WO2020203003A1 - 露光装置、照明光学系、およびデバイス製造方法 - Google Patents

露光装置、照明光学系、およびデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2020203003A1
WO2020203003A1 PCT/JP2020/009125 JP2020009125W WO2020203003A1 WO 2020203003 A1 WO2020203003 A1 WO 2020203003A1 JP 2020009125 W JP2020009125 W JP 2020009125W WO 2020203003 A1 WO2020203003 A1 WO 2020203003A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
exposure
region
substrate
illumination
optical system
Prior art date
Application number
PCT/JP2020/009125
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
亮平 吉田
真高 井田
吉田　大輔
琢己 野嶋
佑介 松橋
暢章 渡辺
Original Assignee
株式会社ニコン
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社ニコン filed Critical 株式会社ニコン
Priority to JP2021511276A priority Critical patent/JPWO2020203003A1/ja
Priority to CN202080014640.1A priority patent/CN113439239B/zh
Priority to KR1020217025504A priority patent/KR20210144669A/ko
Priority to CN202410239514.6A priority patent/CN117908338A/zh
Publication of WO2020203003A1 publication Critical patent/WO2020203003A1/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/213—Exposing with the same light pattern different positions of the same surface at the same time
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages

Definitions

  • the present invention relates to an exposure apparatus, an illumination optical system, and a device manufacturing method.
  • a scan-type exposure apparatus As an apparatus for exposure-transferring a pattern original plate on a mask to a large-sized substrate, a scan-type exposure apparatus is known in which the mask and the substrate are relatively scanned with respect to a projection optical system to perform exposure. By scan exposure, the exposure field of view is expanded in the scan direction (scanning direction), but in order to further expand the exposure field of view in the direction intersecting the scan direction (non-scan direction), multiple scan exposures are performed.
  • An exposure apparatus is also known in which regions are overlapped in a non-scanning direction.
  • a plurality of projection optical systems are provided in parallel in the non-scanning direction, and exposure is performed while overlapping a part of the exposure field to be exposed by the plurality of projection optical systems, so that electrons can be generated on the substrate by one scanning.
  • a method of exposing and transferring a circuit is also known (for example, Patent Document 1).
  • the exposure apparatus has a first exposure that exposes the first exposed region on the exposed substrate in the first time and a second exposure on the exposed substrate in a second time different from the first time.
  • an illumination optical system that has an optical integrator and supplies illumination light, a projection optical system, and the exposed substrate.
  • a substrate stage that moves the exposed substrate relative to the projection optical system in the scanning direction so that a predetermined pattern is exposed, and an incident surface on which the illumination light is incident become conjugate with the upper surface of the exposed substrate.
  • the control unit includes an illuminance changing member that changes the illuminance of the illumination light so as to change relative to the optical integrator, and a control unit that controls the relative movement of the illuminance changing member with respect to the optical integrator.
  • the exposure apparatus has a first exposure in which the first exposed region on the exposed substrate is exposed in the first time and a second exposure on the exposed substrate in a second time different from the first time.
  • an illumination optical system that has an optical integrator and supplies illumination light, a projection optical system, and the exposed substrate.
  • a substrate stage that moves the exposed substrate relative to the projection optical system in the scanning direction so that a predetermined pattern is exposed, and an incident surface on which the illumination light is incident become conjugate with the upper surface of the exposed substrate.
  • It is arranged on the incident surface side of the optical integrator provided at the position so as to be relatively movable with respect to the optical integrator, and is one of the first exposed region and the second exposed region on the exposed substrate.
  • the illuminance changing member is moved relative to the optical integrator.
  • the exposure apparatus includes a projection optical system, an illumination optical system having an optical integrator and supplying illumination light to the projection optical system, and the exposure device so that a predetermined pattern is exposed on the exposed substrate.
  • a substrate stage that moves the substrate to be exposed relative to the projection optical system in the scanning direction, and on the exposure substrate that is continuously exposed in time by the scanning exposure field of the projection optical system in the exposure.
  • An illuminance changing member that relatively changes the exposure amount of one of the exposure amount in the first region and the exposure amount in the second region exposed temporally by the scanning exposure field with respect to the other exposure amount.
  • the illuminance changing member is optically attached in the scanning direction.
  • the control unit includes a control unit that moves relative to the corresponding first direction, and the control unit increases the exposure amount of the illuminance changing member in the first region with respect to the exposure amount in the second region.
  • An exposure device that moves relative to the optical integrator as described above.
  • the exposure apparatus has a projection optical system, an illumination optical system having an optical integrator and supplying illumination light to the projection optical system, and a predetermined pattern is exposed on an exposed substrate.
  • a substrate stage for moving the exposed substrate relative to the projection optical system in the scanning direction, and the optical integrator provided at a position where the incident surface on which the illumination light is incident is conjugate with the upper surface of the exposed substrate.
  • the exposure amount in the first region on the exposed substrate which is arranged so as to be relatively movable with respect to the optical integrator on the incident surface side and is continuously exposed in time by the scanning exposure field of the projection optical system.
  • An illuminance changing member that changes the illuminance of the illumination light so as to change the exposure amount ratio of the other to the exposure amount in the second region that is exposed temporally and discretely by the scanning exposure field, and the optical integrator.
  • the device manufacturing method includes exposing the exposed substrate with the exposure apparatus according to any one of the first to fourth aspects, and developing the exposed substrate.
  • the illumination optical system is an illumination optical system used in an exposure apparatus that illuminates a substrate with illumination light, and illuminates a first illumination region on an object that is moved in the scanning direction in the first hour.
  • the illumination light is incident.
  • the optical integrator provided at a position where the incident surface is conjugate with the upper surface of the substrate and the illumination area where the illumination light is irradiated on the object, each illumination of the first illumination region and the second illumination region.
  • the illumination that illuminates the first region which is the illumination region of the other portion of the first illumination region and the other portion of the second illumination region, with the illuminance of the illumination light that illuminates the second region where a part of the region overlaps.
  • the illumination optical system is an illumination optical system used in an exposure apparatus that illuminates a substrate with illumination light, and illuminates a first illumination region on an object that is moved in the scanning direction in the first hour.
  • the illumination optical system that irradiates light and irradiates a second illumination region on the object that is moved in the scanning direction in a second time different from the first time, the illumination light is incident.
  • the optical integrator provided at a position where the incident surface is conjugate with the upper surface of the substrate and the second region on the substrate where a part of each of the first illumination region and the second illumination region overlaps are illuminated.
  • the exposure apparatus holds the illumination optical system according to the seventh or eighth aspect and the substrate, and the illumination light is exposed so that a predetermined pattern of the object is exposed on the substrate.
  • a substrate stage for relatively moving the substrate in the first direction is included.
  • the side view which shows the structure of the exposure apparatus of 1st Embodiment.
  • the perspective view which shows a part of the exposure apparatus of 1st Embodiment.
  • the perspective view which enlarged and showed from the fly eye lens to the mask of the exposure apparatus of 1st Embodiment.
  • 4 (a1), 4 (a2), and 4 (a3) are views showing the field of view on the mask, the field diaphragm in the projection optical system, and the field of view on the substrate in the projection optical system 19c in FIG. 1, respectively.
  • FIG. 4 (b1), 4 (b2), and 4 (b3) are diagrams showing a field of view on a mask, a field diaphragm in the projection optical system, and a field of view on a substrate in the projection optical system 19b in FIG. 1, respectively.
  • 5 (a) is a diagram showing an exposure field of view on a substrate of each projection optical system
  • FIG. 5 (b) is a diagram showing an exposure region formed on the substrate 22
  • FIG. 5 (c) is irradiation on the substrate.
  • FIG. 5D is a diagram showing an example of the exposure amount
  • FIG. 5D is a diagram showing another example of the exposure amount irradiated on the substrate.
  • FIG. 1 is a side view showing the exposure apparatus 100 of the first embodiment.
  • the exposure apparatus 100 includes five projection optical systems 19a to 19e, but only two of them, the projection optical systems 19a and 19b, are shown in FIG.
  • the projection optical systems 19a to 19e are optical systems that form an erect image having a projection magnification (horizontal magnification) of +1.
  • a photosensitive material in which a pattern drawn on the mask 15 is formed on the upper surface of the substrate 22. Exposure transfer to.
  • the substrate 22 on which the photosensitive material is formed can be interpreted as an exposed substrate.
  • the substrate 22 is held by the substrate stage 27 via a substrate holder (not shown).
  • the substrate stage 27 can be moved in the X direction (in addition to scanning in the X direction) on the substrate stage surface plate 28 by a linear motor or the like (not shown).
  • the position of the substrate stage 27 in the X direction is the substrate stage. It is measured by the laser interferometer 25 via the position of the moving mirror 24 attached to the 27. Similarly, the position of the substrate stage 27 in the Y direction is also measured by the laser interferometer (not shown).
  • the position detection optical system 23 detects the position of an existing pattern such as an alignment mark formed on the substrate 22.
  • the mask 15 is held by the mask stage 16.
  • the mask stage 16 can be moved in the Y direction while scanning in the X direction on the mask stage surface plate 17 by a linear motor or the like (not shown).
  • the position of the mask stage 16 in the X direction is measured by the laser interferometer 14 via the position of the moving mirror 13 attached to the mask stage 16.
  • the position of the mask stage 16 in the Y direction is also measured by a laser interferometer (not shown).
  • the control system controls the linear motor (not shown) or the like based on the measured values of the laser interferometers 14, 25 and the like to control the XY positions of the mask stage 16 and the substrate stage 27.
  • the control system controls the linear motor (not shown) or the like based on the measured values of the laser interferometers 14, 25 and the like to control the XY positions of the mask stage 16 and the substrate stage 27.
  • the mask 15 and the substrate 22 are exposed to the projection optical systems 19a to 19e while maintaining the imaging relationship by the projection optical systems 19a to 19e. It is relatively scanned in the X direction at substantially the same speed.
  • the directions (X direction) in which the substrate 22 is scanned during exposure are also referred to as "scanning direction” and "scanning direction".
  • the directions included in the plane of the substrate 22 and orthogonal to the X direction are also referred to as “non-scanning direction” and “non-scanning direction”.
  • the Z direction is a direction orthogonal to the X direction and the Y direction.
  • the direction indicated by the arrow is the + direction.
  • FIG. 2 is a perspective view showing a portion from the downstream portion of the illumination optical systems ILa to ILe of the exposure apparatus 100 of the first embodiment to the substrate 22.
  • first row projection optical system 19F three projection optical systems 19a, 19c, 19e (hereinafter, collectively or individually referred to as "first row projection optical system 19F").
  • first row projection optical system 19F three projection optical systems 19a, 19c, 19e
  • second-row projection optical system 19R are arranged in the Y direction and are more than the first-row projection optical system 19F. It is located on the + X side.
  • Each projection optical system of the projection optical system 19F in the first row is arranged with its optical axes separated in the Y direction at predetermined intervals.
  • Each optical system of the projection optical system 19R in the second row is also arranged in the same manner as the projection optical system 19F in the first row.
  • the projection optical system 19b is arranged so that the position of the optical axis in the Y direction coincides with the substantially center of the straight line connecting the optical axes of the projection optical system 19a and the projection optical system 19c.
  • the projection optical system 19d is also arranged in the same manner as the projection optical system 19b.
  • the exposure apparatus 100 of the first embodiment includes a plurality of illumination optical systems ILa to ILe corresponding to each of the projection optical systems 19a to 19e.
  • the illumination optical system ILa corresponding to the projection optical system 19a includes an input lens 8a, a fly-eye lens 11a, and a condenser lens 12a along the optical axis IXa.
  • Other illumination optics ILb to ILe also include input lenses 8b to 8e, flyeye lenses 11b to 11e, and condenser lenses 12b to 12e.
  • FIG. 2 shows only the fly-eye lenses 11a to 11e and the condenser lenses 12a to 12e among the illumination optical systems ILa to ILe. Note that FIG.
  • the illumination light supplied from the light source 1 such as a lamp passes through the light guide optical systems such as the elliptical mirror 2, the bending mirror 3, the relay lens 4, the bending mirror 5, the relay lens 6, and the optical fiber 7, and each illumination optical system ILa. ⁇ Supplied to ILe.
  • the optical fiber 7 splits the illumination light incident on one incident side 71 substantially evenly and emits it to five emitting sides 72a to 72e. Illumination light emitted from each of the five emission sides 72a to 72e of the optical fiber 7 is incident on the input lenses 8a to 8e in each illumination optical system ILa to ILe. Then, the illumination light is further applied to the illumination regions MIa to MIe on the mask 15 via the fly-eye lenses 11a to 11e and the condenser lenses 12a to 12e.
  • the incident side surfaces (planes on the input lenses 8b to 8e side) of the fly-eye lenses 11a to 11e are the upper surfaces of the substrate 22 via the projection optical systems 19a to 19e, the condenser lenses 12a to 12e, and the fly-eye lenses 11a to 11e. It is arranged at a position that becomes a conjugate surface CP that is conjugate (imaging relationship) with (the upper surface of the substrate holder on which the substrate 22 is placed or its vicinity).
  • FIG. 3 is an enlarged perspective view showing the fly-eye lens 11c and the condenser lens 12c included in the illumination optical system ILc and the illumination region MIc on the mask 15 as an example.
  • the fly-eye lens 11c is formed by arranging a plurality of lens elements 110 having a rectangular cross-sectional shape (shape in the XY plane) that is similar to the illumination region MIc and is long in the Y direction in the X direction and the Y direction. There is.
  • the incident surface 11ci upper surface, that is, the + Z side surface
  • each lens element 110 is provided with an illumination region MIc (mask 15) on the mask 15 by an optical system including each lens element 110 and a condenser lens 12c.
  • the configurations of the other illumination optical systems ILa to ILe except for the illumination optical system ILc are the same as the configurations shown in FIG.
  • the fly-eye lenses 11a to 11e are examples of optical integrators that superimpose illumination light on the respective illumination regions MIa to MIe and irradiate them.
  • Dimming members 10a to 10e which will be described later, are held and arranged on the incident surfaces 11ai to 11ei side (input lenses 8a to 8e side) of the fly eye lenses 11a to 11e by the dimming member holding portions 9a to 9e. There is.
  • Each of the projection optical systems 19a to 19e is composed of, for example, a double imaging type optical system in order to form an upright orthodox image.
  • the optical systems constituting the upper half of the projection optical systems 19a to 19e are placed on the intermediate image plane 20 near the middle of the optical axes PAXa to PAXe of the projection optical systems 19a to 19e (Z direction).
  • An intermediate image of the pattern of the mask 15 is formed.
  • the intermediate image is re-imaged by the optical systems constituting the lower halves of the projection optical systems 19a to 19e, and an image of the pattern of the mask 15 is formed on the substrate 22.
  • the intermediate image plane 20 is conjugate with the substrate 22, by arranging the field diaphragms 21a to 21e on the intermediate image planes 20 in the projection optical systems 19a to 19e, the projection optical systems 19a to 19e on the substrate 22 are arranged.
  • the exposure fields of view PIa to PIe can be defined.
  • FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the illumination regions MIa to MIe on the mask 15, the field diaphragms 21a to 21e, and the exposure fields PIa to PIe.
  • FIG. 4A1 is a diagram showing the illumination region MIc on the mask 15 corresponding to the projection optical system 19c, and the illumination region MIc has a rectangular shape similar to the cross-sectional shape of the lens element 110 of the fly-eye lens 11c. There is.
  • FIG. 4A2 is a diagram showing a field diaphragm 21c in the projection optical system 19c and the illumination light MIc2 emitted therein.
  • the field diaphragm 21c is irradiated with the illumination light MIc2 shown by the broken line, which is an intermediate image of the illumination region MIc on the mask 15.
  • the illumination light MIc2 the illumination light irradiated to the light-shielding portion (the portion indicated by the diagonal line) of the field diaphragm 21c is shielded by the field diaphragm 21c.
  • the illumination light transmitted through the opening 21co of the field diaphragm 21c is reimaged on the substrate 22 by the optical system constituting the lower half of the projection optical system 19c, and the exposure field PIc is formed on the substrate 22.
  • FIG. 4A3 shows an exposure field of view PIc on the substrate 22.
  • the illumination light MIC2 which is an intermediate image
  • the illumination region MIc an image in which both the X and Y directions of the image are inverted and not a mirror image.
  • the exposure field PIc is an inverted normal image with respect to the field diaphragm 21c. Therefore, as shown in FIGS. 4 (a2) and 4 (a3), the shape of the opening 21co of the field diaphragm 21c and the shape of the exposure field PIc coincide with each other rotated 180 degrees around the Z axis. ..
  • the exposure field of view PIc is a trapezoid in which the short side of the two sides parallel to the Y direction is on the + X side and the long side is on the ⁇ X side.
  • a rectangular region surrounded by all the short sides on the + X side and a part of the long sides on the ⁇ X side is called a central region PIcc.
  • the end of the exposure field of view PIc in the + Y direction that is not included in the central region PIcc is called the left end region PIcl
  • the end of the exposure field of view PIc that is not included in the central region PIcc in the -Y direction is called the right end region PIcr.
  • the length (width) of the central region PIcc in the Y direction is called the width Ws
  • the length (width) of the leftmost region PIcl and the rightmost region PIcr in the Y direction are equal, and this is called the width Wo.
  • FIGS. 4 (b1) to 4 (b3) are diagrams showing the illumination region MIb on the mask 15, the field diaphragm 21b, and the exposure field of view PIb corresponding to the projection optical system 19b, respectively.
  • the shape of the opening 21bo of the field diaphragm 21b is a shape obtained by reversing the shape of the opening 21co of the field diaphragm 21c of the projection optical system 19c in the X direction.
  • the shape of the exposure field of view PIb of the projection optical system 19b is a shape obtained by reversing the shape of the exposure field of view PIc of the projection optical system 19c in the X direction.
  • the rectangular area surrounded by all the short sides on the -X side and a part of the long sides on the + X side is called the central area PIbc.
