TWI527869B - 切割晶粒黏合膜、用於切割晶粒黏合膜之組成物以及半導體裝置 - Google Patents

切割晶粒黏合膜、用於切割晶粒黏合膜之組成物以及半導體裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI527869B
TWI527869B TW100140684A TW100140684A TWI527869B TW I527869 B TWI527869 B TW I527869B TW 100140684 A TW100140684 A TW 100140684A TW 100140684 A TW100140684 A TW 100140684A TW I527869 B TWI527869 B TW I527869B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
meth
dicing die
acrylate
resin
Prior art date
Application number
TW100140684A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201226517A (en
Inventor
片雅灆
魚東善
黃珉珪
宋基態
趙敬來
金志浩
Original Assignee
第一毛織股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 第一毛織股份有限公司 filed Critical 第一毛織股份有限公司
Publication of TW201226517A publication Critical patent/TW201226517A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI527869B publication Critical patent/TWI527869B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

切割晶粒黏合膜、用於切割晶粒黏合膜之組成物以及半導體裝置 發明領域
本發明涉及用於切割晶粒黏合膜的組合物和使用所述組合物的切割晶粒黏合膜。更具體地，本發明涉及不考慮壓敏層和黏合層的一體化的切割晶粒黏合膜，所述切割晶粒黏合膜具有在該切割晶粒黏合膜的厚度方向上改變的利用UV造成的固化程度。
 發明背景
在半導體製造工序中，電路設計的晶圓經背面研磨，並層壓有切割膠帶或切割晶粒黏合帶，隨後通過切割將大尺寸晶圓切成小晶片。然後，將分離的晶片通過黏合工序黏合至基板，如PCB或引線框架基板。也就是說，半導體製造工序包括晶圓形成為薄膜的背面打磨工序、切割膠帶或切割晶粒黏合帶貼裝在晶圓背面的貼裝工序、將貼裝後的晶圓切成均勻尺寸的小片的切割工序、UV光照射切割後的晶圓的UV照射工序、拾取各個分離的晶片的拾取工序、以及將晶片黏合到支撐元件的晶粒黏合工序。在此，切割膠帶在貼裝工序中貼附到晶圓背面，從而防止晶圓振動，安全地支撐晶圓，並防止因切割工序中所用刀片而在晶片上或晶片的橫面上形成裂縫。此外，在晶粒貼裝工序中使切割膜擴展以有利於拾取。
切割膠帶分為壓敏黏結劑切割膠帶和UV固化切割膠帶。在這些切割膠帶中，UV固化切割膠帶通常用於使晶圓變薄以及拾取各種尺寸的晶片。
當切割完成時，從UV固化切割膠帶背面照射UV光來固化黏結劑層，以降低相對於晶圓的介面剝離強度，從而有利於單個晶片晶圓的拾取工序。為了在切割後封裝分離的晶片，使得能對晶片施加電信號，需要將晶片黏合至基板如PCB或引線框架基板的工序。此時，將液態環氧樹脂置於基板上，並將分離的晶片貼附並黏合至基板上。如此，因為這種兩步工序、使用切割膠帶的切割工序和使用液態環氧樹脂的晶粒黏合工序，在成本和產率方面存在問題。因此，已進行大量研究來簡化這些工序。
近來，已日益採用使用切割晶粒黏合膜的方法。在這些方法中，環氧膜置於作為切割膠帶的膜上，並在切割膠帶的壓敏黏結劑和環氧膜之間進行拾取，從而將常規的兩步工序合併成一步工序。在這點上，這些方法在時間和產率方面更有優勢。
傳統上，提議使用黏土黏合層以確保作為切割膠帶和晶粒黏合帶的功能。在使用黏土黏合層的方法中，為了在切割工序之前或之後實施拾取工序，將黏結劑組合物暴露於UV光並進行光固化，從而會降低黏附性。然而，存在不但基膜與黏土黏合層之間的剝離強度降低，而且晶圓與黏土黏合層之間的剝離強度也降低的問題。
 發明概要
本發明的各方面提供一種用於切割晶粒黏合膜的組合物和使用所述組合物的切割晶粒黏合膜。由於引入金屬氧化物填料，為單層膜的切割晶粒黏合膜在鄰接基膜的表面具有不同於在鄰接晶圓的表面的剝離強度，並具有在所述切割晶粒黏合膜的厚度方向上變化的UV固化程度。因此，所述切割晶粒黏合膜形成為不考慮壓敏黏結劑層和黏合層的一體化形狀，並與所述基膜接觸的表面順利分離，但不與所述晶圓接觸的表面分離，從而表現出優異的拾取性能。
本發明的一個方面提供一種切割晶粒黏合膜。所述切割晶粒黏合膜包括鄰接基膜的第一表面(A)和鄰接半導體晶圓的第二表面(B)，其中所述第二表面具有比所述第一表面高的剝離強度，並具有由等式1界定的大於0且小於50%的光固化程度：
[等式1]
光固化程度= x 100
Pa：UV固化後的雙鍵峰面積
Pb：UV固化前的雙鍵峰面積。
所述第一表面可具有低於0.1N/25mm的剝離強度。
所述第二表面可具有0.2N/25mm或更高的剝離強度。
所述第一表面的剝離強度與所述第二表面的剝離強度之比可為1：5～30。
所述第一表面可具有90至99%的光固化程度，且所述第二表面可具有10至50%的光固化程度。
所述切割晶粒黏合膜可為單層。
所述切割晶粒黏合膜可包括選自二氧化鈦、氧化鋅和它們的組合中的金屬氧化物顆粒。
在一個實施方式中，所述切割晶粒黏合膜可包括光可固化聚合物樹脂、環氧樹脂、固化劑、矽烷偶聯劑以及選自二氧化鈦、氧化鋅和它們的組合中的金屬氧化物顆粒。
所述切割晶粒黏合膜可包括35至85wt%的光可固化聚合物樹脂、5至20wt%的環氧樹脂、3至10wt%的固化劑、0.1至10wt%的矽烷偶聯劑以及0.5至25wt%的選自二氧化鈦、氧化鋅和它們的組合中的金屬氧化物顆粒。
