TW499702B

TW499702B - Method for monitoring operation of processing apparatus

Info

Publication number: TW499702B
Application number: TW090116292A
Authority: TW
Inventors: Tsuyoshi Sendoda; Shinji Sakano
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2000-07-04
Filing date: 2001-07-03
Publication date: 2002-08-21
Also published as: CN1197130C; US20040254761A1; AU2001267913A1; US7054786B2; WO2002003441A1; CN1451174A

Description

499702 A7 B7 五、發明説明彳）〔技術領域〕本發明係有關針對例如應用電漿的半導體晶圓進行蝕刻處理等的處理裝置，進行其運轉狀態之監視和特性評估等之方法。〔背景技術〕半導體製造工程是採用多種類的半導體製造裝置和檢查裝置等之處理裝置。該些處理裝置是應用各種運轉資料來監視各個運轉狀態，一旦認爲運轉狀態異常，即查明其原因.。查明原因是在於收集解析掌握處理裝置之運轉狀態的各種運轉資料藉此調查是何處異常。例如電漿處理裝置是應用在蝕刻處理和成膜處理等。此種電漿處理裝置例如具備有互相平行配置在處理容器內之上部電極與下部電極，對下部電極施加高頻電力的同時，對處理容器內導入加工氣體，利用上部電極與下部電極間的放電產生加工氣體的電漿，對半導體晶圓等之被處理體施加所定電漿。然後電漿處理裝置的運轉狀態是各別用檢測器來檢測處理容器內的壓力和下部電極的施加電力、加工氣體的供給流量等之3 0種資料，且以各個檢測値作爲運轉資料而利用來監視處理裝置的連轉狀態。但因處理裝置經過長時間連續做所定處理的話，運轉狀態會發生經常性變動，或因狀況而使運轉狀態發生突發性變動。此時針對例如高頻電力、加工氣體之流量、處理 •ΗΓ- . .1 j裝 (請先閱%背面.意事項\^寫本頁) JLr i~I J—1 '1·.—m· J—, J—1 J—1 · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -4- 499702 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明i ) 容器內的加工氣體之壓力等的運轉資料，個別求得平均値、最太値、最小値及方差値等的統計資料，根據各個統計資料來評估處理裝置的運轉狀態。但由於檢測器數量太多 ’就所有檢測器的運轉資料求得統計資料，對每個檢測器評估運轉資料而言，會有所謂因繁雜需要很多勞力與時間敗問題。又’例如評估新的處理裝置和保養後的處理裝置之狀況，針對各種處理裝置進行測測試運轉。並將以測試運轉所得到的運轉資料爲基準的處理裝置（以下稱之爲「基準處理裝置」。）所對應的檢測器得到的運轉資料，如第 1 1圖〜第1 5圖所示--比較、分析。因此，對該些處理裝置的評估也有所謂需要很多勞力與時間的問題。其次，此種電漿處理裝置是種例如對處理容器內的電極施加高頻電力之同時，對處理容器內導入加工氣體，且在處理容器內使之產生加工氣體的電漿，對半導體晶圓等的被處理體施以所定的電漿處理。此時，被處理體的處理是在供給高頻電力的高頻電源配合處理容器內的狀態而呈穩定後進行的。可是處理裝置啓動後，高頻電源直到處理容器的狀態適應爲止一直很不穩定，經過長時間還是不穩定。例如第2 3 a圖係表示有關匹配電路之高頻的參數（電壓）變動圖’第2 3 b圖係表示匹配電路的整合狀態爲特徵之電容器參數（電氣容量）的變動圖。任一參數均因時間而有很大的變動，穩定狀態難以判斷。例如第2 3 a 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） • n I 11 11 ^ —1 I1U Ι1Ί H 11 ^ 1, (請先閱諫脅面之·沒事項\||^寫本頁) /-N 70 9 49 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明:i ) 圖所示的參數，觀念到批量初期的峰値，但很難判斷是否穩定化。又.，於處理容器內應用施加高頻電力的環境也需要相當的時間，相當不穩定。因此，習知是根據操作員的經驗和直覺來判斷高頻電源和處理容器內是否很穩定，當判斷到達穩定區域時即施以所定處理。再，第P圖a及第 8圖b係表示裝置維修檢查後，使處理容器內做4天真空吸引後根據沉澱物減少的運轉條件之結果。針對此沉澱物少的條件做一後述。 _ 按此，習知並不是一種客觀判斷處理裝置的高頻電源和處理容器內是否穩定的手法，不得仰賴操作員的經驗和直覺。又，無法評估將處理裝置導向穩定狀態的處理條件，故其評估無法仰賴試行錯誤。又，維修檢查處理裝置時是更換消耗品，或進行淸洗，但由於處理裝置是精密機械，對其組裝要做最新的注意。例如高頻電源和處理容器內的各種零件之螺合稍微鬆動或部分零件安裝失誤等稍有異常，電漿就變得很不穩定。但由於習知並沒有萬一不小心此類裝置發生異常處理裝置仍照常運作時，特別指示不能打開處理裝置進行維修的異常，故查明其原因需要很多時間和勞力。〔發明之揭示〕本發明係爲解決如上之問題所完成的發明，其目的在於提供一綜合統計少數的資料來分析多收的運轉資料，即能簡單且確實地進行處理裝置的運轉狀態之監視和性能的本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱费月面之·r拳項寫本頁) -—J—J =J JtmmJMm Jaiji 訂—.1 —線— • lit -............... __*_ ......-- , ----- = = = 1.…-...........- · 499702 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明4 ) 評估之方法。爲達成此一目的，本發明乃針對應用附設在處理裝置的複數個檢測器，將對每個被處理體被檢測的複數個檢測値作爲運轉資料而利用來監視該處理裝置的運轉之方法中 ’提供一其特徵爲：應用前述運轉資料進行多元分析來評估處理裝置的運轉狀態。又’本發明乃針對將應用附設在電漿處理裝置的複數個檢測器所檢測的複數個檢測値作爲運轉資料而利用來監視該電漿處理裝置的運轉之方法中，提供一針對事先作爲基準的複數個被處理體，各自取得複數個運轉資料的同時，應用藉此所取得的運轉資料來進行主成份分析，應用此主成份分析結果來評估電漿處理裝置的運轉狀態爲其特徵之運轉監視方法。又，本發明係針對使用附設在處理裝置的複數個檢測置，對每個被處理體所檢測的複數個檢測値作爲運轉資料而利用來監視處理裝置的運轉之方法，提供一其特徵爲：將前述運轉資料相對性地區分爲判定係數高的主成份與判定係數低的主成份之同時，求得屬於前述判定係數低的主成份之運轉資料的剩餘矩陣，.根據由該剩餘矩陣所得到的剩餘得分來評估處理裝置的運轉狀態。本發明更針對使用被附設在處理裝置的複數個檢測器，並將對每個被處理體所檢測的複數個檢測値作爲運轉資料而利用來評估複數個處理裝置間的特性差之方法，提供一其特徵爲具備有：使用基準處理裝置取得複數個被處理 (請先閱恭背面之.i%意事項本頁) • . ---------Ί·': -· ^ „*i-r —：：， ! I.·——一, --1「-I-. 1, 裝| • n H · .線！ · 本紙張又度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 499702 A7 _ B7 五、發明説明‘) 體各自的第1運轉資料之工程、和應用前述第1運轉資料來進行多元分析之工程、和使用能與前述基準處理裝置做比較的比較處理裝置，針對複數個被處理體取得各自的第 2運轉資料之工程、和將前述第2運轉資料適當塡入前述多元分析結果所獲得的解析結果之工程、和將根據前述第 1運轉資料的解析結果與根據前述第2運轉資料的解析結果做一比較來評估處理裝置間的性能差異之工程。又，本發明針對使用附設在處理裝置的複數個檢測器，並將對每個被處理體所檢測的前述各檢測器之檢測値作爲運轉資料而利用來評估複數個處理裝置間的特性差之方法，提供一其特徵爲具備有：使用基準處理裝置取得複數個被處理體各自的第1運轉資料之工程、和應用前述第1 .運轉資料進行主成份分析而求得剩餘矩陣之工程、和使用能與HU述基準處理裝置做比較的比較處理裝置，針對複數個被處理體取得各自的第2運轉資料之工程、和將前述第 2運轉資料適當塡入前述主成份分析結果而求得剩餘矩陣之工程、和將根據前述第1運轉資料的剩餘矩陣與根據前述第2運轉資料的剩餘矩陣做一比較來評估處理裝置間的性能差異之工程。其次，本發明之目的在於提供一客觀性判斷處理裝置啓動後的穩定狀態，使處理條件最適化就能運轉的處理裝置之運轉監視方法。又，其目的在於也一倂提供一不打開 '處理裝置就能確實地檢測出裝置異常之處理裝置之異常檢測方法。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇χ297公釐） 7 一 •II 裝.j (請先閲te面之r拳項寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 $1!