  • the end in the + Y direction that is not included in the central region PIbc is called the left end region PIbl
  • the end of the exposure field of view PIb that is not included in the center region PIbc in the ⁇ Y direction is called the right end region PIcr. ..
  • FIG. 5A is a diagram showing each exposure field of view PIa to PIe of the five projection optical systems 19a to 19e on the substrate 22.
  • the exposure fields PIa and PIe of the projection optical systems 19a and 19e, which are the projection optical systems 19F of the first row, are the short sides of the two sides parallel to the Y direction, similarly to the exposure field PIc of the projection optical system 19c described above. Is a trapezoid with the + X side and the long side on the -X side.
  • the short side of the two sides parallel to the Y direction is ⁇ , similar to the exposure field of view PIb of the projection optical system 19b described above. It is a trapezoid with a long side on the + X side on the X side.
  • the central regions PIac, PIdc, and PIec, and the leftmost regions PIal, PIdl, PIel, and the rightmost region PIar are also the same as the above-mentioned exposure fields of PIb and PIc.
  • PIdr, PIer can be defined.
  • the exposure field PIa arranged at the end in the ⁇ Y direction does not have the right end region PIar because the field diaphragm 21a blocks the illumination light so that the end in the ⁇ Y direction is parallel to the X direction. ..
  • the exposure field PIe arranged at the end in the + Y direction blocks the illumination light so that the end in the + Y direction is parallel to the X direction by the field diaphragm 21a, so that the left end region PIal does not exist.
  • the shapes of the field diaphragms 21a and 21e may be different from the shapes of the field diaphragms 21c, or another member may be used to block the illumination light so that the right end region PIar does not exist in the exposure field diaphragm PIa. You may try to do it.
  • the lengths of the central regions PIac to PIec of each exposure field of view PIa to PIec in the Y direction are all equal to the width Ws, and the lengths of the leftmost region PIal to PIdl and the rightmost region PIbr to PIer are all equal to the width Wo. Then, in the two exposure fields of the exposure fields PIa to PIe adjacent to each other in the Y direction, the positions of the adjacent left end regions PIal to PIdl and the right end regions PIbr to PIer are the same in the Y direction.
  • Such a shape and position of each exposure field PIa to PIe is set by setting the arrangement position of the projection optical systems 19a to 19e and the shape and position of the openings 21ao to 21eo of the field diaphragms 21a to 21e.
  • FIG. 5B shows an exposure region formed on the substrate 22 when the substrate 22 is scanned in the X direction by the substrate stage 27 and exposed by the exposure fields PIa to PIe shown in FIG. 5A. It is a figure which shows. Scanning exposure fields SIa to SIe exposed by the respective exposure fields PIa to PIe by scanning exposure are formed on the substrate 22.
  • the scanning exposure visual fields SIa, SIc, and SIe formed by the projection optical systems 19a, 19c, and 19e in the first row are indicated by two-dot chain lines, and are formed by the projection optical systems 19b, 19d in the second row.
  • the scanning exposure fields of view SIb and SId are indicated by alternate long and short dash lines.
  • the exposure fields PIa to PIe are extended in the X direction by scanning exposure in the X direction.
  • the exposure area by the left end region PIal and the exposure area by the right end region PIbr match. Since the same applies to other exposure regions, the description thereof will be omitted.
  • the portion exposed by one of the scanning exposure fields SIa to SIe is also referred to as a non-overlapping portion Sa to Se, and two of the scanning exposure fields SIa to SIe are exposed in an overlapping manner.
  • the overlapped portion is also referred to as an overlapping portion Oa to Od.
  • the leftmost regions PIal to PIdl and the rightmost regions PIbr to PIer are exposure fields of view corresponding to the overlapping portions Oa to Od
  • the central regions PIac to PIec are located in the non-overlapping portions Sa to Se. The corresponding exposure field of view.
  • the overlapping portions Oa to Od exposed by overlapping each of the two scanning exposure fields SIa to SIe are first exposed by the projection optical systems 19a, 19c, 19e in the first row, and then the projection optics in the second row. Since the exposure is performed by the systems 19b and 19d, the exposure is divided in time. In other words, the overlapped portions Oa to Od are exposed in a discrete manner in time.
  • the non-overlapping portions Sa to Se are regions exposed by one of the scanning exposure visual fields SIa to SIe, and are regions that are continuously exposed without being divided in time.
  • the non-overlapping portions Sa to Se, which are continuously exposed in time can also be interpreted as the first region.
  • the overlapping portions Oa to Od in which the exposure is performed discretely in time can be interpreted as the second region.
  • FIG. 5C is a graph showing the exposure amount E exposed on the substrate 22 by scanning exposure in the X direction.
  • the vertical axis of the graph is the exposure amount
  • the horizontal axis is the coordinates in the Y direction.
  • the values obtained by integrating the exposure fields of view PIa to PIe in the X direction are equal in each minute section in the Y direction, and within each exposure field of view PIa to PIe due to the action of the fly-eye lens 11 or the like. Since the illuminance of the above is uniform, the exposure amount E on the substrate 22 becomes a constant value E1. That is, in the Y direction, the exposure amount E in the non-overlapping portions Sa to Se and the exposure amount E in the overlapping portions Oa to Od both have the value of the exposure amount E equal to E1.
  • the exposure amount is different from the exposure amount E1 in the non-overlapping portions Sa to Se.
  • Such a phenomenon occurs, for example, when the projection optical systems 19a, 19c, 19e in the first row and the scanning exposure fields SIb, SId by the projection optical systems 19b, 19d in the second row are displaced from each other in the Y direction. Occurs in.
  • the substrate 22 to be exposed is deformed due to heat or the like due to the process, and in order to correct this deformation, the substrate stage 27 is scanned in a direction deviated from the X direction and exposed.
  • FIG. 5D is a graph showing the exposure amount E when the exposure amount in the overlapped portions Oa to Od is different from the exposure amount E1 in the non-overlapping portions Sa to Se.
  • FIG. 5D shows, as an example, an example in which the scanning exposure fields SIb and SId are deviated in the ⁇ Y direction with respect to the scanning exposure fields SIa, SIc and SIe.
  • the exposure amount increases in the overlap portions Oa and Occ, and the exposure amount decreases in the overlap portions Ob and Od.
  • the exposure amount is different from the exposure amount E1 in the overlapping portions Oa and Occ. It decreases, and the exposure amount increases at the overlapping portions Ob and Od.
  • the degree of reaction of the photosensitive material on the substrate 22 differs between the overlapping portions Oa to Od and the non-overlapping portions Sa to Se. Therefore, the line width and thickness of the pattern transferred to the photosensitive material will change.
  • the same phenomenon occurs when the substrate to be exposed 22 is locally deformed due to heat from the process or the like.
  • the distribution of the exposure amount E shown in the graph of FIG. 5 (d) is not obtained on the entire surface of the exposed substrate 22, and only the locally deformed region of the exposed substrate 22 is shown. The distribution of the exposure amount E shown in the graph of 5 (d) is obtained.
  • the exposure amount is different from the exposure amount E1 in at least one overlapping region due to the uneven thickness of the photosensitive material applied to the exposed substrate 22 as well as the local deformation of the exposed substrate 22. An area that becomes the exposure amount is generated.
  • the side of the incident surfaces 11ai to 11ei of the fly-eye lenses 11a to 11e of the illumination optical systems ILa to ILe that is, the input lenses 8a to 8e and the fly-eye lenses 11a to 11e.
  • Dimming members 10a to 10e which are examples of illuminance changing members, are provided at a position between the two, and in the vicinity of the incident surfaces 11ai to 11ei of the fly-eye lenses 11a to 11e.
  • the dimming members 10a to 10e are movably held by the dimming member holding portions 9a to 9e in the X direction, which is a direction substantially orthogonal to the optical axes Ixa to Ixe of the respective illumination optical systems ILa to ILe. ..
  • the positions of the dimming members 10a to 10e in the X direction are controlled by the control signals SigA to SigE from the control unit 50.
  • FIG. 6 shows a fly-eye lens 11c provided in the illumination optical system ILc, a dimming member 10c (10ca1, 10ca2, 10ccb1, 10ccb2, 10cc1, 10cc2), and a dimming member holding portion 9c (9ca, 9cc, 9cc). Is a view seen from the input lens 8c side.
  • the dimming member 10c and the dimming member holding portion 9c provided in the illumination optical system ILc will be described with reference to FIG. The same applies to the dimming members 10a to 10e and the dimming member holding portions 9a to 9e provided in the other illumination optical systems ILa to ILe.
  • the fly-eye lens 11c has a plurality of lens blocks in which a plurality of lens elements 110 having a rectangular cross section long in the Y direction are arranged in the X direction, and a plurality of lens blocks are arranged in the Y direction.
  • FIG. 6 is a view of the fly-eye lens 11c as viewed from the input lens 8c side, which is the side of the incident surfaces 11ai to 11ei.
  • the incident side surface of each lens element 110 is a conjugate surface CP with respect to the exposure field of view PIc formed on the substrate 22. Therefore, in FIG. 6, the exposure field-corresponding region IPIc, which is the region corresponding to the exposure field of view PIc, is shown by a broken line in each lens element 110. It is assumed that the lateral magnification of the exposure field corresponding region IPIc with respect to the exposure field PIc is ⁇ times.
  • the exposure apparatus 100 of the first embodiment includes, as the dimming member 10c, a first end dimming member 10ccb1, 10cc2, a second end dimming member 10cc1, 10cc2, and a third dimming member 10ca1, 10ca2. , Prepared.
  • the width Wb in the Y direction of the first end dimming member 10cc1, 10cc2 and the second end dimming member 10cc1, 10cc2 is ⁇ times the width Wo of the right end region PIcr and the left end region PIcl of the exposure field of view PIc. Approximately equal.
  • the first end dimming members 10ccb1 and 10ccb2 are arranged on the + X direction side of the fly-eye lens 11c and correspond to the left end region PIcl of the exposure field of view PIc in the exposure field of view corresponding area IPIc of some lens elements 110. Cover the part and dimming.
  • the second end dimming members 10cc1 and 10cc2 are arranged on the + X direction side of the fly-eye lens 11c and correspond to the right end region PIcr of the exposure field of view PIc in the exposure field of view corresponding area IPIc of some lens elements 110. Cover the part and dimming.
  • the first end dimming members 10 kb1 and 10 kb2 cover at least a part of the left end region PIcl corresponding to the overlap portion Occ of one or more lens elements 110 arranged in at least one lens block. It can be interpreted as a dimming member.
  • the second end dimming members 10cc1 and 10cc2 form at least a part of the right end region PIcr corresponding to the overlap portion Ob of one or more lens elements 110 arranged in at least one lens block. It can be interpreted as a dimming member.
  • the width Wa of the third dimming members 10ca1 and 10ca2 in the Y direction is substantially equal to ⁇ times the width Ws of the central region PIcc of the exposure field of view PIc.
  • the third end dimming members 10ca1 and 10ca2 are arranged on the ⁇ X direction side of the fly-eye lens 11c and correspond to the central region PIcc of the exposure field of view PIc in the exposure field of view corresponding area IPIc of some lens elements 110. It covers the part to be covered and dims.
  • the third end dimming members 10ca1 and 10ca2 reduce at least a part of the central region PIcc corresponding to the non-overlapping portion Sc of one or more lens elements 110 arranged in at least one lens block. It can be interpreted as a shining member.
  • the first end dimming members 10ccb1 and 10ccb2 are held by the slider 91b, and the slider 91b is movably held in the X direction by the dimming member holding portion 9cc.
  • the relative positional relationship between the slider 91b and the dimming member holding unit 9cc is measured by an encoder or the like and transmitted to the control unit 50. Further, the relative positional relationship between the slider 91b and the dimming member holding portion 9cc, that is, the positions of the first end dimming members 10ccb1 and 10ccb2 in the X direction are controlled by the control signal SigCb from the control unit 50.
  • the second end dimming members 10cc1 and 10cc2 are also held by the slider 91c, and the slider 91c is movably held in the X direction by the dimming member holding portion 9cc.
  • the third dimming members 10ca1 and 10ca2 are also held by the slider 91a in the same manner, and the slider 91a is movably held in the X direction by the dimming member holding portion 9ca.
  • the positions of the second end dimming members 10cc1, 10cc2 and the third dimming members 10ca1 and 10ca2 in the X direction are also measured in the same manner as described above, and are controlled by the control signals SigCc and SigCa from the control unit 50, respectively.
  • the number of lens elements 110 dimmed by the first end dimming members 10ccb1 and 10ccb2 can be changed.
  • the exposure amount of the overlapping portion Oct on the substrate 22 can be increased or decreased.
  • the second end dimming members 10cc1 and 10cc2 in the ⁇ X direction the number of lens elements 110 dimmed by the second end dimming members 10cc1 and 10cc2 can be changed.
  • the exposure amount of the overlapping portion Ob on the substrate 22 can be increased or decreased.
  • the third dimming members 10ca1 and 10ca2 by moving the third dimming members 10ca1 and 10ca2 in the ⁇ X direction, the number of lens elements 110 dimmed by the third dimming members 10ca1 and 10ca2 can be changed. Thereby, the exposure amount of the non-overlapping portion Sc on the substrate 22 can be increased or decreased. From the above, by appropriately adjusting the positions of the first end dimming members 10cc1, 10cc2, the second end dimming members 10cc1, 10cc2, and the third dimming members 10ca1, 10ca2 in the X direction, respectively. The exposure amount of the overlapping portion Ob on the substrate 22 can be relatively increased or decreased with respect to the exposure amount of the non-overlapping portion Sc on the substrate 22.
  • control unit 50 is scanning in the X direction to expose the substrate 22, the first end dimming members 10cc1, 10ccb2, the second end dimming members 10cc1, 10cc2, and the third.
  • the positions of the dimming members 10ca1 and 10ca2 in the X direction may be adjusted appropriately.
  • the control unit 50 receives the first end dimming member 10cc1, 10ccb2, the second end dimming member 10cc1, 10cc2, and the third dimming.
  • the positions of the dimming members 10ca1 and 10ca2 in the X direction may be changed.
  • the control unit may move the dimming members in the X direction according to the thickness of the photosensitizer on the substrate 22.
  • the exposure apparatus 100 detects local deformation on the substrate 22 and uneven coating of the photosensitizer while scanning in the X direction to expose the substrate 22 or before scanning and exposing the substrate 22.
  • a measuring unit may be provided.
  • the dimming member 10c (first end dimming member 10cc1, 10ccb2, second end dimming member 10cc1, 10cc2, third dimming member 10ca1, 10ca2) may be a thin metal plate and is transparent. It may be a dimming film formed by a dimming member on a glass plate.
  • the dimming member 10c is not limited to a member that completely blocks the illumination light such as a filter, and may be a member that blocks and transmits only a part of the illumination light. That is, the dimming member 10c may be an illuminance changing member for changing the illuminance.
  • the dimming members 10a, 10b, 10d, 10e provided in the other illumination optical systems ILa, ILb, ILd, ILe, and the dimming member holding portions 9a, 9b, 9d, 9e also have the above-mentioned dimming member 10c and dimming.
  • the structure is the same as that of the member holding portion 9c.
  • the exposure amount of the right end region PIbr and PIdr of each exposure field PIb and PId is moved by moving the second end dimming member in the illumination optical system ILb and ILd in the + X direction.
  • increase the exposure amount of the left end region PIal, PIcl, PIel of each exposure field PIa, PIc, PIe by moving the first end dimming member in the illumination optical system ILa, ILc, ILe in the ⁇ X direction.
  • the exposure amounts of the overlapped portions Oa and Occ are made equal to the exposure amounts of the non-overlapping portions Sa to Se.
  • the exposure amount may be adjusted by moving the second end dimming member in the + X direction and the first end dimming member in the ⁇ X direction.
  • the second end dimming member in the illumination optical systems ILa, ILc and ILe may be moved in the + X direction, or the first end dimming member in the illumination optical systems ILb and ILd may be dimmed.
  • the exposure amount of the overlapping portions Ob and Od may be made equal to the exposure amount of the non-overlapping portions Sa to Se.
  • the dimming member 10c moves from above the fly-eye lens 11c in the ⁇ X direction, the exposure amount of the non-overlapping portion Sc increases as compared with that before the movement, so it can be said that the dimming member 10c functions as an increasing member.
  • the first end dimming member and the second end dimming member move from above the fly-eye lens 11c in the + X direction, the exposure amount of the overlapping portion Occ increases as compared with that before the movement. Therefore, it can be said that it functions as an increasing member.
  • the dimming member 10c moves from above the fly-eye lens 11c in the ⁇ X direction, but may be moved to a position that does not overlap with the fly-eye lens 11c in the X direction, or the dimming member 10c and the fly-eye lens 11c. It may be moved so that the amount of overlap in the X direction with and is small.
  • the dimming member 10c Since the dimming member 10c is arranged at a position separated by a predetermined distance in the Z direction from the incident surface 11ci of the fly-eye lens 11c, the edge of the dimming member 10c in the XY direction on the incident surface 11ci of the fly-eye lens 11c. Is projected blurry. Conversely, how far the dimming member 10c should be arranged in the Z direction from the incident surface 11ci of the fly-eye lens 11c depends on the amount of penumbra blur on the edge of the dimming member 10c on the substrate 22.
  • the dimming member 10c has a mechanism that the position of the fly-eye lens 11c in the Z direction with respect to the incident surface 11ci can be changed, that is, the distance between the dimming member 10c and the fly-eye lens 11c in the Z direction can be changed. Then it is good.
  • the width of the overlapping portions Oa to Od in the Y direction is DW
  • the lateral magnification of the substrate 22 with respect to the incident surface 11ci of the fly-eye lens 11c is ⁇
  • the numerical aperture of the illumination light on the incident surface 11ci of the fly-eye lens 11c is NA.
  • the distance D of the dimming member 10c from the incident surface 11ci of the fly-eye lens 11c in the Z direction is 0 ⁇ D ⁇ 1.2 x DW / ( ⁇ ⁇ NA) ⁇ ⁇ ⁇ (1) It is good to say.
  • the distance D satisfies the equation (1), the influence of the exposure amount change (exposure amount unevenness) on the substrate 22 due to the edge of the dimming member 10c can be further reduced.
  • the position of the dimming member 10c in the X direction is determined by, for example, performing test exposure under a plurality of conditions in which the insertion amount (position in the X direction) of the dimming member 10c is set in several different stages, and the optimum result is obtained. It is good to determine the appropriate insertion amount. Further, the thickness of the photosensitive material applied to the substrate 22 may be measured by a measuring device provided inside the exposure apparatus 100, and the optimum insertion amount of the dimming member 10c may be determined from the result. The measuring device may be provided outside the exposure device 100. Further, when determining the insertion amount of the dimming member 10c, it is preferable to use the illuminance sensor 26 provided on the substrate stage 27 to measure the illuminance of each part in the exposure field of view PIc.
  • the + X-direction ends of the two dimming members 10ca1 and 10ca2 constituting the third dimming member shown in FIG. 6 have the pitches of the arrangement of the lens elements 110 of the fly-eye lens 11c in the X-direction. It is off by half of the PX.
  • each lens element 110 there is an exposure field of view corresponding region IPIcw corresponding to the exposure field of view PIc, but the exposure field of view corresponding area IPIcw extends over the entire surface of the lens element 110 in the X direction. is not.
  • both ends of the lens element 110 in the X direction do not correspond to the exposure field of view PIc on the substrate 22, are projected onto the field diaphragm 21c in the projection optical system 19c, and are shaded by the field diaphragm 21c. ..
