TW507269B - Scanning exposure method and scanning type exposure apparatus - Google Patents

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Description

507269 A7 __^___B7_____一 五、發明說明(/ ) 【技術領域】 本發明係關於一種掃描曝光方法及掃描型曝光裝虞’ 其係將光罩與基板沿既定方向作同步移動來使得已形成於 光罩的圖案曝光於基板,特別是,此掃描曝光方法及掃描 型曝光裝置應用在將基板的曝光領域作部分的重複曝光# 頗爲適用。 【習知技術】 近年來,普遍以可輕薄化的液晶顯示板,作爲個人^ 腦或電視等的顯示元件。此類型之液晶顯示板,乃是藉由 微影(photo lithography)方式,在俯視爲矩形狀的感光基 板(例如玻璃基板)上,將透明薄膜電極形成所欲形狀的 圖案而製造者。又,此種微影裝置’係透過投影光學系’統 將形成於光罩(標線片,reticle)上的圖案曝光於玻璃基板 上的光阻層之曝光裝置。 前述之液晶顯示板,乃基於觀賞的便利性而朝大面積 化進展。符合此種需求之曝光裝置’例如,日本專利特開 平7-57986號公報所示般,其係揭示一種之掃描型曝光裝 置,將光罩的圖案以正立像投影於基板上的複數個投影光 學系統予以組合,使光罩與玻璃基板沿著既定方向同步移 動,藉著對投影光學系統的掃描’使得與同步移動方向垂 直的方向具有大的曝光領域,亦即’將形成於光罩的LCD (Liquid Crystal Display)等圖案依序轉印至玻璃基板上的曝 光領域。 此時,爲獲得即使投影領域變大亦不致造成裝置的大 3 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) —^----^ I------------—訂 --------- C請先閲讀背面之注意事項存填寫本頁) A7 B7 5Q2m 口!,6· i年;^ L— 五、發明說明(l) 型化,並具有良好的成像特性之投影光學系統,乃配置複 數個投影光學系統,設定俾使相鄰的曝光領域沿掃描方向 進行既定量移位,且使相鄰的曝光領域的端部彼此之間在 垂直於掃描方向的方向部份重複。此種場合時,將各投影 光學系統的視野光圏設定爲例如梯形狀,使掃描方向的視 野光圏的開口幅度的合計常保持相等。因此,前述之掃描 型曝光裝置,相鄰的投影光學系統的接合部係重複曝光, 使得投影光學系統的光學像差或曝光照度呈現出平順地變 化的優點。 【本發明所欲解決的課題】 但是,以上所述之習知的掃描曝光方法及掃描型曝光 裝置,存在有以下的問題。 對複數個投影光學系統而言,雖將其分別校準來使得 其成像位置在玻璃基板上的曝光面趨於一致,然而,亦有 因各投影光學系統的調整誤差、玻璃基板本身的歪斜、水 平度原因、或塗布於玻璃基板之光阻層的膜厚分布不均等 ’而造成複數個投影光學系統之間對曝光面的成像位置有 所偏差。在此情形下,在複數個投影光學系統所對應的投 影領域之間,被賦予的曝光能量產生差距。因此,在以相 鄰之投影光學系統所曝光的接合部產生色不均,乃造成製 造出的元件品質低下的問題。 此種問題之產生,並不侷限在使用具有複數個投影光 學系統之曝光裝置者,例如,採用具有單一照明領域的投 影光學系統,同步移動光罩與玻璃基板來進行第1掃描曝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--------铢| 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 507269 A7 _ B7____ 五、發明說明() 光。之後,將光罩與玻璃基板沿著垂直於同步移動的方向 來步進移動相當於照明領域之長度份量之同等距離,且再 度同步移動光罩與玻璃基板來進行第2掃描曝光。藉著將 該第2道掃描曝光進行一次或重複數次’使複數個分割圖 案在彼此有部份重複的狀態下接合,即使在此種情況時, 仍可能使得第1掃描曝光與第2掃描曝光之成像面的位置 有所偏移,因此,同樣可能發生前述之色不均現象。 另一方面,爲解決前述的問題之方法’乃是改變玻璃 基板的焦點位置來進行複數次的掃描曝光。此種方法,例 如,使得相對於投影光學系統之成像面位置的玻璃基板之 曝光面,沿光軸方向降低既定量來進行第1次掃描曝光, 之後,使得相對於投影光學系統之成像面位置的玻璃基板 之曝光面,沿光軸方向上升前述之既定量來進行第2次掃 描曝光,使得圖案重複曝光於基板。藉由此種方法,因提 升焦點深度,可減少複數個曝光領域間的曝光能量差,因 此,可抑制色不均的發生。 但是,運用此方法時,必須在改變玻璃基板之焦點位 置的狀態下進行複數次的掃描曝光,因而,其曝光時間變 長,乃造成曝光製程的產能降低之問題。 本發明乃考量了以上所述之各點,其目的係提供即使 將曝光領域的一部份重複曝光仍不會造成元件品質的降低 ,並且防止曝光製程的產能降低之掃描曝光方法及掃描型 曝光裝置。 【解決課題之手段】 5 尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ·~ -*- — IH---:------0^--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 507269 A7 _____B7__ 五、發明說明(> ) 爲達成前述目的,本發明所示係採用對應於表示實施 形態之圖1至圖11之以下構成。 本發明之掃描曝光方法,係同步移動光罩(M)及基板 (P),透過投影光學系統(3、3a〜3e),將光罩(M)的圖案曝 光於基板(P)上,其特徵在於:在將投影光學系統(3、3a〜 3e)所曝光之基板(P)的曝光領域的一部份予以重複曝光時 ,使基板(P)與光罩(M)的圖案之成像面,沿著大致與基板 (P)垂直的方向之既定範圍進行相對移位。 又,本發明之掃描型曝光裝置(1),係同步移動光罩 (M)及基板(P),透過投影光學系統(3、3a〜3e),將光罩(M) 的圖案曝光於基板(P)上,其特徵在於:具有移位調整裝置 (17),在將投影光學系統(3、3a〜3e)所曝光之基板(P)的曝 光領域的一部份予以重複曝光時,使基板(P)與光罩(M)的 圖案之成像面,沿著大致與基板(P)垂直的方向之既定範圍 進行相對移位。 因此,本發明之掃描曝光方法及掃描型曝光裝置,係 使光罩(M)的圖案的成像位置與基板(P),以成像面的位置 爲中心沿著大致與基板(P)垂直的方向之既定範圍進行既定 週期的相對移位,乃延長了在移位之端部的曝光時間,故 而,焦點位置之曝光能量的分布比移丨立之端部具有較大値 ,而與重複曝光時同樣地使其焦點深度實質上變深。藉此 ,即使曝光領域的一部份重複曝光時仍可縮小其接合部的 曝光能量差而抑制色不均的發生。