TW502558B - Plasma focus light source with improved pulse power system - Google Patents

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502558 經濟部智葸財產局資工消費合作社印製 A7 ___B7_ 五、發明説明（l ) 本申請案為2000年6月9日建擋之美國申請案序號 09/590,962、1 999年11月18日建檔之美國申請案序號 09/442,582與1 999年6月2日建檔之美國申請案序號 09/3 24, 52 6的連續部分（其為1999年3月15日建檔之美 國申請案序號09/268, 243(現在為美國專利6, 064, 0 72號） 與19 98年6月8日建檔之美國申請案序號0 9/ 0 93,416(現 在為美國專利第6, 051，841號）之連續部分（其為美國申請 案序號08/854, 507,現在為美國專利第5, 763, 930號之連 續部分）。本發明係有關於高能量光子光源且特別是有關於 高可靠性的X光與高能量紫外線光源。 半導體產業持續發展鋰板印刷技術，其甚至可印刷較 小的積體電路尺寸。這些系統必須具有高可靠性、成本有 效的產出與合理的處理餘欲。積體電路製作產業最近已由 水銀G線（ 436nm)與I線（ 365nm)曝光光源變更為248nm與 1 93nm激光雷射光源。此轉移係因對聚焦深度具有最小損 失之鋰板印刷較高解析度的需求而被突然引起。 積體電路產業之需求將很快超越193nm曝光光源之解 析度能力，因而創造對波長顯著短於193nm之可靠的曝光 光源之需求。激光光線在15 7nm存在，但具有此波長且足 夠高光學品質之足夠傳輸的光學材料難以獲得。因此，全 反射成像系統可能被需要。全反射系統比傳輸系統需要較 小的數值孔（N A )。較小N A所致的解析度損失僅能藉由以大 因子降低波長被補償β因此，若光學鋰板印刷之解析度要 被改進超過193nm或157ηπι所達成者時，便需要10nm範圍 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 裝 訂 線 (請乞閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財/i^g(工消費合作社印製 502558 A7 ___B7_ 五、發明説明（2 ) 內之光源。 高能量紫外線與X光光源目前之技藝狀態運用藉由用 雷射光束、電子或其他粒子衝擊各種目標材料所產生之電 漿。固態的目標曾被使用，但固態目標之磨削所創造之殘 骸對欲於生產線作業之系統的各種元件具有有害的影響0 對殘骸問題所提出之解法為使用冷凍液體或冷凍氣體之目 標，使得殘骸不會鍍到外面而至光學設備上。然而，這些 系統沒有一個被證明在生產線作業為實用的。 其已習知多年的是X光與高能量紫外線放射可在電漿 收束作業內被生產。在電漿收束中，電流以數種可能的組 配其中之一通過一電漿，使得流通電流所創立之磁場將電 漿中之電子與離子加速成具有足夠能量之微小容積以造成 外層電子由離子之大量剝落及X光與高能量紫外線輻射之 後續的產生。由聚焦或電漿收束用於產生高能量輻射之產 生的各種習知技藝技術在下列的專利中被描述： 1 9 76年6月1日J. Μ· Dawson之美國專利第3, 961, 1 97 號·· “X-Ray Generator”， 1976年7月13日T. G. Roberts等人之美國專利第 3, 969, 628 號：“ Intense， Energetic E 1 ectron Beam Assisted X-Ray Generator’’， 19 77年8月16日J. H. Lee之美國專利第4, 04 2, 84 8 號：“Hypocycloidal Pinch Device”， 1 985年3月12日L. Car tz等人之美國專利第4, 504, 964 號：“Laser Beam Plasma Pinch X-Ray System” ， -6 - I紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

502558 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（3 ) 1 985年8月 20日 A. ffeiss等人之美國專利第 4,536,884 號：“Plasma Pinch X-Ray Apparatus”， 1 985年8月27日S. Iwamatsu之美國專利第4, 538, 29 1 號：“ X-Ray Source”， 1 986年7月17日G. Herziger與W. Neff之美國專利 第 4，5 9 6，0 3 0 號：“ A p p a r a t u s f 〇 r G e n e r a t i n g a S 〇 u r c e of Plasma with High Radiation Intensity in the X-Ray Region’’， 1 986年10月21日A. Weiss等人之美國專利第 4,618,917 號：“X-Ray Lithograph System”， 1 986年12月30日A. Weiss等人之美國專利第 4,633,492 號·· “Plasma Pinch X-Ray Mehtod，，， 1 987年1月6日I. Okada與Y. Saitoh等人之美國專 利第 4, 633, 492 號：“ X-Ray Source and X-Ray Li thograph Method，，， 1 988年6月14日R. P. Gupta等人之美國專利第 4,751，723 號：“Multiple Vacuum Arc Derived Plasma Pinch X-Ray Source”， 1 988年6月21曰R. P. Gupta等人之美國專利第 4,752,946 號：“Gas Discharge Derived annular Plasma Pinch X-Ray Source’，， 1989 年 6 月 6 日 J. C· Riordan 與 J· S· Peariman 等人之美國專利第 4, 837, 794 號：“ Fi Iter Apparatus for use with a X-Ray Source’’， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^士 K 丁^^ 1 -------- - ____________ I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 ^^ 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 B7 發明説明（4) 先 閱 背 & 注 意 事 項 再 本 頁 1991年6月6日W· Neff等人之美國專利第5, 0 23, 8 97 號：“Device for Generating X-radiation with Plasma Source” ， 1992 年 4 月 7 日 D· A. Hammer 與 D· H· Kalantar 等 人之美國專利第 5，102, 776 號：“Method and Apparatus for Micro Lithography Using X-Pinch X-Ray Source，·， 1 996年4月2日M. W. McGeoch等人之美國專利第 5,504,795 號：“P1asma X-Ray Source” ， 1 9 98年3月Applied Optics期刊，第37卷第7期， 1243-1248 頁 G. Schriever 等人之 “ Laser-produced Lithium Source for Photoelectron Spectroscopy’’， 訂 1 998 年 11 月 Micro and Nano Engineering 國際研討 會，R. Lebert 等人之 “A Gas Discharged Based Radiation Source for EUV Lithography’’， 1 999 年 3 月 SPIE On Emerging Lithographic m

Technologies III 論文集第 3676 期，272-275 頁，W. T. Si 1 fast 等人之 “High-power Plasma Discharge Source at 13. 5nm 與 11·4nm for EUV Lithography”， 1 999 年 3 月 SP I E On Emerg i ng L i thograph i c