« emmu —in mi m I 499702 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明έ ) 爲達成此目的，本發明係針對處理裝置從高頻電源對處理容器內的電極施加高頻電力，使之產生電漿來處理被處理體之際，用測定器來測定配合前述處理容器內的狀態所變化的前述高頻電源的複數個電氣資料之同時，應用所測定的複數個電氣資料進行多元分析來檢測前述高頻電源的施加狀態之處理裝置之運轉監視方法，提供一其特徵爲具備有：於基準處理裝置中，配合處理容器內的狀態將前述高頻電源的施加狀態爲穩定化時的前述複數個電氣資料作爲基準用資料來測定之工程、和應用所取得的複數個基準用資料來進行基準用的多元分析之工程、和於可監視的比較處理裝置中，以前述複數個電氣資料作爲比較用資料，並從裝置啓動後開始經常性地測定之工程、和應用所得 .的複數個比較用資料來進行比較用的多元分析之工程、和將前述比較用的多元分析結果與前述基準用的多元分析結果做一比較，並由兩者的差異來判斷前述比較處理裝置中 '的高頻電源施加狀態是否配合前述處理容器內的狀態而達到穩定狀態之工程。又，本發明係針對處理裝置從高頻電源對處理容器內的電極施行高頻電力，使用之產生電漿來處理被處理體之際，用測定器來測定配合前述處理容器內的狀態所變化的前述高頻電源的複數個電氣資料之同時，應用所測定的複數個電氣資料進行多元分析來檢測前述高頻電源的施加狀態，而檢測處理裝置異常之方法，提供一其特徵爲具備有 :於正常的基準處理裝置中，配合處理容器內的狀態，將本紙張尺度適用中國國家標準（CNS。）Α4規格（ 210X297公釐)~:Q · (請先閲讀背面之.意事項寫本頁) •裝. ---1-----J0 --1J- - ----ΙΜΛΙβ Jii ,· 線--j]] t.. 499702 A7 _____B7 ____ 五、發明説明i ) (請先閱讀·背面之私意事項寫本頁) 前述高頻電源施加狀態爲穩定化時的前述複數個電氣資料作爲基準用資料而測定之工程、和應用所得到的複數個基準用資料來進行基準用的多元分析之工程、和於可檢測異常的比較處理裝置中，將前述複數個電氣資料作爲比較用資料而測定之工程、和應用所得到的複數個比較用資料來進行比較用的多元分析之工程、和將前述比較用的多元分析結果與前述基準用的多元分析結果做一比較，並由兩者的差異來檢測前述比較處理裝置的異常之工程。〔用以實施發明之最佳形態〕以下根據第1圖〜第2 2 c圖所示的實施形態來說明本發明。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製先針對應用本發明之方法的電漿處理裝置之其中一例參照第1圖做一說明。第1圖所示之電漿處理裝置1係具備有以鋁等導電性材料所製成的處理容器1 1。於此處理容器1 1內’兼具有一載置著作爲被處理體的半導體晶圓 W之載置台的下部電極1 2是被設在容器底面上。在此下部電極1 2的上方，兼具加工氣體的供給部之以中空狀接地的上部電極1 3是隔著所定間隔而配設的。又，設有一圍構在處理容器1 1之外周’而獲得旋轉磁場之磁場形成手段1 4。又，在處理容器1 1的上面連接一連通到上部電極 1 3之氣體供給管1 5。藉此介於氣體供給管丨5及上部電極1 3而從氣體供給源（圖未示）對處理容器1 1內供本紙張尺度適用中周國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ 10 - 499702 A7 B7 — 給加工氣體。在處理容器1 1的側面連接一被連結在_未表不的真空排氣裝置之氣體排出管1 6。藉此，.介於真& 排氣裝置及氣體排出管1 6而使處理容器1 1內減壓並{呆持所定的真空度。在下部電極1 2連接一高頻電源1 9 ，從高頻電源1 9對下部電極1 2施加高頻電力。然後，此裝置1係在控制裝置1 〇的控制下藉著磁場形成手段1 4使旋轉磁場Β作甩於上下兩電極1 3，]_ 2 間發生的電場，構成於處理容器1 1內形成加工氣體的高密度電漿。藉此電漿在處理容器1 1內對著晶圓W，例如意圖封所定的触刻處理％進行均一'的電獎處理。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製於電漿處理裝置1例如安裝3 6種檢測器，應用該^ 檢測器逐步檢測例如以高頻電壓V p p、高頻電力p、加工氣體流量F等作爲電漿處理時的運轉資料。該些運轉資料各自在控制裝置1 0內逐步被處理。在此控制裝置丄〇例如儲存主成份分析程式作爲多元分析程式，介於此程式來進行主成份分析而監視運轉狀態。亦即，以各檢測器的檢測値之運轉資料爲參數來評估裝置的運轉狀態，並進行該運轉狀態的監視。例如在本實施形態進行主成份分析的情形是對事先作爲基準的複數個（例如2 5枚）抽樣晶圓進行蝕刻處理。然後對每個被處理的晶圓，用各檢測器將逐次檢測高頻電壓V p p、高頻電力P、加工氣體流量F等作爲運轉資料。該些資料係分別對每個電壓V p p其他的種類，進行減去平均値之定心、和除以偏差之定標而被標準化的。此時本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ297公釐） -11 - 499702 A7 __B7 五、發明説明6 ) ，原來的運轉資料與標準化的資料之對應關係，例如配合資料的配列順序就很明確。例如就m枚的晶圓分別保有n . 個檢測値的話，代入被標準化的運轉資料之矩陣是以算式 (1 ) 示之。 ^ X 1 1 X 1 2 * · · · X 1 η X 2 1 X 2 2 e β · * X 2 η χ= ......···· * · * · ( 1 ) 又 m 1 X τη 2 · · · · X m n 然後，於控制裝置1 〇中，計算每個晶圓的檢測値之平均値、最大値、最小値、方差値。然後應用根據該些計算値的方差-協方差矩陣來進行複數個運轉資料的主成份分析’而求得本徵値及其本徵矢量。本徵値是表示運轉資料的方差大小’按本徵値的大小依予定義爲第1主成份、第2主成份、.....·第η主成份。又，各本徵値均有各自經濟部智慧財產局員工消費合作社印製所屬的本徵矢量。通常主成份的次數η愈高，相對於資料評估的判定係數就愈低，其利用價値就少。例如’針對m枚晶圓各自採集η個檢測値時，第1個晶圓配合第j個本徵値的第Ί主成份是用算式（2 )表示〇 tu = XMPJi + Xl2pj2+......+XinPjn......(2) 然後’對該第j主成份t t ^代入具體的第i個檢測値 (X 1 1 ’ X 1 2 ’ .......X t η )所得到的値即爲第1個本紙張尺度適财目( 210X297^ ) -12- 499702 A7 _____B7 五、發明説明<〇 ) 晶圓的第j主成份之得分。因而’第j主成份的得分t ,，是用算式（3 )被定義的’第〕主成份的本徵矢量P ^是用算式（4 )被定義的。 Γ t i j t 2 j t • · · · (3) v. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 to P,

P (4) t ^係表示測定値間的關係之得分。又，P j是表示沏j 定値間的重量之本徵矢量。然後，第主成份的得分t 用矩陣X與本徵矢量P ;的話即用算式（5 )示之。 = ......（5) 又，矩陣X是應用主成份之得分與各自的本徵矢量以算式（6 )表示之。 X = tlP，+ t2P2T+ ··.··· +tnPn 丁 ......(6) 但P n τ爲p u的倒置矩陣。因而，主成份分析即使有很多種運轉資料，還是^ ^ 該些資料作爲例如第1主成份及第2主成份，連多到第3 主成份的少數統計資料做一收集，儘可能調查少數統i 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13- A7 B7 五、發明説明彳彳) 料來評估掌握運轉狀態。例如一般第1至第2主成份的本 Μ値之累積判定係數超過9 〇 %的話，根據第1 ，第2主成份的評估其可靠性就很高。第1主成份乃如上所述，運轉資料是表示最大的分散方向，而成爲處理裝置之運轉狀恶總合性評估的指標，很適合處理裝置的運轉狀態之經常丨生變化的判斷、評估。第2主成份是分散於與第1主成份垂垂直的方向，成爲由正常的運轉狀態瞬間偏移的指標，很適合運轉狀態的突發性變化之判斷、評估。又，應用同一處理裝置來處理同一種晶圓的話，第1 ，第2主成份的本徵値及其本徵矢量基本上是相同的。於是’本實施形態應用所定的處理裝置在所定的條件下來處理複數枚抽樣晶圓’求得在此條件下的本徵値及其本徵矢量。然後’將該些本徵値及其本徵矢量應用在實際的晶圓，來判斷、評估運轉時之處理裝置的運轉狀態。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Ύ/ΜΜΜΎβ .n^n · 1^1^1 (請先閱t背面之雲事項寫本頁) 例如本實施形態是在下述條件下對晶圚施以蝕刻的，將此時的各檢測器之檢測値作爲主成份分析。就此主成份分析而言，本徵値是應用方差-協方差値求得的。最大的本徵値即爲方差値的最大第1主成份。第1主成份的本徵矢量是應用本徵値及方差-協方差値求得的。然後，應用第 1主成份、和僅次此大小的第2主成份來評估運轉狀態。處理裝置1 0處於穩定狀態時針對2 5枚抽樣晶圓，對每個晶圓每求得第1主成份得分t i並予記錄的話，配合到第 2圖的2 5枚晶圓。又，應用2 5枚的抽樣晶圓之第i主成份得分t i求得第1主成份得分t i的標準偏差的話，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 499702 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明彳2 ) 2 5枚的晶圓之主成份得分t i則進入到任一 ± 3 σ的範圍內。當第1丰成份得分t 1在土 3 σ的範圍內時，電獎處理裝置即是在正常狀態被運轉。〔處理條件〕處理裝置：磁控管增強型反應性離子蝕刻系統晶圓：2 0 0 m m 被蝕刻膜：矽氧化膜基底層：矽氮化膜處理內容：S A C 下部電極之電源高頻數及電力：1 3 · 5 6 Μ Η z 、 1 7 0 0 W 電極間間隙：2 7 m m 處理壓力：53mTorr 加工氣體·· C4F8=1 6 s c cm、C〇二 300 sccm、Ar=400sccm 背側氣體：H e = 7 T o r r (電極中央部）、4 0 To r r (電極邊緣部）靜電夾頭直流電壓：1 . 5 K V 處理溫度：上部電極=6 0 t、側壁=6 0 °C、下部電極=2 0 °C 如上所述，用2 5枚抽樣晶圓進行主成份分析後’在同一條件下實際進行晶圓蝕刻，在各檢測器檢測出運轉資料。然後，應用各檢測器的運轉資料與抽樣晶圓所取得的 ,ir-:tg-............···--:. -:1-1…li .1______一1·一==1 ·--=-=J :…-·Ί·*--ϋi_1---................................ 11Ί --=-_j==== -,-·1, jr_· f--· ,- ‘-rj·· J >·- (請先閲讀*背面之法意事項寫本頁) _ ^ lie 11-„...雷— --_j --1-.----1-- II==1.----------一 1- .i 1=„ --—J ------1--—-:· Jill -f - ----- P--