又,由於光罩(M)之圖案 的成像位置與基板(P)的相對移位,是在一次的曝光動作中 6 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) ---r---:--1----------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 507269 A7 B7 五、發明說明(t) 來進行,故可防止曝光製程之產能降低。 【發明之實施形態】 以下將參照圖1至圖8,來說明本發明之掃描曝光方 法及掃描型曝光裝置之第1實施形態。在此例,將採用製 造液晶顯示板之方形的玻璃基板作爲本實施形態之基板, 說明將光罩上所形成之液晶顯示元件的電路圖案轉印至玻 璃基板上的例子。再者,此處係使用投影光學系統由5個 投影系統模組所構成之例加以說明。 圖1所示係用來表示本發明之掃描型曝光裝置1的槪 略構成之立體圖。掃描型曝光裝置1之主體結構,係包含 有:照明光學系統2、由複數個投影系統模組3a〜3e所構 成的投影光學系統3、用來保持光罩(標線片)Μ之光罩 台4、以及用來保持玻璃基板(基板)Ρ之基板台5。又, 使光罩Μ及玻璃基板Ρ沿ΧΥ平面而配置,在ΧΥ平面中 ,設定掃描方向(同步移動方向)爲X方向,設定垂直於 X方向之非掃描方向爲Υ方向。再者,垂直於ΧΥ平面且 通過被投影光學系統3投影於玻璃基板Ρ之梯形視野的大 致中心之主光線作爲光軸,與玻璃基板Ρ大致垂直的光軸 方向設爲Ζ方向。 如圖2所示,照明光學系統2,係將超高壓水銀燈等 之光源6所射出的光束(曝光用光),照明於光罩Μ。又 ,照明光學系統2,係由:二向分光鏡(dichroic mirro〇7、 濾光片8、光導(light guide)9、以及分別對應於投影系統模 組3a〜3e而配置之照明系統模組10a〜10e (但是,爲便 7 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂----- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 507269 A7 ___B7___ 五、發明說明(6 ) 於說明起見,圖2之中,僅表示與照明光學系統l〇a相對 應者)所構成。 又,由光源6所射出之光束,藉由橢圓鏡6a聚光之後 ,射入於二向分光鏡7。二向分光鏡7,乃是將曝光所需之 波長的光束予以反射,而讓其他的波長之光束可透過者。 由二向分光鏡7所反射的光束,射入於濾光片8,使得投 影光學系統3成爲具適當的曝光用波長(通常爲g線、h 線、i線內之至少一種帶域)的光束,射入至光導9,光導 9係將射入的光束分束爲5束,透過反射鏡11射入至各照 明系統模組l〇a〜10e者。 各照明系統模組l〇a〜10e,其大致由照明光閘12、中 繼透鏡13、複眼透鏡14、以及聚光透鏡(condenser lens)15 所構成。又,在本實施形態中,係沿著X方向與Y方向之 一定間隔,配置與該照明系統模組l〇a爲相同結構之照明 系統模組l〇b〜10e。又,來自各照明系統模組l〇a〜10e 的光束,係照射於光罩Μ上之相異的照明領域。 照明光閘12係配置在光導9的後方,使其相對於光束 的光程可進退自如。照明光閘12,在遮蔽光程時將該光程 前往光罩Μ及玻璃基板Ρ的光束予以遮光,在開放光程時 乃解除對光束的遮光動作,使光束照射於光罩Μ及玻璃基 板Ρ。再者,照明光閘12具光閘驅動部16,來驅使該照明 光閘12對前述光程作進退移動。光閘驅動部16,藉控制 裝置17來控制其驅動。 另一方面,各照明系統模組10a〜10e,另設有光量調 8 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ---j—--^--------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 507269 A7 ____B7______ 五、發明說明(7 ) 整機構18。光量調整機構18,乃是藉著對個別光程設定其 光束的照度,來調整個別光程的曝光量,又,光量調整機 構18,係由:半反射鏡19、檢波器(detector)20、濾光片 21、以及濾光片驅動部22。半反射鏡19,係配置在濾光片 21與中繼透鏡13之間的光程中,使透射過濾光片21的光 束之一部份射入於檢波器20者。檢波器20,係用以檢測 射入光束的照度,將檢測之照度信號輸出至控制裝置17者 〇 瀘光片21,乃是藉由鉻等在玻璃基板上所構成之簾狀 圖案者。其透射率係沿著Y方向之某種範圍內呈線性的漸 次變化,且配置在各光程中的照明光閘12與半反射鏡19 之間者。此等半反射鏡19、檢波器20、以及濾光片21, 係各自配設於複數個光程。濾光片驅動部22,係根據控制 裝置17的指示,使濾光片21沿Y方向移動者。 因此,控制裝置17藉由根據檢波器20所檢測的光束 之照度來控制濾光片驅動部22,可調整各光程的光量來使 在各光程之玻璃基板P上的照度成爲既定値。 透射過光量調整機構18的光束,透過中繼透鏡13到 達複眼透鏡14。在該複眼透鏡14的射出面側形成二次光 源,藉由聚光透鏡15可對光罩Μ的照明領域照射出均一 的照度。 透射過光罩Μ的光束,分別射入於投影系統模組3a 〜3e。之後,照明領域之光罩Μ的圖案係根據其既定的成 像特性,轉印在塗有光阻的玻璃基板Ρ上。各投影系統模 9 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ---1---·-------------訂 ----------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 507269 A7 __ B7___ 五、發明說明(& ) 組3 a〜3 e係由:使光罩Μ的圖案像朝X方向偏移或Y方向 偏移的圖像偏移機構;形成光罩Μ的層案之中間像的反射 -折射型光學系統;在玻璃基板Ρ上設定爲梯形狀的投影領 域之視野光圈;以及,用來變化光罩Μ的圖案像之倍率的 倍率調整機構(各項均未圖示)所構成。 圖3係表示藉由投影系統模組3a-3e所投影在玻璃基 板P上之投影領域34a〜34e的俯視圖。如該圖所示,各投 影領域3如〜34e,乃是在X方向之寬度爲L0之梯形狀, 在X方向以間距(pitch)L作分隔,將投影領域群區分爲: 由投影領域34a、34c、34e所構成之第1投影光學群23、 以及由投影領域34b、34d所構成之第2投影光學群24, 投影領域34a、34c、34e與投影領域34b、34d,其配置係 以短邊之側爲對向邊。 進而,如同圖中該二點虛線所不,投影領域34a〜34e 之中,其相鄰之投影領域的端部間(35a與35b、35c與35d 、35e與35f、35g與35h)其係並列配置成沿Y方向重複, 且設定使X方向的寬度之總合大致相等。亦即,各投影領 域34a〜34e包含有:端部35a〜35k,投影於玻璃基板上 之重複曝光的重複領域36a〜36d、以及中央部41a〜41e, 投影於非重複曝光之非重複領域33,沿X方向進行掃描曝 光時,其重複領域之曝光量的和,與非重複領域之曝光量 相等。 