Itaconsäure, Mesaconsäure, Citraconsäure, Fumarsäure, Maleinsäure, Itaconsäuremonoalkylester, Mesaconsäuremonoalkylester, Citraconsäuremonoalkylester, Fumarsäuremonoalkylester, Maleinsäuremonoalkylester, Glycidylacrylat, Glycidylmethacrylat, 2-Hydroxyethylacrylat, 2-Hydroxyethylmethacrylat, Acrylamid, Methacrylamid, tertiär-Butylaminoethylacrylat, tertiär-Butylaminoethylmethacrylat und dgl. Bevorzugte Beispiele dafür umfassen, Acrylsäure, Methacrylsäure, 2-Hydroxyethylacrylat, 2-Hydroxyethylmethacrylat, Acrylamid, Methacrylamid und dgl. Eines von diesen kann mit dem Hauptmonomer (A) copolymerisiert werden oder es können zwei oder mehr Arten davon damit copolymerisiert werden. Üblicherweise ist die verwendete Menge des Monomers (B), das eine funktionelle Gruppe hat, die fähig ist, mit einem Vernetzungsmittel zu reagieren, vorzugsweise im Bereich von 1–40 Gew.-% bezogen auf die Gesamtmenge aller Monomeren als Ausgangsmaterialien des Klebstoffs. Eine weiter bevorzugte Menge liegt im Bereich von 1–10 Gew.-%. Auf diese Weise kann ein Polymer mit der Struktureinheit (B) mit etwa derselben Zusammensetzung wie die Monomerzusammensetzung erhalten werden.
  • Da es bevorzugt ist, dass der Klebstoff einen dynamischen Elastizitätsmodul von nicht weniger als 1 × 105 Pa im Temperaturbereich von 150–200°C hat, ist es bevorzugt, ein Vernetzungssystem zu verbessern und die Kohäsionskraft durch Copolymerisieren des difunktionellen Monomers (C) aufrechtzuerhalten. Beispiele für das difunktionelle Monomer (C) umfassen Allylmethacrylat, Allylacrylat, Divinylbenzol, Vinylmethacrylat, Vinylacrylat, eine Verbindung, die ein Propylenglykol-Struktur als Hauptkette und Diacrylat oder Dimethacrylat an beiden Enden hat (zum Beispiel PDP-200, PDP-400, ADP-200 oder ADP-400 (alles Handelsnamen, hergestellt von Nippon Oils and Fats Co., Ltd.)), eine Verbindung, die eine Tetramethylenglykol-Struktur als Hauptkette und die Diacrylat oder Dimethacrylat an beiden Enden davon hat (zum Beispiel ADT-250 oder ADT-850 (beides Handelsbezeichnungen, hergestellt von Nippon Oils and Fats Co. Ltd.)) und eine Verbindung mit einer Struktur aus einem Gemisch davon (z. B. ADET-1800 oder ADPT-4000 (beide Handelsbezeichnungen, hergestellt von Nippon Oil and Fats Co., Ltd.)) und dgl.
  • Wenn das difunktionelle Monomer (C) Emulsions-copolymerisiert wird, ist die Menge des enthaltenen Monomers (C) vorzugsweise im Bereich von 0,1–30 Gew.-%, und weiter bevorzugt im Bereich von 0,1–5 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmenge der Monomeren. Auf diese Weise kann ein Polymer erhalten werden, das die Struktureinheit (C) enthält und das eine Zusammensetzung hat, die etwa dieselbe wie die Monomerzusammensetzung ist.
  • Zusätzlich zu dem Hauptmonomer (A), das den Klebstoff bildet, und dem Comonomer (B), das die funktionelle Gruppe hat, die fähig ist, mit einem Vernetzungsmittel zu reagieren, kann ein spezifisches Comonomer, das Eigenschaften als oberflächenaktives Mittel hat (im folgenden als polymerisierbares oberflächenaktives Mittel bezeichnet) copolymerisiert werden. Wenn das polymerisierbare oberflächenaktive Mittel mit einem Hauptmonomer und einem Comonomer zur Emulsionspolymerisation copolymerisiert wird, dient es auch als Emulgiermittel bei der Emulsionspolymerisation. Ein Acrylklebstoff, der durch Emulsionspolymerisation unter Verwendung eines polymerisierbaren oberflächenaktiven Mittels hergestellt wird, ist bevorzugt, da infolge eine oberflächenaktiven Mittels keine Kontamination an der Wafer-Oberfläche erfolgt. Wenn ein polymerisierbares oberflächenaktives Mittel verwendet wird, kann, selbst wenn eine leichte Kontamination durch den Klebstoff auftritt eine solche Kontamination leicht durch Waschen der nicht durch einen Metallfilm gebildeten Oberfläche mit Wasser entfernt werden.