Lf, 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_ 15 499702 A7 ____ 五、發明説明彳3 ) 第1主成份之本徵矢量，對每個晶圓求得第1主成份得分。此第1主成份得分，圖面所示之處，如第2圖之第2 6 枚以後的。第2圖至第1 2 0枚的晶圓位置，第1主成份得分是屬於正常的運轉圏，但從此以後的第1主成份得分即判斷會慢慢偏離正常的運轉圈。其原因被認爲是在於隨著晶圓處理枚數增加，在處理容器內附著、積層著電漿副生成物，且運轉條件慢慢變動等。第3圖係表示蝕刻時之高頻電壓V p p經常性變動的圖。第3圖所示的高頻電壓V P P之變動傾向、和第2圖所示的第1主成份得分之變動傾向係判斷表示爲同一傾向。由此情況的第1主成份得分判斷電漿處理裝置的運轉狀態是表示經常性變動。因而，在偏向正常運轉圈的區隔好時點將運轉停止進行保養等爲佳。如以上說明，按本實施形態，針對事先的抽樣晶圓做檢測的運轉資料來進行屬於多元分析的主成份分析，藉以評估運轉狀態。因此，個別比較、評估所有檢測値的意味內容來觀察運轉狀態是與習知方法相異的，即有多數的運轉資料，還可將該些做主成份分析藉此自動地收集第1主成份得分及第2主成份得分的少數資料而簡單且正確掌握運轉狀態。又，由於運轉監視手法是應用主成份分析的第1主成份得分，故能根據每個晶圓的第1主成份得分之變動來掌握運轉狀態的經常性變化。又，每個晶圚的第1主成份得分之標準偏差α的± 3倍値爲基準來判斷電漿處理裝置的本紙張尺度適用中周國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）請先閱背之注，意事項 t 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -16- 499702 A7 B7 _ 五、發明説明彳4 ) 運轉停止時期，就能簡單且確實地掌握電獎處理裝置的停止時期，也就是保養時期等。此例中’第4圖係表不對抽樣晶圓及貫際晶圓施以苣虫刻處理時的第2主成份得分圖。求取實際晶圚的第2主成份得分之時，是應用抽樣晶圓所取得的第2主成份之本徵矢量。第2主成份得分基本上變化小’終始都很穩定集中於0的附近，但在此第2主成份得分會有突發性的變動，被認爲是由運轉圈大幅偏向的時點。蝕刻開始後’認爲第 2主成份得分沒有太大的變動’但認爲超過4 0枚會在其中一處有大變動，第1 2 0枚以後會出現較多的大變動。變動的大小分爲3組，變動原因因各組而異。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製針對各組變動原因做調查時，於第4圖中爲最大變動的第1組G 1係判斷爲配合第5圖中以圓圈起的位置之高頻電力反射波的突發性變動（第5圖的橫軸係表示批量內的晶圓枚數，未與第4圖直接對應）。第2組G 2係判斷爲配合第6圖中以圓圈起的位置之高頻電壓VP P的突發性變動（第6圖之橫軸係表示1枚晶圓處理中的時間）。又，第3組G 3係判斷爲配合第7圖中以圓圈起的位置之加工氣體中之C 0流量爲突發性地變動（第7圖之橫軸係表示1枚晶圓處理中的時間）。按此應用每個晶圓的第2主成份得分來認定第2主成份得分爲突發性變化的晶圓時，只要確認其晶圓的各檢測値就能很簡單地得知任一檢測値有異常的情形。其次，於本實施形態中，將無法以第1 ，第2主成份本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17- 499702 A7 B7 五、發明説明彳5 ) 來掌握的運轉狀態之變化藉由如以下的手法，亦可更確貫地掌握。例如直到判定係數高的第k主成份之累積判定係數超過9 0 %時，就可進行主成份分析來判別、3平估連轉狀態的變動，但會產生最大1 〇 %的掌握漏失。於是將判定係數低的第（k + 1 )以上之次高的主成份收集成一個，做成用算式（7 )來定義的剩餘矩陣E (各行的成份是配合各檢測器的檢測値，各列的成份是配合晶圓的枚數）。 r e e 22 · · · β 11裝 (請先閲|背面之^1意事項^|^寫本頁}