在另一個實施方式中，所述切割晶粒黏合膜可進一步包括(甲基)丙烯酸酯樹脂、氨基甲酸乙酯樹脂和氨基甲酸乙酯丙烯酸酯樹脂中的至少一種。
所述光可固化聚合物樹脂可在其側鏈具有不飽和鍵。
所述金屬氧化物顆粒可具有1nm至10μm的粒徑(D50)。
本發明的另一個方面提供一種使用上述切割晶粒黏合膜的半導體裝置。
本發明的又一個方面提供一種用於切割晶粒黏合膜的組合物。所述組合物可包括光可固化聚合物樹脂、環氧樹脂、固化劑、矽烷偶聯劑和金屬氧化物顆粒。
所述組合物可包括35至85wt%的光可固化聚合物樹脂、5至20wt%的環氧樹脂、3至10wt%的固化劑、0.1至10wt%的矽烷偶聯劑以及0.5至25wt%的選自二氧化鈦、氧化鋅和它們的組合中的金屬氧化物顆粒。
所述金屬氧化物顆粒可選自二氧化鈦、氧化鋅和它們的組合中，並可具有1nm至10μm的粒徑(D50)。
本發明的又一個方面提供一種使用上述切割晶粒黏合膜用組合物的半導體裝置。
圖式簡單說明
由以下結合附圖的詳細說明中，本發明的以上和其它方面、特徵和優點將變得明顯，其中：
第1圖示出了根據本發明一個示例性實施方式的切割晶粒黏合膜；和
第2圖示意性示出了根據本發明一個示例性實施方式黏合至半導體晶圓的切割晶粒黏合膜。
 具體實施方式
下文中，將詳細說明示例性實施方式。應注意的是，列舉這些實施方式僅用於說明目的，且不應以任何方式解釋為限制本發明。本發明的範圍應僅由所附申請專利範圍和其等效方案限定。
在本文中，除非另有說明，各組分的含量將以固含量進行說明。而且，除非另有說明，術語“(甲基)丙烯酸酯”整體是指“丙烯酸酯”和“甲基丙烯酸酯”兩者。此外，術語“(甲基)丙烯酸”整體是指“丙烯酸”和“甲基丙烯酸”兩者。此外，術語“(甲基)丙烯醯胺”整體是指“丙烯醯胺”和“甲基丙烯醯胺”兩者。
本發明的一個方面提供一種用於切割晶粒黏合膜的組合物。上述組合物可包括光可固化聚合物樹脂、環氧樹脂、固化劑、矽烷偶聯劑以及選自二氧化鈦、氧化鋅和它們的組合中的金屬氧化物顆粒。
在一個實施方式中，上述組合物可包括35至85wt%的光可固化聚合物樹脂、5至20wt%的環氧樹脂、3至10wt%的固化劑、0.1至10wt%的矽烷偶聯劑以及0.5至25wt%的選自二氧化鈦、氧化鋅和它們的組合中的金屬氧化物顆粒。
在另一個實施方式中，上述組合物可進一步包括(甲基)丙烯酸酯樹脂、氨基甲酸乙酯樹脂和氨基甲酸乙酯丙烯酸酯樹脂中的至少一種。
在下文中，將詳細說明各組分。
光可固化聚合物樹脂
上述光可固化聚合物樹脂可在其側鏈具有不飽和鍵。
上述光可固化聚合物樹脂的實例可包括但不限於甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、m-異丙烯基-a,a-二甲基苄基異氰酸酯、甲基丙烯醯基異氰酸酯、烯丙基異氰酸酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯和甲基丙烯酸。
在一個實施方式中，光可固化聚合物樹脂可為光可固化(甲基)丙烯酸黏結接著劑。
具體地，上述光可固化(甲基)丙烯酸黏結接著劑可為通過第一聚合和第二聚合製備的具有乙烯基的(甲基)丙烯酸黏結接著劑，其中在第一聚合中(甲基)丙烯酸單體、功能性(甲基)丙烯酸單體和聚合引發劑被聚合成(甲基)丙烯酸多元醇黏結接著劑樹脂，在第二聚合中由第一聚合中得到的(甲基)丙烯酸多元醇黏結接著劑樹脂與具有異氰酸基和乙烯基的單體進行氨基甲酸乙酯加成反應。
在上述第一聚合中，功能性(甲基)丙烯酸單體的實例可包括含羥基的單體、含環氧基的單體和反應性單體，其中含羥基的單體和含環氧基的單體可一起使用。
在此，(甲基)丙烯酸單體起到對膜提供黏性的作用。上述(甲基)丙烯酸單體的實例可包括但不限於C4至C20的(甲基)丙烯酸單體，例如甲基丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異丁酯和甲基丙烯酸十八烷酯。在此，(甲基)丙烯酸單體可具有約-20℃或更低的玻璃化轉變溫度。
基於單體的總量，上述(甲基)丙烯酸單體的含量可為50至85wt%，優選60至80wt%。在此範圍內，能得到室溫下的適宜黏性，且對黏結劑呈現出優異的剝離強度。
含羥基的單體實例可包括但不限於選自由甲基丙烯酸-2-羥乙酯、丙烯酸羥乙酯、丙烯酸-4-羥丁酯、甲基丙烯酸羥丙酯和乙烯基己內醯胺組成的組中的至少一種。
基於第一聚合中所用單體的總量，含羥基的單體的含量可為10至35wt%，優選15至25wt%。在此範圍內，能得到對基膜優異的黏結強度。
含環氧基的單體實例可包括丙烯酸縮水甘油酯和甲基丙烯酸縮水甘油酯。在此，基於第一聚合中所用單體的總量，含環氧基的單體的含量可為2至15wt%，優選2至8wt%。在此範圍內，能獲得優異的拾取性能和對環形框架適宜的黏結強度。含環氧基的單體在聚合後保留在光可固化(甲基)丙烯酸黏結接著劑的末端，並不參與反應，但在光固化後影響表面性能。即，含環氧基的單體關係到表面能，起到光固化後降低表面能的作用。
上述反應性單體的實例可包括丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸硬脂酯、丙烯酸十六烷酯、丙烯酸十八烷酯和甲基丙烯酸十八烷酯，可優選單獨使用或作為混合物使用C12或更多碳的單體。在此，基於第一聚合中所用單體的總量，反應性單體的含量可為1至10wt%。
引入乙烯基的單體可包括在一端具有異氰酸基且在另一端具有乙烯基的單體或低聚物，用於對光可固化(甲基)丙烯酸黏結接著劑引入乙烯基。
引入乙烯基的單體實例可包括但不限於選自由a,a-二甲基-間異丙烯基苄基異氰酸酯、甲基丙烯酸-2-異氰酸基乙酯、2-異氰酸基乙基-2-丙烯酸酯和1,1-雙(丙烯醯氧基甲基乙基異氰酸酯)組成的組中的至少一種，它們可單獨使用或作為組合物使用。在此，引入乙烯基的單體相對於光可固化(甲基)丙烯酸黏結接著劑可以1：0.4至1：0.9的羥基當量比使用。在此範圍內，光固化後能獲得優異的拾取性能。
基於100重量份的在第一聚合中製備的固體多元醇黏結接著劑樹脂，引入乙烯基的單體的含量可為10至25重量份，優選15至20重量份。在此範圍內，上述膜能具有高黏性和優異的拾取性能。