  • Beispiele für das polymerisierbare oberflächenaktive Mittel umfassen eine Verbindung, die durch Einführen einer polymerisierbaren 1-Propenyl-Gruppe in einen Benzolring von Polyoxyethylennonylphenylether gebildet wird (Handelsbezeichnungen: AQUARON RN-10, AQUARON RN-20, AQUARON RN-30, AQUARON RN-50 und dgl., hergestellt von Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.), eine Verbindung, die durch Einführen einer polymerisierbaren 1-Propenyl-Gruppe in einen Benzolring eines Ammoniumsalzes des Schwefelsäureesters von Polyoxyethylennonylphenylether gebildet wird (Handelsbezeichnungen: AQUARON HS-10, AQUARON HS-20 und dgl., hergestellt von Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.) und eine Sulfobernsteinsäurediester-Verbindung, die eine polymerisierbare Doppelbindung in einem Molekül hat (Handelsbezeichnungen: LATEMUL S-120A, LATEMUL S-180A und dgl., hergestellt von Kao Corporation). Außerdem kann ein Monomer mit einer polymerisierbaren Doppelbindung, zum Beispiel Vinylacetat, Acrylnitril, Styrol oder dgl. bei Bedarf copolymerisiert werden.
  • Beispiele für das Polymerisationsverfahren des Acrylklebstoffs umfassen Radikalpolymerisation, anionische Polymerisation, kationische Polymerisation und dgl. In Anbetracht der Kosten für die Herstellung des Klebstoffs, des Einflusses der funktionellen Gruppen der Monomeren, des Einflusses der Ionenkonatamination an der Oberfläche des Halbleiter-Wafers und dgl. ist eine Radikalpolymerisation bevorzugt. Beispiele für den Radikalpolymerisationsinitiator, der in der Radikalpolymerisation eingesetzt wird, umfassen organische Peroxide, zum Beispiel Benzoylperoxid, Acetylperoxid, Isobutylperoxid, Octanoylperoxid, Di-tertiär-butylperoxid, Di-tertiär-amylperoxid oder dgl., anorganische Peroxide, zum Beispiel Ammoniumpersulfat, Kaliumpersulfat, Natriumpersulfat oder dgl. und Azo-Verbindungen wie zum Beispiel 2,2'-Azobisisobutyronitril, 2,2'-Azobis-2-methylbutyronitril, 4,4'-Azobis-4-cyanovaleriansäure oder dgl.
  • Wenn die Polymerisation durch das Emulsionspolymerisationsverfahren durchgeführt wird, werden vorzugsweise von diesen Radikalpolymerisationsinitiatoren wasserlösliche anorganische Peroxide, zum Beispiel Ammoniumpersulfat, Kaliumpersulfat, Natriumpersulfat oder dgl., und wasserlösliche Azo-Verbindungen mit einer Carboxyl-Gruppe in einem Molekül, zum Beispiel 4,4'-Azobis-4-cyanovaleriansäure oder dgl., bevorzugt eingesetzt. In Anbetracht der Ionenkontamination an der Oberfläche des Halbleiter-Wafers werden bevorzugte Ammoniumpersulfat und Azo-Verbindungen mit einer Carboxyl-Gruppe in einem Molekül, zum Beispiel 4,4'-Azubis-4-cyanovaleriansäure oder dgl. eingesetzt. Azo-Verbindungen mit einer Carboxyl-Gruppe in einem Molekül, z. B. 4,4'-Azubis-4-cyanovaleriansäure oder dgl. werden besonders bevorzugt eingesetzt.
  • Darüber hinaus umfassen Beispiele für ein Verfahren zur Einstellung der Klebefestigkeit oder der Ablöseeigenschaften derart, dass die Klebstoffschicht vollständig als Klebstoff selbst unter den Temperaturbedingungen zur Bildung des Metallfilms fungiert, ein Verfahren der Vernetzung einer partikelförmigen Masse, so dass die Kohäsionskraft der Emulsionspartikel aufrechterhalten wird.
  • Durch Zusatz eines Vernetzungsmittels, das zwei oder mehr vernetzbare funktionelle Gruppen in einem Molekül hat, um es mit der funktionellen Gruppe des Acrylklebstoffs umzusetzen, können Adhäsionsfestigkeit und Kohäsionskraft eingestellt werden. Beispiele für das Vernetzungsmittel umfassen Epoxy-Verbindungen, zum Beispiel Sorbitpolyglycidylether, Polyglycerinpolyglycidylether, Penterythritpolyglycidylether, Diglycerinpolyglycidylether, Glycerinpolyglycidylether, Neopentylglykoldiglycidylether, Resorcindiglycidylether oder dgl., Isocyanat-Verbindungen wie zum Beispiel Tetramethylendiisocyanat, Hexamethylendiisocyanat, Trimethylolpropantoluoldiisocyanat-3-Additionsprodukt, Polyisocyanat oder dgl., Aziridin-Verbindungen, zum Beispiel Trimethylolpropan-tri-β-aziridinylpropionat, Tetramethylolmethan-tri-β-aziridinylpropionat, N,N'-Diphenylmethan-4,4'-bis(1-aziridincarboxyamid), N,N'-Hexamethylen-1,6-bis(1-azilidincarboxyamid), N,N'-Toluol-2,4-bis(1-azilidincarboxyamid), Trimethylolpropan-tri-β-(2-methylaziridin)propionat oder dgl., tetrafunktionelle Epoxy-Verbindungen, zum Beispiel N,N,N',N'-Tetraglycidyl-m-xylendiamin oder 1,3-Bis(N,N'-diglycidylaminomethyl)cyclohexan und Melamin-Verbindungen wie zum Beispiel Hexamethoxymethylolmelamin oder dgl. Diese können entweder einzeln oder als Kombination aus zwei oder mehr Arten eingesetzt werden.