如此,藉著在玻璃基板P上設置投影領域34a〜34e所 重複的重複領域36a〜36d,可以使重複領域36a〜36d之 10 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)Ai規格(210 X 297公釐) _ "- ----------I-----------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 507269 A7 ___B7__ 五、發明說明(?) 光學像差的變化或照度變化更平順。再者,本實施形態的 投影領域34a〜34e的形狀雖爲梯形,然而,亦可爲六角形 、稜形、或平行四邊形等。 光罩台4,係用來保持光罩Μ者,包含有:χ方向的長 行程(stroke)來進行一維的掃描曝光,以及,垂直於掃描 方向的Y方向之數mm程度的微量行程。如圖2所示般 ,光罩台4具有光罩台驅動部37,使該光罩台4沿X方向 或Y方向驅動。此光罩台驅動部37,係藉由控制裝置17 來控制。 如圖1所不,在光罩台4上的端緣,沿垂直方向分別 設置有移動鏡38a、38b。在移動鏡38a,對向配置雷射干 涉計39a。又,在移動鏡38b,對向配置雷射干涉計39b。 此等雷射干涉計39a、39b,係藉由以雷射光分別射向移動 鏡38a、38b,來測量此等雷射干涉計39a、39b與該移動 鏡間38a、38b之間的距離,藉此而可以高解析度、高精度 來檢測光罩台4的X方向、Y方向的位置,亦即,光罩Μ 的位置。又,雷射干涉計39a、39b之檢測結果,係輸出至 控制裝置17(未圖示於圖1)。 基板台5,係用來保持玻璃板P並將其移動者,與光 罩台4同樣地,包含有:台X方向的長行程來進行一維的掃 描曝光、以及在垂直於掃描方向的Y方向具有長行程用來 進行步進式移動。又,基板台5具有基板台驅動部40(參 照圖2),使該基板台5沿X方向及Y方向驅動。此基板台 驅動部40,係藉由控制裝置17來控制。進而,基板台5, 11 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------y--------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 507269 A7 __________B7_______ 五、發明說明(P ) 係藉由基板台驅動部40的控制’使其亦可沿Z方向移動 自如。又,基板台5,具有測量機構(未圖示),來測量 光罩Μ的圖案面與玻璃基板P的曝光面之z方向的位置, 將藉由測量機構所測得之結果輸出至作爲移位調整裝置的 控制裝置17。此外,實際作業中,基板台5之沿Ζ方向移 動’雖藉由保持器(用以保持被基板台5所支撐之玻璃基板 Ρ)來進行台,但是,爲方便起見,在此說明藉由基板台5 來進行沿Ζ方向之移動。又,在基板台5沿Ζ方向之移動( 未圖示),例如,設有致動器(actuator)或楔形凸輪來將支撐 基板台的支撐點沿Z方向驅動。又,可用馬達、壓電性元 件、或電磁石,作爲致動器。 又’基板台5上的端緣,沿垂直方向分別設有移動鏡 42a、42b。移動鏡42a,係與雷射干涉計43a對向設置。 又’移動鏡42b,係與雷射干涉計43b對向設置。此等雷 射干涉計43a、43b,係分別對移動鏡42a、42b射出雷射 光來測量雷射干涉計43a、43b與該移動鏡42a、42b之間 的距離’藉此,能夠以高解析度、高精度來檢測基板台5 的X方向、Y方向的位置,亦即,玻璃基板P的位置。又 ,雷射干涉計43a、43b的檢測結果,係輸出至圖1所未圖 示之控制裝置17。 在光罩Μ的上方,配設有對準(alignment)系統49a、 49b,用來檢測形成於光罩μ之光罩對準標記(mask alignment mark)(未圖示),以及形成於玻璃基板ρ之基 板對準標記(未圖示)。對準系統49a、49b之結構,乃是 12 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---- 瞻言111 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規袼(210 X 297公楚) 507269 A7 _____B7__ 五、發明說明(η ) 以檢測光照射於光罩對準標記,並藉由接收光罩對準標記 之反射光,以及接收透射過光罩對準標記及外側的投影系 統模組3a或3e之基板對準標記之反射光,來測量光罩Μ 與玻璃基板Ρ之位置偏移量。再者,如圖2所示般,對準 系統49a、49b的測量結果,係輸出至控制裝置17。又, 對準系統49a、49b具有沿X方向移動之驅動機構(未圖 示),在掃描曝光時可從照明領域內退離之構成。 控制裝置17,係藉由雷射干涉計39a、39b的輸出來 監測光罩台4位於XY平面內的位置,並控制光罩台驅動 部37,以便將光罩台4移動至所欲的位置,同時,藉由雷 射干涉計43a、43b的輸出來監測基板台5位於XY平面內 的位置,並控制基板台驅動部40,以便將基板台5移動至 所欲的位置。亦即,控制裝置17,乃是監測光罩台4以及 基板台5的位置並同時控制著兩驅動部37、40,藉此,使 得光罩Μ與玻璃基板P相對於投影系統模組3a〜3e,能以 任意的掃描速度(同步移動速度)沿X方向作同步移動。 進而,控制裝置17之構成,係根據測量機構所測得之 玻璃基板P的曝光面位置來控制基板台驅動部40,使得基 板台5的曝光面相對於投影系統模組3a〜3e的成像面位置 ,以既定週期進行移位。 以下說明藉由上述構成之掃描型曝光裝置1來使LCD 圖案掃描曝光於玻璃基板P上之進行順序。又,以下,光 罩台4、基板台5的移動,以及在各照明系統模組10a〜 l〇e之照明光閘12的驅動,係透過光罩台驅動部37、基板 13 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂--- 507269 A7 __B7 五、發明說明(卜) 台驅動部40、以及光閘台驅動部16來進行,其各驅動乃 是根據控制裝置17對各驅動部37、40、16之控制而進行 〇 首先,在進行曝光處理之前,先進行測試曝光等,先 測量出當測量用的玻璃基板之曝光面位在投影系統模組3a 〜3e的成像面位置時之焦點位置(最佳焦點位置)Z0。 之後,藉由對準系統49a、49b來測量光罩對準標記及 基板對準標記,求得光罩Μ與玻璃基板P的位置偏移量, 根據其結果來微動光罩台4或基板台5以使其對準,同時 ,算出各投影系統模組3a〜3e對光罩Μ與玻璃基板Ρ之 相對移位(shift)、旋轉、定標(scaling)補正量,再根據此補 正量,對各投影系統模組3a〜3e之像移位機構、倍率調整 機構、以及反射折射型光學系統進行補正。 接著,驅動光罩台4及基板台5,使光罩Μ及玻璃基 板Ρ移動至掃描開始位置。進而,使光罩Μ與玻璃基板Ρ 以同樣速度V及同一方向(例如-X方向)對投影系統模組 3a〜3e作同步移動。又,使光罩Μ與玻璃基板Ρ沿-X方 向作同步移動的同時,一邊藉測量機構來測量玻璃基板Ρ 之曝光面位置,一邊使基板台5沿Ζ方向之(ΖΟ+b)與(Ζ0-b)之間以週期Τη對投影系統模組3a〜3e之成像面位置進 行相對且連續性的移位。又,(ΖΟ+b)與(Z0-b),係設定在玻 璃基板P的焦點深度內。 此週期Τη,係表示在玻璃基板P上的任意位置通過寬 度L0的投影領域期間,玻璃基板Ρ沿Ζ方向進行η次行 14 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --J----^-- -----------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 507269 A7 ^___B7 --- --------------------------------- 五、發明說明(/今) 程移位之意(η爲1次以上的整數)。換言之’玻璃基板P 沿Z方向相對移位之週期Τη,乃是設定爲當玻璃基板P上 的任意位置通過寬度L0的投影領域之時間的1/η ° 此處,將寬度L0的投影領域通過玻璃基板Ρ上的任 意位置所耗的時間Τ0,以下式來表示。 T0=L0/V...............(1) 因此,在時間το之間,使玻璃基板P沿z方向進行 相對移位的週期Τη,係以下式來表示。