Technologies III 論文集第 3676 期，410-420 頁，F. Wu. 等人之 “The Vacuum Spark and Spherical Pinch X~ ray/EUV Point Source，、 1999 年 10 月 EUV Lithographic 之 Sematech 國 際工作討論會中Fomenkov，W. Partlo與D. Birx之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 502558 經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5 ) ^Characterization of a 13.5nm for EUV Lithography based on a Dense Plasma Focus and Lithium Emission*、 典型的習知技藝之電漿聚焦裝置可產生適用於鄰近X 光鋰板印刷的大量輻射，但由於大的每一脈衝電氣能量要 求與短的充電內部元件在重複率受到限制。這些系統之儲 存電氣能量要求為在Ik j至10 Ok j之範圍。該等重複率典 型上每秒不超過幾個脈衝。 所需的是就生產線為可靠的簡單系統用於生產高能量 紫外線與X輻射，其在高重複率下操作且避免與殘骸形成 有關之習知技藝的問題。 本發明提供一種高能量光子光源。一對電漿收束電極 被置於一真空室中。該室包括隋性緩衝氣體與活性氣體被 選用來提供所需的光譜線。一脈衝電力來源在高電壓提供 電氣脈衝，足於在陽極間創造電氣放電以產生非常高之溫 度，工作氣體中之高密度電漿收束提供在該來源或活性氣 體之光譜線提供輻射。較佳的是，該等電極與軸上之陽極 共軸地被組配。該陽極較佳地為中空的，且該活性氣體透 過該陽極被導入。此允許該光譜線光源之最佳化與該緩衝 氣體之分離的最佳化。較佳實施例呈現電容值、陽極長度 與形狀之最佳化，且較佳的活性氣體被揭示。較佳的W施 例亦包括一脈衝電力系統，包含一充電電容器與含有一脈 衝變壓器之磁力壓縮電路。一熱管冷卻系統被描述用於冷 卻該中央陽極。 在較佳實施例中，一外部反射輻射收集器一引向器收 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------装------、玎-------Φ (請先閱請背面之注意事項再填寫本頁) CC 5 2 5 參 A*7 ___B， 五、發明説明（6 ) 集在電漿收束被產生之輻射並以所要的方向導引該輻射、、 實施例被描述用於生產聚焦光束與平行光束。同樣在較佳 實施例中，該活性氣體為鋰蒸氣且該緩衝氣體為氡氣·及 該輻射收集器以具有高拋光入射角反射性材料被塗覆。該 反射器材料之好選擇為鉬、鈀、耔、鍺、金或鐫。 在其他較佳實施例中，該緩衝氣體為氬與鋰氣體·其 被置於沿著共軸電極組配之中央電極的軸之孔的固態或液 態鋰的蒸氣產生。在較佳實施例中，殘骸在錐形巢狀殘骸 收集器上被收集，其具有表面對齊由收束處延伸且朝向輻 射收集器一引向器被引導之光線。該錐形巢狀殘骸收集器 與該輻射收集器一引向器被維持於約4 0 0 °C範圍之溫度， 此高於鋰之熔點且實質地低於鎢之熔點。鎢與鋰蒸氣二者 均在殘骸收集器上收集，但鋰將蒸發離開殘骸收粢器與收 集器-引向器，而鎢將永久留在殘骸收集器上且因而不在 輻射收集器-引向器上收集及使其反射性降級。該反射輻 射收集器-引向器與錐形巢狀殘骸收ίβ器可被製作在一起 成為一部分或其可為彼此對齊收束處之分離的部位。 需要時一獨特的室窗可被提供’其被設計以傅輪E li V 光及反射包括可見光之較低能ffl的光。此窗較佳地為小Π 徑之窗包含如矽、誥或鈹的極端薄的村料° 申請人在此處描述第三代之稠密笵漿聚焦（DPF )职型 機裝置，係由申請人與其同夥工作人员構建成作為運用全 固態脈衝電力驅動器之極紫外線（EUY ;鋰板印刷術的光 源。使用真空光柵分光儀與具有矽光二極體之組合的結果 -丨(）一 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） ---------U------ir------0 經濟部IT^Hi^a:工消費合作社印製 刈2558 A7j 年 正云修社 曰 7 月 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（) 第89124381號專利申請案 說明書修正頁 91年6月7日 ，申請人發現在Mo/Si鏡之反射帶內之大量輻射可使用雙 離子化之135nm放射線被產生。此原型機DPF變換每脈 衝25J之儲存電能成為被放射進入4π球面角度之大約 0.76 J的帶內13.5nm輻射。此裝置之電漿重複率績效已被 調查達到200Hz之DC電源限度。每一電漿中未發現有顯 著的EUV輸出減少達到此重複率。在200Hz，所測量的電 漿對電漿容量穰定性為σ = 6 %且未發現漏失電漿。此原型 機DPF裝置之電氣電路及操作與數個較佳修改之描述被 呈現而欲於改進穩定性、效率與績效。 同樣被描述為能在2,000Hz作業之第四代DPF,其能 產生有用的EUV輻射之每一電漿約20mJ至2π的球面角 度。 本發明提供在可靠的高亮度EUV光源中之務實的 EUV鋰板印刷術實作，具有放射特徵相當配合Mo/Si或 Mo/Be鏡系統之反射帶。 圖式簡要說明 第1與1A圖為呈現本發明較佳實施例之高能量光子 光源圖。 第2圖為具有碟形電極之三維電漿收束裝置圖。 第3圖為本發明之第四較佳實施例之圖。 第4圖為本發明較佳賁施例之較佳電路圖。 第5A圖為申請人與其夥同工作人員所建立之原型機 單元圖。 第5B圖為顯示具有火星塞預先離子化器的原型機之 電極的斷面圖。 第5B1- 5B6圖為顯示電漿收束之組成圖。 —11 — 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------^------—^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 502558 A7 B7 五、發明説明（8 ) 第5C圖為顯示額外爆破屏蔽之電極區的斷面圖。 第5C1 — 5C6圖為顯示在定位具有爆破屏蔽之電漿收 ^的組成圖。 第6圖為該原型機單元所產生之電漿形狀。 第7圖為超雙曲線形收集器所產生之EUV光束。 第7A圖為超雙曲線形收集器之透視圖。 第7B圖為橢圓形收集器所產生之一部分EUV光束。 第8圖顯示相對於MoSi塗層之反射的13. 5ηπι鋰尖峰。 第9圖顯示一巢狀錐形殘骸收集器。 第10圖顯示用於反射可見光及傳輸EUV光之薄Be窗。 第11圖顯舍各種1 3 . 5nm紫外線輻射材料之反射性。 第1 2圖〜顯示用於導引來源氣體與工作氣體之技術。 第13圖顯示陽極電壓與EUV強度之時間圖。 第14Α，14Β，14C與14D圖顯示各種陽極設計對電漿 收束之效應。 第1 5圖顯示使用RF能量以操作鋰蒸氣來源氣體之技 術。 第16，16Α，16Β，16C與16D與16Ε圖顯示第四代電 漿收束裝置原型機之特點與測試結果。 第1 7圖顯示用於RF能量以操作鋰蒸氣來源氣體之技 術。 顯示高能量紫外線光源之基本設計的簡化圆在第1與 第1Α圖中被顯示。其主要元件為一電漿收束單元2、一高 能量光子收集器4與一中空光線管6。電漿收束來源包含 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) f讀先閱讀背面之注t事項再填寫本頁}

丁 . -° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財./1局員工消費合作社印製 502558 A7 _B7_ 五、發明説明（9 ) 被低感應脈衝電力電路10供電之一同軸電極8。在此較佳 實施例中之脈衝電力電路為能以至少1,000Hz之比率提供 1.4V至2. 5kV之範圍內非常快速（約50ns)上揚時間脈衝至 同軸電極8的高電壓又具有能源效率的電路。 在第1圖之情形中，如氦與鋰蒸氣混合物之小量工作 氣體在靠近如第1圖之電極8的底部被呈現。在每一高電 壓處，突崩潰在同輻電極8之外層與內層電極間因預先離 子化或自我停頓之任一而發生。在緩衝氣體中發生之突崩 潰過程會使氣體離子化並在電極與電極底部間創造導電的 電漿。一旦導電的電漿存在，電流在內層與外層電極間流 動。在此較佳實施例中，內層電極為在高的正電壓且外層 電極為在接地電位。電流將由內層電極流向外層電極且電 子將朝向中心流動及正離子會由中心流動離去。此電流產 生磁場，其對活動的電荷載體作用，使其加速離間同軸電 極8。 當電漿到達中心電極之端部時，電力與磁力對電漿施 力，使電漿收束至以距中心電極端部短距離沿著中心線繞 著點11之一「焦點」，且電漿之壓力與溫度迅速地上升達 到極端高的溫度，在某些情形甚至比太陽表面溫度還高。 電極之尺寸與電路之總電力能量較佳地被最佳化以產生電 漿中所要的黑體溫度。為了產生13 nm範圍之輻射需要有高 於2G-10GeV之黑體溫度。一般而言，就特定的共軸組配而 言，溫度將隨著電氣脈衝之電壓增加而提高。輻射點之形 狀在軸方向多少是有些不規則的，而在徑向方向大略為高 —13 — 本紙張尺度適用中國國家標準( CNS ) A4規格（210X297公釐） 裳 線 (請先閱讀背面之注*事項再填艿本頁) 502558 A7 __B7__ 五、發明説明（10 ) 斯形狀的。