  • Normalerweise wird das Vernetzungsmittel in einem solchen Bereich bevorzugt verwendet, dass die Zahl der funktionellen Gruppen im Vernetzungsmittel nicht größer als die Zahl der funktionellen Gruppen im Acrylklebstoff ist. Wenn allerdings eine funktionelle Gruppe in der Vernetzungsreaktion neu gebildet wird oder wenn die Vernetzungsreaktion langsam fortschreitet, kann das Vernetzungsmittel in größeren Mengen als notwendig eingesetzt werden. Der bevorzugte Gehalt des Vernetzungsmittels ist 0,1–15 Gew.-Teile, bezogen auf 100 Gew.-Teile des Acrylklebstoffs. Wenn der Gehalt niedrig ist, könnte die Kohäsionskraft der Klebstoffschicht unzureichend sein, der Elastizitätsmodul könnte nicht mehr als 1 × 105 Pa bei 150–200°C sein und die Wärmebeständigkeit kann unzureichend sein. Als Resultat kann leicht ein Klebstoffrückstand, der durch die Klebstoffschicht verursacht wird, auftreten. Darüber hinaus ist die Klebefestigkeit übermäßig erhöht. Wenn die Klebefolie von der nicht durch einen Metallfilm gebildeten Oberfläche abgezogen wird, können somit Störungen beim Abziehen in einer automatischen Bandablösemaschine auftreten und das mit Metallfilm gebildete Adhärend könnte in einigen Fällen gebrochen werden. Wenn andererseits der Gehalt des Vernetzungsmittels hoch ist, wird die Klebefestigkeit zwischen der Klebstoffschicht und der nicht durch einen Metallfilm gebildeten Oberfläche geschwächt, was dazu führt, daß die Klebstoffschicht im Schritt der Bildung eines Metallfilms abgelöst wird und die nicht durch einen Metallfilm gebildete Oberfläche in einigen Fällen kontaminiert sein könnte.
  • Die Klebstoffbeschichtungslösung, die in der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, kann in geeigneter Weise Klebrigmacher zur Einstellung der Klebeeigenschaften, zum Beispiel Colophoniumharze, Terpenharze und dgl., und verschiedene oberflächenaktive Mittel und dgl. zu einem Ausmaß, das das Ziel der vorliegenden Erfindung nicht beeinflusst wird, zusätzlich zu dem Acrylklebstoff, der durch Copolymerisieren des spezifischen difunktionellen Monomers und des Vernetzungsmittels hergestellt wurde, enthalten. Wenn darüber hinaus die Beschichtungslösung eine Emulsion ist, können geeigneterweise filmbildende Mittel, zum Beispiel Diethylenglykolmonoalkylether und dgl. zu einem solchen Grad zugesetzt werden, dass das Ziel der vorliegenden Erfindung nicht beeinflusst wird. Diethylenglykolmonoalkylether und ihre Derivate, die als filmbildende Mittel verwendet werden, könnten, wenn sie in großen Mengen in der Klebstoffschicht vorhanden sind, eine Kontamination an der nicht durch einen Metallfilm gebildeten Oberfläche durch Waschen in einigen Fällen nicht eliminieren. Aus diesem Grund ist es bevorzugt, dass Materialien, die leicht verdampft werden können, als filmbildende Mittel verwendet werden, um die Restmengen dieser in der Klebstoffschicht zu senken.
  • Als Verfahren zum Auftragen der Klebstoffbeschichtungslösung auf eine Oberfläche des Basisfilms oder des Trennfilms können herkömmlicherweise bekannte Beschichtungsverfahren, zum Beispiel ein Walzenbeschichtungsverfahren, ein Umkehrwalzenbeschichtungsverfahren, ein Tiefdruckwalzenverfahren, ein Stabbeschichtungsverfahren, ein Komma-Beschichtungsverfahren, ein Düsenbeschichtungsverfahren oder dgl. eingesetzt werden. Die Bedingungen zum Trocknen des aufgetragenen Klebstoffs sind keinen besonderen Beschränkungen unterworfen. Im allgemeinen ist es bevorzugt, das Trocknen in einem Bereich von 80–200°C für 10 Sekunden bis 10 Minuten durchzuführen. Es ist weiter bevorzugt, das Trocknen in einem Bereich von 80–170°C für 15 Sekunden bis 5 Minuten durchzuführen. Für eine zufriedenstellende Förderung der Vernetzungsreaktion des Vernetzungsmittels und des Klebstoffs kann die Klebefolie außerdem auf eine Temperatur von 40–80°C für etwa 5–200 Stunden nach Trocknen der Klebstoffbeschichtungslösung erwärmt werden.
  • Beispiele
  • Die vorliegende Erfindung wird im folgenden spezifischer an Hand von Beispielen erläutert. Die verschiedenen in den Beispielen beschriebenen Eigenschaften wurden durch die folgenden Methoden gemessen.