Tn = (1/n) x TO =(l/n) x (LO/V)·····..(2) 又,對第1投影光學群23與第2投影光學群24之間 的間距L的設定,若是以m爲1以上的整數値’則其設定 値爲下式所示之數値。
L = m X Τη X V =m χ (L0/n).........(3) 由式(3)可得知,間距L之設定値,係在週期Tn之期 間光罩Μ與玻璃基板Ρ之同步移動距離的整數倍。亦即’ 當通過第1投影光學群23的投影領域時玻璃基板Ρ的週期 Τη的相對移位,係與當通過第2投影光學群24的投影領 域時玻璃基板Ρ的週期Τη的相對移位’其相位係一致。 以下,將舉具體例來詳細說明。 <在η=1,週期Τ1+Τ0之情況> 在此例中,基板台5之移位,亦即玻璃基板P沿Z方 向之移位,使其週期Τη與式(1)之時間T0 —致。亦即’ 15 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐) —-—j.------------—訂-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 507269 A7 ____B7____ 五、發明說明(作) 使Τη=Τ1=Τ0,當寬度L0的投影領域3如〜34e通過玻璃 基板P上的任意位置期間,如圖4所示般,使玻璃基板P 沿z方向移位1個彳了程(η=ι)。 在此先參照圖5,針對玻璃基板P上的點61a與點 61b予以考量,點61a係位於曝光領域內的非重複領域33 之玻璃基板P上的點,而點61b係位於曝光領域之重複領 域36c內,且由投影領域34c的端部35e及投影領域34d 的端部35f雙方所重複曝光之玻璃基板P上的點。 如圖6所示,點61a、61b在掃描露光時’在以最佳焦 點位置Z0爲基準之焦點位置Z+b、Z-b之間’相對於投影 系統模組3a〜3e的成像面位置以週期T1沿Z方向進行相 對移位。此時,點61a,係藉投影領域34c的中央部41c 以時間T1的曝光時間進行曝光。 另一方面,點61b之曝光時間,係由投影領域34c的 端部35e來進行時間Ta的曝光作業,由投影領域34d的端 部35f來進行時間Tb的曝光作業。因Ta+Tb=Tl,故點 61b與點61a的曝光時間相同。又’當通過玻璃基板P上 的任意位置投影領域34c與34d時’其相對移位的相位係 一致,因此,當點61b被端部35e、35f曝光期間,沿Z方 向作相對移位之全行程,係與點61b被中央部41c曝光時 沿Z方向作相對移位之全行程一致,皆爲1個行程。藉此 ,重複曝光的點61b係與點61a同樣地,在相對移位的端 部之焦點位置(ΖΟ+b)及(ΖΟ-b)具較長的曝光時間,使曝光能 量增大,可加深其實質的焦點深度。 16 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -------------· I------訂----I--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 507269 A7 __…一-—____B7_______ _ 五、發明說明(<) <n=2,週期T2=(T0/2)之情況) 在此例中,基板台5之移位,亦即玻璃基板ρ沿Ζ方 向之移位,使其週期Τη與式(1)的時間(Τ0/2)—致。亦即, Τη=Τ2=(Τ0/2),當玻璃基板Ρ的任意位置通過寬度L0的投 影領域34a〜34e之時間Τ0,如圖7所示,使玻璃基板P 沿Z方向移位2個行程(n=2)。 此時,如圖8所示,點61a、61b在掃描曝光時,在以 最佳焦點位置Z0爲基準之焦點位置Z+b、Z-b之間,相對 於投影係模組3a〜3e的成像面位置以週期T2沿Z方向進 行相對移位,點61a藉投影領域34c的非重複領域41c以 時間T0的曝光時間來進行曝光。 另一方面,點61b的曝光時間,係藉由投影領域34c 的端部35e來進行時間Ta的曝光作業,藉由投影領域34d 的端部35f來進行時間Tb的曝光作業。因Ta+Tb=T0,故 點61b與點61a的曝光時間相同。又,當通過投影領域 34c與34d時之玻璃基板P上的任意位置,其相對移位的 相位係一致,因此,當點61b被端部35e、35f曝光期間其 沿Z方向之相對移位的全行程,係與點61a被中央部41c 曝光期間其沿Z方向之相對移位的全行程一致,皆爲2個 行程。藉此,重複曝光的點61b係與點61a同樣地’在相 對移位的端部之焦點位置(ΖΟ+b)及(ΖΟ-b)具較長的曝光時間 ,使曝光能量增大’可加深其實質的焦點深度。 在本實施形態之掃描曝光方法及掃描型曝光裝置,即 使將投影領域34a〜34e的一部份重複曝光,因爲藉著使投 17 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210>< 297公釐) ~ —«—--------------訂---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 507269 A7 _________ _B7 ___ 五、發明說明(U ) 影系統模組3a〜3e的成像面位置與玻璃基板沿光軸方向進 行相對移位,故使由非重複領域或重複領域所曝光之玻璃 基板p上之曝光領域兩者其焦點深度變大,可以縮小複數 個曝光領域間、重複領域、非重複領域間的曝光能量差, 能夠抑制色不均的發生,防止元件品質的降低。又,在本 實施形態,無須進行複數次的掃描曝光,而係以既定週期 將玻璃基板P連續移位來加深上述焦點深度,因此,所需 之曝光時間不會變長,可防止曝光製程的產能降低。 再者,本實施形態之掃描曝光方法及掃描型曝光裝置 中,由非重複領域所曝光的點61a之相對移位的全行程’ 與被重複領域所曝光的點61b之相對移位的全行程一致’ 因而,消除了各領域間的曝光能量差,即使採用了投影領 域有部份重複之複數個投影系統模組3a〜3e,可排除因爲 各模組間的曝光能量差所造成色不均之情況,能使元件的 品質提高。 