如上所述，光可固化(甲基)丙烯酸黏結接著劑因使用含羥基的單體而具有羥基，且可具有15至30的羥值。在此範圍內，上述膜能具有高黏性和優異的拾取性能。
此外，光可固化(甲基)丙烯酸黏結接著劑可具有1或更低的酸值。在此範圍內，能獲得良好的液態穩定性，並能防止離子遷移。
在一個實施方式中，光可固化(甲基)丙烯酸黏結接著劑可具有-80至30℃的玻璃化轉變溫度，優選-70至-10℃。在此範圍內，該膜能具有高黏性和優異的拾取性能。
光可固化(甲基)丙烯酸黏結接著劑可具有150000至400000g/mol的重均分子量。在此範圍內，能在塗布中適當地形成層。
光可固化聚合物樹脂的含量可為35至85wt%。在此範圍內，能獲得適當的成膜性和優異的拾取性能。具體地，上述含量可為55至80wt%。
(甲基)丙烯酸酯樹脂
可選地包括(甲基)丙烯酸酯樹脂。上述(甲基)丙烯酸酯樹脂可包括環氧基。在一個實施方式中，(甲基)丙烯酸酯樹脂可具有500至10000 g/eq的環氧當量。在此範圍內，在熱固化前能獲得高黏性，且在熱固化後能獲得高黏結強度。
上述(甲基)丙烯酸酯樹脂可具有150000至700000g/mol的重均分子量。在此範圍內，能在塗布中獲得優異的層成形性。具體地，上述(甲基)丙烯酸酯樹脂可具有500000至700000g/mol的重均分子量。而且，上述(甲基)丙烯酸酯樹脂在25℃可具有1000至30000cps的黏度。在此範圍內，在塗布中能獲得優異的層成形性。
上述(甲基)丙烯酸酯樹脂在聚合後可不包含乙烯基。
形成上述(甲基)丙烯酸酯樹脂的單體可具有-55至120℃的玻璃化轉變溫度。在一個實施方式中，上述(甲基)丙烯酸酯樹脂可為(甲基)丙烯酸烷基酯、含羥基的(甲基)丙烯酸酯和含環氧基的(甲基)丙烯酸酯的共聚物。
上述(甲基)丙烯酸烷基酯可包括(甲基)丙烯酸的C2至C20烷基酯。(甲基)丙烯酸烷基酯的實例可包括但不限於(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、丙烯酸異丁酯和甲基丙烯酸十八烷酯。具體地，可使用具有玻璃化轉變溫度為約-55至120℃的(甲基)丙烯酸烷基酯。在此範圍內，能獲得優異的黏結強度和可靠性。這些(甲基)丙烯酸烷基酯可單獨使用或作為混合物使用。上述(甲基)丙烯酸烷基酯在(甲基)丙烯酸酯樹脂中的含量可為約60至90wt%，優選約65至85wt%。在此範圍內，能獲得優異的黏結強度和可靠性。
含羥基的(甲基)丙烯酸酯的實例可包括但不限於(甲基)丙烯酸-2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸-2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥己酯、1,4-環己烷二甲醇單(甲基)丙烯酸酯、1-氯-2-羥丙基(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇單(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇單(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基乙烷二(甲基)丙烯酸酯、2-羥基-3-苯氧基丙基(甲基)丙烯酸酯、4-羥基環己基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基-3-苯氧基(甲基)丙烯酸酯和環己烷二甲醇單(甲基)丙烯酸酯。具體地，可使用玻璃化轉變溫度為約-55至60℃的含羥基的(甲基)丙烯酸酯。在此範圍內，能獲得優異的黏結強度和可靠性。這些含羥基的(甲基)丙烯酸酯可單獨使用或作為混合物使用。上述含羥基的(甲基)丙烯酸酯在(甲基)丙烯酸酯樹脂中的含量可為約10至35wt%，優選約15至30wt%。在此範圍內，能獲得優異的黏結強度和可靠性。
含環氧基的(甲基)丙烯酸酯的實例可包括但不限於丙烯酸縮水甘油酯和甲基丙烯酸縮水甘油酯。具體地，可使用具有玻璃化轉變溫度為約-55至60℃的含環氧基的(甲基)丙烯酸酯。在此範圍內，能獲得優異的黏結強度和可靠性。這些含環氧基的(甲基)丙烯酸酯可單獨使用或作為混合物使用。上述含環氧基的(甲基)丙烯酸酯在(甲基)丙烯酸酯樹脂中的含量可為約1至10wt%，優選約3至8wt%。在此範圍內，能獲得優異的黏結強度和可靠性。
在一個實施方式中，(甲基)丙烯酸酯樹脂可為包括50至80wt%的丙烯酸-2-乙基己酯、5至20wt%的丙烯酸異辛酯、10至30wt%的含羥基的(甲基)丙烯酸酯和約1至10wt%的(甲基)丙烯酸縮水甘油酯的共聚物。
上述(甲基)丙烯酸酯樹脂可用本領域熟知的任何共聚方法製備。例如，(甲基)丙烯酸酯樹脂可用包括乳液聚合、懸浮聚合、本體聚合等已知的聚合方法製備。對於聚合，可使用包括偶氮二異丁腈等的聚合引發劑。
上述(甲基)丙烯酸酯樹脂在固態中的含量可為0至10 wt%，優選0.1至10 wt%。
環氧樹脂
上述環氧樹脂實現硬化和黏附功能，並可包括液態環氧樹脂和固態環氧樹脂。
上述液態環氧樹脂可包括在室溫下為液態並具有-70至0℃的熔點(Tm)的任何環氧樹脂。上述液態環氧樹脂的實例可包括但不限於雙酚A液態環氧樹脂、雙酚F液態環氧樹脂、多於三官能團的多官能團液態環氧樹脂、橡膠改性的液態環氧樹脂、氨基甲酸乙酯改性的液態環氧樹脂、丙烯酸改性的液態環氧樹脂和光敏液態環氧樹脂，它們可單獨使用或作為混合物使用。具體地，可使用雙酚A液態環氧樹脂。
上述固態環氧樹脂可包括在室溫下為固態或接近固態並具有至少一個官能團的任何環氧樹脂。具體地，可使用具有軟化點(SP)為約30至100℃的環氧樹脂。上述固態環氧樹脂的實例可包括但不限於雙酚環氧樹脂、酚系酚醛環氧樹脂、鄰甲酚酚醛環氧樹脂、多官能團環氧樹脂、胺環氧樹脂、含雜環的環氧樹脂、取代的環氧樹脂、萘酚環氧樹脂和它們的衍生物。