  • 1. Dynamischer Elastizitätsmodul (Pa)
  • Ein Probe zur Messung der Viskoelastizität wird unter Verwendung eines Teils einer Klebstoffschicht einer Klebefolie, die zu einer Dicke von 1 mm laminiert ist, hergestellt. Die Probe wird zu einem Kreis mit einem Durchmesser von 8 mm geschnitten. Der dynamische Elastizitätsmodul wird bei 150°C und 200°C gemessen, wobei ein Messvorrichtung für die dynamische Viskoelastizität verwendet wird (Handelsbezeichnung: RMS-800 MODEL, hergestellt von Rheometrics, Inc.). Die Messfrequenz ist 1 Hz und Verformung ist 0,1–3%.
  • 2. Beurteilung der Kontamination
  • Eine Probeklebefolie wird auf die gesamte Oberfläche eines Silicium-Spiegelwafers (Durchmesser: 12,7 cm (5 Inch), Dicke: 725 μm) über seine Klebstoffschicht geklebt und auf der Rückseite des Wafers wird unter den Bedingungen in 3 ein Metall auf der Rückseite des Wafers gebildet. Die Klebefolie wird dann abgelöst (Modell: HR8500II, hergestellt von Nitto Seiki Corp.) und die Oberfläche des Wafers wird mit einem Laser-Fokus-Mikroskop (Modelle: VF-7510, VF-7500 und VP-ED100, hergestellt von KEYENCE Corp.) bei 250-facher Vergrößerung betrachtet. Der Beurteilungsstandard ist wie folgt:
    • O:
    Kein Klebstoffrückstand
    X:
    Es tritt ein Klebstoffrückstand auf
  • 3. Beurteilung der Bildung eines Metallfilms
  • Ein Klebefolie-befestigter Wafer wird auf eine Metallfilmbildungsvorrichtung gelegt und ventiliert. Wenn das Innere der Kammer 10–5 Pa erreicht, wird die Bildung von Ti, Ni und Au initiiert. Wenn die Zeit zur Erreichung des Vakuums über 30 Minuten liegt, wird keine Metallfilmbildung durchgeführt und die Beurteilung der Metallfilmbildung wird mit ”X” markiert. Wenn darüber hinaus die Zeit zur Erreichung des Vakuums weniger als 30 Minuten ist und ein Filmbildung aller Metalle ausgeführt werden kann, wird die Beurteilung der Metallfilmbildung mit ”0” markiert.
  • 4. Gas-Transmissionsrate
  • Ein Probenfilm wird unter den Bedingungen einer Temperatur von 20°C, einer Feuchtigkeit von 65% und einem Druck von 1 Atmosphäre für 24 Stunden stehengelassen und dann wird die Gastransmissionsrate gemäß JIS K7126 gemessen.
  • 5. Wasserabsorptionsvermögen
  • Eine Probe wird für 24 Stunden in reines Wasser mit 23°C eingetaucht. Die Gewichtszunahme zu dem Gewicht vor dem Eintauchen wird als Gewichtsverhältnis bezeichnet.
  • Darüber hinaus wird der Metalloxidfilm nach dem folgenden Verfahren gebildet.
  • Silicium, Titan und Aluminium werden einer Vakuumverdampfung auf einem Basisfilm in Gegenwart von Sauerstoff unter Bildung eines Oxidfilms unterworfen. Der Oxidfilm wird mit einer Dicke von 10 nm gebildet.
  • Beispiel 1
  • Eine Klebstoffschicht (20 μm) mit einem dynamischen Elastizitätsmodul von 5,5 × 105 Pa bei 150°C wurde auf einer Oberfläche eines Polyethylenterephthalatfilms (Dicke: 50 μm, Gastransmissionsrate: 47,37 ml/m2·d·MPa (4,8 cm3/m2·Tag·atm), Wasserabsorptionsvermögen: 0,05 Gew.-%) der an der anderen Oberfläche eine 10 nm-Aluminiumoxid-Filmschicht hatte, ausgebildet, um so eine Klebefolie 1 herzustellen.
  • Die Klebstoffschicht wurde gebildet, indem ein Klebstoff verwendet wurde, in dem 5,0 Gew.-Teile eines Vernetzungsmittels (Polyglycerinpolyglycidylether) zu 100 Gew.-Teilen eines Emulsionscopolymers, das 5,0 Gew.-% eines funktionellen Monomers, das einen Vernetzungspunkt mit einem Vernetzungsmittel bildet, 5,0 Gew.-% eines difunktionellen Monomers (ADET-1800), welches die Kohäsionskraft unter Partikeln kontrolliert, und 90 Gew.-% eines Acrylsäureesters (Methylmethacrylat, Butylacrylat und 2-Ethylhexylacrylat) umfasst, gegeben worden waren.
  • Die Klebstoffschicht 1 wurde an dem Silicium-Spiegelwafer befestigt und es wurden Metallfilme aus Ti, Ni oder Au gebildet. Jeder Metallfilm wurde unter einem Druck von nicht mehr als 10–5 Pa und in einem Temperaturbereich von 120–150°C in einer Kammer gebildet. Der Ni-Film wurde bei einer etwas höheren Temperatur gebildet. Nach Bildung des Metallfilms wurde die Klebefolie 1 abgezogen und die Kontamination auf dem Silicium-Spiegelwafer wurde beurteilt. Die Resultate sind in Tabelle 1 angegeben.