又,本實施形態中,當玻璃基板P上的任意位置通過 寬度L0的投影領域期間,玻璃基板P係以整數次沿Z方 向移位,因而,曝光能量的分布係以最佳焦點位置Z0爲 中心在Z方向呈對稱分布,可獲取無偏移之焦點深度。 又,上述實施形態中,係藉由將具有焦點位置調整機 能之基板台5沿Z方向移動,來使圖案的成像面位置與玻 璃基板P沿Z方向相對移位,因而,無須另設昇降機構等 ,可實現裝置的小型化及降低成本。 再者,上述第1實施形態中,雖已說明當玻璃基板p 18 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ---Ί---;--------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 507269 A7 __B7 五、發明說明() 上的任意位置通過寬度L0的投影領域期間,使玻璃基板P 沿Z方向進行η次行程的移位,然而’其並非必須滿足此 關係,只要能使第1投影光學群23與第2投影光學群24 的間距L,與玻璃基板Ρ的相對移位的週期Τη滿足上述之 式(3),可使得通過第1投影光學群23的投影領域時之玻 璃基板Ρ的相對移位,與通過第2投影光學群24時之玻璃 基板Ρ的相對移位之相位一致,因此,可使位於非重複領 域的點之相對移位的全行程,與位於重複領域的點之相對 移位的全行程一致。此時,玻璃基板ρ上的住意位置,至 少經過相對移位的1個週期之70%以上爲佳。 圖9至圖11係本發明之掃描曝光方法及掃描型曝光裝 置的第2實施形態。在這些圖中,與圖1至圖8所示之第 1實施形態的構成要素爲同一要素者係付予同一符號’且 省略其說明。第2實施形態與前述第1實施形態之相異點 在於,先以第1曝光將第1圖案曝光於玻璃基板Ρ之後, 再以第2曝光將第1圖案的一部份重複來曝光第2圖案。 如圖9所示,曝光於玻璃基板Ρ上之LCD圖案LP係 由:藉由第1曝光而曝光於第1曝光領域51的第1圖案、 以及藉由第2曝光而曝光於第2曝光領域52的第2圖案所 構成,且第1曝光領域51與第2曝光領域52係在重複領 域53重複。曝光領域51、52,係藉由使光罩台4沿Y方 向移動後,移動相對於光罩Μ的照明領域,並且,亦使基 板台5沿Υ方向移動後,移動相對於投影領域34a〜34e 之玻璃基板P的位置而設定。 19 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ---^ I ---Γ-----------1--訂------丨! si (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 507269 A7 _________B7___ 五、發明說明(β ) 進行上述LCD圖案LP的曝光時,首先,係採取與前 述第1實施形態之相同順序將第1圖案曝光於第1曝光領 域51。又,在此設定Τη=Τ1=Τ0,當玻璃基板P上的任意 位置通過寬度LD的投影領域34a〜34e期間,使玻璃基板 P沿Z方向移位1個行程(n=l)。 此時,玻璃基板上的重複領域53,係由投影領域34e 的端部35K所投影曝光。又,如圖10所示,當重複領域 53內的點K(圖10中,係表示此點之移動軌跡)到達投影 領域34e之-X側端部(圖10中,在左側端部)時,乃以 最佳焦點位置Z0爲起點,隨著掃描曝光的進行而朝焦點 位置Z+b前進。 另一方面,如圖9所示,將第2圖案曝光於第2曝光 領域之際,玻璃基板P上的重複領域53,係由投影領域 34a的端部35j所投影曝光。此時,使玻璃基板P沿Z方 向作相對移位,俾當點K到達投影領域34a的-X側端部時 ,以最佳焦點位置Z0爲起點,隨著掃描曝光的進行而朝 焦點位置Z-b前進,亦即,使玻璃基板P的第2曝光時的 相對移位與第1曝光時的相對移位呈逆相位關係。 藉此,點K之曝光時間係,由投影領域34e的端部 35K進行Ta時間的曝光,由投影領域34a的端部35j進行 Tb時間的曝光。由於Ta+Tb=Tl,因此使得點K與位於非 重複領域的其他點以相同的曝光時間曝光。又’當點K被 端部35k、35j所曝光期間,其沿Ζ方向作相對移位的全行 程,係與位於非重複領域的其他點之相對移位的全行程一 20 ---j.---j-------------訂·-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 507269 A7 _B7__ 五、發明說明(f?) 致,皆爲1個行程。 再者,藉由第1曝光及第2曝光,使位於重複領域53 的任意點之相對移位的全行程與位於非重複領域的其他點 之相對移位的全行程一致的作法,並非僅侷限於上述形態 ,只要第1曝光領域51之曝光開始時或曝光終了時的相對 移位,與第2曝光領域之曝光開始時或曝光終了時的相對 移位的至少一方大致相同即可。 本實施形態之掃描曝光方法及掃描型曝光裝置,除了 可獲致與上述第1實施形態之相同效果,並且,當第1曝 光終了後以步進方式進行第2曝光,亦即藉所謂的步進掃 描方式(step and scan)使曝光領域予以重複曝光時,由非重 複領域或重複領域所曝光之玻璃基板P上的曝光領域兩者 之焦點深度皆加深,除了可抑制色不均的發生之外,同時 ,不會使曝光時間超過所需時間,可防止曝光製程的產能 降低。 又,前述第2實施形態中,雖然以由投影系統模組3a 〜3e所構成的投影光學系統來進行第1曝光及第2曝光, 然而,其不在此限,例如,如圖11所示般,亦可使用具有 單一梯形之投影領域34f之投影光學系統。此時,位在玻 璃基板P上的重複領域53之任意點,雖係分別由投影領域 34f的端部35m、35η所投影曝光,然而,其第1曝光及第 2曝光時的玻璃基板Ρ的相對移位,係與第2實施形態相 同。 亦即,只要重複領域之第1曝光時的投影領域之形狀 21 I氏張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 一 ~ ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---- 訂· — 507269 A7 ____B7____ 五、發明說明(尸) 及第2曝光時的投影領域之形狀,當線對稱於掃描方向之 平行軸,則以第2實施形態來進行,而線不對稱於掃描方 向之平行軸時,則以第1實施形態來進行。如上述,對應 於使重複領域曝光之投影領域的形狀,來設定使第1曝光 與第2曝光之移位爲同相位或逆相位的關係。 又,上述實施形態中,雖然透過基板台5來使玻璃基 板P呈正弦波狀移位,然而,其作法並不在此限,例如, 使其成爲階梯狀的移位亦可。又,使玻璃基板P沿Z方向 移位之際,亦可不使用焦點位置調整機能,例如,藉壓電 元件沿Z方向昇降亦可。 又,上述實施形態中,雖使基板台5相對於投影系統 模組3a〜3e的成像位置往Z方向移動,然而,其作法並不 在此限,例如,亦可固定住基板元件5的Z方向位置,並 且設置使光罩台4沿Z方向移動的昇降機構台,使得在掃 描曝光中,透過光罩台4使光罩Μ沿Z方向作相對移位。 在此狀況下,可獲致同等於使玻璃基板Ρ作相對移位時之 作用及效果。 