  • the ends of the dimming members 10ca1 and 10ca2 in the + X direction are near both ends of the lens element 110 in the X direction, even if the dimming members 10ca1 and 10ca2 are moved in the X direction, the substrate 22 The upper exposure amount cannot be changed. Therefore, in the first embodiment, the ends of the two dimming members 10ca1 and 10ca2 in the + X direction are shifted by half the pitch PX of the arrangement of the lens elements 110 in the X direction.
  • the other + X direction end of the two dimming members 10ca1 and 10ca2 is near both ends in the X direction of the lens element 110, the other + X direction end is the lens element. It is arranged near the center of 110 in the X direction. Therefore, the exposure amount on the substrate 22 can always be changed by moving the two dimming members 10ca1 and 10ca2 together in the X direction.
  • the dimming members 10c1 and 10c2 may be independently moved in the X direction.
  • the dimming members 10ca1 and 10ca2 are not limited to the above-mentioned two, but may be three or more, and each may be arranged in a different lens block. Also in this case, if the number of dimming members is m (m is a natural number of 2 or more), the ends of each dimming member in the + X direction are set to be offset by PX / m with respect to the pitch PX. It is preferable that it is.
  • the dimming members 10cc1, 10cc2 and the second end dimming members constituting the first end dimming member The same applies to the position and number of dimming members 10cc1 and 10cc2 constituting the optical member in the ⁇ X direction.
  • the dimming member 10c is arranged at a position separated by a predetermined distance in the Z direction from the incident surface 11ci of the fly-eye lens 11c, but the present invention is not limited to this.
  • the dimming member 10c may be provided on the incident surface 11ci of the fly-eye lens 11c, that is, the conjugate surface CP with respect to the upper surface of the substrate 22.
  • the dimming member 10c completely blocks the illumination light, when it is arranged so as to coincide with the conjugated surface CP, the exposure amount of the overlapping portions Oa to Od and the non-overlapping portions Sa to Se There is a risk that the exposure amount of the part will change discontinuously.
  • the dimming member 10c deforms its shape or continuously changes the shading rate of the illumination light according to the position in the Y direction such as a filter. Further, the shading rate of the illumination light may be changed by the first end dimming members 10cc1, 10cc2, the second end dimming members 10cc1, 10cc2, and the third end dimming members 10ca1, 10ca2.
  • the first end dimming members 10cc1 and 10ccb2 and the second end dimming members 10cc1 and 10cc2 are arranged on the ⁇ X direction side of the fly eye lens 11c, and the third end portion.
  • the dimming members 10ca1 and 10ca2 are arranged on the + X direction side of the fly-eye lens 11c, but the arrangement is not limited to this.
  • the dimming members 10c are moved in the X direction, if the dimming members 10c do not collide or mechanically interfere with each other, all the dimming members 10c are moved to the + X direction side of the fly eye lens 11c or-. It may be arranged on the X-direction side, and the size of the illumination optical systems ILa to ILe in the X-direction can be reduced.
  • the dimming member 10c does not overlap with the exposure amount of the overlapping portions Ob and Od by moving the first end dimming members 10cc1 and 10cc2 and the second end dimming members 10cc1 and 10cc2 in the X direction. Since the ratio to the exposure amount of the parts Sa to Se can be changed, the third end dimming members 10ca1 and 10ca2 are omitted, and the first end dimming members 10cc1, 10ccb2 and the second end dimming member are omitted. It may be composed of only 10cc1 and 10cc2.
  • the dimming member 10 may be composed of only the third end dimming members 10ca1 and 10ca2 by omitting the first end dimming members 10cc1 and 10cc2 and the second end dimming members 10cc1 and 10cc2. Good.
  • the configurations of the dimming members 10a to 10e in all the illumination optical systems ILa to ILe are the same, but the configuration is not limited to this, and for example, the projection optical system in the first row.
  • the configuration of the dimming member may be changed between the 19F and the projection optical system 19R in the second row, or the configuration of the dimming member may be changed for each of the illumination optical systems ILa to ILe.
  • the dimming of the illumination optical systems ILa to ILe that project the illumination light onto the region of the illumination optical systems ILa to ILe In an illumination optical system in which only the member is moved and the illumination term is projected to another region, the dimming member may not be moved.
  • the first end dimming members 10cc1 and 10cc2 are two rows in the + Y direction of the lens elements, while the second end dimming members 10cc1 and 10cc2 are ⁇ Y of the lens elements.
  • the third end dimming members 10ca1 and 10ca2 are relatively moved in the X direction with respect to the central two rows of the lens elements with respect to the two rows in the direction, but the present invention is not limited to this.
  • the first end dimming member 10cc1, 10ccb2, the second end dimming member 10cc1, 10cc2, and the third end dimming member 10ca1, 10ca2 are all in the X direction with respect to the lens elements arranged in the same row. It may be moved relative to each other, or it may be partially different.
  • each of the dimming members 10a to 10e may be composed of a plurality of dimming members stacked in the Z direction.
  • the plurality of dimming members may move relative to each other in the Y direction, in other words, the plurality of dimming members may move relative to the fly-eye lens 11 in the Y direction. In this way, the exposure amount distribution on the substrate 22 can be changed by the illuminance changing member moving relative to the fly-eye lens 11 in any one of the X direction, the Y direction, and the Z direction.
  • Modification 5 In the above first embodiment and each modification, it is assumed that five projection optical systems 19a to 19e are provided, but the number of projection optical systems is not limited to five, and the number of projection optical systems is not limited to five, such as three or eight. It may be. Further, in the above first embodiment and each modification, there are a plurality of projection optical systems 19a to 19e, and a plurality of exposure fields SIa to SIe formed by each projection optical system by scanning in the X direction once. Are supposed to overlap each other in the Y direction.
  • the illumination optical system corresponding to one projection optical system has the same configuration as the illumination optical systems ILa to ILe described above.
  • An apparatus having a plurality of projection optical systems 19a to 19e as in the first embodiment and each modification described above can expose a larger area on the substrate 22 with a single scanning exposure, and is processed. Excellent ability.
  • the plurality of projection optical systems 19a to 19e are composed of total internal reflection optical systems, but the present invention is not limited to this, and a catadioptric reflection optical system or a total internal reflection optical system may be adopted. You can also.
  • the shapes of the exposure fields PIa to PIe are assumed to be trapezoidal, but this is not limited to the trapezoidal shape, and for example, the portion corresponding to the central portion thereof.
  • the shape of is an arc, and the field of view may have a right end region and a left end region of a triangle at both ends of the arc.
  • the optical axes PAXa to PAXe of the projection optical systems 19a to 19e and the optical axes IXa to IXe of the illumination optical systems ILa to ILe are basically in the Z direction. It is assumed that they are set in parallel. However, when the folding mirror is adopted in any of the optical systems, the direction of the optical axis is not parallel to the Z direction. Further, when the bending mirror is adopted in any of the optical systems, the moving direction of the dimming members 10a to 10e is also different from the scanning direction (X direction) of the substrate 22.
  • the dimming members 10a to 10e are oriented in a direction optically corresponding to the scanning direction of the substrate 22 based on the conjugate relationship between the substrate 22 including the folding mirror and the flyeye lenses 11a to 11e. It should be movable.
  • each of the projection optical systems 19a to 19e two rows of optical systems of a first row of projection optical systems 19F and a second row of projection optical systems 19R are arranged in the X direction.
  • this is not limited to two rows, and three or more rows of optical systems may be arranged in the X direction.
  • a rod integrator can be adopted instead of the fly-eye lens 11 described above.
  • the conjugate surface CP between the substrate 22 and the mask 15 is on the injection side of the rod integrator (the side of the mask 15), so the dimming member 10 is also arranged near the injection side of the rod integrator. To do. Then, the vicinity of one end on the X side of the injection surface of the rod integrator is partially shielded from light.
  • the dimming members 10a to 10e may be arranged in the vicinity of the intermediate image plane 20 of the projection optical systems 19a to 19e. Also in this case, the dimming member is configured to shield the portion corresponding to the central region PIac to PIec of the exposure fields PIa to PIe in the vicinity of the intermediate image plane 20.
  • an intermediate image plane (conjugated surface to the mask 15) is provided inside the illumination optical systems ILa to ILe, and is intermediate in the illumination optical systems ILa to ILe.
  • a field diaphragm may be provided on the image plane to define the shapes of the exposure fields PIa to PIe on the substrate 22.
  • the projection optical systems 19a to 19e and the illumination optical systems ILa to ILe are fixed and the substrate 22 is moved by the substrate stage 27, but instead, the projection optical systems 19a to 19e and the illumination optics are used.
  • the systems ILa to ILe may be provided on the substrate stage and scanned against the substrate 22.
  • the mask 15 is not limited to a mask in which a pattern is formed on a glass substrate, and may be a variable shaping mask composed of a digital multi-mirror device or a liquid crystal device.
  • the exposure apparatus 100 is an exposure apparatus for liquid crystals that transfers a liquid crystal display element pattern onto a square glass plate, and can be applied to, for example, an exposure apparatus for manufacturing an organic EL (Electro-Lumisensence) panel. Further, in order to manufacture masks or reticle used not only in microdevices such as semiconductor elements but also in optical exposure equipment, EUV exposure equipment, X-ray exposure equipment, electron beam exposure equipment and the like, glass substrates or silicon wafers and the like are used. It can also be applied to an exposure apparatus that transfers a circuit pattern. The substrate (glass plate, etc.) exposed by the exposure apparatus 100 is developed by a developing apparatus (not shown), and if necessary, etching processing or the like is performed based on the pattern of the photosensitive material formed by the exposure and development processing. It is said.
  • a developing apparatus not shown
  • the exposure target is not limited to the glass substrate, and other objects such as wafers, ceramic substrates, film members, mask blanks, and the like may be used.
  • the thickness of the substrate is not particularly limited, and for example, a film-like (flexible sheet-like member) is also included.
  • the exposure apparatus of the first embodiment and each modification is particularly effective when a substrate having a side length or a diagonal length of 500 mm or more is an exposure target. Further, when the substrate to be exposed is in the form of a flexible sheet, the sheet may be formed in a roll shape.
  • the exposure apparatus 100 of the first embodiment or each modification has a first exposure that exposes a first exposure region (scanning exposure field SIa, SIc, SIe) on the exposed substrate 22 in the first time, and a first exposure.
  • the optical integrator 11a Illumination optical systems ILa to ILe having ⁇ 11e and supplying illumination light, projection optical systems 19a to 19e, and the projection optical system 19a on the exposed substrate 22 so that a predetermined pattern is exposed on the exposed substrate 22.
  • It includes a substrate stage 27 that moves relative to the scanning direction (X direction) with respect to 19e. Then, the optical integrators 11a to 11e are placed on the incident surface side of the optical integrators 11a to 11e provided at positions where the incident surfaces 11ai to 11ei on which the illumination light is incident are conjugate with the upper surface of the exposed substrate 22 (conjugated surface CP). Exposure that is arranged so as to be relatively movable with respect to the exposed substrate 22 and exposes a second region (overlap portions Oa to Od) on the exposed substrate 22 in which a part of each region of the first exposure region and the second exposure region overlaps.
  • One of the amount and the exposure amount for exposing the first region is relative to the other. It is provided with an illuminance changing member 10a to 10e for changing the illuminance of the illumination light so as to change the exposure light, and a control unit 50 for controlling the relative movement of the illuminating member 10a to 10e with respect to the optical integrators 11a to 11e. Further, the control unit 50 sets the exposure amount of the illuminance changing members 10a to 10e in the first region (non-overlapping parts Sa to Se) relative to the exposure amount in the second region (overlap parts Oa to Od). Move relative to the optical integrator so that it becomes larger.
  • the exposure apparatus 100 of the first embodiment or each modification has a first exposure for exposing the first exposure region (SIa, SIc, SIe) on the exposed substrate 22 in the first time, and a first time.
  • the exposed substrate 22 is scanned against the projected optical systems 19a to 19e so that a predetermined pattern is exposed on the illumination optical systems ILa to ILe, the projection optical systems 19a to 19e, and the exposed substrate 22 that supply the illumination light. It includes a substrate stage 27 that moves relative to the direction (X direction).
  • the incident surfaces 11ai to 11ei on which the illumination light is incident are arranged on the incident surface side of the optical integrator provided at a position where it is conjugate with the upper surface of the exposed substrate 22 so as to be movable relative to the optical integrator.
  • the exposure amount for exposing the second region (overlapping portions Oa to Od) on the exposure substrate 22 where a part of each region of the first exposure region and the second exposure region overlaps, and the other portion of the first exposure region and Illumination change that changes the illuminance of the illumination light so as to change the exposure amount ratio of the other to the exposure amount that exposes the first region (non-overlapping parts Sa to Se), which is the other region of the second exposure region.
  • the members 10a to 10e and a control unit 50 that controls the relative movement of the illuminance changing member with respect to the optical integrator are provided. Further, the control unit 50 moves the illuminance changing members 10a to 10e relative to the optical integrator while the substrate stage 27 is moving with respect to the projection optical systems 19a to 19e.
  • the control unit 50 moves the illuminance changing members 10a to 10e relative to the optical integrator while the substrate stage 27 is moving with respect to the projection optical systems 19a to 19e.
  • the exposure apparatus 100 of the first embodiment or each modification has the projection optical systems 19a to 19e and the optical integrators 11a to 11e, and supplies illumination light to the projection optical systems 19a to 19e. It includes an ILe and a substrate stage 27 that moves the exposed substrate 22 relative to the projection optical systems 19a to 19e in the scanning direction so that a predetermined pattern is exposed on the exposed substrate 22. Further, in the exposure, the exposure amount in the first region (non-overlapping portions Sa to Se) on the exposed substrate 22 which is continuously exposed in time by the scanning exposure fields SIa to SIe of the projection optical system and the scanning exposure.
  • the illuminance changing members 10a to 10e that relatively change the exposure amount of one and the other exposure amount with respect to the exposure amount in the second region (overlap portions Oa to Od) that are exposed temporally and discretely by the visual field.
  • the illumination changing members 10a to 10e are scanned in the scanning direction with respect to the optical integrator provided at the position where the incident surfaces 11ai to 11ei of the illumination light are the conjugate surfaces CP with respect to the scanning exposure fields SIa to SIe on the exposed substrate 22. It is provided with a control unit that optically moves relative to the first direction.
  • control unit 50 relatives the exposure amount of the illuminance changing members 10a to 10e in the first region (non-overlapping parts Sa to Se) to the exposure amount in the second region (overlap parts Oa to Od). Move relative to the optical integrator so that it becomes larger. With this configuration, it is possible to adjust the ratio of the exposure amount of the first region (non-overlapping portions Sa to Se) and the exposure amount of the second region (overlapping portions Oa to Od), and the first region can be adjusted. It is possible to prevent changes in the line width and thickness of the transferred pattern in the second region.
  • the exposure apparatus 100 of the first embodiment or each modification has the projection optical systems 19a to 19e and the optical integrators 11a to 11e, and supplies the illumination light to the projection optical systems 19a to 19e. It includes an ILe and a substrate stage 27 that moves the exposed substrate 22 relative to the projection optical systems 19a to 19e in the scanning direction (X direction) so that a predetermined pattern is exposed on the exposed substrate 22. .. Then, the incident surfaces 11ai to 11ei on which the illumination light is incident can be moved relative to the optical integrator to the incident surface side of the optical integrator provided at a position where the incident surfaces 11ai to 11ei are conjugate with the upper surface of the exposed substrate 22 (conjugated surface CP).
  • the illuminance changing members 10a to 10e that change the illuminance of the illumination light so as to change the exposure amount ratio of the other to the exposure amount in the second region (overlapping portions Oa to Od) that are separately exposed in time.
  • a control unit 50 that controls the relative movement of the illuminance changing members 10a to 10e with respect to the optical integrators 11a to 11e, and the control unit 50 is provided with the illuminance changing member 50 while the substrate stage is moving with respect to the projection optical systems 19a to 19e.
  • the 10a to 10e are moved relative to the optical integrator optical integrators 11a to 11e. With this configuration, it is possible to adjust the ratio of the exposure amount of the first region (non-overlapping portions Sa to Se) and the exposure amount of the second region (overlapping portions Oa to Od), and the first region can be adjusted. It is possible to prevent changes in the line width and thickness of the transferred pattern in the second region.
  • the illuminance changing members 10a to 10e are the ends on the first side of the second direction intersecting the first direction of the portion of the conjugate surface CP corresponding to the second region (overlapping portions Oa to Od).
  • the first end dimming members 10ccb1 and 10ccb2 provided in the vicinity of the portion, and the first side of the portion corresponding to the second region (overlap portions Oa to Od) of the conjugate surface CP in the second direction.
  • a plurality of control units 50 are configured to control the first end dimming members 10cc1, 10cc2 and the second end dimming members 10cc1, 10cc separately and move them in the first direction.
  • the exposure amount of each of the second regions (overlapping portions Oa to Od) can be adjusted individually, and the line width and thickness of the transferred pattern can be made more uniform.
  • the illuminance changing members 10a to 10e include the third dimming members 10ca1 and 10ca2 provided in the portion of the conjugated surface CP corresponding to the first region (non-overlapping portion Sa to Se). Then, the ratio of the exposure amount of the first region (non-overlapping portions Sa to Se) and the exposure amount of the second region (overlapping portions Oa to Od) can be adjusted with higher accuracy.
  • the control unit 50 moves the third dimming members 10ca1 and 10ca2 in the first direction independently of the first end dimming members 10cc1 and 10ccb2 and the second end dimming members 10cc1 and 10cc. With the configuration, the ratio of the exposure amount of the first region (non-overlapping portions Sa to Se) and the exposure amount of the second region (overlapping portions Oa to Od) can be adjusted with higher accuracy. ..
  • Exposure device 1: Light source, ILa to ILe: Illumination optical system, 10a to 10e: Dimming member (illuminance changing member), 11a to 11e: Flyeye lens, 12a to 12e: Condenser lens, 15: Mask, MIa ⁇ MIe: Illumination field, 19a ⁇ 19e: Projection optical system, 21a ⁇ 21e: Field diaphragm, 22: Substrate, SIa ⁇ SIe: Scanning exposure field, Sa ⁇ Se: Non-overlapping part, Oa ⁇ Od: Overlapping part, 50: Control unit