  • Beispiel 2
  • Ein Basisfilm wurde gebildet, indem ein Ethylen-Vinylacetat-Copolymerfilm (Dicke: 120 μm) auf die Oberfläche eines Polyethylenterephthalatfilms (Dicke 50 μm, Gastransmissionsrate: 47,37 ml/m2·d·MPa (4,8 cm3/m2·Tag·atm), Wasserabsorptionsvermögen 0,05 Gew.-%), der an der anderen Oberfläche eine 10 nm Aluminiumoxid-Filmschicht hatte, laminiert wurde. Dann wurde eine Klebstoffschicht (20 μm) mit einem dynamischen Elastizitätsmodul von 5,5 × 105 Pa bei 150°C auf einer Seite der Ethylen-Vinylacetat-Copolymerschicht gebildet, um so eine Klebefolie 2 herzustellen.
  • Die Klebstoffschicht wurde gebildet, indem derselbe Klebstoff wie der in Beispiel 1 verwendete eingesetzt wurde.
  • Ein Metallfilm wurde durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 1 gebildet. Die erhaltenen Resultate sind in Tabelle 1 angegeben.
  • Beispiel 3
  • Ein Laminatfilm wurde gebildet, indem ein Polyethylenfilm (Dicke 50 μm) auf eine Oberfläche eines Polyethylenterephthalatfilms (Dicke: 50 μm, Gastransmissionsrate: 47,37 ml/m2·d·MPa (4,8 cm3/m2·Tag·atm), Wasserabsorptionsvermögen: 0,05 Gew.-%), der als andere Oberfläche eine 10 nm Aluminiumoxid-Filmschicht daran ausgebildet hatte, laminiert wurde. Dann wurde eine Klebstoffschicht (20 μm) mit einem dynamischen Elastizitätsmodul von 5,5 × 105 Pa bei 150°C an einer Seite des Polyethylenfilms gebildet, um eine Klebefolie 3 herzustellen.
  • Die Klebstoffschicht wurde durch Verwendung desselben Klebstoffs wie der in Beispiel 1 verwendete gebildet.
  • Ein Metallfilm wurde durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 1 gebildet. Die erhaltenen Resultate sind in Tabelle 1 gezeigt.
  • Beispiel 4
  • Eine Klebstoffschicht (20 μm) mit einem dynamischen Elastizitätsmodul von 5,5 × 105 Pa bei 150°C wurde an einer Oberfläche eines Polyethylenterephthalatfilms (Dicke: 50 μm, Gastransmissionsrate: 45,89 ml/m2·d·MPa (4,65 cm3/m2·Tag·atm), Wasserabsorptionsvermögen: 0,05 Gew.-%), der an der anderen Oberfläche eine 10 nm-Titanoxid-Filmschicht hatte, gebildet, um so eine Klebefolie 4 herzustellen.
  • Die Klebstoffschicht wurde unter Verwendung desselben Klebstoffs wie der, der in Beispiel 1 verwendet wurde, gebildet.
  • Ein Metallfilm wurde durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 1 gebildet. Die erhaltenen Resultate sind in Tabelle 1 gezeigt.
  • Beispiel 5
  • Eine Klebstoffschicht (20 μm) mit einem dynamischen Elastizitätsmodul von 5,5 × 105 Pa bei 150°C wurde auf einer Oberfläche eines Polyethylenterephthalatfilms (Dicke: 50 μm, Gastransmissionsrate: 7,90 ml/m2·d·MPa (0,8 cm3/m2·Tag·atm), Wasserabsorptionsvermögen: 0,05 Gew.-%), der an der anderen Oberfläche eines 10 nm-Siliciumoxid-Filmschicht hatte, gebildet, um so eine Klebefolie 5 herzustellen.
  • Die Klebstoffschicht wurde durch denselben Klebstoff wie der, der in Beispiel 1 verwendet wurde, gebildet.
  • Ein Metallfilm wurde durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 1 gebildet. Die erhaltenen Resultate sind in Tabelle 1 gezeigt.
  • Beispiel 6
  • Eine Klebstoffschicht (20 μm) mit einem dynamischen Elastizitätsmodul von 5,5 × 105 Pa bei 150°C wurde auf einem flüssigkristallinen Polymerfilm (registrierte Marke: VECSTAR, hergestellt von Kuraray Co., Ltd., Dicke: 50 μm, Gastransmissionsrate: 2,96 ml/m2·d·MPa (0,3 cm3/m2·Tag·atm), Wasserabsorptionsvermögen: 0,04 Gew.-%) gebildet, um eine Klebefolie 6 herzustellen.
  • Die Klebstoffschicht wurde unter Verwendung desselben Klebstoffs wie der in Beispiel 1 verwendete gebildet.
  • Ein Metallfilm wurde durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 1 gebildet. Die erhaltenen Resultate sind in Tabelle 1 gezeigt.