市售的雙酚環氧樹脂的實例包括：YD-017H、YD-020、YD020-L、YD-014、YD-014ER、YD-013K、YD-019K、YD-019、YD-017R、YD-017、YD-012、YD-011H、YD-011S、YD-011、YDF-2004、YDF-2001(Kukdo Chemical有限公司)等。市售的酚系酚醛環氧樹脂的實例包括：Chepicoat 152、Epicoat 154(Yuka Shell Epoxy有限公司)；EPPN-201(Nippon Kayaku有限公司)；DN-483(Dow Chemical公司)；YDPN-641、YDPN-638A80、YDPN-638、YDPN-637、YDPN-644、YDPN-631(Kukdo Chemical有限公司)等。市售的鄰甲酚酚醛環氧樹脂的實例包括：YDCN-500-1P、YDCN-500-2P、YDCN-500-4P、YDCN-500-5P、YDCN-500-7P、YDCN-500-8P、YDCN-500-10P、YDCN-500-80P、YDCN-500-80PCA60、YDCN-500-80PBC60、YDCN-500-90P、YDCN-500-90PA75(Kukdo Chemical有限公司)；EOCN-102S、EOCN-103S、EOCN-104S、EOCN-1012、EOCN-1025、EOCN-1027(Nippon Kayaku有限公司)；YDCN-701、YDCN-702、YDCN-703、YDCN-704(Tohto Kagaku有限公司)；Epiclon N-665-EXP(Dainippon Ink and Chemicals有限公司)等。市售的雙酚酚醛環氧樹脂的實例包括KBPN-110、KBPN-120、KBPN-115(Kukdo Chemical有限公司)等。市售的多官能團環氧樹脂的實例包括：Epon 1031S(Yuka Shell Epoxy有限公司)；Araldite 0163(Ciba Specialty Chemicals)；Detachol EX-611、Detachol EX-614、Detachol EX-614B、Detachol EX-622、Detachol EX-512、Detachol EX-521、Detachol EX-421、Detachol EX-411、Detachol EX-321(NAGA Celsius Temperature Kasei有限公司)；EP-5200R、KD-1012、EP-5100R、KD-1011、KDT-4400A70、KDT-4400、YH-434L、YH-434、YH-300(Kukdo Chemical有限公司)等。市售的胺環氧樹脂的實例包括：Epicoat 604(Yuka Shell Epoxy有限公司)；YH-434(Tohto Kagaku有限公司)；TETRAD-X和TETRAD-C(Mitsubishi Gas Chemical有限公司)；ELM-120(Sumitomo Chemical Industry有限公司)等。市售的雜環環氧樹脂的實例包括PT-810(Ciba Specialty Chemicals)。市售的取代的環氧樹脂的實例包括：ERL-4234、ERL-4299、ERL-4221、ERL-4206(UCC有限公司)等。市售的萘酚環氧樹脂的實例包括：Epiclon HP-4032、Epiclon HP-4032D、Epiclon HP-4700和Epiclon HP-4701(Dainippon Ink and Chemicals有限公司)。這些環氧樹脂可單獨使用或作為混合物使用。
上述環氧樹脂的含量可為約5至20wt%，優選約7至15wt%。在此範圍內，能獲得高黏結強度和優異的拾取性能。
固化劑
上述固化劑可包括酚固化劑。可使用本領域中通常可用的任何酚固化劑，其中可使用每分子具有至少兩個酚羥基的化合物。上述酚固化劑的實例可包括雙酚樹脂，例如雙酚A、雙酚F和雙酚S樹脂；酚系酚醛樹脂；酚系酚醛樹脂；雙酚A酚醛樹脂；新酚樹脂(xyloc resin)；甲酚酚醛樹脂；和聯苯樹脂，所有這些樹脂在吸濕時高度耐電解腐蝕。市售的酚環氧固化劑的實例可包括：簡單的酚固化劑，例如H-1、H-4、HF-1M、HF-3M、HF-4M和HF-45(Meiwa Plastic Industries有限公司)；對二甲苯樹脂，例如MEH-78004S、MEF-7800SS、MEH-7800S、MEH-7800M、MEH-7800H、MEH-7800HH和MEH-78003H(Meiwa Plastic Industries有限公司)和KPH-F3065(KOLON Chemical有限公司)；聯苯樹脂，例如MEH-7851SS、MEH-7851S、MEH-7851M、MEH-7851H、MEH-78513H和MEH-78514H(Meiwa Plastic Industries有限公司)和KPH-F4500(KOLON Chemical有限公司)；以及三苯甲基樹脂，例如MEH-7500、MEH-75003S、MEH-7500SS、MEH-7500S、MEH-7500H(Meiwa Plastic Industries有限公司)。這些組分可單獨使用或作為混合物使用。
上述固化劑的含量可為約3至10wt%，優選約5至8.5wt%。在此範圍內，能獲得高黏結強度和優異的儲存穩定性。
矽烷偶聯劑
當包括矽烷偶聯劑時，在將晶圓固定在切割晶粒黏合膜上並切割時可獲得環形框架和壓敏黏結劑層之間的優異穩定性。而且，不僅無需進一步處理環形框架而能夠確保環形框架與壓敏黏結劑膜之間的穩定性，而且能呈現出與UV固化膜相似水準的蠕變性能。
可使用本領域常用的任何矽烷偶聯劑，例如含環氧的2-(3,4-環氧環己基)-乙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油醚氧基三甲氧基矽烷(3-glycidoxytrimethoxysilane)、3-縮水甘油醚氧基丙基三乙氧基矽烷、含胺基的N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基矽烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基矽烷、3-氨基丙基三甲氧基矽烷、3-氨基丙基三乙氧基矽烷、3-三乙氧基甲矽烷基-N-(1,3-二甲基亞丁基)丙基胺、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基矽烷、含巰基的3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基三乙氧基矽烷和含異氰酸基的3-異氰酸酯丙基三乙氧基矽烷(3-isocyanatepropyltriethoxysilane)，它們可單獨使用或作為混合物使用。