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

露光装置は、オプチカルインテグレーターを有する照明光学系と、投影光学系と、被露光基板を投影光学系に対して走査方向に相対移動させる基板ステージと、オプチカルインテグレーターに対して相対移動可能に配置され、被露光基板上のうち第１露光領域および第２露光領域の各領域の一部が重複する第２領域を露光する露光量と、第１露光領域の他部および第２露光領域の他部の領域である第１領域を露光する露光量との一方を、他方に対して相対的に変更する照度変更部材と、照度変更部材を、第１領域における露光量が第２領域における露光量に対して相対的に大きくなるように移動させる制御部と、を備える。

Description

露光装置、照明光学系、およびデバイス製造方法
　本発明は、露光装置、照明光学系、およびデバイス製造方法に関する。
　マスク上のパターン原版を大型基板に露光転写するための装置として、マスクおよび基板を、投影光学系に対して相対走査して露光を行なうスキャン型露光装置が知られている。スキャン露光により、露光視野はスキャン方向（走査方向）に拡大されるが、さらにスキャン方向と交差する方向（非スキャン方向）にも露光視野を拡大するために、複数回のスキャン露光を、その露光領域を非スキャン方向にオーバーラップさせて行う露光装置も知られている。
　さらに、複数の投影光学系を非スキャン方向に並列的に備え、複数の投影光学系が露光する露光視野の一部をオーバーラップさせつつ露光を行うことで、一回の走査により基板上に電子回路を露光転写する方法も知られている（例えば特許文献１）。
日本国特開２０１６－５４２３０号公報
　第１の態様によると、露光装置は、第１時間に被露光基板上の第１露光領域を露光する第１露光と、前記第１時間とは異なる第２時間に前記被露光基板上の第２露光領域を露光する第２露光とにより、前記被露光基板を露光する露光装置において、オプチカルインテグレーターを有し、照明光を供給する照明光学系と、投影光学系と、前記被露光基板上に所定パターンが露光されるよう、前記被露光基板を前記投影光学系に対して走査方向に相対移動させる基板ステージと、前記照明光が入射される入射面が前記被露光基板の上面と共役になる位置に設けられた前記オプチカルインテグレーターの入射面側に、前記オプチカルインテグレーターに対して相対移動可能に配置され、前記被露光基板上のうち前記第１露光領域および前記第２露光領域の各領域の一部が重複する第２領域を露光する露光量と、前記第１露光領域の他部および前記第２露光領域の他部の領域である第１領域を露光する露光量との一方を、他方に対して相対的に変更するよう照明光の照度を変更する照度変更部材と、前記オプチカルインテグレーターに対する前記照度変更部材の相対移動を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記照度変更部材を、前記第１領域における露光量を前記第２領域における露光量に対して相対的に大きくなるように、前記オプチカルインテグレーターに対して相対移動させる。
　第２の態様によると、露光装置は、第１時間に被露光基板上の第１露光領域を露光する第１露光と、前記第１時間とは異なる第２時間に前記被露光基板上の第２露光領域を露光する第２露光とにより、前記被露光基板を露光する露光装置において、オプチカルインテグレーターを有し、照明光を供給する照明光学系と、投影光学系と、前記被露光基板上に所定パターンが露光されるよう、前記被露光基板を前記投影光学系に対して走査方向に相対移動させる基板ステージと、前記照明光が入射される入射面が前記被露光基板の上面と共役になる位置に設けられた前記オプチカルインテグレーターの入射面側に、前記オプチカルインテグレーターに対して相対移動可能に配置され、前記被露光基板上のうち前記第１露光領域および前記第２露光領域の各領域の一部が重複する第２領域を露光する露光量と、前記第１露光領域の他部および前記第２露光領域の他部の領域である第１領域を露光する露光量との一方に対する他方の露光量比を変更するよう前記照明光の照度を変更する照度変更部材と、前記オプチカルインテグレーターに対する前記照度変更部材の相対移動を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記投影光学系に対する前記基板ステージの移動中に、前記照度変更部材を前記オプチカルインテグレーターに対して相対移動させる。
　第３の態様によると、露光装置は、投影光学系と、オプチカルインテグレーターを有し前記投影光学系に照明光を供給する照明光学系と、被露光基板上に所定パターンが露光されるよう、前記被露光基板を前記投影光学系に対して走査方向に相対的に移動させる基板ステージと、前記露光において、前記投影光学系の走査露光視野により時間的に連続的に露光される前記被露光基板上の第１領域における露光量と、前記走査露光視野により時間的に離散的に露光される第２領域における露光量との一方の露光量に対する他方の露光量を相対的に変更する照度変更部材と、前記照明光の入射面が前記被露光基板上の前記走査露光視野に対して共役面となる位置に設けられた前記オプチカルインテグレーターに対して、前記照度変更部材を、前記走査方向に光学的に対応する第１方向へ相対移動させる制御部と、を備え、前記制御部は、前記照度変更部材を、前記第１領域における露光量を前記第２領域における露光量に対して相対的に大きくなるように、前記オプチカルインテグレーターに対して相対移動させる、露光装置。
　第４の態様によると、露光装置は、投影光学系と、オプチカルインテグレーターを有し、前記投影光学系に照明光を供給する照明光学系と、被露光基板上に所定パターンが露光されるよう、前記被露光基板を前記投影光学系に対して走査方向に相対移動させる基板ステージと、前記照明光が入射される入射面が前記被露光基板の上面と共役になる位置に設けられた前記オプチカルインテグレーターの入射面側に、前記オプチカルインテグレーターに対して相対移動可能に配置され、前記投影光学系の走査露光視野により時間的に連続的に露光される前記被露光基板上の第１領域における露光量と、前記走査露光視野により時間的に離散的に露光される第２領域における露光量との一方に対する他方の露光量比を変更するよう前記照明光の照度を変更する照度変更部材と、前記オプチカルインテグレーターに対する前記照度変更部材の相対移動を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記投影光学系に対する前記基板ステージの移動中に、前記照度変更部材を前記オプチカルインテグレーターに対して相対移動させる。
　第５の態様によると、デバイス製造方法は、第１から第４までのいずれかの態様による露光装置で被露光基板を露光処理することと、露光された前記被露光基板を現像処理することと、を含む。
　第６の態様によると、照明光学系は、基板に照明光を照明する露光装置に用いられる照明光学系であって、第１時間に走査方向へ移動される物体上の第１照明領域に照明光を照射し、前記第１時間とは異なる第２時間に前記走査方向へ移動される前記物体上の第２照明領域に前記照明光を照射する照明光学系において、前記照明光が入射される入射面が前記基板の上面と共役になる位置に設けられたオプチカルインテグレーターと、前記物体上で前記照明光が照射される照明領域のうち、前記第１照明領域および前記第２照明領域の各照明領域の一部が重複する第２領域を照射する前記照明光の照度を、前記第１照明領域の他部および前記第２照明領域の他部の照明領域である第１領域を照明する前記照明光の照度に対して相対的に変更する照度変更部材と、前記オプチカルインテグレーターに対して、前記照度変更部材の相対移動を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、投影光学系に対する基板ステージの移動中に、前記照度変更部材を前記オプチカルインテグレーターに対して相対移動させる。
　第７の態様によると、照明光学系は、基板に照明光を照明する露光装置に用いられる照明光学系であって、第１時間に走査方向へ移動される物体上の第１照明領域に照明光を照射し、前記第１時間とは異なる第２時間に前記走査方向へ移動される前記物体上の第２照明領域に前記照明光を照射する照明光学系において、前記照明光が入射される入射面が前記基板の上面と共役になる位置に設けられたオプチカルインテグレーターと、前記基板上のうち前記第１照明領域および前記第２照明領域の各領域の一部が重複する第２領域を照明する前記照明光の照度と、前記第１照明領域の他部および前記第２照明領域の他部の領域である第１領域を照明する前記照明光の照度との一方の照度と他方の照度との照度比を変更する照度変更部材と、前記オプチカルインテグレーターに対する前記照度変更部材の相対移動を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、投影光学系に対する基板ステージの移動中に、前記照度変更部材を前記オプチカルインテグレーターに対して相対移動させる。
　第８の態様によると、露光装置は、第７または第８の態様による照明光学系と、前記基板を保持し、前記基板上に前記物体が有する所定パターンが露光されるように、前記照明光に対して、前記基板を第１方向へ相対移動させる基板ステージと、を含む。
第１実施形態の露光装置の構成を示す側面図。 第１実施形態の露光装置の一部分を示す斜視図。 第１実施形態の露光装置のフライアイレンズからマスクまでを拡大して示した斜視図。 第１実施形態の露光装置のマスク上の視野と基板上の視野との関係を表す図。図４（ａ１）、図４（ａ２）および図４（ａ３）は、それぞれ図１中の投影光学系１９ｃにおけるマスク上の視野、投影光学系内の視野絞り、基板上の視野を示す図、図４（ｂ１）、図４（ｂ２）および図４（ｂ３）は、それぞれ図１中の投影光学系１９ｂにおけるマスク上の視野、投影光学系内の視野絞り、基板上の視野を示す図。 第１実施形態の露光装置が基板に対して走査露光する際に、基板上に照射される露光エネルギー、および感光材料における実効感光量の一例を示す図。図５（ａ）は各投影光学系の基板上の露光視野を示す図、図５（ｂ）は基板２２上に形成される露光領域を示す図、図５（ｃ）は基板上に照射される露光量の一例を示す図、図５（ｄ）は基板上に照射される露光量の他の一例を示す図。 第１実施形態の露光装置のフライアイレンズ、減光部材および減光部材保持部を、光源側から見た図。
（露光装置の第１実施形態）
　図１は、第１実施形態の露光装置１００を示す側面図である。後述するように露光装置１００は、５本の投影光学系１９ａ～１９ｅを備えているが、図１には、そのうちの２本である投影光学系１９ａ、１９ｂのみが示されている。
　投影光学系１９ａ～１９ｅは、投影倍率（横倍率）が＋１倍の正立正像を形成する光学系であり、マスク１５に描画されているパターンを、基板２２の上面に形成されている感光材料に露光転写する。なお、感光材料が形成された基板２２は、被露光基板と解釈することができる。
　基板２２は、不図示の基板ホルダーを介して基板ステージ２７により保持される。基板ステージ２７は、不図示のリニアモータ等により、基板ステージ定盤２８上をＸ方向（に走査するとともに、Ｙ方向に移動可能となっている。基板ステージ２７のＸ方向の位置は、基板ステージ２７に取り付けられている移動鏡２４の位置を介してレーザー干渉計２５により計測される。同様に基板ステージ２７のＹ方向の位置も、不図示のレーザー干渉計により計測される。
　位置検出光学系２３は、基板２２上に形成されているアライメントマーク等の既存のパターンの位置を検出する。
　マスク１５は、マスクステージ１６により保持される。マスクステージ１６は、不図示のリニアモータ等により、マスクステージ定盤１７上をＸ方向に走査するとともに、Ｙ方向に移動可能となっている。マスクステージ１６のＸ方向の位置は、マスクステージ１６に取り付けられている移動鏡１３の位置を介してレーザー干渉計１４により計測される。同様にマスクステージ１６のＹ方向の位置も、不図示のレーザー干渉計により計測される。
　不図示の制御系は、レーザー干渉計１４，２５等の計測値に基づいて、不図示のリニアモータ等を制御して、マスクステージ１６および基板ステージ２７のＸＹ位置を制御する。不図示の制御系は、基板２２へのマスクパターンの露光に際しては、マスク１５と基板２２とを、投影光学系１９ａ～１９ｅによる結像関係を保ったまま、投影光学系１９ａ～１９ｅに対して相対的に、Ｘ方向に略同一速度で走査させる。
　本明細書では、露光に際して、基板２２が走査される方向（Ｘ方向）を「走査方向」および「スキャン方向」とも呼ぶ。また、基板２２の面内に含まれる方向であってＸ方向と直交する方向（Ｙ方向）を「非走査方向」および「非スキャン方向」とも呼ぶ。Ｚ方向は、Ｘ方向およびＹ方向と直交する方向である。
　なお、図１および以下の各図に矢印で示したＸ方向、Ｙ方向、およびＺ方向は、その矢印の指し示す方向を＋方向とする。
　図２は、第１実施形態の露光装置１００の照明光学系ＩＬａ～ＩＬｅの下流部から基板２２までの部分を示す斜視図である。以下、図２も参照して説明を続ける。
　図２に示したとおり、５つの投影光学系１９ａ～１９ｅのうち、３つの投影光学系１９ａ、１９ｃ、１９ｅ（以下、総称してまたは個々に「第１列の投影光学系１９Ｆ」とも呼ぶ）は、Ｙ方向に並んで配置されている。そして、２つの投影光学系１９ｂ、１９ｄ（以下、総称してまたは個々に「第２列の投影光学系１９Ｒ」とも呼ぶ）は、Ｙ方向に並んで、第１列の投影光学系１９Ｆよりも＋Ｘ側に配置されている。
　第１列の投影光学系１９Ｆの各投影光学系は、その光軸がＹ方向に所定の間隔で離れて配置される。第２列の投影光学系１９Ｒの各光学系も第１列の投影光学系１９Ｆと同様に配置される。また、投影光学系１９ｂは、その光軸のＹ方向の位置が、投影光学系１９ａと投影光学系１９ｃのそれぞれの光軸を結んだ直線の略中心と一致するように、配置される。また、投影光学系１９ｄも、投影光学系１９ｂと同様に、配置される。
　第１実施形態の露光装置１００は、各投影光学系１９ａ～１９ｅのそれぞれに対応して、複数の照明光学系ＩＬａ～ＩＬｅを備えている。一例として、図１に示されるように、投影光学系１９ａに対応する照明光学系ＩＬａは、光軸ＩＸａに沿って、インプットレンズ８ａ、フライアイレンズ１１ａおよびコンデンサーレンズ１２ａを備えている。他の照明光学系ＩＬｂ～ＩＬｅも同様に、インプットレンズ８ｂ～８ｅ、フライアイレンズ１１ｂ～１１ｅ、およびコンデンサーレンズ１２ｂ～１２ｅを含んでいる。なお、上述のように図２には、各照明光学系ＩＬａ～ＩＬｅのうち、フライアイレンズ１１ａ～１１ｅ、およびコンデンサーレンズ１２ａ～１２ｅのみが示されている。
　なお、側面図である図１には、投影光学系１９ｃ～１９ｅは、投影光学系１９ａまたは１９ｂとＸ方向の位置が重なるため示していない。同様に、照明光学系ＩＬｃ～ＩＬｅも、照明光学系ＩＬａまたはＩＬｂとＸ方向の位置が重なるため示していない。
　ランプ等の光源１から供給される照明光は、楕円ミラー２、折り曲げミラー３、リレーレンズ４、折り曲げミラー５、リレーレンズ６、光ファイバー７等の導光光学系を介して、各照明光学系ＩＬａ～ＩＬｅに供給される。光ファイバー７は、１つの入射側７１に入射した照明光を略均等に分岐して、５つの射出側７２ａ～７２ｅに射出する。光ファイバー７の５つの射出側７２ａ～７２ｅのそれぞれから射出された照明光は、各照明光学系ＩＬａ～ＩＬｅの中のインプットレンズ８ａ～８ｅに入射する。そして、照明光は、さらにフライアイレンズ１１ａ～１１ｅ、およびコンデンサーレンズ１２ａ～１２ｅを経て、マスク１５上の各照明領域ＭＩａ～ＭＩｅに照射される。
　フライアイレンズ１１ａ～１１ｅは、その入射側面（インプットレンズ８ｂ～８ｅ側の面）が、投影光学系１９ａ～１９ｅ、コンデンサーレンズ１２ａ～１２ｅおよびフライアイレンズ１１ａ～１１ｅを介して、基板２２の上面（基板２２が載置される基板ホルダーの上面もしくはその近傍）と共役（結像関係）である共役面ＣＰとなる位置に配置されている。
　図３は、一例として、照明光学系ＩＬｃに含まれるフライアイレンズ１１ｃ、およびコンデンサーレンズ１２ｃと、マスク１５上の照明領域ＭＩｃを拡大して示した斜視図である。
　フライアイレンズ１１ｃは、照明領域ＭＩｃと相似形の、Ｙ方向に長い長方形の断面形状（ＸＹ面内の形状）を有するレンズエレメント１１０が、Ｘ方向およびＹ方向に複数個配列されて形成されている。各レンズエレメント１１０の入射面１１ｃｉ（上方の面、すなわち＋Ｚ側の面）は、各レンズエレメント１１０およびコンデンサーレンズ１２ｃからなる光学系により、マスク１５上の照明領域ＭＩｃ（マスク１５が載置されるマスクステージの上面もしくはその近傍）に対する共役面ＣＰとなっている。従って、基板２２上の露光視野ＰＩｃに対する共役面ＣＰでもある。それぞれのレンズエレメント１１０の入射面に照射される照明光は、マスク１５上の照明領域ＭＩｃに重畳して照射される。これにより、照明領域ＭＩｃ内の照明光の照度が略均一化される。