光源之典型尺寸為30G微米且其長度約為4mm。 在技術文獻所描述之大多數習知技藝的電漿收束單元 中，該輻射點以近似黑體之光譜在全方向放射輻射。工作 氣體中之鋰的目的為要使由輻射點來之輻射光譜變窄。 第二個基本設計被顯示於第1Α圖。在此情形中，鋰蒸 氣為活性氣體且經由陽極之中心被注入。緩衝氣體為氦且 其在別的位置被注入。一吸氣泵被用以創造室中所要的真 空。鋰線被加熱以使鋰維持於蒸氣狀態。 雙離子化之鋰展現13.5nm之電子轉移且作用為緩衝 氦中之輻射來源原子。雙離子化鋰有二個原因成為優異的 選擇。首先為鋰之低熔點與高蒸氣壓力。由輻射點被排出 之鋰可僅是藉由將室壁與集光鏡片加熱至180°C以上便可 避免鍍到這些表面上。然後蒸氣相之鋰可與氦緩衝氣體使 用標準的渦輪分子泵技術由該室被泵出。且鋰與氦可僅是 藉由將此二氣體冷卻而分離。 塗覆材料可用於提供13. 5nm之良好的反射。第8圖顯 示相對於拋光MoSi反射之鋰放射尖峰。 經濟部智慧財產局工消費合作社印製 使用鋰作為原子源之第三個好處為非離子化鋰就 13· 5ηιη輻射具有低的吸收斷面。進而言之，由輻射點被排 出之任何離子化鋰可用中度的電場容易地被掃掠而去掉。 餘留之非離子鋰實質上對13·5ηιη輻射為透明的。在13nm 範圍中目前最普遍用途之光源為使用雷射切除之氙的冷凍 噴射。此一系統因氙茌13 nm之吸收斷面很大故必須在下一 個脈衝前實質上捕取所有被排出之氙氣。 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 502558 經濟部智慧財/t^7p、工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（η ) 另一較佳的原子源為具有13. 5nm範圍之寬帶放射線 的氙氣。申請人在本說明書之後續段落描述對吸收問題之 解法。 在輻射點產生之輻射被均勻地放射至完整的4;:球面 角度。捕取此輻射並將之導向鋰板印刷術工具需要某些型 式之集光透鏡。先前提議之13nm光源根據多層介質塗覆之 鏡的使用而建議集光透鏡。多層介質鏡被用以在大的角度 範圍達成高的收集效率。會產生殘骸之任何輻射源會塗覆 這些介質鏡且使其反射惡化，因而減少由光源所收集之輸 出。此較佳的系統會遭到電極腐蝕且長時間下使被置於輻 射點附近的任何介質鏡惡化。 數個材料就13. 5nmUV光在小的拋光入射角具有高反 射為可用的。這些材料之圖顯示於第11圖。好的選擇包括 鉬、鍺與鎢。收集器可由這些材料被製作，但較佳的是其 被施用為在如鎳之基底結構材料上的塗層。此錐形段可藉 由在可去除的心軸上電鍍鎳而被製備。 為產生能接受大角度之圓錐的收集器，數個錐形段可 在彼此內側做成巢狀。每一錐形段可運用一個以上之輻射 的反射以在所要的方向再導引其輻射角錐之段落。對最靠 近拋光入射角之作業設計其收集將產生對已腐蝕之m極材 料的沉積具有最大容差的收集器。如此之鏡的拋光入射角 反射強烈地依賴鏡表面之粗糙度而定。表面粗糙度之相依 性隨入射角趨近拋光入射角而降低。吾人估計可收集及引 導13ηπι之輻射在至25度之實角被放射。用於引導輻射至 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ---------¾------π------0 (請先閱請背面之注意事項再填寫本頁) 502558 A7 B7__ 五、發明説明（12 ) 光線管之較佳的收集器被顯示於第1，2，3圖。 用於為外部反射收集器選擇材料之較佳方法為收集器 上之塗層材料與電極材料相同。鎢由於其具有作為一電極 之已被證明的績效且其在13nm之撓射指標的實數部分為 0.945,故其為有希望的候選品。對電極與鏡塗層使用相同 的材料會使因腐蝕之電極材料鍍到集光鏡上的反射惡化達 到最小。 銀亦為對電極與塗層之優異的選擇，因其亦具有在 1 3nm之低撓射指標及高的熱傳導性允許較高的重複率操 作。 在另一較佳實施例中，該收集器-引向器被保護免於 被殘骸收集器之蒸氣化電極污損表面，此殘骸收集器在鎢 蒸氣到達收集器一引向器4前將之全部收集。第9圖顯示 一錐形巢狀收集器5包含巢狀錐形段具有表面與由收束處 中心延伸且被導向收集器一引向器4之光線對齊。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 被收集之殘骸包括由鎢電極被蒸發之鎢及被蒸發之 鋰。該殘骸收集器被附掛於收集器-引向器4或成為其一 部分。二收集器均含有鍍鎳之基底。輻射收集器一引向器 部位4被塗覆鉬或鍺以便有非常高之反射性。較佳地是二 收集器均被加熱到約40CTC，其實質上高於鋰之熔點且實 質上低於鎢之熔點。鋰與鎢之蒸氣將在殘骸收集器5之表 面上收集，但鋰將蒸發掉而至鋰在收集器-引向器4上收 集之程度。在殘骸收集器5上被收集一次之鎢將永久留在 那裏。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 502558 A7 B7 五、發明説明（13 ) -----------^-- (許乞閱讀背面之注意事項再填苟本頁) 第7圖顯示本申請人所設計之收集器的光學特點。該 收集器包含五個巢狀拋光入射拋物面收集器·但圖中僅顯 示五個收集器中之其中三個。內層的二個收集器未被畫 出。在此設計中，其收集角約為0.4球面角。就如下面討 論者，該收集器表面被塗裝及被加熱以防止鋰沉積。此設 計產生平行的光束。如第1，3與10圖之其他較佳設計將 使該光束聚焦。該收集器必須用具有在13. 5iim波長範圍之 高拋光入射角收集器之材料被塗裝。二種此材料為鈀與 釕。 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 被設計用以聚焦光束之另一收集器一引向器被顯示於 第7Β圖。此收集器一引向器運用一橢圓鏡30以聚焦EUV 光源。此型式之鏡可由如Reflex S. V. 0.之供應商在商 業上取得，其在捷克共和國具有設備而在美國以Bede科學 儀器公司配銷，且在英國與科羅拉多之Englewood都有辦 事處。讀者應注意到此鏡僅在第7B圖之32處顯示的角收 集光線。然而，額外的鏡元件可被包括於鏡3G內側與外側 以收集及聚焦額外的光線。讀者應注意到其他的鏡元件可 被置於30之下游以收集狹窄角度之光線或於鏡30之上游 以收集較寬角度之光線。 重要的是要使沉積材料遠離鋰板印刷術工具之照明鏡 片。因此，光線管6為較佳的以進一步確保此分離。光線 管6為一中空光線管，其亦運用實質上在其內側表面之總 外部收集器。基本的集光鏡片可被設計以降低被收集之輻 射的錐角而符合該中空光線管之接受角。此觀念被顯示於 -丨7 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 502558 A7 B7 五、發明説明（14 ) 弟1圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填艿本頁) 該鋰板印刷術工具之介質鏡便因鎢、銀或鋰原子將必 須如第1圖顯示地對中空光線管下之緩衝氣體的流動上游 加以撓射而被保護地很好而免於有任何電極殘骸。 較佳脈衝電力單元為運用如美國專利第5,93 6,988號 所描述之脈衝電力單元之固態觸發器與磁力切換電路的固 態高頻、高電壓脈衝電力單元。這些單元極端地可靠且可 連續地作業而在數月及百萬脈衝下不需實質的維護。美國 專利第5, 936, 988號之教習被納於此處作為參考。 第4圖顯示提供脈衝電力之簡化的電氣電路。一較佳 實施例包括DC電源40，其為激光雷射所使用之命令諧振電 荷供應型式。G為一排架外電容器具有65 /i F之組合電容， 及尖峰電容器C!亦為一排架外電容器具有65//F之組合電 容。可飽和感應器4 2具有約1 . 5nH之飽和驅動電感。觸發 器44為一 IGBT。二極體46與感應器48創造類似於美國 專利第5, 729, 5 62號中所描述之允許由一脈衝被收集器之 電氣能量於下一個脈衝前被儲存於C(>的能量恢復電路。 經濟部智慧財/i^M工消費合作社印製 因此如第1圖顯示者，氦與鋰蒸氣混合物之工作氣體 被排放至共軸電極8內。由脈衝電力單元1 0來之電氣脈衝 將以足夠高的溫度與壓力在點1 1處創造一稠密的電漿焦點 以使工作氣體內之鋰原子雙倍地離子化而產生約13. 5nrn 波長之紫外線輻射。 此光線在總外部反射-收集器4內被收集並被導入中 空光線管6，光線在此處進一步被導向鋰板印刷術工具（未 -18 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部智慧財/t^7M工消費合作社印製 502558 A7 B7 五、發明説明（G ) 畫出）。排放室1以渦輪吸力泵12被維持於約4Torr之真 空。工作氣體中某些氦在氦分離器14被分離且被用於如第 1圖中之16處驅迫該光線管。光線管中之氦的壓力較佳地 要符合鋰板印刷術的工具之壓力要求，其典型上被維持於 低壓力或真空。工作氣體之溫度用熱交換器20被維持於所 要的溫度且其氣體用靜電過濾器22加以清潔。該氣體如第 1圖顯示地被排放至共軸電極空間內。 