進而,欲使光罩Μ的圖案之成像位置與玻璃基板Ρ沿 Ζ方向進行相對移位的方法,除了使玻璃基板ρ及光罩Μ 移位之外,亦可以使投影系統模組3a〜3e (亦即投影光學 系統)的成像位置的本身移位。此種作法,可經由例如壓 電元件等的既定週期,將設於投影系統模組3a〜3e內的複 數個光學透鏡間的距離進行移位來實現。 如以上所述,使投影系統模組3a〜3e之成像位置在各 22 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公楚)一 ---j.---^---------------訂---------^9— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 507269 A7 _ B7____ 五、發明說明(yi ) 模組產生移位時,若使被第1投影光學群23的投影領域之 端部及第2投影光學群24的投影領域之端部所曝光的玻璃 基板P上的點(任意位置),所經過之相對移位的全行程 ,與被各投影光學群23、24的投影領域之中央部的所曝光 的點所經過之相對移位的全行程一致’則各投影光學群23 、24的配置間距L,不必滿足上述之式(3)的絕對必要性。 又,圖4、圖6〜圖8、圖10,雖以正弦波狀來表示相對移 位的行程,然而,亦可採既定的移位週期,從zo+b至Z〇-b之間以大致直線移位方式的三角波狀、梯形狀來表示相 對移位的行程。 再者,作爲本實施形態的基板,並非僅侷限於液晶顯 示元件用的玻璃基板P,亦適用於半導體元件用的半導體 晶圓、薄膜磁頭用之陶瓷晶圓,或是用於曝光裝置的光罩 或標線片的原版(合成石英、矽晶圓)等。 又,作爲投影光學系統3,可採如圖13所示之投影光 學系統。圖13所示者,乃是將2組變形的戴森(Dyson)型 光學系統組合後,作爲圖1所示之投影光學系統3a〜3e的 一例。再者,因各投影光學系統3a〜3e分別具有相同的結 構’因此,以下將以其中一個投影光學系統爲代表,說明 其結構。 此投影光學系統具有:第1部分光學系統61〜64、視 野光圈65、及第2部分光學系統66〜69,此等之第1及第 2部分光學系統,乃是分別將戴森型光學系統予以變形而 得者。 23 度顧巾_家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐Γ ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------· 507269 A7 _ B7___ 五、發明說明(β) 第1部分光學系統具有:直角稜鏡61,與光罩呈對向 關係;平凸透鏡62,係以凸面朝向直角稜鏡61的反向側;凹 凸透鏡(meniscus lens)63,係以凹面朝向平凸透鏡62;以 及直角稜鏡64,係配置在直角棱鏡61的下方。 由照明光學系統所射出的光通過光罩Μ後,藉由直角 稜鏡61將光程偏向90°後,射入於凸透鏡62。通過凸透 鏡62的光,由接合面62a折射而到達反射面63a。由反射 面63a反射的光,藉由接合面62a再折射,而到達與凸透 鏡62接合的直角稜鏡64。此光藉由直角稜鏡64而使光程 偏向90° ,將光罩Μ的1次像形成在該直角稜鏡64的射 出面。此處,在第1部分光學系統61〜64所形成之光罩 Μ的1次像係等倍像,其X方向(光軸方向)的橫倍率爲 正,而Υ方向的橫倍率爲負。 來自1次像的光,透過第2部分光學系統66〜69,將 光罩Μ的2次像形成於玻璃基板ρ上。又,因第2部分光 學系統的結構與第1部分光學系統61〜64相同,故省略其 說明。此第2部分光學系統66〜69,係同於第1部分光學 系統,形成X方向爲正而Υ方向爲負之橫倍率的等倍像。 因而’形成於玻璃基板Ρ上之2次像,乃成爲光罩Μ的等 倍正立像。又,本文中雖省略其詳細說明,然而投影光學 系統(弟1及第2部分光學系統)係兩側遠心(telecentric) 光學系統。又,配置在第1部分光學系統61〜64所形成的 1次像位置之視野光圈65,係例如具有梯形狀的開口部。 藉由該視野光圏65,將玻璃基板ρ上的各個曝光領域限制 24 尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 2—97公爱) —I —.--------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 507269 A7 ___B7__ 五、發明說明(θ ) 爲梯形狀。 如以上所述,即使採用戴森型光學系統之情況,若將 通過投影於玻璃基板P之梯形狀的大致視野中心的主光線 作爲光軸,沿著大致垂直於玻璃基板P之Z方向使玻璃基 板P以既定週期在既定範圍內進行移位,藉此,使光罩Μ 的圖案之成像面與玻璃基板沿光軸方向進行相對移位。 作爲掃描型曝光裝置1的種類,非僅侷限於將液晶顯 示元件的圖案曝光於玻璃基板Ρ之用來製造液晶顯示元件 的曝光裝置,亦可廣泛適用在其他範圍,例如,使半導體 元件圖案曝光於晶圓之用來製造半導體元件的曝光裝置、 薄膜磁頭、攝影元件(CCD)、或是標線片等之曝光裝置。 又,作爲光源6,可採用:從超高壓水銀燈產生的光 線(g 線(436nm)、h 線(404.7nm)、i 線(365nm) )、KrF 準分子雷射(248nm)、ArF準分子雷射(193nm)、F2雷射 (157nm) ° 投影系統模組3a〜3e的倍率並不侷限於等倍系統者, 縮小系統及放大系統之任一種皆可。又,作爲投影系統模 組3a〜3e,在使用準分子雷射等遠紫外線時,使用石英或 螢石等之遠紫外線可透過之材料作爲硝材;使用F2雷射或 X射線時,可採反射折射系統或折射系統的光學系統(光 罩Μ亦採反射型)。又,亦可不使用投影系統模組3a〜3e ,而採用使光罩Μ與玻璃基板P緊密接觸來曝光光罩圖案 的近接式(proximity)曝光裝置。 將線性馬達(linear motor)用於基板台5或光罩台4時 25 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公楚) ' --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---- 訂i 507269 A7 ____— B7_____ 五、發明說明(姘) (參照USP5,623,853或是USP5,528,118),可用具空氣軸 承之氣浮型線性馬達,或是使用洛倫兹(Lorentz)力或電抗 力(reactance)之磁浮型線性馬達。又,亦可使各台4、5沿 導引部移動之方式或不設導引部之無導引部之方式來移動 者。 作爲各台4、5的驅動機構37、40,可使用以二維配 置磁石的磁石元件(永久磁石),與二維配置其線圏的電 樞元件互爲對向,藉由電磁力來驅動各台4、5的平面馬達 。在此狀況下,可將磁石元件與電樞元件的任一方連接於 台4、5,將磁石元件與電樞元件的另一方設於各台4、5 的移動面側(基座)。 爲避免因基板台5的移動所造成之反作用力傳導至投 影光學系統3,可採特開平8-166475號公報 (USP5,528,118)所載之作法,用框架(frame)構件以機械方 式釋放至大地。