　照明光学系ＩＬｃを除く他の照明光学系ＩＬａ～ＩＬｅの構成も、図３に示した構成と同様である。
　フライアイレンズ１１ａ～１１ｅは、それぞれの照明領域ＭＩａ～照明領域ＭＩｅに照明光を重畳して照射するオプチカルインテグレーターの一例である。
　フライアイレンズ１１ａ～１１ｅの入射面１１ａｉ～１１ｅｉの側（インプットレンズ８ａ～８ｅ側）には、後述する減光部材１０ａ～１０ｅが、減光部材保持部９ａ～９ｅにより保持され、配置されている。
　投影光学系１９ａ～１９ｅのそれぞれは、正立正像の像を形成するために、例えば２回結像型の光学系により構成される。この場合、各投影光学系１９ａ～１９ｅの上半分を構成する光学系により、各投影光学系１９ａ～１９ｅの光軸ＰＡＸａ～ＰＡＸｅの方向（Ｚ方向）の中間付近にある中間像面２０に、マスク１５のパターンの中間像が形成される。中間像は、各投影光学系１９ａ～１９ｅの下半分を構成する光学系により再度結像され、基板２２上に、マスク１５のパターンの像が形成される。
　中間像面２０は基板２２と共役であるため、各投影光学系１９ａ～１９ｅ内の中間像面２０にそれぞれ視野絞り２１ａ～２１ｅを配置することにより、基板２２上の各投影光学系１９ａ～１９ｅによる露光視野ＰＩａ～ＰＩｅを規定することができる。
　図４は、マスク１５上の照明領域ＭＩａ～ＭＩｅと、視野絞り２１ａ～２１ｅと、露光視野ＰＩａ～ＰＩｅとの関係を示す図である。
　図４（ａ１）は、投影光学系１９ｃに対応するマスク１５上の照明領域ＭＩｃを示す図であり、照明領域ＭＩｃは、フライアイレンズ１１ｃのレンズエレメント１１０の断面形状と相似な長方形となっている。
　図４（ａ２）は、投影光学系１９ｃ内の視野絞り２１ｃと、そこに照射される照明光ＭＩｃ２を示す図である。視野絞り２１ｃには、マスク１５上の照明領域ＭＩｃの中間像である破線で示した照明光ＭＩｃ２が照射される。照明光ＭＩｃ２のうち、視野絞り２１ｃの遮光部（斜線で示した部分）に照射された照明光は視野絞り２１ｃにより遮光される。　一方、視野絞り２１ｃの開口部２１ｃｏを透過した照明光は、投影光学系１９ｃの下半分を構成する光学系により基板２２上で再度結像し、基板２２上に露光視野ＰＩｃを形成する。
　図４（ａ３）は、基板２２上の露光視野ＰＩｃを示すである。
　一例として、投影光学系１９ｃ～１９ｅが全屈折光学系から成るとき、中間像である照明光ＭＩＣ２は照明領域ＭＩｃに対する倒立正像（像のＸ方向およびＹ方向が共に反転し、鏡像ではない像）であり、露光視野ＰＩｃは視野絞り２１ｃに対する倒立正像となる。従って、図４（ａ２）および図４（ａ３）に示したとおり、視野絞り２１ｃの開口部２１ｃｏの形状と、露光視野ＰＩｃの形状は、相互にＺ軸回りに１８０度回転したものと一致する。
　露光視野ＰＩｃは、一例として、Ｙ方向に平行な２辺のうちの短辺が＋Ｘ側に、長辺が－Ｘ側にある台形である。ここで、露光視野ＰＩｃのうち、＋Ｘ側の短辺の全てと－Ｘ側の長辺の一部で囲まれた長方形の領域を、中心領域ＰＩｃｃと呼ぶ。一方、露光視野ＰＩｃのうち、中心領域ＰＩｃｃに含まれない＋Ｙ方向の端部を左端領域ＰＩｃｌと呼び、露光視野ＰＩｃのうち、中心領域ＰＩｃｃに含まれない－Ｙ方向の端部を右端領域ＰＩｃｒと呼ぶ。
　中心領域ＰＩｃｃのＹ方向の長さ（幅）を幅Ｗｓと呼び、左端領域ＰＩｃｌおよび右端領域ＰＩｃｒのＹ方向の長さ（幅）は等しく、これを幅Ｗｏと呼ぶ。
　一方、図４（ｂ１）～図４（ｂ３）は、それぞれ投影光学系１９ｂに対応する、マスク１５上の照明領域ＭＩｂと、視野絞り２１ｂと、露光視野ＰＩｂとを示す図である。図４（ｂ２）に示すとおり、投影光学系１９ｂにおいては、視野絞り２１ｂの開口部２１ｂｏの形状は、投影光学系１９ｃの視野絞り２１ｃの開口部２１ｃｏの形状をＸ方向に反転した形状となっている。その結果、図４（ｂ３）に示すとおり、投影光学系１９ｂの露光視野ＰＩｂの形状は、投影光学系１９ｃの露光視野ＰＩｃの形状をＸ方向に反転した形状となっている。
　上述の露光視野ＰＩｃと同様に、露光視野ＰＩｂについても、－Ｘ側の短辺の全てと＋Ｘ側の長辺の一部で囲まれた長方形の領域を、中心領域ＰＩｂｃと呼ぶ。露光視野ＰＩｂのうち、中心領域ＰＩｂｃに含まれない＋Ｙ方向の端部を左端領域ＰＩｂｌと呼び、露光視野ＰＩｂのうち、中心領域ＰＩｂｃに含まれない－Ｙ方向の端部を右端領域ＰＩｃｒと呼ぶ。
　図５（ａ）は、基板２２上での、５つの投影光学系１９ａ～１９ｅの各露光視野ＰＩａ～ＰＩｅを示す図である。第１列の投影光学系１９Ｆである投影光学系１９ａ、１９ｅの露光視野ＰＩａ、ＰＩｅは、上述した投影光学系１９ｃの露光視野ＰＩｃと同様に、Ｙ方向に平行な２辺のうちの短辺が＋Ｘ側に、長辺が－Ｘ側にある台形である。一方、第２列の投影光学系１９Ｒである投影光学系１９ｄの露光視野ＰＩｄは、上述した投影光学系１９ｂの露光視野ＰＩｂと同様に、Ｙ方向に平行な２辺のうちの短辺が－Ｘ側に、長辺が＋Ｘ側にある台形である。
　投影光学系１９ａ、１９ｄ、１９ｅの露光視野ＰＩａ、ＰＩｄ、ＰＩｅについても、上述の露光視野ＰＩｂ、ＰＩｃと同様に、中心領域ＰＩａｃ、ＰＩｄｃ、ＰＩｅｃ、および左端領域ＰＩａｌ、ＰＩｄｌ、ＰＩｅｌ、右端領域ＰＩａｒ、ＰＩｄｒ、ＰＩｅｒを定義できる。ただし、－Ｙ方向の端に配置されている露光視野ＰＩａは、視野絞り２１ａにより、その－Ｙ方向の端部がＸ方向に平行となるように照明光を遮光するため右端領域ＰＩａｒは存在しない。また、＋Ｙ方向の端に配置されている露光視野ＰＩｅは、視野絞り２１ａにより、その＋Ｙ方向の端部がＸ方向に平行となるように照明光を遮光するため左端領域ＰＩａｌは存在しない。なお、視野絞り２１ａと２１ｅとの形状を、視野絞り２１ｃの形状と異ならせるようにしても良いし、別の部材を用いて、露光視野ＰＩａでは右端領域ＰＩａｒが存在しないよう、照明光を遮光するようにしてもよい。
　各露光視野ＰＩａ～ＰＩｅの各中心領域ＰＩａｃ～ＰＩｅｃのＹ方向の長さはいずれも幅Ｗｓに等しく、左端領域ＰＩａｌ～ＰＩｄｌおよび右端領域ＰＩｂｒ～ＰＩｅｒの長さは、いずれも幅Ｗｏに等しい。そして、露光視野ＰＩａ～ＰＩｅのうちＹ方向に隣接する２つの露光視野において、隣接する左端領域ＰＩａｌ～ＰＩｄｌと右端領域ＰＩｂｒ～ＰＩｅｒのＹ方向の位置は、一致している。
　各露光視野ＰＩａ～ＰＩｅのこのような形状および位置の設定は、投影光学系１９ａ～１９ｅの配置位置、および視野絞り２１ａ～２１ｅの開口部２１ａｏ～２１ｅｏの形状および位置を設定することにより行なう。
　図５（ｂ）は、基板２２が基板ステージ２７によりＸ方向に走査され、図５（ａ）に示した露光視野ＰＩａ～ＰＩｅにより露光された際に、基板２２上に形成される露光領域を示す図である。基板２２上には、走査露光により各露光視野ＰＩａ～ＰＩｅにより露光される走査露光視野ＳＩａ～ＳＩｅが形成される。図５（ｂ）において、第１列の投影光学系１９ａ、１９ｃ、１９ｅが形成する走査露光視野ＳＩａ、ＳＩｃ、ＳＩｅは２点鎖線で示し、第２列の投影光学系１９ｂ、１９ｄが形成する走査露光視野ＳＩｂ、ＳＩｄは１点鎖線で示している。
　これらの走査露光視野ＳＩａ～ＳＩｅは、露光視野ＰＩａ～ＰＩｅがＸ方向への走査露光によりＸ方向に延長されたものである。各走査露光視野ＳＩａ～ＳＩｅのＹ方向（非走査方向）の端部は、それぞれ隣接する他の走査露光視野ＳＩａ～ＳＩｅの非走査方向の端部とオーバーラップしている。たとえば、左端領域ＰＩａｌによる露光領域と右端領域ＰＩｂｒによる露光領域とが一致する。他の露光領域においても同様であるため、説明は省略する。
　以下では、Ｙ方向のうち、各走査露光視野ＳＩａ～ＳＩｅの１つにより露光された部分を非オーバーラップ部Ｓａ～Ｓｅとも呼び、各走査露光視野ＳＩａ～ＳＩｅの２つがオーバーラップして露光された部分をオーバーラップ部Ｏａ～Ｏｄとも呼ぶ。
　露光視野ＰＩａ～ＰＩｅのうち、左端領域ＰＩａｌ～ＰＩｄｌと右端領域ＰＩｂｒ～ＰＩｅｒは、オーバーラップ部Ｏａ～Ｏｄに対応する露光視野であり、中心領域ＰＩａｃ～ＰＩｅｃは、非オーバーラップ部Ｓａ～Ｓｅに対応する露光視野である。
　各走査露光視野ＳＩａ～ＳＩｅの２つがオーバーラップして露光されたオーバーラップ部Ｏａ～Ｏｄは、始めに第１列の投影光学系１９ａ、１９ｃ、１９ｅにより露光され、その後第２列の投影光学系１９ｂ、１９ｄにより露光されるため、露光が時間的に分割されて行われている。換言すると、オーバーラップ部Ｏａ～Ｏｄは、時間的に離散的に露光が行われる。これに対し、非オーバーラップ部Ｓａ～Ｓｅは、走査露光視野ＳＩａ～ＳＩｅのうち１つの走査露光視野により露光される領域であり、時間的に分割されず連続して露光された領域である。
　時間的に連続的に露光が行われる非オーバーラップ部Ｓａ～Ｓｅを、第１領域と解釈することもできる。一方、時間的に離散的に露光が行われるオーバーラップ部Ｏａ～Ｏｄを、第２領域と解釈することもできる。
　図５（ｃ）は、Ｘ方向への走査露光により基板２２上に露光される露光量Ｅを示すグラフである。グラフの縦軸は露光量、横軸はＹ方向の座標である。図５（ａ）に示したとおり、Ｙ方向の各微小区間で各露光視野ＰＩａ～ＰＩｅをＸ方向に積算した値は等しく、かつ、フライアイレンズ１１の作用等により各露光視野ＰＩａ～ＰＩｅ内の照度は均一であるため、基板２２上の露光量Ｅは一定の値Ｅ１となる。
　すなわち、Ｙ方向のうち、非オーバーラップ部Ｓａ～Ｓｅにおける露光量Ｅと、オーバーラップ部Ｏａ～Ｏｄにおける露光量Ｅとは、共に露光量Ｅの値がＥ１となり等しくなる。
　しかし、例えば、走査露光視野ＳＩａ、ＳＩｃ、ＳＩｅと、走査露光視野ＳＩｂ、ＳＩｄとが、図５（ａ）の状態から相互にＹ方向に位置ずれした場合には、オーバーラップ部Ｏａ～Ｏｄにおける露光量は、非オーバーラップ部Ｓａ～Ｓｅにおける露光量Ｅ１とは異なってくる。このような現象は、例えば、第１列の投影光学系１９ａ、１９ｃ、１９ｅと第２列の投影光学系１９ｂ、１９ｄによる走査露光視野ＳＩｂ、ＳＩｄとが、相互にＹ方向に位置ずれした場合に生じる。あるいは、被露光基板２２がプロセスによる熱等の理由により変形し、この変形を補正するために、基板ステージ２７をＸ方向からずれた方向に走査して露光するような場合にも生じる。
　図５（ｄ）は、オーバーラップ部Ｏａ～Ｏｄにおける露光量が、非オーバーラップ部Ｓａ～Ｓｅにおける露光量Ｅ１とは異なる場合の、露光量Ｅを示すグラフである。
　図５（ｄ）は、一例として、走査露光視野ＳＩｂ、ＳＩｄが、走査露光視野ＳＩａ、ＳＩｃ、ＳＩｅに対して－Ｙ方向にずれた場合の例を示している。この場合、露光量Ｅ１に対して、オーバーラップ部Ｏａ、Ｏｃでは露光量は増加し、オーバーラップ部Ｏｂ、Ｏｄでは露光量は減少する。図示はしないが、走査露光視野ＳＩｂ、ＳＩｄが、走査露光視野ＳＩａ、ＳＩｃ、ＳＩｅに対して＋Ｙ方向にずれた場合には、露光量Ｅ１に対して、オーバーラップ部Ｏａ、Ｏｃでは露光量は減少し、オーバーラップ部Ｏｂ、Ｏｄでは露光量は増加する。
　図５（ｄ）に示すような露光量で露光が行われた場合には、オーバーラップ部Ｏａ～Ｏｄと非オーバーラップ部Ｓａ～Ｓｅとで、基板２２上の感光材料の反応の程度が異なってしまうため、感光材料に転写されたパターンの線幅や厚さが変化してしまうことになる。なお、上述した場合以外であっても、たとえば、被露光基板２２がプロセスによる熱等の理由により局所的に変形した場合にも同様の現象が生じる。ただし、この場合は、被露光基板２２全面において、図５（ｄ）のグラフに示された露光量Ｅの分布とはならず、被露光基板２２のうち局所的に変形した領域にのみ、図５（ｄ）のグラフに示された露光量Ｅの分布となる。また、オーバーラップ領域Ｏa～Ｏｄの全ての領域でなく、少なくとも１つのオーバーラップ領域において、露光量Ｅ１とは異なる露光量となる領域が発生する。また、被露光基板２２の局所的な変形に限らず、被露光基板２２に塗布された感光材料の厚さムラによって、上述のように、少なくとも１つのオーバーラップ領域において、露光量Ｅ１とは異なる露光量となる領域が発生する。
　そこで、第１実施形態の露光装置１００では、照明光学系ＩＬａ～ＩＬｅのそれぞれのフライアイレンズ１１ａ～１１ｅの入射面１１ａｉ～１１ｅｉの側、つまりインプットレンズ８ａ～８ｅとフライアイレンズ１１ａ～１１ｅとの間の位置、且つフライアイレンズ１１ａ～１１ｅの入射面１１ａｉ～１１ｅｉの近傍に、照度変更部材の一例である減光部材１０ａ～１０ｅを設けている。そして減光部材１０ａ～１０ｅは、減光部材保持部９ａ～９ｅにより、それぞれの照明光学系ＩＬａ～ＩＬｅの光軸Ｉｘａ～Ｉｘｅと略直交する方向であるＸ方向に移動自在に保持されている。減光部材１０ａ～１０ｅのＸ方向の位置は、制御部５０からの制御信号SigＡ～SigＥにより制御される。
　図６は、照明光学系ＩＬｃに設けられているフライアイレンズ１１ｃ、減光部材１０ｃ（１０ｃａ１、１０ｃａ２、１０ｃｂ１、１０ｃｂ２、１０ｃｃ１、１０ｃｃ２）、および減光部材保持部９ｃ（９ｃａ、９ｃｂ、９ｃｃ）を、インプットレンズ８ｃ側から見た図である。以下、図６を参照して、照明光学系ＩＬｃに設けられている減光部材１０ｃ、および減光部材保持部９ｃについて説明する。なお、他の照明光学系ＩＬａ～ＩＬｅに設けられている減光部材１０ａ～１０ｅ、および減光部材保持部９ａ～９ｅについても以下と同様である。
　フライアイレンズ１１ｃは、断面がＹ方向に長い長方形であるレンズエレメント１１０がＸ方向に複数配列されたレンズブロックが、Ｙ方向に複数配列されている。上述のとおり、図６は、フライアイレンズ１１ｃを入射面１１ａｉ～１１ｅｉの側であるインプットレンズ８ｃ側から見た図である。そして、各レンズエレメント１１０の入射側面は、基板２２上に形成される露光視野ＰＩｃに対する共役面ＣＰとなっている。そのため、図６には、各レンズエレメント１１０の中に、露光視野ＰＩｃに対応する領域である露光視野対応領域ＩＰＩｃを破線で示している。なお、露光視野ＰＩｃに対する露光視野対応領域ＩＰＩｃの横倍率はβ倍であるとする。
　第１実施形態の露光装置１００は、減光部材１０ｃとして、第１端部減光部材１０ｃｂ１、１０ｃｂ２と、第２端部減光部材１０ｃｃ１、１０ｃｃ２と、第３減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２とを、備えている。
　このうち、第１端部減光部材１０ｃｂ１、１０ｃｂ２および第２端部減光部材１０ｃｃ１、１０ｃｃ２のＹ方向の幅Ｗｂは、露光視野ＰＩｃの右端領域ＰＩｃｒと左端領域ＰＩｃｌの幅Ｗｏのβ倍と略等しい。
　第１端部減光部材１０ｃｂ１、１０ｃｂ２は、フライアイレンズ１１ｃの＋Ｘ方向の側に配置され、いくつかのレンズエレメント１１０の露光視野対応領域ＩＰＩｃの中の露光視野ＰＩｃの左端領域ＰＩｃｌに対応する部分を覆い、減光する。
　第２端部減光部材１０ｃｃ１、１０ｃｃ２は、フライアイレンズ１１ｃの＋Ｘ方向の側に配置され、いくつかのレンズエレメント１１０の露光視野対応領域ＩＰＩｃの中の露光視野ＰＩｃの右端領域ＰＩｃｒに対応する部分を覆い、減光する。
　なお、上述のようにフライアイレンズ１１ｃは、レンズエレメント１１０がＸ方向に複数配列されたレンズブロックが、Ｙ方向に複数配列されているものである。従って、第１端部減光部材１０ｃｂ１、１０ｃｂ２は、少なくとも１つのレンズブロックの中に配置されている１つ以上のレンズエレメント１１０の、オーバーラップ部Ｏｃに対応する左端領域ＰＩｃｌの少なくとも一部を減光する部材であると解釈することができる。同様に第２端部減光部材１０ｃｃ１、１０ｃｃ２は、少なくとも１つのレンズブロックの中に配置されている１つ以上のレンズエレメント１１０の、オーバーラップ部Ｏｂに対応する右端領域ＰＩｃｒの少なくとも一部を減光する部材であると解釈することができる。
　第３減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２のＹ方向の幅Ｗａは、露光視野ＰＩｃの中心領域ＰＩｃｃの幅Ｗｓのβ倍と略等しい。
　第３端部減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２は、フライアイレンズ１１ｃの－Ｘ方向の側に配置され、いくつかのレンズエレメント１１０の露光視野対応領域ＩＰＩｃの中の露光視野ＰＩｃの中心領域ＰＩｃｃに対応する部分を覆い、減光する。