本申請人與其夥同工作人員所建造及測試之電漿收束 單元原型機之圖被顯示於第5Α圖。主要的元件為C,電容 器台、G電容器台、IGBT切換器、可飽和感應器42、真空 容器3與共軸電極8。 第6圖顯示本申請人用第5圖顯示之單元所測量之典 型的脈衝形狀。本申請人已在一個8微秒期間記錄在 13.5nm之C!電壓、Ci電流與強度。此型式脈衝之積分能量 為約〇· 8J。該脈衝寬度（以FWHM)為約280ns。中斷前之C! 電壓為稍小於1KV。 此原型機實施例可在達2GG Hz之脈衝率。在4;r球面 角所測量之平均帶內13. 5nm輻射在2 0 0 Hz時為152W。在1 S i gma下之能量穩定性為約6 %。本申請人估計3. 2百分比 之能量可用第1圖爵示之收集器4被導向成有用的13. 5nm 之光束。 一第二電漿收束單元被顯示於第2圖。此單元類似於 美國專利第4, 042, 848號描述之電漿收束裝置。此單元包 含二個外層碟形電極30與32及一個內層碟形電極36。此 -19- 以張尺度適用中國國家縣（CNS ) A4規格（21GX29*?公釐) I奸衣 n I —訂I I I I I線 (請先閱讀背面之注意事項再填艿本頁) 502558 經濟部智慧財1局員工消費合作社印製 A7 ____B7_ 五、發明説明（l6 ) 收束如美國專利第4, 042, 848號描述且如第2圖指示般地 由三方向被創造。此收束在靠電極周邊處開始且朝向中心 前進’且輻射點沿著對稱軸及在第2圖之34顯示地於內層 電極之中心被發展β輻射可如針對第1圖實施例所描述者 被收集及引導。然而，其可能如第2圖顯示地依由單元兩 側出來之方向捕取輻射。同樣，藉由將介質鏡置於38處， 起先被反射至左邊的大量百分比之輻射可透過該輻射點被 收集器回來。此應會剌激輻射朝向右側。 一第三實施例可參照第3圖被描述。此實施例類似於 第一較佳實施例。然而在此實施例中緩衝氣體為氬。氦具 有對1 3nm輻射為相當透明之所要的性質，但其具有較小原 子質量之不願有的性質。此低的原子質量強迫吾人在2〜4 Torr之背景壓力下操作該系統。He之小的原子質量的額外 缺點在於符合電氣驅動電路之時間性的加速距離所需之電 極長度。因為He較輕，故其電極必須比所欲的還長，使得 He與通過驅動電路之電流尖峰同時掉落電極之端部。 如Ar之較重的原子比起He就某一壓力具有較低的傳 輸性，但因其較高的質量可在較低壓力產生穩定的收束。 Ar之較低操作壓力比起Ar可偏置較多的提高吸收性質。 此外，所需的電極長度因較高的原子質量被減少。較短的 電極會有利的其原因有二。首先為在使用較短電極時電路 電感降低的結果。較低的電感使得驅動電路更有效率，因 而減少所需的電氣泵能量。電極較短的第二優點為由電極 末梢至底部的熱感應路徑長度之減小。施加於電極之大多 -20 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (讀先閱讀背面之注意事項再填朽本頁)

502558 經濟部智慧財1局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（Π ) 數熱能量在束末梢發生且電極之傳導冷卻主要在底部發生 (輻射冷卻亦會發生）。較短的電極導致在由熱的末梢至冷 的底部之其全長有較小的溫度下降。每一脈衝之較小泵能 量與改良的冷卻路徑二者會允許系統在較高的重複率作 業。提高重複率直接提高系統之平均光學輸出功率。藉由 提高重複率（如與提高每一脈衝之能量相反）之輸出功率的 定標就光源鋰板印刷術之平均輸出功率為最想要的方法。 在此較佳的實施例中，不像第一與第二實施例中以氣 體的形式被注入室中。取代的是，固態鋰如第3圖顯示地 被置於中央電極之中心的孔中。然後由電極來之熱將該鋰 帶至其蒸發溫度。藉由調整鋰相對於電極之熱末梢的高 度，吾人可控制靠近電極末梢之鋰的部分壓力。如此做之 一較佳方法被顯示於第3圖中。一機制被提供用於調整相 對於電極末梢之固態鋰桿的末梢。較佳的是，該系統被垂 直地配置便得共軸電極8之開放側為其頂端，使得任何熔 化的鋰僅泥糊靠近中央電極之頂端。該光束將如第5A圖顯 示地以垂直方向筆直向上地離開。（一替選做法為加熱該電 極至超過鋰熔點之溫度，使得鋰如液體般地被添加）。極端 低的流體泵為可用的用於以就任何特定重複率所需的比率 泵動該液體。鎢心可被用以將液態鋰芯吸至中央電極末梢 之區域。 電極中央下方的孔提供另一重要的優點。由於電漿收 束在靠近中央電極末梢之中心形成，很多能量在此區域被 驅散。靠近此點之電極材料將被削除且最終耗盡在壓力容 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -I ----I —— —_ I 士 心! -----I I I n 丁 ! I n I i :.. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 502558 經濟部智慧时產笱a:工消費合作社印製 A7 __— ___B7_五、發明説明（IS ) 器內側之其他表面。運用具有中心孔之電極大幅地減少可 用的腐蝕材料。此外，本申請人之實驗已證明鋰蒸氣在此 區域存在會進一步降低電極材料之腐蝕率。真空膜盒或其 他適當的密封方法必須被使用以維持電極設備進入該室之 處的良好密封。完全地載有固態鋰之替換電極可容易地且 便宜地被製造及可容易地在該室中被替換。 該收束產生非常大量的可見光，其必須由EUV光被分 離。一窗亦為所要的，以額外地確保鋰板印刷術鏡片不會 以鋰或鎢被污損。本發明所產生之極端紫外線光束以固態 方式高速地被吸收。因此對該光束提供一窗是一挑戰。本 申請人偏好的窗之解決做法為運用極端薄箔片，其將傳輸 EUV並收集器可見光。本申請人偏好的窗為舶之箔片（約 0. 2至0. 5微米）以與到來光束之軸成約10°之入射角被傾 斜。以此配置下，幾乎所有的可見光被反射且約5 0至8 0 百分比之EUV被傳輸。當然此薄的窗並不非常堅固。因此， 本申請人使用直徑很小之窗且光束透過該小窗被聚焦。較 佳的是，該鉑窗之直徑為約1 Onm。小窗之加熱必須被考 慮，且為了高的重複率，將會需要窗之特殊的冷卻。 在某些設計，此元件可被設計成僅為一光束分割器， 由於其在橫越該薄的光學元件不會有壓力差別，此將使該 設計簡化。 第1 0圖顯示一較佳實施例，其中輻射收集器4被收集 器延伸物延伸以透過〇. 5微米厚，1 mm直徑之鉑窗7來聚 焦光束9。 -22 - ^纸張尺度適用中國國家標準（〇奶）六4規格（210/297公釐) ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) m 訂 丨^^- 502558 經濟部智慈財凌局員工消費合作社印製 A7 ___B7_ 五、發明説明（丨9 ) 本申請人之實驗曾顯示良好結果可被獲得而不須預先 離子化，但績效可以預先離子化被改進。顯示於第5A圖之 原型機單元包含DC驅動火星塞預先離子化器以使電極間 之氣體預先離子化。本申請人將能以改進的預先離子化技 術大幅地改進這些能量穩定值及改進其他的績效參數。預 先離子化為本申請人與其他者所使用之發展良好的技術以 改進激光雷射之績效。較佳的預先離子化技術包括： (1) DC驅動火星塞間隙 (2) RF驅動火星塞間隙 (3) RF驅動表面放電 (4 )電暈放電 (5)與預先離子化組合之波尖（Spiker)電路。 這些技術在激光雷射相關之科學文獻被完備地描述且 為相當習知的。 第5Β圖顯示在較佳實施例提供預先離子化之總數八 個火星塞1 38其中二個之位置。此圖亦顯示陰極1 1 1與陽 極1 25包含有不鏽鋼之外層部位與鎢之內層部位。絕綠器 覆蓋物圈繞陽極1 23之下層部位且5釐米厚之薄膜絕緣器 125完成陽極與陰極之隔離。第5Β1-6圖顯示在收束前之 典型脈衝的進行，其在第5Β5圖中於排放起始後約1 . 2 ν s 完整地被發展。 在放電之際，電漿朝向陽極之末梢被對電流通過電漿 所創立之離子與電子作用之Loretz力加速。在達到第5Β 圖中121處顯示之電極的末梢之際，在徑向被引導之力向 -23 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） n I I · I-訂 ί !.- - 111 線 (讀乇閱讀背面之注意事項再填艿本頁) 五 ___I_ 經濟部智慧財/1局8工消費合作社印製 A7 B7 發明説明（2〇 ) 量將熱與電漿壓縮至高溫。 一旦該電漿被壓縮，對電漿作用之現存在軸向被引導 之力傾向於特別如第5B6圖顯示地延長電漿柱◊此即這種 延長導致不穩定性。一旦該電漿柱沿著該軸已成長超過某 一點，橫越被壓縮之電漿的區域之電壓下降變得太大而不 能被繞著陽極末梢附近的區域中之低壓氣體維持。弧絡會 發生，且大多數或全部電流如第5B6圖之虛線顯示地通過 陽極末梢附近氣體的較短、較低密度區域。此弧絡因其產 生電漿中之不穩定性且造成相當快速的電極腐蝕而為有害 的。 此問題之解法為電漿柱在軸方向之運動提供實體障 礙。此障礙在第5C圖中以元件標號143顯示，且因其作用 類似抵擋DPF裝置之電漿排出，本申請人稱之為防爆屏 蔽。此防爆屏蔽必須以具有強健的機械與熱學性質之電氣 絕緣材料做成。