上述偶聯劑的含量可為約0.1至10wt%，優選約0.5至5wt%，更優選約0.7至3wt%。在此範圍內，能獲得優異的可靠性，且不發生放氣。
金屬氧化物顆粒
上述金屬氧化物顆粒可選自二氧化鈦、氧化鋅和它們的組合。
由於引入上述金屬氧化物顆粒，切割晶粒黏合膜具有由朝向基膜照射的UV產生的固化程度，該固化程度在切割晶粒黏合膜的厚度方向上變化。鄰接基膜的表面比鄰接晶圓的表面經受更高的光固化程度，因此，鄰接基膜的表面的黏性低於鄰接晶圓的表面的黏性。因而，切割晶粒黏合膜在與基膜接觸的表面上順利分離，但不在與晶圓接觸的表面上分離，從而呈現出優異的拾取性能。
與常用於壓敏黏結劑組合物和黏合組合物的氧化矽填料不同，金屬氧化物填料，如二氧化鈦、氧化鋅等具有優異的UV遮罩和散射效果，從而實現本發明的目的。
上述金屬氧化物顆粒可具有1nm至10μm的粒徑(D50)。在此範圍內，能獲得高黏結強度，並在黏合中能呈現出基板優異的填充性能。
上述金屬氧化物顆粒的含量可為0.5至25 wt%。在此範圍內，晶片不會在切割中分離，並能獲得高拾取成功率。
在本發明中，可將其它常用的填料與上述金屬氧化物顆粒一起使用。在此，填料的含量可為5%或更低。上述填料的實例包括金屬，如粉末形式的金、銀、銅和鎳；和非金屬，如氧化鋁、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、氧化矽、氮化硼、二氧化鈦、玻璃、鐵氧體、陶瓷等。具體地，可將氧化矽用作填料。
上述用於切割晶粒黏合膜的組合物可進一步包括有機溶劑。有機溶劑降低用於半導體的黏結劑組合物的黏度，並促進成膜。上述有機溶劑的實例可包括但不限於甲苯、二甲苯、丙二醇單甲醚乙酸酯、苯、丙酮、甲乙酮、四氫呋喃、二甲基甲醯胺和環己酮。
本發明的另一個方面提供一種由上述組合物形成的切割晶粒黏合膜。
第1圖示出了根據本發明實施方式的切割晶粒黏合膜。如第1圖所示，切割晶粒黏合膜為不考慮壓敏黏結劑層和黏合層的單層。
第2圖示意性示出了根據本發明實施方式的與半導體晶圓黏合的切割晶粒黏合膜。
該切割晶粒黏合膜包括鄰接基膜30的第一表面(A)和鄰接半導體晶圓20的第二表面(B)。UV在UV照射工序中首先進入第一表面(A)。第二表面具有比第一表面高的剝離強度，並具有大於0且小於50%的光固化程度，優選10至49.5%，更優選13至49%。
由於引入金屬氧化物顆粒，切割晶粒黏合膜具有由向基膜30照射UV而產生的固化程度，該固化程度在切割晶粒黏合膜10的厚度方向上變化。鄰接基膜30的第一表面(A)具有比鄰接晶圓20的第二表面(B)高的光固化程度，因而鄰接基膜30的第一表面(A)的黏性低於鄰接晶圓20的第二表面(B)的黏性。因此，切割晶粒黏合膜從與基膜30接觸的第一表面(A)順利分離，但不在與晶圓20接觸的第二表面(B)分離，從而表現出優異的拾取性能。
光固化程度可通過用IR光譜比較UV固化前和固化後的雙鍵峰面積來計算，並由等式1界定：
[等式1]
光固化程度= x 100
Pa：UV固化後的雙鍵峰面積
Pb：UV固化前的雙鍵峰面積
第二表面可具有0.2N/25mm或更高的剝離強度，優選0.3N/25mm或更高，更優選0.4N/25mm或更高。在一個實施方式中，第二表面可具有0.45至2N/25mm的剝離強度。
在此，剝離強度可根據韓國工業標準KS-A-01107第8節(用於壓敏黏結劑膠帶和片的測試方法)在光固化後以200mJ/cm2來測量，測量如下。將切割晶粒黏合膜黏附於基板後，用2Kg負荷的壓輥以約300mm/min的速度往復壓製樣品一次。壓製30分鐘後，將試樣的折疊部分翻轉180°，並剝離25mm的試樣。之後，將試樣固定至拉伸試驗機的上夾具，並將該晶片貼裝黏結劑膜固定至拉伸試驗機的下夾具，隨後在以約300 mm/min的拉伸速度拉伸的同時，測定剝離時的負荷(mN/mm)。將Instron系列IX/s自動材料試驗機-3343用作上述拉伸試驗機。
第一表面可具有低於0.1N/25mm的剝離強度，優選低於0.09N/25mm，更優選0.02至0.08N/25mm。
第一表面的剝離強度與第二表面的剝離強度之比可為1：5~30，優選1：5.5~20。在此範圍內，晶片不會在切割中分離，並能獲得優異的拾取性能。
第一表面可具有90至99%的光固化程度，且第二表面可具有10至50%的光固化程度。隨著光固化程度變化，切割晶粒黏合膜從與基膜30接觸的第一表面(A)順利分離，但不從與晶圓20接觸的第二表面(B)分離，從而表現出優異的拾取性能。在一個實施方式中，第一表面可具有90至95%的光固化程度，且第二表面可具有15至50%的光固化程度。
在切割晶圓中，切割晶粒黏合膜10與基膜30一起用作切割膠帶，並且在拾取切割晶粒黏合膜10時還用作黏結劑，黏附至切割後之晶圓，並與半導體裝置熱黏合。具體地，切割晶粒黏合膜10由於光固化前的高黏結強度而對環形框架和晶圓呈現出優異的黏結強度。光固化後，切割晶粒黏合膜10在切割晶粒黏合膜10與基膜30之間的第一表面(A)的黏結強度低於切割晶粒黏合膜10與半導體晶圓20之間的第二表面(B)的黏結強度，從而改善拾取性能。
切割晶粒黏合膜10可包括光可固化聚合物樹脂、環氧樹脂、固化劑、矽烷偶聯劑以及選自二氧化鈦、氧化鋅和它們的組合中的金屬氧化物顆粒。
在一個實施方式中，切割晶粒黏合膜10可包括35至85wt%的光可固化聚合物樹脂、5至20wt%的環氧樹脂、3至10wt%的固化劑、0.1至10wt%的矽烷偶聯劑以及0.5至25wt%的選自二氧化鈦、氧化鋅和它們的組合中的金屬氧化物顆粒。
在另一個實施方式中，切割晶粒黏合膜10可進一步包括(甲基)丙烯酸酯樹脂、氨基甲酸乙酯氨基甲酸乙酯樹脂和氨基甲酸乙酯丙烯酸酯樹脂。