　第３端部減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２は、少なくとも１つのレンズブロックの中に配置されている１つ以上のレンズエレメント１１０の、非オーバーラップ部Ｓｃに対応する中心領域ＰＩｃｃの少なくとも一部を減光する部材であると解釈することができる。
　第１端部減光部材１０ｃｂ１、１０ｃｂ２はスライダー９１ｂに保持され、スライダー９１ｂは減光部材保持部９ｃｂにより、Ｘ方向に移動自在に保持されている。スライダー９１ｂと減光部材保持部９ｃｂとの相対位置関係は、エンコーダー等により計測され、制御部５０に伝達される。また、スライダー９１ｂと減光部材保持部９ｃｂとの相対位置関係、すなわち、第１端部減光部材１０ｃｂ１、１０ｃｂ２のＸ方向の位置は、制御部５０からの制御信号SigＣｂにより制御される。
　第２端部減光部材１０ｃｃ１、１０ｃｃ２も、同様にスライダー９１ｃに保持され、スライダー９１ｃは減光部材保持部９ｃｃにより、Ｘ方向に移動自在に保持されている。
　第３減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２も、同様にスライダー９１ａに保持され、スライダー９１ａは減光部材保持部９ｃａにより、Ｘ方向に移動自在に保持されている。
　第２端部減光部材１０ｃｃ１、１０ｃｃ２および第３減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２のＸ方向の位置も、上記と同様に計測され、それぞれ制御部５０からの制御信号SigＣｃ、SigＣａにより制御される。
　第１端部減光部材１０ｃｂ１、１０ｃｂ２を±Ｘ方向に移動させることにより、第１端部減光部材１０ｃｂ１、１０ｃｂ２により減光されるレンズエレメント１１０の数を変更することができる。これにより、基板２２上のオーバーラップ部Ｏｃの露光量を増減することができる。
　第２端部減光部材１０ｃｃ１、１０ｃｃ２を±Ｘ方向に移動させることにより、第２端部減光部材１０ｃｃ１、１０ｃｃ２により減光されるレンズエレメント１１０の数を変更することができる。これにより、基板２２上のオーバーラップ部Ｏｂの露光量を増減することができる。
　同様に、第３減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２を±Ｘ方向に移動させることにより、第３減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２により減光されるレンズエレメント１１０の数を変更することができる。これにより、基板２２上の非オーバーラップ部Ｓｃの露光量を増減することができる。
　以上のことから、第１端部減光部材１０ｃｂ１、１０ｃｂ２、第２端部減光部材１０ｃｃ１、１０ｃｃ２、第３減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２のそれぞれのＸ方向の位置を適切に調整することにより、基板２２上のオーバーラップ部Ｏｂの露光量を、基板２２上の非オーバーラップ部Ｓｃの露光量よりも、相対的に増加させたり減少させたりすることができる。
　また、制御部５０は、基板２２上を露光するためにＸ方向への走査させている間に、第１端部減光部材１０ｃｂ１、１０ｃｂ２、第２端部減光部材１０ｃｃ１、１０ｃｃ２、第３減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２のそれぞれのＸ方向の位置を適切に調整するようにしてもよい。上述した、基板２２のうち局所的に変形した領域を露光する直前に、制御部５０は、第１端部減光部材１０ｃｂ１、１０ｃｂ２、第２端部減光部材１０ｃｃ１、１０ｃｃ２、第３減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２のそれぞれのＸ方向の位置を適切に調整し、変形した領域の露光が完了した後に、第１端部減光部材１０ｃｂ１、１０ｃｂ２、第２端部減光部材１０ｃｃ１、１０ｃｃ２、第３減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２のそれぞれのＸ方向の位置を変更するようにしてもよい。また、感光料の塗布ムラがある基板２２を露光する際にも、制御部は、基板２２上の感光料の厚みに応じて、減光部材をそれぞれＸ方向へ移動させるようにしてもよい。なお、露光装置１００は、基板２２上を露光させるためにＸ方向へ走査させていている間や基板２２を走査露光する前に、基板２２上の局所的な変形や感光料の塗布ムラを検出するような計測部を設けてもよい。
　減光部材１０ｃ（第１端部減光部材１０ｃｂ１、１０ｃｂ２、第２端部減光部材１０ｃｃ１、１０ｃｃ２、第３減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２）は、金属製の薄板であっても良く、透明なガラス板上に減光部材により形成された減光膜であってもよい。減光部材１０ｃは、フィルタのように照明光を完全に遮光するものに限られず、一部の照明光のみを遮光、透過させる部材であっても良い。つまり減光部材１０ｃは、照度を変更するための照度変更部材であればよい。
　他の照明光学系ＩＬａ、ＩＬｂ、ＩＬｄ、ＩＬｅが備える減光部材１０ａ、１０ｂ、１０ｄ、１０ｅ、および減光部材保持部９ａ、９ｂ、９ｄ、９ｅについても、上述の減光部材１０ｃおよび減光部材保持部９ｃの構造と、同様である。
　これにより、オーバーラップ部Ｏａ～Ｏｄの露光量と、非オーバーラップ部Ｓａ～Ｓｅ部の露光量の比率を調整することが照明光学系ＩＬａ～ＩＬｅ毎に可能になり、オーバーラップ部Ｏａ～Ｏｄと非オーバーラップ部Ｓａ～Ｓｅ部において転写されたパターンの線幅や厚さの変化を防止することができる。
　一例として、図５（ｄ）のような状態では、照明光学系ＩＬｂ、ＩＬｄ内の第２端部減光部材を＋Ｘ方向へ移動させ各露光視野ＰＩｂ、ＰＩｄの右端領域ＰＩｂｒ、ＰＩｄｒの露光量を減少させるか、照明光学系ＩＬａ、ＩＬｃ、ＩＬｅ内の第１端部減光部材を－Ｘ方向へ移動させ各露光視野ＰＩａ、ＰＩｃ、ＰＩｅの左端領域ＰＩａｌ、ＰＩｃｌ、ＰＩｅｌの露光量を増加させることで、オーバーラップ部Ｏａ、Ｏｃの露光量と、非オーバーラップ部Ｓａ～Ｓｅ部の露光量とを等しくさせる。なお、第２端部減光部材を＋Ｘ方向へ移動させ、かつ、第１端部減光部材を－Ｘ方向へ移動させて、露光量を調整するようにしてもよい。また、オーバーラップ部Ｏｂ、Ｏｄに関しては、照明光学系ＩＬａ、ＩＬｃ、ＩＬｅ内の第２端部減光部材を＋Ｘ方向へ移動させたり、照明光学系ＩＬｂ、ＩＬｄ内の第１端部減光部材を－Ｘ方向へ移動させたり、どちらも移動させることで、オーバーラップ部Ｏｂ、Ｏｄの露光量と、非オーバーラップ部Ｓａ～Ｓｅ部の露光量とを等しくさせてもよい。
　減光部材１０ｃは、フライアイレンズ１１ｃの上方から－Ｘ方向へ移動すると、非オーバーラップ部Ｓｃの露光量が、移動前と比べて増加するため、増加部材として機能するとも言える。同様に、第１端部減光部材と第２端部減光部材とは、フライアイレンズ１１ｃの上方から＋Ｘ方向へ移動すると、オーバーラップ部Ｏｃの露光量が、移動前と比べて増加するため、増加部材として機能するとも言える。減光部材１０ｃは、フライアイレンズ１１ｃの上方から－Ｘ方向へ移動するが、Ｘ方向に関して、フライアイレンズ１１ｃと重ならない位置まで移動させてもよいし、減光部材１０ｃとフライアイレンズ１１ｃとのＸ方向の重なり量が小さくなるように移動させてもよい。
　減光部材１０ｃは、フライアイレンズ１１ｃの入射面１１ｃｉからＺ方向に所定距離だけ離れた位置に配置されるので、フライアイレンズ１１ｃの入射面１１ｃｉにおいては、減光部材１０ｃのＸＹ方向のエッジは、ぼやけて投影される。逆に言えば、減光部材１０ｃをフライアイレンズ１１ｃの入射面１１ｃｉからＺ方向にどれだけ離して配置すれば良いかは、基板２２上における減光部材１０ｃのエッジの半影ボケの量を決定するパラメータである、フライアイレンズ１１ｃの入射面１１ｃｉと基板２２との横倍率（上述のβ）、およびフライアイレンズ１１ｃの入射面１１ｃｉにおける照明光の開口数に基づいて、決定することができる。さらに、基板２２上のオーバーラップ部Ｏａ～ＯｄのＹ方向の幅も加味して決定することができる。なお、減光部材１０ｃをフライアイレンズ１１ｃの入射面１１ｃｉに対するＺ方向の位置を変更可能、つまりＺ方向における減光部材１０ｃとフライアイレンズ１１ｃとの距離を変更することができると機構を有すると良い。
　一例として、オーバーラップ部Ｏａ～ＯｄのＹ方向の幅をＤＷ、フライアイレンズ１１ｃの入射面１１ｃｉに対する基板２２の横倍率をβ、フライアイレンズ１１ｃの入射面１１ｃｉにおける照明光の開口数をＮＡとするとき、減光部材１０ｃの、フライアイレンズ１１ｃの入射面１１ｃｉからのＺ方向の距離Ｄは、
　　０ ≦ Ｄ ≦ １．２×ＤＷ／（β・ＮＡ）　・・・（１）
とするのが良い。
　距離Ｄが式（１）を満たす場合、減光部材１０ｃのエッジによる基板２２上の露光量変化（露光量ムラ）の影響をさらに低減することができる。
　なお、減光部材１０ｃのＸ方向の位置の決定は、例えば、減光部材１０ｃの挿入量（Ｘ方向の位置）を異なる数段階に設定した複数の条件でテスト露光を行い、その結果から最適な挿入量を決定すると良い。
　また、露光装置１００の内部に設けられた計測装置により基板２２の塗布された感光料の厚みを計測し、その結果から減光部材１０ｃの最適な挿入量を決定してもよい。なお、計測装置は露光装置１００外に設けられたものでもよい。
　また、減光部材１０ｃの挿入量の決定に際しては、基板ステージ２７上に設けた照度センサ２６を使用して、露光視野ＰＩｃ内の各部の照度を計測しながら行うと良い。
　なお、図６に示した第３減光部材を構成する２本の減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２のそれぞれの＋Ｘ方向の端部は、それぞれフライアイレンズ１１ｃのレンズエレメント１１０のＸ方向の配列のピッチＰＸの半分だけずれている。上述のとおり、各レンズエレメント１１０中には、露光視野ＰＩｃに対応する露光視野対応領域ＩＰＩｃｗが存在するが、露光視野対応領域ＩＰＩｃｗは、レンズエレメント１１０のＸ方向の全面に渡って広がっているわけではない。すなわち、レンズエレメント１１０のＸ方向の両端部は、基板２２上の露光視野ＰＩｃとは対応せず、投影光学系１９ｃ内の視野絞り２１ｃ上に投影され、視野絞り２１ｃにより遮光される部分である。
　従って、減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２の＋Ｘ方向の端部が、レンズエレメント１１０のＸ方向の両端部の近傍にある場合には、減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２をＸ方向に移動しても、基板２２上の露光量を変更することができない。
　そこで、第１実施形態においては、２本の減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２のそれぞれの＋Ｘ方向の端部を、レンズエレメント１１０のＸ方向の配列のピッチＰＸの半分だけずらしている。
　このような配置により、２本の減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２の一方の＋Ｘ方向端部が、レンズエレメント１１０のＸ方向の両端部の近傍にある場合には、他方の＋Ｘ方向端部はレンズエレメント１１０のＸ方向の中心の近傍に配置される。よって、２本の減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２をともにＸ方向に移動することにより、常に基板２２上の露光量を変更することができる。なお、減光部材１０ｃ１と１０ｃ２とをそれぞれＸ方向に独立して移動させられる構成としても良い。
　なお、減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２は上述の２本に限られるわけではなく３本以上であって、それぞれが異なるレンズブロックに配置されていてもよい。この場合にも、減光部材の本数がｍ本（ｍは２以上の自然数）であれば、各減光部材の＋Ｘ方向の端部は、ピッチＰＸに対して、ＰＸ／ｍだけずれて設定されていることが好ましい。
　上述の第３減光部材を構成する減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２の＋Ｘ方向端の位置や、本数については、第１端部減光部材を構成する減光部材１０ｃｂ１、１０ｃｂ２および第２端部減光部材を構成する減光部材１０ｃｃ１、１０ｃｃ２の－Ｘ方向端の位置や、本数に対しても同様に適用できる。
　なお、減光部材１０ｃは、フライアイレンズ１１ｃの入射面１１ｃｉからＺ方向に所定距離だけ離れた位置に配置されるとしたが、これに限定されない。減光部材１０ｃは、フライアイレンズ１１ｃの入射面１１ｃｉ、つまり基板２２の上面に対する共役面ＣＰに設けられても良い。減光部材１０ｃが照明光を完全に遮光するものであると、それを共役面ＣＰに一致して配置した場合には、オーバーラップ部Ｏａ～Ｏｄの露光量と、非オーバーラップ部Ｓａ～Ｓｅ部の露光量とが不連続的に変化してしまう恐れがある。従って、この場合には、減光部材１０ｃは、形状を変形させたり、フィルタのようなＹ方向の位置に応じて照明光の遮光率が連続的に変化させたりするものであると良い。また、第１端部減光部材１０ｃｂ１、１０ｃｂ２および第２端部減光部材１０ｃｃ１、１０ｃｃ２と、第３端部減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２とで、照明光の遮光率を変更させてもよい。
（変形例１）
　以上の第１の実施形態においては、第１端部減光部材１０ｃｂ１、１０ｃｂ２と第２端部減光部材１０ｃｃ１、１０ｃｃ２をフライアイレンズ１１ｃの－Ｘ方向の側に配置し、第３端部減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２をフライアイレンズ１１ｃの＋Ｘ方向側に配置したが、この配置に限定されない。減光部材１０ｃをそれぞれＸ方向へ移動させたとき、各減光部材１０ｃどうしが、衝突やメカ的に干渉しなければ、全ての減光部材１０ｃを、フライアイレンズ１１ｃの＋Ｘ方向側もしくは－Ｘ方向側に配置してもよく、照明光学系ＩＬａ～ＩＬｅのＸ方向の大きさを小さくすることができる。
（変形例２）
　減光部材１０ｃは、第１端部減光部材１０ｃｂ１、１０ｃｂ２と第２端部減光部材１０ｃｃ１、１０ｃｃ２とをＸ方向へ移動させることで、オーバーラップ部Ｏｂ、Ｏｄの露光量と非オーバーラップ部Ｓａ～Ｓｅ部の露光量との比率を変更することができるため、第３端部減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２を省き、第１端部減光部材１０ｃｂ１、１０ｃｂ２および第２端部減光部材１０ｃｃ１、１０ｃｃ２のみで構成するようにしてもよい。また、減光部材１０は、第１端部減光部材１０ｃｂ１、１０ｃｂ２および第２端部減光部材１０ｃｃ１、１０ｃｃ２を省き、第３端部減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２のみで構成するようにしてもよい。
　なお、第１の実施形態では、全ての照明光学系ＩＬａ～ＩＬｅ内の減光部材１０ａ～１０ｅの構成が同様であるとしたが、これに限定されず、たとえば、第１列の投影光学系１９Ｆと第２列の投影光学系１９Ｒとで、減光部材の構成を変更させてもよいし、照明光学系ＩＬａ～ＩＬｅ毎に減光部材の構成を変更させてもよい。
　また、基板２２が局所的に変形した場合や感光料の塗布ムラがある場合等は、照明光学系ＩＬａ～ＩＬｅのうち、その領域へ照明光を投影する照明光学系ＩＬａ～ＩＬｅが有する減光部材のみを移動させ、別の領域へ照明項を投影する照明光学系では、減光部材を移動させないようにしてもよい。
（変形例３）
　以上、第１の実施形態では、第１端部減光部材１０ｃｂ１、１０ｃｂ２はレンズエレメントのうち＋Ｙ方向の２列に対して、第２端部減光部材１０ｃｃ１、１０ｃｃ２はレンズエレメントのうち－Ｙ方向の２列に対して、第３端部減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２はレンズエレメントのうち中央の２列に対して、Ｘ方向に相対移動させたが、これに限定されない。第１端部減光部材１０ｃｂ１、１０ｃｂ２、第２端部減光部材１０ｃｃ１、１０ｃｃ２、第３端部減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２の全てが、同じ列に配列されたレンズエレメントに対してＸ方向へ相対移動させるようにしてもよいし、一部異ならせるようにしてもよい。