此外，當此防爆屏蔽材料與鋰之高反作用 元素作業時必須考慮其化學相容性。鋰因其在3. 5nm之強 放射而為此EUV光源所提議之放射元素。一優異的候選品 為單晶氧化鋁、藍寶石或通用電氣公司所製造之Luca lux 註冊商標材料之無定形的藍寶石。 防爆屏蔽之最適形狀已被發現是為以陽極為中心之圆 頂，其半徑如第5C圖顯示地等於陽極之直徑。此形狀在電 漿受到最大壓力時緊密地符合自然發生之電漿電流線。若 該防爆屏蔽由陽極末梢被置於更遠，則該電漿柱會太長導 致不足的電漿加熱及弧絡之風險。若該防爆屏蔽被置於太 -24 -本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502558 A7 B7 五、發明説明（21) 靠近陽極末梢，則由中央軸流動出來向下朝向陰極之電流 被限制而再次導致電漿加熱不足β 防爆屏蔽1 43在頂端側之孔被需要以允許ΕΠ’輻射逃 離及被收集使用。由於電漿傾向於由此孔洩漏並在防爆屏 蔽上方形成長而狹窄之柱，故此孔應做得儘可能地小。在 144顯示之孔中被切入之斜角允許對電漿收束裝置所產生 之EUV輻射之更大的軸外收集。 第5C1-6圖顯示該防爆屏蔽如何包含電漿收束並防止 弧絡。 本申請人已發現來源氣體之要求與被最佳化之緩衝氣 體的要求不會被單一氣體滿足。該來源氣體就13. 5nm之狹 帶放射必須為如鋰之物或就靠近13. 5nm之寬帶放射為 氙。鋰與氙之密度、耐壓與吸收性質就使用作為緩衝氣體 並非最佳的。例如，氙的自我吸收太強及鋰不夠稠密，均 不適於用作為緩衝氣體。 針對此衝突需求之問題，本申請人如第1 2圖顯示地將 工作氣體分為來源氣體與緩衝氣體，並提供5%Xe與95% He之混合物的來源氣體饋送42到達陽極40之中心。然後 本申請人提供最佳化之緩衝氣體（如氦或氦與氬之混合氣） 至維持於固定壓力之主容器區域。然後，陽極內側之來源 氣體將為緩衝氣體之壓力，且來源氣體42之流率會決定在 主容器區域內與緩衝氣體被混合之來源氣體的部分壓力。 最佳的是具有低的來源氣體流率以使得在主容器區域中之 來源氣體的部分壓力為最小。（在主容器區域中之工作氣體 -25 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐) ---------裝------訂------線 (請先閱讀背面之注意事項再填艿木頁) 502558 A7 B7 五、發明説明（22 ) 的壓力被未畫出之壓力調節系統調節）◎該緩衝氣體如在 46顯示之陽極4G與陰極44間循環。 本申請人已發現最高的電漿溫度存在於當電漿收束事 件同時與由驅動電容器排組來之電流尖峰發生之時。就某 一陽極組配與緩衝氣體密度而言，電漿前端將在某一時間 數量內就某一充電電壓數量下運行整段陽極。最大放射效 率藉由調整電容值與充電電壓使得尖峰電容電流在電漿收 束之際存在而被獲得。 若希望有較高之輸入能量水準及因而較高之充電電 壓，則驅動電容必須被降低使得驅動波形之時機會符合電 漿沿著整段陽極之停止時間。由於儲存於電容器之能量與 電壓之平方及與電容之線性成比例，所儲存之能量將隨著 電壓在某人因提高電壓比例地降低電容而線性地増加。 第1 3圖顯示所測量之驅動電容電壓、所測量之陽極電 壓與EUV強度對具有電容被適當地選取以在收束之際產生 最大電容電流的圖。就此案例，其係為2cm長之陽極、 2. 5Torr之He緩衝氣體及C!電容。 本申請人已發現在中空陽極之組配下，一旦收朿已被 形成，電漿收束沿著軸迅速地成長，且延伸到中空陽極之 開口中。當收束長度成長時，最終其會沿著其長度降低太 多電壓且弧絡將橫越陽極之表面發生。解決此弧絡之一方 法為使用防爆屏蔽以如上面描述地對延伸離開陽極之收束 長度的成長之障礙。降低收束長度成長至中空陽極內之速 度的另一做法為拓寬陽極狹窄區域內之開放直徑。此將減 -26 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -觀丨 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502558 A7 B7 五、發明説明（23 ) 緩收束長度之成長及防止弧絡。 所有前面的文獻顯示具有固定尺寸空部位之中空陽 極。 第14A，14B，14C與14D圖顯示各種中空陽極形狀之 收束形狀的例子。第1 4D圖顯示之組配顯示最短的收束形 狀。 由於電漿停止時間決定電漿收束在驅動電壓波形之何 處發生，本申請人藉由改變曝現陽極之數量及因而之停止 期間長度已能調整電漿聚焦裝置之收束部位的期間長度。 緩衝氣體密度被所要的電漿收束直徑指定，且驅動電 容在實務上被限制於某一範圍內。此二參數與驅動電壓被 組合而決定所要之停止時間。然後該停止時間可藉由增減 被曝現陽極之長度而被調整。較佳的是，該停止時問被選 擇成使得電漿收束事件在驅動電流的突峰之際發生。若希 望有較長的電漿收束期間長度，則陽極之曝現長度可被減 小，因而縮短停止時間並造成電漿收束在驅動波形中較早 發生。 上述的釋出方案有賴於陽極溫度升高到足以使鋰之蒸 氣壓力到達所要的水準。此溫度為在1G 0 0 - 1 30 0 °C之範圆 內。 另一替選作法為由如用鋰注入之多孔的鎢之材料製作 一 RF天線。此用鋰注入之多孔的鎢天線50如第1 5圖被置 於陽極內側下方。RF功率來源52在天線上或附近，其將 驅除被通過中空陽極之中心之氣體流及被承載至陽極端部 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 裝-- (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部智慧財產^7肖工消費合作社印製 502558 A7 B7 五、發明説明（24) 之鋰原子所掃掠的原子。 鋰離子之生產速度被RF來源之功率水準容易地控 制。此外，該多孔的鎢陽極可用此RF驅動維持於足以讓液 態鋰由置於陽極底部之貯筒56用燈心引上的材料。 在本發明之較佳實施例中，該中央陽極具有約0.5cm 至1. 25cm範圍內之外側直徑。此陽極被期望能吸收因電漿 在排放之際落下或因由電漿收束之輻射吸收的實質能量。 在約1 5kw範圍內的冷卻可能是必需的。由於氣體壓力非常 低，所以不會因透過緩衝氣體之對流而有太多冷卻。輻射 冷卻僅可能在非常高之陽極溫度下為有效的。陽極全段的 傳導需要非常大之溫度下降。 若鋰蒸氣被用作為活性氣體且透過陽極中心被注入， 該陽極溫度將須被維持於l，〇〇〇°C至1,300°C範圍內更高 的溫度。此高的作業溫度、實質的熱去除的要求、包絡考 量及高電壓限制了冷卻技術之選擇。然而一種鋰（或其他鹼 金屬）熱管技術提供相當簡單且強健解法之潛能。鋰熱管在 約1，0 0 0 °C之溫度開始有效率地操作。此種裝置之特定的 設計典型上使用耐高溫的金屬（鉬與鎢）用於盒子與內部燈 心，因而可在非常高之溫度操作。起始的調查揭露此熱管 能符合DPF之冷卻要求的信心。 最簡單的實施例會採取管狀或環狀熱管之形式’其與 DPF之陽極整合以便有佳的熱耦合。可能的實施例會為環 狀的以促成液態或蒸發之鋰傳送至DPF之電漿。舉例而 言，一條去除15kw之0.5”直徑的固體熱管會有75k\^in2 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X29?公釐） (請先閱讀'背面之注意事項再填艿本頁) 祕4· 訂 經濟部智丛財產局貨工消費合作社印製 502558 經濟部智慧时產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（25) (11. 8kw/cm2)之瓦特密度。去除15kw之具有r'OD與0. 5·ΊΡ 的環狀熱管將具有25. 4kw/in2(3. 9kw/cm2)之瓦特密度。由 於鋰熱管已被證明具有遠超過15h，/cm2之瓦特密度·此二 例子展現此技術之潛能。在作業中，沿著其長度僅具有很 小之溫度梯度，且就實務目的而言，可視為依長度具有固 定的溫度。因此，熱管之「冷」端部（凝結器）亦為在1，000 °C或以上之材料。為了由熱管之凝結器端部去除熱，一較 佳實施例可運用對液體冷卻劑（如水）之封套的輻射冷卻。 輻射熱傳送與溫度的四次方成比例，因此在所提議之作業 溫度有高比率的熱傳送為可能的。該熱管將被環狀水式熱 交換器圍繞而能在1 5kw有穩定作業狀態。其他的實施例將 以如不鏽鋼之其他材料隔離熱管之凝結器並用液隳冷卻劑 來冷卻此材料之外層表面。不管什麼技術被使用*重要的 是熱管不會在凝結器用冷卻劑被「震驚」，即被強迫比蒸 發器端部冷得太多。此會嚴重地影響績效。同樣的，若熱 管溫度沿著其長度的任一點低於工作液體之冷凍點（以鋰 而言為〜180°C )，其將完全不作用。 靠近中央電極（陽極）底部之元件作業溫度的限制會要 求被傳送至此區域之熱被最小化。此條件例如可藉由用靠 近較低溫度容差區域之低放射性材料塗覆熱管外部而被達 成。然後真空間隙可在熱管與所要的低溫元件問被製作。 由於真空具有非常低之熱傳導性且熱管以低放射性材料被 塗覆，最小的熱傳送會在熱管與較冷的元件間發生。