E V. e (7) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製若達到前述算式（6 )而塡入該剩餘矩陣e的話，算式（6)即用算式（8)表不。 X = tiPiT + t2P2T4-......tkpkT + E ......(8) 此剩餘矩陣E的剩餘得分Q ,即應用以算式（9 )所定我的行矢量e ^的算式（1 〇 )被定義’表示與第1晶_的各檢測値的餘差（誤差）。 e 1 = [ e ! 1 e ι 2......e , „ ] ...... ( 9 ) Q 1 = 0 I p T 1 e 1 ...... (10) 但e t係表示第1測定。亦即，剩餘得分Q i係表示作爲行矢量e ^及其倒置矢格(210x297公釐_ i—^ HI J—1 1.!—,. -18- 499702 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 _五、發明説明<6 ) 量e i τ的積，其爲各剩餘的兩倍之和，正成份及負成份不會相砥，而求得確實的剩餘。求得此剩餘得分Q，藉此即可多面性地判別、評估運轉狀態。由於只用第1 ，第2主成份決定各自的本徵矢量 ’並無法多面性地評估各檢測器的運轉資料（檢測値）。對此，求得剩餘矩陣Ε，就能藉此多面生地評估作爲各檢測値的統計資料之重量，掌握次低的第1〜第k成份所無掌握的運轉狀態之變化。因而，某一晶圓的剩餘得分Q ^由抽樣晶圓之剩餘得分Q。偏離的情形下，只要觀察行矢量 e :的成份，就能於其晶圓處理時判斷其晶圓的的任一檢測値是否有很大的偏差，指定出異常原因。例如第1 ，第2主成份的本徵値之累積判定係數超過 9 0 %的話，即應用第1 ，第2主成份來判別運轉狀態的經常性變動和突發性變動，更可藉由剩餘得分Q :來掌握在第1 、第2主成份無法掌握的變化。k = 2並將應用到第 1、第2主成份爲止與剩餘矩陣E的情形適當塡入算式（ 8 )即爲算式（1 1 )。 X=tiPiT+t2P2T+E ...... (11) 記錄在前述處理條件下處理晶圓時的每個晶圓之剩餘得分Qi是第8圖。由第8圖亦可明白，與第1主成份得分 t ,同樣地剩餘得分Q ^也會隨著晶圓處理枚數的增加而有經常性變動的傾向。又，與第2主成份得分同樣地剩餘得分Q i也會有突發性變動的狀態。由此掌握剩餘得分Q的話，也就能掌握可藉由第1 ，本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐） —.14!裝 1 (請先閱#背面之¥意事項|1|寫本頁) • 丨7 丨 7、〆^·丨· —M! KU8 .1.叫.... 4IHJ— ,線！ • 19- 499702 A7 B7 五、發明説明彳7 ) 第2主成份掌握的現象，進而也能多面性掌握無法用第1 ，第2主成份所掌握的現象。然後，配合剩餘矩陣E的某一晶圓之行，並注意到較其他參數（運轉資料）特別大的剩餘之參數，就能用該晶圓正確地確認任一檢測値爲異常的。如上，根據運轉資料求得第1、第2主成份各自的得分之際，將該些主成份以外之剩餘小的運轉資料收集成一個並作爲剩餘得劳二Q而求得。藉此就能多面性掌握各檢測値，還能用第1、第2主成份得分確實地掌握易忽略的變化，更詳細地掌握運轉狀態。並且，有關用剩餘得分Q發現異常的晶圓據知更能藉由分析剩餘矩陣E的行成份得知是利用哪個檢測器的檢測値有異常。前述實施形態是針對應用主成份分析來評估利用處理裝置來處理晶圓時的運轉狀態之方法所做的說明，但此手法亦可利用於判斷、評估處理裝置間的固體差異（性能等特性差異）。亦即，本實施形態是用剩餘得分Q來掌握處理裝置間的特性差異。如上所述，藉由剩餘得分Q就能多面性地掌握各檢測値的變化，並且還能指定變化的檢測値〇例如先用基準處理裝置來處理2 5枚的晶圓，與前述實施形態相同可將複數個檢測器的檢測値作爲第1運轉資料。應用該些第1運轉資料（作爲參數）用來進行多元分析求得剩餘矩陣E及其剩餘得分Q 〇。然後根據此剩餘得分 Q〇來掌握基準處理裝置的特性。並如上述般將基準處理裝本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之：法意事項寫本頁) " · . —1 · ·. · : U .訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 .—ml ml nn nn vm 1· •备 -20- 499702 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明{8 ) 置的剩餘得分Q 〇之値，作爲判斷、評估可比較的其他處理裝置（比較處理裝置）之特性時的基準値來利用。，亦即，取得基準處理裝置之剩餘得分Q 〇後，應用比較處理裝置在與基準處理裝置同一條件下進行晶圓處理，並將各檢測器的檢測値作爲第2運轉資料。然後將比較處理裝置所得到的第2運轉資料，適當塡入以基準處理裝置所得到的剩餘得分Q 〇時之前述算式（1 1 )，而求得比較處理裝置的剩餘得分Q。進而與比較處理裝置的剩餘得分Q 和基準處理裝置的剩餘得分Q Q做一比較，確認前者的値與後者的値是否一致。對比較處理裝置的剩餘得分Q由基準處理裝置的剩餘得分Q 〇開始偏移時，即判定比較處理裝置的任一個檢測値均會偏移基準値。本實施形態中，某一剩餘矩陣E的行是用其處理裝置中的每個晶圓之各檢測器的剩餘而構成。本實施形態乃如第9圖所示，基準處理裝置是用裝置 F、I將2 5枚晶圓在與前述實施形態同一條件下做蝕刻處理。然後以基準處理裝置F、I的各檢測器之檢測値的第1運轉資料作爲參數，而與前述實施形態同地進行主成份分析，求得第1、第2主成份之本徵値及本徵矢量的同時，還可求得剩餘得分Q。並將用有關基準處理裝置F、 I的主成份分析所得到的本徵値及本徵矢量等之常數，設定在比較處理裝置A〜E、G、Η、J的主成份分析程式。接著應用比較處理裝置Α〜Ε、G、Η、J來進行同一條件的鈾刻處理，並將各個檢測器的檢測値作爲第2運轉 (請先閲讀*背面之法意事項\^寫本頁) • -1--11· -i·.^ J JJ Jir -1-·===:二=Ί ·1'一-=__=== J1— - -........J........i - · ·i_Ii …. ------•'-J i- - ___________-__ -11-1 ·· 線1! 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -21 - 499702 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明彳9 ) 貝料。然後g每個處理裝置求得剩餘得分Q的結果表示在第9圖。爲取得剩餘得分Q故應用前述算式（i Q )。 f女第9圖所不的結果’處理裝置a、d、Q及J[的剩餘得分Q幾乎與基準處理裝置F、丨的剩餘得分Q 一樣沒有變化，但處理裝置B、c、E、H的剩餘得分Q會大副偏離基準處理裝置的剩餘得分q。因而，判斷處理裝置B 、C、E、Η對基準處理裝置、I而言，無論那一個參數的剩餘均有很大的變化。於是爲了檢討剩餘大的參數，而觀祭表不處理裝置B、C、E、H之各參數的剩餘之第 1 0圖。於是，判斷出用處理裝置B參數G、Η、K的剩餘大、用處理裝置ς參數C、Η、J 、κ的剩餘大、用處理裝置Ε參數C、Η的剩餘大、用處理裝置η參數G、Η、J 的剩餘大。按此比較處理裝置的剩餘得分q由基準處理裝置F、I的剩餘得分Q開始偏大時，針對其處理裝置的各檢測器之參數剩餘做一比較，藉此就能很簡單地指定是何種原因的檢測器。由以上求得比較處理裝置的剩餘得分Q，只要將其値與基準處理裝置的剩餘得分Q Q做比較，就能簡單地評估具有偏離基準處理裝置特性的特性之比較處理裝置。並且，其比較處理裝置的各參數剩下乃如第1 0圖所示一眼就能判斷，認定剩餘爲大的特定參數時，就能簡單地判定其參數‘偏離基準處理裝置。因而，進行新製造的處理裝置和保養後的處理裝置之性能調整時，只要求得其處理裝置的剩本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --- 裝 1.—ΙΊ. (請先閲—背面之注意事項^^寫本頁) --Τ11Ι.ΙΦ· JJ —1 n ^ m·. -22- 499702 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明io ) 餘矩陣E及剩餘得分Q就簡單地發現性能上的不當等，並且能指定其不當，在短時間完成行性能調整。又’以上的說明是針封應用方差-協方差的主成份分析’但複數個檢測器的檢測値各具有固定的單位，若將各個檢測値作爲原主成份分析用的資料來用的話，是無法正確反映運轉資料的評估。於是將全部檢測値資料標準化，應用相關矩陣進行主成份分析，藉此就能事先排除因各檢測値之單位不同的影響，而正確地評估運轉狀態。本實施形態是應用剩餘得分Q來掌握處理裝置間的特性例如性能差異，就可評估其處理裝置的相對性性能之好壞。並且只要觀察剩餘成份就能簡單迅速地指定出性能低劣的部位。因而，能簡單且迅速地進行新製造的處理裝置和保養後的處理裝置之性能判斷與性能評估。再者，以上實施形態即使將前述處理條件變更爲如下述處理條件1〜5來進行亦能獲得同樣的作用效果。〔處理條件1〕處理裝置：磁控管增強型反應性離子蝕刻系統晶圓：3 0 0 m m 被蝕刻膜：矽氧化膜基底層：S i 處理內容：接觸孔

下部電極··電源高頻率=1 3 · 5 6 Μ Η z 、電源電力=4 0 0 0 W 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ί…---- 1=·*. J i -·- ί·-1-^.1 ,-=-1 -Ξ·-· -===j j J·-- --- - *1is ............ y=----------、 (請先閱t-背面之法意事項寫本頁) -.]1 mu Jr lu j - =1-= 1-IJi mj— 1----1 u - HI.… - ml-- In- Jl·! 0 -23- 499702 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明h ) 電極間間隙：4 0 m m 處理壓力：.4〇mT o r r 加工氣體：C.4F8 二 20sccm、C〇=l〇〇 s c cm、A r = 440 s c cm 〇2=10sccm 背側氣體：H e = 1 0 T o r r (電極中央部）、 5 0 T o r r (電極邊緣部）

靜電夾頭直流電壓：2 . 5 K V

處理溫度：上部電極二6 0 °C、側壁=6 0 °C、下部電極=1 0 °C 〔處理條件2〕處理裝置：磁控管增強型反應性離子蝕刻系統晶圓·· 3 0 0 m m 被飩刻膜：矽氧化膜 s : : w 隙 · · ： r : 容極 o 間力體 A 層內電 o 間壓氣、底理部 o 極理工m 基處下 4 電處加 c H c 力 s

N

C A S Z H Μ 6 5 3 1 II 率頻高源電源 mm ο 4 Γ Γ ο τm ο 4

C

F ο 5 4 II 〇 Cm C C 5 4 2 m c c s o o 6 - 央中極電 Γν Γ Γ ο Τ ο ΊΧ II 6 Η 匿氣側背本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -24- 499702 A7 B7 五、發明説明) 5 0 T 〇 r r (電極邊緣部）

靜電夾頭直流電壓：2 · 5 K V

處理溫度：上部電極二6 0 °C、側壁=6 0 °C、下部電極二1 0 °C 〔處理條件3〕處理裝置：雙頻電漿蝕刻處理裝置（上下兩電極施加 ) 晶圓：3000mm 被蝕刻膜：矽氧化膜基底層：S 1 、金屬膜處理內容：通孔、導連接孔上部電極：電源頻率=60MHz、電源電力=