（変形例４）
　照度変更部材の一例である減光部材１０ａ～１０ｅは、フライアイレンズ１１に対してＸ方向に移動自在であると説明したが、Ｚ方向の移動自在であってもよい。また、減光部材１０ａ～１０ｅのそれぞれがＺ方向に積み重なった複数枚の減光部材により構成されていてもよい。この複数枚の減光部材が互いにＹ方向へ相対移動する、換言すると複数の減光部材がフライアイレンズ１１に対してＹ方向へ相対移動することもできる。このように、照度変更部材がフライアイレンズ１１に対してＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向のいずれかの方向に相対移動することで、基板２２上の露光量分布を変更することができる。
（変形例５）
　以上の第１実施形態および各変形例においては、５つの投影光学系１９ａ～１９ｅを有するものとしたが、投影光学系の本数は５つに限られるわけではなく、３つや８つなど、いくつであってもよい。
　また、以上の第１実施形態および各変形例においては、複数の投影光学系１９ａ～１９ｅを有し、１度のＸ方向の走査により、各投影光学系が形成する複数の露光視野ＳＩａ～ＳＩｅが相互にＹ方向にオーバーラップするとしている。
　しかし、投影光学系は１つであり、基板２２のＸ方向への走査露光を、基板２２およびマスク１５をＹ方向に移動させつつ複数回行い、各走査露光により形成される複数の露光視野を相互にＹ方向にオーバーラップさせてもよい。この場合にも、１つの投影光学系に対応する照明光学系は、上述の照明光学系ＩＬａ～ＩＬｅと同様の構成を備えることが望ましい。
　なお、上述の第１実施形態および各変形例のように複数の投影光学系１９ａ～１９ｅを有する装置は、一度の走査露光で基板２２上の、より多くの面積を露光することができ、処理能力に優れている。
　以上の第１実施形態および各変形例においては、複数の投影光学系１９ａ～１９ｅは全屈折光学系から成るとしたが、これに限らず、反射屈折光学系や全反射光学系を採用することもできる。
　また、以上の第１実施形態および各変形例においては、露光視野ＰＩａ～ＰＩｅの形状は台形であるとしたが、これは台形に限られるものではなく、例えば、その上記中心部分に相当する部分の形状が円弧であり、円弧の両端に三角形の右端領域および左端領域を備える視野であってもよい。
　以上の第１実施形態および各変形例においては、各投影光学系１９ａ～１９ｅの光軸ＰＡＸａ～ＰＡＸｅ、および各照明光学系ＩＬａ～ＩＬｅの光軸ＩＸａ～ＩＸｅは、基本的にはＺ方向と平行に設定されているものとしている。ただし、いずれかの光学系の中に折り曲げミラーが採用されている場合には、光軸の向きはＺ方向とは並行ではなくなる。
　また、いずれかの光学系の中に折り曲げミラーが採用されている場合には、減光部材１０ａ～１０ｅの移動方向も基板２２の走査方向（Ｘ方向）とは異なる方向になる。しかし、この場合であっても、減光部材１０ａ～１０ｅは、折り曲げミラーを含めた基板２２とフライアイレンズ１１ａ～１１ｅの共役関係に基づいて基板２２の走査方向に光学的に対応する方向に移動自在とすれば良い。
　また、以上の実施形態においては、各投影光学系１９ａ～１９ｅは、Ｘ方向に第１列の投影光学系１９Ｆおよび第２列の投影光学系１９Ｒの２列の光学系が配置されているものとしたが、これは２列に限られるものではなく、Ｘ方向に３列以上の光学系が配置されていてもよい。
　オプチカルインテグレーターとして、上述のフライアイレンズ１１に代えて、ロッドインテグレーターを採用することもできる。ロッドインテグレーターを採用した場合には、基板２２およびマスク１５との共役面ＣＰは、ロッドインテグレーターの射出側（マスク１５の側）になるので、減光部材１０もロッドインテグレーターの射出側の近傍に配置する。そして、ロッドインテグレーターの射出面のＸ側の一端の近傍を部分的に遮光する構成とする。
　減光部材１０ａ～１０ｅを照明光学系ＩＬａ～ＩＬｅ内に配置する代わりに、投影光学系１９ａ～１９ｅの中間像面２０近傍に配置してもよい。この場合にも、減光部材は、中間像面２０近傍において、露光視野ＰＩａ～ＰＩｅの中心領域ＰＩａｃ～ＰＩｅｃに対応する部分を遮光する構成とする。
　投影光学系１９ａ～１９ｅ内に視野絞り２１ａ～２１ｅを配置する代わりに、照明光学系ＩＬａ～ＩＬｅの内部に中間像面（マスク１５に対する共役面）を設け、照明光学系ＩＬａ～ＩＬｅ内の中間像面に基板２２上の露光視野ＰＩａ～ＰＩｅの形状を規定する視野絞り設けてもよい。
　以上の実施形態においては、投影光学系１９ａ～１９ｅおよび照明光学系ＩＬａ～ＩＬｅは固定され、基板２２が基板ステージ２７により移動するものとしたが、代わりに、投影光学系１９ａ～１９ｅおよび照明光学系ＩＬａ～ＩＬｅが基板ステージ上に設けられ、基板２２に対して走査する構成としてもよい。
　また、マスク１５は、ガラス基板上にパターンが形成されたマスクに限らず、デジタルマルチミラーデバイスや液晶デバイスからなる可変整形マスクであってもよい。
　露光装置１００の用途としては、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置であり、例えば有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ―Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネル製造用の露光装置にも適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるマスク又はレチクルを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも適用できる。
　露光装置１００により露光された基板（ガラスプレート等）は、不図示の現像装置により現像処理され、必要に応じて、露光および現像処理により形成された感光材料のパターンに基づいてエッチング加工等が行われる。
　また、露光対象はガラス基板に限られず、例えばウエハ、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど、他の物体でも良い。また、露光対象物がフラットパネルディスプレイ用の基板である場合、その基板の厚さは特に限定されず、例えばフィルム状（可撓性を有するシート状の部材）のものも含まれる。なお、第１実施形態および各変形例の露光装置は、一辺の長さ、又は対角長が５００ｍｍ以上の基板が露光対象物である場合に特に有効である。また、露光対象の基板が可撓性を有するシート状である場合には、該シートがロール状に形成されていても良い。
　上述した第１実施形態および各変形例によれば、次の作用効果が得られる。
（１）第１実施形態または各変形例の露光装置１００は、第１時間に被露光基板２２上の第１露光領域（走査露光視野ＳＩａ、ＳＩｃ、ＳＩｅ）を露光する第１露光と、第１時間とは異なる第２時間に被露光基板２２上の第２露光領域（走査露光視野ＳＩｂ、ＳＩｄ）を露光する第２露光とにより、被露光基板２２を露光する露光装置において、オプチカルインテグレーター１１ａ～１１ｅを有し、照明光を供給する照明光学系ＩＬａ～ＩＬｅと、投影光学系１９ａ～１９ｅと、被露光基板２２上に所定パターンが露光されるよう、被露光基板２２を投影光学系１９ａ～１９ｅに対して走査方向（Ｘ方向）に相対移動させる基板ステージ２７と、を備えている。
　そして、照明光が入射される入射面１１ａｉ～１１ｅｉが被露光基板２２の上面と共役になる位置（共役面ＣＰ）に設けられたオプチカルインテグレーター１１ａ～１１ｅの入射面側に、オプチカルインテグレーター１１ａ～１１ｅに対して相対移動可能に配置され、被露光基板２２上のうち第１露光領域および第２露光領域の各領域の一部が重複する第２領域（オーバーラップ部Ｏａ～Ｏｄ）を露光する露光量と、第１露光領域の他部および第２露光領域の他部の領域である第１領域（非オーバーラップ部Ｓａ～Ｓｅ）を露光する露光量との一方を、他方に対して相対的に変更するよう照明光の照度を変更する照度変更部材１０ａ～１０ｅと、オプチカルインテグレーター１１ａ～１１ｅに対する照度変更部材１０ａ～１０ｅの相対移動を制御する制御部５０と、を備えている。
　さらに、制御部５０は、照度変更部材１０ａ～１０ｅを、第１領域（非オーバーラップ部Ｓａ～Ｓｅ）における露光量を第２領域（オーバーラップ部Ｏａ～Ｏｄ）における露光量に対して相対的に大きくなるように、オプチカルインテグレーターに対して相対移動させる。
　この構成により、第１領域（非オーバーラップ部Ｓａ～Ｓｅ）の露光量と、第２領域（オーバーラップ部Ｏａ～Ｏｄ）の露光量との比率を調整することが可能になり、第１領域と第２領域において転写されたパターンの線幅や厚さの変化を防止することができる。
（２）第１実施形態または各変形例の露光装置１００は、第１時間に被露光基板２２上の第１露光領域（ＳＩａ、ＳＩｃ、ＳＩｅ）を露光する第１露光と、第１時間とは異なる第２時間に被露光基板２２上の第２露光領域（ＳＩｂ、ＳＩｄ）を露光する第２露光とにより、被露光基板２２を露光する露光装置において、オプチカルインテグレーター１１ａ～１１ｅを有し、照明光を供給する照明光学系ＩＬａ～ＩＬｅと、投影光学系１９ａ～１９ｅと、被露光基板２２上に所定パターンが露光されるよう、被露光基板２２を投影光学系１９ａ～１９ｅに対して走査方向（Ｘ方向）に相対移動させる基板ステージ２７とを備えている。
　そして、照明光が入射される入射面１１ａｉ～１１ｅｉが被露光基板２２の上面と共役になる位置に設けられたオプチカルインテグレーターの入射面側に、オプチカルインテグレーターに対して相対移動可能に配置され、被露光基板２２上のうち第１露光領域および第２露光領域の各領域の一部が重複する第２領域（オーバーラップ部Ｏａ～Ｏｄ）を露光する露光量と、第１露光領域の他部および第２露光領域の他部の領域である第１領域（非オーバーラップ部Ｓａ～Ｓｅ）を露光する露光量との一方に対する他方の露光量比を変更するよう照明光の照度を変更する照度変更部材１０ａ～１０ｅと、オプチカルインテグレーターに対する照度変更部材の相対移動を制御する制御部５０と、を備えている。
　さらに、制御部５０は、投影光学系１９ａ～１９ｅに対する基板ステージ２７の移動中に、照度変更部材１０ａ～１０ｅをオプチカルインテグレーターに対して相対移動させる。
　この構成により、第１領域（非オーバーラップ部Ｓａ～Ｓｅ）の露光量と、第２領域（オーバーラップ部Ｏａ～Ｏｄ）の露光量との比率を調整することが可能になり、第１領域と第２領域において転写されたパターンの線幅や厚さの変化を防止することができる。
（３）第１実施形態または各変形例の露光装置１００は、投影光学系１９ａ～１９ｅと、オプチカルインテグレーター１１ａ～１１ｅを有し投影光学系１９ａ～１９ｅに照明光を供給する照明光学系ＩＬａ～ＩＬｅと、被露光基板２２上に所定パターンが露光されるよう、被露光基板２２を投影光学系１９ａ～１９ｅに対して走査方向に相対的に移動させる基板ステージ２７と、を備えている。
　さらに、露光において、投影光学系の走査露光視野ＳＩａ～ＳＩｅにより時間的に連続的に露光される被露光基板２２上の第１領域（非オーバーラップ部Ｓａ～Ｓｅ）における露光量と、走査露光視野により時間的に離散的に露光される第２領域（オーバーラップ部Ｏａ～Ｏｄ）における露光量との一方の露光量に対する他方の露光量を相対的に変更する照度変更部材１０ａ～１０ｅと、照明光の入射面１１ａｉ～１１ｅｉが被露光基板２２上の走査露光視野ＳＩａ～ＳＩｅに対して共役面ＣＰとなる位置に設けられたオプチカルインテグレーターに対して、照度変更部材１０ａ～１０ｅを、走査方向に光学的に対応する第１方向へ相対移動させる制御部と、を備えている。
　そして、制御部５０は、照度変更部材１０ａ～１０ｅを、第１領域（非オーバーラップ部Ｓａ～Ｓｅ）における露光量を第２領域（オーバーラップ部Ｏａ～Ｏｄ）における露光量に対して相対的に大きくなるように、オプチカルインテグレーターに対して相対移動させる。
　この構成により、第１領域（非オーバーラップ部Ｓａ～Ｓｅ）の露光量と、第２領域（オーバーラップ部Ｏａ～Ｏｄ）の露光量との比率を調整することが可能になり、第１領域と第２領域において転写されたパターンの線幅や厚さの変化を防止することができる。
（４）第１実施形態または各変形例の露光装置１００は、投影光学系１９ａ～１９ｅと、オプチカルインテグレーター１１ａ～１１ｅを有し投影光学系１９ａ～１９ｅに照明光を供給する照明光学系ＩＬａ～ＩＬｅと、被露光基板２２上に所定パターンが露光されるよう、被露光基板２２を投影光学系１９ａ～１９ｅに対して走査方向（Ｘ方向）に相対移動させる基板ステージ２７と、を備えている。
　そして、照明光が入射される入射面１１ａｉ～１１ｅｉが被露光基板２２の上面と共役になる位置（共役面ＣＰ）に設けられたオプチカルインテグレーターの入射面側に、オプチカルインテグレーターに対して相対移動可能に配置され、投影光学系１９ａ～１９ｅの走査露光視野により時間的に連続的に露光される被露光基板２２上の第１領域（非オーバーラップ部Ｓａ～Ｓｅ）における露光量と、走査露光視野により時間的に離散的に露光される第２領域（オーバーラップ部Ｏａ～Ｏｄ）における露光量との一方に対する他方の露光量比を変更するよう照明光の照度を変更する照度変更部材１０ａ～１０ｅと、オプチカルインテグレーター１１ａ～１１ｅに対する照度変更部材１０ａ～１０ｅの相対移動を制御する制御部５０と、を備え、制御部５０は、投影光学系１９ａ～１９ｅに対する基板ステージの移動中に、照度変更部材１０ａ～１０ｅをオプチカルインテグレーターオプチカルインテグレーター１１ａ～１１ｅに対して相対移動させる。
　この構成により、第１領域（非オーバーラップ部Ｓａ～Ｓｅ）の露光量と、第２領域（オーバーラップ部Ｏａ～Ｏｄ）の露光量との比率を調整することが可能になり、第１領域と第２領域において転写されたパターンの線幅や厚さの変化を防止することができる。
（５）照度変更部材１０ａ～１０ｅは、共役面ＣＰのうちの第２領域（オーバーラップ部Ｏａ～Ｏｄ）に対応する部分の、第１方向と交差する第２方向の第１の側の端部近傍に設けられた第１端部減光部材１０ｃｂ１、１０ｃｂ２と、共役面ＣＰのうちの第２領域（オーバーラップ部Ｏａ～Ｏｄ）に対応する部分の、第２方向の第１の側とは反対側の第２の側の端部近傍に設けられた第２端部減光部材１０ｃｃ１、１０ｃｂｃと、を含む構成とすることで、オーバーラップ部Ｏａ～Ｏｄの露光量を精度良く低減させることができる。
（６）制御部５０が、第１端部減光部材１０ｃｂ１、１０ｃｂ２と第２端部減光部材１０ｃｃ１、１０ｃｂｃを、別々に制御して第１方向に移動させる構成とすることで、複数の第２領域（オーバーラップ部Ｏａ～Ｏｄ）のそれぞれの露光量を個別に調整することができ、転写されたパターンの線幅や厚さを一層均一にすることができる。
（７）照度変更部材１０ａ～１０ｅが、共役面ＣＰのうち第１領域（非オーバーラップ部Ｓａ～Ｓｅ）に対応する部分に設けられた第３減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２を含む構成とすることでと、第１領域（非オーバーラップ部Ｓａ～Ｓｅ）の露光量と、第２領域（オーバーラップ部Ｏａ～Ｏｄ）の露光量の比率を、一層高精度に調整することができる。（８）制御部５０は、第３減光部材１０ｃａ１、１０ｃａ２を、第１端部減光部材１０ｃｂ１、１０ｃｂ２と第２端部減光部材１０ｃｃ１、１０ｃｂｃとは独立して第１方向に移動させる構成とすることで、第１領域（非オーバーラップ部Ｓａ～Ｓｅ）の露光量と、第２領域（オーバーラップ部Ｏａ～Ｏｄ）の露光量の比率を、さらに高精度に調整することができる。
　上述では、種々の実施形態および変形例を説明したが、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。また、各実施形態および変形例は、それぞれ単独で適用しても良いし、組み合わせて用いても良い。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。
　次の優先権基礎出願の開示内容は引用文としてここに組み込まれる。
　日本国特願２０１９－０６９１４８号（２０１９年３月２９日出願）
　１００：露光装置、１：光源、ＩＬａ～ＩＬｅ：照明光学系、１０ａ～１０ｅ：減光部材（照度変更部材）、１１ａ～１１ｅ：フライアイレンズ、１２ａ～１２ｅ：コンデンサーレンズ、１５：マスク、ＭＩａ～ＭＩｅ：照明視野、１９ａ～１９ｅ：投影光学系、２１ａ～２１ｅ：視野絞り、２２：基板、ＳＩａ～ＳＩｅ：走査露光視野、Ｓａ～Ｓｅ：非オーバーラップ部、Ｏａ～Ｏｄ：オーバーラップ部、５０：制御部