在變 化的電力負荷水準下維持受控制之陽極溫度為另一考慮。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ---------装------1Τ------Φ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 502558 五 經濟部智慧財/i局K工消費合作社印製 A7 B7 發明説明（26 ) 此可藉由在熱管與水冷外層封套間置一圓筒而被達成。此 圓筒為了高反射性在其內層直徑及為了低放射性在其外層 直徑被塗裝或被拋光。若該圓筒完全地被嵌入輻射熱管與 水冷封套間，輻射將朝向熱管被反射回來而降低由熱管至 封套之電力流。作為一「限制器」之圓筒被抽出時·較大 部分之熱管的凝結器可直接輻射至水封套熱交換器上。「限 制器」位置之調整因而控制電力流，其設定該熱管及最終 之陽極的穩定狀態作業溫度。 使用熱管冷卻之較佳實施例被顯示於第17圖，圖中顯 示者為陽極8A、陰極8B與絕緣器元件9。在此情形中，鋰 蒸氣被使用作為活性氣體且如在440顯示地經由陽極8A 之中心被傳送至排放室。陽極8A以含鋰熱管444之鋰熱管 系統4 4 2被冷卻。在熱管444之熱傳送區446內之鋰在靠 近電極8A之熱端蒸發，且其蒸氣朝向熱管之冷端流動，熱 在此處由熱管被輻射冷卻傳送至具有被水盤管4 50冷卻之 散熱器表面4 4 8之散熱器單元44 6。鋰蒸氣之冷卻造成其 狀態為液體且該液體依照相當習知之熱管技術藉由毛細管 泵作用以燈心引導回到其熱端部。在一實施例中，一限制 器圓筒4 5 2根據未畫出之溫度回鲼控制單元的一部分之驅 動器在散熱器表面448內側如於454處顯示地上下滑動。 該陽極熱管單元亦較佳地包含一 助加熱系統用於在電漿 收束裝置未產生足夠的熱時維持鋰之溫度超過其凝固點。 第4圖為本申請人所建造及測試之第四代電漿收束裝 置原型機4 0 0的斷面圖。第16A圖為顯示收束區域401之 -30 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 502558 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（27) 細部的該裝置之放大部位。第1 6B圖為一電路圖顯示此實 施例之高電壓脈衝電力驅動系統的重要電氣元件。此單元 以達到約2kHz之脈衝重複率產生電漿收束。電極間放出之 電氣能量約每脈衝12：[。本申請人估計在所論及之EUV範 圍中被每一收束產生之有用的光線能量為在約20πϋ範圍 內被輻射至2τγ的球面角。第16圖顯示之實質的所有元件 為固態脈衝電力系統404之區域部分用於供應該等電極之 放電電氣脈衝^在此實施例中，約4-5kv之正電壓脈衝被 施用至中央陽極8A。陰極8B為處於接地電位。預先離子 化被8個火星塞1 38提供，其在陰極與陽極間的空間底部 產生預先離子化火花。這些火星塞在2 Gkv作業，使用作為 30kv lOmHz正弦波產生器（未畫出）之電源。 此較佳脈衝電力系統之電氣電路圖的描述在下面參照 第16Β圖及偶而參照第16與16Α圖被設立。 一慣用的約70 0V dc電源被用以變換由2 0 8伏特3相 電力之設備來的電力成為約Vdc50A電力。此電源400 為諧振充電器單元4 02提供電力。電源4 0 0使一個大的1500 /i F濾波電容器排C - 1充電。針對由外部觸發器信號，該 諧振充電器藉由關閉該命令充電開關S1而致動一充電週 期。一旦該開關關閉一諧振電路由C-1電容器、充電感應 器L1與形成固態脈衝電力系統（SSPPS)404之一部分的C0 電容器排組形成。電流因此由透過L1感應器進入C0 放電而以該電容充電。由於〇1電容遠遠大於CQ電容’ C0 上之電壓在此諧振充電過程之際可達到約為在之起始 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------1------IT------0 ί許先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 502558 A7 ___ B7 五、發明説明（28 ) 電壓的兩倍。此充電電流脈衝採取半正弦形狀及在C0上之 電壓類似於“卜餘弦”波形。 為了控制C0上之末端電壓可採取數個行動。首先，該 命令充電開關S1可在正常充電週期之際任何時間被開 敔。在此情形中，電流停止由C-1流動，但已在充電感應 器被建立之電流透過自由輪二極體D3流動進入C0。此具 有停止任何進一步能量由C-1傳送至C0的效果。共有留在 充電感應器L1之能量（其可能很大量）繼續傳送至CG並使 之充電至較高的電壓。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外，橫越充電感應器之該de-qing開關S2可被關 閉，有效地使充電感應器短路及使諧振電路“de-qing”。 此根本地將感應器由諧振電路去除並防止預先離子化中之 任何進一步的電流繼續使C0充電。在預先離子化中之電流 便被迴避而不會載入及陷於由充電感應器LI、de-qing開 關S2與de-qing二極體D4所組成之迴圈內。由於1GBT 具有一逆反並聯二極體被包括於該裝置中（此一般會傳導 逆電流），二極體D4被包括於該裝置中。其結果為，二極 體D4阻斷此逆電流，否則其可能在充電週期之際繞過該充 電感應器。 最後，一個「抽出」或迴避開關與序列電阻器（在此較 佳實施例中均未畫出）可用於一旦在該充電週期完全地被完 成時由C0放電以達成對C0上之電壓的非常細微之調節。 該 dc 電源為如 Universal Voltronics，Lambda/EMl， Kaiser Systems，Sorensen 等之賣方所提供之 208 V，90V， -32 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 OX297公釐） 502558 A7 B7 五、發明説明（29 ) ac輸入，50A dc調節電壓電源輸出。第二實施例可使用以 串聯與（或）並聯組合被連接之多重、低功率的電源以提供 此系統所要求之總電壓、電流與平均功率。 該〇1電容器包含以串聯被連接在一起之二個4 5 0V (^，3100//卩電解液電容器。結果之電容為在90(^等級之 150G/i F提供在典型700-80 0V作業範圍上足夠之邊緣。這 些電容器可由如Sprague，Mallory，Aero vox等之賣方取 得。 本實施例中之命令充電開關S1與輸出序列開關為 1 2 0 0V，30 0A IGBT開關。其實際零件編號為P〇werex之CM 300HA-24H° de-qing 開關亦為 Powerex 之 CM400HA-34H 之 1 70 0V，40 0A IGBT 開關。 充電感應器L1為訂製感應器為由1/8”空氣間隙之 5 0 -5 0 %NTiFe帶捲繞心環影線做成之2組並聯Litz線圈 (每一個20圈）組成，具有約140# Η之感應成果。National Arno 1 d提供這種特殊的心。其他的實施例可就該心運用不 同的磁性材料，包括Molypermaloy，Metglas(註冊商標） 等。 該等序列、de-qing及自由輪二極體均為Powerex之 零件編號 R622 1 4 3 0PS 的 1 4 0 0V，3 0 0A 二極體。 如上面提及地，SSPPS類似於參照在上面習知技藝中 被描述者。一旦諧振充電器4 02使C0充電，一觸發器被一 控制單元（未畫出）在諧振充電中被產生，其觸發IGBT開關 S4關閉。雖然在計畫圖中（為了清楚起見）僅顯示一個，S4 -33 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )A4規格（210X297公釐） ---------¾! (請先閱讀背面之注意事項再填巧本頁) -訂 線 經濟部智慧財/I局員工消費合作社印製 502558 A7 ___B?_ 五、發明説明（3〇 ) 經濟部智慈財產局負工消費合作社印製 包含八個並聯的IGBT，其被用以將C0放電成為C1。由C0 之電流便透過IGBT被放電並進入一第一磁力開關LSI。足 夠的伏特秒在此磁力開關之設計被提供以允許全部八個並 聯IGBT在實質電流於放電電路中被建立前完全地接通t即 關閉）。在主電流關閉後，脈衝被產生及用以由C0傳送電 能至C1之傳送時間典型上為5/is之程度，具有之飽和電感 LSI大約為230nH。當C1上之電壓建立到完全所要的電壓 時，在一第二電力開關LS2上之伏特秒跑掉且該開關飽 和，傳送C1上之能量至在下面更詳細被描述之1 : 4脈衝 變壓器406內。該變壓器基本上包含三條一圈主要「捲繞」 以並聯被連接及一單一的輔助「捲繞」。該輔助感應器被 綁至主要捲繞之高電壓接頭，結困造成升壓比變為1 : 4 而取代自動變壓器組配中之1 : 3。然後該輔助捲繞被綁至 C2電容器排組，其再被由C1 (經由脈衝變壓器）來之能量傳 送充電^C1至C2之傳送時間大約為500ns，具有之飽和電 感LS2大約為2.3ηΗ»當電壓在C2上建立時，第三電力開 關LS3之伏特秒乘積被達成，其亦飽和，如第14Α與14Β 圖顯示地傳送C2上之電壓至陽極8a。