3 3 0 0 W

下部電極：電源高頻率二2 : Μ Η z、電源電力二 3 8 0 0 W 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製電極間間隙· 3 5 m m 處理壓力：25mTorr 加工氣體：C5F8=32sccm、Ar=750 sccrn^ 02 = 45800 m 背側氣體·· H e = 2 0 T o r r (電極中央部）、 3 5 T o r i·(電極邊緣部）

靜電夾頭直流電壓：2 · 5 K V 處理溫度：上部電極=6 0 °C、側壁=5 0 °C、下部本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -25- 499702 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明) 電極=2 0 °C 〔處理條件4〕處理裝置：雙頻電漿蝕刻處理裝置（上下兩電極施加 ) 晶圓· 3 0 0 in πι 被蝕刻膜：多晶矽基底層：熱氧化膜處理內容：閘極上部電極：電源頻率二6 0 Μ Η z、電源電力二 2 0 0 W 下部電極：電源高頻率=13 . 56MHz 、電源電力二 1 5 0 W 電極間間隙：1 7 0 m m 處理壓力：30mTorr 加工氣體：HB r = 400 s c cm 背側氣體：H e = 3 T o r r (電極中央部）、3 T o r r (電極邊緣部）靜電夾頭直流電壓：3 · 0 K V 處理溫度：上部電極=8 0 °C、側壁=6 0 t：、下部電極=6 0 °C 〔處理條件5〕處理裝置：雙頻電漿蝕刻處理裝置（上下兩電極施加 (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) ，裝： .訂. 線-----r 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -26- 499702 A7 B7 五、發明説明h ) 晶圓：3 0 0 in in 被蝕刻膜：S 1 基底層：— 處理內容：S T 1 上部電極··電源頻率=6 0 Μ Η 1 8 0 0 W 下部電極：電源高頻率=1 3 3 0 0 W 電極間間隙：1 7 0 m m 處理壓力：lOOmTorr 加工氣體：〇2=5sccm 電源電力 Μ Η 力電源電 Η Β 7 0

s c c m 、 C L 3 0 s c c m 部〇 c、下部經濟部智慧財產局S工消費合作社印製背側氣體：H e = 3 丁 T o r r (電極邊緣部）

靜電夾頭直流電壓：3.〇KV 處理溫度：上部電極二8 0 °C、側壁電極=6 0 °C 第3實施形態其次’針對有關處理裝置中之高頻電源的電氣資料之實施形態做一說明。先針對應用本實施形態的處理裝置之其中一例參照第 16圖做一說明。再者’第16圖所示之處理裝置1 -中本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2i0 X 297公釐） -27- 499702 A7 B7 五、發明説明始），實質上與第1圖所示之處理裝置1相同的構成部分附上同一符號，詳細說明則予省略。第1 6圖所示之處理裝置 1 /係具備有由鋁等導電性材料製成之處理容器1 1。此處理裝置1 >中，被接地的處理容器1 1之上面1 1 a是製成與兼具載置台的下部電極1 2相對的上部電極。此處理裝置1 >是在控制裝置1 0 >的控制下，使得藉由磁場形成手段1 4的旋轉磁場B作用於產生在上下兩電極1 1 a ，1 2間的電場，構成形成導入處理容器1 1內的加工氣體之高密度電漿。藉此電漿在處理容器1 1內對晶圓W 進行例如所定鈾刻處理等的均一電漿處理之意圖。再者，在下部電極1 2的周緣部配置愚焦環2 0，構成介於此聚焦環2 0向晶圓W上收束電漿。此例，本實施形態係在高頻電源1 9與下部電極1 2 之間，依序介設匹配電路1 8及高頻測定器1 7。然後從高頻電源1 9對下部電極1 2施加1 3 · 5 6 Μ Η z的高頻電力。此時，還對電極12施加以其他13 . 56 Μ Η ζ的高頻作爲基本波的高次階波（例如2 7 . 1 2 Μ Η ζ、4 0 · 6 8 Μ Η ζ )。可是，利用高頻電源1 9 施加在下部電極1 2的高頻電力之電壓、電流、相位及阻抗等之電氣資料對處理裝置1 /的啓動直度是很不穩定的。並且沒有客觀得知處理容器1 1內之狀態的技術。於是本實施形態是測定該些電壓、電流、相位及阻抗等的電氣資料，利用各測定値來檢測處理裝置1 >的穩定狀態，具體而言是在處理容器1 1內之所定電漿處理所需要的穩定本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ~ ~ (請先閲讀背面之法意事項寫本頁) .裝-- 線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499702 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明能）狀態。亦即，應用高次階波測定器1 7，將作爲高頻電源 1 9的基本波及其高次階波之電氣資料的電壓、電流、相位及阻抗，以間歇性地測定從處理裝置1 >啓動時到高頻電源1 9穩定爲止，將該些電氣資料逐步讀入控制裝置 1 〇 >內。於該控制裝置1 0 /中儲存作爲多元分析程式的主成份分析程式，介於該程式進行測定値的主成份分析來檢測處理裝置的穩定狀態。例如，在本實施形態做主成份分析時，是使用來自對電極1 2的高頻電源1 9之施加狀態爲穩定化的基準處理裝置，而將高頻電源1 9的基本波及其高次階波的電氣資料之電壓V、電流I 、相位P及阻抗Z分別作爲基準用資料而間歇性地做一測定。藉此獲得作爲各頻率f η的基準用資料之測定値V ( f u ) 、I ( f η ) 、P ( f η )、 z ( f n )。而該些測定値是對各個電壓v的其他每一種進行減去平均値的定心、和除以偏差的定標而被標準化。此時，原來的測定値與標準化的測定値之對應關係，例如配合測定値的配列順序就很明確。其次，標準化的各種測定値（標準化測定値）之測定個數爲η個，直到穩定爲止，進行m次（晶圓m枚）測定的話，代入作爲基準處理裝置之基準用資料的全部標準化測定値之矩陣，是以前述算式 (1 )示之。其次，於控制裝置1 〇 /中針對全部的標準化測定値求得平均値、最大値、最小値、方差値，應用根據該些計 (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) .———I. -*___-.........— —mi ϋϋ ，IT. .—----線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 499702 Μ Β7 五、發明説明么7 ) 算値的方差-協方差矩陣進行複數個標準化測定値的主成份分析而求得本徵値及其徵矢量。 . 例如使用各別以m次測定的η個標準化測定値，配合第1測定的第j本徵値之第j主成份是以前述算式（2 ) 示之。然後對該第j主成份t i，代入具體的第1標準化測定値（X i i、X 1 2、· · · · · ·、X i η )而得到値即爲第i 測定中之第j主成份的得分。西而，第j主成份的得分t』是以前述算式（3 )定義的，第j主成份的本徵矢量p ^是以前述算式（4 )定義的。t j係表示測定値間的關係之得分。又，P ^係表示測定値間的重量之本徵矢量。而且若應用矩陣X與本徵矢量P』的話，就以前述算式（5 )來表示第j主成份的得分t ^。又，若應用各主成份的得分與各自的本徵矢量的話，就以前述算式（6 )來表示矩陣X。因而，主成份分析即使有很多種的測定資料，還是能將該些作爲例如第1主成份及第2主成份，連多到第3主成份的少數統計資料做一收集，只要調查少數的統計資料就能評估、掌握運轉狀態。如上所述’ 一般第1 、第2主成份的本徵値之累積判定係數要是超過9 0% ’就可提高根據第1、第2主成份之評估的可靠性。第1主成份乃如上所述，測定資料是表示最大的方差方向’作爲進行處理裝置之運轉狀態的總合性評估之指標，很適合處理裝置的運轉狀態之經常性變化的判斷、評估。第2主成份是分散在與第1主成份垂直的方向’成爲從正常運轉狀態之瞬間性偏移的指標，很適合本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公羡） (請先閱讀r面之：义意事項\^^寫本頁) 裝— 陳丨. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -30 - 499702 A7 B7 五、發明説明έ8 ) 運轉狀態之突發性變化的判斷、評估。但是第1主成份一般是觀察本徵矢量和第1丰成份得分等，而將資料總合性地評估是何種傾向等，但用第1、第2主成份由於各個本徵矢量是取決於一個含義，所以各個測定資料無法多面性地掌握到每個測定是何種狀態、何種變化。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製於是，本實施形態是配合處理容器1 1內的狀態而檢測出高頻電源1 9之施加狀態達到穩定狀態的手法，製作將判定係數低的第（k + 1 )以上之次高主成份數集成一個的前述算式（7 )所定義的剩餘矩陣E (各行的成份係配合高頻之基本波及其高次階波的各標準化測定値，各列的成份係配合測定次數）。並將該剩餘矩陣E適當塡入前述算式（6 )的話’算式（6 )即以前述算式（8 )示之。進而將基準處理裝置的剩餘矩陣E之剩餘得分作爲基準剩餘得分Q。而求得到。並以該剩餘得分Q Q爲基準，與基準處理裝置的比較而啓動能成爲監視對象的處理裝置（比較處理裝置）後，檢測是否達到穩定狀態。一般剩餘得分 Q ^是作爲行矢量e ^及其倒置矢量e ^ τ的積而示之，即爲各剩餘成份的2倍之和，正成份及負成份不會相抵消’會確實地成爲殘差而求得。因而，每個測定的基準處理裝置之剩餘得分Q 〇與比較處理裝置的剩餘得分Q t做一比較，就能判斷比較處理裝置是否達到穩定狀態。而在比較處理裝置的某一時點之剩餘得分Q ,偏離同一時點的基準處理裝置之剩餘得分Q。時，觀察以剩餘矩陣E之前述算式（1 〇 -31 · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 499702 _B7 _ 五、發明説明如） )所示的各行之行矢量e ^之成份，就可在該時點判斷任一測定値的大偏差，而指定出異常的原因。亦即，檢測出比較處理裝置的穩定狀態，是先針對事前的基準處理裝置而求得的剩餘矩陣E之剩餘得分Q 。並將以基準處理裝置所得到的得分剩餘Q。及本徵矢量等之常數設定在比較處理裝置的主成份分析程式，且在此設定條件下從利用比較處理裝置所測定的電氣資料求得剩餘得分 Q。其次，求得來自比較處理裝置之剩餘得分q的基準處理裝置之剩餘得分Q 〇的差（偏差量），根據此剩餘得分之差（Q - Q 〇 )來判斷在比較處理裝置的高頻電源1 9之施加狀態是否到達穩定狀態。亦即，要是剩餘得分之差（Q - Q。）很大，其比較處理裝置就表示與基準處理裝置的偏差大很不穩定’要是差（Q - Q〇)很小，就表示與基準處理裝置的偏差小接近穩定狀態。要是基準處理裝置的剩餘得分Q 〇二0 ’比較處理裝置的剩餘得分q本身就是由其基準水平的偏差量。再者’變數的値就會計算出平均値爲〇〇經濟部智慧財產局員工消費合作社印製於此根據本實施形態的處理裝置之運轉監視方法，適當的組合下述狀態A、B及處理條件A、B而實際地處理晶圓。並將其處理中的基本波及其高次階波的測定値V ( f 11 ) 、1 ( f ) 、P ( i u ) 、Ζ ( f η )之標準化測定値及剩餘得分Q於第1 7 a圖〜第2 0圖示之。尙於比較處理裝置的主成份程式中事先設定以基準處理裝置所得到的主成份分析結果。於各圖中的批量係袠示相當1枚晶圓本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -32- 499702 A7 B7 五、發明説明έο ) 的平均値。又，於下述處理條件中的沉澱値係以沉澱量少的條件之値爲1 ’沉澱量多的條件爲相對.於沉澱量少的條件之相對値而示之。 I .狀態狀態A ··處理容器內做1 2小時真空吸引之狀態狀態B ··處理容器內做4天真空吸引之狀態 I I .處理條件處理條件A (沉澱少的條件）晶圓處理時間：1分鐘