基膜30可由多種聚合物膜，尤其是熱塑性塑膠膜形成。考慮到膜的恢復力，適當使用熱塑性膜，因為在切割工序後能進行用於拾取的擴展，且在一段時間後可拾取擴展後剩餘的晶片。用於基膜30的聚合物實例可包括聚乙烯、聚丙烯、乙烯/丙烯共聚物、聚1-丁烯、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯/苯乙烯-丁二烯橡膠混合物，和如聚氯乙烯的聚烯烴膜等。此外，可將諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯和聚(甲基丙烯酸甲酯)的聚合物，諸如聚氨酯和聚醯亞胺-多元醇共聚物的熱塑性彈性體以及它們的混合物用於基膜30。考慮到高拉伸率和加工性，基膜可具有約30至300μm、優選約50至200μm的厚度。
切割晶粒黏合膜可用任何塗布方法形成在基膜上，只要其形成均勻層，例如棒塗、凹版印刷、逗號印刷(comma coating)、逆轉輥塗布、塗布器塗布、噴塗、浸塗(rip coating)等。塗層厚度可為約5至100μm，優選約10至80μm。
本發明的另一個方面提供一種使用上述切割晶粒黏合膜的半導體裝置。該半導體裝置具有如第2圖所示的切割晶粒黏合膜黏附至半導體晶圓的一個表面的結構。
下文中，將參照以下實施例詳細解釋本發明的組成和功能。提供這些實施例僅用於說明目的，不應以任何方式解釋成限制本發明。
將省略對本領域技術人員而言明顯的細節說明。
實施例
用於實施例和對比例的各組分的詳細說明如下。
(A)光可固化聚合物樹脂
將500g的乙酸乙酯加入到裝有回流冷凝器、溫度計和滴液漏斗的2L四口燒瓶中，並加熱此溶液至77℃。將390g的丙烯酸-2-乙基己酯、60g的丙烯酸異辛酯、60g的甲基丙烯酸羥甲酯、60g的甲基丙烯酸-2-羥乙酯、30g的甲基丙烯酸縮水甘油酯和0.15g的偶氮二異丁腈混合成溶液。用滴液漏斗在77℃以3小時滴下該溶液。在以200rpm攪拌的同時進行滴液。完成滴液後，在84℃老化反應物4小時。然後，將150g的乙酸乙酯和0.15g的偶氮二異丁腈以20分鐘加入到反應物中並放置4小時，隨後測量黏度和固含量並終止反應，從而製得丙烯酸系黏結多元醇接著劑樹脂，丙烯酸系共聚物。將聚合的接著劑樹脂調節至1500至3500cps/25℃的黏度和40%的固含量。以300rpm攪拌的同時，將20重量份的甲基丙烯酸-2-異氰酸基乙酯和30ppm的DBTDL加入到固態的丙烯酸系黏結多元醇接著劑樹脂並在50至55℃下反應8小時。在甲基丙烯酸-2-異氰酸基乙酯單體的異氰酸基與接著劑的羥基反應至在FT-IR上消失的反應終點，向該反應物添加乙酸乙酯，隨後冷卻，從而合成具有45%固含量的光可固化丙烯酸系接著劑(LDR-1)。
(B)(甲基)丙烯酸酯樹脂：SG-80H，Nagase ChemteX公司
(C)環氧樹脂
(C1)YDCN-500-7P，Kukdo Chemical有限公司
(C2)YD-011，Kukdo Chemical有限公司
(D)固化劑：酚固化劑，HF-4M，Meiwa
(E)固化促進劑：TPP-K，Hokko Chemical
(F)矽烷偶聯劑：KBM-303，Shin Etsu
(G)光引發劑：Daraocur 1173，Ciba Chemical
(H)金屬氧化物顆粒
(H1)ZnO填料：F-1，Silverstar
(H1)TiO2填料：KA-100，Cosmo Chemical
(I)氧化矽填料：A-200，Degussa
實施例1至5和對比例1至2
將表1和2所列的各組分加入到裝有高速攪拌器的1L圓筒燒瓶中，以2000rpm緩慢分散10分鐘，並進一步以5000rpm快速分散30分鐘，從而製備組合物。隨後，用50μm的膠囊過濾器過濾各組合物，並用塗布器塗布到PET離型膜至25μm的厚度，製得黏結劑膜。將該黏結劑膜在60℃乾燥5分鐘，進一步在80℃乾燥10分鐘，並在室溫下儲存1天。將產物轉移至100μm的聚烯烴膜的一個表面，並在80℃乾燥2分鐘，從而製得切割晶粒黏合膜。
對實施例1至5以及對比例1和2中製得的切割晶粒黏合膜進行如下評價，且結果示於表3中。
1、光固化程度
使用用於DAF曝光系統將各切割晶粒黏合膜暴露於200mJ/cm2的UV，並根據等式1測量光固化前/後的光固化程度。當由於從基膜側照射的UV引起光固化發生時，測量朝向基膜的黏土黏合層(clay bonding layer)的一個表面(A)在光固化後的光固化程度，然後測量其相反表面(B)在光固化後的光固化程度，結果示於表3中。
[等式1]
光固化程度= x 100
Pa：UV固化後的雙鍵峰面積
Pb：UV固化前的雙鍵峰面積
2、光固化前/後的剝離強度
根據韓國工業標準KS-A-01107第8節(壓敏黏結劑膠帶和片的測試方法)進行測試。
將25mm寬、250mm長的黏結劑膠帶黏附至各黏土黏合片的黏土黏合層，並用2Kg重的壓輥以約300mm/min的速度在其上往復壓製一次。壓製30分鐘後，將樣品的折疊部分翻轉180°，並從聚烯烴基膜剝離25mm的黏土黏合層。然後，將樣品固定至拉伸試驗機的上夾具，並將該黏土黏合層固定至拉伸試驗機的下夾具，隨後以約300 mm/min的拉伸速度拉伸的同時測定剝離時的負荷(分別對第一表面(A)和第二表面(B)進行以上過程)。將Instron系列IX/s自動材料試驗機-3343用作拉伸試驗機。
3、SUS剝離強度
將各個25mm寬、250mm長的黏土黏合片黏附至SUS，並用層壓機壓製。壓製30分鐘後，將試樣的折疊部分翻轉180°，並從SUS剝離25mm的黏土黏合層。然後，將黏土黏合層固定至拉伸試驗機的上夾具，並將SUS固定至拉伸試驗機的下夾具，隨後以約300 mm/min的拉伸速度拉伸的同時測定剝離時的負荷。將Instron系列IX/s自動材料試驗機-3343用作拉伸試驗機，且UV照射前的SUS剝離強度示於表3中。
4、切割中的晶片分離比例
為了觀察在切割各黏土黏合層的過程中的晶片分離，將80μm晶片在60℃固定在黏土黏合片上，並經歷UV照射，隨後切成4mm×4mm小片。在此，高速刀片的轉數為5000rpm，且切割速度為70mm/sec。當晶片在切割條件下與黏土黏合層分離時，計算分離的晶片數與晶片總數的比例，結果示於表3中。