  • Beispiel 7
  • Ein Basisfilm wurde gebildet, indem ein Ethylen-Vinylacetat-Copolymerfilm (Dicke: 120 μm) auf einen flüssigkristallinen Polymerfilm (registrierte Marke: VECSTAR, hergestellt von Kuraray Co., Ltd., Dicke: 50 μm, Gastransmissionsrate: 2,96 ml/m2·dMPa (0,3 cm3/m2·Tag·atm), Wasserabsorptionsvermögen: 0,04 Gew.-%) laminiert wurde. Dann wurde eine Klebstoffschicht (20 μm) mit einem dynamischen Elastizitätsmodul von 5,5 × 105 Pa bei 150°C auf einer Oberfläche eines Ethylen-Vinylacetat-Copolymerfilms des Basisfilms gebildet, um so eine Klebefolie 7 herzustellen. Die Klebstoffschicht wurde gebildet, indem derselbe Klebstoff wie der in Beispiel 1 verwendete, verwendet wurde.
  • Eine Beurteilung wurde durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 1 durchgeführt. Die erhaltenen Resultate sind in Tabelle 1 gezeigt.
  • Beispiel 8
  • Ein Basisfilm wurde gebildet, indem auf einen flüssigkristallinen Polymerfilm (registrierte Marke: VECSTAR, hergestellt von Kurary Co., Ltd., Dicke: 50 μm, Gastransmissionsrate: 2,96 ml/m2·d·MPa (0,3 cm3/m2·Tag·atm), Wasserabsorptionsvermögen: 0,04 Gew.-%) ein Polyethylenterephthalatfilm (Dicke: 50 μm) und ein Ethylen-Vinylacetat-Copolymerfilm (Dicke: 120 μm) in dieser Reihenfolge laminiert wurden. Dann wurde eine Klebstoffschicht (20 μm) mit einem dynamischen Elastizitätsmodul von 5,5 × 105 Pa bei 150°C an einer Oberfläche der Ethylen-Vinylacetat-Copolymerfilm des Basisfilms gebildet, um so eine Klebefolie 8 herzustellen. Die Klebstoffschicht wurde unter Verwendung desselben Klebstoffs wie der, der in Beispiel 1 verwendet wurde, gebildet.
  • Eine Beurteilung wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 durchgeführt. Die erhaltenen Resultate sind in Tabelle 1 gezeigt.
  • Beispiel 9
  • Ein Basisfilm wurde gebildet, indem auf einen flüssigkristallinen Polymerfilm (registrierte Marke: VECSTAR, hergestellt von Kuraray Co., Ltd., Dicke: 50 μm, Gastransmissionsrate: 2,96 ml/m2·d·MPa (0,3 cm3/m2·Tag·atm), Wasserabsorptionsvermögen: 0,04 Gew.-%) ein Polyethylennaphthalatfilm (Dicke: 50 μm) und ein Ethylen-Vinylacetat-Copolymerfilm (Dicke: 120 μm) in dieser Reihenfolge laminiert wurden. Dann wurde eine Klebstoffschicht (20 μm) mit einem dynamischen Elastizitätsmodul von 5,5 × 105 Pa bei 150°C an einer Oberfläche des Ethylen-Vinylacetat-Copolymerfilms des Basisfilms gebildet, um so eine Klebefolie 9 herzustellen. Die Klebstoffschicht wurde gebildet, indem derselbe Klebstoff wie der in Beispiel 1 verwendete, verwendet wurde. Eine Beurteilung wurde durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 1 durchgeführt. Die erhaltenen Resultate sind in Tabelle 1 gezeigt.
  • Beispiel 10
  • Eine Klebstoffschicht (20 μm) mit einem dynamischen Elastizitätsmodul von 5,5 × 105 Pa bei 150°C wurde auf einem Basisfilm gebildet, der durch Laminieren eines Polyethylenfilms (Dicke: 50 μm) auf einem flüssigkristallinen Polymerfilm (registrierte Marke: VECSTAR, hergestellt von Kuraray Co., Ltd., Dicke: 50 μm, Gastransmissionsrate: 2,96 ml/m2·d·MPa (0,3 cm3/m2·Tag·atm), Wasserabsorptionsvermögen: 0,04 Gew.-%) gebildet worden war, ausgebildet, um eine Klebefolie 10 herzustellen. Die Klebstoffschicht wurde unter Verwendung desselben Klebstoffs wie der in Beispiel 1 verwendete gebildet.
  • Eine Beurteilung wurde durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 1 durchgeführt. Die erhaltenen Resultate sind in Tabelle 1 gezeigt.
  • Beispiel 11
  • Eine Klebstoffschicht (20 μm) mit einem dynamischen Elastizitätsmodul von 5,5 × 105 Pa bei 150°C wurde auf einem flüssigkristallinen Polymerfilm (eingetragene Marke: VECSTAR, hergestellt von Kuraray Co., Ltd., Dicke: 100 μm, Gastransmissionsrate: 9,38 ml/m2·d·MPa (0,95 cm3/m2·Tag·atm), Wasserabsorptionsvermögen: 0,04 Gew.-%) gebildet, um so eine Klebefolie 11 herzustellen. Die Klebstoffschicht wurde unter Verwendung desselben Klebstoffs wie der, der in Beispiel 1 verwendet wurde, gebildet.
  • Durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 1 wurde ein Experiment durchgeführt. Die erhaltenen Resultate sind in Tabelle 1 gezeigt.
  • Beispiel 12
  • Eine Klebstoffschicht (20 μm) mit einem dynamischen Elastizitätsmodul von 5,5 × 105 Pa bei 150°C wurde auf einem flüssigkristallinen Polymerfilm (eingetragene Marke: VECSTAR, hergestellt von Kuraray Co., Ltd., Dicke: 50 μm, Gastransmissionsrate: 3,45 ml/m2·d·MPa (0,35 cm3/m2·Tag·atm), Wasserabsorptionsvermögen: 0,95 Gew.-%) gebildet, um eine Klebefolie 12 herzustellen. Die Klebstoffschicht wurde gebildet, indem derselben Klebstoff wie der, der in Beispiel 1 verwendete, verwendet wurde.
  • Eine Beurteilung wurde durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 1 durchgeführt. Die erhaltenen Resultate sind in Tabelle 1 angegeben.
  • Vergleichsbeispiel 1
  • Eine Klebstoffschicht (20 μm) mit einem dynamischen Elastizitätsmodul von 5,5 × 105 Pa bei 150°C wurde auf einem Polyethylenterephthalatfilm (Dicke: 50 μm, Gastransmissionsrate: 493,5 ml/m2·d·MPa (50 cm3/m2·Tag·atm), Wasserabsorptionsvermögen: 0,05 Gew.-%), auf dem keine Oxidschicht ausgebildet war, gebildet, um so eine Klebefolie 13 herzustellen. Die Klebstoffschicht wurde unter Verwendung desselben Klebstoffs wie in Beispiel 1 gebildet. Ein Metallfilm wurde durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 1 gebildet. Die erhaltenen Resultate sind in Tabelle 2 gezeigt.
  • Vergleichsbeispiel 2
  • Eine Klebstoffschicht (20 μm) mit einem dynamischen Elastizitätsmodul von 5,5 × 105 Pa bei 150°C wurde an einer Oberfläche eines Polyethylenterephthalatfilms (Dicke: 50 μm, Gastransmissionsrate: 52,31 ml/m2·d·MPa (5,3 cm3/m2·Tag·atm), Wasserabsorptionsvermögen: 0,05 Gew.-%), der an der anderen Oberfläche eine 10 nm-Aluminiumoxid-Filmschicht hatte, gebildet, um so eine Klebefolie 14 herzustellen. Die Klebstoffschicht wurde unter Verwendung desselben Klebstoffs wie in Beispiel 1 gebildet. Ein Metallfilm wurde durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 1 gebildet. Die erhaltenen Resultate sind in Tabelle 2 gezeigt.
  • Vergleichsbeispiel 3
  • Ein Basisfilm wurde gebildet, indem ein Ethylen-Vinylacetat-Copolymerfilm (Dicke: 120 μm, Gastransmissionsrate: 394,8 ml/m2·d·MPa (40 cm3/m2·Tag·atm)) auf einem Polyethylenterephthalatfilm (Dicke: 50 μm, Gastransmissionsrate: 493,5 ml/m2·d·MPa (50 cm3/m2·Tag·atm), Wasserabsorptionsvermögen: 0,05 Gew.-%) gebildet wurde. Dann wurde eine Klebstoffschicht (20 μm) mit einem dynamischen Elastizitätsmodul von 5,5 × 105 Pa bei 150°C an einer Seite der Ethylen-Vinylacetat-Copolymerschicht des Basisfilms gebildet, wobei eine Klebefolie 15 hergestellt wurde. Die Klebstoffschicht wurde gebildet, indem derselbe Klebstoff wie der in Beispiel 1 verwendete, verwendet wurde. Ein Metallfilm wurde durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 1 gebildet. Die erhaltenen Resultate sind in Tabelle 2 gezeigt.
  • Vergleichsbeispiel 4
  • Ein Polyethylenterephthalatfilm (Dicke: 50 μm), Gastransmissionsrate: 493,5 ml/m2·d·MPa (50 cm3/m2·Tag·atm), Wasserabsorptionsvermögen: 0,05 Gew.-%) wurde mit einem Polyethylenfilm (Dicke: 50 μm, Gastransmissionsrate: 59,22 ml/m2·d·MPa (6,0 cm3/m2·Tag·atm)) laminiert. Dann wurde eine Klebstoffschicht (20 μm) mit einem dynamischen Elastizitätsmodul von 5,5 × 105 Pa bei 150°C auf einer Seite des Polyethylenfilms gebildet, um eine Klebefolie 16 herzustellen. Die Klebstoffschicht wurde unter Verwendung desselben Klebstoffs wie der in Beispiel 1 verwendete gebildet. Ein Metallfilm wurde durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 1 gebildet. Die erhaltenen Resultate sind in Tabelle 2 gezeigt.