高頻電力：1700W 處理容器壓力：45mT 〇 r r 加工氣體：C4F8 二 lOsccm、C〇=50 sccm、Ar = 200sccm Ο 2 ~ 5 s c c m 沉澱：1 (相對値）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製處理條件B (沉澱多的條件）晶圓處理時間：1分鐘

高頻電力：1 500W 處理容器壓力：53mTo r r 加工氣體：CiFs^l 6 s c cm、C〇=300 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -〇〇 499702 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明ii )

Ar=400sccm 沉澱：1 · 9 5 (相對値） . 首先，參照第1 7 a圖至第1 8 b圖針對維修檢查後因處理條件不同的穩定化差異做一說明。 (1 )狀態A +處理條件A (第1 7 a圖及第1 8 ^ 圖）將處理容器1 1內導入狀態A後，將處理裝置設定在沉澱少的處理條件A。以此狀態來處理搬入處理容器1 1 內的晶圓W。從晶圓搬入後（啓動後）開始用高次階波測定器1 7，於每約0 . 2秒來測定高頻電源1 9的基本波及高次階波之電壓、電流、相位及阻抗，以求得各個測定値 V ( f η ) 、I ( f η ) 、P ( f η ) 、Z ( f u )的每假晶圓之平均値。將該些平均値換算爲針對各個基準處理裝置所對應的値（基準値）之相對値，且將其變動的形態於第1 7 a圖示之。 ί女弟1 7 a圖所不的結果’從處理開始之後各測定値會緩慢地向基準値（=1 )收束，判斷由圖中◦記號開始大致上達到基準値水準而呈穩定狀態。但連〇記號以後還是被認定爲會上下振動。就連該第1 7 a圖所示的狀況，與第2 3 a圖及第2 3 b圖所示的習知手法做一比較的話 ’很容易判斷穩定狀態。對此，更利用本竇施形態之方法由前述測定値求得剩餘得分Q的結果，如第1 8 a圖所示。第1 8 a圖是以複數個測定値作爲剩餘得分q，並將之收集成一個，就連與第1 7 a圖做一比較，來自基準値的本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1--51..- J 1. In ·_1- if—·*- ·1- -;·1‘ (請先閲—背面之注事項舄本百〇 ΙΊ It lf -fr ·—1. ί---線·----il—— -34 - 499702 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明如）偏差就很容易判斷，穩定狀態就能判斷晶圓處理枚數是在 1 0 0〜1 2 0枚的範圍。至此以後認爲剩餘得分Q於周期性稍微增加的傾向。 (2 )狀態A +處理條件B (第1 7 b圖及第1 8 b圖）其次，與（1 )相同，將處理容器1 1內導入狀態A 後，與（1 )不同的而設定在沉澱多的處理條件B。並處理被搬入處理容器1 1內的晶圓W。得到處理裝置啓動後至高頻電源1 9的施加狀態穩定的測定値後，於各測定値中採用與（1 )情況相同相對於基準値的相對値，其結果於第1 7 b圖示之。按第1 7 b圖所示的結果，與各測定値（1 )的情形比較，很快就趨向穩定狀態，達到振幅小 .的穩定狀態是相當於圖中的〇記號，而沒有（1 )的狀況和多餘的改變。對此更利用本實施形態之方法求得剩餘得分Q的話，乃如第1 8 b圖所示，判斷剩餘得分Q會比（ 1 )的情形更快收束到基準値而達到穩定狀態，且易判斷穩定狀態的時點。應用基準處理裝置先決定判斷穩定狀態的基準之剩餘得分的話，能確實地判斷比較處理裝置的穩定狀態。其次，參照第1 9 a圖、第1 9 b圖及第2 〇圖針對維修檢查後的處理容器內的狀態因不同的穩定化之差做_ 說明。 (3 )狀態A +處理條件A (第1 9 a圖及第2 〇 _ ) 將處理容器1 1內導入狀態A後’將處理裝置設定在 (請先閲讀背面之注意事項寫本頁) n· J— _- Ι1Ί 1- »J«