Claims (27)

  1. 　第１時間に被露光基板上の第１露光領域を露光する第１露光と、前記第１時間とは異なる第２時間に前記被露光基板上の第２露光領域を露光する第２露光とにより、前記被露光基板を露光する露光装置において、
    　オプチカルインテグレーターを有し、照明光を供給する照明光学系と、
    　投影光学系と、　
    　前記被露光基板上に所定パターンが露光されるよう、前記被露光基板を前記投影光学系に対して走査方向に相対移動させる基板ステージと、
    　前記照明光が入射される入射面が前記被露光基板の上面と共役になる位置に設けられた前記オプチカルインテグレーターの入射面側に、前記オプチカルインテグレーターに対して相対移動可能に配置され、前記被露光基板上のうち前記第１露光領域および前記第２露光領域の各領域の一部が重複する第２領域を露光する露光量と、前記第１露光領域の他部および前記第２露光領域の他部の領域である第１領域を露光する露光量との一方を、他方に対して相対的に変更するよう照明光の照度を変更する照度変更部材と、
    　前記オプチカルインテグレーターに対する前記照度変更部材の相対移動を制御する制御部と、を備え、
    　前記制御部は、前記照度変更部材を、前記第１領域における露光量を前記第２領域における露光量に対して相対的に大きくなるように、前記オプチカルインテグレーターに対して相対移動させる、露光装置。
  2. 　請求項１に記載の露光装置において、
    　前記制御部は、前記投影光学系に対する前記基板ステージの移動中に、前記照度変更部材を、前記オプチカルインテグレーターに対して相対移動させる、露光装置。
  3. 　第１時間に被露光基板上の第１露光領域を露光する第１露光と、前記第１時間とは異なる第２時間に前記被露光基板上の第２露光領域を露光する第２露光とにより、前記被露光基板を露光する露光装置において、
    オプチカルインテグレーターを有し、照明光を供給する照明光学系と、
    　投影光学系と、　
    　前記被露光基板上に所定パターンが露光されるよう、前記被露光基板を前記投影光学系に対して走査方向に相対移動させる基板ステージと、
    　前記照明光が入射される入射面が前記被露光基板の上面と共役になる位置に設けられた前記オプチカルインテグレーターの入射面側に、前記オプチカルインテグレーターに対して相対移動可能に配置され、前記被露光基板上のうち前記第１露光領域および前記第２露光領域の各領域の一部が重複する第２領域を露光する露光量と、前記第１露光領域の他部および前記第２露光領域の他部の領域である第１領域を露光する露光量との一方に対する他方の露光量比を変更するよう前記照明光の照度を変更する照度変更部材と、
    　前記オプチカルインテグレーターに対する前記照度変更部材の相対移動を制御する制御部と、を備え、
    　前記制御部は、前記投影光学系に対する前記基板ステージの移動中に、前記照度変更部材を前記オプチカルインテグレーターに対して相対移動させる、露光装置。
  4. 　投影光学系と、
    　オプチカルインテグレーターを有し前記投影光学系に照明光を供給する照明光学系と、　被露光基板上に所定パターンが露光されるよう、前記被露光基板を前記投影光学系に対して走査方向に相対的に移動させる基板ステージと、
    　前記露光において、前記投影光学系の走査露光視野により時間的に連続的に露光される前記被露光基板上の第１領域における露光量と、前記走査露光視野により時間的に離散的に露光される第２領域における露光量との一方の露光量に対する他方の露光量を相対的に変更する照度変更部材と、
    　前記照明光の入射面が前記被露光基板上の前記走査露光視野に対して共役面となる位置に設けられた前記オプチカルインテグレーターに対して、前記照度変更部材を、前記走査方向に光学的に対応する第１方向へ相対移動させる制御部と、
    を備え、
    　前記制御部は、前記照度変更部材を、前記第１領域における露光量を前記第２領域における露光量に対して相対的に大きくなるように、前記オプチカルインテグレーターに対して相対移動させる、露光装置。
  5. 　請求項４に記載の露光装置において、
    　前記制御部は、前記投影光学系に対する前記基板ステージの移動中に、前記照度変更部材を、前記オプチカルインテグレーターに対して相対移動させる、露光装置。
  6. 　投影光学系と、
    　オプチカルインテグレーターを有し、前記投影光学系に照明光を供給する照明光学系と、
    　被露光基板上に所定パターンが露光されるよう、前記被露光基板を前記投影光学系に対して走査方向に相対移動させる基板ステージと、
    　前記照明光が入射される入射面が前記被露光基板の上面と共役になる位置に設けられた前記オプチカルインテグレーターの入射面側に、前記オプチカルインテグレーターに対して相対移動可能に配置され、前記投影光学系の走査露光視野により時間的に連続的に露光される前記被露光基板上の第１領域における露光量と、前記走査露光視野により時間的に離散的に露光される第２領域における露光量との一方に対する他方の露光量比を変更するよう前記照明光の照度を変更する照度変更部材と、
    　前記オプチカルインテグレーターに対する前記照度変更部材の相対移動を制御する制御部と、を備え、
    　前記制御部は、前記投影光学系に対する前記基板ステージの移動中に、前記照度変更部材を前記オプチカルインテグレーターに対して相対移動させる露光装置。
  7. 　請求項１から６のいずれか一項に記載の露光装置において、
    　前記照度変更部材は、
    　前記被露光基板の上面に対する共役面のうちの前記第２領域に対応する部分の、前記走査方向に光学的に対応する第１方向と交差する第２方向の第１の側の端部近傍に設けられた第１端部減光部材と、
    　前記共役面のうちの前記第２領域に対応する部分の、前記第２方向の前記第１の側とは反対側の第２の側の端部近傍に設けられた第２端部減光部材と、
    を含む、露光装置。
  8. 　請求項７に記載の露光装置において、
    　前記制御部は、前記第１端部減光部材と前記第２端部減光部材とを、別々に制御して前記第１方向に移動させる、露光装置。
  9. 　請求項７または請求項８記載の露光装置において、
    　前記照度変更部材は、前記共役面のうち前記第１領域に対応する部分に設けられた第３減光部材を含む、露光装置。
  10. 　請求項９に記載の露光装置において、
    　前記制御部は、前記第３減光部材を、前記第１端部減光部材と前記第２端部減光部材とは独立して前記第１方向に移動させる、露光装置。
  11. 　請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の露光装置であって、
    　前記照度変更部材は、前記第２領域の前記走査方向と直交する非走査方向の幅、前記被露光基板の上面に対する共役面と前記被露光基板との横倍率、および前記共役面における照明光の開口数に応じて定まる所定距離だけ、前記共役面から前記照明光学系の光軸方向に離れた位置に設けられている、露光装置。
  12. 　請求項７から請求項１０までのいずれか一項に記載の露光装置であって、
    　前記照度変更部材は、前記第２領域の前記走査方向と直交する非走査方向の幅、前記共役面と前記被露光基板との横倍率、および前記共役面における照明光の開口数に応じて定まる所定距離だけ、前記共役面から前記照明光学系の光軸方向に離れた位置に設けられている、露光装置。
  13. 　請求項１２に記載の露光装置において、
    　前記オプチカルインテグレーターは、前記走査方向に光学的に対応する第１方向に配列されている複数のレンズエレメントを含むレンズブロックが、前記第１方向と交差する第２方向に複数配列されているフライアイレンズであり、
    　前記第１端部減光部材は、少なくとも１つの前記レンズブロックの中に配置されている１つ以上のレンズエレメントの、前記第２領域に対応する部分の少なくとも一部を減光し、
    　前記第２端部減光部材は、少なくとも１つの前記レンズブロックの中に配置されている１つ以上のレンズエレメントの、前記第２領域に対応する部分の少なくとも一部を減光する、露光装置。
  14. 　請求項１３に記載の露光装置において、
    　前記第１端部減光部材および前記第２端部減光部材は、いずれも複数の前記レンズブロックのうちのｍ個（ｍは２以上の自然数）のレンズブロックのそれぞれに対応してｍ個配置され、
    　前記ｍ個の前記第１端部減光部材および前記第２端部減光部材の前記第１方向の一方の端部は、前記レンズブロック内の前記レンズエレメントの前記第１方向の配列の周期Ｐに対して、前記第１方向にそれぞれＰ／ｍだけ異なる位置に設定されている、露光装置。
  15. 　請求項１３または請求項１４に記載の露光装置において、
    　前記照度変更部材は、さらに、少なくとも１つの前記レンズブロックの中に配置されている１つ以上のレンズエレメントの、前記第１領域に対応する部分の少なくとも一部を減光する第３減光部材を含む、露光装置。
  16. 　請求項１５に記載の露光装置において、
    　前記第３減光部材は、複数の前記レンズブロックのうちのｎ個（ｎは２以上の自然数）のレンズブロックのそれぞれに対応してｎ個配置され、
    　前記ｎ個の前記第１端部減光部材および前記第２端部減光部材の前記第１方向の一方の端部は、前記レンズブロック内の前記レンズエレメントの前記第１方向の配列の周期Ｐに対して、前記第１方向にそれぞれＰ／ｎだけ異なる位置に設定されている、露光装置。
  17. 　請求項１から請求項１６までのいずれか一項に記載の露光装置において、
    　前記投影光学系および前記照明光学系は、前記走査方向と交差する方向に複数並列して配置され、
    　前記被露光基板上の前記第２領域は、前記露光において、前記複数の投影光学系のうち第１投影光学系の走査露光視野により前記被露光基板上の露光される第１露光領域の一部と、前記第１投影光学系に対して前記走査方向および前記走査方向と直交する非走査方向に離間して設けられた第２投影光学系の走査露光視野により前記被露光基板上の露光される第２露光領域の一部とが重複された領域である、露光装置。
  18. 　請求項１７に記載の露光装置において、
    　前記被露光基板上の前記第１領域は、前記露光において、前記第１投影光学系の走査露光視野により前記被露光基板上の露光される前記第１露光領域の他部の領域、または、前記第２投影光学系の走査露光視野により前記被露光基板上の露光される第２露光領域の他部の領域である、露光装置。
  19. 　請求項１から請求項１８の露光装置で被露光基板を露光処理することと、
    　露光された前記被露光基板を現像処理することと、
    を含むデバイス製造方法。
  20. 　基板に照明光を照明する露光装置に用いられる照明光学系であって、第１時間に走査方向へ移動される物体上の第１照明領域に照明光を照射し、前記第１時間とは異なる第２時間に前記走査方向へ移動される前記物体上の第２照明領域に前記照明光を照射する照明光学系において、
    　前記照明光が入射される入射面が前記基板の上面と共役になる位置に設けられたオプチカルインテグレーターと、
    　前記物体上で前記照明光が照射される照明領域のうち、前記第１照明領域および前記第２照明領域の各照明領域の一部が重複する第２領域を照射する前記照明光の照度を、前記第１照明領域の他部および前記第２照明領域の他部の照明領域である第１領域を照明する前記照明光の照度に対して相対的に変更する照度変更部材と、
    　前記オプチカルインテグレーターに対して、前記照度変更部材の相対移動を制御する制御部と、を備え、
    　前記制御部は、投影光学系に対する基板ステージの移動中に、前記照度変更部材を前記オプチカルインテグレーターに対して相対移動させる照明光学系。
  21. 　請求項２０に記載の照明光学系において、
    　前記制御部は、前記照明光に対する前記基板の相対移動中に、前記照度変更部材を、前記オプチカルインテグレーターに対して相対移動させる、照明光学系。
  22. 　基板に照明光を照明する露光装置に用いられる照明光学系であって、第１時間に走査方向へ移動される物体上の第１照明領域に照明光を照射し、前記第１時間とは異なる第２時間に前記走査方向へ移動される前記物体上の第２照明領域に前記照明光を照射する照明光学系において、
    　前記照明光が入射される入射面が前記基板の上面と共役になる位置に設けられたオプチカルインテグレーターと、
    　前記基板上のうち前記第１照明領域および前記第２照明領域の各領域の一部が重複する第２領域を照明する前記照明光の照度と、前記第１照明領域の他部および前記第２照明領域の他部の領域である第１領域を照明する前記照明光の照度との一方の照度と他方の照度との照度比を変更する照度変更部材と、
    　前記オプチカルインテグレーターに対する前記照度変更部材の相対移動を制御する制御部と、を備え、
    　前記制御部は、投影光学系に対する基板ステージの移動中に、前記照度変更部材を前記オプチカルインテグレーターに対して相対移動させる、照明光学系。
  23. 　請求項２０から請求項２２のいずれか一項に記載の照明光学系において、
    　前記照度変更部材は、
    　前記物体に対する共役面のうちの前記第２領域に対応する部分の、前記走査方向に光学的に対応する第１方向と交差する第２方向の第１の側の端部近傍に設けられた第１端部減光部材と、
    　前記共役面のうちの前記第２照明領域に対応する部分の、前記第２方向の前記第１の側とは反対側の第２の側の端部近傍に設けられた第２端部減光部材と、
    を含む、照明光学系。
  24. 　請求項２３に記載の照明光学系において、
    　前記制御部は、前記第１端部減光部材と前記第２端部減光部材とを、別々に制御して前記第１方向に移動させる、照明光学系。
  25. 　請求項２３または請求項２４に記載の照明光学系において、
    　前記照度変更部材は、前記共役面のうち前記第１領域に対応する部分に設けられた第３減光部材を含む、照明光学系。
  26. 　請求項２５に記載の照明光学系において、
    　前記制御部は、前記第３減光部材を、前記第１端部減光部材と前記第２端部減光部材とは独立して前記第１方向に移動させる、照明光学系。
  27. 　請求項２０から請求項２６のいずれか一項に記載の照明光学系と、
    　前記基板を保持し、前記基板上に前記物体が有する所定パターンが露光されるように、前記照明光に対して、前記基板を第１方向へ相対移動させる基板ステージと、を含む露光装置。
PCT/JP2020/009125 2019-03-29 2020-03-04 露光装置、照明光学系、およびデバイス製造方法 WO2020203003A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021511276A JPWO2020203003A1 (ja) 2019-03-29 2020-03-04
CN202080014640.1A CN113439239B (zh) 2019-03-29 2020-03-04 曝光装置、照明光学系统以及元件制造方法
KR1020217025504A KR20210144669A (ko) 2019-03-29 2020-03-04 노광 장치, 조명 광학계 및 디바이스 제조 방법
CN202410239514.6A CN117908338A (zh) 2019-03-29 2020-03-04 曝光装置、照明光学系统以及元件制造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019069148 2019-03-29
JP2019-069148 2019-03-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020203003A1 true WO2020203003A1 (ja) 2020-10-08

Family

ID=72668281

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2020/009125 WO2020203003A1 (ja) 2019-03-29 2020-03-04 露光装置、照明光学系、およびデバイス製造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPWO2020203003A1 (ja)
KR (1) KR20210144669A (ja)
CN (2) CN117908338A (ja)
TW (1) TW202040283A (ja)
WO (1) WO2020203003A1 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10199800A (ja) * 1997-01-09 1998-07-31 Nikon Corp オプティカルインテグレータを備える照明光学装置
JP2001297975A (ja) * 2000-04-17 2001-10-26 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JP2001305745A (ja) * 2000-04-24 2001-11-02 Nikon Corp 走査露光方法および走査型露光装置
JP2002258489A (ja) * 2000-04-20 2002-09-11 Nikon Corp 露光装置および露光方法
JP2017198990A (ja) * 2016-04-28 2017-11-02 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 分割露光装置及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016054230A (ja) 2014-09-04 2016-04-14 キヤノン株式会社 投影露光装置及び露光方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10199800A (ja) * 1997-01-09 1998-07-31 Nikon Corp オプティカルインテグレータを備える照明光学装置
JP2001297975A (ja) * 2000-04-17 2001-10-26 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JP2002258489A (ja) * 2000-04-20 2002-09-11 Nikon Corp 露光装置および露光方法
JP2001305745A (ja) * 2000-04-24 2001-11-02 Nikon Corp 走査露光方法および走査型露光装置
JP2017198990A (ja) * 2016-04-28 2017-11-02 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 分割露光装置及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW202040283A (zh) 2020-11-01
CN113439239A (zh) 2021-09-24
CN117908338A (zh) 2024-04-19
CN113439239B (zh) 2024-03-26
KR20210144669A (ko) 2021-11-30
JPWO2020203003A1 (ja) 2020-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10571340B2 (en) Method and device for measuring wavefront using diffraction grating, and exposure method and device
JP2006235533A (ja) 露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP2007335849A (ja) 遮光装置および露光装置
KR100846337B1 (ko) 노광방법 및 노광장치
TW201344378A (zh) 光學系統、曝光裝置、及元件製造方法
JP6410406B2 (ja) 投影光学系、露光装置および物品の製造方法
WO2020203003A1 (ja) 露光装置、照明光学系、およびデバイス製造方法
WO2020203111A1 (ja) 露光装置、照明光学系、およびデバイス製造方法
KR20140117280A (ko) 노광 장치 및 물품의 제조 방법
WO2020203002A1 (ja) 露光装置、照明光学系、およびデバイス製造方法
JP2013021265A (ja) 照明装置、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
KR20120116918A (ko) 노광방법, 노광장치, 패턴형성방법 및 디바이스 제조방법
WO2020145044A1 (ja) 露光装置
JP2005079470A (ja) 照明光学系の調整方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
JP4957278B2 (ja) 照明装置、露光装置、露光装置の調整方法、及びデバイスの製造方法
CN118311837A (en) Exposure apparatus
JP5007538B2 (ja) 露光装置、デバイスの製造方法及び露光方法
TWI663482B (zh) 曝光裝置、平板顯示器之製造方法、元件製造方法、遮光裝置、及曝光方法
TW473819B (en) Exposure method and exposure apparatus
KR20060122505A (ko) 노광장치
JPWO2009001835A1 (ja) 光学特性の計測方法、光学特性の調整方法、露光装置、露光方法及び露光装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 20782164

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2021511276

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 20782164

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1