本發明亦可適用於具該種結構之曝光裝置 〇 爲避免因光罩台4的移動所造成之反作用力傳導至投 影光學系統3,可採用特開平8-330224號公報(US S/N 08/416,558)所載之作法,藉使用框架機構而以機械方式釋 放至大地。本發明亦可適用於具該種結構之曝光裝置。 如以上所述,本實施形態之基板處理裝置的掃描型曝 光裝置1,乃是藉由組裝含本發明之申請專利範圍內所列 舉之各種構成要素的各種子系統,並在滿足既定的機械精 度、電氣精度及光學精度的製造條件下所製造者。爲確保 26 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公楚) ""—- ----- .---Γ--I ---*1111111 ^ . I I--I--I ί請先閱讀背面之ii意事項再填寫本頁} ^07269 A7 五、發明說明(β) 各種精度,在組裝製程的前後,須進行對各種光學系統之 光學精度的g周整、對各種機械系統之機械精度的調整、對 各種電氣系統之電氣精度的調整。由各種子系統組裝成曝 光裝置之組裝製程,包含了各種子系統的相互連接、機械 連接、電子電路的配線連接,氣壓迴路的配管連接等。當 然,在進行由各種子系統組裝成曝光裝置之組裝製程前, 包含了對各子系統的組裝製程。〜旦完成了從各種子系統 組裝爲曝光裝置之組裝製程,再進行整合性的調整,以確 保曝光裝置整體的各種精度。又,使曝光裝置的製造能在 溫度及潔淨度等管理良善的潔淨室(無麈室)進行爲佳。 如圖12所示,對於液晶顯示元件或半導體元件等之元 件的製造,係經由以下步驟: 步驟201,液晶顯示元件等之機能、性能設計;步驟 202,根據該設計步驟而製作光罩M(標線片步驟2〇3,以 石英等來製作玻璃基板P或以矽材料來製作晶圓;步驟204 ’藉著前述實施形態之掃描型曝光裝置1將光罩Μ的圖案 曝光於玻璃基板Ρ (或晶圓);步驟205,組裝液晶顯示元 件寺(組裝對象爲晶圓時,包含切割步驟、打線步驟、封 裝步驟);以及,步驟206,進行檢查作業。 【發明效果】 如以上所述,申請專利範圍第1項之掃描曝光方法係 ,係將基板的曝光領域的一部份予以重複曝光之時,使基 板與光罩圖案的成像面在大致沿垂直於基板的方向的既定 範圍內作相對移位。 27 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) "" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --- I------^ · I---I I I · 507269 A7 _ _B7__ 五、發明說明(>〇 藉此,以此種掃描曝光方法,可加深基板上的焦點深 度,且縮小了複數個曝光領域間,或是重複領域、非重複 領域間的曝光能量差,因此,可抑制色不均的發生,防止 元件品質的降低,同時,並可防止曝光製程的產能下降。 申請專利範圍第2項之掃描曝光方法,係在進行相對 移位時至少使光罩與基板的其中一方的位置沿著大致與基 板呈垂直的方向進行移位。 藉此,若運用此種掃描曝光方法,由於使圖案的成像 位置與基板沿著光軸方向進行相對移位,因而,可加深焦 點深度,減少基板上的曝光能量差,抑制色不均的發生。 申請專利範圍第3項之掃描曝光方法,係藉由形成重 複曝光之第1曝光及第2曝光來進行相對移位之動作。 藉此,若運用此種掃描曝光方法,即使對基板進行複 數次的掃描曝光,亦即藉所謂步進掃描方式將曝光領域予 以重複曝光時,仍可加深基板上的焦點深度,抑制色不均 的發生,同時,使曝光時間不會超過所需時間,可防止曝 光製程的產能降低。 申請專利範圍第4項之掃描曝光方法,係使相對移位 的動作連續性變化且以既定週期進行之。 藉此,若運用此種掃描曝光方法,可使曝光時間不會 超過所需時間,可防止曝光製程的產能降低。 申請專利範圍第5項之掃描曝光方法,係使重複領域 的任意位置之相對位置所移位的全行程,與非重複領域的 任意位置之相對位置所移位的全行程一致。 28 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) I----------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 507269 A7 __B7____ 五、發明說明(d) 藉此,若運用此種掃描曝光方法,可消除各領域間的 曝光能量差,即使是採用投影領域係部份重複的複數個投 影光學系統之情況,仍可排除因各投影光學系統間的曝光 能量差所產生的色不均現象,可提高元件的品質。 申請專利範圍第6項之掃描曝光方法,係使重複領域 之任意位置的第1曝光時的移位週期與第2曝光時的移位 週期呈同相位或逆相位的關係。 藉此,若運用此種掃描曝光方法,即使對基板進行複 數次的掃描曝光,亦即藉所謂步進掃描方式來對曝光領域 重複曝光,仍可消除重複領域與非重複領域之間的曝光能 量差,可排除因曝光能量差所產生的色不均現象,可提高 元件的品質。 申請專利範圍第7項之掃描曝光方法,係使重複領域 的任意位置之中,其第1曝光領域的曝光開始時或曝光終 了時的相對移位,與第2曝光領域的曝光開始時或曝光終 了時的前述相對移位的至少一方一致。 藉此,若運用此種掃描曝光方法,第1曝光領域與第 2曝光領域之重複領域及非重複領域之間,並無曝光能量 差,可排除因曝光能量差所產生的色不均現象,得以提高 元件的品質。 申請專利範圍第8項之掃描型曝光裝置,係當以投影 光學系統所投影曝光的曝光領域的一部份予以重複曝光時 ,移位調整裝置係使基板與光罩圖案的成像面沿著大致與 基板垂直的方向以既定範圍進行相對移位。 29 、 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------r ------------丨丨訂---------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 507269 A7 —____B7__—— 五、發明說明(β ) 藉此,若運用此種掃描曝光裝置,可加深基板上的焦 點深度,縮小複數個曝光領域間,或是重複領域、非重複 領域間的曝光能量差,因而,可抑制色不均的發生,防止 元件品質的降低,同時,可防止曝光製程的產能降低。 申請專利範圍第9項之掃描型曝光裝置’其移位調整 裝置係根據第1投影光學群與第2投影光學群之既定間距 ,來設定相對移位的週期。 藉此,若運用此種掃描曝光裝置,藉由第1投影光學 群及第2投影光學群之重複領域與非重複領域所曝光的各 點,其相對移位的全行程係一致,因此消除了各領域間的 曝光能量差,即使採用投影領域部份重複的複數個投影光 學系統,仍可排除因各投影光學系統間的曝光能量差所產 生的色不均現象,可提高元件的品質。 申請專利範圍第10項之掃描型曝光裝置’係設定相對 移位的週期,俾使既定間距與既定週期之間基板同步移動 的移動距離保持m倍的關係(m爲1以上的整數)° 藉此,若運用此種掃描曝光裝置,第1投影光學群的 投影領域與第2投影光學群的投影領域之基板的相對移位 形成同相位,可獲得在重複領域與非重複領域的被曝光各 點的相對移位的全行程一致的效果。 [圖式之簡單說明] 圖1係表示本發明之實施形態之圖’其係表示掃描型 曝光裝置的槪略結構之外觀立體圖。 圖2係該掃描型曝光裝置的槪略結構圖。 30 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) r--------------------------^^9. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 507269 A7 _^B7_____ 五、發明說明(灯) 圖3係本發明之實施形態之圖’其係表示藉投影系統 模組所設定的投影領域的俯視圖。 圖4係玻璃基板沿光軸方向進行相對移位時其位置與 時間的關係圖。 圖5係本發明之實施形態之圖’其係表示投影系統模 組的投影領域與玻璃基板的俯視圖。 圖6係表示在通過投影領域期間使玻璃基板進行1個 行程的相對移位之關係圖。 圖7係玻璃基板沿光軸方向進行相對移位’其位置與 時間的關係圖。 圖8係表示在通過投影領域期間使玻璃基板進行2個 行程的相對移位之關係圖。 圖9係本發明之第2實施形態之圖,其係表示具有第 1曝光領域、第2曝光領域之玻璃基板與投影系統模組的 投影領域之關係的俯視圖。 圖10係表示本發明之第2實施形態之圖’在通過投影 領域期間使玻璃基板進行1個行程的相對移位之關係圖。 圖11係本發明之另一實施形態之圖,其係表示具有第 1曝光領域、第2曝光領域的玻璃基板與單一的投影領域 之關係的俯視圖。 圖12係表示液晶顯示元件之製造步驟之一例的流程圖 〇 圖13係表示組合戴森型光學系統後之投影光學系統之 一^例之槪略結構圖。 31 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) ------------Ψ-----II —訂--------- 線# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 507269 A7 _ B7 五、發明說明(丨。) [元件符號說明] L 間距 Μ 光罩(標線片) Ρ 玻璃基板(基板) 1 掃描型曝光裝置 3 投影光學系統 17 控制裝置(移位調整裝置) 23 第1投影光學群 24 第2投影光學群 33 非重複領域 36a-36d、 53 重複領域 51 第1曝光領域 52 第2曝光領域 -------------------I--訂--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 32 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐〉

Claims (1)

  1. 507269 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1. 一種掃描曝光方法,係使光罩與基板同步移動,透 過投影光學系統將前述光罩之圖案曝光於前述基板上,其 特徵在於: 在將前述投影光學系統所投影曝光的前述基板的曝光 領域的一部份予以重複曝光時,使前述基板與前述光罩之 圖案的成像面,沿著大致與前述基板垂直的方向的既定範 圍進行相對移位。 / 2. 如申請專利範圍第1項之掃描曝光方法,其中,在 進行前述相對移位之際,使前述光罩與前述基板中至少一 方的位置沿著大致與前述基板垂直的方向進行移位。 3. 如申請專利範圍第1項或第2項之掃描曝光方法, 其中,前述相對移位的動作,係以構成前述重複曝光的第 1曝光及第2曝光來進行。 4. 如申請專利範圍第1項或第2項之掃描曝光方法, 其中,前述相對移位的動作,係以連續性變化及既定週期 的方式來進行。 5. 如申請專利範圍第2項之掃描曝光方法,其中,前 述相對移位的動作,係以連續性變化及既定週期的方式來 進行。 6. 如申請專利範圍第1項之掃描曝光方法,其中,前 述基板的曝光領域係包含: 在前述基板上重複曝光的重複領域、及在前述基板上 未重複曝光的非重複領域; 在前述重複領域的任意位置進行前述相對位置移位的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 507269 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 全行程,係與在前述非重複領域的任意位置進行前述相對 位置移位的全行程一致。 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 7. 如申請專利範圍第5項之掃描曝光方法,其中,前 述基板的曝光領域係包含:在前述基板上重複曝光的重複 領域、及在前述基板上未重複曝光的非重複領域; 在前述重複領域的任意位置進行前述相對位置移位的 全行程,係與在前述非重複領域的任意位置進行前述相對 位置移位的全行程一致。 8. 如申請專利範圍第1項或申請專利範圍第7項之掃 描曝光方法,其中,前述重複曝光的重複領域,係藉由第 1曝光及第2曝光來進行曝光,前述重複領域的任意位置 之前述第1曝光時的移位週期與前述第2曝光時的移位週 期,具有同相位或逆相位的關係。 9. 如申請專利範圍第1項或申請專利範圍第7項之掃 描曝光方法,其中, 前述重複曝光的重複領域,係在第1曝光領域及第2 曝光領域被重複曝光; 在前述重複領域的任意位置上,前述第1曝光領域之 曝光開始時或曝光終了時的前述相對移位,係與前述第2 曝光領域之曝光開始時或曝光終了時的前述相對移位中至 少一方大致一致。 10. —種掃描型曝光裝置,使基板與光罩同步移動,透 過投影光學系統將前述光罩圖案曝光於前述基板上,其特 徵在於: ___2_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 507269 A8 D8 六、申請專利範圍 具有移位調整裝置,再將前述投影光學系統所投影曝 光的前述基板的曝光領域的一部份予以重複曝光時,使前 述基板、與前述光罩圖案的成像面沿著大致與前述基板垂 直的方向的既定範圍進行相對移位。 11. 如申請專利範圍第10項之掃描型曝光裝置,其中 前述投影光學系統具有第1投影光學群及第2投影光 學群,沿前述移動方向以既定間距相隔,並配置成使兩群 的投影領域重複; 前述移位調整裝置,係根據前述第1投影光學群及前 述第2投影光學群之前述既定間距,來設定前述相對移位 的週期。 12. 如申請專利範圍第11項之掃描型曝光裝置,其中 ,前述移位調整裝置,係設定前述相對移位的週期,以使 前述既定間距成爲前述基板在前述既定週期之期間進行前 述同步移動動作時所移動的距離的m倍(m爲1以上的整 數)。 ___3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -------f--------illiiIT...........線* (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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