Jn I.........·,·*,·*=*..........-- …一一丨‘ JIJ-· ϋϋ· i^—1 -.- - _ f 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -35- 499702 A7 __ B7 五、發明説明釦）沉澱少的處理條件A。然後處理搬入處理容器1 1內的晶圚W。得到從處理裝置啓動後至高頻電源1 9之施加狀態穩定爲止的測定値後，針對各測定値與（1 )之情形相同地採用相對於基準値之相對値，其結果於第1 9 a圖示之。按第1 9 a圖所示的結果，各測定値會緩慢地向基準値收束，判斷達到穩定狀態是很慢的。判斷在晶圓處理枚數 1 2 0枚左右的〇記號附近爲穩定狀態，但判斷這以後都是上下振幅的測定値，難有穩定化的判斷。對此，更利用本實施形態之方法求得剩餘得分Q的結果，如第2 0圖的狀態A所示。由第2 0圖之狀態A所示的結果即可明白，與第1 8 a圖所示的結果相異，剩餘得分Q收束到基準値爲止，要花掉意想外的時間，判定在晶圓處理枚數1 8 0枚左右的〇記號附近最初爲穩定狀態。 (4 )狀態B +處理條件A (第1 9 b圖及第2 0圖）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其次，將處理容器1 1內導入狀態B後，與（3 )的情形相同，將處理裝置設定在沉澱少的處理條件A。然後處理搬入處理容器1 1內的晶圓W。得到從處理裝置啓動後到高頻電源1 9的施加狀態穩定爲止的測定値後，於各測定値中，與（1 )的情形相同，採用相對於基準値的相對値，其結果於第1 9 b圖示之。按第1 9 b圖所示的結果，判斷各測定値比（3 )的情形更快收束到基準値，很快就達到穩定狀態。又，更利用本實施形態之方法求得剩本紙張尺度適用中國國家標準( CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ ^ ' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499702 A7 B7 五、發明説明i4 ) 餘得分Q的結果，如第2 0圖之狀態B所示。由第2 〇圖之狀態B所示的結果即.可明白，剩餘得分Q很快就達到基準値’但在晶圓處理枚數1 0 0枚以內就有變動，硏判明白完全穩定要到1 0 0枚以上。如以上所做的說明，按本實施形態，應用穩定化的處理裝置1 /之基本波及高次階波的各個電壓値、電流値、相位及阻抗等之電氣資料的測定値V ( f η ) 、I ( ί η ) 、Ρ ( f u ) 、Ζ ( f II )來進彳了事先爲基準的主成份分析而求得基準用的剩餘得分Q Q。然後從維修檢查後的比較處理裝置1 /啓動後開始用高次階波測定器1 7來測定電氣資料，且應用該測定値V ( f η ) 、I ( f η ) 、P ( f n )、Z ( f η )來進行比較用的主成份分析而求得比較用的剩餘得分Q。然後將比較用的剩餘得分Q與基準用的剩餘得分Q 0做一比較，而由兩者之差（Q — Q 0 )檢測出維修檢查後的比較處理裝置1 /方面的高頻電源1 9之穩定狀態。因此，即使有膨大的測定値，只要將該些資料收集成一個的剩餘得分Q與基準値做比較，就能客觀且確實地評估、判斷維修檢查後的比較處理裝置1 /，具體而言就是其處理容器1 1內的穩定狀態。又，按本實施形態，不但可評估、判斷到達穩定狀態的時點，還可導入穩定狀態評估、判斷處理容器1 1內的真空吸引時間等的處理條件要如何設定。其次，針對有關處理裝置之異常檢測方法之實施形態做一說明。本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公慶）— * ~ -37 - ----—1.— -------- (請先閲讀·背面之&意事項本頁} 訂---1---- .- 499702 A7 B7 五、發明説明:) 本實施形態的處理裝置之異常檢測方法’在使用主成份分析方面的剩餘得分Q之點上亦與前述第3實施形態的運轉監視方法共通的。但本實施形態爲正常的處理裝置，亦即沒有處理容器1 1內和高頻電源1 9方面的零件安裝失誤等，將依據設計形態而正確地被組裝的處理裝置作爲基準處理裝置來使用。本實施形態當然是在處理裝置啓動後的高頻電源1 9之施加狀態脫離不穩定的狀態且達到穩、定狀態的階段，來測定基本波及其高次階波的電氣資料。於是，就連本實施形態也與前述實施形態相同，作爲有關基準處理裝置之基本波及其高次階波的電壓、電流、相位及阻抗的各個電氣資料做間歇性測定而求得各頻率的測定値 V ( f u ) 、I ( f η ) 、P ( f η ) 、z ( f fl )，並將該些測定値標準化。並求得有關基準處理裝置以前述算式（9 )所定義的剩餘得分Q 〇。將在基準處理裝置所得到的本徵矢量等之常數設定到比較處理裝置的主成份分析: 程式，在此設定條件下由比較處理裝置的電氣資料求得乘fj 餘得分Q。其次，求得基.準處理裝置的剩餘得分Q 〇與比較處理裝置的剩餘得分Q之差（偏差量），根據此剩餘得分之差（ Q - Q 〇 )來判斷比較處理裝置是否有異常。亦即，剩餘得分之差（Q - Q 〇 )大的話，即在其比較處理裝置表示處理容器1 1和高頻電源1 9的零丨牛$裝-失誤等有異常。一方面，此差（Q — Q q )爲許容値以下的話，其處理裝置判斷爲正常。又，某一剩餘得分Q表示與其本紙張尺度適用中^國國家標準(€阳）八4規格(210/297公釐） ~ " ------- ..—1 .—Ji—' 1 II 1 u n U .ΙΊ·.· (請先閲讀背面之：史意事項}^^寫本頁} ..ΙΊ 1· H- ^ ΊΠ .1— il j I lk^ ' u d 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499702 A7 —_ B7 五、發明説明如) 他剩餘得分相異之値時，會注意到表示剩餘矩陣E中之相異的値之行的剩餘成份。例如第i測定結果的剩餘得分是與基準剩餘得分Q Q相異的値時，即觀察第i行的e i之剩餘成份e ^ ’藉此判斷出那個變數（測定値）是有助於剩餘得分Q的偏移。由此情形連繋異常原因與剩餘大的變數 (基本波、高次階波之電壓、電流等），就可藉此將異常原因做一分類。第2 1圖係具體表示剩餘得分q和零件安裝失誤的關係之座標圖。於第2 1圖中分別表示，n 1及N 2爲正常的處理裝置之剩餘得分’狀態A爲特定部分的沒有螺紋時之剩餘得分’狀態C爲特定部分沒有螺桿時之剩餘得分，狀態D是有別與狀態A的部分沒有螺紋時之剩餘得分，狀態E是有別於狀態C的部位沒有螺桿時之剩餘得分，狀態 F是特定部分的螺紋鬆弛時之剩餘得分，狀態G爲沒有特 ’定零件時之剩餘得分。例如’觀察表示第2 1圖之狀態A中的剩餘得分之行的剩餘成份的話，即如第2 2 a圖，判斷出基本波（f 〇 ) 的電壓V及阻抗Z於負側振幅特別大，3倍波（f 3 )的電流I於正側振幅特別大。又針對第2 1圖的狀態C ，乃如弟2 2 b圖’判斷出基本波的電壓V及阻抗Z於負側振幅特別大，基本波的相位P於正側振幅比較大。又針對第 2 1圖的狀態G，乃如第2 2 C圖，判斷出基本波的電流 I及相位P於負側振幅較大，基本波的阻抗Z於正側振幅特別大。按此，可將成爲異常原因的特定狀態（相關的零本紙張尺度適用中國國家ϋ ( CNS ) A4規格（2i0X 297公釐)~_泊· 衡 • .iK^Ki >ϋϋ IJI- J-HJ ^H^J- _JI^1 (請先閱讀背面之；M意事項 f ί 訂 499702 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明i7 ) 件之種類和安裝零件）等和剩餘得分大的成份之關係做一分類。因而’能事先掌握此關係，得知對剩餘得分的判定係數高之成份，藉此判斷爲何種異常。如以上所做的說明，按本實施形態應用事先正常的基準處理裝置之高頻電源1 9的測定資料來進行主成份分析而求得基準用之剩餘得分。其次，應用測定比較用處理裝置之複數個電氣資料所得到的複數個測定資料來進行主成份分析而求得比較用的剩餘得分。其次，將比較剩餘得分 Q與基準剩餘得分Q〇做一比較，並由兩者之差（Q — Q〇 )來檢測比較處理裝置的異常。因此不必打開處理裝置就能確實地檢測出因零件安裝失誤等的異常。又，可將處理裝置中的零件安裝失誤等之異常由剩餘矩陣E的成份中做一分類。再’以上貫施形態是針對應用主成份分析作爲多元分析的狀況所做的說明’但就算是應用回歸分析等其他多元分析手法還是能實現本發明。又，以上實施形態是舉出對半導體晶圓進行蝕刻處理的電漿處理裝置爲例所做的說明，但除此以外的半導體製造裝置和其他一般的處理裝置亦適用本發明。第1圖係表示應用本發明之運轉監視方法的電漿處理裝置之其中一例的構成圖。第2圖係表示有關利用本發明之其中一實施形態所得到之第1圖所示的電漿處理裝置之第1主成份得分變動之座標圖。本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） .11_=.*.. .J J 1. m in --- --.--i ·11壯衣.一。-r ·1- .= · ΐ (請先閲t背面之：¾意事項^^寫本頁) i ----- -40 - 499702 A7 ______B7 五、發明説明is ) 第3圖係表示有關第1圖所示之電漿處理裝置的高頻電.壓變動之座標圖。第4圖係表示有關利用本發明之其中一實施形態所得到的第1圖所示之電漿處理裝置的第2主成份得分變動之座標圖。第5圖係表示有關第4圖所示的第2主成份得分之高頻電力反射波的突發性變動之座標圖。第6圖係表示有關第4圖所示的第2主成份得分之高頻電壓的突發性變動之座標圖。第7圖係表示有關第4圖所示的第2主成份得分之 C〇氣供給量的突發性變動之座標圖。第8圖係表示剩餘得分的每個晶圓變動狀態之座標圖〇第9圖係表示根據本發明之處理裝置之評估方法的其中一實施形態所求得的基準處理裝置及比較處理裝置的剩餘得分之座標圖。第1 0圖係表示第9圖所示之座標圖中，剩餘得分由基準處理裝置偏移的比較處理裝置之參數的剩餘之座標圖〇第1 1圖係表示應用比較檢討習知處理裝置間性能上之差異點時的處理裝置間之參數不同的座標圖。第1 2圖係相當於表示其他參數之第1 1圖的座標圖〇第1 3圖係相當於表示其他參數之第1 1圖的座標圖本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱面之注意事項寫本頁) -^ J—.— 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 n.n-n-1— J —-線—--I—---- IJ...—1 . -41 - 499702 A7 B7 五、發明説明i9 ) 〇，第1 4圖係相當於表示其他參數之第1 1圖的座標圖〇 (請先閲讀*^:面之法意事項寫本頁) 第1 5圖係相當於表示其他參數之第1 1圖的座標圖〇第1 6圖係表示應用本發明之處理裝置之運轉監視方法及異常檢測方法的處理裝置其中一例之構成圖。第1 7 a圖 '第1 7 b圖係表示應用各個高次階波測定器直到處理裝置的電氣資料穩定化爲止的推移之坐標圖〇第1 8 a圖、第1 8 b圖係表示直到各個對應於第 1 7 a圖、第1 7 b圖的電氣資料之剩餘得分穩定化爲止的推移之座標圖。 ^ 第1 9 a圖、第1 9 b圖係表示應用各個高次階波測定器直到處理裝置的電氣資料穩定化爲止的推移之座標圖〇經濟部智慧財產局員工消費合作社印製第2 0圖係分別表示配合第1 7 a圖、第1 7 b圖的電氣資料之剩餘得分直到穩定化爲止的推移（狀態A、狀態B )之座標圖。第2 1圖係表示根據正常的處理裝置及異常的處理裝置之電氣資料的剩餘得分之座標圖。 0 wmammwmamm ·β 第2 2 a圖、第2 2 b圖及第2 2 c圖係表示各種異常的處理裝置之電氣資料的剩餘成份之座標圖。第2 3 a圖、第2 3 b圖係表示習知所使用的處理裝本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐） -42 499702 A7 B7五、發明説明4〇 ) 置啓動後之電氣資料變動之座標圖〔符號之說明〕 1 :等離子體處理裝置 1 1 :處理容器 W :半導體晶圓 1 2 :下部電極 1 3 :上部電極 1 4 :磁場形成手段 1 5 :氣體供給管 1 6 :氣體排出管 1 9 :高頻電源 1 0 :控制裝置 B:旋轉磁場請先閱 & 之· 法意事項 P 本頁裝經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -43