LS3之飽和電感大約 為 1 · 5nH。 一第四磁力開關被提供以在DPF未適當地作用時作為 保護裝置。在預先離子化脈衝未在正確時間（恰在主脈衝之 前）被施用的情形中，主脈衝不足以中斷陽極與陰極間之絕 緣器。其結果為，被脈衝成為此開放電路狀況的電壓可在 不是所要的DPF電極的某些位置於機器內基本上使其對不 -34 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ). A4規格（210X297公釐） 502558 A7 B7 五、發明説明（3〗） 想要之停頓的前置時間成為兩倍°在此情形中 '大多的能 量便被反射回到SSPPS的「前端」°此—大的逆電:壓脈衝 可造成SSPPS中之序列二極體的突崩’導致該裝置之潛在 毀損或破壞。此第四磁力開B被設計DPF®® 未破壞，此伏特秒乘積將被超過°在此實例中’該磁力開 關被設計成使得負載在該電^壓成兩倍且造成重大毀損前短 路。第四磁力開關LS4之飽和電感大約為22nH且以〜1 5 歐姆電阻與〜75以Η電感被截斷成為一並聯RL負載。 在示意圖第14Β圖之4G8處顯示的偏置電路亦被用以 適當地偏置該等四個磁力開關’由偏置電源VI來之電流通 過磁力開關LS4與LS3。然後其分割’且一部分的電流通 過偏置感應器L5並回到偏置電源V 1。其餘的電流通過脈 衝變壓器輔助捲繞’再通過磁力開關LS2與LSI及偏置感 應器L3回到偏置電源VI。偏置感應器L2提供由透過脈衝 變壓器主要捲繞至接地回到電源之路徑。由於偏置電源V 1 在趨近於接地電位（與偏置連接被作成處在SSPPS內被產 生之電位相反）操作，故偏置感應器L3與電流在SSPPS中 的脈衝之際亦提供電壓絕緣。 C0，C1與C2電容由數個被安裝在具有厚鍍銅（6-10 0Z) 之印刷電路板上的串聯之聚丙烯薄膜電容器組成。該等印 刷電路板為楔形，使得4片板組成一圓筒形電容器台，其 就高電壓與接地連接二者饋送一圓筒匯流排。在此方式 下，低電感連接被形成，其脈衝壓縮與DPF本身之電漿收 束的穩定性二者均為重要的。CQ與C1之總電容為每一個 -35 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） ---------¾II (請4-)閱讀背面之注意事項再填ItT本頁) 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502558 A7 一五 經濟部智慧財/1局員工消費合作社印製 B7 發明説明（32 ) 21.6//F而C2之總電容為1.33 CO與Cl電容器為如由 德國Wima與北加州Vishay Roederstein之賣方可獲得之 0.1/iF，1600 V電容器。由於脈衝變壓器之輔助捲繞上的電 壓為〜5kv，C2電容為由以串聯被堆疊之三段電容器組成 以達成整體額定電壓。此C2電容器再次是由Wima或 Vishay Roederstein 可購得之 0· 01 //F，2000V dc 元件。 該等SSPPS開關為1 400V，1 0 0 0A IGBT開關，其實際 零件編號為Powerex之CM 1 000HA-28H。如先前所提者* 八個並聯IGBT開關被用以由C0放電至C1。 該等SSPPS序列二極體全為Powerex之1 4 00V，3 0 0A 二極體，零件編號為R6 22 1 430。兩個二極體就每一 1GBT 開關被使用，形成總數十六個並聯裝置。 磁力開關LS 1為1 6組在環形鐵氧體磁心上做成之 Li tz配線並聯捲繞（每一繞有6圈）製成的訂做感應器。該 特殊磁心由紐澤西州之Ceramic Magnetics公司提供，係 由CN-20鐵氧材料做成。其環形體為0.5”厚，I.D.為5.0”， 0· D·為 8. 0，，。 磁力開關LS2為單圈環形感應器。其磁心為使用 Hon eywel 1 公司之 2”寬，0. 7mi 1 厚的 26 0 5-S3 A Met g las(註 冊商標）在8. 875”0· D.心軸上捲繞，以0. lmi 1厚之My lar 在各層間被捲繞而成為外側直徑10.94”。 磁力開關LS3亦為單圈環形感應器。其磁心為使用 Honeywel 1 公司之 2”寬，0· 7mi 1 厚的 26 0 5-S3A Metglas(註 冊商標）在9. fO. D.心軸上捲繞，以0. 1 mi 1厚之My lar在 -36 -本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經漓部智慧財產局員工消費合作社印製 502558 A7 B7 五、發明説明（33 ) 各層間被捲繞而成為外側直徑10. 94”。 脈衝變壓器在構造上類似於美國專利第5.9 3 6,9 88號 所描述者。三個變壓器磁心之每一個為使用Honeywell公 司之1”寬，0.7mil厚的2605-S3A Metglas(註冊商標）在 12. 8”0. D.心軸422上捲繞，以0· lmi 1厚之Mylar在各層 間被捲繞而成為外側直徑14. 65”。三個磁心418之每一個 為環形12.8英吋1.0.及約14英吋0.0.，具有1英吋之高 度。該等三個磁心與主要及輔助「捲繞」之實體配置的軸 斷面描繪被顯示於第14C圖。每一主要捲繞實際由以螺栓 於鎖於心軸422與桿狀隔片424上之圓形環420A與420B 形成。輔助「捲繞」包含48個圓形相隔的螺栓。 該變壓器以類似於線性加速器之原理操作。三條主要 「捲繞」之高電壓電流脈衝引發輔助「捲繞」之電壓上升 至約等於該主要電壓。其結果為在輔助捲繞（即桿4 2 6 )中 被產生之電壓等於主要電壓脈衝之三倍。但由於輔助捲繞 之低壓側被綁至該等主要捲繞，四倍的變壓被提供。 偏置感應器L3與L4二者均為被捲繞在Mo 1 yperma 1 1 oy 磁心之環形感應器。此特殊磁心之尺寸為高〇. 8”，1 . D. 3. 0 9 4”及0. D. 5. 218”。該磁心之零件號碼為Group Arnold 之a-4 3 0 0 2 6-2 e感應器L3具有9G圈之12AWG線被捲繞在 環形體上以便有27. 3mH之電感及L4具有140圈之12AWG 線被捲繞以便有〜1 8mH之電感。 偏置感應器L6僅有16圈12AWG線以6”直徑被捲繞。 偏置感應器L2為以6”直徑被被捲繞之8圈12AWG線。 -37 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------^------1T------0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 502558 A7 B7 五、發明説明（34 ) 電阻器R1為二十個並聯電阻器之陣列·每一個為 27ohni，之碳組成電阻器。 η 先 閱 讀 面 i 事 項 再 為了改進整體效率，此第四代稠密電漿聚焦裝置以由 電路之放電部分被反映之電氣脈衝能量的脈衝對脈衝為基 礎之能量恢復。此處被運用之能量恢復技術類似於美國專 利第5, 72 9, 5 62號所描述者，其被納於此處作為參考。能 量恢復在下面參照第16Β圖所解釋般地被達成。 在放電後C2被驅動為負》當此發生時，LS2亦就C1 流至C2之電流為飽和的。因而，在取代具有裝置中之能量 上升（此易於造成電極腐蝕）下，LS2之飽和狀態造成C2上 之逆充電諧振地被傳送回到C1內。此傳送被經由LS2之電 流的持續前進流動完成。在由C2至C 1之充電傳送後，C 1 便比起CG(其在此時大約為接地電位）具有負的電位且（如 LS2之情形）LS1因正發生的脈衝之際的大電流持續成為前 送傳導。其後果為C0至C1之電流導致C1之電位上升至約 為接地而在C0上產生負電位。 經濟部智慧財產局資工消費合作社印製 讀者應注意到唯若所有的可飽和感應器（LSI，LS2, LS3 ) 維持向前傳導直至所有或大體上所有的能最在CG上被恢 復為止時，此回到C 0之逆能量傳送為可能的。在此浪费能 量被傳播回到進入C0後，C0針對其起始儲存充電為負的。 開關54在此點被該脈衝電力控制開啟。逆電路包含感應器 L 1與固態二極體D3被耦合至接地，造成C0之極性逆轉成 為諧振自由輪之結果（即L卜CG電路被二極體D3針對感應 器L1內之電流的逆轉被夾住之L卜C0電路的環之半個週 38 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 502558 經滴部智慧財產笱員工消費合作社印製 A7 __B7 _ 五、發明説明（35 ) 期），而淨結果為能量被C0之部分再充電加以恢復。因此， 否則會對電極之腐蝕的成因之能量被恢復，降低對後續脈 衝之充電要求。 第16D與16E圖顯示第四代裝置原型機之測試結果。 第16D圖顯示在電容器C2上且橫越該等電極之脈衝形狀， 及第16E圖顯示用氙氣作為活性氣體所測量到之光二極體 信號。 其被了解上面描述之實施例僅為可呈現本發明之原理 的應用之很多可能的特定實施例之少數幾個的說明。例 如，取代使工作氣體再循環的是，可能較佳地僅留住鋰且 排放氦。