5、拾取成功率
晶片拾取工序為在切割工序後將晶片晶圓固定在PCB上或堆疊的晶片上的工序，並且在黏土黏合層和基膜之間的剝離強度低時具有高成功率。用晶片黏合器(SDB-10M,Mechatronics)在矽晶圓的中心部分對200個晶片進行拾取測試，且結果示於表3中。
如表3所示，根據實施例1至5的切割晶粒黏合膜在所有評價類目中均具有適宜的結果，而根據對比例1和2的切割晶粒黏合膜在切割中有晶片分離。
雖然本文已公開了一些實施方式，但本領域技術人員應理解這些實施方式僅以說明的方式提供，且在不背離本發明精神和範圍下可進行各種修改、變更和替換。因此，本發明的範圍僅由所附如申請專利範圍書和其等價形式所限定。
10．．．切割晶粒黏合膜
20．．．半導體晶圓
30．．．基膜
A．．．鄰接基膜的第一表面
B．．．半導體晶圓的第二表面
第1圖示出了根據本發明一個示例性實施方式的切割晶粒黏合膜；和
第2圖示意性示出了根據本發明一個示例性實施方式黏合至半導體晶圓的切割晶粒黏合膜。
A．．．鄰接基膜的第一表面
B．．．半導體晶圓的第二表面

Claims (13)

  1. 一種切割晶粒黏合膜，包括：鄰接基膜的第一表面(A)和鄰接半導體晶圓的第二表面(B)，所述第二表面在200mJ/cm2下的光固化中具有比所述第一表面高的剝離強度，並具有由等式1界定的大於0且小於50%的光固化程度： Pa：UV固化後的雙鍵峰面積Pb：UV固化前的雙鍵峰面積。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的切割晶粒黏合膜，其中所述第一表面具有低於0.1N/25mm的剝離強度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的切割晶粒黏合膜，其中所述第二表面具有0.2N/25mm或更高的剝離強度。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的切割晶粒黏合膜，其中所述第一表面的剝離強度與所述第二表面的剝離強度之比為1：5至1：30。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的切割晶粒黏合膜，其中所述第一表面具有90%至99%的光固化程度，且第二表面具有10%至50%的光固化程度。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的切割晶粒黏合膜，其中所述切割晶粒黏合膜為單層。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的切割晶粒黏合膜，其中所述切割晶粒黏合膜包括選自二氧化鈦、氧化鋅和它們的組合中的金屬氧化物顆粒。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的切割晶粒黏合膜，其中所述切割晶粒黏合膜包括光可固化聚合物樹脂、環氧樹脂、固化劑、矽烷偶聯劑以及選自二氧化鈦、氧化鋅和它們的組合中的金屬氧化物顆粒。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的切割晶粒黏合膜，其中所述切割晶粒黏合膜包括35wt%至85wt%的光可固化聚合物樹脂、5wt%至20wt%的環氧樹脂、3wt%至10wt%的固化劑、0.1wt%至10wt%的矽烷偶聯劑以及0.5wt%至25wt%的選自二氧化鈦、氧化鋅和它們的組合中的金屬氧化物顆粒。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的切割晶粒黏合膜，其中所述切割晶粒黏合膜進一步包括(甲基)丙烯酸酯樹脂、氨基甲酸乙酯樹脂和氨基甲酸乙酯丙烯酸酯樹脂中的至少一種。
  11. 如申請專利範圍第8項所述的切割晶粒黏合膜，其中所述光可固化聚合物樹脂在側鏈具有不飽和鍵。
  12. 如申請專利範圍第8項所述的切割晶粒黏合膜，其中所述金屬氧化物顆粒具有1nm至10μm的粒徑D50。
  13. 一種半導體裝置，使用如申請專利範圍第1至12項中任一項的切割晶粒黏合膜。
TW100140684A 2010-12-15 2011-11-08 切割晶粒黏合膜、用於切割晶粒黏合膜之組成物以及半導體裝置 TWI527869B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20100128660A KR101309815B1 (ko) 2010-12-15 2010-12-15 다이싱 다이 본딩 필름

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201226517A TW201226517A (en) 2012-07-01
TWI527869B true TWI527869B (zh) 2016-04-01

Family

ID=46341224

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100140684A TWI527869B (zh) 2010-12-15 2011-11-08 切割晶粒黏合膜、用於切割晶粒黏合膜之組成物以及半導體裝置

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR101309815B1 (zh)
CN (1) CN102533148B (zh)
TW (1) TWI527869B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111146225B (zh) * 2019-12-24 2023-04-28 中芯集成电路（宁波）有限公司 一种组合图像传感器芯片的形成方法和芯片分离方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3473943B2 (ja) * 2000-01-31 2003-12-08 住友ベークライト株式会社 ダイアタッチペースト及び半導体装置