Claims

499702 A8 B8 C8 D8 夂、申請專利範圍 1 ·—種運轉監視方法’乃屬於使用附設在處理裝置的複數個檢測器，對每個被處理體所檢測的複數個檢測値作爲運轉資料而利用來監視該處理裝置的運轉之方法中，其特徵爲：應用前述運轉資料進行多元分析來評估處理裝置的運轉狀態。 2 ·如申請專範圍第1項所述之運轉監視方法，其中 ’前述多兀分析是進行主成份分析。 3 · —種運轉監視方.法，乃屬於以使用附設在電漿處理裝置的複數個檢測器所檢測的複數個檢測値作爲運轉資料而利用來監視該電漿處理裝置的運轉之方法中，其特徵爲：針對事先作爲基準的複數個被處理體，於各別取得複數個運轉資料的同時，藉此應用所得到的運轉資料來進行主成份分析，應用該主成份分析的結果來評估電漿處理裝置的運轉狀態。 4 ·如申請專範圍第3項所述之運轉監視方法.，其中 ’前述主成份分析的結果是應用第1主成份得分。 5 ·如申請專範圍第4項所述之運轉監視方法，其中 ’應用前述第1主成份得分的方差値來判斷運轉的停止時期。 6 ·如申請專範圍第3項所述之運轉監視方法，其中，前述主成份分析的結果是應用第2主成份得分。 7 · —種運轉監視方法，乃屬於使用附設在處理裝置本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) • . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -44 - 499702 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍的複數個檢測器，對每個被處理體所檢測的複數個檢測値作爲運轉資料而利用來監視處理裝置的運轉之方法中，其特徵爲：將前述運轉資料相對性地區分爲判定係數高的主成份與判定係數低的主成份之同時，求得屬於前述判定係數低的主成份之運轉資料的剩餘矩陣，根據由該剩餘矩陣所得到的剩餘得分來評估處理裝置的運轉狀態。 8 · —種處理裝置之評估方法，乃屬於使用被附設在處理裝置的複數個檢測器.，並將對每個被處理體所檢測的複數個檢測値作爲運轉資料而利用來評估複數個處理裝置間的特性差之方法，其特徵爲具備有：使用基準處理裝置取得複數個被處理體各自的第1運轉資料之工程、和應用前述第1運轉資料來進行多元分析之工程、和使用能與前述基準處理裝置做比較的比較處理裝置，針對複數個被處理體取得各自的第2運轉資料之工程、和將前述第2運轉資料適當塡入前述多元分析結果所獲得的解析結果之工程、和將根據前述第1運轉資料的解析結果與根據前述第2 運轉資料的解析結果做一比較來評估處理裝置間的性能差異之工程。 9 · 一種處理裝置之評估方法，乃屬於使用附設在處理裝置的複數個檢測器，並將對每個被處理體所檢測的前述各測^&之杨測値作爲運轉資料而利用來評估複數個處本紙張;逋國家標準（CNS ) A4· ( 21GX297公釐）—^ " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499702 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍理裝置間的特性差之方法中，其特徵爲具備有 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 使用基準處理裝置取得複數個被處理體各自的第1運轉資料之工程、和應用前述第1運轉資料進行主成份分析而求得剩餘矩陣之工程、和使用能與前述基準處理裝置做比較的比較處理裝置，針對複數個被處理體取得各自的第2運轉資料之工程、和將前述第2運轉資料適當塡入前述主成份分析結果而求得剩餘矩陣之工程、和. 將根據前述第1運轉資料的剩餘矩陣與根據前述第2 運轉資料的剩餘矩陣做一比較來評估處理裝置間的性能差異之工程。 1 〇 .如申請專利範圍第9項所述之處理裝置之評估方法，其中，前述剩餘矩陣彼此間的比較是應用剩餘得分〇 1 1 . 一種處理裝置之運轉監視方法，乃屬於針對處經濟部智慧財產局員工消費合作社印製理裝置從高頻電源對處理容器內的電極施加高頻電力，使之產生電漿來處理被處理體之際，用測定器來測定配合前述處理容器內的狀態所變化的前述高頻電源的複數個電氣資料之同時，應用所測定的複數個電氣資料進行多元分析來檢測前述高頻電源的施加狀態之處理裝置之運轉監視方法中，其特徵爲具備有：於基準處理裝置中，配合處理容器內的狀態將前述高頻電源的施加狀態爲穩定化時的前述複數個電氣資料作爲本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -46- 499702 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 ^、申請專利範圍基準用資料來測定之工程、和 . 應用所取得的複數個基準用資料來進行基分析之工程、和於可監視的比較處理裝置中，以前述複數作爲比較用資料.，並從裝置啓動後開始經常性程、和應用所得的複數個比較用資料來進行比較析之工程、和將前述比較用的多元分析結果與前述基準析結果做一比較，並由兩者的差異來判斷前述置中的高頻電源施加狀態是否配合前述處理容而達到穩定狀態之工程。 1 2 .如申請專利範圍第1 1項所述之運，其中，前述電氣資料是至少應用基本波及高個電壓値、電流値、阻抗及相位角。 1 3 .如申請專利範圍第1 1項所述之運，其中，前述多元分析是進行主成份分析。 1 4 .如申請專利範圍第1 3項所述之運，其中，前述主成份分析結果是應用剩餘得分。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項所述之運，其中，根據前述剩餘得分彼此間的比較結果裝置中的處理條件及/或作用條件。 1 6 . —種處理裝置之異常檢測方法，乃理裝置從高頻電源對處理容器內的電極施行高本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）準用的多元個電氣資料地測定之工用的多元分用的多元分比較處理裝器內的狀態轉監視方法次階波的各轉監視方法轉監視方法轉監視方法來判斷處理屬於針對處頻電力’使請先閲讀背· 面之注意· 事項再脣丨本頁訂 -47- 499702 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍請先閱讀 % 面之注意. 事項再用之產生電漿來處理被處理體之際，用測定器來測定配合前述處理容器內的狀態所變化的前述高頻電源的複數個電氣資料之同時，應用所測定的複數個電氣資料進行多元分析來檢測前述高頻電源的施加狀態，而檢測處理裝置異常之方法中，其特徵爲具備有：於正常的基準處理裝置中，配合處理容器內的狀態，將前述高頻電源施加狀態爲穩定化時的前述複數個電氣資料作爲基準用資料而測定之工程、和應用所得到的複數個基準用資料來進行基準用的多元分析之工程、和於可檢測異常的比較處理裝置中，將前述複數個電氣資料作爲比較用資料而測定之工程、和 '應用所得到的複數個比較用資料來進行比較用的·多元分析之工程、和將前述比較用的多元分析結果與前述基準用的多元分析結果做一比較，並由兩者的差異來檢測前述比較處理裝置的異常之工程。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7 .如申請專利範圍第1 6項所述之處理裝置之異常檢測方法，其中，前述電氣資料是至少應用基本波及高次階波的各個電壓値、電流値、阻抗及相位角。 1 8 .如申請專利範圍第1 6項所述之處理裝置之異常檢測方法，其中，前述多元分析是進行主成份分析。 1 9 .如申請專利範圍第1 8項所述之處理裝置之異常檢測方法，其中，前述主成份分析結果是應用剩餘得分本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -48- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499702 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍〇 2 〇 .如申請專利範圍第1 8項所述之處理裝置之異常檢測方法，其中，根據因前述主成份分析所得到的剩餘矩陣成份，將處理裝置的異常原因做一分類。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閎讀#.面之注意事項再填寫本頁)