不使用鎢與銀之其他電極塗層組合亦為可能的。 例如，銅或白金電極與塗層會是可行的。用於產生電漿收 束之其他技術可取代所描述的特定實施例。某些此種其他 技術在本說明書之背景段落所參照的專利中被描述，且這 些描述全部被納於此處做為參考。很多產生高頻率高電壓 電氣脈衝之方法為可用的。一種替代做法為將光線管維持 於室溫因而在鋰與鎢試圖運行全段光線管時將之冷凍。由 於原子會因衝擊永遠地附掛於光線管之壁*此冷凍觀念會 進一步減少到達在鋰板印刷術工具所使用之光學元件的殘 骸數量。電極材料在鋰板印刷術鏡片上的沉積可藉由設計 收集鏡片透過主要排放室中之小孔使得輻射點再成像及使 用一差別泵配置而被防止。氦或氬可由第二室透過該孔被 供應至該第一室內。此方式在防止材料於銅蒸氣雷射之輸 出窗上沉積已被顯示為有效的。氫或鋰可被用以取代鋰。 -39- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----------择------#------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 502558 A7 ___B7_ 五、發明説明（36 ) 該單元亦可被操作成靜態填充系統而不須工作氣體流經該 等電極。當然，由每秒單一脈衝至5脈衝至每秒數百、數 千脈衝之非常廣泛範圍的重複率均為可能的。必要時，用 於調整固態鋰之位置的調整機構可被修改，使得中央電極 之末梢位置亦可就考慮末梢之腐蝕被調整。 除了上面描述者外，很多其他電極配置為可能的。例 如，外側的電極可為錐形而非顯示之圓筒形，故朝向該電 漿收束具有較大的直徑。同樣地，某些實施例的績效可藉 由讓內側電極突出超過外側電極之端部而被改進。此可用 火星塞或本技藝中相當習知之預先離子化器被做成。另一 較佳的替選做法為就外層電極運甩被配置大致形成圓筒形 或錐形之桿的陣列。此做法因結果所形成之感應穩定而有 助於維持以電極軸為中心之對稱的收束。 因之，讀者被要求用申請專利範圍及其法律上的等值 事項而非所給予之例子來決定本發明之領域。 (讀先閱讀背面之注意亨項再本頁) ΦΙ 經濟部智慧財/i局員工消費合作社印製 元件標號對照表 元件編號 譯 名 元件編號 譯 名 1 排放室 6 光線管 2 電漿收束單元 7 鈾窗 3 真空容器 8 電極 4 高能量光子收集器 8A 陽極 ，收集器-引向器 8B 陰極 4 A 收集器突伸物 9 光束，絕緣器元件 5 殘骸收集器 10 低感應脈衝電力電路 -40 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 502558 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（3乃 元件標號對照表 元件編號 譯 名 元件編號 譯 名 11 點 121 位 置 12 倘 輪吸 力 泵 123 陽 極 14 氦 分離 器 125 薄 膜 絕 緣 器 16 位 置 138 火 星 塞 20 熱 交換 器 143 障 礙 防 曝 屏 蔽 22 靜 電過 濾 器 144 位 置 赘 孔 30 橢 圓鏡 電極 400 電 漿收束 裝 置 角 ，電 極 401 收 束 域 34 位 置 402 諧 振 充 電 器 單 元 36 建 擋 404 固 態 脈 衝 電 力 系統 38 位 置 406 脈 衝 變 壓 器 40 DC 電源， 陽極 408 位 置 42 可 飽和 感 應器， 418 磁 心 來 源氣 體 4 2 0A 圓 環 44 觸 發器 % 陰極 4 20B 圓 環 46 二 極體 位置 422 0. D. 心 軸 48 感 應器 424 隔 片 50 天 線 426 螺 栓 桿 52 RF 功率來源 440 中 心 54 氣 體流 開關 442 鋰 熱 管 系統 56 貯 同 444 鋰 熱 管 111 陰 極 446 散 熱 器 單元 批衣 訂 n I I I線 (讀先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 502558 經濟部智慧財產局工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（38 ) 元件標號對照表 元件編號 譯 名 元件編號 譯 名 448 散熱器表面 4 5 0 水盤管 452 限制器圓筒 454 位置 -42 - 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 502558

   A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 第89124381號專利申請案申請專利範圍修正本91年ό月7曰 1 · 一種高能量光子光源，包含： — — — — — ι_ιιι — ι — ιιι·ΙΙΓ~ι_ I I I (請先閲讀背面之注意事项再填寫本頁) Α. —真空室， Β·至少二電極共軸地被安裝於該真空室内及界定一 電氣放電區並被配置以當電氣放電時，在收束處產 生高頻率電漿收束， C· 一工作氣體，包含活性氣體與緩衝氣體，該緩衝氣 體為惰性氣體，且該活性氣體被選用以在至少一光 譜線提供光線， D· —活性氣體供應系統，用於供應該活性氣體至該放 電區* 、!· Ε· —脈衝電力系統，在至少2〇〇〇Ηζ的重複速率下提 供母脈衝至少12焦耳之電氣脈衝，該系統包含： 1) 充電電容器排組， 2) 第一充電器，用於在少於約〇·5毫秒的時間週期 内充電該充電電容器排組， 3) 充電電谷電壓控制元件，用於控制充電電容 器排組上之充電， 4) 磁力壓縮電路，包含至少一充電電容器排組以 及至少一可飽和感應器， 5) 充電電谷器排組啟動裝置，用於將該充電電容 器排組放電至該磁力壓縮電路中，以及 6) 脈衝變壓器，用於以至少4之因素增加脈衝電 壓，該變壓器包含三個一轉的主要捲繞以及單 -43·

   個一轉的次要捲繞。 2·如申請專利範圍第1項之高能量光子光源，其中該等 電極之一為一中空陽極且該活性氣體經由該中空陽 極被導入該真室内。 3·如申請專利範圍第2項之高能量光子光源，其中該活 性氣體包含鐘。

   4·如申請專利範圍第3項之高能量光子光源，其中該活 性氣體包含氣氣。 如申明專利範圍第2項之高能量光子光源，其中該緩 衝氣體包含惰性氣體。 6·如申請專利範圍第2項之高能量光子光源，其中脈衝 電力來源包含至少一電容器被最佳化以與該電漿收束 同步地提供尖峰電容器電流。 7·如申請專利範圍第2項之高能量光子光源，其中該中 空陽極定義一收束端部與靠近該收束端部之一第一内 側直徑及比該第一内側直徑遠之一第二内側直徑，其 中該第二内側直徑比該第一内側直徑大。 8·如申請專利範圍第7項之高能量光子光源，其中該第 一内側直徑以被選用來防止弧絡之一距離由該收束端 部延伸。 9·如申請專利範圍第2項之高能量光子光源，其中該陽 極定義一曝現的陽極長度且該長度被選擇成使得一電 聚收束大約與一尖峰驅動電流同步地發生。 10.如申請專利範圍第2項之高能量光子光源，進一步包 本紙張尺度適财_家標準（CNS) A4規格（21GX297公釐) 含一鐘來源含有以鋰滲透之多孔的材料。 u·如申請專利範圍第10項之高能量光子光源，其中該多 孔的材料為多孔的鎢。 12.如申請專利範圍第n項之高能量光子光源，其中該來 源進一步包含一 RF來源被組配以創造一電漿圍繞至少 一部分該多孔的材料。 如申明專利範圍第1項之高能量光子光源，其中該脈 衝電力系統包含一諧振充電系統用於使該充電電容器 充電。 14·如申請專利範圍第1項之高能量光子光源，其中該磁 力壓縮電路包含至少二可飽和感應器與一偏置電路用 於偏置該等至少二可飽和感應器。 15·如申請專利範圍第丨項之高能量光子光源，進一步包 含一能量恢復電路用於恢復由該等電極被收集器之該 充電電容器能量。 如申請專利範圍第i項之高能量光子光源，其中該至 少一電容器排組係至少二電容器排組。 如申請專利範圍第1項之高能量光子光源，進一步包 含一熱管用於冷卻至少一該等電極。 18·如申請專利範圍第2項之高能量光子光源，進一步包 含一熱管冷卻系統用於冷卻該中空陽極。 19·如申請專利範圍第18項之高能量光子光源，其中該熱 管冷卻系統與該中空陰極包含一熱管冷卻之中空陰極 具有用於導入該活性氣體之部分。

   、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項存蜞窵本育) •如申凊專利範圍第1項之高能量光子光源，其中該脈 衝變壓裔包含數個環形之磁心含有磁性材料及與每一 磁心具有電磁相關之一主要捲繞。 21·如申請專利範圍第20項之高能量光子光源，其中該磁 1±材料包含在一心輻上之高透氣性薄膜。 22.如申請專利範圍第21項之高能量光子光源，其中該脈 衝變壓器定義包含數支桿之一次要捲繞。、〇 23·如2專利範圍第21項之高能量光子光源，其中該心 軸就母一主要捲繞形成該主要捲繞的一部分。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） •46·