  • Vergleichsbeispiel 5
  • Eine Klebstoffschicht (20 μm) mit einem dynamischen Elastizitätsmodul von 5,5 × 105 Pa bei 150°C wurde auf einem Polyimidfilm (Dicke: 50 μm, Gastransmissionsrate: 4836 ml/m2·d·MPa (490 cm3/m2·Tag·atm), Wasserabsorptionsvermögen: 2,0 Gew.-%) gebildet, um so eine Klebefolie 17 herzustellen. Die Klebstoffschicht wurde unter Verwendung desselben Klebstoffs wie der in Beispiel 1 verwendete gebildet. Durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 1 wurde ein Experiment durchgeführt. Die erhaltenen Resultate sind in Tabelle 2 gezeigt.
  • Vergleichsbeispiel 6
  • Eine Klebstoffschicht (20 μm) mit einem dynamischen Elastizitätsmodul von 5,5 × 105 Pa bei 150°C wurde auf einem Polyphenylensulfidfilm (Dicke: 50 μm, Gastransmissionsrate: 2467 ml/m2·d·MPa (250 cm3/m2·Tag·atm), Wasserabsorptionsvermögen: 0,1 Gew.-%) gebildet, um eine Klebefolie 18 herzustellen. Die Klebstoffschicht wurde unter Verwendung desselben Klebstoffs wie der in Beispiel 1 verwendete gebildet. Ein Experiment wurde durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 1 durchgeführt. Die erhaltenen Resultate sind in Tabelle 2 gezeigt.
  • Vergleichsbeispiel 7
  • Eine Klebstoffschicht (20 μm) mit einem dynamischen Elastizitätsmodul von 5,5 × 105 Pa bei 150°C wurde auf einem Polypropylenfilm (Dicke: 50 μm, Gastransmissionsrate: 19.738 ml/m2·d·MPa (2000 cm3/m2·Tag·atm), Wasserabsorptionsvermögen: 0,8 Gew.-%) gebildet, um so eine Klebefolie 19 herzustellen. Die Klebstoffschicht wurde unter Verwendung desselben Klebstoffs wie der, der in Beispiel 1 verwendete wurde, gebildet. Ein Experiment wurde durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 1 durchgeführt. Die erhaltenen Resultate sind in Tabelle 2 gezeigt.
  • Figure 00300001
  • Figure 00310001
  • Figure 00320001
  • Figure 00330001
  • Industrielle Anwendbarkeit
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Bildung eines Metallfilms unter Verwendung einer Klebefolie, die eine Schädigung an einer nicht durch einen Metallfilm gebildeten Oberfläche verhindern kann und auch eine Kontamination an der Wafer-Oberfläche zur Zeit der Bildung eines Metallfilms eines Halbleiter-Wafers verringern kann. Indem die nicht durch einen Metallfilm gebildete Oberfläche mit einer Klebefolie geschützt wird, kann ein Waschschritt unter Verwendung eines Lösungsmittels in einem Schritt der Herstellung von Halbleitern weggelassen werden und es kann auch eine Kontamination der nicht durch einen Metallfilm gebildeten Oberfläche verringert werden, was in einer Erhöhung der Produktivität und Verarbeitbarkeit resultiert. Somit ist die vorliegende Erfindung eine industriell vorteilhafte Erfindung.

Claims (5)

  1. Verfahren zur Bildung eines Metallfilms auf einer nicht durch einen Schaltkreis gebildeten Oberfläche eines Halbleiter-Wafers, das folgende Schritte umfasst: (i) Aufbringen einer Klebefolie auf eine durch einen Schaltkreis gebildete und nicht durch einen Metallfilm gebildete Oberfläche eines Halbleiter-Wafers, wobei – die Klebefolie einen Basisfilm und eine auf einer Oberfläche davon aufgebrachte Klebstoffschicht umfasst, und – der Basisfilm wenigstens eine Filmschicht aufweist, die ausgewählt ist aus einer Metall-Filmschicht, einer Metalloxid-Filmschicht und einem flüssigkristallinen Polymerfilm, und die eine Gastransmissionsrate von ≤ 49,35 ml/m2·Tag/MPa (5,0 cm3/m2Tagatm) aufweist; und (ii) Ausbilden eines Metallfilms auf der Oberfläche des Halbleiter-Wafers, auf der die Klebefolie nicht aufgebracht ist.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Basisfilm eine Metall-Filmschicht oder eine Metalloxid-Filmschicht und wenigstens eine Filmschicht mit einer Gastransmissionsrate von ≤ 49,35 ml/m2·Tag/MPa (5,0 cm3/m2Tagatm) hat, umfasst.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Basisfilm wenigstens eine Filmschicht mit einer Gastransmissionsrate von ≤ 9,87 ml/m2·Tag/MPa (1,0 cm3/m2Tagatm) und einem Wasserabsorptionsvermögen von ≤ 1,0 Gew.-% umfasst.
  4. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1–3, wobei der Basisfilm ferner eine Filmschicht umfasst, die ausgewählt ist aus einem Ethylen-Vinylacetat-Copolymer-Film, einem Polyester-Film und einem Polyethylen-Film.
  5. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1–3, worin die Klebstoffschicht einen dynamischen Elastizitätsmodul von ≥ 1 × 105 Pa bei 150°C aufweist.
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