JP2002294177A (ja) * 2001-03-30 2002-10-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチフィルム並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置
WO2005112091A1 (ja) * 2004-05-18 2005-11-24 Hitachi Chemical Co., Ltd. 粘接着シート並びにそれを用いた半導体装置及びその製造方法
TW200842174A (en) * 2006-12-27 2008-11-01 Cheil Ind Inc Composition for pressure sensitive adhesive film, pressure sensitive adhesive film, and dicing die bonding film including the same
KR101002089B1 (ko) * 2008-06-17 2010-12-17 제일모직주식회사 광경화성 점착 조성물 및 이를 포함하는 다이싱 다이본딩필름
KR101293901B1 (ko) * 2008-07-16 2013-08-06 주식회사 엘지화학 점착 필름 및 그의 제조 방법
KR101072767B1 (ko) * 2009-04-28 2011-10-11 율촌화학 주식회사 무기재 양면점착필름

Also Published As

Publication number Publication date
CN102533148A (zh) 2012-07-04
KR101309815B1 (ko) 2013-09-23
TW201226517A (en) 2012-07-01
KR20120067197A (ko) 2012-06-25
CN102533148B (zh) 2014-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101359748B1 (ko) 점착제, 점착 시트, 다층 점착 시트 및 전자 부품의 제조 방법
JP4804921B2 (ja) 粘着シート、半導体ウエハの表面保護方法およびワークの加工方法
US8623512B2 (en) Adhesive composition for stealth dicing of semiconductor, adhesive film, and semiconductor device including the adhesive film
US20110159294A1 (en) Attach film composition for semiconductor assembly and attach film using the same
JP4934284B2 (ja) ダイシングダイボンドシート
TWI583759B (zh) 半導體用黏著性樹脂組成物、半導體用黏著膜 以及切割晶粒接合膜
US20130281571A1 (en) Epoxy-based composition, ashesive film, dicing die-bonding film and semiconductor device
TWI452107B (zh) 切割晶粒黏合膜、半導體晶圓及半導體裝置
WO2005088700A1 (ja) ダイシングダイボンドシート
JP2011508444A (ja) バリ特性及び信頼性に優れたダイシング・ダイボンディングフィルム及び半導体装置
KR101019754B1 (ko) 반도체용 접착 조성물 및 이를 이용한 접착 필름
TWI666290B (zh) 黏晶（ｄｉｅ ｂｏｎｄ）薄膜、附有切割片之黏晶薄膜、半導體裝置、及半導體裝置之製造方法
JP4059497B2 (ja) ダイボンド用接着フィルム、ダイシング・ダイボンド用接着フィルム、及び半導体装置
TW201207072A (en) Adhesive film and tape for semiconductor wafer processing
TWI552216B (zh) 晶片接合薄膜、切割/晶片接合薄膜及半導體裝置
JP6597280B2 (ja) ダイボンディングフィルム
US8946343B2 (en) Adhesive composition for semiconductors, adhesive film prepared using the same, and semiconductor device including the film
TWI465537B (zh) 非ｕｖ型切割晶粒黏合膜
JP4603774B2 (ja) 接着剤組成物、およびこれを用いた接着フィルム
JP3594581B2 (ja) 半導体ウェハ保護方法及び該保護方法に用いる半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム
TW201100511A (en) Adhesive agent composition, adhesive sheet, die cutting-die attach film and semiconductor device
TWI527869B (zh) 切割晶粒黏合膜、用於切割晶粒黏合膜之組成物以及半導體裝置
TWI359853B (en) Multi-layer adhesive film for semiconductor device
JP5601682B2 (ja) ダイボンド用接着フィルム、及びこれを用いた半導体装置
JP4309671B2 (ja) 半導体ウェハ裏面研削用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウェハ裏面研削方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees